[go: up one dir, main page]

TWI438575B - 以可交聯聚合物為主之底層塗覆組合物 - Google Patents

以可交聯聚合物為主之底層塗覆組合物 Download PDF

Info

Publication number
TWI438575B
TWI438575B TW097129404A TW97129404A TWI438575B TW I438575 B TWI438575 B TW I438575B TW 097129404 A TW097129404 A TW 097129404A TW 97129404 A TW97129404 A TW 97129404A TW I438575 B TWI438575 B TW I438575B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
group
polymer
epoxy
aliphatic
coating composition
Prior art date
Application number
TW097129404A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200915007A (en
Inventor
Hong Zhuang
Huirong Yao
Hengpeng Wu
Mark Neisser
Weihong Liu
Jianhui Shan
Zhong Xiang
Original Assignee
Az Electronic Mat Ip Japan Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Az Electronic Mat Ip Japan Kk filed Critical Az Electronic Mat Ip Japan Kk
Publication of TW200915007A publication Critical patent/TW200915007A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI438575B publication Critical patent/TWI438575B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D163/00—Coating compositions based on epoxy resins; Coating compositions based on derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D133/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09D133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D167/00—Coating compositions based on polyesters obtained by reactions forming a carboxylic ester link in the main chain; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)

Description

以可交聯聚合物為主之底層塗覆組合物
本發明係關於包含可交聯聚合物之底層塗覆組合物，及使用抗反射塗覆組合物形成影像之方法。該方法尤其適用於使用深遠紫外光(uv)區中之輻射來使光阻成像。
光阻組合物係用於微影製程中以製造小型化電子組件，諸如製造電腦晶片及積體電路。一般而言，在此等製程中，首先將光阻組合物之塗層薄膜塗覆至一基板材料上，諸如用以製造積體電路之矽晶圓。隨後烘焙該塗覆基板以蒸發光阻組合物中之任何溶劑，且將該塗層固定至基板上。繼而使該基板之烘焙塗覆表面成像曝光於輻射。
此輻射曝光在塗覆表面之曝光區域中引起化學轉化。可見光、紫外(UV)光、電子束及X射線輻射能為現今微影製程中普遍使用之輻射類型。在此成像曝光後，將經塗覆之基板用顯影劑溶液處理以溶解及移除光阻之輻射曝光或未曝光區域。
半導體裝置之小型化趨勢已導致要使用對愈來愈短之輻射波長敏感之新型光阻且亦已導致要使用複雜多級系統以克服與該小型化相關之難點。使用光微影中之吸光抗反射塗層及底層來減少光自高度反射性基板之背反射產生的問題及填充基板中之通孔。背反射之兩個主要缺陷在於薄膜干擾效應及反射凹口。薄膜干擾或駐波導致光阻膜之總光強度隨光阻厚度改變而變化引起的臨界線寬尺寸變化，或 反射及入射暴露輻射之干擾可引起使整個厚度之輻射均一性失真的駐波效應。當光阻在含有地形特徵(其散射穿過光阻薄膜之光)之反射基板上圖案化時，反射凹口變得嚴重，導致線寬改變，且在極端狀況下形成具有完全光阻損耗之區域。在光阻之下且在反射性基板之上塗覆的抗反射塗層提供光阻之微影效能顯著改良。通常，將底部抗反射塗層塗覆於基板上且接著將一層光阻塗覆於該抗反射塗層之頂部。使抗反射塗層固化以防止抗反射塗層與光阻之間的混合。使光阻成像曝光且顯影。接著通常使用各種蝕刻氣體乾式蝕刻曝光區域之抗反射塗層，且因此使光阻圖案轉移至基板。多層抗反射塗層亦可用於使微影特徵最佳化。抗反射塗層亦可作為間隙或通孔填充材料用於諸如多級互連方法中之雙鑲嵌的方法。
本發明係關於可交聯之底層塗覆組合物，其包含聚合物及能產生強酸之化合物，其中該聚合物包含至少一個吸光發色團及至少一個選自環氧基、脂族羥基及其混合物之部分。尤其因為塗層具有低出氣、最小量固化收縮、基本上中性之pH、使殘餘物停留於光阻及抗反射塗層介面中之較低趨勢，及良好濕潤特性以提供良好填充特性，所以本發明之抗反射塗層或底層適用作間隙填充材料。
本發明係關於可交聯之底層塗覆組合物，其包含聚合物及能產生強酸之化合物，其中該聚合物包含至少一個吸光發色團及至少一個選自環氧基、脂族羥基及其混合物之部 分。
本發明亦係關於可交聯之底層塗覆組合物，其包含聚合物及能產生強酸之化合物，其中該聚合物包含至少一個吸光發色團、至少一個環氧基及至少一個脂族羥基。
本發明進一步係關於使用底層塗覆組合物使光阻成像之方法。
本發明係關於可交聯之新穎底層(亦稱為抗反射或通孔填充)塗覆組合物，其包含聚合物及能產生強酸之化合物，其中該聚合物包含至少一個吸光發色團及至少一個選自環氧基、脂族羥基及其混合物之部分。尤其為通孔填充材料之組合物可為高度吸光至最小吸光之範圍。組合物可視情況進一步包含交聯劑。本發明亦係關於使用新穎底層塗覆組合物使光阻成像之方法。
新穎底層塗覆組合物包含吸光聚合物，其具有在塗覆於底層塗層上之光阻曝光之波長下吸光的發色團。聚合物亦包含能使聚合物交聯之官能基且該官能基可選自環氧基、脂族羥基及其混合物。脂族羥基係指羥基(OH)與脂族碳相鄰，亦即(C－(Y)C(X)－OH，其中Y及X為非芳族的)，亦即羥基未與芳族環之碳連接的部分。本發明組合物中環氧基與羥基之間或多個環氧基之間的交聯因多種原因為有利的，諸如在交聯期間不釋放揮發性化合物且因此排除固化期間或固化後加工時的空隙形成。交聯之特性涉及最小量之固化收縮且可使分離及密集特徵之間的偏差最小化，此 對於抗反射塗覆組合物之通孔填充為必要的。環氧基尤其具有良好基板濕潤特性且因此可無缺陷的填充小尺寸之間的間隙。中性或基本中性之組合物幾乎不具有在成像光阻特徵與抗反射塗層之間形成"基腳"或介面殘餘物的趨勢。視情況而言，新穎組合物中可存在交聯劑。
底層塗覆組合物可包含具有至少一個吸光發色團、至少一個環氧基之聚合物(且該聚合物不含羥基)、能產生強酸之化合物及視情況具有至少兩個脂族羥基之化合物。具有羥基之化合物可為聚合物、寡聚物或重量平均分子量小於1,000的小分子。視情況而言，新穎組合物中可存在交聯劑。
底層塗覆組合物可包含具有至少一個吸光發色團、至少一個脂族羥基且不含環氧基之聚合物、具有至少兩個環氧基之化合物及能產生強酸之化合物。具有環氧基之化合物可為聚合物、寡聚物或重量平均分子量小於1,000的小分子。視情況而言，新穎組合物中可存在交聯劑。
底層塗覆組合物可包含具有至少一個吸光發色團、至少一個環氧基及至少一個脂族羥基之聚合物及能產生強酸之化合物。視情況而言，新穎組合物中可存在交聯劑。
在任一或所有新穎實施例中，組合物之聚合物可不含矽基。
本發明聚合物中之發色團可選自吸收用於使光阻曝光之輻射的吸光基團，且該等發色團可具體化為芳族官能基或雜芳族官能基。不飽和非芳族官能基亦可吸光。發色團之 其他實例為(但不限於)經取代或未經取代之苯基、經取代或未經取代之蒽基、經取代或未經取代之菲基、經取代或未經取代之萘基、基於碸之化合物、基於二苯甲酮之化合物、含有選自氧、氮、硫之雜原子的經取代或未經取代之雜環芳族環；及其混合物。特定言之，發色團官能基可為基於苯基、苯甲基、萘或蒽之化合物且可具有至少一個選自羥基、羧基、羥基烷基、烷基、伸烷基等之基團。US 2005/0058929中亦給出發色團部分之實例。更特定言之，發色團可為苯基、苯甲基、羥基苯基、4－甲氧基苯基、4－乙醯氧基苯基、第三丁氧基苯基、第三丁基苯基、烷基苯基、氯甲基苯基、溴甲基苯基、9－蒽亞甲基、9－蒽伸乙基及其等效物。在一實施例中，使用經取代或未經取代之苯基，諸如羥基苯基、伸烷基苯基、苯胺、苯甲醇及苯甲酸。發色團可藉由單鍵、乙烯系基團、酯基、醚基、伸烷基、伸烷基酯基、伸烷基醚基或任何其他連接基團與聚合物連接。聚合物主鏈可為乙烯系、(甲基)丙烯酸酯、直鏈或支鏈伸烷基、芳族基、芳族酯、芳族醚、伸烷基酯、伸烷基醚等。發色團本身可形成聚合物主鏈，諸如由芳族多元醇及芳族二酸酐(例如苯四甲酸二酸酐、間苯二酚及4,4'－氧雙苯二甲酸酐)產生之單體。可與其他共聚單體聚合產生本發明聚合物之具有發色團之單體的實例可為包含經取代或未經取代之苯基的單體，諸如苯乙烯、羥基苯乙烯、苯甲基(甲基)丙烯酸酯、苯甲基伸烷基(甲基)丙烯酸酯；包含經取代或未經取代之萘基的單體、包含經取代或 未經取代之蒽基之單體，諸如蒽甲基(甲基)丙烯酸酯、9－蒽甲基(甲基)丙烯酸酯及1－萘基2－甲基丙烯酸酯。
