TWI583265B - 線路板結構及其製作方法 - Google Patents

Description

線路板結構及其製作方法

本發明是有關於一種線路板結構及其製作方法，且特別是有關於一種具有凹槽的線路板結構及其製作方法。

一般來說，要製作出具有凹槽的線路板結構，通常需於內層線路層的核心層上製作出對位銅層，其目的在於：後續透過雷射燒蝕線路結構而形成凹槽的過程時，對位銅層除了可視為一雷射阻擋層，以避免過渡燒蝕線路結構之外，亦可視為一雷射對位圖案，有利於進行雷射燒蝕程序。然而，由於對位銅層是直接形成在內層線路層的核心層上，因而限制了核心層的線路佈局，進而降低了核心層的佈線靈活度。

本發明提供一種線路板結構，其可具有較佳佈線靈活度。

本發明還提供一種線路板結構的製作方法，其用以製作上述線路板結構。

本發明的線路板結構的製作方法，其包括以下製作步驟。提供一內層線路結構，內層線路結構包括一具有彼此相對的一上表面與一下表面的核心層、一配置於上表面上的第一圖案化線路層以及一配置於下表面上的第二圖案化線路層。形成一絕緣材料層於部分第一圖案化線路層上，其中絕緣材料層覆蓋部分上表面。形成一雷射阻擋層於至少部分絕緣材料層上。貼合一離形層於至少雷射阻擋層上。進行一增層程序，以分別壓合一第一增層線路結構與一第二增層線路結構於第一圖案化線路層上與第二圖案化線路層上，其中第一增層線路結構覆蓋離形層。對第一增層線路結構進行一雷射燒蝕程序，使一雷射光束照射在雷射阻擋層上，以移除部分第一增層線路結構與離形層，而形成一至少暴露出核心層的部分上表面的凹槽。

在本發明的一實施例中，上述的形成絕緣材料層的步驟，包括：提供一具有一貫孔的介電層；以及填充一絕緣材料於介電層的貫孔內，而形成絕緣材料層，其中絕緣材料覆蓋部分第一圖案化線路層，而介電層覆蓋核心層的部分上表面。

在本發明的一實施例中，上述的絕緣材料的材質為一油墨，而雷射阻擋層至少覆蓋部分絕緣材料，且離形層覆蓋雷射阻擋層。

在本發明的一實施例中，上述的形成絕緣材料層的方法為一塗佈法，而絕緣材料層的材質為一油墨。

在本發明的一實施例中，上述的雷射阻擋層的材質為一金屬材料，而離形層至少覆蓋雷射阻擋層與絕緣材料層。

在本發明的一實施例中，上述的雷射阻擋層完全形成在絕緣材料層上，且離形層更覆蓋部分第一圖案化線路層。

在本發明的一實施例中，上述的線路板結構的製作方法，更包括：對第一增層線路結構進行雷射燒蝕程序，而移除部分第一增層線路結構與離形層之後，移除雷射阻擋層，而形成暴露出絕緣材料層與核心層的部分上表面的凹槽。

在本發明的一實施例中，上述的線路板結構的製作方法，更包括：對第一增層線路結構進行雷射燒蝕程序，而移除部分第一增層線路結構與離形層的同時，移除至少部分雷射阻擋層與至少部分絕緣材料層，而形成暴露出部分絕緣材料層、部分雷射阻擋層以及核心層的部分上表面的凹槽。

在本發明的一實施例中，上述的線路板結構的製作方法，更包括：對第一增層線路結構進行雷射燒蝕程序，移除部分第一增層線路結構與離形層之後，再移除雷射阻擋層與絕緣材料層，而形成暴露出部分絕緣材料層、部分雷射阻擋層以及核心層的部分上表面的凹槽。

在本發明的一實施例中，上述的凹槽具有多個側壁，而側壁具有凹凸輪廓、平面輪廓或凹凸輪廓與平面輪廓的組合。

在本發明的一實施例中，上述的雷射阻擋層的材質與絕緣材料層的材質相同，雷射阻擋層覆蓋部分絕緣材料層，而離形層覆蓋絕緣材料層與雷射阻擋層，且凹槽暴露出雷射阻擋層、絕緣材料層以及核心層的部分上表面。

在本發明的一實施例中，上述的雷射阻擋層為一環狀結構，而部分第一圖案化線路層位於環狀結構內。

在本發明的一實施例中，上述的第一增層線路結構包括至少一第一介電層、至少一第一圖案化導電層以及至少一貫穿第一介電層的第一導電通孔結構。第一介電層與第一圖案化導電層依序疊置於核心層的上表面上，且第一圖案化導電層透過第一導電通孔結構與第一圖案化線路層電性連接。第二增層線路結構包括至少一第二介電層、至少一第二圖案化導電層以及至少一貫穿第二介電層的第二導電通孔結構。第二介電層與第二圖案化導電層依序疊置於核心層的下表面上，且第二圖案化導電層透過第二導電通孔結構與第二圖案化線路層電性連接。

