TWI577055B - 波長轉換膜及其製作方法 - Google Patents
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Description
本發明是有關於一種波長轉換結構，且特別是有關於一種波長轉換膜及其製作方法。
習知的發光二極體晶片的封裝方法，通常是透過點膠的方式使封裝膠體(如AB膠)直接密封發光二極體晶片，其中封裝膠體中亦會填加螢光顆粒來改變發光二極體晶片的出光顏色。然而，上述的點膠方式無法一次完成多個發光二極體晶片的封裝體，造成製作時間和製作成本的花費。
此外，封裝膠體的固含量低，在未進行固化前，封裝膠體內的螢光顆粒也容易受到重力影響，而產生沉澱現象，造成封裝膠體內的螢光顆粒分布不均，如此一來，將使得封裝後的發光二極體封裝體產生出光及色溫不均的現象。
本發明提供一種波長轉換膜及其製作方法，其可以改善習知螢光顆粒於封裝膠體內的沉降問題，且有較佳的發光二極體元件製作效率。
本發明提供一種波長轉換膜的製作方法，其包括以下步驟。提供一離型膜。進行至少一塗佈製程，以於離型膜上形成至少一波長轉換層，其中至少一波長轉換層與離型膜的一第一接觸面具有一第一粗糙度。形成一黏著層於最遠離離型膜的波長轉換層的一表面上，其中黏著層與波長轉換層的一第二接觸面具有一第二粗糙度，且第二粗糙度大於第一粗糙度。
在本發明的一實施例中，上述至少一波長轉換層的厚度為黏著層的厚度的1~3倍。
在本發明的一實施例中，上述至少一波長轉換層包括一波長轉換物質以及一膠體，且至少一波長轉換層以100%的組成成分總百分比計算，波長轉換物質的重量百分比為60%~95%。
在本發明的一實施例中，上述每一波長轉換層的厚度介於波長轉換物質的平均粒徑之1.2~3倍。
在本發明的一實施例中，上述於形成黏著層之後，更包括：進行一脫膜製程，以分離離型膜與至少一波長轉換層。
在本發明的一實施例中，上述的黏著層內摻雜有多個擴散粒子、反射粒子、散射粒子或上述至少其中之二。
在本發明的一實施例中，上述的至少一波長轉換層包括
一第一波長轉換層與一第二波長轉換層。第一波長轉換層配置於離型膜與第二波長轉換層之間。
在本發明的一實施例中，上述的第一波長轉換層的放射主波峰波長小於第二波長轉換層的放射主波峰波長。
在本發明的一實施例中，上述的第二波長轉換層的波形半高寬小於第一波長轉換層的波形半高寬。
在本發明的一實施例中，上述的第一波長轉換層的厚度大於第二波長轉換層的厚度。
在本發明的一實施例中，上述的至少一塗佈製程為一旋轉塗佈製程。
在本發明的一實施例中，上述的至少一波長轉換層包括一波長轉換物質以及一膠體，其中波長轉換物質分散於膠體內。至少一波長轉換層具有一第一區域以及一第二區域。第一區域內的波長轉換物質濃度大於第二區域內的波長轉換物質濃度，且第二區域環繞第一區域。
本發明提供一波長轉換膜的製作方法，用於搭載至少一發光晶圓。波長轉換膜的製作方法包括以下製程步驟。提供一離型膜。進行至少一塗佈製程，以於離型膜上形成至少一波長轉換層，其中至少一波長轉換層與離型膜的一第一接觸面具有一第一粗糙度。形成一黏著層於最遠離離型膜的波長轉換層的一表面上，其中黏著層與該波長轉換層的一第二接觸面具有一第二粗糙度，且第二粗糙度大於第一粗糙度，而黏著層連接於至少一發光
晶圓。
本發明提供一波長轉換膜，用於搭載一發光晶圓。波長轉換膜包括一波長轉換層以及一黏著層。波長轉換層具有彼此相對的一第一表面與一第二表面，其中第一表面具有一第一粗糙度。黏著層連接波長轉換層的第二表面，且配置於波長轉換層與發光晶圓之間，其中黏著層與波長轉換層的一接觸面具有一第二粗糙度，且第二粗糙度大於第一粗糙度。
在本發明的一實施例中，上述波長轉換層的硬度範圍為蕭氏硬度(Shore Durometer hardness)30D至90D。
