TWI490291B

TWI490291B - 化學機械拋光漿液組合物及使用該漿液組合物製造半導體裝置之方法

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Publication number: TWI490291B
Application number: TW100146942A
Authority: TW
Inventors: 韓德洙; 金桓鐵; 金錫主; 朴烋範
Original assignee: 首爾步瑞股份有限公司
Priority date: 2010-12-17
Filing date: 2011-12-16
Publication date: 2015-07-01
Also published as: KR101243331B1; CN102585704A; US8840798B2; KR20120068575A; TW201237128A; US20120156874A1; CN102585704B

Description

化學機械拋光漿液組合物及使用該漿液組合物製造半導體裝置之方法

本發明係關於化學機械拋光(CMP)用漿液組合物，且更特定而言，本發明係關於化學機械拋光用漿液組合物，其對於障壁金屬膜及氧化矽膜展現高拋光速率，能夠控制氮化矽膜之拋光速率，且因此具有高拋光選擇比。

在化學機械拋光方法(其係一種半導體裝置之製造方法)中，拋光方法係藉由以下方式來實施：在平臺上安裝欲經受平坦化製程之晶圓，使此晶圓之表面與拋光機之墊接觸，且然後使拋光機之旋轉板及墊旋轉，同時供應漿液。亦即，漿液在晶圓表面與墊之間流動，且晶圓表面之拋光係由於漿液中之拋光粒子及墊表面上之突出部分所引起之機械摩擦而達成，而化學移除係由於漿液中之化學組份與晶圓表面間之化學反應而達成。

通常，用於銅之次要CMP方法之漿液包含膠質二氧化矽拋光材料，且具有能夠移除鹼性區中之障壁金屬膜及氧化物膜之特徵。然而，在鹼性區中，用作障壁金屬之鉭之移除速率不夠高，以致需要較長時間。此外，由於為提高氧化物膜之拋光速率而使用大量拋光材料，因此存在諸如粒子污染及高劃痕發生率等缺點。

另一方面，在酸性區中，拋光後發生粒子污染之程度往往以鹼性區；然而，存在達到用作拋光材料之膠質二氧化矽之等電點，且漿液之分散穩定性變差之缺點。

此外，近來，半導體整合之程度正接近物理極限，且三維積體電路(3D IC)方法備受關注。在3D IC方法期間，在佈線製造方法中使用穿矽通孔(TSV)方法。然而，由於用於形成穿矽通孔之障壁膜、絕緣膜及拋光阻止膜之厚度傾向於增加，因此需要在短時間內有效地拋光障壁膜。

本發明之目的係提供化學機械拋光用漿液組合物，其具有顯著高之氧化矽膜拋光速率，能夠選擇性地防止氮化矽膜之移除，不會引起拋光不平衡，可獲得優良之平坦度，具有極佳時間穩定性及分散穩定性，由於添加劑之最佳組成而使得造成之粒子及劃痕較少，且產生極滿意的障壁金屬及氧化物之拋光表面。

本發明態樣之化學機械拋光用漿液組合物包含0.1重量%至20重量%之經胺基矽烷表面處理之拋光劑；0.001重量%至5重量%選自由以下組成之群之任一添加劑：胺基酸、胺基酸之衍生物、其鹽及其組合；0.0001重量%至0.5重量%之腐蝕抑制劑；及0.01重量%至5重量%之氧化劑，其中剩餘部分為溶劑。