本發明的線路板結構，其包括一內層線路結構、一第一增層線路結構以及一第二增層線路結構。內層線路結構包括一具有彼此相對的一上表面與一下表面的核心層、一配置於上表面上的第一圖案化線路層以及一配置於下表面上的第二圖案化線路層。第一增層線路結構配置於核心層的上表面上，且覆蓋第一圖案化線路層，其中第一增層線路結構具有一凹槽，且凹槽暴露出部分第一圖案化線路層與核心層的部分上表面，凹槽具有多個側壁，且側壁具有凹凸輪廓或凹凸輪廓與平面輪廓的組合。第二增層線路結構配置於核心層的下表面上，且覆蓋第二圖案化線路層。

在本發明的一實施例中，上述的第一增層線路結構包括至少一第一介電層、至少一第一圖案化導電層以及至少一貫穿第一介電層的第一導電通孔結構。第一介電層與第一圖案化導電層依序疊置於核心層的上表面上，且第一圖案化導電層透過第一導電通孔結構與第一圖案化線路層電性連接。第二增層線路結構包括至少一第二介電層、至少一第二圖案化導電層以及至少一貫穿第二介電層的第二導電通孔結構。第二介電層與第二圖案化導電層依序疊置於核心層的下表面上，且第二圖案化導電層透過第二導電通孔結構與第二圖案化線路層電性連接。

本發明的線路板結構，其包括一內層線路結構、一第一增層線路結構、一絕緣材料層、一雷射阻擋層以及一第二增層線路結構。內層線路結構包括一具有彼此相對的一上表面與一下表面的核心層、一配置於上表面上的第一圖案化線路層以及一配置於下表面上的第二圖案化線路層。第一增層線路結構配置於核心層的上表面上，且覆蓋第一圖案化線路層，其中第一增層線路結構具有一凹槽，且凹槽暴露出部分第一圖案化線路層與核心層的部分上表面。絕緣材料層配置於凹槽所暴露出的部分第一圖案化線路層上。雷射阻擋層配置於絕緣材料層上，其中雷射阻擋層為一環狀結構，而部分第一圖案化線路層位於環狀結構內。第二增層線路結構配置於核心層的下表面上，且覆蓋第二圖案化線路層。

在本發明的一實施例中，上述的雷射阻擋層的材質為一金屬材料。

在本發明的一實施例中，上述的雷射阻擋層的材質與絕緣材料層的材質相同。

在本發明的一實施例中，上述的第一增層線路結構包括至少一第一介電層、至少一第一圖案化導電層以及至少一貫穿第一介電層的第一導電通孔結構。第一介電層與第一圖案化導電層依序疊置於核心層的上表面上，且第一圖案化導電層透過第一導電通孔結構與第一圖案化線路層電性連接。第二增層線路結構包括至少一第二介電層、至少一第二圖案化導電層以及至少一貫穿第二介電層的第二導電通孔結構。第二介電層與第二圖案化導電層依序疊置於核心層的下表面上，且第二圖案化導電層透過第二導電通孔結構與第二圖案化線路層電性連接。

基於上述，由於本發明的線路板結構於製作的過程中，是將雷射阻擋層形成在絕緣材料層上，而非內層線路結構上，因此後續於製作完增層線路結構之後，透過雷射燒蝕程序來形成暴露出內層線路結構之核心層的上表面的凹槽時，並不會影響內層線路結構之核心層的線路佈局。也就是說，於所形成的凹槽內仍可以進行線路設計，因此本發明所形成的線路板結構可提供較大的佈局空間。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1A(a)至圖1J繪示為本發明的一實施例的一種線路板結構的製作方法的剖面示意圖。請先參考圖1A(a)，關於本實施例的線路板結構的製作方法，首先，提供一內層線路結構110，其中內層線路結構110包括一具有彼此相對的一上表面111與一下表面113的核心層112、一配置於上表面111上的第一圖案化線路層114以及一配置於下表面113上的第二圖案化線路層116。如圖1A(a)所示，第一圖案化線路層114與第二圖案化線路層116可透過貫穿核心層112的至少一導電通孔118而電性連接。

接著，請同時參考圖1A(a)與1B(a)，形成一絕緣材料層120於部分第一圖案化線路層114上，其中絕緣材料層120覆蓋部分上表面111。詳細來說，形成絕緣材料層120的步驟，包括：提供一具有一貫孔H的介電層122。之後，填充一絕緣材料124於介電層122的貫孔H內，而形成絕緣材料層120，其中絕緣材料124覆蓋部分第一圖案化線路層114，而介電層122覆蓋核心層112的部分上表面111。此處，絕緣材料124的材質例如為一油墨、聚丙烯(polypropylene, PP）、聚乙烯(PE)、ABS樹脂（acrylonitrile butadiene styrene, ABS）、聚四氟乙烯(PTFE)或其他適當材質。

