TWI580766B - Metal Chemical Mechanical Polishing Slurry and Its Application - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 136
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims description 57
- 239000002002 slurry Substances 0.000 title claims description 52
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 45
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 45
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 91
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 83
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 81
- -1 pyrimidine compound Chemical class 0.000 claims description 18
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 16
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 16
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 14
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims description 14
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 13
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 12
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 11
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 claims description 9
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 8
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 8
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 5
- YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole-2-thiol Chemical compound C1=CC=C2SC(S)=NC2=C1 YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 1H-pyrrole Natural products C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ICSNLGPSRYBMBD-UHFFFAOYSA-N 2-aminopyridine Chemical compound NC1=CC=CC=N1 ICSNLGPSRYBMBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N Amitrole Chemical group NC1=NC=NN1 KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical group OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N L-valine Chemical compound CC(C)[C@H](N)C(O)=O KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N 0.000 claims description 4
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N Peracetic acid Chemical compound CC(=O)OO KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KZSNJWFQEVHDMF-UHFFFAOYSA-N Valine Natural products CC(C)C(N)C(O)=O KZSNJWFQEVHDMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 4
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N iron(3+);trinitrate Chemical compound [Fe+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-N picolinic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=N1 SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 4
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 239000004474 valine Substances 0.000 claims description 4
- 229940120146 EDTMP Drugs 0.000 claims description 3
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 150000004996 alkyl benzenes Chemical class 0.000 claims description 3
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 claims description 3
- NFDRPXJGHKJRLJ-UHFFFAOYSA-N edtmp Chemical compound OP(O)(=O)CN(CP(O)(O)=O)CCN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O NFDRPXJGHKJRLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 3
- BAERPNBPLZWCES-UHFFFAOYSA-N (2-hydroxy-1-phosphonoethyl)phosphonic acid Chemical compound OCC(P(O)(O)=O)P(O)(O)=O BAERPNBPLZWCES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N (2S)-2-Amino-3-hydroxypropansäure Chemical compound OC[C@H](N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 2
- VKZRWSNIWNFCIQ-WDSKDSINSA-N (2s)-2-[2-[[(1s)-1,2-dicarboxyethyl]amino]ethylamino]butanedioic acid Chemical compound OC(=O)C[C@@H](C(O)=O)NCCN[C@H](C(O)=O)CC(O)=O VKZRWSNIWNFCIQ-WDSKDSINSA-N 0.000 claims description 2
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 2
