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TW201740547A - 接觸阻抗減少 - Google Patents

接觸阻抗減少 Download PDF

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TW201740547A
TW201740547A TW105143495A TW105143495A TW201740547A TW 201740547 A TW201740547 A TW 201740547A TW 105143495 A TW105143495 A TW 105143495A TW 105143495 A TW105143495 A TW 105143495A TW 201740547 A TW201740547 A TW 201740547A
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加圻 梁
戴信能
翁鴻銘
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豪威科技股份有限公司
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Abstract

一種影像感測器包含安置於一半導體材料中之複數個光電二極體及在該半導體材料中安置成鄰近該複數個光電二極體中之一光電二極體之一浮動擴散區。一轉移閘極經安置以將該光電二極體中所產生之影像電荷轉移至該浮動擴散區中。具有一第一橫截面面積之一第一電接觸件耦合至該轉移閘極。具有一第二橫截面面積之一第二電接觸件耦合至該浮動擴散區，且該第二橫截面面積大於該第一橫截面面積。該影像感測器亦包含安置於該半導體材料中之像素電晶體區域，該像素電晶體區域包含與該半導體材料之一第一電連接。具有一第三橫截面面積之一第三電接觸件耦合至與該半導體材料之該第一電連接，且該第三橫截面面積大於該第一橫截面面積。

Description

接觸阻抗減少
本發明大體上係關於影像感測器，且特定言之(但非排他地)係關於接觸阻抗減少。
影像感測器已經變得無處不在。其等廣泛用於數位相機、蜂巢式電話、保全攝影機中，亦廣泛使用於醫療、汽車及其他應用中。用以製造影像感測器之技術持續快速進步。舉例而言，對更高解析度及更低電力消耗之需求促使該等裝置之進一步微型化及整合。 半導體裝置效能(其包含影像感測器裝置效能)與裝置內採用之金屬半導體接面之類型直接相關。取決於電接觸之電路之不同零件，可能出現與諸多不同材料之相容性有關之問題。例如，裝置架構之一個零件可能需要一相對較高之電荷載子密度以在裝置操作期間移動通過該零件。在此情形中，可能有利的是調整材料或裝置尺寸之選擇以最佳匹配特定效能要求。 接觸阻抗係指歸因於接觸電引線之間之介面之阻抗(如與系統中之任一部件之本質阻抗相反，該本質阻抗係一固有性質)。類似於調整裝置架構之特定零件來滿足特定效能規格，電接觸件可能必須經調整以具有特定性質。在一些情形中，最佳化電接觸件失敗可導致裝置效能減弱且可能導致嚴重失效。
本文描述一種用於影像感測器接觸阻抗減少之設備及方法之實例。在以下描述中，闡述眾多特定細節以提供對實例之一透徹理解。然而，熟習此項技術者應認識到，可無需運用該等特定細節中之一或多者或運用其他方法、組件、材料等等來實踐本文所描述之技術。在其他情況中，未詳細展示或描述熟知之結構、材料或操作以避免使某些態樣模糊。 貫穿本說明書對「一項實例」或「一項實施例」之參考意謂與實例相結合而描述之一特定特徵、結構或特性包含於本發明之至少一項實例中。因此，貫穿本說明書在多個地方出現片語「在一項實例中」或「在一項實施例中」並不一定皆指代同一實例。