需說明的是，本實施例並不限定上述形成絕緣材料層120的方式，於其他實施例中，請參考圖1A(b)，亦可透過塗佈法於核心層112的上表面111上形成絕緣材料層120a，此時絕緣材料層120a的材質例如為一油墨，此方式仍屬於本發明所欲保護之範圍。

接著，請同時參考圖1B(a)與圖1B(b)，形成一雷射阻擋層130於至少部分絕緣材料層120、120a上，其中雷射阻擋層130至少覆蓋絕緣材料層120的部分絕緣材料124以及部分絕緣材料層120a。如圖1B(a) 與圖1B(b)所示，本實施例的雷射阻擋層130並未完全覆蓋絕緣材料層120、120a，而雷射阻擋層130具體化為一環形結構，其中雷射阻擋層130所在的區域即為後續進行雷射燒蝕的區域，而部分第一圖案化線路層114位於環狀結構內。此處，雷射阻擋層130的材質例如是金屬(銅、鎳、金、銀、鋁或其他適當的金屬材料)；或者是，非金屬(陶瓷、石英、金剛砂或其他適當的非金屬材料)。

為了方便說明起見，後續的製程是以接續圖1B(b)之步驟為例說明。請同時請參考圖1C與圖1D，貼合一離形層140於至少雷射阻擋層130上。如圖1D所示，離形層140僅直接覆蓋雷射阻擋層130，且離形層140與絕緣材料層120a之間具有一空氣間隙G，其中離形層140並未覆蓋絕緣材料層120a，且離形層140的邊緣具體化切齊於雷射阻擋層130的邊緣。

接著，請參考圖1E，進行一增層程序，以分別壓合一第一增層線路結構150a與一第二增層線路結構150b於第一圖案化線路層114上與第二圖案化線路層116上，其中第一增層線路結構150a覆蓋離形層140。詳細來說，本實施例的第一增層線路結構150a包括至少一第一介電層152a、至少一第一圖案化導電層154a以及至少一貫穿第一介電層152a的第一導電通孔結構156a。第一介電層152a與第一圖案化導電層154a依序疊置於核心層112的上表面111上，且第一圖案化導電層154a透過第一導電通孔結構156a與第一圖案化線路層114電性連接。第二增層線路結構150b包括至少一第二介電層152b、至少一第二圖案化導電層154b以及至少一貫穿第二介電層152b的第二導電通孔結構156b。第二介電層152b與第二圖案化導電層154b依序疊置於核心層112的下表面113上，且第二圖案化導電層154b透過第二導電通孔結構156b與第二圖案化線路層154b電性連接。

之後，請同時參考圖1F、圖1G與圖1H，對第一增層線路結構150a進行一雷射燒蝕程序，使一雷射光束L照射在雷射阻擋層130上，以移除部分第一增層線路結構150a與離形層140，而形成一至少暴露出核心層112的部分上表面111的凹槽C1。詳細來說，如同1F與圖1G所示，雷射光束L僅照射在配置有雷射阻擋層130的區域上，透過照射雷射光束L來移除部分第一增線線路結構150a以及離形層140。接著，如同1G與圖1H所示，再藉由鹼液(pH＞12)或有機溶劑來移除絕緣材料層120a以及配置於其上的雷射阻擋層130，而形成暴露出核心層112的部分上表面111的凹槽C1。此時，凹槽C1具有多個側壁W1、W2，而側壁W1、W2具體化具有平面輪廓，但並不以為限。至此，已完成線路板結構100a的製作。

需說明的是，於其他實施例中，亦可能因為雷射燒蝕的位置差異，而導致所形成的凹槽具有不同輪廓的側壁。請參考圖1I，凹槽C11的側壁W11、W21具體化為凹凸輪廓；或者是，請參考圖1J，凹槽C12的側壁W12、W22具體化為平面輪廓與凹凸輪廓的組合，上述技術特徵仍屬本發明所欲保護的範圍。

在結構上，請再參考圖1H，本實施例的線路板結構100a包括內層線路結構110、第一增層線路結構150a以及第二增層線路結構150a。內層線路結構110包括具有彼此相對的上表面111與下表面113的核心層112、配置於上表面111上的第一圖案化線路層114以及配置於下表面113上的第二圖案化線路層116。第一增層線路結構150a配置於核心層112的上表面111上，且覆蓋第一圖案化線路層114，其中第一增層線路結構150a具有凹槽C1，且凹槽C1暴露出部分第一圖案化線路層114與核心層112的部分上表面111，凹槽C1具有多個側壁W1、W2，且側壁W1、W2具體化具有平面輪廓。第二增層線路結構150b配置於核心層112的下表面113上，且覆蓋第二圖案化線路層116。

需說明的是，本發明並不限定凹槽之側壁的輪廓。請參考圖1I，線路板結構100a1的凹槽C11的側壁W11、W21具體化為凹凸輪廓；或者是，請參考圖1J，線路板結構100a2的凹槽C12的側壁W12、W22具體化為平面輪廓與凹凸輪廓的組合，上述技術特徵仍屬本發明所欲保護的範圍。

