TWI503395B - 晶片接合薄膜、切割‧晶片接合薄膜以及半導體裝置的製造方法 - Google Patents

Description

晶片接合薄膜、切割‧晶片接合薄膜以及半導體裝置的製造方法

本發明關於例如將半導體晶片等半導體元件固著到基板或引線框等被黏物上時使用的晶片接合薄膜。另外，本發明關於在切割薄膜上層疊有該晶片接合薄膜的切割‧晶片接合薄膜及使用其製造半導體裝置的方法。

以往，在半導體裝置的製造過程中，在引線框或電極構件上固著半導體晶片時採用銀漿。所述固著處理藉由在引線框的晶片焊墊等上塗布漿狀接著劑，在其上搭載半導體晶片並使漿狀接著劑層固化來進行。

但是，漿料接著劑由於其黏度行為或劣化等而在塗布量或塗布形狀等方面產生大的偏差。結果，形成的漿狀接著劑厚度不均勻，因此半導體晶片的固著強度缺乏可靠性。即，漿狀接著劑的塗布量不足時半導體晶片與電極構件之間的固著強度降低，在後續的打線步驟中半導體晶片剝離。另一方面，漿狀接著劑的塗布量過多時漿狀接著劑流延到半導體晶片上而產生特性不良，成品率和可靠性下降。這樣的固著處理中的問題，伴隨半導體晶片的大型化變得特別顯著。因此，需要頻繁地進行漿狀接著劑的塗布量的控制，從而給作業性或生產率帶來問題。

在該漿狀接著劑的塗布步驟中，有將漿狀接著劑分別塗布到引線框、形成晶片上的方法。但是，在該方法中，漿狀接著劑層難以均勻化，並且漿狀接著劑的塗布需要特 殊裝置和長時間。因此，提出了在切割步驟中接著保持半導體晶片、並且也提供安裝步驟所需的晶片固著用接著劑層的切割‧晶片接合薄膜(例如，參考下述專利文獻1)。

這種切割‧晶片接合薄膜具有在切割薄膜上層疊有接著劑層(晶片接合薄膜)的結構。另外，切割薄膜具有在支撐基材上層疊有黏著劑層的結構。該切割‧晶片接合薄膜以如下方式使用。即，在晶片接合薄膜的保持下將半導體晶片切割後，將支撐基材拉伸而將半導體晶片與晶片接合薄膜一起剝離並將其分別回收。另外，藉由晶片接合薄膜將半導體晶片接著固定到BT(馬來醯亞胺-三嗪)基板或引線框等被黏物上。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開昭60-57642號公報

近年來，推行半導體晶片安裝的多段化，因此具有打線步驟或晶片接合薄膜的固化步驟需要長時間的傾向。這些步驟中將切割‧晶片接合薄膜的晶片接合薄膜在高溫下長時間處理，在作為隨後步驟藉由密封樹脂進行密封步驟時，有時出現在晶片接合薄膜與被黏物的邊界積存氣泡(空隙)的狀態。使用產生了這樣的空隙的半導體裝置進行作為半導體相關部件的可靠性評價而進行的耐濕回流焊接試驗時，會導致在所述邊界產生剝離，從而對於半導體裝置的可靠性而言不能說是充分的狀況。另外，將所述晶片接合薄膜長時間高溫處理時，產生打線不良或者密封時密封樹 脂進入所述邊界。

本發明鑒於這樣的問題而創立，其目的在於提供例如即使約1小時的短時間固化的情況下也可以得到充分的接著力及高溫下的彈性模數，打線步驟或密封步驟中的作業性良好，並且經過這些步驟後在晶片接合薄膜與被黏物的邊界不積存氣泡(空隙)，並且在固化後在高溫下可以得到充分的剪切接著力，也可以耐受耐濕回流焊接試驗的可靠性高的晶片接合薄膜、以及具有該晶片接合薄膜的切割‧晶片接合薄膜以及半導體裝置的製造方法。

本發明人為了解決所述現有問題對晶片接合薄膜進行了研究。結果發現，之所以在晶片接合薄膜與被黏物的邊界產生空隙，主要原因是由於晶片接合薄膜的高溫處理而使得晶片接合薄膜中所含的低分子量的樹脂成分劇烈反應，並且之所以產生打線不良或密封時產生密封樹脂進入，主要原因是低分子量樹脂成分進行反應時不產生凝聚力從而高溫下的接著力不足，並且完成了本發明。

即，本發明的晶片接合薄膜，其含有重量平均分子量50萬以上的含有縮水甘油基的丙烯酸類共聚物(a)(以下有時稱為“共聚物(a)”)和酚醛樹脂(b)，所述共聚物(a)的含量x相對於酚醛樹脂(b)的含量y的重量比(x/y)為5以上且30以下，並且實質上不含有重量平均分子量5000以下的環氧樹脂(以下有時稱為“低分子量環氧樹脂”)。

藉由這樣的構成，根據該晶片接合薄膜，即使進行以 往沒有設想過的高溫且長時間的熱處理，如半導體晶片的多段化進行的晶片接合後的打線步驟或晶片接合薄膜的固化步驟中的長時間高溫處理的情況下，也可以抑制低分子量樹脂成分的反應，並且在作為其後的步驟的利用密封樹脂的密封步驟後可以抑制或消除晶片接合薄膜與被黏物的邊界的氣泡(空隙)的產生。另外，在固化後在高溫下可以得到充分的剪切接著力，即使在耐濕回流焊接試驗中也可以確保高可靠性。共聚物(a)的重量平均分子量低於50萬時，有時高溫下的凝聚力變弱，從而不能得到充分的剪切接著力。另外，所述重量比小於5時，未反應的酚醛樹脂(b)會對耐濕回流焊接試驗中的可靠性產生影響。另外，所述重量比超過30時，晶片接合薄膜固化後高溫下的凝聚力下降，不能得到充分的剪切接著力。另外，含有低分子量環氧樹脂時，高溫處理時產生劇烈的反應，由所述邊界處的空隙產生或接著力的下降引起密封樹脂的進入。

另外，本發明中，“重量平均分子量5000以下的環氧樹脂”是指含有縮水甘油基的丙烯酸類共聚物(a)以外的環氧樹脂。另外，“實質上不含有”低分子量環氧樹脂是指所述低分子量環氧樹脂的含量低至充分享受本發明的效果的程度，優選含量為0%。但是，在所述共聚物(a)的製備時不可避免地殘留或者生成的重量平均分子量5000以下的成分包含在本發明的範圍內。

關於所述含有縮水甘油基的丙烯酸類共聚物(a)，優選：環氧值為0.15e.q./kg以上且0.65e.q./kg以下，玻璃化 轉變點為-15℃以上且40℃以下，並且150℃下的儲能彈性模數為0.1MPa以上。藉由將所述共聚物(a)的環氧值的下限設定為0.15e.q./kg，在固化後在高溫下可以得到充分的彈性模數，另外，藉由將共聚物(a)的環氧值上限設定為0.65e.q./kg，可以保持室溫下的保存性。另外，藉由將玻璃化轉變點的下限設定為-15℃，可以抑制在常溫下產生黏性，可以保持良好的操作性。另一方面，藉由將玻璃化轉變點的上限設定為40℃，可以防止晶片接合薄膜與矽晶片等半導體晶片的接著力下降。另外，所述共聚物(a)的150℃下的儲能彈性模數為0.1MPa以上時，即使對半導體晶片進行打線時也可以保持充分的接著力。結果，即使對接著固定在晶片接合薄膜上的半導體晶片進行打線時，也可以防止由於超音波振動或加熱引起的晶片接合薄膜與被黏物的接著面上的剪切變形，可以提高打線的成功率。

該晶片接合薄膜，優選：固化前50℃下的儲能彈性模數為10MPa以下，175℃下的儲能彈性模數為0.1MPa以上，並且在150℃固化1小時後，175℃下的儲能彈性模數為0.5MPa以上。藉由使固化前50℃下的儲能彈性模數為10MPa以下，可以確保對被黏物的潤濕性，保持接著力，並且藉由使175℃下的儲能彈性模數為0.1MPa以上，即使在對半導體晶片進行打線時也可以保持充分的接著力。另外，藉由使在150℃固化1小時後，175℃下的儲能彈性模數為0.5MPa以上，即使在耐濕回流焊接試驗中也可以防止晶片接合薄膜的剝離的產生，從而提高可靠性。同樣地， 該晶片接合薄膜在175℃固化1小時後在260℃下的儲能彈性模數優選為0.5MPa以上。

該晶片接合薄膜，優選：與被黏物黏貼並在150℃下固化1小時後，175℃下與被黏物之間的剪切接著力為0.3MPa以上。由此，即使對半導體晶片進行打線時也可以保持充分的接著力。結果，即使對接著固定在晶片接合薄膜上的半導體晶片進行打線時，也可以防止由於超音波振動或加熱引起的晶片接合薄膜與被黏物的接著面上的剪切變形，可以提高打線的成功率。

該晶片接合薄膜，優選含有0.05重量%以上的染料。結果，可以識別晶片接合薄膜和切割帶。

本發明的切割‧晶片接合薄膜，其具有切割帶以及層疊在該切割帶上的該晶片接合薄膜。本發明的切割‧晶片接合薄膜具有該晶片接合薄膜，因此在半導體裝置的製造步驟中，可以抑制或消除在晶片接合薄膜與基板等被黏物的邊界處產生氣泡(空隙)，並且在固化後即使在高溫下也可以發揮充分的剪切接著力，因此可以製造可靠性高的半導體裝置。

