JP4073265B2 - 検査装置及び検査方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、検査装置及び検査方法に関し、特にフォトマスクまたはウェハーを検査する検査装置及び検査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＳＩ（Large-Scale Integrated circuit）の微細化が進むなかで、近年、ウェハーのみならず、ＬＳＩ作成時に用いられる、レチクルなどのフォトマスクの精度も高まっている。
【０００３】
一方、フォトマスクやウェハーの欠陥を検出する検査装置においても、検査感度の向上が求められている。
図１２は、従来の検査装置の構成を示すブロック図である。
【０００４】
検査装置１００は、実パターンを描画する時に使用した設計データと比較する「ｄｉｅ ｔｏ ｄａｔａｂａｓｅ検査」を行う検査装置１００である。ここで、検査装置１００は、設計データをもとに検査用の検査データを生成する検査データ生成部１０１と、検査条件を設定する検査条件設定部１０２と、被検査対象１１０であるフォトマスクやウェハーの実パターンを画像データとして取り込む画像取得部１０３と、比較のために、検査データ及び被検査データを画像変換する画像変換部１０４、１０５と、被検査データと検査データとを比較して欠陥を検出する比較判断部１０６と、比較されて検出された欠陥を記憶する欠陥記憶部１０７と、被検査対象１１０を載せるためのステージ１０８ａの駆動及び、検査装置１００全体を制御する検査／駆動制御部１０８と、から構成される。
【０００５】
この検査装置１００において、検査データ生成部１０１に設計データが入力されると、検査に適したフォーマットの検査データが生成される。さらに、検査条件設定部１０２において検査感度などを設定すると、検査が開始される。ここで、検査データは、画像変換部１０４にて画像に変換され比較判断部１０６に入力される。これと同期して、画像取得部１０３で得られた被検査対象１１０の実パターンが被検査データとして画像変換部１０５に送られ、ここで画像変換されて比較判断部１０６に入力される。比較判断部１０６では、検査条件設定部１０２で設定された検査感度を参照し、２つの画像データを比較して、欠陥があるか否かを判断する。ここで、欠陥が検出された場合、欠陥は欠陥記憶部１０７に記憶される。検査／駆動制御部１０８では、ステージ１０８ａをスキャンすることにより、被検査対象１１０の全てのエリアについて検査を行う。
【０００６】
このように、従来の検査装置１００は、被検査データと検査データを比較し、それが異なれば、欠陥として検出するようにしていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の検査装置１００では、検査感度を上げた場合、無欠陥箇所であるにもかかわらず、欠陥と誤認されてしまう擬似欠陥が発生するという問題があった。また、フォトマスクやウェハーの欠陥場所によっては、性能や特性に影響されない欠陥もあり、問題のない欠陥に対しても修正するなどの工数をかけており、手間であるという問題があった。
【０００８】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、検査から修正までの時間短縮が可能な検査装置を提供することを目的とする。
また、本発明の他の目的は、検査から修正までの時間短縮が可能な検査方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明では上記課題を解決するために、図１に示すような検査装置１０において、設計データをもとに、所定のパターンが有するクロック信号線、アドレス信号線、データ入出力信号線、制御信号線、または電源線のいずれかを含むパターン機能を、検査感度で区分する検査感度区分情報を含む、検査データを生成する検査データ生成部１１と、検査感度区分情報ごとに所望の検査感度を割り当てる検査感度設定部１２と、被検査対象２０であるフォトマスクまたはウェハーを撮像して、被検査データを生成する画像取得部１３と、被検査データと検査データとを比較して欠陥を検出する比較判断部１４と、検出された欠陥が存在する検査データ内の領域を抽出する検査データ抽出部１５と、抽出された領域に含まれるパターンに対して設定された検査感度区分情報を参照し、欠陥を登録するか否かを判定する欠陥登録判定部１６と、欠陥を記憶する欠陥記憶部１７と、から構成される検査装置１０が提供される。
【００１０】
上記構成によれば、パターン機能が検査感度区分情報によって区別され、パターン機能ごとに検査感度が設定される。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図１は、本発明の実施の形態の検査装置の概略の構成を示すブロック図である。
【００１２】
検査装置１０は、設計データをもとに、パターン機能を検査感度で区分する検査感度区分情報を含む、検査データを生成する検査データ生成部１１と、検査感度区分情報に所望の検査感度を割り当てる検査感度設定部１２と、被検査対象２０であるフォトマスクまたはウェハーを撮像して、被検査データを生成する画像取得部１３と、被検査データと検査データとを比較して欠陥を検出する比較判断部１４と、検出された欠陥が存在する検査データ内の領域を抽出する検査データ抽出部１５と、抽出された検査データの検査感度区分情報を参照し、欠陥を登録するか否かを判定する欠陥登録判定部１６と、欠陥を記憶する欠陥記憶部１７と、から構成される。
【００１３】
検査データ生成部１１では、設計データをもとに、信号線や電源線など所定のパターン機能ごとに、検査感度区分情報を付加した検査データを生成する。検査感度区分情報は、パターン機能を検査感度で区分するための情報である。例えば、検査感度区分情報として数字を付加した場合、信号線は検査感度区分番号１で、電源線は検査感度区分番号２などとパターン機能ごとに区分する。また、数字以外に、文字や記号を用いて区分するようにしてもよい。
【００１４】
検査感度設定部１２は、検査感度区分番号１のパターン機能は検査感度０．５μｍ、検査感度区分番号２のパターン機能は検査感度１．０μｍなどと、検査感度区分情報に、所望の検査感度を割り当てる。
【００１５】
画像取得部１３は、被検査対象２０であるフォトマスクまたはウェハーを撮像して被検査データを生成する。
比較判断部１４は、被検査データと、検査データ生成部１１で生成された検査データとを比較して、その相違から欠陥を検出する。この際、検査領域内に複数の検査感度区分情報を有するパターン機能が存在する場合には、検査感度区分情報に対応付けられた検査感度を参照して、最小の検査感度で検査を行い、欠陥を検出する。
【００１６】
検査データ抽出部１５は、比較判断部１４で検出された欠陥が存在する、検査データ内の領域を抽出する。
欠陥登録判定部１６は、抽出された検査データ内の領域において欠陥がどのパターン機能における欠陥か検証し、パターン機能の検査感度区分情報と、それに割り当てられた検査感度を参照して、欠陥として登録するか否かを判定する。例えば、検査感度以上の欠陥なら登録し、検査感度未満の欠陥であれば未登録とする。また、複数の検査感度区分情報のパターン機能にまたがった欠陥の場合、検査感度の高いパターン機能を優先する。詳細については後述する。
【００１７】
欠陥記憶部１７は登録すると判定された欠陥を記憶する。
以下、検査装置１０の動作を説明する。
検査データ生成部１１に、被検査対象２０と対応した設計データが入力されると、設計データのパターン機能ごとに、検査感度区分情報を付加した検査データを生成する。さらに検査感度設定部１２で、検査感度区分情報に検査感度を割り当てる。被検査対象２０であるフォトマスクやウェハーは、画像取得部１３で被検査データとして検査装置１０に入力される。入力された被検査データは、検査データと比較判断部１４で比較され、欠陥があるか否か判断される。ここで、欠陥が検出された場合、その検出された欠陥が存在する、検査データ内の領域を抽出する。欠陥登録判定部１６では、抽出された検査データ内の領域において欠陥がどのパターン機能における欠陥か検証し、パターン機能の検査感度区分情報と、それに割り当てられた検査感度を参照して、欠陥として登録するか否かを判定する。登録すると判定された欠陥は、欠陥記憶部１７に記憶される。
【００１８】
以下フローチャートを用いて、検査装置１０における検査方法の概略について説明する。
図２は、検査方法を示すフローチャートである。
【００１９】
Ｓ１：検査データの生成
設計データをもとに、検査データ生成部１１ではパターン機能ごとに、検査感度区分情報を付加した検査データを生成する。
【００２０】
Ｓ２：検査感度の設定
検査データの検査感度区分情報ごとに検査感度を割り当てる。
Ｓ３：フォトマスクまたはウェハーを撮像し被検査データを生成
画像取得部１３において、フォトマスクまたはウェハーを撮像し、被検査データを生成する。
【００２１】
Ｓ４：検査データと被検査データとの比較
検査データと、被検査データとを比較判断部１４で比較し、その相違から欠陥を検出する。
【００２２】
Ｓ５：欠陥が検出されたか否かの判断
ステップＳ４の検査データと、被検査データとの比較から、欠陥が検出された場合はステップＳ６に進み、欠陥が検出されなかった場合は処理を終了する。
【００２３】
Ｓ６：検出した欠陥が存在する検査データ内の領域の抽出
比較判断部１４で検出された欠陥が存在する、検査データ内の領域を検査データ抽出部１５で抽出する。
【００２４】
Ｓ７：欠陥を登録するか否かの判断
ステップＳ６において抽出された検査データ内の領域において、欠陥登録判定部１６では、欠陥がどのパターン機能における欠陥か検証し、パターン機能の検査感度区分情報と、それに割り当てられた検査感度を参照して、欠陥として登録するか否かを判定する。
【００２５】
ここで、欠陥として登録すると判定された場合はステップＳ８に進み、登録しないと判定された場合は処理を終了する。
Ｓ８：欠陥記憶
ステップＳ７で登録すると判定された欠陥を、欠陥記憶部に記憶させる。
【００２６】
上記のように、検査データ内のパターン機能ごとに、検査感度区分情報をもたせることで、パターン機能を区別することができる。また、検査感度区分情報に所望の検査感度を設定して、検査感度に応じて欠陥登録の判定を行うことにより、性能に影響されない欠陥の登録を抑えられる。これにより、性能に影響されない欠陥の修正時間を不要とするため、検査から修正までのトータル的な時間短縮が可能となる。
【００２７】