- FMCUPJKTGNBGEC-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-triazol-4-amine Chemical compound NN1C=NN=C1 FMCUPJKTGNBGEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YHMYGUUIMTVXNW-UHFFFAOYSA-N 1,3-dihydrobenzimidazole-2-thione Chemical compound C1=CC=C2NC(S)=NC2=C1 YHMYGUUIMTVXNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ASOKPJOREAFHNY-UHFFFAOYSA-N 1-Hydroxybenzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N(O)N=NC2=C1 ASOKPJOREAFHNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KJUGUADJHNHALS-UHFFFAOYSA-N 1H-tetrazole Substances C=1N=NNN=1 KJUGUADJHNHALS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WXHLLJAMBQLULT-UHFFFAOYSA-N 2-[[6-[4-(2-hydroxyethyl)piperazin-1-yl]-2-methylpyrimidin-4-yl]amino]-n-(2-methyl-6-sulfanylphenyl)-1,3-thiazole-5-carboxamide;hydrate Chemical compound O.C=1C(N2CCN(CCO)CC2)=NC(C)=NC=1NC(S1)=NC=C1C(=O)NC1=C(C)C=CC=C1S WXHLLJAMBQLULT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940054266 2-mercaptobenzothiazole Drugs 0.000 claims description 2
- GUOVBFFLXKJFEE-UHFFFAOYSA-N 2h-benzotriazole-5-carboxylic acid Chemical compound C1=C(C(=O)O)C=CC2=NNN=C21 GUOVBFFLXKJFEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 2h-tetrazol-5-amine Chemical compound NC1=NN=NN1 ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MVRGLMCHDCMPKD-UHFFFAOYSA-N 3-amino-1h-1,2,4-triazole-5-carboxylic acid Chemical compound NC1=NNC(C(O)=O)=N1 MVRGLMCHDCMPKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JLAMDELLBBZOOX-UHFFFAOYSA-N 3h-1,3,4-thiadiazole-2-thione Chemical compound SC1=NN=CS1 JLAMDELLBBZOOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,4-triazole Chemical compound C=1N=CNN=1 NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LRUDIIUSNGCQKF-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-1H-benzotriazole Chemical compound C1=C(C)C=CC2=NNN=C21 LRUDIIUSNGCQKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XZGLNCKSNVGDNX-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2h-tetrazole Chemical compound CC=1N=NNN=1 XZGLNCKSNVGDNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004475 Arginine Substances 0.000 claims description 2
- 108010011485 Aspartame Proteins 0.000 claims description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 claims description 2
- WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N Glutamic acid Natural products OC(=O)C(N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 claims description 2
- QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N L-alanine Chemical compound C[C@H](N)C(O)=O QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 2
- ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P L-argininium(2+) Chemical compound NC(=[NH2+])NCCC[C@H]([NH3+])C(O)=O ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P 0.000 claims description 2
- CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N L-aspartic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 2
- WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N L-glutamic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N 0.000 claims description 2
- ZDXPYRJPNDTMRX-VKHMYHEASA-N L-glutamine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(N)=O ZDXPYRJPNDTMRX-VKHMYHEASA-N 0.000 claims description 2
- HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N L-histidine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N 0.000 claims description 2
- ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N L-leucine Chemical compound CC(C)C[C@H](N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N 0.000 claims description 2
- KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N L-lysine Chemical compound NCCCC[C@H](N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N 0.000 claims description 2
- COLNVLDHVKWLRT-QMMMGPOBSA-N L-phenylalanine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC=CC=C1 COLNVLDHVKWLRT-QMMMGPOBSA-N 0.000 claims description 2
