TWI432110B - 線路板及其製程 - Google Patents

Description

線路板及其製程

本發明是有關於一種線路板及其製程，且特別是有關於一種具有活化絕緣層(activeinsulationlayer)的線路板結構及其製程。

在目前的線路板技術中，線路板的線路通常都是透過微影與蝕刻製程而形成，而有關上述形成線路板的線路的方法，請參閱圖1A至圖1D以及以下的說明。

圖1A至圖1D是習知之一種線路板的製程的示意圖。請先參閱圖1A，首先，在一絕緣層112上全面性地形成一層銅金屬層120，其中銅金屬層120是由無電電鍍法以及電鍍法所形成。

請參閱圖1B，接著，進行微影製程，以形成一層光阻130於銅金屬層120上，其中微影製程包括曝光以及顯影二製程，而光阻130覆蓋銅金屬層120，並局部暴露出銅金屬層120的表面120a。

請參閱圖1B與圖1C，接著，以光阻130為遮罩，進行蝕刻銅金屬層120，以移除被圖案化感光層130所暴露出來的部份銅金屬層120，並形成一銅線路層120’，並暴露出部分絕緣層112。其中銅線路層120’包括多個銅墊122以及多條走線124。

請參閱圖1C與圖1D，接著，全面移除光阻130，以 暴露出銅線路層120’。之後，形成一覆蓋部分銅線路層120’與部分絕緣層112的防焊層140，其中防焊層140暴露出這些銅墊122。至此，一種線路板100已製造完成。

由此可知，銅線路層120’必須透過微影製程以及蝕刻銅金屬層120才能形成。目前手機、電腦等電子商品已成為現代人所不可或缺的重要工具，而許多這些電子商品的製造商以及相關廠商對線路板100的需求量越來越高。因此，如何簡化線路板100的製程，增加製造線路板100的速率，以進一步地縮短線路板100的製造時間，是值得探討的課題。

本發明提供一種線路板的製程，其能縮短製造線路板的時間。

本發明提供一種線路板，其製程能縮短製造線路板的時間。

本發明提供一種線路板，其製程能增加製造線路板的速率。

本發明提出一種線路板的製程，其包括：首先，形成至少一活化絕緣層於一基板上，其中活化絕緣層包括多顆觸媒顆粒。接著，在活化絕緣層的表面上形成一凹刻圖案，其中一些觸媒顆粒活化並裸露於凹刻圖案內。接著，利用一化學方法，在凹刻圖案內形成一導電圖案層。

在本發明之一實施例中，上述觸媒顆粒包括多個奈米 顆粒。

在本發明之一實施例中，上述奈米顆粒的材質為過渡金屬錯合物。

在本發明之一實施例中，上述過渡金屬錯合物的材質選自錳、鉻、鈀以及鉑所組成的群組。

在本發明之一實施例中，上述活化絕緣層的介電常數介於於2.0至5.3之間。

在本發明之一實施例中，上述形成凹刻圖案的方法包括對活化絕緣層進行雷射燒蝕(laser trenching)、電漿蝕刻(p1asmaetching)或機械切割製程。

在本發明之一實施例中，上述機械切割製程包括水刀切割、噴砂或外型切割(routing)。

在本發明之一實施例中，上述化學方法包括無電電鍍法或化學氣相沉積。

在本發明之一實施例中，上述形成活化絕緣層的方法包括：形成一第一活化絕緣層於基板的一上表面。接著，形成一第二活化絕緣層於基板的一下表面，其中上表面相對於下表面。

在本發明之一實施例中，上述形成凹刻圖案的方法包括：形成一第一凹刻圖案於第一活化絕緣層上。接著，形成一第二凹刻圖案於第二活化絕緣層上。

在本發明之一實施例中，上述形成導電圖案層的方法包括：利用化學方法，形成一第一導電圖案層於第一凹刻圖案內。接著，利用化學方法，形成一第二導電圖案層於 第二凹刻圖案內。

在本發明之一實施例中，上述基板包括一介電層以及至少一導電連接結構，其中介電層具有至少一貫孔，而導電連接結構配置於貫孔中，且導電連接結構連接於第一導電圖案層與第二導電圖案層之間。

在本發明之一實施例中，上述導電連接結構是由通孔電鍍或填充一導電流體材料所形成。

在本發明之一實施例中，上述導電流體材料為銅膏、銅膠、碳膠、碳膏、銀膏或銀膠。

在本發明之一實施例中，上述導電連接結構為一導電柱。

在本發明之一實施例中，在形成第一凹刻圖案與第二凹刻圖案之前，更包括：形成至少一第一開孔於第一活化絕緣層中，其中第一開孔暴露導電連接結構，且一些觸媒顆粒活化並裸露於第一開孔內。接著，形成至少一第二開孔於第二活化絕緣層中，其中第二開孔暴露導電連接結構，且一些觸媒顆粒活化並裸露於第二開孔內。接著，利用化學方法，形成一第一導電膜層於第一開孔內，其中第一導電膜層覆蓋第一開孔的孔壁與導電連接結構的一端面。接著，利用化學方法，形成一第二導電膜層於第二開孔內，其中第二導電膜層覆蓋第二開孔的孔壁與導電連接結構的另一端面。

在本發明之一實施例中，上述基板具有至少一貫孔。在形成第一活化絕緣層與第二活化絕緣層之後，第一活化 絕緣層與第二活化絕緣層填滿貫孔。

在本發明之一實施例中，更包括形成一從第一活化絕緣層延伸至第二活化絕緣層的通孔，其中通孔位於貫孔內，而一些觸媒顆粒活化並裸露於通孔內。接著，利用化學方法，在通孔內形成一導電連接結構，其連接於第一導電圖案層與第二導電圖案層之間。

