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TWI588475B - 使用模板影像匹配在一晶圓上偵測缺陷 - Google Patents

使用模板影像匹配在一晶圓上偵測缺陷 Download PDF

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TWI588475B
TWI588475B TW103100851A TW103100851A TWI588475B TW I588475 B TWI588475 B TW I588475B TW 103100851 A TW103100851 A TW 103100851A TW 103100851 A TW103100851 A TW 103100851A TW I588475 B TWI588475 B TW I588475B
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褚星
珍Ａ 勞伯
Ｊ 瑞克斯 潤永
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克萊譚克公司
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Description

使用模板影像匹配在一晶圓上偵測缺陷
本發明大體上係關於使用模板影像匹配在一晶圓上偵測缺陷。
下文闡述及實例不會憑藉其等包含於此章節中而被認定為先前技術。
在一半導體製造程序期間之各個步驟時使用檢驗程序來在晶圓上偵測缺陷以促進製造程序中之更高良率且因此更高利潤。檢驗一直係製作半導體裝置之一重要部分。然而，隨著半導體裝置之尺寸減小，檢驗對可接受之半導體裝置之成功製造變得更重要，此係因為較小缺陷可導致裝置不合格。
檢驗通常涉及將某些缺陷偵測參數應用於藉由掃描及/或成像一晶圓而產生之輸出。該等缺陷偵測參數可包含被應用於該輸出或該輸出與某一參考輸出之間之一差之一臨限值。可取決於輸出之變化特性(諸如亮度及/或由一裝置之不同區域之粗糙度引起之雜訊)，但通常不取決於檢驗區內之區域之位置而設定不同偵測臨限值。根據在輸出中解析之裝置背景，不存在分開處理輸出中之不同區域之簡單方法。
在檢驗程序期間經常產生超出簡單缺陷偵測外之資訊。例如，經常將所偵測之缺陷分類成不同群組。在一項此實例中，在發現缺陷後，可基於缺陷特性(諸如大小、量值及位置)而將其等分類成不同群 組。亦可基於包含於一拼貼影像(完整影像之一相對小子區段)內之資訊而將缺陷分類。有時，不可單獨地自一拼貼影像而判定在其中發現一缺陷之背景，需要圍繞該缺陷之影像之一更大區段。
相應地，開發不具有上文所闡述之一或多個缺點之用於在一晶圓上偵測缺陷之方法及系統係有利的。
各個實施例之下文闡述不應被解譯為以任何方式來限制隨附申請專利範圍之標的。
一項實施例係關於一種用於在一晶圓上偵測缺陷之電腦實施之方法。該方法包含使用關於形成於該晶圓上之一裝置之資訊來產生一模板影像。該模板影像中之至少某些像素相關聯於具有不同特性之裝置中之區域。該方法亦包含獲取用於該晶圓之一電子束檢驗系統之輸出且基於該模板影像及該輸出中之型樣而將該模板影像匹配至該輸出。另外，該方法包含基於相關聯於匹配該輸出中之像素之模板影像之像素之區域而識別該輸出中之像素位於其內之區域。該方法進一步包含基於像素位於其內之區域而將缺陷偵測參數應用於該輸出中之該等像素以藉此在晶圓上偵測缺陷。由一電腦系統來執行上文所闡述之步驟。
可如本文所闡述來進一步執行上文所闡述之方法之步驟之各者。另外，上文所闡述之方法可包含本文所闡述之任何其他(若干)方法之任何其他(若干)步驟。此外，可由本文所闡述之系統之任何者來執行上文所闡述之方法。
另一實施例係關於一種含有儲存於其中之程式指令用於致使一電腦系統執行用於在一晶圓上偵測缺陷之一電腦實施之方法之非暫時性電腦可讀媒體。該電腦實施之方法包含上文所闡述之方法之步驟。可如本文所闡述來進一步組態該電腦可讀媒體。可如本文中所進一步 闡述來執行該方法之該等步驟。另外，該方法可包含本文中所闡述之任何其他(若干)方法之任何(若干)其他步驟。
另一實施例係關於一種經組態以在一晶圓上偵測缺陷之系統。該系統包含經組態以獲取用於一晶圓之輸出之一電子束檢驗子系統。該系統亦包含經組態以使用關於形成於該晶圓上之一裝置之資訊來產生一模板影像之一電腦子系統。該模板影像中之至少某些像素相關聯於具有不同特性之裝置中之區域。該電腦子系統亦經組態以基於該模板影像及該輸出中之型樣而將該模板影像匹配至該輸出且基於相關聯於匹配該輸出中之像素之模板影像之像素之區域而識別該輸出中之像素位於其內之區域。該電腦子系統經進一步組態以基於該等像素位於其內之區域而將缺陷偵測參數應用於該輸出中之像素以藉此在晶圓上偵測缺陷。可根據本文所闡述之任何(若干)實施例來進一步組態該系統。
10‧‧‧第一區域
12‧‧‧第二區域
14‧‧‧第三區域
16‧‧‧第四區域
18‧‧‧第五區域
20‧‧‧模板影像
22‧‧‧位置
24‧‧‧位置
26‧‧‧檢驗影像
28‧‧‧電腦可讀媒體
30‧‧‧程式指令
32‧‧‧電腦系統
34‧‧‧電子束檢驗子系統
36‧‧‧電腦子系統
受益於較佳實施例之以下詳細闡述且參考附圖，熟習此項技術者將明白本發明之進一步優點，其中：圖1係繪示可根據本文所闡述之實施例產生之一模板影像之一項實施例之一平面圖之一示意圖；圖2係繪示將一模板影像匹配至由一電子束檢驗系統產生之輸出之一項實施例之一示意圖；圖3係繪示一非暫時性電腦可讀媒體之一項實施例之一方塊圖；及圖4係繪示經組態以在一晶圓上偵測缺陷之一系統之一項實施例之一方塊圖。
雖然本發明存在多種修改及替代形式，但在圖式中以舉例方式展示且在本文中詳細闡述其具體實施例。該等圖式未按比例。然而應 瞭解，該等圖式及其詳細闡述並非意欲將本發明限制於所揭示之特定形式，但相反，本發明將包含落入如隨附申請專利範圍所定義之本發明之精神及範疇內之所有修改、等效物及替代物。
現在轉向圖式，應注意，圖未按比例繪製。特定而言，大幅地放大該等圖中之某些元件之比例以強調該等元件之特性。亦應注意，該等圖未按相同比例繪製。已使用相同元件符號來指示一個以上圖中所展示之可被類似地組態之元件。
一項實施例係關於一種用於在一晶圓上偵測缺陷之電腦實施之方法。該方法包含使用關於形成於一晶圓上之一裝置之資訊來產生一模板影像。該模板影像中之至少某些像素相關聯於具有不同特性之裝置中之區域。因此，該方法根據裝置背景來將待檢驗之一半導體裝置分割成不同所關注區(ROI)。接著，可將該裝置背景(或其一區段)再現成適合於檢驗之一模板影像。
裝置中之區域之不同特性可包含該等區域在最終製造之裝置中將具有之不同電特性。例如，如本文中所進一步闡述，一裝置之一陣列區內之不同接觸件在完成之裝置中可具有不同電功能且因此可具有不同電特性。可將具有相同電功能之接觸件之各者分組至一個區域中而不同區域中之接觸件之電功能可係不同。可將其他不同裝置元件類似地分組。例如，各接觸件(不管其區域)可處於不同於使該等接觸件彼此電絕緣之介電材料之一區域中。
在一項實施例中，資訊包含裝置之設計資料。例如，裝置背景可以一裝置佈局設計資料庫(例如，GDSII檔案)之形式獲得且可包含此項技術中已知之任何設計資訊。在另一實施例中，該資訊包含形成於晶圓上之裝置之一高解析度影像。例如，可以待檢驗之裝置之相對高解析度影像之形式來獲得裝置背景資訊。本文中所使用之一「高解 析度影像」大體上係指在其中解析(且較佳相對良好地解析)晶圓上之型樣之任何影像，使得可自具有相對高精確度之影像來判定關於形成於該晶圓上之裝置之型樣之資訊。可使用(例如)一電子束檢驗系統來獲取形成於一晶圓上之一裝置之型樣之高解析度影像。以此方式，可自一相對良好品質影像以實驗方式導出該背景。
在一項實施例中，該方法包含在獲取如本文所進一步闡述之輸出之前判定模板影像中之像素所相關聯於之區域。例如，該方法可在晶圓之檢驗之前將半導體裝置分割成不同ROI。接著，可將模板影像與不同區域之資訊一起儲存至可由檢驗系統(其將執行晶圓之檢驗)存取之某一檔案或資料結構中。另外，該模板影像及相關聯資訊可用於一個以上晶圓之檢驗。
在另一實施例中，該方法包含基於裝置之特性、所關注缺陷(DOI)、已知損害缺陷或其等之某一組合來判定模板影像中之像素相關聯於之區域。例如，可形成分割方案以基於裝置物理性、此刻之DOI及/或主導損害之存在來將裝置背景分割成多個區域。在諸多情況中，一胞或一裝置內之DOI之位置像雜訊及/或損害之位置一樣係已知的。此資訊可用於將該模板影像中之區域分離成對應於DOI之區域及不對應於DOI之區域。可利用基於設計之熱點分析軟體之援助來構想基於裝置背景之分割方案。另外，自一所提取之單元胞背景，使用者可標記出所關注區，且此等所關注區可係在檢驗期間待用於檢驗缺陷之僅有區域。然而，該等區域之判定可係全自動的。
在一項實施例中，該等區域中之至少一者僅對應於裝置之一重複記憶胞結構內之一單個接觸件。例如，區域可小如一重複記憶胞結構內之個別接觸件。另外，該等區域中之一或多者可小如一接觸件或小如該裝置中之任何其他特徵或結構，而其他區域可包含一個以上特性、一層等。
在另一實施例中，區域中之至少某些區域對應於裝置之一重複記憶胞結構內之不同類型之接觸件。例如，圖1展示可用於一記憶胞結構之一檢驗之一模板影像之一項實施例。如本文所進一步闡述，可自一設計資料庫或自一高解析影像來識別一單元胞之裝置背景。圖1中所展示之分割方案可將該裝置之此部分中之結構分割成背景介電質、不同群組之接觸件及將係不同區域之背景內之特定位置。例如，如圖1中所展示，具有一個類型之一個接觸件群組可被識別為係ROI或DOI區之第一區域10。具有不同於該第一群組之一第二類型之另一接觸件群組可被識別為亦係ROI或DOI區之第二區域12。具有不同於第一及第二群組之一第三類型之另一接觸件群組可被識別為並非ROI之第三區域14。例如，此接觸件群組可為無DOI位於其中或附近之接觸件。第四區域16可被識別為可能含有DOI之某些所關注接觸件附近之位置。介電背景可被識別為並非一所關注區域之第五區域18。接著，可將裝置背景再现成適合於與來自即將到來之檢驗之影像匹配之一模板影像，該即將到來之檢驗可如本文所進一步闡述來執行。
在某些實施例中，該等區域中之至少一者對應於介於裝置之一重複記憶胞結構中之接觸件之間之一個氧化物區，且不針對該氧化物區執行如本文中所進一步闡述之應用缺陷偵測參數。例如，某些區域可被自檢驗排除(諸如接觸件之間之氧化物區)。在圖1中所展示之實例中，包含介於一重複記憶胞結構中之接觸件之間之介電背景之第五區域18可被指示為一非ROI且可不針對位於該區域中之像素執行缺陷偵測。
如本文中所闡述，可基於裝置中之特性之電特性、已知DOI及已知損害來界定該等區域。因此，可將可產生具有類似特性(例如、雜訊、信號、信雜比、亮度、對比度及任何其他影像、信號或資料特性)之檢驗系統中之輸出之區域分成不同區域。換言之，不同於可基 於影像特性來分離像素之其他方法，本文中所闡述之實施例可無需考量區域如何影響檢驗系統輸出而將至少某些檢驗區分成區域。
在另一實施例中，該方法包含使用關於裝置之資訊來產生多個模板影像，且該多個模板影像之各者經產生以用於本文所進一步闡述之電子束檢驗系統之多個像素大小及光學條件中之一者。例如，可將模板影像(即所提取之單元胞背景)再現成檢驗系統之像素大小(即正確像素大小)。另外，可將一相對高解析度模板單元胞再現以用於多個像素大小及/或光學條件中。以此方式，可將該模板影像再現以模擬對應於該模板影像之裝置之部分將如何展現至檢驗系統以藉此提高方法將該模板影像正確地匹配至該檢驗系統之輸出之能力。另外，當存在一個以上模板影像(其等之各者對應於該檢驗系統之不同像素大小及/或其他光學條件)時，可在檢驗初基於在將用於晶圓之檢驗之檢驗處方中之檢驗系統之參數選擇正確模板影像。
該方法亦包含獲取用於晶圓之一電子束檢驗系統之輸出。獲取該輸出可包含實際上執行該晶圓之一檢驗(例如，藉由使用電子束檢驗系統來掃描該晶圓)。然而，獲取該輸出可不包含在該晶圓上執行一檢驗。例如，獲取該輸出可包含自由另一方法或電子束檢驗系統將該輸出儲存於其中之一儲存媒體來獲取該輸出。該檢驗可包含任何適合檢驗，其包含本文中所進一步闡述之彼等檢驗之任何者。該輸出可包含可由一檢驗程序或系統產生之任何或全部輸出。
該方法進一步包含基於模板影像及輸出中之型樣而將該模板影像匹配至該輸出。例如，在該檢驗程序期間，將裝置背景模板影像匹配至所獲取之輸出(例如，一或若干檢驗影像)以在檢驗影像內判定該背景(例如，各單元胞背景)之位置。特定而言，型樣匹配可用於在該裝置之陣列區域或另一區域內定位對應於模板影像之裝置之單元胞或部分。在一項此實施例中(如圖2中所展示)，可將模板影像20移動至 檢驗影像26內之各個位置22及24直至發現一匹配。例如，模板影像20在位置22處與檢驗影像重疊且因為未發現該模板影像中之型樣與該檢驗影像之彼部分之一匹配，該模板影像可在其他位置(位置24，其中在型樣之間發現一匹配)處與該檢驗影像重疊。
如圖2中所展示，模板影像可小於檢驗影像使得該檢驗影像含有足夠像素使得可在該模板影像與該檢驗影像之間發現一匹配。另外，如圖2中所展示，該檢驗影像之多個部分可匹配該模板影像。如此，可在該檢驗影像與該模板影像之不同部分之間搜尋且發現多個匹配或可在該檢驗影像與該模板影像之間發現一匹配之一個例項且接著可將該匹配傳播通過檢驗影像，如本文所進一步闡述。
如圖2中所進一步展示，模板影像可包含關於該模板影像內之不同區域(即，各種接觸件指派給其之不同區域)之資訊。然而，可將該模板影像及關於不同區域之資訊儲存於不同資料結構中(例如，若關於不同區域之資訊將使匹配步驟更困難)。
在不能發現一「完美」匹配之情形中，可宣告模板影像與電子束檢驗系統之輸出之間之一匹配。例如，「匹配」可包含搜尋「完美匹配」且亦在一定範圍之不確定或錯誤中匹配。以此方式，可在考量電子束檢驗系統之輸出可由於晶圓本身中之變動(其可由(例如)用於在晶圓上形成型樣之程序之參數中之變動導致)而變化之事實之同時執行該匹配。
在一項實施例中，模板影像對應於裝置之一陣列區域內之一單元胞，且將該模板影像匹配至輸出包含基於型樣而將該模板影像匹配至對應於陣列區域中之一個單元胞之輸出中之像素且基於關於該單元胞及該陣列區域之資訊而將該匹配傳播遍及該陣列區域。例如，可利用陣列胞大小及一小搜尋範圍來將單元胞傳播遍及陣列區域。換言之，若該模板影像對應於一個單元胞，則因為陣列區域由多個單元胞 組成，一旦在該模板影像與該輸出之某一部分之間發現一匹配，則該模板影像將被匹配至該輸出中之一個單元胞。接著，可將關於該陣列區域中之該等單元胞之尺寸及配置之資訊用於識別該輸出中之其他單元胞而不執行匹配。以此方式傳播匹配可係有利的，因為其可使檢驗程序整體加速，且在其中晶圓性質跨越同一陣列區域中之單元胞而變化之例項中，以此方式傳播匹配可提高可識別輸出中之單元胞之位置之精確度。
在另一實施例中，模板影像對應於裝置之一陣列區域內之一單元胞，且針對該陣列區域中之一關注區內之一整列及行之單元胞執行將該模板影像匹配至輸出。例如，在「智慧」陣列檢驗中，可針對該陣列關注區內之一整列及行之胞執行該模板影像至檢驗像素之型樣匹配。可藉由本文中所闡述之實施例或者另一方法或系統以任何適合方式來判定陣列關注區。
在某些實施例中，模板影像對應於裝置之一陣列區域內之一單元胞，且針對該陣列區域內之每個單元胞執行匹配。例如，對於陣列即時對準(RTA)，可針對陣列區域內部之每個單元胞執行型樣匹配。另外，可在x及y方向皆執行對準(類似於多重分割對準(MS))。
該方法亦包含基於相關聯於匹配輸出中之像素之模板影像中之像素之區域而識別輸出中之像素位於其內之區域。以此方式，在檢驗期間，根據影像中解析之裝置背景之細節來識別不同區域之位置。接著，可將該影像中之各像素分配至預定區域中之一者。以此方式，執行裝置背景之再現及匹配以用於在檢驗影像內識別背景之位置之目的。另外，可在缺陷偵測之前執行該檢驗影像之基於裝置背景之分割。如此，本文中所闡述之實施例可用於在使用檢驗影像中之像素執行檢驗之前將彼等像素「方格化」。
在一項實施例中，識別區域包含將一區域分割方案重疊至匹配 模板影像之輸出中之像素上。例如，一旦獲得檢驗影像內之背景之位置，則可將區域分割方案重疊於該檢驗影像上以將該檢驗影像中之全部像素分割成不同區域。另外，一旦獲得各單元胞背景之位置，則可以任何其他方式來應用該區域分割方案且可將該檢驗影像中之全部像素分割成適當區域。
該方法亦包含基於像素位於其內之區域而將缺陷偵測參數應用於輸出中之像素以藉此在晶圓上偵測缺陷。以此方式，本文中所闡述之實施例經組態以用於背景敏感電子束晶圓檢驗。例如，可使用適合於各個別區域之不同缺陷偵測方法來分開處理不同區域中之像素。在一項此實例中，可利用不同偵測方法來處理各區域中之像素或完全忽略(若需要)。例如，可存在多個所關注區群組，且各群組可具有其自己之臨限值、缺陷偵測方法或缺陷偵測參數。在另一實例中，在背景區域之檢驗期間，因為一胞內之各特性之精確位置由於本文中所闡述之匹配而係已知的，可將該等區域之各者個別地直方圖化且利用其等之個別臨限值方法及參數來將其個別地檢驗。另外，某些區可被標記為背景且將不被檢驗。
以此方式，背景敏感檢驗(CSI)可利用一裝置內之一陣列區域內或任何其他區域之一單元胞之設計知識來在其中預期出現DOI之敏感位置處執行特定ROI之目標檢驗。另外，本文所闡述之實施例可用於判定一細長影像內之各單元胞之位置及該胞內之ROI之位置使得僅需要檢驗可能關注之胞之部分而忽略非所關注背景區。以此方式，可僅檢驗使用者界定之所關注區內之像素之缺陷。因此，此等區外部之損害不會減小DOI之信雜比且不需要方格化來過濾掉。如此，本文所闡述之實施例為一使用者提供基於裝置背景之設計知識來執行目標檢驗之一合理方式。另外，檢驗影像之分割為使用者提供客制化各區域之檢驗以藉此可能以新的方式來抑制損害缺陷且改良DOI之檢驗敏感度 之靈活性。此外，光學選擇可利用由本文中所闡述之方法引起之減少之損害偵測而僅增加DOI之信雜比，其中無需抑制不相關之損害。在一項此實例中，本文中所闡述之實施例可與光學選擇器(其可如於2011年12月6日頒予Fischer等人之美國專利第8,073,240號(該案以宛如全文闡述引用之方式併入本文中)來組態及/或執行)及甚至影像最佳化一起使用，其中調節檢驗系統之增益以最大化ROI之對比度。
在一項實施例中，缺陷偵測參數包含是否在區域中之一或多者中執行缺陷偵測及用於將在其中執行缺陷偵測之區域之取決於像素位於其中之區域之一臨限值，且將該臨限值應用於輸出中之像素與參考像素之間之一差。例如，在已將區域分割方案應用於檢驗影像中之像素之後，可僅在預定DOI區域(各具有其自己之偵測臨限值)上執行缺陷偵測，同時忽略來自背景介電質及非DOI區域之全部資訊。可個別地設定各區域之偵測臨限值。在一項此實例中，已知一胞之佈局，可給各接觸件指派具有其自己之臨限值之其自己之區域。可利用相對高敏感度來檢驗其中預期一相對小DOI之區域，而可解諧可含有大量洩漏損害缺陷之其他區域。另外，含有明顯雜訊之區域可在其等壓倒一缺陷偵測演算法之前被排除。因此，可明顯降低其他區域中之臨限值，其可使得可偵測DOI或最佳化DOI之偵測。
在一項此實例中，可將利用電子束檢驗系統光學器件而相對良好地解析之一記憶體結構分割成個別接觸件類型(諸如PMOS/NMOS/位元線或字元線接觸件等)。可個別地設定此等接觸件之各者之臨限值。例如，若一接觸件類型易於產生由洩漏引起之灰度變動(其被視為一損害)，則其偵測臨限值可被解諧以便損害不會壓倒檢驗結果。此等洩漏證實之接觸件之分割亦防止洩漏信號影響來自其他區域之偵測敏感度，其可顯著改良對用戶所關注之缺陷類型之整體檢驗敏感度。
在另一實施例中，應用缺陷偵測參數包含將對應於裝置之一陣列區域中之多個單元胞之輸出中之多個像素求平均以產生一參考影像、自對應於該多個單元胞中之一者之輸出中之一測試影像減去參考影像以產生一差影像及基於該差影像中之像素位於其內之區域而將缺陷偵測參數應用於該差影像。例如，為胞平均，可將相鄰胞求平均以用於一相對低雜訊參考影像而不會限制對準。來自上方及下方之胞亦可用於求平均中。
在一項實施例中，該方法包含使所偵測之缺陷自動地相關聯於其等位於其中之區域。換言之，可使如本文所闡述之所偵測之缺陷自動地相關聯於其等於其中被偵測之區域。例如，可將本文所闡述之檢驗中所偵測之全部缺陷相關聯於單元胞背景內之一特定區域及相對位置。
接著，上文所闡述之資訊可用於進一步分類缺陷。例如，在另一實施例中，該方法包含基於所偵測之缺陷位於其中之區域來將其分類。以此方式，在一檢驗期間所偵測之任何缺陷可藉由在其中發現該缺陷之區域自動地分類。如此，關於在其中偵測缺陷之區域之資訊可用於進一步分類缺陷。另外，分類所偵測之缺陷可包含使用各缺陷之背景內區域及位置資訊(自基於裝置背景之分割自動地獲得)以用於缺陷分類之目的。以此方式，可根據基於裝置背景之區域及/或位置分類在檢驗期間所偵測之缺陷以藉此更快地給使用者提供關於設計之有用資訊。
在某些實施例中，裝置中之各接觸件類型相關聯於區域中之一不同者，且該方法包含顯示各接觸件類型中所偵測之缺陷之密度。例如，所偵測之缺陷可基於其等位於其內之模板影像中之區域而藉由區域自動地方格化。因此，產生各缺陷類型之晶圓圖將係繁瑣的。另外，可將每個接觸件類型設定為其自己之ROI。在檢驗之後，可以任 何適合方式來顯示各接觸件類型之缺陷密度。在一項此實例中，可顯示PMOS接觸件缺陷、位元線接觸件歪曲缺陷、位元線接觸件斷開缺陷、字元線接觸件斷開缺陷及/或NMOS S/D接觸件斷開缺陷之缺陷密度。
使用一電腦系統(其可如本文所進一步闡述來組態)來執行產生模板影像、獲取輸出、將模板影像匹配至輸出、識別區域及應用缺陷偵測參數。
儘管本文關於一裝置之記憶胞部分來闡述方法之某些步驟，但可針對晶圓之非記憶胞部分執行類似操作(若相關設計資料庫可用)。
