JP4566035B2 - 塗布、現像装置及びその方法 - Google Patents

Description

本発明は、例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板（液晶ディスプレイ用ガラス基板）等の基板に対してレジスト液の塗布処理や、露光後の現像処理等を行う塗布、現像装置及びその方法に関する。

半導体デバイスやＬＣＤ基板の製造プロセスにおいては、フォトリソグラフィと呼ばれる技術により基板に対してレジストパターンの形成が行なわれている。この技術は、例えば半導体ウエハ（以下ウエハという）などの基板に、レジスト液を塗布して、当該ウエハの表面に液膜を形成し、フォトマスクを用いて当該レジスト膜を露光した後、現像処理を行なうことにより所望のパターンを得る、一連の工程により行われている。

このような処理は、一般にレジスト液の塗布や現像を行う塗布、現像装置に、露光装置を接続したレジストパターン形成装置を用いて行われ、例えば特許文献１に示す構成が知られている。この装置では、例えば図１２に示すように、多数枚のウエハＷを収納したキャリア１０がキャリアブロック１Ａのキャリアステージ１１に搬入され、キャリア１０内のウエハは受け渡しアーム１２により処理ブロック１Ｂに受け渡される。そして処理ブロック１Ｂ内の塗布ユニット１３Ａに搬送されて、レジスト液が塗布され、次いでインターフェイスブロック１Ｃを介して露光装置１Ｄに搬送される。露光処理後のウエハは、再び処理ブロック１Ｂに戻されて現像ユニット１３Ｂにて現像処理が行われ、元のキャリア１０内に戻されるようになっている。図中１４（１４ａ〜１４ｃ）は、塗布ユニット１３Ａや現像ユニット１３Ｂの処理の前後にウエハに対して所定の加熱処理や冷却処理を行なうための加熱ユニット、冷却ユニットや受け渡しステージ等を備えた棚ユニットである。

ここでウエハＷは処理ブロック１Ｂに設けられた２つの搬送手段１５Ａ，１５Ｂにより、塗布ユニット１３Ａと現像ユニット１３Ｂと棚ユニット１４Ａ〜１４Ｃの各部等の、処理ブロック１Ｂ内においてウエハＷが置かれるモジュール間を搬送される。この際、ウエハＷは上記の処理を施されるにあたり、処理予定の全てのウエハＷについて、予め各々がどのタイミングでどのモジュールに搬送されるかを定めた搬送スケジュールに従って搬送されている。

ところで従来では、塗布・現像装置は所定の品種の専用の装置として用いられており、品種の異なる処理に対しては別の装置を用いるという考え方であったが、近年では１台の装置によって少量多品種の生産に対応できることが望まれている。例えばレジスト膜の上下に反射防止膜を形成する場合や、レジスト膜の上下の一方に反射防止膜を形成する場合、レジスト膜のみで反射防止膜を形成しない場合等、塗布の態様が異なる場合があり、このような品種の異なる処理にも適用できる装置の開発が求められている。この場合、塗布膜を形成するためのユニットや、現像処理を行なうためのユニットが同じ処理ブロック内に設けられている構成では、１つの処理ブロックに組み込まれるユニット数が多く、処理ブロックが大型化し、占有面積が大きくなってしまう。

また処理ブロック１Ｂに設けられた塗布ユニット１３Ａや加熱ユニット等のモジュールや搬送手段１５Ａ，１５Ｂが故障したり、搬送手段１５Ａ，１５Ｂと各モジュールとの間で所定のタイミングでウエハＷの受け渡しが行なうことができない場合などのトラブルが発生する場合があり、この場合には、搬送手段１５Ａ，１５Ｂの動作を停止して、装置の稼動を停止するようになっている。

しかしながら搬送手段１５Ａ，１５Ｂが停止してしまうと、各モジュールではウエハＷが取り出されず、モジュール内に残されたままになってしまう。ここで塗布ユニット１３Ａで処理されたウエハＷは、当該ユニット１３Ａ内に置かれたままの状態にしておくと膜質が悪化してしまい、その後に搬送手段１５Ａ，１５Ｂによる搬送を開始しても、所定の品質のレジスト膜を確保することはできない。このため各モジュール内に取り残されたウエハＷは製品とはならずに回収され、表面に形成された塗布膜が溶剤で洗浄されて再使用される。

ところで近年露光装置のスループットが大きくなってきており、これに合わせて塗布、現像装置においても露光装置のスループットに合わせた処理能力が求められている。このため処理ブロック１Ｂ内のラインに入るウエハＷの枚数を多くしているので、処理ブロック１Ｂ内でトラブルが発生すると、回収しなければならないウエハＷの枚数が多くなってしまい、洗浄処理等のウエハＷの再生使用のために行なわれる処理の負担が大きくなってしまう。またウエハＷを回収したり、トラブルがあった場所の確認や修正作業等を行なう間は装置が稼動できないので、スループットが低下してしまう。

ここで本発明者らは、塗布、現像装置のスループットを高めるために、露光処理前のモジュールを収納するエリアと、露光処理後のモジュールを収納するエリアとを上下に配置し、夫々のエリアに搬送手段を設けることにより、搬送手段の負荷を軽減することを検討している。このように、塗布処理を行うエリアと、現像処理を行うエリアを夫々上下に配置し、夫々のエリアに搬送手段を設ける構成は特許文献２に記載されている。

しかしながらこのような構成においても、塗布処理を行なうエリア、現像処理を行なうエリアにて、モジュールや搬送手段の故障などのトラブルが発生する場合があり、上述と同様の問題が発生するおそれがあるが、この点については特許文献２には何ら記載されていない。

特開２００４−１９３５９７号公報 特許第３３３７６７７号公報

本発明は、このような事情の下になされたものであり、その目的は、レジスト膜に積層される反射防止膜を形成するにあたり、反射防止膜を塗布する場合、しない場合のいずれにも対応することができ、かつ省スペース化を図ることができる技術を提供することにある。また他の目的は、塗布膜形成用の単位ブロックの１つに異常が発生した場合でも、スループットの低下を抑えることができる技術を提供することにある。

このため本発明の塗布、現像装置は、キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、当該処理ブロックに対してキャリアブロックの反対側に接続されたインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、互いに積層されると共に前記キャリアブロックから夫々基板が搬入される複数の塗布膜形成用の単位ブロックと、前記塗布膜形成用の単位ブロックに対して積層された現像処理用の単位ブロックと、を備え、
ｂ）前記各単位ブロックは、前記キャリアブロック側から前記インターフェイスブロック側に水平に直線状に伸びる基板の搬送領域と、薬液を基板に塗布するための液処理ユニットと、基板を加熱する加熱ユニットと、基板を冷却する冷却ユニットと、これらユニット間で基板を搬送するために、前記搬送領域に沿って移動するように、単位ブロック毎に独立して設けられた単位ブロック用の搬送手段と、を備え、
ｃ）前記互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックに設けられる液処理ユニットは、基板にレジスト液を塗布するための塗布ユニットと、各々レジスト膜に積層される反射防止膜を形成するための薬液を基板に塗布するための第１の反射防止膜ユニット及び第２の反射防止膜ユニットと、を含み、これら塗布ユニット、第１の反射防止膜ユニット及び第２の反射防止膜ユニットが前記搬送領域に沿って設けられ、塗布膜形成用の単位ブロックでは、前記単位ブロックの単位で、夫々基板に対してレジスト膜を含む塗布膜の形成が行なわれることを特徴とする。

また塗布膜形成用の単位ブロックの一つに異常が発生したときに、当該異常が発生した塗布膜形成用の単位ブロックに対しては基板の搬送を行なわず、他の塗布膜形成用の単位ブロックに対しては基板の搬送を行なうように制御する制御部を備えるようにしてもよい。

さらに各単位ブロック毎にキャリアブロック側に設けられ、各単位ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なう第１の受け渡しステージを積層して構成された第１の受け渡しステージ群と、前記第１の受け渡しステージ同士の間で基板の受け渡しを行なうための第１の基板受け渡し手段と、を備えるように構成してもよいし、各単位ブロック毎にインターフェイスブロック側に設けられ、各単位ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なう第２の受け渡しステージを積層して構成された第２の受け渡しステージ群と、前記第２の受け渡しステージ同士の間で基板の受け渡しを行なうための第２の基板受け渡し手段と、を備えるように構成してもよい。

ここで第１の受け渡しステージ群は、キャリアブロックと処理ブロックとの間で基板の受け渡しを行なうためキャリアブロック用受け渡しステージを含むものとし、第２の受け渡しステージ群は、インターフェイスブロックと処理ブロックとの間で基板の受け渡しを行なうためインターフェイスブロック用受け渡しステージを含むものとすることができる。

また処理ブロックとインターフェイスブロックとの間に、塗布膜形成後露光処理前及び／又は露光処理後現像処理前並びに現像処理後の処理を行なうユニットを備えた補助ブロックを設けるようにしてもよい。この際前記補助ブロックに設けられるユニットは、基板表面の状態を検査するための、基板に形成された塗布膜の膜厚を検査するための膜厚検査ユニット、露光前及び／又は露光後の基板を洗浄するための洗浄ユニット、露光装置にて生じるパターンの位置ずれを検出するためのデフォーカス検査装置、レジスト液の塗布ムラを検出するための塗布ムラ検出装置、現像処理の不良を検出するための現像不良検出装置、基板に付着したパーティクル数を検出するためのパーティクル数検出装置、レジスト塗布後の基板に発生するコメットを検出するためのコメット検出装置、スプラッシュバック検出装置、基板表面の欠陥を検出するための欠陥検出装置、現像処理後の基板に残存するレジスト残渣を検出するためのスカム検出装置、レジスト塗布処理及び／又は現像処理の不具合を検出するための不具合検出装置、基板上に形成されたレジスト膜の線幅を測定するための線幅測定装置、露光後の基板とフォトマスクとの重ね合わせ精度を検査するための重ね合わせ検査装置の少なくとも一つである。

また前記露光装置として、基板表面に液層を形成して液浸露光するものを用い、前記補助ブロックに設けられるユニットは、前記液浸露光された後の基板を洗浄する洗浄ユニットとしてもよい。この際、前記互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックに対して、レジスト膜が形成された基板に対して、前記レジスト膜の上に撥水性の保護膜を形成するための塗布膜形成用の単位ブロックをさらに積層して設けることが好ましい。