在本發明之一實施例中，上述基板為一金屬核心板。

在本發明之一實施例中，上述基板為一線路基板，且線路基板包括一第一線路層與一相對於第一線路層的第二線路層，而貫孔從第一線路層延伸至第二線路層。

在本發明之一實施例中，在形成第一凹刻圖案與第二凹刻圖案之前，更包括：形成至少一第一開孔於第一活化絕緣層中，其中第一開孔局部暴露第一線路層，且一些觸媒顆粒活化並裸露於第一開孔內。接著，形成至少一第二開孔於第二活化絕緣層中，其中第二開孔局部暴露第二線路層，且一些觸媒顆粒活化並裸露於第二開孔內。接著，利用化學方法，形成一第一導電膜層於第一開孔內，其中第一導電膜層連接第一線路層。接著，利用化學方法，形成一第二導電膜層於第二開孔內，其中第二導電膜層連接第二線路層。

在本發明之一實施例中，上述基板為一線路基板，且線路基板包括一介電層以及一配置於介電層上的外層線路層。在形成活化絕緣層之後，活化絕緣層覆蓋外層線路層以及介電層。形成凹刻圖案的方法包括：形成至少一開孔 與一與開孔相通的凹槽於活化絕緣層上，其中開孔局部暴露出外層線路層，而凹槽的深度小於活化絕緣層的厚度。一些觸媒顆粒活化並裸露於凹槽內與開孔內。

在本發明之一實施例中，更包括形成導電圖案層於凹槽與通孔中，其中導電圖案層連接外層線路層。

在本發明之一實施例中，位於凹槽內的導電圖案層具有一接地表面。

本發明提出一種線路板，其包括一線路基板、一活化絕緣層以及一導電圖案層。線路基板包括一介電層以及一配置於介電層的外層線路層。活化絕緣層覆蓋外層線路層以及介電層，且活化絕緣層具有至少一凹槽與至少一局部暴露外層線路層的開孔。凹槽的深度小於活化絕緣層的厚度，而開孔與凹槽相通。活化絕緣層包括多顆觸媒顆粒。導電圖案層配置於開孔與凹槽內，並連接外層線路層，其中一些位於開孔內與凹槽內的觸媒顆粒連接導電圖案層。

在本發明之一實施例中，這些觸媒顆粒包括多個奈米顆粒。

在本發明之一實施例中，這些奈米顆粒的材質包括過渡金屬錯合物。

在本發明之一實施例中，這些過渡金屬錯合物的材質選自於由錳、鉻、鈀以及鉑所組成的群組。

在本發明之一實施例中，位於凹槽內的導電圖案層具有一接地表面。

本發明提出一種線路板，包括：一基板、一第一活化 二導電圖案層。基板具有一上表面以及一相對於上表面的下表面。第一活化絕緣層配置於上表面，並具有一第一凹刻圖案，第一凹刻圖案具有至少一個第一凹槽，且第一凹槽的深度小於第一活化絕緣層的厚度。第二活化絕緣層配置於下表面，並具有一第二凹刻圖案，第二凹刻圖案具有至少一個第二凹槽，且第二凹槽的深度小於第二活化絕緣層的厚度，其中第一活化絕緣層與第二活化絕緣層皆包括多顆觸媒顆粒。第一導電圖案層配置於第一凹刻圖案內，其中一些位於第一凹刻圖案內的觸媒顆粒連接第一導電圖案層。第二導電圖案層配置於第二凹刻圖案內，其中一些位於第二凹刻圖案內的觸媒顆粒連接第二導電圖案層。

在本發明之一實施例中，這些觸媒顆粒包括多個奈米顆粒。

在本發明之一實施例中，這些奈米顆粒的材質包括過渡金屬錯合物。

在本發明之一實施例中，上述過渡金屬錯合物的材質選自於由錳、鉻、鈀以及鉑所組成的群組。

在本發明之一實施例中，上述第一活化絕緣層與第二活化絕緣層的介電常數介於於2.0至5.3之間。

在本發明之一實施例中，上述基板包括：一介電層以及至少一導電連接結構。介電層具有至少一貫孔，而導電連接結構配置於貫孔中。

在本發明之一實施例中，上述導電連接結構為一導電柱。

在本發明之一實施例中，上述第一活化絕緣層更具有至少一第一開孔，而第二活化絕緣層更具有至少一第二開 孔。第一導電圖案層經由第一開孔連接導電連接結構，而第二導電圖案層經由第二開孔連接導電連接結構。

在本發明之一實施例中，上述線路板具有至少一通孔，而基板具有至少一貫孔，而通孔位於貫孔中。通孔從第一活化絕緣層延伸至第二活化絕緣層。線路板更包括至少一導電連接結構，其配置於通孔中。導電連接結構連接一些位於通孔內的觸媒顆粒，且導電連接結構連接於第一導電圖案層與第二導電圖案層之間。

在本發明之一實施例中，上述基板為金屬核心板。

在本發明之一實施例中，上述基板為一線路基板，其包括一第一線路層以及一相對於第一線路層的第二線路層。第一活化絕緣層更具有至少一第一開孔，而第二活化絕緣層更具有至少一第二開口。第一導電圖案層經由第一開孔連接第一線路層，而第二導電圖案層經由第二開孔連接第二線路層。貫孔從第一線路層延伸至第二線路層。

本發明因藉由這些活化後並裸露於凹刻圖案內的觸媒顆粒，導電圖案層能選擇性地沉積在有活化後的觸媒顆粒所裸露出來的地方。這樣導電圖案層能不透過圖案化製程(例如微影與蝕刻製程)而直接形成。如此，本發明能增加製造線路板的速率，並縮短線路板的製造時間。