本文中所闡述之全部方法可包含將方法實施例之一或多個步驟之結果儲存於一非暫時性電腦可讀儲存媒體中。該等結果可包含本文中所闡述之結果之任何者且可以此項技術中已知之任何方式儲存。該儲存媒體可包含本文中所闡述之任何儲存媒體或此項技術中已知之任何其他適合儲存媒體。在已儲存結果之後，該等結果可在儲存媒體中被存取且由本文中所闡述之方法或系統實施例之任何者來使用、格式化以用於向一使用者顯示、由另一軟體模組、方法或系統使用等。
上文所闡述之方法之實施例之各者可包含本文中所闡述之任何其他(若干)方法之任何其他(若干)步驟。另外，可由本文中所闡述之系統之任何者來執行上文中所闡述之方法之實施例之各者。
另一實施例係關於含有儲存於其中之程式指令用於致使一電腦系統執行用於在一晶圓上偵測缺陷之一電腦實施之方法之一非暫時性電腦可讀媒體。圖3中展示此一電腦可讀媒體之一項實施例。特定而言，電腦可讀媒體28含有儲存於其中之程式指令30用於致使電腦系統32執行用於在一晶圓上偵測缺陷之一電腦實施之方法。
該電腦實施之方法包含本文中所闡述之方法之步驟。該電腦實施之方法亦可包含本文中所闡述之任何其他(若干)方法之任何其他(若 干)步驟。另外，可如本文中所闡述來進一步組態該電腦可讀媒體。
可將實施例如本文中所闡述方法之方法之程式指令30儲存於電腦可讀媒體28上。該電腦可讀媒體可係一非暫時性電腦可讀儲存媒體(諸如一磁碟或光碟、一磁帶或此項技術中已知之任何其他適合之非暫時性電腦可讀媒體)。
可以各種方式(包含基於程序之技術、基於組件之技術及/或物件導向技術及其他技術)之任何者來實施程式指令。例如，可使用ActiveX控制項、C++目標、JavaBeans、微軟基礎類(「MFC」)或者其他技術或方法(視需要)來實施程式指令。
電腦系統32可採取各種形式，其包含一個人電腦系統、大型電腦系統、工作站、影像電腦、並行處理器或此項技術中已知之任何其他裝置。一般而言，術語「電腦系統」可被廣泛地定義為涵蓋具有執行來自一記憶媒體之指令之一或多個處理器之任何裝置。
圖4繪示經組態以在一晶圓上偵測缺陷之一系統之一項實施例。該系統包含經組態以獲取用於一晶圓之輸出之電子束檢驗子系統34。該電子束檢驗子系統可包含一現有檢驗子系統(例如，藉由將本文中所闡述之功能性添加至一現有檢驗系統)，諸如市場上可購自KLA-Tencor之檢驗工具之任何者。對於某些此系統，可提供本文中所闡述之方法作為該系統之選用功能性(例如，除該系統之其他功能性外)。另一選擇係，可「自零開始」設計本文中所闡述之系統來提供一完全新的系統。
根據本文中所闡述之實施例之任何者，該系統亦包含經組態以使用關於形成於晶圓上之一裝置之資訊來產生一模板影像之電腦子系統36。如本文所進一步闡述，模板影像中之至少某些像素相關聯於具有不同特性之裝置中之區域。該電腦子系統亦經組態以基於模板影像及輸出中之型樣而將模板影像匹配至輸出，其可根據本文所進一步闡 述之實施例之任何者來執行。另外，該電腦子系統經組態以基於相關聯於匹配輸出中之像素之模板影像之像素之區域來識別輸出中之像素位於其內之區域，其可根據本文中所進一步闡述之實施例之任何者來執行。該電腦子系統經進一步組態以基於像素位於其內之區域來將缺陷偵測參數應用於輸出中之像素以藉此在晶圓上偵測缺陷，其可根據本文所進一步闡述之實施例之任何者來執行。該電腦子系統及該系統可經進一步組態以執行本文所闡述之任何(若干)方法之任何其他(若干)步驟。
鑒於此闡述，熟習此項技術者將明白本發明之各個態樣之其他修改及替代實施例。例如，提供用於在一晶圓上偵測缺陷之方法及系統。相應地，此闡述應理解為僅僅繪示性的且用於教示熟習此項技術者實施本發明之一般方式之目的。應瞭解，應將本文中所展示及闡述之本發明之形式視為目前較佳的實施例。元件及材料可替換本文中所繪示及闡述之彼等元件及材料，可顛倒部件及程序，且可獨立地利用本發明之某些特徵，一熟習此項技術者在受益於本發明之此闡述之后後將明白全部。在不脫離以下申請專利範圍中所闡述之本發明之精神及範疇之情況下，可改變本文中所闡述之元件。
10‧‧‧第一區域
12‧‧‧第二區域
14‧‧‧第三區域
16‧‧‧第四區域
18‧‧‧第五區域

Claims (35)

  1. 一種用於在一晶圓上偵測缺陷之電腦實施之方法，其包括：使用關於形成於一晶圓上之一裝置之資訊來產生一模板影像，其中該模板影像中之至少某些像素相關聯於具有不同特性之該裝置中之區域；獲取用於該晶圓之一電子束檢驗系統之輸出；在獲取該輸出之前將該模板影像分離成對應於該裝置中之不同區域的不同區域；基於在獲取該輸出之前的該分離之結果來判定該模板影像中之該等像素位於該裝置中之該等不同區域之何者中；基於該模板影像及該輸出中之型樣來將該模板影像匹配至該輸出；基於匹配該輸出中之該等像素之該模板影像之該等像素及該模板影像之該等像素位於其中之該裝置中之該等不同區域來識別該輸出中之該等像素位於其內之該裝置中之該等區域，其中該產生、該獲取、該分離、該判定、該匹配及該識別係在針對該晶圓執行之缺陷偵測之前執行；及基於該輸出中之該等像素位於其內之該裝置中之該等區域來將缺陷偵測參數應用於該輸出中之該等像素以藉此偵測該晶圓上的缺陷，其中使用一電腦系統來執行該產生、該獲取、該分離、該判定、該匹配、該識別及該應用。
  2. 如請求項1之方法，其中該資訊包括用於該裝置之設計資料。
  3. 如請求項1之方法，其中該資訊包括形成於該晶圓上之該裝置之一高解析度影像。
  4. 如請求項1之方法，其中判定該模板影像中之該等像素位於該裝 置中之該等不同區域之何者中係基於裝置之性質、所關注缺陷、已知損害缺陷或其等之某一組合來執行。
  5. 如請求項1之方法，其中該裝置中之該等區域中之至少一者僅對應於該裝置之一重複記憶胞結構內之一單個接觸件。
  6. 如請求項1之方法，其中該裝置中之該等區域中之至少某些區域對應於該裝置之一重複記憶胞結構內之不同類型之接觸件。
  7. 如請求項1之方法，其中該裝置中之該等區域中之至少一者對應於該裝置之一重複記憶胞結構中之接觸件之間之一個氧化物區，且其中不針對該氧化物區執行該應用。
  8. 如請求項1之方法，其進一步包括使用關於該裝置之該資訊來產生多個模板影像，其中該多個模板影像之各者係針對於該電子束檢驗系統之多個像素大小及光學條件中之一者而產生。
  9. 如請求項1之方法，其中該模板影像對應於該裝置之一陣列區域內之一單元胞，且其中該匹配包括基於該等型樣而將該模板影像匹配至對應於該陣列區域中之一個單元胞之輸出中之像素及基於關於該單元胞及該陣列區域之資訊而將該匹配傳播遍及該陣列區域。
  10. 如請求項1之方法，其中該模板影像對應於該裝置之一陣列區域內之一單元胞，且其中針對該陣列區域中之一關注區內之一整個列及行之單元胞執行該匹配。
  11. 如請求項1之方法，其中該模板影像對應於該裝置之一陣列區域內之一單元胞，且其中針對該陣列區域內之每個單元胞執行該匹配。
  12. 如請求項1之方法，其中該識別包括將一區域分割方案重疊至匹配該模板影像之該輸出中之該等像素上。
  13. 如請求項1之方法，其中該等缺陷偵測參數包括是否在該裝置中 之該等區域中之一或多者中執行缺陷偵測，及用於將在其中執行該缺陷偵測之該裝置中之該等區域之取決於該輸出中之該等像素位於其中之該裝置中之該等區域之一臨限值，且其中該臨限值待被應用於該輸出中之該等像素與參考像素之間之一差。
  14. 如請求項1之方法，其中該應用包括將對應於該裝置之一陣列區域中之多個單元胞之該輸出中之多個像素求平均以產生一參考影像、自對應於該多個單元胞中之一者之該輸出中之一測試影像減去該參考影像以產生一差影像，及基於該差影像中之像素位於其中之該裝置中之該等區域而將該等缺陷偵測參數應用於該差影像。
  15. 如請求項1之方法，其進一步包括使該等所偵測之缺陷自動地相關聯於其等位於其中之該裝置中之該等區域。
  16. 如請求項1之方法，其進一步包括基於所偵測之該等缺陷位於其中之該裝置中之該等區域而將所偵測之該等缺陷分類。
  17. 如請求項1之方法，其中該裝置中之各接觸件類型相關聯於該裝置中之該等區域中之一不同者，該方法進一步包括顯示該各接觸件類型中之所偵測之缺陷之密度。
  18. 一種非暫時性電腦可讀媒體，其含有儲存於其中之程式指令用於致使一電腦系統執行用於在一晶圓上偵測缺陷之一電腦實施之方法，其中該電腦實施之方法包括：使用關於形成於一晶圓上之一裝置之資訊來產生一模板影像，其中該模板影像中之至少某些像素相關聯於具有不同特性之該裝置之區域；獲取用於該晶圓之一電子束檢驗系統之輸出；在獲取該輸出之前將該模板影像分離成對應於該裝置中之不同區域的不同區域； 基於在獲取該輸出之前的該分離之結果來判定該模板影像中之該等像素位於該裝置中之該等不同區域之何者中；基於該模板影像及該輸出中之型樣而將該模板影像匹配至該輸出；基於匹配於該輸出中之該等像素之該模板影像之該等像素及該模板影像之該等像素位於其中之該裝置中之該等不同區域來識別該輸出中之該等像素位於其中之該裝置中之該等區域，其中該產生、該獲取、該分離、該判定、該匹配及該識別係在針對該晶圓執行之缺陷偵測之前執行；及基於該輸出中之該等像素位於其內之該裝置中之該等區域來將缺陷偵測參數應用於該輸出中之該等像素以藉此在該晶圓上偵測缺陷。
  19. 一種經組態以在一晶圓上偵測缺陷之系統，其包括：一電子束檢驗子系統，其經組態以獲取用於一晶圓之輸出；及一電腦子系統，其經組態以：使用關於形成於該晶圓上之一裝置之資訊來產生一模板影像，其中該模板影像中之至少某些像素相關聯於具有不同特性之該裝置中之區域；在藉由該電子束檢驗子系統獲取該輸出之前將該模板影像分離成對應於該裝置中之不同區域的不同區域；基於在藉由該電子束檢驗子系統獲取該輸出之前將該模板影像分離成該等不同區域的結果來判定該模板影像中之該等像素位於該裝置中之該等不同區域之何者中；基於該模板影像及該輸出中之型樣而將該模板影像匹配至該輸出； 基於匹配該輸出中之該等像素之該模板影像之該等像素及該模板影像之該等像素位於其中之該裝置中之該等不同區域而識別該輸出中之該等像素位於其內之該裝置中之該等區域，其中該電腦子系統進一步經組態以產生該模板影像、分離該模板影像、判定該等不同區域之何者、匹配該模板影像及在針對該晶圓執行缺陷偵測之前識別該等區域；及基於該輸出中之該等像素位於其內之該裝置中之該等區域而將缺陷偵測參數應用於該輸出中之該等像素以藉此在該晶圓上偵測缺陷。
  20. 如請求項19之系統，其中該資訊包括用於該裝置之設計資料。
  21. 如請求項19之系統，其中該資訊包括形成於該晶圓上之該裝置之一高解析度影像。
  22. 如請求項19之系統，其中該電腦子系統進一步經組態以基於裝置之性質、所關注缺陷、已知損害缺陷或其等之某一組合來判定該模板影像中之該等像素位於該裝置中之該等不同區域之何者中。
  23. 如請求項19之系統，其中該裝置中之該等區域中之至少一者僅對應於該裝置之一重複記憶胞結構內之一單個接觸件。
  24. 如請求項19之系統，其中該裝置中之該等區域中之至少某些區域對應於該裝置之一重複記憶胞結構內之不同類型之接觸件。
  25. 如請求項19之系統，其中該裝置中之該等區域中之至少一者對應於該裝置之一重複記憶胞結構中之接觸件之間之一個氧化物區，且其中該等缺陷偵測參數不應用於該氧化物區內之該等像素。
  26. 如請求項19之系統，其中該電腦子系統進一步經組態以使用關於該裝置之該資訊來產生多個模板影像，且其中該多個模板影 像之各者係針對於該電子束檢驗系統之多個像素大小及光學條件中之一者而產生。
  27. 如請求項19之系統，其中該模板影像對應於該裝置之一陣列區域內之一單元胞，且其中該電腦子系統進一步經組態以藉由基於該等型樣而將該模板影像匹配至對應於該陣列區域中之一個單元胞之輸出中之像素及基於關於該單元胞及該陣列區域之資訊而將該匹配傳播遍及該陣列區域，來將該模板影像匹配至該輸出。
  28. 如請求項19之系統，其中該模板影像對應於該裝置之一陣列區域內之一單元胞，且其中該電腦子系統進一步經組態以針對該陣列區域中之一關注區內之一整個列及行之單元胞而將該模板影像匹配至該輸出。
  29. 如請求項19之系統，其中該模板影像對應於該裝置之一陣列區域內之一單元胞，且其中該電腦子系統進一步經組態以針對該陣列區域內之每個單元胞而將該模板影像匹配至該輸出。
  30. 如請求項19之系統，其中該電腦子系統進一步經組態以藉由將一區域分割方案重疊至匹配該模板影像之該輸出中之該等像素上，來識別該輸出中之該等像素位於其內之該等區域。
  31. 如請求項19之系統，其中該等缺陷偵測參數包括是否在該裝置中之該等區域中之一或多者中執行缺陷偵測，及用於將在其中執行該缺陷偵測之該裝置中之該等區域之取決於該輸出中之該等像素位於其中之該裝置中之該等區域之一臨限值，且其中該臨限值待被應用於該輸出中之該等像素與參考像素之間之一差。
  32. 如請求項19之系統，其中該電腦子系統進一步經組態以藉由將對應於該裝置之一陣列區域中之多個單元胞之該輸出中之多個 像素求平均以產生一參考影像、自對應於該多個單元胞中之一者之該輸出中之一測試影像減去該參考影像以產生一差影像，及基於該差影像中之像素位於其中之該裝置中之該等區域而將該等缺陷偵測參數應用於該差影像，來應用該等缺陷偵測參數。
  33. 如請求項19之系統，其中該電腦子系統進一步經組態以使該等所偵測之缺陷自動地相關聯於其等位於其中之該裝置中之該等區域。
  34. 如請求項19之系統，其中該電腦子系統進一步經組態以基於所偵測之該等缺陷位於其中之該裝置中之該等區域而將所偵測之該等缺陷分類。
  35. 如請求項19之系統，其中該裝置中之各接觸件類型相關聯於該裝置中之該等區域中之一不同者，且其中該電腦子系統進一步經組態以顯示該各接觸件類型中之所偵測之缺陷之密度。
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Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7570796B2 (en) 2005-11-18 2009-08-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data
US9659670B2 (en) 2008-07-28 2017-05-23 Kla-Tencor Corp. Computer-implemented methods, computer-readable media, and systems for classifying defects detected in a memory device area on a wafer
US9768082B2 (en) * 2009-02-13 2017-09-19 Hermes Microvision Inc. Method and machine for examining wafers
US9189844B2 (en) 2012-10-15 2015-11-17 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer using defect-specific information
WO2014149197A1 (en) * 2013-02-01 2014-09-25 Kla-Tencor Corporation Detecting defects on a wafer using defect-specific and multi-channel information
US9865512B2 (en) 2013-04-08 2018-01-09 Kla-Tencor Corp. Dynamic design attributes for wafer inspection
US9310320B2 (en) 2013-04-15 2016-04-12 Kla-Tencor Corp. Based sampling and binning for yield critical defects
US10373470B2 (en) * 2013-04-29 2019-08-06 Intelliview Technologies, Inc. Object detection
US9293298B2 (en) * 2013-12-23 2016-03-22 Kla-Tencor Corp. Defect discovery and inspection sensitivity optimization using automated classification of corresponding electron beam images
US9613411B2 (en) * 2014-03-17 2017-04-04 Kla-Tencor Corp. Creating defect classifiers and nuisance filters
CA2847707C (en) 2014-03-28 2021-03-30 Intelliview Technologies Inc. Leak detection
US9766187B2 (en) * 2014-08-27 2017-09-19 Kla-Tencor Corp. Repeater detection
US9727047B2 (en) * 2014-10-14 2017-08-08 Kla-Tencor Corp. Defect detection using structural information
US10267746B2 (en) 2014-10-22 2019-04-23 Kla-Tencor Corp. Automated pattern fidelity measurement plan generation
US10535131B2 (en) 2015-11-18 2020-01-14 Kla-Tencor Corporation Systems and methods for region-adaptive defect detection
US10365639B2 (en) * 2016-01-06 2019-07-30 Kla-Tencor Corporation Feature selection and automated process window monitoring through outlier detection
US10181185B2 (en) 2016-01-11 2019-01-15 Kla-Tencor Corp. Image based specimen process control
US10127651B2 (en) * 2016-01-15 2018-11-13 Kla-Tencor Corporation Defect sensitivity of semiconductor wafer inspectors using design data with wafer image data
US10062156B2 (en) 2016-02-25 2018-08-28 Kla-Tencor Corporation Method and system for detecting defects on a substrate
US10304177B2 (en) 2016-06-29 2019-05-28 Kla-Tencor Corporation Systems and methods of using z-layer context in logic and hot spot inspection for sensitivity improvement and nuisance suppression
US10825165B2 (en) 2016-07-22 2020-11-03 Lynx Inspection Inc. Inspection method for a manufactured article and system for performing same
US20190238796A1 (en) 2017-05-11 2019-08-01 Jacob Nathaniel Allen Object Inspection System And Method For Inspecting An Object
US10957033B2 (en) 2017-07-10 2021-03-23 Kla-Tencor Corporation Repeater defect detection
KR101982347B1 (ko) * 2018-06-11 2019-05-24 주식회사 에이치비테크놀러지 오토 리페어 시스템의 불량 검출장치 및 방법
WO2020130786A1 (en) * 2018-12-19 2020-06-25 Mimos Berhad A method of analyzing visual inspection image of a substrate for corrosion determination
CN111724335A (zh) * 2019-03-21 2020-09-29 深圳中科飞测科技有限公司 检测方法及检测系统
CN110335233B (zh) * 2019-04-24 2023-06-30 武汉理工大学 基于图像处理技术的高速公路护栏板缺陷检测系统和方法
MY197343A (en) * 2019-04-29 2023-06-14 Mi Equipment M Sdn Bhd A method for inspecting a skeleton wafer