在本發明之實施例中，當聚合物包含環氧基時，該環氧基可與聚合物主鏈直接連接或經連接基團連接。在全文中，環氧基係指環中含有氧之3－員環。較佳地，環氧基為末端環氧基。較佳地，環氧基環不與芳族基團直接連接，亦即環氧基環與可與芳族基團連接之脂族碳直接連接。連接基團可為任何必要有機基團，諸如烴基或伸烴基。實例為經取代或未經取代之(C1 －C20 )環脂族基團、直鏈或支鏈(C1 －C20 )經取代或未經取代之脂族伸烷基、(C1 －C20 )烷基醚、(C1 －C20 )烷基羧基、雜環基、芳基、經取代芳基、芳烷基、伸烷基芳基或此等基團之混合物。聚合物主鏈可為任何典型聚合物，諸如乙烯系、伸烷基醚、直鏈或支鏈脂族伸烷基、直鏈或支鏈脂族伸烷基酯、芳族及/或脂族聚酯樹脂。聚酯可由多元醇(一個以上羥基)與二酸或二酸酐之酯化製成且可與化合物進一步反應提供環氧基及/或羥基。具有環氧基之單體之實例(其可藉由與其他共聚單體之自由基聚合形成以產生包含環氧基之本發明聚合物)可為縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯、乙烯基苯甲醯基縮水甘油基醚及1,2－環氧基－4－乙烯基環己烷。圖1中給出側接環氧基之實例。
在實施例中，當聚合物包含脂族羥基時，該脂族羥基可與聚合物主鏈直接連接或經連接基團連接。較佳地，羥基為一級或二級醇。連接基團可為任何必要有機基團，諸如 烴基或伸烴基；實例為經取代或未經取代之(C1 －C20 )環脂族基團、直鏈或支鏈(C1 －C20 )經取代或未經取代之脂族伸烷基、直鏈、支鏈或環狀(C1 －C20 )經取代或未經取代之鹵化脂族伸烷基、(C1 －C20 )烷基醚、(C1 －C20 )烷基羧基、(C1 －C20 )伸烷基醚、(C1 －C20 )伸烷基羧基、經取代或未經取代之雜環基團、芳基、經取代或未經取代之芳基、芳烷基、伸烷基芳基或此等基團之混合物。圖2中給出與聚合物連接之側接羥基部分之實例。聚合物主鏈可為任何已知聚合物，諸如乙烯系、伸烷基醚、伸烷基酯、伸烷基醚、直鏈或支鏈脂族伸烷基、直鏈或支鏈脂族伸烷基酯及芳族及/或脂族聚酯樹脂。聚酯可由多元醇(一個以上羥基)與二酸或二酸酐之酯化製成且可與化合物進一步反應提供羥基。具有羥基之單體之實例(其可與其他共聚單體聚合產生本發明聚合物)可為羥基乙基(甲基)丙烯酸酯、羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、羥基異丙基(甲基)丙烯酸酯、聚酯、由多元醇(二元醇或三元醇)與二酸或二酸酐之酯化製成且可進一步反應提供脂族羥基之聚酯。
在實施例中，當聚合物包含發色團、至少一個環氧基及至少一個脂族羥基時，可使用本文所述之環氧基單體單元及脂族羥基單體單元中之任一者或類似者。環氧基及脂族羥基可在側接於聚合物之同一部分中；其實例在圖1中給出。聚合物之實例為甲基丙烯酸縮水甘油酯與2－羥基丙基甲基丙烯酸酯之共聚物、甲基丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸苯甲基酯與2－羥基丙基甲基丙烯酸酯之三聚物及具有 圖1之側接基團之聚酯。
在聚合物以及具有本文所述官能基之單體的所有實施例中，聚合物中可併入由諸如(甲基)丙烯酸酯、乙烯基醚、乙烯基酯、乙烯基碳酸酯、苯乙烯、α苯乙烯、N－乙烯基吡咯啶酮等之單體產生的其他共聚單體單元。
用於與包含發色團及脂族羥基之聚合物交聯之包含環氧基之聚合物的實例為聚(甲基丙烯酸縮水甘油酯－共－苯乙烯)、EPONTM 雙苯基A環氧樹脂(購自Hexion Specialty Chemicals Inc.Houston,TX)及D.E.N.環氧基酚醛清漆樹脂(購自The Dow Chemical Co.Midland,Michigan)。可使用包含一個以上環氧基之任何聚合物或化合物。
包含羥基而非環氧基之聚合物的實例可為聚酯、聚乙烯醇、羥基官能化聚(甲基)丙烯酸酯。聚酯可由多元醇(二元醇或三元醇)與二酸或酸酐之酯化製成，諸如新戊二醇或1,1,1－參(羥基甲基)丙烷與芳族二酸酐(例如苯四甲酸二酸酐、4,4'－氧雙苯二甲酸酐或芳族二酸(諸如鄰苯二甲酸))之酯化。
包含一個以上羥基官能基且不包含環氧基之化合物的實例為NPG(新戊二醇)、TMP(1,1,1－參(羥基甲基)丙烷))、異戊四醇及二異戊四醇。
僅包含環氧基官能基之化合物的實例為1,4－環己烷二甲醇二縮水甘油醚、三縮水甘油基－p－胺基苯酚、肆(4－羥基苯基)乙烷之四縮水甘油基醚。
術語(甲基)丙烯酸酯係指甲基丙烯酸酯或丙烯酸酯，且 類似地，(甲基)丙烯酸的係指甲基丙烯酸的或丙烯酸的。
有機基團係指有機化學領域適用，且具有碳及氫基本框架之任何部分。亦可存在其他雜原子。
如本文所用，術語"烴基"及"伸烴基"係以其為彼等熟習此項技術者熟知的具有主要烴特徵之部分的一般意義使用。"伸烴基"可係指具有額外連接點之烴基。可未經取代或經取代之烴基的實例包括：(1)烴基，亦即，脂族(例如烷基、烯基或炔基)、脂環族(例如環烷基、環烯基)、芳族、經脂族及脂環族取代之芳族取代基，以及環狀取代基，其中該環經由分子之另一部分成環(例如，兩個取代基一起形成脂環族基團)；單環或多環伸烷基、伸芳基、伸芳烷基。單環伸環烷基之實例可具有4至20個碳原子，且包括諸如伸環戊基及伸環己基，且多環伸環烷基可具有5至20個碳原子且包括諸如7－氧雜雙環[2,2,1]伸庚基、伸降基、伸金剛烷基、伸雙金剛烷基及伸三金剛烷基。
伸芳基之實例包括單環及多環基團，諸如伸苯基、伸萘基、聯苯－4,4'－二基、聯苯－3,3'－二基及聯苯－3,4'－二基。
芳基係指6至20個碳原子的具有單環或多環稠環之不飽和芳族碳環基，且包括(但不限於)例如苯基、甲苯基、二甲基苯基、2,4,6－三甲基苯基、萘基、蒽基及9,10－二甲氧基蒽基。
芳烷基係指含有芳基之烷基。其為具有芳族及脂族結構之烴基，亦即烷基氫原子經芳基取代之烴基(例如，甲苯基、苯甲基、苯乙基及萘基甲基)。
(2)含有除碳及氫之外的原子但性質上主要為烴之烴基，其中其他原子之實例為硫、氧或氮，其可單獨(諸如硫基或醚)或作為諸如酯、羧基、羰基等之官能鍵存在；(3)經取代之烴基，亦即，含有在本發明之情形中不改變主要烴取代基之非烴基團(例如，鹵素、羥基、環氧基、烷氧基、巰基、烷基巰基、硝基、亞硝基及硫氧基)之取代基；(4)雜取代基，亦即，在具有主要烴特徵同時，在本發明之情形中在另外包含碳原子之環或鏈中含有除碳以外之原子的取代基。雜原子包括硫、氧、氮，且涵蓋如吡啶基、呋喃基、噻吩基、氰酸酯基、異氰酸酯基及咪唑基之取代基。
烴基之實例為經取代或未經取代之直鏈或支鏈脂族(C1－20 )烷基、經取代或未經取代之直鏈或支鏈脂族(C1－20 )伸烷基、經取代或未經取代直鏈或支鏈硫基伸烷基脂族(C1－20 )基團、經取代或未經取代之伸環烷基、經取代或未經取代之苯甲基、烷氧基伸烷基、烷氧基芳基、經取代芳基、雜伸環烷基、雜芳基、氧雜環己基、環內酯、苯甲基、經取代苯甲基、羥基烷基、羥基烷氧基、烷氧基烷基、烷氧基芳基、烷基芳基、烯基、經取代芳基、雜環烷基、雜芳基、硝基烷基、鹵烷基、烷基醯亞胺基、烷基醯胺基或其混合物。
此外且如本文所用，預期術語"經取代"包括有機化合物之所有可允許之取代基。在一廣泛態樣中，可允許之取代 基包括有機化合物之非環狀及環狀、分枝及未分枝、碳環及雜環、芳族及非芳族取代基。說明性取代基包括(例如)彼等上文所述之取代基。對於適當有機化合物而言，可允許取代基可為一或多個且可為相同或不同的取代基。為本發明之目的，諸如氮之雜原子可具有氫取代基及/或任何本文所述之有機化合物的可允許之取代基，該等取代基滿足雜原子之價數。本發明不欲以任何方式限於有機化合物之可允許取代基。
烴基(例如)包括烷基、環烷基、經取代之環烷基、氧雜環己基、環內酯、苯甲基、經取代之苯甲基、羥基烷基、羥基烷氧基、烷氧基烷基、烷氧基芳基、烷基芳基、烯基、經取代之芳基、雜環烷基、雜芳基、硝基、鹵素、鹵烷基、銨、烷基銨、－(CH2 )2 OH、－O(CH2 )2 O(CH2 )OH、－(OCH2 CH2 )k OH(其中k＝1－10)及其混合物。
伸烴基之實例為與非氫部分具有另一連接點之本文所述之烴基。
聚合物之實例由不飽和單體之游離基聚合製成且具體化為(甲基)丙烯酸酯、乙烯基聚合物、乙烯基醚聚合物、聚(共苯乙烯)共聚物。聚合物可由不飽和單體製成，諸如經取代或未經取代之苯乙烯、縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯、羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、甲基(甲基)丙烯酸酯、羥基苯乙烯、(甲基)丙烯腈、(甲基)丙烯醯胺。此外，組合物可不含鹼性胺基化合物，尤其彼等為交聯劑，諸如基於三聚氰胺之化合物。聚合物能自身交聯。在此實施例中，無必 要之外部交聯化合物，但其為可用的。較佳不使用基於胺基之交聯劑。
在底層組合物之聚合物的一實施例中，吸光聚合物亦可為包含至少一個發色團及至少一個選自環氧基、脂族羥基或其混合物之部分的聚酯。因此，組合物包含該聚酯及能形成強酸之化合物。組合物可進一步包含交聯劑。聚酯聚合物可含有至少一個發色團、至少一個脂族羥基及至少一個環氧基。先前已描述聚合物上之官能基(發色團、環氧基及羥基)。通常，聚酯樹脂係由至少一種多元醇(例如，2－5個羥基)與至少一種二酸或二酸酐之反應製成，多元醇之混合物及二酸酐之混合物可用於形成聚合物且視情況進一步反應以封蓋任何游離酸基團。完全封蓋之聚酯為較佳的，使得不存在游離羧酸。聚合物中之酸基可經封端基團封端，且藉由使包含酸基之聚酯與合適封端化合物反應形成。封端基團展示於圖1及2中。封端基團可包含羥基及/或環氧基官能基。封端化合物通常可為芳族氧化物、脂族氧化物、碳酸烷二酯及其混合物。封端化合物可包含一個以上環氧基及/或一個以上脂族羥基。封端化合物可包含圖1及2所示之基團。較佳地，聚合物中無游離酸基團剩餘。如先前所述之芳族發色團官能基可存在於多元醇單體單元及/或二酸或二酸酐單元中，且可形成聚合物主鏈且/或側接於聚合物主鏈。封端基團中可存在芳族發色團官能基。聚酯之一般描述描述於US 2004/0101779、US 7,081,511及US 10/502,706中，且藉由引用併入本文中。聚 酯可進一步具體化為包含結構1之單元的聚合物， 其中A、B、R'及R"係獨立地選自有機基團，其中選自R'、R"、A及B的至少一者包含選自環氧基、脂族羥基及其混合物的至少一者，且選自R'、R"、A及B的至少一者包含芳族發色團。在聚合物之另一實施例中，聚合物具有結構(1)，其中A、B、R'及R"係獨立地選自有機基團，且其中選自R'、R"、A及B的至少一者包含環氧基，選自R'、R"、A及B的至少一者包含脂族羥基，且選自R'、R"、A及B的至少一者包含芳族發色團。較佳地，環氧基為末端環氧基。有機基團可具體化為如先前所述之烴基及伸烴基。