- AYFVYJQAPQTCCC-GBXIJSLDSA-N L-threonine Chemical compound C[C@@H](O)[C@H](N)C(O)=O AYFVYJQAPQTCCC-GBXIJSLDSA-N 0.000 claims description 2
- QIVBCDIJIAJPQS-VIFPVBQESA-N L-tryptophane Chemical compound C1=CC=C2C(C[C@H](N)C(O)=O)=CNC2=C1 QIVBCDIJIAJPQS-VIFPVBQESA-N 0.000 claims description 2
- OUYCCCASQSFEME-QMMMGPOBSA-N L-tyrosine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC=C(O)C=C1 OUYCCCASQSFEME-QMMMGPOBSA-N 0.000 claims description 2
- ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N Leucine Natural products CC(C)CC(N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N Lysine Natural products NCCCCC(N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004472 Lysine Substances 0.000 claims description 2
- QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N N,N-bis{2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl}glycine Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(=O)O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SCKXCAADGDQQCS-UHFFFAOYSA-N Performic acid Chemical compound OOC=O SCKXCAADGDQQCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N Serine Natural products OCC(N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- AYFVYJQAPQTCCC-UHFFFAOYSA-N Threonine Natural products CC(O)C(N)C(O)=O AYFVYJQAPQTCCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004473 Threonine Substances 0.000 claims description 2
- QIVBCDIJIAJPQS-UHFFFAOYSA-N Tryptophan Natural products C1=CC=C2C(CC(N)C(O)=O)=CNC2=C1 QIVBCDIJIAJPQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RUSUZAGBORAKPY-UHFFFAOYSA-N acetic acid;n'-[2-(2-aminoethylamino)ethyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O.NCCNCCNCCN RUSUZAGBORAKPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000004279 alanine Nutrition 0.000 claims description 2
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 claims description 2
- ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N arginine Natural products OC(=O)C(N)CCCNC(N)=N ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- IAOZJIPTCAWIRG-QWRGUYRKSA-N aspartame Chemical compound OC(=O)C[C@H](N)C(=O)N[C@H](C(=O)OC)CC1=CC=CC=C1 IAOZJIPTCAWIRG-QWRGUYRKSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000605 aspartame Substances 0.000 claims description 2
- 229960003438 aspartame Drugs 0.000 claims description 2
- 235000010357 aspartame Nutrition 0.000 claims description 2
- 235000003704 aspartic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 claims description 2
- OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N beta-carboxyaspartic acid Natural products OC(=O)C(N)C(C(O)=O)C(O)=O OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LOGBRYZYTBQBTB-UHFFFAOYSA-N butane-1,2,4-tricarboxylic acid Chemical compound OC(=O)CCC(C(O)=O)CC(O)=O LOGBRYZYTBQBTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 claims description 2
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000004220 glutamic acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000013922 glutamic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- ZDXPYRJPNDTMRX-UHFFFAOYSA-N glutamine Natural products OC(=O)C(N)CCC(N)=O ZDXPYRJPNDTMRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000003976 glyceryl group Chemical group [H]C([*])([H])C(O[H])([H])C(O[H])([H])[H] 0.000 claims description 2
- PKWIYNIDEDLDCJ-UHFFFAOYSA-N guanazole Chemical compound NC1=NNC(N)=N1 PKWIYNIDEDLDCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N histidine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PEYVWSJAZONVQK-UHFFFAOYSA-N hydroperoxy(oxo)borane Chemical compound OOB=O PEYVWSJAZONVQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- UKODFQOELJFMII-UHFFFAOYSA-N pentamethyldiethylenetriamine Chemical compound CN(C)CCN(C)CCN(C)C UKODFQOELJFMII-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229960003330 pentetic acid Drugs 0.000 claims description 2
- KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N periodic acid Chemical compound OI(=O)(=O)=O KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L peroxydisulfate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- COLNVLDHVKWLRT-UHFFFAOYSA-N phenylalanine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CC=CC=C1 COLNVLDHVKWLRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 2
- XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M potassium benzoate Chemical group [K+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 claims description 2
- ZZYXNRREDYWPLN-UHFFFAOYSA-N pyridine-2,3-diamine Chemical compound NC1=CC=CN=C1N ZZYXNRREDYWPLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LJXQPZWIHJMPQQ-UHFFFAOYSA-N pyrimidin-2-amine Chemical group NC1=NC=CC=N1 LJXQPZWIHJMPQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MWNQXXOSWHCCOZ-UHFFFAOYSA-L sodium;oxido carbonate Chemical compound [Na+].[O-]OC([O-])=O MWNQXXOSWHCCOZ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 claims description 2
- FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N tetraethylenepentamine Chemical compound NCCNCCNCCNCCN FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OUYCCCASQSFEME-UHFFFAOYSA-N tyrosine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CC=C(O)C=C1 OUYCCCASQSFEME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- AQLJVWUFPCUVLO-UHFFFAOYSA-N urea hydrogen peroxide Chemical compound OO.NC(N)=O AQLJVWUFPCUVLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 claims 3
- GGZHVNZHFYCSEV-UHFFFAOYSA-N 1-Phenyl-5-mercaptotetrazole Chemical compound SC1=NN=NN1C1=CC=CC=C1 GGZHVNZHFYCSEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OQXPLXQHKFSMJC-UHFFFAOYSA-N 5-(9H-fluoren-1-yl)-1H-1,2,4-triazol-3-amine Chemical compound NC1=NNC(=N1)C1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC1=2 OQXPLXQHKFSMJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QATGJDREJOIALR-UHFFFAOYSA-N C1=CC=C2C(C=CC2=C1)C3=NN=C(S3)N Chemical compound C1=CC=C2C(C=CC2=C1)C3=NN=C(S3)N QATGJDREJOIALR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- TTZMPOZCBFTTPR-UHFFFAOYSA-N O=P1OCO1 Chemical compound O=P1OCO1 TTZMPOZCBFTTPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- YDONNITUKPKTIG-UHFFFAOYSA-N [Nitrilotris(methylene)]trisphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)CN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O YDONNITUKPKTIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- LDQPESOFJFZFEV-UHFFFAOYSA-N acetic acid cyclohexanamine Chemical compound C(C)(=O)O.C(C)(=O)O.C(C)(=O)O.C(C)(=O)O.NC1CCCCC1 LDQPESOFJFZFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 claims 1
- 125000003916 ethylene diamine group Chemical group 0.000 claims 1
- MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N nitrilotriacetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CC(O)=O MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 26
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 22
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 6
- 229940051841 polyoxyethylene ether Drugs 0.000 description 6
- 229920000056 polyoxyethylene ether Polymers 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 5
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N Dodecane Natural products CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 2
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 2
- 239000007853 buffer solution Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- PAFZNILMFXTMIY-UHFFFAOYSA-N cyclohexylamine Chemical compound NC1CCCCC1 PAFZNILMFXTMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 150000002923 oximes Chemical class 0.000 description 2
