[go: up one dir, main page]

TWI406110B - 自基材移除物質的方法 - Google Patents

自基材移除物質的方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI406110B
TWI406110B TW095143445A TW95143445A TWI406110B TW I406110 B TWI406110 B TW I406110B TW 095143445 A TW095143445 A TW 095143445A TW 95143445 A TW95143445 A TW 95143445A TW I406110 B TWI406110 B TW I406110B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
sulfuric acid
acid composition
temperature
water vapor
liquid sulfuric
Prior art date
Application number
TW095143445A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200731029A (en
Inventor
克里斯汀森 柯特Ｋ
漢尼斯塔 羅納德Ｊ
魯瑟 派翠西亞Ａ
瓦格納 湯瑪士Ｊ
Original Assignee
艾福斯埃國際公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 艾福斯埃國際公司 filed Critical 艾福斯埃國際公司
Publication of TW200731029A publication Critical patent/TW200731029A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI406110B publication Critical patent/TWI406110B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B7/00—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas
    • B05B7/02—Spray pistols; Apparatus for discharge
    • B05B7/12—Spray pistols; Apparatus for discharge designed to control volume of flow, e.g. with adjustable passages
    • B05B7/1209—Spray pistols; Apparatus for discharge designed to control volume of flow, e.g. with adjustable passages the controlling means for each liquid or other fluent material being manual and interdependent
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B1/00—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/423—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral acids or salts thereof, containing mineral oxidizing substances, e.g. peroxy compounds
    • H10P50/282—
    • H10P50/287—
    • H10P50/642—
    • H10P70/234—
    • H10P70/273—
    • H10P72/0424—
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B2230/00—Other cleaning aspects applicable to all B08B range
    • B08B2230/01—Cleaning with steam

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Description

自基材移除物質的方法
本發明係關於自基材移除物質之方法。更特定言之，本發明係關於使用硫酸及水蒸氣自基材移除物質，且較佳光阻物質。
電子技術之進步使得在積體電路形成於諸如矽晶圓之基材上時活性組份之填充密度不斷增大。電路之形成係藉由依序塗覆、加工及自基材選擇性移除各種組份來進行。在半導體晶圓技術中已開發多種組合物用於自基材移除特定種類之組份。舉例而言，通常表示為SC－1之組合物，其含有約1：1：5之體積比(或稍微更高之稀釋比)之NH4 OH(29重量%)/H2 O2 (30重量%)/水的混合物，該組合物通常用於移除顆粒且再氧化疏水矽表面。類似地，通常表示為SC－2之組合物，其含有約1：1：5之體積比(或稍微更高之稀釋比)之HCl(37重量%)/H2 O2 (30重量%)/水的混合物，該組合物通常用於移除金屬。通常被稱作Piranha組合物之另一組合物包含約2：1至20：1之體積比之H2 SO4 (98重量%)/H2 O2 (30重量%)，且其通常用於移除有機污染物或某些金屬層。
光阻物質係用於許多電路製造過程中以輔助形成依序層。在製造過程之階段中，該等光阻物質通常經移除，較佳不產生對包括形成於其上之結構之基材的實質損害。慣常使用諸如正甲基吡咯啶酮("NMP")、二醇醚、胺或二甲亞碸("DMSO")之有機溶劑移除光阻劑。或者，已使用藉由諸如硫酸及過氧化氫之化學蝕刻劑之熱化學移除，或使用通常被稱作光阻電漿灰化之乾式反應性移除來移除光阻物質。美國專利第5,785,875號揭示一種藉由將晶圓完全浸沒於含水酸中進行濕式酸蝕刻，且將蝕刻劑自腔室排出而同時插入經加熱溶劑蒸氣來移除光阻物質的方法。該溶劑為例如丙酮、醇或另一溶劑，但較佳包含異丙醇，且經加熱至介於約50℃與約100℃之間的範圍。用於移除光阻劑之傳統濕式化學方法依賴於與過氧化氫(Piranha或"硫酸－過氧化物混合物"或SPM)或臭氧(硫酸－臭氧混合物或"SOM")組合之濃硫酸。或者，可藉由使用溶解於DI水中之臭氧或藉由將臭氧氣體與水蒸氣在高溫下混合而在特定條件下移除光阻劑。
可需要識別用於自諸如半導體晶圓之基材移除物質、尤其有機物質、且最尤其光阻物質之處理的替代性技術及組合物。
已測定在浸沒浴環境中，甚至在高溫下，塗覆硫酸及/或其乾燥物質及前驅物(例如三氧化硫(SO3 )、硫代硫酸(H2 S2 O3 )、過氧硫酸(H2 SO5 )、過氧二硫酸(H2 S2 O8 )、氟硫酸(HSO3 F)及氯硫酸(HSO3 Cl))至經光阻劑塗佈之基材上不能有效移除經粗糙處理之光阻劑。鑒於此，已驚訝地發現當具有不高於約5：1之水/硫酸莫耳比之液體硫酸組合物暴露於水蒸氣中時，硫酸及乾燥硫酸物質及前驅物可自基材之表面有效移除物質、尤其有機物質且最尤其光阻物質，其中水蒸氣之量可有效增加液體硫酸組合物之溫度至高於在暴露於水蒸氣中之前液體硫酸組合物之溫度。在本發明之一實施例中，液體硫酸組合物係暴露於水蒸氣中，水蒸氣之量可有效增加液體硫酸組合物之溫度至高於(i)在暴露於水蒸氣中之前液體硫酸組合物之溫度及(ii)水蒸氣之溫度兩者。在一較佳實施例中，具有不高於約5：1之水/硫酸莫耳比之液體硫酸組合物係暴露於水蒸氣中，水蒸氣之量可有效增加基材表面上之液體硫酸組合物的溫度至高於(i)在暴露於水蒸氣中之前液體硫酸組合物之基材上溫度及(ii)水蒸氣之溫度兩者。本發明之方法在移除光阻物質之情況下，甚至在當光阻劑係經烘焙於基材上或當光阻劑係在特定加工條件下經重離子植入之情況下為尤其重要的。
為簡短之目的，如在本文中所論述之液體硫酸組合物應理解為包含硫酸及/或其乾燥硫酸物質及前驅物，且關於包含於該等液體組合物中之硫酸之論述應同樣理解為描述包含硫酸及/或其乾燥硫酸物質及前驅物之相應組合物。乾燥硫酸物質及硫酸前驅物之實例包括三氧化硫(SO3 )、硫代硫酸(H2 S2 O3 )、過氧硫酸(H2 SO5 )、過氧二硫酸(H2 S2 O8 )、氟硫酸(HSO3 F)及氯硫酸(HSO3 Cl)。在本發明之一實施例中，硫酸之乾燥物質為硫酸與氧化劑之錯合物。
如在本文中提供之自一基材移除物質、較佳有機物質且更佳光阻劑之方法中，一於其一表面上具有物質之基材係置放於一處理腔室中。液體硫酸組合物係以可有效大體上均勻塗佈基材表面之量及方式施配於基材上。為本發明之目的，基於最終混合物中水與乾燥硫酸物質或前驅物存在之莫耳數之莫耳比來計算包含乾燥硫酸物質及前驅物之組合物的水/硫酸莫耳比。
在本發明之一實施例中，基材係經預處理液體預處理以便利提供一表面，其中當塗覆於該表面上時，具有不高於約5：1之水/硫酸莫耳比之液體硫酸組合物會大體上均勻塗佈於該表面上。為本發明之目的，若當足夠液體硫酸組合物經塗覆於表面上以完全塗佈表面，大體上未觀測到液體硫酸組合物成滴(亦即表面上無液體之不連續)時，則認為液體硫酸組合物大體上均勻塗佈基材。在一實施例中預處理組合物包含塗覆足夠具有不高於約5：1之水/硫酸莫耳比之液體硫酸組合物以改質基材之表面特性，以使得具有不高於約5：1之水/硫酸莫耳比之液體硫酸組合物之隨後(或連續)塗覆會大體上均勻塗佈基材。視情況，諸如按照需要改質基材之表面特性之界面活性劑或溶劑的其他表面改質組份可用於預處理液體中。
在本發明之另一態樣中，已發現自基材之表面移除物質之有效性及效率尤其增強，其中液體硫酸組合物具有不高於約3：1、或不高於約2：1之水/硫酸莫耳比。在本發明之一較佳實施例中，已發現自基材之表面移除物質之有效性及效率尤其增強，其中液體硫酸組合物具有不高於約1：2之水/硫酸莫耳比。在本發明之一實施例中，液體硫酸組合物不含水。然而，為易於獲得物質且本發明之實施例涵蓋液體硫酸組合物會含有至少與慣常存在於原材料中之水同樣多之水。在本發明之另一實施例中，液體硫酸組合物具有約1：2至約1：4之水/硫酸莫耳比。
以另一方式陳述，較佳地液體硫酸具有以體積計高於約50體積%、更佳高於80體積%、且最佳高於90體積%之濃度。為本發明之目的，當論述硫酸之體積比時，希望硫酸之含量係基於98重量%硫酸源來計算。因此，包含50體積%之含量之硫酸的硫酸/水組合物包含50體積%之98重量%硫酸及50體積%水。