有機基團、A、B、R'及R"之更特定實例為芳族基團、烷基、雜環環氧基、伸烷基環氧基、伸烷基芳族基團、伸烷基、經取代之伸烷基、經芳族基取代之伸烷基及經取代之伸烷基酯基。A之其他實例為未經取代或經取代之脂族伸烷基、未經取代或經取代之芳族基、未經取代或經取代之環脂族基、未經取代或經取代之雜環基及其組合。其他實例包括未經取代或經取代之苯基、未經取代或經取代之萘基、未經取代或經取代之二苯甲酮、亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基及1－苯基－1,2－伸乙基。B之其他實例為視情況含有一或多個氧或硫原子之未經取代或經取代之直鏈 或支鏈伸烷基、未經取代或經取代之伸芳基及未經取代或經取代之伸芳烷基。有機基團之其他實例包括亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基、1－苯基－1,2－伸乙基、2－溴－2－硝基－1,3－伸丙基、2－溴－2－甲基－1,3－伸丙基、－CH2 OCH2 －、－CH2 CH2 OCH2 CH2 －、－CH2 CH2 SCH2 CH2 －或－CH2 CH2 SCH2 CH2 SCH2 CH2 －、苯乙烯基(phenylethylene)、烷基硝基伸烷基、溴硝基伸烷基、苯基及萘基。R'及R"之其他實例獨立地為脂族醇、一級脂族醇、二級脂族醇、脂族醚醇、烷基芳基醚醇、雜脂族醇、脂族縮水甘油基醇、縮水甘油基雜脂族醇、脂族縮水甘油基醚醇、雜脂族縮水甘油基醚及圖1及2中之基團。含有官能基之烴基及伸烴基部分之實例展示於圖1及2中且可表示R'及R"。
更特定言之，R'及R"可藉由使聚酯中之游離酸(其中聚酯係由二酸酐及多元醇製成)與以下化合物反應產生，諸如乙二醇二縮水甘油醚、丁二醇二縮水甘油醚、聚(乙二醇二縮水甘油醚、聚(丙二醇二縮水甘油醚、三羥甲基丙烷三縮水甘油醚、三苯酚甲烷三縮水甘油醚、三苯酚甲烷三縮水甘油醚2,6－甲苯二異氰酸酯加合物、甘油丙氧基化三縮水甘油醚、參(2,3－環氧丙基)異三聚氰酸酯、甘油二縮水甘油醚。
本發明聚合物之多個實施例中存在的可能之烴基及伸烴基單元之實例在圖1及2中給出。
結構1之單元的一實例為結構2： 其中R1 及R2 為先前定義之R'及R"。
類似地，可製成包含發色團及至少一個羥基，但不含環氧基之聚酯樹脂。
底層組合物包含所描述之聚酯樹脂及熱酸產生劑。可存在其他化合物及/或聚合物，諸如交聯劑及/或光酸產生劑。
在包含環氧基之本發明之聚合物的多個實施例中，環氧基可為約10至約80莫耳%，且較佳約30至約60莫耳%之範圍。
可使用標準聚合技術製備縮聚物或游離基聚合物。重量平均分子量可在約1,000至約1,000,000，且較佳1500至60,000的範圍。
新穎組合物包含聚合物及酸產生劑。酸產生劑可為在加熱時能產生強酸的熱酸產生劑。本發明所用之熱酸產生劑(TAG)可為在加熱時產生可與聚合物反應且傳播本發明中所存在之聚合物之交聯之酸(尤其較佳為強酸，諸如硫酸)的任何一或多種熱酸產生劑。較佳地，熱酸產生劑係在高於90℃，且更佳高於120℃，且甚至更佳高於150℃之溫度下活化。熱酸產生劑之實例為無金屬鋶鹽及錪鹽，諸如非親核強酸之三芳基鋶、二烷基芳基鋶及二芳基烷基鋶鹽、 非親核強酸之烷基芳基錪、二芳基錪鹽；及非親核強酸之銨、烷基銨、二烷基銨、三烷基銨、四烷基銨鹽。同樣，共價熱酸產生劑亦視為有用添加劑，例如烷基或芳基磺酸之2－硝基苯甲基酯及磺酸的其他酯，其熱分解產生游離磺酸。實例為全氟烷基磺酸二芳基錪、參(氟烷基磺醯基)甲基二芳基錪、雙(氟烷基磺醯基)甲基二芳基錪、雙(氟烷基磺醯基)醯亞胺二芳基錪、全氟烷基磺酸二芳基錪四級銨。不穩定酯的實例：甲苯磺酸2－硝基苯甲酯、甲苯磺酸2,4－二硝基苯甲酯、甲苯磺酸2,6－二硝基苯甲酯、甲苯磺酸4－硝基苯甲酯；苯磺酸鹽，諸如4－氯苯磺酸2－三氟甲基－6－硝基苯甲基酯、4－硝基苯磺酸2－三氟甲基－6－硝基苯甲基酯；酚系磺酸酯，諸如苯基、4－甲氧基苯磺酸酯；參(氟烷基磺醯基)甲基四級銨及雙(氟烷基磺醯基)醯亞胺四級烷基銨，有機酸之烷基銨鹽，諸如10－樟腦磺酸之三乙基銨鹽。多種芳族(蒽、萘或苯衍生物)磺酸胺鹽可用作TAG，包括彼等美國專利第3,474,054、4,200,729、4,251,665及5,187,019號中所揭示者。較佳地，TAG在介於170－220℃之間的溫度下將具有極低揮發性。TAG之實例為彼等King Industries以Nacure及CDX名稱出售者。該等TAG為Nacure 5225及CDX－2168E，CDX－2168E為以在丙二醇甲醚中25－30%活性自King Industries,Norwalk,Conn.06852,USA提供之十二烷基苯磺酸胺鹽。新穎組合物可進一步含有光酸產生劑，其實例(非限制性)為鎓鹽、磺酸鹽化合物、硝基苯甲基酯、三嗪等。較佳光酸產生劑為羥基醯亞胺之鎓鹽 及磺酸鹽、尤其二苯基錪鹽、三苯基鋶鹽、二烷基錪鹽、三烷基鋶鹽及其混合物。
本發明之塗覆組合物可含有以總固體計1重量%至約15重量%，且較佳4重量%至約10重量%吸光聚合物。酸產生劑中可以抗反射塗覆組合物之總固體計約0.1至約10重量%，較佳以固體計0.3至5重量%，且更佳以固體計0.5至2.5重量%範圍併入。二級聚合物、寡聚物或化合物在使用時可為以總固體計約1重量%至約10重量%的範圍。可添加其他組份以增強塗層效能，其他組份例如單體染料、低碳醇、表面調平劑、助黏劑、消泡劑等。可向組合物中添加諸如清漆型酚醛樹脂、聚羥基苯乙烯、聚甲基甲基丙烯酸酯及聚丙烯酸酯之其他聚合物，提供未受不利影響之效能。此聚合物之量較佳保持為低於組合物之總固體之50重量%，更佳低於20重量%，且甚至更佳低於10重量%。
新穎塗覆組合物可包含聚合物、交聯劑、酸產生劑及溶劑組合物。
多種交聯劑可用於本發明之組合物中。可使用任何可在酸存在下使聚合物交聯之合適交聯劑。此等交聯劑之實例(非限制性)為含有三聚氰胺、羥甲基、甘脲、聚合甘脲、苯代三聚氰胺、脲、羥基烷基醯胺之樹脂、環氧樹脂及環氧胺樹脂、嵌段異氰酸酯及二乙烯基單體。可使用如六甲氧基甲基三聚氰胺之單體三聚氰胺、如肆(甲氧基甲基)甘脲之甘脲及如2,6－雙羥基甲基對－甲酚之芳族羥甲基。可使用US 2006/0058468(該案以引用的方式併入本文)中所揭示 之交聯劑，其中該交聯劑為藉由使至少一種甘脲化合物與至少一種含有至少一個羥基及/或至少一個酸基之反應性化合物反應而獲得的聚合甘脲。
將抗反射塗覆組合物之固體組份與能溶解抗反射塗料之固體組份的溶劑或溶劑混合物混合。適用於抗反射塗覆組合物之溶劑可包括(例如)二醇醚衍生物，諸如乙基溶纖劑、甲基溶纖劑、丙二醇單甲醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二丙二醇二甲醚、丙二醇正丙醚或二乙二醇二甲醚；二醇醚酯衍生物，諸如乙基溶纖劑乙酸酯、甲基溶纖劑乙酸酯或丙二醇單甲醚乙酸酯；羧酸酯，諸如乙酸乙酯、乙酸正丁酯及乙酸戊酯；二元酸之羧酸酯，諸如草酸二乙酯及丙二酸二乙酯；二醇之二羧酸酯，諸如乙二醇二乙酸酯及丙二醇二乙酸酯；及羥基羧酸酯，諸如乳酸甲酯、乳酸乙酯、羥乙酸乙酯及乙基－3－羥基丙酸酯；酮酯，諸如丙酮酸甲酯或丙酮酸乙酯；烷氧基羧酸酯，諸如3－甲氧基丙酸甲酯、3－乙氧基丙酸乙酯、2－羥基－2－甲基丙酸乙酯或乙氧基丙酸甲酯；酮衍生物，諸如甲基乙基酮、乙醯基丙酮、環戊酮、環己酮或2－庚酮；酮醚衍生物，諸如二丙酮醇甲醚；酮醇衍生物，諸如丙酮醇或二丙酮醇；內酯，諸如丁內酯；醯胺衍生物，諸如二甲基乙醯胺或二甲基甲醯胺；苯甲醚及其混合物。
由於新穎薄膜係塗覆於基板頂部且亦經受乾式蝕刻，因此設想薄膜具有足夠低之金屬離子含量及足夠之純度，使得對半導體裝置之特性無不利影響。可使用諸如使聚合物 之溶液穿過離子交換管柱、過濾及萃取過程之處理來降低金屬離子之濃度且減少粒子。
如橢偏量測所測，新穎組合物在曝光波長下之吸光參數(k)在約0.05至約1.0，較佳約0.1至約0.8範圍內。在一實施例中，組合物在曝光波長下具有約0.2至約0.5範圍內的k值。抗反射塗料之折射率(n)亦最佳化，且可在約1.3至約2.0，較佳1.5至約1.8之範圍內。n與k值可使用橢圓偏光儀計算，諸如J.A.Woollam WVASE VU－32TM 橢圓偏光儀。k及n最佳範圍之確切值視所用之曝光波長及應用類型而定。通常對於193 nm而言，k之較佳範圍為約0.05至約0.75，且對於248 nm而言，k之較佳範圍為約0.15至約0.8。
新穎塗覆組合物係使用彼等熟習此項技術者熟知之技術(諸如浸漬、旋塗或噴霧)而塗覆於基板上。抗反射塗層之薄膜厚度可在約15 nm至約200 nm之範圍內。在一加熱板或對流爐上進一步將該塗層加熱足夠長之時間，以移除任何殘餘溶劑且引起交聯，且因此使抗反射塗層不可溶，以防止抗反射塗層之間的混合。較佳溫度範圍為約90℃至約250℃。若溫度低於90℃，則發生溶劑損失不足或不足量之交聯，且在高於300℃之溫度下，組合物可變得化學上不穩定的。本塗層上可塗覆其他類型之抗反射塗料。可使用具有不同n及k值的多種抗反射塗料。隨後將光阻薄膜塗覆於最頂部抗反射塗層之頂部且加以烘焙，從而實質上移除光阻溶劑。在塗覆步驟後，可使用此項技術中熟知之方 法應用晶邊去除液來清潔基板邊緣。
上面形成有抗反射塗層之基板可為半導體工業中通常使用之彼等基板中之任一者。合適之基板包括(但不限於)矽、塗覆有金屬表面之矽基板、塗覆有銅之矽晶圓、銅、鋁、聚合樹脂、二氧化矽、金屬、經摻雜之二氧化矽、氮化矽、鉭、多晶矽、陶瓷、鋁/銅混合物；砷化鎵及其它此III/V族化合物。基板可包含任何數目之由上述材料製備之層。
光阻可為半導體工業中所使用之類型中之任一者，其限制條件為光阻中之光敏化合物及抗反射塗料在用於成像製程之曝光波長下吸光。