由於本實施例的線路板結構100a於製作的過程中，是將雷射阻擋層130形成在絕緣材料層120a上，而非內層線路結構110上，因此後續於製作完第一增層線路結構150a與第二增層線路結構150b之後，透過雷射燒蝕程序來形成暴露出內層線路結構110之核心層112的上表面111的凹槽C1時，並不會影響內層線路結構110之核心層112的線路佈局。也就是說，於所形成的凹槽C1內仍可以進行線路設計，因此本實施例所形成的線路板結構100a可提供較大的佈局空間。

在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。

圖2A至圖2F繪示為本發明的另一實施例的一種線路板結構的製作方法的剖面示意圖。請參考圖2A，關於本實施例的線路板結構的製作方法，首先，提供一內層線路結構110b，其中內層線路結構110b包括一具有彼此相對的一上表面111b與一下表面113b的核心層112b、一配置於上表面111b上的第一圖案化線路層114b以及一配置於下表面113b上的第二圖案化線路層116b。如圖2A所示，第一圖案化線路層114b與第二圖案化線路層116b可透過貫穿核心層112b的至少一導電通孔118b而電性連接。

接著，請參考圖2B，形成一絕緣材料層120b於部分第一圖案化線路層114b上，其中絕緣材料層120b覆蓋部分上表面111b。此處，絕緣材料層120b的材質例如是油墨、聚丙烯(polypropylene, PP）、聚乙烯(PE)、ABS樹脂（acrylonitrile butadiene styrene, ABS）、聚四氟乙烯(PTFE)或其他適當材質。接著，請再參考圖2B，形成一雷射阻擋層130b於絕緣材料層120b上，如圖2B所示，本實施例的雷射阻擋層130b完全形成在絕緣材料層120b上，但並未完全覆蓋絕緣材料層120b，而雷射阻擋層130b具體化為一環形結構，其中雷射阻擋層130b所在的區域即為後續進行雷射燒蝕的區域，而部分第一圖案化線路層114b位於環狀結構內。此處，雷射阻擋層130b的材質例如是一金屬材料(如銅、鎳、金、銀、鋁或其他適當的金屬材料)；或者是，非金屬(如陶瓷、石英、金剛砂或其他適當的非金屬材料)。

接著，請參考圖2C，貼合一離形層140b於至少雷射阻擋層130b上，其中離形層140b至少覆蓋雷射阻擋層130b與絕緣材料層120b。如圖2C所示，離形層140b直接覆蓋部分第一圖案化線路層114b、核心層112b的部分上表面111b、部分絕緣材料層120b以及部分雷射阻擋層130b。換言之，部分雷射阻擋層130b以及部分絕緣材料層120b並未被離形層140b所覆蓋。

之後，請參考圖2D，進行一增層程序，以分別壓合一第一增層線路結構150a1與一第二增層線路結構150b1於第一圖案化線路層114b上與第二圖案化線路層116b上，其中第一增層線路結構150a1覆蓋離形層140b、部分雷射阻擋層130b以及部分絕緣材料層120b。詳細來說，本實施例的第一增層線路結構150a1包括至少一第一介電層152a1、至少一第一圖案化導電層154a1以及至少一貫穿第一介電層152a1的第一導電通孔結構156a1。第一介電層152a1與第一圖案化導電層154a1依序疊置於核心層112b的上表面111b上，且第一圖案化導電層154a1透過第一導電通孔結構156a1與第一圖案化線路層114b電性連接。第二增層線路結構150b1包括至少一第二介電層152b1、至少一第二圖案化導電層154b1以及至少一貫穿第二介電層152b1的第二導電通孔結構156b1。第二介電層152b1與第二圖案化導電層154b1依序疊置於核心層112b的下表面113b上，且第二圖案化導電層154b1透過第二導電通孔結構156b1與第二圖案化線路層154b1電性連接。

最後，請同時參考圖2E與圖2F，對第一增層線路結構150a1進行一雷射燒蝕程序，使一雷射光束L照射在雷射阻擋層130b上，以移除部分第一增層線路結構150a1與離形層140b，而形成一至少暴露出核心層112b的部分上表面111b的凹槽C2。此時，凹槽C2亦暴露出部分絕緣材料層120b、部分雷射阻擋層130b以及部分第一圖案化線路層114b。至此，已完成線路板結構100b的製作。

在結構上，請再參考圖2F，本實施例的線路板結構100b包括內層線路結構110b、第一增層線路結構150a1、絕緣材料層120b、雷射阻擋層130b以及第二增層線路結構150b1。內層線路結構110b包括具有彼此相對的上表面111b與下表面113b的核心層112b、配置於上表面111b上的第一圖案化線路層114b以及配置於下表面113b上的第二圖案化線路層116b。第一增層線路結構150a1配置於核心層112b的上表面111b上，且覆蓋第一圖案化線路層114b，其中第一增層線路結構150a1具有凹槽C2，且凹槽C2暴露出部分第一圖案化線路層114b與核心層112b的部分上表面111b。絕緣材料層120b配置於凹槽C2所暴露出的部分第一圖案化線路層114b上。雷射阻擋層130b配置於絕緣材料層120b上，其中雷射阻擋層130b為一環狀結構，而部分第一圖案化線路層114b位於環狀結構內。較佳地，雷射阻擋層130b的材質例如為一金屬材料(如銅、鎳、金、銀、鋁或其他適當的金屬材料)，或者是非金屬(如陶瓷、石英、金剛砂或其他適當的非金屬材料)。第二增層線路結構150b1配置於核心層112b的下表面113b上，且覆蓋第二圖案化線路層116b。