圖2是本發明之線路板的製程的流程圖。請參閱圖2，關於本發明的線路板的製程，首先，形成至少一活化絕緣 層於一基板上(S100)，其中此活化絕緣層可以透過壓合或塗佈的方式而形成於基板上。

活化絕緣層包括多顆觸媒顆粒，而這些觸媒顆粒可以包括多個奈米顆粒。這些奈米顆粒的材質可以是過渡金屬錯合物，其中該過渡金屬錯合物的材質例如是選自錳、鉻、鉑、鈀或這些金屬的任意組合。此外，這些奈米顆粒的材質雖然是過渡金屬錯合物，但是部分種類的奈米顆粒，其物理及化學特性並不與金屬相同。舉例來說，有些種類的奈米顆粒具有絕緣性。

上述的奈米顆粒有很多種類，有些種類的奈米顆粒，其化學活性很低，不易受到外界環境的影響而變質。有些種類的奈米顆粒，其化學活性很高，反而容易受到外界環境的影響而變質。

根據不同種類的奈米顆粒，這些觸媒顆粒更可以包括多個分別包覆這些奈米顆粒的高分子膜層，其中高分子膜層的材質可以是聚醯亞胺(polyimide,PI)或其他適當的高分子材料。這樣可以避免某些化學活性高的奈米顆粒因裸露於外界環境中而變質。當然，倘若這些奈米顆粒的化學活性很低，則觸媒顆粒可以不需要這些高分子膜層。也就是說，觸媒顆粒可以是奈米顆粒，而未包括高分子膜層。

在本發明其中一實施例中，活化絕緣層的介電常數可以介於2.0至5.3之間，而上述的介電常數的數值與一般線路板所使用的半固化膠片(prepreg)、環氧樹脂以及其他常見的介電材料相近。由此可知，雖然活化絕緣層包括 這些奈米顆粒，但是活化絕緣層的介電常數仍可以與一般線路板所使用的介電材料相近。

接著，在活化絕緣層的表面上形成一凹刻圖案(S102)，其中凹刻圖案的深度可以小於活化絕緣層的厚度。有關形成此凹刻圖案的方法，可以是對活化絕緣層進行雷射燒蝕、電漿蝕刻、機械切割製程或其他適當的方法，而上述的雷射燒蝕可以採用紅外光雷射、紫外光雷射或其他適當的雷射光源。關於上述凹型圖案，其截面的形狀實質上可以是U形或V形等形狀。

當凹刻圖案是利用電漿蝕刻而形成時，可在進行電漿蝕刻以前，先形成一層覆蓋活化絕緣層的圖案化遮蓋層，其中圖案化遮蓋層會局部暴露出活化絕緣層的表面。之後，進行電漿蝕刻，移除被圖案化遮蓋層所局部暴露的活化絕緣層，並形成凹刻圖案。另外，關於上述機械切割製程，其可以包括水刀切割、噴砂或外型切割(routing)。

在形成凹刻圖案之後，一些觸媒顆粒會活化並裸露於凹刻圖案內，即這些觸媒顆粒會活化且裸露於凹刻圖案的底部與側壁的表面上，而凹刻圖案內的這些觸媒顆粒，其奈米顆粒會裸露出來及達到活化。若奈米顆粒原本是被高分子膜層所包覆時，則在對活化絕緣層進行雷射燒蝕、電漿蝕刻、機械切割製程或其他適當的方法之後，高分子膜層會被移除，而奈米顆粒得以裸露出來及達到活化的效果。

接著，利用一化學方法，在凹刻圖案內形成一導電圖案層(S104)，其中導電圖案層包括至少一接墊以及多條 走線。上述的化學方法可以在不施加外部電流的條件下進行，而該化學方法例如是化學氣相沉積或無電電鍍法。

在進行該化學方法時，形成導電圖案層的反應物會與這些觸媒顆粒的奈米顆粒產生反應，以致於導電圖案層能選擇性地沉積在有觸媒顆粒活化並裸露出來的地方，也就是在凹刻圖案內。因此，藉由這些裸露於凹刻圖案內的活化後觸媒顆粒，導電圖案層能選擇性地沉積在凹刻圖案內。這樣導電圖案層能不透過圖案化製程(例如微影與蝕刻製程)而直接形成。

另外，在形成導電圖案層之後，可以形成一防焊層。防焊層覆蓋導電圖案層，以保護這些走線。此外，防焊層會暴露出接墊，以使接墊能連接晶片(chip)、被動元件或其他電子元件。

值得一提的是，上述的奈米顆粒能直接與形成導電圖案層的反應物產生反應，而有些種類的奈米顆粒可以在被活化後與此反應物發生反應。詳細而言，當對活化絕緣層進行雷射燒蝕時，雷射光束能打斷在凹刻圖案內的這些奈米顆粒之鍵結，以活化這些奈米顆粒。如此，活化後的奈米顆粒與上述反應物產生反應，而導電圖案層得以形成。

為了能具體說明上述本發明的特徵和優點，以下舉出一些實施例，並配合圖式，以進行詳細的說明。

【第一實施例】

圖3A至圖3C是本發明第一實施例之線路板的製程的示意圖。請先參閱圖3A，有關本實施例之線路板的製程， 首先，形成一第一活化絕緣層220a於基板210的上表面210a，以及形成一第二活化絕緣層220b於基板210的下表面210b，其中上表面210a相對於下表面210b。