また本発明は、前記塗布、現像装置で行なわれる塗布、現像方法において、
前記キャリアブロックから複数の塗布膜形成用の単位ブロックの各々に基板を受け渡す工程と、
この工程の後塗布膜形成用の単位ブロックの各々において互いに独立して行われ、当該単位ブロック用の搬送手段により少なくとも塗布ユニットに基板を搬送して、当該基板に少なくともレジスト膜を形成する工程と、
次いでこれら塗布膜形成用の単位ブロックにて少なくともレジスト膜が形成された基板を夫々の単位ブロックからインターフェイスブロックに受け渡す工程と、
続いて露光後の基板をインターフェイスブロックから現像処理用の単位ブロックに受け渡す工程と、
その後現像処理用の単位ブロックにおいて、当該単位ブロック用の搬送手段により、露光後の基板に現像処理を行う液処理ユニットに搬送し、この基板に対して現像処理を行う工程と、
然る後現像処理用の単位ブロックからキャリアブロックに現像処理後の基板を受け渡す工程と、を含むことを特徴とする。また前記塗布膜形成用の単位ブロックの一つに異常が発生したときに、当該異常が発生した塗布膜形成用の単位ブロックに対しては基板の搬送を行なわず、他の塗布膜形成用の単位ブロックに対しては基板の搬送を行なうことを特徴とする。

以上において本発明では、夫々に塗布ユニットと、レジスト膜に積層される反射防止膜を形成するための反射防止膜ユニットとが設けられた塗布膜形成用の単位ブロックを互いに積層して複数段設けているので、レジスト膜に積層される反射防止膜を形成する場合、しない場合のいずれにも対応することができると共に、処理ブロックの占有面積を小さくし、省スペース化を図ることができる。

また塗布膜形成用の単位ブロックの１つに異常が発生した場合でも、他の単位ブロックを用いて塗布膜の形成を行なうことができるので、装置全体の稼動を停止することがなく、稼動を停止した場合に比べてスループットの低下を抑えることができる。さらに複数層の塗布膜形成用の単位ブロックにて塗布膜の形成処理を振り分けて行なうことにより、異常が発生した単位ブロックから回収する基板が少なくなり、当該基板を再使用するために行なわれる処理の負担が軽減される。

以下、本発明に係る塗布、現像装置の第１の実施の形態について説明する。図１は、本発明の塗布、現像装置をレジストパターン形成装置に適用した場合の一実施の形態の平面図を示し、図２は同概略斜視図、図３は同概略側面図である。この装置は、基板であるウエハＷが例えば１３枚密閉収納されたキャリア２０を搬入出するためのキャリアブロックＳ１と、複数個例えば５個の単位ブロックＢ１〜Ｂ５を縦に配列して構成した処理ブロックＳ２と、インターフェイスブロックＳ３と、露光装置Ｓ４とを備えている。

前記キャリアブロックＳ１には、前記キャリア２０を複数個載置可能な載置台２１と、この載置台２１から見て前方の壁面に設けられる開閉部２２と、開閉部２２を介してキャリア２０からウエハＷを取り出すための基板の受け渡し手段をなすトランスファーアームＣとが設けられている。このトランスファーアームＣは、後述する単位ブロックＢ１，Ｂ２の受け渡しステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２との間でウエハＷの受け渡しを行うように、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、キャリア２０の配列方向に移動自在に構成されている。

キャリアブロックＳ１の奥側には筐体２４にて周囲を囲まれる処理ブロックＳ２が接続されている。処理ブロックＳ２は、複数個例えば５個の単位ブロックＢ１〜Ｂ５を積層して構成されており、この例では、下方側から第１，第２の単位ブロックＢ１，Ｂ２が現像処理を行うための単位ブロック、その上の３段の第３〜第５の単位ブロックＢ３〜Ｂ５が、ウエハＷに対して塗布液の塗布処理を行なうための塗布膜形成用の単位ブロックとして割り当てられている。

続いて第１〜第５の単位ブロックＢ（Ｂ１〜Ｂ５）の構成について説明する。これら各単位ブロックＢ１〜Ｂ５は、ウエハＷに対して薬液を塗布するための液処理ユニットと、前記液処理ユニットにて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための各種の加熱・冷却系の処理ユニットと、前記液処理ユニットと加熱・冷却系の処理ユニットとの間でウエハＷの受け渡しを行うための専用の搬送手段であるメインアームＡ１〜Ａ５と、を備えている。

前記単位ブロックＢ１〜Ｂ５は、この例では、各単位ブロックＢ１〜Ｂ５の間で、前記液処理ユニットと、加熱・冷却系の処理ユニットと、搬送手段との配置レイアウトが同じになるように形成されている。ここで配置レイアウトが同じであるとは、各処理ユニットにおけるウエハＷを載置する中心つまり液処理ユニットにおける後述するスピンチャックの中心や、加熱ユニットや冷却ユニットにおける加熱プレートや冷却プレートの中心が同じという意味である。

塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５は同様に構成されているので、図４に示す塗布膜形成用の第３の単位ブロックＢ３を例にして以下に説明する。この単位ブロックＢ３のほぼ中央には、当該単位ブロックＢ３の長さ方向（図中Ｙ軸方向）に、キャリアブロックＳ１とインターフェイスブロックＳ３とを接続するための、ウエハＷの搬送領域Ｒ１が形成されている。この搬送領域Ｒ１のキャリアブロックＳ１側から見た両側には、手前側（キャリアブロックＳ１側）から奥側に向かって右側に、前記液処理ユニットとして、レジスト膜の下層側の反射防止膜（以下「第１の反射防止膜」という）を形成するために、ウエハＷに対して第１の反射防止膜用の薬液を塗布するための第１の反射防止膜ユニット３１と、ウエハＷにレジスト液を塗布するための塗布ユニット３２と、レジスト膜の上層側の反射防止膜（以下「第２の反射防止膜」という）を形成するために、ウエハＷに対して第２の反射防止膜用の薬液を塗布するための第２の反射防止膜ユニット３３とが夫々前記搬送領域Ｒ１に沿って並んで設けられている。

また搬送領域Ｒ１の手前側から奥側に向かって左側には、加熱・冷却系のユニットを多段化した棚ユニットＵ１が設けられており、この棚ユニットＵ１は、塗布ユニット３２や第１及び第２の反射防止膜ユニット３１，３３にて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための各種ユニットを、複数段例えば２段に、複数列例えば４列に亘って積層した構成とされている。こうして前記搬送領域Ｒ１は区画されており、例えばこの区画された搬送領域Ｒ１に清浄エアを噴出させて排気することにより、当該領域内のパーティクルの浮遊を抑制するようになっている。

上述の前処理及び後処理を行うための各種ユニットの中には、例えば図４及び図５（棚ユニットＵ１を搬送領域Ｒ１側から見た図）に示すように、第１の反射防止膜用の薬液の塗布前にウエハＷを所定の温度に調整するための冷却ユニット（ＣＯＬ３１）、レジスト液の塗布前にウエハＷを所定の温度に調整するための冷却ユニット（ＣＯＬ３２）、第２の反射防止膜用の薬液の塗布前にウエハＷを所定の温度に調整するための冷却ユニット（ＣＯＬ３３）、第１の反射防止膜用の薬液の塗布後にウエハＷの加熱処理を行うための加熱ユニット（ＣＨＰ３１）、レジスト液の塗布後にウエハＷの加熱処理を行うための例えばプリベーキングユニットなどと呼ばれている加熱ユニット（ＣＨＰ３２）、第２の反射防止膜用の薬液の塗布後にウエハＷの加熱処理を行うための加熱ユニット（ＣＨＰ３３）、レジスト液とウエハＷとの密着性を向上させるための疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）、ウエハＷのエッジ部のみを選択的に露光するための周縁露光装置（ＷＥＥ）等が含まれている。

また冷却ユニット（ＣＯＬ３１〜３３）や加熱ユニット（ＣＨＰ３１〜３３）等の各処理ユニットは、夫々処理容器４１内に収納されており、棚ユニットＵ１は、前記処理容器４１が４列に渡って２段に積層されて構成され、各処理容器４１の搬送領域Ｒ１に臨む面にはウエハ搬出入口４２が形成されている。図４中４３は、当該単位ブロックＢ３のベースプレートであり、単位ブロックＢ２との仕切り壁をなすものである。

前記搬送領域Ｒ１には前記メインアームＡ３が設けられている。このメインアームＡ３は、当該第３の単位ブロックＢ３内の全てのモジュール（ウエハＷが置かれる場所）、例えば棚ユニットＵ１の各処理ユニット、第１及び第２の反射防止膜ユニット３１，３３、塗布ユニット３２、後述する棚ユニットＵ２と棚ユニットＵ３の各部との間でウエハの受け渡しを行うように構成されており、このために進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、Ｙ軸方向に移動自在に構成されている。

また搬送領域Ｒ１のキャリアブロックＳ１と隣接する領域は、第１のウエハ受け渡し領域Ｒ２となっていて、この領域Ｒ２には、図１及び図３に示すように、トランスファーアームＣとメインアームＡ３とがアクセスできる位置に棚ユニットＵ２が設けられると共に、この棚ユニットＵ２に対してウエハＷの受け渡しを行うための第１の基板受け渡し手段をなす第１の受け渡しアームＤ１を備えている。

前記棚ユニットＵ２は、図３に示すように、当該単位ブロックＢ３のメインアームＡ３と、他の単位ブロックＢ１，Ｂ２，Ｂ４，Ｂ５のメインアームＡ１，Ａ２，Ａ４，Ａ５との間でウエハＷの受け渡しを行うための１個以上例えば２個の第１の受け渡しステージＴＲＳ３を備えている。この例では、各単位ブロックＢ１〜Ｂ５は、棚ユニットＵ２に１個以上例えば２個の第１の受け渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ５を備えており、これにより棚ユニットＵ２は、第１の受け渡しステージが多段に積層された第１の受け渡しステージ群を構成している。また前記第１の受け渡しアームＤ１は各第１の受け渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ５に対してウエハＷの受け渡しを行うことができるように、進退自在及び昇降自在に構成されている。

ここで前記第１及び第２の単位ブロックＢ１，Ｂ２の第１の受け渡しステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２は、この例ではトランスファーアームＣとの間でウエハＷの受け渡しが行なわれるように構成され、キャリアブロック用受け渡しステージに相当する。さらにこの例では、第２の単位ブロックＢ２は第１の受け渡しステージとして例えば２個のＴＲＳ−Ｆをさらに備えており、この受け渡しステージＴＲＳーＦはトランスファーアームＣによりウエハＷを処理ブロックＳ２に搬入するための専用の受け渡しステージとして用いられる。この受け渡しステージＴＲＳーＦもキャリアブロック用受け渡しステージに相当し、第１の単位ブロックＢ１に設けるようにしてもよい。またこの受け渡しステージＴＲＳーＦを別個に設けずに、受け渡しステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２を用いて、トランスファーアームＣからウエハＷを処理ブロックＳ２に搬入するようにしてもよい。

さらに搬送領域Ｒ１のインターフェイスブロックＳ３と隣接する領域は、第２のウエハ受け渡し領域Ｒ３となっていて、この領域Ｒ３には、図１，３に示すように、メインアームＡ３がアクセスできる位置に棚ユニットＵ３が設けられると共に、この棚ユニットＵ３に対してウエハＷの受け渡しを行うための第２の基板受け渡し手段をなす第２の受け渡しアームＤ２を備えている。

前記棚ユニットＵ３は、図３及び図６に示すように、当該単位ブロックＢ３のメインアームＡ３と、他の単位ブロックＢ１，Ｂ２，Ｂ４，Ｂ５のメインアームＡ１，Ａ２，Ａ４，Ａ５との間でウエハＷの受け渡しを行うための１個以上例えば２個の第２の受け渡しステージＴＲＳ８を備えている。この例では、各単位ブロックＢ１〜Ｂ５は、棚ユニットＵ３に１個以上例えば２個の第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ１０を備えており、これにより棚ユニットＵ３は、第２の受け渡しステージが多段に積層された第２の受け渡しステージ群を構成している。また前記第２の受け渡しアームＤ２は各第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ１０に対してウエハＷの受け渡しを行うことができるように、進退自在及び昇降自在に構成されている。

このように本実施の形態では、第１の受け渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ５と第１の受け渡しアームＤ１とが設けられた第１のウエハ受け渡し領域Ｒ２と、第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ１０と第２の受け渡しアームＤ２とが設けられた第２のウエハ受け渡し領域Ｒ３とは５つの単位ブロックＢ１〜Ｂ５同士の間で連通された領域として形成され、これらの領域Ｒ２，Ｒ３で挟まれた搬送領域Ｒ１を含む領域は、各単位ブロック同士の間において仕切り壁により区画されるようになっている。そして５段に積層された各単位ブロックＢ１〜Ｂ５の間で、上述の第１の受け渡しアームＤ１と第２の受け渡しアームＤ２とにより、夫々第１の受け渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ５とＴＲＳ−Ｆ、第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ１０を介して、自由にウエハＷの受け渡しを行なうことができるように構成されている。

続いて他の単位ブロックについて図３及び図５を用いて簡単に説明する。第４及び第５の単位ブロックＢ４，Ｂ５は第３の単位ブロックＢ３と同様に構成され、第４の単位ブロックＢ４では、液処理ユニットとして、前記第１の反射防止膜形成ユニット３１と、塗布ユニット３２と、第２の反射防止膜形成ユニット３３とが設けられ、棚ユニットＵ１には、第１の反射防止膜用薬液、レジスト液、第２の反射防止膜用薬液を夫々塗布する前に、ウエハＷを所定の温度に調整するための冷却ユニット（ＣＯＬ４１，ＣＯＬ４２，ＣＯＬ４３）、第１の反射防止膜用薬液、レジスト液、第２の反射防止膜用薬液を夫々塗布した後に、ウエハＷの加熱処理を行うための加熱ユニット（ＣＨＰ４１，ＣＨＰ４２，ＣＨＰ４３）、疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）、周縁露光装置（ＷＥＥ）等が含まれている。そしてこの第４の単位ブロックＢ４では、メインアームＡ４により、第１の受け渡しステージＴＲＳ４，第２の受け渡しステージＴＲＳ９と、第１及び第２の反射防止膜ユニット３１，３３と、塗布ユニット３２と、棚ユニットＵ１の各処理ユニットとに対してウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。

そして第５の単位ブロックＢ５は、液処理ユニットとして、前記第１の反射防止膜形成ユニット３１と、塗布ユニット３２と、第２の反射防止膜形成ユニット３３とが設けられ、棚ユニットＵ１には、第１の反射防止膜用薬液、レジスト液、第２の反射防止膜用薬液を夫々塗布する前に、ウエハＷを所定の温度に調整するための冷却ユニット（ＣＯＬ５１，ＣＯＬ５２，ＣＯＬ５３）、第１の反射防止膜用薬液、レジスト液、第２の反射防止膜用薬液を夫々塗布した後に、ウエハＷの加熱処理を行うための加熱ユニット（ＣＨＰ５１，ＣＨＰ５２，ＣＨＰ５３）、疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）、周縁露光装置（ＷＥＥ）等が含まれている。そしてこの第５の単位ブロックＢ５では、メインアームＡ５により、第１の受け渡しステージＴＲＳ５，第２の受け渡しステージＴＲＳ１０と、第１及び第２の反射防止膜形成ユニット３１，３３と、塗布ユニット３２と、棚ユニットＵ１の各処理ユニットとに対してウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。

また第１及び第２の単位ブロックＢ１，Ｂ２は同様に構成され、液処理ユニットとしてウエハＷに対して現像処理を行うための現像ユニットが設けられ、棚ユニットＵ１には、露光後のウエハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングユニットなどと呼ばれている加熱ユニット（ＰＥＢ１，ＰＥＢ２）や、この加熱ユニット（ＰＥＢ１，ＰＥＢ２）における処理の後にウエハＷを所定温度に調整するための冷却ユニット（ＣＯＬ１，ＣＯＬ２）、現像処理後のウエハＷを水分を飛ばすために加熱処理するポストベーキングユニットなどと呼ばれている加熱ユニット（ＰＯＳＴ１，ＰＯＳＴ２）を備えている以外は第３の単位ブロックＢ３と同様に構成されている。

そしてこれら第１及び第２の単位ブロックＢ１，Ｂ２では、夫々メインアームＡ１，Ａ２により、夫々第１の受け渡しステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２，ＴＲＳ−Ｆ、第２の受け渡しステージＴＲＳ６，ＴＲＳ７と、現像ユニットと、棚ユニットＵ１の各処理ユニットとに対してウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。

ここで現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２では、これらの間の仕切り壁を取り外し、１個のメインアームＡ１により、夫々第１の受け渡しステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２，ＴＲＳ−Ｆ、第２の受け渡しステージＴＲＳ６，ＴＲＳ７と、単位ブロックＢ１，Ｂ２の現像ユニットと、単位ブロックＢ１，Ｂ２の棚ユニットＵ１の各処理ユニットとに対してウエハＷの受け渡しが行われるように構成してもよい。

なお図５はこれら処理ユニットのレイアウトの一例を示すものであって、このレイアウトは便宜上のものであり、処理ユニットは加熱ユニット（ＣＨＰ、ＰＥＢ、ＰＯＳＴ）、冷却ユニット（ＣＯＬ）、疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）、周縁露光装置（ＷＥＥ）に限らず、他の処理ユニットを設けるようにしてもよいし、実際の装置では各処理ユニットの処理時間などを考慮してユニットの設置数が決められる。

一方、処理ブロックＳ２における棚ユニットＵ３の奥側には、インターフェイスブロックＳ３を介して露光装置Ｓ４が接続されている。インターフェイスブロックＳ３には、処理ブロックＳ２の棚ユニットＵ３と露光装置Ｓ４とに対してウエハＷの受け渡しを行うためのインターフェイスアームＥと、複数枚のウエハＷを棚状に保持するためのバッファ８３とを備えている。前記インターフェイスアームＥは、処理ブロックＳ２と露光装置Ｓ４との間に介在するウエハＷの搬送手段をなすものであり、この例では、第１〜第５の単位ブロックＢ１〜Ｂ５の第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ１０とバッファ８３の各部に対してウエハＷの受け渡しを行うように、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、Ｘ軸方向に移動自在に構成され、この例では第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ１０がインターフェイスブロック用受け渡しステージに相当する。

前記バッファ８３は、露光装置Ｓ４のスループットと処理ブロックＳ２のスループットとを調整する際や、露光条件の切り替えの間に、例えば塗布処理後のウエハＷを一旦ストックしておき、順次露光装置Ｓ４に搬送するような場合に用いられる。このようにすると、露光装置Ｓ４のスループットに合わせることができ、またロット毎に、露光強度やマスク種等の適切な露光条件に切り替えて露光処理を行なうことができる。さらに露光条件の切り替えの間にも、塗布処理は連続して行なうことができるので、生産性が向上する。

また前記インターフェイスアームＥは、単位ブロックＢ１〜Ｂ５のうちの特定の単位ブロックの第２の受け渡しステージに対してウエハＷの受け渡しを行うように構成してもよく、この場合にはインターフェイスアームＥがアクセスできる第２の受け渡しステージがインターフェイスブロック用受け渡しステージに相当する。

続いて液処理ユニット、メインアームＡ（Ａ１〜Ａ５）、第１及び第２の受け渡しアームＤ１，Ｄ２、インターフェイスアームＥの構成について簡単に説明する。先ず液処理ユニットについて、図７に示す塗布ユニット３２を例にして簡単に説明する。

図中５１は、処理容器５０内に収納された基板保持部をなすスピンチャックであり、真空吸着によりウエハＷを水平に保持するように構成されている。このスピンチャック５１は駆動機構５２により鉛直軸回りに回転でき、かつ昇降できるようになっている。またスピンチャック５１の周囲にはウエハＷからスピンチャック５１に跨る側方部分を囲うカップ５３が設けられ、当該カップ５３の底部側には、凹部状をなす液受け部５４がウエハＷの周縁下方側に全周に亘って、外側領域と内側領域とに区画されて設けられており、外側領域の底部には貯留した塗布液等を排出するためのドレイン管５４ａが接続され、内側領域の底部には二つの排気管５４ｂが接続されている。なお図示は省略するが、ウエハＷの裏面側を支持して昇降可能な昇降ピンが設けられており、この昇降ピンとメインアームＡとの協働作用によりスピンチャック５１に対してウエハＷの受け渡しが行なわれるようになっている。

また図中５５は、ウエハＷに対して塗布液（レジスト液）を供給するための薬液ノズルであり、この薬液ノズル５５は移動機構５５ａにより、例えば処理容器５０のＹ方向に伸びるように設けられたガイドレール５５ｂに沿って、カップ５３の一端側の外方側から他端側の外方側まで移動自在、かつ昇降自在に構成されている。図中５６は、カップ５３の外側に設けられた薬液ノズルの待機領域である。

また図中５７は、スピンチャック５１に保持されたウエハＷの周縁部にリンス液を供給するためのサイドリンス機構であり、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。図中５８ａは処理容器５０の天井部に取り付けられたフィルタユニット、５８ｂは処理容器５０の底面に設けられた排気部であり、排気部５８ｂから所定の排気量で排気すると共に、フィルタユニット５８ａから所定流量の、温度と湿度とが調整された清浄気体を供給することにより、処理容器５０内に清浄気体のダウンフローが形成され、メインアームＡの搬送領域Ｒ１よりも陽圧になるように設定されている。図中５９は、処理容器５０の搬送領域Ｒ１に臨む面に形成されたウエハＷの搬入出口であり、開閉シャッタ５９ａにより開閉自在に構成されている。

この塗布ユニット３２では、ウエハＷはメインアームＡにより搬入出口５９を介して処理容器５０内に搬入され、図示しない昇降ピンとの協働作業により、カップ５３よりも上方側に位置させたスピンチャック５１に受け渡される。そしてスピンチャック５１を処理位置まで下降させ、薬液ノズル５５から当該ウエハＷの中央部にレジスト液を供給すると共に、スピンチャック５１を回転させ、レジスト液を遠心力によりウエハＷの径方向に広げることにより、当該表面にレジストの液膜を形成させる。こうしてレジストの液膜が形成されたウエハＷは搬入出口５９を介してメインアームＡにより塗布ユニット３２の外部に搬出される。

前記第１の反射防止膜ユニット３１は、レジスト液を塗布する前にウエハＷに反射防止膜用の薬液を塗布するためのもの、第２の反射防止膜ユニット３３は、レジスト液を塗布した後にウエハＷに反射防止膜用の薬液を塗布するためのものであり、これらのユニット３１，３３は、薬液ノズルから夫々反射防止膜用の薬液を供給する以外は、夫々塗布ユニット３２と同様に構成される。そして塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５では、これら第１及び第２の反射防止膜ユニット３１，３３、塗布ユニット３２が夫々収納容器５０に収納されて、搬送領域Ｒ１に臨むように横方向（Ｙ軸方向）に配列した状態で共通のベースプレート４３に設けられている。

また現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２には、液処理ユニットとして３個の現像ユニットが搬送領域Ｒ１に臨むように横方向（Ｙ軸方向）に並んで設けられるが、この現像ユニットは、薬液ノズルの長さ方向に亘って現像液の供給領域が形成されていて、ウエハＷの直径方向に現像液を供給するように構成され、洗浄液ノズルを備える点以外は、塗布ユニット３２とほぼ同様に構成されている。洗浄液ノズルは、薬液ノズルと同様に構成され、移動機構により前記ガイドレールに沿って移動自在、かつ昇降自在に構成されてスピンチャックに保持されたウエハＷに対して洗浄液を供給するようになっている。

このような現像ユニットでは、メインアームＡにより搬入出口を介して処理容器内にウエハＷが搬入され、スピンチャックにウエハＷが受け渡される。そして薬液ノズルから当該ウエハＷの中央部に現像液を供給すると共に、スピンチャックにより例えばウエハＷを半回転させ、これにより現像液をウエハＷの全面に供給する。そして所定時間経過後、洗浄液ノズルからウエハＷに洗浄液を供給し、ウエハＷ表面の現像液を洗い流し、その後ウエハＷを回転させて乾燥させることにより現像処理を終了する。

またこの現像ユニットでは、洗浄液ノズルを別個に設ける代わりに、塗布ユニット３２のサイドリンス機構５７と同様の構成の、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成された洗浄機構を設け、これにより、スピンチャックに保持されたウエハＷの中央部に洗浄液を供給するようにしてもよい。

またメインアームＡは、例えば図４に示すように、ウエハＷの裏面側周縁領域を支持するための２本のアーム６１，６２を備えており、これらアーム６１，６２は基台６３に沿って互いに独立して進退自在に構成されている。またこの基台６３は回転機構６４により鉛直軸回りに回転自在に構成される共に、移動機構６５により、棚ユニットＵ１を支持する台部６６の搬送領域Ｒ１に臨む面に取り付けられたＹ軸レール６７に沿ってＹ軸方向に移動自在、かつ昇降レール６８に沿って昇降自在に構成されている。こうしてアーム６１，６２は、進退自在、Ｙ軸方向に移動自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成され、棚ユニットＵ１の各ユニットや第１及び第２の受け渡しステージ、液処理ユニットとの間でウエハＷの受け渡しを行うことができるようになっている。このようなメインアームＡは、後述する制御部からの指令に基づいて図示しないコントローラにより駆動が制御される。またアームの加熱ユニットでの蓄熱を防止するために、ウエハＷの受け取り順番をプログラムで任意に制御できるようになっている。

また前記インターフェイスアームＥは、例えば図８に示すように、ウエハＷの裏面側中央領域を支持するための１本のアーム７１が基台７２に沿って進退自在に設けられている。前記基台７２は、昇降台７３に回転機構７４により鉛直軸回りに回転自在に取り付けられ、前記昇降台７３は昇降レール７５に沿って昇降自在に設けられている。また例えば昇降レール７５は、Ｘ軸レール７６に沿ってＸ軸方向に移動自在に設けられている。こうしてアーム７１は、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、Ｘ軸方向に移動自在に構成され、棚ユニットＵ３の第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ１０、バッファ８３との間でウエハＷの受け渡しを行うことができるようになっている。

前記第１及び第２の受け渡しアームＤ１，Ｄ２も、鉛直軸回りに回転せず、Ｘ軸方向に移動しない他は、インターフェイスアームＥと同様に構成されている。このような第１及び第２の受け渡しアームＤ１，Ｄ２、インターフェイスアームＥは、後述する制御部からの指令に基づいて図示しないコントローラにより駆動が制御される。

ここで前記加熱ユニット（ＣＨＰ３１〜５３、ＰＯＳＴ１，２、ＰＥＢ１，２）としては、図１に示すように、加熱プレート４５と、搬送アームを兼用する冷却プレート４４とを備え、メインアームＡと加熱プレート４５との間のウエハＷの受け渡しを冷却プレート４４により行なう、加熱冷却を１つのユニットにて行うことができる構成の装置が用いられ、冷却ユニット（ＣＯＬ１〜ＣＯＬ５３）としては、例えば水冷方式の冷却プレートを備えた構成の装置が用いられる。なお前記疎水化処理ユニットは、ＨＭＤＳ雰囲気中でガス処理を行なうものである。

以上において、上述のレジストパターン形成装置は、目的とする塗布膜に応じて用意されるプロセスレシピや、ウエハＷの搬送経路を示した搬送レシピの作成や管理、各処理ユニットにおける処理や、メインアームＡ１〜Ａ５、トランスファーアームＣ、第１及び第２の受け渡しアームＤ１，Ｄ２、インターフェイスアームＥの駆動制御を行うコンピュータからなる制御部１００を備えている。

本発明では、現像処理用の第１及び第２の単位ブロックＢ１，Ｂ２と、塗布膜形成用の第３〜第５の単位ブロックＢ３〜Ｂ５とが用意されているが、各塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５では、単位ブロックＢ３〜Ｂ５単位で塗布膜が形成され、この塗布膜を形成するための一連の処理が完結されるようになっている。また現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２でも単位ブロック単位で一連の処理が完結されるようになっている。

前記搬送レシピは、目的とする塗布膜の種類に応じて、塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５内及び現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２内のウエハＷの搬送経路が、例えば使用されるモジュールを、使用する順序に沿って記載することにより作成され、こうして制御部１００には、塗布膜毎に複数個の搬送レシピが格納されている。ここで塗布膜の種類には、例えばレジスト膜の上下に反射防止膜を形成する場合、レジスト膜の上下のいずれか一方に反射防止膜を形成する場合、反射防止膜を形成しない場合の他、レジスト膜や反射防止膜の種類を変えた場合や、レジスト膜や反射防止膜の厚さを変えた場合がある。同じ塗布膜とはレジスト膜や反射防止膜等の種類や厚さが同じであり、加熱ユニットや冷却ユニットでの処理条件（処理温度や処理時間）が同じものをいい、これ以外の塗布膜は違う塗布膜とする。

こうして制御部１００では、複数の搬送レシピから、形成しようとする塗布膜の種類に応じて所定の搬送レシピを選択することにより、結果としてウエハＷが搬送される塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５と、現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２とが指定され、指定された単位ブロックＢ１〜Ｂ５では、所定の搬送経路でウエハＷが搬送され、一連の処理が行われるようになっている。

続いてこのレジストパターン形成装置の作用について、ロットＡのウエハＷに対しては、第３の単位ブロックＢ３にて搬送レシピＡに従ってウエハＷを搬送して第１の塗布膜を形成し、ロットＢのウエハＷに対しては第４の単位ブロックＢ４にて搬送レシピＢに従ってウエハＷを搬送して第２の塗布膜を形成し、ロットＣのウエハＷに対しては第５の単位ブロックＢ５にて搬送レシピＣに従ってウエハＷを搬送して第３の塗布膜を形成する場合を例にして説明する。

先ず処理を行なう前に、オペレータが、ウエハＷのロットと、このロットに対応する搬送レシピを選択する。具体的には、例えばロットＡのウエハＷに対しては搬送レシピＡ（第３の単位ブロック３にて第１の塗布膜を形成するレシピ）を選択し、ロットＢのウエハＷに対しては搬送レシピＢ（第４の単位ブロックＢ４にて第２の塗布膜を形成するレシピ）、ロットＣのウエハＷに対しては搬送レシピＣ（第５の単位ブロックＢ５にて第３の塗布膜を形成するレシピ）を選択し、ロットＡ、ロットＢ、ロットＣのウエハＷが順番にトランスファーアームＣにより払い出されるようにする。ここで夫々の搬送レシピには、現像処理を行なう際の単位ブロックＢ１，Ｂ２内の搬送経路についても記載されている。

ここで前記第１の塗布膜はレジスト膜の上下に夫々反射防止膜を形成する場合、第２の塗布膜はレジスト膜の上に反射防止膜を形成する場合であって、第３の塗布膜はレジスト膜の下に反射防止膜を形成する場合として説明する。この際第１〜第３の塗布膜は、夫々のレジストの種類が異なり、加熱ユニットでの加熱温度や、冷却ユニットでの冷却温度が異なるものとする。

先ず外部からロットＡのウエハＷＡを含むキャリア２０Ａと、ロットＢのウエハＷＢを含むキャリア２０Ｂと、ロットＣのウエハＷＣを含むキャリア２０Ｃとがキャリアブロック２１に搬入され、トランスファーアームＣによりこのキャリア２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ内から順番にウエハＷＡ，ウエハＷＢ，ウエハＷＣが取り出される。

続いてウエハＷＡ〜ＷＣは、トランスファーアームＣにより、先ず第２の単位ブロックＢ２の棚ユニットＵ５の第１の受け渡しステージＴＲＳーＦに順番に受け渡され、次いでウエハＷＡは、第１の受け渡しアームＤ１により第１の受け渡し部ＴＲＳ３を介して、単位ブロックＢ３のメインアームＡ３に受け渡され、ウエハＷＢは、第１の受け渡しアームＤ１により第１の受け渡し部ＴＲＳ４を介して、単位ブロックＢ４のメインアームＡ４に受け渡され、ウエハＷＣは、第１の受け渡しアームＤ１により第１の受け渡し部ＴＲＳ５を介して、単位ブロックＢ５のメインアームＡ５に受け渡される。

そして第３の単位ブロックＢ３では、メインアームＡ３により、冷却ユニット（ＣＯＬ３１）→第１の反射防止膜ユニット３１→加熱ユニット（ＣＨＰ３１）の順序で搬送されて、ウエハＷＡ表面に第１の反射防止膜が形成される。次いでウエハＷは冷却ユニット（ＣＯＬ３２）→塗布ユニット３２→加熱ユニット（ＣＨＰ３２）の順序で搬送されて、第１の反射防止膜の上にレジスト膜が形成される。次いでウエハＷＡは、冷却ユニット（ＣＯＬ３３）→第２の反射防止膜ユニット３３→加熱ユニット（ＣＨＰ３３）→周縁露光装置（ＷＥＥ）→棚ユニットＵ６の第２の受け渡しステージＴＲＳ８の順序で搬送されて、レジスト膜の上に第２の反射防止膜が形成される。
また第４の単位ブロックＢ４では、メインアームＡ４により、疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）→冷却ユニット（ＣＯＬ４２）→塗布ユニット３２→加熱ユニット（ＣＨＰ４２）の順序で搬送されて、ウエハＷＢの上にレジスト膜が形成される。次いでウエハＷＢは、冷却ユニット（ＣＯＬ４３）→第２の反射防止膜ユニット３３→加熱ユニット（ＣＨＰ４３）→周縁露光装置（ＷＥＥ）→棚ユニットＵ２の第２の受け渡しステージＴＲＳ９の順序で搬送されて、レジスト膜の上に第２の反射防止膜が形成される。

また第５の単位ブロックＢ５では、メインアームＡ５により、冷却ユニット（ＣＯＬ５１）→第１の反射防止膜ユニット３１→加熱ユニット（ＣＨＰ５１）の順序で搬送されて、ウエハＷＣ表面に第１の反射防止膜が形成される。次いでウエハＷＣは疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）→冷却ユニット（ＣＯＬ５２）→塗布ユニット３２→加熱ユニット（ＣＨＰ５２）→周縁露光装置（ＷＥＥ）→棚ユニットＵ２の第２の受け渡しステージＴＲＳ１０の順序で搬送されて、レジスト膜の上に第２の反射防止膜が形成される。

続いて第２の受け渡しステージＴＲＳ８のウエハＷＡ，受け渡しステージＴＲＳ９のウエハＷＢ、受け渡しステージＴＲＳ１０のウエハＷＣは、夫々インターフェイスアームＥにより露光装置Ｓ４に予め設定された順番に搬送され、ここで所定の露光処理が行われる。露光処理後のウエハＷＡ〜ＷＣは、インターフェイスアームＥにより、予め設定された搬送レシピに従って第１及び第２の単位ブロックＢ１，Ｂ２にウエハＷを受け渡すために、棚ユニットＵ６の第２の受け渡しステージＴＲＳ６（ＴＲＳ７）に搬送され、このステージＴＲＳ６（ＴＲＳ７）上のウエハＷは、単位ブロックＢ１（Ｂ２）のメインアームＡ１（Ａ２）に受け取られ、当該単位ブロックＢ１（Ｂ２）にて、先ず加熱ユニット（ＰＥＢ１（ＰＥＢ２））→冷却ユニット（ＣＯＬ１（ＣＯＬ２））→現像ユニット→加熱ユニット（ＰＯＳＴ１（ＰＯＳＴ２））の順序で搬送され、所定の現像処理が行われる。こうして現像処理が行われたウエハＷＡ〜ＷＣは、トランスファーアームＣにウエハＷを受け渡すために、第１の受け渡しステージＴＲＳ１（ＴＲＳ２）に順次搬送され、トランスファーアームＣにより、キャリアブロックＳ１に載置されている元のキャリア２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃに戻される。

このようなレジストパターン形成装置では、各塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５と、現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２とを異なるエリアに設け、夫々に専用のメインアームＡを設けたので、メインアームＡの負荷が軽減する。このためメインアームＡの搬送効率が向上するので、結果としてスループットを高めることができる。

また塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５の夫々に、第１の反射防止膜ユニット３１、塗布ユニット３２、第２の反射防止膜ユニット３３を備えているので、搬送レシピにより選択することにより、１つの単位ブロックＢ３（Ｂ４，Ｂ５）にて反射防止膜を形成する場合、しない場合のいずれにも対応することができる。さらに複数の塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５を互いに積層して設けることにより、品種の異なる塗布膜の形成に対応するためにモジュール数が多くなっても、これらモジュールを各単位ブロックＢ３〜Ｂ５に分散して設けることができるので、処理ブロックＳ２の大型化を抑え、省スペース化を図ることができる。

なお上述の実施の形態で反射防止膜を形成しない処理を行なう場合には、例えばウエハＷは、キャリア２０→トランスファーアームＣ→棚ユニットＵ２の第１の受け渡しステージＴＲＳーＦ→第１の受け渡しアームＤ１→第１の受け渡しステージＴＲＳ３〜ＴＲＳ５→単位ブロックＢ３〜Ｂ５のメインアームＡ３〜Ａ５→疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）→冷却ユニット（ＣＯＬ３２〜ＣＯＬ５２）→塗布ユニット３２→加熱ユニット（ＣＨＰ３２〜ＣＨＰ５２）→周縁露光装置（ＷＥＥ）→棚ユニットＵ３の第２の受け渡しステージＴＲＳ８〜ＴＲＳ１０→インターフェイスアームＥ→露光装置Ｓ４→インターフェイスアームＥ→第２の受け渡しステージＴＲＳ６,ＴＲＳ７→単位ブロックＢ１，Ｂ２の経路で搬送される。

この際、搬送レシピを指定することにより、各単位ブロックＢ３〜Ｂ５では、夫々独立してウエハＷの搬送が行なわれ、例えば第３の単位ブロックＢ３で第１の塗布膜を形成する処理と、第４の単位ブロックＢ４にて第２の塗布膜を形成する処理と第５の単位ブロックＢ５にて第３の塗布膜を形成する処理とが同時に行なわれる。このため複数の単位ブロックで異なる処理を同時に行うことができるので、少量多品種の塗布膜の形成に適している。ここで同時に塗布膜の形成が行なわれるとは、単位ブロックＢ３〜Ｂ５の少なくとも２つの単位ブロック内にウエハＷが置かれている状態をいう。

また塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５のうちのいずれか、又は現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２のいずれかにおいて、処理の途中で液処理ユニットや加熱ユニット等のモジュールやメインアームＡ１〜Ａ５が故障したり、メインアームＡ１〜Ａ５と各モジュールとの間で所定のタイミングでウエハＷの受け渡しが行なうことができない場合などの何らかの異常が発生した場合、当該単位ブロックへのウエハＷの搬送を停止する一方、他の残りの単位ブロックにはウエハＷの搬送を続行することにより、処理を続行することができる。

この場合には、制御部１００に、ある単位ブロックにてトラブルが発生した時点で、当該単位ブロックではメインアームを停止するプログラムと、この際アラーム等でオペレータに知らせるプログラムと、例えばトランスファーアームＣに、トラブルが発生した単位ブロックにはウエハＷを搬送しない指令を出力するプログラムと、トランスファーアームＣに、トラブルが発生した単位ブロック以外の単位ブロックにはウエハＷを搬送する指令を出力するプログラムと、を格納しておく。

これによりトラブルが発生した単位ブロックに対してはウエハＷの搬送が停止され、それ以外の単位ブロックではウエハＷの搬送が行われて、所定の処理が続行される。このためトラブルが発生した単位ブロック以外の単位ブロックでは装置を稼動させることができるので、装置を停止する場合に比べてスループットを高くすることができる。

ここで例えば３つの塗布膜形成用の単位ブロックを用いて処理を行なっている場合には、これら３つの単位ブロックの夫々にウエハＷが分散されるように搬送されるので、１つの処理ブロックに塗布ユニットや現像ユニット、加熱ユニット等の全てのモジュールが設けられている場合に比べて、１つの単位ブロック内に滞在するウエハＷが少ない。従って１つの単位ブロックでトラブルがあったとしても、この単位ブロック内に存在し、処理が途中で中断されたために回収されるウエハＷが、前記１つの処理ブロックＳに全てのモジュールが設けられている場合に比べて少ない。このため例えば洗浄処理等の、前記回収されたウエハＷを再使用するための処理の負担が少なくなる。

また上述のようにロットＡ，ロットＢ，ロットＣの処理を並列に行なうのではなく、先ずロットＡのウエハＷに対して第１の塗布膜の形成を行なった後、次いでロットＢのウエハＷに対して第２の塗布膜の形成を行なう場合を想定すると、塗布ユニットや現像ユニットや加熱ユニット等のモジュールが同じ処理ブロックに設けられている構成では、これら第１の塗布膜と第２の塗布膜とは加熱ユニットにおけるウエハＷの加熱温度が異なるので、第１の塗布膜と第２の塗布膜とのロットの切り替えのときに、前記加熱温度の調整を行わなくてはならない。この際この温度の調整にある程度の時間がかかるので、ロットＡの処理が終了してからロットＢの処理を開始するまでにある程度の時間が必要であり、装置が稼動しない時間が長くなって、スループットが低下してしまう。

これに対して本発明のように、複数の塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５を備える場合には、いずれかの単位ブロックにてロットＡのウエハＷに対して第１の塗布膜の形成を行なった後、次いで前記第１の塗布膜の形成を行う単位ブロックとは別の塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５にてロットＢのウエハＷに対して第２の塗布膜の形成を行なうように、ウエハＷの搬送を行なうことにより、ロットＢのウエハＷを搬送する単位ブロックにて予め加熱ユニットの温度調整を行なうことができるので、ロットＡの処理が終了してから、直ちにロットＢの処理を開始することができ、装置が稼動しない時間が発生しないので、スループットの低下が抑えられるという利点もある。

さらにまた上述の実施の形態では、１つの塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５にて、露光処理前までの塗布膜形成のための一連の処理を完結しているので、前記塗布膜の形成を１つの単位ブロックＢ３〜Ｂ５内で行うことができ、塗布膜形成のために異なる単位ブロックにウエハＷを搬送する場合に比べて、単位ブロック同士の間のウエハＷの搬送がないので、経路が単純化し、ウエハＷの搬送効率を高めることができる。

また５層の単位ブロックＢ１〜Ｂ５に対してウエハＷの受け渡しを行うための受け渡しアームと受け渡しステージとを、処理ブロックＳ２のキャリアブロックＳ１に隣接する領域と、インターフェイスブロックＳ３に隣接する領域の両方に設けているので、ウエハＷをキャリアブロックＢ→各塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５→インターフェイスブロックＢと一方向でスムーズに搬送することができ、搬送経路が単純化されるので、搬送効率が高くなる。

さらにまた各単位ブロック間の間でウエハＷの受け渡しを行なうための第１及び第２の受け渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ１０と、この受け渡しステージにアクセスするための専用の受け渡しアームＤ１，Ｄ２とを設けているので、各単位ブロック間のウエハＷの搬送系の構成がシンプルなものとなる。

ここで塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５や、現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２は、既述のように夫々同じ単位ブロックにより構成され、つまり液処理ユニット、加熱ユニット、冷却ユニット、メインアームＡの配置レイアウトが塗布膜形成用の単位ブロック同士、現像処理用の単位ブロック同士の間で同じになるように構成されているので、塗布液や現像液等の薬液の配管や、排液路や排気路等の配管を近くにまとめることができ、また電気系統のケーブル等も近くにまとめることができて、前記配管やケーブル等の引き回しが単純化し、組み立て作業が容易となる。このため製造に要する時間の短縮を図ると共に、製造スループットが高まるので製造コストを低減することができる。

またこのように塗布膜形成用の単位ブロック、現像処理用の単位ブロックとして、夫々同じ単位ブロックを製造すればよいので、構成が異なる単位ブロックを製造する場合に比べて製造作業が容易となり、製造ミスが少なくなる。このため製造スループットが高まり、製造コストを低減することができる。また共通の部材を用いることができるので、この点からも製造コストの低減に貢献することができる。さらに同じ単位ブロックにより構成すれば、既述のように製造ミスが少なくなるため、精度が高くなり、調整が容易となる。このため、調整に要する時間が短縮されるという利点もある。

以上においてこの実施の形態では、トランスファーアームＣが全ての単位ブロックＢ１〜Ｂ５の第１の受け渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ５に対してウエハＷの受け渡しを行なうように構成してもよいし、インターフェイスアームＥが単位ブロックＢ１〜Ｂ５の内のいずれかの第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ１０との間でのみウエハＷの受け渡しを行なうように構成してもよい。

続いて本発明の第２の実施の形態について図９に基づいて説明する。この例は、露光装置Ｓ４として、ウエハＷの表面に液層を形成して液浸露光を行なう装置を用いると共に、処理ブロックＳ２とインターフェイスブロックＳ３との間に補助ブロックＳ５を設け、かつ塗布膜形成用の単位ブロックとして、例えば第５の単位ブロックＢ５の上層側に、第２の反射防止膜の上に撥水性の保護膜を形成するためのユニットを有する単位ブロック（図示せず）をさらに積層して設ける例である。前記撥水性の保護膜を形成するためのユニットとは、液浸露光対応時に求められる液処理ユニットである、液浸露光される際の液体がレジストに含浸されるのを防ぐための保護膜を塗布する撥水性保護膜塗布ユニットであり、またこの単位ブロックには露光後の保護膜の除去や露光前後にウエハＷに付着したパーティクルや、露光に支障をきたす成分を除去洗浄するための洗浄ユニットが設けられてもよい。

前記補助ブロックＳ５には、塗布膜形成後露光処理前及び／又は露光処理後現像処理前並びに現像処理後の処理を行なうユニット、例えば塗布膜形成後露光処理前に行う検査や、露光処理後現像処理前の検査や、現像処理後の検査を行うための検査ユニット８１や、液浸露光後の例えば洗浄処理を行なうための洗浄ユニット８２と、インターフェイスブロックＳ３のインターフェイスアームＥとの間でウエハＷの受け渡しを行なうための受け渡しステージＴＲＳを多段に設けた棚ユニットＵ４と、処理ブロックＳ２の棚ユニットＵ３の例えば受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ１０と、検査ユニット８１と、洗浄ユニット８２と、棚ユニットＵ４の各部に対してウエハＷの受け渡しを行うための第３の受け渡しアームＦと、を備えている。これら検査ユニット８１や洗浄ユニット８２は多段に構成されてもよいし、受け渡しアームＦの両側に、洗浄ユニット８２又は検査ユニット８１のみを設けるようにしてもよく、配置は自在である。

前記第３の受け渡しアームＦは、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成され、前記塗布膜形成後露光処理前に行う検査としては、塗布膜の膜厚の検査や異物検査等があり、露光処理後現像処理前に行う検査としては、露光重ね合わせ検査等がある。またこれらに限らず、基板上のアライメントマークを検出するユニットや、レーザー処理により膜を一部除去するユニットを設けるようにしてもよい。

そして前記補助ブロックに設けられるユニットとしては、ウエハ表面の状態を検査するための、例えばウエハＷに形成された塗布膜の膜厚を検査するための膜厚検査ユニット、レジスト液の塗布ムラを検出するための塗布ムラ検出装置、露光前及び／又は露光後の基板を洗浄するための洗浄ユニット、露光装置にて生じるパターンの位置ずれを検出するためのデフォーカス検査装置、現像処理の不良を検出するための現像不良検出装置、ウエハＷに付着したパーティクル数を検出するためのパーティクル数検出装置、レジスト塗布後のウエハＷ表面にレジスト液中の気泡や異物によって発生するコメットを検出するためのコメット検出装置、ウエハＷ表面から飛び出したレジスト液の溶剤がウエハＷに再付着するスプラッシュバックを検出するスプラッシュバック検出装置、ウエハＷ表面の同一場所に同一の形状で現れる共通欠陥を検出する共通欠陥検出装置、現像処理後のウエハＷに残存するレジスト残渣を検出するためのスカム検出装置、レジスト塗布処理及び／又は現像処理がされていない不具合を検出するためのＮＯ ＲＥＳＩＳＴ，ＮＯ ＤＥＶＥＬＯＰ検査装置（不具合検出装置）、ウエハＷ上に形成されたレジスト膜の線幅を測定するための線幅測定装置、露光装置にて露光されたウエハＷとフォトマスクとの重ね合わせ精度を規格値と比較して検査するための重ね合わせ検査装置の少なくとも一つが設けられる。

前記デフォーカス検査は予め登録された正しいパターンとの比較によって露光装置における焦点ぼけを検出するものであり、線幅測定装置とは、例えば予め登録された正しいパターンとの比較によって露光装置における露光量や露光時間が適正がどうかを検出するものであり、重ね合わせ検査装置とは、例えば下層のパターンと比較できるようにされた特定の部位のパターンを、予め登録された正しいパターンと比較することによって露光装置における露光位置の位置ずれを検出するものである。

このような構成では、ウエハＷに対して露光後に洗浄処理を行なう場合には、例えば上述の第１の実施の形態と同様に、ウエハＷは、塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５で第２の反射防止膜を形成した後、撥水性の保護膜を形成するための単位ブロックに搬送され、次いで棚ユニットＵ３の第２の受け渡しステージを介して補助ブロックＳ５の第３の受け渡しアームＦ→棚ユニットＵ４の受け渡しステージ→インターフェイスブロックＳ３のインターフェイスアームＥ→露光装置Ｓ４の経路で搬送され、露光後のウエハＷは、インターフェイスブロックＳ３のインターフェイスアームＥ→補助ブロックＳ５の棚ユニットＵ４の受け渡しステージ→第３の受け渡しアームＦ→洗浄ユニット８２→第３の受け渡しアームＦ→棚ユニットＵ３の受け渡しステージＴＲＳ６,ＴＲＳ７→メインアームＡ１，Ａ２→単位ブロックＢ１，Ｂ２の経路で搬送される。なお棚ユニットＵ４は、露光前、又は露光後のウエハＷを複数枚、ストックできるように構成してもよく、この場合には、図１の装置のインターフェイスブロックＳ３に設けられるバッファ８３と同様な目的で用いられる。

また各種の検査を行なう場合には、一定枚数おきに抜き出されたウエハＷに対して所定の検査が行なわれる。例えば塗布膜形成後の検査の場合には、露光装置Ｓ４に搬送される前に補助ブロックＳ５にて検査が行なわれ、露光後の検査の場合には露光装置Ｓ４から補助ブロックＳ５に戻ってきたウエハＷに対して検査が行なわれ、現像処理後の検査の場合には処理ブロックＳ２にて現像処理を行なった後、再び補助ブロックＳ５にウエハＷを搬送して検査が行なわれる。

ここで前記第２の反射防止膜の上に形成される撥水性の保護膜を形成するのは、当該保護膜により液浸露光時の液体を弾き、前記液体をウエハＷの表面に残り難くするためであり、例えばウエハＷの表面及び周縁部裏面側に形成される。また液浸露光後の洗浄処理は、前記保護膜がウエハＷから剥がれてパーティクルの発生原因となることを抑えるために、この保護膜を除去するために行われるものであり、例えばウエハＷの表面及び裏面側周縁部に前記保護膜を除去するための薬液を供給して前記保護膜を除去し、次いで前記薬液を洗浄するための洗浄液を供給することにより行なわれる。

この実施の形態では、処理ブロックＳ２とインターフェイスブロックＳ３との間に、検査ユニットや洗浄ユニットを備えた補助ブロックＳ５を設けたので、例えば前記塗布膜形成後露光処理前に検査や洗浄を行なう場合、及び／又は露光処理後現像処理前に検査や洗浄を行なう場合、並びに現像処理後に検査や洗浄を行う場合に、処理ブロックＳ２とインターフェイスブロックＳ３との間のウエハＷの通り道にて、前記検査や洗浄を行うことができる。このためウエハＷの搬送経路の複雑化を抑えながら、塗布膜形成後や露光処理後、現像処理後の適切なタイミングや検査や洗浄を行なうことができ、このような検査や洗浄を行なう場合であっても、搬送経路の複雑化を抑えることができる。

この実施の形態においても、反射防止膜を形成しない場合には、レジスト膜の上に前記保護膜を形成するようにしてもよいし、洗浄処理は、露光処理の前後のいずれか、又は露光処理の前後両方にて行うようにしてもよい。また保護膜を有しない場合には、前記洗浄ユニット８２は、単にウエハＷの汚れを除去するために使用される。

以上において本発明では、第１〜第５の単位ブロックＢ１〜Ｂ５同士の間でのウエハＷの受け渡しを、前記第１の受け渡しアームＤ１又は第２の受け渡しアームＤ２のいずれか一方で行なうようにしてもよい。図１０，図１１に第１の受け渡しアームＤ１のみで５層の単位ブロックＢ１〜Ｂ５の間でウエハＷの受け渡しを行なう場合の第３の単位ブロックＢ３について示す。

この例が上述の実施の形態と異なる点は、受け渡しアームが第１の受け渡しアームＤ１のみであり、第２の受け渡しステージＴＲＳ１１，１２は、現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２にのみ設けられ、これら単位ブロックＢ１，Ｂ２を介してキャリアブロックＳ１とインターフェイスブロックＳ２との間でウエハＷの受け渡しが行われる点であり、これら以外の構成は、上述の実施の形態と同様である。図１０，図１１中Ｕ５は、第２の受け渡しステージを多段に積層してなる第２の受け渡しステージ群を備えた棚ユニットであり、第２の受け渡しステージＴＲＳ１１，１２は例えば第１及び第２の単位ブロックＢ１，Ｂ２の夫々に１個以上例えば２個設けられ、これら受け渡しステージＴＲＳ１１，１２はインターフェイス用受け渡しステージに相当する。

このレジストパターン形成装置におけるウエハＷの流れについて簡単に説明すると、先ずキャリアブロック２１に搬入されたキャリア２０から、トランスファーアームＣによりウエハＷが取り出されて、第２の単位ブロックＢ２の受け渡しステージＴＲＳーＦに受け渡される。次いでウエハＷを塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５に受け渡すために、第１の受け渡しアームＤ１により、第１の受け渡しステージＴＲＳ３〜ＴＲＳ５まで搬送し、当該単位ブロックＢ３〜Ｂ５のメインアームＡ３〜Ａ５に受け渡す。

そして塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５では、既述のようにレジスト膜を含む塗布膜を形成するために各モジュールに順次搬送され、こうして塗布膜が形成されたウエハＷは受け渡しステージＴＲＳ３〜ＴＲＳ５に搬送される。

次いで受け渡しステージＴＲＳ３〜ＴＲＳ５のウエハＷは第１の受け渡しアームＤ１により、受け渡しステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２に搬送され、続いて単位ブロックＢ１，Ｂ２のメインアームＡ１，Ａ２により当該単位ブロックＢ１，Ｂ２の第２の受け渡しステージＴＲＳ６，ＴＲＳ７に搬送される。そして受け渡しステージＴＲＳ６，ＴＲＳ７のウエハＷは、インターフェイスアームＥにより露光装置Ｓ４に搬送され、ここで所定の露光処理が行われる。

露光処理後のウエハＷは、インターフェイスアームＥにより、第２の受け渡しステージＴＲＳ６，ＴＲＳ７に搬送され、このステージＴＲＳ６,ＴＲＳ７上のウエハＷは、単位ブロックＢ１，Ｂ２のメインアームＡ１，Ａ２に受け取られ、当該単位ブロックＢ１，Ｂ２にて、既述の現像処理が行われる。こうして現像処理が行われたウエハＷは、トランスファーアームＣにウエハＷを受け渡すために、第１の受け渡しステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２に搬送され、トランスファーアームＣにより、キャリアブロックＳ１に載置されている元のキャリア２０に戻される。

この場合には、トランスファーアームＣを各単位ブロックＢ１〜Ｂ５の第１の受け渡しステージに対してアクセス可能に構成し、塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５とトランスファーアームＣとの間でウエハＷの受け渡しを行なうようにしてもよい。

このような塗布、現像装置においても、上述の実施の形態と同様に、各単位ブロックＢ１〜Ｂ５毎に専用のメインアームＡを設けることにより、メインアームＡの搬送効率が向上して、スループットを高めることができる。また塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５の夫々にて、反射防止膜を形成する場合、しない場合のいずれにも対応することができ、品種の異なる塗布膜の形成に対応しながらも、処理ブロックＳ２の占有面積の省スペース化を図ることができる。また１つの塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５にて、露光処理前までの塗布膜形成のための一連の処理を完結しているので、ウエハＷの搬送経路が単純化され、搬送効率を高めることができる。

また塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５のうちのいずれか、又は現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２のいずれかにおいて、処理の途中でトラブルが発生した場合であっても、他の残りの単位ブロックでは処理を続行でき、装置を停止する場合に比べてスループットを高くすることができる。またトラブルが発生した単位ブロックに滞在するウエハＷが少ないことから、処理の途中で回収されるウエハＷが少なく、ウエハＷの再使用のために行なわれる処理の負担が少ない。 また先ずロットＡのウエハＷに対して第１の塗布膜の形成を行なった後、次いでロットＢのウエハＷに対して第２の塗布膜の形成を行なう場合を想定した場合に、ロットＡの処理が終了してから、直ちにロットＢの処理を開始することができ、装置が稼動しない時間が発生しないので、スループットの低下が抑えられる。

ここで塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５や、現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２を同じ単位ブロックにより構成することにより、組み立て作業の容易化や、製造スループットの向上、製造コストの低減、調整の容易化を図ることができる。

さらにこの実施の形態では、前記キャリアブロックＳ１とインターフェイスブロックＳ２との間を接続するウエハＷの搬送領域Ｒ１は現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２のみに形成し、塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５と現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２との間でウエハＷの受け渡しを、第１の受け渡しアームＤ１のみで行なっているので、搬送系が少ない。

この際、処理ブロックＳ２とインターフェイスブロックＳ３との間のウエハＷの受け渡し用のインターフェイス用受け渡しステージは、現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２の受け渡しステージＴＲＳ１１，ＴＲＳ１２のみであるので、インターフェイスアームＥのアクセス範囲が狭く、当該アームＥの移動範囲が狭められるので、当該アームＥの搬送制御が容易になる。このように、搬送系や装置のアクセス構成がシンプルであるので、搬送手段の制御が行ない易いという利点もある。

以上においてこの実施の形態では、現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２と、複数の塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５との間でウエハＷの受け渡しを第２の受け渡しアームＤ２のみにより行なうようにしてもよい。この場合には棚ユニットＵ１には、キャリアブロックＳ１と現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２との間でウエハＷの受け渡しを行なうためのキャリアブロック用受け渡しステージが設けられる。また棚ユニットＵ５には各単位ブロックＢ１〜Ｂ５に第２の受け渡しステージが設けられると共に、インターフェイスブロックＳ３と現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２との間でウエハＷの受け渡しを行なうためのインターフェイスブロック用受け渡しステージが設けられる。

またこの場合には、インターフェイスアームＥを各単位ブロックＢ１〜Ｂ５の第２の受け渡しステージに対してアクセス可能に構成し、塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５とインターフェイスアームＥとの間でウエハＷの受け渡しを行なうようにしてもよい。

さらにこの実施の形態では、前記キャリアブロックＳ１とインターフェイスブロックＳ３との間のウエハＷの搬送を塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５の少なくとも一つを介してのみ行なうようにしてもよい。具体的に、例えば塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５の全てにおいてキャリアブロックＳ１とインターフェイスブロックＳ３との間でウエハＷの搬送が行なわれ、第１の受け渡しアームＤ１にて単位ブロックＢ１〜Ｂ５間のウエハＷの受け渡しを行う場合を例にして説明する。

この場合、例えば各塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５はキャリアブロック用受け渡しステージと、インターフェイスブロック用受け渡しステージを備えている。この例では、キャリアブロックＳ１のウエハＷはいずれかの塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５の受け渡しステージを介して当該単位ブロックＢ３〜Ｂ５に搬入され、ここで塗布膜が形成される。そして当該単位ブロックＢ３〜Ｂ５のインターフェイスブロック用受け渡しステージを介してインターフェイスアームＥにより露光装置Ｓ４に搬送される。

一方露光後のウエハＷは、塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５のいずれかのインターフェイスブロック用受け渡しステージを介してこれら単位ブロックＢ３〜Ｂ５に搬入され、第１の受け渡しステージ、第１の受け渡しアームＤ１を介して現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２に搬送され、ここで現像処理される。現像処理後のウエハＷは第１の受け渡しステージに搬送され、第１の受け渡しアームＤ１により塗布膜形成用単位ブロックＢ３〜Ｂ５に設けられたキャリア用受け渡しステージに搬送されて、ここからキャリアブロックＳ１に受け渡される。

ここでインターフェイスブロック用受け渡しステージは、全ての単位ブロックＢ１〜Ｂ５に設けるようにしてもよい。またキャリアブロック用受け渡しステージとインターフェイスブロック用受け渡しステージは、塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５の少なくとも一つに設けられていればよく、これらは異なる塗布膜形成用の単位ブロックに設けられていてもよい。

またこの例においても、全ての単位ブロックＢ１〜Ｂ５の間のウエハＷの受け渡しをインターフェイスブロック側に設けられた受け渡しステージと、これら受け渡しステージにアクセス可能な受け渡しアームとの組み合わせのみによって行なうようにしてもよい。
以上において本発明では、現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２のみにウエハＷを搬送して処理を行うようにしてもよい。また現像処理用の単位ブロックを１層としてもよいし、塗布膜形成用の単位ブロックを３層以外の複数層としてもよい。さらにまた本発明では、トランスファーアームＣにてアクセスできるキャリアブロック用受け渡しステージは、トランスファーアームＣと積層された単位ブロックの１つ以上の単位ブロックとの間でウエハＷの受け渡しが行われるものであればよい。さらにまた棚ユニットＵ２，Ｕ５についてもインターフェイスアームＥとの間でウエハＷの受け渡しを行うための専用の第２の受け渡しステージＴＲＳを設け、この第２の受け渡しステージＴＲＳと第２の受け渡しアームＤ２とを介して各単位ブロックＢ１〜Ｂ５とインターフェイスブロックＳ２との間でウエハＷの受け渡しを行なうようにしてもよい。

また各単位ブロックに設けられる棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ５の受け渡しステージＴＲＳは１個以上であればよく、冷却機能を備えたものであってもよい。さらにキャリアブロックＳ１とインターフェイスブロックＳ３との間でウエハＷの受け渡しを行なう単位ブロックには、トランスファーアームＣとインターフェイスアームＥとの間、又は棚ユニットＵ１と棚ユニットＵ２（Ｕ５）との間で、ウエハＷの搬送を行なうためのメインアームＡとは別個の、専用の搬送手段を設けるようにしてもよい。さらにまた棚ユニットＵ１，Ｕ２（Ｕ５）には、受け渡しステージ以外のモジュール例えば冷却ユニットなどを設けるようにしてもよいし、処理ブロックＳ２に積層される単位ブロックＢ１〜Ｂ５の処理ユニットとして、目的に応じた検査ユニットを設けるようにしてもよい。例えば塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５には、膜厚測定器を設けるようにしてもよいし、現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２にパターン重ね合わせ検査や現像処理後の現像欠陥検査ユニットを設けるようにしてもよい。また単位ブロックに検査ユニットを設けるようにしてもよく、この場合メインアームＡの搬送路の両側に検査ユニットを設けるようにしてもよいし、検査ユニット専用の単位ブロックを設けるようにしてもよい。また本発明は半導体ウエハのみならず液晶ディスプレイ用のガラス基板（ＬＣＤ基板）といった基板を処理する塗布、現像装置にも適用できる。

本発明に係る塗布、現像装置の実施の形態を示す平面図である。 前記塗布、現像装置を示す斜視図である。 前記塗布、現像装置を示す側部断面図である。 前記塗布、現像装置における塗布ユニットと棚ユニットと搬送手段とを示す斜視図である。 前記塗布、現像装置における棚ユニットを搬送領域側から見た正面図である。 前記塗布、現像装置における処理ブロックとインターフェイスブロックとを示す側部断面図である。 前記塗布、現像装置における塗布ユニットを示す側面図と平面図である。 前記塗布、現像装置におけるインターフェイスアームの一例を示す斜視図である。 前記塗布、現像装置の他の実施の形態の一例を示す平面図である。 前記塗布、現像装置のさらに他の実施の形態の一例を示す平面図である。 図１０の塗布、現像装置における処理ブロックとインターフェイスブロックとを示す側部断面図である。 従来の塗布、現像装置を示す平面図である。

符号の説明

Ｗ 半導体ウエハ
２０ キャリア
Ｓ１ キャリアブロック
Ｓ２ 処理ブロック
Ｓ３ インターフェイスブロック
Ｓ４ 露光装置
Ｓ５ 補助ブロック
Ａ１〜Ａ５ メインアーム
Ｂ１〜Ｂ５ 単位ブロック
Ｃ トランファーアーム
Ｄ１ 第１の受け渡しアーム
Ｄ２ 第２の受け渡しアーム
Ｅ インターフェイスアーム
Ｆ 第３の受け渡しアーム
３１ 第１の反射防止膜形成ユニット
３２ 塗布ユニット
３３ 第２の反射防止膜形成ユニット
８１ 検査ユニット
８２ 洗浄ユニット
１００ 制御部

Claims (17)

1. キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、当該処理ブロックに対してキャリアブロックの反対側に接続されたインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
   ａ）前記処理ブロックは、互いに積層されると共に前記キャリアブロックから夫々基板が搬入される複数の塗布膜形成用の単位ブロックと、前記塗布膜形成用の単位ブロックに対して積層された現像処理用の単位ブロックと、を備え、
   ｂ）前記各単位ブロックは、前記キャリアブロック側から前記インターフェイスブロック側に水平に直線状に伸びる基板の搬送領域と、薬液を基板に塗布するための液処理ユニットと、基板を加熱する加熱ユニットと、基板を冷却する冷却ユニットと、これらユニット間で基板を搬送するために、前記搬送領域に沿って移動するように、単位ブロック毎に独立して設けられた単位ブロック用の搬送手段と、を備え、
   ｃ）前記互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックに設けられる液処理ユニットは、基板にレジスト液を塗布するための塗布ユニットと、各々レジスト膜に積層される反射防止膜を形成するための薬液を基板に塗布するための第１の反射防止膜ユニット及び第２の反射防止膜ユニットと、を含み、これら塗布ユニット、第１の反射防止膜ユニット及び第２の反射防止膜ユニットが前記搬送領域に沿って設けられ、塗布膜形成用の単位ブロックでは、前記単位ブロックの単位で、夫々基板に対してレジスト膜を含む塗布膜の形成が行なわれることを特徴とする塗布、現像装置。
2. 塗布膜形成用の単位ブロックの一つに異常が発生したときに、当該異常が発生した塗布膜形成用の単位ブロックに対しては基板の搬送を行なわず、他の塗布膜形成用の単位ブロックに対しては基板の搬送を行なうように制御する制御部を備えたことを特徴とする請求項１記載の塗布、現像装置。
3. 前記塗布膜形成用の単位ブロック内における基板の搬送経路を示した搬送レシピを格納し、選択された前記搬送レシピに基づいて、前記複数の塗布膜形成用の単位ブロックの間で、同じ搬送レシピで基板を搬送して当該基板に対して同じ塗布膜を形成するプロセスを実行するように制御する制御部を備えたことを特徴とする請求項１又は２記載の塗布、現像装置。
4. 前記塗布膜形成用の単位ブロックには、レジスト膜が形成された基板の周縁部に対して露光処理を行う周縁露光装置が設けられていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
5. 各単位ブロック毎にキャリアブロック側に設けられ、各単位ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なう第１の受け渡しステージを積層して構成された第１の受け渡しステージ群と、
   前記第１の受け渡しステージ同士の間で基板の受け渡しを行なうための第１の基板受け渡し手段と、を備えることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
6. 各単位ブロック毎にインターフェイスブロック側に設けられ、各単位ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なう第２の受け渡しステージを積層して構成された第２の受け渡しステージ群と、
   前記第２の受け渡しステージ同士の間で基板の受け渡しを行なうための第２の基板受け渡し手段と、を備えることを特徴とする請求項１ないし５のいずか一つに記載の塗布、現像装置。
7. 第１の受け渡しステージ群は、キャリアブロックと処理ブロックとの間で基板の受け渡しを行なうためキャリアブロック用受け渡しステージを含むことを特徴とする請求項５記載の塗布、現像装置。
8. 第２の受け渡しステージ群は、インターフェイスブロックと処理ブロックとの間で基板の受け渡しを行なうためインターフェイスブロック用受け渡しステージを含むことを特徴とする請求項６記載の塗布、現像装置。
9. キャリアブロックには、キャリアと前記キャリアブロック用受け渡しステージとの間で基板の受け渡しを行うために、基板の受け渡し手段が設けられていることを特徴とする請求項７記載の塗布、現像装置。
10. 処理ブロックとインターフェイスブロックとの間に、塗布膜形成後露光処理前及び／又は露光処理後現像処理前並びに現像処理後の処理を行なうユニットを備えた補助ブロックを設けることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか一に記載の塗布、現像装置。
11. 前記補助ブロックに設けられるユニットは、基板表面の状態を検査するための、基板に形成された塗布膜の膜厚を検査するための膜厚検査ユニット、露光前及び／又は露光後の基板を洗浄するための洗浄ユニット、露光装置にて生じるパターンの位置ずれを検出するためのデフォーカス検査装置、レジスト液の塗布ムラを検出するための塗布ムラ検出装置、現像処理の不良を検出するための現像不良検出装置、基板に付着したパーティクル数を検出するためのパーティクル数検出装置、レジスト塗布後の基板に発生するコメットを検出するためのコメット検出装置、スプラッシュバック検出装置、基板表面の欠陥を検出するための欠陥検出装置、現像処理後の基板に残存するレジスト残渣を検出するためのスカム検出装置、レジスト塗布処理及び／又は現像処理の不具合を検出するための不具合検出装置、基板上に形成されたレジスト膜の線幅を測定するための線幅測定装置、露光後の基板とフォトマスクとの重ね合わせ精度を検査するための重ね合わせ検査装置の少なくとも一つであることを特徴とする請求項１０記載の塗布、現像装置。
12. 前記露光装置は、基板表面に液層を形成して液浸露光するものであり、
    前記補助ブロックに設けられるユニットは、前記液浸露光された後の基板を洗浄する洗浄ユニットであることを特徴とする請求項１１記載の塗布、現像装置。
13. 前記互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックに対して、レジスト膜が形成された基板に対して、前記レジスト膜の上に撥水性の保護膜を形成するための塗布膜形成用の単位ブロックをさらに積層して設けることを特徴とする請求項１２記載の塗布、現像装置。
14. 請求項１記載の塗布、現像装置において行われる塗布、現像方法において、
    前記キャリアブロックから複数の塗布膜形成用の単位ブロックの各々に基板を受け渡す工程と、
    この工程の後塗布膜形成用の単位ブロックの各々において互いに独立して行われ、当該単位ブロック用の搬送手段により少なくとも塗布ユニットに基板を搬送して、当該基板に少なくともレジスト膜を形成する工程と、
    次いでこれら塗布膜形成用の単位ブロックにて少なくともレジスト膜が形成された基板を夫々の単位ブロックからインターフェイスブロックに受け渡す工程と、
    続いて露光後の基板をインターフェイスブロックから現像処理用の単位ブロックに受け渡す工程と、
    その後現像処理用の単位ブロックにおいて、当該単位ブロック用の搬送手段により、露光後の基板に現像処理を行う液処理ユニットに搬送し、この基板に対して現像処理を行う工程と、
    然る後現像処理用の単位ブロックからキャリアブロックに現像処理後の基板を受け渡す工程と、を含むことを特徴とする塗布、現像方法。
15. 前記塗布膜形成用の単位ブロックの一つに異常が発生したときに、当該異常が発生した塗布膜形成用の単位ブロックに対しては基板の搬送を行なわず、他の塗布膜形成用の単位ブロックに対しては基板の搬送を行なうことを特徴とする請求項１４記載の塗布、現像方法。
16. 処理ブロックとインターフェイスブロックとの間に設けられた補助ブロックにおいて、レジスト膜を含む塗布膜形成後露光処理前の基板及び／又は露光処理後現像処理前の基板に対して洗浄処理を行う工程を含むことを特徴とする請求項１４又は１５記載の塗布、現像方法。
17. 前記複数の塗布膜形成用の単位ブロックにおいては、同じ搬送経路に従って基板を搬送して、基板に対して同じ塗布膜を形成することを特徴とする請求項１４ないし１６のいずれか一つに記載の塗布、現像方法。

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