圖3A至圖3G繪示為本發明的另一實施例的一種線路板結構的製作方法的剖面示意圖。請參考圖3A，關於本實施例的線路板結構的製作方法，首先，提供一內層線路結構110b，其中內層線路結構110b包括一具有彼此相對的一上表面111b與一下表面113b的核心層112b、一配置於上表面111b上的第一圖案化線路層114b以及一配置於下表面113b上的第二圖案化線路層116b。如圖3A所示，第一圖案化線路層114b與第二圖案化線路層116b可透過貫穿核心層112b的至少一導電通孔118b而電性連接。

接著，請參考圖3B，形成一絕緣材料層120c於部分第一圖案化線路層114b上，其中絕緣材料層120c覆蓋部分上表面111b。此處，絕緣材料層120c的材質例如是油墨、聚丙烯(polypropylene, PP）、聚乙烯(PE)、ABS樹脂（acrylonitrile butadiene styrene, ABS）、聚四氟乙烯(PTFE)或其他適當材質。接著，請再參考圖3B，形成一雷射阻擋層130c於部分絕緣材料層120c上。如圖3B所示，本實施例的雷射阻擋層130c並沒有完全形成在絕緣材料層120c上，僅形成於部分的絕緣材料層120c上，且也並未完全覆蓋絕緣材料層120c。雷射阻擋層130c具體化為一環形結構，其中雷射阻擋層130c所在的區域即為後續進行雷射燒蝕的區域，而部分第一圖案化線路層114b位於環狀結構內，且位於環狀結構內的第一圖案化線路層114b上並沒有設置雷射阻擋層130c。此處，雷射阻擋層130c的材質例如是一金屬材料(如銅、鎳、金、銀、鋁或其他適當的金屬材料)；或者為一非金屬(如陶瓷、石英、金剛砂或其他適當的非金屬材料)。

接著，請參考圖3C，貼合一離形層140c於雷射阻擋層130c與絕緣材料層120c上，其中離形層140c是直接覆蓋雷射阻擋層130c與絕緣材料層120c，且暴露出部分雷射阻擋層130c與部分絕緣材料層120c。

接著，請參考圖3D，進行一增層程序，以分別壓合一第一增層線路結構150a1與一第二增層線路結構150b1於第一圖案化線路層114b上與第二圖案化線路層116b上，其中第一增層線路結構150a1覆蓋離形層140c、部分雷射阻擋層130c以及部分絕緣材料層120c。詳細來說，本實施例的第一增層線路結構150a1包括至少一第一介電層152a1、至少一第一圖案化導電層154a1以及至少一貫穿第一介電層152a1的第一導電通孔結構156a1。第一介電層152a1與第一圖案化導電層154a1依序疊置於核心層112b的上表面111b上，且第一圖案化導電層154a1透過第一導電通孔結構156a1與第一圖案化線路層114b電性連接。第二增層線路結構150b1包括至少一第二介電層152b1、至少一第二圖案化導電層154b1以及至少一貫穿第二介電層152b1的第二導電通孔結構156b1。第二介電層152b1與第二圖案化導電層154b1依序疊置於核心層112b的下表面113b上，且第二圖案化導電層154b1透過第二導電通孔結構156b1與第二圖案化線路層154b1電性連接。

之後，請同時參考圖3E與圖3F，對第一增層線路結構150a1進行一雷射燒蝕程序，使一雷射光束L照射在雷射阻擋層130c上，以移除部分第一增層線路結構150a1與離形層140c，而形成一至少暴露出核心層112b的部分上表面111b的凹槽C3。此時，凹槽C3亦暴露出部分絕緣材料層120c以及部分雷射阻擋層130c。

最後，請同時參考圖3F與圖3G，移除雷射阻擋層130c，而形成具有凹凸輪廓之側壁W31、W32的凹槽C3，其中移除雷射阻擋層130c的方法例如是將下方絕緣材料層120c以鹼性或有機溶劑溶解後，雷射阻擋層130c自然脫落。至此，已完成線路板結構100c的製作。

在結構上，請再參考圖3G，本實施例的線路板結構100c與圖2F之線路板結構100b相似，差異之處在於：本實施例的線路板結構100c中並不具有雷射阻擋層130c，而於凹槽C3中所暴露出的第一圖案化線路層114b都被絕緣材料層120c所包覆，且凹槽C3的側壁W31、W32具有凹凸輪廓。