較佳地，基材係在施配液體硫酸組合物之前、期間或之後經加熱至至少約90℃之溫度。液體硫酸組合物係暴露於水蒸氣中，水蒸氣之量可有效增加基材表面上之液體硫酸組合物的溫度至高於在暴露於水蒸氣中之前液體硫酸組合物之溫度。在本發明之一實施例中，液體硫酸組合物係暴露於水蒸氣中，水蒸氣之量可有效增加基材表面上之液體硫酸組合物的溫度至高於(i)在暴露於水蒸氣中之前基材上液體硫酸組合物之溫度及(ii)水蒸氣之溫度兩者。在上述處理之步驟之後或之間，基材較佳係經沖洗。
已發現在塗覆於基材之前或在塗覆於基材時存在於液體硫酸組合物中之水之量對於移除不需要之材料的有效性為重要的。特定言之，已發現初始含有過多水之硫酸組合物在暴露於水蒸氣中時不太能夠去除抗蝕劑。不受限於理論，咸信該等經稀釋之硫酸組合物不太能夠吸收可有效增加液體硫酸組合物之溫度至高於在暴露於水蒸氣中之前液體硫酸組合物之溫度的量的水蒸氣，或該組合物之化學活性係由水降低，或兩者皆有。
在其中基材係處於低於水之沸點之環境加工溫度(尤其在約20－60℃之溫度範圍中)的實施例中，液體硫酸組合物之溫度在添加水蒸氣後大體上為增加的。令人驚訝地，已進一步發現甚至當基材及/或硫酸組合物處於高溫(例如高於約90℃)，且尤其在100℃或高於100℃之溫度時，即使液體硫酸組合物之溫度接近或高於水之沸點，水蒸氣亦係由液體硫酸組合物吸收。不受制於理論，咸信液體硫酸具有乾燥效果，進而使來自水蒸氣之水縮合於液體硫酸組合物中且釋放大約對應於儲存於水蒸氣中之汽化熱之能量。
藉由參照與附隨圖示一起之本發明之實施例的以下描述，本發明之上述及其他優點，及達到其之方式會變得更顯而易見，且本發明本身會更易理解。
為本發明之目的，水蒸氣係經定義為處於氣態形式之水，且區別於通常被稱作"霧"之水之小液滴。因為霧為濃縮為小液滴形式之水，所以當霧位於一表面上時大體上不存在會對應於汽化熱之暖化效應。為本發明之目的，蒸汽為處於或高於水之沸點之蒸發水，水之沸點視壓力而定，例如若壓力為1大氣壓，則水之沸點為100℃。當蒸汽係以高於水之沸點之溫度經提供時，其被稱作過熱蒸汽。水蒸氣視情況可由包含(諸如)諸如臭氧之溶解氣體或諸如氮之惰性氣體的除水之外之組份的組合物提供。其涵蓋高於或低於或處於100℃且具有高於、低於或處於1大氣壓之水蒸氣之壓力或分壓的水蒸氣可以大體上純淨或以組合物之任何方式供給至硫酸組合物。
本發明之方法可用於同時處理多個類晶圓物件，當晶圓批量經處理於一諸如商業獲自FSI International,Inc.,Chaska,MN之MERCURY或ZETA噴霧處理器或亦商業獲自FSI International,Chaska,Minnesota之Magellan系統之噴霧處理工具中時發生。本發明亦可用於其中晶圓為移動或固定之單個晶圓處理應用中，或用於其中晶圓大體上為固定之分批應用中。
關於圖示，其中相同數字係遍及若干圖示用於標記相同組件。
圖1展示當20℃之H2 SO4 (98重量%)與20℃液體水或20℃ H2 O2 (30重量%)混合於一快速攪拌燒瓶中時所得之溫度。在區域A中，在H2 SO4 體積分率介於約100%與57%之間時，隨著水含量增加，H2 SO4 /水摻合物之溫度升高。在區域B中，在分率介於約56%與36%之間時，隨著水含量增加，H2 SO4 /水摻合物之溫度緩慢降低。在區域C中，在分率介於約35%與10%之間時，隨著水含量增加，摻合物之溫度急劇降低。與H2 O2 混合之H2 SO4 之溫度概況遵循相同趨勢，但具有稍微較低之最高溫度。為約57體積% H2 SO4 與43體積% H2 O2 之摻合物的H2 SO4 /水摻合物獲得約110℃的最大溫度升高(130℃最終溫度)。頂部軸上亦展示水：H2 SO4 摻合物之H2 O：H2 SO4 莫耳比。區域A與B之間的邊界為約2：1水：H2 SO4 ，且B與C之間為約5：1。
圖2展示自圖1之水添加曲線之微商。此展示水含量之每百分比增加之溫度升高作為溶液中H2 SO4 分率的函數。自100%至37% H2 SO4 分率，dT/d水存在幾乎線性降低。不受限於理論，咸信溶液之溫度升高(混合熱)係由水分子環繞每一硫酸分子配位時之水合熱而產生。在本發明中，甚至當硫酸組合物之溫度高於水之沸點時，水分子與硫酸分子之間的此強吸引驅使使水蒸氣離開大氣且進入硫酸組合物中之乾燥作用。在約55體積%硫酸時，水合熱係由添加之水之熱負荷來平衡，且額外添加之水對摻合物具有淨冷卻效果。在約37體積% H2 SO4 時，H2 SO4 之水合似乎為完全的。如圖1之上部x軸中所示，圖2之上部x軸展示溶液中水：H2 SO4 之莫耳比。當每莫耳H2 SO4 存在約5莫耳之水時，水合作用似乎為完全的。
與圖1相反，本發明藉由將水蒸氣縮合入組合物中來添加水至硫酸組合物中。此導致組合物之加熱不僅藉由H2 SO4 與H2 O之間的混合熱，而亦藉由水縮合入硫酸組合物中時再次獲得之水的汽化熱。相比於添加液體水至H2 SO4 中，來自水蒸氣之汽化熱之熱貢獻容許給定量之稀釋產生更大的溫度升高。
圖3A及3B展示一適用於實施本發明之方法之設備的實例。圖3A展示一分批噴霧處理器10之示意圖，其展示包括化學品混合歧管90、再循環貯槽50及處理碗腔12之主要系統組件。該設備10為一諸如包括於一商業獲自FSI International,Inc.,Chaska,MN之MERCURY或ZETA噴霧處理器中之噴霧處理工具的示意性代表圖。設備10通常包括一限定一處理腔室16之碗腔12及蓋14。類晶圓物件18係定位於載體20(例如，TEFLON盒)中，該載體20反之由轉臺柱(未圖示)固持於旋轉轉臺22上。轉臺22係經耦接至馬達驅動軸24上。水或氮可自供給管線32供給且經由轉臺柱(未圖示)施配於處理腔室16中。一或多種化學品亦可由供給管線34供給且經由中心噴霧柱36施配於處理腔室16中直接至晶圓18上及/或直接於轉臺22上或經由管線38經由側噴霧柱40至晶圓上。
例如，一供給管線34可流體耦接至一化學品再循環系統49。該再循環系統可包括化學品供給管線67及68。化學品供給管線67可包括過濾器64及66、泵62，且流體耦接至再循環供給貯槽50。該再循環供給貯槽可由再循環排液管54及新鮮化學品補給52供給處理化學品。氮氣層56可用於貯槽50之頂空中。為控制貯槽50中處理化學品之溫度，貯槽50可包括一加熱線圈58、冷卻線圈60及溫度探針41。化學品供給管線68可供給(例如)氮及DI水沖洗。供給化學品至處理腔室16之後，任何未使用之化學品可進入排液管70且進入排液歧管71中。自該排液歧管，化學品可經導向諸如再循環排液管54、廢氣72、DI排液管74、輔助設備76、輔助設備78、輔助設備80及輔助設備82之多個出口。
供給管線34亦可流體耦接至一新鮮化學品摻合歧管90。在該歧管中，經控制流量之來自管線91－94之新鮮化學品經混合以形成所需摻合物，其經由管線98及34送至中心噴霧柱36或經由管線98及38送至側噴霧柱40。視情況，該化學摻合物可由一管線98中之線內紅外加熱器(加熱器未圖示)來加熱。或者，該等進料化學品之一或多者可由置放於一或多個管線91－94中之一紅外加熱器來加熱。
設備10之組態及用途已進一步描述於美國專利第5,971,368號；第6,235,641號；第6,274,506號；及第6,648,307號，以及以Benson等人之名義申請於2004年3月12日之標題為ROTARY UNIONS,FLUID DELIVERY SYSTEMS,AND RELATED METHODS且具有U.S.序號10/799,250的受讓人同在申請中之美國專利申請案中，該同在申請中之申請案係以引用的方式全部併入本文中。
圖3B展示依據本發明使用設備10之操作之一代表性模式。液體硫酸組合物42自中心噴霧柱36及/或側噴霧柱40(未圖示)以可有效大體上均勻塗佈經有機物質塗佈之基材之量施配於晶圓18上。此大體上均勻之塗層可由(例如)使用同一裝置以預處理液體預處理以提供一表面來促進，其中當塗覆至該表面上時，具有不高於約5：1之水/硫酸莫耳比之液體硫酸組合物會大體上均勻塗佈於該表面上。如以上所注明，預處理組合物可例如為液體硫酸組合物之預先塗覆以調節基材之表面特性，以使得具有不高於約5：1之水/硫酸莫耳比之液體硫酸組合物之隨後(或連續)塗覆會大體上均勻塗佈基材。視情況，諸如按照需要改質基材之表面特性之界面活性劑或溶劑的其他表面改質組份可用於預處理液體中。可添加額外組份以提供對預處理溶液之化學改質。例如，少量酸可經添加至含水預處理溶液中。
液體硫酸組合物42經施配之後(或期間、或之前)，熱水44係經施配於轉臺22上。一部分熱水44之蒸發增大腔室氣氛之水蒸氣含量(濕度)。晶圓18已經待移除之有機物質塗佈。在較佳實施例中，該有機物質為光阻物質。為挑戰性待移除之有機物質包括已在先前晶圓加工步驟中藉由暴露於熱而烘焙上之光阻劑。為尤其挑戰性待移除之有機物質為已在先前晶圓加工步驟中經重離子植入之彼等物質。本發明之方法在移除重離子植入光阻物質中為尤其且令人驚歎有效的。
液體硫酸組合物42具有不高於約5：1之水/硫酸莫耳比。因此，硫酸液體組合物之水含量係經限制。在一實施例中，液體硫酸組合物可包含大體上不干擾如在本文中更詳細論述的隨後添加之水蒸氣與硫酸之配位的溶劑。較佳該等溶劑關於待處理之基材(例如，晶圓)為惰性的，諸如氟基液體。該等惰性溶劑之一實例包括商業獲自3M,St.Paul,MN之FluorinertT M 溶劑。應注意以上提及之莫耳比論述水/硫酸莫耳比，且並非溶劑/硫酸比。此強調大體上不干擾隨後添加之水蒸氣與硫酸之配位的溶劑不包括於本發明之實施例之此比率中。
液體硫酸組合物更佳為高濃縮的。較佳地，液體硫酸組合物係以至少約80體積%、更佳至少約90體積%、且最佳至少約94體積%之硫酸濃度經施配。如圖1及2中所示，該等高H2 SO4 濃度導致每單位之縮合入H2 SO4 組合物中之水蒸氣最大之溫度升高。
在本發明之一實施例中，液體硫酸組合物42包含過氧化氫。過氧化氫充當輔助將有機物質分解為CO2 及水之氧化劑。過氧化氫係經方便地提供於與濃硫酸摻合之含水溶液中以提供具有不高於約5：1之水/硫酸莫耳比之液體硫酸組合物。有利地，濃硫酸與含水過氧化氫溶液之混合由放熱反應產生熱，且因此包含過氧化氫之所得液體硫酸組合物可以高溫提供，同時使用較少自專用熱源之能量以加熱組合物。此放熱反應通常為組合物之顯著熱源。然而，在本發明中，硫酸組合物與水蒸氣之間的反應提供所需熱，且水基過氧化氫之過量添加可抑制此硫酸－蒸氣反應。因此，藉由如在本文中所述之蒸氣於濃硫酸組合物中之效果的知識，熟習工匠如今可調節H2 O2 濃度以同時優化由H2 SO4 －蒸氣反應產生之熱而同時供給足夠反應物以氧化有機物。
在本發明之一態樣中，可在液體硫酸組合物施配之前、期間或之後將氧化劑引入處理腔室中。
例如，可在將液體硫酸組合物引入處理腔室之前，或替代地在液體硫酸組合物施配於處理腔室期間或之後，將過氧化氫與液體濃硫酸混合。過氧化氫與液體濃硫酸之混合可藉由使用靜態混合器或動態混合技術來實現，或僅可使一種溶液與另一種接觸來實現，其中混合係藉由僅擴散來實現。諸如臭氧之其他劑可按需要類似地併入液體硫酸組合物中。諸如臭氧之不含水氧化劑可優於H2 O2 ，因為其不會稀釋H2 SO4 組合物。例如，除H2 O2 之外的氧化劑可用於本發明之硫酸－蒸氣方法中。例如，臭氧、硝酸、鉻離子(Cr＋ 6 )或鈰離子(Ce＋ 4 )可併入如本文中所述之方法中。詳言之，該等物質可以無水形式添加至H2 SO4 中，所以H2 SO4 保持相對未經稀釋。亦可使用其他氧化劑。