基於上述，由於本發明的波長轉換膜的製作方法是在離型膜上透過塗佈製程來形成波長轉換層，且於最遠離離型膜的波長轉換層的表面上形成黏著層。因此，相較於習知透過點膠的方式來形成發光二極體封裝體而言，本發明的波長轉換膜的製作方法除了具有製程容易，後續應用於發光晶圓上能一次大量製作發光元件，因而適於量產的優勢之外，亦可避免習知螢光顆粒於封裝膠體內的沉降問題而具有較佳的產品可靠度。此外，此波長轉換膜的製作方法所形成的波長轉換層也可具有較薄的厚度，可以較節省波長轉換層的成本。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
100、100’、100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g、100h‧‧‧波長轉換膜
110‧‧‧離型膜
121‧‧‧膠體
122、122c、122d、122e、122f、124、124c、124d、124e、126、126c‧‧‧波長轉換層
123‧‧‧波長轉換物質
130、130a‧‧‧黏著層
132‧‧‧擴散粒子
142、144‧‧‧黏著層
F1‧‧‧波長轉換物質
F2‧‧‧膠體
R1‧‧‧第一區域
R2‧‧‧第二區域
S‧‧‧表面
S1‧‧‧第一接觸面
S2‧‧‧第二接觸面
W、W’‧‧‧發光晶圓
圖1A至圖1C繪示為本發明的一實施例的一種波長轉換膜的製作方法的局部步驟的剖面示意圖。
圖1D繪示為本發明的一實施例的一種波長轉換膜的剖面示意圖。
圖2繪示為本發明的另一實施例的一種波長轉換膜的剖面示意圖。
圖3繪示為本發明的另一實施例的一種波長轉換膜的剖面示意圖。
圖4繪示為本發明的另一實施例的一種波長轉換膜的剖面示意圖。
圖5繪示為本發明的另一實施例的一種波長轉換膜的剖面示意圖。
圖6繪示為本發明的另一實施例的一種波長轉換膜的剖面示意圖。
圖7繪示為本發明的另一實施例的一種波長轉換膜的剖面示意圖。
圖8(a)繪示為本發明的一實施例的一種波長轉換膜用於搭載一發光晶圓的剖面示意圖。
圖8(b)繪示為本發明的一實施例的一種波長轉換膜用於搭載一發光晶圓的俯視示意圖。
圖8(c)繪示為本發明的另一實施例的一種波長轉換膜用於搭載多個發光晶圓的俯視示意圖。
圖1A至圖1C繪示為本發明的一實施例的一種波長轉換膜的製作方法的局部步驟的剖面示意圖。請先參考圖1A，提供一離型膜110，其中離型膜110的材料可以是一透明材料，例如是環氧樹脂、聚乙烯對苯二甲酸酯、矽膠、聚氨酯、聚丙烯或二氧化矽。
接著，請參考圖1B，進行至少一塗佈製程，以於離型膜110上形成至少一波長轉換層，其中至少一波長轉換層與離型膜110的一第一接觸面S1具有一第一粗糙度。此處的塗佈製程例如是刮刀塗佈製程、精密刀塗佈製程、推料塗佈製程、線棒塗佈製程、網印塗佈製程、旋轉塗佈製程或凹印塗佈製程，將一波長轉換物質F1與一膠體F2混合後得到一波長轉換膠體(未繪示)，將波長轉換膠體置於離型膜110上，再以塗佈製程使波長轉換膠體形成一均勻的波長轉換層。此時，波長轉換層覆蓋離型膜110。其中，塗佈製程較佳為刮刀塗佈製程或精密刀塗佈製程，可具有較簡易實施的優點。
詳細來說，在本實施例中，例如是進行三次的塗佈製程，而形成依序堆疊的三層波長轉換層122、124、126，但並不以此為限，其中波長轉換層122配置於波長轉換層124與離型膜110之間。每一波長轉換層122(或124、126)包括一波長轉換物質F1以及一膠體F2，波長轉換層122(或124、126)以100%的組成成分總百分比計算，波長轉換物質F1的重量百分比為60%~95%，其中
較高濃度的波長轉換物質F1的配比，可提高波長轉換層122(或124、126)中的膠體F2的固含量，進而可降低膠體F2的流動性，藉此較容易將膠體F2定量地配置於離型膜110上，以便控制每一波長轉換層122(或124、126)的厚度。較佳的，波長轉換層122(或124、126)的厚度介於波長轉換物質F1的平均粒徑之1.2~3倍，可使得完成後的波長轉換膜100具有較薄的厚度，亦可使波長轉換時產生的熱不易蓄積於波長轉換層122(或124、126)內。再者，波長轉換層122(或124、126)的硬度範圍為蕭氏硬度(Shore Durometer Hardness)30D至90D，相較習知大多皆為蕭氏硬度A(Shore A)的封裝材料，本發明的波長轉換膜100可具有較佳的耐裂性和信賴性。