迄今為止，存在若干主要深紫外光(UV)曝光技術，其已提供小型化顯著進步以及248 nm、193 nm、157及13.5 nm之此等輻射。用於248 nm之光阻通常以經取代之聚羥基苯乙烯及其共聚物/鎓鹽為主，諸如於US 4,491,628及US 5,350,660中所描述之彼等光阻。另一方面，用於200 nm以下曝光之光阻需要非芳族聚合物，因為芳族物在此波長下不透明。US 5,843,624及US 6,866,984揭示適用於193 nm曝光之光阻。一般而言，含有脂環烴之聚合物係用於在200 nm以下曝光之光阻。由於許多原因，將脂環烴併入聚合物中，主要係因為脂環烴具有相對高之碳氫比(此可改良蝕刻抗性)，其亦在低波長下提供透明度，且其具有相對高之玻璃轉移溫度。US 5,843,624揭示藉由順丁烯二酸酐與不飽和環狀單體之自由基聚合獲得之光阻聚合物。可 使用任何已知類型之193 nm光阻，諸如在US 6,447,980及US 6,723,488中所述之彼等，且將該等文獻以引用方式併入本文中。
已知在157 nm下敏感且基於具有側接氟醇基團之氟化聚合物的兩類基本光阻在彼波長下大體上透明。一類157 nm氟醇光阻係衍生自含有諸如氟化降冰片烯之基團且係使用金屬催化或自由基聚合而均聚或與其他透明單體(諸如四氟乙烯)共聚(US 6,790,587及US 6,849,377)的聚合物。一般而言，此等材料產生較高吸光率，但由於其高脂環含量而具有良好電漿蝕刻抗性。最近，描述一類157 nm氟醇聚合物，其中該聚合物主鏈係衍生自諸如1,1,2,3,3－五氟－4－三氟甲基－4－羥基－1,6－庚二烯之不對稱二烯之環聚合(Shun－ichi Kodama等人，Advances in Resist Technology and Processing XIX,Proceedings of SPIE，第4690卷，第76頁，2002；US 6,818,258)或氟二烯與烯烴之共聚(US 6,916,590)。此等材料在157 nm下產生可接受之吸光率，但由於其比氟降冰片烯聚合物低之脂環含量而具有較低電漿蝕刻抗性。通常可摻合此兩類聚合物以在第一聚合物類型之高蝕刻抗性與第二聚合物類型在157 nm下之高透明度之間取得平衡。吸收13.5 nm之遠紫外光輻射(EUV)之光阻亦適用且其為此項技術中已知的。
在塗覆製程後，使光阻成像曝光。可使用典型曝光設備進行曝光。隨後在水性顯影劑中使經曝光之光阻顯影以移除經處理之光阻。顯影劑較佳為包含(例如)氫氧化四甲銨 之鹼性水溶液。顯影劑可進一步包含界面活性劑。可在顯影之前及曝光之後向該製程中併入可選加熱步驟。
塗覆光阻及使其成像之方法對於彼等熟習此項技術者為熟知的，且針對所使用之特定類型之光阻加以優化。隨後可在合適蝕刻腔室中使用蝕刻氣體或氣體混合物來乾式蝕刻經圖案化之基板，以移除抗反射薄膜之經曝光部分，其中剩餘光阻充當蝕刻光罩。在此項技術中已知各種用於蝕刻有機抗反射塗層之蝕刻氣體，諸如彼等包含CF4 、CF4 /O2 、CF4 /CHF3 或Cl2 /O2 之蝕刻氣體。
為達成所有目的，以上所參考之文獻中之每一者以引用的方式全文併入本文中。以下特定實例將提供對產生及利用本發明組合物之方法的詳細說明。然而，此等實例並非意欲以任何方式限制或限定本發明之範疇，且不應視作提供為實踐本發明而必需專有使用之條件、參數或數值。
實例
在J.A.Woollam VASE32橢偏儀上量測以下實例中抗反射塗層之折射率(n)及吸光率(k)值。
在凝膠滲透層析儀(Gel Permeation Chromatograph)上量測聚合物之分子量。
實例 合成實例1
在氮氣淨化下將7.29 g(0.07 mol)苯乙烯、7.11 g(0.05 mol)甲基丙烯酸縮水甘油酯、6.51 g(0.05 mol)2－羥基丙基甲基丙烯酸酯、16.35 g(0.1633 mol)甲基丙烯酸甲酯及149 g丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)裝入500 ml燒瓶中，該燒瓶裝配有冷凝器、熱控制器及機械攪拌器。添加0.99 g偶氮二異丁腈(AIBN)且將混合物加熱至90℃且保持18小時。接著，將反應物升溫至100℃，歷時1小時。將反應物冷卻至室溫且使聚合物在水中緩慢沈澱，收集及乾燥。獲得40 g聚合物，藉由GPC測得重量平均分子量(MW)為約18,000 g/mol(以聚苯乙烯作為標準)。
填充實例1
藉由將5 g合成實例1中製備之聚合物及0.05 g九氟丁烷－1－磺酸的三乙銨鹽溶解於50 g丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)中來製備通孔填充組合物。經由0.2 μm過濾器過濾溶液。以具有通孔圖案化之基板評估調配物之填充效能。通孔尺寸在直徑130 nm至300 nm範圍，深650 nm且間距(通孔之間的距離)1：1至獨立通孔範圍。將溶液旋塗於基板上且在200℃至225℃下烘焙90秒。以橫截面掃描電子顯微鏡(SEM)觀測發現材料填充中無空隙。
微影評估實例1
使用AZEXP T83742光阻評估抗反射塗層調配物之微影效能。藉由將通孔填充實例1中之20 g組合物以30 g PGMEA稀釋獲得抗反射塗覆溶液。將上述溶液以約2500 rpm旋塗於8"矽晶圓上且接著將該晶圓在200℃下烘焙90秒產生75 nm厚度之薄膜。接著該晶圓用於在VU－302型J.A.Woollam VUV－Vase橢偏儀上量測折射率n及k。發現薄膜之折射率為如下：n(193 nm)＝1.7，k(193 nm)＝0.3。接著將溶液塗覆於矽晶圓上且在200℃下烘焙90秒。使用AZEXP T83742光阻(購自AZ Electronic Material USA Corp.,70 Meister Ave.,Somerville,NJ)，在抗反射塗層上塗覆一190 nm薄膜且在115℃下烘焙60秒。接著使用193 nm曝光工具使晶圓成像曝光。將經曝光之晶圓在110℃下烘焙60秒且使用2.38重量%氫氧化四甲基銨水溶液使其顯影，歷時60秒。當在掃描電子顯微鏡(SEM)下觀測時，線及空間圖案顯示無駐波，因此表明底部抗反射塗層之功效。
合成實例2
在氮氣淨化下將13.5(0.076 mol)甲基丙烯酸苯甲基酯、12.3(0.087 mol)甲基丙烯酸縮水甘油酯、6.3 g(0.043 mol)2－羥基丙基甲基丙烯酸酯、0.71 g(0.005 mol)甲基烯酸丁基酯、36.5 g(4.06 mol)甲基丙烯酸甲基酯及180 g丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)裝入500 ml燒瓶中，該燒瓶裝配有冷凝器、熱控制器及機械攪拌器。添加0.99 g偶氮二異丁腈(AIBN)且將混合物加熱至90℃且保持18小時。接 著，將反應物升溫至100℃，歷時1小時。將反應物冷卻至室溫且使聚合物在水中緩慢沈澱，收集及乾燥。獲得40 g聚合物，藉由GPC測得重量平均分子量(MW)為約18,000 g/mol(以聚苯乙烯作為標準)。
通孔填充實例2
藉由將5 g合成實例2中製備之聚合物及0.05 g九氟丁烷－1－磺酸的三乙銨鹽溶解於50 g丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)中來製備通孔填充組合物。經由0.2 μm過濾器過濾溶液。以具有通孔圖案化之基板評估調配物之填充效能。通孔尺寸在直徑130 nm至300 nm範圍，深650 nm且間距1：1至獨立通孔範圍。將溶液旋塗於基板上且在200℃至225℃下烘焙90秒。經橫截面SEM觀測得無空隙之良好填充。
微影評估實例2
使用AZEXP T83742光阻評估抗反射塗層調配物之微影效能。藉由將通孔填充實例2中之20 g組合物以30 g PGMEA稀釋獲得抗反射溶液。接著將溶液塗覆於矽晶圓上且在200℃下烘焙90秒。發現抗反射薄膜具有1.84之(n)值及0.29之(k)值。接著將溶液塗覆於矽晶圓上且在200℃下烘焙90秒。使用AZEXP T83742光阻，塗覆190 nm薄膜，且在115℃下烘焙60秒。接著使用193 nm曝光工具使晶圓成像曝光。將經曝光晶圓在110℃下烘焙60秒且使用2.38重量%氫氧化四甲基銨水溶液顯影歷時60秒。當在掃描電子顯微鏡下觀測時，線及空間圖案顯示無駐波，因此 表明底部抗反射塗層之功效。
合成實例3
在氮氣淨化下將348.9 g(1.98 mol)甲基丙烯酸苯甲酯、96.0 g(0.675 mol)甲基丙烯酸縮水甘油酯、49.7 g(0.345 mol)2－羥基丙基甲基丙烯酸酯及1978 g丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)裝入5000 ml燒瓶中，該燒瓶裝配有冷凝器、熱控制器及機械攪拌器。添加9.36 g偶氮二異丁腈(AIBN)且將混合物加熱至90℃且保持18小時。接著，將反應物升溫至100℃，歷時1小時。將反應物冷卻至室溫且使聚合物在水中緩慢沈澱，收集及乾燥。獲得490 g聚合物，藉由GPC測得重量平均分子量(MW)為約18,000 g/mol(以聚苯乙烯作為標準)。
微影評估實例3
藉由將1 g合成實例3中所製備之聚合物及0.01 g九氟丁烷－1－磺酸之三乙基銨鹽溶解於50 g丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)中來製備底層BARC組合物。經由0.2 μm過濾器過濾溶液。藉由以2500 RPM旋塗此底層BARC且在200℃下烘焙60秒產生35 nm厚度之膜，隨後藉由旋塗上層BARC(AZEXP ArF EB－68B(購自AZElectronic Material USA Corp.,70 Meister Ave.,Somerville,NJ)且在200℃下烘焙60秒，在矽晶圓上製備兩層底部抗反射塗層堆疊。使用AZEXP T83742光阻評估抗反射塗層堆疊之微影效能。塗覆190 nm光阻膜且在115℃下烘焙60秒。接著使用193 nm曝光工具使晶圓成像曝光。將經曝光之晶圓在110℃下烘 焙60秒且使用2.38重量%氫氧化四甲基銨水溶液使其顯影，歷時60秒。當在掃描電子顯微鏡下觀測時，線及空間圖案顯示無駐波，因此表明底部抗反射塗層之功效。
合成實例4
在氮氣淨化下將8.23(0.079 mol)苯乙烯、15.2 g(0.12 mol)2－羥基丙基甲基丙烯酸酯、13.8 g(0.014 mol)甲基丙烯酸甲酯及149 g丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)裝入500 ml燒瓶中，該燒瓶裝配有冷凝器、熱控制器及機械攪拌器。添加0.99 g偶氮二異丁腈(AIBN)且將混合物加熱至90℃且保持18小時。接著，將反應物升溫至100℃，歷時1小時。將反應物冷卻至室溫且使聚合物在水中緩慢沈澱，收集及乾燥。獲得45 g聚合物，藉由GPC測得重量平均分子量(MW)為約18,000 g/mol(以聚苯乙烯作為標準)。
