TWI400521B - 修補結構以及主動元件陣列基板 - Google Patents

Description

修補結構以及主動元件陣列基板

本發明是有關於一種修補結構，且特別是有關於一種能達到良好修補效果的修補結構、以及具有此修補結構的主動元件陣列基板。

在製造液晶顯示器的主動元件陣列基板的過程之中，難免會產生一些瑕疵(defects)。若直接丟棄這些具有瑕疵的主動元件陣列基板，則會使得製造成本大幅增加。一般而言，這些瑕疵可藉由陣列測試(array test)檢測出，並可經由雷射熔接(laser welding)或雷射切割(laser cutting)等修補技術來進行修復。

圖1A為中華民國專利公告號第583767號的修補結構的示意圖。請參照圖1A，在此修補結構100中，資料線110對應於掃描線120上方的區域具有多個分岔的分支配線110a、110b。當掃描配線與信號配線之間發生短路的情況時，可藉由將部份分支配線切除的方式進行修補。當掃描線120與資料線110之間發生短路，可透過將部份分支配線110b切除的方式進行修補。然而，上述方式無法修復掃描線120產生斷線的情形。

圖1B為中華民國專利公告號第I282625號的修補結構的示意圖。請參照圖1B，修補結構150包括：導電圖案151、152以及透明電極153，其中，導電圖案151、152分別連接到線段140A、140B。如圖1B所示，當掃描線(由線段140A、140B及140C所構成)與資料線130之間發生短路時，可切斷線段140C與線段140A、140B的連接，並利用雷射熔接的方式使透明電極153在連接點154、155處與導電圖案151、152電性相連，也就是說，利用透明電極153來電性連接線段140A及140B，而避開短路的線段140C。然而，上述的修補方式有以下的問題：首先，若資料線在交錯處產生斷線，則無法修復。接著，透明電極153的材質為銦錫氧化物，其電阻率較高，因此當信號通過透明電極153後會產生信號失真的情形。此外，透明電極153的硬度較低且厚度較薄，所以較不能承受雷射光的照射，修補效果差。

有鑑於此，本發明提供一種修補結構，可有效地修補掃描線與資料線在交錯位置的電性失效處。

本發明還提供一種主動元件陣列基板，具有上述的修補結構，可提昇主動元件陣列基板的製作良率。

基於上述，本發明提出一種修補結構，用以修補掃描線或資料線上的電性失效處，其中掃描線與資料線彼此交錯且彼此電性絕緣，且修補結構圍繞掃描線與資料線的交錯處。修補結構包括：第一修補線及第二修補線。第一修補線垂直於掃描線，且第一修補線與掃描線為同一膜層。第二修補線垂直於資料線，且第二修補線與資料線為同一膜層。當修補資料線上的電性失效處時，使第一修補線與掃描線彼此電性絕緣，且使第一修補線與資料線進行跳層連接而構成第一導電路徑。當修補掃描線上的電性失效處時，使第二修補線與資料線彼此電性絕緣，且使第二修補線與掃描線進行跳層連接而構成第二導電路徑。

本發明另提出一種主動元件陣列基板，包括：掃描線、資料線、修補結構及主動元件。掃描線與資料線彼此交錯且彼此電性絕緣。修補結構用以修補掃描線或資料線上的電性失效處，且修補結構圍繞掃描線與資料線的交錯處。修補結構包括：第一修補線及第二修補線。第一修補線垂直於掃描線，且第一修補線與掃描線為同一膜層。第二修補線垂直於資料線，第二修補線與資料線為同一膜層。當修補資料線上的電性失效處時，使第一修補線與掃描線彼此電性絕緣，且使第一修補線與資料線進行跳層連接而構成第一導電路徑。當修補掃描線上的電性失效處時，使第二修補線與資料線彼此電性絕緣，且使第二修補線與掃描線進行跳層連接而構成第二導電路徑。主動元件電性連接到對應的掃描線與資料線。

在本發明的一實施例中，上述的第一導電路徑與資料線平行、且位於資料線的右方側，第二導電路徑與掃描線平行、且位於掃描線的下方側。

在本發明的一實施例中，上述的第一導電路徑與資料線平行、且位於資料線的右方側，第二導電路徑與掃描線平行、且位於掃描線的上方側。

在本發明的一實施例中，上述的第一導電路徑與資料線平行、且位於資料線的左方側，第二導電路徑與掃描線平行、且位於掃描線的下方側。

在本發明的一實施例中，上述的第一導電路徑與資料線平行、且位於資料線的左方側，第二導電路徑與掃描線平行、且位於掃描線的上方側。

在本發明的一實施例中，上述的第一導電路徑更包括：兩個第一導電圖案，從資料線延伸而出。並且，這些第一導電圖案分別設置在第一修補線的兩端，且電性連接到第一修補線。

在本發明的一實施例中，上述的第二導電路徑更包括：兩個第二導電圖案，從掃描線延伸而出。並且，這些第二導電圖案分別設置在第二修補線的兩端，且電性連接到第二修補線。

在本發明的一實施例中，上述的修補結構更包括：第三修補線及第四修補線。第三修補線垂直於掃描線，且第三修補線與掃描線為同一膜層。第四修補線垂直於資料線，第四修補線與資料線為同一膜層。當修補資料線上的電性失效處時，使第三修補線與掃描線彼此電性絕緣，且使第三修補線與資料線進行跳層連接而構成第三導電路徑。當修補掃描線上的電性失效處時，使第四修補線與資料線彼此電性絕緣，且使第四修補線與掃描線進行跳層連接而構成第四導電路徑。

在本發明的一實施例中，上述的第三導電路徑更包括：兩個第三導電圖案，從資料線延伸而出。並且，這些第三導電圖案分別設置在第三修補線的兩端，且電性連接到第三修補線。

在本發明的一實施例中，上述的第四導電路徑更包括：兩個第四導電圖案，從掃描線延伸而出。並且，這些第四導電圖案分別設置在第四修補線的兩端，且電性連接到第四修補線。

本發明的修補結構，在製作掃描線的同一道製程同時形成至少一條用於修補資料線的修補線，並且，在製作資料線的同一道製程另外形成至少一條用於修補掃描線的修補線。當掃描線與資料線在交錯處呈現電性失效時，可使掃描線與資料線與對應的修補線進行跳層連接。上述的修補結構可修補掃描線與資料線，且即使電性失效處位於掃描線與資料線的交錯位置，也可進行有效的修補。另外，對應的修補線與掃描線、資料線的材質相同，有利於雷射溶接的進行，能達到良好的修補效果。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

為能夠更清楚地理解本案的技術內容，在下述的實施例中，採用『上、下、左、右』等用語來描述導電路徑在基板上的相對位置。然而，『上、下、左、右』等用語並非用以限定本發明，所屬技術領域具有通常知識者在理解本發明的精神後，所做出的適當修改仍屬於本發明的範圍。

圖2為本發明較佳實施例的主動元件陣列基板200的俯視示意圖。請參照圖2，主動元件陣列基板200包括：基板210、多條掃描線220、多條資料線230、多個修補結構240與主動元件TFT(如薄膜電晶體)。掃描線220、資料線230、修補結構240皆配置於基板210上，掃描線220與資料線230彼此交錯且彼此電性絕緣。主動元件TFT電性連接到對應的掃描線220與資料線230。主動元件陣列基板200還可包括畫素電極PE，此畫素電極PE受到主動元件TFT的控制、且電性連接到對應的掃描線220與資料線230。

如圖2的區域A所示，修補結構240用以修補掃描線220或資料線230上的電性失效處(如短路或斷線)，且修補結構240圍繞掃描線220與資料線230的交錯處。值得注意的是，在此主動元件陣列基板200中所採用的修補結構240可包括：第一修補線241、第二修補線242、第三修補線243、第四修補線244、第一導體圖案241a、241b、第二導體圖案242a、242b、第三導體圖案243a、243b，以及第四導體圖案244a、244b。

更詳細而言，第一修補線241垂直於掃描線220，且第一修補線241與掃描線220為同一膜層；第二修補線242垂直於資料線230，且第二修補線242與資料線230為同一膜層；第三修補線243垂直於掃描線220，且第三修補線243與掃描線220為同一膜層；第四修補線244垂直於資料線230，且第四修補線244與資料線230為同一膜層。

再者，兩個第一導電圖案241a、241b從資料線230延伸而出，這兩個第一導電圖案241a、241b分別設置在第一修補線241的兩端，用以在進行修補時電性連接到第一修補線241，特別是，第一導電圖案241a、241b分別與第一修補線241的兩端重疊；兩個第二導電圖案242a、242b從掃描線220延伸而出，這兩個第二導電圖案242a、242b分別設置在第二修補線242的兩端，用以在進行修補時電性連接到第二修補線242，特別是，第二導電圖案242a、242b分別與第二修補線242的兩端重疊；兩個第三導電圖案243a、243b從資料線230延伸而出，這兩個第三導電圖案243a、243b分別設置在第三修補線243的兩端，用以在進行修補時電性連接到第三修補線243，特別是，第三導電圖案243a、243b分別與第三修補線243的兩端重疊；兩個第四導電圖案244a、244b從掃描線220延伸而出，這兩個第四導電圖案244a、244b分別設置在第四修補線244的兩端，用以在進行修補時電性連接到第四修補線244，特別是，第四導電圖案244a、244b會分別與第四修補線244的兩端重疊。

在掃描線220與資料線230於交錯處呈現電性失效(例如短路或斷線)時，可透過上述修補結構240修補，以使掃描線220及資料線230的信號可以正常傳送。

圖3為圖2的修補結構進行修補後俯視示意圖。請參照圖3，當掃描線220與資料線230於交錯處330呈現電性失效時，會將交錯處330(以下稱為電性失效處330)與掃描線220及資料線230切割開來，以使電性失效處330與掃描線220及資料線230為電性絕緣，其中掃描線220及資料線230可利用雷射切割進行線路的切割。換言之，可在切割處321~324執行雷射切割，以使電性失效處330與掃描線220及資料線230電性絕緣。

接著，在切割處325及327執行雷射切割，以使第一修補線241及第三修補線243與掃描線220為電性絕緣。在切割處326及328執行雷射切割，以使第二修補線242及第四修補線244與資料線230為電性絕緣。此時，第一修補線241、第二修補線242、第三修補線243及第四修補線244為獨立的線路，而與掃描線220及資料線230電性絕緣。

特別是，熔接點311~318可透過雷射熔接的方式進行熔接，亦即，在熔接完成後，第一修補線241的兩端會分別跳層連接第一導電圖案241a及241b；第二修補線242的兩端會分別跳層連接第二導電圖案242a及242b；第三修補線243的兩端會分別跳層連接第三導電圖案243a及243b；第四修補線244的兩端會分別跳層連接第四導電圖案244a及244b。

請繼續參照圖3，以資料線230而言，第一修補線241、第一導電圖案241a及241b構成第一導電路徑341；第三修補線243、第三導電圖案243a及243b構成第三導電路徑343。因此，資料線230上的信號可透過第一導電路徑341或第三導電路徑343傳送，而不受電性失效處330的影響。

以掃描線220而言，第二修補線242、第二導電圖案242a及242b會構成第二導電路徑342；第四修補線244、第四導電圖案244a及244b構成第四導電路徑344。因此，掃描線220上的信號可透過第二導電路徑342或第四導電路徑344傳送，而不受電性失效處330的影響。承上述，在透過修補結構240進行修補後，掃描線220與資料線230的信號仍可正常傳送。

此外，可由主動元件陣列基板200的正面或背面照射雷射光，以在熔接點311~318進行雷射熔接。以下，採用熔接點313為例來說明，並省略其他熔接點311、312、314～318的敘述。圖4A為圖3的熔接點313沿著A-A’線的剖面示意圖，其中雷射光L從主動元件陣列基板200的正面照射。請參照圖4A，在第二修補線242與第二導電圖案242a之間具有一層絕緣層410。可從主動元件陣列基板200的正面照射雷射光L，亦即，對著第二修補線242照射雷射光L，藉由雷射光L熔化部份的第二修補線242並使絕緣層410形成穿孔H。第二修補線242熔化的部份則透過穿孔H而與第二導電圖案242a熔接。結果是，第二修補線242會向下凹陷，且電性連接到第二導電圖案242a。

圖4B為圖3的熔接點313沿著A-A’線的剖面示意圖，其中雷射光L從主動元件陣列基板200的背面照射。請參照圖4B，亦可對著第二導電圖案242a照射雷射光L，藉由雷射光L熔化部份的第二導電圖案242a並使絕緣層410形成穿孔H。第二導電圖案242a熔化的部份則透過穿孔H與第二修補線242熔接。結果是，第二導電圖案242a向上凹陷，且電性連接到第二修補線242。

特別是，由於第二導電圖案242a與第二修補線242的材質均為金屬，所以在進行雷射溶接時，承受雷射光L的承受能力相同、而能夠達到良好的修補效果。

另外，上述的修補結構240可包含第一～第四導電路徑341～344，亦即，修補結構240可分別對應掃描線220與資料線230而各自形成兩條導電路徑(總共為四條導電路徑)。然而，由於成本或線路設計的考量，可僅對掃描線220與資料線230各形成一條導電路徑，同樣可於掃描線220與資料線230的交錯處呈現電性失效時進行修補。以下將繼續說明四種修補結構500～800的實施方式，並以第一導電路徑與第二導電路徑為例進行說明，相同的元件標示以相同的符號，並省略相關的內容。

圖5為本發明較佳實施例的另一種修補結構500的俯視示意圖。請參照圖5，修補結構500包括：第一修補線241、第二修補線242、第一導電圖案241a、241b以及第二導電圖案242a、242b，配置方式可參照圖3的相關說明。

在掃描線220與資料線230於交錯處330呈現電性失效時，則對切割處321~326進行雷射切割，且對熔接點311、313、314、316進行雷射熔接，以此形成第一導電路徑341及第二導電路徑342。藉此，資料線230可透過第一導電路徑341傳送信號，而掃描線220可透過第二導電路徑342傳送信號，而避開電性失效處330。特別是，第一導電路徑341與資料線230平行、且位於資料線230的右方側，第二導電路徑342與掃描線220平行、且位於掃描線220的下方側。

隨著第一導電路徑341與第二導電路徑342的設置位置不同，而又有以下三種情況。圖6為本發明較佳實施例的又一種修補結構600的俯視示意圖。請參照圖6，修補結構600包括：第一修補線241、第四修補線244、第一導電圖案241a、241b、第四導電圖案244a、244b，其配置方式可參照圖3的相關說明。

在掃描線220與資料線230於交錯處330呈現電性失效時，則對切割處321~325、328進行雷射切割，對熔接點311、312、314、317進行雷射熔接，以此形成第一導電路徑341及第四導電路徑344。藉此，資料線230可透過第一導電路徑341傳送信號，而掃描線220可透過第四導電路徑344傳送信號，而避開電性失效處330。特別是，在圖6的實施例中，第一導電路徑341與資料線230平行、且位於資料線230的右方側，第四導電路徑344(等效於第二導電路徑342)與掃描線220平行、且位於掃描線220的上方側。

圖7為本發明較佳實施例的再一種修補結構700的俯視示意圖。請參照圖7，修補結構700包括：第二修補線242、第三修補線243、第二導電圖案242a、242b、第三導電圖案243a、243b，其配置方式可參照圖3的相關說明。

在掃描線220與資料線230於交錯處330呈現電性失效時，則對切割處321~324、326、327進行雷射切割，對熔接點313、315、316、318進行雷射熔接，以此形成第二導電路徑342及第三導電路徑343。藉此，資料線230可透過第三導電路徑343傳送信號，而掃描線220可透過第二導電路徑342傳送信號，而避開電性失效處330。特別是，在圖7的實施例中，第三導電路徑343(等效於第一導電路徑341)與資料線230平行、且位於資料線230的左方側，第二導電路徑342與掃描線220平行、且位於掃描線220的下方側。

圖8為本發明較佳實施例的又一種修補結構800的俯視示意圖。請參照圖8，修補結構800包括：第三修補線243、第四修補線244、第三導電圖案243a、243b、第四導電圖案244a、244b，其配置方式可參照圖3的相關說明。

在掃描線220與資料線230於交錯處330呈現電性失效時，則對切割處321~324、327、328進行雷射切割，對熔接點312、315、317、318進行雷射熔接，以此形成第三導電路徑343及第四導電路徑344。藉此，資料線230可透過第三導電路徑343傳送信號，而掃描線220可透過第四導電路徑344傳送信號，而避開電性失效處330。特別是，在圖8的實施例中，第三導電路徑343(等效於第一導電路徑341)與資料線230平行、且位於資料線230的左方側，第四導電路徑344(等效於第二導電路徑342)與掃描線220平行、且位於掃描線220的上方側。

圖9為採用圖7的修補結構700搭配主動元件TFT的俯視示意圖。也就是說，圖7的修補結構特別適用於還設置了主動元件TFT的狀況。請同時參照圖7及圖9，一般而言，主動元件陣列基板200上會配置有主動元件TFT。此主動元件TFT可以是薄膜電晶體，主動元件TFT的閘極G電性連接到掃描線220、源極S電性連接到資料線230、汲極D電性連接到畫素電極PE。

由圖9可知，當採用修補結構700時，相當適合再擺放主動元件TFT。在掃描線220與資料線230於交錯處330呈現電性失效時，可透過修補結構700進行電性失效處330的修補，以使掃描線220與資料線230的信號可正常傳遞。

值得一提的是，上述的修補結構240、500～800雖用以修補主動元件陣列基板200在顯示區的掃描線220與資料線230的交錯位置之電性失效處，但是，在實際運用上，修補結構240、500～800同樣可用以修補主動元件陣列基板200在周邊線路區的線路之交錯處，以使週邊線路的信號可以正常傳遞。另外，上述的修補結構240、500～800也不限僅用於主動元件陣列基板200中的修補用途。在任何種類的基板上之交錯位置，都可應用上述的修補結構240、500～800，以達到良好的修補效果。

綜上所述，本發明的修補結構以及具有此修補結構的主動元件陣列基板至少具有以下優點：

本發明的修補結構相當適合用於修補掃描線或資料線的電性失效處(斷路或短路)。特別是，當掃描線與資料線在交錯處呈現電性失效時，可使掃描線與資料線與對應的修補線進行跳層連接，以達到修補的技術效果。另外，掃描線與資料線可伸延出多個導電圖案，以與對應的修補線的兩端重疊。由於導電圖案與修補線的材質相同(均為金屬)，具有相同的承受雷射光的能力，所以當進行雷射溶接時可達到良好的電性連接效果。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

110、130、230．．．資料線

110a、110b．．．分支配線

120、220．．．掃描線

140A、140B、140C．．．線段

150、240、500～800．．．修補結構

151、152、241a～244b．．．導電圖案

153．．．透明電極

154、155．．．連接點

200．．．主動元件陣列基板

210．．．基板

241～244．．．修補線

311～318．．．熔接點

321～328．．．切割處

330．．．電性失效處

341～344．．．導電路徑

410．．．絕緣層

A．．．區域

D．．．汲極

G．．．閘極

H．．．穿孔

L．．．雷射光

S．．．源極

PE．．．畫素電極

TFT．．．主動元件

圖1A為中華民國專利公告號第583767號的修補結構的示意圖。

圖1B為中華民國專利公告號第I282625號的修補結構的示意圖。

圖2為本發明較佳實施例的主動元件陣列基板200的俯視示意圖。

圖3為圖2的修補結構240進行修補後俯視示意圖。

圖4A為圖3的熔接點313沿著A-A’線的剖面示意圖，其中雷射光L從主動元件陣列基板200的正面照射。

圖4B為圖3的熔接點313沿著A-A’線的剖面示意圖，其中雷射光L從主動元件陣列基板200的背面照射。

圖5為本發明較佳實施例的另一種修補結構500的俯視示意圖。

圖6為本發明較佳實施例的又一種修補結構600的俯視示意圖。

圖7為本發明較佳實施例的再一種修補結構700的俯視示意圖。

圖8為本發明較佳實施例的又一種修補結構800的俯視示意圖。

圖9為採用圖7的修補結構700搭配主動元件TFT的俯視示意圖。

220．．．掃描線

230．．．資料線

240．．．修補結構

241～244．．．修補線

241a～244b．．．導電圖案

311～318．．．熔接點

321～328．．．切割處

330．．．電性失效處

341～344．．．導電路徑

Claims (16)

1. 一種修補結構，用以修補一掃描線或一資料線上的一電性失效處，該掃描線與該資料線彼此交錯且彼此電性絕緣，且該修補結構圍繞該掃描線與該資料線的交錯處，該修補結構包括：一第一修補線，垂直於該掃描線，該第一修補線與該掃描線為同一膜層；以及一第二修補線，垂直於該資料線，該第二修補線與該資料線為同一膜層；其中，當修補該資料線上的該電性失效處時，使該第一修補線與該掃描線彼此電性絕緣，且使該第一修補線與該資料線進行跳層連接而構成一第一導電路徑，該第一導電路徑更包括從該資料線延伸而出的兩個第一導電圖案，該些第一導電圖案分別設置在該第一修補線的兩端，且電性連接到該第一修補線；當修補該掃描線上的該電性失效處時，使該第二修補線與該資料線彼此電性絕緣，且使該第二修補線與該掃描線進行跳層連接而構成一第二導電路徑，該第二導電路徑更包括從該掃描線延伸而出的兩個第二導電圖案，該些第二導電圖案分別設置在該第二修補線的兩端，且電性連接到該第二修補線。
2. 如申請專利範圍第1項所述的修補結構，其中，該第一導電路徑與該資料線平行、且位於該資料線的右方側，該第二導電路徑與該掃描線平行、且位於該掃描線的 下方側。
3. 如申請專利範圍第1項所述的修補結構，其中，該第一導電路徑與該資料線平行、且位於該資料線的右方側，該第二導電路徑與該掃描線平行、且位於該掃描線的上方側。
4. 如申請專利範圍第1項所述的修補結構，其中，該第一導電路徑與該資料線平行、且位於該資料線的左方側，該第二導電路徑與該掃描線平行、且位於該掃描線的下方側。
5. 如申請專利範圍第1項所述的修補結構，其中，該第一導電路徑與該資料線平行、且位於該資料線的左方側，該第二導電路徑與該掃描線平行、且位於該掃描線的上方側。
6. 如申請專利範圍第1項所述的修補結構，更包括：一第三修補線，垂直於該掃描線，該第三修補線與該掃描線為同一膜層；以及一第四修補線，垂直於該資料線，該第四修補線與該資料線為同一膜層；其中，當修補該資料線上的該電性失效處時，使該第三修補線與該掃描線彼此電性絕緣，且使該第三修補線與該資料線進行跳層連接而構成一第三導電路徑；當修補該掃描線上的該電性失效處時，使該第四修補線與該資料線彼此電性絕緣，且使該第四修補線與該掃描線進行跳層連接而構成一第四導電路徑。
7. 如申請專利範圍第6項所述的修補結構，其中，該第三導電路徑更包括：兩個第三導電圖案，從該資料線延伸而出；該些第三導電圖案分別設置在該第三修補線的兩端，且電性連接到該第三修補線。
8. 如申請專利範圍第6項所述的修補結構，其中，該第四導電路徑更包括：兩個第四導電圖案，從該掃描線延伸而出；該些第四導電圖案分別設置在該第四修補線的兩端，且電性連接到該第四修補線。
9. 一種主動元件陣列基板，包括：一掃描線與一資料線，該掃描線與該資料線彼此交錯且彼此電性絕緣；一修補結構，用以修補該掃描線或該資料線上的一電性失效處，且該修補結構圍繞該掃描線與該資料線的交錯處，該修補結構包括：一第一修補線，垂直於該掃描線，該第一修補線與該掃描線為同一膜層；以及一第二修補線，垂直於該資料線，該第二修補線與該資料線為同一膜層；其中，當修補該資料線上的該電性失效處時，使該第一修補線與該掃描線彼此電性絕緣，且使該第一修補線與該資料線進行跳層連接而構成一第一導電路徑，該第一導電路徑更包括從該資料線延伸而出的兩個第一導電圖 案，該些第一導電圖案分別設置在該第一修補線的兩端，且電性連接到該第一修補線；當修補該掃描線上的該電性失效處時，使該第二修補線與該資料線彼此電性絕緣，且使該第二修補線與該掃描線進行跳層連接而構成一第二導電路徑，該第二導電路徑更包括從該掃描線延伸而出的兩個第二導電圖案，該些第二導電圖案分別設置在該第二修補線的兩端，且電性連接到該第二修補線；以及一主動元件，電性連接到對應的該掃描線與該資料線。
10. 如申請專利範圍第9項所述的主動元件陣列基板，其中，該第一導電路徑與該資料線平行、且位於該資料線的右方側，該第二導電路徑與該掃描線平行、且位於該掃描線的下方側。
11. 如申請專利範圍第9項所述的主動元件陣列基板，其中，該第一導電路徑與該資料線平行、且位於該資料線的右方側，該第二導電路徑與該掃描線平行、且位於該掃描線的上方側。
12. 如申請專利範圍第9項所述的主動元件陣列基板，其中，該第一導電路徑與該資料線平行、且位於該資料線的左方側，該第二導電路徑與該掃描線平行、且位於該掃描線的下方側。
13. 如申請專利範圍第9項所述的主動元件陣列基板，其中，該第一導電路徑與該資料線平行、且位於該資 料線的左方側，該第二導電路徑與該掃描線平行、且位於該掃描線的上方側。
14. 如申請專利範圍第9項所述的主動元件陣列基板，其中，該修補結構更包括：一第三修補線，垂直於該掃描線，該第三修補線與該掃描線為同一膜層；以及一第四修補線，垂直於該資料線，該第四修補線與該資料線為同一膜層；其中，當修補該資料線上的該電性失效處時，使該第三修補線與該掃描線彼此電性絕緣，且使該第三修補線與該資料線進行跳層連接而構成一第三導電路徑；當修補該掃描線上的該電性失效處時，使該第四修補線與該資料線彼此電性絕緣，且使該第四修補線與該掃描線進行跳層連接而構成一第四導電路徑。
15. 如申請專利範圍第14項所述的主動元件陣列基板，其中，該第三導電路徑更包括：兩個第三導電圖案，從該資料線延伸而出；該些第三導電圖案分別設置在該第三修補線的兩端，且電性連接到該第三修補線。
16. 如申請專利範圍第14項所述的主動元件陣列基板，其中，該第四導電路徑更包括：兩個第四導電圖案，從該掃描線延伸而出；該些第四導電圖案分別設置在該第四修補線的兩端，且電性連接到該第四修補線。