本發明的半導體裝置的製造方法，包括如下步驟：將該切割‧晶片接合薄膜的晶片接合薄膜與半導體晶片的背面黏則的黏貼步驟，將所述半導體晶片與所述切割‧晶片接合薄膜一起切割，從而形成晶片狀的半導體元件的切割步驟，將所述半導體元件與所述晶片接合薄膜一起從所述切割‧晶片接合薄膜上拾取的拾取步驟，藉由所述晶片接 合薄膜將所述半導體元件晶片接合到被黏物上的晶片接合步驟，和對所述半導體元件進行打線的打線步驟。

藉由該製造方法，可以防止在晶片接合薄膜與被黏物的邊界處積存空隙，並且可以有效地製造在耐濕回流焊接試驗中不產生剝離的可靠性高的半導體裝置。

以下以切割‧晶片接合薄膜的形態對本發明的晶片接合薄膜進行說明。本實施方式的切割‧晶片接合薄膜10，具有在切割薄膜上層疊有晶片接合薄膜3的結構(參考圖1)。所述切割薄膜具有在基材1上層疊有黏著劑層2的結構。晶片接合薄膜3層疊在切割薄膜的黏著劑層2上。

<晶片接合薄膜>

本發明的晶片接合薄膜3，含有重量平均分子量50萬以上的含有縮水甘油基的丙烯酸類共聚物(a)和酚醛樹脂(b)，所述共聚物(a)的含量x相對於酚醛樹脂(b)的含量y的重量比(x/y)為5以上且30以下，並且實質上不含有重量平均分子量5000以下的環氧樹脂。

(含有縮水甘油基的丙烯酸類共聚物(a))

共聚物(a)只要是重量平均分子量為50萬以上並且具有縮水甘油基的共聚物則沒有特別限制。在共聚物(a)中引入縮水甘油基的方法沒有特別限制，可以藉由含有縮水甘油基的單體與其他單體成分的共聚來引入，也可以藉由在製備丙烯酸類單體的共聚物後使該共聚物與具有縮水甘油基的化合物反應來引入。考慮共聚物(a)的製備容易性等， 優選藉由含有縮水甘油基的單體與其他單體成分的共聚來引入。作為含有縮水甘油基的單體，可以適合使用具有縮水甘油基並且具有可共聚的烯屬不飽和鍵的單體，可以列舉例如丙烯酸縮水甘油酯或甲基丙烯酸縮水甘油酯等。共聚物(a)中含有縮水甘油基的單體的含量，可以考慮目標共聚物(a)的玻璃化轉變點、環氧值來確定，通常為1~20莫耳%，優選1~15莫耳%，更優選1~10莫耳%。

作為構成共聚物(a)的其他單體，可以列舉例如：具有碳原子數1~8的烷基的丙烯酸烷基酯，如丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸戊酯、丙烯酸己酯等，具有碳原子數1~8的烷基的甲基丙烯酸烷基酯，如甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸戊酯、甲基丙烯酸己酯等，丙烯腈，苯乙烯，含羧基單體如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸或巴豆酸等，酸酐單體如馬來酸酐或衣康酸酐等，含羥基單體如(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯或(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯等，含磺酸基單體如苯乙烯磺酸、烯丙磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯醯氧萘磺酸等，或者含磷酸基單體如丙烯醯磷酸-2-羥基乙酯等。這些其他單體可以使 用一種或者兩種以上組合使用。所述其他單體中，優選具有碳原子數1~4的烷基的丙烯酸烷基酯及具有碳原子數1~4的烷基的甲基丙烯酸烷基酯中的至少一種以及丙烯腈，更優選丙烯酸乙酯及丙烯酸丁酯中的至少一種以及丙烯腈，特別優選包括它們全部。

構成共聚物(a)的單體的混合比率，優選考慮共聚物(a)的玻璃化轉變點及環氧值進行調節。共聚物(a)的聚合方法沒有特別限制，可以採用例如溶液聚合法、塊狀聚合法、懸浮聚合法、乳液聚合法等現有公知的方法。

共聚物(a)含有丙烯腈時，相對於共聚物(a)的總重量優選含有15重量%以上，更優選含有20重量%以上。共聚物(a)中丙烯腈的含量低於15重量%時，有時高溫(例如，150~260℃)下的凝聚力變弱，從而不能發揮充分的剪切接著力。

共聚物(a)的玻璃化轉變點(Tg)雖然只要能夠得到晶片接合薄膜與矽晶片間的適度接著性則沒有特別限制，但是優選-15℃以上且40℃以下，更優選-5℃以上且35℃以下。玻璃化轉變點低於-15℃時，有時共聚物(a)在常溫下產生黏性，從而難以操作。另一方面，玻璃化轉變點超過40℃時，有可能與矽晶片的接著力下降。

共聚物(a)的重量平均分子量為50萬以上即可，優選70萬以上。共聚物(a)的重量平均分子量低於50萬時，有時在高溫下的凝聚力變弱，從而不能得到充分的剪切接著力。另一方面，共聚物(a)的重量平均分子量的上限沒有特 別限制，但是考慮晶片接合薄膜製備時的溶解性或與矽晶片的接著力，上限為200萬即可，優選180萬。另外，本說明書中，重量平均分子量是指藉由凝膠滲透色譜法(GPC)使用標準聚苯乙烯校準曲線而得到的聚苯乙烯換算值。

共聚物(a)的環氧值優選為0.15e.q./kg以上且0.65e.q./kg以下，更優選0.2e.q./kg以上且0.5e.q./kg以下。藉由將所述共聚物(a)的環氧值調節為0.15e.q./kg以上，在固化後在高溫下可以得到充分的彈性模數，另外，藉由調節為0.65e.q./kg以下，可以保持室溫下保存性。另外，環氧值的計算在實施例中詳細說明。

(酚醛樹脂)

所述酚醛樹脂作為所述共聚物(a)的固化劑起作用，可以列舉例如：酚醛清漆型酚醛樹脂如苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚聯苯樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等，甲階酚醛樹脂型酚醛樹脂，聚氧基苯乙烯如聚對氧基苯乙烯等，等。這些酚醛樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。這些酚醛樹脂中優選以下化學式表示的聯苯型苯酚酚醛清漆樹脂或者苯酚芳烷基樹脂。這是因為可以提高半導體裝置的連接可靠性。

另外，所述式中n為0~10的自然數，優選0~5的自然數。藉由將所述n設定在所述數值範圍內，可以確保晶片接合薄膜3的流動性。

作為所述酚醛樹脂(b)，從耐熱性或反應性控制的觀點考慮，優選羥基當量為100g/eq以上且500g/eq以下的樹脂，更優選100g/eq以上且400g/eq以下的樹脂。

所述酚醛樹脂(b)的重量平均分子量只要可以得到共聚物(a)的熱固性則沒有特別限制，但是優選在300~3000的範圍內，更優選350~2000的範圍內。重量平均分子量低於300時，有時所述共聚物(a)的熱固化不充分，從而不能得到充分的韌性。另一方面，重量平均分子量超過3000時，成為高黏度，有時晶片接合薄膜製作時的作業性下降。

所述共聚物(a)的含量x相對於酚醛樹脂(b)的含量y的重量比(x/y)為5以上且30以下即可，優選5.5以上且25以下。所述重量比小於5時，未反應的酚醛樹脂(b)會對耐濕回流焊接試驗中的可靠性產生影響。另外，所述重量比超過30時，晶片接合薄膜的固化後的高溫下的凝聚力下降，不能得到充分的剪切接著力。

預先使本發明的晶片接合薄膜3某種程度地交聯時，可以在製作時添加與聚合物的分子鏈末端的官能基等反應的多官能化合物作為交聯劑。由此，可以提高高溫下的接著特性，改善耐熱性。

作為所述交聯劑，可以採用現有公知的交聯劑。特別是更優選甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、對苯 二異氰酸酯、1,5-萘二異氰酸酯、多元醇與二異氰酸酯的加成物等多異氰酸酯化合物。交聯劑的添加量相對於所述聚合物100重量份通常優選設定為0.05~7重量份。交聯劑的量超過7重量份時，接著力下降，因此不優選。另一方面，低於0.05重量份時，凝聚力不足，因此不優選。

本發明的晶片接合薄膜中，除了所述樹脂以外還可以適當調配填料。所述填料可以列舉無機填料和有機填料。從提高操作性和熱導性、調節熔融黏度以及賦予觸變性等觀點考慮，優選無機填料。

作為所述無機填料，沒有特別限制，可以列舉例如：二氧化矽、氫氧化鋁、氫氧化鈣、氫氧化鎂、三氧化二銻、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁、氮化硼、結晶二氧化矽、非晶二氧化矽等。這些填料可以單獨使用或者兩種以上組合使用。從提高熱導性的觀點考慮，優選氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、結晶二氧化矽、非晶二氧化矽。另外，從與晶片接合薄膜3的接著性的平衡的觀點考慮，優選二氧化矽。另外，作為所述有機填料，可以列舉聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚醚酮、聚醚醯亞胺、聚酯醯亞胺、尼龍、矽酮等。這些物質可以單獨使用或者兩種以上組合使用。