通孔填充實例4
藉由溶解5 g合成實例4中製備之聚合物、1.5 g of EPONTM 樹脂1031(購自Hexion Specialty Chemicals,Inc.Columbus,Ohio)、0.05 g九氟丁烷－1－磺酸之三乙基銨鹽、0.006 g FC－4430 FLUORAD(TM)氟界面活性劑(購自3M,St.Paul,MN)及70 g丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)製備抗反射填充組合物。經由0.2 μm過濾器過濾溶液。以具有通孔圖案化之基板評估調配物之填充效能。通孔尺寸在直徑130 nm至300 nm範圍，深650 nm且間距1：1至獨立通孔範圍。將溶液旋塗於基板上且在200℃至225℃下烘焙90秒。經橫截面SEM觀測得良好填充及無空隙。
合成實例5
在氮氣淨化下將36.7 g(0.21 mol)甲基丙烯酸苯甲基酯、11.8 g(0.083 mol)甲基丙烯酸縮水甘油酯、6.0 g(0.042 mol)2－羥基丙基甲基丙烯酸酯及218 g丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)裝入500 ml燒瓶中，該燒瓶裝配有冷凝器、熱控制器及機械攪拌器。添加1.04 g偶氮二異丁腈(AIBN)且將混合物加熱至90℃且保持18小時。接著，將反應物升溫至100℃，歷時1小時。將反應物冷卻至室溫且使聚合物在水中緩慢沈澱，收集及乾燥。獲得40 g聚合物，藉由GPC測得重量平均分子量(MW)為約18,000 g/mol(以聚苯乙烯作為標準)。
合成實例6
在氮氣淨化下將12.34(0.07 mol)甲基丙烯酸苯甲基酯、7.11 g(0.05 mol)甲基丙烯酸縮水甘油酯、6.51g(0.05 mol)甲基丙烯酸2－羥基乙基酯、16.35 g(0.16 mol)甲基丙烯酸甲酯及169 g丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)裝入500 ml燒瓶中，該燒瓶裝配有冷凝器、熱控制器及機械攪拌器。添加0.99 g偶氮二異丁腈(AIBN)且將混合物加熱至90℃且保持18小時。接著，將反應物升溫至100℃，歷時1小時。將反應物冷卻至室溫且使聚合物在水中緩慢沈澱，收集及乾燥。獲得40 g聚合物，藉由GPC測得重量平均分子量(MW)為約20,000 g/mol(以聚苯乙烯作為標準)。
微影評估實例6
使用AZEXP T83742光阻評估抗反射塗層調配物之微影 效能。藉由將4 g合成實例6中所製備之聚合物及0.04 g九氟丁烷－1－磺酸之三乙基銨鹽溶解於100 g丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)中來製備抗反射溶液。接著將溶液塗覆於矽晶圓上且在200℃下烘焙90秒。發現抗反射薄膜具有1.83之(n)值及0.31之(k)值。接著將溶液塗覆於矽晶圓上且在200℃下烘焙90秒。使用AZEXP T83742光阻，塗覆190 nm薄膜，且在115℃下烘焙60秒。接著使用193 nm曝光工具使晶圓成像曝光。將經曝光之晶圓在110℃下烘焙60秒且使用2.38重量%氫氧化四甲基銨水溶液使其顯影，歷時60秒。當在掃描電子顯微鏡下觀測時，線及空間圖案顯示無駐波，因此表明底部抗反射塗層之功效。
合成實例7
向140 g PGMEA中添加40 g(0.2 mol)丁烷四甲酸二酸酐、28 g(0.2 mol)苯乙二醇及4 g氯化苯甲基三丁基銨。使溫度升至110℃直至獲得均質溶液。將混合物保持於110℃下歷時4小時，且冷卻至室溫。向上述混合物中添加445 g(4.8 mol)表氯醇且使反應物在56℃下混合36小時。冷卻後，使產物在醚中沈澱且空氣乾燥。將聚合物再溶解於丙酮中且在水中再沈澱。將固體產物乾燥且收集。藉由GPC測得重量平均分子量為(MW)為約15,000 g/mol(以苯乙烯作為標準)。
通孔填充實例7
藉由溶解5 g合成實例7中製備之聚合物、0.05 g九氟丁烷－1－磺酸之三乙銨鹽、0.004 g FC－4430 FLUORAD(TM)氟 界面活性劑(購自3M,St.Paul,MN)及50 g丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)製備填充組合物。經由0.2 μm過濾器過濾溶液。以具有通孔圖案化之基板評估調配物之填充效能。通孔尺寸在直徑130 nm至300 nm範圍，深650 nm且間距1：1至獨立通孔範圍。將溶液旋塗於基板上且在200℃至225℃下烘焙90秒。經橫截面SEM觀測得良好填充及無空隙。
合成實例8
將10 g丁烷四甲酸二酸酐、7 g苯乙二醇、0.5 g氯化苯甲基三丁基銨及35 g丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)裝入燒瓶中，該燒瓶裝備有冷凝器、熱控制器及機械攪拌器。在氮氣下且在攪拌下，將混合物加熱至110℃。在約1－2小時後獲得澄清溶液。將溫度保持於110℃下歷時3小時。冷卻時，使30 g PGMEA、30 g乙腈、36 g氧化丙烯及21 g參(2,3－環氧丙基)異三聚氰酸酯與上述溶液混合。將反應保持於55℃下歷時24小時。使反應溶液冷卻至室溫且緩慢倒入高速摻合器中之大量水中。收集聚合物且用水徹底洗滌。最終在真空烘箱中乾燥聚合物。獲得重量平均分子量(MW)為約15,000 g/mol之22 g聚合物。
合成實例9
將10 g丁烷四甲酸二酸酐、7 g苯乙二醇、0.5 g氯化苯甲基三丁基銨及35 g丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)裝入燒瓶中，該燒瓶裝備有冷凝器、熱控制器及機械攪拌器。在氮氣下且在攪拌下，將混合物加熱至110℃。在約1－2小時 後獲得澄清溶液。將溫度保持於110℃下歷時3小時。冷卻時，將25 g氧化丙烯及30 g 1,4－丁二醇二縮水甘油醚與上述溶液混合。將反應保持於55℃下歷時40小時。使反應溶液冷卻至室溫且緩慢倒入高速摻合器中之大量水中。收集聚合物且用水徹底洗滌。最終在真空烘箱中乾燥聚合物。獲得重量平均分子量(MW)為約40,000 g/mol之20 g聚合物。
合成實例10
將40 g 1,2,4,5－苯四甲酸二酸酐、14 g乙二醇及90 g乙腈裝入燒瓶中，該燒瓶裝備有冷凝器、熱控制器及機械攪拌器。在氮氣下且在攪拌下，將混合物加熱至90℃。將反應混合物在85℃下回流24小時。冷卻至40℃或更低溫度下之後，向上述溶液中添加80 g乙腈、123 g氧化丙烯、54 g參(2,3－環氧丙基)異三聚氰酸酯及1 g氯化苯甲基三丁基銨。將反應保持於55℃下歷時24小時。使反應溶液冷卻至室溫且緩慢倒入高速摻合器中之大量水中。收集聚合物且用水徹底洗滌。最終在真空烘箱中乾燥聚合物。獲得重量平均分子量(MW)為約19,000 g/mol之130 g聚合物。
合成實例11
將15.8 g丁烷四甲酸二酸酐、2.8 g 1,2,4,5－苯四甲酸二酸酐、5.8 g苯乙二醇、5.6 g新戊二醇及1.0 g氯化苯甲基三丁基銨與70 g PEMEA溶劑一起裝入燒瓶中，該燒瓶裝備有冷凝器、熱控制器及機械攪拌器。在氮氣下且在攪拌下，將混合物加熱至100℃。使反應隔夜，歷時16－18小 時。冷卻至40℃或更低溫度後，向上述溶液中添加50 g PGMEA、50 g乙腈、66 g氧化丙烯及38 g參(2,3－環氧丙基)異三聚氰酸酯。將反應保持於55℃下歷時24小時。使反應溶液冷卻至室溫且緩慢倒入高速摻合器中之大量水中。收集聚合物且用水徹底洗滌。最終在真空烘箱中乾燥聚合物。獲得重量平均分子量(MW)為約51,000 g/mol之36 g聚合物。
合成實例12
將10 g丁烷四甲酸二酸酐、3.5 g苯乙二醇、2.3 g 2－甲基丙二醇、0.5 g氯化苯甲基三丁基銨及35 g PGMEA溶劑裝入燒瓶中，該燒瓶裝備有冷凝器、熱控制器及機械攪拌器。在氮氣下且在攪拌下，將混合物加熱至110℃。使反應在110℃下歷時4小時。冷卻至40℃或更低溫度後，向上述溶液中添加30 g PGMEA、30 g乙腈、33 g氧化丙烯及15 g參(2,3－環氧丙基)異三聚氰酸酯。將反應保持於55℃下歷時24小時。使反應溶液冷卻至室溫且緩慢倒入高速摻合器中之大量水中。收集聚合物且用水徹底洗滌。最終在真空烘箱中乾燥聚合物。
微影調配物實例13
將1.0 g合成實例8溶解於30 g PGMEA/PGME 70/30溶劑中以製備3.3重量%溶液。向聚合物溶液中添加1%九氟丁烷磺酸/三乙胺及0.05%九氟丁磺酸三苯基鋶(TPSNf)。接著將混合物經微孔尺寸為0.2 μm之微過濾器過濾。
微影調配物實例14
將600 g之四甲氧基甲基甘脲、96 g之苯乙二醇及1200 g之PGMEA裝入2 L夾套燒瓶(其裝備有溫度計、機械攪拌器及冷水冷凝器)中且加熱至85℃。在添加催化量之對甲苯磺酸單水合物之後，將反應在此溫度下保持5小時。接著將反應溶液冷卻至室溫且過濾。將濾液緩慢倒入蒸餾水中，同時攪拌以使聚合物沈澱。將聚合物過濾，用水充分洗滌且在真空烘箱中乾燥(獲得250 g)。所得聚合物具有約17,345 g/mol之重量平均分子量及2.7之聚合度分布性。
將0.67 g合成實例8之聚合物固體及0.33 g來自此實例之聚合物溶解於30 g PGMEA/PGME 70/30溶劑中以製備3.3重量%溶液。向聚合物溶液中添加1%九氟丁烷磺酸/三乙胺及1% TPSNf。接著將混合物經微孔尺寸為0.2 μm之微過濾器過濾。
填充調配物實例15
將3.0 g合成實例8之聚合物固體溶解於30 g PGMEA/PGME 70/30溶劑中以製備10重量%溶液。向聚合物溶液中添加0.5%九氟丁烷磺酸/三乙胺。接著將混合物經微孔尺寸為0.2 μm之微過濾器過濾。
微影效能實例16