圖4A至圖4F繪示為本發明的另一實施例的一種線路板結構的製作方法的剖面示意圖。請參考圖4A，關於本實施例的線路板結構的製作方法，首先，提供一內層線路結構110b，其中內層線路結構110b包括一具有彼此相對的一上表面111b與一下表面113b的核心層112b、一配置於上表面111b上的第一圖案化線路層114b以及一配置於下表面113b上的第二圖案化線路層116b。如圖4A所示，第一圖案化線路層114b與第二圖案化線路層116b可透過貫穿核心層112b的至少一導電通孔118b而電性連接。

接著，請參考圖4B，形成一絕緣材料層120d於部分第一圖案化線路層114b上，其中絕緣材料層120d覆蓋部分上表面111b。此處，絕緣材料層120d的材質例如是油墨 、聚丙烯(polypropylene, PP）、聚乙烯(PE)、ABS樹脂（acrylonitrile butadiene styrene, ABS）、聚四氟乙烯(PTFE)或其他適當材質。接著，請再參考圖4B，形成一雷射阻擋層130d於部分絕緣材料層120d上。如圖4B所示，本實施例的雷射阻擋層130d並沒有完全形成在絕緣材料層120d上，僅形成於部分的絕緣材料層120d上，且也並未完全覆蓋絕緣材料層120d。雷射阻擋層130d具體化為一環形結構，其中雷射阻擋層130d所在的區域即為後續進行雷射燒蝕的區域，而部分第一圖案化線路層114b位於環狀結構內，且位於環狀結構內的第一圖案化線路層114b上並未設置雷射阻擋層130d。特別是，雷射阻擋層130d的材質與絕緣材料層120d的材質相同。換言之，雷射阻擋層130d的材質也為金屬(如銅、鎳、金、銀、鋁或其他適當的金屬材料)，或可為非金屬(如陶瓷、石英、金剛砂或其他適當的非金屬材料)。

接著，請參考圖4C，貼合一離形層140d於雷射阻擋層130d與絕緣材料層120d上，其中離形層140d是直接覆蓋雷射阻擋層130d與絕緣材料層120d，且暴露出部分雷射阻擋層130d。

接著，請參考圖4D，進行一增層程序，以分別壓合一第一增層線路結構150a1與一第二增層線路結構150b1於第一圖案化線路層114b上與第二圖案化線路層116b上，其中第一增層線路結構150a1包覆離形層140d、部分雷射阻擋層130d以及部分絕緣材料層120d。詳細來說，本實施例的第一增層線路結構150a1包括至少一第一介電層152a1、至少一第一圖案化導電層154a1以及至少一貫穿第一介電層152a1的第一導電通孔結構156a1。第一介電層152a1與第一圖案化導電層154a1依序疊置於核心層112b的上表面111b上，且第一圖案化導電層154a1透過第一導電通孔結構156a1與第一圖案化線路層114b電性連接。第二增層線路結構150b1包括至少一第二介電層152b1、至少一第二圖案化導電層154b1以及至少一貫穿第二介電層152b1的第二導電通孔結構156b1。第二介電層152b1與第二圖案化導電層154b1依序疊置於核心層112b的下表面113b上，且第二圖案化導電層154b1透過第二導電通孔結構156b1與第二圖案化線路層154b1電性連接。

之後，請同時參考圖4E與圖4F，對第一增層線路結構150a1進行一雷射燒蝕程序，使一雷射光束L照射在雷射阻擋層130d上，以移除部分第一增層線路結構150a1與離形層140d，而形成一至少暴露出核心層112b的部分上表面111b的凹槽C4。在對第一增層線路結構150a1進行雷射燒蝕程序，而移除部分第一增層線路結構150a1與離形層140d的同時，移除部分雷射阻擋層130d與部分絕緣材料層120d，而形成暴露出部分絕緣材料層120d、部分雷射阻擋層130d以及核心層112b的部分上表面111b的凹槽C4。換言之，凹槽C4亦暴露出部分絕緣材料層120d以及部分雷射阻擋層130d。至此，已完成線路板結構100d的製作。

在結構上，請再參考圖4F，本實施例的線路板結構100c與圖2F之線路板結構100b相似，差異之處在於：本實施例的線路板結構100d的雷射阻擋層130d的材質與絕緣材料層120d的材質相同，且雷射阻擋層130d因為雷射燒蝕的緣故而具有一延伸至絕緣材料層120d的缺口T。凹槽C4中則暴露出部分雷射阻擋層130d、部分絕緣材料層120d以及核心層112b的部分上表面111b。