所述填料的平均粒徑優選為0.005μm~10μm，更優選0.05μm~1μm。所述填料的平均粒徑為0.005μm以上時，可以使對被黏物的潤濕性良好，可以抑制接著性的下降。另一方面，藉由將所述平均粒徑設定為10μm以下，可以 提高藉由添加填料產生的對晶片接合薄膜3的增強效果，提高耐熱性。另外，也可以將平均粒徑相互不同的填料組合使用。另外，填料的平均粒徑是利用光度式粒度分佈計(HORIBA製造，裝置名：LA-910)求得的值。

所述填料的形狀沒有特別限制，可以使用例如球形、橢球形的填料。

另外，設含有縮水甘油基的丙烯酸類共聚物(a)和酚醛樹脂(b)的合計重量為A重量份、填料的重量為B重量份時，比率B/(A+B)優選為大於0且為0.8以下，更優選大於0且為0.7以下。所述比率為0時，有時無添加填料帶來的增強效果，不能提高晶片接合薄膜3的耐熱性。另一方面，所述比率超過0.8時，有時對被黏物的潤濕性及接著性下降。

另外，所述晶片接合薄膜3中根據需要可以適當調配其他添加劑。作為其他添加劑，可以列舉例如：阻燃劑、矽烷耦合劑或離子捕獲劑等。

作為所述阻燃劑，可以列舉例如：三氧化二銻、五氧化二銻、溴化環氧樹脂等。這些物質可以單獨使用或者兩種以上組合使用。

作為所述矽烷耦合劑，可以列舉例如：β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等。這些化合物可以單獨使用或者兩種以上組合使用。

作為所述離子捕獲劑，可以列舉例如：水滑石類、氫 氧化鉍等。這些物質可以單獨使用或者兩種以上組合使用。

作為所述共聚物(a)與酚醛樹脂的熱固化促進催化劑沒有特別限制，優選例如：包含三苯基膦骨架、胺骨架、三苯基硼烷骨架、三鹵代硼烷骨架等中的任意一種骨架的鹽。

該晶片接合薄膜，固化前的50℃下的儲能彈性模數優選為10MPa以下，更優選8MPa以下。藉由使固化前的50℃下的儲能彈性模數為10MPa以下，可以確保對被黏物的潤濕性，保持接著力。

該晶片接合薄膜的175℃下的儲能彈性模數優選為0.1MPa以上，更優選0.2MPa以上。藉由使175℃下的儲能彈性模數為0.1MPa以上，即使在對半導體晶片進行打線時也可以保持充分的接著力。

另外，該晶片接合薄膜，在150℃固化1小時後在175℃下的儲能彈性模數優選為0.5MPa以上，更優選0.6MPa以上。藉由使在150℃固化1小時後在175℃下的儲能彈性模數為0.5MPa以上，即使在耐濕回流焊接試驗中也可以防止晶片接合薄膜的剝離的產生，可以提高可靠性。依據同樣的理由，該晶片接合薄膜在175℃固化1小時後在260℃下的儲能彈性模數優選為0.5MPa以上。

該晶片接合薄膜，與被黏物黏貼並在150℃下固化1小時後，在175℃下與被黏物之間的剪切接著力優選為0.3MPa以上，更優選0.35MPa以上。由此，即使對半導體晶片進行打線時也可以保持充分的接著力。結果，即使對 接著固定在晶片接合薄膜上的半導體晶片進行打線時，也可以防止由於超音波振動或加熱引起的晶片接合薄膜與被黏物的接著面上的剪切變形，可以提高打線的成功率。另外，晶片接合薄膜與被黏物之間的剪切接著力的測定方法在實施例中說明。

該晶片接合薄膜，優選具有所述各種儲能彈性模數及剪切接著力中的一種特性，更優選組合具有兩種以上的特性。

晶片接合薄膜3的厚度(層壓體的情況下為總厚度)沒有特別限制，例如為約5μm至約100μm，優選約5μm至約50μm。

另外，晶片接合薄膜例如可以採用僅由接著劑層單層構成的結構。另外，也可以將玻璃化轉變點不同的熱塑性樹脂、熱固化溫度不同的熱固性樹脂適當地組合而製成兩層以上的多層結構。另外，在半導體晶片的切割步驟中使用切削水，因此有時晶片接合薄膜吸濕從而含水率達到常態以上。如果以這樣高的含水率直接接著到基板等上，則在後固化階段水蒸汽積存在接著介面，有時產生翹起。因此，作為晶片接合薄膜，藉由採用用接著劑層夾住透濕性高的芯材的結構，在後固化階段水蒸汽透過薄膜擴散，可以避免所述問題。從這樣的觀點考慮，晶片接合薄膜可以採用在芯材的單面或雙面形成有接著劑層的多層結構。

作為所述芯材，可以列舉：薄膜(例如，聚醯亞胺薄膜、聚酯薄膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚萘二甲酸乙二 醇酯薄膜、聚碳酸酯薄膜等)、用玻璃纖維或塑膠製無紡纖維增強的樹脂基板、鏡面矽晶片、矽基板或玻璃基板等。

另外，晶片接合薄膜3優選由隔片保護(未圖示)。隔片具有在供給實際應用之前作為保護晶片接合薄膜的保護材料的功能。另外，隔片還可以作為向切割薄膜上轉印晶片接合薄膜3、3’時的支撐基材使用。隔片在向晶片接合膜上黏貼工件時剝離。作為隔片，可以使用聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯，也可以使用由含氟剝離劑、長鏈烷基丙烯酸酯類剝離劑等剝離劑進行了表面塗敷的塑膠薄膜或紙等。

另外，熱固化後的晶片接合薄膜3的吸濕率，優選為1重量%以下，更優選0.8重量%以下。藉由使吸濕率為1重量%以下，例如可以防止在回流焊接步驟中產生空隙。吸濕率的調節可以藉由例如改變無機填料的添加量等來進行。另外，吸濕率藉由在85℃、60%RH的氛圍下放置168小時時的重量變化來計算。

另外，作為本發明的切割‧晶片接合薄膜，除了圖1所示的晶片接合薄膜3以外，也可以是如圖2所示，僅在半導體晶體黏貼部分層疊有晶片接合薄膜3’的切割‧晶片接合薄膜11的構成。

<切割薄膜>

構成切割‧晶片接合薄膜10、11的切割薄膜具有在基材1上層疊有黏著劑層2的結構。以下，以基材和黏著劑層的順序進行說明。

(基材)

所述基材1作為切割‧晶片接合薄膜10、11的強度母體。作為基材1的構成材料，可以列舉例如：低密度聚乙烯、線性聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離聚物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚胺酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚醚醚酮、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳族聚醯胺、聚苯硫醚、芳族聚醯胺(紙)、玻璃、玻璃布、含氟樹脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纖維素類樹脂、矽酮樹脂、金屬(箔)、紙等。黏著劑層2為紫外線固化型的情況下，優選基材1對紫外線具有透射性。

另外，作為基材1的材料，可以列舉所述樹脂的交聯體等聚合物。所述塑膠薄膜可以未拉伸而使用，也可以根據需要進行單軸或雙軸拉伸處理後使用。利用藉由拉伸處理等而賦予了熱收縮性的樹脂片，藉由在切割後使該基材1熱收縮，可以減小黏著劑層2與晶片接合薄膜3、3’的接著面積，從而可以容易地回收半導體晶片。

為了提高與鄰接層的黏附性、保持性等，基材1的表面可以實施慣用的表面處理，例如，鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、電離放射線處理等化學或物理 處理、利用底塗劑(例如後述的黏合物質)的塗布處理。

所述基材1可以適當地選擇使用同種或不同種類的材料，根據需要也可以使用將數種材料共混後的材料。另外，為了賦予基材1防靜電性能，可以在所述基材1上設置包含金屬、合金、它們的氧化物等的厚度為約30Å~約500Å的導電性物質的蒸鍍層。基材1可以是單層或者兩種以上的多層。

基材1的厚度沒有特別限制，可以適當確定，一般為約5μm~約200μm。

(黏著劑層)

所述黏著劑層2藉由包含紫外線固化型黏著劑而構成。紫外線固化型黏著劑可以藉由紫外線的照射增大交聯度而容易地降低其黏合力，藉由僅對圖1所示的黏著劑層2的與半導體晶片黏貼部分對應的部分2a照射紫外線，可以設置2a與其他部分2b的黏合力之差。

另外，藉由按照圖2所示的晶片接合薄膜3’使紫外線固化型的黏著劑層2固化，可以容易地形成黏合力顯著下降的所述部分2a。由於晶片接合薄膜3’黏貼在固化而黏合力下降的所述部分2a上，因此黏著劑層2的所述部分2a與晶片接合薄膜3’的介面具有拾取時容易剝離的性質。另一方面，未照射紫外線的部分具有充分的黏合力，形成所述部分2b。

如前所述，圖1所示的切割‧晶片接合薄膜10的黏著劑層2中，由未固化的紫外線固化型黏著劑形成的所述部 分2b與晶片接合薄膜3黏合，可以確保切割時的保持力。這樣，紫外線固化型黏著劑可以以良好的接著-剝離平衡支撐用於將半導體晶片固著到被黏物上的晶片接合薄膜3。圖2所示的切割‧晶片接合薄膜11的黏著劑層2中，所述部分2b(與圖1中的部分2b對應)可以將晶圓環(wafer ring)固定。所述被黏物6沒有特別限制，可以列舉例如：BGA(球柵陣列)基板等各種基板、引線框、半導體元件、墊片等。

所述紫外線固化型黏著劑可以沒有特別限制地使用具有碳-碳雙鍵等紫外線固化性官能基，並且顯示黏合性的紫外線固化型黏著劑。作為紫外線固化型黏著劑，可以例示例如：在丙烯酸類黏著劑、橡膠類黏著劑等一般的壓敏黏著劑中調配有紫外線固化性的單體成分或低聚物成分的添加型紫外線固化型黏著劑。

作為所述壓敏黏著劑，從半導體晶片或玻璃等避忌污染的電子部件的利用超純水或醇類等有機溶劑的清潔洗滌性等的觀點考慮，優選以丙烯酸類聚合物為基礎聚合物的丙烯酸類黏著劑。

作為所述丙烯酸類聚合物，可以列舉例如：使用(甲基)丙烯酸烷基酯(例如，甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、第二丁酯、第三丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷酯、十二烷酯、十三烷酯、十四烷酯、十六烷酯、十八烷酯、二十烷酯等烷基的碳原子數1~30、特別是碳原子數4~18的直鏈或支鏈烷基酯等)及(甲基)丙烯酸環烷酯 (例如，環戊酯、環己酯等)中的一種或兩種以上作為單體成分的丙烯酸類聚合物等。另外，(甲基)丙烯酸酯表示丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，本發明的(甲基)全部表示相同的含義。

為了改善凝聚力、耐熱性等，所述丙烯酸類聚合物根據需要可以含有與能夠同所述(甲基)丙烯酸烷基酯或環烷酯共聚的其他單體成分對應的單元。作為這樣的單體成分，可以列舉例如：含羧基單體如丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等；酸酐單體如馬來酸酐、衣康酸酐等；含羥基單體如(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯等；含磺酸基單體如苯乙烯磺酸、烯丙磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧萘磺酸等；含磷酸基單體如丙烯醯磷酸-2-羥基乙酯等；丙烯醯胺、丙烯腈等。這些可共聚單體成分可以使用一種或兩種以上。這些可共聚單體的使用量優選為全部單體成分的40重量%以下。

另外，所述丙烯酸類聚合物為了進行交聯根據需要也可以含有多官能單體等作為共聚用單體成分。作為這樣的多官能單體，可以列舉例如：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚) 乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。這些多官能單體也可以使用一種或兩種以上。多官能單體的使用量從黏合特性等觀點考慮優選為全部單體成分的30重量%以下。

所述丙烯酸類聚合物可以藉由將單一單體或兩種以上單體的混合物聚合來得到。聚合可以藉由溶液聚合、乳液聚合、塊狀聚合、懸浮聚合等任意方式進行。從防止對潔淨被黏物的污染等觀點考慮，優選低分子量物質的含量少。從該點考慮，丙烯酸類聚合物的數量平均分子量優選為約30萬以上，更優選約40萬~約300萬。

另外，為了提高作為基礎聚合物的丙烯酸類聚合物等的數量平均分子量，所述黏著劑中也可以適當採用外部交聯劑。外部交聯方法的具體手段可以列舉：添加多異氰酸酯化合物、環氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺類交聯劑等所謂的交聯劑並使其反應的方法。使用外部交聯劑時，其使用量根據與應交聯的基礎聚合物的平衡以及作為黏著劑的使用用途適當確定。一般而言，相對於所述基礎聚合物100重量份優選調配5重量份以下，更優選調配0.1~5重量份。另外，根據需要，在黏著劑中除所述成分以外也可以使用各種增黏劑、抗老化劑等添加劑。

作為用於調配的所述紫外線固化性單體成分，可以列舉例如：胺基甲酸酯低聚物、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。另外，紫外線固化性低聚物成分可以列舉胺基甲酸酯類、聚醚類、聚酯類、聚碳酸酯類、聚丁二烯類等各種低聚物，其分子量在約100~約30000的範圍內是適當的。紫外線固化性單體成分或低聚物成分的調配量可以根據所述黏著劑層的種類適當地確定能夠使黏著劑層的黏合力降低的量。一般而言，相對於構成黏著劑的丙烯酸類聚合物等基礎聚合物100重量份，例如為約5重量份~約500重量份，優選約40重量份~約150重量份。

另外，作為紫外線固化型黏著劑，除了前面說明的添加型紫外線固化型黏著劑以外，還可以列舉使用在聚合物側鏈或主鏈中或者主鏈末端具有碳-碳雙鍵的聚合物作為基礎聚合物的內在型紫外線固化型黏著劑。內在型紫外線固化型黏著劑無需含有或者多數不含有作為低分子量成分的低聚物成分等，因此低聚物成分等不會隨時間推移在黏著劑中移動，可以形成穩定的層結構的黏著劑層，因此優選。

所述具有碳-碳雙鍵的基礎聚合物，可以沒有特別限制地使用具有碳-碳雙鍵並且具有黏合性的聚合物。作為這樣 的基礎聚合物，優選以丙烯酸類聚合物作為基本骨架的聚合物。作為丙烯酸類聚合物的基本骨架，可以列舉前面例示過的丙烯酸類聚合物。

所述丙烯酸類聚合物中碳-碳雙鍵的引入方法沒有特別限制，可以採用各種方法，而將碳-碳雙鍵引入聚合物側鏈的方法在分子設計上比較容易。可以列舉例如：預先將具有官能基的單體與丙烯酸類聚合物共聚後，使具有能夠與該官能基反應的官能基和碳-碳雙鍵的化合物在保持碳-碳雙鍵的紫外線固化性的情況下進行縮合或加成反應的方法。

作為這些官能基的組合例，可以列舉例如：羧基與環氧基、羧基與氮丙啶基、羥基與異氰酸酯基等。這些官能基的組合中，考慮反應跟蹤的容易性，優選羥基與異氰酸酯基的組合。另外，如果是藉由這些官能基的組合而生成所述具有碳-碳雙鍵的丙烯酸類聚合物的組合，則官能基可以在丙烯酸類聚合物與所述化合物中的任意一個上，在所述的優選組合中，優選丙烯酸類聚合物具有羥基、所述化合物具有異氰酸酯基的情況。此時，作為具有碳-碳雙鍵的異氰酸酯化合物，可以列舉例如：甲基丙烯醯異氰酸酯、2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯、間異丙烯基-α,α-二甲基聯苯醯異氰酸酯等。另外，作為丙烯酸類聚合物，可以使用將前面例示的含羥基單體或2-羥基乙基乙烯基醚、4-羥基丁基乙烯基醚、二乙二醇單乙烯基醚的醚類化合物等共聚而得到的聚合物。

所述內在型紫外線固化型黏著劑可以單獨使用所述具有碳-碳雙鍵的基礎聚合物(特別是丙烯酸類聚合物)，也可以在不損害特性的範圍內調配所述紫外線固化性單體成分或低聚物成分。紫外線固化性低聚物成分等相對於基礎聚合物100重量份通常在30重量份的範圍內，優選0~10重量份的範圍。

所述紫外線固化型黏著劑在藉由紫外線等固化時可以含有光聚合引發劑。作為光聚合引發劑，可以列舉例如：α-酮醇類化合物如4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α’-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環己基苯基酮等；苯乙酮類化合物如甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-(N-嗎啉基)丙烷-1-酮等；苯偶姻醚類化合物如苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、茴香偶姻甲醚等；縮酮類化合物如聯苯醯二甲基縮酮等；芳香族磺醯氯類化合物如2-萘磺醯氯等；光活性肟類化合物如1-苯基-1,2-丙二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟等；二苯甲酮類化合物如二苯甲酮、苯甲醯苯甲酸、3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等；噻噸酮類化合物如噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2,4-二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2,4-二氯噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、2,4-二異丙基噻噸酮等；樟腦醌；鹵代酮；醯基氧化膦；醯基膦酸酯等。光聚合引發劑的調配量相對於構成黏著劑的丙烯酸類聚合物等基礎聚合物100重量份，例如為約0.05重量份~約20重量份。

另外，作為紫外線固化型黏著劑，可以列舉例如：日本特開昭60-196956號公報中所公開的、含有具有2個以上不飽和鍵的加成聚合性化合物、具有環氧基的烷氧基矽烷等光聚合性化合物、和羰基化合物、有機硫化合物、過氧化物、胺、鎓鹽類化合物等光聚合引發劑的橡膠類黏著劑或丙烯酸類黏著劑等。

作為在所述黏著劑層2中形成所述部分2a的方法，可以列舉：在基材1上形成紫外線固化型黏著劑層2後，對所述部分2a局部地照射紫外線使其固化的方法。局部的紫外線照射可以藉由形成有與半導體晶片黏貼部分3a以外的部分3b等對應的圖案的光掩膜來進行。另外，可以列舉點狀照射紫外線進行固化的方法等。紫外線固化型黏著劑層2的形成可以藉由將設置在隔片上的紫外線固化型黏著劑層轉印到基材1上來進行。局部的紫外線照射也可以對設置在隔片上的紫外線固化型黏著劑層2進行。