化學機械拋光用漿液組合物之氧化矽膜與氮化矽膜之拋光選擇比可為5或更大。

化學機械拋光用漿液組合物之pH值可為2至5。

胺基矽烷可選自由以下組成之群：胺基丙基三烷氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、雙(2-羥乙基)-3-胺基丙基三烷氧基矽烷、二乙基胺基甲基三烷氧基矽烷、(N,N-二乙基-3-胺基丙基)三烷氧基矽烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-胺基乙基胺基)-丙基三烷氧基矽烷、(2-N-苄基胺基乙基)-3-胺基丙基三烷氧基矽烷、三烷氧基甲矽烷基丙基-N,N,N-三甲基氯化銨、N-(三烷氧基甲矽烷基乙基)苄基-N,N,N-三甲基氯化銨、雙(甲基二烷氧基甲矽烷基丙基)-N-甲胺、雙(三烷氧基甲矽烷基丙基)脲、雙(3-(三烷氧基甲矽烷基)丙基)-乙二胺、雙(三烷氧基甲矽烷基丙基)胺、雙(三甲氧基甲矽烷基丙基)胺及其組合。

胺基酸可係選自由以下組成之群之任一者：纈胺酸、白胺酸、異白胺酸、絲胺酸、蘇胺酸、半胱胺酸、甘胺酸、丙胺酸、甲硫胺酸、麩胺酸、天冬胺酸、麩醯胺酸、天冬醯胺酸、離胺酸、精胺酸、苯丙胺酸、酪胺酸、色胺酸、組胺酸、脯胺酸、其衍生物、其鹽及其組合。

腐蝕抑制劑可係選自由以下組成之群之任一者：1,2,4-三唑、苯并三唑、5-甲基苯并三唑、5-胺基四唑、1-烷基-5-胺基四唑、5-羥基四唑、1-烷基-5-羥基四唑、四唑-5-硫醇、咪唑及其組合。

氧化劑可係選自由以下組成之群之一者：過氧化氫、過硫酸鹽(例如單過硫酸鹽及二過硫酸鹽)及其組合。

經胺基矽烷表面處理之拋光劑可含有平均粒度為5 nm至120 nm之膠質二氧化矽、及相對於拋光劑之總量0.001重量%至1重量%之量的胺基矽烷。

化學機械拋光用漿液組合物可另外包含選自由以下組成之群之任一pH調節劑：氫氧化鉀、氫氧化銨、四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨、硝酸、鹽酸、硫酸、過氯酸、磷酸及其組合。

化學機械拋光用漿液組合物可另外包含含有二醇基團之拋光輪廓改良劑，其量相對於化學機械拋光用漿液組合物之總量為0.001重量%至5重量%。

輪廓改良劑可係選自由以下組成之群之任一者：乙二醇、丙二醇、聚乙二醇、聚丙二醇及其組合。

本發明另一態樣之製造半導體裝置之方法包含使用上述化學機械拋光用漿液組合物同時拋光障壁金屬膜、氧化矽膜及氮化矽膜之步驟。

可藉由上述拋光步驟形成穿矽通孔。

在下文中，將更詳細地闡述本發明。

上述化學機械拋光用漿液組合物包含0.1重量%至20重量%之經胺基矽烷表面處理之拋光劑；0.001重量%至5重量%選自由以下組成之群之任一添加劑：胺基酸、胺基酸之衍生物、其鹽及其組合；0.0001重量%至0.5重量%之腐蝕抑制劑；及0.01重量%至5重量%之氧化劑，其中剩餘部分為溶劑。

化學機械拋光用漿液組合物對於氧化矽膜與氮化矽膜之拋光選擇比可為5或更大，且較佳7至50。氧化矽膜與氮化矽膜之拋光選擇比意指藉由氧化矽膜之拋光速率除以氮化矽膜之拋光速率所獲得之值。化學機械拋光用漿液組合物具有極高之氧化矽膜與氮化矽膜之拋光選擇比，以使得漿液組合物可極有效地選擇性拋光氮化矽膜及氧化矽膜，且具有優良之氧化矽膜拋光速率。

化學機械拋光用漿液組合物之pH值可為2至5，且較佳3至3.9。當化學機械拋光用漿液組合物之pH在上述範圍內時，可增強氧化矽膜之拋光速率及氧化矽膜與氮化矽膜之拋光選擇比。此外，若化學機械拋光用漿液組合物之pH小於2，則拋光速率減小，且不能獲得期望拋光選擇比。若pH大於5，則在長期儲存期間可因漿液之聚集而存在穩定性問題。