以下、本発明の実施の形態の検査装置及び検査方法の詳細を説明する。
図３は、本発明の実施の形態の検査装置の構成を示すブロック図である。
検査装置３０は、設計データをもとに、所定のパターン機能を検査感度で区分する検査感度区分情報を含む、検査データを生成する検査データ生成部３１と、ユーザの入力により、検査感度区分情報に検査感度を割り当てる検査感度設定部３２と、被検査対象５０であるレチクルなどのフォトマスクまたはウェハーを撮像し被検査データを生成する画像取得部３３と、検査データを画像変換する画像変換部３４と、被検査データを画像変換する画像変換部３５と、画像変換処理された被検査データと、検査データとを比較して欠陥を検出する比較判断部３６と、検出された欠陥が存在する検査データ内の領域（以下検査データエリアと呼ぶ）を抽出する検査データ抽出部３７と、抽出された検査データエリアの検査感度区分情報を参照し、欠陥を登録するか否かを判定する欠陥登録判定部３８と、欠陥を記憶する欠陥記憶部３９と、被検査対象５０を載せるためのステージ４０ａの駆動及び、検査装置３０全体を制御する検査／駆動制御部４０と、から構成される。
【００２８】
検査データ生成部３１は、パターン機能ごとに、検査感度で区分するための検査感度区分情報を含めた検査データを生成する。パターン機能の種類として、クロック信号線、アドレス信号線、データ入出力信号線、制御信号線及び電源線などがある。これらのデータに、例えば、数字や、記号、文字などによる検査感度区分情報を付加する。検査データのフォーマットについては後述する。
【００２９】
検査感度設定部３２は、検査感度区分情報に、所望の検査感度を割り当てる。
この際、クロック信号線に付加された検査感度区分情報に、最も高い検査感度を割り当て、電源線に付加された検査感度区分情報には、最も低い検査感度を割り当て、その他の信号線は同レベルの検査感度を割り当てるようにすることが望ましい。具体的には、検査感度区分情報として数字を用いた場合には、検査感度区分番号１には検査感度を０．５μｍ、検査感度区分番号２には検査感度を１．０μｍ、などと任意に検査感度を設定する。
【００３０】
画像取得部３３は、被検査対象５０であるフォトマスクやウェハーを撮像し、被検査データを生成する。ここで、画像取得部３３は、光を電気信号に変換するための図示しないＣＣＤ（Charge Coupled Device）などのセンサ及び、撮像した実パターンを、デジタルの被検査データとして処理する信号処理回路などからなる。
【００３１】
画像変換部３４、３５は、検査データと、被検査データとを比較するために、画像変換を施す機能を有する。これらは、図１では省略してある。
比較判断部３６は、画像変換後の検査データと、被検査データとを比較して被検査対象５０に欠陥があるか否かを判断する。
【００３２】
検査データ抽出部３７は、比較判断部３６で検出された欠陥が属する領域の、検査データエリアを抽出する。
欠陥登録判定部３８は、抽出された検査データエリアにおいて、検査感度区分番号が付加されたパターン機能を所定の割合で拡大した欠陥判定範囲を作成し、検出された欠陥の領域（以下欠陥パターンエリアと呼ぶ）と重ねあわせ、検査感度に応じた欠陥の登録判定を行う。
【００３３】
欠陥記憶部３９は、欠陥登録判定部３８で登録と判定された欠陥を記憶する。検査／駆動制御部４０は、被検査対象５０を設置するステージ４０ａのスキャン制御や、制御信号線は省略したが、検査装置３０全体の制御を行う。なお、検査／駆動制御部４０は図１では省略してある。
【００３４】
以下検査装置３０の動作を説明する。
例えば、図示しないデータベースなどから、検査装置３０の検査データ生成部３１にステージ４０ａに設置されたフォトマスクやウェハーなどの被検査対象５０の設計データが入力されると、検査データ生成部３１では、それをもとに検査に適したフォーマットの検査データを生成する。
【００３５】
検査データにおいて、設計データに記載されたパターン機能ごとに、検査感度で区分するための、検査感度区分情報が付加される。以下、検査感度区分情報として、数字を適用した場合について説明する。この場合、検査感度区分情報を、検査感度区分番号と呼ぶことにする。
【００３６】
図４は、検査データの１領域を示す図である。
従来の検査データにおいては、パターン機能の区別がなされていなかった。これに対し、本発明の実施の形態では、例えば、図４のように、検査データの１領域である検査データエリア６０内において、信号配線６１には検査感度区分番号１が、電源配線６２には検査感度区分番号２が付加されて区別される。
【００３７】
次に、パターン機能ごとに付加された検査感度区分番号に対応した検査感度が、検査感度設定部３２において割り当てられる。この設定は、例えば、検査条件の設定時に、ユーザより、パターン機能ごとに要求する検査感度を入力するようにしてもよい。この際、検査感度設定部３２は、入力された検査感度を検査感度区分番号に対応付けるようにする。
【００３８】
一方、被検査対象５０は、ステージ４０ａに設置されており、検査／駆動制御部４０の制御のもと、ステージスキャンされ、被検査対象５０の所定の位置におけるパターンが画像取得部３３において撮像される。さらに、信号処理によってデジタルの被検査データに変換される。
【００３９】
さらに、検査データ及び被検査データは、それぞれ、画像変換部３４、３５で画像変換が行われ、比較判断部３６で画像データの比較が行われる。この比較の際、検査感度設定部３２で設定された検査感度を参照して、例えば、図４のような複数の異なる検査感度区分番号が付加されたパターン機能が検査データエリア６０内に存在する場合には、検査感度が最小のものを採用して、欠陥を検出する。
【００４０】
図５は、検出された欠陥の例である。
これは、画像変換後、比較判断部３６で、図４で示された検査データエリア６０の検査データと比較して検出された被検査対象５０（ここではレチクルとする）の欠陥の例である。
【００４１】
図５のように、例えば、レーザなどによる遮光膜の昇華によって発生するピンホールＰｈ１、Ｐｈ２、Ｐｈ３及び、エッチング時に所望の場所以外に遮光膜のクロムが残った部分であるクロム残Ｃｒ１、Ｃｒ２、Ｃｒ３といった欠陥が検出される。
【００４２】
比較判断部３６では、さらに、欠陥検出時に、検出された欠陥のパターン重心座標と欠陥サイズを検出し、欠陥パターンエリアを算出する。
図６は、欠陥パターンエリア算出方法を説明する図である。
【００４３】
ここでは、図５で示したクロム残Ｃｒ３について、欠陥パターンエリアの算出方法を説明する。
欠陥の検出時には、Ｘ−Ｙ座標で示された、欠陥サイズと、パターン重心座標が検出される。例えば、図のようにＸ方向の大きさであるＸサイズは４．５μｍ、Ｙ方向の大きさであるＹサイズは２．５μｍ、パターン重心座標は、Ｘ：５０４７．７５０μｍ、Ｙ：１７９．５００μｍなどと算出される。さらに、これらより、図６のＡ、Ｂの対角で示される領域からなる欠陥パターンエリア７０が算出される。
【００４４】
ここで、検査データのフォーマットを説明する。
図７は、検査データエリアを示す図である。
検査データは、図のように、Ｘ方向のセグメント番号と、Ｙ方向のストライプ番号で表される複数のデータエリアから構成されている。
【００４５】
検査データ抽出部３７では、図７のように表される検査データより、例えば、図６で示した欠陥パターンエリア７０が属するデータエリアを抽出する。
例えば、図６のＡ及びＢの座標は、欠陥サイズと、パターン重心座標から算出されるので、これらを検査データの単位セグメント及び単位ストライプの長さで割ることで、欠陥パターンエリア７０が検査データ内で属するデータエリアを算出できる。ここで、算出された検査データのデータエリアを抽出する。例えば、図６で示したクロム残Ｃｒ３の欠陥パターンエリア７０が、セグメント番号４、ストライプ番号４の検査データエリア６０に属すると算出された場合は、図７において、検査データエリア６０が抽出される。
【００４６】
次に、欠陥登録判定部３８の動作を説明する。
欠陥登録判定部３８では、まず、検査データ抽出部３７で抽出された検査データエリア６０をもとに、欠陥判定範囲を作成する。
【００４７】
図８は、欠陥判定範囲の作成方法を説明する図である。
抽出された検査データエリア６０において、検査感度区分番号で区分されたパターン機能に所定量のシフト処理を行ない、欠陥判定範囲を作成する。図８は、パターン機能に１μｍのシフトをかけた場合のものであり、検査感度区分番号１の信号配線６１からなる欠陥判定範囲８１と、検査感度区分番号２の電源配線６２からなる欠陥判定範囲８２とが形成される。
【００４８】
次に、前述の図６のようにして、決定された欠陥パターンエリア７０を、欠陥判定範囲８１、８２と合成する。
図９は、欠陥判定範囲と欠陥パターンエリアとを合成した図である。
【００４９】
図９では、欠陥判定範囲８１、８２の両方に、欠陥パターンエリア７０が重なり合っている場合について示した。欠陥判定の際、欠陥判定範囲８１、８２と、欠陥パターンエリア７０との重なり部分を調べるため、ＡＮＤ処理を行なう。まず、高い検査感度が割り当てられた検査感度区分番号１の欠陥判定範囲８１と、欠陥パターンエリア７０とのＡＮＤ処理を優先的に行ない、その結果が１の場合、欠陥パターンエリア７０で示される欠陥は検査感度区分番号１の欠陥判定範囲に属する欠陥として登録される。一方、図９では欠陥パターンエリア７０は欠陥判定範囲８１、８２の両方と重なっているが、例えば、欠陥判定範囲８１との重なりがない場合、すなわち、ＡＮＤ処理の結果が０の場合、続いて、検査感度区分番号２の欠陥判定範囲８２と、欠陥パターンエリア７０とのＡＮＤ処理を行なう。ここで、その結果が１の場合、欠陥パターンエリア７０で示される欠陥は検査感度区分番号２の欠陥判定範囲に属する欠陥とする。ただしこの際、欠陥のサイズと、検査感度区分番号２に割り当てられた検査感度を参照して、欠陥のサイズが検査感度より小さい欠陥の場合は、欠陥として登録しない。
【００５０】
以下、図５における各欠陥における欠陥判定を説明する。
図１０は、図５で示した欠陥と、欠陥判定範囲及びパターン機能を合成した様子を示す図である。
【００５１】
ここで、ピンホールＰｈ１のサイズが０．５μｍ、ピンホールＰｈ２は０．８μｍ、ピンホールＰｈ３は１．０μｍ、クロム残Ｃｒ１のサイズが１．０μｍ、クロム残Ｃｒ２は０．９μｍ、クロム残Ｃｒ３は４．５μｍであるとする。
【００５２】
さらに、検査感度区分番号１には検査感度０．５μｍ、検査感度区分番号２には検査感度１．０μｍが割り当てられているとして説明する。
