TWI591325B - 晶圓檢測系統及用以在晶圓檢測系統中監視入射光束位置之結構及方法 - Google Patents

Description

晶圓檢測系統及用以在晶圓檢測系統中監視入射光束位置之結構及方法

本發明大致係關於用於在一晶圓檢測系統中監視入射光束位置之結構、系統及方法。

下文描述及實例不因其等包含在此部分中而被認定為先前技術。

檢測程序在半導體製程期間之不同時點上用於偵測晶圓上之缺陷。檢測一直是製造半導體裝置(諸如積體電路)之一重要部分。然而，隨著半導體裝置尺寸減小，檢測對於可接受之半導體裝置的成功製造變得更為重要。例如，隨著半導體裝置尺寸縮小，縮小尺寸之缺陷之偵測已變得必需，此係因為甚至相對小的缺陷可能引起半導體裝置中不需要的偏差。

判定晶圓上缺陷之位置對促進諸如缺陷再檢測之程序亦係重要的，在該程序期間再訪缺陷在晶圓上所處之位置以產生有關缺陷之額外資訊。因此，若所判定之缺陷位置不正確，則在再檢測期間需要搜尋缺陷，而此將減小再檢測過程之處理能力。此外，若其他缺陷碰巧位於此不正確位置，則該等不正確缺陷位置可能減小再檢測之精確度及有用性，從而混淆檢測及再檢測的結果。顯然，隨著缺陷尺寸減小，缺陷位置之可接受誤差亦減小。例如，基於不正確缺陷位置查找 缺陷之難度隨著缺陷尺寸的減小而增大。不正確的缺陷位置顯然將影響基於缺陷位置資訊執行之任何程序(諸如缺陷修復或移除、缺陷分析等等)。

提高缺陷偵測及缺陷位置判定之精確度之一方法係在晶圓檢測之前精確校準檢測系統。例如，在一檢測系統之校準期間，可量測光束從檢測期間一晶圓將放置之晶圓座中心之偏移。接著所量測之偏移可用於校正檢測期間獲得之位置資訊。因此，一些校準程序確實說明光束相對於晶圓座之偏移。然而，因為校準程序通常不頻繁執行(例如，此係因為頻繁的校準將減小處理量)，所以不量測校準之間光束之位置之任何偏移。反而，假設相對於晶圓座之入射光束位置在校準之間相對穩定。因此，在校準之間光束之位置之任何偏移將在晶圓上之缺陷位置之所報告座標中產生誤差。

因此，開發無上述一或多個缺點之用於在一晶圓檢測系統中監視入射光束位置之方法、系統及結構將是有益的。

下文不同實施例之描述不得以任何方式解釋為限制附屬申請專利範圍之標的。

一實施例係關於一結構，其經組態用於在一晶圓檢測系統中監視入射光束位置。結構包含一晶圓座，其經組態以在藉由晶圓檢測系統檢測期間支撐一晶圓。在檢測期間，晶圓座在一θ(theta)方向上旋轉晶圓且同時在一徑向方向上平移晶圓。此結構亦包含形成於晶圓座中之一特徵。穿過此特徵之中心的一軸與晶圓座之一半徑對準，使得軸相對於晶圓檢測系統之一入射光束之一位置指示入射光束位置在θ方向上之變化。

另一實施例係關於用於在一晶圓檢測系統中監視入射光束位置之一方法。此方法包含將一入射光束引導至形成於一晶圓座中之一特 徵，該晶圓座經組態以在藉由晶圓檢測系統檢測期間支撐一晶圓。在檢測期間，晶圓座在一θ方向上旋轉晶圓且同時在一徑向方向上平移晶圓。穿過特徵之中心之一軸與晶圓座之一半徑對準，使得軸相對於晶圓檢測系統之一入射光束之一位置指示入射光束位置在θ方向上之變化。此方法亦包含偵測歸因於將入射光束引導至特徵而來自特徵之光及回應於所偵測之光而產生輸出。此外，此方法包含基於輸出而判定θ方向上之入射光束位置。使用一電腦系統執行判定入射光束位置。

上述方法可如本文中進一步描述執行。此外，上述方法可包含本文中描述之(諸)任何其他方法之(諸)任何其他步驟。此外，上述方法可由本文中描述之系統之任一者執行。

另一實施例係關於一晶圓檢測系統，其經組態以監視入射光束位置。此系統包含如上文所述組態之一晶圓座及一特徵。系統亦包含一照明子系統，其經組態在特徵上掃描入射光束。此外，系統包含偵測器，該偵測器經組態以偵測歸因於在特徵上掃描此入射光束而來自特徵之光及回應於所偵測之光而產生輸出。系統進一步包含一電腦子系統，其經組態以基於輸出而判定θ方向上之入射光束位置。系統可進一步如本文中描述組態。