出於pH調節之目的，化學機械拋光用漿液組合物可另外包含選自由以下組成之群之任一pH調節劑：氫氧化鉀、氫氧化銨、四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨、硝酸、鹽酸、硫酸、過氯酸、磷酸及其組合。

拋光劑可係酸性膠質二氧化矽拋光劑，且就酸性膠質二氧化矽而言，可使用藉由使鹼金屬矽酸鹽溶液與無機酸反應並使反應產物穿過強酸性陽離子交換樹脂所製得之酸性膠質二氧化矽，或藉由水解高純度烷氧基矽烷所製得之酸性膠質二氧化矽。

膠質二氧化矽之平均粒度可係5 nm至120 nm，且較佳20 nm至100 nm。若膠質二氧化矽之平均粒度小於5 nm，則無法實現期望位準之拋光速率，且若平均粒度超過120 nm，則可能難以維持拋光劑之穩定性。

拋光劑可相對於化學機械拋光用漿液組合物之總量以0.1重量%至20重量%，且較佳3重量%至10重量%之量納入。若拋光劑之含量小於0.1重量%，則不可能獲得高拋光速率，且若含量大於20重量%，則經濟效益低。

經由胺基矽烷處理使拋光劑帶電以使表面電位具有正值。拋光劑可相對於拋光劑之總量用0.001重量%至1重量%，且較佳0.05重量%至1重量%之量的胺基矽烷進行表面處理。若胺基矽烷之含量小於0.001重量%，則不易於改變表面電位值，且若含量大於1重量%，則表面電位增加過高反而可致使拋光速率可減小。

在藉由使用具有直鏈結構之胺基矽烷進行表面處理之同時可獲得極佳之性能增強效應，且此胺基矽烷可係選自由以下組成之群之任一者：胺基丙基三烷氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、雙(2-羥乙基)-3-胺基丙基三烷氧基矽烷、二乙基胺基甲基三烷氧基矽烷、(N,N-二乙基-3-胺基丙基)三烷氧基矽烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-胺基乙基胺基)-丙基三烷氧基矽烷、(2-N-苄基胺基乙基)-3-胺基丙基三烷氧基矽烷、三烷氧基甲矽烷基丙基-N,N,N-三甲基氯化銨、N-(三烷氧基甲矽烷基乙基)苄基-N,N,N-三甲基氯化銨、雙(甲基二烷氧基甲矽烷基丙基)-N-甲胺、雙(三烷氧基甲矽烷基丙基)脲、雙(3-(三烷氧基甲矽烷基)丙基)-乙二胺、雙(三烷氧基甲矽烷基丙基)胺、雙(三甲氧基甲矽烷基丙基)胺及其組合。

特定而言，在利用γ-胺基丙基三乙氧基矽烷表面處理拋光劑之情形中，當將胺基矽烷緩慢引入拋光材料中並劇烈攪拌混合物時，可達成均勻塗層。同樣，將矽烷分散於水溶液中，且當烷氧基分離時，產生呈醇形式之副產物，同時矽烷醇基團經由Si-O-Si鍵與拋光劑之羥基形成強化學鍵結。因此，鍵結不會被在製備拋光漿液時所添加之添加劑化合物破壞。

添加劑係選自由以下組成之群之任一者：胺基酸、胺基酸之衍生物、其鹽及其組合。圖1係顯示本發明之化學機械拋光用漿液組合物之拋光機制之圖形。根據圖1，添加劑之陰離子官能團在本發明之酸性pH條件下離子化。當陰離子官能團暴露於氧化矽膜及氮化矽膜時，陰離子官能團鍵結至氮化矽膜，且陽離子官能團朝向外部。由此，鍵結至氮化矽膜之添加劑發揮防止拋光材料直接與氮化矽膜接觸之抑制作用。因此，由於由胺基矽烷處理產生之拋光劑之表面電荷與添加劑間之相互作用，氧化矽膜之拋光速率可經大程度地增強，並使得氮化矽膜之拋光速率減小。由此，可顯著增強氧化矽膜與氮化矽膜之拋光選擇比。