ここで、ピンホールＰｈ１は、検査感度区分番号１の欠陥判定範囲８１のみに属する欠陥で、欠陥サイズが０．５μｍであり、検査感度区分番号１に割り当てられた検査感度以上であるので、欠陥として登録する。
【００５３】
ピンホールＰｈ２は、検査感度区分番号２の欠陥判定範囲８２のみに属する欠陥であるが、欠陥サイズが０．８μｍであり、検査感度区分番号２に割り当てられた検査感度１．０μｍより小さい欠陥であるので、欠陥として登録しない。
【００５４】
また、ピンホールＰｈ３は、検査感度区分番号２の欠陥判定範囲８２のみに属する欠陥で、欠陥サイズが１．０μｍであり、検査感度区分番号２に割り当てられた検査感度以上であるので、欠陥として登録する。
【００５５】
一方、クロム残Ｃｒ１は、どちらの欠陥判定範囲８１、８２にも属さない欠陥であるので、欠陥として登録しない。
クロム残Ｃｒ２は、検査感度区分番号２の欠陥判定範囲８２のみに属する欠陥であるが、欠陥サイズが０．９μｍであり、検査感度区分番号２に割り当てられた検査感度１．０μｍより小さい欠陥であるので、欠陥として登録しない。
【００５６】
クロム残Ｃｒ３は、前述したが、検査感度区分番号１、２の欠陥判定範囲８１、８２の両方に属する欠陥であるので、より高い検査感度が割り当てられた検査感度区分番号１を優先して、欠陥として登録する。
【００５７】
なお、上記では、欠陥判定範囲８１、８２に属さない欠陥を、登録しないようにしたが、パターン機能以外の部分にも、検査感度区分番号を付加し、検査感度を割り当てるようにしてもよい。その場合、例えば、クロム残Ｃｒ１は、割り当てられた検査感度を参照して、その検査感度以上の大きさであれば、欠陥として登録する。
【００５８】
上記のようにして、欠陥登録判定部３８で欠陥として判定された欠陥は、欠陥記憶部３９に記憶される。
次に、前述した検査装置３０での検査方法をフローチャートを用いて説明する。
【００５９】
図１１は、検査方法を示すフローチャートである。
Ｓ１０：検査データ生成
設計データのパターン機能ごとに、検査感度で区分するための検査感度区分情報を含めた検査データを生成する。
【００６０】
Ｓ１１：被検査対象セット
検査装置３０のステージ４０ａに被検査対象５０であるフォトマスクやウェハーをセットする。
【００６１】
Ｓ１２：検査感度設定
検査感度区分情報に、所望の検査感度を割り当てる。
Ｓ１３：ステージスキャン
検査／駆動制御部４０の制御のもと、ステージ４０ａを駆動させて、被検査対象５０の所定の位置から検査を開始する。
【００６２】
Ｓ１４：実パターン取り込み
画像取得部３３により、被検査対象５０であるフォトマスクやウェハーの実パターンを画像として取り込み、デジタルデータに変換し、被検査データを生成する。
【００６３】
Ｓ１５：被検査データ画像変換
検査データとの画像データの比較のために、被検査データを画像変換する。
Ｓ１６：検査データの取り込み
取り込んだ実パターンに対応する検査データを取り込む。
【００６４】
Ｓ１７：検査データ画像変換
被検査データとの画像データの比較のために、検査データを画像変換する。
Ｓ１８：画像データ比較
比較判断部３６で被検査データと、検査データの比較が行われる。この比較の際、ステップＳ１２で設定された検査感度を参照して、検査領域である検査データ内に、例えば図４のような複数の異なる検査感度区分番号が付加されたパターン機能が存在する場合には、検査感度が最小のものを採用して、欠陥を検出する。
【００６５】
Ｓ１９：欠陥が検出されたか否かの判断
ステップＳ１８における、画像データの比較で、欠陥が検出されたか否かの判断を行なう。ここで欠陥が検出されなければ、ステップＳ２０に進み、欠陥が検出されたと判断されればステップＳ２１に進む。
【００６６】
Ｓ２０：スキャンが終了したか否かの判断
検査／駆動制御部４０の制御のもと、被検査対象５０のステージスキャンが終了したか否かを判断し、スキャンが終了したと判断された場合、被検査対象５０の検査は終了となり処理を終了する。また、スキャンがまだ終了していない場合は、ステップＳ１３に戻る。
【００６７】
Ｓ２１：検査データ抽出
図７のように表される検査データより、図６で示したような欠陥パターンエリア７０が属するデータエリアを抽出する。
【００６８】
Ｓ２２：欠陥判定範囲算出
図８で示したように、検査感度区分情報で区分されたパターン機能にシフト処理を行ない、欠陥判定範囲を作成する。
【００６９】
Ｓ２３：欠陥範囲判定
図９で示したように、例えば、欠陥パターンエリア７０と、欠陥判定範囲８１、８２とを合成して、欠陥パターンエリア７０が、どの欠陥判定範囲８１、８２に属する欠陥か判定する。
【００７０】
Ｓ２４：優先度判定
ここでは、例えば、図９のように欠陥パターンエリア７０が複数の欠陥判定範囲８１、８２に属する場合、パターン機能の検査感度区分情報に割り当てられた検査感度を参照して、その優先度を判定する。
【００７１】
Ｓ２５：欠陥を登録するか否かの判断
ステップＳ２４での優先度に従って、優先する欠陥判定範囲８１、８２を決定し、その検査感度区分情報に対応付けられている検査感度を参照して、欠陥を登録するか否かを判断する。ここで、欠陥を登録する場合は、ステップＳ２６に進み、欠陥を登録しない場合は、ステップＳ２０に戻る。
【００７２】
Ｓ２６：欠陥記憶
ステップＳ２５で、検出した欠陥を登録すると判定されたのを受けて、検出した欠陥を欠陥記憶部３９に記憶させる。その後ステップＳ２０に戻る。
【００７３】
このようにして、検査データに、パターン機能を検査感度で区別するための、検査感度区分情報を付加し、検査感度区分情報に検査感度を割り当てることで、パターン機能に応じた検査感度で検査を行うことができる。
【００７４】
【発明の効果】
以上説明したように本発明では、検査データ内の所定のパターンが有するパターン機能ごとに、検査感度区分情報をもたせることで、クロック信号線、アドレス信号線、データ入出力信号線、制御信号線、または電源線といったパターン機能を区別することができる。また、検査感度区分情報に所望の検査感度を設定して、検査感度に応じて欠陥登録の判定を行うことにより、性能に影響されない欠陥の登録を抑えられる。これにより、性能に影響されない欠陥の修正時間を不要とするため、検査から修正までのトータル的な時間短縮が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の検査装置の概略の構成を示すブロック図である。
【図２】検査方法を示すフローチャートである。
【図３】本発明の実施の形態の検査装置の構成を示すブロック図である。
【図４】検査データの１領域を示す図である。
【図５】検出された欠陥の例である。
【図６】欠陥パターンエリア算出方法を説明する図である。
【図７】検査データエリアを示す図である。
【図８】欠陥判定範囲の作成方法を説明する図である。
【図９】欠陥判定範囲と欠陥パターンエリアとを合成した図である。
【図１０】 図５で示した欠陥と、欠陥判定範囲及びパターン機能を合成した様子を示す図である。
【図１１】検査方法を示すフローチャートである。
【図１２】従来の検査装置の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
１０ 検査装置
１１ 検査データ生成部
１２ 検査感度設定部
１３ 画像取得部
１４ 比較判断部
１５ 検査データ抽出部
１６ 欠陥登録判定部
１７ 欠陥記憶部
２０ 被検査対象
【発明の属する技術分野】
本発明は、検査装置及び検査方法に関し、特にフォトマスクまたはウェハーを検査する検査装置及び検査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＳＩ（Large-Scale Integrated circuit）の微細化が進むなかで、近年、ウェハーのみならず、ＬＳＩ作成時に用いられる、レチクルなどのフォトマスクの精度も高まっている。
【０００３】
一方、フォトマスクやウェハーの欠陥を検出する検査装置においても、検査感度の向上が求められている。
図１２は、従来の検査装置の構成を示すブロック図である。
【０００４】
検査装置１００は、実パターンを描画する時に使用した設計データと比較する「ｄｉｅ ｔｏ ｄａｔａｂａｓｅ検査」を行う検査装置１００である。ここで、検査装置１００は、設計データをもとに検査用の検査データを生成する検査データ生成部１０１と、検査条件を設定する検査条件設定部１０２と、被検査対象１１０であるフォトマスクやウェハーの実パターンを画像データとして取り込む画像取得部１０３と、比較のために、検査データ及び被検査データを画像変換する画像変換部１０４、１０５と、被検査データと検査データとを比較して欠陥を検出する比較判断部１０６と、比較されて検出された欠陥を記憶する欠陥記憶部１０７と、被検査対象１１０を載せるためのステージ１０８ａの駆動及び、検査装置１００全体を制御する検査／駆動制御部１０８と、から構成される。
【０００５】
この検査装置１００において、検査データ生成部１０１に設計データが入力されると、検査に適したフォーマットの検査データが生成される。さらに、検査条件設定部１０２において検査感度などを設定すると、検査が開始される。ここで、検査データは、画像変換部１０４にて画像に変換され比較判断部１０６に入力される。これと同期して、画像取得部１０３で得られた被検査対象１１０の実パターンが被検査データとして画像変換部１０５に送られ、ここで画像変換されて比較判断部１０６に入力される。比較判断部１０６では、検査条件設定部１０２で設定された検査感度を参照し、２つの画像データを比較して、欠陥があるか否かを判断する。ここで、欠陥が検出された場合、欠陥は欠陥記憶部１０７に記憶される。検査／駆動制御部１０８では、ステージ１０８ａをスキャンすることにより、被検査対象１１０の全てのエリアについて検査を行う。
【０００６】
このように、従来の検査装置１００は、被検査データと検査データを比較し、それが異なれば、欠陥として検出するようにしていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の検査装置１００では、検査感度を上げた場合、無欠陥箇所であるにもかかわらず、欠陥と誤認されてしまう擬似欠陥が発生するという問題があった。また、フォトマスクやウェハーの欠陥場所によっては、性能や特性に影響されない欠陥もあり、問題のない欠陥に対しても修正するなどの工数をかけており、手間であるという問題があった。
【０００８】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、検査から修正までの時間短縮が可能な検査装置を提供することを目的とする。