基板210包括一介電層212以及至少一導電連接結構214，其中介電層212具有至少一貫孔T1，而導電連接結構214配置於貫孔T1中。基板210可以是由銅箔基板(Copper Clad Larninate,CCL)依序經由鑽孔、通孔電鍍(Plating Through Hole,PTH)以及蝕刻製程而形成。

介電層212可以是由一固化的樹脂片所形成，其中固化樹脂片例如是空白核心層(blank core)。導電連接結構214可以是由通孔電鍍或填充一導電流體材料而形成，而此導電流體材料可以是導電膠(conductive clue)或導電膏(conductive paste)。具體而言，導電流體材料例如是銅膏、銅膠、碳膠、碳膏、銀膏或銀膠。

導電連接結構214可以是導電柱，例如導電連接結構214可以是填滿貫孔T1的實心導電柱，如圖3A所示。當然，在其他未繪示的實施例中，導電連接結構214也可以是僅覆蓋貫孔T1之孔壁的導電膜。換句話說，導電連接結構214可以是未填滿貫孔T1的空心導電柱。因此，圖3A所示的導電連接結構214僅為舉例說明，並非限定本發明。

第一活化絕緣層220a與第二活化絕緣層220b皆包括多個觸媒顆粒222，其中這些觸媒顆粒222可包括多個奈米顆粒，而這些奈米顆粒的材質可以是過渡金屬錯化物， 其中該過渡金屬錯合物的材質例如是選自錳、鉻、鉑、鈀或這些金屬的任意組合。此外，這些觸媒顆粒222更可以包括多個分別包覆這些奈米顆粒的高分子膜層(未繪示)，而該高分子膜層的材質可以是聚醯亞胺或其他適當的高分子材料。

形成第一活化絕緣層220a與第二活化絕緣層220b的方法有很多種。舉例來說，第一活化絕緣層220a與第二活化絕緣層220b可以是一種乾膜，所以第一活化絕緣層220a與第二活化絕緣層220b可以是用壓合的方式形成於基板210上。

此外，第一活化絕緣層220a與第二活化絕緣層220b也可以是一種溼膜，因此第一活化絕緣層220a與第二活化絕緣層220b亦可以用塗佈的方式形成於基板210上。當然，除了壓合與塗佈的方式之外，第一活化絕緣層220a與第二活化絕緣層220b也可以由其他適當的方法來形成。

請參閱圖3A與圖3B，在形成第一活化絕緣層220a與第二活化絕緣層220b於基板210上之後，形成一第一凹刻圖案224a與至少一第一開孔H1於第一活化絕緣層220a上，以及形成一第二凹刻圖案224b與至少一第二開孔H2於第二活化絕緣層220b上。第一凹刻圖案224a的深度可以小於第一活化絕緣層220a的厚度，而第二凹刻圖案224b的深度可以小於第二活化絕緣層220b的厚度。

一些位於第一凹刻圖案224a、第二凹刻圖案224b、第一開孔H1以及第二開孔H2內的觸媒顆粒222會裸露出 來及達到活化，而第一開孔H1與第二開孔H2會分別暴露出導電連接結構214的端面214a與214b。另外，第一開孔H1與第二開孔H2可以是用雷射燒蝕、機械鑽孔或是其他適當的方法而形成。

在本實施例中，第一凹刻圖案224a、第二凹刻圖案224b、第一開孔H1以及第二開孔H2可以在同一道製程中形成。舉例而言，第一凹刻圖案224a、第二凹刻圖案224b、第一開孔H1以及第二開孔H2可以是在同一個雷射燒蝕的過程中形成。詳言之，例如藉由改變雷射光束的能量、照射雷射光束的時間與次數，第一凹刻圖案224a與第一開孔H1可以同時形成，而第二凹刻圖案224b與第二開孔H2可以同時形成。

請參閱圖3C，接著，利用化學方法，形成一第一導電圖案層230a於第一凹刻圖案224a內，以及形成一第二導電圖案層230b於第二凹刻圖案224b內，其中第一導電圖案層230a包括至少一接墊234a以及多條走線236a，而第二導電圖案層230b包括多條走線236b。此外，上述的化學方法可以是化學氣相沉積、無電電鍍法或其他適當的方法。

當形成第一導電圖案層230a與第二導電圖案層230b時，同時可以利用上述的化學方法來形成一第一導電膜層232a於第一開口H1內，以及形成一第二導電膜層232b於第二開口H2內。第一導電膜層232a覆蓋第一開孔H1的孔壁與導電連接結構214的一端面214a，而第二導電膜 層232b覆蓋第二開孔H2的孔壁與導電連接結構214的另一端面214b。透過第一導電膜層232a與第二導電膜層232b，導電連接結構214得以連接於第一導電圖案層230a與第二導電圖案230b之間。

當第一導電膜層232a與第二導電膜層232b是利用無電電鍍法而形成時，第一導電膜層232a會共形地覆蓋第一開孔H1的孔壁與端面214a，而第二導電膜層232b會共形地覆蓋第二開孔H2的孔壁與端面214b，如圖3C所示。另外，本實施例的接墊234a可以未連接導電連接結構214，而本實施例的導電連接結構214連接於走線236a與走線236b之間。在形成第一導電圖案層230a與第二導電圖案層230b之後，一種線路板200大致上已製造完成。

值得一提的是，在其他未繪示的實施例中，第一導電膜層232a及第二導電膜層232b可以不與第一導電圖案層230a及第二導電圖案層230b同時形成。詳細而言，第一開口H1及第二開口H2可以不與第一凹刻圖案224a及第二凹刻圖案224b同時形成，且在第一開口H1及第二開口H2形成之後，隨即利用上述的化學方法，先形成第一導電膜層232a及第二導電膜層232b。之後，再形成第一導電圖案層230a及第二導電圖案層230b。因此，圖3A至圖3C所揭露的線路板的製程僅供舉例說明，並非限定本發明。