此外，特定之特徵、結構或特性可以任何合適之方式組合於一或多個實例中。 貫穿本說明書，使用若干技術術語。此等術語具有在其等所來自之技術中之普通含義，除非本文中明確定義或其使用背景另外清楚指示。應注意，可貫穿此文件互換使用元件命名及符號(例如，Si與矽)；然而，兩者皆具有相同意義。 圖1A係實例影像感測器100之一俯視圖之一圖解。應注意，所描繪之影像感測器100之俯視圖省略層間介電質141及閘極氧化物151以避免使下伏裝置架構(參見下文圖1B)模糊。在所描繪之實例中，影像感測器100包含：半導體材料101、複數個光電二極體103 (其等經配置成光電二極體陣列105)、轉移閘極107、浮動擴散區109及像素電晶體區域121。影像感測器100亦包含耦合至轉移閘極107之第一電接觸件111、耦合至浮動擴散區109之第二電接觸件113及耦合至像素電晶體區域121中之第一電連接123之第三電接觸件115。像素電晶體區域121亦包含耦合至像素電晶體區域121中之裝置架構之其他零件之若干其他第一電接觸件111。在一項實例中，像素電晶體區域121中之裝置架構之其他零件可包含(自圖1A中之頁面之頂部至頁面之底部)：一位線、一重設電晶體、一源極隨耦器閘極、源極隨耦器汲極、一至浮動擴散區電晶體、一重設電晶體閘極及一重設電晶體汲極。 在一項實例中，像素電晶體區域121中之第一電連接123係與半導體材料101之一P+接觸件。為明晰起見，當諸如半導體材料101之一半導體層非常薄，及/或當像素之數目較大時，半導體層中之阻抗可能變得較大且降低裝置效能。可運用耦合至接地金屬層跡線之接地接觸結構(諸如第一電連接123)減輕此問題。 如所展示，複數個光電二極體103經配置成包含四個光電二極體103之一陣列105。四個轉移閘極107經安置於複數個光電二極體103之中心且經定位以將影像電荷自複數個光電二極體103轉移至浮動擴散區109中。浮動擴散區109位於四個光電二極體103之中心，且呈圓形。在一項實例中，轉移閘極107包含多晶矽，且可經摻雜。儘管所描繪之實例展示四個光電二極體103，但在一或多個實例中，複數個光電二極體103可包含耦合至浮動擴散區109之包含兩個、六個及八個光電二極體103之任何數目個光電二極體103。另外，光電二極體陣列105之定向可能並非係方形，且可採用諸如圓形或類似形狀之任何其他組態。此外，儘管在所描繪之實例中，像素電晶體區域121經安置於半導體材料101之右邊緣上，然像素電晶體區域121可經安置於光電二極體陣列105周圍之任何位置中，且可環繞光電二極體陣列105。 圖1B係圖1A之實例影像感測器100之一橫截面圖解。應注意，圖1B並非係一真正之橫截面而係兩個視圖之一混合。光電二極體陣列105係沿著線A-A’觀察到的，而像素電晶體區域121係沿著線B-B’觀察到的。複數個光電二極體103經安置於半導體材料101中。浮動擴散區109在半導體材料101中安置成鄰近複數個光電二極體103中之一光電二極體103。轉移閘極107經安置以將光電二極體103中所產生之影像電荷轉移至浮動擴散區109中。具有一第一橫截面面積之第一電接觸件111耦合至轉移閘極107。具有一第二橫截面面積之第二電接觸件113耦合至浮動擴散區109，且該第二橫截面面積大於第一電接觸件111之該第一橫截面面積。像素電晶體區域121經安置於半導體材料101中，且包含與半導體材料101之第一電連接123。具有一第三橫截面面積之第三電接觸件115耦合至與半導體材料101之第一電連接123，且該第三橫截面面積大於第一電接觸件111之該第一橫截面面積。 在所描繪之實例中，層間介電質141經安置於半導體材料101上，且轉移閘極107經安置於半導體材料101與層間介電質141之間。