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- WCRKLZYTQVZTMM-UHFFFAOYSA-N 2-octadecylphenol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1O WCRKLZYTQVZTMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZWDAEVXPZRJTQ-WUXMJOGZSA-N 4-[(e)-(4-fluorophenyl)methylideneamino]-3-methyl-1h-1,2,4-triazole-5-thione Chemical compound CC1=NNC(=S)N1\N=C\C1=CC=C(F)C=C1 MZWDAEVXPZRJTQ-WUXMJOGZSA-N 0.000 description 1
- GGZHVNZHFYCSEV-UHFFFAOYSA-O 4-phenyl-1h-tetrazol-1-ium-5-thione Chemical compound S=C1[NH+]=NNN1C1=CC=CC=C1 GGZHVNZHFYCSEV-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- WZUUZPAYWFIBDF-UHFFFAOYSA-N 5-amino-1,2-dihydro-1,2,4-triazole-3-thione Chemical compound NC1=NNC(S)=N1 WZUUZPAYWFIBDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDGIVSREGUOIJZ-UHFFFAOYSA-N 5-amino-3h-1,3,4-thiadiazole-2-thione Chemical compound NC1=NN=C(S)S1 GDGIVSREGUOIJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDDLHHRCDSJVKV-UHFFFAOYSA-N 7028-40-2 Chemical compound CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O BDDLHHRCDSJVKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940122361 Bisphosphonate Drugs 0.000 description 1
- CGKQZIULZRXRRJ-UHFFFAOYSA-N Butylone Chemical compound CCC(NC)C(=O)C1=CC=C2OCOC2=C1 CGKQZIULZRXRRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- IGFHQQFPSIBGKE-UHFFFAOYSA-N Nonylphenol Natural products CCCCCCCCCC1=CC=C(O)C=C1 IGFHQQFPSIBGKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical group [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBWZBVILWFLXTF-UHFFFAOYSA-M [O-2].O[Er+2] Chemical compound [O-2].O[Er+2] VBWZBVILWFLXTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- MNZHBXZOPHQGMD-UHFFFAOYSA-N acetic acid;azane Chemical compound N.CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O MNZHBXZOPHQGMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000844 anti-bacterial effect Effects 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000003899 bactericide agent Substances 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 1
- 239000012468 concentrated sample Substances 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- VIJMMQUAJQEELS-UHFFFAOYSA-N n,n-bis(ethenyl)ethenamine Chemical compound C=CN(C=C)C=C VIJMMQUAJQEELS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009972 noncorrosive effect Effects 0.000 description 1
- SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N nonylphenol Chemical compound CCCCCCCCCC1=CC=CC=C1O SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 229960003975 potassium Drugs 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 239000001508 potassium citrate Substances 0.000 description 1
- 229960002635 potassium citrate Drugs 0.000 description 1
- QEEAPRPFLLJWCF-UHFFFAOYSA-K potassium citrate (anhydrous) Chemical compound [K+].[K+].[K+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O QEEAPRPFLLJWCF-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 235000011082 potassium citrates Nutrition 0.000 description 1
- MCXBMLBTPQEQJP-UHFFFAOYSA-N potassium;sodium;dinitrate Chemical compound [Na+].[K+].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MCXBMLBTPQEQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- YWYZEGXAUVWDED-UHFFFAOYSA-N triammonium citrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O YWYZEGXAUVWDED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K tripotassium phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])([O-])=O LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000004034 viscosity adjusting agent Substances 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
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Description