另外，在未繪示的實施例中，可以分別在第一導電膜層232a上與第二導電膜層232b上形成一填充層(未繪 示)。其中填充層的材質可以是油墨或其他填充材料。填充層的表面會與第一導電圖案層230a的表面與第二導電圖案層230b的表面實質上切齊。此夕卜，更可以在線路板200上形成二防焊層，而這些防焊層分別覆蓋第一導電圖案層230a與第二導電圖案層230b。

【第二實施例】

圖4A至圖4G是本發明第二實施例之線路板的製程的示意圖。請參閱圖4A，首先，提供一基板410，其中基板410具有互為相對的上表面410a以及下表面410b。基板410為一線路基板，而該線路基板包括一第一線路層416a、一第二線路層416b以及一介電層412，其中第一線路層416a相對於第二線路層416b，而介電層412位於第一線路層416a與第二線路層416b之間。

在本實施例中，線路基板(即基板410)可以具有一貫孔T2，而貫孔T2是從第一線路層416a延伸至第二線路層416b。貫孔T2的形成方法有很多種，舉例來說，貫孔T2例如是經由機械鑽孔或雷射鑽孔而形成。然而，必須強調的是，根據不同的產品需求，基板410可不具有貫孔T2。也就是說，在其他未繪示的實施例中，基板410可以是不具有貫孔T2的線路基板。

此外，基板410更可以包括至少一導電連接結構414，而導電連接結構414連接於第一線路層416a與第二線路層416b之間，以使第一線路層416a與第二線路層416b電性連接。當然，端視不同的產品需求，在其他未繪示的實施 例中，基板410亦可以未包括導電連接結構414。

請參閱圖4B，接著，形成一第一活化絕緣層420a於基板410的上表面410a，以及形成一第二活化絕緣層420b於基板410的下表面410b，其中第一活化絕緣層420a與第二活化絕緣層420b的形成方法與第一實施例中第一活化絕緣層220a與第二活化絕緣層220b的形成方法相同，故不再重複介紹。此外，在形成第一活化絕緣層420a與第二活化絕緣層420b之後，第一活化絕緣層420a與第二活化絕緣層420b會填滿貫孔T2。

請參閱圖4C，接著，形成至少一第一開孔H3於第一活化絕緣層420a中，以及形成至少一第二開孔H4於第二活化絕緣層420b中。第一開孔H3局部暴露第一線路層416a，而第二開孔H4局部暴露第二線路層416b，其中一些觸媒顆粒222活化並裸露於第一開孔H3與第二開孔H4內。此外，第一開孔H3與第二開孔H4的形成方法可以包括雷射燒蝕、機械鑽孔或其他適當的方法。

本實施例的線路板的製程更可以形成一通孔T3，其中通孔T3位於貫孔T2內。通孔T3是從第一活化絕緣層420a延伸至第二活化絕緣層420b，而通孔T3的延伸方向與貫孔T2的延伸方向相同，其中一些觸媒顆粒222活化並裸露於通孔T3內。另外，通孔T3的形成方法可以與第一開孔H3及第二開孔H4的形成方法相同。

請參閱圖4D，接著，利用化學方法，形成一第一導電膜層432a於第一開孔H3內，以及形成一第二導電膜層 432b於第二開孔H4內，其中該化學方法包括化學氣相沉積、無電電鍍法或其他適當的方法。第一導電膜層432a連接第一線路層416a，而第二導電膜層432b連接第二線路層416b，其中一些位於第一開孔H3內的觸媒顆粒222與第一導電膜層432a連接，而一些位於第二開孔H4內的觸媒顆粒222與第二導電膜層432b連接。

在本實施例中，亦可以利用上述的化學方法，在通孔T3內形成一導電連接結構460，其中一些位於通孔T3內的觸媒顆粒222與導電連接結構460連接。導電連接結構460可以是未填滿通孔T3的空心導電柱(如圖4D所示)，而在其他未繪示的實施例中，導電連接結構460亦可以是填滿通孔T3的實心導電柱。

請參閱圖4E，接著，形成一第一凹刻圖案424a於第一活化絕緣層420a上，以及形成一第二凹刻圖案424b於第二活化絕緣層420b上，其中一些觸媒顆粒222活化並裸露於第一凹刻圖案424a以及第二凹刻圖案424b內。

形成第一凹刻圖案424a與第二凹刻圖案424b的方法與第三實施例中形成第一凹刻圖案324a與第二凹刻圖案324b的方法相同，故在此不再重複介紹。此外，第一凹刻圖案424a的深度可以小於第一活化絕緣層420a的厚度，而第二凹刻圖案424b的深度可以小於第二活化絕緣層420b的厚度。

請參閱圖4F，接著，利用化學方法，形成一第一導電圖案層430a於第一凹刻圖案424a內，以及形成一第二導 電圖案層430b於第二凹刻圖案424b內，其中第一導電圖案層430a包括至少一接墊434a以及多條走線436a，而第二導電圖案層430b包括至少一接墊434b以及多條走線436b。此外，上述的化學方法可以是化學氣相沉積、無電電鍍法或其他適當的方法。

在本實施例中，第一導電圖案層430a能經由第一開孔H3連接第一線路層416a，而第二導電圖案層430b能經由第二開孔H4連接第二線路層416b。此外，在形成第一導電圖案層430a與第二導電圖案層430b之後，導電連接結構460會連接於第一導電圖案層430a與第二導電圖案層430b之間。如此，第一導電圖案層430a與第二導電圖案層430b得以電性連接，而一種包括基板410、第一活化絕緣層420a、第二活化絕緣層420b、第一導電圖案層430a、第二導電圖案層430b以及導電連接結構460的線路板400基本上已製造完成。

