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TWI411605B - A cross-linked anthocyanin compound and an optical recording material using the compound - Google Patents

A cross-linked anthocyanin compound and an optical recording material using the compound Download PDF

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TWI411605B
TWI411605B TW096125878A TW96125878A TWI411605B TW I411605 B TWI411605 B TW I411605B TW 096125878 A TW096125878 A TW 096125878A TW 96125878 A TW96125878 A TW 96125878A TW I411605 B TWI411605 B TW I411605B
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Satoshi Yanagisawa
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Adeka Corp
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Description

交聯型花青素化合物及使用該化合物之光學記錄材料
本發明係關於一種主要用於光學記錄材料等的交聯型花青素化合物及其金屬錯合物，詳細而言，係關於一種主要用於藉由使資訊成為以雷射等形成之資訊圖案而記錄資訊的光學記錄媒體之光學記錄材料，更詳細而言，係關於一種用於可利用具有紫外及可見區域之波長且能量較低之雷射等而進行高密度的光學記錄及播放的光學記錄媒體之光學記錄材料。
光學記錄媒體通常具有記錄容量大、以非接觸方式進行記錄或播放等優異特徵，因此廣泛普及。WORM、CD-R、DVD±R等可錄式光碟中，使雷射聚光於記錄層之微小面積，改變光學記錄層之性狀而進行記錄，根據記錄部分與未記錄部分的反射光量之差異而進行播放。
目前，於上述光碟中，用於記錄及播放的半導體雷射之波長，CD-R為750~830 nm，DVD-R為620 nm~690 nm，為實現容量之進一步增加，而研究使用短波長雷射之光碟，例如，研究使用380~420 nm之光作為記錄光者。
於短波長記錄光用之光學記錄媒體中，為形成光學記錄層，使用各種化合物。例如，於專利文獻1~3中報告有含有具有特定結構的花青素化合物之光學記錄材料。但，作為用於光學記錄層之形成的光學記錄材料，該等化合物之吸收波長特性及耐久性未必適合。
專利文獻1：日本專利特開2001-301333號公報
專利文獻2：日本專利特開2004-339460號公報
專利文獻3：日本專利特開平11-58961號公報
因此，本發明之目的在於提供一種吸收波長特性及耐光性優異，且適合於用於利用雷射光之光學記錄材料的光學要素之化合物。
本發明者等人反覆研究之結果發現：具有以N-側鏈進行交聯的特定結構之花青素化合物，吸收波長特性及耐光性優異；並發現：藉由使用上述花青素化合物，可解決上述課題。
本發明係基於上述知識見解而成者，係藉由提供一種以下述通式(I)表示之花青素化合物，而達成上述目的者。
(式中，R1及R2分別獨立表示氫原子、羥基、鹵原子、硝基、氰基、碳原子數為1~30的有機基或者以下述通式(II)、下述通式(II')或下述通式(III)表示之基團，R3及R4分別獨立表示氫原子、碳原子數為1~30的有機基或者以下述通式(III)表示之取代基，R1與R2可互相連結形成環結構， R3與R4可互相連結形成雜環，N-R3可與所鄰接的聚次甲基鏈中之亞甲基互相連結而形成雜環。X表示氧原子、硫原子、硒原子、-CR5R6-、-NH-或-NYj-，R5及R6分別獨立表示碳原子數為1~30的有機基或者以下述通式(II)、下述通式(II')或下述通式(III)表示之取代基，R5與R6可互相連結形成環結構，Yj表示碳原子數為1~30的有機基或者以下述通式(III)表示之基團。Z0係碳原子數為1~10之有機基，n為1或2，r為2~8，Anq-表示q價陰離子，q為1或2，p表示將電荷保持為中性之係數。)
(於上述通式(II)中，W與T間之鍵為雙鍵、共軛雙鍵或三鍵，W表示碳原子，T表示碳原子、或氮原子，x、y、z表示0或1，a表示0~4之數，R7表示氫原子、鹵原子、可具有取代基的碳原子數為1~4之烷基或可具有取代基的碳原子數為1~4之烷氧基，該烷基或烷氧基中之亞甲基可被-O-或-CO-取代，R8、R9、R10表示氫原子、鹵原子或可具有取代基的碳原子數為1~4之烷基，該烷基中之亞甲基，可被-O-或-CO-取代，R8與R10可鍵結形成環結構。於上述通 式(II')中，W'與T'間之鍵為雙鍵或共軛雙鍵，W'表示碳原子，T'表示碳原子、或氮原子，a'表示0~4之數，含有W'、T'之環，表示可含有雜原子之5員環、可含有雜原子之6員環、萘環、喹啉環、異喹啉環、蒽環或蒽醌環，該等含有W'、T'之環，可被鹵原子、硝基、氰基、烷基、烷氧基取代。)
(式中，Ra~Ri分別獨立表示氫原子或可具有取代基的碳原子數為1~4之烷基，該烷基中之亞甲基可被-O-或-CO-取代，Z2表示直接鍵結或可具有取代基的碳原子數為1~10之伸烷基，該伸烷基中之亞甲基可被-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-SO2-、-NH-、-CONH-、-NHCO-、-N=CH-或-CH=CH-取代，M表示Fe、Co、Ni、Ti、Cu、Zn、Zr、Cr、Mo、Os、Mn、Ru、Sn、Pd、Rh、Pt或Ir。)