また、本発明の他の目的は、検査から修正までの時間短縮が可能な検査方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明では上記課題を解決するために、図１に示すような検査装置１０において、設計データをもとに、所定のパターンが有するクロック信号線、アドレス信号線、データ入出力信号線、制御信号線、または電源線のいずれかを含むパターン機能を、検査感度で区分する検査感度区分情報を含む、検査データを生成する検査データ生成部１１と、検査感度区分情報ごとに所望の検査感度を割り当てる検査感度設定部１２と、被検査対象２０であるフォトマスクまたはウェハーを撮像して、被検査データを生成する画像取得部１３と、被検査データと検査データとを比較して欠陥を検出する比較判断部１４と、検出された欠陥が存在する検査データ内の領域を抽出する検査データ抽出部１５と、抽出された領域に含まれるパターンに対して設定された検査感度区分情報を参照し、欠陥を登録するか否かを判定する欠陥登録判定部１６と、欠陥を記憶する欠陥記憶部１７と、から構成される検査装置１０が提供される。
【００１０】
上記構成によれば、パターン機能が検査感度区分情報によって区別され、パターン機能ごとに検査感度が設定される。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図１は、本発明の実施の形態の検査装置の概略の構成を示すブロック図である。
【００１２】
検査装置１０は、設計データをもとに、パターン機能を検査感度で区分する検査感度区分情報を含む、検査データを生成する検査データ生成部１１と、検査感度区分情報に所望の検査感度を割り当てる検査感度設定部１２と、被検査対象２０であるフォトマスクまたはウェハーを撮像して、被検査データを生成する画像取得部１３と、被検査データと検査データとを比較して欠陥を検出する比較判断部１４と、検出された欠陥が存在する検査データ内の領域を抽出する検査データ抽出部１５と、抽出された検査データの検査感度区分情報を参照し、欠陥を登録するか否かを判定する欠陥登録判定部１６と、欠陥を記憶する欠陥記憶部１７と、から構成される。
【００１３】
検査データ生成部１１では、設計データをもとに、信号線や電源線など所定のパターン機能ごとに、検査感度区分情報を付加した検査データを生成する。検査感度区分情報は、パターン機能を検査感度で区分するための情報である。例えば、検査感度区分情報として数字を付加した場合、信号線は検査感度区分番号１で、電源線は検査感度区分番号２などとパターン機能ごとに区分する。また、数字以外に、文字や記号を用いて区分するようにしてもよい。
【００１４】
検査感度設定部１２は、検査感度区分番号１のパターン機能は検査感度０．５μｍ、検査感度区分番号２のパターン機能は検査感度１．０μｍなどと、検査感度区分情報に、所望の検査感度を割り当てる。
【００１５】
画像取得部１３は、被検査対象２０であるフォトマスクまたはウェハーを撮像して被検査データを生成する。
比較判断部１４は、被検査データと、検査データ生成部１１で生成された検査データとを比較して、その相違から欠陥を検出する。この際、検査領域内に複数の検査感度区分情報を有するパターン機能が存在する場合には、検査感度区分情報に対応付けられた検査感度を参照して、最小の検査感度で検査を行い、欠陥を検出する。
【００１６】
検査データ抽出部１５は、比較判断部１４で検出された欠陥が存在する、検査データ内の領域を抽出する。
欠陥登録判定部１６は、抽出された検査データ内の領域において欠陥がどのパターン機能における欠陥か検証し、パターン機能の検査感度区分情報と、それに割り当てられた検査感度を参照して、欠陥として登録するか否かを判定する。例えば、検査感度以上の欠陥なら登録し、検査感度未満の欠陥であれば未登録とする。また、複数の検査感度区分情報のパターン機能にまたがった欠陥の場合、検査感度の高いパターン機能を優先する。詳細については後述する。
【００１７】
欠陥記憶部１７は登録すると判定された欠陥を記憶する。
以下、検査装置１０の動作を説明する。
検査データ生成部１１に、被検査対象２０と対応した設計データが入力されると、設計データのパターン機能ごとに、検査感度区分情報を付加した検査データを生成する。さらに検査感度設定部１２で、検査感度区分情報に検査感度を割り当てる。被検査対象２０であるフォトマスクやウェハーは、画像取得部１３で被検査データとして検査装置１０に入力される。入力された被検査データは、検査データと比較判断部１４で比較され、欠陥があるか否か判断される。ここで、欠陥が検出された場合、その検出された欠陥が存在する、検査データ内の領域を抽出する。欠陥登録判定部１６では、抽出された検査データ内の領域において欠陥がどのパターン機能における欠陥か検証し、パターン機能の検査感度区分情報と、それに割り当てられた検査感度を参照して、欠陥として登録するか否かを判定する。登録すると判定された欠陥は、欠陥記憶部１７に記憶される。
【００１８】
以下フローチャートを用いて、検査装置１０における検査方法の概略について説明する。
図２は、検査方法を示すフローチャートである。
【００１９】
Ｓ１：検査データの生成
設計データをもとに、検査データ生成部１１ではパターン機能ごとに、検査感度区分情報を付加した検査データを生成する。
【００２０】
Ｓ２：検査感度の設定
検査データの検査感度区分情報ごとに検査感度を割り当てる。
Ｓ３：フォトマスクまたはウェハーを撮像し被検査データを生成
画像取得部１３において、フォトマスクまたはウェハーを撮像し、被検査データを生成する。
【００２１】
Ｓ４：検査データと被検査データとの比較
検査データと、被検査データとを比較判断部１４で比較し、その相違から欠陥を検出する。
【００２２】
Ｓ５：欠陥が検出されたか否かの判断
ステップＳ４の検査データと、被検査データとの比較から、欠陥が検出された場合はステップＳ６に進み、欠陥が検出されなかった場合は処理を終了する。
【００２３】
Ｓ６：検出した欠陥が存在する検査データ内の領域の抽出
比較判断部１４で検出された欠陥が存在する、検査データ内の領域を検査データ抽出部１５で抽出する。
【００２４】
Ｓ７：欠陥を登録するか否かの判断
ステップＳ６において抽出された検査データ内の領域において、欠陥登録判定部１６では、欠陥がどのパターン機能における欠陥か検証し、パターン機能の検査感度区分情報と、それに割り当てられた検査感度を参照して、欠陥として登録するか否かを判定する。
【００２５】
ここで、欠陥として登録すると判定された場合はステップＳ８に進み、登録しないと判定された場合は処理を終了する。
Ｓ８：欠陥記憶
ステップＳ７で登録すると判定された欠陥を、欠陥記憶部に記憶させる。
【００２６】
上記のように、検査データ内のパターン機能ごとに、検査感度区分情報をもたせることで、パターン機能を区別することができる。また、検査感度区分情報に所望の検査感度を設定して、検査感度に応じて欠陥登録の判定を行うことにより、性能に影響されない欠陥の登録を抑えられる。これにより、性能に影響されない欠陥の修正時間を不要とするため、検査から修正までのトータル的な時間短縮が可能となる。
【００２７】
以下、本発明の実施の形態の検査装置及び検査方法の詳細を説明する。
図３は、本発明の実施の形態の検査装置の構成を示すブロック図である。
検査装置３０は、設計データをもとに、所定のパターン機能を検査感度で区分する検査感度区分情報を含む、検査データを生成する検査データ生成部３１と、ユーザの入力により、検査感度区分情報に検査感度を割り当てる検査感度設定部３２と、被検査対象５０であるレチクルなどのフォトマスクまたはウェハーを撮像し被検査データを生成する画像取得部３３と、検査データを画像変換する画像変換部３４と、被検査データを画像変換する画像変換部３５と、画像変換処理された被検査データと、検査データとを比較して欠陥を検出する比較判断部３６と、検出された欠陥が存在する検査データ内の領域（以下検査データエリアと呼ぶ）を抽出する検査データ抽出部３７と、抽出された検査データエリアの検査感度区分情報を参照し、欠陥を登録するか否かを判定する欠陥登録判定部３８と、欠陥を記憶する欠陥記憶部３９と、被検査対象５０を載せるためのステージ４０ａの駆動及び、検査装置３０全体を制御する検査／駆動制御部４０と、から構成される。
【００２８】
検査データ生成部３１は、パターン機能ごとに、検査感度で区分するための検査感度区分情報を含めた検査データを生成する。パターン機能の種類として、クロック信号線、アドレス信号線、データ入出力信号線、制御信号線及び電源線などがある。これらのデータに、例えば、数字や、記号、文字などによる検査感度区分情報を付加する。検査データのフォーマットについては後述する。
【００２９】
検査感度設定部３２は、検査感度区分情報に、所望の検査感度を割り当てる。
この際、クロック信号線に付加された検査感度区分情報に、最も高い検査感度を割り当て、電源線に付加された検査感度区分情報には、最も低い検査感度を割り当て、その他の信号線は同レベルの検査感度を割り当てるようにすることが望ましい。具体的には、検査感度区分情報として数字を用いた場合には、検査感度区分番号１には検査感度を０．５μｍ、検査感度区分番号２には検査感度を１．０μｍ、などと任意に検査感度を設定する。
【００３０】
画像取得部３３は、被検査対象５０であるフォトマスクやウェハーを撮像し、被検査データを生成する。ここで、画像取得部３３は、光を電気信号に変換するための図示しないＣＣＤ（Charge Coupled Device）などのセンサ及び、撮像した実パターンを、デジタルの被検査データとして処理する信号処理回路などからなる。
【００３１】
画像変換部３４、３５は、検査データと、被検査データとを比較するために、画像変換を施す機能を有する。これらは、図１では省略してある。
比較判断部３６は、画像変換後の検査データと、被検査データとを比較して被検査対象５０に欠陥があるか否かを判断する。
【００３２】
検査データ抽出部３７は、比較判断部３６で検出された欠陥が属する領域の、検査データエリアを抽出する。
欠陥登録判定部３８は、抽出された検査データエリアにおいて、検査感度区分番号が付加されたパターン機能を所定の割合で拡大した欠陥判定範囲を作成し、検出された欠陥の領域（以下欠陥パターンエリアと呼ぶ）と重ねあわせ、検査感度に応じた欠陥の登録判定を行う。
【００３３】
欠陥記憶部３９は、欠陥登録判定部３８で登録と判定された欠陥を記憶する。検査／駆動制御部４０は、被検査対象５０を設置するステージ４０ａのスキャン制御や、制御信号線は省略したが、検査装置３０全体の制御を行う。なお、検査／駆動制御部４０は図１では省略してある。