值得一提的是，本實施例的線路板的製程更可以包括形成一填充材料450於導電連接結構460內，如圖4F所示。這樣可以使線路板400的表面變的較為平整。

在其他未繪示的實施例中，在形成第一導電圖案層430a以及第二導電圖案層430b之後，更可以在線路板400上形成二防焊層，而這些防焊層分別覆蓋第一導電圖案層430a與第二導電圖案層430b。

請參閱圖4G，在圖4G所示的線路板400’中，上述基板410除了可以是線路基板之外，亦可以是一金屬核心板 410’。舉例而言，金屬核心板410’，其具有多個貫孔T4。圖4G所示的這些貫孔T4，其製造方法與結構皆與前述圖4A至圖4F中的貫孔T2大體相同，故在此不再重複介紹。

【第三實施例】

圖5A至圖5D是本發明第五實施例之線路板的製程的示意圖。請參閱圖5A，首先提供一基板510，而基板510為一線路基板。詳細而言，線路基板(即基板510)包括一介電層512以及一外層線路層514，其中外層線路層514配置於介電層512上。

基板510更可包括至少一內層線路層516。內層線路層516相對於外層線路層514，且介電層512配置於外層線路層514與內層線路層516之間。另外，基板510更可以包括至少一導電連接結構518，其中導電連接結構518可以是實心導電柱，如圖5A所示。當然，在其他未繪示的實施例中，導電連接結構518也可以是空心導電柱。

請參閱圖5B，接著，形成至少一活化絕緣層520於基板510上，其中活化絕緣層520包括多顆觸媒顆粒222。活化絕緣層520會全面性地覆蓋外層線路層514以及介電層512，而形成活化絕緣層520的方法與第一實施例中形成第一活化絕緣層220a與第二活化絕緣層220b的方法相同，因此不再重複贅述。

請參閱圖5C，接著，在活化絕緣層520的表面上形成一凹刻圖案524，其中一些觸媒顆粒222活化並裸露於凹刻圖案524內。詳細而言，可以形成至少一開孔H7與 一與開孔H7相通的凹槽H8於活化絕緣層520上。開孔H7局部暴露出外層線路層514，而凹槽H8與開孔H7相通，且凹槽H8的深度小於活化絕緣層520的厚度，如圖5C所示。

形成開孔H7與凹槽H8的方法可以包括對活化絕緣層520進行雷射燒蝕、電漿蝕刻、機械切割製程或其他適當的製程。此外，在凹刻圖案524形成之後，一些觸媒顆粒222會活化並裸露於凹槽H8內與開孔H7內。

請參閱圖5D，之後，利用化學方法，在凹刻圖案524內形成一導電圖案層530。也就是說，在凹槽H8內與開孔H7內形成導電圖案層530。上述的化學方法可包括無電電鍍法、化學氣相沉積或其他適當的方法。

導電圖案層530連接外層線路層514，而一些位於開孔H7內與凹槽H8內的觸媒顆粒222連接導電圖案層530。此外，位於凹槽H8內的導電圖案層530具有一接地表面G。也就是說，位於凹槽H8內的導電圖案層530具有訊號接地的功能。在形成導電圖案層530之後，基本上一種包括線路基板(即基板510)、活化絕緣層520以及導電圖案層530的線路板500已形成。

由此可知，活化絕緣層520能覆蓋外層線路層514，進而保護外層線路層514。因此，活化絕緣層520的功能與習知技術中的防焊層相似。換句話說，基本上，活化絕緣層520可以作為線路板500的一種防焊層。

此外，在其他未繪示的實施例中，導電圖案層530表 面上更可以形成一抗氧化層(未繪示)，其中抗氧化層可以是鎳金層或其他可以避免導電圖案層530氧化之膜層。

綜上所述，本發明藉由這些裸露及活化於凹刻圖案內觸媒顆粒，導電圖案層能選擇性地沉積在有觸媒顆粒活化並裸露出來的地方。這樣導電圖案層能不透過圖案化製程(例如微影與蝕刻製程)而直接形成。

此外，本發明所使用的活化絕緣層能作為線路板內部任何一層介電層或是作為覆蓋外層線路層的防焊層。也就是說，本發明能應用在製作線路板中的任何一層介電層與防焊層。因此，本發明能增加製造線路板的速率，並縮短線路板的製造時間。此外，本發明甚至更可以減少因微影與蝕刻製程所增加的成本。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧線路板