胺基酸可係選自由以下組成之群之任一者：纈胺酸、白胺酸、異白胺酸、絲胺酸、蘇胺酸、半胱胺酸、甘胺酸、丙胺酸、甲硫胺酸、麩胺酸、天冬胺酸、麩醯胺酸、天冬醯胺酸、離胺酸、精胺酸、苯丙胺酸、酪胺酸、色胺酸、組胺酸、脯胺酸、其衍生物及其混合物。在該等胺基酸中，可偏好使用丙胺酸、苯丙胺酸、甘胺酸及其衍生物。

添加劑可相對於化學機械拋光用漿液組合物之總量以0.001重量%至5重量%，且較佳0.005重量%至0.5重量%之量納入。若添加劑之含量小於0.001重量%，則添加劑可能不會充分發揮作用，且若含量大於5重量%，則氧化矽膜之拋光速率傾向於減小。

在拋光劑中胺基矽烷與添加劑之重量比可係1:2至1:50，且較佳1:4至1:15。當拋光劑中胺基矽烷與添加劑之重量比在上述範圍內時，可增強氧化矽膜之拋光速率及氧化矽膜與氮化矽膜之拋光選擇比。此外，若拋光劑中胺基矽烷與添加劑之重量比超過上述範圍，則即使添加劑之含量增加，氧化矽膜之拋光速率之減小程度將可忽略，且可能不會明顯改變氮化矽膜之拋光速率。

化學機械拋光用漿液組合物可另外包含輪廓改良劑。輪廓改良劑可係低分子量化合物或聚合物化合物，兩者均含有二醇基團。可使用之較佳實例包含乙二醇、丙二醇、聚乙二醇及聚丙二醇。

輪廓改良劑可相對於化學機械拋光用漿液組合物之總量以0.01重量%至5重量%之量納入。若輪廓改良劑之含量小於0.01重量%，則難以獲得輪廓改良效應，且若含量大於5重量%，則可引起拋光速率減小。

化學機械拋光用漿液組合物可另外包含腐蝕抑制劑。作為腐蝕抑制劑，可使用選自由以下組成之群之任一者：1,2,4-三唑、苯并三唑、5-甲基苯并三唑、5-胺基四唑、1-烷基-5-胺基四唑、5-羥基四唑、1-烷基-5-羥基四唑、四唑-5-硫醇、咪唑及其組合。

腐蝕抑制劑可相對於化學機械拋光用漿液組合物之總量以0.0001重量%至0.5重量%之量納入。若腐蝕抑制劑之含量小於0.0001重量%，則很難期望有腐蝕抑制效應，且若含量大於0.5重量%，則可使金屬膜之拋光速率減小，且出現溶解性問題，從而使得腐蝕抑制劑可沉澱出。

化學機械拋光用漿液組合物可另外包含氧化劑。氧化劑可係選自由以下組成之群之任一者：具有一或多個過氧基團之化合物、含有處於最高氧化態之元素之化合物及其組合。

可使用之具有一或多個過氧基團之化合物之實例包含過氧化氫加成產物，例如過氧化氫、過氧化脲及過碳酸鹽；有機過氧化物，例如過氧化苯甲醯、過乙酸及二-第三丁基過氧化物；過硫酸鹽(單過硫酸鹽或二過硫酸鹽)；過氧化鈉；及其混合物。

含有處於最高氧化態之元素之化合物之實例包含過碘酸鹽、過硼酸鹽及過錳酸鹽。

此外，作為氧化劑，亦可使用非過化合物(non-per compound)，且可使用之非過化合物之實例包含溴酸鹽、鉻酸鹽、碘酸鹽、碘酸、鈰(IV)化合物(例如硝酸鈰銨)及諸如硝酸鐵等化合物。