切割‧晶片接合薄膜10的黏著劑層2中，可以對黏著劑層2的局部進行紫外線照射，使得所述部分2a的黏合力<其他部分2b的黏合力。即，可以使用對基材1的至少單面的、與半導體晶片黏貼部分3a對應的部分以外的部分的全部或局部進行遮光的基材，在該基材上形成紫外線固化型黏著劑層2後進行紫外線照射，使與半導體晶片黏貼部分3a對應的部分固化，從而形成黏合力下降的所述部分2a。作為遮光材料，可以藉由印刷或蒸鍍等在支撐薄膜上製作能夠成為光掩膜的材料。由此，可以有效地製造本發 明的切割‧晶片接合薄膜10。

另外，紫外線照射時，產生氧阻礙固化的情況下，期望從紫外線固化型的黏著劑層2的表面隔絕氧(空氣)。作為其方法，可以列舉例如：用隔片覆蓋黏著劑層2的表面的方法；在氮氣氛圍中進行紫外線等紫外線的照射的方法；等。

黏著劑層2的厚度沒有特別限制，從同時實現防止晶片切割面的缺損和接著層的固定保持等觀點考慮，優選為約1μm~約50μm，更優選約2μm~約30μm，進一步優選約5μm~約25μm。

<切割‧晶片接合薄膜的製造方法>

本實施方式的切割‧晶片接合薄膜10、11，例如可以藉由各別地製作切割薄膜及晶片接合薄膜，最後將它們黏貼來製作。具體而言，可以藉由以下程序來製作。

首先，基材1可以藉由現有公知的製膜方法製膜。作為該製膜方法，可以例示例如：壓延製膜法、有機溶劑中的流延法、密閉體系中的吹塑擠出法、T形模頭擠出法、共擠出法、乾式層壓法等。

接著，製備黏著劑層形成用的黏著劑組合物。黏著劑組合物中調配有在黏著劑層專案中說明過的樹脂、添加物等。在基材1上塗布製備的黏著劑組合物形成塗膜，然後在預定條件下使該塗膜乾燥(根據需要進行加熱交聯)而形成黏著劑層2。作為塗布方法沒有特別限制，可以列舉例如：輥塗、網版塗布、凹版塗布等。另外，作為乾燥條件， 例如在乾燥溫度80~150℃、乾燥時間0.5~5分鐘的範圍內進行。另外，也可以在隔片上塗布黏著劑組合物形成塗膜後，在所述乾燥條件下乾燥塗膜而形成黏著劑層2。之後，將黏著劑層2與隔片一起黏貼到基材1上。由此，製作具有基材1和黏著劑層2的切割薄膜。另外，作為切割薄膜，只要至少具有基材和黏著劑層即可，在具有隔片等其他要素的情況下也稱為切割薄膜。

晶片接合薄膜3、3’例如如下製作。首先，製作作為切割‧晶片接合薄膜3、3’的形成材料的接著劑組合物。在該接著劑組合物中，如晶片接合薄膜的項目所述，調配有共聚物(a)、酚醛樹脂(b)、以及各種添加劑等。

然後，將接著劑組合物塗布到基材隔片上達到預定厚度而形成塗膜後，在預定條件下乾燥該塗膜，形成接著劑層。作為塗布方法沒有特別限制，可以列舉例如：輥塗、網版塗布、凹版塗布等。另外，作為乾燥條件，例如可以在乾燥溫度70~160℃、乾燥時間1~5分鐘的範圍內進行。另外，也可以將接著劑組合物塗布到隔片上形成塗膜後，在所述乾燥條件下乾燥塗膜而形成接著劑層。之後，將接著劑層與隔片一起黏貼到基材隔片上。另外，本發明中，不僅包括晶片接合薄膜由接著劑層單層構成的情況，也包括由接著劑層與隔片等其他要素形成的情況。

接著，從晶片接合薄膜3、3’和切割薄膜上分別剝離隔片，以接著劑層與黏著劑層成為黏貼面的方式將兩者黏貼。黏貼例如可以藉由壓接來進行。此時，層壓溫度沒有 特別限制，例如優選30~50℃，更優選35~45℃。另外，線壓沒有特別限制，例如優選0.1~20kgf/cm，更優選1~10kgf/cm。然後，將接著劑層上的基材隔片剝離，得到本實施方式的切割‧晶片接合薄膜。

<半導體裝置的製造方法>

以下，對使用本實施方式的切割‧晶片接合薄膜10的半導體裝置製造方法進行說明。

首先，如圖1所示，將半導體晶片4壓接在切割‧晶片接合薄膜10中的接著劑層3的半導體晶片黏貼部分3a上，並將其接著保持而固定(安裝步驟)。本步驟利用壓接輥等擠壓手段擠壓來進行。

然後，進行半導體晶片4的切割。由此，將半導體晶片4切割為預定尺寸而小片化，製作半導體晶片5(切割步驟)。切割例如按照常規方法從半導體晶片4的電路面一側進行。另外，本步驟中，例如，可以採用切入到切割‧晶片接合薄膜10的、稱為全切割的切割方式等。本步驟中使用的切割裝置沒有特別限制，可以採用現有公知的切割裝置。另外，半導體晶片由切割‧晶片接合薄膜10接著固定，因此可以抑制晶片缺損或晶片飛散，並且可以抑制半導體晶片4的破損。

為了剝離由切割‧晶片接合薄膜10接著固定的半導體晶片，進行半導體晶片5的拾取(拾取步驟)。拾取方法沒有特別限制，可以採用現有公知的各種方法。可以列舉例如：用針將各個半導體晶片5從切割‧晶片接合薄膜10 一側上推，利用拾取裝置拾取上推的半導體晶片5的方法等。

在此，在黏著劑層2為紫外線固化型的情況下，在對該黏著劑層2照射紫外線後進行拾取。由此，黏著劑層2對晶片接合薄膜3a的黏合力下降，使半導體晶片5容易剝離。結果，可以在不損傷半導體晶片5的情況下進行拾取。紫外線照射時的照射強度、照射時間等條件沒有特別限制，可以根據需要適當設定。另外，作為紫外線照射時使用的光源，可以使用所述的光源。

然後，如圖3所示，藉由晶片接合薄膜3a將藉由切割形成的半導體晶片5接合到被黏物6上(晶片接合步驟)。作為被黏物6，可以列舉引線框、捲帶自動貼合(TAB)薄膜、基板或者單獨製作的半導體晶片等。被黏物6例如可以是容易變形的變形型被黏物，也可以是難以變形的非變形型被黏物(半導體晶片等)。

作為所述基板，可以使用現有公知的基板。另外，所述引線框可以使用Cu引線框、42合金引線框等金屬引線框或包含玻璃環氧、BT(雙馬來醯亞胺-三嗪)、聚醯亞胺等的有機基板。但是，本發明不限於此，也包含安裝半導體元件、與半導體元件電連接後可以使用的電路基板。

晶片接合藉由壓接來進行。作為晶片接合的條件沒有特別限制，可以根據需要適當設定。具體而言，可以在例如：晶片接合溫度80~160℃、晶片接合壓力5N~15N、晶片接合時間1秒~10秒的範圍內進行。

接著，藉由進行加熱處理將晶片接合薄膜3a熱固化，使半導體晶片5與被黏物6接著。作為加熱處理條件，優選溫度在80~180℃的範圍內、並且加熱時間為0.1小時~24小時、優選0.1小時~4小時、更優選0.1小時~1小時的範圍內。

然後，進行利用焊線7將被黏物6的端子部(內部引線)的末端與半導體晶片5上的電極焊墊(未圖示)電連接(打線步驟)。作為所述焊線7，可以使用例如：金線、鋁線或銅線等。進行打線時的溫度在80~250℃、優選80~220℃的範圍內進行。另外，其加熱時間進行數秒~數分鐘。線路連接是在加熱到所述溫度範圍內的狀態下，藉由組合使用超音波振動能和施加的壓力而產生的壓接能來進行。

另外，打線步驟可以在不藉由加熱處理使晶片接合薄膜3熱固化的情況下進行。此時，晶片接合薄膜3a的25℃下剪切接著力對被黏物6優選為0.2MPa以上，更優選0.2~10MPa。藉由將所述剪切接著力調節為0.2MPa以上，即使在不使晶片接合薄膜3a熱固化的情況下進行打線步驟，也不會由於該步驟中的超音波振動或加熱而在晶片接合薄膜3a與半導體晶片5或被黏物6的接著面上產生剪切變形。即，半導體元件不會由於打線時的超音波振動而活動，由此，可以防止打線成功率下降。

另外，未固化的晶片接合薄膜3a雖然進行打線步驟但是不會完全熱固化。另外，晶片接合薄膜3a的剪切接著力即使在80~250℃的溫度範圍內也需要為0.2MPa以上。這 是因為：該溫度範圍內的剪切接著力低於0.2MPa時，有時半導體元件由於打線時的超音波振動或加熱而活動，不能進行打線，從而成品率下降。

接著，進行用密封樹脂8將半導體晶片5密封的密封步驟。本步驟是為了保護搭載在被黏物6上的半導體晶片5或焊線7而進行的。本步驟藉由用模具將密封用的樹脂成形來進行。作為密封樹脂8，例如可以使用環氧類樹脂。樹脂密封時的加熱溫度通常在175℃下進行60~90秒，但是，本發明不限於此，例如，也可以在165~185℃下固化幾分鐘。由此，使密封樹脂固化，並且在晶片接合薄膜3a未熱固化的情況下，也使該晶片接合薄膜3a熱固化。即，本發明中，即使在不進行後述的後固化步驟的情況下，在本步驟中也可以藉由使晶片接合薄膜3a熱固化來進行接著，從而可以有助於減少製造步驟數及縮短半導體裝置的製造時間。

所述後固化步驟中，使在所述密封步驟中固化不足的密封樹脂8完全固化。即使在密封步驟中晶片接合薄膜3a未完全熱固化的情況下，在本步驟中也可以與密封樹脂8一起使晶片接合薄膜3a熱固化，從而可以進行接著固定。本步驟中的加熱溫度因密封樹脂的種類而異，例如，在165~185℃的範圍內，加熱時間為約0.5小時~約8小時。

另外，本發明的切割‧晶片接合薄膜，也可以適合用於如圖4所示將多個半導體晶片層疊進行三維安裝的情況。圖4是表示藉由晶片接合薄膜三維安裝半導體晶片的 例子的示意剖視圖。圖4所示的三維安裝的情況下，首先，將切割為與半導體晶片相同尺寸的至少一個晶片接合薄膜3a黏貼在被黏物6上，然後，藉由晶片接合薄膜3a將半導體晶片5以其打線面為上側的方式進行晶片接合。然後，避開半導體晶片5的電極焊墊部分將晶片接合薄膜13進行黏貼。進而，將另一個半導體晶片15以其打線面為上側的方式晶片接合到晶片接合薄膜13上。然後，藉由將晶片接合薄膜3a、13加熱使其熱固化而接著固定，提高耐熱強度。作為加熱條件，與所述同樣，優選溫度在80~200℃的範圍內，並且加熱時間在0.1小時~24小時的範圍內。

另外，本發明中可以不使晶片接合薄膜3a、13熱固化僅僅是進行晶片接合。之後，不經加熱步驟而進行打線，再用密封樹脂將半導體晶片密封，也可以將該密封樹脂後固化。

然後，進行打線步驟。由此，用焊線7將半導體晶片5及另一半導體晶片15中各自的電極焊墊與被黏物6電連接。另外，本步驟可以在不經過晶片接合薄膜3a、13的加熱步驟的情況下實施。

接著，利用密封樹脂8進行將半導體晶片5等密封的密封步驟，並使密封樹脂固化。與此同時，在未進行熱固化的情況下，藉由晶片接合薄膜3a的熱固化將被黏物6與半導體晶片5之間接著固定。另外，藉由晶片接合薄膜13的熱固化將半導體晶片5與另一個半導體晶片15之間接著固定。另外，密封步驟後，可以進行後固化步驟。

即使在半導體晶片的三維安裝的情況下，由於不進行晶片接合薄膜3a、13的利用加熱的加熱處理，因此可以簡化製造步驟並且提高成品率。另外，被黏物6不發生翹曲，或者半導體晶片5及另一個半導體晶片15不產生裂紋，因此能夠實現半導體元件的進一步的薄型化。

另外，可以如圖5所示進行藉由晶片接合薄膜在半導體晶片間層疊墊片的三維安裝。圖5是表示隔著墊片利用晶片接合薄膜三維安裝兩個半導體晶片的例子的示意剖視圖。

圖5所示的三維安裝的情況下，首先，在被黏物6上依次層疊晶片接合薄膜3a、半導體晶片5和晶片接合薄膜21並進行晶片接合。進而，在晶片接合薄膜21上，依次層疊墊片9、晶片接合薄膜21、晶片接合薄膜3a和半導體晶片5並進行晶片接合。之後，藉由對晶片接合薄膜3a、21進行加熱使其熱固化而接著固定，提高耐熱強度。作為加熱條件，與所述同樣，優選溫度在80~200℃的範圍內，並且加熱時間在0.1小時~24小時的範圍內。

另外，本發明中可以不使晶片接合薄膜3a、21熱固化僅僅是進行晶片接合。之後，不經加熱步驟而進行打線，再用密封樹脂將半導體晶片密封，也可以將該密封樹脂後固化。

然後，如圖5所示，進行打線步驟。由此，用焊線7將半導體晶片5中的電極焊墊與被黏物6電連接。另外，本步驟可以在不經過晶片接合薄膜3a、21的加熱步驟的情 況下實施。

接著，利用密封樹脂8進行將半導體晶片5等密封的密封步驟，並使密封樹脂固化。與此同時，在晶片接合薄膜3a、21未熱固化的情況下，將它們熱固化，由此，將被黏物6與半導體晶片5之間以及半導體晶片5與墊片9之間接著固定。由此，得到半導體封裝。密封步驟優選僅將半導體晶片5一側單面密封的一次密封法。密封是為了保護黏貼在黏合片上的半導體晶片5而進行的，其代表方法是使用密封樹脂8在模具中成形。此時，一般使用包含具有多個模腔的上模和下模的模具，同時進行密封步驟。樹脂密封時的加熱溫度例如優選在170~180℃的範圍內。密封步驟後，可以進行後固化步驟。

另外，作為所述墊片9沒有特別限制，例如，可以使用現有公知的矽晶片、聚醯亞胺薄膜等。另外，所述墊片可以使用芯材。作為芯材沒有特別限制，可以使用現有公知的芯材。具體而言，可以使用薄膜(例如，聚醯亞胺薄膜、聚酯薄膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚碳酸酯薄膜等)、用玻璃纖維或塑膠製無紡纖維增強的樹脂基板、鏡面矽晶片、矽基板或玻璃被黏物等。

(其他事項)

將半導體元件在所述被黏物上進行三維安裝的情況下，在半導體元件的形成電路的面側形成緩衝塗膜。作為該緩衝塗膜，可以列舉例如：氮化矽膜或包含聚醯亞胺樹脂等耐熱樹脂的膜。

另外，半導體元件的三維安裝時，各階段中使用的晶片接合薄膜不限於由相同組成構成的晶片接合薄膜，可以根據製造條件、用途等適當變更。

另外，在所述實施方式中說明的層疊方法僅僅是例示，根據需要可以適當變更。例如，在參考圖4說明的半導體裝置的製造方法中，也可以藉由參考圖5說明的層疊方法層疊第三段以後的半導體元件。

另外，在所述實施方式中，對於在將多個半導體元件層疊到被黏物上後統一地進行打線步驟的方式進行了說明，但是，本發明不限於此。例如，也可以每當將半導體元件層疊到被黏物上時都進行打線步驟。

實施例

以下，例示本發明的優選實施例進行詳細說明，但是，該實施例中記載的材料或調配量等只要沒有特別限定的記載，則無意將本發明的範圍僅限於此，其僅僅是說明。另外，提到“份”的地方是指“重量份”。

(實施例1)

將作為含有縮水甘油基的丙烯酸類共聚物(a)的以丙烯腈-丙烯酸乙酯-丙烯酸丁酯為主成分的環氧值為0.18、玻璃化轉變點(Tg)為30℃、重量平均分子量為110萬的丙烯酸酯類聚合物(根上工業公司製造，丙烯酸縮水甘油酯1.9莫耳%)100份和作為酚醛樹脂(b)的酚醛樹脂(明和化成股份有限公司製造，“MEH7851”)17.5份溶解到甲乙酮中，製備濃度23.6重量%的接著劑組合物。

將該接著劑組合物塗布到經矽酮脫模處理後的厚度50μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜構成的作為剝離襯墊的脫模處理薄膜上，然後在130℃乾燥2分鐘。由此，製作厚度25μm的晶片接合薄膜。

(實施例2)

將作為含有縮水甘油基的丙烯酸類共聚物(a)的以丙烯腈-丙烯酸乙酯-丙烯酸丁酯為主成分的環氧值為0.22、玻璃化轉變點(Tg)為15℃、重量平均分子量為80萬的丙烯酸酯類聚合物(根上工業公司製造，丙烯酸縮水甘油酯2.3莫耳%)100份和作為酚醛樹脂(b)的酚醛樹脂(明和化成股份有限公司製造，“MEH7851”)12.5份溶解到甲乙酮中，再使平均粒徑500nm的球形二氧化矽(Admatechs股份有限公司製造，“SO-25R”)40份分散在其中，製備濃度23.6重量%的接著劑組合物。除此以外，與實施例1同樣操作，製作晶片接合薄膜。

(實施例3)

將作為含有縮水甘油基的丙烯酸類共聚物(a)的以丙烯腈-丙烯酸乙酯-丙烯酸丁酯為主成分的環氧值為0.42、玻璃化轉變點(Tg)為15℃、重量平均分子量為80萬的丙烯酸酯類聚合物(根上工業公司製造，丙烯酸縮水甘油酯4.5莫耳%)100份和作為酚醛樹脂(b)的酚醛樹脂(明和化成股份有限公司製造，“MEH7851”)6.5份溶解到甲乙酮中，再使平均粒徑500nm的球形二氧化矽(Admatechs股份有限公司製造，“SO-25R”)40份分散在其中，製備濃度23.6重 量%的接著劑組合物。除此以外，與實施例1同樣操作，製作晶片接合薄膜。

(實施例4)

將作為含有縮水甘油基的丙烯酸類共聚物(a)的以丙烯腈-丙烯酸乙酯-丙烯酸丁酯為主成分的環氧值為0.62、玻璃化轉變點(Tg)為0℃、重量平均分子量為60萬的丙烯酸酯類聚合物(根上工業公司製造，丙烯酸縮水甘油酯6.4莫耳%)100份和作為酚醛樹脂(b)的酚醛樹脂(明和化成股份有限公司製造，“MEH7851”)4.1份溶解到甲乙酮中，再使平均粒徑500nm的球形二氧化矽(Admatechs股份有限公司製造，“SO-25R”)50份分散在其中，製備濃度23.6重量%的接著劑組合物。除此以外，與實施例1同樣操作，製作晶片接合薄膜。

(實施例5)

將作為含有縮水甘油基的丙烯酸類共聚物(a)的以丙烯腈-丙烯酸乙酯-丙烯酸丁酯為主成分的環氧值為0.62、玻璃化轉變點(Tg)為20℃、重量平均分子量為80萬的丙烯酸酯類聚合物(根上工業公司製造，丙烯酸縮水甘油酯6.4莫耳%)100份和作為酚醛樹脂(b)的酚醛樹脂(明和化成股份有限公司製造，“MEH7851”)17.5份溶解到甲乙酮中，再使平均粒徑500nm的球形二氧化矽(Admatechs股份有限公司製造，“SO-25R”)10份分散在其中，製備濃度23.6重量%的接著劑組合物。除此以外，與實施例1同樣操作，製作晶片接合薄膜。

(實施例6)

將作為含有縮水甘油基的丙烯酸類共聚物(a)的以丙烯腈-丙烯酸乙酯-丙烯酸丁酯為主成分的環氧值為0.18、玻璃化轉變點(Tg)為0℃、重量平均分子量為100萬的丙烯酸酯類聚合物(根上工業公司製造，丙烯酸縮水甘油酯1.9莫耳%)100份和作為酚醛樹脂(b)的酚醛樹脂(明和化成股份有限公司製造，“MEH7851”)4.1份溶解到甲乙酮中，再使平均粒徑500nm的球形二氧化矽(Admatechs股份有限公司製造，“SO-25R”)20份分散在其中，製備濃度23.6重量%的接著劑組合物。除此以外，與實施例1同樣操作，製作晶片接合薄膜。

(比較例1)

將作為含有縮水甘油基的丙烯酸類共聚物(a)的以丙烯腈-丙烯酸乙酯-丙烯酸丁酯為主成分的環氧值為0.18、玻璃化轉變點(Tg)為30℃、重量平均分子量為80萬的丙烯酸酯類聚合物(根上工業公司製造，丙烯酸縮水甘油酯1.9莫耳%)100份和作為酚醛樹脂(b)的酚醛樹脂(明和化成股份有限公司製造，“MEH7851”)10份和重量平均分子量為1000的環氧樹脂(DIC股份有限公司製造，“HP-7200H”)7.5份溶解到甲乙酮中，製備濃度23.6重量%的接著劑組合物。除此以外，與實施例1同樣操作，製作晶片接合薄膜。

(比較例2)

將作為含有縮水甘油基的丙烯酸類共聚物(a)的以丙 烯腈-丙烯酸乙酯-丙烯酸丁酯為主成分的環氧值為0.42、玻璃化轉變點(Tg)為15℃、重量平均分子量為80萬的丙烯酸酯類聚合物(根上工業公司製造，丙烯酸縮水甘油酯4.5莫耳%)100份和作為酚醛樹脂(b)的酚醛樹脂(明和化成股份有限公司製造，“MEH7851”)3.3份和重量平均分子量1000的環氧樹脂(DIC股份有限公司製造，“HP-7200H”)3.2份溶解到甲乙酮中，再使平均粒徑500nm的球形二氧化矽(Admatechs股份有限公司製造，“SO-25R”)40份分散在其中，製備濃度23.6重量%的接著劑組合物。除此以外，與實施例1同樣操作，製作晶片接合薄膜。

(比較例3)

將作為含有縮水甘油基的丙烯酸類共聚物(a)的以丙烯腈-丙烯酸乙酯-丙烯酸丁酯為主成分的環氧值為0.18、玻璃化轉變點(Tg)為30℃、重量平均分子量為80萬的丙烯酸酯類聚合物(根上工業公司製造，丙烯酸縮水甘油酯1.9莫耳%)100份和作為酚醛樹脂(b)的酚醛樹脂(明和化成股份有限公司製造，“MEH7851”)25份溶解到甲乙酮中，製備濃度23.6重量%的接著劑組合物。除此以外，與實施例1同樣操作，製作晶片接合薄膜。

(比較例4)

將作為含有縮水甘油基的丙烯酸類共聚物(a)的以丙烯腈-丙烯酸乙酯-丙烯酸丁酯為主成分的環氧值為0.1、玻璃化轉變點(Tg)為15℃、重量平均分子量為40萬的丙烯酸酯類聚合物(根上工業公司製造，丙烯酸縮水甘油酯0.19 莫耳%)100份和作為酚醛樹脂(b)的酚醛樹脂(明和化成股份有限公司製造，“MEH7851”)12.5份溶解到甲乙酮中，再使平均粒徑500nm的球形二氧化矽(Admatechs股份有限公司製造，“SO-25R”)40份分散在其中，製備濃度23.6重量%的接著劑組合物。除此以外，與實施例1同樣操作，製作晶片接合薄膜。

(比較例5)

將作為含有縮水甘油基的丙烯酸類共聚物(a)的以丙烯腈-丙烯酸乙酯-丙烯酸丁酯為主成分的環氧值為0.18、玻璃化轉變點(Tg)為15℃、重量平均分子量為80萬的丙烯酸酯類聚合物(根上工業公司製造，丙烯酸縮水甘油酯0.19莫耳%)100份和作為酚醛樹脂(b)的酚醛樹脂(明和化成股份有限公司製造，“MEH7851”)2.9份溶解到甲乙酮中，再使平均粒徑500nm的球形二氧化矽(Admatechs股份有限公司製造，“SO-25R”)40份分散在其中，製備濃度23.6重量%的接著劑組合物。除此以外，與實施例1同樣操作，製作晶片接合薄膜。

(重量平均分子量的測定方法)

對於實施例和比較例中分別使用的聚合物及樹脂，藉由凝膠滲透色譜法測定重量平均分子量。凝膠滲透色譜法中，將TSK G2000H HR、G3000H HR、G4000H HR、及GMH-H HR這4根柱(均為東曹股份有限公司製造)串聯使用，使用四氫呋喃作為洗脫液，在流速1ml/分鐘、溫度40℃、試樣濃度0.1重量%四氫呋喃溶液、試樣注入量500μl 的條件下進行，檢測器使用差示折光計。

(環氧值的計算)

環氧值根據JIS K 7236計算。具體而言，將4g共聚物(a)稱量到100ml的錐形瓶中，在其中加入10ml氯仿將其溶解。再加入30ml乙酸、5ml四乙基溴化銨和5滴結晶紫指示劑，在用磁力攪拌器攪拌的同時用0.1mol/L的高氯酸乙酸規度溶液進行滴定。藉由同樣方法進行空白試驗，並利用下式計算環氧值。

環氧值=[(V-B)×0.1×F]/W

W：稱量的試樣的克數

B：空白試驗所需要的0.1mol/L高氯酸乙酸規度溶液的毫升數

V：試樣的滴定所需要的0.1mol/L高氯酸乙酸規度溶液的毫升數

F：0.1mol/L高氯酸乙酸規度溶液的因數

(儲能彈性模數的測定)

用切刀從各實施例和比較例的晶片接合薄膜切割出長22.5mm(測定長度)×寬10mm的條狀，使用固態黏彈性測定裝置(RSA III、Rheometric Scientific(股)製造)，測定-50~300℃的儲能彈性模數。測定條件為頻率1Hz、升溫速度10℃/分鐘。50℃(晶片接合薄膜固化前)、150℃(對於共聚物(a))、175℃(晶片接合薄膜固化後)、260℃(晶片接合薄膜固化後)的儲能彈性模數的值如下表1所示。另外，對於共聚物(a)的儲能彈性模數，將含有共聚物(a)的溶液塗布到 經矽酮脫模處理後的厚度50μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜構成的作為剝離襯墊的脫模處理薄膜上，然後在130℃乾燥2分鐘而製作薄膜樣品，並在此基礎上同樣地進行測定。另外，對於固化後的儲能彈性模數，利用乾燥機在預定條件下進行固化處理後藉由同樣的程式進行測定。

(玻璃化轉變溫度(Tg)的測定)

各實施例和比較例的熱固型晶片接合薄膜的玻璃化轉變點，首先，與所述儲能彈性模數的情況同樣地測定儲能彈性模數。另外，也測定損耗模數，然後，藉由計算tanδ(E”(損耗模數)/E’(儲能彈性模數))的值求出玻璃化轉變溫度。

(在150℃固化1小時後在175℃下的剪切接著力的測定)

對於所述實施例和比較例中製作的晶片接合薄膜，如下所述測定對半導體元件的剪切接著力。

首先，對各晶片接合薄膜在150℃的乾燥機內進行1小時固化處理。然後，將各晶片接合薄膜在黏貼溫度50℃下利用層壓機在10mm/秒的速度、0.15MPa壓力的條件下黏貼到半導體元件(長5mm×寬5mm×厚0.5mm)上。再在黏貼溫度50℃下利用層壓機在10mm/秒的速度、0.15MPa壓力的條件下黏貼到半導體元件(長10mm×寬10mm×厚0.5mm)上。然後，使用接合強度試驗機(Bond Tester)(DAGE公司製造、dage4000)，分別測定平台溫度175℃、頭高100μm、速度0.5mm/秒條件下的剪切接著力。

(對晶片的接著力的測定)

將作為晶片的矽晶片置於熱板上，在50℃下藉由使2kg的輥往返一次而將利用黏合帶(商品名“BT315”，日東電工股份有限公司製造)進行背面增強的長度150mm、寬度10mm、厚度25μm的晶片接合薄膜黏貼到矽晶片上。然後，在50℃的熱板上靜置2分鐘後，在常溫(約23℃)下靜置20分鐘。然後，使用剝離試驗機(商品名“Autograph AGS-J”，島津製作所公司製造)，在溫度23℃、剝離角度180°、拉伸速度300mm/分鐘的條件下，將背面增强的晶片接合薄膜剝離(在晶片接合薄膜與矽晶片的界面處剝離)。測定剝離時的最大負荷(除去測定初期的峰頂的最大負荷值)，將該最大負荷作為晶片接合薄膜與矽晶片之間的接著力(N/10mm寬度)求出。接著力為1N/10mm以上的情況評價為“￮”、低於1N/10mm的情況評價為“×”。

(打線性)

使用層壓機在溫度50℃、速度10mm/秒、壓力0.15MPa的條件下將各實施例和比較例得到的晶片接合薄膜黏貼到鋁蒸鍍半導體元件(長度5mm×寬度5mm×厚度0.5mm)上，再在溫度120℃、壓力0.1MPa、時間1秒的條件下將其安裝到BGA基板上。然後，使用打線機(股份有限公司新川製造，商品名“UTC-1000”)在以下的條件下對9個半導體元件進行打線，將一個部位也未產生未黏著或元件破裂的情況評價為“￮”、將一個以上部位產生未黏著或元件破裂的情況評價為“×”。

(打線條件)

溫度：175℃

金線：23μm

S水準：50μm

S速度：10mm/秒

時間：15毫秒

US功率：100

力：20gf

S力：15gf

線距：100μm

(密封樹脂進入的確認)

將各實施例和比較例得到的晶片接合薄膜在40℃下黏貼到5mm見方的半導體元件上，並在溫度120℃、壓力0.1MPa、時間1秒的條件下安裝到BGA基板上。再利用乾燥機在150℃下對其進行1小時熱處理，然後使用模壓機(TOWA Press公司製造，Manual Press Y-1)，在成形溫度175℃、夾壓力184kN、傳遞壓力5kN、時間120秒、密封樹脂GE-100(日東電工股份有限公司製造)的條件下進行密封步驟。然後，在9個部位利用SEM觀察半導體元件的斷面，確認密封樹脂是否進入晶片接合薄膜與基板之間。密封樹脂未進入的情況評價為“￮”、即使一個部位進入也評價為“×”。

(密封步驟後的氣泡(空隙)消失性)

將各實施例和比較例得到的晶片接合薄膜在40℃下 黏貼到5mm見方的半導體元件上，並在溫度120℃、壓力0.1MPa、時間1秒的條件下安裝到BGA基板上。再利用乾燥機在150℃下對其進行1小時熱處理，然後在120℃實施10小時熱處理、或者在175℃實施2小時熱處理。然後，使用模壓機(TOWA Press公司製造，Manual Press Y-1)，在成形溫度175℃、夾壓力184kN、傳遞壓力5kN、時間120秒、密封樹脂GE-100(日東電工股份有限公司製造)的條件下進行密封步驟。使用超音波映像裝置(日立Finetech公司製造，FS200II)觀察密封步驟後的空隙。使用二值化軟體(WinRoof ver.5.6)計算在觀察的圖像中空隙所占的面積。空隙所占的面積相對於晶片接合薄膜的表面積低於30%的情況評價為“￮”、為30℃以上的情況評價為“×”。

(耐濕回流焊接試驗)

將各實施例和比較例得到的晶片接合薄膜在40℃下黏貼到5mm見方的半導體元件上，並在溫度120℃、壓力0.1MPa、時間1秒的條件下安裝到BGA基板上。再利用乾燥機在150℃下對其進行1小時熱處理，然後在120℃實施10小時熱處理、或者在175℃實施2小時熱處理。然後，使用模壓機(TOWA Press公司製造，Manual Press Y-1)，在成形溫度175℃、夾壓力184kN、傳遞壓力5kN、時間120秒、密封樹脂GE-100(日東電工股份有限公司製造)的條件下進行密封步驟。然後，在溫度85℃、濕度60%RH、時間168小時的條件下進行吸濕操作，並將樣品藉由以將260℃以上的溫度保持30秒的方式進行溫度設定的IR回流 爐。對於9個半導體元件，用超音波顯微鏡觀察在晶片接合薄膜與基板之間是否產生剝離，並計算產生剝離的比例。

各評價結果如表1和表2所示。

(結果)

從以上的結果可以確認，根據實施例的晶片接合薄膜，在包括打線步驟和密封步驟的全部步驟中作業性良好，因此即使在晶片接合後在高溫下進行長時間熱處理的情況下，在作為後面步驟的利用密封樹脂的密封步驟後可以使晶片接合薄膜與被黏物的邊界的氣泡(空隙)消失，並且在固化後可以得到充分的儲能彈性模數，在耐濕回流焊接試驗中也可以確保高可靠性。

1‧‧‧基材

2‧‧‧黏著劑層

2a‧‧‧與半導體晶片黏貼部分對應的部分

2b‧‧‧其他部分

3、3’、3a、13、21‧‧‧晶片接合薄膜

3b‧‧‧3a以外的部分

4‧‧‧半導體晶片

5‧‧‧半導體晶片

6‧‧‧被黏物

7‧‧‧焊線

8‧‧‧密封樹脂

9‧‧‧墊片

10、11‧‧‧切割‧晶片接合薄膜

15‧‧‧半導體晶片

圖1是表示本發明的一個實施方式的切割‧晶片接合薄膜的示意剖視圖。

圖2是表示本發明的另一實施方式的切割‧晶片接合薄膜的示意剖視圖。

圖3是表示藉由所述切割‧晶片接合薄膜中的晶片接合薄膜安裝半導體晶片的例子的示意剖視圖。

圖4是表示藉由所述切割‧晶片接合薄膜中的晶片接合薄膜三維安裝半導體晶片的例子的示意剖視圖。

圖5是表示使用所述切割‧晶片接合薄膜，隔著墊片利用晶片接合薄膜三維安裝兩個半導體晶片的例子的示意剖視圖。

1‧‧‧基材

2‧‧‧黏著劑層

2a‧‧‧與半導體晶片黏貼部分對應的部分

2b‧‧‧其他部分

3、3a‧‧‧晶片接合薄膜

3b‧‧‧3a以外的部分

4‧‧‧半導體晶片

10‧‧‧切割‧晶片接合薄膜

Claims (8)

1. 一種晶片接合薄膜，其含有重量平均分子量50萬以上的含有縮水甘油基的丙烯酸類共聚物(a)和酚醛樹脂(b)，含有縮水甘油基的丙烯酸類共聚物(a)的含量x相對於酚醛樹脂(b)的含量y的重量比(x/y)為5以上且30以下，其中所述含有縮水甘油基的丙烯酸類共聚物(a)的環氧值為0.15e.q./kg以上且0.65e.q./kg以下，並且實質上不含有重量平均分子量5000以下的環氧樹脂。
2. 如申請專利範圍第1項所述的晶片接合薄膜，其中，關於所述含有縮水甘油基的丙烯酸類共聚物(a)，玻璃化轉變點為-15℃以上且40℃以下，並且150℃下的儲能彈性模數為0.1MPa以上。
3. 如申請專利範圍第1項所述的晶片接合薄膜，其中，固化前50℃下的儲能彈性模數為10MPa以下，175℃下的儲能彈性模數為0.1MPa以上，並且在150℃固化1小時後，175℃下的儲能彈性模數為0.5MPa以上。
4. 如申請專利範圍第1項所述的晶片接合薄膜，其中，在175℃固化1小時後，260℃下的儲能彈性模數為0.5MPa以上。
5. 如申請專利範圍第1項所述的晶片接合薄膜，其中，與被黏物黏貼並在150℃下固化1小時後，175℃下與所述被黏物之間的剪切接著力為0.3MPa以上。
6. 如申請專利範圍第1項所述的晶片接合薄膜，其中， 含有0.05重量%以上的染料。
7. 晶片接合薄膜，其具有切割帶以及層疊在該切割帶上的申請專利範圍第1項所述的晶片接合薄膜。
8. 一種半導體裝置的製造方法，包括如下步驟：將申請專利範圍第7項所述的切割‧晶片接合薄膜的晶片接合薄膜與半導體晶片的背面黏貼的黏貼步驟，將所述半導體晶片與所述切割‧晶片接合薄膜一起切割，從而形成晶片狀的半導體元件的切割步驟，將所述半導體元件與所述晶片接合薄膜一起從所述切割‧晶片接合薄膜上拾取的拾取步驟，藉由所述晶片接合薄膜將所述半導體元件晶片接合到被黏物上的晶片接合步驟，和對所述半導體元件進行打線的打線步驟。