綜上所述，由於本發明的線路板結構於製作的過程中，是將雷射阻擋層形成在絕緣材料層上而非內層線路結構上，因此後續於製作完增層線路結構之後，透過雷射燒蝕程序來形成暴露出內層線路結構之核心層的上表面的凹槽時，並不會影響內層線路結構之核心層的線路佈局。也就是說，於所形成的凹槽內仍可以進行線路設計，因此本發明所形成的線路板結構可提供較大的佈局空間。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100a、100a1、100a2、100b、100c、100d‧‧‧線路板結構
110、110b‧‧‧內層線路結構
111、111b‧‧‧上表面
112、112b‧‧‧核心層
113、113b‧‧‧下表面
114、114b‧‧‧第一圖案化線路層
116、116b‧‧‧第二圖案化線路層
118、118b‧‧‧導電通孔
120、120a、120b、120c、120d‧‧‧絕緣材料層
122‧‧‧介電層
124‧‧‧絕緣材料
130、130b、130c、130d‧‧‧雷射阻擋層
140、140b、140c、140d‧‧‧離形層
150a、150a1‧‧‧第一增層線路結構
150b、150b1‧‧‧第二增層線路結構
152a、152a1‧‧‧第一介電層
152b、152b1‧‧‧第二介電層
154a、154a1‧‧‧第一圖案化導電層
154b、154b1‧‧‧第二圖案化導電層
156a、156a1‧‧‧第一導電通孔結構
156b、156b1‧‧‧第二導電通孔結構
C1、C11、C12、C2、C3‧‧‧凹槽
G‧‧‧空氣間隙
H‧‧‧貫孔
L‧‧‧雷射光束
T‧‧‧缺口
W1、W11、W21、W2、W21、W22、W31、W32‧‧‧側壁

圖1A(a)至圖1J繪示為本發明的一實施例的一種線路板結構的製作方法的剖面示意圖。 圖2A至圖2F繪示為本發明的另一實施例的一種線路板結構的製作方法的剖面示意圖。 圖3A至圖3G繪示為本發明的另一實施例的一種線路板結構的製作方法的剖面示意圖。 圖4A至圖4F繪示為本發明的另一實施例的一種線路板結構的製作方法的剖面示意圖。

120a‧‧‧絕緣材料層

130‧‧‧雷射阻擋層

140‧‧‧離形層

150a‧‧‧第一增層線路結構

L‧‧‧雷射光束

Claims (19)

