JP2001118820A - 洗浄装置及び洗浄方法 - Google Patents
洗浄装置及び洗浄方法Info
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Landscapes
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 洗浄液の排水の際の処理が簡単であり、しか
も洗浄処理の際に、熱容量が大きい液体を洗浄液として
用いても大きな電力を必要とせずに所定の温度に昇温さ
せること。 【解決手段】 硫酸が内槽1からオーバーフローしたと
き、硫酸を第1外槽2aで受ける。この第1外槽2aに
溜められた硫酸及び使用済の内槽1の硫酸は、配管5を
通して第2外槽2bに供給される。第2外槽2bには、
DIW供給ライン10でDIWを供給する。第2外槽2
bにおいては、硫酸にDIWが供給されることにより、
硫酸とDIWが反応して反応熱を発生する。このため、
発生した反応熱により第2外槽2b内に収容された内槽
1が加熱される。
も洗浄処理の際に、熱容量が大きい液体を洗浄液として
用いても大きな電力を必要とせずに所定の温度に昇温さ
せること。 【解決手段】 硫酸が内槽1からオーバーフローしたと
き、硫酸を第1外槽2aで受ける。この第1外槽2aに
溜められた硫酸及び使用済の内槽1の硫酸は、配管5を
通して第2外槽2bに供給される。第2外槽2bには、
DIW供給ライン10でDIWを供給する。第2外槽2
bにおいては、硫酸にDIWが供給されることにより、
硫酸とDIWが反応して反応熱を発生する。このため、
発生した反応熱により第2外槽2b内に収容された内槽
1が加熱される。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造プロセ
スにおいて使用される洗浄装置及び洗浄方法に関する。
スにおいて使用される洗浄装置及び洗浄方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体製造プロセスにおいては、被処理
体である半導体ウエハ(以下、ウエハと省略する)に対
して、種々のプロセスの間に洗浄処理が行われる。この
洗浄処理においては、まず、複数枚のウエハを収納した
ウエハカセットが搬送ロボットにより搬送される。この
ウエハカセットは、搬入部であるローダーを介して洗浄
槽に送られて洗浄処理された後に、リンス槽に送られて
洗浄液が洗い流される。その後、このウエハは、乾燥部
に送られて、遠心力やIPA(イソプロピアルアルコー
ル)ベーパーを使用して乾燥処理される。乾燥処理され
たウエハカセットは、アンローダーを介して次工程に送
られる。
体である半導体ウエハ(以下、ウエハと省略する)に対
して、種々のプロセスの間に洗浄処理が行われる。この
洗浄処理においては、まず、複数枚のウエハを収納した
ウエハカセットが搬送ロボットにより搬送される。この
ウエハカセットは、搬入部であるローダーを介して洗浄
槽に送られて洗浄処理された後に、リンス槽に送られて
洗浄液が洗い流される。その後、このウエハは、乾燥部
に送られて、遠心力やIPA(イソプロピアルアルコー
ル)ベーパーを使用して乾燥処理される。乾燥処理され
たウエハカセットは、アンローダーを介して次工程に送
られる。
【0003】次に、上記洗浄処理について図2を用いて
説明する。図2は、従来の洗浄装置の構成を示す図であ
る。ここでは、洗浄液が硫酸(H2SO4)である場合に
ついて説明する。
説明する。図2は、従来の洗浄装置の構成を示す図であ
る。ここでは、洗浄液が硫酸(H2SO4)である場合に
ついて説明する。
【0004】図2において、参照符号101は、硫酸を
収容する洗浄槽である内槽を示す。内槽101の外側に
は、内槽101に収容された硫酸がオーバーフローした
場合にその硫酸を受ける外槽102が配置されている。
内槽101内には、硫酸を所定温度に加熱するヒータ1
03が投入されている。外槽102内には、外槽102
にオーバーフローした硫酸の液面を検知する液面レベル
センサ104が設置されている。
収容する洗浄槽である内槽を示す。内槽101の外側に
は、内槽101に収容された硫酸がオーバーフローした