使用T83472光阻(AZ Electronic Materials USA Corp.,NJ,USA之產品)評估微影調配物實例13及14之抗反射塗覆調配物之效能。用此實例之抗反射塗覆調配物將約82 nm厚之薄膜塗覆於矽晶圓上且在200℃下烘焙90秒。接著塗覆190 nm厚之T83472光阻溶液且在115℃下烘焙60秒。接 著使用Nikon NSR－306D 193nm掃描以0.85NA在0.9sigma之偶極Y照明下使用PSM光罩將晶圓逐微影曝光。經曝光晶圓在110℃下烘焙60秒且在AZ300MIF顯影劑(購自AZ Electronic Materials USA Corp.,NJ,USA)下顯影30秒。接著在掃描電子顯微鏡下檢驗經清潔晶圓。結果：線及空間圖案顯示無駐波，無基腳且無浮渣，因此表明底部抗反射塗層之功效。
通孔填充測試實例17
在矽晶圓上評估填充調配物實例15之抗反射塗覆調配物之填充效能。塗覆約300 nm厚之調配物實例1之薄膜且在200℃下在矽晶圓上與此實例之抗反射塗覆調配物一起烘焙90秒。使用同一旋塗速度在200℃/90 s、225℃/90 s、250℃/90 s及250℃/90 s＋300℃/120 s之SB條件下旋塗具有圖案化通孔之矽晶圓。接著在掃描電子顯微鏡下檢驗經塗覆晶圓。結果展示在通孔中及表面上無空隙。分離/密集偏差小於90 nm，認為此為良好的。
圖1係關於含有環氧基之部分的實例。
圖2係關於含有羥基之部分的實例。

Claims (12)

  1. 一種能交聯之底層塗覆組合物，其包含聚合物、能產生強酸之化合物及視情況之交聯劑，此外其中該聚合物包含至少一個吸光發色團及至少一個選自環氧基、脂族羥基及其混合物之部分，並具有如下結構： 其中A、B、R'及R"係獨立地選自有機基團，且其中選自R'、R"、A及B中之至少一者包含環氧基，選自R'、R"、A及B的至少一者包含羥基，且選自R'、R"、A及B的至少一者包含芳族發色團。
  2. 如請求項1之底層塗覆組合物，其中該聚合物不含矽基。
  3. 如請求項1之底層塗覆組合物，其中該交聯劑係選自三聚氰胺、羥甲基、甘脲、聚合甘脲、羥基烷基醯胺、環氧樹脂及環氧胺樹脂、嵌段異氰酸酯及二乙烯基單體。
  4. 如請求項1之底層塗覆組合物，其進一步包含重量平均分子量小於1,000之化合物，該化合物選自包含兩個或兩個以上羥基之化合物、包含兩個或兩個以上環氧基之化合物及包含至少一個羥基及至少一個環氧基之化合物。
  5. 如請求項1之底層塗覆組合物，其中A、B、R'及R"係獨立地選自芳族基團、烷基、雜環環氧基、烷基環氧基、芳族基團、伸烷基芳族基團、伸烷基、經取代之伸烷基及經取代之伸烷基酯基。
  6. 如請求項1之底層塗覆組合物，其中R'及R"係獨立地選自脂族醇、一級脂族醇、二級脂族醇、脂族醚醇、烷基芳基醚醇、雜脂族醇、脂族縮水甘油基醇、縮水甘油基雜脂族醇、脂族縮水甘油基醚醇及雜脂族縮水甘油基醚。
  7. 如請求項1之底層塗覆組合物，其中該羥基為伸烷基羥基。
  8. 如請求項1之底層塗覆組合物，其中該聚合物不含酸基及/或酚系基團。
  9. 如請求項1之底層塗覆組合物，其中該能產生強酸之化合物為熱酸產生劑。
  10. 一種用於製造一微電子裝置之方法，其包含：a)提供一基板，其具有一如請求項1之抗反射塗覆組合物的第一層；b)在該第一抗反射塗覆組合物層上視情況提供至少一第二抗反射塗層；c)在該等抗反射塗層上塗覆一光阻層；d)使該光阻層成像曝光；e)以鹼性顯影水溶液使該光阻層顯影。
  11. 如請求項10之方法，其中該光阻在約240nm至約30nm下為敏感的。
  12. 如請求項10之方法，其中該顯影溶液為包含氫氧化物鹼之水溶液。
TW097129404A 2007-08-03 2008-08-01 以可交聯聚合物為主之底層塗覆組合物 TWI438575B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/833,361 US20090035704A1 (en) 2007-08-03 2007-08-03 Underlayer Coating Composition Based on a Crosslinkable Polymer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200915007A TW200915007A (en) 2009-04-01
TWI438575B true TWI438575B (zh) 2014-05-21

Family

ID=39885174

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097129404A TWI438575B (zh) 2007-08-03 2008-08-01 以可交聯聚合物為主之底層塗覆組合物

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20090035704A1 (zh)
EP (1) EP2181166A2 (zh)
JP (1) JP5332046B2 (zh)
KR (1) KR101486841B1 (zh)
CN (1) CN101796150A (zh)
TW (1) TWI438575B (zh)
WO (1) WO2009019575A2 (zh)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8039201B2 (en) * 2007-11-21 2011-10-18 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating composition and process thereof
US8221965B2 (en) * 2008-07-08 2012-07-17 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating compositions
US8329387B2 (en) * 2008-07-08 2012-12-11 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating compositions
US20100015550A1 (en) * 2008-07-17 2010-01-21 Weihong Liu Dual damascene via filling composition
US20100092894A1 (en) * 2008-10-14 2010-04-15 Weihong Liu Bottom Antireflective Coating Compositions
US8551686B2 (en) 2009-10-30 2013-10-08 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective composition for photoresists
TWI563042B (en) * 2010-02-05 2016-12-21 Cambrios Technologies Corp Photosensitive ink compositions and transparent conductors and method of using the same
US8507192B2 (en) * 2010-02-18 2013-08-13 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective compositions and methods of using same
US8465902B2 (en) * 2011-02-08 2013-06-18 Az Electronic Materials Usa Corp. Underlayer coating composition and processes thereof
US9170494B2 (en) 2012-06-19 2015-10-27 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Antireflective compositions and methods of using same
KR102255221B1 (ko) * 2013-12-27 2021-05-24 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 나노리소그래피용 유기 바닥 반사방지 코팅 조성물
TWI662370B (zh) 2015-11-30 2019-06-11 南韓商羅門哈斯電子材料韓國公司 與外塗佈光致抗蝕劑一起使用之塗料組合物
US11262656B2 (en) * 2016-03-31 2022-03-01 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Coating compositions for use with an overcoated photoresist
EP3729196A1 (en) * 2017-12-20 2020-10-28 Merck Patent GmbH An ethynyl derived composite, a composition comprising thereof, a method for manufacturing a coating by it, and a method for manufacturing a device comprising the coating
JP7163221B2 (ja) * 2019-03-11 2022-10-31 キオクシア株式会社 高分子材料、組成物および半導体装置の製造方法
US11269252B2 (en) * 2019-07-22 2022-03-08 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Method for forming pattern using antireflective coating composition including photoacid generator
