TWI439530B

TWI439530B - 熱固型晶片接合膜、切割晶片接合膜、以及半導體裝置的製造方法

Info

Publication number: TWI439530B
Application number: TW100119872A
Authority: TW
Inventors: 井上剛一; 菅生悠樹; 三隅貞仁; 松村健; 高本尚英
Original assignee: 日東電工股份有限公司
Priority date: 2010-06-08
Filing date: 2011-06-07
Publication date: 2014-06-01
Also published as: CN102934211A; WO2011155406A1; JP2012019204A; CN102934211B; TW201200575A; JP6013709B2

Description

熱固型晶片接合膜、切割晶片接合膜、以及半導體裝置的製造方法

本發明是有關於一種在將例如半導體晶片(chip)等半導體元件接著固定至基板或引線框(lead frame)等被黏體上時所使用的熱固型晶片接合膜(die bonding film)。另外，本發明是有關於上述熱固型晶片接合膜與切割膜(dicing film)積層而成的切割晶片接合膜(dicing˙bonding film)。進而本發明是有關於使用上述切割晶片接合膜的半導體裝置的製造方法。

以往，在半導體裝置的製造過程中，在引線框和電極構件固著半導體晶片時採用銀膠。上述固著處理是在引線框的晶片墊(die pad)等上塗布膠狀接著劑，在其上搭載半導體晶片並使膠狀接著劑層固化來進行。

但是，膠狀接著劑由於其黏度行為或劣化等而在塗布量或塗布形狀等方面產生大的不均。結果，所形成的膠狀接著劑厚度變得不均勻，而造成半導體晶片的固著強度缺乏可靠性。即，膠狀接著劑的塗布量不足時半導體晶片與電極構件之間的固著強度降低，造成在後續的打線接合(wire bonding)步驟中半導體晶片剝離。另一方面，膠狀接著劑的塗布量過多時膠狀接著劑流延至半導體晶片上而產生不良特性，且良率和可靠性下降。此種固著處理中的問題，隨著半導體晶片的大型化變得特別顯著。因此，需要頻繁地進行膠狀接著劑的塗布量的控制，而給作業性或生產性帶來問題。

在上述膠狀接著劑的塗布步驟中，有將膠狀接著劑另外塗布到引線框或形成的晶片上的方法。但是，在上述方法中，膠狀接著劑層難以均勻化，另外膠狀接著劑的塗布需要特殊裝置和長時間。因此，已提出了在切割步驟中接著保持半導體晶片、並且還賦予在安裝步驟中所需的晶片固著用之接著劑層的切割晶片接合膜(例如，參考專利文獻1)。

該切割晶片接合膜在支撐基材上以可剝離接著劑層的方式設置而成，在該接著劑層的保持下對半導體晶圓進行切割後，拉伸支撐基材而將半導體晶片連同接著劑層一起剝離，將其個別回收，並通過該接著劑層固著至引線框等被黏體。

另外，自熱傳導性、溶融黏度的調整、賦予觸變性(thixotropic)的觀點而言，下述專利文獻2中揭露了一種在接著劑層中添加無機填料等的切割晶片接合膜。

然而，上述專利文獻2所記載的切割晶片接合膜具有如下的問題。即，以記憶體為代表的半導體裝置隨著高容量化，使得將經薄層化的半導體晶片積層成多段的半導體封裝成為主流。加上對半導體封裝本身的厚度亦加以限制，因此亦進行晶片接合膜的薄層化。基於上述的背景，半導體晶圓或將其個片化的半導體晶片的機械強度非常低且脆弱。因此，將半導體晶片通過晶片接合膜來晶片接合(die bonding)至被黏體上時，存在半導體晶片破損的問題。

作為上述半導體晶片破損的原因可列舉晶片接合膜中所含有的無機填料等填充材料的調配不適當。即，晶片接合膜中的填充材料為不適當的大小，且其含有量亦不適當時，藉由晶片接合時所施加的晶片接合壓力，通過填充材料使應力局部性地集中於半導體晶片，結果導致半導體晶片的破損。

先行技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利特開昭60-57642號公報

專利文獻2：日本專利特開2008-88411號公報

本發明鑒於前述問題而作出，其目的在於通過熱固型晶片接合膜將半導體晶片晶片接合於被黏體上時，通過填充材料防止對上述半導體晶片施加局部性的應力，藉此提供可減少半導體晶片的破損的熱固型晶片接合膜及具有上述熱固型晶片接合膜的切割晶片接合膜。另外本發明亦提供使用上述切割晶片接合膜的半導體裝置的製造方法。

本發明人等為了解決前述現有問題，對熱固型晶片接合膜、具有上述熱固型晶片接合膜的切割晶片接合膜以及半導體裝置的製造方法進行了研究。結果發現，藉由採用下述構成可達成上述目的，並且完成本發明。

即，有關本發明的熱固型晶片接合膜是含有接著劑組成物以及包含微粒子的填充材料的熱固型晶片接合膜，其中將上述熱固型晶片接合膜的厚度設為Y(μm)，且將上述填充材料的最大粒徑設為X(μm)時的比值X/Y為1以下。

根據上述構成，藉由使熱固型晶片接合膜的厚度Y(μm)與填充材料的最大粒徑X(μm)之間的關係為X/Y≦1，通過晶片接合膜將半導體晶片晶片接合於被黏體上時，通過填充材料來減少對半導體晶片局部性的應力集中。藉此，即使半導體晶片薄型化，亦可減少上述半導體晶片的破損且可完成半導體裝置的製造，進而謀求產出量的提升。

上述構成中，上述X(μm)較佳為在0.05μm~5μm的範圍內。

另外，於上述構成中，上述Y(μm)較佳為在1μm~5μm的範圍內。

進而，上述構成中，相對於上述接著劑組成物100重量份，上述填充材料的含有量較佳為在1重量份~80重量份的範圍內。

另外，於上述構成中，相對於上述接著劑組成物100體積份，上述填充材料的含有量較佳為在1體積份~40體積份的範圍內。

另外，於上述構成中，上述熱固型晶片接合膜中粗糙度曲線(roughness curve)的最大剖面高度Rt較佳為在0.1μm~2.3μm的範圍內。

另外，為了解決上述課題，有關本發明的切割晶片接合膜於切割膜上積層有上述所記載的熱固型接合膜。

為了解決上述課題，有關本發明的半導體裝置的製造方法為使用上述所記載的切割晶片接合膜的半導體裝置的製造方法，其包括下述步驟：貼合步驟，將上述熱固型晶片接合膜作為貼合面，並於半導體晶圓的背面貼合上述切割晶片接合膜；切割步驟，將上述半導體晶圓連同上述熱固型晶片接合膜一起切割而形成半導體晶片；拾取步驟，將上述半導體晶片自上述切割晶片接合膜連同上述熱固型晶片接合膜一起拾取；以及晶片接合步驟，通過上述熱固型晶片接合膜，在溫度100℃~180℃、接合壓力0.05MPa~0.5MPa、接合時間為0.1秒~5秒的範圍內的條件下，將上述半導體晶片晶片接合於被黏體上。

上述方法中，將半導體晶片晶片接合於被黏體上時，使用藉由調配於膜中的填充材料以減少應力集中於半導體晶片的熱固型晶片接合膜。因此，即使在上述晶片接合條件下進行半導體晶片的晶片接合，亦可減少半導體晶片的破損。即，若為上述方法，則可減少半導體晶片的破損，且可提升產出率(throughput)而製造半導體裝置。