10‧‧‧晶圓座

11‧‧‧晶圓

12‧‧‧特徵

14‧‧‧軸

16‧‧‧寬度

18‧‧‧邊

20‧‧‧邊

22‧‧‧XY微磚

24‧‧‧線

26‧‧‧支撐件

28‧‧‧晶圓座

30‧‧‧晶圓

32‧‧‧特徵

34‧‧‧光源

36‧‧‧光學元件

38‧‧‧入射光束

40‧‧‧偵測器

42‧‧‧偵測器

44‧‧‧光學元件

46‧‧‧電腦子系統

48‧‧‧傳輸媒體

50‧‧‧額外光源

52‧‧‧光學元件

54‧‧‧偵測器

θ‧‧‧方向

r‧‧‧方向

在閱讀下文詳細描述及在參考附圖時將瞭解本發明之其他目的及優點：圖1係一示意圖，其繪示經組態用於在一晶圓檢測系統中監視入射光束位置之一結構之一實施例之一平面圖；及圖2係繪示經組態以監視入射光束位置之一晶圓檢測系統之一實施例之一側視圖之一示意圖。

雖然本發明允許各種修改及替代形式，但是其特定實施例舉例 而言顯示在圖式中且將在本文中詳細描述。然而，應瞭解圖式及其等之詳細描述並非旨在將本發明限制為所揭示之特定形式，而是相反，旨在覆蓋屬於如附屬申請專利範圍所定義之本發明之精神及範疇內之所有修改例、等效例及替代例。

現參考圖式，應注意圖式未按比例繪製。特定言之，圖式之一些元件之比例被大大誇大以突顯元件之特性。亦應注意圖式未按相同比例繪製。多於一個圖式中所顯示之可能類似組態之元件已使用相同參考數字指示。

一般而言，本文中描述之實施例係關於量測一檢測系統上之光束偏移及/或及時監視入射光束偏移。一實施例係關於一結構，其經組態用於在一晶圓檢測系統中監視入射光束位置。晶圓檢測系統可為一雷射檢測系統。晶圓檢測系統可進一步如本文中描述而組態。晶圓檢測系統可經組態使得由系統用於檢測一晶圓之一或多個光束係固定的，而晶圓相對於(該等)光束移動，使得(該等)光束掃描晶圓。以此方式，本文中描述之實施例可用於判定在晶圓之檢測期間(該等)固定光束之位置是否已偏移。(該等)光束位置之偏移可能係不利的，此是因為其將不利地影響晶圓檢測期間收集之任何位置資訊。因此，本文中描述之實施例可用於提高晶圓檢測期間獲得之任何位置資訊之精確度。

結構包含一晶圓座，其經組態以在藉由晶圓檢測系統檢測期間支撐一晶圓。例如，如圖1中所顯示，此結構可包含晶圓座10，其經組態以在藉由晶圓檢測系統(圖1中未顯示)檢測期間支撐晶圓11。在檢測期間，晶圓座在一θ(theta)方向(圖1中顯示之θ)上旋轉晶圓，且同時在一徑向方向(圖1中顯示之r)上平移晶圓。例如，晶圓座可被耦合至一R-θ工作台，該R-θ工作台經組態以移動晶圓座使得一或多個 入射光束可掃描晶圓。以此方式，在檢測期間，檢測系統之(該等)光束可在晶圓上掃描一螺旋路徑。特定言之，在一R-θ掃描器中，入射光束是固定的，而晶圓是在一徑向方向上平移且同時在θ方向上旋轉，以在晶圓上繪出一螺旋掃描。晶圓座可包含任何合適可購得之晶圓座，其可經修改以包含本文中進一步描述之一特徵。

結構亦包含形成於晶圓座中之一特徵。例如，如圖1中所顯示，此結構可包含形成於晶圓座10中之特徵12。以此方式，特徵被內建至或整合至亦用於以其他方式處理晶圓之晶圓座中。穿過特徵之中心之一軸與晶圓座之一半徑對準，使得軸相對於晶圓檢測系統之一入射光束之一位置指示入射光束位置在θ方向上之變化。例如，特徵12之軸14可與晶圓座10之一半徑對準。以此方式，為了使特徵具有針對θ偏移之靈敏度，特徵係被徑向定向。特定言之，為了量測一入射光束在θ方向上之偏移(其垂直於晶圓平移方向)，特徵應徑向對準，其意味著平行於平移方向。如此，在掃描特徵期間，可針對掃描之各軌跡記錄特徵之中心。θ方向上之入射光束移動顯示為中心位置之變化。如此，隨著晶圓座在入射光束下方旋轉，可量測特徵之θ角，可監視θ角隨時間之變化，且該等變化指示θ方向上之一光束移動。此特徵可使用本技術中已知之任何合適製程形成於晶圓座中。