此外，閘極氧化物151經安置於層間介電質141與半導體材料101之間。第一電接觸件111延伸通過層間介電質141至轉移閘極107，且第二電接觸件113延伸通過層間介電質141至浮動擴散區109。第三電接觸件115延伸通過層間介電質141至第一電連接123。 如所繪示，在一項實例中，像素電晶體區域121中之複數個電接觸件耦合至像素電晶體區域121，且該複數個電接觸件具有實質上等於第一電接觸件111之該第一橫截面面積之一橫截面面積。在一項實例中，第一電接觸件111、第二電接觸件113、第三電接觸件115及該複數個電接觸件包含鎢。 在一項實例中，第三電接觸件115之該第三橫截面面積大於第二電接觸件113之該第二橫截面面積。然而，在另一實例中，第二電接觸件113之該第二橫截面面積大於第三電接觸件115之該第三橫截面面積。在兩個實例中，該第二橫截面面積及該第三橫截面面積大於一臨限值橫截面面積。該臨限值橫截面面積具有橫截面面積之一大小，在該橫截面面積下，一像素陣列之中心中之像素具有實質上比該陣列之邊緣上之像素更高之一雜訊信號。在所繪示之實例中，矽化物層191經安置於第一電接觸件111與轉移閘極107之間，且矽化物層191減少第一電接觸件111與轉移閘極107之間之接觸阻抗。然而，在其他實例中，矽化物層191可經放置於第二電接觸件113與浮動擴散區109之間以及第三電接觸件115與第一電連接123之間。在一項實例中，矽化物層191可包含諸如Cox Siy 或Nix Siy 之一材料組合物。然而，在一不同實例中，矽化物層191彼此可具有不同材料組合物，且可包含其他金屬(諸如Co、Ni、Ta、Ti、Zn、In、Pb、Ag等等)及半導體元件。 在所描繪之實例中，應注意，第一電接觸件111之該第一橫截面面積比第一電接觸件111所接觸之轉移閘極107之側表面面積之大小之一半還小。在另一實例中，第一電接觸件111之該第一橫截面面積比第一電接觸件111所接觸之轉移閘極107之側表面面積之大小之四分之一還小。在一項實例中，第一電接觸件111之該第一橫截面面積比第二電接觸件113之該第二橫截面面積之大小之一半還小，及/或比第三電接觸件115之第三橫截面面積之大小之一半還小。在另一實例中，第一電接觸件111之該第一橫截面面積比第二電接觸件113之該第二橫截面面積之大小之75%還小，及/或比第三電接觸件115之該第三橫截面面積之大小之75%還小。在一項實例中，第一電接觸件111、第二電接觸件113及第三電接觸件115僅接觸下伏裝置架構之表面；然而，在另一實例中，第一電接觸件111、第二電接觸件113及第三電接觸件115可延伸某一距離至該下伏裝置架構中。儘管在圖1B中未描繪，但在一項實例中，蝕刻停止層可經安置於閘極氧化物151上方且經安置於裝置架構之選擇零件上(例如，安置於轉移閘極107之上表面上)。 儘管未描繪，但在一項實例中，一彩色濾光器層可與複數個光電二極體103光學對準。該彩色濾光器層可包含紅色濾光器、綠色濾光器及藍色濾光器，其等可經配置成一拜耳圖案、EXR圖案、X變換圖案或類似圖案。然而，在一不同或相同實例中，彩色濾光器層可包含紅外濾光器、紫外濾光器或隔離EM光譜之不可見部分之其他光濾光器。在相同或一不同實例中，一微透鏡層形成於該彩色濾光器層上。該微透鏡層可由經圖案化於該彩色濾光器層之表面上之一光活性聚合物製造而成。一旦矩形聚合物塊經圖案化於該彩色濾光器層之表面上，該塊就可經熔化(或回流)以形成微透鏡之圓頂狀結構特性。 在一或多個實例中，裝置架構之其他零件可存在於影像感測器100中/上，諸如光電二極體103之間之釘紮阱以及電隔離結構。在一項實例中，影像感測器100之內部組件可由電隔離結構及/或光學隔離結構環繞。此可有助於減少影像感測器100中之雜訊。