JPH11326229A - 異物検査装置 - Google Patents
異物検査装置Info
- Publication number
- JPH11326229A JPH11326229A JP15670498A JP15670498A JPH11326229A JP H11326229 A JPH11326229 A JP H11326229A JP 15670498 A JP15670498 A JP 15670498A JP 15670498 A JP15670498 A JP 15670498A JP H11326229 A JPH11326229 A JP H11326229A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- center
- inspection
- inspection stage
- foreign matter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】プリアライメントステージではなく、検査ステ
ージにおいて直接高精度位置決めができる異物検査装置
を提供することを目的とする。 【解決手段】検査ステージに載置されたウエハのエッジ
を検出するために検査ステージのX軸あるいはY軸のい
ずれか沿って画素対応に検出素子が多数配列された光学
センサを設け、検査ステージを回転させてウエハの検査
ステージを中心に対する偏心量を求めて、この偏心量に
応じてウエハの検査ステージに対する中心位置合わせを
する中心位置合わせ手段と、光学センサの検出画素対応
の検出信号に基づいて検査ステージに対する中心に対す
るウエハの外周の3点の座標を求めてウエハの中心座標
を算出する中心座標算出手段とを備えていて、算出され
た中心座標を異物検出におけるウエハの中心とするもの
である。
ージにおいて直接高精度位置決めができる異物検査装置
を提供することを目的とする。 【解決手段】検査ステージに載置されたウエハのエッジ
を検出するために検査ステージのX軸あるいはY軸のい
ずれか沿って画素対応に検出素子が多数配列された光学
センサを設け、検査ステージを回転させてウエハの検査
ステージを中心に対する偏心量を求めて、この偏心量に
応じてウエハの検査ステージに対する中心位置合わせを
する中心位置合わせ手段と、光学センサの検出画素対応
の検出信号に基づいて検査ステージに対する中心に対す
るウエハの外周の3点の座標を求めてウエハの中心座標
を算出する中心座標算出手段とを備えていて、算出され
た中心座標を異物検出におけるウエハの中心とするもの
である。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、異物検査装置に
関し、詳しくは、ウエハ検査装置の検査ステージにおい
て、被検査ウエハを精度よく検査ステージに位置決めす
ることができる異物検査装置に関する。
関し、詳しくは、ウエハ検査装置の検査ステージにおい
て、被検査ウエハを精度よく検査ステージに位置決めす
ることができる異物検査装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体ICの素材に用いられるウエハ
は、表面に異物が付着すると品質が劣化するので光学式
の異物検査装置により検査される。検査は自動化された
ラインにより流れ作業により行われている。
は、表面に異物が付着すると品質が劣化するので光学式
の異物検査装置により検査される。検査は自動化された
ラインにより流れ作業により行われている。
【0003】まず、図5により検査ステージに載置する
前に行われる、出願人による特開昭4−290455号
の出願において示す従来のプリアライメントの技術につ
いて説明する。図5(a)において、5は、ウエハカセ
ットと検査ステージに対して、回転機構(図示省略)お
よびCCDによるエッジ検出器6を有するプリアライメ
ント・ステージであり、ウエハカセットに収納されたウ
エハ1は、ハンドリングアーム3(図5(c)参照)に
吸着され、プリアライメント・ステージ5に搬送されて
アームの吸着が解放され、そのステージに吸着される。
次に説明する方法でウエハ1はここでプリアライメント
され、ついでハンドリングアーム3(図5(c)参照)
により検査ステージに搬送され、オリエンティション・
フラット(OF)の中点cまたはVノッチ(図では単に
Vで示す)をy軸に平行な軸上として載置される。
前に行われる、出願人による特開昭4−290455号
の出願において示す従来のプリアライメントの技術につ
いて説明する。図5(a)において、5は、ウエハカセ
ットと検査ステージに対して、回転機構(図示省略)お
よびCCDによるエッジ検出器6を有するプリアライメ
ント・ステージであり、ウエハカセットに収納されたウ
エハ1は、ハンドリングアーム3(図5(c)参照)に
吸着され、プリアライメント・ステージ5に搬送されて
アームの吸着が解放され、そのステージに吸着される。
次に説明する方法でウエハ1はここでプリアライメント
され、ついでハンドリングアーム3(図5(c)参照)
により検査ステージに搬送され、オリエンティション・
フラット(OF)の中点cまたはVノッチ(図では単に
Vで示す)をy軸に平行な軸上として載置される。
【0004】さて、図5の(a) において、プリアラ
イメント・ステージの回転機構に吸着されたウエハ1は
θ方向に回転し、エッジ検出器6により図(b)に示す
ウエハの第1のエッジ曲線が求められる。ウエハの中心
O′と回転中心Oが一般にはズレているため、このエッ
ジ曲線は正弦波をなす。ただし、OF,OF′に対応す
る部分は図示のように凹んでいる。またVノッチの場合
は狭い範囲が低下する。 そこで、図5(a) におい
て、回転機構の回転中心Oで直交する2直線をとり、ウ
エハの円周との交点をp,q,r,sとする。ただし、
各点はOF,OF′またはVの位置を避けてとるものと
する。
イメント・ステージの回転機構に吸着されたウエハ1は
θ方向に回転し、エッジ検出器6により図(b)に示す
ウエハの第1のエッジ曲線が求められる。ウエハの中心
O′と回転中心Oが一般にはズレているため、このエッ
ジ曲線は正弦波をなす。ただし、OF,OF′に対応す
る部分は図示のように凹んでいる。またVノッチの場合
は狭い範囲が低下する。 そこで、図5(a) におい
て、回転機構の回転中心Oで直交する2直線をとり、ウ
エハの円周との交点をp,q,r,sとする。ただし、
各点はOF,OF′またはVの位置を避けてとるものと
する。
【0005】ここで、プリアライメント・ステージに対
しては、その回転中心Oを原点O(0,0)するXY座
標系が設定されているものとし、また直線prをu軸、
直線qsををv軸とするuv座標系を考える。uv座標
系に対するウエハの中心O′の座標は、両直線の中心値
であることに注意すると、uv座標系におけるウエハの
中心O′の座標(u0,v0)は次式で表される。 u0 =(p−r)/2 ………(1) v0 =(q−s)/2 ………(2) ただし、上式のp,q,r,sは第1のエッジ曲線にお
ける各点の値とする。
しては、その回転中心Oを原点O(0,0)するXY座
標系が設定されているものとし、また直線prをu軸、
直線qsををv軸とするuv座標系を考える。uv座標
系に対するウエハの中心O′の座標は、両直線の中心値
であることに注意すると、uv座標系におけるウエハの
中心O′の座標(u0,v0)は次式で表される。 u0 =(p−r)/2 ………(1) v0 =(q−s)/2 ………(2) ただし、上式のp,q,r,sは第1のエッジ曲線にお
ける各点の値とする。
【0006】ここで、uv座標系とXY座標系のなす角
をΘとすると、Θは既知であるから座標(u0,v0)は次
式によりXY座標系の座標(X0,Y0) に変換できる。 X0 =u0 cosΘ−v0 sinΘ ………(3) Y0 =u0 sinΘ+v0 cosΘ ………(4) さらに、座標(X0,Y0)より直線OO′とY軸のなす角
φが次式で計算できる。 φ=arctan(X0/Y0) ………(5) いま、ウエハを角度(−φ)回転すると中心O′がY軸
上にきて図の(c)の点線で示す状態となる。ついでハ
ンドリングアーム3により、ウエハを(−Y0)移動する
と図示の一点鎖線の状態となり、中心O′と回転中心O
とが位置合わせされる。このように2段階ではあるが、
ハンドリングアームの直線移動機能に着眼し、単純な動
作で正確な位置合わせができる。
をΘとすると、Θは既知であるから座標(u0,v0)は次
式によりXY座標系の座標(X0,Y0) に変換できる。 X0 =u0 cosΘ−v0 sinΘ ………(3) Y0 =u0 sinΘ+v0 cosΘ ………(4) さらに、座標(X0,Y0)より直線OO′とY軸のなす角
φが次式で計算できる。 φ=arctan(X0/Y0) ………(5) いま、ウエハを角度(−φ)回転すると中心O′がY軸
上にきて図の(c)の点線で示す状態となる。ついでハ
ンドリングアーム3により、ウエハを(−Y0)移動する
と図示の一点鎖線の状態となり、中心O′と回転中心O
とが位置合わせされる。このように2段階ではあるが、
ハンドリングアームの直線移動機能に着眼し、単純な動
作で正確な位置合わせができる。
【0007】ついでウエハを回転して図の(d)に示す
第2のエッジ曲線を求める。この曲線では正弦波は消失
して直線となるが、OF,OF′またはVの部分は凹ん
でおり、OFの凹みはOF′より大きいので、OFの中
点cのθ角度を求めることができる。Vのθ角度も同様
である。ここで、ウエハをさらに回転し、OFの中点c
またはVとY軸とが角度εとなる位置に停止すると、プ
リアライメントが終了する。なお、この角度εは、検査
ステージとプリアライメントステージとのウエハをそれ
ぞれの中心位置に設定したときの回転角のずれ量であ
る。
第2のエッジ曲線を求める。この曲線では正弦波は消失
して直線となるが、OF,OF′またはVの部分は凹ん
でおり、OFの凹みはOF′より大きいので、OFの中
点cのθ角度を求めることができる。Vのθ角度も同様
である。ここで、ウエハをさらに回転し、OFの中点c
またはVとY軸とが角度εとなる位置に停止すると、プ
リアライメントが終了する。なお、この角度εは、検査
ステージとプリアライメントステージとのウエハをそれ
ぞれの中心位置に設定したときの回転角のずれ量であ
る。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】このように従来は、プ
リアライメントステージで一旦高精度な位置決めをして
検査ステージにウエハを搬入する方式が採られている。
しかし、プリアライメントステージを設けることで装置
が大型化し、かつ、前記のような高精度の位置決め処理
になると、プリアライメントにおけるプロセッサのデー
タ処理のロードが大きくなる。また、より精度な位置決
めが要求されると、設定角εにおいて異物検査ステージ
にウエハを搬入したとしても、ウエハを検査ステージへ
搬入する際に多少のずれがあることと、ウエハが真円で
はないので前記のような位置決めをしたとしても異物検
査系の検査ステージ上のウエハの中心位置座標との一致
がとれない問題がある。
リアライメントステージで一旦高精度な位置決めをして
検査ステージにウエハを搬入する方式が採られている。
しかし、プリアライメントステージを設けることで装置
が大型化し、かつ、前記のような高精度の位置決め処理
になると、プリアライメントにおけるプロセッサのデー
タ処理のロードが大きくなる。また、より精度な位置決
めが要求されると、設定角εにおいて異物検査ステージ
にウエハを搬入したとしても、ウエハを検査ステージへ
搬入する際に多少のずれがあることと、ウエハが真円で
はないので前記のような位置決めをしたとしても異物検
査系の検査ステージ上のウエハの中心位置座標との一致
がとれない問題がある。
【0009】検査ステージ上のウエハの中心位置の座標
ずれが大きい場合には、異物検出における異物の座標精
度が落ちる。その結果、再度異物検査をしたときに、異
物の位置に誤認を生じたり、顕微鏡,SEM(走査型顕
微鏡)などで観測する場合などにおいて、対象となる異
物を探せなかったり、誤った異物を観測してしまうこと
になる。そのために、ウエハの中心を演算して求めるこ
とが必要になるが、異物検査等によりウエハの外周を求
めて、その検査結果から演算処理によってウエハの中心
を改めて求める処理を行うと、処理ロードが大きくな
り、検査効率が低下する。しかも、Vノッチのウエハな
どでは、ノッチによる位置決めの際に、ウエハが傷つい
たり、欠けたりするので、位置決め精度が低下する。こ
の発明は、以上に鑑みてなされたもので、プリアライメ
ントステージではなく、検査ステージにおいて直接高精
度位置決めができる異物検査装置を提供することを目的
とする。
ずれが大きい場合には、異物検出における異物の座標精
度が落ちる。その結果、再度異物検査をしたときに、異
物の位置に誤認を生じたり、顕微鏡,SEM(走査型顕
微鏡)などで観測する場合などにおいて、対象となる異
物を探せなかったり、誤った異物を観測してしまうこと
になる。そのために、ウエハの中心を演算して求めるこ
とが必要になるが、異物検査等によりウエハの外周を求
めて、その検査結果から演算処理によってウエハの中心
を改めて求める処理を行うと、処理ロードが大きくな
り、検査効率が低下する。しかも、Vノッチのウエハな
どでは、ノッチによる位置決めの際に、ウエハが傷つい
たり、欠けたりするので、位置決め精度が低下する。こ
の発明は、以上に鑑みてなされたもので、プリアライメ
ントステージではなく、検査ステージにおいて直接高精
度位置決めができる異物検査装置を提供することを目的
とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るためのこの発明のウエハの位置決め方法の特徴は、検
査ステージに載置されたウエハのエッジを検出するため
に検査ステージのX軸あるいはY軸のいずれか沿って画
素対応に検出素子が多数配列された光学センサを設け、
検査ステージを回転させてウエハの検査ステージを中心
に対する偏心量を求めて、この偏心量に応じてウエハの
検査ステージに対する中心位置合わせをする中心位置合
わせ手段と、光学センサの検出画素対応の検出信号に基
づいて検査ステージに対する中心に対するウエハの外周
の3点の座標を求めてウエハの中心座標を算出する中心
座標算出手段とを備えていて、算出された中心座標を異
物検出におけるウエハの中心とするものである。
るためのこの発明のウエハの位置決め方法の特徴は、検
査ステージに載置されたウエハのエッジを検出するため
に検査ステージのX軸あるいはY軸のいずれか沿って画
素対応に検出素子が多数配列された光学センサを設け、
検査ステージを回転させてウエハの検査ステージを中心
に対する偏心量を求めて、この偏心量に応じてウエハの
検査ステージに対する中心位置合わせをする中心位置合
わせ手段と、光学センサの検出画素対応の検出信号に基
づいて検査ステージに対する中心に対するウエハの外周
の3点の座標を求めてウエハの中心座標を算出する中心
座標算出手段とを備えていて、算出された中心座標を異
物検出におけるウエハの中心とするものである。
【0011】
【発明の実施の形態】このように、画素対応配列のエッ
ジ検出センサを設けて、その受光画素位置からウエハの
検査ステージに対する偏心量を求めて中心位置合わせ手
段により中心合わせをした後に、さらに光学センサの画
素対応の検出信号に基づいて中心座標算出手段により検
査ステージに対する中心に対するウエハの外周の3点の
座標を求めてウエハの中心座標の算出するようにしてい
るので、検査ステージ上でのウエハの中心位置をより正
確にかつ簡単な処理において求めることができる。その
結果、異物検査等によりウエハの外周を求めてウエハの
中心を演算する必要がなくなり、プロセッサの処理ロー
ドを低減することができる。
ジ検出センサを設けて、その受光画素位置からウエハの
検査ステージに対する偏心量を求めて中心位置合わせ手
段により中心合わせをした後に、さらに光学センサの画
素対応の検出信号に基づいて中心座標算出手段により検
査ステージに対する中心に対するウエハの外周の3点の
座標を求めてウエハの中心座標の算出するようにしてい
るので、検査ステージ上でのウエハの中心位置をより正
確にかつ簡単な処理において求めることができる。その
結果、異物検査等によりウエハの外周を求めてウエハの
中心を演算する必要がなくなり、プロセッサの処理ロー
ドを低減することができる。
【0012】
【実施例】図1は、この発明の異物検査装置の一実施例
の検出光学系を中心とする構成図であり、図2は、リニ
アセンサとウエハと照射光の関係の説明図、図3は、ウ
エハ位置決めと中心座標の検出処理のフローチャート、
図4は、その処理の説明図である。図1に示す、10
は、異物検査装置であって、異物検査光学系11とその
下側に配置された検査テーブル12、データ処理・制御
装置13、テーブル駆動回路14、A/D変換回路(A
/D)17、X移動機構18、制御回路19、そしてイ
ンタフェース20とからなり、検査テーブル12にはウ
エハ1が載置されている。また、制御回路19は、イン
タフェース20を介してデータ処理・制御装置13から
の信号に応じてX移動機構18やCCD制御・信号読出
回路155に対して駆動のための各種制御信号を発生す
る。
の検出光学系を中心とする構成図であり、図2は、リニ
アセンサとウエハと照射光の関係の説明図、図3は、ウ
エハ位置決めと中心座標の検出処理のフローチャート、
図4は、その処理の説明図である。図1に示す、10
は、異物検査装置であって、異物検査光学系11とその
下側に配置された検査テーブル12、データ処理・制御
装置13、テーブル駆動回路14、A/D変換回路(A
/D)17、X移動機構18、制御回路19、そしてイ
ンタフェース20とからなり、検査テーブル12にはウ
エハ1が載置されている。また、制御回路19は、イン
タフェース20を介してデータ処理・制御装置13から
の信号に応じてX移動機構18やCCD制御・信号読出
回路155に対して駆動のための各種制御信号を発生す
る。
【0013】異物検査光学系11は、その内部を図示す
るように、検出光学系15と投光学系16とからなり、
投光光学系16が副走査方向に所定の幅を持つ、ウエハ
1上の検査領域3(異物検出領域)にレーザビームを照
射する。そして、その上方散乱光を検査テーブル12の
鉛直方向で上部に設けられた検出光学系15で受光して
検出する。異物検査光学系11は、X方向移動機構18
に固定されていて、X方向にシフトする。なお、検査領
域3のX方向の長さが主走査方向の1ラインの幅になっ
ている。したがって、副走査方向(X方向)の移動ピッ
チはこの幅に対応している。投光学系16は、半導体レ
ーザ光源161と、集光レンズ系162,163,16
4、そして反射ミラー165とからなり、レーザビーム
を検査領域3に対応する長円形の形に集束させてほぼウ
エハ1からみた仰角が30°でウエハ1の検査領域3に
照射する。
るように、検出光学系15と投光学系16とからなり、
投光光学系16が副走査方向に所定の幅を持つ、ウエハ
1上の検査領域3(異物検出領域)にレーザビームを照
射する。そして、その上方散乱光を検査テーブル12の
鉛直方向で上部に設けられた検出光学系15で受光して
検出する。異物検査光学系11は、X方向移動機構18
に固定されていて、X方向にシフトする。なお、検査領
域3のX方向の長さが主走査方向の1ラインの幅になっ
ている。したがって、副走査方向(X方向)の移動ピッ
チはこの幅に対応している。投光学系16は、半導体レ
ーザ光源161と、集光レンズ系162,163,16
4、そして反射ミラー165とからなり、レーザビーム
を検査領域3に対応する長円形の形に集束させてほぼウ
エハ1からみた仰角が30°でウエハ1の検査領域3に
照射する。
【0014】検出光学系15は、ウエハ1の検査領域3
に対峙する対物レンズ151とその後ろに配置された空
間フィルタ152、その後方に配置された集光レンズ系
153、集光レンズ系153により結像された検査領域
3の映像全体を受けるCCDセンサ154、そしてCC
Dセンサ154からの検出信号を読み出す、CCD制御
・信号読出回路155とからなる。CCD制御・信号読
出回路155は、データ処理・制御装置13からインタ
フェース20,制御回路19を介して制御され、受光強
度に応じて検出された検出信号をシリアルに読出してこ
れをA/D17送出し、これによりデジタル値に変換し
てインタフェース20を介してデータ処理・制御装置1
3に検出信号(デジタル値)として送出する。
に対峙する対物レンズ151とその後ろに配置された空
間フィルタ152、その後方に配置された集光レンズ系
153、集光レンズ系153により結像された検査領域
3の映像全体を受けるCCDセンサ154、そしてCC
Dセンサ154からの検出信号を読み出す、CCD制御
・信号読出回路155とからなる。CCD制御・信号読
出回路155は、データ処理・制御装置13からインタ
フェース20,制御回路19を介して制御され、受光強
度に応じて検出された検出信号をシリアルに読出してこ
れをA/D17送出し、これによりデジタル値に変換し
てインタフェース20を介してデータ処理・制御装置1
3に検出信号(デジタル値)として送出する。
【0015】ここで、検出光学系15は、主走査方向
(Y方向)において、ウエハ1の移動開始位置における
先頭部分に対応するY方向の位置に検査領域3が対応す
るように配置されている。なお、検査領域3は、ウエハ
1が円形であり、検査領域3の一部がウエハ1の外形か
ら外れるので、これを図示して説明する都合上、図では
X方向において少し内側に入ったところで、かつ、先頭
位置より少し内側に入ったところに検査領域3を描いて
いる。データ処理・制御装置13は、通常、MPU13
1とメモリ132等により構成され、前記のA/D17
からの信号をインタフェース20,バス133を介して
受けてメモり132に記憶する。そして、メモリ132
には、異物検出プログラム134,ウエハ走査プログラ
ム135,ウエハ位置決めプログラム136、中心座標
の検出プログラム137等をはじめとして各種のプログ
ラムが格納されている。
(Y方向)において、ウエハ1の移動開始位置における
先頭部分に対応するY方向の位置に検査領域3が対応す
るように配置されている。なお、検査領域3は、ウエハ
1が円形であり、検査領域3の一部がウエハ1の外形か
ら外れるので、これを図示して説明する都合上、図では
X方向において少し内側に入ったところで、かつ、先頭
位置より少し内側に入ったところに検査領域3を描いて
いる。データ処理・制御装置13は、通常、MPU13
1とメモリ132等により構成され、前記のA/D17
からの信号をインタフェース20,バス133を介して
受けてメモり132に記憶する。そして、メモリ132
には、異物検出プログラム134,ウエハ走査プログラ
ム135,ウエハ位置決めプログラム136、中心座標
の検出プログラム137等をはじめとして各種のプログ
ラムが格納されている。
【0016】テーブル駆動回路14は、MPU131に
よるウエハ走査プログラム135の実行に応じて、検査
テーブル12をY方向に往復移動させる駆動回路であ
る。さらに、Y方向にウエハ1の直径D+α分(αは、
走査余裕分)の移動が終了した時点で、XYZθテーブ
ル122を180°回転させて、Y方向に直径D+α分
の帰りの移動をさせる駆動を行う。これは、ウエハ1の
走査においては、Y方向の往復走査と回転とを行い、1
80゜回転させる駆動回路である。また、ウエハ1の中
心位置決めにおいては、XY方向についてウエハ1を位
置決めするための微少移動を行いう駆動回路でもある。
なお、XYZθテーブル122は、XY方向に微少移動
可能であって、かつ、回転するテーブルである。ウエハ
1の中心位置決めのときにはこれによりウエハ1を回転
させる。
よるウエハ走査プログラム135の実行に応じて、検査
テーブル12をY方向に往復移動させる駆動回路であ
る。さらに、Y方向にウエハ1の直径D+α分(αは、
走査余裕分)の移動が終了した時点で、XYZθテーブ
ル122を180°回転させて、Y方向に直径D+α分
の帰りの移動をさせる駆動を行う。これは、ウエハ1の
走査においては、Y方向の往復走査と回転とを行い、1
80゜回転させる駆動回路である。また、ウエハ1の中
心位置決めにおいては、XY方向についてウエハ1を位
置決めするための微少移動を行いう駆動回路でもある。
なお、XYZθテーブル122は、XY方向に微少移動
可能であって、かつ、回転するテーブルである。ウエハ
1の中心位置決めのときにはこれによりウエハ1を回転
させる。
【0017】検査テーブル12は、Yテーブル121と
XYZθテーブル122と、このXYZθテーブル12
2に設けられた中心位置決め機構123とからなる。中
心位置決め機構123は、ウエハ1の周囲外側に円形に
配置された複数のローラ124,124,…からなる絞
り機構である。いわゆるシャッタの絞りと同様にローラ
124,124,…が外側から内側に連動して回動する
ことで、検査テーブル12の中心にこれに載置されたウ
エハ1の中心を位置決めする。ここでは、これがプリア
ライメントに相当する動作になる。この検査テーブル1
2のウエハ1の下側には検査テーブル12のX軸に平行
にリニアセンサ(一次元CCDセンサ)120がテーブ
ル127に支持されて(図2参照)設けられている。リ
ニアセンサ120は、図5におけるエッジ検出器6に対
応するものであり、検査領域3がこれの上部に配置され
たときには、検査領域3に対応してレーザ光を受光す
る。
XYZθテーブル122と、このXYZθテーブル12
2に設けられた中心位置決め機構123とからなる。中
心位置決め機構123は、ウエハ1の周囲外側に円形に
配置された複数のローラ124,124,…からなる絞
り機構である。いわゆるシャッタの絞りと同様にローラ
124,124,…が外側から内側に連動して回動する
ことで、検査テーブル12の中心にこれに載置されたウ
エハ1の中心を位置決めする。ここでは、これがプリア
ライメントに相当する動作になる。この検査テーブル1
2のウエハ1の下側には検査テーブル12のX軸に平行
にリニアセンサ(一次元CCDセンサ)120がテーブ
ル127に支持されて(図2参照)設けられている。リ
ニアセンサ120は、図5におけるエッジ検出器6に対
応するものであり、検査領域3がこれの上部に配置され
たときには、検査領域3に対応してレーザ光を受光す
る。
【0018】リニアセンサ120は、A/D変換回路
(A/D)17aによりデジタル値に変換されてインタ
フェース20を介してデータ処理装置13に取り込まれ
る。図2は、リニアセンサ120とウエハ1とレーザ光
との関係を示している。なお、検出光学系15により形
成される検査領域3に換えて、特別に、平行光を発生す
るレーザ光源をリニアセンサ120が検出する画素に対
応させて平行に設けてもよい。Yテーブル121は、ウ
エハ1を走査するときの移動テーブルであって、ベース
板125と、これに設けられたレール126,126上
をY方向にスライドするテーブル127とから構成され
ている。XYZθテーブル122は、テーブル127に
載置されたテーブルであって、そのX,Y方向の移動
は、ウエハ1を中心位置決めするのためのものである。
そのZ方向の移動は、内部に設けられテーブル127上
に固定された昇降機構に行われる。この昇降機構は、主
として焦点合わせのためにウエハ1を上下方向に移動さ
せて、ウエハの上下方向の位置設定を行うためのもので
ある。
(A/D)17aによりデジタル値に変換されてインタ
フェース20を介してデータ処理装置13に取り込まれ
る。図2は、リニアセンサ120とウエハ1とレーザ光
との関係を示している。なお、検出光学系15により形
成される検査領域3に換えて、特別に、平行光を発生す
るレーザ光源をリニアセンサ120が検出する画素に対
応させて平行に設けてもよい。Yテーブル121は、ウ
エハ1を走査するときの移動テーブルであって、ベース
板125と、これに設けられたレール126,126上
をY方向にスライドするテーブル127とから構成され
ている。XYZθテーブル122は、テーブル127に
載置されたテーブルであって、そのX,Y方向の移動
は、ウエハ1を中心位置決めするのためのものである。
そのZ方向の移動は、内部に設けられテーブル127上
に固定された昇降機構に行われる。この昇降機構は、主
として焦点合わせのためにウエハ1を上下方向に移動さ
せて、ウエハの上下方向の位置設定を行うためのもので
ある。
【0019】さて、先のウエハ位置決めプログラム13
6は、MPU131がこれを実行することにより、検査
領域3をリニアセンサ120の上部に位置決めしてXY
Zθテーブル122を回転させて、エッジ検出特性曲線
Eから、まず、図4(a)に示すような偏心量を採取し
て、この偏心量に応じてXYZθテーブル122の回転
中心とウエハ1の中心との位置合わせを行う。なお、図
4(a)において横軸は、ウエハの回転角θであり、縦
軸は、リニアセンサ120の受光画素位置である。Nc
は、ウエハを回転したときの受光特性上からみた受光画
素におけるセンター画素位置である。さらに、図4
(a)のエッジ検出特性曲線EからOF位置を求め、O
Fの位置がリニアセンサ120に直角になるように設定
してY方向にウエハ1を所定量移動させて、リニアセン
サ120の検出信号から図4(b)に示すような受光画
素位置データを採取して、Y軸とのなす角度を算出して
角度補正を行う。なお、図4(b)において横軸は、Y
軸方向の移動量であり、縦軸は、リニアセンサ120の
受光画素位置である。ここでのずれ角は、受光素子の増
加画素量/Y軸方向の移動量の2倍となる。受光素子の
増加画素量/Y軸方向の移動量のずれ角は、円周角に対
応しているので、ウエハ1の中心角はそれの2倍になる
からである。ところで、前記の偏心量の採取とこれによ
るウエハの中心位置決めについては、プリアライメント
の技術として公知であり、例えば、出願人による特開平
2−205049号や、他の出願人による特開昭64−
57636号などに記載されているので、その詳細は割
愛する。さらに、Vノッチのウエハの場合には、前記の
角度補正は行わない。
6は、MPU131がこれを実行することにより、検査
領域3をリニアセンサ120の上部に位置決めしてXY
Zθテーブル122を回転させて、エッジ検出特性曲線
Eから、まず、図4(a)に示すような偏心量を採取し
て、この偏心量に応じてXYZθテーブル122の回転
中心とウエハ1の中心との位置合わせを行う。なお、図
4(a)において横軸は、ウエハの回転角θであり、縦
軸は、リニアセンサ120の受光画素位置である。Nc
は、ウエハを回転したときの受光特性上からみた受光画
素におけるセンター画素位置である。さらに、図4
(a)のエッジ検出特性曲線EからOF位置を求め、O
Fの位置がリニアセンサ120に直角になるように設定
してY方向にウエハ1を所定量移動させて、リニアセン
サ120の検出信号から図4(b)に示すような受光画
素位置データを採取して、Y軸とのなす角度を算出して
角度補正を行う。なお、図4(b)において横軸は、Y
軸方向の移動量であり、縦軸は、リニアセンサ120の
受光画素位置である。ここでのずれ角は、受光素子の増
加画素量/Y軸方向の移動量の2倍となる。受光素子の
増加画素量/Y軸方向の移動量のずれ角は、円周角に対
応しているので、ウエハ1の中心角はそれの2倍になる
からである。ところで、前記の偏心量の採取とこれによ
るウエハの中心位置決めについては、プリアライメント
の技術として公知であり、例えば、出願人による特開平
2−205049号や、他の出願人による特開昭64−
57636号などに記載されているので、その詳細は割
愛する。さらに、Vノッチのウエハの場合には、前記の
角度補正は行わない。
【0020】中心座標の検出プログラム137は、ウエ
ハ1の外周からウエハの中心を求めて、現実のウエハの
中心と検査テーブル12の中心ずれ量をさらに高精度な
ものとして算出するものである。MPU131がこれを
実行することにより、図4(c)に示すに、ウエハ1の
円周上の相互に離れた任意の3点A,B,C(ただしO
F上は除く)の座標を検出し、幾何学の計算においてそ
れぞれの弦の中点を求め、さらにウエハ1の円周からみ
た中心座標をそれぞれの弦の中点を通る中心線の交点と
して求める。この交点の座標がウエハ1の中心であっ
て、XYZθテーブル122の中心からずれ量を表す。
これをオフセット量として算出する。このオフセット量
は、検出した異物について座標変換値として使用され、
ウエハ1上の座標に換算される。なお、任意の3点A,
B,Cの座標については、XYZθテーブル122を任
意の角度αだけ回転させたときの角αと角α回転したと
きのリニアセンサ120の検出信号における最後の受光
画素位置とによりXYZθテーブル122の中心をXY
座標とした検出点の座標を求め、前記回転角αとの関係
で回転角αを元に戻したときの座標を求めることができ
る。なお、リニアセンサ120がX軸沿って取付けられ
ているので、その取り付け位置と最後の受光画素位置と
の関係でXYZθテーブル122の現在の中心からの
X,Y座標が検出できる。このようにして、任意の角度
回転させて、それぞれの3点の座標を求めるものであ
る。
ハ1の外周からウエハの中心を求めて、現実のウエハの
中心と検査テーブル12の中心ずれ量をさらに高精度な
ものとして算出するものである。MPU131がこれを
実行することにより、図4(c)に示すに、ウエハ1の
円周上の相互に離れた任意の3点A,B,C(ただしO
F上は除く)の座標を検出し、幾何学の計算においてそ
れぞれの弦の中点を求め、さらにウエハ1の円周からみ
た中心座標をそれぞれの弦の中点を通る中心線の交点と
して求める。この交点の座標がウエハ1の中心であっ
て、XYZθテーブル122の中心からずれ量を表す。
これをオフセット量として算出する。このオフセット量
は、検出した異物について座標変換値として使用され、
ウエハ1上の座標に換算される。なお、任意の3点A,
B,Cの座標については、XYZθテーブル122を任
意の角度αだけ回転させたときの角αと角α回転したと
きのリニアセンサ120の検出信号における最後の受光
画素位置とによりXYZθテーブル122の中心をXY
座標とした検出点の座標を求め、前記回転角αとの関係
で回転角αを元に戻したときの座標を求めることができ
る。なお、リニアセンサ120がX軸沿って取付けられ
ているので、その取り付け位置と最後の受光画素位置と
の関係でXYZθテーブル122の現在の中心からの
X,Y座標が検出できる。このようにして、任意の角度
回転させて、それぞれの3点の座標を求めるものであ
る。
【0021】図3は、ウエハ位置決めプログラム13
6、中心座標の検出プログラム137をMPU131が
実行することにより行われるウエハの位置決めとその中
心座標算出処理のフローチャートである。まず、MPU
131がウエハ位置決めプログラム136を実行して、
検査領域をリニアセンサ120の上部に位置決めして
(ステップ101)、XYZθテーブル122を回転さ
せてエッジ検出特性曲線Eを得てウエハ1の偏心量を算
出し(ステップ102)、ウエハの中心位置決めをする
(ステップ103)。次に、エッジ検出特性曲線Eから
ウエハにおけるOF角度(位置)を求め(ステップ10
4)、そのOF位置がリニアセンサ120に直角になる
ように設定し(ステップ105)、ウエハをY軸に沿っ
て移動させて補正角を算出して(ステップ106)。X
YZθテーブル122を回転させてウエハをY軸を基準
とした角度補正をする(ステップ107)。
6、中心座標の検出プログラム137をMPU131が
実行することにより行われるウエハの位置決めとその中
心座標算出処理のフローチャートである。まず、MPU
131がウエハ位置決めプログラム136を実行して、
検査領域をリニアセンサ120の上部に位置決めして
(ステップ101)、XYZθテーブル122を回転さ
せてエッジ検出特性曲線Eを得てウエハ1の偏心量を算
出し(ステップ102)、ウエハの中心位置決めをする
(ステップ103)。次に、エッジ検出特性曲線Eから
ウエハにおけるOF角度(位置)を求め(ステップ10
4)、そのOF位置がリニアセンサ120に直角になる
ように設定し(ステップ105)、ウエハをY軸に沿っ
て移動させて補正角を算出して(ステップ106)。X
YZθテーブル122を回転させてウエハをY軸を基準
とした角度補正をする(ステップ107)。
【0022】次に、MPU131が中心座標の検出プロ
グラム137を実行して、3点A,B,Cの座標を求め
て(ステップ108)、ウエハ1の中心座標をオフセッ
ト量として算出し(ステップ109)、算出したオフセ
ット量をメモリ132に記憶する(ステップ110)。
このオフセット量は、異物検出プログラム134が実行
されたときに、採取された異物の座標がこのオフセット
量によりウエハ1上の座標に換算されて、ディスプレイ
上に表示され、また、異物検出データとされる。なお、
Vノッチウエハの場合には、ステップ104からステッ
プ107の行程はない。
グラム137を実行して、3点A,B,Cの座標を求め
て(ステップ108)、ウエハ1の中心座標をオフセッ
ト量として算出し(ステップ109)、算出したオフセ
ット量をメモリ132に記憶する(ステップ110)。
このオフセット量は、異物検出プログラム134が実行
されたときに、採取された異物の座標がこのオフセット
量によりウエハ1上の座標に換算されて、ディスプレイ
上に表示され、また、異物検出データとされる。なお、
Vノッチウエハの場合には、ステップ104からステッ
プ107の行程はない。
【0023】ところで、以上の場合、リニアセンサ12
0は、XYZθテーブル122のY軸方向に沿って設け
られていてもよく、もう1個のリニアセンサを別にY軸
方向に沿って設け、ウエハ1のOF位置をこのリニアセ
ンサに直角に配置してX軸方向に沿った角度補正を行う
ようにしてもよい。以上説明してきたが、実施例におけ
るリニアセンサ120が二次元CCDセンサであっても
よいことはもちろんであり、リニアセンサは、画素対応
に検出素子が所定方向に多数配列された光学センサであ
ればよい。なお、二次元の場合には、一次元に設けた場
合に対してこれと直角方向の検出値の平均値をそれぞれ
採取することが可能である。また、リニアセンサ120
は、検査テーブル12のX軸ではなく、Y軸方向に一致
させてもよいことはもちろんである。
0は、XYZθテーブル122のY軸方向に沿って設け
られていてもよく、もう1個のリニアセンサを別にY軸
方向に沿って設け、ウエハ1のOF位置をこのリニアセ
ンサに直角に配置してX軸方向に沿った角度補正を行う
ようにしてもよい。以上説明してきたが、実施例におけ
るリニアセンサ120が二次元CCDセンサであっても
よいことはもちろんであり、リニアセンサは、画素対応
に検出素子が所定方向に多数配列された光学センサであ
ればよい。なお、二次元の場合には、一次元に設けた場
合に対してこれと直角方向の検出値の平均値をそれぞれ
採取することが可能である。また、リニアセンサ120
は、検査テーブル12のX軸ではなく、Y軸方向に一致
させてもよいことはもちろんである。
【0024】
【発明の効果】以上の説明のとおり、この発明にあって
は、画素対応配列のエッジ検出センサを設けて、その受
光画素位置からウエハの検査ステージに対する偏心量を
求めて中心位置合わせ手段により中心合わせをした後
に、さらに光学センサの画素対応の検出信号に基づいて
中心座標算出手段により検査ステージに対する中心に対
するウエハの外周の3点の座標を求めてウエハの中心座
標の算出するようにしているので、検査ステージ上での
ウエハの中心位置をより正確にかつ簡単な処理において
求めることができる。したがって、異物検査等によりウ
エハの外周を求めてウエハの中心を演算する必要がなく
なり、プロセッサの処理ロードを低減することができ
る。その結果、再度異物検査をしたときなどに、異物の
位置に誤認を生じたり、顕微鏡などで観測する場合など
において、対象となる異物を探せなかったりするような
危険性が低下し、効率のよい異物検査が可能になる。
は、画素対応配列のエッジ検出センサを設けて、その受
光画素位置からウエハの検査ステージに対する偏心量を
求めて中心位置合わせ手段により中心合わせをした後
に、さらに光学センサの画素対応の検出信号に基づいて
中心座標算出手段により検査ステージに対する中心に対
するウエハの外周の3点の座標を求めてウエハの中心座
標の算出するようにしているので、検査ステージ上での
ウエハの中心位置をより正確にかつ簡単な処理において
求めることができる。したがって、異物検査等によりウ
エハの外周を求めてウエハの中心を演算する必要がなく
なり、プロセッサの処理ロードを低減することができ
る。その結果、再度異物検査をしたときなどに、異物の
位置に誤認を生じたり、顕微鏡などで観測する場合など
において、対象となる異物を探せなかったりするような
危険性が低下し、効率のよい異物検査が可能になる。
【図1】図1は、この発明の異物検査装置の一実施例の
検出光学系を中心とする構成図である。
検出光学系を中心とする構成図である。
【図2】図2は、リニアセンサとウエハと照射光の関係
の説明図である。
の説明図である。
【図3】図3は、ウエハ位置決めと中心座標の検出処理
のフローチャートである。
のフローチャートである。
【図4】図4は、その処理の説明図であって、(a)
は、エッジ検出特性曲線の説明図、(b)は、受光画素
位置の説明図、(c)は、ウエハ上の採られる3点の関
係の説明図である。
は、エッジ検出特性曲線の説明図、(b)は、受光画素
位置の説明図、(c)は、ウエハ上の採られる3点の関
係の説明図である。
【図5】図5(a)〜(d)は、検査ステージに載置す
る前に行われる従来のプリアライメントについて説明図
である。
る前に行われる従来のプリアライメントについて説明図
である。
1…ウエハ、2,11…異物検査光学系、3…検査領
域、10…異物検査装置、12…検査テーブル、13…
データ処理・制御装置、14…テーブル駆動回路、15
…検出光学系、16…投光学系、17…A/D変換回路
(A/D)、18…X方向移動機構、120…リニアセ
ンサ(一次元CCDセンサ)、121…Yテーブル、1
22…XYZθテーブル、131…MPU、132…メ
モリ、133…バス、134…異物検出プログラム、1
35…ウエハ走査プログラム、136…焦点合わせプロ
グラム、151…対物レンズ、152…空間フィルタ、
153…集光レンズ系、154…CCDセンサ、155
…CCD制御・信号読出回路、161…半導体レーザ光
源、162,163…集光レンズ系、164…反射ミラ
ー。
域、10…異物検査装置、12…検査テーブル、13…
データ処理・制御装置、14…テーブル駆動回路、15
…検出光学系、16…投光学系、17…A/D変換回路
(A/D)、18…X方向移動機構、120…リニアセ
ンサ(一次元CCDセンサ)、121…Yテーブル、1
22…XYZθテーブル、131…MPU、132…メ
モリ、133…バス、134…異物検出プログラム、1
35…ウエハ走査プログラム、136…焦点合わせプロ
グラム、151…対物レンズ、152…空間フィルタ、
153…集光レンズ系、154…CCDセンサ、155
…CCD制御・信号読出回路、161…半導体レーザ光
源、162,163…集光レンズ系、164…反射ミラ
ー。
Claims (2)
- 【請求項1】XYθの検査ステージを有する異物検査装
置において、前記検査ステージに載置されたウエハのエ
ッジを検出するために前記検査ステージのX軸あるいは
Y軸のいずれか沿って画素対応に検出素子が多数配列さ
れた光学センサを設け、前記検査ステージを回転させて
前記ウエハの前記検査ステージを中心に対する偏心量を
求めて、この偏心量に応じて前記ウエハの前記検査ステ
ージに対する中心位置合わせをする中心位置合わせ手段
と、前記光学センサの前記検出画素対応の検出信号に基
づいて前記検査ステージに対する中心に対する前記ウエ
ハの外周の3点の座標を求めて前記ウエハの中心座標を
算出する中心座標算出手段とを備え、算出された前記中
心座標を異物検出におけるウエハの中心とする異物検査
装置。 - 【請求項2】前記ウエハは、オリエンティション・フラ
ットを有していて、前記光学センサはリニアセンサであ
り、前記中心位置合わせ手段は、前記偏心量に応じた中
心位置合わせの後に前記オリエンティション・フラット
を前記光学センサの画素配列方向に対して直角になる方
向に位置決めした後に、この直角方向に沿って前記ウエ
ハを移動させて、前記直角方向に対する前記ウエハの傾
き角を求めて前記ウエハの角度ずれを補正するものであ
る請求項1記載の異物検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15670498A JPH11326229A (ja) | 1998-05-21 | 1998-05-21 | 異物検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15670498A JPH11326229A (ja) | 1998-05-21 | 1998-05-21 | 異物検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11326229A true JPH11326229A (ja) | 1999-11-26 |
Family
ID=15633523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15670498A Pending JPH11326229A (ja) | 1998-05-21 | 1998-05-21 | 異物検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11326229A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001349848A (ja) * | 2000-06-12 | 2001-12-21 | Sony Corp | 検査装置及び検査方法 |
| US6768542B2 (en) | 2001-09-19 | 2004-07-27 | Renesas Technology Corp. | Defect inspecting device for substrate to be processed and method of manufacturing semiconductor device |
| WO2004070370A1 (ja) * | 2003-02-07 | 2004-08-19 | Nikon Corporation | ウエハ検査装置 |
| WO2006090891A1 (ja) * | 2005-02-23 | 2006-08-31 | Oht Inc. | 検査装置及び検査方法並びに位置決め方法 |
| US7315373B2 (en) * | 2001-11-14 | 2008-01-01 | Rorze Corporation | Wafer positioning method and device, wafer process system, and wafer seat rotation axis positioning method for wafer positioning device |
| WO2014039863A1 (en) * | 2012-09-09 | 2014-03-13 | Kla-Tencor Corporation | Monitoring incident beam position in a wafer inspection system |
| CN103811387A (zh) * | 2012-11-08 | 2014-05-21 | 沈阳新松机器人自动化股份有限公司 | 晶圆预对准方法及装置 |
| CN115728233A (zh) * | 2022-09-14 | 2023-03-03 | 深圳市智佳能自动化有限公司 | 一种晶圆检测平台及其方法 |
| CN113035734B (zh) * | 2021-02-25 | 2024-03-08 | 北京华卓精科科技股份有限公司 | 一种硅片偏移量确定方法及硅片交接精度检测方法 |
| CN120395890A (zh) * | 2025-06-13 | 2025-08-01 | 上海广川科技有限公司 | 一种机器人工位坐标校准方法及系统、存储介质 |
| CN120971510A (zh) * | 2025-09-23 | 2025-11-18 | 江苏华静地板科技有限公司 | Pvc地板防静电性能智能检测装置及方法 |
-
1998
- 1998-05-21 JP JP15670498A patent/JPH11326229A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001349848A (ja) * | 2000-06-12 | 2001-12-21 | Sony Corp | 検査装置及び検査方法 |
| US6768542B2 (en) | 2001-09-19 | 2004-07-27 | Renesas Technology Corp. | Defect inspecting device for substrate to be processed and method of manufacturing semiconductor device |
| US7315373B2 (en) * | 2001-11-14 | 2008-01-01 | Rorze Corporation | Wafer positioning method and device, wafer process system, and wafer seat rotation axis positioning method for wafer positioning device |
| WO2004070370A1 (ja) * | 2003-02-07 | 2004-08-19 | Nikon Corporation | ウエハ検査装置 |
| WO2006090891A1 (ja) * | 2005-02-23 | 2006-08-31 | Oht Inc. | 検査装置及び検査方法並びに位置決め方法 |
| US8934091B2 (en) | 2012-09-09 | 2015-01-13 | Kla-Tencor Corp. | Monitoring incident beam position in a wafer inspection system |
| WO2014039863A1 (en) * | 2012-09-09 | 2014-03-13 | Kla-Tencor Corporation | Monitoring incident beam position in a wafer inspection system |
| CN103811387A (zh) * | 2012-11-08 | 2014-05-21 | 沈阳新松机器人自动化股份有限公司 | 晶圆预对准方法及装置 |
| CN113035734B (zh) * | 2021-02-25 | 2024-03-08 | 北京华卓精科科技股份有限公司 | 一种硅片偏移量确定方法及硅片交接精度检测方法 |
| CN115728233A (zh) * | 2022-09-14 | 2023-03-03 | 深圳市智佳能自动化有限公司 | 一种晶圆检测平台及其方法 |
| CN115728233B (zh) * | 2022-09-14 | 2023-08-29 | 深圳市智佳能自动化有限公司 | 一种晶圆检测平台及其方法 |
| CN120395890A (zh) * | 2025-06-13 | 2025-08-01 | 上海广川科技有限公司 | 一种机器人工位坐标校准方法及系统、存储介质 |
| CN120971510A (zh) * | 2025-09-23 | 2025-11-18 | 江苏华静地板科技有限公司 | Pvc地板防静电性能智能检测装置及方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20080304734A1 (en) | Alignment correction prio to image sampling in inspection systems | |
| JP2002310929A (ja) | 欠陥検査装置 | |
| JPH07253311A (ja) | パターン検査装置の較正方法、パターン検査方法、パターン位置決定方法、および半導体装置の製造方法 | |
| JP3385994B2 (ja) | 像検出装置 | |
| JPH11326229A (ja) | 異物検査装置 | |
| JPH09186061A (ja) | 位置決め方法 | |
| JP4207302B2 (ja) | バンプ検査方法およびその検査装置 | |
| US7053393B2 (en) | Alignment apparatus for object on stage | |
| JPH08271437A (ja) | 異物検査方法及びその装置 | |
| JP3135063B2 (ja) | 比較検査方法および装置 | |
| JPH05160245A (ja) | 円形基板の位置決め装置 | |
| JP5708501B2 (ja) | 検出方法および検出装置 | |
| JPH0658215B2 (ja) | 半導体ウエハ上の被検査パターンの欠陥検査方法およびその装置 | |
| JP3223483B2 (ja) | 欠陥検査方法とその装置 | |
| JP3316829B2 (ja) | 比較検査方法とその装置 | |
| JP2006010544A (ja) | 異物検査装置および異物検査方法 | |
| JP2000180152A (ja) | 表面検査装置及び表面検査方法 | |
| JP2597711B2 (ja) | 3次元位置測定装置 | |
| JPH08181062A (ja) | 位置決め装置及び位置決め方法 | |
| CN120280383B (zh) | 晶圆寻边扫码方法及装置 | |
| JPH0547901A (ja) | ウエハのアライメント方法 | |
| JPH07190735A (ja) | 光学式測定装置およびその測定方法 | |
| JP2001108637A (ja) | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 | |
| JP2003014438A (ja) | 基板検査装置および基板検査方法 | |
| JP2007292606A (ja) | 表面検査装置 |