作為氧化劑，可偏好使用過氧化氫，且氧化劑可相對於化學機械拋光用漿液組合物之總量以0.01重量%至5重量%，且較佳0.05重量%至3重量%之量納入。若氧化劑之含量小於0.01重量%，則可在作為障壁金屬膜之鉭之表面上生成嚴重劃痕，且若含量大於3重量%，則可使氧化矽膜之拋光速率減小。

就化學機械拋光用漿液組合物中所包含之溶劑而言，可使用用於化學機械拋光用漿液組合物中之任一溶劑，且舉例而言，可使用去離子水，但本發明並不限於此。此外，溶劑之含量係藉由自化學機械拋光用漿液組合物之總量中減去經胺基矽烷表面處理之拋光劑、添加劑(例如胺基酸)及其他添加劑之含量後可獲得之剩餘部分。

本發明之另一實施例之用於製造半導體裝置之方法包含使用化學機械拋光用漿液組合物同時拋光障壁金屬膜、氧化矽膜及氮化矽膜之步驟。可藉由拋光步驟形成穿矽通孔。就使用化學機械拋光用漿液組合物同時拋光障壁金屬膜、氧化矽膜及氮化矽膜之方法而言，可使用通常所用之任一習用拋光方法及條件，且對本發明並無特別限制。因此，在本說明書中將不對拋光方法及條件進行具體說明。

化學機械拋光用漿液組合物可拋光氧化矽膜及氮化矽膜，以使所獲得之氧化矽膜與氮化矽膜之拋光選擇比為5或更大，且較佳7至50。

本發明之實施例之漿液組合物具有極高之氧化矽膜拋光速率，且由此，移除絕緣膜之製程可在短時間內完成。由於可選擇性地防止用作拋光阻止膜之氮化矽膜之移除，因此在裝置之製造期間可獲得優良特性。此外，本發明之漿液組合物可使障壁金屬膜與絕緣膜之拋光速率保持一致，不會因拋光速率之不同而產生拋光不平衡，且具有適當之鉭膜及氧化矽膜之拋光速率，以使可獲得優良之平坦度。漿液組合物亦具有可在短時間內有效地消除由主要CMP方法引起之凹陷及腐蝕之優點。此外，本發明之漿液組合物亦具有以下優點：漿液組合物具有優良之時間穩定性及分散穩定性，造成較少粒子及劃痕之生成，且製造極滿意的障壁金屬膜及氧化物膜之拋光表面。

此外，化學機械拋光用漿液組合物可以高速率拋光障壁金屬膜、氧化物膜及拋光阻止膜且與現有漿液相比拋光時間縮短，且因此，漿液組合物在增強生產率方面係高度有利的。

在下文中，將以實例方式詳細闡述本發明，以便熟習此項技術者可容易地實施本發明。然而，本發明可以各種不同形式來實現，且並不欲受限於本文所述之實例。

[實驗實例]

使用上面沈積有厚度為1000之薄膜之鉭樣品晶圓用於拋光。對於氧化矽膜而言，使用上面有厚度為10000之PETEOS薄膜之樣品晶圓，且對於氮化矽膜而言，使用上面有厚度為3000之薄膜之樣品晶圓。

對於拋光設備而言，使用Poli 400(由G & P技術公司製造)，且使用拋光墊IC1000(Dow Corning公司)實施拋光測試。拋光條件應使得工作臺/頭速度為93/87 rpm，拋光壓力為140 g/cm² ，漿液供應流速為200 ml/min，且拋光時間為30秒至60秒。

鉭薄膜厚度係藉由使用四點探針表面電阻分析儀(AIT半導體公司)量測表面電阻，且然後由此計算厚度來確定。PETEOS及氮化矽膜之薄膜厚度係用Spectra Thick 4000(K-MAC公司)量測。

(實驗實例1)

實例及比較實例之拋光漿液組合物係製備成如以表1中所示之組合物。此外，對所製備之拋光漿液組合物實施拋光評價，且結果亦呈現於表1中。

以下表1中所用之膠質二氧化矽係平均粒度分別為35 nm、55 nm及75 nm之膠質二氧化矽，該等膠質二氧化矽中之每一者係在用相對於拋光劑之總量0.25重量%之量的γ-胺基丙基三乙氧基矽烷均勻地表面處理膠質二氧化矽之後使用。

此外，拋光漿液係製備成包含5重量%之拋光材料、0.1重量%之5-胺基四唑作為腐蝕抑制劑及1.0重量%之過氧化氫作為氧化劑之組合物。在漿液製備期間，必要時使用硝酸及氫氧化鉀將漿液調節至期望pH值。

根據表1，隨著膠質二氧化矽粒子變小，PETEOS之拋光速率增大，且存在以下效應當使用矽烷塗覆之拋光材料時，PETEOS薄膜之拋光速率迅速增加。存在使氮化矽膜之拋光速率減小之效應。

(實驗實例2)

藉由改變實例1-2之組合物的pH值來實施拋光評價。結果呈現於下表2中。

如自表2可看出，PETEOS之拋光速率在pH 3.4時達到最大值，且氮化矽膜之拋光速率隨pH增大而傾向於增加。在pH 5時，發生拋光材料之聚集。

(實驗實例3)

拋光漿液組合物係製備成下表3中所示之組合物。此外，對所製備之拋光漿液組合物實施拋光評價。結果呈現於下表3中。

下表3中所示之拋光漿液組合物各自含有5重量%之拋光劑，其係藉由用相對於拋光劑之總量0.25重量%之量的γ-胺基丙基三乙氧基矽烷均勻地表面處理平均粒度為55 nm之膠質二氧化矽來製造；0.1重量%之5-胺基四唑作為腐蝕抑制劑，1.0重量%之過氧化氫作為氧化劑，及0.05重量%之添加劑中之每一者。

如自表3可看出，當添加本發明之添加劑時，PETEOS之拋光速率增加，氮化矽膜之拋光速率減小，且維持鉭之拋光速率。然而，比較實例之添加劑使氧化矽膜之拋光速率減小，且使氮化物膜之拋光速率增加。

(實驗實例4)

藉由向實例3-4之組合物另外添加輪廓改良劑來製備拋光漿液組合物，且然後實施300 mm晶圓之拋光評價。結果呈現於以下表4及圖2中。

使用Poli 762(G&P技術公司)作為拋光設備，且使用拋光墊IC1070(Dow Corning公司)實施拋光測試。拋光條件應使得工作臺/頭速度為67/53 rpm，拋光壓力為1.5 psi，漿液供應流速為250 ml/min，且拋光時間為60秒。

對於拋光中所用之晶圓，使用上面沈積有厚度為20000之PETEOS薄膜之300 mm晶圓，且用51點線量測拋光速率以觀察晶圓輪廓之任何變化。

根據表4及圖2，當另外將含有二醇基團之化合物添加至含有經胺基矽烷表面處理之拋光劑及添加劑(例如胺基酸)之拋光漿液組合物時，拋光輪廓特徵有所改良。同樣，可看出隨著輪廓改良劑含量之增加，拋光輪廓特徵有所改良，且可獲得均勻拋光表面。

儘管上文已闡述並圖解說明本發明之較佳實施例，但應理解，該等實施例係本發明之例示性實施例而不應視為限制。可在不背離本發明之精神或範疇之情況下，對本發明作出添加、省略、替代及其他修改。因此，不應將本發明視為受限於上述說明，且本發明僅受限於隨附申請專利範圍之範疇。

圖1係顯示本發明之化學機械拋光用漿液組合物之拋光機制之圖形；及

圖2係顯示藉由監測本發明之實驗實例4中所製備之化學機械拋光用漿液組合物之拋光輪廓變化所獲得結果之圖形。

(無元件符號說明)