在一實施例中，特徵之一寬度沿著晶圓座之半徑而變化，使得使用入射光束量測之寬度指示入射光束位置在徑向方向上之變化。例如，為了使特徵具有針對入射光束位置之徑向偏移之靈敏度，特徵可具有徑向變化之寬度。如圖1中所顯示，特徵12之寬度16沿著穿過特徵之中心之軸14而變化，該軸14與晶圓座之半徑對準。以此方式，特徵之寬度沿著晶圓座之半徑變化。如此，在掃描特徵期間，可量測特徵之寬度。入射光束之徑向指向之變化顯示為一給定半徑上特徵寬度之變化。

在另一實施例中，特徵之一或多個邊不平行或垂直於晶圓座之半徑，使得使用入射光束量測之特徵之一寬度指示入射光束位置在徑向方向上之變化。例如，為了使特徵具有針對入射光束位置之徑向偏移之靈敏度，特徵可傾斜為一角度。換言之，為了量測及/或監視入射光束之徑向位置，特徵之一或多個邊可具有相對於平移方向上之一些角度。在一此實例中，如圖1中所顯示，特徵12之邊18及20不平行或垂直於晶圓座之半徑(其與軸14對準)。以此方式，特徵之一或多個邊具有相對於平移方向之一些角度。以此方式，可量測徑向方向上之入射光束偏移，其平行於晶圓之平移。取而代之，特徵可配置為垂直於平移軸，旋轉台可被關閉，且特徵於入射光束下方在徑向方向上平移，同時監視光束隨時間與特徵交會之徑向位置。

在一些實施例中，特徵在晶圓座中形成一開口。以此方式，隨著入射光束掃描過開口，可在下方偵測透射穿過開口之光。特徵可具有不同形狀，以對徑向光束偏移或切線光束偏移或兩者靈敏。例如，在一實施例中，特徵在晶圓座中形成一個三角形開口。在一此實例中，如圖1中所顯示，特徵12具有一個三角形形狀且可為晶圓座中之一開口。然而，可使用不同形狀及類型之開口。例如，開口可具有一菱形形狀。

在一實施例中，特徵包含一材料，其形成於晶圓座中之一開口中，且該材料透射晶圓檢測系統之入射光束及一額外入射光束，使得特徵經組態以用於監視入射光束位置及額外入射光束之一位置。多個入射光束可用於按不同入射角或不同波長檢測晶圓。藉由針對不同波長調整特徵之透射性，可藉由一偵測器針對不同入射光束獲得足夠的信號位準。如此，為了用相同偵測器監視多於一個入射光束之偏移，特徵可設計為一透明材料，該透明材料具有針對入射光束之不同波長之經調諧衰減，使得即使入射光束具有不同功率位準，信號仍在針對 所有入射光束的有用範圍中。以此方式，結構可用於不同入射光束。本文中描述之所有其他實施例亦可用於不同入射光束。以此方式，本文中描述之實施例可用於一個入射光束或多個光束。此外，特徵可用於用以檢測晶圓表面之一光束及/或用於一額外光束。額外光束可為，例如，用於量測平行於檢測掃描之晶圓邊緣之一雷射光束。從此邊緣掃描，可判定工具內之晶圓位置及定向。此外，雖然特徵可包含形成於開口中之一材料，但特徵亦可不包含形成於開口中之材料。

在一些實施例中，特徵係形成於晶圓座中，使得入射光束可掃描過特徵作為檢測之部分。例如，隨著晶圓座在入射光束下方移動，光束掃描過特徵。在一R-θ系統上，可使用在徑向方向及θ方向上之移動。此外，由於特徵係實施於晶圓座中，故其可被量測作為一般晶圓掃描順序之部分。以此方式，掃描特徵可整合在一常規晶圓表面掃描中且可快於當前使用特徵之掃描。然而，亦可在獨立於晶圓掃描之一掃描中掃描特徵。

在一實施例中，特徵經組態以散射入射光束。例如，特徵可包含一或多個元件，諸如蝕刻至晶圓座中之圖案化線，其等經組態以散射或繞射入射光束。在另一實施例中，特徵經組態以反射入射光束。例如，一反射材料可沈積於藉由蝕刻形成於晶圓座中之一開口中，使得在(該等)光束掃描過特徵的同時，反射材料反射(該等)光束。以此方式，取代諸如本文中描述之一開口，可使用一反射及/或散射特徵。如此，特徵可製作為與被透射、反射或散射之入射光束一起使用。不管特徵經組態以透射、反射或散射光，特徵可具有諸如上述形狀之形狀且可如本文中描述以其他方式組態，使得特徵對徑向方向及/或θ方向上之入射光束位置偏移靈敏。可用不同偵測器偵測來自特徵之光(透射或反射或散射)。雖然偵測透射或反射或散射光應足以如本文中描述監視入射光束位置，但是可設想可能存在其中可有利地偵 測來自特徵之透射、反射及散射光之一些組合之實例。

因此，如上文所述，本文中描述之結構實施例與先前用於監視入射光束位置之結構顯著不同。例如，先前使用之結構包含XY微磚(tile)，諸如圖1中所顯示之XY微磚22。如圖1中所顯示，XY微磚22係具有一矩形形狀之一特徵，其具有形成於特徵上之線24。XY微磚係獨立於晶圓承載晶圓座10安裝。例如，XY微磚安裝於附接至卡盤之支撐件26上。XY微磚針對量測垂直於XY微磚掃描之方向的偏移提供有限精確度。此外，先前使用之特徵僅關聯於徑向方向上之移動，且θ方向上之光束偏移之量測係間接且不精確的。在本文中描述之實施例中，移動大多數在θ方向上且θ方向上之偏移可被更精確地量測。特定言之，與先前使用之結構相比，本文中描述之實施例對切線光束偏移更靈敏。

上述結構之實施例之各者可進一步如本文中描述而組態。此外，上述結構之實施例之各者可用於本文中描述之方法之任一者中。上述結構之實施例之各者亦可包含在本文中描述之晶圓檢測系統之任一者中並由其使用。

另一實施例係關於在一晶圓檢測系統中用於監視入射光束位置之一方法。晶圓檢測系統可如本文中進一步描述而組態。此方法包含將一入射光束引導至形成於一晶圓座中之一特徵，該晶圓座經組態在藉由晶圓檢測系統進行檢測期間支撐一晶圓。將入射光束引導至特徵可包含在特徵上掃描入射光束，使得入射光束照亮特徵。在特徵上掃描入射光束可以類似於在晶圓上掃描入射光束之一方式執行，其中歸因於晶圓與特徵之間之位置差異而對掃描進行調整。

在此方法中使用之晶圓座及特徵係如上文所述而組態。例如，在檢測期間，晶圓座在一θ方向上旋轉晶圓且同時在一徑向方向上平移晶圓。穿過特徵之中心之一軸與晶圓座之一半徑對準，使得軸相對 於晶圓檢測系統之一入射光束之一位置指示入射光束位置在θ方向上之變化。此一晶圓座及特徵可進一步如本文中描述而組態。

在一實施例中，將入射光束引導至特徵包含在特徵上掃描入射光束作為檢測之部分。例如，用於檢測之掃描包含如本文中描述在晶圓上掃描(該等)入射光束。因此，在(該等)入射光束掃描晶圓之前或之後，(該等)入射光束可在一單一掃描路徑掃描此特徵(例如，不停止及重啟掃描)。如此，與用於監視入射光束位置之先前使用方法相比，在本文中描述之方法中可更快地掃描此特徵。

此方法亦包含偵測歸因於將入射光束引導至特徵而來自特徵之光，及回應於所偵測之光而產生輸出。可使用一偵測器(諸如本文中進一步描述之偵測器)執行偵測來自特徵之光。由偵測器產生之輸出可包含任何合適輸出，諸如信號、影像、影像資料、資料及類似物。

在一實施例中，來自特徵之光包含由特徵透射之光。在另一實施例中，來自特徵之光包含由特徵散射之光。在一額外實施例中，來自特徵之光包含由特徵反射之光。例如，特徵可如本文中描述組態以取決於特徵之組態而透射、散射或反射光。

此方法進一步包含基於輸出而判定θ方向上之入射光束位置。例如，如本文中進一步描述，判定θ方向上之入射光束位置可包含判定與晶圓座的半徑對準之特徵之中心(或穿過中心之軸)之一位置，使用由偵測器產生之輸出沿著該晶圓座之該半徑平移晶圓。更明確言之，在以任何合適方式在特徵上掃描入射光束期間，可使用由偵測器產生之輸出判定特徵之寬度，且隨後可從寬度判定特徵之中心位置(或穿過中心之軸之位置)。隨後中心(或穿過中心之軸)相對於晶圓座之半徑(晶圓沿著該晶圓座之該半徑平移)之位置可被判定並指示中心(或穿過中心之軸)在θ方向上之位置。中心(或穿過中心之軸)之位置與晶圓座之半徑(晶圓沿著該晶圓座之該半徑平移)之間之任何距離可 指示入射光束位置已在θ方向上偏移。

使用一電腦系統執行判定入射光束位置，該電腦系統可如本文中進一步描述組態。

特徵及晶圓座可進一步如本文中描述而組態。例如，在一實施例中，特徵之一寬度沿著晶圓座之半徑而變化，使得使用入射光束量測之寬度指示入射光束位置在徑向方向上之變化。此一特徵可進一步如本文中描述而組態。在一此實施例中，此方法包含基於輸出而判定徑向方向上之入射光束位置。例如，因為特徵之寬度以已知方式沿著晶圓座之半徑變化，故可如上文所述使用在於特徵上掃描入射光束期間由偵測器產生之輸出而量測特徵之寬度。所量測之寬度隨後可與已知寬度變化相比較，以沿著半徑判定量測寬度之位置。所判定之位置隨後指示入射光束在徑向方向上之位置。

在另一此實施例中，將入射光束引導至特徵及偵測來自特徵之光包含在沿著晶圓座之半徑之不同位置上在θ方向上於特徵上掃描入射光束，且判定徑向方向上之入射光束位置包含判定特徵之寬度為沿著半徑之不同位置之函數。例如，為了穩健量測，特徵寬度之增加(例如，線性增加)可如上文所述相對於徑向位置而量測，且可使用對於若干軌跡之一適配。以此方式，為了更精確的量測，可一次或多次掃描特徵。

在一實施例中，特徵包含形成於晶圓座中之一開口中之一材料，該材料透射晶圓檢測系統之入射光束及一額外入射光束，且軸相對於額外入射光束之位置指示額外入射光束位置在θ方向上之變化。此一特徵可進一步如本文中描述而組態。

在一此實施例中，方法包含將額外入射光束引導至特徵，偵測歸因於將額外入射光束引導至特徵而來自特徵之光及回應於歸因於將額外入射光束引導至特徵而來自特徵之光而產生額外輸出，及基於額 外輸出判定額外入射光束在θ方向上之一位置。此等步驟可如本文中參考入射光束進一步描述而執行。

在另一此實施例中，特徵之一寬度沿著晶圓座之半徑變化，使得使用入射光束量測之寬度指示入射光束之位置在徑向方向上之變化，且使用額外入射光束量測之寬度指示額外入射光束之位置在徑向方向上之變化。此一特徵可進一步如本文中描述組態。

上述方法之實施例之各者可包含本文中描述之任何其他方法之(諸)任何其他步驟。此外，上述方法之實施例之各者可藉由本文中描述之系統之任一者執行。

本文中描述之所有方法可包含在一電腦可讀儲存媒體中儲存方法實施例之一或多個步驟之結果。此結果可包含本文中描述之結果之任一者且可以本技術中已知之任何方式儲存。儲存媒體可包含本文中描述之任何儲存媒體或本技術中已知之任何其他合適儲存媒體。在結果已被儲存後，結果可在儲存媒體中被存取且可由本文中描述之方法或系統實施例之任一者使用，可經編排以顯示給使用者，由另一軟體模組、方法或系統等使用。

一額外實施例係關於經組態以監視入射光束位置之一晶圓檢測系統。一此實施例係顯示於圖2中。晶圓檢測系統包含一晶圓座，其經組態在藉由晶圓檢測系統進行檢測期間支撐一晶圓。例如，如圖2中所顯示，晶圓檢測系統包含晶圓座28，其經組態以在檢測期間支撐晶圓30。在檢測期間，晶圓座在一θ方向上旋轉晶圓且同時在一徑向方向上平移晶圓。晶圓座可進一步如本文中描述而組態。