較佳地，液體硫酸組合物係以至少約90℃、且更佳約90℃至約150℃之溫度經施配。在另一實施例中，液體硫酸組合物較佳係以約95℃至約120℃之溫度經施配。在另一實施例中，液體硫酸組合物係以在暴露於水蒸氣中之前至少約130℃、且更佳約130℃至約200℃之溫度經施配。
液體硫酸組合物42之引入以硫酸化學濕潤晶圓表面。液體硫酸組合物42較佳係以可提供足夠硫酸官能度以移除晶圓18上塗佈之有機物質之量經塗覆至晶圓上。較佳地，液體硫酸組合物係經施配於有機物質塗佈之基材上為至少約5微米之厚度，更佳為至少約10微米之厚度。在本發明之一實施例中，液體硫酸組合物係經施配於有機物質塗佈之基材上為約10微米至約140微米之厚度，且較佳為約10微米至約60微米之厚度。
在一實施例中，晶圓18係以諸如約20至約60℃之溫度的低於水之沸點的溫度經提供。晶圓18較佳係在液體硫酸組合物施配之前、期間或之後經加熱至至少約90℃之溫度。更佳地，晶圓18係經加熱至約90℃至約150℃之溫度。在另一實施例中，晶圓係經加熱至約95℃至約120℃之溫度。此加熱可(例如)藉由使用輻射熱來加熱腔室、向晶圓引入熱水或其他液體溶液且在應用濃硫酸組合物之前大體上移除經加熱之液體、向腔室中引入加熱氣體及其類似方法來實施。若液體藉由與晶圓直接接觸而用於加熱晶圓，則足夠量之該液體係在引入濃硫酸組合物之前自該等晶圓移除，以使得濃硫酸組合物在液體硫酸組合物暴露於水蒸氣中之前保持所需程度之硫酸濃度。
在本發明之一實施例中，晶圓可藉由將一或多個晶圓浸沒於經加熱之液體浴中、迅速排乾浴中內含物(例如一"快速傾倒"程序)且實施如以下描述之剩餘處理步驟來預加熱。該浴液體可為(例如)DI水、含有硫酸之DI水、硫酸/過氧化氫混合物、惰性流體(諸如氟碳化物)、硫酸/臭氧混合物及其類似物。此實施例可在藉由更有效加熱晶圓來增強處理過程之產量中提供實質益處。可用於使用此實施例之尤其適合方法系統之一實例為商業獲自FSI International,Chaska,Minnesota之Magellan系統。
水蒸氣係以任何適當方式引入腔室中。如圖3B中所示，經加熱之DI水44係自中心噴霧柱36之底部46經濺落至旋轉轉臺22上。在此"濺落"方法中，產生水蒸氣。或者，水蒸氣可藉由諸如由加熱及/或攪拌處理腔室中之水之任何適當替代性水蒸氣產生技術產生於處理腔室內部。
在另一替代物中，水蒸氣可產生於處理腔室外部且以所需水蒸氣形式經引入至處理腔室中。
例如，外部產生之水蒸氣可以氣體或以氣體之混合物之組份的形式經供給至腔室中。在一實施例中，蒸氣可藉由經由一水(較佳熱水)柱以氣體(例如N2 )鼓泡來產生。在另一實施例中，氣體可穿過一些水之表面。在另一實施例中，氣體可穿過一如化學工程中通常使用之灌溉填充柱。在另一實施例中，大體上純淨之水蒸氣可由沸騰液體水產生。來自該等替代物中任一者之氣態產物可經進一步加熱。其他實施例亦為可能的。
較佳地，水蒸氣係經引入以使得其以約70℃至約150℃之水蒸氣溫度暴露於晶圓。更佳地，水蒸氣係經引入以使得其以約80℃至約110℃之水蒸氣溫度暴露於晶圓。在一尤其有利實施例中，水蒸氣係經引入以使得其以約85℃至約98℃之水蒸氣溫度暴露於晶圓。此實施例為有利的，因為水蒸氣易於由以上描述之"濺落"方法產生。因為水並非處於沸點，所以更易實現水蒸氣之進入控制而無不適當之飛濺。在不同有利實施例中，水蒸氣係經引入以使得其以約100℃之水蒸氣溫度暴露於晶圓。藉由在習知條件下之沸水由習知蒸汽形成裝置在處理容器內部或外部形成蒸汽，此實施例可相對易於實施。
在另一實施例中，水蒸氣係以高於在暴露於水蒸氣中之前液體硫酸組合物之溫度的溫度經提供。此實施例提供藉由直接熱轉移，以及如上所述之水蒸氣縮合入液體硫酸中後之能量轉移來直接加熱液體硫酸組合物之益處。在一實施例中，為此目的，水蒸氣係以高於約150℃之溫度經提供。
視情況，水蒸氣可按照需要額外包含諸如過氧化氫或臭氧之另一劑。
水蒸氣係以可有效增加液體硫酸組合物之溫度至高於在暴露於水蒸氣中之前液體硫酸組合物之溫度且較佳另外高於水蒸氣的溫度之量經引入處理腔室中。在本發明之一實施例中，液體硫酸組合物係暴露於可有效增加基材表面上之液體硫酸組合物的溫度至高於(i)在暴露於水蒸氣中之前基材上液體硫酸組合物之溫度及(ii)水蒸氣之溫度兩者之量的水蒸氣中。令人驚訝地，甚至當液體硫酸組合物之溫度接近或甚至高於水之沸點時，水蒸氣仍以一增加液體硫酸組合物之溫度，進而增強液體硫酸組合物之溫度增加之有機物質移除有效性的方式與液體硫酸組合物締合。
較佳地，足夠液體硫酸組合物及水蒸氣係存在且經混合以使液體硫酸組合物之溫度增加至少約20℃、更佳至少約40℃，且最佳至少約60℃。此為尤其重要的，因為液體硫酸組合物係處於晶圓上之位置，其本身充當一散熱片且吸收用以保持接近液體硫酸組合物之溫度的溫度的實質能量。基材表面上之液體硫酸組合物之溫度可由任何適當量測技術來測定。為本發明之目的，藉由使用溫度探針41量測在轉臺22上之晶圓載體之旋轉過程中澆鑄於處理容器壁上的液體之溫度，可得到一適當溫度近似值。為進行此量測，一溫度探針可定位於處理容器中。在一實施例中，顏色改變溫度指示材料可用於指示處理容器中達到之最高溫度。
液體硫酸組合物暴露於水蒸氣中可以有效增加處於有機物質塗佈基材上之位置中時液體硫酸組合物之溫度的任何時間進行。在一實施例中，水蒸氣係在液體硫酸組合物施配之過程中經引入處理腔室中。應瞭解在此實施例中，甚至在組合物與基材接觸之前，液體硫酸組合物之溫度可開始增加。在此實施例中，可認為如以上論述之液體硫酸組合物在暴露於水蒸氣中後溫度之升高為液體硫酸組合物在施配時之溫度與液體硫酸組合物暴露於水蒸氣中後之最高溫度之間的差異。
在本發明之另一實施例中，液體硫酸組合物並非以連續流，而是以複數個不連續脈衝之形式經提供至晶圓。該等脈衝較佳為短的(亦即長度約為3至10秒)，且為高流量(亦即以約2－8 lpm之流動速率)。在無液體流動之脈衝之間較佳存在約5至20秒的時間時期。當以脈衝液體流動操作時，水蒸氣視情況僅在脈衝過程中經引入，其減少在本過程中自腔室沖洗之水蒸氣之量。同樣，水蒸氣可視情況在脈衝過程中經引入以在硫酸組合物與基材接觸之前增強硫酸組合物之溫度升高，或在脈衝之間經引入以加強組合物在基材上時之加熱。
在另一實施例中，液體硫酸組合物之施配係在引入水蒸氣之前停止。在此實施例之一態樣中，基材具有相對停滯之液體硫酸組合物之塗層。視情況，在液體硫酸組合物之施配過程中或之後，及在液體硫酸組合物暴露於水蒸氣中之過程中，基材之旋轉經降低至小於約20 rpm之速率或停止。此過程係經實施以促進基材上液體硫酸組合物之此塗層(或"彙聚")之保持。不受限於理論，咸信因為液體硫酸組合物尤其在液體硫酸組合物暴露於水蒸氣中之過程中顯示小的本體運動，所以液體趨向於以遍及基材上之所有點之可比較速率溶解及/或另外移除基材之表面上之不需要的物質。此增強之均一性可歸因於液體硫酸組合物在水蒸氣中之均勻暴露。另外或或者，移除不需要之物質(尤其，移除SiO2 )之增強的均一性可歸因於遍及塗層經溶解之不需要之物質所致液體硫酸組合物的均勻飽和速率。液體硫酸組合物之施配可藉由改變流動速率、施配時間及由離心力所致之液體硫酸組合物之移除速率來改變液體硫酸組合物層之厚度而經進一步調節。此外，不需要之物質之移除的進攻性可藉由在蒸氣步驟後傾出經消耗之硫酸溶液混合物、塗覆一新鮮硫酸溶液混合物層，且將蒸氣再引入腔室中來增加。
如以上所註明，液體硫酸組合物42係自噴霧柱36及/或40經施配於晶圓18上。在特定組態之晶圓處理設備中，已發現噴霧柱之定位及流體自該等柱流動之方向影響本方法的效能。在具有固定噴霧柱組態之特定晶圓處理裝置中，施配之流體趨向於以一導致液體在晶圓部分處之高濃度的方式沈積。例如，自中心噴霧柱36施配之液體趨向於以高濃度接近中心噴霧柱沈積於基材上。同樣，在轉臺22之一些定向處，來自中心噴霧柱之大部分液體可穿過晶圓之間且經消耗。有利地，出色之沈積效率及均一性可藉由使用側碗腔噴霧柱40(SBSP)來實現。但藉由直接朝向轉臺之旋轉軸的垂直於腔室之面的SBSP施配之噴霧，亦趨向於接近中心噴霧柱過量沈積液體。法線噴霧進一步消耗在轉臺之一些方位處穿過晶圓之間的液體。藉由使自噴霧柱(及尤其SBSP)之液體噴霧角度偏離腔室之主表面之法線及/或偏離轉臺之中心，可觀測到出色沈積圖案。雖然角度噴霧導致在接近CSP處之"聚焦"度較弱的沈積，但無個別角滿足均勻覆蓋。在本發明之一實施例中噴霧角為固定的。在本發明之另一實施例中，固持基材之轉臺在液體硫酸組合物施配於基材表面上之過程中為旋轉的，且液體硫酸組合物係藉由以掃描運動中相對於轉臺之改變角噴霧液體來施配。在此實施例之一態樣中，噴霧角在液體硫酸組合物之單個噴霧過程中改變。在此實施例之另一態樣中，當在一處理循環中進行複數個液體施配時，噴霧角自液體硫酸組合物之一施配至下一施配改變。
液體硫酸組合物之噴霧角之改變(或"掃描")導致改變噴霧中心之位置，其導致更均勻之液體沈積。改變入射於晶圓－載體系統上之噴霧角亦降低藉由盒及轉臺之結構元件遮蔽之影響。有可能以許多方式改變噴霧角，其包括(例如)旋轉噴霧機構或經由改變角之多個噴霧機構噴霧。
一改變SBSP 40之噴霧方向之較佳方法及裝置係展示於圖8中，其展示一使用一三孔噴嘴122用於定向噴霧之系統120。在此噴嘴中，一中心孔124在足夠壓力下提供來自一液體源(未圖示)之液體以自此噴射液體流126。氣體孔130提供經由控制閥136來自氣體源134之氣體。該氣體係以調節壓力經提供以自孔130噴射出同時偏轉且霧化噴霧之氣體流128。類似地，氣體孔140提供經由控制閥146來自氣體源144之氣體。該氣體係以調節壓力經提供以自孔140噴射出同時偏轉且霧化噴霧之氣體流148。噴霧方向可藉由改變氣體流138及148之流動以賦予液體噴霧之流動方向來調節。氣體流動之更精細分級容許噴霧方向之更精細調節。自兩個氣體源之相等流量導致噴霧圖案居中垂直於噴霧機構之面。噴霧可不連續偏轉(例如10秒為＋20°，隨後10秒為＋30°等)，或連續掃描。氣體流動可諸如藉由質量流量控制器在連續範圍內調節，或如藉由多孔不連續調節。此系統120用於處理半導體晶圓中為尤其有利的，因為其提供對液體噴霧之出色定向及力控制。此外，此出色控制無需在處理腔室中安裝一具有移動零件之裝置即可經提供。因為歸因於移動組件之摩擦磨損，移動零件增大向腔室中引入小粒子之可能性，所以處理腔室中移動零件之量的最小化為需要的。另外，若設備未定位於處理腔室中，則設備之維護大大地簡化。
在將液體硫酸組合物固定或掃描噴霧引入處理腔室中之情況下，噴霧方向較佳與腔室中基材之旋轉一致。在本發明之一實施例中，當晶圓在腔室中於轉臺上旋轉時，噴霧以一定角度進入接近之晶圓。亦即，來自側碗腔噴霧柱40之噴霧在轉臺順時針方向旋轉過程中偏轉向右，且在逆時針方向旋轉過程中偏轉向左。