112‧‧‧絕緣層

120‧‧‧銅金屬層

120’‧‧‧銅線路層

120a‧‧‧表面

122‧‧‧銅墊

124、236a、236b、436a、436b‧‧‧走線

130‧‧‧光阻

140‧‧‧防焊層

200、400、400’、500‧‧‧線路板

210、410、510‧‧‧基板

210a、410a‧‧‧上表面

210b、410b‧‧‧下表面

212、412、512‧‧‧介電層

214、414、460、518‧‧‧導電連接結構

214a、214b‧‧‧端面

220a、420a‧‧‧第一活化絕緣層

220b、420b‧‧‧第二活化絕緣層

222‧‧‧觸媒顆粒

224a、424a‧‧‧第一凹刻圖案

224b、424b‧‧‧第二凹刻圖案

230a、430a‧‧‧第一導電圖案層

230b、430b‧‧‧第二導電圖案層

232a、432a‧‧‧第一導電膜層

232b、432b‧‧‧第二導電膜層

234a、434a、434b‧‧‧接墊

410’‧‧‧金屬核心板

416a‧‧‧第一線路層

416b‧‧‧第二線路層

450‧‧‧填充材料

514‧‧‧外層線路層

516‧‧‧內層線路層

520‧‧‧活化絕緣層

524‧‧‧凹刻圖案

530‧‧‧導電圖案層

H1、H3‧‧‧第一開孔

H2、H4‧‧‧第二開孔

H7‧‧‧開孔

H8‧‧‧凹槽

T1、T2、T4‧‧‧貫孔

T3‧‧‧通孔

G‧‧‧接地表面

圖1A至圖1D是習知之一種線路板的製程的示意圖。

圖2是本發明之線路板的製程的流程圖。

圖3A至圖3C是本發明第一實施例之線路板的製程的示意圖。

圖4A至圖4G是本發明第二實施例之線路板的製程 的示意圖。

圖5A至圖5D是本發明第三實施例之線路板的製程的示意圖。

Claims (40)