場合にその硫酸を受ける外槽102が配置されている。
内槽101内には、硫酸を所定温度に加熱するヒータ1
03が投入されている。外槽102内には、外槽102
にオーバーフローした硫酸の液面を検知する液面レベル
センサ104が設置されている。
【0005】内槽101及び外槽102の底部には、外
槽102にオーバーフローした硫酸を排出し、かつ、内
槽101に新規の硫酸を供給する配管105が取り付け
られている。この配管105には、新規の硫酸を供給す
る薬液供給ライン106及び排出した硫酸を外部に排液
するドレインライン109が接続されている。この配管
105及び薬液供給ライン106には、硫酸の通流を開
始・停止するバルブ108a〜108eが設けられてい
る。また、配管105には、新規の硫酸を内槽101に
圧送するポンプ107が取り付けられている。
槽102にオーバーフローした硫酸を排出し、かつ、内
槽101に新規の硫酸を供給する配管105が取り付け
られている。この配管105には、新規の硫酸を供給す
る薬液供給ライン106及び排出した硫酸を外部に排液
するドレインライン109が接続されている。この配管
105及び薬液供給ライン106には、硫酸の通流を開
始・停止するバルブ108a〜108eが設けられてい
る。また、配管105には、新規の硫酸を内槽101に
圧送するポンプ107が取り付けられている。
【0006】上記構成を有する洗浄装置においてウエハ
に対して洗浄処理を行う場合、まず、配管105のバル
ブ108a,108cを閉じた状態で、薬液供給ライン
106のバルブ108e及び配管のバルブ108b,1
08dを開き、ポンプ107により薬液供給ライン10
6を介して洗浄液である硫酸を圧送し、硫酸を内槽10
1に供給する。内槽101からオーバーフローした硫酸
が液面レベルセンサ104により検知し所定量に達した
ら、バルブ108eを閉じる。供給された硫酸は配管1
05を介し常時循環する。
に対して洗浄処理を行う場合、まず、配管105のバル
ブ108a,108cを閉じた状態で、薬液供給ライン
106のバルブ108e及び配管のバルブ108b,1
08dを開き、ポンプ107により薬液供給ライン10
6を介して洗浄液である硫酸を圧送し、硫酸を内槽10
1に供給する。内槽101からオーバーフローした硫酸
が液面レベルセンサ104により検知し所定量に達した
ら、バルブ108eを閉じる。供給された硫酸は配管1
05を介し常時循環する。
【0007】次いで、内槽101に貯留された硫酸をヒ
ータ103により所定温度に加熱する。この状態でウエ
ハを内槽101に浸漬して、ウエハに対して洗浄処理を
行う。この場合、ヒータ103への供給電流を制御する
ことにより、硫酸の温度を調整する。
ータ103により所定温度に加熱する。この状態でウエ
ハを内槽101に浸漬して、ウエハに対して洗浄処理を
行う。この場合、ヒータ103への供給電流を制御する
ことにより、硫酸の温度を調整する。
【0008】内槽101への硫酸の供給は、オーバーフ
ローレベル、即ち液面センサ104で検知される外槽1
02内の液面が下限値となったときに行う。この液面レ
ベルセンサ104は、レベル検知部に対応する部分に穴
が形成された細長いパイプ形状を有している。そして、
このパイプ内には一定圧力で常時ガス(例えば窒素ガ
ス)が流されており、ガスが液内に放出されている。レ
ベル検知は、このガス圧の変化をモニタし、圧力と穴位
置との関係を用いて行う。
ローレベル、即ち液面センサ104で検知される外槽1
02内の液面が下限値となったときに行う。この液面レ
ベルセンサ104は、レベル検知部に対応する部分に穴
が形成された細長いパイプ形状を有している。そして、
このパイプ内には一定圧力で常時ガス(例えば窒素ガ
ス)が流されており、ガスが液内に放出されている。レ
ベル検知は、このガス圧の変化をモニタし、圧力と穴位
置との関係を用いて行う。
【0009】そして、あらかじめ決められた硫酸の寿命
となった時(所定量洗浄処理し、液寿命となり、洗浄能
力が低下した時)、配管105のバルブ108b及び薬
液供給ライン106のバルブ108eを閉じた状態で、
配管105のバルブ108a,108c,108dを開
き、ポンプ107により内槽101及び外槽102から
の硫酸を圧送し、ドレインライン109に送る。このと
き、ドレインライン109には市水が流されており、ド
レインライン109に送られてくる硫酸は、その市水に
よって希釈され、排出される。
となった時(所定量洗浄処理し、液寿命となり、洗浄能
力が低下した時)、配管105のバルブ108b及び薬
液供給ライン106のバルブ108eを閉じた状態で、
配管105のバルブ108a,108c,108dを開
き、ポンプ107により内槽101及び外槽102から
の硫酸を圧送し、ドレインライン109に送る。このと
き、ドレインライン109には市水が流されており、ド
レインライン109に送られてくる硫酸は、その市水に
よって希釈され、排出される。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記構成の
洗浄装置では、新規の硫酸が供給された場合、硫酸の熱
容量が大きいので、内槽101における硫酸の温度を所
定温度にするまでに非常に大きな電力が必要となる。
洗浄装置では、新規の硫酸が供給された場合、硫酸の熱
容量が大きいので、内槽101における硫酸の温度を所
定温度にするまでに非常に大きな電力が必要となる。
【0011】また、使用済みの硫酸は、冷却して回収処
理を行うか、前述したように希釈して排水する。回収処
理を行う場合には、回収処理のために工場内にユーティ
リティースペースを設ける必要がある。また、希釈して
排水する場合には、硫酸を希釈する際に発生する反応熱
に起因する液温上昇のために、ドレインインターバルを
設ける必要があり、ドレインに長時間を要する。つま
り、使用済みの硫酸をドレインライン109に流す際の
流量が所定量以下に制限されるので、使用済み硫酸を排
出するのに長時間を要する。
理を行うか、前述したように希釈して排水する。回収処
理を行う場合には、回収処理のために工場内にユーティ
リティースペースを設ける必要がある。また、希釈して
排水する場合には、硫酸を希釈する際に発生する反応熱
に起因する液温上昇のために、ドレインインターバルを
設ける必要があり、ドレインに長時間を要する。つま
り、使用済みの硫酸をドレインライン109に流す際の
流量が所定量以下に制限されるので、使用済み硫酸を排
出するのに長時間を要する。
【0012】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、洗浄液の排水の際の処理が簡単であり、しかも洗
浄処理の際に、熱容量が大きい液体を洗浄液として用い
ても大きな電力を必要とせずに所定の温度に昇温させる
ことができる洗浄装置及び洗浄方法を提供することを目
的とする。
あり、洗浄液の排水の際の処理が簡単であり、しかも洗
浄処理の際に、熱容量が大きい液体を洗浄液として用い
ても大きな電力を必要とせずに所定の温度に昇温させる
ことができる洗浄装置及び洗浄方法を提供することを目
的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は以下の手段を講じた。
に、本発明は以下の手段を講じた。
【0014】本発明は、第1の洗浄液で被処理体を洗浄
する洗浄装置であって、第1の洗浄液を収容する洗浄槽
と、第1の洗浄液を所定温度に加熱する加熱手段と、前
記洗浄槽に第1の洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
前記洗浄槽の外側に配置されており、第2の洗浄液を収
容すると共に、第2の洗浄液の反応熱により前記洗浄槽
を加熱する加熱槽と、第2の洗浄液と反応することによ
り前記洗浄槽を加熱するための反応熱を生じさせる液体
を供給する液体供給手段と、を具備し、前記反応熱によ
る前記洗浄槽の加熱により、前記加熱手段による第1の
洗浄液の加熱を補助することを特徴とする洗浄装置を提
供する。
する洗浄装置であって、第1の洗浄液を収容する洗浄槽
と、第1の洗浄液を所定温度に加熱する加熱手段と、前
記洗浄槽に第1の洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
前記洗浄槽の外側に配置されており、第2の洗浄液を収
容すると共に、第2の洗浄液の反応熱により前記洗浄槽
を加熱する加熱槽と、第2の洗浄液と反応することによ
り前記洗浄槽を加熱するための反応熱を生じさせる液体
を供給する液体供給手段と、を具備し、前記反応熱によ
る前記洗浄槽の加熱により、前記加熱手段による第1の
洗浄液の加熱を補助することを特徴とする洗浄装置を提
供する。
【0015】また、本発明は、第1の洗浄液で被処理体
を洗浄する洗浄方法であって、洗浄槽に収容した第1の
洗浄液を所定温度に加熱する工程と、第2の洗浄液を収
容する加熱槽に、第2の洗浄液と反応することにより前
記洗浄槽を加熱するための反応熱を生じさせる液体を供
給する工程と、前記反応熱による前記洗浄槽の加熱によ
り、第1の洗浄液の加熱を補助した状態で、第1の洗浄
液中に被処理体を浸漬して前記被処理体を洗浄する工程
と、を具備することを特徴とする洗浄方法を提供する。
を洗浄する洗浄方法であって、洗浄槽に収容した第1の
洗浄液を所定温度に加熱する工程と、第2の洗浄液を収
容する加熱槽に、第2の洗浄液と反応することにより前
記洗浄槽を加熱するための反応熱を生じさせる液体を供
給する工程と、前記反応熱による前記洗浄槽の加熱によ
り、第1の洗浄液の加熱を補助した状態で、第1の洗浄
液中に被処理体を浸漬して前記被処理体を洗浄する工程
と、を具備することを特徴とする洗浄方法を提供する。
【0016】これらの装置及び方法によれば、反応熱に
よる洗浄槽の加熱により、洗浄液の加熱を補助するの
で、洗浄槽の加熱に非常に大きな電力を要することがな
くなる。また、あらかじめ加熱槽で洗浄液を反応させ、
反応を終了させてから、排出するため、排水の際に処理
が簡易となる。例えば、水で希釈して排水しても反応熱
の影響を受けない。
よる洗浄槽の加熱により、洗浄液の加熱を補助するの
で、洗浄槽の加熱に非常に大きな電力を要することがな
くなる。また、あらかじめ加熱槽で洗浄液を反応させ、
反応を終了させてから、排出するため、排水の際に処理
が簡易となる。例えば、水で希釈して排水しても反応熱
の影響を受けない。
【0017】本発明の洗浄装置及び洗浄方法において
は、前記第1及び第2の洗浄液それぞれが硫酸であり、
前記液体が水であるあることが好ましい。
は、前記第1及び第2の洗浄液それぞれが硫酸であり、
前記液体が水であるあることが好ましい。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、添付図面を参照して詳細に説明する。
て、添付図面を参照して詳細に説明する。
【0019】図1は、本発明の一実施の形態に係る洗浄
装置の構成を示す図である。ここでは、熱容量が大きい
洗浄液が硫酸(H2SO4)であり、硫酸に対して反応熱
を発生させる液体として純水(DIW)を用いた場合に
ついて説明する。
装置の構成を示す図である。ここでは、熱容量が大きい
洗浄液が硫酸(H2SO4)であり、硫酸に対して反応熱
を発生させる液体として純水(DIW)を用いた場合に
ついて説明する。
【0020】図1において、参照符号1は、硫酸を収容
する洗浄槽である内槽を示す。内槽1の外側には、内槽
1に収容された硫酸がオーバーフローした場合にその硫
酸を受ける外槽が配置されている。この外槽は、内槽1
の上部側壁に設けられた第1外槽2aと、内槽1全体を
収容する第2外槽2bとから構成されている。主に、第
1外槽2aは内槽1からオーバーフローした硫酸を受け
る役目を果たし、第2外槽2bは内槽1を硫酸の反応熱
により加熱する加熱槽としての役割を果たす。
する洗浄槽である内槽を示す。内槽1の外側には、内槽
1に収容された硫酸がオーバーフローした場合にその硫
酸を受ける外槽が配置されている。この外槽は、内槽1
の上部側壁に設けられた第1外槽2aと、内槽1全体を
収容する第2外槽2bとから構成されている。主に、第
1外槽2aは内槽1からオーバーフローした硫酸を受け
る役目を果たし、第2外槽2bは内槽1を硫酸の反応熱
により加熱する加熱槽としての役割を果たす。
【0021】内槽1内には、硫酸を所定温度に加熱する
ヒータ3が投入されている。内槽1及び第2外槽2b内
には、硫酸の液面を検知する液面レベルセンサ4a,4
bが設置されている。
ヒータ3が投入されている。内槽1及び第2外槽2b内
には、硫酸の液面を検知する液面レベルセンサ4a,4
bが設置されている。
【0022】内槽1、第1外槽2a及び第2外槽2bの
底部には、第1外槽2aにオーバーフローした硫酸を循
環又は排出し、かつ、内槽1に新規の硫酸を供給し、第
2外槽2bに使用済の硫酸を供給する配管5が取り付け
られている。この配管5には、新規の硫酸を供給する薬
液供給ライン6及び排出した硫酸を外部に排液するドレ
インライン13が接続されている。この配管5及び薬液
供給ライン6には、硫酸の通流を開始・停止するバルブ
8a〜8gが設けられている。また、配管5には、新規
の硫酸を内槽1に圧送し、使用済の硫酸を第2外槽2b
に圧送するポンプ7が取り付けられている。
底部には、第1外槽2aにオーバーフローした硫酸を循
環又は排出し、かつ、内槽1に新規の硫酸を供給し、第
2外槽2bに使用済の硫酸を供給する配管5が取り付け
られている。この配管5には、新規の硫酸を供給する薬
液供給ライン6及び排出した硫酸を外部に排液するドレ
インライン13が接続されている。この配管5及び薬液
供給ライン6には、硫酸の通流を開始・停止するバルブ
8a〜8gが設けられている。また、配管5には、新規
の硫酸を内槽1に圧送し、使用済の硫酸を第2外槽2b
に圧送するポンプ7が取り付けられている。
【0023】第2外槽2bには、硫酸と反応することに
より内槽1を加熱ために十分な反応熱を生じる液体(こ
こでは純水(DIW))を供給するDIWライン10が
接続されている。このDIWライン10には、DIWを
第2外槽2bに圧送するためのポンプ9が取り付けられ
ている。また、第2外槽2bには、第2外槽2b内の硫
酸の温度を検出する温度センサ11が取り付けられてい
る。この温度センサ11は制御部12に電気的に接続さ
れており、この制御部12はポンプ9と電気的に接続さ
れている。したがって、温度センサ11で検出された温
度によりポンプ9の動作を制御することによりDIWの
供給・停止を調節して、第2外槽2b内の硫酸の温度を
調整している。
より内槽1を加熱ために十分な反応熱を生じる液体(こ
こでは純水(DIW))を供給するDIWライン10が
接続されている。このDIWライン10には、DIWを
第2外槽2bに圧送するためのポンプ9が取り付けられ
ている。また、第2外槽2bには、第2外槽2b内の硫
酸の温度を検出する温度センサ11が取り付けられてい
る。この温度センサ11は制御部12に電気的に接続さ
れており、この制御部12はポンプ9と電気的に接続さ
れている。したがって、温度センサ11で検出された温
度によりポンプ9の動作を制御することによりDIWの
供給・停止を調節して、第2外槽2b内の硫酸の温度を
調整している。
【0024】上記構成を有する洗浄装置においてウエハ
に対して洗浄処理を行う場合、まず、配管5のバルブ8
a,8c,8f,8g,8hを閉じた状態で、薬液供給
ライン6のバルブ8e及び配管のバルブ8b,8dを開
き、ポンプ7により薬液供給ライン6を介して洗浄液で
ある硫酸を圧送し、硫酸を内槽1に供給する。内槽1に
所定量の硫酸が貯留したところで洗浄液がオーバーフロ
ーし、第1外層のレベルセンサ4aがあらかじめ決めた
所定量を検知する。そこで、バルブ8eのみ閉じて、内
槽1と第1外槽2aとの間で洗浄液を循環置換する。
に対して洗浄処理を行う場合、まず、配管5のバルブ8
a,8c,8f,8g,8hを閉じた状態で、薬液供給
ライン6のバルブ8e及び配管のバルブ8b,8dを開
き、ポンプ7により薬液供給ライン6を介して洗浄液で
ある硫酸を圧送し、硫酸を内槽1に供給する。内槽1に
所定量の硫酸が貯留したところで洗浄液がオーバーフロ
ーし、第1外層のレベルセンサ4aがあらかじめ決めた
所定量を検知する。そこで、バルブ8eのみ閉じて、内
槽1と第1外槽2aとの間で洗浄液を循環置換する。
【0025】次いで、内槽1に貯留された硫酸をヒータ
3により所定温度に加熱する。この状態でウエハを内槽
1に浸漬して、ウエハに対して洗浄処理を行う。この場
合、ヒータ3への供給電流を制御することにより、硫酸
の温度を調整する。