【００３４】
以下検査装置３０の動作を説明する。
例えば、図示しないデータベースなどから、検査装置３０の検査データ生成部３１にステージ４０ａに設置されたフォトマスクやウェハーなどの被検査対象５０の設計データが入力されると、検査データ生成部３１では、それをもとに検査に適したフォーマットの検査データを生成する。
【００３５】
検査データにおいて、設計データに記載されたパターン機能ごとに、検査感度で区分するための、検査感度区分情報が付加される。以下、検査感度区分情報として、数字を適用した場合について説明する。この場合、検査感度区分情報を、検査感度区分番号と呼ぶことにする。
【００３６】
図４は、検査データの１領域を示す図である。
従来の検査データにおいては、パターン機能の区別がなされていなかった。これに対し、本発明の実施の形態では、例えば、図４のように、検査データの１領域である検査データエリア６０内において、信号配線６１には検査感度区分番号１が、電源配線６２には検査感度区分番号２が付加されて区別される。
【００３７】
次に、パターン機能ごとに付加された検査感度区分番号に対応した検査感度が、検査感度設定部３２において割り当てられる。この設定は、例えば、検査条件の設定時に、ユーザより、パターン機能ごとに要求する検査感度を入力するようにしてもよい。この際、検査感度設定部３２は、入力された検査感度を検査感度区分番号に対応付けるようにする。
【００３８】
一方、被検査対象５０は、ステージ４０ａに設置されており、検査／駆動制御部４０の制御のもと、ステージスキャンされ、被検査対象５０の所定の位置におけるパターンが画像取得部３３において撮像される。さらに、信号処理によってデジタルの被検査データに変換される。
【００３９】
さらに、検査データ及び被検査データは、それぞれ、画像変換部３４、３５で画像変換が行われ、比較判断部３６で画像データの比較が行われる。この比較の際、検査感度設定部３２で設定された検査感度を参照して、例えば、図４のような複数の異なる検査感度区分番号が付加されたパターン機能が検査データエリア６０内に存在する場合には、検査感度が最小のものを採用して、欠陥を検出する。
【００４０】
図５は、検出された欠陥の例である。
これは、画像変換後、比較判断部３６で、図４で示された検査データエリア６０の検査データと比較して検出された被検査対象５０（ここではレチクルとする）の欠陥の例である。
【００４１】
図５のように、例えば、レーザなどによる遮光膜の昇華によって発生するピンホールＰｈ１、Ｐｈ２、Ｐｈ３及び、エッチング時に所望の場所以外に遮光膜のクロムが残った部分であるクロム残Ｃｒ１、Ｃｒ２、Ｃｒ３といった欠陥が検出される。
【００４２】
比較判断部３６では、さらに、欠陥検出時に、検出された欠陥のパターン重心座標と欠陥サイズを検出し、欠陥パターンエリアを算出する。
図６は、欠陥パターンエリア算出方法を説明する図である。
【００４３】
ここでは、図５で示したクロム残Ｃｒ３について、欠陥パターンエリアの算出方法を説明する。
欠陥の検出時には、Ｘ−Ｙ座標で示された、欠陥サイズと、パターン重心座標が検出される。例えば、図のようにＸ方向の大きさであるＸサイズは４．５μｍ、Ｙ方向の大きさであるＹサイズは２．５μｍ、パターン重心座標は、Ｘ：５０４７．７５０μｍ、Ｙ：１７９．５００μｍなどと算出される。さらに、これらより、図６のＡ、Ｂの対角で示される領域からなる欠陥パターンエリア７０が算出される。
【００４４】
ここで、検査データのフォーマットを説明する。
図７は、検査データエリアを示す図である。
検査データは、図のように、Ｘ方向のセグメント番号と、Ｙ方向のストライプ番号で表される複数のデータエリアから構成されている。
【００４５】
検査データ抽出部３７では、図７のように表される検査データより、例えば、図６で示した欠陥パターンエリア７０が属するデータエリアを抽出する。
例えば、図６のＡ及びＢの座標は、欠陥サイズと、パターン重心座標から算出されるので、これらを検査データの単位セグメント及び単位ストライプの長さで割ることで、欠陥パターンエリア７０が検査データ内で属するデータエリアを算出できる。ここで、算出された検査データのデータエリアを抽出する。例えば、図６で示したクロム残Ｃｒ３の欠陥パターンエリア７０が、セグメント番号４、ストライプ番号４の検査データエリア６０に属すると算出された場合は、図７において、検査データエリア６０が抽出される。
【００４６】
次に、欠陥登録判定部３８の動作を説明する。
欠陥登録判定部３８では、まず、検査データ抽出部３７で抽出された検査データエリア６０をもとに、欠陥判定範囲を作成する。
【００４７】
図８は、欠陥判定範囲の作成方法を説明する図である。
抽出された検査データエリア６０において、検査感度区分番号で区分されたパターン機能に所定量のシフト処理を行ない、欠陥判定範囲を作成する。図８は、パターン機能に１μｍのシフトをかけた場合のものであり、検査感度区分番号１の信号配線６１からなる欠陥判定範囲８１と、検査感度区分番号２の電源配線６２からなる欠陥判定範囲８２とが形成される。
【００４８】
次に、前述の図６のようにして、決定された欠陥パターンエリア７０を、欠陥判定範囲８１、８２と合成する。
図９は、欠陥判定範囲と欠陥パターンエリアとを合成した図である。
【００４９】
図９では、欠陥判定範囲８１、８２の両方に、欠陥パターンエリア７０が重なり合っている場合について示した。欠陥判定の際、欠陥判定範囲８１、８２と、欠陥パターンエリア７０との重なり部分を調べるため、ＡＮＤ処理を行なう。まず、高い検査感度が割り当てられた検査感度区分番号１の欠陥判定範囲８１と、欠陥パターンエリア７０とのＡＮＤ処理を優先的に行ない、その結果が１の場合、欠陥パターンエリア７０で示される欠陥は検査感度区分番号１の欠陥判定範囲に属する欠陥として登録される。一方、図９では欠陥パターンエリア７０は欠陥判定範囲８１、８２の両方と重なっているが、例えば、欠陥判定範囲８１との重なりがない場合、すなわち、ＡＮＤ処理の結果が０の場合、続いて、検査感度区分番号２の欠陥判定範囲８２と、欠陥パターンエリア７０とのＡＮＤ処理を行なう。ここで、その結果が１の場合、欠陥パターンエリア７０で示される欠陥は検査感度区分番号２の欠陥判定範囲に属する欠陥とする。ただしこの際、欠陥のサイズと、検査感度区分番号２に割り当てられた検査感度を参照して、欠陥のサイズが検査感度より小さい欠陥の場合は、欠陥として登録しない。
【００５０】
以下、図５における各欠陥における欠陥判定を説明する。
図１０は、図５で示した欠陥と、欠陥判定範囲及びパターン機能を合成した様子を示す図である。
【００５１】
ここで、ピンホールＰｈ１のサイズが０．５μｍ、ピンホールＰｈ２は０．８μｍ、ピンホールＰｈ３は１．０μｍ、クロム残Ｃｒ１のサイズが１．０μｍ、クロム残Ｃｒ２は０．９μｍ、クロム残Ｃｒ３は４．５μｍであるとする。
【００５２】
さらに、検査感度区分番号１には検査感度０．５μｍ、検査感度区分番号２には検査感度１．０μｍが割り当てられているとして説明する。
ここで、ピンホールＰｈ１は、検査感度区分番号１の欠陥判定範囲８１のみに属する欠陥で、欠陥サイズが０．５μｍであり、検査感度区分番号１に割り当てられた検査感度以上であるので、欠陥として登録する。
【００５３】
ピンホールＰｈ２は、検査感度区分番号２の欠陥判定範囲８２のみに属する欠陥であるが、欠陥サイズが０．８μｍであり、検査感度区分番号２に割り当てられた検査感度１．０μｍより小さい欠陥であるので、欠陥として登録しない。
【００５４】
また、ピンホールＰｈ３は、検査感度区分番号２の欠陥判定範囲８２のみに属する欠陥で、欠陥サイズが１．０μｍであり、検査感度区分番号２に割り当てられた検査感度以上であるので、欠陥として登録する。
【００５５】
一方、クロム残Ｃｒ１は、どちらの欠陥判定範囲８１、８２にも属さない欠陥であるので、欠陥として登録しない。
クロム残Ｃｒ２は、検査感度区分番号２の欠陥判定範囲８２のみに属する欠陥であるが、欠陥サイズが０．９μｍであり、検査感度区分番号２に割り当てられた検査感度１．０μｍより小さい欠陥であるので、欠陥として登録しない。
【００５６】
クロム残Ｃｒ３は、前述したが、検査感度区分番号１、２の欠陥判定範囲８１、８２の両方に属する欠陥であるので、より高い検査感度が割り当てられた検査感度区分番号１を優先して、欠陥として登録する。
【００５７】
なお、上記では、欠陥判定範囲８１、８２に属さない欠陥を、登録しないようにしたが、パターン機能以外の部分にも、検査感度区分番号を付加し、検査感度を割り当てるようにしてもよい。その場合、例えば、クロム残Ｃｒ１は、割り当てられた検査感度を参照して、その検査感度以上の大きさであれば、欠陥として登録する。
【００５８】
上記のようにして、欠陥登録判定部３８で欠陥として判定された欠陥は、欠陥記憶部３９に記憶される。
次に、前述した検査装置３０での検査方法をフローチャートを用いて説明する。
【００５９】
図１１は、検査方法を示すフローチャートである。
Ｓ１０：検査データ生成
設計データのパターン機能ごとに、検査感度で区分するための検査感度区分情報を含めた検査データを生成する。
【００６０】
Ｓ１１：被検査対象セット
検査装置３０のステージ４０ａに被検査対象５０であるフォトマスクやウェハーをセットする。
【００６１】
Ｓ１２：検査感度設定
検査感度区分情報に、所望の検査感度を割り当てる。
Ｓ１３：ステージスキャン
検査／駆動制御部４０の制御のもと、ステージ４０ａを駆動させて、被検査対象５０の所定の位置から検査を開始する。
【００６２】
Ｓ１４：実パターン取り込み
画像取得部３３により、被検査対象５０であるフォトマスクやウェハーの実パターンを画像として取り込み、デジタルデータに変換し、被検査データを生成する。
【００６３】
Ｓ１５：被検査データ画像変換
検査データとの画像データの比較のために、被検査データを画像変換する。
Ｓ１６：検査データの取り込み
取り込んだ実パターンに対応する検査データを取り込む。
【００６４】
Ｓ１７：検査データ画像変換
被検査データとの画像データの比較のために、検査データを画像変換する。
Ｓ１８：画像データ比較
比較判断部３６で被検査データと、検査データの比較が行われる。この比較の際、ステップＳ１２で設定された検査感度を参照して、検査領域である検査データ内に、例えば図４のような複数の異なる検査感度区分番号が付加されたパターン機能が存在する場合には、検査感度が最小のものを採用して、欠陥を検出する。
【００６５】
Ｓ１９：欠陥が検出されたか否かの判断
ステップＳ１８における、画像データの比較で、欠陥が検出されたか否かの判断を行なう。ここで欠陥が検出されなければ、ステップＳ２０に進み、欠陥が検出されたと判断されればステップＳ２１に進む。
【００６６】
Ｓ２０：スキャンが終了したか否かの判断
検査／駆動制御部４０の制御のもと、被検査対象５０のステージスキャンが終了したか否かを判断し、スキャンが終了したと判断された場合、被検査対象５０の検査は終了となり処理を終了する。また、スキャンがまだ終了していない場合は、ステップＳ１３に戻る。
【００６７】
Ｓ２１：検査データ抽出
図７のように表される検査データより、図６で示したような欠陥パターンエリア７０が属するデータエリアを抽出する。
【００６８】
Ｓ２２：欠陥判定範囲算出
図８で示したように、検査感度区分情報で区分されたパターン機能にシフト処理を行ない、欠陥判定範囲を作成する。
【００６９】
Ｓ２３：欠陥範囲判定
図９で示したように、例えば、欠陥パターンエリア７０と、欠陥判定範囲８１、８２とを合成して、欠陥パターンエリア７０が、どの欠陥判定範囲８１、８２に属する欠陥か判定する。
【００７０】
Ｓ２４：優先度判定
ここでは、例えば、図９のように欠陥パターンエリア７０が複数の欠陥判定範囲８１、８２に属する場合、パターン機能の検査感度区分情報に割り当てられた検査感度を参照して、その優先度を判定する。
【００７１】
Ｓ２５：欠陥を登録するか否かの判断
ステップＳ２４での優先度に従って、優先する欠陥判定範囲８１、８２を決定し、その検査感度区分情報に対応付けられている検査感度を参照して、欠陥を登録するか否かを判断する。ここで、欠陥を登録する場合は、ステップＳ２６に進み、欠陥を登録しない場合は、ステップＳ２０に戻る。
【００７２】
Ｓ２６：欠陥記憶
ステップＳ２５で、検出した欠陥を登録すると判定されたのを受けて、検出した欠陥を欠陥記憶部３９に記憶させる。その後ステップＳ２０に戻る。
【００７３】
このようにして、検査データに、パターン機能を検査感度で区別するための、検査感度区分情報を付加し、検査感度区分情報に検査感度を割り当てることで、パターン機能に応じた検査感度で検査を行うことができる。
【００７４】
【発明の効果】
以上説明したように本発明では、検査データ内の所定のパターンが有するパターン機能ごとに、検査感度区分情報をもたせることで、クロック信号線、アドレス信号線、データ入出力信号線、制御信号線、または電源線といったパターン機能を区別することができる。また、検査感度区分情報に所望の検査感度を設定して、検査感度に応じて欠陥登録の判定を行うことにより、性能に影響されない欠陥の登録を抑えられる。これにより、性能に影響されない欠陥の修正時間を不要とするため、検査から修正までのトータル的な時間短縮が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の検査装置の概略の構成を示すブロック図である。
【図２】検査方法を示すフローチャートである。
【図３】本発明の実施の形態の検査装置の構成を示すブロック図である。
【図４】検査データの１領域を示す図である。
【図５】検出された欠陥の例である。
【図６】欠陥パターンエリア算出方法を説明する図である。
【図７】検査データエリアを示す図である。
【図８】欠陥判定範囲の作成方法を説明する図である。
【図９】欠陥判定範囲と欠陥パターンエリアとを合成した図である。
【図１０】 図５で示した欠陥と、欠陥判定範囲及びパターン機能を合成した様子を示す図である。
【図１１】検査方法を示すフローチャートである。
【図１２】従来の検査装置の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
１０ 検査装置
１１ 検査データ生成部
１２ 検査感度設定部
１３ 画像取得部
１４ 比較判断部
１５ 検査データ抽出部
１６ 欠陥登録判定部
１７ 欠陥記憶部
２０ 被検査対象
Claims (10)
- フォトマスクまたはウェハーを検査する検査装置において、
設計データをもとに、所定のパターンが有するクロック信号線、アドレス信号線、データ入出力信号線、制御信号線、または電源線のいずれかを含むパターン機能を、検査感度で区分する検査感度区分情報を含む、検査データを生成する検査データ生成部と、
前記検査感度区分情報ごとに、所望の検査感度を割り当てる検査感度設定部と、
前記フォトマスクまたはウェハーを撮像して、被検査データを生成する画像取得部と、
前記被検査データと、前記検査データとを比較し、欠陥を検出する比較判断部と、
検出された前記欠陥が存在する、前記検査データ内の領域を抽出する検査データ抽出部と、
前記領域に含まれるパターンに対して設定された前記検査感度区分情報を参照し、前記欠陥を登録するか否かを判定する欠陥登録判定部と、
登録すると判定された前記欠陥を記憶する欠陥記憶部と、
を有することを特徴とする検査装置。 - 前記検査感度区分情報は、数字、記号、または文字で表されることを特徴とする請求項１記載の検査装置。
- 前記欠陥登録判定部は、前記パターンの領域を、所定の割合だけ拡大して欠陥判定領域を作成し、前記欠陥と前記欠陥判定領域の重なりをもとに、前記欠陥を登録するか否かを判定することを特徴とする請求項１記載の検査装置。
- 前記欠陥登録判定部は、前記重なりをもとに、前記欠陥がどの前記パターン機能に属するかを検出し、検出された前記パターン機能に割り当てられた前記検査感度に基づいて、前記欠陥として登録するか否かを判定することを特徴とする請求項３記載の検査装置。
- 前記検査感度区分情報は、前記パターン機能による領域以外に設定可能であることを特徴とする請求項１記載の検査装置。
- フォトマスクまたはウェハーを検査する検査方法において、
設計データをもとに、所定のパターンが有するクロック信号線、アドレス信号線、データ入出力信号線、制御信号線、または電源線のいずれかを含むパターン機能を、検査感度で区分する検査感度区分情報を含む検査データを生成し、
前記検査感度区分情報ごとに、所望の検査感度を割り当て、
前記フォトマスクまたはウェハーを撮像して被検査データを生成し、
前記被検査データと、前記検査データとを比較して欠陥を検出し、
検出された前記欠陥が存在する、前記検査データ内の領域を抽出し、
前記領域に含まれるパターンに対して設定された前記検査感度区分情報を参照して、前記欠陥を登録するか否かを判定し、
登録すると判定された前記欠陥を記憶することを特徴とする検査方法。 - 前記検査感度区分情報は、数字、記号、または文字で表されることを特徴とする請求項６記載の検査方法。
- 前記パターンの領域を、所定の割合だけ拡大して欠陥判定領域を作成し、前記欠陥と前記欠陥判定領域の重なりをもとに、前記欠陥を登録するか否かを判定することを特徴とする請求項６記載の検査方法。
- 前記重なりをもとに、前記欠陥がどの前記パターン機能に属するかを検出し、検出された前記パターン機能に割り当てられた前記検査感度に基づいて、前記欠陥として登録するか否かを判定することを特徴とする請求項８記載の検査方法。
- 前記検査感度区分情報は、前記パターン機能による領域以外に設定可能であることを特徴とする請求項６記載の検査方法。
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|---|---|---|---|---|
| US7698665B2 (en) * | 2003-04-06 | 2010-04-13 | Luminescent Technologies, Inc. | Systems, masks, and methods for manufacturable masks using a functional representation of polygon pattern |
| US7124394B1 (en) * | 2003-04-06 | 2006-10-17 | Luminescent Technologies, Inc. | Method for time-evolving rectilinear contours representing photo masks |
| US9002497B2 (en) * | 2003-07-03 | 2015-04-07 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for inspection of wafers and reticles using designer intent data |
| US7135344B2 (en) * | 2003-07-11 | 2006-11-14 | Applied Materials, Israel, Ltd. | Design-based monitoring |
| US7234128B2 (en) * | 2003-10-03 | 2007-06-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for improving the critical dimension uniformity of patterned features on wafers |
| JP2005158780A (ja) * | 2003-11-20 | 2005-06-16 | Hitachi Ltd | パターン欠陥検査方法及びその装置 |
| KR101056142B1 (ko) | 2004-01-29 | 2011-08-10 | 케이엘에이-텐코 코포레이션 | 레티클 설계 데이터의 결함을 검출하기 위한 컴퓨터로구현되는 방법 |
| JP4904034B2 (ja) | 2004-09-14 | 2012-03-28 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | レチクル・レイアウト・データを評価するための方法、システム及び搬送媒体 |
| JP2006170922A (ja) * | 2004-12-20 | 2006-06-29 | Topcon Corp | 外観検査方法およびその装置 |
| JP4954469B2 (ja) | 2004-12-20 | 2012-06-13 | 株式会社トプコン | 外観検査方法 |
| JP4644210B2 (ja) | 2005-01-14 | 2011-03-02 | 富士通セミコンダクター株式会社 | パターン欠陥検査方法 |
| US7769225B2 (en) | 2005-08-02 | 2010-08-03 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for detecting defects in a reticle design pattern |
| JP4185515B2 (ja) * | 2005-08-29 | 2008-11-26 | アドバンスド・マスク・インスペクション・テクノロジー株式会社 | 試料検査方法、プログラム及び試料検査装置 |
| JP5405109B2 (ja) * | 2005-09-13 | 2014-02-05 | ルミネセント テクノロジーズ インコーポレイテッド | フォトリソグラフィのためのシステム、マスク、及び方法 |
| JP4738114B2 (ja) * | 2005-09-16 | 2011-08-03 | 株式会社東芝 | マスク欠陥検査方法 |
| US7921385B2 (en) * | 2005-10-03 | 2011-04-05 | Luminescent Technologies Inc. | Mask-pattern determination using topology types |
| US7788627B2 (en) * | 2005-10-03 | 2010-08-31 | Luminescent Technologies, Inc. | Lithography verification using guard bands |
| WO2007041701A2 (en) * | 2005-10-04 | 2007-04-12 | Luminescent Technologies, Inc. | Mask-patterns including intentional breaks |
| WO2007044557A2 (en) | 2005-10-06 | 2007-04-19 | Luminescent Technologies, Inc. | System, masks, and methods for photomasks optimized with approximate and accurate merit functions |
| JP5465880B2 (ja) * | 2005-11-18 | 2014-04-09 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 検査データと組み合わせて設計データを使用するための方法及びシステム |
| US7676077B2 (en) | 2005-11-18 | 2010-03-09 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data |
| US8041103B2 (en) | 2005-11-18 | 2011-10-18 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a position of inspection data in design data space |
| US7570796B2 (en) | 2005-11-18 | 2009-08-04 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data |
| US8644588B2 (en) * | 2006-09-20 | 2014-02-04 | Luminescent Technologies, Inc. | Photo-mask and wafer image reconstruction |
| US8331645B2 (en) * | 2006-09-20 | 2012-12-11 | Luminescent Technologies, Inc. | Photo-mask and wafer image reconstruction |
| JP5427609B2 (ja) | 2006-12-19 | 2014-02-26 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーション | 検査レシピ作成システムおよびその方法 |
| US8194968B2 (en) | 2007-01-05 | 2012-06-05 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for using electrical information for a device being fabricated on a wafer to perform one or more defect-related functions |
| US7738093B2 (en) * | 2007-05-07 | 2010-06-15 | Kla-Tencor Corp. | Methods for detecting and classifying defects on a reticle |
| US7962863B2 (en) | 2007-05-07 | 2011-06-14 | Kla-Tencor Corp. | Computer-implemented methods, systems, and computer-readable media for determining a model for predicting printability of reticle features on a wafer |
| US8213704B2 (en) | 2007-05-09 | 2012-07-03 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for detecting defects in a reticle design pattern |
| US7796804B2 (en) | 2007-07-20 | 2010-09-14 | Kla-Tencor Corp. | Methods for generating a standard reference die for use in a die to standard reference die inspection and methods for inspecting a wafer |
| US7711514B2 (en) | 2007-08-10 | 2010-05-04 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Computer-implemented methods, carrier media, and systems for generating a metrology sampling plan |
| TWI469235B (zh) | 2007-08-20 | 2015-01-11 | Kla Tencor Corp | 決定實際缺陷是潛在系統性缺陷或潛在隨機缺陷之由電腦實施之方法 |
| JP2009071136A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Hitachi High-Technologies Corp | データ管理装置、検査システムおよび欠陥レビュー装置 |
| JP4870704B2 (ja) * | 2008-03-21 | 2012-02-08 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | パターン検査装置及びパターン検査方法 |
| US8139844B2 (en) | 2008-04-14 | 2012-03-20 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for determining a defect criticality index for defects on wafers |
| WO2010014609A2 (en) | 2008-07-28 | 2010-02-04 | Kla-Tencor Corporation | Computer-implemented methods, computer-readable media, and systems for classifying defects detected in a memory device area on a wafer |
| US8775101B2 (en) | 2009-02-13 | 2014-07-08 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer |
| US8204297B1 (en) | 2009-02-27 | 2012-06-19 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for classifying defects detected on a reticle |
| US8112241B2 (en) | 2009-03-13 | 2012-02-07 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for generating an inspection process for a wafer |
| JP4933601B2 (ja) | 2009-08-18 | 2012-05-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 検査装置および検査方法 |
| US9232670B2 (en) | 2010-02-02 | 2016-01-05 | Apple Inc. | Protection and assembly of outer glass surfaces of an electronic device housing |
| US8463016B2 (en) * | 2010-02-05 | 2013-06-11 | Luminescent Technologies, Inc. | Extending the field of view of a mask-inspection image |
| US8781781B2 (en) | 2010-07-30 | 2014-07-15 | Kla-Tencor Corp. | Dynamic care areas |