又，本發明藉由提供一種以下述通式(IV)表示之花青素化合物，而達成上述目的。
[化4] (式中，R11及R12分別獨立表示氫原子、羥基、鹵原子、硝基、氰基、碳原子數為1~30的有機基或者以上述通式(II)、上述通式(II')或上述通式(III)表示之基團，R13及R14分別獨立表示氫原子、碳原子數為1~30的有機基或者以上述通式(III)表示之取代基，R11與R12可互相連結形成環結構，R19表示氫原子或碳原子數為1~30的有機基，R13與R14可互相連結形成雜環，N-R13可與聚次甲基鏈中之亞甲基互相連結而形成雜環。Z00係碳原子數為1~10之有機基，m為0或1，s為2~8，Anq-、q、p與上述通式(I)相同。)
又，本發明藉由提供一種以下述通式(V)表示之花青素化合物，而達成上述目的。
(式中，R1及R2分別獨立表示氫原子、羥基、鹵原子、硝基、氰基、碳原子數為1~30的有機基或者以上述通式 (II)、上述通式(II')或上述通式(III)表示之基團，R3及R4分別獨立表示氫原子、碳原子數為1~30的有機基或者以上述通式(III)表示之取代基，R1與R2可互相連結形成環結構，R3與R4可互相連結形成雜環，N-R3可與所鄰接的聚次甲基鏈中之亞甲基互相連結而形成雜環。X表示氧原子、硫原子、硒原子、-CR5R6-、-NH-或-NYj-，R5及R6分別獨立表示碳原子數為1~30的有機基或者以上述通式(II)、上述通式(II')或上述通式(III)表示之取代基，R5與R6可互相連結形成環結構，Yj表示碳原子數為1~30的有機基或者以上述通式(III)表示之基團。Z1係直接鍵結、可具有取代基的碳原子數為1~10的伸烷基或對二伸烷基苯，該伸烷基中之亞甲基可被-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-SO2-、-NH-、-CONH-、-NHCO-、-N=CH-或-CH=CH-取代，n為1或2，Anq-表示q價陰離子，An'q'-表示q'價陰離子，q及q'分別獨立為1或2，p及p'表示將電荷保持為中性之係數。)
又，本發明藉由提供一種以下述通式(VI)表示之花青素化合物，而達成上述目的。
(式中，R11及R12分別獨立表示氫原子、羥基、鹵原子、硝基、氰基、碳原子數為1~30的有機基或以上述通式(II)、上述通式(II')或上述通式(III)表示之基團，R13及R14分別獨立表示氫原子、碳原子數為1~30的有機基或者以上述通式(III)表示之取代基，R11與R12可互相連結形成環結構，R19表示氫原子或碳原子數為1~30之有機基，R13與R14可互相連結形成雜環，N-R13可與聚次甲基鏈中之亞甲基互相連結而形成雜環。Z3係直接鍵結、可具有取代基的碳原子數為1~10之伸烷基或對二伸烷基苯，該伸烷基中之亞甲基可被-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-SO2-、-NH-、-CONH-、-NHCO-、-N=CH-或-CH=CH-取代，m為0或1，Anq-、q、p、An'q'-、q'及p'與上述通式(V)相同。)
又，本發明藉由提供一種以含有至少一種上述花青素化合物為特徵的光學記錄材料，而達成上述目的。
又，本發明藉由提供一種以於基體上具有由上述光學記錄材料形成的光學記錄層為特徵的光學記錄媒體，而達成上述目的。
以下，基於較佳實施形態，對本發明之花青素化合物、以及含有該化合物而成的光學記錄材料加以詳細說明。
首先，對以上述通式(I)表示的本發明之花青素化合物加以說明。
作為以上述通式(I)中之R1及R2表示之鹵原子，可列舉氟、氯、溴、碘等，作為上述通式(I)中之R1、R2、R3及 R4，以及X中之基團即以R5、R6及Yj表示之碳原子數為1~30的有機基，並無特別限定，例如可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、第二丁基、第三丁基、異丁基、戊基、異戊基、第三戊基、己基、環己基、環己基甲基、2-環己基乙基、庚基、異庚基、第三庚基、正辛基、異辛基、第三辛基、2-乙基己基、壬基、異壬基、癸基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基等烷基；乙烯基、1-甲基乙烯基、2-甲基乙烯基、丙烯基、丁烯基、異丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基、癸烯基、十五烯基、1-苯基丙烯-3-基等烯基；苯基、萘基、2-甲基苯基、3-甲基苯基、4-甲基苯基、4-乙烯基苯基、3-異丙基苯基、4-異丙基苯基、4-丁基苯基、4-異丁基苯基、4-第三丁基苯基、4-己基苯基、4-環己基苯基、4-辛基苯基、4-(2-乙基己基)苯基、4-十八烷基苯基、2,3-二甲基苯基、2,4-二甲基苯基、2,5-二甲基苯基、2,6-二甲基苯基、3,4-二甲基苯基、3,5-二甲基苯基、2,4-二第三丁基苯基、環己基苯基等烷基芳基；苄基、苯乙基、2-苯基丙烷-2-基、二苯基甲基、三苯基甲基、苯乙烯基、苯烯丙基等芳烷基以及該等烴基被醚鍵、硫醚鍵中斷者，例如，2-甲氧基乙基、3-甲氧基丙基、4-甲氧基丁基、2-丁氧基乙基、甲氧基乙氧基乙基、甲氧基乙氧基乙氧基乙基、3-甲氧基丁基、2-苯氧基乙基、2-甲硫基乙基、2-苯硫基乙基；進而該等基團可被烷氧基、烯基、硝基、氰基、鹵原子等取代。
作為上述通式(I)中之R1與R2連結而形成的環結構，可列舉：環丙烷環、環丁烷環、環戊烷環、環己烷環、苯環、萘環、蒽環、哌啶環、哌嗪環、吡咯啶環、嗎啉環、硫代嗎啉環、吡啶環、吡環、嘧啶環、嗒環、三環、喹啉環、異喹啉環、咪唑環、唑環、咪唑啶環、吡唑啶環、異唑啶環、異四氫噻唑環等；作為上述通式(I)之X中之基團即R5與R6連結而形成的環結構，可列舉：哌啶環、哌嗪環、吡咯啶環、嗎啉環、硫代嗎啉環、吡啶環、吡環、嘧啶環、嗒環、三環、喹啉環、異喹啉環、咪唑環、唑環、咪唑啶環、吡唑啶環、異唑啶環、異四氫噻唑環等，該等環可與其他環縮合，或者被取代。