KR102675074B1 (ko) * 2020-11-20 2024-06-12 삼성에스디아이 주식회사 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 패턴형성방법
CN115403976B (zh) * 2022-08-19 2023-04-18 嘉庚创新实验室 一种抗反射涂层组合物

Family Cites Families (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3474054A (en) * 1966-09-13 1969-10-21 Permalac Corp The Surface coating compositions containing pyridine salts or aromatic sulfonic acids
US3477990A (en) * 1967-12-07 1969-11-11 Shell Oil Co Process for reacting a phenol with an epoxy compound and resulting products
US3956241A (en) * 1974-06-07 1976-05-11 Aerojet-General Corporation Latent catalysts for epoxy resins
US4251665A (en) * 1978-05-22 1981-02-17 King Industries, Inc. Aromatic sulfonic acid oxa-azacyclopentane adducts
US4200729A (en) * 1978-05-22 1980-04-29 King Industries, Inc Curing amino resins with aromatic sulfonic acid oxa-azacyclopentane adducts
US4363896A (en) * 1980-01-04 1982-12-14 Ford Motor Company Composition with latent reactive catalyst-#4
US4491628A (en) * 1982-08-23 1985-01-01 International Business Machines Corporation Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone
US4734468A (en) * 1986-02-28 1988-03-29 Shell Oil Company Epoxy resin composition
DD275125A1 (de) * 1988-08-22 1990-01-10 Physikalisch Techn Inst Der Ad Resistharz fuer die fotolacktechnik
DE69125634T2 (de) * 1990-01-30 1998-01-02 Wako Pure Chem Ind Ltd Chemisch verstärktes Photolack-Material
US5187019A (en) * 1991-09-06 1993-02-16 King Industries, Inc. Latent catalysts
DE69323812T2 (de) * 1992-08-14 1999-08-26 Japan Synthetic Rubber Co. Reflexionsverhindernder Film und Verfahren zur Herstellung von Resistmustern
US5597868A (en) * 1994-03-04 1997-01-28 Massachusetts Institute Of Technology Polymeric anti-reflective compounds
US5843624A (en) * 1996-03-08 1998-12-01 Lucent Technologies Inc. Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material
US5886102A (en) * 1996-06-11 1999-03-23 Shipley Company, L.L.C. Antireflective coating compositions
US6808859B1 (en) * 1996-12-31 2004-10-26 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. ArF photoresist copolymers
TW457403B (en) * 1998-07-03 2001-10-01 Clariant Int Ltd Composition for forming a radiation absorbing coating containing blocked isocyanate compound and anti-reflective coating formed therefrom
US20020102483A1 (en) * 1998-09-15 2002-08-01 Timothy Adams Antireflective coating compositions
US6849377B2 (en) * 1998-09-23 2005-02-01 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photoresists, polymers and processes for microlithography
EP1035439B1 (en) * 1999-02-25 2005-06-15 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Photosensitive resin composition, color filter, and copolymer resin useful for them
KR100465864B1 (ko) * 1999-03-15 2005-01-24 주식회사 하이닉스반도체 유기 난반사방지 중합체 및 그의 제조방법
US6790587B1 (en) * 1999-05-04 2004-09-14 E. I. Du Pont De Nemours And Company Fluorinated polymers, photoresists and processes for microlithography
US6444408B1 (en) * 2000-02-28 2002-09-03 International Business Machines Corporation High silicon content monomers and polymers suitable for 193 nm bilayer resists
US6686124B1 (en) * 2000-03-14 2004-02-03 International Business Machines Corporation Multifunctional polymeric materials and use thereof
EP1302813A4 (en) * 2000-06-21 2005-02-23 Asahi Glass Co Ltd RESIST COMPOSITION
KR100687850B1 (ko) * 2000-06-30 2007-02-27 주식회사 하이닉스반도체 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법
US6447980B1 (en) * 2000-07-19 2002-09-10 Clariant Finance (Bvi) Limited Photoresist composition for deep UV and process thereof
US6495305B1 (en) * 2000-10-04 2002-12-17 Tomoyuki Enomoto Halogenated anti-reflective coatings
DE60223654T2 (de) * 2001-02-09 2008-10-30 Asahi Glass Co., Ltd. Resistzusammensetzung
US6927266B2 (en) * 2001-02-22 2005-08-09 Nissan Chemical Industries, Ltd. Bottom anti-reflective coat forming composition for lithography
US6670425B2 (en) * 2001-06-05 2003-12-30 Brewer Science, Inc. Anti-reflective coating of polymer with epoxide rings reacted with light attenuating compound and unreacted epoxide rings
US6723488B2 (en) * 2001-11-07 2004-04-20 Clariant Finance (Bvi) Ltd Photoresist composition for deep UV radiation containing an additive
US6488509B1 (en) * 2002-01-23 2002-12-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Plug filling for dual-damascene process
US6846612B2 (en) * 2002-02-01 2005-01-25 Brewer Science Inc. Organic anti-reflective coating compositions for advanced microlithography
JP3776824B2 (ja) * 2002-04-05 2006-05-17 株式会社東芝 半導体発光素子およびその製造方法
US6894104B2 (en) * 2002-05-23 2005-05-17 Brewer Science Inc. Anti-reflective coatings and dual damascene fill compositions comprising styrene-allyl alcohol copolymers
US7264913B2 (en) * 2002-11-21 2007-09-04 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective compositions for photoresists
EP1598703A4 (en) * 2003-02-21 2006-04-26 Nissan Chemical Ind Ltd COMPOSITION CONTAINING ACRYLIC POLYMER FOR THE FORMATION OF HOLLOW FILLING LOADS FOR USE IN LITHOGRAPHY
US7794919B2 (en) * 2003-04-02 2010-09-14 Nissan Chemical Industries, Ltd. Composition for forming underlayer coating for lithography containing epoxy compound and carboxylic acid compound
TWI358612B (en) * 2003-08-28 2012-02-21 Nissan Chemical Ind Ltd Polyamic acid-containing composition for forming a
US7081511B2 (en) * 2004-04-05 2006-07-25 Az Electronic Materials Usa Corp. Process for making polyesters
JP4945091B2 (ja) * 2004-05-18 2012-06-06 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． オーバーコートされるフォトレジストと共に用いるためのコーティング組成物
US7691556B2 (en) * 2004-09-15 2010-04-06 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective compositions for photoresists
US7326523B2 (en) * 2004-12-16 2008-02-05 International Business Machines Corporation Low refractive index polymers as underlayers for silicon-containing photoresists
KR101137812B1 (ko) * 2004-12-20 2012-04-18 주식회사 동진쎄미켐 유기 반사방지막 형성용 유기 중합체 및 이를 포함하는유기 조성물
EP1691238A3 (en) * 2005-02-05 2009-01-21 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Coating compositions for use with an overcoated photoresist
JP4466854B2 (ja) * 2005-03-18 2010-05-26 信越化学工業株式会社 フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法
US20060263720A1 (en) * 2005-05-11 2006-11-23 Fuji Photo Film Co., Ltd. Photosensitive lithographic printing plate
EP1742108B1 (en) * 2005-07-05 2015-10-28 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Coating compositions for use with an overcoated photoresist
US7553905B2 (en) * 2005-10-31 2009-06-30 Az Electronic Materials Usa Corp. Anti-reflective coatings
US20070105040A1 (en) * 2005-11-10 2007-05-10 Toukhy Medhat A Developable undercoating composition for thick photoresist layers
US7585613B2 (en) * 2006-01-25 2009-09-08 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Antireflection film composition, substrate, and patterning process
US20070298349A1 (en) * 2006-06-22 2007-12-27 Ruzhi Zhang Antireflective Coating Compositions Comprising Siloxane Polymer
US7816069B2 (en) * 2006-06-23 2010-10-19 International Business Machines Corporation Graded spin-on organic antireflective coating for photolithography
US7638262B2 (en) * 2006-08-10 2009-12-29 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective composition for photoresists
JP4809378B2 (ja) * 2007-03-13 2011-11-09 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜材料およびこれを用いたパターン形成方法
US7553995B2 (en) * 2007-09-11 2009-06-30 Catalytic Distillation Technologies Method of producing tertiary amyl ethyl ether
US8039201B2 (en) * 2007-11-21 2011-10-18 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating composition and process thereof
US20100015550A1 (en) * 2008-07-17 2010-01-21 Weihong Liu Dual damascene via filling composition

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100047287A (ko) 2010-05-07
TW200915007A (en) 2009-04-01
US20090035704A1 (en) 2009-02-05
EP2181166A2 (en) 2010-05-05
WO2009019575A2 (en) 2009-02-12
JP5332046B2 (ja) 2013-11-06
CN101796150A (zh) 2010-08-04
JP2010536054A (ja) 2010-11-25
KR101486841B1 (ko) 2015-01-30
WO2009019575A3 (en) 2009-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI438575B (zh) 以可交聯聚合物為主之底層塗覆組合物
US7932018B2 (en) Antireflective coating composition
TWI409591B (zh) 抗反射塗料組合物
JP6050810B2 (ja) 底面反射防止コーティング組成物及びそれの方法
JP5815565B2 (ja) 反射防止組成物及びそれを用いた方法
TWI417668B (zh) 用於光阻之抗反射組合物
US7264913B2 (en) Antireflective compositions for photoresists
US20120328990A1 (en) Underlayer composition and process thereof
TWI408185B (zh) 抗反射塗料組合物
US20060057501A1 (en) Antireflective compositions for photoresists
US20150227043A1 (en) Bottom antireflective materials and compositions
CN101583907B (zh) 用于光致抗蚀剂的抗反射涂料组合物的溶剂混合物
WO2006049045A1 (ja) スルホン酸エステルを含有するリソグラフィー用反射防止膜形成組成物
US9170494B2 (en) Antireflective compositions and methods of using same
KR20130114071A (ko) 반사 방지 코팅 조성물 및 마이크로일렉트로닉 디바이스의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees