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JP2002032737A - 半導体装置のパターン観察のためのナビゲーション方法及び装置 - Google Patents

半導体装置のパターン観察のためのナビゲーション方法及び装置

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Publication number
JP2002032737A
JP2002032737A JP2000214846A JP2000214846A JP2002032737A JP 2002032737 A JP2002032737 A JP 2002032737A JP 2000214846 A JP2000214846 A JP 2000214846A JP 2000214846 A JP2000214846 A JP 2000214846A JP 2002032737 A JP2002032737 A JP 2002032737A
Authority
JP
Japan
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observation
pattern
center
magnification
data
Prior art date
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Pending
Application number
JP2000214846A
Other languages
English (en)
Inventor
Ryoichi Matsuoka
良一 松岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Instruments Inc
Original Assignee
Seiko Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Instruments Inc filed Critical Seiko Instruments Inc
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Priority to KR1020010041588A priority patent/KR20020007173A/ko
Priority to US09/903,790 priority patent/US20020035717A1/en
Priority to DE10134241A priority patent/DE10134241A1/de
Publication of JP2002032737A publication Critical patent/JP2002032737A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高倍率での観察の場合に問題となるステージ
誤差を自動的に補正し高精度位置合わせを人手を介さず
に行えるようにすること。 【解決手段】 パターン観察装置３によってパターンの
所定箇所の観察中心が観察視野に入るような低倍率にて
観察位置合わせを行うことにより観察位置の中心が含ま
れている低倍率パターン画像データＤ１を得るように
し、この低倍率パターン画像データＤ１に基づくエッジ
線分データＤ２とこれに対応するＣＡＤ線分データＤ３
との比較からステージ２の誤差によるずれ量データＤ４
を得、このずれ量を補償するようにステージ２を相対移
動させてパターン観察装置３の観察視野をパターンの所
定箇所に正確に位置合わせするようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置のパタ
ーン観察のためのナビゲーション方法及び装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】各種半導体の製造工程において、ウエハ
上にパターンが予定通り形成されているか否かのチェッ
ク又は形成されたパターンに欠陥が生じているか否かの
チェックの必要が生じた場合、ウエハパターン観察装置
が用いられている。このような目的で用いられるウエハ
パターン観察装置はウエハ上に形成されたパターンのう
ち数〜数十μｍ角程度の面積内にある観察対象パターン
部分を高倍率で拡大して観察するものであるから、ウエ
ハパターン観察装置の観察視野はウエハパターン上の所
望の観察位置に高精度に位置合わせされることが必要で
ある。
【０００３】そこで、従来においては、この位置合わせ
のためのナビゲーション方法としてＣＡＤ装置を用いて
観察対象を特定する所謂ＣＡＤナビゲーションが一般的
に用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年におけ
る半導体製造技術の発展によりウエハ上に形成されるパ
ターンの寸法はサブミクロンオーダとなっており、この
ような超微細パターンを観察するために数万倍の高倍率
を有するウエハパターン観察装置が用いられるようにな
ってきている。ウエハパターン観察装置を用いてパター
ンをこのような高倍率で観察しようとする場合には観察
対象となる半導体装置を載せるステージの位置決めのた
めの誤差が問題となり、このステージ誤差のために従来
のＣＡＤナビゲーションの手法を用いた観察位置の位置
決めによっては観察位置合わせを所要の高精度で行うこ
とが困難となる。このため、観察対象となるパターン部
分が観察視野からはみ出してしまう可能性が非常に高く
なり、適切な高倍率観察が困難となる上に正確な倍率管
理もできないという問題点を生じている。
【０００５】この問題を克服するため、高倍率でのパタ
ーン観察にあっては、ＣＡＤナビゲーション装置を用い
ても最終的にはステージの誤差調整のための作業を人手
を介して行うことにより観察視野をウエハ上の所望の観
察位置に位置合わせしており、したがって、観察の自動
化を達成することができなかった。この結果、パターン
の観察作業が非効率的であり、生産性改善の阻害要因の
１つとなっている。
【０００６】本発明の目的は、半導体製造工程で用いら
れるウエハパターン観察装置によるウエハパターンの観
察位置を人手を介さずに高精度にて位置合わせすること
ができるようにした半導体装置のパターン観察のための
ナビゲーション方法及び装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の発明によれば、ステージにセットされた
半導体装置のパターンの所定箇所をパターン観察装置で
高倍率に拡大して観察するため、該パターン観察装置の
観察視野を前記所定箇所に位置合わせするためのナビゲ
ーション方法であって、前記所定箇所の観察中心が観察
視野に入るような低倍率にて前記パターン観察装置の観
察位置合わせを行って前記半導体装置の低倍率パターン
画像データを得るステップと、前記低倍率パターン画像
データとこれに対応したＣＡＤ図形データとから前記観
察中心と前記観察視野の中心との間のずれ量を演算する
ステップと、前記ずれ量に基づいて前記ステージのステ
ージ誤差を補償し前記観察中心が前記観察視野の中心と
一致するよう位置制御を行うステップとを備えたことを
特徴とする半導体装置のパターン観察のためのナビゲー
ション方法が提案される。
【０００８】低倍率パターン画像データに基づく画像に
おける所定箇所の観察中心はステージ誤差のためその観
察位置合わせにも拘らず、パターン観察装置の観察視野
の中心とずれを生じることになる。このずれの度合いで
あるずれ量は対応するＣＡＤ図形データを用いたマッチ
ング演算により得られる。このようにして得られたずれ
量を用いて位置制御を行い、高倍率で観察したい所定箇
所の観察中心にパターン観察装置の観察視野の中心を一
致させることができる。この結果、パターン観察装置が
所要の高倍率観察状態においてその観察視野内に所定箇
所が入るよう正確に観察位置合わせを行うことができ、
この所定箇所を所望の高倍率で観察することができる。
【０００９】請求項２の発明によれば、請求項１記載の
発明において、前記所定箇所の観察中心が観察視野に入
るような低倍率にて前記パターン観察装置の観察位置合
わせを行うため、前記低倍率の倍率値を前記ステージの
ステージ精度を考慮して定めるようにした半導体装置の
パターン観察のためのナビゲーション方法が提案され
る。
【００１０】請求項３の発明によれば、請求項１又は２
記載の発明において、前記ＣＡＤ図形データが前記観察
中心を中心点としているＣＡＤ図形を表すデータであ
り、前記低倍率パターン画像データに基づく画像におけ
る前記所定箇所の観察中心の座標データと該ＣＡＤ図形
の中心点に相応する座標データとから前記ずれ量を演算
するようにした半導体装置のパターン観察のためのナビ
ゲーション方法が提案される。
【００１１】請求項４の発明によれば、請求項３記載の
発明において、前記ずれ量が観察平面内でのイメージシ
フト量として計算される半導体装置のパターン観察のた
めのナビゲーション方法が提案される。
【００１２】請求項５の発明によれば、請求項１記載の
発明において、前記低倍率パターン画像データに基づい
てパターンのエッジ抽出を行い、これにより得られたエ
ッジデータと前記ＣＡＤ図形データとから前記ずれ量を
演算するようにした半導体装置のパターン観察のための
ナビゲーション方法が提案される。
【００１３】請求項６の発明によれば、ステージにセッ
トされた半導体装置のパターンの所定箇所をパターン観
察装置で高倍率に拡大して観察するため、該パターン観
察装置の観察視野を前記所定箇所に位置合わせするため
の半導体装置のパターン観察のためのナビゲーション装
置において、前記所定箇所を指定するための指定手段
と、前記パターンに対応するＣＡＤデータを格納してお
くためのメモリ手段と、前記指定手段に応答し前記所定
箇所の観察中心が観察視野に入るような低倍率にて前記
パターン観察装置の観察位置合わせを行って前記半導体
装置の低倍率パターン画像データを得る低倍率パターン
画像データ取得手段と、前記低倍率パターン画像データ
に基づきパターンのエッジ抽出を行ってエッジ線分デー
タを取り出す手段と、前記指定手段と前記メモリ手段と
に応答し前記低倍率パターン画像データに対応するＣＡ
Ｄ線分データを得る手段と、前記ＣＡＤ線分データと前
記エッジ線分データとを比較して前記観察中心と観察視
野の中心との間のずれ量を演算する手段と、前記ずれ量
に基づいて前記ステージのステージ誤差を補償し前記観
察中心と前記観察視野の中心とを一致させるよう位置制
御を行う手段とを備えたことを特徴とする半導体装置の
パターン観察のためのナビゲーション装置が提案され
る。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態の一例につき詳細に説明する。
【００１５】図１は、本発明の方法により半導体装置の
パターン観察のためのナビゲーションを行うように構成
されたナビゲーションユニットを備えた、パターン観察
システムの実施の形態の一例を示す概略システム構成図
である。
【００１６】パターン観察システム１において、２はス
テージ、３はパターン観察装置であり、ステージ２の上
にセットされた半導体装置４のパターン（図示せず）の
所定箇所をパターン観察装置３で高倍率に拡大して観察
するため、ナビゲーションユニット５が設けられてい
る。
【００１７】ナビゲーションユニット５は、外部に設け
られたメモリ６内に予め格納されている半導体装置４の
パターニングのためのＣＡＤ図形データのうちの必要部
分を参照し、ステージ２とパターン観察装置３との間の
相対位置をステージ誤差分だけ補正するためのずれ量デ
ータを演算し、このずれ量データに従って位置制御ユニ
ット７を作動させ、パターン観察装置３の観察視野を半
導体装置４上の所定箇所に正確に位置合わせするように
構成されている。
【００１８】ナビゲーションユニット５は、マイクロコ
ンピュータを含んで成る公知のコンピュータ装置に所定
のナビゲーションプログラムをセットして成るものであ
り、ナビゲーションユニット５はこのナビゲーションプ
ログラムに従って動作し、これにより半導体装置４のパ
ターンを高倍率に拡大して観察するのに必要なパターン
観察装置３の観察視野の自動位置合わせが高精度にて行
われるようになっている。
【００１９】図２はこのナビゲーションプログラムのフ
ローチャートを示すものであり、以下、図２を参照して
ナビゲーションユニット５によるナビゲーション動作に
ついて説明する。
【００２０】半導体装置４のパターンの所望の観察箇所
をナビゲーションユニット５の入力装置５Ａから入力す
ると、この観察箇所の指定に応答してステップ１１にお
いて位置設定信号Ｓ１が出力される。ステップ１２で
は、位置制御ユニット７が位置設定信号Ｓ１に応答して
ステージ２を移動させ、これにより、パターン観察装置
３の観察視野の中心がこのときの指定された観察箇所の
観察中心と一致するよう半導体装置４がパターン観察装
置３に対して位置決めされる。
【００２１】次のステップ１３では、ナビゲーションユ
ニット５からの指令により、パターン観察装置３の観察
倍率が指定された観察箇所の観察中心がパターン観察装
置３の観察視野に入るような適宜の低倍率に設定され
る。この低倍率は、例えば、ステージ２のステージ精度
を考慮し、ステージ２の位置決めにおいて予見される位
置設定誤差があっても指定された観察箇所の観察中心が
パターン観察装置３の観察視野に入るような倍率に定め
ることができる。
【００２２】ステップ１４では、ナビゲーションユニッ
ト５からの指示によりパターン観察装置３によって上述
した観察条件の下で低倍率パターン画像データを得、得
られた低倍率パターン画像データはナビゲーションユニ
ット５内のバッファメモリ５Ｂ内に格納される。
【００２３】ステップ１５では、バッファメモリ５Ｂ内
に格納された低倍率パターン画像データを公知の方法で
処理し、そのエッジ抽出を行い、これにより低倍率パタ
ーン画像データに基づく観察画像のエッジ線分データを
得る。
【００２４】次のステップ１６では、ステップ１４で得
られた低倍率パターン画像データに対応するＣＡＤ図形
データをメモリ６から読み出してバッファメモリ５Ｂに
格納する。このＣＡＤ図形データはパターン観察装置３
の観察中心を中心点としているＣＡＤ図形を表すデータ
となっており、この読み出されたＣＡＤ図形データに基
づいてＣＡＤ線分データを得る。このＣＡＤ線分データ
はＣＡＤ図形に従うパターンの線分を示すデータであ
る。
【００２５】そして、ステップ１７でエッジ線分データ
とＣＡＤ線分データとを比較するマッチング処理を行
い、これにより、観察中心とパターン観察装置３の観察
視野の中心との間のずれ量を演算する。このずれ量は観
察平面内でのイメージシフト量として計算される。
【００２６】ステップ１８では、ステップ１７で得られ
たずれ量に従い、観察中心とパターン観察装置３の観察
視野の中心とを一致させるようステージ２を移動させる
ための位置補正信号Ｓ２を出力し、これにより観察中心
とパターン観察装置３の観察視野の中心とを一致させ
る。
【００２７】以上の通り、ナビゲーションユニット５に
よって、先ず低倍率パターン画像における観察中心とパ
ターン観察装置３の実際の観察視野の中心とのずれ量を
演算し、このずれ量がステージ精度に従う位置決め誤差
であるとして、そのずれ量だけステージ２を移動させる
ことにより、パターン観察装置３の観察視野を半導体装
置４のパターンの所望の観察箇所に正確に位置合わせす
ることができる。なお、上述した位置合わせのための各
動作は、パターン観察装置３を移動させて行うこともで
きる。
【００２８】したがって、ナビゲーションユニット５を
用いて上述の如く正確な位置合わせが完了したならば、
パターン観察装置３の倍率を所要の高倍率にセットする
ことにより半導体装置４のパターンの所望箇所の高倍率
パターン画像を直ちに得ることができる。
【００２９】図３には、図１に示したナビゲーションユ
ニット５の装置構成の一例を説明するため、図１に示し
たパターン観察システム１の装置構成図が示されてい
る。図３の各部のうち、図１の各部に対応する部分には
同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００３０】ナビゲーションユニット５の装置構成につ
いて説明すると、５１はＣＡＤ装置でナビゲーション指
示部５２を含んでいる。５３は低倍率パターン画像デー
タ取得部で、ナビゲーション指示部５２から観察箇所を
指定されると、それにより出力される指示信号Ｓ５２に
応答して位置設定信号Ｓ１を出力して、図２のステップ
１２に説明したステージ２の位置決めが実行される。一
方、倍率設定信号Ｓ５３に応答してパターン観察装置３
がステップ１３で説明したようにして低倍率に設定さ
れ、パターン観察装置３で得られた低倍率パターン画像
データＤ１が低倍率パターン画像データ取得部５３に送
られ、画像メモリ５４に格納される。そして、エッジ抽
出部５５において画像メモリ５４に格納されている低倍
率パターン画像データに基づいて図２のステップ１５で
説明したようにしてエッジ抽出処理が行われ、エッジ線
分データＤ２が出力される。
【００３１】一方、ＣＡＤ線分データ切出部５６では、
ナビゲーション指示部５２からの指示信号Ｓ５２に応答
し、指示された観察箇所に相応したＣＡＤ線分データＤ
３がメモリ６から読み出され、バッファメモリ５７に格
納される。
【００３２】比較マッチング部５８では、エッジ抽出部
５５からのエッジ線分データＤ２とバッファメモリ５７
からのＣＡＤ線分データＤ３とが比較され、マッチング
処理が実行されてずれ量が演算される。ここでの演算処
理は図２のステップ１７で説明した処理に相当してい
る。比較マッチング部５８で得られたずれ量を示すずれ
量データＤ４はステージ位置補正部５９に送られ、ここ
で低倍率パターン画像における観察中心とパターン観察
装置３の実際の観察視野の中心とを一致させるようにス
テージ２を移動させるための位置補正信号Ｓ２が作ら
れ、位置制御ユニット７に送られる。
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば、先ず、パターン観察装
置によってパターンの所定箇所の観察中心が観察視野に
入るような低倍率にて観察位置合わせを行うことにより
観察位置の中心が含まれている低倍率パターン画像デー
タを得るようにし、この低倍率パターン画像データと対
応するＣＡＤ図形データとの比較からステージの誤差に
よるずれ量を演算し、このずれ量を補償するようにステ
ージを相対移動させることによりパターン観察装置の観
察視野をパターンの所定箇所に正確に位置合わせするよ
うにしたので、人手を介さずに半導体装置のパターンの
所望の箇所の高倍率パターン画像を得ることができる。
したがって、パターンの観察の自動化が可能であり、半
導体装置のパターンの高倍率での観察を人手を介さずに
極めて高効率にて行うことができるようになる。この結
果、観察装置の運転の無人化を行って半導体生産の効率
を著しく向上させることもできる。また、観察対象をＣ
ＡＤ画面上から正確に指定することも可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体装置のパターン観察システ
ムの実施の形態の一例を示す概略システム構成図。
【図２】図１に示した半導体装置のパターン観察システ
ムの動作を説明するためのフローチャート。
【図３】図１に示したナビゲーションユニットの装置構
成の一例を説明するための装置構成図。
【符号の説明】
１ パターン観察システム ２ ステージ ３ パターン観察装置 ４ 半導体装置 ５ ナビゲーションユニット ６ メモリ ７ 位置制御ユニット ５１ ＣＡＤ装置 ５２ ナビゲーション指示部 ５３ 低倍率パターン画像データ取得部 ５４ 画像メモリ ５５ エッジ抽出部 ５６ ＣＡＤ線分データ切出部 ５７ バッファメモリ ５８ 比較マッチング部 ５９ ステージ位置補正部 Ｄ１ 低倍率パターン画像データ Ｄ２ エッジ線分データ Ｄ３ ＣＡＤ線分データ Ｄ４ ずれ量データ Ｓ１ 位置設定信号 Ｓ２ 位置補正信号 Ｓ５２ 指示信号 Ｓ５３ 倍率設定信号
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F065 AA07 BB02 CC19 FF04 JJ03 PP12 PP24 QQ32 QQ38 RR05 2G051 AA51 AC21 DA07 EA12 EA14 4M106 AA01 BA10 CA38 CA50 DB18 DB20 DH50 DJ04 DJ07 DJ11 DJ18 DJ19 DJ21 5B057 AA03 BA17 DA07 DB02 DC16 DC33 DC36

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ステージにセットされた半導体装置のパ
    ターンの所定箇所をパターン観察装置で高倍率に拡大し
    て観察するため、該パターン観察装置の観察視野を前記
    所定箇所に位置合わせするためのナビゲーション方法で
    あって、 前記所定箇所の観察中心が観察視野に入るような低倍率
    にて前記パターン観察装置の観察位置合わせを行って前
    記半導体装置の低倍率パターン画像データを得るステッ
    プと、 前記低倍率パターン画像データとこれに対応したＣＡＤ
    図形データとから前記観察中心と前記観察視野の中心と
    の間のずれ量を演算するステップと、 前記ずれ量に基づいて前記ステージのステージ誤差を補
    償し前記観察中心が前記観察視野の中心と一致するよう
    位置制御を行うステップとを備えたことを特徴とする半
    導体装置のパターン観察のためのナビゲーション方法。
  2. 【請求項２】 前記所定箇所の観察中心が観察視野に入
    るような低倍率にて前記パターン観察装置の観察位置合
    わせを行うため、前記低倍率の倍率値を前記ステージの
    ステージ精度を考慮して定めるようにした請求項１記載
    の半導体装置のパターン観察のためのナビゲーション方
    法。
  3. 【請求項３】 前記ＣＡＤ図形データが前記観察中心を
    中心点としているＣＡＤ図形を表すデータであり、前記
    低倍率パターン画像データに基づく画像における前記所
    定箇所の観察中心の座標データと該ＣＡＤ図形の中心点
    に相応する座標データとから前記ずれ量を演算するよう
    にした請求項１又は２記載の半導体装置のパターン観察
    のためのナビゲーション方法。
  4. 【請求項４】 前記ずれ量が観察平面内でのイメージシ
    フト量として計算される請求項３記載の半導体装置のパ
    ターン観察のためのナビゲーション方法。
  5. 【請求項５】 前記低倍率パターン画像データに基づい
    てパターンのエッジ抽出を行い、これにより得られたエ
    ッジデータと前記ＣＡＤ図形データとから前記ずれ量を
    演算するようにした請求項１記載の半導体装置のパター
    ン観察のためのナビゲーション方法。
  6. 【請求項６】 ステージにセットされた半導体装置のパ
    ターンの所定箇所をパターン観察装置で高倍率に拡大し
    て観察するため、該パターン観察装置の観察視野を前記
    所定箇所に位置合わせするための半導体装置のパターン
    観察のためのナビゲーション装置において、 前記所定箇所を指定するための指定手段と、 前記パターンに対応するＣＡＤデータを格納しておくた
    めのメモリ手段と、 前記指定手段に応答し前記所定箇所の観察中心が観察視
    野に入るような低倍率にて前記パターン観察装置の観察
    位置合わせを行って前記半導体装置の低倍率パターン画
    像データを得る低倍率パターン画像データ取得手段と、 前記低倍率パターン画像データに基づきパターンのエッ
    ジ抽出を行ってエッジ線分データを取り出す手段と、 前記指定手段と前記メモリ手段とに応答し前記低倍率パ
    ターン画像データに対応するＣＡＤ線分データを得る手
    段と、 前記ＣＡＤ線分データと前記エッジ線分データとを比較
    して前記観察中心と観察視野の中心との間のずれ量を演
    算する手段と、 前記ずれ量に基づいて前記ステージのステージ誤差を補
    償し前記観察中心と前記観察視野の中心とを一致させる
    よう位置制御を行う手段とを備えたことを特徴とする半
    導体装置のパターン観察のためのナビゲーション装置。
JP2000214846A 2000-07-14 2000-07-14 半導体装置のパターン観察のためのナビゲーション方法及び装置 Pending JP2002032737A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7518110B2 (en) 2005-02-25 2009-04-14 Hitachi High-Technologies Corporation Pattern measuring method and pattern measuring device
JP2010009987A (ja) * 2008-06-27 2010-01-14 Hitachi High-Technologies Corp 集束イオンビーム装置、集束イオンビーム装置を用いた試料加工方法及び試料加工プログラム
JP2011099864A (ja) * 2010-12-03 2011-05-19 Hitachi High-Technologies Corp パターンマッチング装置およびそれを用いた半導体検査システム
JP2012505523A (ja) * 2008-10-12 2012-03-01 エフ・イ−・アイ・カンパニー 局所領域ナビゲーション用の高精度ビーム配置

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7530034B2 (en) * 2005-02-25 2009-05-05 Dcg Systems, Inc. Apparatus and method for circuit operation definition
US20060289788A1 (en) * 2005-02-25 2006-12-28 Accent Optical Technologies, Inc. Apparatus and method for enhanced critical dimension scatterometry
US7676077B2 (en) * 2005-11-18 2010-03-09 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data
US7570796B2 (en) 2005-11-18 2009-08-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data
WO2008086282A2 (en) * 2007-01-05 2008-07-17 Kla-Tencor Corporation Methods and systems for using electrical information for a device being fabricated on a wafer to perform one or more defect-related functions
US8213704B2 (en) 2007-05-09 2012-07-03 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for detecting defects in a reticle design pattern
US7796804B2 (en) 2007-07-20 2010-09-14 Kla-Tencor Corp. Methods for generating a standard reference die for use in a die to standard reference die inspection and methods for inspecting a wafer
US10289671B2 (en) * 2008-05-07 2019-05-14 Microsoft Technology Licensing, Llc Graphically displaying selected data sources within a grid
KR101729669B1 (ko) 2008-07-28 2017-04-24 케이엘에이-텐코어 코오포레이션 웨이퍼 상의 메모리 디바이스 영역에서 검출된 결함들을 분류하기 위한 컴퓨터-구현 방법들, 컴퓨터-판독 가능 매체, 및 시스템들
US8781219B2 (en) 2008-10-12 2014-07-15 Fei Company High accuracy beam placement for local area navigation
US8775101B2 (en) 2009-02-13 2014-07-08 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer
US8781781B2 (en) 2010-07-30 2014-07-15 Kla-Tencor Corp. Dynamic care areas
JP5679560B2 (ja) * 2011-02-01 2015-03-04 株式会社キーエンス 寸法測定装置、寸法測定方法及び寸法測定装置用のプログラム
US9170211B2 (en) 2011-03-25 2015-10-27 Kla-Tencor Corp. Design-based inspection using repeating structures
US9087367B2 (en) 2011-09-13 2015-07-21 Kla-Tencor Corp. Determining design coordinates for wafer defects
US8831334B2 (en) 2012-01-20 2014-09-09 Kla-Tencor Corp. Segmentation for wafer inspection
US8826200B2 (en) 2012-05-25 2014-09-02 Kla-Tencor Corp. Alteration for wafer inspection
US9189844B2 (en) 2012-10-15 2015-11-17 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer using defect-specific information
US9053527B2 (en) 2013-01-02 2015-06-09 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer
US9134254B2 (en) 2013-01-07 2015-09-15 Kla-Tencor Corp. Determining a position of inspection system output in design data space
US9311698B2 (en) 2013-01-09 2016-04-12 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer using template image matching
KR102019534B1 (ko) 2013-02-01 2019-09-09 케이엘에이 코포레이션 결함 특유의, 다중 채널 정보를 이용한 웨이퍼 상의 결함 검출
US9865512B2 (en) 2013-04-08 2018-01-09 Kla-Tencor Corp. Dynamic design attributes for wafer inspection
US9310320B2 (en) 2013-04-15 2016-04-12 Kla-Tencor Corp. Based sampling and binning for yield critical defects
CN110906867B (zh) * 2019-11-29 2021-09-17 苏州精濑光电有限公司 一种线宽量测方法和线宽量测机
DE102023134499A1 (de) * 2023-09-18 2025-03-20 Raith Gmbh Untersuchungsverfahren für eine Halbleiterprobe mittels eines Sekundärionen-Massenspektrometers mit einem fokussierten Ionenstrahl und Analysevorrichtung dafür

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5600734A (en) * 1991-10-04 1997-02-04 Fujitsu Limited Electron beam tester
US5604819A (en) * 1993-03-15 1997-02-18 Schlumberger Technologies Inc. Determining offset between images of an IC
US5561293A (en) * 1995-04-20 1996-10-01 Advanced Micro Devices, Inc. Method of failure analysis with CAD layout navigation and FIB/SEM inspection
US6246787B1 (en) * 1996-05-31 2001-06-12 Texas Instruments Incorporated System and method for knowledgebase generation and management

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7518110B2 (en) 2005-02-25 2009-04-14 Hitachi High-Technologies Corporation Pattern measuring method and pattern measuring device
US8507856B2 (en) 2005-02-25 2013-08-13 Hitachi High-Technologies Corporation Pattern measuring method and pattern measuring device
JP2010009987A (ja) * 2008-06-27 2010-01-14 Hitachi High-Technologies Corp 集束イオンビーム装置、集束イオンビーム装置を用いた試料加工方法及び試料加工プログラム
JP2012505523A (ja) * 2008-10-12 2012-03-01 エフ・イ−・アイ・カンパニー 局所領域ナビゲーション用の高精度ビーム配置
JP2011099864A (ja) * 2010-12-03 2011-05-19 Hitachi High-Technologies Corp パターンマッチング装置およびそれを用いた半導体検査システム

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