1. 一種線路板的製程，包括：形成至少一活化絕緣層於一基板上，其中該活化絕緣層包括多顆觸媒顆粒；在該活化絕緣層的表面上形成一凹刻圖案，其中一些觸媒顆粒活化並裸露於該凹刻圖案內；以及利用一化學方法，在該凹刻圖案內形成一導電圖案層。
2. 如申請專利範圍第1項所述之線路板的製程，其中該些觸媒顆粒為多個奈米.顆粒。
3. 如申請專利範圍第1項所述之線路板的製程，其中該些觸媒顆粒的材質包括過渡金屬錯合物。
4. 如申請專利範圍第3項所述之線路板的製程，其中該些過渡金屬錯合物的材質選自於由錳、鉻、鈀以及鉑所組成的群組。
5. 如申請專利範圍第1項所述之線路板的製程，其中該活化絕緣層的介電常數介於於2.0至5.3之間。
6. 如申請專利範圍第1項所述之線路板的製程，其中形成該凹刻圖案的方法包括對該活化絕緣層進行雷射燒蝕、電漿蝕刻或機械切割製程。
7. 如申請專利範圍第6項所述之線路板的製程，其中該機械切割製程包括水刀切割、噴砂或外型切割。
8. 如申請專利範圍第1項所述之線路板的製程，其中該化學方法包括無電電鍍法或化學氣相沉積。
9. 如申請專利範圍第1項所述之線路板的製程，其中形成該活化絕緣層的方法包括：形成一第一活化絕緣層於該基板的一上表面；以及形成一第二活化絕緣層於該基板的一下表面，其中該上表面相對於該下表面。
10. 如申請專利範圍第9項所述之線路板的製程，其中形成該凹刻圖案的方法包括：形成一第一凹刻圖案於該第一活化絕緣層上；以及形成一第二凹刻圖案於該第二活化絕緣層上。
11. 如申請專利範圍第10項所述之線路板的製程，其中形成該導電圖案層的方法包括：利用該化學方法，形成一第一導電圖案層於該第一凹刻圖案內；以及利用該化學方法，形成一第二導電圖案層於該第二凹刻圖案內。
12. 如申請專利範圍第11項所述之線路板的製程，其中該基板包括一介電層以及至少一導電連接結構，其中該介電層具有至少一貫孔，而該導電連接結構配置於該貫孔中，且該導電連接結構連接於該第一導電圖案層與該第二導電圖案層之間。
13. 如申請專利範圍第12項所述之線路板的製程，其中該導電連接結構是由通孔電鍍或填充一導電流體材料所形成。
14. 如申請專利範圍第13項所述之線路板的製程，其 中該導電流體材料為銅膏、銅膠、碳膠、碳膏、銀膏或銀膠。
15. 如申請專利範圍第12項所述之線路板的製程，其中該導電連接結構為一導電柱。
16. 如申請專利範圍第12項所述之線路板的製程，在形成該第一凹刻圖案與該第二凹刻圖案之前，更包括：形成至少一第一開孔於該第一活化絕緣層中，其中該第一開孔暴露該導電連接結構，且一些觸媒顆粒活化並裸露於該第一開孔內；形成至少一第二開孔於該第二活化絕緣層中，其中該第二開孔暴露該導電連接結構，且一些觸媒顆粒活化並裸露於該第二開孔內；利用該化學方法，形成一第一導電膜層於該第一開孔內，其中該第一導電膜層覆蓋該第一開孔的孔壁與該導電連接結構的一端面；以及利用該化學方法，形成一第二導電膜層於該第二開孔內，其中該第二導電膜層覆蓋該第二開孔的孔壁與該導電連接結構的另一端面。
17. 如申請專利範圍第11項所述之線路板的製程，其中該基板具有至少一貫孔，在形成該第一活化絕緣層與該第二活化絕緣層之後，該第一活化絕緣層與該第二活化絕緣層填滿該貫孔。
18. 如申請專利範圍第17項所述之線路板的製程，更包括： 形成一從該第一活化絕緣層延伸至該第二活化絕緣層的通孔，其中該通孔位於該貫孔內，而一些觸媒顆粒活化並裸露於該通孔內；以及利用該化學方法，在該通孔內形成一導電連接結構，其連接於該第一導電圖案層與該第二導電圖案層之間。
19. 如申請專利範圍第17項所述之線路板的製程，其中該基板為一金屬核心板。
20. 如申請專利範圍第17項所述之線路板的製程，其中該基板為一線路基板，且該線路基板包括一第一線路層與一相對於該第一線路層的第二線路層，而該貫孔從該第一線路層延伸至該第二線路層。
21. 如申請專利範圍第20項所述之線路板的製程，在形成該第一凹刻圖案與該第二凹刻圖案之前，更包括：形成至少一第一開孔於該第一活化絕緣層中，其中該第一開孔局部暴露該第一線路層，且一些觸媒顆粒活化並裸露於該第一開孔內；形成至少一第二開孔於該第二活化絕緣層中，其中該第二開孔局部暴露該第二線路層，且一些觸媒顆粒活化並裸露於該第二開孔內；利用該化學方法，形成一第一導電膜層於該第一開孔內，其中該第一導電膜層連接該第一線路層；以及利用該化學方法，形成一第二導電膜層於該第二開孔內，其中該第二導電膜層連接該第二線路層。
22. 如申請專利範圍第1項所述之線路板的製程，其 中該基板為一線路基板，且該線路基板包括一介電層以及一配置於該介電層上的外層線路層，在形成該活化絕緣層之後，該活化絕緣層覆蓋該外層線路層以及該介電層，而形成該凹刻圖案的方法包括：形成至少一開孔與一與該開孔相通的凹槽於該活化絕緣層上，其中該開孔局部暴露出該外層線路層，而該凹槽的深度小於該活化絕緣層的厚度，一些觸媒顆粒活化並裸露於該凹槽內與該開孔內。
23. 如申請專利範圍第22項所述之線路板的製程，更包括形成該導電圖案層於該凹槽與該通孔中，其中該導電圖案層連接該外層線路層。
24. 如申請專利範圍第23項所述之線路板的製程，其中位於該凹槽內的該導電圖案層具有一接地表面。
25. 一種線路板，包括：一線路基板，包括一介電層以及一配置於該介電層的外層線路層；一活化絕緣層，覆蓋該外層線路層以及該介電層，該活化絕緣層具有至少一凹槽與至少一局部暴露該外層線路層的開孔，其中該凹槽的深度小於該活化絕緣層的厚度，而該開孔與該凹槽相通，該活化絕緣層包括多顆觸媒顆粒；以及一導電圖案層，配置於該開孔與該凹槽內，並連接該外層線路層，其中一些位於該開孔內與該凹槽內的觸媒顆粒連接該導電圖案層。
26. 如申請專利範圍第25項所述之線路板，其中該些觸媒顆粒包括多個奈米顆粒。
27. 如申請專利範圍第25項所述之線路板，其中該些觸媒顆粒的材質包括過渡金屬錯合物。
28. 如申請專利範圍第27項所述之線路板，其中該些過渡金屬錯合物的材質選自於由錳、鉻、鈀以及鉑所組成的群組。
29. 如申請專利範圍第25項所述之線路板，其中位於該凹槽內的該導電圖案層具有一接地表面。
30. 一種線路板，包括：一基板，具有一上表面以及一相對於該上表面的下表面；一第一活化絕緣層，配置於該上表面，並具有一第一凹刻圖案，該第一凹刻圖案具有至少一第一凹槽，且該第一凹槽的深度小於該第一活化絕緣層的厚度；一第二活化絕緣層，配置於該下表面，並具有一第二凹刻圖案，該第二凹刻圖案具有至少一第二凹槽，且該第二凹槽的深度小於該第二活化絕緣層的厚度，其中該第一活化絕緣層與該第二活化絕緣層皆包括多顆觸媒顆粒；以及一第一導電圖案層，配置於該第一凹刻圖案內，其中一些位於該第一凹刻圖案內的觸媒顆粒連接該第一導電圖案層；以及一第二導電圖案層，配置於該第二凹刻圖案內，其中一些位於該第二凹刻圖案內的觸媒顆粒連接該第二導電圖案層。
31. 如申請專利範圍第30項所述之線路板，其中該些 觸媒顆粒包括多個奈米顆粒。
32. 如申請專利範圍第30項所述之線路板，其中該些奈米顆粒的材質包括過渡金屬錯合物。
33. 如申請專利範圍第32項所述之線路板的製程，其中該些過渡金屬錯合物的材質選自於由錳、鉻、鈀以及鉑所組成的群組。
34. 如申請專利範圍第30項所述之線路板，其中該第一活化絕緣層與該第二活化絕緣層的介電常數介於2.0至5.3之間。
35. 如申請專利範圍第30項所述之線路板，其中該基板包括：一介電層，具有至少一貫孔；以及至少一導電連接結構，配置於該貫孔中。
36. 如申請專利範圍第35項所述之線路板，其中該導電連接結構為一導電柱。
37. 如申請專利範圍第36項所述之線路板，其中該第一活化絕緣層更具有至少一第一開孔，而該第二活化絕緣層更具有至少一第二開孔，該第一導電圖案層經由該第一開孔連接該導電連接結構，該第二導電圖案層經由該第二開孔連接該導電連接結構。
38. 如申請專利範圍第30項所述之線路板，其具有至少一通孔，而該基板具有至少一貫孔，而該通孔位於該貫孔中，且該通孔從該第一活化絕緣層延伸至該第二活化絕緣層，該線路板更包括至少一導電連接結構，其配置於該 通孔中，該導電連接結構連接一些位於該通孔內的觸媒顆粒，且該導電連接結構連接於該第一導電圖案層與該第二導電圖案層之間。
39. 如申請專利範圍第38項所述之線路板，其中該基板為一金屬核心板。
40. 如申請專利範圍第38項所述之線路板，其中該基板為一線路基板，其包括一第一線路層以及一相對於該第一線路層的第二線路層，該第一活化絕緣層更具有至少一第一開孔，而該第二活化絕緣層更具有至少一第二開口，該第一導電圖案層經由該第一開孔連接該第一線路層，該第二導電圖案層經由該第二開孔連接該第二線路層，該貫孔從該第一線路層延伸至該第二線路層。