在本發明之另一實施例中，由盒及轉臺之結構元件造成之遮蔽效應及/或腔室中特定位置處液體之濃度過大可藉由將偏轉元件置放於腔室中以中斷或阻塞特定方向中噴霧之流動來改善。該等元件可由碗腔12或蓋14來支撐且因此為大體上固定的，或可由轉臺22支撐且因此相對於旋轉晶圓處於大體上固定之位置。
在本發明之實施例中，其涵蓋基材可經預處理以輔助自此移除有機物質。例如，其之一部分上經塗佈有機物質之基材可在液體硫酸組合物施配於其上之前經含有界面活性劑之組合物處理。
在所描述之方法中亦涵蓋額外處理步驟，諸如在由液體硫酸組合物處理之前、期間或之後將基材暴露於超高頻音波能量中。
用於本發明之方法中之裝置可藉由修改一諸如一以該等商標名稱MERCURY或ZETA中之一或多者商業獲自FSI International,Chaska,Minnesota之類型的離心噴霧處理器之已知可程式化噴霧處理機器，藉由使其之化學品貯器具有必要溶液且藉由組態機器之控制器使具有如在本文中指示之程式來製造。應瞭解其他已知之分批噴霧及單個晶圓噴霧機器可經類似修改以實施本發明。
在另一實施例中，本發明之方法亦可以一"單個晶圓"模式每次應用於一晶圓。圖7展示此一單個晶圓處理裝置100之一實施例，其具有當晶圓係支撐於一安裝於一馬達104之軸上之固持夾盤(未圖示)上時自一導管101施配於晶圓103上的硫酸組合物102。水蒸氣105係經由導管106引入。該裝置係處於一足夠密閉之腔室107中以使得所需含量之蒸氣可保持於晶圓表面處。
在一實施例中，裝置100可以來自導管101之硫酸組合物之連續施配操作，其中導管101為固定的或相對於晶圓103為移動的。蒸氣可在施配開始之前、期間或之後經引入裝置中。
在另一實施例中，整個晶圓係經硫酸組合物濕潤且施配停止，其容許組合物在晶圓上形成相對均勻厚度之薄膜。在此實施例中，晶圓可具有如以上論述之相對停滯之液體硫酸組合物的塗層。視情況，基材之旋轉係經減緩或停止以促進基材上此液體硫酸組合物塗層之保持。蒸氣可在施配開始之前、期間或之後經引入裝置中。視情況，可重複施配以向晶圓表面提供新供給之反應物。視情況，晶圓可在施配之間快速旋轉以擺脫存在於晶圓上之大部分硫酸組合物。視情況，可藉由以一半導體工業中用以創造抗蝕劑薄層之方式移動施配導管101而以一薄層硫酸組合物塗佈晶圓。
在本發明之一實施例中，硫酸組合物以大體上其離開施配導管101之溫度到達晶圓表面。在一實施例中，在接觸晶圓之前將組合物分解為可吸收蒸氣且加熱之小液滴可為有利的。該等液滴可藉由(例如)以蒸氣組合物或以另一氣體霧化硫酸組合物，或藉由使硫酸組合物穿過一噴霧噴嘴，或藉由其他技術來創造。於晶圓上方移動此經加熱硫酸組合物霧源可為有利的。
在本發明之一實施例中，硫酸組合物可藉由將該組合物與包含水蒸氣之氣體接觸而在其離開施配導管101之前經預加熱。例如，包含水蒸氣之氣體可與硫酸組合物在一耐熱管(例如石英)中之"T"型處組合。此實施例提供獲得之硫酸組合物溫度可比硫酸組合物或蒸氣摻合時之溫度更高的優點。
應瞭解如在本文中所述之方法之多種實施例(諸如硫酸組合物傳送之變化)並非限於使用圖示之特定裝置，而是可用於適用於實施目前描述之方法之所有組態的處理機器中。
本發明之原則現將連同以下說明性實例來描述。
實驗技術
A.樣品製備晶圓樣品係經如下製備用於評估移除離子植入光阻劑之有效性：200 mm直徑之矽晶圓係以Shipley UV6 248光阻劑塗佈。
該等晶圓之一些係經圖案化且其他殘留一完全抗蝕劑層(分別為圖案化晶圓及毯覆式晶圓)。
圖案化晶圓及毯覆式晶圓兩者之樣品係經植入40 keV之能量之砷，且具有每平方公分5×101 4 或1×101 5 個原子(5E14或1E15)之劑量。
塗佈抗蝕劑之晶圓之約2×2 cm斷片係自完全圖案化晶圓及毯覆式晶圓分裂且以高溫環氧樹脂附著至接近載體晶圓中心處。五個抗蝕劑樣品通常係附著於每一載體晶圓上：毯覆式抗蝕劑(無植入)、毯覆式5E14、圖案化5E14、毯覆式1E15及圖案化1E15。
B.評估去除效率處理後，藉由亮場及暗場光學顯微鏡觀測樣品。表1展示毯覆式及圖案化抗蝕劑樣品兩者之評估標準。該等圖案化樣品由多種微影測試圖案組成。圖案化樣品上細線之陣列及毯覆式薄膜的去除作為處理之去除效率的量度。
C.腔室溫度量測藉由溫度感應器41量測在澆鑄於處理腔室之側壁上時硫酸/過氧化氫之液體組合物的溫度。此溫度係以一秒之時間間隔記錄且提供整個過程中腔室溫度之熱歷史。
D.晶圓上溫度量測藉由以在特定高溫下不可逆改變顏色之點(來自Omega Engineering,Stamford,CT之TL－10系列)附著標記至晶圓而進行最高晶圓上溫度的量測。以一藉由高溫環氧樹脂黏著之0.7 mm玻璃薄片覆蓋該等標記以防護去除化學。
E.處理方法將以上述方式製備之晶圓在以下條件下於一商業獲自FSI International,Inc.,Chaska,MN之ZETA噴霧處理工具進行處理：1.將樣品晶圓負載於27晶圓載體盒20之槽13中且以裸晶圓填充其他槽。此盒及一第二平衡盒係經負載於轉臺22上。若需要則將一第二樣品晶圓負載於槽15中。
2.轉臺22係以120 rpm旋轉且來自再循環浴50之經加熱H2 SO4 (110℃)係自中心噴霧柱36及側噴霧柱40兩者以約5 lpm之流動速率經施配於晶圓上歷時3分鐘。在施配之最後約1分鐘之過程中，將每分鐘50立方公分之H2 O2 添加至流動中。此步驟用於同時預加熱且完全濕潤晶圓。
3.轉臺係以120 rpm旋轉且每分鐘900立方公分流量之來自混合歧管90之新鮮硫酸組合物之混合物(H2 SO4 及H2 O2 －SPM)係自中心噴霧柱36施配30秒。在添加H2 O2 前藉由一線內IR加熱器將H2 SO4 預加熱至95℃。SPM組合物之摻合物比率在處理之間如表2中所列改變。
4.除在本發明之處理中，約8 lpm之95℃ DI水44係經施配於轉臺22上以產生水蒸氣之外，該過程按照以上3中持續六分鐘。
5.以DI水沖洗六分鐘後，以80℃之SC－1溶液(NH4 OH：H2 O2 ：H2 O之體積比為1：1：15)將樣品處理75秒。
6.將樣品以DI水沖洗且以N2 乾燥。
實例
實例1：在添加水蒸氣及不添加水蒸氣下(表2之方案3及4)使用SPM之10：1摻合物將以上之處理方法E實施兩次。藉由側碗腔溫度感應器41量測擺脫趨向腔室壁之液體之溫度。圖4展示兩次處理之溫度概況。在兩種情況下，在第一次三分鐘之處理中5 lpm再循環流量之H2 SO4 將側碗腔感應器加熱至約65℃。自3至9分鐘，"SPM"比較性實例之感應器溫度降低約7℃至接近58℃。相反地，在同一時期內，"SPM＋水蒸氣"本發明之實例升高60℃至125℃。腔室中水蒸氣之添加顯著增大擺脫液體之溫度。
實例2：使用表2之8個方案將以上之處理過程E實施8次。在SPM施配步驟之結尾(例如，自圖4之540秒讀數)以側碗腔溫度感應器41量測每一處理之擺脫液體的最高溫度。以溫度感應標記量測最高晶圓上溫度。圖5展示使用由一線內IR加熱器加熱至95℃之H2 SO4 之SPM的摻合時溫度(計算自圖1)、最高晶圓上溫度及每一處理之最高側碗腔溫度。摻合時SPM之溫度隨著H2 O2 濃度之增加(減少之H2 SO4 )而升高。比較性實例之最高晶圓上溫度及側碗腔溫度亦隨著H2 O2 濃度之增加而升高，但保持在遠低於SPM之摻合時溫度下。
相反地，藉由水蒸氣之本發明之處理達到比比較性處理高50至100℃之晶圓上溫度。該等本發明之溫度亦大體上高於比較性實例中之蒸氣溫度或晶圓上SPM溫度。(比較性處理表示在蒸氣暴露之前基材上之SPM溫度。)
此外，比較性處理與本發明之處理之間的溫度增加隨著H2 O2 濃度之增加而降低。圖6展示摻合時SPM溫度與最高晶圓上溫度之間的溫度差異。本發明之蒸氣方法之益處隨著H2 SO4 濃度之降低而降低。為達到最高晶圓上溫度，需要高濃度之H2 SO4 。
亦需要藉由增加H2 SO4 、H2 O2 或兩者之預摻合物溫度來增大摻合時液體的溫度。一實施例會利用來自一工作於高於95℃下之再循環貯槽之H2 SO4 。
實例3：使用表2之8個方案將以上之處理方法E實施8次。將具有圖案化及毯覆式、5E14及1E15植入抗蝕劑之樣品的載體晶圓在盒之槽13中處理。表3展示按照表1中之方針評估樣品之結果。在所有情況下，比較性處理(方案2、4、6及8)在所有評估中未能完全移除植入抗蝕劑且記分為"1"。相反地，本發明之處理(方案1、3、5及7)在所有評估中完全移除圖案化及毯覆式5E14抗蝕劑，計分為"5"。
當實施遠遠優於比較性處理時，本發明之方法之該等特定方案不能完全移除1E15植入抗蝕劑。方案1、3及5類似地實施，幾乎移除圖案化抗蝕劑。方案7對於毯覆式抗蝕劑實施稍微較佳，但對於圖案化抗蝕劑極差。為達到最大去除效能，需要高濃度之H2 SO4 。
實例4：對於1E15毯覆式晶圓樣品及圖案化晶圓樣品實施以上之處理方法E之修改形式。該方法如下：自再循環貯槽之5 lpm流量之H2 SO4 係以4段自中心噴霧柱及側噴霧柱施配：在20 rpm順時針轉臺旋轉下45秒、在300 rpm順時針下45秒、在20 rpm逆時針下45秒及在300 rpm逆時針下45秒。
1600 cc/m流量之10：1 SPM(1500之自再循環貯槽之110℃ H2 SO4 及150 cc/m之新鮮20℃ H2 O2 )係以兩段自中心噴霧柱及側噴霧柱施配：在120 rpm順時針下120秒、在120 rpm逆時針下120秒。8 lpm之95℃水係經施配於轉臺上以產生水蒸氣。
1000 cc/m流量之新鮮9：1 SPM(900之95℃ H2 SO4 及100之20℃ H2 O2 )係以兩段自中心噴霧柱施配：在120 rpm順時針下180秒、在120 rpm逆時針下180秒。8 lpm之95℃水係經施配於轉臺上以產生水蒸氣。
增加之化學品暴露時間、增加之溫度及旋轉之反向的組合導致圖案化及毯覆式1E15植入抗蝕劑之完全移除(所有得分均為"5")。
實例5：在一些情況下，不需向硫酸組合物中添加氧化劑，因為未植入之或輕微植入抗蝕劑通常可由單獨之H2 SO4 移除。作為一實例，5 lpm流量之自再循環貯槽之95℃ H2 SO4 係在120 rpm下自中心噴霧柱及側噴霧柱施配3分鐘。此處理完全移除未植入之毯覆式抗蝕劑。
除非另外指示，否則在本文中使用之所有百分比及比率為體積百分比及體積比率。敍述之所有溫度採用一大氣壓之周圍壓力。應瞭解若處理過程係在不同壓力下實施，則在該過程中涉及之各種組件之溫度可經相應調節。引用之所有公開案、專利及專利申請案係以引用的方式完全併入本文中，如同以引用的方式個別併入。意欲由本文件來描述的本發明之無數特性及優點已在前述描述中列出。然而，應瞭解雖然本發明之特定形式或實施例已經說明，但可作出包括更改形狀及零件之排列及其類似物之多種更改而不偏離本發明之精神及範疇。
10．．．分批噴霧處理器
12．．．處理碗腔/碗腔