可藉由在半導體材料101中圍繞個別光電二極體103蝕刻隔離溝渠來實現電隔離，該隔離溝渠接著可以半導體材料、氧化物材料或類似者來填充。可藉由在安置於一彩色濾光器層下方之半導體材料101之表面上構造一反射柵格來形成光學隔離結構。該等光學隔離結構可與複數個光電二極體103光學對準。 在操作中，影像感測器100中之光電二極體103收集影像光，且借助光電二極體103中所含有之P-N接面產生影像電荷。藉由將一電壓(其大於一臨限電壓)施加於轉移閘極107來將影像電荷發送至浮動擴散區109。接著，可自浮動擴散區109讀出電荷以形成影像資料。在一些實例中，在影像感測器100裝置架構之不同零件之間，執行此等操作必要之電壓/電流要求可能係不同的。此外，接觸阻抗可在裝置架構之各種層與電接觸件之間變化(例如，第一電接觸件111、第二電接觸件113及第三電接觸件115之接面及半導體電路之其等對應零件全都皆可具有不同接觸阻抗)。在一些實例中，裝置中之暗信號之量值與各種半導體金屬接面處之接觸阻抗成比例。藉由減少此等接面處之接觸阻抗，可減小暗信號之量值。減小接觸阻抗之一種方式係藉由增加接觸介面面積。因此，本發明提供一種藉由改變電接觸件之橫截面面積減少接觸阻抗之一方式。熟習此項技術者應瞭解，此裝置架構可被容易地併入至既有半導體製造線中。 圖2繪示包含來自圖1A及圖1B之複數個影像感測器之一成像系統200之一項實例。在所描繪之實例中，複數個光電二極體103已經配置成包含列及行之一陣列。在此處，描繪僅具有光電二極體103之六個行及四個列之一相對簡單之裝置。然而，在另一實例中，可使用任何數目個光電二極體列及行來實施根據本發明之教示。儘管未描繪，然一金屬線層可跨越光電二極體陣列205之表面延伸；從而將像素電晶體區域221及光電二極體陣列205之元件彼此連接及連接至其他邏輯(圖中未描繪)。 圖3係繪示包含圖2之成像系統之一成像系統300之一項實例之一方塊圖。成像系統300包含像素陣列305、控制電路321、讀出電路311及功能邏輯315。在一項實例中，像素陣列305係光電二極體或影像感測器像素(例如，像素P1、P2、…、Pn)之一個二維(2D)陣列。如所繪示，光電二極體經配置成列(例如，列R1至Ry)及行(例如，行C1至Cx)中以獲取個一人、位置、物體等等之影像資料，接著可使用該影像資料再現個人、位置、物體等等之一2D影像。然而，該等列及行不一定必須係線性且可取決於使用情況呈其他形狀。 在一項實例中，在像素陣列305中之各影像感測器光電二極體/像素已獲取其影像資料或影像電荷之後，由讀出電路311讀出該影像資料且接著將其轉移至功能邏輯315。讀出電路311可經耦合以讀出來自像素陣列305中之複數個光電二極體之影像資料，且可包含於像素電晶體區域(例如，像素電晶體區域121)中。在各種實例中，讀出電路311可包含放大電路、類比轉數位(ADC)轉換電路或其他電路。功能邏輯315可簡單儲存該影像資料或甚至藉由應用影像後效果(例如，剪裁、旋轉、消除紅眼、調整亮度、調整對比度或其他)更改/操縱該影像資料。在一項實例中，讀出電路311可沿著讀出行線一次讀出一列影像資料(已繪示)，或可使用諸如串列讀出或同時全並行讀出所有像素之多種其他技術(未繪示)來讀出該影像資料。 在一項實例中，控制電路321耦合至像素陣列305以控制像素陣列305中之複數個光電二極體之操作，且可被包含於像素電晶體區域(例如，像素電晶體區域121)中。舉例而言，控制電路321可產生用於控制影像獲取之一快門信號。在一項實例中，該快門信號係全域快門信號，其用於同時啟用像素陣列305內之所有像素以在一單一獲取窗期間同時擷取其等各自影像資料。在另一項實例中，該快門信號係一捲動快門信號，使得在連續獲取窗期間循序地啟用像素之各列、各行或各群組。在另一實例中，影像獲取與光照效果(諸如，一閃光)同步。 在一項實例中，成像系統300可包含於一數位相機、手機、膝上型電腦或類似者中。另外，成像系統300可耦合至其他硬體零件，諸如一處理器，記憶體元件、輸出(USB埠、無線發射器、HDMI埠等等)、發光/閃光、電輸入(鍵盤、觸摸式顯示器、追蹤墊、滑鼠、麥克風、等等)及/或顯示器。其他硬體/軟體零件可將指令遞送至成像系統300，自成像系統300提取影像資料，或操縱由成像系統300所供應之影像資料。 圖4描繪用於形成圖1A及圖1B之影像感測器之一實例方法400。不應認為方塊中之一些或全部在方法400中出現之順序具限制性。而是，受益於本發明之熟習此項技術者應理解，方法400中之一些可以未繪示之多種循序執行或甚至並行執行。此外，方法400可省略某些方塊以避免使某些態樣模糊。替代地，方法400可包含在本發明之一些實施例/實例中可能不必要之額外方塊。 應注意，圖4中所描繪之實例方法400自影像感測器製程之中間開始。在實例方法400開始時，複數個光電二極體已形成於半導體材料中。一浮動擴散區已接近若干光電二極體而形成於半導體材料中。一閘極氧化物也已形成於半導體材料之頂部上。該閘極氧化物可包含氧化矽或類似者。此外，轉移閘極經製造於該閘極氧化物上。 程序方塊401繪示將一或多個接觸蝕刻停止層形成於裝置之表面上。在一些實例中，此可係關於覆蓋半導體材料/閘極氧化物之整個表面及轉移閘極及浮動擴散區之表面。然而，在另一實例中，裝置架構之選擇零件可經覆蓋而其他者未經覆蓋。舉例而言，轉移閘極之表面可經暴露，而閘極氧化物之表面可經覆蓋，或反之亦然。在一項實例中，該蝕刻停止層可包含氮化矽。 方塊411展示將層間介電質形成於半導體材料之表面上。此可藉由將氧化物材料(諸如，氧化矽或類似者)沉積於半導體材料之表面上來實現。 程序方塊421、423及425繪示達成具有不同大小之電接觸件之若干遮罩/蝕刻選項。在程序方塊421處，僅使用一個遮罩步驟在層間介電質中產生用於電接觸件之孔。在一些實例中，此可為明智的，此係因為減少程序步驟之數目導致一更具成本效益之製造線。程序方塊423展示使用兩個遮罩程序在層間介電質中蝕刻用於電接觸件之孔。舉例而言，可圖案化及蝕刻用於第一電接觸件之孔，且接著，隨後可圖案化及蝕刻用於第二及第三接觸件之更大孔。應注意，可運用任何適合之(正性或負性)光阻劑達成該圖案化，且可運用任何適合之(乾式或濕式)蝕刻工藝達成孔之蝕刻。程序方塊425描繪使用三個單獨遮罩及蝕刻步驟圖案化用於第一電接觸件、第二電接觸件及第三電接觸件之孔。在其中蝕刻之準確性比減少程序步驟更有價值之情形中，此方法可係優選的。 程序方塊431揭示運用金屬接觸件填充層間介電質中所蝕刻之孔。在一項實例中，第一電接觸件、第二電接觸件及第三電接觸件全部皆包含相同之材料，諸如鎢。然而，在另一實例中，各電接觸件可由一不同材料製成。舉例而言，第一電接觸件可包含鎢，且第二及第三電接觸件可包含銅(或任何其他適合之金屬)。 程序方塊441揭示界定第一金屬線層。此涉及連接在方塊401至431中所製造之各種電接觸件。金屬線層可跨越裝置之表面水平延伸，且將像素電晶體區域及光電二極體陣列中所包含之電路連接至其他邏輯，諸如控制電路及讀出電路。 本發明所繪示之實例之上文描述(包含發明摘要中所描述之內容)不意欲為詳盡的或將本發明限制為所揭示之精確形式。雖然本文出於繪示性目的描述本發明之特定實例，然如熟習此項技術者應認識到，在本發明之範圍內多種等效修改係可能的。 鑑於上文詳細之描述，可對本發明之實例做出此等修改。隨附申請專利範圍中所使用之術語不應被解釋為將本發明限制於說明書中揭示之特定實例。而是，本發明之範疇將完全由隨附申請專利範圍確定，該等申請專利範圍應根據申請專利範圍解譯之公認原則來解釋。
100‧‧‧影像感測器
101‧‧‧半導體材料
103‧‧‧光電二極體
105‧‧‧光電二極體陣列
107‧‧‧轉移閘極
109‧‧‧浮動擴散區
111‧‧‧第一電接觸件
113‧‧‧第二電接觸件
115‧‧‧第三電接觸件
121‧‧‧像素電晶體區域
123‧‧‧第一電連接
141‧‧‧層間介電質
151‧‧‧閘極氧化物
191‧‧‧矽化物層
200‧‧‧成像系統
205‧‧‧光電二極體陣列
221‧‧‧像素電晶體區域
300‧‧‧成像系統
305‧‧‧像素陣列
311‧‧‧讀出電路
315‧‧‧功能邏輯
321‧‧‧控制電路
400‧‧‧實例方法
401‧‧‧程序方塊
411‧‧‧程序方塊
421‧‧‧程序方塊
423‧‧‧程序方塊
425‧‧‧程序方塊
431‧‧‧程序方塊
441‧‧‧程序方塊
C1-Cx‧‧‧行
P1-Pn‧‧‧像素
R1-Ry‧‧‧列
參考以下圖式描述本發明之非限制及非窮舉實例，其中相似之元件符號指代貫穿多種視圖之相似部件，除非另有說明。 圖1A係根據本發明之教示之一實例影像感測器之一俯視圖之一圖解。 圖1B係根據本發明之教示之圖1A之實例影像感測器之一橫截面圖解。 圖2繪示根據本發明之教示之包含來自圖1A及圖1B之複數個影像感測器之一成像系統之一項實例。 圖3係根據本發明之教示之繪示包含圖2之成像系統之一成像系統之一項實例之一方塊圖。 圖4描繪根據本發明之教示之用於形成圖1A及圖1B之影像感測器之一實例方法。 對應之參考字元指示貫穿諸圖中若干視圖之對應組件。熟習此項技術者應瞭解，為簡單且清楚起見繪示圖中之元件，且並不一定按比例繪製元件。舉例而言，圖中一些元件之尺寸可相對於其他元件而被誇大以幫助改善對本發明之各種實施例之理解。並且，為了更方面地瞭解本發明之此等多種實施例，通常不描繪在商業可行之實施例中有用或必要之常見但眾所周知之元件。
100‧‧‧影像感測器
101‧‧‧半導體材料
103‧‧‧光電二極體
105‧‧‧光電二極體陣列
107‧‧‧轉移閘極
109‧‧‧浮動擴散區
111‧‧‧第一電接觸件
113‧‧‧第二電接觸件
115‧‧‧第三電接觸件
121‧‧‧像素電晶體區域
123‧‧‧第一電連接
141‧‧‧層間介電質
151‧‧‧閘極氧化物
191‧‧‧矽化物層

Claims (20)

  1. 一種影像感測器，其包括： 複數個光電二極體，其安置於一半導體材料中； 一浮動擴散區，其在該半導體材料中安置成接近該複數個光電二極體中之一光電二極體； 一轉移閘極，其經安置以將該光電二極體中所產生之影像電荷轉移至該浮動擴散區中； 一第一電接觸件，其具有一第一橫截面面積，其中該第一電接觸件耦合至該轉移閘極； 一第二電接觸件，其具有一第二橫截面面積，其中該第二電接觸件耦合至該浮動擴散區，且其中該第二橫截面面積大於該第一橫截面面積； 一像素電晶體區域，其安置於該半導體材料中，該像素電晶體區域包含與該半導體材料之一第一電連接；及 一第三電接觸件，其具有一第三橫截面面積，其中該第三電接觸件耦合至與該半導體材料之該第一電連接，且其中該第三橫截面面積大於該第一橫截面面積。
  2. 如請求項1之影像感測器，其中該第三橫截面面積大於該第二橫截面面積。
  3. 如請求項1之影像感測器，其中該第二橫截面面積大於該第三橫截面面積。
  4. 如請求項1之影像感測器，其進一步包括：一層間介電質，其安置於該半導體材料上，其中該轉移閘極安置於該半導體材料與該層間介電質之間，且其中該第一電接觸件延伸通過該層間介電質至該轉移閘極，該第二電接觸件延伸通過該層間介電質至該浮動擴散區，且該第三電接觸件延伸通過該層間介電質至與該半導體材料之該第一電連接。
  5. 如請求項1之影像感測器，其進一步包括該像素電晶體區域中之複數個電接觸件，其中該複數個電接觸件耦合至像素電晶體區域，且其中該複數個電接觸件具有實質上等於該第一橫截面面積之一橫截面面積。
  6. 如請求項5之影像感測器，其中該第一電接觸件、該第二電接觸件、該第三電接觸件及該複數個電接觸件包含鎢。
  7. 如請求項1之影像感測器，其進一步包括：矽化物層，其安置於該第一電接觸件與該轉移閘極之間，且其中該矽化物層減少該第一電接觸件與該轉移閘極之間之接觸阻抗。
  8. 如請求項1之影像感測器，其中該複數個光電二極體經配置成包含列及行之一陣列。
  9. 如請求項8之影像感測器，其進一步包括：控制電路及讀出電路，其中該讀出電路讀出來自該複數個光電二極體之影像資料，且其中該讀出電路中之至少一些被包含於該像素電晶體區域中，且其中該控制電路運用該複數個光電二極體控制影像擷取。
  10. 如請求項8之影像感測器，其中該第二橫截面面積及該第三橫截面面積大於一臨限值橫截面面積，且其中在該臨限值橫截面面積下，該陣列之一中心中之像素具有實質上比該陣列之邊緣上之像素更高之一雜訊信號。
  11. 如請求項1之影像感測器，其中該像素電晶體區域中之該第一電連接係與該半導體材料之一P+接觸件。
  12. 一種成像系統，其包括： 複數個光電二極體，其安置於一半導體材料中； 一浮動擴散區，其在該半導體材料中安置成接近該複數個光電二極體； 複數個轉移閘極，其安置於該複數個光電二極體與該浮動擴散區之間，其中該複數個轉移閘極經定位以將影像電荷自該複數個光電二極體轉移至該浮動擴散區中； 複數個第一電接觸件，其耦合至該複數個轉移閘極， 一第二電接觸件，其耦合至該浮動擴散區，其中該第二電接觸件之一第二橫截面面積大於該複數個第一電接觸件中之一個別第一電接觸件之一第一橫截面面積。
  13. 如請求項12之成像系統，其進一步包括：像素電晶體區域，其包含與該半導體材料之一P+接觸件，其中一第三電接觸件耦合至該P+接觸件，且其中該第三電接觸件之一第三橫截面面積大於該個別第一電接觸件之該第一橫截面面積。
  14. 如請求項13之成像系統，其中該第三電接觸件之該第三橫截面面積大於該第二電接觸件之該第二橫截面面積。
  15. 如請求項13之成像系統，其進一步包括額外第一電接觸件，其中該像素電晶體區域包含該額外第一電接觸件。
  16. 如請求項14之成像系統，其中該複數個第一電接觸件、該第二電接觸件及該第三電接觸件包含鎢。
  17. 如請求項12之成像系統，其進一步包括：矽化物層，其安置於該複數個第一電接觸件與該複數個轉移閘極之間。
  18. 一種電連接系統，其包括： 一浮動擴散區，其安置於一半導體材料中； 一轉移閘極，其安置於該半導體材料上，其中該轉移閘極安置成接近該浮動擴散區以將電荷轉移至該浮動擴散區中； 一像素電晶體區域，其安置於該半導體材料中，其中該像素電晶體區域包含與該半導體材料之一第一電連接； 一第一電接觸件，其耦合至該轉移閘極，其中該第一電接觸件具有一第一橫截面面積； 一第二電接觸件，其耦合至該浮動擴散區，其中該第二電接觸件之一第二橫截面面積大於該第一電接觸件之該第一橫截面面積； 一第三電接觸件，其耦合至該像素電晶體區域中之該第一電連接，其中該第三電接觸件具有一第三橫截面面積，且其中該第三橫截面面積大於該第一電接觸件之該第一橫截面面積。
  19. 如請求項18之電連接系統，其中該第三電接觸件之該第三橫截面面積大於該第二電接觸件之該第二橫截面面積。
  20. 如請求項18之電連接系統，其進一步包括：一層間介電質，其安置於該半導體材料上，其中該轉移閘極安置於該半導體材料與該層間介電質之間，且其中該第一電接觸件、該第二電接觸件及該第三電接觸件安置於該層間介電質中。
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