3により所定温度に加熱する。この状態でウエハを内槽
1に浸漬して、ウエハに対して洗浄処理を行う。この場
合、ヒータ3への供給電流を制御することにより、硫酸
の温度を調整する。
【0026】内槽1においてあらかじめ決めた洗浄液の
寿命(洗浄能力が低下した状態)に達した場合、配管5
を通して第2外槽2bに供給される。すなわち、薬液供
給ライン6のバルブ8e及び配管のバルブ8b,8c,
8g,8hを閉じた状態で、配管5のバルブ8a,8
d,8fを開き、内槽1及び第1外槽2aに貯留した硫
酸を第2外槽2bに供給する。
寿命(洗浄能力が低下した状態)に達した場合、配管5
を通して第2外槽2bに供給される。すなわち、薬液供
給ライン6のバルブ8e及び配管のバルブ8b,8c,
8g,8hを閉じた状態で、配管5のバルブ8a,8
d,8fを開き、内槽1及び第1外槽2aに貯留した硫
酸を第2外槽2bに供給する。
【0027】内槽1及び第2外槽2b内の硫酸の液面
は、液面レベルセンサ4a,4bにより検知される。こ
の液面レベルセンサ4a,4bは、レベル検知部に対応
する部分に穴が形成された細長いパイプ形状を有してい
る。そして、このパイプ内には一定圧力で常時ガス(例
えば窒素ガス)が流されており、ガスが液内に放出され
ている。レベル検知は、このガス圧の変化をモニタし、
圧力と穴位置との関係を用いて行う。
は、液面レベルセンサ4a,4bにより検知される。こ
の液面レベルセンサ4a,4bは、レベル検知部に対応
する部分に穴が形成された細長いパイプ形状を有してい
る。そして、このパイプ内には一定圧力で常時ガス(例
えば窒素ガス)が流されており、ガスが液内に放出され
ている。レベル検知は、このガス圧の変化をモニタし、
圧力と穴位置との関係を用いて行う。
【0028】また、第2外槽2bには、DIW供給ライ
ン10でDIW(純水)を供給する。第2外槽2bにお
いては、硫酸にDIWが供給されることにより、硫酸と
DIWが反応して反応熱を発生する。このため、発生し
た反応熱により第2外槽2b内に収容された内槽1が加
熱される。内槽1には、定期的に新規の硫酸が供給され
る。この新規の硫酸は温度調節されていないので、内槽
1に供給した後で所定の温度に昇温させる必要がある。
本実施の形態によれば、第2外槽2b内の硫酸の反応熱
により内槽1を加熱することができるので、内槽1内の
ヒータ3の加熱を補助することができる。したがって、
新規の硫酸を内槽1に補充しても、大きな電力を必要と
せずに、硫酸を所定の温度に迅速に加熱することができ
る。その結果、硫酸更新時間を短縮させることができ
る。
ン10でDIW(純水)を供給する。第2外槽2bにお
いては、硫酸にDIWが供給されることにより、硫酸と
DIWが反応して反応熱を発生する。このため、発生し
た反応熱により第2外槽2b内に収容された内槽1が加
熱される。内槽1には、定期的に新規の硫酸が供給され
る。この新規の硫酸は温度調節されていないので、内槽
1に供給した後で所定の温度に昇温させる必要がある。
本実施の形態によれば、第2外槽2b内の硫酸の反応熱
により内槽1を加熱することができるので、内槽1内の
ヒータ3の加熱を補助することができる。したがって、
新規の硫酸を内槽1に補充しても、大きな電力を必要と
せずに、硫酸を所定の温度に迅速に加熱することができ
る。その結果、硫酸更新時間を短縮させることができ
る。
【0029】また、第2外槽2bの硫酸の液面が所定の
レベルまで達したときに、配管5のバルブ8a,8b,
8c,8d及び薬液供給ライン6のバルブ8eを閉じた
状態で、配管5のバルブ8f,8gを開き、第2外槽2
bからの硫酸を排出し、ドレインライン9に送る。
レベルまで達したときに、配管5のバルブ8a,8b,
8c,8d及び薬液供給ライン6のバルブ8eを閉じた
状態で、配管5のバルブ8f,8gを開き、第2外槽2
bからの硫酸を排出し、ドレインライン9に送る。
【0030】本実施の形態によれば、第2外槽2bにD
IWを供給して硫酸とDIWを反応させているので、排
水のための処理(希釈など)が不要となり、使用済の硫
酸をドレインに簡単に、例えばドレインインターバルを
設けることなく、排水することができる。
IWを供給して硫酸とDIWを反応させているので、排
水のための処理(希釈など)が不要となり、使用済の硫
酸をドレインに簡単に、例えばドレインインターバルを
設けることなく、排水することができる。
【0031】第2外槽2b内の硫酸の温度は、温度セン
サ11によりモニタされる。そして、温度センサ11が
所定の温度を超えたことを検知した場合に、その旨を示
す制御信号を制御部12に送信する。制御部12は、こ
の制御信号に基づいてポンプ9の動作を制御する。すな
わち、これ以上第2外槽2b内の硫酸の温度が上昇しな
いように、DIWの供給を停止するようにポンプの動作
を制御する。このような制御を行うことにより、第2外
槽2bによる内槽1の過剰な温度上昇を防ぐことができ
る。
サ11によりモニタされる。そして、温度センサ11が
所定の温度を超えたことを検知した場合に、その旨を示
す制御信号を制御部12に送信する。制御部12は、こ
の制御信号に基づいてポンプ9の動作を制御する。すな
わち、これ以上第2外槽2b内の硫酸の温度が上昇しな
いように、DIWの供給を停止するようにポンプの動作
を制御する。このような制御を行うことにより、第2外
槽2bによる内槽1の過剰な温度上昇を防ぐことができ
る。
【0032】本発明の洗浄装置及び洗浄方法は、ベアシ
リコン、シリコン酸化膜の洗浄、レジスト剥離、金属化
成処理などの配線前工程において適用することができ
る。
リコン、シリコン酸化膜の洗浄、レジスト剥離、金属化
成処理などの配線前工程において適用することができ
る。
【0033】本発明は上記実施の形態に限定されず、種
々変更して実施することが可能である。例えば、上記実
施の形態では、熱容量が大きい液体として硫酸を用い、
反応熱を発生させる液体として純水を用いた場合につい
て説明しているが、本発明は、熱容量が大きい液体や反
応熱を発生させる液体として他の液体を用いた場合にも
適用することができる。
々変更して実施することが可能である。例えば、上記実
施の形態では、熱容量が大きい液体として硫酸を用い、
反応熱を発生させる液体として純水を用いた場合につい
て説明しているが、本発明は、熱容量が大きい液体や反
応熱を発生させる液体として他の液体を用いた場合にも
適用することができる。
【0034】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、反
応熱による洗浄槽の加熱により、洗浄液の加熱を補助す
るので、洗浄槽の加熱に非常に大きな電力を要すること
がなくなる。また、あらかじめ加熱槽で洗浄液を反応さ
せているので、排水の際に処理が簡易となる。
応熱による洗浄槽の加熱により、洗浄液の加熱を補助す
るので、洗浄槽の加熱に非常に大きな電力を要すること
がなくなる。また、あらかじめ加熱槽で洗浄液を反応さ
せているので、排水の際に処理が簡易となる。
【図1】本発明の一実施の形態に係る洗浄装置の構成を
示す図である。
示す図である。
【図2】従来の洗浄装置の構成を示す図である。
1…内槽 2a…第1外槽 2b…第2外槽 3…ヒータ 4a,4b…液面レベルセンサ 5…配管 6…薬液供給ライン 7,9…ポンプ 8a〜8g…バルブ 10…DIW供給ライン 11…温度センサ 12…制御部
Claims (4)
- 【請求項1】 第1の洗浄液で被処理体を洗浄する洗浄
装置であって、 第1の洗浄液を収容する洗浄槽と、 第1の洗浄液を所定温度に加熱する加熱手段と、 前記洗浄槽に第1の洗浄液を供給する洗浄液供給手段
と、 前記洗浄槽の外側に配置されており、第2の洗浄液を収
容すると共に、第2の洗浄液の反応熱により前記洗浄槽
を加熱する加熱槽と、 第2の洗浄液と反応することにより前記洗浄槽を加熱す
るための反応熱を生じさせる液体を供給する液体供給手
段と、を具備し、 前記反応熱による前記洗浄槽の加熱により、前記加熱手
段による第1の洗浄液の加熱を補助することを特徴とす
る洗浄装置。 - 【請求項2】 前記第1及び第2の洗浄液それぞれが硫
酸であり、前記液体が水であることを特徴とする請求項
1記載の洗浄装置。 - 【請求項3】 第1の洗浄液で被処理体を洗浄する洗浄
方法であって、 洗浄槽に収容した第1の洗浄液を所定温度に加熱する工
程と、 第2の洗浄液を収容する加熱槽に、第2の洗浄液と反応
することにより前記洗浄槽を加熱するための反応熱を生
じさせる液体を供給する工程と、 前記反応熱による前記洗浄槽の加熱により、第1の洗浄
液の加熱を補助した状態で、第1の洗浄液中に被処理体
を浸漬して前記被処理体を洗浄する工程と、を具備する
ことを特徴とする洗浄方法。 - 【請求項4】 前記第1及び第2の洗浄液それぞれが硫
酸であり、前記液体が水であることを特徴とする請求項
3記載の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29854499A JP2001118820A (ja) | 1999-10-20 | 1999-10-20 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29854499A JP2001118820A (ja) | 1999-10-20 | 1999-10-20 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001118820A true JP2001118820A (ja) | 2001-04-27 |
Family
ID=17861111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29854499A Withdrawn JP2001118820A (ja) | 1999-10-20 | 1999-10-20 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001118820A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009517865A (ja) * | 2005-11-23 | 2009-04-30 | エフエスアイ インターナショナル インコーポレーテッド | 支持体から物質を除去する方法 |
| US8871108B2 (en) | 2013-01-22 | 2014-10-28 | Tel Fsi, Inc. | Process for removing carbon material from substrates |
| US12402271B2 (en) | 2012-12-14 | 2025-08-26 | Midas Green Technologies, Llc | Appliance immersion cooling system |
-
1999
- 1999-10-20 JP JP29854499A patent/JP2001118820A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009517865A (ja) * | 2005-11-23 | 2009-04-30 | エフエスアイ インターナショナル インコーポレーテッド | 支持体から物質を除去する方法 |
| US8859435B2 (en) | 2005-11-23 | 2014-10-14 | Tel Fsi, Inc. | Process for removing material from substrates |
| US12402271B2 (en) | 2012-12-14 | 2025-08-26 | Midas Green Technologies, Llc | Appliance immersion cooling system |
| US8871108B2 (en) | 2013-01-22 | 2014-10-28 | Tel Fsi, Inc. | Process for removing carbon material from substrates |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051027 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051206 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20060125 |