14．．．蓋
16．．．處理腔室
18．．．類晶圓物件
20．．．載體
22．．．轉臺
24．．．軸
32．．．供給管線
34．．．供給管線
36．．．中心噴霧柱
38．．．管線
40．．．側噴霧柱
41．．．溫度探針
42．．．液體硫酸組合物
44．．．熱水
46．．．底部
49．．．再循環系統
50．．．再循環貯槽/貯槽
52．．．新鮮化學品補給
54．．．再循環排液管
56．．．氮氣層
58．．．加熱線圈
60．．．冷卻線圈
62．．．泵
64．．．過濾器
66．．．過濾器
67．．．化學品供給管線
68．．．化學品供給管線
70．．．排液管
71．．．排液歧管
72．．．廢氣
74．．．DI排液管
76、78、80、82．．．輔助設備
90．．．化學品混合歧管
91、92、93、94、98．．．管線
100．．．單個晶圓處理裝置/裝置
101．．．導管
102．．．硫酸組合物
103．．．晶圓
104．．．馬達
105．．．水蒸氣
106．．．導管
107．．．腔室
120．．．系統
122．．．三孔噴嘴
124．．．中心孔
126．．．液體流
130．．．氣體孔
134．．．氣體源
136．．．控制閥
138．．．氣體流
140．．．氣體孔
144．．．氣體源
146．．．控制閥
148．．．氣體流
圖1為展示當液體水或H2 O2 (30重量%)經添加至H2 SO4 (98重量%)中時所得溫度升高之圖。
圖2為展示當液體水經添加至H2 SO4 (98重量%)/水之摻合物中時溫度升高作為溶液中H2 SO4 (98重量%)之分率之函數的圖。
圖3A展示可用於實施本發明之方法之分批噴霧處理器的示意圖。
圖3B展示使用圖1A中展示之該處理器之操作的一代表性模式。
圖4為展示在比較性方法及本發明之方法之操作過程中，當澆鑄於處理腔室之側壁上時，硫酸/過氧化氫之液體組合物之溫度的圖。
圖5為展示在比較性方法之操作過程中及在本發明之方法中在暴露於水蒸氣中之後硫酸/過氧化氫組合物之最高量測之晶圓上溫度的圖。其亦展示在經施配之前硫酸/過氧化氫組合物在摻合時之溫度。
圖6為展示在暴露於水蒸氣之後硫酸/過氧化氫組合物之最高量測晶圓上溫度與在比較性方法及本發明之方法之操作過程中當摻合時硫酸/過氧化氫組合物之溫度之間的差別之圖。其亦展示在經施配前當摻合時硫酸/過氧化氫組合物之平均溫度。
圖7展示可用於實施本發明之方法之單個晶圓處理器的示意圖。
圖8展示使用一三孔噴嘴用於定向噴霧之系統。
10．．．分批噴霧處理器
12．．．處理碗腔/碗腔
14．．．蓋
16．．．處理腔室
18．．．類晶圓物件
20．．．載體
22．．．轉臺
24．．．軸
32．．．供給管線
34．．．供給管線
36．．．中心噴霧柱
38．．．管線
40．．．側噴霧柱
41．．．溫度探針
42．．．液體硫酸組合物
49．．．再循環系統
50．．．再循環貯槽/貯槽
52．．．新鮮化學品補給
54．．．再循環排液管
56．．．氮氣層
58．．．加熱線圈
60．．．冷卻線圈
62．．．泵
64．．．過濾器
66．．．過濾器
67．．．化學品供給管線
68．．．化學品供給管線
70．．．排液管
71．．．排液歧管
72．．．廢氣
74．．．DI排液管
76、78、80、82．．．輔助設備
90．．．化學品混合歧管
91、92、93、94、98．．．管線

Claims (22)

  1. 一種自一基材移除物質之方法，其包含：a)將一於其一表面上具有物質之基材置放於一處理腔室中；b)將包含硫酸及/或其乾燥物質及前驅物之液體硫酸組合物以可有效大體上均勻塗佈該基材表面之量施配於該基材表面上；及c)將該液體硫酸組合物暴露於水蒸氣中，該水蒸氣之量可有效增加該液體硫酸組合物之溫度至高於在暴露於該水蒸氣中之前該液體硫酸組合物之溫度；其中在暴露於水蒸氣中時之該液體硫酸組合物具有不高於約5：1之水/硫酸莫耳比。
  2. 如請求項1之方法，其中該液體硫酸組合物係暴露於如下量之水蒸氣中，該量可有效增加該基材表面上之該液體硫酸組合物的溫度至高於(i)在暴露於該水蒸氣中之前該基材上液體硫酸組合物之溫度及(ii)該水蒸氣之溫度兩者。
  3. 如請求項1之方法，其中在暴露於水蒸氣中時該液體硫酸組合物具有不高於約2：1之水/硫酸莫耳比。
  4. 如請求項1之方法，其中在暴露於水蒸氣中時該液體硫酸組合物具有不高於約1：2之水/硫酸莫耳比。
  5. 如請求項1之方法，其中在施配該液體硫酸組合物期間或之後將一氧化劑引入至該處理腔室中。
  6. 如請求項5之方法，其中該氧化劑為過氧化氫。
  7. 如請求項5之方法，其中該氧化劑為臭氧。
  8. 如請求項1之方法，其中該基材表面在將該液體硫酸組合物施配於其上之前經含有界面活性劑之組合物處理。
  9. 如請求項1之方法，其中在施配該液體硫酸組合物之前、期間或之後，但在將該液體硫酸組合物暴露於水蒸氣中之前，該基材經加熱至至少約90℃之溫度。
  10. 如請求項1之方法，其中該水蒸氣係以約80℃至約110℃之溫度提供。
  11. 如請求項1之方法，其中該水蒸氣係以約100℃之溫度提供。
  12. 如請求項1之方法，其中該水蒸氣係以高於在暴露於該水蒸氣中之前該液體硫酸組合物之溫度的溫度提供。
  13. 如請求項1之方法，其中該液體硫酸組合物在暴露於該水蒸氣中之前係以至少約130℃之溫度施配。
  14. 如請求項1之方法，其中該液體硫酸組合物在暴露於該水蒸氣中之前係以約130℃至約200℃之溫度施配。
  15. 如請求項1之方法，其中該物質為光阻劑。
  16. 如請求項1之方法，其中該液體硫酸組合物之該施配係在該液體硫酸組合物暴露於該水蒸氣中之前停止。
  17. 如請求項1之方法，其中該液體硫酸組合物係以複數個離散脈衝之形式施配於該基材表面上。
  18. 如請求項1之方法，其中該基材在該液體硫酸組合物之施配過程中及/或之後，及在該液體硫酸組合物暴露於該水蒸氣中之過程中未移動或係以小於約20 rpm之速率旋轉。
  19. 如請求項1之方法，其中該基材在該液體硫酸組合物施配於該基材之該表面上之過程中旋轉，且該液體硫酸組合物係藉由以偏離該基材之旋轉中心之法線的角度噴霧該液體來施配。
  20. 如請求項1之方法，其中該基材在該液體硫酸組合物施配於該基材之該表面上之過程中旋轉，且該液體硫酸組合物係藉由以一掃描運動相對於該基材之該旋轉中心以改變之角度噴霧該液體來施配。
  21. 如請求項1之方法，其中該噴霧角度在該液體硫酸組合物之單次施配期間改變。
  22. 如請求項1之方法，其中當在一處理循環中實施複數個液體施配時，該噴霧角度自該液體硫酸組合物之一次施配至下一次施配改變。
TW095143445A 2005-11-23 2006-11-23 自基材移除物質的方法 TWI406110B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US73972705P 2005-11-23 2005-11-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200731029A TW200731029A (en) 2007-08-16
TWI406110B true TWI406110B (zh) 2013-08-21

Family

ID=37951429

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW095143445A TWI406110B (zh) 2005-11-23 2006-11-23 自基材移除物質的方法

Country Status (6)

Country Link
US (3) US7592264B2 (zh)
JP (4) JP4728402B2 (zh)
KR (2) KR20090130197A (zh)
CN (2) CN101312794B (zh)
TW (1) TWI406110B (zh)
WO (1) WO2007062111A1 (zh)

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4672487B2 (ja) * 2005-08-26 2011-04-20 大日本スクリーン製造株式会社 レジスト除去方法およびレジスト除去装置
KR20090130197A (ko) * 2005-11-23 2009-12-18 에프 에스 아이 인터내셔날,인코포레이티드 기판으로부터의 물질 제거 공정
US7727900B2 (en) * 2006-02-21 2010-06-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Surface preparation for gate oxide formation that avoids chemical oxide formation
EP1950326A1 (en) * 2007-01-29 2008-07-30 Interuniversitair Microelektronica Centrum Method for removal of bulk metal contamination from III-V semiconductor substrates
JP5173500B2 (ja) * 2008-03-11 2013-04-03 大日本スクリーン製造株式会社 処理液供給装置およびそれを備えた基板処理装置
US8142571B2 (en) * 2008-05-15 2012-03-27 Fsi International, Inc. Process for treatment of semiconductor wafer using water vapor containing environment
JP5330793B2 (ja) * 2008-10-21 2013-10-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
KR101421752B1 (ko) * 2008-10-21 2014-07-22 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20100124410A1 (en) * 2008-11-18 2010-05-20 Fsi International, Inc. System for supplying water vapor in semiconductor wafer treatment
KR101294462B1 (ko) * 2008-12-30 2013-08-07 에이펫(주) 기판처리장치
US8216384B2 (en) * 2009-01-15 2012-07-10 Intermolecular, Inc. Combinatorial approach to the development of cleaning formulations for wet removal of high dose implant photoresist
US8053301B2 (en) * 2009-03-30 2011-11-08 International Business Machines Corporation CMOS SiGe channel pFET and Si channel nFET devices with minimal STI recess
JP5745913B2 (ja) * 2010-07-12 2015-07-08 富士フイルム株式会社 放射線画像検出装置
US8709165B2 (en) * 2010-12-03 2014-04-29 Lam Research Ag Method and apparatus for surface treatment using inorganic acid and ozone
CN110189995A (zh) 2010-12-10 2019-08-30 东京毅力科创Fsi公司 用于从衬底选择性地移除氮化物的方法
JP5280473B2 (ja) * 2011-03-03 2013-09-04 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体
JP2013004614A (ja) * 2011-06-14 2013-01-07 Toshiba Corp 塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置
WO2013003013A1 (en) * 2011-06-30 2013-01-03 Fsi International, Inc. Acid treatment strategies useful to fabricate microelectronic devices and precursors thereof
CN102923936B (zh) * 2011-08-11 2014-12-10 富泰华工业（深圳）有限公司 蚀刻装置
JP5837787B2 (ja) * 2011-09-28 2015-12-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
TWI444234B (zh) * 2011-10-07 2014-07-11 Univ Chang Gung Dye adsorption system
US8664014B2 (en) 2011-11-17 2014-03-04 Intermolecular, Inc. High productivity combinatorial workflow for photoresist strip applications
US8940103B2 (en) 2012-03-06 2015-01-27 Tokyo Electron Limited Sequential stage mixing for single substrate strip processing
US9075318B2 (en) 2012-03-07 2015-07-07 Tokyo Electron Limited Sequential stage mixing for a resist batch strip process
JP5832397B2 (ja) * 2012-06-22 2015-12-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
US9875916B2 (en) 2012-07-09 2018-01-23 Tokyo Electron Limited Method of stripping photoresist on a single substrate system
JP6168271B2 (ja) * 2012-08-08 2017-07-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
CN102799083A (zh) * 2012-08-29 2012-11-28 上海宏力半导体制造有限公司 光刻胶去除系统以及光刻设备
US10249509B2 (en) 2012-11-09 2019-04-02 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning method and system using atmospheric pressure atomic oxygen
US9513556B2 (en) * 2012-11-19 2016-12-06 Tokyo Electron Limited Method and system of process chemical temperature control using an injection nozzle
TWI526257B (zh) 2012-11-27 2016-03-21 東京威力科創股份有限公司 使用噴嘴清洗基板上之一層的控制
US9017568B2 (en) 2013-01-22 2015-04-28 Tel Fsi, Inc. Process for increasing the hydrophilicity of silicon surfaces following HF treatment
US8871108B2 (en) 2013-01-22 2014-10-28 Tel Fsi, Inc. Process for removing carbon material from substrates
JP6148475B2 (ja) * 2013-01-25 2017-06-14 株式会社東芝 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
CN103286091B (zh) * 2013-06-09 2017-09-19 京东方科技集团股份有限公司 一种基板的清洗方法
JP6204213B2 (ja) * 2014-01-28 2017-09-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
TWI629720B (zh) 2015-09-30 2018-07-11 Tokyo Electron Limited 用於濕蝕刻製程之溫度的動態控制之方法及設備
US9768017B1 (en) 2016-03-15 2017-09-19 United Microelectronics Corporation Method of epitaxial structure formation in a semiconductor
WO2018062053A1 (ja) 2016-09-30 2018-04-05 東京応化工業株式会社 洗浄組成物、洗浄方法、及び半導体の製造方法
KR102369424B1 (ko) * 2017-04-25 2022-03-02 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 세정 방법, 세정 장치, 기억 매체, 및 세정 조성물
CN109936924A (zh) * 2019-03-06 2019-06-25 信丰福昌发电子有限公司 一种hdi线路板蚀刻设备
CN110137111A (zh) * 2019-05-23 2019-08-16 德淮半导体有限公司 气体分配装置及其使用方法
CN111112237B (zh) * 2020-01-10 2025-04-15 广东利元亨智能装备股份有限公司 激光清洗设备
JP7713834B2 (ja) * 2020-10-09 2025-07-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP7504018B2 (ja) 2020-12-22 2024-06-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、及び基板処理装置
KR102444967B1 (ko) 2021-04-29 2022-09-16 에스케이씨솔믹스 주식회사 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크
KR102465982B1 (ko) * 2021-07-13 2022-11-09 에스케이씨솔믹스 주식회사 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크
KR102503790B1 (ko) * 2021-10-07 2023-02-23 에스케이엔펄스 주식회사 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크
CN116672104B (zh) * 2023-08-04 2023-12-26 山东第一医科大学附属省立医院(山东省立医院) 一种手足外科用手术器械清洗消毒装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4778536A (en) * 1985-06-13 1988-10-18 Purusar Corporation Sulfur trioxide vapor phase stripping
JPH07335606A (ja) * 1994-06-03 1995-12-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板表面処理方法及び装置
US20030102019A1 (en) * 2000-07-07 2003-06-05 Semitool, Inc. Centrifugal spray processor and retrofit kit
US20050205115A1 (en) * 2004-03-16 2005-09-22 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Resist stripping method and resist stripping apparatus

Family Cites Families (124)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US703216A (en) * 1902-03-10 1902-06-24 James W Rickey Water-wheel-penstock construction.