作為上述通式(I)中之R3與R4、以及上述通式(I)中之N-R3與所鄰接的聚次甲基鏈中之亞甲基互相連結而形成的雜環，可列舉：哌啶環、哌嗪環、吡咯啶環、嗎啉環、硫代嗎啉環、吡啶環、吡環、嘧啶環、嗒環、三環、喹啉環、異喹啉環、咪唑環、唑環、咪唑啶環、吡唑啶環、異唑啶環、異四氫噻唑環等，該等環可與其他環縮合，或者被取代。
作為以上述通式(I)中之Z0表示的碳原子數為1~10之有機基，例如可列舉二~八元醇或酚之殘基。
作為二~八元醇或酚，例如可列舉：乙二醇、丙二醇、1,4-丁二醇、新戊二醇、1,6-己二醇、山梨醇等二元醇；鄰苯二酚、間苯二酚、對苯二酚等二元酚；丙三醇、異丁三醇、1,2,3-丁三醇、1,2,3-戊三醇、2-甲基-1,2,3-丙三 醇、2-甲基-2,3,4-丁三醇、2-乙基-1,2,3-丁三醇、2,3,4-戊三醇、2,3,4-己三醇、4-丙基-3,4,5-庚三醇、2,4-二甲基-2,3,4-戊三醇、五甲基丙三醇、五丙三醇(pentaglycerine)、1,2,4-丁三醇、1,2,4-戊三醇、三羥甲基乙烷、三羥甲基丙烷等三元醇；季戊四醇、1,2,3,4-戊四醇、2,3,4,5-己四醇、1,2,4,5-戊四醇、1,3,4,5-己四醇、二丙三醇、山梨醇酐等四元醇；核糖醇、阿拉伯糖醇、木糖醇、三丙三醇等五元醇；二季戊四醇、山梨糖醇、甘露醇、艾杜糖醇、肌醇、半乳糖醇、塔羅糖、阿洛糖等六元醇；蔗糖等八元醇等。
於上述通式(I)中，作為以Anq-表示之陰離子，例如，作為一價者，可列舉：氯陰離子、溴陰離子、碘陰離子、氟陰離子等鹵素陰離子；過氯酸陰離子、氯酸陰離子、硫氰酸陰離子、六氟化磷陰離子、六氟化銻陰離子、四氟化硼陰離子等無機系陰離子；苯磺酸陰離子、甲苯磺酸陰離子、三氟甲磺酸陰離子、二苯基胺-4-磺酸陰離子、2-胺基-4-甲基-5-氯苯磺酸陰離子、2-胺基-5-硝基苯磺酸陰離子等有機磺酸陰離子；辛基磷酸陰離子、十二烷基磷酸陰離子、十八烷基磷酸陰離子、苯基磷酸陰離子、壬基苯基磷酸陰離子、2,2'-亞甲基雙(4,6-二第三丁基苯基)膦酸陰離子等有機磷酸系陰離子；雙三氟甲基磺醯亞胺陰離子、雙全氟丁磺醯亞胺陰離子、全氟-4-乙基環己磺酸鹽陰離子、四(五氟苯基)硼酸陰離子、三(氟烷基磺醯基)羧酸陰離子等；作為二價者，例如可列舉苯二磺酸陰離子、萘二 磺酸陰離子等。又，亦可根據需要，使用具有使處於激發狀態之活性分子去激(淬滅)之功能的淬滅劑陰離子或者於環戊二烯環上具有羧基或膦酸基、磺酸基等陰離子性基團的二茂鐵、二茂釕等二茂金屬化合物陰離子等。
又，p及p'以於分子總體中電荷達到中性之方式進行選擇。
作為上述淬滅劑陰離子，例如可列舉以下述通式(A)、(B)或下述式(C)表示者，以及如日本專利特開昭60-234892號公報、日本專利特開平5-43814號公報、日本專利特開平5-305770號公報、日本專利特開平6-239028號公報、日本專利特開平9-309886號公報、日本專利特開平9-323478號公報、日本專利特開平10-45767號公報、日本專利特開平11-208118號公報、日本專利特開2000-168237號公報、日本專利特開2002-201373號公報、日本專利特開2002-206061號公報、日本專利特開2005-297407號公報、日本專利特公平7-96334號公報、國際公開98/29257號公報等所揭示之陰離子。
(式中，M表示Fe、Co、Ni、Ti、Cu、Zn、Zr、Cr、Mo、 Os、Mn、Ru、Sn、Pd、Rh、Pt或Ir，Rj及Rk表示鹵原子、碳原子數為1~8之烷基、碳原子數為6~30之芳基或-SO2-G基，G表示烷基、可被鹵原子取代的芳基、二烷基胺基、二芳基胺基、哌啶基或嗎啉基，a及b分別獨立表示0~4之數。又，Rl、Rm、Rn及Ro分別表示烷基、烷基苯基、烷氧基苯基或鹵化苯基。)
作為以上述通式(II)中之R7、R8、R9及R10表示之碳原子數為1~4的烷基，可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、第二丁基、第三丁基、異丁基等；作為該烷基中之亞甲基被-O-取代之基團，可列舉：甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、甲氧基甲基、乙氧基甲基、2-甲氧基乙基等；作為該烷基中之亞甲基被-CO-取代之基團，可列舉：乙醯基、1-羰基乙基、乙醯基甲基、1-羰基丙基、2-側氧丁基、2-乙醯基乙基、1-羰基異丙基等。作為以上述通式(II)中之R7表示之碳原子數為1~4的烷氧基，可列舉於作為上述碳原子數為1~4的烷基而例示者中添加醚基者。
作為以上述通式(II)中之R7、R8、R9及R10表示之鹵原子，可列舉作為以上述通式(I)之R1及R2表示之鹵原子而例示者。
作為上述通式(II)中之R8與R10連結而形成的環結構，可列舉作為上述通式(I)之X中之基團即R5與R6連結而形成的環結構而例示者。
於上述通式(II')中，作為可含有雜原子之5員環，例如可列舉：環戊烯環、環戊二烯環、咪唑環、噻唑環、吡唑環、唑環、異唑環、噻吩環、呋喃環、吡咯環等；作為可含有雜原子之6員環，例如可列舉：苯環、吡啶環、哌嗪環、哌啶環、嗎啉環、吡環、吡喃酮環、吡咯啶環等。
作為以上述通式(III)中之Ra~Ri表示之碳原子數為1~4的烷基，可列舉於上述通式(II)中所例示者。
作為以上述通式(III)中之Z2表示之碳原子數為1~10的伸烷基，可列舉：亞甲基、伸乙基、伸丙基、甲基伸乙基、伸丁基、1-甲基伸丙基、2-甲基伸丙基、1,2-二甲基伸丙基、1,3-二甲基伸丙基、1-甲基伸丁基、2-甲基伸丁基、3-甲基伸丁基、4-甲基伸丁基、2,4-二甲基伸丁基、1,3-二甲基伸丁基、伸戊基、伸己基、伸庚基、伸辛基、乙烷-1,1-二基、丙烷-2,2-二基等；作為該伸烷基中之亞甲基被-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-SO2-、-NH-、-CONH-、-NHCO-、-N=CH-或-CH=CH-取代而得之基團，可列舉：亞甲氧基、伸乙氧基、氧基亞甲基、硫基亞甲基、羰基亞甲基、羰氧基亞甲基、亞甲基羰氧基、磺醯基亞甲 基、胺基亞甲基、乙醯基胺基、伸乙基羧基醯胺、乙醯亞胺基、伸乙烯基、伸丙烯基等。
繼而，對以上述通式(IV)表示的本發明之花青素化合物加以說明。
作為以上述通式(IV)中之R11及R12表示之鹵原子，可列舉作為以上述通式(I)之R1及R2表示之鹵原子而例示者。作為以上述通式(IV)中之R11、R12、R13、R14及R19表示之碳原子數為1~30的有機基，可列舉作為以上述通式(I)之R1、R2、R3及R4表示之碳原子數為1~30的有機基而例示者。
作為上述通式(IV)中之R11與R12連結而形成的環結構，可列舉作為上述通式(I)之R1與R2連結而形成的環結構而例示者。
作為上述通式(IV)中之R13與R14以及上述通式(IV)中之N-R13與所鄰接的聚次甲基鏈中之亞甲基互相連結而形成的雜環，可列舉作為上述通式(I)之R3與R4以及上述通式(I)中之N-R3與所鄰接的聚次甲基鏈中之亞甲基互相連結而形成的雜環來例示者。
作為以上述通式(IV)中之Z00表示之碳原子數為1~10的有機基，可列舉作為以上述通式(I)之Z0表示之碳原子數為1~10的有機基而例示者。
作為以上述通式(I)表示之花青素化合物，可列舉符合式中之r為2之情形的以上述通式(V)表示之花青素化合物。
同樣地，作為以上述通式(IV)表示之花青素化合物，可列舉符合式中之s為2之情形的以上述通式(VI)表示之花青素化合物。
關於該等化合物之製造方法，可列舉後述以上述通式 (V)表示之花青素化合物以及以上述通式(VI)表示之花青素化合物的製造方法。
又，作為以上述通式(I)表示、且符合式中之r為3~8之情形的花青素化合物，以及以上述通式(IV)表示、且符合式中之s為3~8之情形的花青素化合物，可列舉下述化合物A及化合物B。
又，作為以上述通式(I)表示、且符合式中之r為3~8之情形的花青素化合物，以及以上述通式(IV)表示、且符合式中之s為3~8之情形的花青素化合物之製造方法，並無特別限定，例如可列舉如下方法：將三~八元醇或酚之羥基取代為鹵原子，依照後述以上述通式(V)表示之花青素化合物以及以上述通式(VI)表示之花青素化合物的製造方法進行製造。
繼而，對以上述通式(V)及(VI)表示的本發明之花青素化合物加以說明。
作為以上述通式(V)中之Z1表示之碳原子數為1~10的伸烷基、以及以Z1表示之對二伸烷基苯中之基團即碳原子數為1~10的伸烷基，可列舉上述通式(III)之說明中所例示 者。
又，作為以上述通式(V)中之An'q'-表示之陰離子，可列舉於上述通式(I)中作為以Anq-表示之陰離子而例示者。
作為以上述通式(VI)中之Z3表示之碳原子數為1~10的伸烷基、以及以Z3表示之對二伸烷基苯中之基團即碳原子數為1~10的伸烷基，可列舉於上述通式(III)之說明中所例示者。
於以上述通式(V)表示之花青素化合物中，以下述通式(VII)表示之化合物，因製造成本小，且尤其適於形成吸收波長特性為380~420 nm的短波長用雷射用之光學記錄媒體的光學記錄層，故較好。
又，於以上述通式(VI)表示之花青素化合物中，以下述通式(VIII)表示之化合物，因與上述相同的理由，故較好。
(式中，R15表示氫原子、碳原子數為1~30之有機基、硝基、胺基、鹵原子、氰基或碳原子數為2~20之雜環基，t為1~4之數，Z1、R3、R4、X、n、Anq-、q、p、An'q'-、q' 及p'與上述通式(V)相同。)
(式中，R16表示氫原子、碳原子數為1~30之有機基、硝基、胺基、鹵原子、氰基或碳原子數為2~20之雜環基，u為1~5之數，Anq-、q、p、An'q'-、q'及p'與上述通式(V)相同，Z3、R13、R14、R19及m與上述通式(VI)相同。)
作為以上述通式(VII)中之R15表示之胺基，可列舉：胺基、乙胺基、二甲胺基、二乙胺基、丁胺基、環戊胺基、2-乙基己胺基、十二烷基胺基、苯胺基、氯苯胺基、甲苯胺基、甲氧苯胺基、N-甲基-苯胺基、二苯胺基、萘胺基、2-吡啶基胺基、甲氧基羰基胺基、苯氧基羰基胺基、乙醯胺基、苯甲醯胺基、甲醯胺基、三甲基乙醯胺基、十二烷醯胺基、胺甲醯胺基、N,N-二甲胺基羰基胺基、N,N-二乙胺基羰基胺基、嗎啉基羰基胺基、甲氧基羰基胺基、乙氧基羰基胺基、第三丁氧基羰基胺基、正十八烷氧基羰 基胺基、N-甲基-甲氧基羰基胺基、苯氧基羰基胺基、胺磺醯胺基、N,N-二甲胺基磺醯胺基、甲基磺醯胺基、丁基磺醯胺基、苯基磺醯胺基、三甲銨基、三乙銨基等；作為以上述通式(VII)中之R15表示之碳原子數為2~20的雜環基，可列舉：吡啶基、嘧啶基、嗒基、哌嗪基、哌啶基、哌喃基、吡唑基、三基、吡咯啶基、喹啉基、異喹啉基、咪唑基、苯幷咪唑基、三唑基、呋喃基(furyl、furanyl)、苯幷呋喃基、噻吩基(thienyl、thiophenyl)、苯幷噻吩基、噻二唑基、噻唑基、苯幷噻唑基、唑基、苯幷唑基、異噻唑基、異唑基、吲哚基、咯啶基、嗎啉基、硫代嗎啉基、2-吡咯啶酮-1-基、2-哌啶酮-1-基、2,4-二氧基咪唑啶-3-基、2,4-二氧基唑啶-3-基等。
作為以上述通式(VIII)中之R16表示之胺基，可列舉作為以上述通式(VII)中之R15表示之胺基而例示者，作為以上述通式(VIII)中之R16表示之碳原子數為2~20的雜環基，可列舉作為以上述通式(VII)之R16表示之碳原子數為2~20的雜環基而例示者。
下述基團均可具有取代基：以上述通式(V)中之R1、R2、R3及R4，上述通式(VI)中之R11、R12、R13及R14，上述通式(VII)中之R15，上述通式(VIII)中之R16及X中之基團即R5、R6，以及Yj表示的碳原子數為1~30之有機基；上述通式(V)中之R1與R2、上述通式(II)中之R8與R10及X中之基團 即R5與R6、以及上述通式(VI)中之R11與R12連結而形成的環結構；上述通式(V)中之R3與R4及上述通式(VI)中之R13與R14、以及上述通式(V)中之N-R3及上述通式(VI)中之N-R13與所鄰接的聚次甲基鏈中之亞甲基互相連結而形成的雜環；以上述通式(V)及(VII)中之Z1、上述通式(III)中之Z2、上述通式(VI)及(VIII)中之Z3、以及上述通式(V)及(VII)的Z1中之基團及上述通式(VI)及(VIII)的Z3中之基團即對二伸烷基苯中之基團所表示的碳原子數為1~10的伸烷基；以上述通式(VII)中之R15及上述通式(VIII)中之R16表示之胺基；以上述通式(II)中之R7、R8、R9及R10，以及上述通式(III)中之Ra~Ri表示之碳原子數為1~4的烷基；以及以上述通式(II)中之R7、R8、R9及R10，以及上述通式(III)中之Ra~Ri表示之碳原子數為1~4的烷氧基。作為該取代基，可列舉以下者。再者，R1~R16、Yj及Z1~Z3係上述碳原子數為1~30的有機基等含有碳原子之基團，且，於彼等基團於以下取代基中，具有含有碳原子之取代基的情形時，設含有該取代基的R1~R16等之總體碳原子數滿足規定範圍。
作為上述取代基，例如可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、環丙基、丁基、第二丁基、第三丁基、異丁基、戊基、異戊基、第三戊基、環戊基、己基、2-己基、3-己基、環己基、二環己基、1-甲基環己基、庚基、2-庚基、 3-庚基、異庚基、第三庚基、正辛基、異辛基、第三辛基、2-乙基己基、壬基、異壬基、癸基等烷基；甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基、異丁氧基、戊氧基、異戊氧基、第三戊氧基、己氧基、環己氧基、庚氧基、異庚氧基、第三庚氧基、正辛氧基、異辛氧基、第三辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基等烷氧基；甲硫基、乙硫基、丙硫基、異丙硫基、丁硫基、第二丁硫基、第三丁硫基、異丁硫基、戊硫基、異戊硫基、第三戊硫基、己硫基、環己硫基、庚硫基、異庚硫基、第三庚硫基、正辛硫基、異辛硫基、第三辛硫基、2-乙基己硫基等烷硫基；乙烯基、1-甲基乙烯基、2-甲基乙烯基、2-丙烯基、1-甲基-3-丙烯基、3-丁烯基、1-甲基-3-丁烯基、異丁烯基、3-戊烯基、4-己烯基、環己烯基、二環己烯基、庚烯基、辛烯基、癸烯基、十五烯基、二十烯基、二十三烯基等烯基；苄基、苯乙基、二苯基甲基、三苯基甲基、苯乙烯基、苯烯丙基等芳烷基；苯基、萘基等芳基；苯氧基、萘氧基等芳氧基；苯硫基、萘硫基等芳硫基；吡啶基、嘧啶基、嗒基、哌啶基、哌喃基、吡唑基、三基、吡咯基、喹啉基、異喹啉基、咪唑基、苯幷咪唑基、三唑基、呋喃基(furyl、furanyl)、苯幷呋喃基、噻吩基(thienyl、thiophenyl)、苯幷噻吩基、噻二唑基、噻唑基、苯幷噻唑基、唑基、苯幷唑基、異噻唑 基、異唑基、吲哚基、2-吡咯啶酮-1-基、2-哌啶酮-1-基、2,4-二氧基咪唑啶-3-基、2,4-二氧基唑啶-3-基等雜環基；氟、氯、溴、碘等鹵原子；乙醯基、2-氯乙醯基、丙醯基、辛醯基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、苯基羰基(苯甲醯基)、鄰苯二甲醯基、4-三氟甲基苯甲醯基、三甲基乙醯基、鄰羥苯甲醯基、草醯基、十八醯基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、第三丁氧基羰基、正十八烷氧基羰基、胺甲醯基等醯基；乙醯氧基、苯甲醯氧基等醯氧基；胺基、乙胺基、二甲胺基、二乙胺基、丁胺基、環戊胺基、2-乙基己胺基、十二烷基胺基、苯胺基、氯苯胺基、甲苯胺基、甲氧苯胺基、N-甲基-苯胺基、二苯胺基、萘胺基、2-吡啶基胺基、甲氧基羰基胺基、苯氧基羰基胺基、乙醯胺基、苯甲醯胺基、甲醯胺基、三甲基乙醯胺基、十二烷醯胺基、胺甲醯胺基、N,N-二甲胺基羰基胺基、N,N-二乙胺基羰基胺基、嗎啉基羰基胺基、甲氧基羰基胺基、乙氧基羰基胺基、第三丁氧基羰基胺基、正十八烷氧基羰基胺基、N-甲基-甲氧基羰基胺基、苯氧基羰基胺基、胺磺醯胺基、N,N-二甲胺基磺醯胺基、甲基磺醯胺基、丁基磺醯胺基、苯基磺醯胺基等被取代之胺基；磺醯胺基、磺醯基、羧基、氰基、磺基、羥基、硝基、巰基、醯亞胺基、胺甲醯基等；該等基團可進一步被取代。又，羧基及磺基可形成鹽。
作為本發明之以上述通式(V)、(VI)、(VII)及(VIII)表示之花青素化合物的具體例，可列舉下述化合物No.1~15。再者，以下例示中，以省略陰離子的陽離子表示。於本發明之化合物中，雙鍵可採用共振結構。
以上述通式(V)表示之花青素化合物，並不受其製造方法的特別限定，可以利用有眾所周知的通常反應之方法而獲得。該化合物，例如以n=1表示之化合物，可如下述[化14]所示的反應式般，使二鹵烷與二當量的假吲哚化合物反應，繼而藉由Vilsmeier反應而合成。又，以n=2表示之化合物亦可依照下述[化14]所示的途徑進行合成。
(式中，R1、R2、R3、R4、X、n、Z1、Anq-、q、p、An'q'-、q'及p'與上述通式(V)相同，R111係碳原子數為1~30的有機基，X*係鹵原子)。
以上述通式(VI)表示之花青素化合物，並不受其製造方法的特別限定，可以利用眾所周知的通常反應之方法而獲得。該化合物，例如以m=0表示之化合物，可如下述[化15]所示的反應式般，使二鹵烷與二當量的吲哚化合物反應，繼而藉由Vilsmeier反應而合成。又，以m=1表示之化合物亦可依照下述[化15]所示的途徑進行合成。
(式中，Anq-、q、p、An'q'-、q'及p'與上述通式(V)相同、R11、R12、R13、R14、R19、m、Z3與上述通式(VI)相同， R111及X*與上述[化14]相同。)
上述本發明之花青素化合物，適合作為針對450 nm~1100 nm範圍之光的光學要素，尤其適合作為針對480~620 nm範圍之光的光學要素。所謂該光學要素，係指藉由吸收特定光而發揮功能之要素，具體可列舉光吸收劑、光學記錄劑、光敏劑等。例如，光學記錄劑用於DVD±R等光學記錄媒體之光學記錄層，光吸收劑用於液晶顯示裝置(liquid-crystal display，LCD)、電漿顯示面板(plasma display panel，PDP)、電致發光顯示器(electroluminescence display，ELD)、陰極射線管顯示裝置(cathode ray tude，CRT)、螢光顯示管、場發射顯示器等圖像顯示裝置用，或分析裝置用，半導體裝置製造用，天文觀測用，光通信用等的濾光片。
繼而，以下對在基體上形成有光學記錄層的光學記錄媒體之該光學記錄層中所使用的、含有本發明之花青素化合物而成的本發明之光學記錄材料加以說明。以上述通式(I)及(IV)~(VIII)表示的本發明之花青素化合物，亦可用於光學記錄材料，該光學記錄材料使用於藉由利用雷射等使資訊成為熱性資訊圖案而記錄的光學記錄媒體之光學記錄層，尤其適合於DVD-R、DVD+R、藍色雷射用光學記錄媒體等之光學記錄層中所使用的光學記錄材料。再者，本發明之光學記錄材料係用以形成光學記錄層之材料，係以上述通式(I)及(IV)~(VIII)表示的本發明之花青素化合物與後述有機溶劑或各種化合物的混合物。
對使用含有以上述通式(I)及(IV)~(VIII)表示之花青素化合物的本發明之光學記錄材料而形成光學記錄媒體之光學記錄層的方法，並無特別限定。通常，於：甲醇、乙醇等低級醇類；甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、丁基溶纖劑、二乙二醇丁醚等醚醇類；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮、二丙酮醇等酮類；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸甲氧乙酯等酯類；丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯等丙烯酸酯類；2,2,3,3-四氟丙醇等氟化醇類；苯、甲苯、二甲苯等烴類；二氯甲烷、二氯乙烷、氯仿等氯化烴類等有機溶劑中，溶解本發明之花青素化合物以及根據需要而溶解後述各種化合物，製造溶液狀光學記錄材料，可使用以旋塗、噴射、浸漬等將該光學記錄材料塗佈於基體上的濕式塗佈法，亦可使用蒸鍍法、濺鍍法等。於使用上述有機溶劑之情形時，較好的是將其使用量設為本發明之光學記錄材料中以上述通式(I)及(IV)~(VIII)表示之花青素化合物的含量達到0.1~10質量%之量。
上述光學記錄層形成為薄膜，其厚度通常適當的是0.001~10 μm，較好的是0.01~5 μm之範圍。
又，於本發明之光學記錄材料中，以上述通式(I)及(IV)~(VIII)表示之花青素化合物的含量，較好的是於本發明之光學記錄材料所含之固形分中佔10~100質量%。較好的是以光學記錄層中含有50~100質量%的以上述通式(I)及(IV)~(VIII)表示之花青素化合物的方式，形成上述光學記錄層，為形成如此之化合物含量的光學記錄層，更好的是 以本發明之光學記錄材料中所含的固形分基準，本發明之光學記錄材料含有50~100質量%的以上述通式(I)及(IV)~(VIII)表示之花青素化合物。
本發明之光學記錄材料所含的上述固形分，係自該光學記錄材料除去了有機溶劑等除固形分以外的成分之成分，該固形分之含量，較好的是於上述光學記錄材料中佔0.01~100質量%，更好的是0.1~10質量%。
除本發明之花青素化合物之外，本發明之光學記錄材料可根據需要，而含有：偶氮系化合物、酞菁系化合物、氧喏系化合物、方酸內鎓鹽(squarylium)系化合物、吲哚化合物、苯乙烯系化合物、卟吩系化合物、薁鎓系化合物、克酮酸次甲基(croconic methine)系化合物、吡喃鎓系化合物、噻喃鎓系化合物、三芳基甲烷系化合物、二苯基甲烷系化合物、四氫膽鹼系化合物、靛酚系化合物、蒽醌系化合物、萘醌系化合物、二苯幷吡喃系化合物、噻嗪系化合物、吖啶系化合物、系化合物、螺吡喃系化合物、茀系化合物、玫瑰紅系化合物等通常用於光學記錄層的化合物；聚乙烯、聚酯、聚苯乙烯、聚碳酸酯等樹脂類；界面活性劑；抗靜電劑；潤滑劑；阻燃劑；受阻胺等自由基捕獲劑；二茂鐵衍生物等訊坑形成促進劑；分散劑；抗氧化劑；交聯劑；耐光性賦予劑等。進而，本發明之光學記錄材料可含有芳香族亞硝基化合物、銨化合物、亞胺陽離子化合物、雙亞胺陽離子化合物、過渡金屬螯合物等，來作為單態氧等之淬滅體。於本發明之光學記錄材料中，以該 等各種化合物於本發明之光學記錄材料所含的固形分中達0~50質量%之範圍的量，來使用上述各種化合物。
設置如此之光學記錄層的上述基體之材質，若對於寫入(記錄)光以及讀出(播放)光實質上為透明者，則並無特別限定，例如可使用：聚甲基丙烯酸甲酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯等樹脂，玻璃等。又，根據用途，其形狀可使用膠帶、鼓、帶、碟等任意形狀者。
又，於上述光學記錄層上，亦可使用金、銀、鋁、銅等，藉由蒸鍍法或濺鍍法而形成反射膜，亦可利用丙烯酸系樹脂、紫外線硬化性樹脂等來形成保護層。
實施例
以下，利用實施例及評價例，對本發明加以更詳細的說明。然而，本發明不受以下實施例等任何限定。
下述實施例1~3表示製造以上述通式(I)表示之花青素化合物；下述實施例4及5表示製造以上述通式(IV)表示之花青素化合物；下述實施例6~10表示本發明之光學記錄材料及光學記錄媒體之實施例，其中使用有實施例1~5中所獲得的本發明之花青素化合物；比較例1及2表示使用有與本發明之花青素化合物結構不同之化合物的光學記錄材料及光學記錄媒體之例。又，下述評價例1中，對實施例1及2中所獲得的本發明之花青素化合物以及比較化合物1進行耐光性評價；下述評價例2中，對實施例6及7中所獲得的光學記錄媒體以及比較例1中所獲得的比較光學記錄媒體，進行熱穩定性評價。下述評價例3中，對實施例6及7 中所獲得的光學記錄媒體以及比較例1及2中所獲得的比較光學記錄媒體，評價是否適合利用短波長雷射來進行記錄及播放。
[實施例1~3]化合物No.1及No.2之淬滅劑陰離子鹽以及化合物No.2之PF6鹽的合成 <步驟1>中間體1~3之合成
將20 mmol假吲哚化合物、20 mmol二碘戊烷及30 ml二甲基甲醯胺混合，於120℃下攪拌4小時。冷卻至室溫，進行過濾、乾燥而分別獲得中間體1~3。
<步驟2>化合物No.1及化合物No.2之PF6鹽之合成
將7 ml醛衍生物及44 ml氯仿混合，於冰浴冷卻下滴下30 mmol磷醯氯，於冰浴冷卻下攪拌1小時。繼而，於冰浴冷卻下，分別添加10 mmol於步驟1中所獲得的中間體，於加熱回流下攪拌3小時。冷卻至室溫後，添加179 mmol之KPF6及650 ml水，攪拌1小時，過濾分離析出物。
以甲醇清洗後，使之乾燥而獲得作為目標物的化合物No.1及No.2之PF6鹽。
<步驟3>化合物No.1及No.2之淬滅劑陰離子鹽的合成
將3.0 mmol於步驟2中所獲得的化合物分別溶解於12 ml丙酮中，滴下將6.0 mmol之以化學式[C]表示之陰離子的三乙胺鹽溶解於120 ml丙酮中而得者，進而添加28 ml丙酮，加熱回流3小時。冷卻至室溫後，將反應物滴下至1800 ml水中，於室溫下攪拌6小時。將析出之固體過濾分離，以甲醇清洗，使之乾燥而分別獲得作為目標物的化合物No.1 及No.2之淬滅劑陰離子鹽。
[實施例4及5]化合物No.10及No.11之PF6鹽的合成 <步驟1>中間體4及5之合成
將20 mmol吲哚化合物、20 mmol二碘戊烷及30 ml二甲基甲醯胺混合，於120℃下攪拌4小時。冷卻至室溫，進行過濾、乾燥而分別獲得中間體4及5。
<步驟2>化合物No.11之PF6鹽的合成
將12 ml醛衍生物及74 ml氯仿混合，於冰浴冷卻下滴下37 mmol磷醯氯，於冰浴冷卻下攪拌1小時。繼而，於冰浴冷卻下，分別添加12 mmol於步驟1中所獲得的中間體5，於加熱回流下攪拌3小時。冷卻至室溫後，添加163 mmol之KPF6及500 ml水，攪拌1小時，過濾分離析出物。以甲醇清洗後，使之乾燥而獲得作為目標物的化合物No.11之PF6鹽。
<步驟3>化合物No.10之PF6鹽的合成
將4.8 mmol於步驟1中所獲得的中間體4、9.6 mmol之N-烷基噻唑啉及20 ml吡啶混合，於100℃下攪拌3.5小時。冷卻至室溫，蒸餾除去溶劑，利用丙酮進行再結晶，進行過濾、乾燥而獲得作為目標物的化合物No.10之PF6鹽。
將實施例1~5中所獲得的化合物的收率及分析結果表示於表1~3中。再者，於表1中，分解點係10℃/分鐘之升溫速度下的示差熱分析之質量開始減少之溫度。
[實施例6~10]光學記錄材料及光學記錄媒體之製造
將上述實施例1~5中所獲得的各化合物分別溶解於2,2,3,3-四氟丙醇溶液，使化合物之濃度達到濃度1.0質量%，分別獲得實施例6~10之光學記錄材料作為2,2,3,3-四氟丙醇溶液。將鈦螯合物(T-50：日本曹達公司製造)塗佈、水解，於設有底層(0.01 μm)之直徑為12 cm的聚碳酸酯碟基板上，以旋塗法塗佈上述光學記錄材料，形成厚度為100 nm之光學記錄層，分別獲得實施例6~10之光學記錄媒體No.1~No.5。
[比較例1及2]
使用下述比較化合物No.1或No.2代替實施例1~5中所獲得的化合物，除此之外，以與上述實施例6~10相同之方式，製造比較例1及2之光學記錄材料，使用該光學記錄材料而獲得比較例1及2之比較光學記錄媒體No.6及No.7。
[評價例1-1及1-2以及比較評價例1-1]以上述通式(I)及(IV) 表示之花青素化合物的耐光性評價
對實施例1及2中所獲得的化合物No.1及No.2之淬滅劑陰離子鹽、以及比較化合物1，進行耐光性評價。
首先，於2,2,3,3-四氟丙醇中溶解本發明之化合物，使其達到1質量%，製備2,2,3,3-四氟丙醇溶液，將所獲得的溶液，利用旋塗法以2000 rpm、60秒塗佈於20×20 mm之聚碳酸酯板上，製成試驗片。評價係藉由如下方式進行：對該試驗片照射55000勒克司之光，分別照射24小時、300小時後，測定照射前UV吸收光譜之λmax處的吸光度殘存率。將結果表示於表4中。
根據[表4]可明確：本發明之以上述通式(I)及(IV)表示之化合物，即使於照射300小時後，吸光度殘存率亦較高。另一方面，比較化合物於照射24小時後可觀察到吸光度殘存率降低，又，於照射300小時後可觀察到吸光度殘存率顯著降低，且耐光性不良。
[評價例2-1及2-2]以上述通式(I)及(IV)表示之花青素化合物的耐熱性評價
對實施例1及2中所獲得的化合物No.1及No.2之淬滅劑陰離子鹽，進行耐熱性評價。
評價係藉由如下方式進行：將與上述耐光性試驗中所使 用者相同的試驗片於100℃下分別保存100小時、400小時後，測定照射前UV吸收光譜之λmax處之吸光度殘率。將結果表示於表5中。
於表5中，本發明之以上述通式(I)及(IV)表示之花青素化合物及比較化合物，即使於保存400小時後，吸光度殘存率亦較高。
[評價例3-1及3-2以及比較評價例3-1及3-2]
對實施例6及7中所獲得的光學記錄媒體No.1及No.2，測定UV光譜吸收。將結果表示於表6中。
根據[表6]可確認：具有由本發明之光學記錄材料所形成的光學記錄層之光學記錄材媒體，於UV光譜吸收中，於380~550 nm附近表現λmax，任一光學記錄媒體均可利用380~420 nm之雷射光進行記錄。
[產業上之可利用性]
根據本發明，可提供一種新型花青素化合物，其適合作為光學要素，且吸收波長特性及耐光性優異。又，含有該 化合物而成的光學記錄材料，適合用於形成光學記錄媒體之光學記錄層。

Claims (5)

  1. 一種花青素化合物，其係以下述通式(IV)表示者， (式中，R11及R12分別獨立表示氫原子、羥基、鹵原子、硝基、氰基、碳原子數為1~30的有機基或者以下述通式(II)、上述通式(II')或上述通式(III)表示之基團，R13及R14分別獨立表示氫原子、碳原子數為1~30的有機基或者以上述通式(III)表示之取代基，R11與R12可互相連結形成環結構，R19表示氫原子或碳原子數為1~30的有機基，上述R11~R14、R19中之有機基為烷基、烯基、烷基芳基、芳烷基或該等烴基被醚鍵、硫醚鍵中斷者，R13與R14可互相連結形成雜環，N-R13可與聚次甲基鏈中之亞甲基互相連結而形成雜環；Z00係碳原子數為1~10之有機基，該有機基為由乙二醇、丙二醇、1,4-丁二醇、新戊二醇、1,6-己二醇、山梨醇、丙三醇、異丁三醇、1,2,3-丁三醇、1,2,3-戊三醇、2-甲基-1,2,3-丙三醇、2-甲基-2,3,4-丁三醇、2-乙基-1,2,3-丁三醇、2,3,4-戊三醇、2,3,4-己三醇、4-丙基-3,4,5-庚三醇、2,4-二甲基-2,3,4-戊三醇、五甲基丙三醇、五丙三醇(pentaglycerine)、1,2,4- 丁三醇、1,2,4-戊三醇、三羥甲基乙烷、三羥甲基丙烷、季戊四醇、1,2,3,4-戊四醇、2,3,4,5-己四醇、1,2,4,5-戊四醇、1,3,4,5-己四醇、二丙三醇、山梨醇酐、核糖醇、阿拉伯糖醇、木糖醇、三丙三醇、二季戊四醇、山梨糖醇、甘露醇、艾杜糖醇、肌醇、半乳糖醇、塔羅糖、阿洛糖、蔗糖所選出之二~八元醇之殘基，m為0或1，s為2~8，Anq-表示q價陰離子，q為1或2，該陰離子為鹵素陰離子、無機系陰離子、有機磺酸陰離子、有機磷酸系陰離子、雙三氟甲基磺醯亞胺陰離子、雙全氟丁磺醯亞胺陰離子、全氟-4-乙基環己磺酸鹽陰離子、四(五氟苯基)硼酸陰離子、三(氟烷基磺醯基)羧酸陰離子或下述式(C)表示之淬滅劑陰離子，p表示將電荷保持為中性之係數)， (式中，W與T間之鍵為雙鍵、共軛雙鍵或三鍵，W表示碳原子，T表示碳原子或氮原子，x、y、z表示0或1，a表示0~4之數，R7表示氫原子、鹵原子、可具有取代基的碳原子數為1~4之烷基或可具有取代基的碳原子數為1~4之烷氧基，該烷基或烷氧基中之亞甲基可被-O-或 -CO-取代，R8、R9、R10表示氫原子、鹵原子或可具有取代基的碳原子數為1~4之烷基，該烷基中之亞甲基，可被-O-或-CO-取代，R8與R10可鍵結形成環結構；上述通式(II')中，W'與T'間之鍵為雙鍵或共軛雙鍵，W'表示碳原子，T'表示碳原子或氮原子，a'表示0~4之數，含有W'、T'之環係表示可含有雜原子之5員環、可含有雜原子之6員環、萘環、喹啉環、異喹啉環、蒽環或蒽醌環，該等含有W'、T'之環係可被鹵原子、硝基、氰基、烷基、烷氧基取代)， (式中，Ra~Ri分別獨立表示氫原子或可具有取代基的碳原子數為1~4之烷基，該烷基中之亞甲基可被-O-或-CO-取代，Z2表示直接鍵結或可具有取代基的碳原子數為1~10之伸烷基，該伸烷基中之亞甲基可被-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-SO2-、-NH-、-CONH-、-NHCO-、-N=CH-或-CH=CH-取代，M表示Fe、Co、Ni、Ti、Cu、Zn、Zr、Cr、Mo、Os、Mn、Ru、Sn、Pd、Rh、Pt 或Ir)，
  2. 一種花青素化合物，其係以下述通式(VI)表示者， (式中，R11及R12分別獨立表示氫原子、羥基、鹵原子、硝基、氰基、碳原子數為1~30的有機基或者以上述通式(II)、上述通式(II')或上述通式(III)表示之基團，R13及R14分別獨立表示氫原子、碳原子數為1~30的有機基或者以上述通式(III)表示之取代基，R11與R12可互相連結形成環結構，R19表示氫原子或碳原子數為1~30之有機基， 上述R11~R14、R19中之有機基為烷基、烯基、烷基芳基、芳烷基或該等烴基被醚鍵、硫醚鍵中斷者，R13與R14可互相連結形成雜環，N-R13可與聚次甲基鏈中之亞甲基互相連結而形成雜環；Z3係直接鍵結、可具有取代基的碳原子數為1~10之伸烷基或對二伸烷基苯，該伸烷基中之亞甲基可被-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-SO2-、-NH-、-CONH-、-NHCO-、-N=CH-或-CH=CH-取代，m為0或1，Anq-表示q價陰離子，An'q'-表示q'價陰離子，q及q'分別獨立為1或2，p及p'表示將電荷保持為中性之係數，該陰離子為鹵素陰離子、無機系陰離子、有機磺酸陰離子、有機磷酸系陰離子、雙三氟甲基磺醯亞胺陰離子、雙全氟丁磺醯亞胺陰離子、全氟-4-乙基環己磺酸鹽陰離子、四(五氟苯基)硼酸陰離子、三(氟烷基磺醯基)羧酸陰離子或上述式(C)表示之淬滅劑陰離子)。
  3. 一種花青素化合物，其係以下述通式(VIII)表示者， (式中，R16表示氫原子、碳原子數為1~30之有機基、硝基、胺基、鹵原子、氰基或碳原子數為2~20之雜環基，R16中之有機基為烷基、烯基、烷基芳基、芳烷基或該等烴基被醚鍵、硫醚鍵中斷者，u為1~5之數，Anq-、q、p、An'q'-、q'及p'、Z3、R13、R14、R19及m與上述通式(VI)相同)。
  4. 一種光學記錄材料，其特徵在於：含有至少一種如請求項1至3中任一項之花青素化合物。
  5. 一種光學記錄媒體，其特徵在於：於基體上具有由如請求項4之光學記錄材料形成的光學記錄層。
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