本發明藉由上述說明的手段，而得到如下所述的效果。

即，本發明的熱固型晶片接合膜使熱固型晶片接合膜的厚度Y(μm)與填充材料的最大粒徑X(μm)之間的關係為X/Y≦1。藉此，將半導體晶片通過熱固型晶片接合膜晶片接合於被黏體上時，於膜中所含有的填充材料可減少對半導體晶片施加局部性的應力。其結果得到可減少半導體晶片的破損，使產出率提升而謀求半導體裝置的製造的效果。

(切割晶片接合膜)

對於本發明的熱固型晶片接合膜(以下稱為“晶片接合膜”)，以與切割膜積層為一體而得到的切割晶片接合膜為例進行如下說明。圖1是表示本實施型態的切割晶片接合膜的剖面示意圖。圖2是表示本實施型態的另一個切割晶片接合膜的剖面示意圖。

如圖1所示，切割晶片接合膜10具有在切割膜上積層有晶片接合膜3的構成。切割膜是在基材1上積層黏著劑層2而構成，晶片接合膜3設置在該黏著劑層2上。另外本發明如圖2所示，也可以是僅在工件黏貼部分形成晶片接合膜3’的構成。

上述基材1具有紫外線透射性，並且成為切割晶片接合膜10、11的強度母體。例如可列舉：低密度聚乙烯、直鏈狀聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離聚物樹脂(ionomer resin)、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚醚醚酮、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳族聚醯胺、聚苯硫醚、芳族聚醯胺(紙)、玻璃、玻璃布、含氟樹脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纖維素類樹脂、聚矽氧烷樹脂、金屬(箔)、紙等。

另外，作為基材1的材料，可以列舉上述樹脂的交聯體等聚合物。上述塑膠薄膜可以不拉伸而使用，也可以視需要進行單軸或雙軸拉伸處理後使用。根據利用拉伸處理等而賦予了熱收縮性的樹脂片，藉由在切割後使該基材1熱收縮，可以減小黏著劑層2與晶片接合膜3、3’的接著面積，從而可謀求半導體晶片的回收的容易化。

為了提高與鄰接層的密合性、保持性等，基材1的表面可以實施慣用的表面處理，例如，鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、離子化輻射處理等化學或物理處理、利用底塗劑(例如後述的黏著物質)的塗布處理。

上述基材1可以適當地選擇同種或不同種類的材料而使用，視需要也可以使用將數種材料共混後的材料。另外，基材1中，為了賦予基材1防靜電性能，可以在上述基材1上設置包含金屬、合金、該些的氧化物等的厚度為約30Å~約500Å的導電物質的蒸鍍層。基材1可以是單層或者兩種以上的多層。

基材1的厚度沒有特別限制，可以適宜決定，一般為約5μ m~約200μ m。

上述黏著劑層2包含紫外線固化型黏著劑而構成。紫外線固化型黏著劑可以藉由紫外線的照射增大交聯度而容易地降低其黏著力，藉由僅對圖2所示的黏著劑層2的與半導體晶片黏貼部分對應的部分2a照射紫外線，可準備與其他部分2b的黏著力之差異。

另外，如圖2所示般使與晶片接合膜3’合在一起的紫外線固化型的黏著劑層2固化，可以容易地形成黏著力顯著下降的上述部分2a。由於晶片接合膜3’黏貼在固化且黏著力下降的上述部分2a，因此黏著劑層2的上述部分2a與晶片接合膜3’的界面具有拾取時容易剝離的性質。另一方面，未照射紫外線的部分具有充分的黏著力，而形成上述部分2b。

如上所述，圖1所示的切割晶片接合膜10的黏著劑層2中，由未固化的紫外線固化型黏著劑所形成的上述部分2b與晶片接合膜3黏著，可以確保切割時的保持力。如上上述的紫外線固化型黏著劑可以以良好的接著-剝離平衡支撐用以將半導體晶片固著至基板等被黏體的晶片接合膜3。圖2所示的切割晶片接合膜11的黏著劑層2中，上述部分2b可以將晶圓環(wafer ring)固定。

上述紫外線固化型黏著劑可以沒有特別限制地使用具有碳-碳雙鍵等紫外線固化性官能基，並且顯示黏著性的材料。作為紫外線固化型黏著劑，可以例示例如：在丙烯酸類黏著劑、橡膠類黏著劑等一般的壓感(pressure sensitivity)黏著劑中調配紫外線固化性的單體成分或低聚物成分的添加型紫外線固化型黏著劑。

作為上述壓感黏著劑，自半導體晶圓或玻璃等避忌污染的電子部件藉由超純水或酒精等有機溶劑的清潔洗滌性等的觀點而言，較佳為以丙烯酸類聚合物作為基礎聚合物的丙烯酸類接著劑。

作為上述丙烯酸類聚合物，可以列舉例如：使用(甲基)丙烯酸烷基酯(例如，甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、第二丁酯(s-butyl ester)、第三丁酯(t-butyl ester)、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷酯、十二烷酯、十三烷酯、十四烷酯、十六烷酯、十八烷酯、二十烷酯等烷基的碳原子數1~30、特別是碳原子數4~18的直鏈或支鏈烷基酯等)及(甲基)丙烯酸環烷酯(例如，環戊酯、環己酯等)的一種或兩種以上作為單體成分的丙烯酸類聚合物等。另外，(甲基)丙烯酸酯表示丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯，本發明的(甲基)全部表示相同的含義。

上述丙烯酸類聚合物，為了改善凝聚力、耐熱性等，視需要可以含有能夠與上述(甲基)丙烯酸烷基酯或環烷酯共聚合的其他單體成分對應的單元。作為如上所述的單體成分，例如可以列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等含羧基單體；馬來酸酐、衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧萘磺酸等含磺酸基單體；丙烯醯磷酸-2-羥基乙酯等含磷酸基單體；丙烯醯胺、丙烯腈等。這些可共聚合單體成分可以使用一種或兩種以上。這些可共聚合單體的使用量較佳為全部單體成分的40重量%以下。

另外，為了進行交聯，上述丙烯酸類聚合物根據需要也可以含有多官能單體等作為共聚合用單體成分。作為如上所述的多官能單體，可以列舉例如：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。這些多官能單體亦可以使用一種或兩種以上。多官能單體的使用量自黏著特性等觀點而言較佳為全部單體成分的30重量%以下。

上述丙烯酸類聚合物可以藉由將單一單體或兩種以上單體的混合物聚合來得到。聚合可以利用溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合、懸浮聚合等任意方式進行。自防止對潔淨的被黏體的污染等觀點而言，較佳為低分子量物質的含量少。就此觀點而言，丙烯酸類聚合物的數目平均分子量較佳為約30萬以上，更佳約40萬~約300萬。

另外，為了提高作為基礎聚合物的丙烯酸類聚合物等的數目平均分子量，上述黏著劑中也可以適當採用外部交聯劑。外部交聯方法的具體手段可以列舉：添加聚異氰酸酯化合物、環氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺類交聯劑等所謂的交聯劑並使其反應的方法。使用外部交聯劑時，其使用量根據與欲交聯的基礎聚合物的平衡，進而根據作為黏著劑的使用用途而適當決定。一般而言，相對於上述基礎聚合物100重量份，為約5重量份以下，進一步而言較佳為調配0.1重量份~5重量份。另外，根據需要，在黏著劑中除上述成分以外也可以使用先前公知的各種增黏劑、抗老化劑等添加劑。

作為調配用的上述紫外線固化性單體成分，可以列舉例如：胺基甲酸酯低聚物、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。另外，紫外線固化性低聚物成分可以列舉胺基甲酸酯類、聚醚類、聚酯類、聚碳酸酯類、聚丁二烯類等各種低聚物，其分子量在約100~約30000的範圍內是適當的。紫外線固化性單體成分或低聚物成分的調配量，根據上述黏著劑層的種類，可適宜地決定能夠降低黏著劑層的黏著力的量。一般而言，相對於構成黏著劑的丙烯酸類聚合物等基礎聚合物100重量份，例如為約5重量份~約500重量份，較佳約40重量份~約150重量份。

另外，作為紫外線固化型黏著劑，除了前面說明的添加型紫外線固化型黏著劑以外，還可以列舉使用在聚合物側鏈或主鏈中或者主鏈末端具有碳-碳雙鍵的聚合物作為基礎聚合物的內在型紫外線固化型黏著劑。內在型紫外線固化型黏著劑無需含有或者不大量含有低分子量成分的低聚物成分等，因此低聚物成分等不會隨時間在黏著劑中移動，而可以形成穩定的層結構的黏著劑層，因此較佳。

上述具有碳-碳雙鍵的基礎聚合物，可以沒有特別限制地使用具有碳-碳雙鍵並且具有黏著性的聚合物。作為如上所述的基礎聚合物，較佳為以丙烯酸類聚合物作為基本骨架的聚合物。作為丙烯酸類聚合物的基本骨架，可以列舉上述例示過的丙烯酸類聚合物。

上述丙烯酸類聚合物中碳-碳雙鍵的導入方法沒有特別限制，可以採用各種方法，然而將碳-碳雙鍵導入聚合物側鏈在分子設計上比較容易。例如可以列舉：預先將在丙烯酸類聚合物中具有官能基的單體共聚合後，使具有能夠與該官能基反應的官能基以及碳-碳雙鍵的化合物在保持碳-碳雙鍵的紫外線固化性的情況下進行縮合或加成反應的方法。

作為這些官能基的組合例，例如可以列舉：羧基與環氧基、羧基與氮丙啶基、羥基與異氰酸酯基等。這些官能基的組合中若考慮反應追蹤的容易性，較佳為羥基與異氰酸酯基的組合。另外，如果是藉由這些官能基的組合而生成上述具有碳-碳雙鍵的丙烯酸類聚合物的組合，則官能基可以在丙烯酸類聚合物與上述化合物的任意一側，在上述的較佳組合中，較佳為丙烯酸類聚合物具有羥基、上述化合物具有異氰酸酯基的情況。此時，作為具有碳-碳雙鍵的異氰酸酯化合物，例如可以列舉：甲基丙烯醯異氰酸酯、2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯、間異丙烯基-α ,α -二甲基芐基異氰酸酯等。另外，作為丙烯酸類聚合物，可以使用將前面例示的含羥基單體或2-羥基乙基乙烯基醚、4-羥基丁基乙烯基醚、二乙二醇單乙烯基醚的醚類化合物等共聚合而得到的聚合物。

上述內在型紫外線固化型黏著劑可以單獨使用上述具有碳-碳雙鍵的基礎聚合物(特別是丙烯酸類聚合物)，也可以在不損害特性的範圍內調配上述紫外線固化性單體成分或低聚物成分。相對於基礎聚合物100重量份，紫外線固化性低聚物成分等通常在0重量份~30重量份的範圍內，較佳為0重量份~10重量份的範圍。

上述紫外線固化型黏著劑在藉由紫外線等固化時可以含有光聚合起始劑。作為光聚合起始劑，例如可以列舉：4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α’-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環己基苯基酮等α-酮醇類化合物；甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉基丙烷-1等苯乙酮類化合物；苯偶姻乙醚(benzoin ethyl ether)、苯偶姻異丙醚、茴香偶姻甲基醚等苯偶姻醚類化合物；苄基二甲基縮酮等縮酮類化合物；2-萘磺醯氯等芳香族磺醯氯類化合物；1-苯酮-1,1-丙烷二酮-2-(o-乙氧基羰基)肟等光活性肟類化合物；二苯甲酮、苯甲醯苯甲酸、3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮類化合物；噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2,4-二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2,4-二氯噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、2,4-二異丙基噻噸酮等噻噸酮類化合物；樟腦醌；鹵代酮；醯基膦氧化物；醯基膦酸酯等。相對於構成黏著劑的丙烯酸類聚合物等基礎聚合物100重量份，光聚合起始劑的調配量例如為約0.05重量份~約20重量份。

另外，作為紫外線固化型黏著劑，可以列舉例如：日本專利特開昭60-196956號公報中所公開的、含有具有2個以上不飽和鍵的加成聚合性化合物、具有環氧基的烷氧基矽烷等光聚合性化合物、以及羰基化合物、有機硫化合物、過氧化物、胺、鎓鹽(onium salt)類化合物等光聚合起始劑的橡膠類黏著劑或丙烯酸類黏著劑等。

相對於晶片接合膜3、3’，上述黏著劑層2的紫外線固化後的黏著力為0.001N/10mm寬~1N/10mm寬，較佳為0.005N/10mm寬~0.5N/10mm寬，更佳為0.01N/10mm寬~0.1N/10mm寬(180度剝離力、剝離速度300mm/min)。若為上述數值範圍內，將黏貼有晶片接合膜的接著劑的半導體晶片拾取時，不需要將半導體晶片過度固定，而可謀求更佳的拾取性。

作為於上述黏著劑層2形成上述部分2a的方法，可以列舉：在基材1形成紫外線固化型黏著劑層2之後，對上述部分2a局部地照射紫外線使其固化的方法。局部的紫外線照射可以通過形成有與半導體晶片黏貼部分3a以外的部分3b等對應的圖案的光罩來進行。另外，可以列舉點狀(spot)地照射紫外線進行固化的方法等。紫外線固化型黏著劑層2的形成可以藉由將設置在隔片上的紫外線固化型黏著劑層轉印到基材1上來進行。局部的紫外線固化也可以對設置在隔片上的紫外線固化型黏著劑層2進行。

切割晶片接合膜10的黏著劑層2中，可以對黏著劑層2的一部分進行紫外線照射，使得上述部分2a的黏著力<其他部分2b的黏著力。即，可以使用對基材1的至少單面的、對應於與半導體晶圓黏貼部分3a的部分以外的部分的整體或局部進行遮光的基材，在該基材上形成紫外線固化型黏著劑層2後進行紫外線照射，使半導體晶圓黏貼部分3a對應的部分固化，從而形成黏著力下降的上述部分2a。可以將在支持膜上能成為光罩的材料利用印刷或蒸鍍等製作成遮光材料。藉此，可以有效地製造本發明的切割晶片接合膜10。

黏著劑層2的厚度沒有特別限制，自防止晶片切割面的缺口及保持接著層的固定的兼顧性等觀點而言，較佳為約1μm~約50μm，更佳約2μm~約30μm，進而佳約5μm~約25μm。

上述晶片接合膜3含有接著劑組成物以及包含微粒子(由微粒子所組成)的填充材料，且上述晶片接合膜的厚度設為Y(μm)，上述填充材料的最大粒徑設為X(μm)時，只要比值X/Y為1以下，則對上述晶片接合膜無特別限定。