US5845846A (en) 1969-12-17 1998-12-08 Fujisaki Electric Co., Ltd. Spraying nozzle and method for ejecting liquid as fine particles
SU865975A1 (ru) * 1980-01-30 1981-09-23 Уральский научно-исследовательский институт трубной промышленности Способ травлени стальных изделий
JPS60177466A (ja) * 1984-02-22 1985-09-11 Sharp Corp フロツピ−・デイスク・ドライブ制御方式
US4727512A (en) * 1984-12-06 1988-02-23 Computer Design & Applications, Inc. Interface adaptor emulating magnetic tape drive
US5872669A (en) * 1988-03-01 1999-02-16 Seagate Technology, Inc. Disk drive apparatus with power conservation capability
US5438674A (en) * 1988-04-05 1995-08-01 Data/Ware Development, Inc. Optical disk system emulating magnetic tape units
US5235695A (en) * 1989-06-28 1993-08-10 International Business Machines Corporation Apparatus for efficient utilization of removable data recording media
JPH0338628A (ja) * 1989-07-05 1991-02-19 Fuji Photo Film Co Ltd カメラ及び写真プリント方法
JP3122819B2 (ja) * 1990-04-11 2001-01-09 ノードソン株式会社 ノズル孔より流出する液体又は溶融体をその周辺よりの気体噴出流により偏向分配する方法
US5037506A (en) * 1990-09-06 1991-08-06 Subhash Gupta Method of stripping layers of organic materials
US5274799A (en) * 1991-01-04 1993-12-28 Array Technology Corporation Storage device array architecture with copyback cache
US5297124A (en) * 1992-04-24 1994-03-22 Miltope Corporation Tape drive emulation system for a disk drive
JPH05304126A (ja) * 1992-04-28 1993-11-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板表面からの有機物の気相除去方法並びに装置
JPH05304089A (ja) * 1992-04-28 1993-11-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板表面からのレジストの除去方法並びに装置
US5485321A (en) * 1993-12-29 1996-01-16 Storage Technology Corporation Format and method for recording optimization
US5864346A (en) * 1994-09-12 1999-01-26 Nintendo Co., Ltd. Picture display unit and image display system
US5774292A (en) * 1995-04-13 1998-06-30 International Business Machines Corporation Disk drive power management system and method
KR0146076B1 (ko) * 1995-06-28 1998-08-01 문정환 반도체 소자의 기판 전압 레규레이터 장치
JP3690619B2 (ja) * 1996-01-12 2005-08-31 忠弘 大見 洗浄方法及び洗浄装置
US5785875A (en) * 1996-02-13 1998-07-28 Micron Technology, Inc. Photoresist removal process using heated solvent vapor
US5774715A (en) * 1996-03-27 1998-06-30 Sun Microsystems, Inc. File system level compression using holes
US5998305A (en) 1996-03-29 1999-12-07 Praxair Technology, Inc. Removal of carbon from substrate surfaces
US6408359B1 (en) * 1996-04-30 2002-06-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Storage device management system and method for distributively storing data in a plurality of storage devices
WO1997050019A1 (en) * 1996-06-25 1997-12-31 Cfm Technologies, Inc. Improved method for sulfuric acid resist stripping
US6021408A (en) * 1996-09-12 2000-02-01 Veritas Software Corp. Methods for operating a log device
US5861064A (en) * 1997-03-17 1999-01-19 Fsi Int Inc Process for enhanced photoresist removal in conjunction with various methods and chemistries
US20020157686A1 (en) 1997-05-09 2002-10-31 Semitool, Inc. Process and apparatus for treating a workpiece such as a semiconductor wafer
US6869487B1 (en) * 1997-05-09 2005-03-22 Semitool, Inc. Process and apparatus for treating a workpiece such as a semiconductor wafer
US6098148A (en) * 1997-05-29 2000-08-01 International Business Machines Corporation Storage and access of data using volume trailer
US6041329A (en) * 1997-05-29 2000-03-21 International Business Machines Corporation Automated message processing system configured to automatically manage introduction of removable data storage media into media library
US6578120B1 (en) * 1997-06-24 2003-06-10 International Business Machines Corporation Synchronization and resynchronization of loosely-coupled copy operations between a primary and a remote secondary DASD volume under concurrent updating
US6389503B1 (en) * 1997-08-04 2002-05-14 Exabyte Corporation Tape drive emulation by removable disk drive and media formatted therefor
US6173359B1 (en) * 1997-08-27 2001-01-09 International Business Machines Corp. Storage and access to scratch mounts in VTS system
US5971368A (en) 1997-10-29 1999-10-26 Fsi International, Inc. System to increase the quantity of dissolved gas in a liquid and to maintain the increased quantity of dissolved gas in the liquid until utilized
US6044442A (en) * 1997-11-21 2000-03-28 International Business Machines Corporation External partitioning of an automated data storage library into multiple virtual libraries for access by a plurality of hosts
US6105037A (en) * 1997-12-12 2000-08-15 International Business Machines Corporation Apparatus for performing automated reconcile control in a virtual tape system
US6023709A (en) * 1997-12-15 2000-02-08 International Business Machines Corporation Automated file error classification and correction in a hierarchical storage management system
US6061309A (en) * 1997-12-17 2000-05-09 International Business Machines Corporation Method and apparatus for maintaining states of an operator panel and convenience input/output station of a dual library manager/dual accessor controller system in the event of a failure to one controller
US6029179A (en) * 1997-12-18 2000-02-22 International Business Machines Corporation Automated read-only volume processing in a virtual tape server
US6725331B1 (en) * 1998-01-07 2004-04-20 Emc Corporation Method and apparatus for managing the dynamic assignment resources in a data storage system
US6231775B1 (en) * 1998-01-28 2001-05-15 Anon, Inc. Process for ashing organic materials from substrates
US6146469A (en) 1998-02-25 2000-11-14 Gamma Precision Technology Apparatus and method for cleaning semiconductor wafers
US6234641B1 (en) * 1998-02-27 2001-05-22 Kenneth R. Ungard Electroluminescent lamp kit
AU3360399A (en) * 1998-03-30 1999-10-18 Leisa B. Davenhall Composition and method for removing photoresist materials from electronic components
US6070224A (en) * 1998-04-02 2000-05-30 Emc Corporation Virtual tape system
US6260110B1 (en) * 1998-04-02 2001-07-10 Emc Corporation Virtual tape system with variable size
CN1126609C (zh) * 1998-04-16 2003-11-05 塞米特公司 用于处理半导体晶片工件的工艺和设备
US6269423B1 (en) * 1998-05-13 2001-07-31 International Business Machines Corporation Method and apparatus for providing improved caching for a virtual tape server
US6067587A (en) * 1998-06-17 2000-05-23 Sutmyn Storage Corporation Method for serializing and synchronizing data packets by utilizing a physical lock system and a control data structure for mutual exclusion lock
US20020095557A1 (en) * 1998-06-22 2002-07-18 Colin Constable Virtual data storage (VDS) system
JP3618552B2 (ja) * 1998-06-30 2005-02-09 富士通株式会社 記憶装置
US6353837B1 (en) * 1998-06-30 2002-03-05 Emc Corporation Method and apparatus providing mass storage access from systems using different meta-data formats
US6049848A (en) * 1998-07-15 2000-04-11 Sutmyn Storage Corporation System and method for performing high-speed tape positioning operations
US6195730B1 (en) * 1998-07-24 2001-02-27 Storage Technology Corporation Computer system with storage device mapping input/output processor
US6269431B1 (en) * 1998-08-13 2001-07-31 Emc Corporation Virtual storage and block level direct access of secondary storage for recovery of backup data
JP3507710B2 (ja) * 1998-09-11 2004-03-15 株式会社東芝 電気機器における電源回路
US6266784B1 (en) * 1998-09-15 2001-07-24 International Business Machines Corporation Direct storage of recovery plan file on remote server for disaster recovery and storage management thereof
US6235641B1 (en) * 1998-10-30 2001-05-22 Fsi International Inc. Method and system to control the concentration of dissolved gas in a liquid
US6247096B1 (en) * 1998-11-02 2001-06-12 International Business Machines Corporation Handling eject requests of logical volumes in a data storage subsystem
US6354922B1 (en) 1999-08-20 2002-03-12 Ebara Corporation Polishing apparatus
US6336173B1 (en) * 1999-04-01 2002-01-01 International Business Machines Corporation Storing and tracking multiple copies of data in data storage libraries
US6274506B1 (en) * 1999-05-14 2001-08-14 Fsi International, Inc. Apparatus and method for dispensing processing fluid toward a substrate surface
US6406551B1 (en) * 1999-05-14 2002-06-18 Fsi International, Inc. Method for treating a substrate with heat sensitive agents
US6360232B1 (en) * 1999-06-02 2002-03-19 International Business Machines Corporation Disaster recovery method for a removable media library
US6267301B1 (en) 1999-06-11 2001-07-31 Spraying Systems Co. Air atomizing nozzle assembly with improved air cap
JP3544329B2 (ja) * 1999-12-14 2004-07-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US6336163B1 (en) * 1999-07-30 2002-01-01 International Business Machines Corporation Method and article of manufacture for inserting volumes for import into a virtual tape server
US6610168B1 (en) 1999-08-12 2003-08-26 Sipec Corporation Resist film removal apparatus and resist film removal method
US6689284B1 (en) * 1999-09-29 2004-02-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Surface treating method
JP2001118820A (ja) * 1999-10-20 2001-04-27 Seiko Epson Corp 洗浄装置及び洗浄方法
US7203732B2 (en) * 1999-11-11 2007-04-10 Miralink Corporation Flexible remote data mirroring
US7364625B2 (en) * 2000-05-30 2008-04-29 Fsi International, Inc. Rinsing processes and equipment
CA2381189A1 (en) * 2000-06-02 2001-12-13 Inrange Technologies Corporation Message queue server system
US6766520B1 (en) * 2000-06-08 2004-07-20 Unisys Corporation Tape drive emulation software objects, and emulation of other peripheral systems for computers
JP3344994B2 (ja) * 2000-08-22 2002-11-18 株式会社半導体先端テクノロジーズ レジスト剥離装置、及びレジスト剥離方法
JP2002074811A (ja) * 2000-08-30 2002-03-15 Nec Corp 電源供給制御システム及び電源供給制御方法
US6694447B1 (en) * 2000-09-29 2004-02-17 Sun Microsystems, Inc. Apparatus and method for increasing application availability during a disaster fail-back
US6451118B1 (en) 2000-11-14 2002-09-17 Anon, Inc. Cluster tool architecture for sulfur trioxide processing
US6557089B1 (en) * 2000-11-28 2003-04-29 International Business Machines Corporation Backup by ID-suppressed instant virtual copy then physical backup copy with ID reintroduced
US20020083265A1 (en) * 2000-12-26 2002-06-27 Brough Farrell Lynn Methods for increasing cache capacity
JP4034519B2 (ja) * 2001-02-06 2008-01-16 株式会社東芝 ウェハ洗浄装置及びウェハ洗浄方法
US6584989B2 (en) * 2001-04-17 2003-07-01 International Business Machines Corporation Apparatus and method for wet cleaning
US6867148B2 (en) * 2001-05-16 2005-03-15 Micron Technology, Inc. Removal of organic material in integrated circuit fabrication using ozonated organic acid solutions
US6598805B2 (en) * 2001-05-30 2003-07-29 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd Substrate cleaning apparatus
US6915397B2 (en) * 2001-06-01 2005-07-05 Hewlett-Packard Development Company, L.P. System and method for generating point in time storage copy
US6745212B2 (en) * 2001-06-27 2004-06-01 International Business Machines Corporation Preferential caching of uncopied logical volumes in an IBM peer-to-peer virtual tape server
JP2003017455A (ja) * 2001-07-04 2003-01-17 Seiko Epson Corp 基材処理方法、基材処理装置及び電子デバイスの製造方法
US6625704B2 (en) * 2001-08-08 2003-09-23 Sangate Systems, Inc. Data backup method and system using snapshot and virtual tape
US6877016B1 (en) * 2001-09-13 2005-04-05 Unisys Corporation Method of capturing a physically consistent mirrored snapshot of an online database
US20030120676A1 (en) * 2001-12-21 2003-06-26 Sanrise Group, Inc. Methods and apparatus for pass-through data block movement with virtual storage appliances
US7139885B2 (en) * 2001-12-27 2006-11-21 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for managing storage based replication
US20030135672A1 (en) * 2002-01-14 2003-07-17 Imation Corp. System having tape drive emulator and data cartridge carrying a non-tape storage medium
US20030190870A1 (en) * 2002-04-03 2003-10-09 Applied Materials, Inc. Cleaning ceramic surfaces
JP4038556B2 (ja) * 2002-04-16 2008-01-30 リアライズ・アドバンストテクノロジ株式会社 レジスト膜除去装置及びレジスト膜除去方法、並びに有機物除去装置及び有機物除去方法
US20040015731A1 (en) * 2002-07-16 2004-01-22 International Business Machines Corporation Intelligent data management fo hard disk drive
US20040098244A1 (en) * 2002-11-14 2004-05-20 Imation Corp. Method and system for emulating tape storage format using a non-tape storage medium
US6908565B2 (en) * 2002-12-24 2005-06-21 Intel Corporation Etch thinning techniques for wafer-to-wafer vertical stacks
CN1321755C (zh) * 2003-01-21 2007-06-20 友达光电股份有限公司 清洗硅表面的方法以及用此方法制造薄膜晶体管的方法
US7055009B2 (en) * 2003-03-21 2006-05-30 International Business Machines Corporation Method, system, and program for establishing and maintaining a point-in-time copy
US20050010529A1 (en) * 2003-07-08 2005-01-13 Zalewski Stephen H. Method and apparatus for building a complete data protection scheme
US7953819B2 (en) * 2003-08-22 2011-05-31 Emc Corporation Multi-protocol sharable virtual storage objects
US7287133B2 (en) * 2004-08-24 2007-10-23 Symantec Operating Corporation Systems and methods for providing a modification history for a location within a data store
US7904428B2 (en) * 2003-09-23 2011-03-08 Symantec Corporation Methods and apparatus for recording write requests directed to a data store
US7827362B2 (en) * 2004-08-24 2010-11-02 Symantec Corporation Systems, apparatus, and methods for processing I/O requests
US7577806B2 (en) * 2003-09-23 2009-08-18 Symantec Operating Corporation Systems and methods for time dependent data storage and recovery
US7577807B2 (en) * 2003-09-23 2009-08-18 Symantec Operating Corporation Methods and devices for restoring a portion of a data store
US7631120B2 (en) * 2004-08-24 2009-12-08 Symantec Operating Corporation Methods and apparatus for optimally selecting a storage buffer for the storage of data
US7730222B2 (en) * 2004-08-24 2010-06-01 Symantec Operating System Processing storage-related I/O requests using binary tree data structures
US7409587B2 (en) * 2004-08-24 2008-08-05 Symantec Operating Corporation Recovering from storage transaction failures using checkpoints
US7725760B2 (en) * 2003-09-23 2010-05-25 Symantec Operating Corporation Data storage system
US7239581B2 (en) * 2004-08-24 2007-07-03 Symantec Operating Corporation Systems and methods for synchronizing the internal clocks of a plurality of processor modules
US7991748B2 (en) * 2003-09-23 2011-08-02 Symantec Corporation Virtual data store creation and use
US7296008B2 (en) * 2004-08-24 2007-11-13 Symantec Operating Corporation Generation and use of a time map for accessing a prior image of a storage device
JP4453323B2 (ja) * 2003-10-02 2010-04-21 株式会社日立製作所 複製データの管理方法、装置、及びプログラム
JP4191009B2 (ja) * 2003-11-05 2008-12-03 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
KR20050068063A (ko) 2003-12-29 2005-07-05 삼성전자주식회사 회전가능한 건조가스 노즐들을 갖는 린스/건조 장비 및이를 사용하여 반도체 웨이퍼들을 린스/건조시키는 방법
US7139887B2 (en) * 2003-12-31 2006-11-21 Veritas Operating Corporation Coordinated storage management operations in replication environment
JP2005243814A (ja) * 2004-02-25 2005-09-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US7422031B2 (en) 2004-03-12 2008-09-09 Fsi International, Inc. Rotary unions, fluid delivery systems, and related methods
US7761284B2 (en) * 2004-08-30 2010-07-20 Overland Storage, Inc. Tape emulating disk based storage system and method with automatically resized emulated tape capacity
KR20090130197A (ko) * 2005-11-23 2009-12-18 에프 에스 아이 인터내셔날,인코포레이티드 기판으로부터의 물질 제거 공정
US20070227556A1 (en) 2006-04-04 2007-10-04 Bergman Eric J Methods for removing photoresist
CN101681827A (zh) * 2007-05-18 2010-03-24 Fsi国际公司 用水蒸气或蒸汽处理基材的方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4778536A (en) * 1985-06-13 1988-10-18 Purusar Corporation Sulfur trioxide vapor phase stripping
JPH07335606A (ja) * 1994-06-03 1995-12-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板表面処理方法及び装置
US20030102019A1 (en) * 2000-07-07 2003-06-05 Semitool, Inc. Centrifugal spray processor and retrofit kit
US20050205115A1 (en) * 2004-03-16 2005-09-22 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Resist stripping method and resist stripping apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080071988A (ko) 2008-08-05
CN101900956A (zh) 2010-12-01
JP4728402B2 (ja) 2011-07-20
TW200731029A (en) 2007-08-16
KR20090130197A (ko) 2009-12-18
US7592264B2 (en) 2009-09-22
JP4965673B2 (ja) 2012-07-04
JP2012069994A (ja) 2012-04-05
CN101312794B (zh) 2012-07-04
JP2010157749A (ja) 2010-07-15
US20070161248A1 (en) 2007-07-12
US20100018951A1 (en) 2010-01-28
CN101312794A (zh) 2008-11-26
WO2007062111A1 (en) 2007-05-31
US8394228B2 (en) 2013-03-12
JP2010147493A (ja) 2010-07-01
US8859435B2 (en) 2014-10-14
US20130115782A1 (en) 2013-05-09
JP2009517865A (ja) 2009-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI406110B (zh) 自基材移除物質的方法
CN102623328B (zh) 用水蒸气或蒸汽处理基材的方法
KR102156457B1 (ko) 기판으로부터 탄소 재료를 제거하기 위한 프로세스
US9059104B2 (en) Process for selectively removing nitride from substrates
JPH05152203A (ja) 基板処理方法および処理装置
JP2549006B2 (ja) 基板の表面処理方法
CN101808754B (zh) 防止过早干燥的装置、系统和方法
WO2000007220A2 (en) Wet processing methods for the manufacture of electronic components using ozonated process fluids
JP2004104090A (ja) 表面付着汚染物質の除去方法及び除去装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees