TWI509371B - 基板處理系統及方法 - Google Patents

Description

基板處理系統及方法

本發明係關於一種基板處理系統與方法，且更特定而言，係關於一種用於對晶圓執行一光刻製程(photolithography process)之系統及方法。

為製造半導體元件，需執行諸如清潔製程、沉積製程、光刻製程、蝕刻製程、離子佈植製程等各種製程。在半導體元件之高度整合中，用於形成圖案之照相製程(photography process)起著重要作用。

大體上，一用於執行該光刻製程(photolithography process)之系統包含：一塗佈單元，其用於將光阻劑塗佈於一晶圓上；一顯像單元，其用於對已經歷一曝光製程之晶圓執行一顯像製程；及一處理模組，其具有一用於與一曝光設備直排連接之介面。近年來，隨著半導體元件之高度整合，增加了執行曝光製程所需之時間。此導致在曝光設備中出現晶圓壅塞。因此，在一基板處理模組中所提供之塗佈及顯像單元中，處理效率被顯著劣化。

本發明提供一種基板處理系統與方法，其可改良一光刻製程之效率。

本發明亦提供一種基板處理系統與方法，其可提高用於執行塗佈及顯像製程之單元的生產效率，所述製程分別在一曝光製程之前及之後執行。

本發明亦提供一種基板處理系統，其具有一可有效地配置處 理室以用於執行製程之佈局。

本發明之目的並不限於上述內容，且熟習此項技術者可透過以下說明而明瞭本發明之其他目的。

本發明之具體實施例提供一種基板處理系統，其包含：一塗佈單元，其用於對基板執行一塗佈製程；一曝光前後處理單元，其連接至一曝光單元，以用於對已在該塗佈單元中處理之基板執行一曝光製程及執行一曝光前/曝光後處理製程；及一顯像單元，其用於對已在該曝光前後處理單元中處理之基板執行一顯像製程。該塗佈單元、該曝光前後處理單元及該顯像單元之每一者，包含：一裝載口，於其上設置有一用以收納基板的容器；一分度模組，其自該容器取出基板或將基板運送至該容器；及一處理模組，其用於在基板上執行一預定製程。該裝載口、該分度模組，及該處理模組按順序配置。該曝光前後處理單元更包含：一介面模組，其連接至該曝光單元，該介面模組設置於該處理模組之一側，而該分度模組設置於該處理模組之另一側。

在具體實施例中，該曝光前後處理單元之處理模組可包含設置於不同層之第一模組和第二模組。該第一模組可包含一保護層塗佈室，該保護層塗佈室用於將一保護層塗佈於基板上；一烘烤室，其用於對基板執行一熱處理；及一第一機器人，其用於在該保護層塗佈室與該烘烤室之間傳送基板。該第二模組可更包含一清潔室，其用於清潔基板。此外，該第二模組可包含一曝光後烘烤室，該曝光後烘烤室用於對已曝光之基板執行一曝光後烘烤；及一第二機器人，其用於在該清潔室與該曝光後烘烤室之間傳送基板。

在其他具體實施例中，該曝光前後處理單元可更包含一緩衝模組，該緩衝模組設置於該分度模組與該處理模組之間，其中，該緩衝模組包括：一第一緩衝區，其設置於一對應於該第一模組之高度且臨時儲存基板；及一第二緩衝區，其設置於一對應於該 第二模組之高度且臨時儲存基板。所述第一和第二緩衝區可相互堆疊，且所述第一和第二緩衝區之每一者可包含複數個支撐物。此外，該曝光前後處理單元之該緩衝模組可更包含一緩衝區機器人，該緩衝區機器人用於在所述第一和第二緩衝區之間傳送基板。所述第一和第二緩衝區可在一垂直方向上並排配置。該緩衝模組可設置於一對應於該第一模組之高度且更包含一冷卻室，該冷卻室用於冷卻基板。

在其他具體實施例中，該介面模組可包含一第一緩衝區，其設置於一對應於該第一模組之高度且臨時儲存基板；一第二緩衝區，其設置於一對應於該第二模組之高度且臨時儲存基板；及一介面機器人，以用於在該曝光單元與該第二緩衝區之間以及在該第二緩衝區與該曝光單元之間傳送基板。

在其他具體實施例中，該塗佈單元可更包含一邊緣曝光模組，其中該邊緣曝光模組可設置於該處理模組之一側，而該分度模組可設置於該處理模組之另一側。

在本發明之其他具體實施例中，一種曝光前後處理單元，其用在一曝光製程之前及之後對一於其上塗佈光阻劑之基板執行所需製程，該曝光前後處理單元包含：一裝載口，其上設置有一用於收納基板之容器；一分度模組，其自該容器取出基板，或將基板運送至該容器；一處理模組，其用於對該基板執行一製程；及一介面模組，其連接至一曝光單元。該裝載口、該分度模組、該處理模組及該介面模組按順序配置在一第一方向上，且該處理模組包含一保護層塗佈室，該保護層塗佈室用於將一保護層塗佈於基板之上。該處理模組可更包含一清潔室，該清潔室用於清潔基板。該處理模組可更包含一熱處理基板之烘烤室。該處理模組可更包含一曝光後烘烤室，該曝光後烘烤室用於對已曝光之基板執行一曝光後烘烤製程。

在具體實施例中，該處理模組可包含設置於不同層之第一模 組和第二模組，其中該保護層塗佈室可設置於該第一模組中，而該清潔室可設置於該第二模組中。該處理模組可更包含一烘烤室，該烘烤室設置於該第一模組中並用於熱處理基板；一第一機器人，其設置於該第一模組中，並用於在該保護層塗佈室與該烘烤室之間傳送基板；一曝光後烘烤室，其設置於該第二模組中且用於對已曝光之基板執行一曝光後烘烤製程；及一第二機器人，其設置於該第二模組中，且用於在該清潔室與該曝光後烘烤室之間傳送基板。

在其他具體實施例中，該曝光前後處理單元可更包含一緩衝模組，該緩衝模組設置於該分度模組與該處理模組之間，其中該緩衝模組可包含一第一緩衝區，其設置於一對應於該第一模組之高度且臨時儲存基板；及一第二緩衝區，其設置於一對應於該第二模組之高度且臨時儲存基板。所述第一和第二緩衝區可相互堆疊，且所述第一和第二緩衝區之每一者可包含複數個支撐物，於所述支撐物上分別設置所述基板。該緩衝模組可更包含一緩衝區機器人，以用於在所述第一和第二緩衝區之間傳送基板。所述第一和第二緩衝區可在一垂直方向上並排配置。該緩衝模組可設置於一對應於該第一模組之高度且更包含一冷卻室，以用於冷卻基板。

在其他具體實施例中，該介面模組可包含一第一緩衝區，其設置於一對應於該第一模組之高度且臨時儲存基板；一第二緩衝區，其設置於一對應於該第二模組之高度且臨時儲存基板；及一介面機器人，其用於在該第一緩衝區與該曝光單元之間以及在該第二緩衝區及該曝光單元之間傳送基板。所述第一和第二緩衝區可相互堆疊，且所述第一和第二緩衝區之每一者可包含複數個支撐物，而所述基板分別設置於所述支撐物上。

在本發明之更多其他具體實施例中，一種曝光前後處理單元，其用在一曝光製程之前及之後對一於其上塗佈光阻劑之基板 執行所需製程，該曝光前後處理單元包含：一裝載口，於該裝載口之上設置一用於收納基板的容器；一分度模組，其自該容器取出基板，或將基板運送至該容器；一處理模組，其對基板執行一製程；一緩衝模組，其設置於該分度模組與該處理模組之間；及一介面模組，其連接至一曝光單元。該裝載口、該分度模組、該緩衝模組、該處理模組及該介面模組按順序配置在一第一方向上，而該處理模組包含設置於不同層之第一和第二模組。該第一模組包含：一保護層塗佈室，其用於將一保護層塗佈於基板上；一烘烤室，其用於熱處理基板；及一回流室，其具有一第一機器人，其用於在該保護層塗佈室、該烘烤室、該緩衝模組及該介面模組之間傳送基板。該第二模組包含：一清潔室，其用於清潔基板；一曝光後烘烤室，其用於對基板執行一曝光後烘烤製程；及一回流室，其配備一第二機器人，以用於在該清潔室、該曝光後烘烤室、該緩衝模組及該介面模組之間傳送晶圓。

在其他具體實施例中，該保護層塗佈室、配備該第一機器人之該回流室、及該烘烤室可按順序配置於一第二方向上，且該清潔室、配備該第二機器人之該回流室及該曝光後烘烤室可按順序配置於該第二方向上。

在其他具體實施例中，該第一模組可佈置於該第二模組之上。該緩衝模組可包含：一第一緩衝區，其設置於一對應於該第一模組之高度且臨時儲存基板；及一冷卻室，其設置於一對應於該第二模組之高度且用於冷卻基板。該第一緩衝區及該冷卻室可在一垂直方向上並排配置。自上方檢視時，在該第一方向上，該第一緩衝區可配置成與該第一模組之回流室成一直線。

在更多其他具體實施例中，該緩衝模組可更包含：一第二緩衝區，其設置於一對應於該第二模組之高度且臨時儲存基板；及一緩衝區機器人，其在所述第一和第二緩衝區之間傳送基板。自上方檢視時，該第一緩衝區及該緩衝區機器人可配置於一垂直於 該第一方向之第二方向上。

在本發明之更多其他具體實施例中，一種基板處理方法，其包含：在該基板上塗佈光阻劑；在已於其上塗佈光阻劑之基板上塗佈一保護層；對已於其上塗佈該保護層之基板執行一液體浸潤微影製程(liquid immersion lithography process)；清潔已在該液體浸潤微影製程中處理之基板；及對該基板執行一顯像製程。該保護層之塗佈及該基板之清潔在一曝光前後處理單元中執行，該曝光前後處理單元與一執行該液體浸潤微影製程之曝光單元連接成一直線。該光阻劑之塗佈執行於一與該曝光前後處理單元分隔之塗佈單元中。該顯像製程之執行係實現於一與該曝光前後處理單元分隔之塗佈單元中。

在具體實施例中，該方法可更包含在清潔基板之後且在對基板執行顯像製程之前，對基板執行一曝光後烘烤製程。該基板之清潔可藉由將清潔液體供應至基板而執行，且殘留於基板上之清潔液體可藉由加熱該基板來移除，而無需藉由供應流體來乾燥該基板。

該基板之清潔可藉由將清潔液體供應至基板來執行，且殘留於基板上之清潔液體可在緊接該基板之清潔之後執行之曝光後烘烤製程中被移除。

該保護層可在該曝光前後處理單元之一外側被移除。該保護層之一部分可在該顯像製程中被移除，而其餘部分可在一灰化製程中移除。

1‧‧‧基板處理系統

12‧‧‧第一方向

14‧‧‧第二方向

16‧‧‧第三方向

102‧‧‧薄膜

103‧‧‧曝光區域

104‧‧‧光阻劑

106‧‧‧保護層

108‧‧‧選定區域

1000‧‧‧自動傳送單元

2000‧‧‧容器

3000‧‧‧塗佈單元

3100‧‧‧裝載口

3120‧‧‧裝載台

3200‧‧‧分度模組

3210‧‧‧框架

3220‧‧‧分度機器人

3221‧‧‧手

3222‧‧‧臂

3223‧‧‧支撐物

3224‧‧‧基座

3230‧‧‧導軌

3300‧‧‧緩衝模組

3310‧‧‧框架

3320‧‧‧第一緩衝區

3321‧‧‧外殼

3322‧‧‧支撐物

3330‧‧‧第二緩衝區

3331‧‧‧外殼

3332‧‧‧支撐物

3340‧‧‧第一冷卻室

3350‧‧‧第二冷卻室

3351‧‧‧外殼

3352‧‧‧冷卻板

3353‧‧‧冷卻元件

3360‧‧‧緩衝區機器人

3361‧‧‧手

3362‧‧‧臂

3363‧‧‧支撐物

3400‧‧‧處理模組

3401‧‧‧第一模組

3402‧‧‧第二模組

3410‧‧‧光阻劑塗佈室

3411‧‧‧外殼

3412‧‧‧支撐板

3413‧‧‧噴嘴

3414‧‧‧噴嘴

3420‧‧‧烘烤室

3421‧‧‧冷卻板

3422‧‧‧加熱板

3423‧‧‧冷卻元件

3424‧‧‧加熱元件

3430‧‧‧回流室

3432‧‧‧第一機器人

3433‧‧‧導軌

3434‧‧‧手

3435‧‧‧臂

3436‧‧‧支撐物

3437‧‧‧基座

3453‧‧‧臂

3460‧‧‧光阻劑塗佈室

3470‧‧‧烘烤室

3480‧‧‧回流室

3482‧‧‧第二機器人

3500‧‧‧邊緣曝光模組

3510‧‧‧框架

3520‧‧‧第一緩衝區

3530‧‧‧第二緩衝區

3540‧‧‧第一冷卻室

3550‧‧‧第二冷卻室

3560‧‧‧邊緣曝光機器人

3570‧‧‧第一邊緣曝光室

3580‧‧‧第二邊緣曝光室

4000‧‧‧曝光前後處理單元

4100‧‧‧裝載口

4120‧‧‧裝載台

4200‧‧‧分度模組

4210‧‧‧框架

4220‧‧‧分度機器人

4221‧‧‧手

4222‧‧‧臂

4223‧‧‧支撐物

4224‧‧‧基座

4230‧‧‧導軌

4300‧‧‧緩衝模組

4310‧‧‧框架

4320‧‧‧第一緩衝區

4321‧‧‧外殼

4322‧‧‧支撐物

4330‧‧‧第二緩衝區

4331‧‧‧外殼

4332‧‧‧支撐物

4340‧‧‧冷卻室

4341‧‧‧外殼

4342‧‧‧冷卻板

4343‧‧‧冷卻元件

4360‧‧‧緩衝區機器人

4361‧‧‧手

4362‧‧‧臂

4363‧‧‧支撐物

4400‧‧‧處理模組

4401‧‧‧第一模組

4402‧‧‧第二模組

4410‧‧‧保護層塗佈室

4411‧‧‧外殼

4412‧‧‧支撐板

4413‧‧‧噴嘴

4420‧‧‧烘烤室

4421‧‧‧冷卻板

4422‧‧‧加熱板

4423‧‧‧冷卻元件

4424‧‧‧加熱元件

4430‧‧‧回流室

4432‧‧‧第一機器人

4433‧‧‧手

4434‧‧‧臂

4435‧‧‧支撐物

4460‧‧‧清潔室

4461‧‧‧外殼

4462‧‧‧支撐板

4463‧‧‧噴嘴

4470‧‧‧曝光後烘烤室

4471‧‧‧冷卻板

4472‧‧‧加熱板

4473‧‧‧冷卻元件

4474‧‧‧加熱元件

4480‧‧‧回流室

4482‧‧‧第二機器人

4500‧‧‧介面模組

4510‧‧‧框架

4520‧‧‧第一緩衝區

4521‧‧‧外殼

4522‧‧‧支撐物

4530‧‧‧第二緩衝區

4531‧‧‧外殼

4532‧‧‧支撐物

4540‧‧‧介面機器人

5000‧‧‧顯像單元

5100‧‧‧裝載口

5120‧‧‧裝載台

5200‧‧‧分度模組

5210‧‧‧框架

5220‧‧‧分度機器人

5221‧‧‧手

5222‧‧‧臂

5223‧‧‧支撐物

5224‧‧‧基座

5230‧‧‧導軌

5300‧‧‧緩衝模組

5310‧‧‧框架

5320‧‧‧第一緩衝區

5321‧‧‧外殼

5322‧‧‧支撐物

5330‧‧‧第二緩衝區

5331‧‧‧外殼

5332‧‧‧支撐物

5340‧‧‧第一冷卻室

5350‧‧‧第二冷卻室

5351‧‧‧外殼

5352‧‧‧冷卻板

5353‧‧‧冷卻單元

5360‧‧‧緩衝區機器人

5361‧‧‧手

5362‧‧‧臂

5363‧‧‧支撐物

5400‧‧‧處理模組

5401‧‧‧第一模組

5402‧‧‧第二模組

5410‧‧‧顯像室

5411‧‧‧外殼

5412‧‧‧噴嘴

5413‧‧‧噴嘴

5414‧‧‧噴嘴

5420‧‧‧烘烤室

5421‧‧‧冷卻板

5422‧‧‧加熱板

5423‧‧‧冷卻元件

5424‧‧‧加熱元件

5430‧‧‧回流室

5432‧‧‧第一機器人

5433‧‧‧導軌

5434‧‧‧手

5435‧‧‧臂

5436‧‧‧支撐物

5437‧‧‧基座

5453‧‧‧臂

5460‧‧‧顯像室

5470‧‧‧烘烤室

5480‧‧‧回流室

9000‧‧‧曝光單元

A‧‧‧方向「A」

B‧‧‧方向「B」

C‧‧‧方向「C」

D‧‧‧方向「D」

E‧‧‧方向「E」

F‧‧‧方向「F」

w‧‧‧晶圓

所含隨附圖式，係為提供對本發明之深入瞭解，其併入本說明書且構成本說明書之一部分。所述圖式說明本發明之例示性具體實施例，並與「實施方式」一起用於解釋本發明之原理。

在所述圖式中：第一圖係根據本發明之基板處理系統之概略示意圖； 第二圖至第四圖係根據本發明之塗佈單元之概略示意圖；第五a圖至第五b圖係說明執行於第二圖之塗佈單元中之連續製程之流程圖；第六圖至第八圖係根據本發明之曝光後烘烤單元之概略示意圖；第九圖係說明在第六圖之塗佈單元中執行之連續製程之流程圖；第十圖至第十二圖係根據本發明之顯像單元之概略示意視圖；第十三A圖至第十三B圖係說明執行於第十圖之顯像單元中之連續製程之流程圖；第十四A圖至第十四G圖係說明在一晶圓上形成一圖案之連續製程之示意圖。

以下將參考隨附圖式更詳盡描述本發明之較佳具體實施例。然而，本發明可以不同形式具體實施，且不應被視為限制於本文所闡釋之所述具體實施例。相反，提供此等具體實施例係以便透徹而完整地揭示本發明，並將向熟習此項技術者充分傳達本發明之範圍。在所述圖式中，為便於清晰說明，層及區域之尺寸有所誇大。

例示性具體實施例之系統用於對諸如平面顯示器或半導體晶圓之基板執行一光刻製程。尤其是，所述例示性具體實施例之系統用於執行處理基板之製程，諸如一塗佈製程、一顯像製程，及在一液體浸潤微影製程之前及之後所需要之其他製程。在以下說明中，將舉例說明一其中將一晶圓用作基板之情況。

第一圖係根據本發明之一例示性具體實施例之一基板處理系統之概略示意視圖。參照第一圖，一基板處理系統1包含 一塗佈單元3000、一曝光前後處理單元4000、及一顯像單元5000。該塗佈單元3000與該曝光前後處理單元4000彼此分離。在該塗佈單元3000與該曝光前後處理單元4000之間，藉由一自動傳送單元1000或一工人傳送一晶圓W。該晶圓W在其收納於一容器(第二圖中之2000)中之狀態下被傳送。在此，該容器2000構造成被密封。舉例而言，可使用一具有一前門之前開式晶圓傳送盒(FOUP)作為該容器2000。在以下說明中，將說明一其中該塗佈單元3000、曝光前後處理單元4000、及顯像單元5000之長度方向彼此並排配置之情況。然而，該塗佈單元3000、曝光前後處理單元4000、及顯像單元5000之所述長度方向可以不彼此並排配置。

該塗佈單元3000對該晶圓W執行一第一製程。該第一製程包含：一塗佈製程，以用於在該晶圓上塗佈光阻劑；及熱處理製程，以用於在該塗佈製程之前或之後加熱及冷卻該晶圓W。

該顯像單元5000對該晶圓W執行一第二製程。該第二製程包含：一顯像製程，其使用一顯像液來移除光阻劑而形成一所需圖案；及熱處理製程，以用於在該顯像製程之前或之後加熱及冷卻該晶圓W。

該曝光前後處理單元4000直排連接至一曝光單元9000。該曝光前後處理單元4000執行一第三製程。該第三製程包含一執行於該第一製程與該曝光製程之間製程、及一執行於該曝光製程與該第二製程之間之製程。舉例而言，當所述曝光單元執行一液體浸潤微影製程時，該第三製程可包含一製程以用於塗佈一保護層，該保護層在該液體中曝光微影術過程中保護塗佈於該晶圓W上之光阻劑。此外，該第三製程可包含一製程，以用於在該曝光製程之後清潔晶圓。此外，當將化學增幅型光阻劑用於該塗佈製程並將深紫外光(DUV)用於該曝光製程 時，該第三製程可包含一執行於該曝光製程之後的後烘製程。

以下將說明各自單元。

(塗佈單元)

第二圖至第四圖係該塗佈單元3000之概略示意視圖。即，第二圖係該塗佈單元3000自上方檢視時之視圖，第三圖係第二圖之塗佈單元3000在一方向「A」上檢視時之視圖，且第四圖係第二圖之塗佈單元3000在一方向「B」上檢視時之視圖。

參照第二圖至第四圖，該塗佈單元3000包含一裝載口3100、一分度模組3200、一緩衝模組3300、一處理模組3400及一邊緣曝光模組3500。該裝載口3100、分度模組3200、緩衝模組3300、處理模組3400、及邊緣曝光模組3500按順序配置在一條直線上，該直線在一方向上延伸。以下，該裝載口3100、分度模組3200、緩衝模組3300、處理模組3400、及邊緣曝光模組3500配置所在之方向將被稱作「第一方向12」，自上方檢視時垂直於該第一方向之方向將被稱作「第二方向14」，且垂直所述第一和第二方向12及14之方向將被稱作「第三方向16」。

該裝載口3100包含複數個裝載台3120，於所述裝載台3120上設置收納所述晶圓W之所述容器2000。所述裝載台3120配置在一於該第二方向14上延伸之直線上。在第二圖中，提供四個裝載台3120。

該分度模組3200在該裝載口3100之裝載台3120上之容器2000與該緩衝模組3300之間傳送該晶圓W。該分度模組3200包含一框架3210、一分度機器人3220及一導軌3230。該框架3210大體上係形成為一空長方體形。該框架3210設置於該裝載口3100與該緩衝模組3300之間。該分度模組3200之框架3210之高度可低於該緩衝模組3300之一框架3310(下 文將對此進行說明)。該分度機器人3220及該導軌3230設置於該框架3210中。該分度機器人3220具有一4軸驅動結構，以便一直接處理該晶圓W之手3221可在該第一、第二及第三方向12、14、16上旋轉及移動。除該手3221之外，該分度機器人3220還包含一臂3222、一支撐物3223及一基座3224。該手3221固定安裝於該臂3222上。該臂3222提供成可擴展、可收縮且可旋轉。該支撐物3223設置成便於其一長度方向在該第三方向16上延伸。該臂3222連接至該支撐物3223，以便可沿該支撐物3223移動。該支撐物3223固定連接至該基座3224。該導軌3230係被提供成便於其一長度方向在該第二方向14上延伸。該基座3224連接至該導軌3230，以便可沿該導軌3230直線移動。儘管未顯示於所述圖式中，但是該框架3210配備一開門器，以用於打開及關閉該容器2000之門。

參照第三圖，該緩衝模組3300包含一框架3310、一第一緩衝區3320、一第二緩衝區3330、一第一冷卻室3340、一第二冷卻室3350及一緩衝區機器人3360。該框架3310形成為一空長方體形。該框架3310設置於該分度模組3200與該處理模組3400之間。該第一緩衝區3320、該第二緩衝區3330、該第一冷卻室3340、該第二冷卻室3350及該緩衝區機器人3360設置於該框架3310中。該第二冷卻室3350、第二緩衝區3330、第一冷卻室3340及第一緩衝區3320沿該第三方向16向上順序配置。該第一冷卻室3340及該第一緩衝區3320定位於一與該處理模組3400之一第一模組3401(下文將對此進行說明)相同之高度。該第二冷卻室3350及該第二緩衝區3330定位於一與該處理模組3400之一第二模組3402(下文將對此進行說明)相同之高度。該緩衝區機器人3360被定位成在該第二方向14上與該第二緩衝區3330、第二冷卻室3350、第一緩衝區3320及第一冷卻室3340間隔一預定距離。

所述第一和第二緩衝區3320、3330之每一者臨時儲存複數個所述晶圓W。該第二緩衝區3330包含一外殼3331及複數個支撐物3332。所述支撐物3332設置於該外殼3331中，且在該第三方向16上彼此間隔開來。一晶圓W設置於所述支撐物3332之每一者上。該外殼3331配備對應於該分度機器人3220、緩衝區機器人3360、及第二機器人3482之開口(未顯示)，以便該分度機器人3220、該緩衝區機器人3360、及該第二模組3402之一第二機器人3482(下文將對此進行說明)，可將晶圓運送至該支撐物3332或自該支撐物3332取出晶圓。該第一緩衝區3320具有一類似於該第二緩衝區3330之結構。然而，該第一緩衝區3320之外殼3321配備對應於該緩衝區機器人3360及該第一模組3401上之一第一機器人3432(下文將對此進行說明)之開口。該第一緩衝區3320之所述支撐物3322之數量可與該第二緩衝區3330之所述支撐物3332之數量相同或不同。舉例而言，所述支撐物3332之第二緩衝區3330之數量可大於該第一緩衝區3320之所述支撐物3322之數量。

該緩衝區機器人3360在所述第一和第二緩衝區3320及3330之間傳送該晶圓W。該緩衝區機器人3360包含一手3361、一臂3362及一支撐物3363。該手3361固定安裝於該臂3362上。該臂3362被裝配成能夠擴展及收縮，以便該手3361可在該第二方向14上移動。該臂3362連接至該支撐物3363，以便可於該第三方向16上沿該支撐物3363直線移動。該支撐物3363具有一長度，其自一對應於該第二緩衝區3330之位置，延伸至一對應於該第一緩衝區3320之位置。該支撐物3363可進一步延伸至對應於該第二緩衝區3330之位置或對應於該第一緩衝區3320之位置上方。該緩衝區機器人3360可被裝配成具有一2軸驅動結構，以便該手3361僅在該第二及第三方向14、16上移動。

所述第一和第二冷卻室3340、3350冷卻該晶圓W。該第二冷卻室3350具有一外殼3351及一冷卻板3352。該冷卻板3352具有一於其上設置該晶圓W之頂表面，及一冷卻該晶圓W之冷卻元件3353。該冷卻元件3353可由各種元件形成，諸如冷卻水、一熱電模組，諸如此類。此外，該第二冷卻室3350可配備一提升銷總成(未顯示)，其將該晶圓W定位於該冷卻板3352之上。該外殼3351配備有對應於該分度機器人3220及該第二機器人3482之開口(未顯示)，以便該分度機器人3220及該第二模組3402之一第二機器人3482(下文將對此進行說明)可將該晶圓W運送至該冷卻板3352之上或自該冷卻板3352取出該晶圓W。此外，該第二冷卻室3350可配備門(未顯示)，以用於打開及關閉所述開口。該第一冷卻室3340具有與該第二冷卻室3350相同之結構。

在該晶圓W被傳送至該曝光前後處理單元4000之前，該處理模組3400執行一所需製程。該處理模組3400大體上係形成為一長方體形。該處理模組3400包含一第一模組3401及一第二模組3402。所述第一和第二模組3401、3402配置在不同層。可提供所述第一和第二模組3401、3402以執行一相同製程。舉例而言，該第一模組3401定位於該第二模組3402上方。

該第一模組3401包含一光阻劑塗佈室3410、一烘烤室3420及一回流室3430。該光阻劑塗佈室3410、該烘烤室3420及該回流室3430按順序配置於該第二方向14上。因此，該光阻劑塗佈室3410及該烘烤室3420於該第二方向14上彼此間隔開來，而該回流室3430插於其間。複數個所述光阻劑塗佈室3410提供在所述第一及第三方向12、16上。在所述圖式中，例示性地提供六個光阻劑塗佈室3410。複數個所述烘烤室3420提供在所述第一及第三方向12、16之每一者上。在所述圖式中，例示性地提供六個烘烤室3420。然而，可提供六個 或更多烘烤室3420。

該回流室3430與該緩衝模組3300之第一緩衝區3320在該第一方向12上並排定位。該第一機器人3432及該導軌3433設置在該回流室3430中。該回流室3430大體上係形成為一矩形。該第一機器人3432在所述烘烤室3420、所述光阻劑塗佈室3400、該緩衝模組3300之第一緩衝區3320、該第一冷卻室3340、該邊緣曝光模組3500之一第一緩衝區3520(下文將對此進行說明)及該第一冷卻室3540之間傳送該晶圓W。該導軌3433具有一在該第一方向12上延伸之長度方向。該導軌3433在該第一方向12上導引該第一機器人3432之直線運動。該機器人3432具有一手3434、一臂3453、一支撐物3436及一基座3437。該手3434固定安裝於該臂3435上。該臂3435被裝配成能夠擴展及收縮，以便該手3434可在水平方向上移動。該支撐物3436設置成便於其一長度方向在該第三方向16上延伸。該臂3435連接至該支撐物3436，以便能夠在該第三方向16上沿該支撐物3436直線移動。該支撐物3436固定連接至該基座3437且該基座3437連接至該導軌3433，以便能夠沿該導軌3433移動。

所有光阻劑塗佈室3410均具有一相同結構。然而，用於各自光阻劑塗佈室3410中之光阻劑的類型可彼此不同。舉例而言，可使用化學增幅型光阻劑作為光阻劑。該光阻劑塗佈室4310在所述晶圓W上塗佈光阻劑。該光阻劑塗佈室3410包含一外殼3411、一支撐板3412及一噴嘴3413。該外殼3411形成為一杯形，其具有一打開之頂端。該支撐板3412定位於該外殼3411中以支撐該晶圓W。該支撐板3412被裝配成便能夠旋轉。該噴嘴3413將光阻劑供應至該支撐板3412上之晶圓W上。該噴嘴3413形成為一圓管形，以便將光阻劑供應至該晶圓W之中心。該噴嘴3413可具有一對應於該晶圓W直徑之 長度，且具有一狹縫型出口。此外，該光阻劑塗佈室3410可更包含一噴嘴3414，以用於供應清潔液體(諸如去離子水)，以用於清潔該晶圓W之一表面，於該表面上將塗佈光阻劑。

所述烘烤室3420熱處理所述晶圓W。舉例而言，在所述晶圓W上塗佈光阻劑之前，所述烘烤室3420執行一預烘製程，以用於藉由在一預定溫度加熱所述晶圓W而自所述晶圓W之表面移除有機物質或潮濕；且在所述晶圓W上塗佈光阻劑之後，執行一軟烘烤製程。所述烘烤室3420進一步還在各自加熱製程之後執行冷卻製程。該烘烤室3420包含一冷卻板3421或一加熱板3422。該冷卻板3421配備一冷卻元件3423，諸如冷卻水或熱電模組。該加熱板3422配備一加熱元件3424，諸如一電熱線或一熱電模組。該加熱板3422及該冷卻板3421可在各自烘烤室3420中提供。或者，某些烘烤室3420可僅配備該加熱板3422，而其他烘烤室可僅配備該冷卻板3421。

該第二模組3402包含一光阻劑塗佈室3460、一烘烤室3470及一回流室3480。該光阻劑塗佈室3460、該烘烤室3470及該回流室3480具有與該第一模組3401之光阻劑塗佈室3410、該烘烤室3420及該回流室3430相同之結構及配置。此外，該回流室3480具有一第二機器人3482，其具有與該第一模組3401之第一機器人3432相同之結構。該第二機器人3482被裝配成在該光阻劑塗佈室3460、該烘烤室3470、該緩衝模組3300之第二緩衝區3330及第二冷卻室3350、以及該邊緣曝光模組3500之第二緩衝區3530及第二冷卻室3550(下文將對此進行說明)之間傳送該晶圓W。

在上述處理模組3400中，所述第一和第二模組3401及3402彼此分離。此外，自上方檢視時，該第一模組3401具有與該第二模組3402相同之結構及配置。

該邊緣曝光模組3500執行一製程，以用於曝光該晶圓W之一周邊區域。該邊緣曝光模組3500包含一框架3510、一第一緩衝區3520、一第二緩衝區3530、一第一冷卻室3540、一第二冷卻室3550、一邊緣曝光機器人3560、一第一邊緣曝光室3570、及一第二邊緣曝光室3580(設置於第二圖中之第一邊緣曝光室3570之下)。該框架3510形成為一矩形。該邊緣曝光室3540、第一緩衝區3520、第一邊緣曝光室3570、第一冷卻室3540、第二緩衝區3530、第二邊緣曝光室3580及第二冷卻室3550定位於該框架3510內。該第一緩衝區3520、第二邊緣曝光室3570及第一冷卻室3540配置在一對應於該第一模組3401之高度。該第二緩衝區3530、第二邊緣曝光室3580及第二冷卻室3550配置在一對應於該第二模組3402之高度。該第一緩衝區3520、第一冷卻室3540、第二緩衝區3530、第二冷卻室3550自上方沿一在該第三方向16上延伸之直線順序配置。自上方檢視時，該第一緩衝區3520及該第一模組3401之回流室3430沿一在該第一方向12上延伸之直線配置。該第一邊緣曝光室3570在該第二方向14上與該第一緩衝區3520及該第一冷卻室3540間隔一預定距離。該第二邊緣曝光室3580在該第二方向14上與該第二緩衝區3530及該第二冷卻室3550間隔一預定距離。該第二邊緣曝光室3580及該第一邊緣曝光室3570沿一在該第三方向16上延伸之直線配置。

該邊緣曝光機器人3560在該第一緩衝區3520、該第一邊緣曝光室3570、該第一冷卻室3540、該第二緩衝區3530、該第二邊緣曝光室3580及該第二冷卻室3550之間傳送該晶圓W。該邊緣曝光機器人3560定位於該第一邊緣曝光室3570與該第一緩衝區3520之間。該邊緣曝光機器人3560可具有與該緩衝區機器人3360類似之結構。

該第一緩衝區3520、該第一冷卻室3540及該第一邊緣曝 光室3570對已在該第一模組3401中處理之所述晶圓W執行以下製程。該第一緩衝區3520及第二緩衝區3560具有與該緩衝模組3300之第一緩衝區3320相同之結構。該第一冷卻室3540冷卻已在該第一模組3401中處理之所述晶圓W。該第一冷卻室3540具有與該緩衝模組3300之第一冷卻室3340類似之結構。該第一邊緣曝光室3570對已在該第一冷卻室3540中冷卻之所述晶圓W之邊緣執行一曝光製程。在已在該第一邊緣曝光室3570中處理之所述晶圓W被傳送至該第一模組3401之前，該第一緩衝區3520臨時儲存所述晶圓W。

該第二緩衝區3530、第二冷卻室3550及第二邊緣曝光室3580對已在該第二模組3402中處理之所述晶圓W執行以下製程。該第二冷卻室3550冷卻已在該第二模組3402中處理之所述晶圓W。該第二冷卻室3550具有與該緩衝模組3300之第二冷卻室3350類似之結構。該第二邊緣曝光室3580對已在該第二冷卻室3550中處理所述晶圓W之邊緣執行一曝光製程。在已在該第二邊緣曝光室3580中處理之所述晶圓W被傳送至該第二模組3402之前，該第二緩衝區3530臨時儲存所述晶圓W。

以下將參考第五A圖及第五B圖說明藉由該塗佈單元3000執行之塗佈製程。第五A圖及第五B圖係說明根據一具體實施例在該塗佈單元3000中對晶圓執行之製程之流程圖。

收納所述晶圓W之容器2000設置於該裝載口3100之裝載台3120上(S112)。該容器2000之門藉由該開門器打開。該分度機器人3220自該容器2000取出該晶圓W並將該晶圓W運送至該第二緩衝區3330(S112)。該晶圓W被傳送至所述第一和第二模組3401、3402之一者。

當選定在該第一模組3401中處理該晶圓W時，該緩衝區機器人3360將儲存於該第二緩衝區3330中之晶圓W運送至該第一緩衝區3320(S120)。該第一機器人3432自該第一緩衝 區3320取出該晶圓W，並將該晶圓W運送至該烘烤室3420(S112)。該烘烤室3420順序執行預烘製程及冷卻製程(S124)。該第一機器人3432自該烘烤室3420取出該晶圓W，並將該晶圓W運送至該光阻劑塗佈室3410(S126)。該光阻劑塗佈室3410將光阻劑塗佈於該晶圓W之上(S128)。下一步，該第一機器人3432將該晶圓W自該光阻劑塗佈室3410運送至該烘烤室3420(S130)。該烘烤室3420對該晶圓W執行軟烘烤製程(S132)。

該第一機器人3432自該烘烤室3420取出該晶圓W，並將該晶圓W運送至該邊緣曝光模組3500之第一冷卻室3540(S134)。該第一冷卻室3540對該晶圓W執行冷卻製程(S136)。該冷卻製程選擇性地執行於該烘烤室3420中，且該晶圓W可自該烘烤室3420直接傳送至該第一緩衝區3520。已在該第一冷卻室3540中處理之晶圓W，藉由該邊緣曝光機器人3560傳送至該第一邊緣曝光室3570(S138)。已在該第一冷卻室3540中處理之晶圓W，可藉由該邊緣曝光機器人3560運送至該第一緩衝區3520並臨時儲存於該第一緩衝區3520中，之後該晶圓W可藉由該邊緣曝光機器人3560運送至該第一邊緣曝光室3570。該第一邊緣曝光室3570執行一製程以用於曝光該晶圓W之邊緣(S140)。已在該第一邊緣曝光室3570中處理之晶圓W，藉由該邊緣曝光機器人3560運送至該第一緩衝區3520(S142)。

該第一機器人3432將該晶圓W自該第一緩衝區3520運送至該烘烤室3420(S144)。該烘烤室3420執行一製程以用於加熱該晶圓W(S146)。該第一機器人3432將該晶圓W自該烘烤室3420運送至該緩衝模組3300之第一冷卻室3340(S148)。該第一冷卻室3340執行一製程以用於冷卻該晶圓W(S150)。該分度機器人3220將該晶圓W自該第一冷卻室3340運送至 該容器2000(S152)。

當選定在該第二模組3402中處理該晶圓W時，該第二機器人3482自該第二緩衝區3330取出該晶圓W，並將該晶圓W運送至該第二模組3402之烘烤室3470(S160)。該烘烤室3470順序執行預烘製程及冷卻製程(S162)。該第二機器人3482自該烘烤室3470取出該晶圓W，並將該晶圓W運送至該光阻劑塗佈室3460(S164)。在該光阻劑塗佈室3460中，光阻劑被塗佈在該晶圓W上(S166)。下一步，該第二機器人3482將該晶圓W自該光阻劑塗佈室3460運送至該烘烤室3470(S168)。該烘烤室3470對該晶圓W執行軟烘烤製程(S170)。

該第二機器人3482自該烘烤室3470取出該晶圓W，並將該晶圓W運送至該邊緣曝光模組3500之第二冷卻室3550(S172)。該第二冷卻室3550執行一製程以用於冷卻該晶圓W。或者，該冷卻製程可執行於該烘烤室3470中，且該晶圓W可直接自該烘烤室3470運送至該第二緩衝區3530。已在該第二冷卻室3580中處理之晶圓W，藉由該邊緣曝光機器人3560運送至該第二邊緣曝光室3580(S174)。已在該第二冷卻室3550中處理之晶圓W，可藉由該邊緣曝光機器人3560運送至該第二緩衝區3530並臨時儲存於該第二緩衝區3530中，之後該晶圓W可藉由該邊緣曝光機器人3560運送至該第二邊緣曝光室3580(S176)。該第二邊緣曝光室3580執行一製程以用於曝光該晶圓W之邊緣(S178)。已在該第二邊緣曝光室3580中處理之晶圓W，藉由該邊緣曝光機器人3560運送至該第二緩衝區3530(S180)。

該第二機器人3482將該晶圓W自該第二緩衝區3530運送至該烘烤室3470(S182)。該烘烤室3470執行一製程以用於加熱該晶圓W(S184)。該第二機器人3482將該晶圓W自該烘烤室3470運送至該緩衝模組3300之第二冷卻室3350(S186)。 該第二冷卻室3350執行一製程以用於冷卻該晶圓W(S188)。該分度機器人3220將該晶圓W自該第二冷卻室3350運送至該容器2000(S190)。

以下將說明上述塗佈單元3000之各種修改實例。

該處理模組3400可僅包含一模組，而不是設置於不同層之所述第一和第二模組3401及3402。

此外，在該分度模組3200中，複數個第一冷卻室3340及複數個第二冷卻室3350可相互堆疊。此外，在該邊緣曝光模組3500中，可提供複數個第一冷卻室3540及複數個邊緣曝光室3570。在該邊緣曝光模組3500中，亦可提供複數個第二冷卻室3550及複數個第二邊緣曝光室3580。

此外，在該緩衝模組3300中，可不提供所述第一和第二冷卻室3340及3350。在此情況下，該晶圓W可藉由該第一機器人3432自該第一模組3401直接傳送至該第一緩衝區3320，且該分度機器人3220可將儲存於該第一緩衝區3320中之所述晶圓W運送至該容器2000。此外，該晶圓W可藉由該第二機器人3482自該第二模組3402直接傳送至該第二緩衝區3330，且該分度機器人3220可將儲存於該第二緩衝區3330中之所述晶圓W運送至該容器2000。

此外，在該緩衝模組3300中，可交換該第一緩衝區3320及該第一冷卻室3340之位置。在該緩衝模組3300中，亦可交換該第二緩衝區3330及該第二冷卻室3350之位置。

此外，該緩衝模組3300可具有與該處理模組3400相同之高度。在此情況下，該分度機器人3220可將所述晶圓W直接運送至該第一緩衝區3320。

此外，在該邊緣曝光模組3500中，可不提供該第一冷卻室3540及該第二冷卻室3550。在此情況下，已在該第一模組3401中處理之晶圓W藉由該第一機器人3432直接運送至該第 一緩衝區3520。此外，已在該第二模組3402中處理之晶圓W藉由該第二機器人3482直接運送至該第二緩衝區3530。

此外，在該邊緣曝光模組3500中，可交換該第一冷卻室3540及該第一緩衝區3520之位置，且可交換該第二冷卻室3550及該第二緩衝區3530之位置。

此外，該邊緣曝光模組3500可包含一上機器人(未顯示)，其用於在該第一邊緣曝光室3570、第一緩衝區3520及第一冷卻室3540之間傳送該晶圓W；及一下機器人(未顯示)，其用於在該第二邊緣曝光室3580、第二緩衝區3530及第二冷卻室3550之間傳送該晶圓W，而不是包含該邊緣曝光機器人3560。

此外，除上述製程之外，該處理模組3400可執行其他製程。

(曝光前後處理單元)

第六圖至第八圖係該曝光前後處理單元4000之概略示意視圖。即，第六圖係該曝光前後處理單元4000自上方檢視時之視圖，第七圖係第六圖之曝光前後處理單元4000在一方向「C」上檢視時之視圖，且第八圖係第六圖之曝光前後處理單元4000在一方向「D」上檢視時之視圖。

參照第六圖至第八圖，該曝光前後處理單元4000包含一裝載口4100、一分度模組4200、一緩衝模組4300、一處理模組4400及一介面模組4500。該曝光前後處理單元4000與該曝光單元9000連接成一直線。該曝光單元9000沿一在該第一方向12上延伸之直線連接至該介面模組4500。舉例而言，該曝光單元9000執行一使用一液體中曝光微影術技術之製程。此外，該曝光單元9000使用一諸如KrF激生分子雷射或ArF激生分子雷射之遠紅外輻射光源，來執行該曝光製程。

該裝載口4100包含一裝載台4120，該裝載台4120上設 置收納所述晶圓W之容器2000。在一在該第二方向14上延伸之直線上，提供及配置複數個該裝載台4120。在第六圖中，提供四個裝載台4120。

該分度模組4200在該裝載口4100與該裝載台4120上之容器2000之間傳送所述晶圓W。該分度模組4200包含一框架4210、一分度機器人4220及一導軌4230。該框架4210大體上係形成為一空長方體形。該框架4210設置於該裝載口4100與該緩衝模組4300之間。該分度模組4200之框架4210之高度可低於該緩衝模組4300之一框架4310(下文將對此進行說明)。該分度機器人4220及該導軌4230設置於該框架4210中。該分度機器人4220具有一4軸驅動結構，以便一直接處理該晶圓W之手4221可在該第一、第二及第三方向12、14、16上移動，且可在一水平平面上旋轉。除該手4221之外，該分度機器人4220還包含一臂4222、一支撐物4223及一基座4224。該手4221固定安裝於該臂4222上。該臂4222提供成可擴展、可收縮，且可旋轉。該支撐物4223設置成便於其一長度方向在該第三方向16上延伸。該臂4222連接至該支撐物4223，以便可於該第三方向16上沿該支撐物4223直線移動。該導軌4230提供成便於其一長度方向在該第二方向14上延伸。該支撐物4223固定連接至該基座4224。該基座4224連接至該導軌4230以便可沿該導軌4230直線移動。該框架4210配備一開門器(未顯示)，以用於打開及關閉該容器2000之門。

該緩衝模組4300包含一框架4310、一第一緩衝區4320、一第二緩衝區4330、一冷卻室4340及一緩衝區機器人4350。該框架4310形成為一空長方體形。該框架4310設置於該分度模組4200與該處理模組4400之間。該第一緩衝區4320、該第二緩衝區4330、該冷卻室4340、及該緩衝區機器人4350設置於該框架4310中。該第二緩衝區4330、冷卻室4340及第 一緩衝區4320沿該第三方向16向上順序配置。該第一緩衝區4320定位於與該處理模組4400之一第一模組4401(下文將對此進行說明)相同之高度。該第二緩衝區4330及該冷卻室4340定位於與該處理模組4450之一第二模組4402(下文將對此進行說明)相同之高度。該緩衝區機器人4350被定位成在該第二方向14上與該第二緩衝區4330、冷卻室4340及第一緩衝區4320間隔一預定距離。

所述第一和第二緩衝區4320、4330臨時儲存複數個所述晶圓W。該第二緩衝區4330包含一外殼4331及複數個支撐物4332。所述支撐物4332設置於該外殼4331中，並在該第三方向16上彼此間隔開來。一晶圓W設置於所述支撐物4332之每一者上。該外殼4331配備對應於該分度機器人4220及緩衝區機器人4350之開口(未顯示)，以便該分度機器人4220及緩衝區機器人4360可將晶圓運送至該支撐物4332或自該支撐物4332取出晶圓。該第一緩衝區4320具有一類似於該第二緩衝區4330之結構。然而，該第一緩衝區4320之外殼4321配備對應於該緩衝區機器人4350及該第一模組4401之一第一機器人4432(下文將對此進行說明)之開口。該第一緩衝區4320之所述支撐物4322之數量可與該第二緩衝區4330之所述支撐物4332之數量相同或不同。

該緩衝區機器人4350在所述第一和第二緩衝區4320、4330之間傳送該晶圓W。該緩衝區機器人4350包含一手4361、一臂4362及一支撐物4363。該手4361固定安裝於該臂4362上。該臂4362被裝配成能夠擴展及收縮，以便該手4361可在水平方向上移動。該臂4362連接至該支撐物4363，以便可於該第三方向16上沿該支撐物4363直線移動。該支撐物4363具有一長度，其自一對應於該第二緩衝區4330之位置，延伸至一對應於該第一緩衝區4320之位置。該支撐物4363 可進一步延伸至對應於該第二緩衝區4330之位置或對應於該第一緩衝區4320之位置上方。該緩衝區機器人4350可被裝配成具有一2軸驅動結構，以便該手3361僅在該第二及第三方向14、16上移動。該冷卻室4340冷卻該晶圓W。該冷卻室4340包含一外殼4341及一冷卻板4342。該冷卻板4342具有一於其上設置該晶圓W頂表面；及一用於冷卻該晶圓W的冷卻元件4343。可使用各種元件(諸如冷卻水、一熱電模組，或諸如此類)作為該冷卻元件4343。此外，該冷卻室4340可配備一提升銷總成(未顯示)，以用於將該晶圓W定位於該冷卻板4342之上。該外殼4341配備(未顯示)對應於該分度機器人4220及該緩衝區機器人4350之開口，以便該分度機器人4220及該第二模組4402之一第二機器人4482(下文將對此進行說明)可將該晶圓W運送至該冷卻板4342之上或自該冷卻板4342取出該晶圓W。此外，該冷卻室4340可配備門(未顯示)，以用於打開及關閉所述開口。

該處理模組4400包含一第一模組4401及一第二模組4402。該第一模組4401執行一製程以用於在該曝光製程之前處理該晶圓W，該第二模組4402執行一製程以用於在該曝光製程之後處理該晶圓W。所述第一和第二模組4401、4402設置於不同層。舉例而言，該第一模組4401定位於該第二模組4402之上方。該第一模組4401包含一保護層塗佈室4410、一烘烤室4420及一回流室4430。該保護層塗佈室4410、烘烤室4420、及回流室4430按順序配置於該第二方向上14。因此，該保護層塗佈室4410及該烘烤室4420彼此間隔開來，而該回流室4430插於其間。複數個該保護層塗佈室4410在該第三方向16上被提供及配置在不同層。或者，可於所述第一及第三方向12、16上提供複數個所述保護層塗佈室4410。在該第三方向16上，在不同層提供複數個所述烘烤室4420。或者，所 述烘烤室4420可配置於所述第一及第三方向12、16上。

該回流室4430在該第一方向12上與該緩衝模組4300之第一緩衝區4320並排配置。該第一機器人4432定位於該回流室4430內。該回流室4430大體上形成為一方形或一矩形。該第一機器人4432在所述烘烤室4420、保護層塗佈室4410、該緩衝模組4300之第一緩衝區4320、及該介面模組4500之一第一緩衝區4520(下文將對此進行說明)之間傳送所述晶圓W。該第一機器人4432包含一手4433、一臂4434及一支撐物4435。該手4433固定安裝於該臂4434上。該臂4434構造成能夠擴充、收縮及旋轉。該臂4434連接至該支撐物4435，以便可於該第三方向16上沿該支撐物4435直線移動。

該保護層塗佈室4410在該晶圓W上塗佈一保護層，以在該液體中曝光微影術過程中保護該光阻劑層。該保護層塗佈室4410包含一外殼4411、一支撐板4412及一噴嘴4413。該外殼4411形成為一具有一打開頂端之杯形形狀。該支撐板4412定位於該外殼4411內且支撐該晶圓W。該支撐板4412被可旋轉地提供。該噴嘴4413供應保護液，以便在該支撐板4412上之晶圓W上形成該保護層。該噴嘴4413形成為一圓管形，且將該保護液供應至該晶圓W之中心。或者，該噴嘴4413可具有一等於該晶圓W直徑之長度，且可在其一出口配備一狹縫。在此情況下，該支撐板4412可在一固定狀態下被提供。該保護液包含一發泡材料。該保護液可為一與該光阻劑親和力較低且不易燃之材料。舉例而言，該保護液可包含一含氟溶劑。藉由該保護層塗佈室4410塗佈該保護液之過程，起始於該晶圓W之中央區域，同時該支撐板4412上之晶圓W旋轉。

該烘烤室4420熱處理於其上塗佈保護層之晶圓W。該烘烤室4420具有一冷卻板4421及一加熱板4422之至少之一者。該冷卻板4421配備一冷卻元件4423，諸如冷卻水或一熱 電模組。該加熱板4422配備一加熱元件4424，諸如一電熱線或一熱電模組。該加熱板4422及該冷卻板4421之每一者可在一烘烤室4420中提供。或者，某些烘烤室4420可僅具有該加熱板4422，而其餘烘烤室4420可僅具有該冷卻板4421。該第二模組4402包含一清潔室4460、一曝光後烘烤室4470及一回流室4480。該清潔室4460、回流室4480及曝光後烘烤室4470沿一在該第二方向14上延伸之直線順序配置。因此，該清潔室4460及該曝光後烘烤室4470於該第二方向14上彼此間隔開來，而該回流室4480插於其間。在該第三方向16上，於不同層提供及設置複數個所述清潔室4460。或者，複數個所述清潔室4460可配置在所述第一和第二方向12、16之每一者上。沿一在該第三方向16上延伸之直線，於不同層提供及設置複數個所述曝光後烘烤室4470。或者，複數個所述曝光後烘烤室4470可配置在所述第一及第三方向12、13之每一者上。

該回流室4480係在該第一方向12上與該緩衝模組4300之第二緩衝區4330並排配置。該回流室4480大體上形成為一方形或一矩形。該第二機器人4482定位於該回流室4480內。該第二機器人4482被裝配成在所述曝光後烘烤室4470、清潔室4460、緩衝模組4300、冷卻室4340、及該介面模組4500之一第二緩衝區4530(下文將對此進行說明)之間傳送該晶圓W。所提供之第二機器人4482在該第二模組4402中可具有與該第一模組4401之第一機器人4432相同之結構。

在該曝光製程之後，該清潔室4460清潔該晶圓W。該清潔室4460包含一外殼4461、一支撐板4462及一噴嘴4463。該外殼4461形成為一具有一打開頂端之杯形形狀。該支撐板4462定位於該外殼4461內且支撐該晶圓W。該支撐板4462被可旋轉地提供。該噴嘴4463將清潔液體供應至該支撐板 4462上之晶圓W。該清潔液體可為水，諸如去離子水。該清潔室4460將該清潔液體供應至該晶圓W之中央區域，同時旋轉該支撐板4462上之晶圓W。當該晶圓W旋轉時，該噴嘴4463可自該晶圓W之中央區域直線移動或旋轉至周邊區域。

該曝光後烘烤室4470對在該曝光製程中已經由深紫外光處理過後之晶圓W加熱。由加熱該晶圓W，該曝光後烘烤製程藉由增幅一因曝光該光阻劑而產生之酸來完成一特性變化。該曝光後烘烤室4470具有一加熱板4472。該加熱板4472配備一加熱元件4474，諸如一電熱線或一熱電模組。該曝光後室4470可更包含一冷卻板4471。該冷卻板4471配備一冷卻元件4473，諸如冷卻水及一熱電模組。或者，可另外提供一僅具有該冷卻板4471之烘烤室。

如上所述，在該處理模組4400中，所述第一和第二模組4401及4402彼此完全分離。此外，該第一模組4401之回流室4430具有與該第二模組4402之回流室4480相同之尺寸，從而自上方檢視時，它們可彼此完全重叠。此外，該保護層塗佈室4410具有與該清潔室4460相同之尺寸，從而自上方檢視時，該保護層塗佈室4410及該清潔室4460彼此完全重叠。此外，該烘烤室4420具有與該曝光後烘烤室4470相同之尺寸，從而自上方檢視時，它們彼此完全重叠。

該介面模組4500在該處理模組4400與該曝光單元9000之間傳送該晶圓W。該介面模組4500包含一框架4510、一第一緩衝區4520、一第二緩衝區4530及一介面機器人4540。該介面機器人4540、該第一緩衝區4520及該第二緩衝區4530定位於該框架4510內。所述第一和第二緩衝區4520及4530彼此間隔開來且相互堆疊。該第一緩衝區4520佈置於該第二緩衝區4530之上。該第一緩衝區4520設置於一對應於該第一模組4401之高度。該第二緩衝區4530設置於一對應於該第二 模組4402之高度。自上方檢視時，該第一緩衝區4520配置成在該第一方向12上與該第一模組4401之回流室4430成一直線。該第二緩衝區4530配置成在該第一方向12上與該第二模組4402之回流室4430成一直線。該介面機器人4540在該第二方向14上自所述第一和第二緩衝區4520、4530間隔開來。該介面機器人4540在該第一緩衝區4520、第二緩衝區4530及曝光單元9000之間傳送該晶圓W。該介面機器人4540具有一類似於該緩衝區機器人4530之結構。

在所述晶圓W被傳送至該曝光單元9000之前，該第一緩衝區4520臨時儲存已在該第一模組4401中處理之所述晶圓W。在所述晶圓W傳送至該第二模組4402之前，該第二緩衝區4530臨時儲存已在該曝光單元9000中處理之所述晶圓W。該第一緩衝區4520具有一外殼4521及複數個支撐物4522。所述支撐物4522設置於該外殼4521內，且在該第三方向16上彼此間隔開來。一晶圓W設置於所述支撐物4522之每一者上。該外殼4521配備有分別對應於該介面機器人4540及該第一機器人4432之開口，以便該介面機器人4540及該第一機器人4432可將該晶圓W運送至該外殼4521中之所述支撐物4522，及自所述支撐物4522取出該晶圓W。該第二緩衝區4530具有一類似於該第一緩衝區4520之結構。然而，該第二緩衝區4530之外殼4531配備有分別對應於該介面機器人4540及該第二機器人4482之開口(未顯示)。該第一緩衝區4520之所述支撐物4522之數量可與該第二緩衝區4530之所述支撐物4532相同或不同。

以下將參考第九圖說明一根據一具體實施例藉由該曝光前後處理單元4000執行之製程。第九圖係說明一根據一具體實施例藉由該曝光前後處理單元4000對該晶圓W執行之製程之流程圖。在第五圖中，將例示性地說明一種情況，其中，將 化學增幅型光阻劑塗佈在該晶圓W上，且該曝光單元9000使用深紫外光源執行曝光製程及液體中曝光微影術。

已在該塗佈單元3000中處理之所述晶圓W被裝載在該容器2000中。該容器2000設置於該曝光前後處理單元400之裝載台4120上(S212)。藉由開門器(未顯示)打開該門。該分度機器人4220自該容器2000取出該晶圓W，並將該晶圓W運送至該緩衝模組4300之第二緩衝區4330(S214)。該緩衝區機器人4350將儲存於該第二緩衝區4330中之晶圓W運送至該第一緩衝區4320(S216)。該第一機器人4432自該第一緩衝區4320取出該晶圓，並將該晶圓運送至該處理模組4400之保護層塗佈室4410(S218)。該保護層塗佈室4410將保護層塗佈於該晶圓W之上(S220)。下一步，該第一機器人4432將該晶圓W自該保護層塗佈室4410傳送至該烘烤室4420(S222)。該烘烤室4420對該晶圓W執行一熱處理，諸如加熱及冷卻(S224)。

該第一機器人4432自該烘烤室4420取出該晶圓W，並將該晶圓W運送至該第一緩衝區4520(S226)。該介面機器人4540將該晶圓W自該第一緩衝區4520運送至該曝光單元9000(S228)。對該晶圓W之曝光製程執行於該曝光單元9000(S230)中。下一步，該介面機器人4540將該晶圓W自該曝光單元9000運送至該第二緩衝區4530(S232)。

該第二機器人4482自該第二緩衝區4530之支撐物取出該晶圓W，並將該晶圓W運送至該處理模組4400之清潔室4460(S234)。該清潔室4460將清潔液體供應至該晶圓W之一表面，以執行清潔製程(S236)。當藉由該清潔液體清潔該晶圓W之過程完成時，該第二機器人4482立即自該清潔室4460取出該晶圓W，並將該晶圓W運送至該曝光後烘烤室4470(S238)。附著在該晶圓W之清潔液體，藉由在該曝光後烘烤室4470之熱 板上加熱該晶圓W而移除，同時，在光阻劑中產生之酸被增幅，以完成該光阻劑之特性變化(S240)。

該第二機器人4482將該晶圓W自該曝光後烘烤室4470運送至該緩衝模組4300之冷卻室4340(S242)。該晶圓W之冷卻被執行於該冷卻室4340中(S244)。該分度機器人4220自該冷卻室4340取出該晶圓W，並將該晶圓W運送至該容器2000(S246)。

該容器2000被運送至該顯像單元5000，且該顯像製程執行於該顯像單元5000中。

某些殘留於該晶圓W上之保護層藉由一顯影溶液移除，其餘保護層在一灰化製程期間與該光阻劑一起移除。

根據第六圖之一具體實施例，在該曝光前後處理單元4000中不提供保護層移除室。因此，該曝光前後處理單元4000之結構比較簡單，且可縮短用於執行該製程之時間。

此外，當使用化學增幅型光阻劑時，在該曝光製程執行之後執行該曝光後烘烤製程之時機設定非常重要。根據第六圖之具體實施例，為該曝光前後處理單元4000提供該曝光後烘烤室4470。因此，在該晶圓W被傳送至該顯像單元5000之前，可在該曝光前後處理單元4000中快速實現酸增幅。

此外，根據第六圖之具體實施例，所述清潔室4460僅使用清潔液體對該晶圓W執行清潔製程。即，該清潔室4460不使用乾燥氣體對該晶圓W執行乾燥製程。該晶圓W之乾燥係藉由加熱該晶圓W來執行。舉例而言，在該曝光後烘烤室4470中，該晶圓W之乾燥與酸增幅同時執行。因此，與該晶圓之清潔及乾燥執行於該清潔室4460中之情況相比較，可縮短該處理時間。

以下將說明該曝光前後處理單元4000之各種修改實例。

在上述具體實施例中，已說明該第一模組4401佈置於該 第二模組4402之上。然而，該第二模組4402可佈置於該第一模組4401之上。

此外，該處理模組4400可僅包含一模組，而不是設置於不同層之所述第一和第二模組4401及4402。在此情況下，保護層塗佈室4410、烘烤室4420、清潔室4460及曝光後烘烤室4470可全部在該模組中提供。

此外，除用於供應清潔液體之噴嘴之外，該清潔室4460可更包含一用於供應乾燥氣體之噴嘴。在此情況下，可在該曝光後烘烤室4470中加熱該晶圓W之前，移除附著至該晶圓W上之清潔液體。

此外，可不在該第二模組4402中提供冷卻板。該晶圓W之冷卻可僅在該緩衝模組4300之冷卻室4340中實現。在此情況下，可在該緩衝模組4300中設置複數個所述冷卻室4340並使其相互堆疊。

此外，可不在該緩衝模組4300中提供冷卻室4340。在此情況下，在該第二模組4402中冷卻之晶圓W藉由該第二機器人4482直接傳送至該第二緩衝區4330，且所述分度機器人4220將儲存於該第二緩衝區4330中之晶圓W傳送至該容器2000。

此外，該緩衝模組4300中該冷卻室4340之第二緩衝區4330之所述位置可交換。

此外，所述第一和第二模組4401及4402之所述位置可交換。在此情況下，可選擇性地在一對應於該第二模組4402之高度提供該緩衝模組4300中之冷卻單元。

此外，該緩衝模組4300可具有與該處理模組4400相同之高度。在此情況下，該分度機器人4220可將該晶圓直接傳送至該第一緩衝區4320。

此外，可在該第二模組4402中提供一保護層移除室，以 用於在該曝光製程之後移除保護層。在此情況下，可在該蝕刻製程之前移除該晶圓W上之保護層。

此外，當該曝光單元9000使用一除該液體中曝光微影術方法之外之方法執行一製程時，可在該第一模組4401中不提供保護層塗佈單元3000。在此情況下，亦可不提供烘烤室4420。在此情況下，該處理模組4400可僅包含該第二模組4402，而無需該第一模組4401。

此外，當所述曝光單元9000使用一除該深紫外光源之外之光源時，可在該第二模組4402中不提供曝光後烘烤室4470。

(顯像單元)

第十圖至第十二圖係該顯像單元5000之概略示意視圖。即，第十圖係顯像單元5000自上方檢視時之視圖，第十一圖係該顯像單元5000自一方向「E」檢視時之視圖，且第十二圖係該顯像單元5000自一方向「F」檢視時之視圖。

參照第十圖至第十二圖，該顯像單元5000包含一裝載口5100、一分度模組5200、一緩衝模組5300及一處理模組5400。該裝載口5100、該分度模組5200、該緩衝模組5300及該處理模組5400按順序配置於該第一方向12上。該裝載口5100具有一裝載台5120，於其上設置收納所述晶圓W之容器2000。在一在該第二方向14上延伸之直線上，提供及配置複數個該裝載台5120。在第十圖中，提供四個裝載台5120。

該分度模組5200在該裝載臺上之容器2000與該緩衝模組5300之間傳送該晶圓W。該分度模組5200包含一框架5210、一分度機器人5220及一導軌5230。該框架5210形成為一空長方體形，並設置於該裝載口5100與該緩衝模組5300之間。該框架5210可被提供為低於該緩衝模組5300之一框架5310(下文將對此進行說明)。該分度機器人5220及該導軌5230設置於該框架5210內。該分度機器人5220具有一4軸驅動結 構，以便一直接處理該晶圓W之手5221可在該第一、第二及第三方向12、14、16上旋轉及移動。除該手5221之外，該分度機器人5220還包含一臂5222、一支撐物5223及一基座5224。該臂5222被提供成可擴充且可收縮，以便該手5222可在水平方向上移動。該支撐物5223設置成便於其一長度方向在該第三方向16上延伸。該臂5222連接至該支撐物5223，以便可沿該支撐物5223移動。該導軌5230提供成便於其一長度方向在該第二方向14上延伸。該支撐物5223固定連接至該基座5224。該基座5224連接至該導軌5230，以便可沿該導軌5230直線移動。儘管未顯示於所述圖式中，但是該框架5210配備一開門器，以用於打開及關閉該容器2000之門。

參照第十一圖，該緩衝模組5300包含一框架5310、一第一緩衝區5320、一第二緩衝區5330、一第一冷卻室5340、一第二冷卻室5350及一緩衝區機器人5360。該框架5310形成為一空長方體形。該框架5310設置於該分度模組5200與該處理模組5400之間。該第一緩衝區5320、該第二緩衝區5330、該第一冷卻室5340、該第二冷卻室5350及該緩衝區機器人5360設置於該框架5310中。該第二冷卻室5350、該第二緩衝區5330、該第一冷卻室5340及該第一緩衝區5320沿該第三方向16向上順序配置。該第一冷卻室5340及該第一緩衝區5320定位於與該處理模組5400之一第一模組5401(下文將對此進行說明)相同之高度。該第二冷卻室5350及該第二緩衝區5330定位於與該處理模組5400之一第二模組5402(下文將對此進行說明)相同之高度。該緩衝區機器人5360被定位成在該第二方向14上與該第二緩衝區5330、該第二冷卻室5350、該第一緩衝區5320及該第一冷卻室5340間隔一預定距離。

所述第一和第二緩衝區5320、5330之每一者臨時儲存複 數個所述晶圓W。該第二緩衝區5330包含一外殼5331及複數個支撐物5332。所述支撐物5332設置於該外殼5331中，並在該第三方向16上彼此間隔開來。一晶圓W設置於所述支撐物5332之每一者上。該外殼5331配備有對應於該分度機器人5220、緩衝區機器人5360及第二機器人5482之開口(未顯示)，以便該分度機器人5220、緩衝區機器人5360、及該第二模組5402之一第二機器人5482(下文將對此進行說明)可將該晶圓運送至該支撐物5332或自該支撐物5332取出該晶圓。該第一緩衝區5320具有一類似於該第二緩衝區5330之結構。然而，該第一緩衝區5320之外殼5321配備有對應於該緩衝區機器人5360及該第一模組5401上之一第一機器人5432(下文將對此進行說明)之開口。該第一緩衝區5320之所述支撐物5322之數量可與該第二緩衝區5330之所述支撐物5332之數量相同或不同。舉例而言，所述支撐物5332之第二緩衝區5330之數量可大於該第一緩衝區5320之所述支撐物5322之數量。

該緩衝區機器人5360在所述第一和第二緩衝區5320及5330之間傳送該晶圓W。該緩衝區機器人5360包含一手5361、一臂5362及一支撐物5363。該手5361固定安裝於該臂5362上。該臂5362被裝配成能夠擴展及收縮，以便該手5361可在該第二方向14上移動。該臂5362連接至該支撐物5363，以便可於該第三方向16上沿該支撐物5363直線移動。該支撐物5363具有一長度，其自一對應於該第二緩衝區5330之位置延伸至一對應於該第一緩衝區5320之位置。該支撐物5363可進一步延伸至對應於該第二緩衝區5330之位置或對應於該第一緩衝區5320之位置上方。該緩衝區機器人5360可被裝配成具有一2軸驅動結構，以便該手5361僅在該第二及第三方向14、16上移動。

所述第一和第二冷卻室5340、5350冷卻該晶圓W。該第一冷卻室5340具有與該第二冷卻室5350相同之結構。該第二冷卻室5350具有一外殼5351及一冷卻板5352。該冷卻板5352具有一於其上設置該晶圓W之頂表面，及一用於冷卻該晶圓W的冷卻單元5353。該冷卻元件5353可由各種元件形成，諸如冷卻水、一熱電模組，諸如此類。此外，該第二冷卻室5350可配備一提升銷總成(未顯示)，以用於將該晶圓W定位於該冷卻板5352之上。該外殼5351配備有對應於該分度機器人5220及該第二機器人5482之開口(未顯示)，以便該分度機器人5220及該第二模組5402之一第二機器人5482(下文將對此進行說明)可將該晶圓W運送至該冷卻板5352之上，或自該冷卻板5352取出該晶圓W。此外，該第二冷卻室5350可具有門(未顯示)，以用於打開及關閉所述開口。

在該晶圓W被傳送至該曝光前後處理單元4000之前，該處理模組5400執行一所需製程。該處理模組大體上形成為一長方體形。該處理模組5400包含一第一模組5401及一第二模組5402。所述第一和第二模組5401、5402配置在不同層。可提供所述第一和第二模組5401、5402以執行一相同製程。舉例而言，該第一模組5401定位於該第二模組5402之上方。

該第一模組3401包含一顯像室5410、一烘烤室5420及一回流室5430。該顯像室5410、該烘烤室5420及該回流室5430按順序配置於該第二方向14上。因此，該顯像室5410及該烘烤室5420在該第二方向14上彼此間隔開來，而該回流室5430插於其間。複數個該顯像室5410配置在所述第一及第三方向12、16之每一者上。在所述圖式中，例示性地提供六個顯像室5410。複數個所述烘烤室5420配置在所述第一及第三方向12、16之每一者上。在所述圖式中，例示性地提供六個烘烤室5420。然而，可提供六個或更多烘烤室5420。

該回流室5430與該緩衝模組5300之第一緩衝區5320在該第一方向12上並排定位。在該回流室5430中設置該第一機器人5432及該導軌5433。該回流室5430大體上係形成為一矩形。該第一機器人5432在所述烘烤室5320、顯像室5400、第一緩衝區5320及第一冷卻室5340之間傳送該晶圓W。該導軌5433具有一在該第一方向12上延伸之長度方向。該導軌5433在該第一方向12上導引該第一機器人5432之直線運動。該機器人5432具有一手5434、一臂5453、一支撐物5436及一基座5437。該手5434固定安裝於該臂5435上。該臂5435被裝配成能夠擴展及收縮，以便該手5434可在水平方向上移動。該支撐物5436設置成便於其一長度方向在該第三方向16上延伸。該臂5435連接至該支撐物5436，以便能夠在該第三方向16上沿該支撐物5436直線移動。該支撐物5436固定連接至該基座5437，且該基座5437連接至該導軌5433，以便能夠沿該導軌5433移動。

所有顯像室5410均具有相同結構。然而，使用於該顯像室5410中之顯影溶液類型可彼此不同。該顯像室5410移除該光阻劑之一曝光部分。在此，該保護層之一曝光部分亦被一起移除。根據所使用之顯影溶液之類型，可選擇性地移除光阻劑之未曝光部分與保護層之未曝光部分。

該顯像室5410包含一外殼5411、一支撐板5412及一噴嘴5413。該外殼5411形成為一具有一打開頂端之杯形形狀。該支撐板5412定位於該外殼3411中以支撐該晶圓W。該支撐板3412被裝配成便能夠旋轉。該噴嘴5413將顯影溶液供應至該支撐板5412上之晶圓W上。該噴嘴5412形成為一圓管形，以將顯影溶液供應至該晶圓W之中心。或者，該噴嘴5412可具有一對應於該晶圓W直徑之長度，且具有一狹縫型出口。此外，該顯像室5410可更包含一噴嘴5414以用於供應諸如去 離子水之清潔液體，以用於清潔一於其上塗佈光阻劑之晶圓W表面。

所述烘烤室5420熱處理該晶圓W。舉例而言，所述烘烤室3420在該顯像製程之前執行一後烘製程以用於加熱該晶圓W，在該顯像製程之後執行一硬烤製程以用於加熱該晶圓W，並執行在各自烘烤製程之後執行之冷卻製程。該烘烤室5420包含一冷卻板5421或一加熱板5422。該冷卻板5421配備一冷卻元件5423，諸如冷卻水或熱電模組。該加熱板5422配備一加熱元件5424，諸如一電熱線或一熱電模組。該加熱板5422及該冷卻板5421可在各自烘烤室5420中提供。或者，某些烘烤室5420可僅具有該加熱板5422，而其餘可僅具有該冷卻板5421。

該第二模組5402包含一顯像室5460、一烘烤室5470及一回流室5480。該顯像室5460、該烘烤室5470及該回流室5480具有與該第一模組5401之顯像室5410、烘烤室5420及回流室5430相同之結構及配置。此外，該回流室5480具有一第二機器人5482，其具有與該第一模組3401之第一機器人3432相同之結構。該第二機器人5482被裝配成在該顯像室5460、該烘烤室5470、該第二緩衝區5330及該第二冷卻室5350之間傳送該晶圓W。

在上述處理模組3400中，所述第一和第二模組3401、3402彼此分離。此外，自上方檢視時，該第一模組3401具有與該第二模組相同之結構及配置。

以下將參考第十三A圖及第十三B圖說明一藉由第十圖之顯像單元5000執行之製程。第十三A圖及第十三B圖係說明一根據一具體實施例藉由該顯像單元5000對該晶圓W執行之製程之流程圖。

在該裝載口5100之裝載台5120上，設置用於收納所述晶 圓W之容器2000(S312)。該容器2000之門藉由該開門器打開。該分度機器人5220自該容器2000取出該晶圓W，並將該晶圓W運送至該第二緩衝區5330(S314)。該晶圓W被傳送至所述第一和第二模組5401、5402之一者。

當選定在該第一模組5401中處理該晶圓W時，該緩衝區機器人5360將儲存於該第二緩衝區5330中之晶圓W運送至該第一緩衝區5320(S320)。該第一機器人5432自該第一緩衝區5320取出該晶圓W，並將該晶圓W運送至該烘烤室5420(S322)。該烘烤室5420順序執行後烘製程及冷卻製程(S324)。該第一機器人5432自該烘烤室5420取出該晶圓W，並將該晶圓W運送至該顯像室3410(S326)。該顯像室5410將該顯影溶液塗佈於該晶圓W(S328)之上。下一步，該第一機器人5432將該晶圓W自該顯像室5410運送至該烘烤室5420(S330)。該烘烤室5420對該晶圓W執行該硬烤製程(S332)。

該第一機器人5432自該烘烤室5420取出該晶圓並將該晶圓運送至該第一冷卻室5340(S334)。該第一冷卻室5340執行一用於冷卻該晶圓W之製程(S336)。該分度機器人5220自該第一冷卻室5340取出該晶圓並將該晶圓運送至該容器2000(S338)。

當選定在該第二模組5402中處理該晶圓W時，該第二機器人5482自該第二緩衝區5330取出該晶圓W，並將該晶圓W運送至該第二模組5402之烘烤室5470(S360)。該烘烤室5470順序執行後烘製程及冷卻製程(S362)。該第二機器人5482自該烘烤室5470取出該晶圓W並將該晶圓W運送至該顯像室5460(S364)。在該顯像室5460中，該顯影溶液被塗佈到該晶圓W上(S366)。下一步，該第二機器人5482將該晶圓W自該顯像室5460運送至該烘烤室5470(S368)。該烘烤室5470對 該晶圓W執行硬烤製程(S370)。

該第二機器人5482自該烘烤室5470取出該晶圓W並將該晶圓W運送至該第二冷卻室5350(S372)。該第二冷卻室5350對該晶圓W執行冷卻製程(S374)。該分度機器人5220將該晶圓W自該第二冷卻室5350運送至該容器2000(S376)。

以下將說明該顯像單元5000之各種修改實例。

該處理模組5400可僅包含一模組，而不是設置於不同層之所述第一和第二模組5401、5402。

此外，複數個第一冷卻室5340及複數個第二冷卻室5350在該分度模組5200中相互堆疊。

此外，可在該緩衝模組5300中不提供所述第一和第二冷卻室5340、5350。在此情況下，該晶圓W可藉由該第一機器人5432自該第一模組5401直接傳送至該第一緩衝區5320，且該分度機器人5220可將儲存於該第一緩衝區5320中之所述晶圓W運送至該容器2000。此外，該晶圓W可藉由該第二機器人5482自該第二模組5402直接傳送至該第二緩衝區5330，且該分度機器人5220可將儲存於該第二緩衝區5330中之所述晶圓W運送至該容器2000。

此外，在該緩衝模組5300中，可交換該第一緩衝區5320及該第一冷卻室5340之位置。在該緩衝模組5300中，亦可交換該第二緩衝區5330及該第二冷卻室5350之位置。

此外，該緩衝模組5300可具有與該處理模組5400相同之高度。在此情況下，該分度機器人5220可直接將所述晶圓W運送至該第一緩衝區5320。

此外，可在該處理模組5400中執行不同於上述製程的其他製程。

根據第一圖之具體實施例，該基板處理設備設計成便於獨立提供用於執行該塗佈製程之製程、用於執行該顯像製程之單 元、以及與該曝光單元9000連接成一直線以執行該曝光前/曝光後處理製程之單元。因此，不同於在其中一用於同時執行該塗佈及顯像製程之模組與該曝光單元9000成直線配備之設備，第一圖之具體實施例之基板處理系統之塗佈及顯像單元3000、5000可連續執行其製程(甚至當在該曝光單元9000中執行所述製程需要很長時間且因此晶圓W被壅塞時)。

第十四A圖及第十四G圖係說明用於在一形成於該晶圓W上之薄膜上形成一圖案之順序製程之視圖。

首先，在一沉積單元(未顯示)中，在該晶圓W上沈積一薄膜102(參見第十四A圖)。該晶圓W被傳送至該塗佈單元3000。在該塗佈單元3000中，在該晶圓W上塗佈一光阻劑104(參見第十四B圖)。在該塗佈單元3000中，進一步處理其他製程，諸如烘烤製程、邊緣曝光製程，諸如此類。下一步，該晶圓W被傳送至該曝光前後處理單元4000。在該曝光前後處理單元4000之第一模組4401中，在該晶圓W上塗佈該保護層106(參見第十四C圖)。如前所述，於該第一模組4401中進一步執行其他製程，諸如烘烤製程，諸如此類。該晶圓W被運送至該曝光單元9000。該曝光單元9000將光照射至該保護層106及該光阻劑104上之一選定區域108，以變更該選定區域108之特性(參見第十四D圖)。所述曝光前後處理單元4000之第二模組4402執行清潔製程、曝光後烘烤製程，諸如此類。在該曝光後烘烤過程中，移除殘留於該晶圓W上之清潔液體。下一步，該晶圓W被傳送至該顯像單元5000。在該顯像單元5000中，移除其特性發生變更之保護層106及該光阻劑104之選定區域108(參見第十四E圖)。如前所述，除該顯像製程之外，所述顯像單元5000進一步還執行其他製程，諸如烘烤製程，諸如此類。下一步，該晶圓W被傳送至蝕刻單元(未顯示)。在該蝕刻單元中，移除該薄膜之曝光區 域103(參見第十四F圖)。下一步，該晶圓W被傳送至灰化單元(未顯示)。在該灰化單元中，移除殘留於該薄膜上之光阻劑104及該保護層106(參見第十四G圖)。當在該沉積單元，該塗佈單元3000、該曝光前後處理單元4000、該顯像單元5000、該蝕刻單元、及該灰化單元之間傳送該晶圓時，可進一步執行其他製程，諸如用於清潔該晶圓W之製程，諸如此類。

根據所述具體實施例，可有效地執行該光刻製程。

此外，可增加該塗佈單元及該顯像單元中之產出率。

此外，當使用化學增幅型光阻劑時，可快速執行該曝光後烘烤製程。

此外，由於可藉由在該曝光後烘烤單元中增幅酸來移除殘留於該基板上之清潔液體，而無需在該清潔室中使用一單獨乾燥噴嘴，所以可縮短處理時間。

此外，由於保護層在顯像製程及灰化製程中被移除，而無需在該曝光前後處理單元中使用一單獨保護可移除室，因此可縮短該處理時間。

以上所揭示之標的應被視為示意性的，而非限制性的，且所附申請專利範圍意欲涵蓋落人本發明之真正精神及範圍內之所有此等修改、增強及其他具體實施例。因此，在法律容許之最大範圍內，本發明之範圍係藉由以下申請專利範圍之所述最寬泛可允許解釋及其等效項來判定，且不應受上述詳細說明之約束或限制。

12‧‧‧第一方向

14‧‧‧第二方向

2000‧‧‧容器

4000‧‧‧曝光前後處理單元

4100‧‧‧裝載口

4120‧‧‧裝載台

4200‧‧‧分度模組

4210‧‧‧框架

4220‧‧‧分度機器人

4221‧‧‧手

4222‧‧‧臂

4223‧‧‧支撐物

4224‧‧‧基座

4230‧‧‧導軌

4300‧‧‧緩衝模組

4310‧‧‧框架

4320‧‧‧第一緩衝區

4360‧‧‧緩衝區機器人

4361‧‧‧手

4362‧‧‧臂

4363‧‧‧支撐物

4400‧‧‧處理模組

4410‧‧‧保護層塗佈室

4411‧‧‧外殼

4412‧‧‧支撐板

4413‧‧‧噴嘴

4421‧‧‧冷卻板

4422‧‧‧加熱板

4432‧‧‧第一機器人

4434‧‧‧臂

4435‧‧‧支撐物

4500‧‧‧介面模組

4510‧‧‧框架

4520‧‧‧第一緩衝區

4540‧‧‧介面機器人

9000‧‧‧曝光單元

C‧‧‧方向「C」

D‧‧‧方向「D」

w‧‧‧晶圓

Claims (16)

1. 一種基板處理系統，其包括：一塗佈單元，其用於對基板執行一塗佈製程；一曝光前後處理單元，其連接至一曝光單元，以用於對已在該塗佈單元中處理之基板執行一曝光製程及執行一曝光前/曝光後處理製程；及一顯像單元，其用於對已在該曝光前後處理單元中處理之基板執行一顯像製程，其中，該塗佈單元、該曝光前後處理單元及該顯像單元之每一者包括：一裝載口，於其上設置一收納基板之容器；一分度模組，其用於自該容器取出該基板或將該基板運送至該容器；及一處理模組，其用於在該基板上執行一預定製程，其中，該裝載口、該分度模組及該處理模組按順序配置；及該曝光前後處理單元更包括：一連接至該曝光單元之介面模組，其中，該介面模組設置於該處理模組之一側，且該分度模組設置於該處理模組之另一側；及一緩衝模組，該緩衝模組設置於該分度模組與該處理模組之間，其中，該裝載口、該分度模組、該處理模組及該介面模組按順序配置在一第一方向上，該裝載口在一第二方向上延伸之直線上提供及配置複數個裝載台，及該緩衝模組包含一框架、一第一緩衝區、一第二緩衝區、一冷卻室及一緩衝區機器人，且該第二緩衝區、該冷卻室及該第一緩衝區沿一第三方向向上順序配置。
2. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理系統，其中， 所述曝光前後處理單元之處理模組包含設置於不同層之第一模組和第二模組。
3. 如申請專利範圍第2項所述之基板處理系統，其中，該第一模組包括：一保護層塗佈室，其用於將一保護層塗佈於該基板之上；一烘烤室，其用於對該基板執行一熱處理；及一第一機器人，其用於在該保護層塗佈室與該烘烤室之間傳送該基板。
4. 如申請專利範圍第3項所述之基板處理系統，其中，該第二模組更包括一用於清潔該基板之清潔室。
5. 如申請專利範圍第4項所述之基板處理系統，其中，該第二模組包括：一曝光後烘烤室，其用於對已曝光之基板執行一曝光後烘烤；及一第二機器人，其用於在該清潔室與該曝光後烘烤室之間傳送該基板。
6. 如申請專利範圍第2項所述之基板處理系統，其中，該第一緩衝區設置於一對應於該第一模組之高度且臨時儲存該基板；及該第二緩衝區設置於一對應於該第二模組之高度且臨時儲存該基板。
7. 如申請專利範圍第6項所述之基板處理系統，其中，所述第一和第二緩衝區相互堆疊，且所述第一和第二緩衝區之每一者包括複數個支撐物。
8. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理系統，其中，該緩衝區機器人用於在所述第一和第二緩衝區之間傳送該基板。
9. 如申請專利範圍第2項所述之基板處理系統，其中，該緩衝模組設置於一對應於該第一模組之高度，且該冷卻室用於冷卻該基板。
10. 如申請專利範圍第2項所述之基板處理系統，其中，該介面模組包括：一第一緩衝區，其設置於一對應於該第一模組之高度且臨時儲存基板；一第二緩衝區，其設置於一對應於該第二模組之高度且臨時儲存該基板；及一介面機器人，其用於在該曝光單元與該第二緩衝區之間以及在該第二緩衝區與該曝光單元之間傳送該基板。
11. 如申請專利範圍第1至10項中任一項所述之基板處理系統，其中，該塗佈單元更包括一邊緣曝光模組，其中該邊緣曝光模組設置於該處理模組之一側，且該分度模組設置於該處理模組之另一側。
12. 一種基板處理方法，其包括：在基板上塗佈光阻劑；在已於其上塗佈光阻劑之基板上塗佈一保護層；對已於其上塗佈該保護層之基板執行一液體浸潤微影製程；清潔已在該液體浸潤微影製程中處理之基板；及對該基板執行一顯像製程，其中，該保護層之塗佈及該基板之清潔，係在一曝光前後處理單元中執行，該曝光前後處理單元與一用於執行該液體浸潤微影製程之曝光單元連接成一直線；該光阻劑之塗佈係在一塗佈單元中執行，該塗佈單元與該 曝光前後處理單元分隔；該顯像製程之執行係實現於一與該曝光前後處理單元分隔之塗佈單元中；及該保護層之一部分係在該顯像製程中被移除，而其餘部分係在一灰化製程中被移除。
13. 如申請專利範圍第12項所述之基板處理方法，其更包括在清潔該基板之後且在對該基板執行該顯像製程之前，對該基板執行一曝光後烘烤製程。
14. 如申請專利範圍第13項所述之基板處理方法，其中，該基板之清潔係藉由將清潔液體供應至該基板來執行；及殘留於該基板上之清潔液體，係藉由加熱該基板來移除，而無需藉由供應流體來乾燥該基板。
15. 如申請專利範圍第13項所述之基板處理方法，其中，該基板之清潔係藉由將清潔液體供應至該基板來執行；及殘留於該基板上之清潔液體，係在緊接該基板之清潔之後執行之曝光後烘烤製程中被移除。
16. 如申請專利範圍第12項所述之基板處理方法，其中，該保護層係在該曝光前後處理單元之一外側被移除。