Claims

一種化學機械拋光用漿液組合物，其包括：0.1重量%至20重量%之經胺基矽烷表面處理之拋光劑；0.001重量%至5重量%選自由以下組成之群之任一添加劑：胺基酸、胺基酸衍生物、其鹽及其組合；0.0001重量%至0.5重量%之腐蝕抑制劑；及0.01重量%至5重量%之氧化劑；其中剩餘部分為溶劑，其中該化學機械拋光用漿液組合物具有3至3.9之pH值、7至50之氧化矽膜對氮化矽膜之拋光選擇比及1458Å/min或更大之對PETEOS拋光速率。
如請求項1之化學機械拋光用漿液組合物，其中該胺基矽烷係選自由以下組成之群之任一者：胺基丙基三烷氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、雙(2-羥乙基)-3-胺基丙基三烷氧基矽烷、二乙基胺基甲基三烷氧基矽烷、(N,N-二乙基-3-胺基丙基)三烷氧基矽烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-胺基乙基胺基)-丙基三烷氧基矽烷、(2-N-苄基胺基乙基)-3-胺基丙基三烷氧基矽烷、三烷氧基甲矽烷基丙基-N,N,N-三甲基氯化銨、N-(三烷氧基甲矽烷基乙基)苄基-N,N,N-三甲基氯化銨、雙(甲基二烷氧基甲矽烷基丙基)-N-甲胺、雙(三烷氧基甲矽烷基丙基)脲、雙(3-(三烷氧基甲矽烷基)丙基)-乙二胺、雙(三烷氧基甲矽烷基丙基)胺、雙(三甲氧基甲矽烷基丙基)胺及其組合。
如請求項1之化學機械拋光用漿液組合物，其中該胺基酸係選自由以下組成之群之任一者：纈胺酸、白胺酸、異白胺酸、絲胺酸、蘇胺酸、半胱胺酸、甘胺酸、丙胺酸、甲硫胺酸、麩胺酸、天冬胺酸、麩醯胺酸、天冬醯胺酸、離胺酸、精胺酸、苯丙胺酸、酪胺酸、色胺酸、組胺酸、脯胺酸、其衍生物、其鹽及其組合。
如請求項1之化學機械拋光用漿液組合物，其中該腐蝕抑制劑係選自由以下組成之群之任一者：1,2,4-三唑、苯并三唑、5-甲基苯并三唑、5-胺基四唑、1-烷基-5-胺基四唑、5-羥基四唑、1-烷基-5-羥基四唑、四唑-5-硫醇、咪唑及其組合。
如請求項1之化學機械拋光用漿液組合物，其中該氧化劑係選自由以下組成之群之任一者：過氧化氫、過硫酸鹽及其組合。
如請求項1之化學機械拋光用漿液組合物，其中該經胺基矽烷表面處理之拋光劑係平均粒度為5nm至120nm之膠質二氧化矽，且其相對於該拋光劑之總量含有0.001重量%至1重量%之量的胺基矽烷。
如請求項1之化學機械拋光用漿液組合物，其另外包括選自由以下組成之群之任一pH調節劑：氫氧化鉀、氫氧化銨、四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨、硝酸、鹽酸、硫酸、過氯酸、磷酸及其組合。
如請求項1之化學機械拋光用漿液組合物，其另外包括相對於該化學機械拋光用漿液組合物之總量0.001重量% 至5重量%之量的含有二醇基團之拋光輪廓改良劑。
如請求項8之化學機械拋光用漿液組合物，其中該拋光輪廓改良劑係選自由以下組成之群之任一者：乙二醇、丙二醇、聚乙二醇、聚丙二醇及其組合。
一種製造半導體裝置之方法，該方法包括使用如請求項1至9中任一項之化學機械拋光用漿液組合物同時拋光障壁金屬膜、氧化矽膜及氮化矽膜。
如請求項10之製造半導體裝置之方法，其中藉由該同時拋光形成穿矽通孔。