| US8612903B2 (en) | 2010-09-14 | 2013-12-17 | Luminescent Technologies, Inc. | Technique for repairing a reflective photo-mask |
| US8555214B2 (en) | 2010-09-14 | 2013-10-08 | Luminescent Technologies, Inc. | Technique for analyzing a reflective photo-mask |
| US8386968B2 (en) | 2010-11-29 | 2013-02-26 | Luminescent Technologies, Inc. | Virtual photo-mask critical-dimension measurement |
| US8458622B2 (en) | 2010-11-29 | 2013-06-04 | Luminescent Technologies, Inc. | Photo-mask acceptance technique |
| US9005852B2 (en) | 2012-09-10 | 2015-04-14 | Dino Technology Acquisition Llc | Technique for repairing a reflective photo-mask |
| US9170211B2 (en) | 2011-03-25 | 2015-10-27 | Kla-Tencor Corp. | Design-based inspection using repeating structures |
| US9087367B2 (en) | 2011-09-13 | 2015-07-21 | Kla-Tencor Corp. | Determining design coordinates for wafer defects |
| US8831334B2 (en) | 2012-01-20 | 2014-09-09 | Kla-Tencor Corp. | Segmentation for wafer inspection |
| JP6184473B2 (ja) * | 2012-03-20 | 2017-08-23 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | レチクルの劣化を検出するための反射マップおよび透過マップの使用 |
| US9858658B2 (en) | 2012-04-19 | 2018-01-02 | Applied Materials Israel Ltd | Defect classification using CAD-based context attributes |
| US9595091B2 (en) * | 2012-04-19 | 2017-03-14 | Applied Materials Israel, Ltd. | Defect classification using topographical attributes |
| US9188433B2 (en) * | 2012-05-24 | 2015-11-17 | Qualcomm Incorporated | Code in affine-invariant spatial mask |
| US8826200B2 (en) | 2012-05-25 | 2014-09-02 | Kla-Tencor Corp. | Alteration for wafer inspection |
| US9189844B2 (en) | 2012-10-15 | 2015-11-17 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer using defect-specific information |
| US9053527B2 (en) | 2013-01-02 | 2015-06-09 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer |
| US9134254B2 (en) | 2013-01-07 | 2015-09-15 | Kla-Tencor Corp. | Determining a position of inspection system output in design data space |
| US9311698B2 (en) | 2013-01-09 | 2016-04-12 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer using template image matching |
| WO2014149197A1 (en) | 2013-02-01 | 2014-09-25 | Kla-Tencor Corporation | Detecting defects on a wafer using defect-specific and multi-channel information |
| US9091935B2 (en) | 2013-03-11 | 2015-07-28 | Kla-Tencor Corporation | Multistage extreme ultra-violet mask qualification |
| US9494854B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-11-15 | Kla-Tencor Corporation | Technique for repairing an EUV photo-mask |
| US9865512B2 (en) | 2013-04-08 | 2018-01-09 | Kla-Tencor Corp. | Dynamic design attributes for wafer inspection |
| US9310320B2 (en) | 2013-04-15 | 2016-04-12 | Kla-Tencor Corp. | Based sampling and binning for yield critical defects |
| IL260417B (en) | 2018-07-04 | 2021-10-31 | Tinyinspektor Ltd | System and method for automated visual inspection |
| EP4104100A4 (en) * | 2020-02-13 | 2024-01-10 | Inspekto A.M.V Ltd | USER INTERFACE DEVICE FOR AUTONOMOUS ARTIFICIAL VISION INSPECTION |
| IL272752B2 (en) * | 2020-02-13 | 2023-06-01 | Inspekto A M V Ltd | A user interface device for autonomous computer vision inspection |
| JP2022117091A (ja) * | 2021-01-29 | 2022-08-10 | キヤノン株式会社 | 計測装置、リソグラフィ装置及び物品の製造方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63225153A (ja) * | 1987-03-14 | 1988-09-20 | Omron Tateisi Electronics Co | 基板検査方法 |
| JP2000004079A (ja) * | 1998-06-12 | 2000-01-07 | Omron Corp | はんだ検査装置 |
| JP2000146857A (ja) * | 1998-11-13 | 2000-05-26 | Toshiba Corp | パターン欠陥検査方法及びその装置 |
| JP2000346627A (ja) * | 1999-06-07 | 2000-12-15 | Toray Eng Co Ltd | 検査装置 |
| JP3524819B2 (ja) * | 1999-07-07 | 2004-05-10 | 株式会社日立製作所 | 画像比較によるパターン検査方法およびその装置 |
| US6507944B1 (en) * | 1999-07-30 | 2003-01-14 | Fujitsu Limited | Data processing method and apparatus, reticle mask, exposing method and apparatus, and recording medium |
| US6482557B1 (en) * | 2000-03-24 | 2002-11-19 | Dupont Photomasks, Inc. | Method and apparatus for evaluating the runability of a photomask inspection tool |
| JP2002100660A (ja) * | 2000-07-18 | 2002-04-05 | Hitachi Ltd | 欠陥検出方法と欠陥観察方法及び欠陥検出装置 |
| JP2002148779A (ja) * | 2000-11-07 | 2002-05-22 | Toshiba Corp | マスクパターン補正方法、フォトマスク及びマスクパターン補正方法プログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
| JP2002162366A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Hitachi Ltd | 欠陥検査方法とその装置、及び欠陥の自動分類のための欠陥位置検出方法 |
| US6598211B2 (en) * | 2001-03-30 | 2003-07-22 | Intel Corporation | Scaleable approach to extracting bridges from a hierarchically described VLSI layout |
| JP4104840B2 (ja) * | 2001-08-23 | 2008-06-18 | 株式会社東芝 | マスクパターン評価システム及びその方法 |
-
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