1. 一種線路板結構的製作方法，包括： 提供一內層線路結構，該內層線路結構包括一具有彼此相對的一上表面與一下表面的核心層、一配置於該上表面上的第一圖案化線路層以及一配置於該下表面上的第二圖案化線路層； 形成一絕緣材料層於部分該第一圖案化線路層上，其中該絕緣材料層覆蓋部分該上表面； 形成一雷射阻擋層於至少部分該絕緣材料層上； 貼合一離形層於該雷射阻擋層上； 進行一增層程序，以分別壓合一第一增層線路結構與一第二增層線路結構於該第一圖案化線路層上與該第二圖案化線路層上，其中該第一增層線路結構覆蓋該離形層；以及 對該第一增層線路結構進行一雷射燒蝕程序，使一雷射光束照射在該雷射阻擋層上，以移除部分該第一增層線路結構與該離形層，而形成一至少暴露出該核心層的部分該上表面的凹槽。
2. 如申請專利範圍第1項所述的線路板結構的製作方法，其中形成該絕緣材料層的步驟，包括：     提供一具有一貫孔的介電層；以及     填充一絕緣材料於該介電層的該貫孔內，而形成該絕緣材料層，其中該絕緣材料覆蓋部分該第一圖案化線路層，而該介電層覆蓋該核心層的部分該上表面。
3. 如申請專利範圍第2項所述的線路板結構的製作方法，其中該絕緣材料的材質為一油墨，而該雷射阻擋層至少覆蓋部分該絕緣材料，且該離形層覆蓋該雷射阻擋層。
4. 如申請專利範圍第1項所述的線路板結構的製作方法，其中形成該絕緣材料層的方法為一塗佈法，而該絕緣材料層的材質為一油墨。
5. 如申請專利範圍第1項所述的線路板結構的製作方法，其中該雷射阻擋層的材質為一金屬材料，而該離形層至少覆蓋該雷射阻擋層與該絕緣材料層。
6. 如申請專利範圍第5項所述的線路板結構的製作方法，其中該雷射阻擋層完全形成在該絕緣材料層上，且該離形層更覆蓋部分該第一圖案化線路層。
7. 如申請專利範圍第5項所述的線路板結構的製作方法，更包括：     對該第一增層線路結構進行該雷射燒蝕程序，而移除部分該第一增層線路結構與該離形層之後，移除該雷射阻擋層，而形成暴露出該絕緣材料層與該核心層的部分該上表面的凹槽。
8. 如申請專利範圍第1項所述的線路板結構的製作方法，更包括：     對該第一增層線路結構進行該雷射燒蝕程序，而移除部分該第一增層線路結構與該離形層的同時，移除至少部分該雷射阻擋層與至少部分該絕緣材料層，而形成暴露出部分該絕緣材料層、部分該雷射阻擋層以及該核心層的部分該上表面的凹槽。
9. 如申請專利範圍第1項所述的線路板結構的製作方法，更包括：     對該第一增層線路結構進行該雷射燒蝕程序，移除部分該第一增層線路結構與該離形層之後，再移除該雷射阻擋層與該絕緣材料層，而形成暴露出部分該絕緣材料層、部分該雷射阻擋層以及該核心層的部分該上表面的凹槽。
10. 如申請專利範圍第9項所述的線路板結構的製作方法，其中該凹槽具有多個側壁，而該些側壁具有凹凸輪廓、平面輪廓或凹凸輪廓與平面輪廓的組合。
11. 如申請專利範圍第1項所述的線路板結構的製作方法，其中該雷射阻擋層的材質與該絕緣材料層的材質相同，該雷射阻擋層覆蓋部分該絕緣材料層，而該離形層覆蓋該絕緣材料層與該雷射阻擋層，且該凹槽暴露出該雷射阻擋層、該絕緣材料層以及該核心層的部分該上表面。
12. 如申請專利範圍第1項所述的線路板結構的製作方法，其中該雷射阻擋層為一環狀結構，而部分該第一圖案化線路層位於該環狀結構內。
13. 如申請專利範圍第1項所述的線路板結構的製作方法，其中該第一增層線路結構包括至少一第一介電層、至少一第一圖案化導電層以及至少一貫穿該第一介電層的第一導電通孔結構，該第一介電層與該第一圖案化導電層依序疊置於該核心層的該上表面上，且該第一圖案化導電層透過該第一導電通孔結構與該第一圖案化線路層電性連接，而該第二增層線路結構包括至少一第二介電層、至少一第二圖案化導電層以及至少一貫穿該第二介電層的第二導電通孔結構，該第二介電層與該第二圖案化導電層依序疊置於該核心層的該下表面上，且該第二圖案化導電層透過該第二導電通孔結構與該第二圖案化線路層電性連接。
14. 一種線路板結構，包括： 一內層線路結構，包括一具有彼此相對的一上表面與一下表面的核心層、一配置於該上表面上的第一圖案化線路層以及一配置於該下表面上的第二圖案化線路層； 一第一增層線路結構，配置於該核心層的該上表面上，且覆蓋該第一圖案化線路層，其中該第一增層線路結構具有一凹槽，且該凹槽暴露出部分該第一圖案化線路層與該核心層的部分該上表面，該凹槽具有多個側壁，且該些側壁具有凹凸輪廓或凹凸輪廓與平面輪廓的組合；以及 一第二增層線路結構，配置於該核心層的該下表面上，且覆蓋該第二圖案化線路層。
15. 如申請專利範圍第14項所述的線路板結構，其中該第一增層線路結構包括至少一第一介電層、至少一第一圖案化導電層以及至少一貫穿該第一介電層的第一導電通孔結構，該第一介電層與該第一圖案化導電層依序疊置於該核心層的該上表面上，且該第一圖案化導電層透過該第一導電通孔結構與該第一圖案化線路層電性連接，而該第二增層線路結構包括至少一第二介電層、至少一第二圖案化導電層以及至少一貫穿該第二介電層的第二導電通孔結構，該第二介電層與該第二圖案化導電層依序疊置於該核心層的該下表面上，且該第二圖案化導電層透過該第二導電通孔結構與該第二圖案化線路層電性連接。
16. 一種線路板結構，包括：     一內層線路結構，包括一具有彼此相對的一上表面與一下表面的核心層、一配置於該上表面上的第一圖案化線路層以及一配置於該下表面上的第二圖案化線路層； 一第一增層線路結構，配置於該核心層的該上表面上，且覆蓋該第一圖案化線路層，其中該第一增層線路結構具有一凹槽，且該凹槽暴露出部分該第一圖案化線路層與該核心層的部分該上表面； 一絕緣材料層，配置於該凹槽所暴露出的部分該第一圖案化線路層上； 一雷射阻擋層，配置於該絕緣材料層上，其中該雷射阻擋層為一環狀結構，而部分該第一圖案化線路層位於該環狀結構內；以及   一第二增層線路結構，配置於該核心層的該下表面上，且覆蓋該第二圖案化線路層。
17. 如申請專利範圍第16項所述的線路板結構，其中該雷射阻擋層的材質為一金屬材料。
18. 如申請專利範圍第16項所述的線路板結構，其中該雷射阻擋層的材質與該絕緣材料層的材質相同。
19. 如申請專利範圍第16項所述的線路板結構，其中該第一增層線路結構包括至少一第一介電層、至少一第一圖案化導電層以及至少一貫穿該第一介電層的第一導電通孔結構，該第一介電層與該第一圖案化導電層依序疊置於該核心層的該上表面上，且該第一圖案化導電層透過該第一導電通孔結構與該第一圖案化線路層電性連接，而該第二增層線路結構包括至少一第二介電層、至少一第二圖案化導電層以及至少一貫穿該第二介電層的第二導電通孔結構，該第二介電層與該第二圖案化導電層依序疊置於該核心層的該下表面上，且該第二圖案化導電層透過該第二導電通孔結構與該第二圖案化線路層電性連接。