在本實施例中，所形成的波長轉換層122、124、126的延伸方向與離型層110的延伸方向相同。也就是說，所形成的波長轉換層122、124、126具體化為平面結構。較佳地，每一波長轉換層122(或124、126)的厚度介於15微米至80微米之間，更佳地，每一波長轉換層122(或124、126)的厚度小於60微米，此處，波長轉換層122、124、126的厚度繪示為相同，但於其他實施例中，波長轉換層122、124、126的厚度亦可不同，於此並不加以限制。
最後，請參考圖1C，形成一黏著層130於最遠離離型膜110的波長轉換層126的一表面S上，其中黏著層130與波長轉換層126的一第二接觸面S2具有一第二粗糙度，且第二粗糙度大於第一粗糙度。此處，黏著層130的厚度例如是介於5微米至35微
米之間，較佳的，黏著層130的厚度小於20微米。其中，黏著層130覆蓋波長轉換層126的表面S，換言之，本實施例的波長轉換層122、124、126是位於離型膜110與黏著層130之間。至此，已完成波長轉換膜100的製作。需說明的是，離型膜110設置的目的在於保護波長轉換層122的表面且讓波長轉換層122可形成一平面結構，黏著層130設置的目的在於使波長轉換膜100可整面貼附於發光晶圓(未繪示)上，來增加波長轉換膜100的應用。特別的是，黏著層130可利用形成波長轉換層122、124、126的塗佈製程而形成，使得每一波長轉換層122、124、126的厚度與黏著層130的厚度約略相同。較佳的，每一波長轉換層122、124、126的厚度為黏著層130的厚度的1~3倍，可使得波長轉換膜100具有更均勻的厚度和較小的體積。
由於本實施例的波長轉換膜100的製作是在離型膜110上透過塗佈製程來形成波長轉換層122、124、126，且於最遠離離型膜110的波長轉換層126的表面S上形成黏著層130。因此，相較於習知透過點膠的方式來形成密封發光二極體的封裝膠體而言，本實施例的波長轉換膜100的製作方法除了具有製作容易且適於量產的優勢之外，亦可避免習知螢光顆粒於封裝膠體內的沉降問題而具有較佳的產品可靠度。再者，於後續的應用上可直接將此波長轉換膜100透過其黏著層130而貼附於發光晶圓(未繪示)上，一次完成多個發光元件(未繪示)的製作，可具有較佳的使用便利性。此外，此波長轉換膜100的製作方法所形成的波
長轉換層122、124、126具體化為平面結構，因而使得波長轉換膜100可具有較薄的厚度，於發光元件(未繪示)上將具有較小的體積，且可以較節省波長轉換膜的成本。
再者，本實施例的波長轉換層122、124、126具有薄形(波長轉換物質F1的平均粒徑的1.2~3倍)、高濃度(波長轉換物質F1的重量百分比為60%~95%)以及高硬度(蕭氏硬度30D~90D)的優勢，可使得本實施例的波長轉換膜100同時達成輕薄化及保護其黏貼之元件(如發光元件，未繪示)的功效。此外，由於本實施例的離型膜110很平滑，當塗佈製程於離型膜110上形成波長轉換層122時，波長轉換層122中的膠體F2會填滿波長轉換物質F1和離型膜110之間的空隙，故波長轉換層122和離型膜110的第一接觸面S1的粗糙度很低。而，波長轉換層126中的波長轉換物質F1的顆粒大(如介於15~30微米)且濃度很高，所以波長轉換層126的表面S的粗糙度比較高且與黏著層130之間的黏附力也較大。故，波長轉換層126與黏著層130的第二接觸面S2的第二粗糙度大於波長轉換層122與離型膜110的第一接觸面S1的第一粗糙度。由於第二粗糙度大於第一粗糙度，透過黏著層130黏貼於後續應用的發光晶圓(未繪示)上時，可使光線易於從黏著層130進入波長轉換層122、124、126，而使光線能充分於波長轉換層122、124、126進行波長轉換後再出光。
在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元
件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
圖1D繪示為本發明的一實施例的一種波長轉換膜的剖面示意圖。本實施例的波長轉換膜100’與圖1C中的波長轉換膜100相似，惟二者主要差異之處在於：本實施例於形成黏著層130之後，更包括：進行一脫膜製程，以分離離型膜110與波長轉換層122、124、126，而形成沒有離型膜110的波長轉換膜100’。
圖2繪示為本發明的另一實施例的一種波長轉換膜的剖面示意圖。請同時參考圖1C與圖2，本實施例的波長轉換膜100a與圖1C中的波長轉換膜100相似，惟二者主要差異之處在於：本實施例的波長轉換膜100a的黏著層130a內摻雜有多個擴散粒子132。當後續將波長轉換膜100a黏貼於發光晶圓(未繪示)上時，可使得發光元件(未繪示)所產生的光線產生散射的效果，有助於提高整體產品的發光效率。特別說明的是，除了擴散粒子之外，黏著層130a內亦可摻雜有反射粒子(未繪示)、散射粒子(未繪示)或上述至少其中之二，可讓發光元件所產生的光線產生散射、反射及擴散的效果，此仍屬於本發明所欲保護之範圍。
圖3繪示為本發明的另一實施例的一種波長轉換膜的剖面示意圖。請同時參考圖1C與圖3，本實施例的波長轉換膜100b與圖1C中的波長轉換膜100相似，惟二者主要差異之處在於：本實施例的波長轉換膜100b於製作時，於任兩次塗佈製程之間，更包括形成一黏著層於前一次塗佈製程所形成的波長轉換層上。也
就是說，黏著層142是形成於波長轉換層122之後，且形成於波長轉換層124之前。而，黏著層144是形成於波長轉換層124之後，且形成於波長轉換層126之前。此處，形成黏著層142、144的目的在於增加波長轉換層122與波長轉換層124之間以及波長轉換層124與波長轉換層126之間的附著力，並調整其表面張力，且讓波長轉換層122、124、126間經黏著層142的堆疊後具有表面平坦化的效果，使表面粗糙度小於5微米。當然，亦可於黏著層142、144內摻雜擴散粒子(未繪示)、反射粒子(未繪示)、散射粒子(未繪示)或上述至少其中之二，而使後續波長轉換膜100b黏著於發光元件(未繪示)上時，可讓發光元件所產生的光線產生散射、反射及擴散的效果，此仍屬於本發明所欲保護之範圍。
圖4繪示為本發明的另一實施例的一種波長轉換膜的剖面示意圖。請參考圖4與圖1C，本實施例的波長轉換膜100c與圖1C中的波長轉換膜100相似，惟二者主要差異之處在於：第一波長轉換層122c的放射主波峰波長小於第二波長轉換層124c的放射主波峰波長。舉例來說，波長轉換層124c的放射主波峰波長可大於波長轉換層122c的放射主波峰波長，而波長轉換層126c的放射主波峰波長可大於波長轉換層124c的放射主波峰波長。此種排列可使得經具有較長的放射主波峰波長的波長轉換層126c轉換後的光，不會被具有較短的放射主波峰波長的波長轉換層124c、122c所吸收，以此類推。更具體來說，波長轉換層126c可為一紅色波長轉換層，而波長轉換層124c可為一黃色波長轉換
層，且波長轉換層122c可為一綠色波長轉換層。
當然，於其他實施例中，波長轉換層122c、124c、126c的放射主波峰波長也可以是朝遠離離型膜110的方向漸減。舉例來說，波長轉換層122c的放射主波峰波長大於波長轉換層124c的放射主波峰波長，而波長轉換層124c的放射主波峰波長大於波長轉換層126c的放射主波峰波長。使用者可依據所欲使用的發光晶圓的種類，自行搭配波長轉換層122c、124c、126c的排列順序。
需說明的是，此處波長轉換膜100、100’、100a、100b是以具有三層波長轉換層122、124、126為例說明，但於其他未繪示的實施例中，波長轉換膜亦可僅具有一層的波長轉換層；或者是，二層的波長轉換層；或者是大於三層的波長轉換層，此仍屬於本發明所欲保護的範圍。
圖5繪示為本發明的另一實施例的一種波長轉換膜的剖面示意圖。請同時參考圖5與圖1C，本實施例的波長轉換膜100d與圖1C中的波長轉換膜100相似，惟二者主要差異之處在於：本實施例的波長轉換層只有兩層，第一波長轉換層122d與第二波長轉換層124d，且波長轉換層122d、124d的厚度不同。較佳地，這些波長轉換層122d、124d的厚度朝遠離離型膜110的方向漸減。也就是說，第一波長轉換層122d的厚度大於第二波長轉換層124d的厚度。舉例來說，當波長轉換層124d為紅色波長轉換層，而波長轉換層122d為綠色波長轉換層，因此波長轉換層124d的厚度可為波長轉換層122d的厚度的0.2倍至0.4倍，可減少成本較高
的紅色螢光粉用量，可有效降低整體波長轉換膜100d的製作成本。
圖6繪示為本發明的另一實施例的一種波長轉換膜的剖面示意圖。請同時參考圖6與圖1C，本實施例的波長轉換膜100e與圖1C中的波長轉換膜100相似，惟二者主要差異之處在於：本實施例的波長轉換層只有兩層，第一波長轉換層122e與第二波長轉換層124e，且波長轉換層122e、124e的波形半高寬不同。較佳地，第二波長轉換層124e的波形半高寬小於第一波長轉換層122e的波形半高寬，可避免波長轉換單元層122e的放射光波長涵蓋到波長轉換層124e的吸收波段，因此可提供較寬頻譜的演色性表現。更具體來說，波長轉換層124e可為一紅色波長轉換層，而波長轉換層122e可為一綠色波長轉換層，紅色波長轉換層的波形半高寬小於綠色波長轉換層的波形半高寬。
圖7繪示為本發明的另一實施例的一種波長轉換膜的剖面示意圖。請同時參考圖7與圖1C，本實施例的波長轉換膜100f與圖1C中的波長轉換膜100相似，惟二者主要差異之處在於：本實施例的波長轉換層122f只有一層，其中波長轉換層122f包括一膠體121以及一波長轉換物質123。詳細來說，波長轉換物質123分散於膠體121內，且波長轉換層122f具有第一區域R1以及第二區域R2，其中第一區域R1內的波長轉換物質123濃度大於第二區域R2內的波長轉換物質123密度，且第二區域R2環繞第一區域R1。
在製程上，本實施例的波長轉換膜100f的製作方法與圖
1A至圖1C的波長轉換膜100的製作方法相同，差異之處僅在於：本實施例的塗佈製程實質上為旋轉塗佈製程。更具體來說，本實施例藉由旋轉塗佈製程的方式，利用離心力與膠體121的黏性搭配，來產生具有不同波長轉換物質123濃度的第一區域R1與第二區域R2。在後續的波長轉換膜100f的應用中，可搭配正向發光的發光晶圓(未繪示)，來提高產品的出光與色溫均勻度。
圖8(a)至8(c)繪示為本發明的一波長轉換膜搭載於發光晶圓的示意圖。為了方便說明起見，圖8(a)繪示為剖面示意圖，而圖8(b)及圖8(c)繪示為俯視示意圖。請先同時參考圖8(a)與圖8(b)，本實施例的波長轉換膜100g的製作方法同上述圖1A至圖1C的波長轉換膜100的製作步驟，差異之處在於：本實施例的波長轉換膜100g用於搭載至少一發光晶圓W(圖8(a)中僅示意地繪示一個發光晶圓)。詳細來說，本實施例的黏著層130連接於發光晶圓W，且黏著層130配置於波長轉換層126與發光晶圓W之間，其中本實施例的波長轉換膜100g的尺寸(如表面積)大於發光晶圓W的尺寸(如表面積)。因此，波長轉換膜100g透過波黏著層130而黏貼於發光晶圓W上，此方式沒有元件對準的問題，可具有較佳的製程效率。此外，後續進行脫膜製程，分離離型膜110和波長轉換層122時，也不會因波長轉換層的位移而影響元件的色溫表現。特別的是，本實施例的波長轉換膜100g的尺寸(如表面積)可大於多個發光晶圓W的尺寸(如表面積)。如圖8(c)所示，因此可使波長轉換膜100h同時黏貼於多個發光晶圓W’上，具有較佳的使用便利性以及組裝容易，可具有更佳的製程效率。
值得一提的是，上述實施例中的波長轉換膜100g、100h的尺寸(如表面積)實質上略大於發光晶圓W、W’的尺寸(如表面積)。因此，波長轉換膜100g、100h無須裁切即可直接透過黏著層130而貼附於發光晶圓W、W’，可具有較佳的使用便利性以及組裝容易的優勢。
基於上述，由於本發明的波長轉換膜的製作方法是在離型膜上透過塗佈製程來形成波長轉換層，且於最遠離離型膜的波長轉換層的表面上形成黏著層。因此，相較於習知透過點膠的方式來形成發光二極體封裝體而言，本發明的波長轉換膜的製作方法除了具有製作容易且適於量產的優勢之外，亦可避免習知螢光顆粒於封裝膠體內的沉降問題而具有較佳的產品可靠度。再者，此波長轉換膜的製作方法所形成的波長轉換層也可具有較薄的厚度。此外，於後續的應用中，可直接將此波長轉換膜透過其黏著層而貼附於發光晶圓上，可具有較佳的使用便利性。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧波長轉換膜
110‧‧‧離型膜
122、124、126‧‧‧波長轉換層
S‧‧‧表面
S1‧‧‧第一接觸面
S2‧‧‧第二接觸面
130‧‧‧黏著層
Claims (14)
- 一種波長轉換膜的製作方法，包括：提供一離型膜；進行至少一塗佈製程，以於該離型膜上形成至少一波長轉換層，其中該至少一波長轉換層與該離型膜的一第一接觸面具有一第一粗糙度；形成一黏著層於最遠離該離型膜的該波長轉換層的一表面上，其中該黏著層與該波長轉換層的一第二接觸面具有一第二粗糙度，該第二粗糙度大於該第一粗糙度；以及進行一脫膜製程，以自該第一接觸面分離該離型膜與該至少一波長轉換層。
- 如申請專利範圍第1項所述的波長轉換膜的製作方法，其中每一該波長轉換層的厚度為該黏著層的厚度的1~3倍。
- 如申請專利範圍第1項所述的波長轉換膜的製作方法，其中該至少一波長轉換層包括一波長轉換物質以及一膠體，該至少一波長轉換層以100%的組成成分總百分比計算，該波長轉換物質的重量百分比為60%~95%。
- 如申請專利範圍第3項所述的波長轉換膜的製作方法，其中該至少一波長轉換層的厚度介於該波長轉換物質的平均粒徑之1.2~3倍。
- 如申請專利範圍第1項所述的波長轉換膜的製作方法，其中該黏著層內摻雜有多個擴散粒子、反射粒子、散射粒子或上述 至少其中之二。
- 如申請專利範圍第1項所述的波長轉換膜的製作方法，其中該至少一波長轉換層包括一第一波長轉換層與一第二波長轉換層，該第一波長轉換層配置於該離型膜與該第二波長轉換層之間。
- 如申請專利範圍第6項所述的波長轉換膜的製作方法，其中該第一波長轉換層的放射主波峰波長小於該第二波長轉換層的放射主波峰波長。
- 如申請專利範圍第6項所述的波長轉換膜的製作方法，其中該第二波長轉換層的波形半高寬小於該第一波長轉換層的波形半高寬。
- 如申請專利範圍第6項所述的波長轉換膜的製作方法，其中該第一波長轉換層的厚度大於該第二波長轉換層的厚度。
- 如申請專利範圍第1項所述的波長轉換膜的製作方法，其中該至少一塗佈製程為一旋轉塗佈製程。
- 如申請專利範圍第10項所述的波長轉換膜的製作方法，其中該至少一波長轉換層包括一波長轉換物質以及一膠體，該波長轉換物質分散於該膠體內，且該至少一波長轉換層具有一第一區域以及一第二區域，該第一區域內的該波長轉換物質濃度大於該第二區域內的該波長轉換物質濃度，且該第二區域環繞該第一區域。
- 一種波長轉換膜的製作方法，用於搭載至少一發光晶圓，該波長轉換膜的製作方法包括： 提供一離型膜；進行至少一塗佈製程，以於該離型膜上形成至少一波長轉換層，其中該至少一波長轉換層與該離型膜的一第一接觸面具有一第一粗糙度；形成一黏著層於最遠離該離型膜的該波長轉換層的一表面上，其中該黏著層與該波長轉換層的一第二接觸面具有一第二粗糙度，且該第二粗糙度大於該第一粗糙度，而該黏著層連接於該至少一發光晶圓；以及進行一脫膜製程，以自該第一接觸面分離該離型膜與該至少一波長轉換層。
- 一種波長轉換膜，用於搭載一發光晶圓，該波長轉換膜包括：一波長轉換層，具有彼此相對的一第一表面與一第二表面，其中該第一表面具有一第一粗糙度；以及一黏著層，連接該波長轉換層的該第二表面，且配置於該波長轉換層與該發光晶圓之間，其中該黏著層與該波長轉換層的一接觸面具有一第二粗糙度，且該第二粗糙度大於該第一粗糙度。
- 如申請專利範圍第1項所述的波長轉換膜的製作方法，其中該至少一波長轉換層的硬度範圍為蕭氏硬度30D至90D。
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