TWI701429B (zh) * 2019-09-12 2020-08-11 力晶積成電子製造股份有限公司 缺陷分析方法與記憶體晶片
JP7418080B2 (ja) * 2019-10-04 2024-01-19 キヤノン株式会社 位置検出装置、位置検出方法、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法
KR20230024390A (ko) 2020-06-17 2023-02-20 이노비전 소프트웨어 솔루션즈, 인크. 결함 복원을 위한 시스템 및 방법
KR102853085B1 (ko) 2020-06-29 2025-09-03 삼성전자주식회사 기판 불량 검출 방법 및 장치
CN113160145B (zh) * 2021-03-29 2024-04-02 深圳中科飞测科技股份有限公司 检测方法、检测装置、检测设备及计算机可读存储介质
US12293506B2 (en) 2021-07-20 2025-05-06 Inovision Software Solutions, Inc. Method to locate defects in e-coat
US20240370992A1 (en) * 2021-08-27 2024-11-07 Hitachi High-Tech Corporation Computer System and Analysis Method
FR3127318B1 (fr) 2021-09-23 2023-11-17 Commissariat Energie Atomique Procédé de caractérisation d’un réseau à analyser comportant des motifs périodiques
FR3127319B1 (fr) 2021-09-23 2023-09-29 Commissariat Energie Atomique Procédé de classification de défauts d’un réseau à analyser
CN114842011B (zh) * 2022-07-04 2022-09-09 启东万惠机械制造有限公司 基于图像处理的轴承磨损检测方法及系统
US12372486B2 (en) 2022-08-25 2025-07-29 Kla Corporation Noise diagnostics for an electron beam inspection system with swathing
CN115575411B (zh) * 2022-09-28 2025-11-14 东方晶源微电子科技(北京)股份有限公司 晶片的缺陷检测方法、装置、设备及计算机可读存储介质
CN115690051B (zh) * 2022-11-01 2025-11-18 深圳思谋信息科技有限公司 Pcb缺陷检测方法、装置、计算机设备及存储介质
CN116309574B (zh) * 2023-05-19 2023-08-18 成都数之联科技股份有限公司 一种面板漏制程缺陷检测方法、系统、设备及存储介质
CN117994250B (zh) * 2024-04-03 2024-06-21 武汉罗博半导体科技有限公司 晶圆缺陷检测方法、装置、设备及存储介质

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6366687B1 (en) * 1996-07-05 2002-04-02 Applied Materials, Inc. Data converter apparatus and method particularly useful for a database-to-object inspection system
US20090067703A1 (en) * 2007-09-07 2009-03-12 Kla-Tencor Corporation Memory cell and page break inspection
US20110013825A1 (en) * 2002-09-27 2011-01-20 Hitachi High-Technologies Corporation Method and Apparatus for Analyzing Defect Data and a Review System
US20110311126A1 (en) * 2009-01-27 2011-12-22 Kaoru Sakai Defect inspecting apparatus and defect inspecting method

Family Cites Families (416)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3495269A (en) 1966-12-19 1970-02-10 Xerox Corp Electrographic recording method and apparatus with inert gaseous discharge ionization and acceleration gaps
US3496352A (en) 1967-06-05 1970-02-17 Xerox Corp Self-cleaning corona generating apparatus
US3909602A (en) 1973-09-27 1975-09-30 California Inst Of Techn Automatic visual inspection system for microelectronics
US4015203A (en) 1975-12-31 1977-03-29 International Business Machines Corporation Contactless LSI junction leakage testing method
US4347001A (en) 1978-04-03 1982-08-31 Kla Instruments Corporation Automatic photomask inspection system and apparatus
US4247203A (en) 1978-04-03 1981-01-27 Kla Instrument Corporation Automatic photomask inspection system and apparatus
FR2473789A1 (fr) 1980-01-09 1981-07-17 Ibm France Procedes et structures de test pour circuits integres a semi-conducteurs permettant la determination electrique de certaines tolerances lors des etapes photolithographiques.
US4378159A (en) 1981-03-30 1983-03-29 Tencor Instruments Scanning contaminant and defect detector
US4448532A (en) 1981-03-31 1984-05-15 Kla Instruments Corporation Automatic photomask inspection method and system
US4475122A (en) 1981-11-09 1984-10-02 Tre Semiconductor Equipment Corporation Automatic wafer alignment technique
US4926489A (en) 1983-03-11 1990-05-15 Kla Instruments Corporation Reticle inspection system
US4579455A (en) 1983-05-09 1986-04-01 Kla Instruments Corporation Photomask inspection apparatus and method with improved defect detection
US4532650A (en) 1983-05-12 1985-07-30 Kla Instruments Corporation Photomask inspection apparatus and method using corner comparator defect detection algorithm
US4555798A (en) 1983-06-20 1985-11-26 Kla Instruments Corporation Automatic system and method for inspecting hole quality
US4578810A (en) 1983-08-08 1986-03-25 Itek Corporation System for printed circuit board defect detection
JPS6062122A (ja) 1983-09-16 1985-04-10 Fujitsu Ltd マスクパターンの露光方法
US4599558A (en) 1983-12-14 1986-07-08 Ibm Photovoltaic imaging for large area semiconductors
US4595289A (en) 1984-01-25 1986-06-17 At&T Bell Laboratories Inspection system utilizing dark-field illumination
JPS60263807A (ja) 1984-06-12 1985-12-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd プリント配線板のパタ−ン欠陥検査装置
US4633504A (en) 1984-06-28 1986-12-30 Kla Instruments Corporation Automatic photomask inspection system having image enhancement means
US4817123A (en) 1984-09-21 1989-03-28 Picker International Digital radiography detector resolution improvement
JPH0648380B2 (ja) 1985-06-13 1994-06-22 株式会社東芝 マスク検査方法
US4734721A (en) 1985-10-04 1988-03-29 Markem Corporation Electrostatic printer utilizing dehumidified air
US4641967A (en) 1985-10-11 1987-02-10 Tencor Instruments Particle position correlator and correlation method for a surface scanner
US4928313A (en) 1985-10-25 1990-05-22 Synthetic Vision Systems, Inc. Method and system for automatically visually inspecting an article
US5046109A (en) 1986-03-12 1991-09-03 Nikon Corporation Pattern inspection apparatus
US4814829A (en) 1986-06-12 1989-03-21 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus
US4805123B1 (en) 1986-07-14 1998-10-13 Kla Instr Corp Automatic photomask and reticle inspection method and apparatus including improved defect detector and alignment sub-systems
US4758094A (en) 1987-05-15 1988-07-19 Kla Instruments Corp. Process and apparatus for in-situ qualification of master patterns used in patterning systems
US4766324A (en) 1987-08-07 1988-08-23 Tencor Instruments Particle detection method including comparison between sequential scans
US4812756A (en) 1987-08-26 1989-03-14 International Business Machines Corporation Contactless technique for semicondutor wafer testing
US4845558A (en) 1987-12-03 1989-07-04 Kla Instruments Corporation Method and apparatus for detecting defects in repeated microminiature patterns
US4877326A (en) 1988-02-19 1989-10-31 Kla Instruments Corporation Method and apparatus for optical inspection of substrates
US5054097A (en) 1988-11-23 1991-10-01 Schlumberger Technologies, Inc. Methods and apparatus for alignment of images
US5155336A (en) 1990-01-19 1992-10-13 Applied Materials, Inc. Rapid thermal heating apparatus and method
US5124927A (en) 1990-03-02 1992-06-23 International Business Machines Corp. Latent-image control of lithography tools
JP3707172B2 (ja) 1996-01-24 2005-10-19 富士ゼロックス株式会社 画像読取装置
US5189481A (en) 1991-07-26 1993-02-23 Tencor Instruments Particle detector for rough surfaces
DE69208413T2 (de) 1991-08-22 1996-11-14 Kla Instr Corp Gerät zur automatischen Prüfung von Photomaske
US5563702A (en) 1991-08-22 1996-10-08 Kla Instruments Corporation Automated photomask inspection apparatus and method
DE69333348T2 (de) 1992-03-09 2004-09-16 San Diego Regional Cancer Center, San Diego Anti-idiotypischer Antikörper und seine Verwendung zur Diagnose und Therapie bei HIV-bezogenen Krankheiten
US6205259B1 (en) 1992-04-09 2001-03-20 Olympus Optical Co., Ltd. Image processing apparatus
JP2667940B2 (ja) 1992-04-27 1997-10-27 三菱電機株式会社 マスク検査方法およびマスク検出装置
JP3730263B2 (ja) 1992-05-27 2005-12-21 ケーエルエー・インストルメンツ・コーポレーション 荷電粒子ビームを用いた自動基板検査の装置及び方法
JP3212389B2 (ja) 1992-10-26 2001-09-25 株式会社キリンテクノシステム 固体上の異物検査方法
KR100300618B1 (ko) 1992-12-25 2001-11-22 오노 시게오 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법
US5448053A (en) 1993-03-01 1995-09-05 Rhoads; Geoffrey B. Method and apparatus for wide field distortion-compensated imaging
US5355212A (en) 1993-07-19 1994-10-11 Tencor Instruments Process for inspecting patterned wafers
US5453844A (en) 1993-07-21 1995-09-26 The University Of Rochester Image data coding and compression system utilizing controlled blurring
US5497381A (en) 1993-10-15 1996-03-05 Analog Devices, Inc. Bitstream defect analysis method for integrated circuits
US5544256A (en) 1993-10-22 1996-08-06 International Business Machines Corporation Automated defect classification system
JPH07159337A (ja) 1993-12-07 1995-06-23 Sony Corp 半導体素子の欠陥検査方法
US5500607A (en) 1993-12-22 1996-03-19 International Business Machines Corporation Probe-oxide-semiconductor method and apparatus for measuring oxide charge on a semiconductor wafer
US5553168A (en) 1994-01-21 1996-09-03 Texas Instruments Incorporated System and method for recognizing visual indicia
US5696835A (en) 1994-01-21 1997-12-09 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for aligning and measuring misregistration
US5883710A (en) 1994-12-08 1999-03-16 Kla-Tencor Corporation Scanning system for inspecting anomalies on surfaces
US5572608A (en) 1994-08-24 1996-11-05 International Business Machines Corporation Sinc filter in linear lumen space for scanner
US5608538A (en) 1994-08-24 1997-03-04 International Business Machines Corporation Scan line queuing for high performance image correction
US5528153A (en) 1994-11-07 1996-06-18 Texas Instruments Incorporated Method for non-destructive, non-contact measurement of dielectric constant of thin films
US6014461A (en) 1994-11-30 2000-01-11 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for automatic knowlege-based object identification
US5694478A (en) 1994-12-15 1997-12-02 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method and apparatus for detecting and identifying microbial colonies
US5948972A (en) 1994-12-22 1999-09-07 Kla-Tencor Corporation Dual stage instrument for scanning a specimen
CA2139182A1 (en) 1994-12-28 1996-06-29 Paul Chevrette Method and system for fast microscanning
US5661408A (en) 1995-03-01 1997-08-26 Qc Solutions, Inc. Real-time in-line testing of semiconductor wafers
US5991699A (en) 1995-05-04 1999-11-23 Kla Instruments Corporation Detecting groups of defects in semiconductor feature space
TW341664B (en) 1995-05-12 1998-10-01 Ibm Photovoltaic oxide charge measurement probe technique
US5644223A (en) 1995-05-12 1997-07-01 International Business Machines Corporation Uniform density charge deposit source
US5485091A (en) 1995-05-12 1996-01-16 International Business Machines Corporation Contactless electrical thin oxide measurements
US6288780B1 (en) 1995-06-06 2001-09-11 Kla-Tencor Technologies Corp. High throughput brightfield/darkfield wafer inspection system using advanced optical techniques
US20020054291A1 (en) 1997-06-27 2002-05-09 Tsai Bin-Ming Benjamin Inspection system simultaneously utilizing monochromatic darkfield and broadband brightfield illumination sources
US5649169A (en) 1995-06-20 1997-07-15 Advanced Micro Devices, Inc. Method and system for declustering semiconductor defect data
US5594247A (en) 1995-07-07 1997-01-14 Keithley Instruments, Inc. Apparatus and method for depositing charge on a semiconductor wafer
US5773989A (en) 1995-07-14 1998-06-30 University Of South Florida Measurement of the mobile ion concentration in the oxide layer of a semiconductor wafer
US5621519A (en) 1995-07-31 1997-04-15 Neopath, Inc. Imaging system transfer function control method and apparatus
US5619548A (en) 1995-08-11 1997-04-08 Oryx Instruments And Materials Corp. X-ray thickness gauge
DE69634089T2 (de) 1995-10-02 2005-12-08 Kla-Tencor Corp., San Jose Verbesserung der ausrichtung von inspektionsystemen vor der bildaufnahme
US5754678A (en) 1996-01-17 1998-05-19 Photon Dynamics, Inc. Substrate inspection apparatus and method
JPH09320505A (ja) 1996-03-29 1997-12-12 Hitachi Ltd 電子線式検査方法及びその装置並びに半導体の製造方法及びその製造ライン
US5673208A (en) 1996-04-11 1997-09-30 Micron Technology, Inc. Focus spot detection method and system
US5917332A (en) 1996-05-09 1999-06-29 Advanced Micro Devices, Inc. Arrangement for improving defect scanner sensitivity and scanning defects on die of a semiconductor wafer
US5742658A (en) 1996-05-23 1998-04-21 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus and method for determining the elemental compositions and relative locations of particles on the surface of a semiconductor wafer
JP3634505B2 (ja) 1996-05-29 2005-03-30 株式会社ルネサステクノロジ アライメントマーク配置方法
US6246787B1 (en) 1996-05-31 2001-06-12 Texas Instruments Incorporated System and method for knowledgebase generation and management
US6292582B1 (en) 1996-05-31 2001-09-18 Lin Youling Method and system for identifying defects in a semiconductor
US6091846A (en) 1996-05-31 2000-07-18 Texas Instruments Incorporated Method and system for anomaly detection
US6205239B1 (en) 1996-05-31 2001-03-20 Texas Instruments Incorporated System and method for circuit repair
US5822218A (en) 1996-08-27 1998-10-13 Clemson University Systems, methods and computer program products for prediction of defect-related failures in integrated circuits
US5767693A (en) 1996-09-04 1998-06-16 Smithley Instruments, Inc. Method and apparatus for measurement of mobile charges with a corona screen gun
US6076465A (en) 1996-09-20 2000-06-20 Kla-Tencor Corporation System and method for determining reticle defect printability
KR100200734B1 (ko) 1996-10-10 1999-06-15 윤종용 에어리얼 이미지 측정 장치 및 방법
US5866806A (en) 1996-10-11 1999-02-02 Kla-Tencor Corporation System for locating a feature of a surface
US5928389A (en) 1996-10-21 1999-07-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for priority based scheduling of wafer processing within a multiple chamber semiconductor wafer processing tool
US6259960B1 (en) 1996-11-01 2001-07-10 Joel Ltd. Part-inspecting system
US5852232A (en) 1997-01-02 1998-12-22 Kla-Tencor Corporation Acoustic sensor as proximity detector
US5978501A (en) 1997-01-03 1999-11-02 International Business Machines Corporation Adaptive inspection method and system
US5955661A (en) 1997-01-06 1999-09-21 Kla-Tencor Corporation Optical profilometer combined with stylus probe measurement device
US5795685A (en) 1997-01-14 1998-08-18 International Business Machines Corporation Simple repair method for phase shifting masks
US5889593A (en) 1997-02-26 1999-03-30 Kla Instruments Corporation Optical system and method for angle-dependent reflection or transmission measurement
US5980187A (en) 1997-04-16 1999-11-09 Kla-Tencor Corporation Mechanism for transporting semiconductor-process masks
US6121783A (en) 1997-04-22 2000-09-19 Horner; Gregory S. Method and apparatus for establishing electrical contact between a wafer and a chuck
US6097196A (en) 1997-04-23 2000-08-01 Verkuil; Roger L. Non-contact tunnelling field measurement for a semiconductor oxide layer
US6078738A (en) 1997-05-08 2000-06-20 Lsi Logic Corporation Comparing aerial image to SEM of photoresist or substrate pattern for masking process characterization
KR100308811B1 (ko) 1997-05-10 2001-12-15 박종섭 Gps를이용한시간및주파수발생장치의시간오차개선방법
US6201999B1 (en) 1997-06-09 2001-03-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for automatically generating schedules for wafer processing within a multichamber semiconductor wafer processing tool
US6011404A (en) 1997-07-03 2000-01-04 Lucent Technologies Inc. System and method for determining near--surface lifetimes and the tunneling field of a dielectric in a semiconductor
US6072320A (en) 1997-07-30 2000-06-06 Verkuil; Roger L. Product wafer junction leakage measurement using light and eddy current
US6104206A (en) 1997-08-05 2000-08-15 Verkuil; Roger L. Product wafer junction leakage measurement using corona and a kelvin probe
US5834941A (en) 1997-08-11 1998-11-10 Keithley Instruments, Inc. Mobile charge measurement using corona charge and ultraviolet light
US6191605B1 (en) 1997-08-18 2001-02-20 Tom G. Miller Contactless method for measuring total charge of an insulating layer on a substrate using corona charge
JP2984633B2 (ja) 1997-08-29 1999-11-29 日本電気株式会社 参照画像作成方法およびパターン検査装置
US6578188B1 (en) 1997-09-17 2003-06-10 Numerical Technologies, Inc. Method and apparatus for a network-based mask defect printability analysis system
US7107571B2 (en) 1997-09-17 2006-09-12 Synopsys, Inc. Visual analysis and verification system using advanced tools
US6757645B2 (en) 1997-09-17 2004-06-29 Numerical Technologies, Inc. Visual inspection and verification system
US6470489B1 (en) 1997-09-17 2002-10-22 Numerical Technologies, Inc. Design rule checking system and method
US5965306A (en) 1997-10-15 1999-10-12 International Business Machines Corporation Method of determining the printability of photomask defects
US5874733A (en) 1997-10-16 1999-02-23 Raytheon Company Convergent beam scanner linearizing method and apparatus
JP4375900B2 (ja) 1997-10-27 2009-12-02 ケイエルエイ−テンコー コーポレイション 生産分析において分類及び属性を拡張するソフトウエアシステム及び方法
US6097887A (en) 1997-10-27 2000-08-01 Kla-Tencor Corporation Software system and method for graphically building customized recipe flowcharts
US6233719B1 (en) 1997-10-27 2001-05-15 Kla-Tencor Corporation System and method for analyzing semiconductor production data
US6110011A (en) 1997-11-10 2000-08-29 Applied Materials, Inc. Integrated electrodeposition and chemical-mechanical polishing tool
US6104835A (en) 1997-11-14 2000-08-15 Kla-Tencor Corporation Automatic knowledge database generation for classifying objects and systems therefor
JPH11162832A (ja) 1997-11-25 1999-06-18 Nikon Corp 走査露光方法及び走査型露光装置
US5999003A (en) 1997-12-12 1999-12-07 Advanced Micro Devices, Inc. Intelligent usage of first pass defect data for improved statistical accuracy of wafer level classification
US6614520B1 (en) 1997-12-18 2003-09-02 Kla-Tencor Corporation Method for inspecting a reticle
US6060709A (en) 1997-12-31 2000-05-09 Verkuil; Roger L. Apparatus and method for depositing uniform charge on a thin oxide semiconductor wafer
US6175645B1 (en) 1998-01-22 2001-01-16 Applied Materials, Inc. Optical inspection method and apparatus
US6122017A (en) 1998-01-22 2000-09-19 Hewlett-Packard Company Method for providing motion-compensated multi-field enhancement of still images from video
US6171737B1 (en) 1998-02-03 2001-01-09 Advanced Micro Devices, Inc. Low cost application of oxide test wafer for defect monitor in photolithography process
CN1222641C (zh) 1998-02-12 2005-10-12 Acm研究公司 电镀设备及方法
US5932377A (en) 1998-02-24 1999-08-03 International Business Machines Corporation Exact transmission balanced alternating phase-shifting mask for photolithography
US6091845A (en) 1998-02-24 2000-07-18 Micron Technology, Inc. Inspection technique of photomask
US6091257A (en) 1998-02-26 2000-07-18 Verkuil; Roger L. Vacuum activated backside contact
US6295374B1 (en) 1998-04-06 2001-09-25 Integral Vision, Inc. Method and system for detecting a flaw in a sample image
US6408219B2 (en) 1998-05-11 2002-06-18 Applied Materials, Inc. FAB yield enhancement system
US6282309B1 (en) 1998-05-29 2001-08-28 Kla-Tencor Corporation Enhanced sensitivity automated photomask inspection system
US6137570A (en) 1998-06-30 2000-10-24 Kla-Tencor Corporation System and method for analyzing topological features on a surface
US6987873B1 (en) 1998-07-08 2006-01-17 Applied Materials, Inc. Automatic defect classification with invariant core classes
JP2000089148A (ja) 1998-07-13 2000-03-31 Canon Inc 光走査装置及びそれを用いた画像形成装置
US6324298B1 (en) 1998-07-15 2001-11-27 August Technology Corp. Automated wafer defect inspection system and a process of performing such inspection
US6266437B1 (en) 1998-09-04 2001-07-24 Sandia Corporation Sequential detection of web defects
US6466314B1 (en) 1998-09-17 2002-10-15 Applied Materials, Inc. Reticle design inspection system
US6040912A (en) 1998-09-30 2000-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for detecting process sensitivity to integrated circuit layout using wafer to wafer defect inspection device
US6122046A (en) 1998-10-02 2000-09-19 Applied Materials, Inc. Dual resolution combined laser spot scanning and area imaging inspection
US6535628B2 (en) 1998-10-15 2003-03-18 Applied Materials, Inc. Detection of wafer fragments in a wafer processing apparatus
US6393602B1 (en) 1998-10-21 2002-05-21 Texas Instruments Incorporated Method of a comprehensive sequential analysis of the yield losses of semiconductor wafers
JP3860347B2 (ja) 1998-10-30 2006-12-20 富士通株式会社 リンク処理装置
US6248486B1 (en) 1998-11-23 2001-06-19 U.S. Philips Corporation Method of detecting aberrations of an optical imaging system
US6476913B1 (en) 1998-11-30 2002-11-05 Hitachi, Ltd. Inspection method, apparatus and system for circuit pattern
US6529621B1 (en) 1998-12-17 2003-03-04 Kla-Tencor Mechanisms for making and inspecting reticles
US6539106B1 (en) 1999-01-08 2003-03-25 Applied Materials, Inc. Feature-based defect detection
US6373975B1 (en) 1999-01-25 2002-04-16 International Business Machines Corporation Error checking of simulated printed images with process window effects included
US6336082B1 (en) 1999-03-05 2002-01-01 General Electric Company Method for automatic screening of abnormalities
US6252981B1 (en) 1999-03-17 2001-06-26 Semiconductor Technologies & Instruments, Inc. System and method for selection of a reference die
US7106895B1 (en) 1999-05-05 2006-09-12 Kla-Tencor Method and apparatus for inspecting reticles implementing parallel processing
AU3676500A (en) 1999-05-07 2000-11-21 Nikon Corporation Aligner, microdevice, photomask, exposure method, and method of manufacturing device
JP2002544555A (ja) 1999-05-18 2002-12-24 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド マスターとの比較による物品の検査方法および装置
US6526164B1 (en) 1999-05-27 2003-02-25 International Business Machines Corporation Intelligent photomask disposition
US6922482B1 (en) 1999-06-15 2005-07-26 Applied Materials, Inc. Hybrid invariant adaptive automatic defect classification
US6407373B1 (en) 1999-06-15 2002-06-18 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for reviewing defects on an object
KR100702741B1 (ko) 1999-06-29 2007-04-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 반도체 장치 제조를 위한 집적식 임계치수 제어
JP3816390B2 (ja) 1999-07-02 2006-08-30 富士通株式会社 サービス割り当て装置
US6776692B1 (en) 1999-07-09 2004-08-17 Applied Materials Inc. Closed-loop control of wafer polishing in a chemical mechanical polishing system
US6466895B1 (en) 1999-07-16 2002-10-15 Applied Materials, Inc. Defect reference system automatic pattern classification
US6248485B1 (en) 1999-07-19 2001-06-19 Lucent Technologies Inc. Method for controlling a process for patterning a feature in a photoresist
US6754305B1 (en) 1999-08-02 2004-06-22 Therma-Wave, Inc. Measurement of thin films and barrier layers on patterned wafers with X-ray reflectometry
US6466315B1 (en) 1999-09-03 2002-10-15 Applied Materials, Inc. Method and system for reticle inspection by photolithography simulation
US20020144230A1 (en) 1999-09-22 2002-10-03 Dupont Photomasks, Inc. System and method for correcting design rule violations in a mask layout file
US6268093B1 (en) 1999-10-13 2001-07-31 Applied Materials, Inc. Method for reticle inspection using aerial imaging
KR100335491B1 (ko) 1999-10-13 2002-05-04 윤종용 공정 파라미터 라이브러리를 내장한 웨이퍼 검사장비 및 웨이퍼 검사시의 공정 파라미터 설정방법
FR2801673B1 (fr) 1999-11-26 2001-12-28 Pechiney Aluminium Procede de mesure du degre et de l'homogeneite de calcination des alumines
WO2001041068A1 (fr) 1999-11-29 2001-06-07 Olympus Optical Co., Ltd. Systeme de detection de defaut
US6999614B1 (en) 1999-11-29 2006-02-14 Kla-Tencor Corporation Power assisted automatic supervised classifier creation tool for semiconductor defects
US7190292B2 (en) 1999-11-29 2007-03-13 Bizjak Karl M Input level adjust system and method
US6738954B1 (en) 1999-12-08 2004-05-18 International Business Machines Corporation Method for prediction random defect yields of integrated circuits with accuracy and computation time controls
US6553329B2 (en) 1999-12-13 2003-04-22 Texas Instruments Incorporated System for mapping logical functional test data of logical integrated circuits to physical representation using pruned diagnostic list
US6771806B1 (en) 1999-12-14 2004-08-03 Kla-Tencor Multi-pixel methods and apparatus for analysis of defect information from test structures on semiconductor devices
US6445199B1 (en) 1999-12-14 2002-09-03 Kla-Tencor Corporation Methods and apparatus for generating spatially resolved voltage contrast maps of semiconductor test structures
US6701004B1 (en) 1999-12-22 2004-03-02 Intel Corporation Detecting defects on photomasks
US6778695B1 (en) 1999-12-23 2004-08-17 Franklin M. Schellenberg Design-based reticle defect prioritization
JP4419250B2 (ja) 2000-02-15 2010-02-24 株式会社ニコン 欠陥検査装置
US7120285B1 (en) 2000-02-29 2006-10-10 Advanced Micro Devices, Inc. Method for evaluation of reticle image using aerial image simulator
US6451690B1 (en) 2000-03-13 2002-09-17 Matsushita Electronics Corporation Method of forming electrode structure and method of fabricating semiconductor device
US6482557B1 (en) 2000-03-24 2002-11-19 Dupont Photomasks, Inc. Method and apparatus for evaluating the runability of a photomask inspection tool
US6569691B1 (en) 2000-03-29 2003-05-27 Semiconductor Diagnostics, Inc. Measurement of different mobile ion concentrations in the oxide layer of a semiconductor wafer
AU2001225804A1 (en) * 2000-04-18 2001-10-30 Kla-Tencor Corporation Improved test structures and methods for inspecting and utilizing the same
US6759255B2 (en) 2000-05-10 2004-07-06 Kla-Tencor Technologies Corp. Method and system for detecting metal contamination on a semiconductor wafer
US6425113B1 (en) 2000-06-13 2002-07-23 Leigh C. Anderson Integrated verification and manufacturability tool
US7135676B2 (en) 2000-06-27 2006-11-14 Ebara Corporation Inspection system by charged particle beam and method of manufacturing devices using the system
JP2002032737A (ja) 2000-07-14 2002-01-31 Seiko Instruments Inc 半導体装置のパターン観察のためのナビゲーション方法及び装置
US6636301B1 (en) 2000-08-10 2003-10-21 Kla-Tencor Corporation Multiple beam inspection apparatus and method
US6634018B2 (en) 2000-08-24 2003-10-14 Texas Instruments Incorporated Optical proximity correction
JP2002071575A (ja) 2000-09-04 2002-03-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 欠陥検査解析方法および欠陥検査解析システム
TW513772B (en) 2000-09-05 2002-12-11 Komatsu Denshi Kinzoku Kk Apparatus for inspecting wafer surface, method for inspecting wafer surface, apparatus for judging defective wafer, method for judging defective wafer and information treatment apparatus of wafer surface
DE10044257A1 (de) 2000-09-07 2002-04-11 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Erzeugen von Masken-Layout-Daten für die Lithografiesimulation und von optimierten Masken-Layout-Daten sowie zugehörige Vorrichtung und Programme
US6513151B1 (en) 2000-09-14 2003-01-28 Advanced Micro Devices, Inc. Full flow focus exposure matrix analysis and electrical testing for new product mask evaluation
US6919957B2 (en) 2000-09-20 2005-07-19 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension, a presence of defects, and a thin film characteristic of a specimen
US6724489B2 (en) 2000-09-22 2004-04-20 Daniel Freifeld Three dimensional scanning camera
EP1322941A2 (en) 2000-10-02 2003-07-02 Applied Materials, Inc. Defect source identifier
US6593152B2 (en) 2000-11-02 2003-07-15 Ebara Corporation Electron beam apparatus and method of manufacturing semiconductor device using the apparatus
US6753954B2 (en) 2000-12-06 2004-06-22 Asml Masktools B.V. Method and apparatus for detecting aberrations in a projection lens utilized for projection optics
US6602728B1 (en) 2001-01-05 2003-08-05 International Business Machines Corporation Method for generating a proximity model based on proximity rules
US6597193B2 (en) 2001-01-26 2003-07-22 Semiconductor Diagnostics, Inc. Steady state method for measuring the thickness and the capacitance of ultra thin dielectric in the presence of substantial leakage current
US6680621B2 (en) 2001-01-26 2004-01-20 Semiconductor Diagnostics, Inc. Steady state method for measuring the thickness and the capacitance of ultra thin dielectric in the presence of substantial leakage current
US20020145734A1 (en) 2001-02-09 2002-10-10 Cory Watkins Confocal 3D inspection system and process
US7024642B2 (en) 2001-03-12 2006-04-04 Pdf Solutions, Inc. Extraction method of defect density and size distributions
US6873720B2 (en) 2001-03-20 2005-03-29 Synopsys, Inc. System and method of providing mask defect printability analysis
JP3973372B2 (ja) 2001-03-23 2007-09-12 株式会社日立製作所 荷電粒子線を用いた基板検査装置および基板検査方法
US6605478B2 (en) 2001-03-30 2003-08-12 Appleid Materials, Inc, Kill index analysis for automatic defect classification in semiconductor wafers
US6665065B1 (en) 2001-04-09 2003-12-16 Advanced Micro Devices, Inc. Defect detection in pellicized reticles via exposure at short wavelengths
JP4038356B2 (ja) 2001-04-10 2008-01-23 株式会社日立製作所 欠陥データ解析方法及びその装置並びにレビューシステム
JP4266082B2 (ja) 2001-04-26 2009-05-20 株式会社東芝 露光用マスクパターンの検査方法
JP4199939B2 (ja) 2001-04-27 2008-12-24 株式会社日立製作所 半導体検査システム
IL149588A (en) 2001-05-11 2007-07-24 Orbotech Ltd Image searching defect detector
JP2002353099A (ja) 2001-05-22 2002-12-06 Canon Inc 位置検出方法及び装置及び露光装置及びデバイス製造方法
US20030004699A1 (en) 2001-06-04 2003-01-02 Choi Charles Y. Method and apparatus for evaluating an integrated circuit model
US20020186878A1 (en) 2001-06-07 2002-12-12 Hoon Tan Seow System and method for multiple image analysis
US6779159B2 (en) 2001-06-08 2004-08-17 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation Defect inspection method and defect inspection apparatus
JP3551163B2 (ja) 2001-06-08 2004-08-04 三菱住友シリコン株式会社 欠陥検査方法及び欠陥検査装置
US6581193B1 (en) 2001-06-13 2003-06-17 Kla-Tencor Apparatus and methods for modeling process effects and imaging effects in scanning electron microscopy
US7382447B2 (en) 2001-06-26 2008-06-03 Kla-Tencor Technologies Corporation Method for determining lithographic focus and exposure
US6593748B1 (en) 2001-07-12 2003-07-15 Advanced Micro Devices, Inc. Process integration of electrical thickness measurement of gate oxide and tunnel oxides by corona discharge technique
US20030014146A1 (en) 2001-07-12 2003-01-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Dangerous process/pattern detection system and method, danger detection program, and semiconductor device manufacturing method
JP2003031477A (ja) 2001-07-17 2003-01-31 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法およびシステム
JP4122735B2 (ja) 2001-07-24 2008-07-23 株式会社日立製作所 半導体デバイスの検査方法および検査条件設定方法
US7030997B2 (en) 2001-09-11 2006-04-18 The Regents Of The University Of California Characterizing aberrations in an imaging lens and applications to visual testing and integrated circuit mask analysis
US7155698B1 (en) 2001-09-11 2006-12-26 The Regents Of The University Of California Method of locating areas in an image such as a photo mask layout that are sensitive to residual processing effects
EP2278817B1 (en) 2001-09-12 2012-05-23 Panasonic Corporation Transmitting and receiving apparatus
JP3870052B2 (ja) 2001-09-20 2007-01-17 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法及び欠陥検査データ処理方法
JP4035974B2 (ja) * 2001-09-26 2008-01-23 株式会社日立製作所 欠陥観察方法及びその装置
JP3955450B2 (ja) 2001-09-27 2007-08-08 株式会社ルネサステクノロジ 試料検査方法
KR100576752B1 (ko) 2001-10-09 2006-05-03 에이에스엠엘 마스크툴즈 비.브이. 2차원 피처모델 캘리브레이션 및 최적화 방법
US6670082B2 (en) 2001-10-09 2003-12-30 Numerical Technologies, Inc. System and method for correcting 3D effects in an alternating phase-shifting mask
US7065239B2 (en) 2001-10-24 2006-06-20 Applied Materials, Inc. Automated repetitive array microstructure defect inspection
US6813572B2 (en) 2001-10-25 2004-11-02 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for managing reliability of semiconductor devices
US6948141B1 (en) 2001-10-25 2005-09-20 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for determining critical area of semiconductor design data
US6751519B1 (en) 2001-10-25 2004-06-15 Kla-Tencor Technologies Corporation Methods and systems for predicting IC chip yield
US6918101B1 (en) 2001-10-25 2005-07-12 Kla -Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for determining critical area of semiconductor design data
US6734696B2 (en) 2001-11-01 2004-05-11 Kla-Tencor Technologies Corp. Non-contact hysteresis measurements of insulating films
JP2003151483A (ja) 2001-11-19 2003-05-23 Hitachi Ltd 荷電粒子線を用いた回路パターン用基板検査装置および基板検査方法
US6886153B1 (en) 2001-12-21 2005-04-26 Kla-Tencor Corporation Design driven inspection or measurement for semiconductor using recipe
US6789032B2 (en) 2001-12-26 2004-09-07 International Business Machines Corporation Method of statistical binning for reliability selection
US6658640B2 (en) 2001-12-26 2003-12-02 Numerical Technologies, Inc. Simulation-based feed forward process control
KR100689694B1 (ko) 2001-12-27 2007-03-08 삼성전자주식회사 웨이퍼상에 발생된 결함을 검출하는 방법 및 장치
US6906305B2 (en) 2002-01-08 2005-06-14 Brion Technologies, Inc. System and method for aerial image sensing
US7236847B2 (en) 2002-01-16 2007-06-26 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems and methods for closed loop defect reduction
JP2003215060A (ja) 2002-01-22 2003-07-30 Tokyo Seimitsu Co Ltd パターン検査方法及び検査装置
US6691052B1 (en) 2002-01-30 2004-02-10 Kla-Tencor Corporation Apparatus and methods for generating an inspection reference pattern
JP3629244B2 (ja) 2002-02-19 2005-03-16 本多エレクトロン株式会社 ウエーハ用検査装置
US7257247B2 (en) 2002-02-21 2007-08-14 International Business Machines Corporation Mask defect analysis system
US20030223639A1 (en) 2002-03-05 2003-12-04 Vladimir Shlain Calibration and recognition of materials in technical images using specific and non-specific features
US7693323B2 (en) 2002-03-12 2010-04-06 Applied Materials, Inc. Multi-detector defect detection system and a method for detecting defects
US20030192015A1 (en) 2002-04-04 2003-10-09 Numerical Technologies, Inc. Method and apparatus to facilitate test pattern design for model calibration and proximity correction
US6966047B1 (en) 2002-04-09 2005-11-15 Kla-Tencor Technologies Corporation Capturing designer intent in reticle inspection
US6642066B1 (en) 2002-05-15 2003-11-04 Advanced Micro Devices, Inc. Integrated process for depositing layer of high-K dielectric with in-situ control of K value and thickness of high-K dielectric layer
US20030229875A1 (en) 2002-06-07 2003-12-11 Smith Taber H. Use of models in integrated circuit fabrication
US6828542B2 (en) 2002-06-07 2004-12-07 Brion Technologies, Inc. System and method for lithography process monitoring and control
US7152215B2 (en) 2002-06-07 2006-12-19 Praesagus, Inc. Dummy fill for integrated circuits
US7124386B2 (en) 2002-06-07 2006-10-17 Praesagus, Inc. Dummy fill for integrated circuits
WO2003104921A2 (en) 2002-06-07 2003-12-18 Praesagus, Inc. Characterization adn reduction of variation for integrated circuits
US7363099B2 (en) 2002-06-07 2008-04-22 Cadence Design Systems, Inc. Integrated circuit metrology
JP3826849B2 (ja) 2002-06-07 2006-09-27 株式会社Ｓｕｍｃｏ 欠陥検査方法および欠陥検査装置
US7393755B2 (en) 2002-06-07 2008-07-01 Cadence Design Systems, Inc. Dummy fill for integrated circuits
JP2004031709A (ja) 2002-06-27 2004-01-29 Seiko Instruments Inc ウエハレス測長レシピ生成装置
US6777676B1 (en) 2002-07-05 2004-08-17 Kla-Tencor Technologies Corporation Non-destructive root cause analysis on blocked contact or via
JP4073265B2 (ja) 2002-07-09 2008-04-09 富士通株式会社 検査装置及び検査方法
US7012438B1 (en) 2002-07-10 2006-03-14 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a property of an insulating film
EP1579274A4 (en) 2002-07-12 2006-06-07 Cadence Design Systems Inc METHOD AND SYSTEM FOR CONTROLLING MASKS ACCORDING TO THE CONTEXT
WO2004008246A2 (en) 2002-07-12 2004-01-22 Cadence Design Systems, Inc. Method and system for context-specific mask writing
US6902855B2 (en) 2002-07-15 2005-06-07 Kla-Tencor Technologies Qualifying patterns, patterning processes, or patterning apparatus in the fabrication of microlithographic patterns
WO2004008244A2 (en) 2002-07-15 2004-01-22 Kla-Tencor Technologies Corp. Defect inspection methods that include acquiring aerial images of a reticle for different lithographic process variables
US6775818B2 (en) 2002-08-20 2004-08-10 Lsi Logic Corporation Device parameter and gate performance simulation based on wafer image prediction
US6784446B1 (en) 2002-08-29 2004-08-31 Advanced Micro Devices, Inc. Reticle defect printability verification by resist latent image comparison
US20040049722A1 (en) 2002-09-09 2004-03-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Failure analysis system, failure analysis method, a computer program product and a manufacturing method for a semiconductor device
EP1537534A2 (en) 2002-09-12 2005-06-08 Nline Corporation System and method for acquiring and processing complex images
US7043071B2 (en) 2002-09-13 2006-05-09 Synopsys, Inc. Soft defect printability simulation and analysis for masks
US7504182B2 (en) 2002-09-18 2009-03-17 Fei Company Photolithography mask repair
KR100474571B1 (ko) 2002-09-23 2005-03-10 삼성전자주식회사 웨이퍼의 패턴 검사용 기준 이미지 설정 방법과 이 설정방법을 이용한 패턴 검사 방법 및 장치
US7061625B1 (en) 2002-09-27 2006-06-13 Kla-Tencor Technologies Corporation Method and apparatus using interferometric metrology for high aspect ratio inspection
US6831736B2 (en) 2002-10-07 2004-12-14 Applied Materials Israel, Ltd. Method of and apparatus for line alignment to compensate for static and dynamic inaccuracies in scanning
US7027143B1 (en) 2002-10-15 2006-04-11 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for inspecting reticles using aerial imaging at off-stepper wavelengths
US7379175B1 (en) 2002-10-15 2008-05-27 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for reticle inspection and defect review using aerial imaging
US7123356B1 (en) 2002-10-15 2006-10-17 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for inspecting reticles using aerial imaging and die-to-database detection
JP4302965B2 (ja) 2002-11-01 2009-07-29 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体デバイスの製造方法及びその製造システム
US6807503B2 (en) 2002-11-04 2004-10-19 Brion Technologies, Inc. Method and apparatus for monitoring integrated circuit fabrication
US7386839B1 (en) 2002-11-06 2008-06-10 Valery Golender System and method for troubleshooting software configuration problems using application tracing
JP5107506B2 (ja) 2002-11-12 2012-12-26 エフ・イ−・アイ・カンパニー 欠陥分析器
US7457736B2 (en) 2002-11-21 2008-11-25 Synopsys, Inc. Automated creation of metrology recipes
US7136143B2 (en) 2002-12-13 2006-11-14 Smith Bruce W Method for aberration detection and measurement
US6882745B2 (en) 2002-12-19 2005-04-19 Freescale Semiconductor, Inc. Method and apparatus for translating detected wafer defect coordinates to reticle coordinates using CAD data
US7162071B2 (en) 2002-12-20 2007-01-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Progressive self-learning defect review and classification method
US7525659B2 (en) 2003-01-15 2009-04-28 Negevtech Ltd. System for detection of water defects
US6990385B1 (en) 2003-02-03 2006-01-24 Kla-Tencor Technologies Corporation Defect detection using multiple sensors and parallel processing
US7670857B2 (en) 2003-02-03 2010-03-02 Sumco Corporation Inspection method, manufacturing method of piece for analysis, analysis method, analyzer, manufacturing method of SOI wafer, and SOI wafer
US6718526B1 (en) 2003-02-07 2004-04-06 Kla-Tencor Corporation Spatial signature analysis
US7030966B2 (en) 2003-02-11 2006-04-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method for optimizing an illumination source using photolithographic simulations
US7756320B2 (en) 2003-03-12 2010-07-13 Hitachi High-Technologies Corporation Defect classification using a logical equation for high stage classification
JP3699960B2 (ja) 2003-03-14 2005-09-28 株式会社東芝 検査レシピ作成システム、欠陥レビューシステム、検査レシピ作成方法及び欠陥レビュー方法
US7053355B2 (en) 2003-03-18 2006-05-30 Brion Technologies, Inc. System and method for lithography process monitoring and control
US7508973B2 (en) 2003-03-28 2009-03-24 Hitachi High-Technologies Corporation Method of inspecting defects
US6925614B2 (en) 2003-04-01 2005-08-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method for protecting and integrating silicon intellectual property (IP) in an integrated circuit (IC)
US6952653B2 (en) 2003-04-29 2005-10-04 Kla-Tencor Technologies Corporation Single tool defect classification solution
US6859746B1 (en) 2003-05-01 2005-02-22 Advanced Micro Devices, Inc. Methods of using adaptive sampling techniques based upon categorization of process variations, and system for performing same
US7739064B1 (en) 2003-05-09 2010-06-15 Kla-Tencor Corporation Inline clustered defect reduction
JP2004340652A (ja) 2003-05-14 2004-12-02 Hitachi Ltd 欠陥検査装置および陽電子線応用装置
US6777147B1 (en) 2003-05-21 2004-08-17 International Business Machines Corporation Method for evaluating the effects of multiple exposure processes in lithography
US7068363B2 (en) 2003-06-06 2006-06-27 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems for inspection of patterned or unpatterned wafers and other specimen
US7346470B2 (en) 2003-06-10 2008-03-18 International Business Machines Corporation System for identification of defects on circuits or other arrayed products
US9002497B2 (en) 2003-07-03 2015-04-07 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for inspection of wafers and reticles using designer intent data
US7135344B2 (en) 2003-07-11 2006-11-14 Applied Materials, Israel, Ltd. Design-based monitoring
US6947588B2 (en) 2003-07-14 2005-09-20 August Technology Corp. Edge normal process
US7968859B2 (en) 2003-07-28 2011-06-28 Lsi Corporation Wafer edge defect inspection using captured image analysis
US6988045B2 (en) 2003-08-04 2006-01-17 Advanced Micro Devices, Inc. Dynamic metrology sampling methods, and system for performing same
US7271891B1 (en) 2003-08-29 2007-09-18 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for providing selective defect sensitivity
US7433535B2 (en) 2003-09-30 2008-10-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Enhancing text-like edges in digital images
US7003758B2 (en) 2003-10-07 2006-02-21 Brion Technologies, Inc. System and method for lithography simulation
US7114143B2 (en) 2003-10-29 2006-09-26 Lsi Logic Corporation Process yield learning
US7103484B1 (en) 2003-10-31 2006-09-05 Kla-Tencor Technologies Corp. Non-contact methods for measuring electrical thickness and determining nitrogen content of insulating films
JP2005158780A (ja) 2003-11-20 2005-06-16 Hitachi Ltd パターン欠陥検査方法及びその装置
JP2005183907A (ja) 2003-11-26 2005-07-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd パターン解析方法及びパターン解析装置
JP4351522B2 (ja) 2003-11-28 2009-10-28 株式会社日立ハイテクノロジーズ パターン欠陥検査装置およびパターン欠陥検査方法
US8151220B2 (en) 2003-12-04 2012-04-03 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods for simulating reticle layout data, inspecting reticle layout data, and generating a process for inspecting reticle layout data
KR101056142B1 (ko) 2004-01-29 2011-08-10 케이엘에이-텐코 코포레이션 레티클 설계 데이터의 결함을 검출하기 위한 컴퓨터로구현되는 방법
JP4426871B2 (ja) 2004-02-25 2010-03-03 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 Ｆｉｂ／ｓｅｍ複合装置の画像ノイズ除去
US7194709B2 (en) 2004-03-05 2007-03-20 Keith John Brankner Automatic alignment of integrated circuit and design layout of integrated circuit to more accurately assess the impact of anomalies
JP2005283326A (ja) 2004-03-30 2005-10-13 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥レビュー方法及びその装置
US7171334B2 (en) 2004-06-01 2007-01-30 Brion Technologies, Inc. Method and apparatus for synchronizing data acquisition of a monitored IC fabrication process
JP4347751B2 (ja) 2004-06-07 2009-10-21 株式会社アドバンテスト 不良解析システム及び不良箇所表示方法
US7207017B1 (en) 2004-06-10 2007-04-17 Advanced Micro Devices, Inc. Method and system for metrology recipe generation and review and analysis of design, simulation and metrology results
WO2006019919A2 (en) 2004-07-21 2006-02-23 Kla-Tencor Technologies Corp. Computer-implemented methods for generating input for a simulation program for generating a simulated image of a reticle
US7678516B2 (en) 2004-07-22 2010-03-16 Kla-Tencor Technologies Corp. Test structures and methods for monitoring or controlling a semiconductor fabrication process
ATE512425T1 (de) 2004-08-09 2011-06-15 Bracco Suisse Sa Verfahren und anordnung zur bildregistrierung in der medizinischen bildgebung basierend auf mehreren masken
US7310796B2 (en) 2004-08-27 2007-12-18 Applied Materials, Israel, Ltd. System and method for simulating an aerial image
TW200622275A (en) 2004-09-06 2006-07-01 Mentor Graphics Corp Integrated circuit yield and quality analysis methods and systems
JP4904034B2 (ja) 2004-09-14 2012-03-28 ケーエルエー−テンカー コーポレイション レチクル・レイアウト・データを評価するための方法、システム及び搬送媒体
US7142992B1 (en) 2004-09-30 2006-11-28 Kla-Tencor Technologies Corp. Flexible hybrid defect classification for semiconductor manufacturing
US7783113B2 (en) * 2004-10-08 2010-08-24 Drvision Technologies Llc Partition pattern match and integration method for alignment
CN101120329A (zh) 2004-10-12 2008-02-06 恪纳腾技术公司 用于分类样品上的缺陷的计算机实现的方法和系统
US7729529B2 (en) 2004-12-07 2010-06-01 Kla-Tencor Technologies Corp. Computer-implemented methods for detecting and/or sorting defects in a design pattern of a reticle
KR20060075691A (ko) 2004-12-29 2006-07-04 삼성전자주식회사 결함 검사 방법
JP2006200972A (ja) 2005-01-19 2006-08-03 Tokyo Seimitsu Co Ltd 画像欠陥検査方法、画像欠陥検査装置及び外観検査装置
JP4895569B2 (ja) 2005-01-26 2012-03-14 株式会社日立ハイテクノロジーズ 帯電制御装置及び帯電制御装置を備えた計測装置
US7475382B2 (en) 2005-02-24 2009-01-06 Synopsys, Inc. Method and apparatus for determining an improved assist feature configuration in a mask layout
US7804993B2 (en) 2005-02-28 2010-09-28 Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. Method and apparatus for detecting defects in wafers including alignment of the wafer images so as to induce the same smear in all images
US7813541B2 (en) 2005-02-28 2010-10-12 Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. Method and apparatus for detecting defects in wafers
US7496880B2 (en) 2005-03-17 2009-02-24 Synopsys, Inc. Method and apparatus for assessing the quality of a process model
US7760929B2 (en) 2005-05-13 2010-07-20 Applied Materials, Inc. Grouping systematic defects with feedback from electrical inspection
US7760347B2 (en) 2005-05-13 2010-07-20 Applied Materials, Inc. Design-based method for grouping systematic defects in lithography pattern writing system
US7444615B2 (en) 2005-05-31 2008-10-28 Invarium, Inc. Calibration on wafer sweet spots
KR100687090B1 (ko) 2005-05-31 2007-02-26 삼성전자주식회사 결함 분류 방법
US7853920B2 (en) 2005-06-03 2010-12-14 Asml Netherlands B.V. Method for detecting, sampling, analyzing, and correcting marginal patterns in integrated circuit manufacturing
US7564017B2 (en) 2005-06-03 2009-07-21 Brion Technologies, Inc. System and method for characterizing aerial image quality in a lithography system
US7501215B2 (en) 2005-06-28 2009-03-10 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a calibration substrate
US20070002322A1 (en) 2005-06-30 2007-01-04 Yan Borodovsky Image inspection method
US8219940B2 (en) 2005-07-06 2012-07-10 Semiconductor Insights Inc. Method and apparatus for removing dummy features from a data structure
KR100663365B1 (ko) 2005-07-18 2007-01-02 삼성전자주식회사 내부에 적어도 한 쌍의 빔 경로들을 갖는 렌즈 유니트를구비하는 광학적 검사장비들 및 이를 사용하여 기판의 표면결함들을 검출하는 방법들
US7769225B2 (en) 2005-08-02 2010-08-03 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for detecting defects in a reticle design pattern
US7488933B2 (en) 2005-08-05 2009-02-10 Brion Technologies, Inc. Method for lithography model calibration
CN101258498B (zh) 2005-08-08 2011-04-13 Asml荷兰有限公司 用于形成光刻工艺的焦点曝光模型的系统和方法
US7749666B2 (en) 2005-08-09 2010-07-06 Asml Netherlands B.V. System and method for measuring and analyzing lithographic parameters and determining optimal process corrections
KR100909474B1 (ko) 2005-08-10 2009-07-28 삼성전자주식회사 웨이퍼 결함지수를 사용하여 국부성 불량 모드를 갖는결함성 반도체 웨이퍼의 검출 방법들 및 이에 사용되는장비들
EP1928583A4 (en) 2005-09-01 2010-02-03 Camtek Ltd METHOD AND SYSTEM FOR ESTABLISHING A TEST PROCEDURE
JP4203498B2 (ja) 2005-09-22 2009-01-07 アドバンスド・マスク・インスペクション・テクノロジー株式会社 画像補正装置、パターン検査装置、画像補正方法、及び、パターン欠陥検査方法
US7570796B2 (en) 2005-11-18 2009-08-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data
US8041103B2 (en) 2005-11-18 2011-10-18 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a position of inspection data in design data space
US7676077B2 (en) 2005-11-18 2010-03-09 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data
US7570800B2 (en) * 2005-12-14 2009-08-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for binning defects detected on a specimen
KR100696276B1 (ko) 2006-01-31 2007-03-19 (주)미래로시스템 웨이퍼 결함 검사 장비들로부터 획득된 측정 데이터들을이용한 자동 결함 분류 시스템
US7801353B2 (en) 2006-02-01 2010-09-21 Applied Materials Israel, Ltd. Method for defect detection using computer aided design data
WO2007092950A2 (en) 2006-02-09 2007-08-16 Kla-Tencor Technologies Corporation Methods and systems for determining a characteristic of a wafer
JP4728144B2 (ja) 2006-02-28 2011-07-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ 回路パターンの検査装置
WO2007137261A2 (en) 2006-05-22 2007-11-29 Kla-Tencor Technologies Corporation Methods and systems for detecting pinholes in a film formed on a wafer or for monitoring a thermal process tool
JP4791267B2 (ja) * 2006-06-23 2011-10-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査システム
US8102408B2 (en) 2006-06-29 2012-01-24 Kla-Tencor Technologies Corp. Computer-implemented methods and systems for determining different process windows for a wafer printing process for different reticle designs
US7664608B2 (en) 2006-07-14 2010-02-16 Hitachi High-Technologies Corporation Defect inspection method and apparatus
JP2008041940A (ja) 2006-08-07 2008-02-21 Hitachi High-Technologies Corp Ｓｅｍ式レビュー装置並びにｓｅｍ式レビュー装置を用いた欠陥のレビュー方法及び欠陥検査方法
US7904845B2 (en) 2006-12-06 2011-03-08 Kla-Tencor Corp. Determining locations on a wafer to be reviewed during defect review
WO2008077100A2 (en) 2006-12-19 2008-06-26 Kla-Tencor Corporation Systems and methods for creating inspection recipes
WO2008086282A2 (en) 2007-01-05 2008-07-17 Kla-Tencor Corporation Methods and systems for using electrical information for a device being fabricated on a wafer to perform one or more defect-related functions
US7738093B2 (en) 2007-05-07 2010-06-15 Kla-Tencor Corp. Methods for detecting and classifying defects on a reticle
US7962863B2 (en) 2007-05-07 2011-06-14 Kla-Tencor Corp. Computer-implemented methods, systems, and computer-readable media for determining a model for predicting printability of reticle features on a wafer
US8073240B2 (en) 2007-05-07 2011-12-06 Kla-Tencor Corp. Computer-implemented methods, computer-readable media, and systems for identifying one or more optical modes of an inspection system as candidates for use in inspection of a layer of a wafer
US7962864B2 (en) 2007-05-24 2011-06-14 Applied Materials, Inc. Stage yield prediction
US8799831B2 (en) 2007-05-24 2014-08-05 Applied Materials, Inc. Inline defect analysis for sampling and SPC
KR100877105B1 (ko) 2007-06-27 2009-01-07 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 패턴 검증 방법
US7796804B2 (en) 2007-07-20 2010-09-14 Kla-Tencor Corp. Methods for generating a standard reference die for use in a die to standard reference die inspection and methods for inspecting a wafer
US8611639B2 (en) 2007-07-30 2013-12-17 Kla-Tencor Technologies Corp Semiconductor device property extraction, generation, visualization, and monitoring methods
US7711514B2 (en) 2007-08-10 2010-05-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Computer-implemented methods, carrier media, and systems for generating a metrology sampling plan
KR101448971B1 (ko) 2007-08-20 2014-10-13 케이엘에이-텐코어 코오포레이션 실제 결함들이 잠재적으로 조직적인 결함들인지 또는 잠재적으로 랜덤인 결함들인지를 결정하기 위한 컴퓨터-구현 방법들
US8126255B2 (en) 2007-09-20 2012-02-28 Kla-Tencor Corp. Systems and methods for creating persistent data for a wafer and for using persistent data for inspection-related functions
JP5022191B2 (ja) 2007-11-16 2012-09-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査方法及び欠陥検査装置
US7890917B1 (en) 2008-01-14 2011-02-15 Xilinx, Inc. Method and apparatus for providing secure intellectual property cores for a programmable logic device
US7774153B1 (en) 2008-03-17 2010-08-10 Kla-Tencor Corp. Computer-implemented methods, carrier media, and systems for stabilizing output acquired by an inspection system
US8139844B2 (en) 2008-04-14 2012-03-20 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for determining a defect criticality index for defects on wafers
US8049877B2 (en) 2008-05-14 2011-11-01 Kla-Tencor Corp. Computer-implemented methods, carrier media, and systems for selecting polarization settings for an inspection system
US8000922B2 (en) 2008-05-29 2011-08-16 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for generating information to be used for selecting values for one or more parameters of a detection algorithm
JP6185693B2 (ja) * 2008-06-11 2017-08-23 ケーエルエー−テンカー・コーポレーションＫｌａ−Ｔｅｎｃｏｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ ウェーハー上の設計欠陥および工程欠陥の検出、ウェーハー上の欠陥の精査、設計内の１つ以上の特徴を工程監視特徴として使用するための選択、またはそのいくつかの組み合わせのためのシステムおよび方法
US7973921B2 (en) 2008-06-25 2011-07-05 Applied Materials South East Asia Pte Ltd. Dynamic illumination in optical inspection systems
KR20100061018A (ko) 2008-11-28 2010-06-07 삼성전자주식회사 다수 전자빔 조건의 멀티 스캔을 연산하여 새로운 패턴 이미지를 창출하는 반도체 소자의 디펙트 검사 장치 및 방법
US9262303B2 (en) 2008-12-05 2016-02-16 Altera Corporation Automated semiconductor design flaw detection system
US8041106B2 (en) 2008-12-05 2011-10-18 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for detecting defects on a reticle
US8094924B2 (en) 2008-12-15 2012-01-10 Hermes-Microvision, Inc. E-beam defect review system
US8223327B2 (en) 2009-01-26 2012-07-17 Kla-Tencor Corp. Systems and methods for detecting defects on a wafer
EP2396815A4 (en) 2009-02-13 2012-11-28 Kla Tencor Corp DETECTION OF DEFECTS ON A WAFER
US8204297B1 (en) 2009-02-27 2012-06-19 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for classifying defects detected on a reticle
US8112241B2 (en) 2009-03-13 2012-02-07 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for generating an inspection process for a wafer
JP2010256242A (ja) 2009-04-27 2010-11-11 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥検査装置及び欠陥検査方法
US8295580B2 (en) 2009-09-02 2012-10-23 Hermes Microvision Inc. Substrate and die defect inspection method
JP5357725B2 (ja) * 2009-12-03 2013-12-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査方法及び欠陥検査装置
US8437967B2 (en) 2010-01-27 2013-05-07 International Business Machines Corporation Method and system for inspecting multi-layer reticles
KR20120068128A (ko) 2010-12-17 2012-06-27 삼성전자주식회사 패턴의 결함 검출 방법 및 이를 수행하기 위한 결함 검출 장치
JP5715873B2 (ja) 2011-04-20 2015-05-13 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥分類方法及び欠陥分類システム
US9201022B2 (en) 2011-06-02 2015-12-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extraction of systematic defects
US9069923B2 (en) 2011-06-16 2015-06-30 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. IP protection
US20130009989A1 (en) 2011-07-07 2013-01-10 Li-Hui Chen Methods and systems for image segmentation and related applications
US8611598B2 (en) 2011-07-26 2013-12-17 Harman International (China) Holdings Co., Ltd. Vehicle obstacle detection system
US8977035B2 (en) * 2012-06-13 2015-03-10 Applied Materials Israel, Ltd. System, method and computer program product for detection of defects within inspection images

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6366687B1 (en) * 1996-07-05 2002-04-02 Applied Materials, Inc. Data converter apparatus and method particularly useful for a database-to-object inspection system
US20110013825A1 (en) * 2002-09-27 2011-01-20 Hitachi High-Technologies Corporation Method and Apparatus for Analyzing Defect Data and a Review System
US20090067703A1 (en) * 2007-09-07 2009-03-12 Kla-Tencor Corporation Memory cell and page break inspection
US20110311126A1 (en) * 2009-01-27 2011-12-22 Kaoru Sakai Defect inspecting apparatus and defect inspecting method

Also Published As

Publication number Publication date
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