本發明涉及一種化學機械拋光漿料及其應用，尤其涉及一種用於銅的化學機械拋光漿料及其應用。
隨著半導體技術的發展，電子部件的微小化，一個積體電路中包含了數以百萬計的電晶體。在運行過程中，在整合了如此龐大數量的能迅速開關的電晶體，傳統的鋁或是鋁合金互連線，使得信號傳遞速度降低，而且電流傳遞過程中需要消耗大量能源，在一定意義上，也阻礙了半導體技術的發展。為了進一步發展，人們開始尋找採用擁有更高電學性質的材料取代鋁的使用。眾所周知，銅的電阻小，擁有良好的導電性，這加快了電路中電晶體間信號的傳遞速度，還可提供更小的寄生電容能力，較小電路對於電遷移的敏感性。這些電學優點都使得銅在半導體技術發展中擁有良好的發展前景。
但在銅的積體電路製造過程中發現，銅會遷移或擴散進入到積體電路的電晶體區域，從而對於半導體的電晶體的性能產生不利影響，因而銅的互連線只能以鑲嵌工藝製造，即：在第一層裡形成溝槽，在溝槽內填充銅阻擋層和銅，形成金屬導線並覆蓋在介電層上。然後通過化學機械拋光將介電層上多餘的銅/銅阻擋層除去，在溝槽裡留下單個互連線。銅的化學機械拋光過程一般分為3個步驟，第1步是先用較高的下壓力，以快且高效的去除速率除去襯底表面上大量的銅並留下一定厚度的銅，第2步用較低
去除速率去除剩餘的金屬銅並停在阻擋層，第3步再用阻擋層拋光液去除阻擋層及部分介電層和金屬銅，實現平坦化。
銅拋光一方面要儘快去除阻擋層上多餘的銅，另一方面要儘量減小拋光後銅線的碟形凹陷。在銅拋光前，金屬層在銅線上方有部分凹陷。拋光時，介質材料上的銅在主體壓力下(較高)易於被去除，而凹陷處的銅所受的拋光壓力比主體壓力低，銅去除速率小。隨著拋光的進行，銅的高度差會逐漸減小，達到平坦化。但是在拋光過程中，如果銅拋光液的化學作用太強，靜態腐蝕速率太高，則銅的鈍化膜即使在較低壓力下(如銅線凹陷處)也易於被去除，導致平坦化效率降低，拋光後的碟形凹陷增大。
隨著積體電路的發展，一方面，在傳統的IC行業中，為了提高集成度，降低能耗，縮短延遲時間，線寬越來越窄，介電層使用機械強度較低的低介電(low-k)材料，佈線的層數也越來越多，為了保證積體電路的性能和穩定性，對銅化學機械拋光的要求也越來越高。要求在保證銅的去除速率的情況下降低拋光壓力，提高銅線表面的平坦化，控制表面缺陷。另一方面，由於物理局限性，線寬不能無限縮小，半導體行業不再單純地依賴在單一晶片上集成更多的器件來提高性能，而轉向於多晶片封裝。矽通孔(TSV)技術作為一種通過在晶片和晶片之間、晶圓與晶圓之間製作垂直導通，實現晶片之間互連的最新技術而得到工業界的廣泛認可。TSV能夠使晶片在三維方向堆疊的密度最大，外形尺寸最小，大大改善晶片速度和低功耗的性能。目前的TSV工藝是結合傳統的IC工藝形成貫穿矽基底的銅穿孔，即在TSV開口中填充銅實現導通，填充後多餘的銅也需要利用化學機械拋光去除達到平坦化。與傳統IC工業不同，由於矽通孔很深，填充後表
面多餘的銅通常有幾到幾十微米厚。為了快速去除這些多餘的銅。通常需要具有很高的銅去除速率，同時拋光後的表面平整度好。為了使銅在半導體技術中更好的應用，人們不斷嘗試新的拋光液的改進。
中國專利CN1256765C提供了一種含有檸檬酸、檸檬酸鉀組成的螯合有機酸緩衝體系的拋光液。CN1195896C採用含有氧化劑、羧酸鹽如檸檬酸銨、磨料漿液、一種任選的三唑或三唑衍生物的拋光液。CN1459480A提供了一種銅的化學機械拋光液，其包含了成膜劑和成膜助劑：成膜劑由強鹼和醋酸混合組成的緩衝溶液構成，成膜助劑為硝酸鉀(鈉)鹽。美國專利US552742提供了一種金屬化學機械拋光漿料，包括一種含有芳綸矽氧、烷聚矽氧烷、聚氧化烯醚及其共聚物的表面活性劑。US6821897B2提供了一種採用含有聚合物絡合劑的拋光劑的銅化學機械拋光方法，其採用含負電荷的聚合物，其中包括硫磺酸及其鹽、硫酸鹽、磷酸、磷酸鹽、磷酸酯等。
而US5527423金屬化學機械拋光漿料，包括一種表面活性劑：芳綸矽氧烷、聚矽氧烷、聚氧化烯醚及其共聚物。
上述專利中的技術，都力求在銅的拋光過程中，減少銅層局部的點蝕和腐蝕、控制靜態蝕刻速率，從而可以更好地清除銅層，提高銅的拋光速率、並獲得良好的銅互連平面性。上述專利在一定程度上克服了上述銅在拋光過程中所遇到的問題，但效果並不明顯，使用後在銅表面存有缺陷，平整度低，而且在拋光後銅線出現碟形凹陷大和過拋窗口窄；或者拋光速率不夠高，不能應用於對去除速率要求較高的工藝。
本發明提供了一種金屬化學機械拋光漿料，所述拋光漿料中加入了以磷酸酯為主要成分的表面活性劑，從而減低銅的靜態腐蝕，在保持較高的銅的拋光速率的同時，改善銅的拋光表面的平整性，加強拋光效果。
本發明金屬化學機械拋光漿料通過以下技術方案實現其目的：
一種金屬化學機械拋光漿料，包括研磨顆粒、絡合劑、腐蝕抑制劑、氧化劑，其中，還至少含有一種磷酸酯類表面活性劑；所述的磷酸酯類表面活性劑含有至少一種以下結構：
其中X=RO,RO-(CH2CH2O)n,RCOO-(CH2CH2O)n；R為C8~C22的烷基或烷基苯、甘油基(C3H5O3-)等；n=2~30,M=H,K,NH4，(CH2CH2O)1~3NH3~1及/或Na。
其中當R為C8~C22的烷基時，表面活性劑為聚氧乙烯醚磷酸酯或其鹽，如十二烷基聚氧乙烯醚磷酸酯、十二烷基聚氧乙烯醚磷酸酯鉀鹽、十八烷基聚氧乙烯醚磷酸酯、十八烷基聚氧乙烯醚磷酸酯鉀鹽等等。當R為烷基苯時，表面活性劑則為烷基酚聚氧乙烯烷基醚磷酸酯或其鹽，包括：壬基酚聚氧乙烯醚磷酸酯、十八烷基酚聚氧乙烯烷基醚磷酸酯鈉鹽等。實驗證明，在由上述表面活性劑以及研磨顆粒、絡合劑、腐蝕抑制劑、氧化劑等成份組成的化學拋光漿料可有效控制銅的靜態腐蝕速率，緩解銅的局部腐蝕，在保持較高的銅的去除速率的同時，改善拋光後銅線的碟形凹陷和過拋窗口，獲得更為平整的銅的拋光表面。
上述的金屬化學機械拋光漿料，其中，所述的磷酸酯類表面活性劑的
含量為重量百分比0.0005~1%，較佳為重量百分比0.001~0.5%。
上述的金屬化學機械拋光漿料，其中，所述的研磨顆粒為二氧化矽、氧化鋁、摻雜鋁或覆蓋鋁的二氧化矽、二氧化鈰、二氧化鈦和高分子研磨顆粒中的一種或多種。
上述的金屬化學機械拋光漿料，其中，所述的研磨顆粒的粒徑為20~200nm。
上述的金屬化學機械拋光漿料，其中，所述的研磨顆粒的含量為重量百分比為0.1~20%，較佳為重量百分比0.1~10%。
上述的金屬化學機械拋光漿料，其中，所述的絡合劑為氨羧化合物及其鹽、有機羧酸及其鹽、有機膦酸及其鹽和有機胺中的一種或多種。
上述的金屬化學機械拋光漿料，其中，所述的氨羧化合物選自甘氨酸、丙氨酸、纈氨酸、亮氨酸、脯氨酸、苯丙氨酸、酪氨酸、色氨酸、賴氨酸、精氨酸、組氨酸、絲氨酸、天冬氨酸、蘇氨酸、谷氨酸、天冬醯胺、穀氨醯胺、氨三乙酸、乙二胺四乙酸、環己胺四乙酸、乙二胺二琥珀酸、二乙烯三胺五乙酸和三乙烯四胺六乙酸中的一種或多種；所述的有機羧酸為醋酸、草酸、檸檬酸、酒石酸、丙二酸、丁二酸、蘋果酸、乳酸、沒食子酸和磺基水楊酸中的一種或多種；所述的有機膦酸為2-膦酸丁烷-1，2，4-三羧酸、氨基三甲叉膦酸、羥基乙叉二膦酸、乙二胺四甲叉膦酸、二乙烯三胺五甲叉膦酸、2-羥基膦酸基乙酸、乙二胺四甲叉膦酸和多氨基多醚基甲叉膦酸中的一種或多種；所述的有機胺為乙二胺、二乙烯三胺、五甲基二乙烯三胺、多乙烯多胺、三乙烯四胺、四乙烯五胺；所述的鹽為鉀鹽、鈉鹽及/或銨鹽。
上述的金屬化學機械拋光漿料，其中，所述的絡合劑的含量為重量百分比0.05~10%。較佳為重量百分比0.1~5%。
上述的金屬化學機械拋光漿料，其中，所述的氧化劑為過氧化氫、過氧化脲、過氧甲酸、過氧乙酸、過硫酸鹽、過碳酸鹽、高碘酸、高氯酸、高硼酸、高錳酸鉀和硝酸鐵中的一種或多種。
上述的金屬化學機械拋光漿料，其中，所述的氧化劑的含量為重量百分比0.05~10%。
上述的金屬化學機械拋光漿料，其中，所述的腐蝕抑制劑為氮唑、咪唑、噻唑、吡啶和嘧啶類化合物中的一種或多種。
上述的金屬化學機械拋光漿料，其中，氮唑類化合物包括：苯並三氮唑、5-甲基-1，2，3-苯並三氮唑、5-羧基苯並三氮唑、1-羥基-苯並三氮唑、1，2，4-三氮唑、3-氨基-1，2，4-三氮唑、4-氨基-1，2，4-三氮唑、3，5-二氨基-1，2，4-三氮唑、5-羧基-3-氨基-1，2，4-三氮唑、3-氨基-5-巰基-1，2，4-三氮唑、5-乙酸-1H-四氮唑、5-甲基四氮唑、5-氨基-1H-四氮唑和1-苯基-5-巰基-四氮唑。所述的咪唑類化合物包括苯並咪唑和2-巰基苯並咪唑。所述的噻唑類化合物包括2-巰基-苯並噻唑、2-巰基噻二唑和5-氨基-2-巰基-1，3，4-噻二唑；所述的吡啶包括2，3-二氨基吡啶、2-氨基吡啶和2-吡啶甲酸。所述的嘧啶為2-氨基嘧啶。
上述的金屬化學機械拋光漿料，其中，所述的腐蝕抑制劑的含量為重量百分比0.001~2%，較佳為重量百分比0.005~1%。
上述的金屬化學機械拋光漿料，其中，pH為3~11，較佳為3~9。
上述的金屬化學機械拋光漿料，其中，還包括pH調節劑，粘度調節劑，消泡劑，殺菌劑等本領域常規的添加劑。
上述的金屬化學機械拋光漿料可製備濃縮樣品，使用前用去離子水稀釋到本發明的濃度範圍即可。
本發明的拋光漿料在含有銅的基材的化學機械拋光中的應用。採用本發明金屬化學機械拋光漿料其優點在於：
1.本發明的金屬化學機械拋光漿料具有較高的銅去除速率，同時可以有效控制銅的靜態腐蝕，拋光後的銅表面無腐蝕。
2.本發明的金屬化學機械拋光漿料增強了銅的拋光效果，改善拋光後銅線的碟形凹陷和過拋窗口。
下面通過具體實施方式來進一步闡述本發明。
表1給出了本發明的化學機械拋光液的實施例1~47，按表中所給配方，將所有組分混合均勻，用水補足質量百分比至100%。用KOH或HNO3調節到所需要的pH值。
表2給出了本發明的化學機械拋光液的實施例48~67及對比實施例1~5，按表中所給配方，將所有組分混合均勻，用水補足質量百分比至100%。用KOH或HNO3調節到所需要的pH值。
採用對比拋光液1~3和本發明的拋光液48~63，對空片銅(Cu)晶片和有圖形的銅晶片進行拋光。所得的銅的拋光速率見表3，圖形晶片的拋光條件及銅塊的碟型凹陷值見表4。
空片銅晶片拋光條件：下壓力1~3psi；拋光盤及拋光頭轉速93/87rpm，拋光墊IC1010，拋光墊修正輪為3M A165，拋光液流速150ml/min，拋光機台為8”Mirra。
有圖案的銅晶片拋光工藝條件：拋光盤及拋光頭轉速93/87rpm，拋光墊IC1010，拋光墊修正輪為3M A165，拋光液流速150ml/min，拋光機台為8”Mirra。在拋光盤1上用相應的下壓力拋光有圖案的銅晶片至殘留銅約3000埃，然後再在拋光盤2上用相應的下壓力將殘留的銅清除並過拋20秒。用XE-300P原子力顯微鏡測量有圖案的銅晶片上80um*80um的銅塊的碟型凹陷值。
將拋光後的圖形晶片在拋光液中浸泡30分鐘，用掃描電子顯微鏡觀察
浸泡前後銅線表面狀況，見圖1和2。
從表格3可得知：與對比拋光液相比，本發明的金屬化學機械拋光漿料可以有效的降低銅在低下壓力下的去除速率，而對較高的下壓力下的去
除速率影響不大。這種特性可以使得拋光液在保持較高的去除速率下仍能獲得更為平整的拋光表面，大大提高了生產效率，叉降低了拋光後的銅塊的碟形凹陷值，獲得更為平整的拋光表面。在與對比拋光液2的去除速率接近的條件下，也能獲得更低的碟形凹陷值。(見表4)
用實施例55拋光後以及拋光後在拋光液中浸泡30分鐘的圖形晶片的SEM圖見附圖1~2，由圖中可見，用該拋光液拋光後的晶片表面無腐蝕，無缺陷。在拋光液中浸泡30分鐘，銅線仍然無明顯腐蝕和缺陷，說明本發明的拋光液有很強的控制腐蝕的能力。
採用對比拋光液5和本發明的拋光液64~67，對空片銅(Cu)晶片，空片二氧化矽晶片和有圖形的銅晶片進行拋光。所得的拋光速率及銅塊的碟型凹陷值見表5。
空片拋光條件：下壓力1~3psi；拋光盤及拋光頭轉速93/87rpm，拋光墊IC1010，拋光墊修正輪為3M A165，拋光液流速150ml/min，拋光機台為8”Mirra。
有圖案的銅晶片拋光工藝條件：拋光盤及拋光頭轉速93/87rpm，拋光墊IC1010，拋光墊修正輪為3M A165，拋光液流速150ml/min，拋光機台為8”Mirra。在拋光盤1上用3psi的下壓力拋光有圖案的銅晶片至殘留銅約5000A，然後再在拋光盤2上用2psi的下壓力將殘留的銅去除。用XE-300P原子力顯微鏡測量有圖案的銅晶片上10um/10um(銅線/二氧化矽)的銅線處的碟型凹陷值。
表5拋光液的空片去除速率以及有圖案的銅晶片的拋光條件和拋光後的碟形凹陷值
從表格5可得知：與對比拋光液5相比，本發明的金屬化學機械拋光漿料64~66可以在保持很高的去除速率下仍能獲得更為平整的拋光表面，由實施例67可見，該拋光液在保持較高的銅去除速率的同時，也可以提供較高的二氧化矽的去除速率。該拋光液可以滿足不同的應用需求。
圖1為採用本發明的拋光漿料拋光後的銅晶片表面掃描電子顯微鏡照片；圖2為採用本發明的拋光漿料拋光並浸泡後的銅晶片表面掃描電子顯微鏡照片。
Claims (18)
- 一種金屬化學機械拋光漿料，由研磨顆粒、絡合劑、腐蝕抑制劑、氧化劑，及至少一種磷酸酯類表面活性劑组成，其特徵在於，所述的腐蝕抑制劑為氮唑、咪唑、噻唑、吡啶和嘧啶類化合物中的一種或多種。
- 如請求項1所述的金屬化學機械拋光漿料，其特徵在於，所述的磷酸酯類表面活性劑至少含有一種如下結構式： (1)及/或(2)，其中：X=RO, RO-(CH2CH2O)n,RCOO-(CH2CH2O)n；R為C8~C22的烷基或烷基苯、甘油基(C3H5O3-)，n=2~30,M=H,K,NH4，(CH2CH2O)1~3NH3~1及/或Na。
- 如請求項1所述的金屬化學機械拋光漿料，其特徵在於，所述的磷酸酯類表面活性劑的含量為重量百分比0.0005~1%。
- 如請求項3所述的金屬化學機械拋光漿料，其特徵在於，所述磷酸酯類表面活性劑的含量為重量百分比0.001~0.5%。
- 如請求項1所述的金屬化學機械拋光漿料，其特徵在於，所述的研磨顆粒為二氧化矽、氧化鋁、摻雜鋁或覆蓋鋁的二氧化矽、二氧化鈰、二氧化鈦和高分子研磨顆粒中的一種或多種。
- 如請求項1所述的金屬化學機械拋光漿料，其特徵在於，所述的研磨顆粒的粒徑為20~200nm。
- 如請求項1所述的金屬化學機械拋光漿料，其特徵在於，所述的研磨顆粒的含量為重量百分比0.1~20%。
- 如請求項7所述的金屬化學機械拋光漿料，其特徵在於，所述的研 磨顆粒的含量為重量百分比0.1~10%。
- 如請求項1所述的金屬化學機械拋光漿料，其特徵在於，所述的絡合劑為氨羧化合物及其鹽、有機羧酸及其鹽、有機膦酸及其鹽和有機胺中的一種或多種。
- 如請求項9所述的金屬化學拋光漿液，其特徵在於，所述的氨羧化合物選自甘氨酸、丙氨酸、纈氨酸、亮氨酸、脯氨酸、苯丙氨酸、酪氨酸、色氨酸、賴氨酸、精氨酸、組氨酸、絲氨酸、天冬氨酸、蘇氨酸、谷氨酸、天冬醯胺、穀氨醯胺、氨三乙酸、乙二胺四乙酸、環己胺四乙酸、乙二胺二琥珀酸、二乙烯三胺五乙酸和三乙烯四胺六乙酸中的一種或多種；所述的有機羧酸為醋酸、草酸、檸檬酸、酒石酸、丙二酸、丁二酸、蘋果酸、乳酸、沒食子酸和磺基水楊酸中的一種或多種；所述的有機膦酸為2-膦酸丁烷-1，2，4-三羧酸、氨基三甲叉膦酸、羥基乙叉二膦酸、乙二胺四甲叉膦酸、二乙烯三胺五甲叉膦酸、2-羥基膦酸基乙酸、乙二胺四甲叉膦酸和多氨基多醚基甲叉膦酸中的一種或多種；所述的有機胺為乙二胺、二乙烯三胺、五甲基二乙烯三胺、多乙烯多胺、三乙烯四胺、四乙烯五胺；所述的鹽為鉀鹽、鈉鹽及/或銨鹽。
- 如請求項1所述的金屬化學機械拋光漿料，其特徵在於，所述的絡合劑的含量為重量百分比0.05~10%。
- 如請求項11所述的金屬化學機械拋光漿料，其特徵在於，所述的絡合劑的含量較佳為重量百分比0.1~5%。
- 如請求項1所述的金屬化學機械拋光漿料，其特徵在於，所述的氧化劑為過氧化氫、過氧化脲、過氧甲酸、過氧乙酸、過硫酸鹽、過碳酸鹽、 高碘酸、高氯酸、高硼酸、高錳酸鉀和硝酸鐵中的一種或多種。
- 如請求項1所述的金屬化學機械拋光漿料，其特徵在於，所述的氧化劑的含量為重量百分比0.05~10%。
- 如請求項1所述的金屬化學機械拋光漿料，其特徵在於，所述的氮唑類化合物選自苯並三氮唑、5-甲基-1，2，3-苯並三氮唑、5-羧基苯並三氮唑、1-羥基-苯並三氮唑、1，2，4-三氮唑、3-氨基-1，2，4-三氮唑、4-氨基-1，2，4-三氮唑、3，5-二氨基-1，2，4-三氮唑、5-羧基-3-氨基-1，2，4-三氮唑、3-氨基-5-巰基-1，2，4-三氮唑、5-乙酸-1H-四氮唑、5-甲基四氮唑、5-氨基-1H-四氮唑和1-苯基-5-巰基-四氮唑；所述的的咪唑類化合物包括苯並咪唑和2-巰基苯並咪唑；所述的噻唑類化合物包括2-巰基-苯並噻唑、2-巰基噻二唑和5-氨基-2-巰基-1，3，4-噻二唑；所述的吡啶選自下列中的一種或多種：2，3-二氨基吡啶、2-氨基吡啶和2-吡啶甲酸；所述的嘧啶為2-氨基嘧啶。
- 如請求項1所述的金屬化學機械拋光漿料，其特徵在於，所述的腐蝕抑制劑的含量為重量百分比0.001~2%。
- 如請求項16所述的金屬化學機械拋光漿料，其特徵在於，所述的腐蝕抑制劑的含量為重量百分比0.005~1%。
- 一種如請求項1~17中任一項所述的拋光漿料在含有銅的基材的化學機械拋光中的應用。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201110424891XA CN103160207A (zh) | 2011-12-16 | 2011-12-16 | 一种金属化学机械抛光浆料及其应用 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201326378A TW201326378A (zh) | 2013-07-01 |
| TWI580766B true TWI580766B (zh) | 2017-05-01 |
Family
ID=48583751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW101147063A TWI580766B (zh) | 2011-12-16 | 2012-12-13 | Metal Chemical Mechanical Polishing Slurry and Its Application |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103160207A (zh) |
| TW (1) | TWI580766B (zh) |
| WO (1) | WO2013086775A1 (zh) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103866326A (zh) * | 2012-12-10 | 2014-06-18 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种金属化学机械抛光浆料及其应用 |
| CN103865400A (zh) * | 2012-12-10 | 2014-06-18 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种磷酸酯表面活性剂在自停止抛光中的应用 |
| CN104745091A (zh) * | 2013-12-26 | 2015-07-01 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种化学机械抛光液及使用方法 |
| CN104745094B (zh) * | 2013-12-26 | 2018-09-14 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
| CN105755472B (zh) * | 2015-01-05 | 2019-12-17 | 东友精细化工有限公司 | 银蚀刻液组合物和利用它的显示基板 |
| CN106148961A (zh) * | 2015-03-27 | 2016-11-23 | 东友精细化工有限公司 | 蚀刻剂组合物、形成金属线图案方法和制造阵列基板方法 |
| CN106141901A (zh) * | 2015-04-23 | 2016-11-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 晶圆表面的铜层的研磨方法 |
| CN105525292A (zh) * | 2015-12-16 | 2016-04-27 | 无锡吉进环保科技有限公司 | 一种基于纳米二氧化钛的电路板用蚀刻液的制备方法 |
| CN105420729A (zh) * | 2015-12-16 | 2016-03-23 | 无锡吉进环保科技有限公司 | 一种基于纳米二氧化钛的电路板用蚀刻液 |
| CN106929858A (zh) * | 2015-12-31 | 2017-07-07 | 安集微电子科技(上海)有限公司 | 金属化学机械抛光浆料 |
| CN105575794A (zh) * | 2016-03-09 | 2016-05-11 | 德米特（苏州）电子环保材料有限公司 | 一种中性抛光浆及其制备方法 |
| JP6670715B2 (ja) * | 2016-03-28 | 2020-03-25 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 金属を含む層を有する研磨対象物の研磨に用いられる研磨用組成物 |
| WO2017169743A1 (ja) * | 2016-03-28 | 2017-10-05 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 金属を含む層を有する研磨対象物の研磨に用いられる研磨用組成物 |
| CN106757040A (zh) * | 2016-12-01 | 2017-05-31 | 三达奥克化学股份有限公司 | 粉末冶金不锈钢精密工件光饰处理剂及生产方法 |
| EP3562900A4 (en) * | 2016-12-30 | 2020-09-02 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | POLISHING COMPOSITIONS |
| CN106811751B (zh) * | 2017-02-16 | 2019-03-15 | 河南科技学院 | 一种304不锈钢化学机械抛光用抛光剂和抛光液及其制备方法 |
| CN107011806A (zh) * | 2017-04-27 | 2017-08-04 | 安徽智诚光学科技有限公司 | 一种手机液晶触控屏抛光剂及其制备方法 |
| CN109971356B (zh) * | 2017-12-27 | 2025-10-28 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
| CN109393673B (zh) * | 2018-10-31 | 2021-09-03 | 深圳市指尖坊黄金珠宝首饰有限公司 | 镜面黄金表面抗花处理工艺 |
| CN111378367A (zh) * | 2018-12-27 | 2020-07-07 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
| CN111378376A (zh) * | 2018-12-29 | 2020-07-07 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种化学机械抛光液及其应用 |
| CN113122142B (zh) * | 2019-12-31 | 2024-04-12 | 安集微电子科技（上海）股份有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
| KR102367056B1 (ko) * | 2020-02-27 | 2022-02-25 | 주식회사 케이씨텍 | 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물 |
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| US9202709B2 (en) * | 2008-03-19 | 2015-12-01 | Fujifilm Corporation | Polishing liquid for metal and polishing method using the same |
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| CN102093817A (zh) * | 2009-12-11 | 2011-06-15 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种用于钽阻挡抛光的化学机械抛光液 |
| CN102453440A (zh) * | 2010-10-22 | 2012-05-16 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
-
2011
- 2011-12-16 CN CN201110424891XA patent/CN103160207A/zh active Pending
-
2012
- 2012-07-30 WO PCT/CN2012/001017 patent/WO2013086775A1/zh not_active Ceased
- 2012-12-13 TW TW101147063A patent/TWI580766B/zh active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2013086775A1 (zh) | 2013-06-20 |
| TW201326378A (zh) | 2013-07-01 |
| CN103160207A (zh) | 2013-06-19 |
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