系統亦包含形成於晶圓座中之一特徵。例如，如圖2中所顯示，特徵32可形成於晶圓座28中。穿過特徵之中心之一軸與晶圓座之一半徑對準，使得軸相對於晶圓檢測系統之一入射光束之一位置指示入射光束位置在θ方向上之變化。此一特徵可進一步如本文中描述組態。 例如，在一實施例中，特徵之一寬度沿著晶圓座之半徑變化，使得使用入射光束量測之寬度指示入射光束位置在徑向方向上之變化。在另一實施例中，特徵之一或多個邊不平行或垂直於晶圓座之半徑，使得使用入射光束量測之特徵之一寬度指示入射光束位置在徑向方向上之變化。特徵之此等實施例可進一步如本文中描述而組態。

系統進一步包含經組態以在特徵上掃描入射光束之一照明子系統。例如，如圖2中所顯示，系統可包含組成一照明子系統之光源34及光學元件36。光源可包含任何合適之可購得之光源，諸如一雷射。光學元件36可包含任何合適可購得之光學元件，諸如一偏光器、一空間濾波器、一波長濾波器、一透鏡及類似元件。此外，照明子系統可包含耦合至光源之多於一個光學元件(未顯示)。如圖2中所顯示，光源可經組態以透過光學元件36將入射光束38引導至形成於晶圓座28中之特徵32。歸因於藉由晶圓座之移動(例如，旋轉及平移)，照明子系統可在特徵上掃描入射光束。如圖2中所顯示，照明子系統可經組態按傾斜入射角將入射光束引導至特徵(及晶圓)。傾斜入射角可包含任何合適的傾斜入射角且或者可為一垂直或接近垂直之入射角。

此外，系統包含一偵測器，該偵測器經組態以偵測歸因於在特徵上掃描入射光束而來自特徵之光及回應於所偵測之光產生輸出。例如，在圖2中所顯示之實施例中，特徵可透射入射光束。如此，系統可包含偵測器40，該偵測器40經組態以偵測歸因於在特徵上掃描入射光束而透射穿過特徵之光。偵測器40可包含任何合適可購得之偵測器，諸如一光電倍增管(PMT)或電荷耦合器件(CCD)。偵測器40可回應於所偵測之光產生任何合適輸出，諸如信號、資料、影像資料及影像。如圖2中所顯示，偵測器可定位於晶圓座與晶圓相對之側上。因此，偵測器可能並非通常用於檢測晶圓之一偵測器及/或通常不包含於當前可得之晶圓檢測系統中。然而，晶圓檢測系統可容易地修改以 包含此一偵測器。

此外，取決於特徵之組態，用於偵測來自特徵之光的偵測器可包含通常用於晶圓檢測之一偵測器。例如，若特徵如本文中進一步描述組態以散射或反射入射光束，則系統可包含經組態以偵測從特徵散射或反射之光的偵測器42。此一偵測器可進一步如本文中描述而組態。此外，此一偵測器可用於檢測一晶圓。因此，本文中描述之實施例可使用當前可得之晶圓檢測系統之現有元件以使用本文中描述之新結構及特徵監視入射光束位置。

如圖2中進一步顯示，光學元件44可耦合至偵測器42。光學元件可包含，例如，一透鏡、一聚光器、一光譜濾波器、一偏光元件及一空間濾波器。此等元件可包含本技術中已知之任何合適可購得之元件。此外，多於一個此元件(在圖2中未顯示)可耦合至偵測器42。以類似方式，一或多個此等元件(未顯示)可耦合至本文中描述之其他偵測器(例如，偵測器40)之任一者。

系統亦包含一電腦子系統，其經組態以基於此輸出而判定θ方向上之入射光束位置。例如，如圖2中所顯示，系統可包含電腦子系統46。電腦子系統可耦合至本文中描述之偵測器之各者或任一者(例如，電腦子系統可藉由傳輸媒體48耦合至偵測器42，該傳輸媒體48可包含有線部分及無線部分)，使得電腦子系統可接收由偵測器產生之輸出。電腦子系統可如本文中進一步描述而判定θ方向上之入射光束位置。電腦子系統亦可或是或可如本文中進一步描述使用輸出而判定徑向方向上之入射光束位置。

電腦子系統可採取不同形式，包含個人電腦系統、影像電腦、主機電腦系統、工作站、網路設備、網際網路設備或其他裝置。通常，術語「電腦子系統」可廣泛地定義為涵蓋具有一或多個處理器之任何裝置，其執行來自一記憶體媒體之指令。電腦子系統亦可包含本 技術中已知之任何合適處理器，諸如一並行處理器。此外，電腦子系統可包含具有高速處理及軟體之一電腦平台，作為一獨立工具或一網路化工具。

如本文中進一步描述，晶圓檢測系統可經組態以將多於一個入射光束用於晶圓檢測及/或用於其他目的，諸如檢測或定位晶圓之邊緣。此外，此等入射光束可按不同入射角朝向晶圓引導。此等入射光束可由不同光源產生。例如，如圖2中所顯示，照明子系統可包含一額外光源50，其經組態以產生一額外入射光束。如圖2中進一步顯示，光源50可經配置使得光源將光引導至光學元件52(其可包含本文中進一步描述之光學元件之任一者)，且隨後按一垂直或接近垂直入射角引導至特徵32。以此方式，入射光束及額外入射光束可按不同入射角引導至特徵及引導至晶圓。此等入射光束亦可具有相同波長或不同波長。此外，若入射光束具有一或多個不同特性(諸如偏光或波長)，則入射光束可按相同或實質相同之入射角(未顯示)被引導至特徵及晶圓。此外，照明子系統可經組態使得從單個光源產生多個入射光束(使用產生多個光束之光源，或，例如，使用一光束分光器，從由單一光源產生之一單一光束產生多個光束)。

在一些實施例中，相同偵測器(例如，偵測器40)可經組態以偵測歸因於藉由入射光束及額外入射光束之照明而來自特徵之光。然而，晶圓檢測系統亦可包含一額外偵測器，該額外偵測器經組態以僅偵測歸因於藉由額外入射光束照明而來自特徵之光。例如，如圖2中所顯示，晶圓檢測系統可包含偵測器54，該偵測器54可如本文中描述而組態以偵測歸因於藉由額外入射光束之照明而被特徵32透射之光。以此方式，系統可包含不同偵測器，各經組態以偵測歸因於僅藉由入射光束之一者照明而來自特徵之光。

應注意本文中提供圖2以大致繪示一晶圓檢測系統實施例之一組 態。顯然，本文中描述之檢測系統組態可經變更，以使如在設計一商用檢測系統時正常執行之檢測系統之效能最佳化。此外，本文中描述之系統可使用一現有檢測系統(例如，藉由將本文中描述之功能性添加至一現有檢測系統)實施。或者，本文中描述之系統可「從頭開始」設計以提供一全新系統。

上述系統實施例之各者可進一步根據本文中描述之(諸)其他實施例之任一者組態。

鑑於此描述，熟習此項技術者將瞭解本發明之不同態樣之進一步修改例及替代實施例。例如，提供用於在一晶圓檢測系統中監視入射光束位置之方法、系統及結構。因此，此描述將僅解釋為闡釋且為教示熟習此項技術者執行本發明之一般方式之目的。應瞭解，本文所顯示及描述之本發明之形式被視作目前較佳實施例。皆如熟習此項技術者在受益於本發明之描述之後將瞭解，元件及材料可替代本文中繪示及描述的元件及材料，零件及程序可顛倒，且本發明之某些特徵可獨立利用。可對本文中描述之元件進行變化，而不脫離如下列申請專利範圍中描述之本發明之精神及範疇。

10‧‧‧晶圓座

11‧‧‧晶圓

12‧‧‧特徵

14‧‧‧軸

16‧‧‧寬度

18‧‧‧邊

20‧‧‧邊

22‧‧‧XY微磚

24‧‧‧線

26‧‧‧支撐件

θ‧‧‧方向

r‧‧‧方向

Claims (22)

1. 一種經組態以在一晶圓檢測系統中監視入射光束位置之結構，其包括：一晶圓座，其經組態以在藉由該晶圓檢測系統進行檢測期間支撐一晶圓，其中在該檢測期間，該晶圓座在一θ方向上旋轉該晶圓且同時在一徑向方向上平移該晶圓；及一特徵，其形成於該晶圓座中，其中穿過該特徵之該中心之一軸與該晶圓座之一半徑對準，使得該軸相對於該晶圓檢測系統之一入射光束之一位置指示該入射光束位置在該θ方向上之變化。
2. 如請求項1之結構，其中該特徵之一寬度沿著該晶圓座之該半徑變化，使得使用該入射光束量測之該寬度指示該入射光束位置在該徑向方向上之變化。
3. 如請求項1之結構，其中該特徵之一或多個邊不平行或垂直於該晶圓座之該半徑，使得使用該入射光束所量測之該特徵之一寬度指示該入射光束位置在該徑向方向上之變化。
4. 如請求項1之結構，其中該特徵在該晶圓座中形成一開口。
5. 如請求項1之結構，其中該特徵在該晶圓座中形成一個三角形開口。
6. 如請求項1之結構，其中該特徵包括形成於該晶圓座中之一開口中之一材料，且其中該材料透射該晶圓檢測系統之該入射光束及一額外入射光束，使得該特徵經組態以用於監視該入射光束位置及該額外入射光束之一位置。
7. 如請求項1之結構，其中該入射光束可掃描該特徵作為該檢測之部分。
8. 如請求項1之結構，其中該特徵進一步經組態以散射該入射光束。
9. 如請求項1之結構，其中該特徵進一步經組態以反射該入射光束。
10. 一種用於在一晶圓檢測系統中監視入射光束位置之方法，其包括：將一入射光束引導至形成於一晶圓座中之一特徵，該晶圓座經組態以在藉由該晶圓檢測系統進行檢測期間支撐一晶圓，其中在該檢測期間，該晶圓座在一θ方向上旋轉該晶圓且同時在一徑向方向上平移該晶圓，且其中穿過該特徵之該中心之一軸與該晶圓座之一半徑對準，使得該軸相對於該晶圓檢測系統之一入射光束之一位置指示該入射光束位置在該θ方向上之變化；偵測歸因於該引導而來自該特徵之光及回應於該所偵測之光而產生輸出；及基於該輸出判定該θ方向上之該入射光束位置，其中使用一電腦系統執行該判定。
11. 如請求項10之方法，其中該特徵之一寬度沿著該晶圓座之該半徑變化，使得使用該入射光束量測之該寬度指示該入射光束位置在該徑向方向上之變化，且其中該方法進一步包括基於該輸出判定該徑向方向上之該入射光束位置。
12. 如請求項11之方法，其中該引導及該偵測包括在沿著該晶圓座之該半徑之不同位置上在該θ方向上於該特徵上掃描該入射光束，且其中在該徑向方向上判定該入射光束位置包括判定該特徵之該寬度為沿著該半徑之不同位置之一函數。
13. 如請求項10之方法，其中該引導包括在該特徵上掃描該入射光 束作為該檢測之部分。
14. 如請求項10之方法，其中該特徵包括形成於該晶圓座中之一開口中之一材料，其中該材料透射該晶圓檢測系統之該入射光束及一額外入射光束，且其中該軸相對於該額外入射光束之該位置指示該額外入射光束之一位置在該θ方向上之變化。
15. 如請求項14之方法，其進一步包括將該額外入射光束引導至該特徵，偵測歸因於該引導該額外入射光束至該特徵而來自該特徵之光，及回應於歸因於該引導該額外入射光束至該特徵而來自該特徵之該光而產生額外輸出，及基於該額外輸出判定該額外入射光束在該θ方向上之一位置。
16. 如請求項14之方法，其中該特徵之一寬度沿著該晶圓座之該半徑變化，使得使用該入射光束量測之該寬度指示該入射光束之該位置在該徑向方向上之變化，且使用該額外入射光束量測之該寬度指示該額外入射光束之該位置在該徑向方向上之變化。
17. 如請求項10之方法，其中來自該特徵之該光包括由該特徵透射之光。
18. 如請求項10之方法，其中來自該特徵之該光包括由該特徵散射之光。
19. 如請求項10之方法，其中來自該特徵之該光包括由該特徵反射之光。
20. 一種晶圓檢測系統，其經組態以監視入射光束位置，其包括：一晶圓座，其經組態在藉由該晶圓檢測系統進行檢測期間支撐一晶圓，其中在該檢測期間，該晶圓座在一θ方向上旋轉該晶圓且同時在一徑向方向上平移該晶圓；一特徵，其形成於該晶圓座中，其中穿過該特徵之該中心之一軸與該晶圓座之一半徑對準，使得該軸相對於該晶圓檢測系 統之一入射光束之一位置指示該入射光束位置在該θ方向上之變化；一照明子系統，其經組態以在該特徵上掃描該入射光束；一偵測器，其經組態以偵測歸因於在該特徵上掃描該入射光束而來自該特徵之光及回應於該所偵測之光產生輸出；及一電腦子系統，其經組態以基於該輸出判定該θ方向上之該入射光束位置。
21. 如請求項20之系統，其中該特徵之一寬度沿著該晶圓座之該半徑變化，使得使用該入射光束量測之該寬度指示該入射光束位置在該徑向方向上之變化。
22. 如請求項20之系統，其中該特徵之一或多個邊不平行或垂直於該晶圓座之該半徑，使得使用該入射光束量測之該特徵之一寬度指示該入射光束位置在該徑向方向上之變化。