上述填充材料可列舉無機填料或有機填料。自操作性及熱傳導性的提升、溶融黏度的調整、並且賦予觸變性的觀點而言，較佳為無機填料。

作為無機填料並無特別限定，例如可列舉：二氧化矽、氫氧化鋁、氫氧化鈣、氫氧化鎂、三氧化二銻、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁、氮化硼、結晶二氧化矽、非結晶二氧化矽等。上述無機填料可單獨使用或併用兩種以上。自熱傳導性提升的觀點而言，較佳為氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、結晶二氧化矽、非結晶二氧化矽等。另外，自與晶片接合膜3的接著性的平衡的觀點而言，較佳為二氧化矽。另外，作為上述有機填料可列舉聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚醚酮、聚醚醯亞胺、聚酯醯亞胺、耐綸(nylon)、聚矽氧等。上述有機填料可單獨使用或可併用兩種以上。

上述填充材料的最大粒徑X(μm)較佳為0.05μm~5μm，更佳為0.05μm~3μm。藉由使填充材料的最大粒徑為0.05μm以上，則可成為對被黏體的濕潤性良好的晶片接合膜，且抑制接著性的下降。另一方面，藉由使上述最大粒徑為5μm以下，則可防止填充材料從晶片接合膜3的表面突出，且減少在晶片接合時對半導體晶片局部性地施加過度應力。另外，本發明中亦可將平均粒徑彼此不同的填充材料組合使用。另外，填充材料的最大粒徑例如是由光度式的粒徑分布計(HORIBA製造，裝置名稱：LA-910)求出的值。

上述填充材料的形狀並無特別限定，例如可使用球狀、橢圓體狀的填充材料。

相對於上述接著劑組成物的重量100重量份，上述填充材料的含有量較佳為在1重量份~80重量份的範圍內，更佳為在1重量份~50重量份的範圍內。藉由使上述含有量為1重量份以上，則可成為對被黏體的濕潤性良好的晶片接合膜，且抑制接著性的下降。另一方面，藉由使上述含有量為80重量份以下，則可防止填充材料從晶片接合膜3的表面突出，且減少在晶片接合時對半導體晶片局部性地施加過度應力。

另外，相對於上述接著劑組成物的100體積份，上述填充材料的含有量較佳為在1體積份~40體積份的範圍內，更佳為在1體積份~30體積份的範圍內。藉由使填充材料為1體積份以上，則可成為對被黏體的濕潤性良好的晶片接合膜，且抑制接著性的下降。另一方面，藉由使填充材料為80體積份以下，則可防止填充材料從晶片接合膜3的表面突出，且減少在晶片接合時對半導體晶片局部性地施加過度應力。

另外，晶片接合膜3的厚度Y(μm)(若為積層體，則為總厚度)並無特別限定，然而較佳為在1μm~5μm的範圍內，更佳為在2μm~4μm的範圍內。藉由使上述厚度Y(μm)為1μm以上，則可成為對被黏體的濕潤性良好的晶片接合膜，且抑制接著性的下降。另一方面，藉由使上述厚度Y(μm)為5μm以下，則可防止填充材料從晶片接合膜3的表面突出，且減少在晶片接合時對半導體晶片局部性地施加過度應力。

晶片接合膜3中粗糙度曲線的最大剖面高度Rt較佳為0.1μm~2.3μm的範圍內，更佳為1μm~1.5μm的範圍內。藉由使上述最大剖面高度Rt為0.1μm以上，則可使拾取變得容易。另一方面，藉由使上述最大剖面高度為2.3μm以下，則可減少局部性地施加過度應力。然而，根據JISB 0601，並且使用非接觸式表面粗糙度測定裝置(日本Veeco公司製造，WYKO)，上述粗糙度曲線的最大剖面高度Rt為經過表面傾斜度修正後所測定的值。

上述接著劑組成物並無特別限定，然而較佳為包含環氧樹脂、苯酚樹脂以及丙烯酸共聚合體的接著劑組成物。

上述環氧樹脂若為一般用於作為接著劑組成物的環氧樹脂，則無特別限定，例如可用雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯苯型、萘型、茀型、苯酚酚醛型、鄰甲酚酚醛型、三羥苯基甲烷型、四羥苯基乙烷型等雙官能環氧樹脂或多官能環氧樹脂、或者乙內醯脲型、異三聚氰酸三縮水甘油酯型或縮水甘油基胺型等環氧樹脂。這些環氧樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。這些環氧樹脂，在本發明中特佳為具有苯環、聯苯環、萘環等芳香族環的環氧樹脂。具體可列舉酚醛型環氧樹脂、含有苯二甲基骨架的苯酚酚醛型環氧樹脂、含有聯苯骨架酚醛型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、四甲基聯苯酚型環氧樹脂、三苯基甲烷型環氧樹脂、萘型環氧樹脂等。原因在於這些環氧樹脂與作為固化劑的苯酚樹脂的反應性高、耐熱性等優良。另外，環氧樹脂較少含有使半導體元件腐蝕的離子性不純物等。

上述環氧樹脂的重量平均分子量較佳為在300~1500的範圍內，更佳為在350~1000的範圍內。若重量平均分子量未滿300，則熱固化後的晶片接合膜3的機械強度、耐熱性、耐濕性會有下降的情況。另一方面，若重量平均分子量超過1500，則熱固化後的晶片接合膜3變成剛性而會有脆弱的情況。然而，本發明中的重量平均分子量是意指利用凝膠滲透層析法(GPC)，並且使用根據標準聚苯乙烯的校準線的聚苯乙烯換算值。

進而上述苯酚樹脂是用於作為上述環氧樹脂的固化劑，例如可列舉苯酚酚醛樹脂、苯酚聯苯樹脂、苯酚芳烷樹脂、甲酚酚醛樹脂、第三丁基苯酚酚醛樹脂、壬基苯酚酚醛樹脂等酚醛型苯酚樹脂、可溶酚醛樹脂型苯酚樹脂、聚對氧苯乙烯等聚氧苯乙烯等。這些苯酚樹脂可單獨使用，或兩種以上組合使用。這些苯酚樹脂中較佳為苯酚酚醛樹脂或苯酚芳烷樹脂。這是因為可以提高半導體裝置的連接可靠度。

上述苯酚樹脂的重量平均分子量較佳為在300~1500的範圍內，更佳為在350~1000的範圍內。若重量平均分子量未滿300，則上述環氧樹脂的熱固化會有不充分且無法得到充分的強韌性的情況。另一方面，若重量平均分子量超過1500，則會有變得高黏度，且在晶片接合膜的製造時的操作性下降的情況。

上述環氧樹脂與苯酚樹脂的調配比例例如以上述環氧樹脂成分中的環氧基每1當量，苯酚樹脂中的羥基較合適為0.5當量~2.0當量的方式調配。更合適為0.8當量~1.2當量。即若兩者的調配比例超過上述範圍，則無法進行充分的固化反應，且環氧樹脂固化物的特性容易劣化。

另外，相對於丙烯酸共聚合體100重量份，上述環氧樹脂與苯酚樹脂的混合量較佳為在10重量份~200重量份的範圍內。

作為上述丙烯酸共聚合體並無特別限定，然而在本發明中較佳為含有羧基的丙烯酸共聚合體、含有環氧基丙烯酸共聚合體。作為用於上述含有羧基的丙烯酸共聚合體的官能基單體可列舉丙烯酸或甲基丙烯酸。丙烯酸或甲基丙烯酸的含有量是以酸價在1~4的範圍內的方式調節而成。其剩餘部位可用丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯等具有碳數1~8的烷基的丙烯酸烷酯、甲基丙烯酸烷酯、苯乙烯、或丙烯醯腈等混合物。這些化合物中特佳為(甲基)丙烯酸乙酯及/或(甲基)丙烯酸丁酯。混合比例較佳為考慮下述的上述丙烯酸共聚合體的玻璃轉換點(Tg)而調整。另外作為聚合的方法並無特別限定，例如可採用溶液聚合法、塊狀聚合法、懸濁聚合法、乳化聚合法等先前公知的方法。

另外，可與上述單體成份共聚合的其他單體成份並無特別限定，例如可列舉丙烯醯腈等。這些可共聚合的單體成份的使用量相對於總單體成份較佳為在1重量%~20重量%的範圍內。藉由含有上述數值範圍內的單體成份，則可謀求凝聚力、接著性等的改質。

作為丙烯酸共聚合體的聚合方法並無特別限定，例如可採用溶液聚合法、塊狀聚合法、懸濁聚合法、乳化聚合法等先前公知的方法。

上述丙烯酸共聚合體的玻璃轉換點(Tg)較佳為-30℃~30℃，更佳為-20℃~15℃。藉由使玻璃轉換點為-30℃以上則可確保耐熱性而獲得。另一方面，藉由使玻璃轉換點為30℃以下，則可提高在表面狀態粗糙的晶圓中的切割後的晶片飛出的防止效果。

上述丙烯酸共聚合體的重量平均分子量較佳為10萬~100萬，更佳為35萬~90萬。藉由使重量平均分子量為10萬以上，則可使對被黏體表面的高溫時的接著性優異，且亦可提升耐熱性。另一方面，藉由使重量平均分子量為100萬以下，則可容易地溶解於有機溶劑。

另外，對於晶片接合膜3、3’可視需要適宜地調配其他添加物。作為其他添加物例如可列舉阻燃劑、矽烷耦合劑或離子捕獲(ion trap)劑等。

作為上述阻燃劑例如可列舉三氧化銻、五氧化銻、溴化環氧樹脂等。這些阻燃劑可以單獨使用或者兩種以上組合使用。

作為上述矽烷耦合劑例如可列舉：β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、γ- 環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等。這些化合物可以單獨使用或者兩種以上組合使用。

作為上述離子捕獲劑，例如可列舉：水滑石類、氫氧化鉍等。這些離子捕獲劑可以單獨使用或者兩種以上組合使用。

作為上述環氧樹脂與苯酚樹脂的熱固化促進觸媒並無特別限定，例如較佳為三苯基膦骨架、胺骨架、三苯基硼烷骨架、三鹵素硼烷骨架等任一者所形成的塩。

然而，晶片接合膜例如可以是僅包括接著劑層的單層的構成。另外，亦可適宜組合玻璃轉換溫度不同的熱可塑性樹脂、熱固化溫度不同的熱固化樹脂而形成兩層以上的多層結構。然而，由於半導體晶圓的切割步驟中使用切削水，因此會有晶片接合膜吸濕且含有常態以上的含水率的情況。若將高含水率的晶片接合膜直接接著於基板等，則在後固化的階段在接著界面會有水蒸氣聚集而發生掀起的情況。因此，藉由以接著劑層包夾高透濕性芯材的構成來作為晶片接合膜，在後固化的階段中，水蒸氣通過膜而擴散開來，因而可避免上述問題。就如上所述的觀點而言，晶片接合膜可以是在芯材的單面或雙面形成有接著劑層的多層結構。

作為上述芯材可列舉膜(例如聚醯亞胺膜、聚酯膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚碳酸酯膜等)、玻璃纖維、以塑膠製不織纖維強化的樹脂基板、鏡面矽晶圓、矽基板或玻璃基板等。

另外，晶片接合膜3較佳為藉由分隔板(separator)而被保護著(未圖示)。分隔板是具有供給至實用之前保護晶片接合膜作為保護材的功能。另外，分隔板進而可用於作為將晶片接合膜3、3’轉印至切割膜時的支撐基材。分隔板是於晶片接合膜上貼著工件時剝離。作為分隔板可使用聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯或利用氟類剝離劑、長鏈丙烯酸烷酯類剝離劑等的剝離劑進行表面塗布過的塑膠膜或紙等。

(半導體裝置的製造方法)

本實施方式的切割晶片接合膜10、12是將任意設置於晶片接合膜3、3’上的分隔板適宜剝離，而如下所述地使用。以下一邊參照圖示一邊將使用切割晶片接合膜10的情況作為例子進行說明。

首先，如圖1所示，切割晶片接合膜10中於晶片接合膜3的半導體晶圓黏貼部分3a上壓接半導體晶圓4，並使其接著保持而固定(安裝步驟)。此步驟是藉由壓接輥等按壓手段一邊按壓一邊進行。

接著，進行半導體晶圓4的切割。藉此，將半導體晶圓4切斷成預定的尺寸而個片化，進而製造半導體晶片5。切割是例如自半導體晶圓4的電路面側以一般的方法進行。另外，此步驟中可採用進行切入至切割晶片接合膜10的所謂的全切(full cut)的切斷方式等。於此步驟所用的切割裝置並無特別限定，可使用先前公知的切割裝置。另外，半導體晶圓是藉由切割晶片接合膜10而被接著固定著，因此可抑制晶片缺角或晶片飛出，並且亦可抑制半導體晶圓4的破損。

為了剝離接著固定於切割晶片接合膜10的半導體晶片，而進行半導體晶片5的拾取。拾取的方法並無特別限定，可採用先前公知的各種方法。例如可列舉自切割晶片接合膜10側藉由針(needle)將個別的半導體晶片5頂起，藉由拾取裝置將被頂起的半導體晶片5拾取的方法等。

因為黏著劑層2是紫外線固化型，此處的拾取是將紫外線照射至上述黏著劑層之後進行。藉此，黏著劑層2對晶片接合膜中與半導體晶圓黏貼的部份3a的黏著力降低，且半導體晶片5的剝離變得容易。其結果，可以不使半導體晶片損傷的方式進行拾取。紫外線照射時的照射強度、照射時間等條件並無特別限定，可視需要而適宜設定。另外，於紫外線照射時使用的光源可使用先前公知的光源。

經拾取的半導體晶片5可通過晶片接合膜接著固定(晶片接合)於被黏體6。此時的晶片接合溫度較佳為在100℃~180℃的範圍內，更佳為在100℃~160℃的範圍內。另外，作為接合壓力較佳為在0.05MPa~0.5MPa的範圍內，更佳為在0.05MPa~0.2MPa的範圍內。進而，作為接合時間較佳為在0.1秒~5秒的範圍內，更佳為在0.1秒~3秒的範圍內。即使以上述條件下進行晶片接合，在本發明中藉由晶片接合膜中所含有的填充材料亦可減少於半導體晶片5局部性的應力集中，因此可有效地防止半導體晶片5的破損。

作為被黏體6可列舉引線框、TAB膜、基板或以其他方法製造的半導體晶片等。被黏體6例如可以是容易變形的變形型被黏體，亦可以是不容易變形的非變形型被黏體(半導體晶圓等)。作為上述基板，可使用先前公知的基板。另外，作為上述引線框可使用銅引線框、42合金引線框等金屬引線框或包括玻璃環氧樹脂、BT(雙順丁烯二亞醯胺-三吖嗪)、聚醯亞胺等有機基板。但是，本發明不限定於此，亦包括將半導體元件安裝且與半導體元件電性連接而可使用的電路基板。

本發明的晶片接合膜3為熱固型，因此可藉由加熱固化使半導體晶片5接著固定於被黏體6並提高耐熱強度。另外，通過半導體晶圓黏貼部分3a使半導體晶片5接著固定於基板等而成的材料可供給回流焊接步驟。

另外上述晶片接合可不使晶片接合膜3固化，而僅使暫時固著於被黏體6。之後，不經過加熱步驟而進行打線接合，進而利用密封樹脂密封半導體晶片，亦可對上述密封樹脂進行後固化。

此時，作為晶片接合膜3，使用暫時固著時的剪切接著力相對於被黏體6為0.2MPa以上的晶片接合膜，較佳為使用剪切接著力更佳為在0.2MPa~10MPa的範圍內的晶片接合膜。若晶片接合膜3的剪切接著力至少0.2MPa以上，即使不經過加熱步驟而進行打線接合步驟，在上述步驟中由於超音波震動或加熱，在晶片接合膜3與半導體晶片5或被黏體6的接著面不會產生偏移變形。即，半導體元件並不由於打線接合時的超音波震動而移動，藉此防止打線接合的成功率降低。

上述打線接合是利用接合線7將被黏體6的端子部(內部引線)的末端與半導體晶片上的電極焊墊(未圖示)電性連接的步驟(參考圖3)。作為上述接合線7，可以使用例如：金線、鋁線或銅線等。進行打線接合時的溫度在80℃~250℃、較佳為在80℃~220℃的範圍內進行。另外，打線接合的加熱時間進行數秒~數分鐘。連接是在上述溫度範圍內加熱的狀態下，藉由組合使用超聲波振動能與施加的壓力而產生的壓接能來進行。

本步驟可以在使晶片接合膜中與半導體晶圓黏貼的部份3a不完全熱固化的情況下進行。另外，本步驟的過程中半導體晶片5與被黏體6未藉由晶片接合膜中與半導體晶圓黏貼的部份3a而固著。

上述密封步驟是藉由密封樹脂8將半導體晶片5密封的步驟(參考圖3)。本步驟是為了保護搭載在被黏體6上的半導體晶片5或接合線7而進行的。本步驟藉由利用模具將密封用的樹脂成型來進行。作為密封樹脂8，例如可以使用環氧類樹脂。樹脂密封時的加熱溫度通常在175℃下進行60秒~90秒時間，但是，本發明不限於此，例如，也可以在165℃~185℃下固化數分鐘。由此，在使密封樹脂固化的同時通過晶片接合膜中與半導體晶圓黏貼的部份3a將半導體晶片5與被黏體6固著。即，本發明中，即使在不進行後述的後固化步驟的情況下，在本步驟中也可以利用晶片接合膜中與半導體晶圓黏貼的部份3a進行固著，從而可以有助於減少製造步驟數及縮短半導體裝置的製造時間。

上述後固化步驟中，使在前述密封步驟中固化不足的密封樹脂8完全固化。即使在密封步驟中藉由晶片接合膜中與半導體晶圓黏貼的部份3a的固著未被進行的情況下，在本步驟中可連同密封樹脂8的硬化一起進行藉由晶片接合膜中與半導體晶圓黏貼的部份3a的固著。本步驟中的加熱溫度因密封樹脂的種類而異，例如是在165℃~185℃的範圍內，加熱時間為約0.5小時~約8小時。

另外，本發明的切割晶片接合膜，如圖4所示，也可適用於將多個半導體晶片積層進行三維安裝的情況。圖4是表示通過晶片接合膜三維安裝半導體晶片的例子的剖面示意圖。如圖4所示的三維安裝的情況下，首先，將切割為與半導體晶片相同尺寸的至少一個晶片接合膜中與半導體晶圓黏貼的部份3a暫時固著在被黏體6上後，通過晶片接合膜中與半導體晶圓黏貼的部份3a將半導體晶片5以其打線接合面為上側的方式進行暫時固著。然後，避開半導體晶片5的電極焊墊部分將晶片接合膜13進行暫時固著。進而，將另一個半導體晶片15以其打線接合面為上側的方式暫時固著到晶片接合膜13上。

然後，不進行熱固化步驟而進行打線接合步驟。藉此，以接合線7將半導體晶片5及另一個半導體晶片15中的各個電極焊墊與被黏體6電性連接。接著，利用密封樹脂8 進行將半導體晶片5等密封的密封步驟，並使密封樹脂固化。與此同時，藉由晶片接合膜中與半導體晶圓黏貼的部份3a將被黏體6與半導體晶片5之間固著。另外，藉由晶片接合膜13將半導體晶片5與另一個半導體晶片15之間固著。另外，密封步驟後，可以進行後固化步驟。

即使在半導體晶片的三維安裝的情況下，不進行藉由晶片接合膜中與半導體晶圓黏貼的部份3a、晶片接合膜13的加熱的加熱處理，因此可以簡化製造步驟並且謀求良率的提升。另外，被黏體6不會發生翹曲，半導體晶片5及另一個半導體晶片15也不會產生裂紋，因此能夠實現半導體元件的進一步的薄型化。

另外，如圖5所示，可以進行通過晶片接合膜在半導體晶片間積層隔片(spacer)的三維安裝。此時，首先在被黏體6上依序積層晶片接合膜中與半導體晶圓黏貼的部份3a、半導體晶片5以及晶片接合膜21並且暫時固著。進而，在晶片接合膜21上依序積層隔片9、晶片接合膜21、晶片接合膜中與半導體晶圓黏貼的部份3a以及半導體晶片5並且暫時固著。接著，不進行加熱步驟，而進行如圖5所示的打線接合步驟。藉此，利用接合線7將半導體晶片5中的電極焊墊與被黏體6電性連接。

然後，進行藉由密封樹脂8將半導體晶片5密封的密封步驟，並且使密封樹脂8固化的同時，藉由晶片接合膜中與半導體晶圓黏貼的部份3a、晶片接合膜21將被黏體6與半導體晶片5之間以及半導體晶片5與隔片9之間固著。藉此，得到半導體封裝體。密封步驟較佳為僅將半導體晶片5側單面密封的一次性密封法。密封是為了保護貼附在黏著片上的半導體晶片5而進行。作為其方法是以使用密封樹脂8在模具中成型為代表。密封期間，一般而言使用包括具有多個腔體的上模具與下模具的模具同時進行密封步驟。樹脂密封時的加熱溫度較佳為例如在170℃~180℃的範圍內。於密封步驟後亦可進行後固化步驟。然而，上數隔片9並無特別限定，可使用先前公知的矽晶片、聚醯亞胺膜等。另外，作為上述隔片可使用聚醯亞胺膜或樹脂基板等芯材。

然後，在印刷電路板上表面安裝上述的半導體封裝體。表面安裝方法例如可以列舉：預先在印刷電路板上供給焊料後，藉由熱風等加熱熔融而進行焊接的回流焊接。加熱方法可以列舉熱風回流、紅外線回流等。另外，可以是整體加熱、局部加熱的任意方式。加熱溫度較佳為在240℃~265℃的範圍內且加熱時間較佳為在1秒~20秒的範圍內。

(其他事項)

在上述基板等上三維安裝半導體元件時，形成有半導體元件的電路的面側中形成有緩衝塗布膜。作為上述緩衝塗布膜例如可列舉包括氮化矽膜或聚醯亞胺樹脂等耐熱樹脂的材料。

另外，半導體元件的三維安裝時，在各段所使用的晶片接合膜並不限定於包括同一組成的材料的晶片接合膜，可根據製造條件或用途而適宜變更。

另外，上述實施型態中，雖然敘述關於將多個半導體元件積層於基板等之後，一次性地進行打線接合步驟的方式，但是本發明並不限定於此。例如亦可於每次在基板等上積層半導體元件進行打線接合步驟。

實例

以下，對本發明的較佳實例例示地進行詳細說明，但是，該實例中記載的材料或調配量等只要沒有特別限定的記載，則本發明的主旨並非將本發明的範圍僅限定於該些範圍。另外，份在此意指重量份。

(實例1)

將三羥基苯基甲烷型環氧樹脂(日本化藥股份有限公司製，商品名：EPPN-501HY)12重量份、苯二甲基酚醛型苯酚樹脂(明和化成股份有限公司製)，商品名：MEH7800H)4重量份、丙烯酸共聚合體(NOGAWA CHEMICAL股份有限公司製，商品名Revital AR31)36重量份、作為填充材料的球狀二氧化矽(ADMATECHS股份有限公司製，商品名：SO-E2，最大粒徑1.4μm，平均粒徑0.5μm)40重量份溶解於甲基乙基酮，而調製出濃度15.0重量%的接著劑組成物。

將該接著劑組合物溶液塗布到作為剝離襯墊的聚矽氧烷脫模處理後的厚度38μm的包括聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜的脫模處理膜上，然後在130℃乾燥2分鐘。藉此，製作厚度5μm的熱固型晶片接合膜A。

(實例2)

將三羥基苯基甲烷型環氧樹脂(日本化藥股份有限公司製，商品名：EPPN-501HY)4重量份、苯二甲基酚醛型苯酚樹脂(明和化成股份有限公司製)，商品名：MEH7800H)4重量份、丙烯酸共聚合體(NOGAWA CHEMICAL股份有限公司製，商品名Revital AR31)12重量份、作為填充材料的球狀二氧化矽(ADMATECHS股份有限公司製，商品名：SO-E2，最大粒徑1.4μm，平均粒徑0.5μm)80重量份溶解於甲基乙基酮，而調製出濃度15.0重量%的接著劑組成物。

將該接著劑組合物溶液塗布到作為剝離襯墊的聚矽氧烷脫模處理後的厚度38μm的包括聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜的脫模處理膜上，然後在130℃乾燥2分鐘。藉此，製作厚度5μm的熱固型晶片接合膜B。

(實例3)

將三羥基苯基甲烷型環氧樹脂(日本化藥股份有限公司製，商品名：EPPN-501HY)12重量份、苯二甲基酚醛型苯酚樹脂(明和化成股份有限公司製)，商品名：MEH7800H)12重量份、丙烯酸共聚合體(NOGAWA CHEMICAL股份有限公司製，商品名Revital AR31)36重量份、作為填充材料的球狀二氧化矽(ADMATECHS股份有限公司製，商品名：SO-E2，最大粒徑1.4μm，平均粒徑0.5μm)40重量份溶解於甲基乙基酮，而調製出濃度15.0重量%的接著劑組成物。

將該接著劑組合物溶液塗布到作為剝離襯墊的聚矽氧烷脫模處理後的厚度38μm的包括聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜的脫模處理膜上，然後在130℃乾燥2分鐘。藉此，製作厚度3μm的熱固型晶片接合膜C。

(實例4)

將該接著劑組合物溶液塗布到作為剝離襯墊的聚矽氧烷脫模處理後的厚度38μm的包括聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜的脫模處理膜上，然後在130℃乾燥2分鐘。藉此，製作厚度3μm的熱固型晶片接合膜D。

(實例5)

將三羥基苯基甲烷型環氧樹脂(日本化藥股份有限公司製，商品名：EPPN-501HY)12重量份、苯二甲基酚醛型苯酚樹脂(明和化成股份有限公司製)，商品名：MEH7800H)12重量份、丙烯酸共聚合體(NOGAWA CHEMICAL股份有限公司製，商品名Revital AR31)36重量份、作為填充材料的球狀二氧化矽(ADMATECHS股份有限公司製，商品名：SO-E3，最大粒徑5.0μm，平均粒徑0.9μm)40重量份溶解於甲基乙基酮，而調製出濃度15.0重量%的接著劑組成物。

將該接著劑組合物溶液塗布到作為剝離襯墊的聚矽氧烷脫模處理後的厚度38μm的包括聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜的脫模處理膜上，然後在130℃乾燥2分鐘。藉此，製作厚度5μm的熱固型晶片接合膜E。

(實例6)

將三羥基苯基甲烷型環氧樹脂(日本化藥股份有限公司製，商品名：EPPN-501HY)4重量份、苯二甲基酚醛型苯酚樹脂(明和化成股份有限公司製)，商品名：MEH7800H)4重量份、丙烯酸共聚合體(NOGAWA CHEMICAL股份有限公司製，商品名Revital AR31)12重量份、作為填充材料的球狀二氧化矽(ADMATECHS股份有限公司製，商品名：SO-E3，最大粒徑5.0μm，平均粒徑0.9μm)80重量份溶解於甲基乙基酮，而調製出濃度15.0重量%的接著劑組成物。

將該接著劑組合物溶液塗布到作為剝離襯墊的聚矽氧烷脫模處理後的厚度38μm的包括聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜的脫模處理膜上，然後在130℃乾燥2分鐘。藉此，製作厚度5μm的熱固型晶片接合膜F。

(比較例1)

將該接著劑組合物溶液塗布到作為剝離襯墊的聚矽氧烷脫模處理後的厚度38μm的包括聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜的脫模處理膜上，然後在130℃乾燥2分鐘。藉此，製作厚度3μm的熱固型晶片接合膜G。

(比較例2)

將該接著劑組合物溶液塗布到作為剝離襯墊的聚矽氧烷脫模處理後的厚度38μm的包括聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜的脫模處理膜上，然後在130℃乾燥2分鐘。藉此，製作厚度3μm的熱固型晶片接合膜H。

(比較例3)

將三羥基苯基甲烷型環氧樹脂(日本化藥股份有限公司製，商品名：EPPN-501HY)12重量份、苯二甲基酚醛型苯酚樹脂(明和化成股份有限公司製)，商品名：MEH7800H)12重量份、丙烯酸共聚合體(NOGAWA CHEMICAL股份有限公司製，商品名Revital AR31)36重量份、作為填充材料的球狀二氧化矽(ADMATECHS股份有限公司製，商品名：SO-E5，最大粒徑8.0μm，平均粒徑1.3μm)40重量份溶解於甲基乙基酮，而調製出濃度15.0重量%的接著劑組成物。

將該接著劑組合物溶液塗布到作為剝離襯墊的聚矽氧烷脫模處理後的厚度38μm的包括聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜的脫模處理膜上，然後在130℃乾燥2分鐘。藉此，製作厚度5μm的熱固型晶片接合膜I。

(比較例4)

將三羥基苯基甲烷型環氧樹脂(日本化藥股份有限公司製，商品名：EPPN-501HY)4重量份、苯二甲基酚醛型苯酚樹脂(明和化成股份有限公司製)，商品名：MEH7800H)4重量份、丙烯酸共聚合體(NOGAWA CHEMICAL股份有限公司製，商品名Revital AR31)12重量份、作為填充材料的球狀二氧化矽(ADMATECHS股份有限公司製，商品名：SO-E5，最大粒徑8.0μm，平均粒徑1.3μm)80重量份溶解於甲基乙基酮，而調製出濃度15.0重量%的接著劑組成物。

將該接著劑組合物溶液塗布到作為剝離襯墊的聚矽氧烷脫模處理後的厚度38μm的包括聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜的脫模處理膜上，然後在130℃乾燥2分鐘。藉此，製作厚度5μm的熱固型晶片接合膜J。

(比較例5)

將該接著劑組合物溶液塗布到作為剝離襯墊的聚矽氧烷脫模處理後的厚度38μm的包括聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜的脫模處理膜上，然後在130℃乾燥2分鐘。藉此，製作厚度3μm的熱固型晶片接合膜K。

(比較例6)

將三羥基苯基甲烷型環氧樹脂(日本化藥股份有限公司製，商品名：EPPN-501HY)4重量份、苯二甲基酚醛型苯酚樹脂(明和化成股份有限公司製)，商品名： MEH7800H)4重量份、丙烯酸共聚合體(NOGAWA CHEMICAL股份有限公司製，商品名Revital AR31)12重量份、作為填充材料的球狀二氧化矽(ADMATECHS股份有限公司製，商品名：SO-E5，最大粒徑8.0μm，平均粒徑1.3μm)80重量份溶解於甲基乙基酮，而調製出濃度15.0重量%的接著劑組成物。

將該接著劑組合物溶液塗布到作為剝離襯墊的聚矽氧烷脫模處理後的厚度38μm的包括聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜的脫模處理膜上，然後在130℃乾燥2分鐘。藉此，製作厚度3μm的熱固型晶片接合膜L。

(填充材料的平均粒徑以及最大粒徑的測定)

填充材料的平均粒徑以及最大粒徑的測定是使用光度式的粒徑分布計(HORIBA製造，裝置名稱：LA-910)而進行。結果示於下述表1以及表2。然而，最大粒徑是將橫軸作為粒徑、縱軸作為相對粒子數的二維圖表中，將以基準線與該曲線所包圍的面積作為100%時，從粒徑較小側積分算出該面積的累計面積達為100%時的粒徑作為最大粒徑。

(粗糙曲線的最大剖面高度Rt)

在各實例以及比較例所製造出的熱固型晶片接合膜的粗糙曲線的最大剖面高度Rt是根據JISB0601，並且使用非接觸式表面粗糙度測定裝置(日本Veeco公司製造，WYKO)，於進行表面傾斜度修正後進行測量。將結果示於下述表1以及表2。

(有無半導體晶圓的破損的確認)

首先，製造出切割膜。即，在厚度為100μm的包括聚烯烴的基材上塗布丙烯酸類黏著劑組成物的溶液，然後進行乾燥，形成厚度為10μm的黏著劑層而製造出切割膜。

另外，上述丙烯酸類黏著劑的溶液是以如下的方式調製而成。即，首先將丙烯酸丁酯、丙烯酸乙酯、2-羥基丙烯酸酯與丙烯酸以60/40/4/1的比例共聚合，而得到重量平均分子量為800,000的丙烯酸類聚合物。接著，在此丙烯酸類聚合物中調配作為交聯劑的多官能環氧類交聯劑0.5重量份，作為光聚合性化合物的二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯90重量份，作為光聚合起始劑的α -羥基環已基苯酮5重量份，並且將該些化合物均勻地溶解於作為有機溶劑的甲苯。藉此，製作出上述丙烯酸類黏著劑的溶液。

然後，將脫模處理模上的熱固型晶片接合膜貼合於上述切割模的黏著劑層上。貼合條件設定為層壓溫度40℃，線壓5kgf/cm。藉此，製造出具有關於各實例以及比較例的熱固化晶片接合膜的切割晶片接合膜。

接著，在各切割晶片接合膜的熱固型晶片接合膜上安裝半導體晶圓(直徑12英吋，厚度50μm)。安裝條件如下所述。

[貼合條件]

黏貼裝置：日東精機製，MA-30000III

黏貼速度：10mm/sec

黏貼壓力：0.25MPa

黏貼時平台溫度：40℃

之後，進行半導體晶圓的切割，而形成5mm見方的晶片尺寸的半導體晶片。切割條件如下所述。

[切割條件]

切割裝置：DISCO公司製造，DFD-6361

切割環：2-8-1(DISCO公司製造)

切割速度：80mm/sec

切割刀片：DISCO公司製造2050HEDD

切割刀片轉速：40,000rpm

刀片高度：0.170mm

切斷方式：A模式/階段切斷(step cut)

進而將各切割晶片接合膜拉伸，使各晶片間成為預定間隔的方式進行擴張(expend)步驟。之後，以自各切割晶片接合膜的基材側利用針頂起的方式，連同晶片接合膜將半導體晶片拾取。拾取條件如下所述。

[拾取條件]

針：總長10mm、直徑0.7mm、銳角度15deg、尖端R350μm

針數：5根

針頂起量：350μm

針頂起速度：5mm/sec

筒夾(collet)保持時間：200msec

擴張量：3mm

接著，將經拾取的半導體晶片在引線框上晶片接合，並且確認此時的半導體晶片的破損。結果示於下述表1以及表2。然而，晶片接合的條件如下所述。

[晶片接合條件]

晶片接合溫度：120℃

接合壓力：0.1MPa

接合時間：1sec

後固化：在150℃下1小時

(結果)

如自下述表1和表2中得知，如同本發明各實例的熱固型晶片接合膜，其厚度Y(μm)與填充材料的最大粒徑X(μm)的比值X/Y為1以下，則可使半導體晶片不破損的方式在引線框上晶片接合。另一方面，比值X/Y超過1的各比較例的熱固型晶片接合膜，則在晶片接合時在半導體晶片確認有破損。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

1‧‧‧基材

2‧‧‧黏著劑層

2a‧‧‧黏合劑層中與半導體晶片黏貼部分對應的部分

2b‧‧‧黏合劑層的其他部分

3、3’、13、21‧‧‧晶片接合膜(熱固型晶片接合膜)

3a‧‧‧晶片接合膜中與半導體晶圓黏貼的部分

3b‧‧‧晶片接合膜中的其他部分

4‧‧‧半導體晶圓

5、15‧‧‧半導體晶片

6‧‧‧被黏體

7‧‧‧接合線

8‧‧‧密封樹脂

9‧‧‧隔片

10、11‧‧‧切割晶片接合膜

圖1是表示本發明的一實施型態的切割晶片接合膜的剖面示意圖。

圖2是表示上述實施型態的另一切割晶片接合膜的剖面示意圖。

圖3是表示通過本發明的一實施型態的晶片接合膜安裝半導體晶片的例子的剖面示意圖。

圖4是表示通過上述晶片接合膜三維安裝半導體晶片的例子的剖面示意圖。

圖5是表示使用上述晶片接合膜，隔著隔片(spacer)三維安裝兩個半導體晶片的例子的剖面示意圖。