TWI434881B

TWI434881B - 金屬膜用研磨液以及使用該研磨液的研磨方法

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Publication number: TWI434881B
Application number: TW098112535A
Authority: TW
Inventors: 芳賀浩二; 深澤正人; 中川宏; 三嶋公二
Original assignee: 日立化成股份有限公司
Priority date: 2008-04-15
Filing date: 2009-04-15
Publication date: 2014-04-21
Also published as: TW200948868A; JPWO2009128430A1; US8734204B2; US20110104992A1; EP2273537A1; JP5176078B2; EP2273537A4; WO2009128430A1

Description

金屬膜用研磨液以及使用該研磨液的研磨方法

本發明是關於一種金屬膜用研磨液及使用該研磨液的研磨方法，尤其是關於一種半導體裝置(device)的配線步驟中的金屬膜用研磨液及使用該研磨液的研磨方法。

近年來，伴隨半導體積體電路(以下稱作「LSI」(Large Scale Integration))的高集成化、高性能化，而開發新型的微細加工技術。化學機械研磨法(以下稱作「CMP」(Chemical Mechanical Polishing))亦是其中之一，是在LSI製造步驟，尤其是多層配線形成步驟中的層問絕緣膜的平坦化、金屬插塞(plug)形成及埋入配線形成中被頻繁利用的技術(例如參照美國專利第4944836號說明書)。

另外，最近為了使LSI高性能化而嘗試利用銅系金屬作為配線材料。但是，銅系金屬難以利用在形成先前的鋁合金配線時所頻繁使用的乾式蝕刻法(dry etching method)進行微細加工。因此，銅系金屬的微細加工中主要採用下述所謂金屬鑲嵌法(damascene)：在事先形成有槽部(凹部)及隆起部(凸部)的絕緣膜上堆積銅系金屬的薄膜，在槽部埋入銅系金屬，繼而，利用CMP去除堆積在隆起部上的上述薄膜(槽部以外的上述薄膜)，從而形成埋入配線(例如參照日本專利特開平02-278822號公報)。

對銅系金屬等配線部用金屬進行研磨的CMP的一般方法為：在圓形的研磨平台(平台(platen))上貼附研磨布(研磨墊(pad))，將研磨布表面浸漬於金屬膜用研磨液中，將基板的形成有金屬膜的面按壓於研磨布表面上，自基板的背面對金屬膜施加預定壓力(以下稱作「研磨荷重」或「研磨壓力」)的狀態下，使研磨平台轉動，利用研磨液與隆起部上的金屬膜的機械摩擦而去除隆起部上的金屬膜。

用於CMP中的金屬膜用研磨液一般含有氧化劑、固體研磨粒(以下僅稱作「研磨粒」)及水，且視需要而更含有氧化金屬溶解劑、金屬防蝕劑等。一般認為使用含有氧化劑的金屬膜用研磨液的CMP的基本機制為：首先，利用氧化劑將金屬膜表面氧化而形成氧化層，利用研磨粒來削除該氧化層，藉此對金屬膜表面進行研磨。此種研磨方法中，埋入絕緣膜的槽部中的金屬膜表面的氧化層與研磨布接觸較少，未達到利用研磨粒的削除效果，因而於進行CMP的同時，將隆起部上的金屬膜的氧化層去除，以使基板表面平坦化(例如參照Journal of Electrochemical Society 雜誌，第138卷11號(1991年發行)，第3460～3464頁)。

作為用於高壓研磨(例如大於等於20kPa)的研磨液，已知有包含導入有大於等於固定量之疏水性官能基的聚合物的研磨液(例如日本專利特表2005-502188號公報、日本專利特開2006-19746號公報)。

另一方面，近來謀求實施微細加工而具有高配線密度的圖案基板，對降低研磨時的研磨荷重進行研究。

但是，先前的低壓研磨用研磨液中，由於研磨液的機械研磨作用降低，因而導致研磨速度降低。

另一方面，即使在將先前的高壓研磨用研磨液直接應用於低壓研磨的情況下，亦由於研磨液的機械研磨作用降低，而難以獲得充分的研磨速度。此外，藉由本發明者等人的研究可知，使用高壓研磨用研磨液時，研磨速度變得不充分的原因在於受到壓力的較強影響。

本發明是為了解決上述課題而製成，目的在於提供一種即使於降低研磨時的研磨荷重的情形時亦可獲得充分的研磨速度的金屬膜用研磨液以及使用該研磨液的研磨方法。

本發明提供一種金屬膜用研磨液，其含有氧化劑、氧化金屬溶解劑、金屬防蝕劑、水溶性聚合物及水，並且該水溶性聚合物是丙烯酸(acrylic acid)與甲基丙烯酸(methacrylic acid)的共聚物，且以丙烯酸與甲基丙烯酸的合計為基準，該共聚物中的甲基丙烯酸的共聚合比率為1莫耳百分比(mol%)～20mol%。

本發明的金屬膜用研磨液即使於降低研磨時的研磨荷重的情形時，亦可獲得充分的研磨速度。

而且，先前，若降低水溶性聚合物的含量，則存在對在表面整體形成有銅系金屬的毯覆式晶圓(blanket wafer)的研磨速度降低，且平坦性亦大幅度降低的傾向。然而，本發明的金屬膜用研磨液不僅可抑制對毯覆式晶圓的研磨速度的降低，並且可將平坦性維持為較高。

此外，先前存在利用氧化劑將埋入槽部的金屬膜表面的氧化層加以蝕刻而使金屬膜表面重新露出。此時，所露出的金屬膜表面由氧化劑進一步氧化，若此種過程反覆進行，則存在對於埋入槽部的金屬膜亦進行蝕刻而損及平坦化效果的傾向。然而，本發明中，在金屬膜用研磨液中添加金屬防蝕劑，可將平坦化效果維持為較高。

另外，利用先前的CMP來形成埋入配線時，存在發生金屬膜的腐蝕或凹陷(dishing)的傾向。但是本發明中，除了含有苯幷三唑(benzotriazole)等上述金屬防蝕劑，亦含有甘胺酸(glycine)等胺基乙酸、或胺基硫酸(amidosulfonic acid)等氧化金屬溶解劑，因而可抑制金屬膜的腐蝕及上述凹陷，可形成可靠性高的LSI配線。

而且，先前存在若阻障層的研磨速度高，則於配線密度較高的部分發生侵蝕(erosion)的問題。但是本發明中，可增大金屬膜與阻障層的研磨速度比(金屬膜的研磨速度/阻障層的研磨速度)，可抑制侵蝕的發生。

此外，先前在金屬膜的研磨結束後的被研磨面上殘存有非常薄的金屬膜，在後續的阻障層的研磨步驟中，使用阻障層的研磨用研磨液對所殘存的金屬膜進行研磨。但是，一般而言存在下述問題：阻障層的研磨用研磨液對於金屬膜的研磨速度較低，因而結果導致處理量(throughput)降低，或最終殘存金屬膜而導致基板的研磨良率降低。但是本發明中，可抑制在金屬膜的研磨結束後殘存金屬膜，可抑制處理量的降低、及基板的研磨良率的降低。

另外，金屬膜用研磨液在25℃的黏度較好的是0.5mPa‧s～3.0mPa‧s。此時，於低研磨荷重下亦可表現出良好的研磨速度。

而且，利用光散射法所測定的共聚物的聚合物尺寸(polymer size)較好的是1nm～100nm。此時，於低研磨荷重下亦可表現出良好的研磨速度。

此外，利用光散射法所測定的共聚物的聚合物尺寸的標準偏差較好的是10～300。此時，於低研磨荷重下亦可表現出良好的研磨速度。

此處，本發明中為方便起見而稱為聚合物尺寸及其標準偏差，但本發明中的所謂聚合物尺寸及其標準偏差，並非聚合物單獨存在時的聚合物尺寸及其標準偏差，而是利用使丙烯酸/甲基丙烯酸共聚物或甲基丙烯酸均聚物以濃度成為1.5重量百分比(wt%)之方式溶解於純水中，進而以25%氨水將pH調整為9.0的溶液進行溶解時的表觀的聚合物尺寸及其標準偏差。本發明中所謂的聚合物尺寸及其標準偏差是指利用下述測定條件所測定的聚合物尺寸及其標準偏差。

(測定條件)

測定溫度：25℃

測定裝置：Malvern Instruments公司製造，商品名「Zetasizer 3000HS」

測定波長：633.0nm

池類型(cell type)：毛細管池(capillary cell)

檢測角度：90.00deg

測定方法：獲得使丙烯酸/甲基丙烯酸共聚物或甲基丙烯酸均聚物以濃度為1.5wt%之方式溶解於純水中，進而以25%氨水將pH調整為9.0的溶液。並且，使用0.5μm的過濾器(filter)將該溶液過濾後，利用光散射法進行測定，由此獲得聚合物尺寸及其標準偏差的測定值。

另外，研磨粒的含量以研磨液整體為基準，較好的是0～0.5wt%。此時，對金屬膜可具有良好研磨速度。

另外，金屬膜用研磨液的pH較好的是2.0～5.0。此時，可有效率地降低研磨速度的壓力依存性。

另外，共聚物的重量平均分子量Mw較好的是50000～500000。此時，於低研磨荷重下亦可表現出良好的研磨速度。

另外，本發明是關於一種研磨方法，其是向研磨平台的研磨布上供給上述金屬膜用研磨液，在將基板的被研磨面按壓於研磨布上的狀態下，使研磨平台與基板相對移動而研磨被研磨面。

本發明的研磨方法中，即使於降低研磨時的研磨荷重的情形時，亦可獲得充分的研磨速度。

[發明效果]

藉由本發明，提供一種即使於降低研磨時的研磨荷重的情形時亦可獲得充分的研磨速度的金屬膜用研磨液以及使用該研磨液的研磨方法。

為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並調配所附圖式作詳細說明如下。

以下，根據情形，參照圖式對本發明的較好實施形態加以說明。此外，圖式說明中，對同一或同等的要素使用同一符號，省略重複說明。

本實施形態的金屬膜用研磨液的特徵在於，其含有金屬的氧化劑、氧化金屬溶解劑、金屬防蝕劑、水溶性聚合物及水，且該水溶性聚合物是丙烯酸與甲基丙烯酸的共聚物。

本實施形態的金屬膜用研磨液於被研磨膜為銅系金屬的情形時可獲得最高的效果。本實施形態中，「銅系金屬」是選自銅、銅合金、銅的氧化物、銅合金的氧化物中的至少一種。銅、銅合金、銅的氧化物、銅合金的氧化物可利用公知的濺鍍法(sputtering)、電鍍法(plating)而成膜。

以下，就製備研磨液時所使用的各成分加以說明。

(水溶性聚合物)

如上所述，本實施形態的金屬膜用研磨液含有丙烯酸與甲基丙烯酸的共聚物作為水溶性聚合物。先前，於各種用途的研磨液中，使用水溶性聚合物作為分散劑或研磨速度的調整劑，但一般認為，無論使用哪種水溶性聚合物時，均具有相同程度的研磨特性的提高效果。然而發現：僅丙烯酸與甲基丙烯酸以特定的共聚合比進行共聚合而成水溶性聚合物可解決上述課題。

以丙烯酸與甲基丙烯酸的合計為基準，丙烯酸與甲基丙烯酸的共聚物中的甲基丙烯酸的共聚合比為1mol%～20mol%，較好的是1mol%～18mol%，更好的是1mol%～15mol%，特好的是1mol%～10mol%。若甲基丙烯酸的共聚合比率為1mol%～20mol%，則不僅可獲得對銅系金屬的良好研磨速度，並且可容易地調整金屬膜用研磨液的黏度等。此外，上述共聚合比可根據原料的單體的莫耳比而求得。另外，自金屬膜用研磨液中單離出水溶性聚合物，使用1H-NMR來定量羧基的質子，藉此可測定共聚合比。

含有丙烯酸與甲基丙烯酸的共聚物的研磨液在25℃下的黏度較好的是0.8mPa‧s～3.5mPa‧s，更好的是0.9mPa‧s～3.0mPa‧s，特好的是1.0mPa‧s～2.5mPa‧s。含有丙烯酸與甲基丙烯酸的共聚物的研磨液的在25℃下的黏度可使用市售的烏式黏度計(Ubbelohde viscometer)進行測定。

但是，將具有疏水性取代基的丙烯酸系單體用於共聚物成分的聚合物具有黏度高、操作性差的傾向。另外，如後所述，於本實施形態的金屬膜用研磨液中，水溶性聚合物較好的是其重量平均分子量高，但上述水溶性聚合物的黏度增高而難以溶解於水中，因而無法明顯地提高重量平均分子量。

就獲得對銅系金屬的良好研磨速度的方面而言，丙烯酸與甲基丙烯酸的共聚物的重量平均分子量Mw較好的是大於等於50000，更好的是大於等於70000，特好的是大於等100000。一般認為伴隨共聚物的重量平均分子量增大，形成於銅系金屬表面的錯合物層的硬度降低，藉此獲得優異的研磨速度。

另外，丙烯酸與甲基丙烯酸的共聚物的重量平均分子量的上限並無特別限制，就在研磨液中的溶解性的觀點而言，通常較好的是小於等於500萬，更好的是小於等於100萬。進而，就高黏度時的操作性優異的方面而言，共聚物的重量平均分子量更好的是小於等於50萬，尤其好的是小於等於40萬，極好的是小於等於30萬。

此外，上述重量平均分子量是利用下述方法進行測定，作為Mw所獲得的值。

使用機器(檢測器)：日立製作所股份有限公司製造，L-3300型液相層析(liquid chromatograph)用示差折射儀(differential refractometer)

泵(pump)：日立製作所股份有限公司製造，L-7100型液相層析用

資料處理：日立製作所股份有限公司製造，D-2520型凝膠滲透層析法(gel permeation chromatograph，GPC)積分器(integrator)

管柱(column)：昭和電工製造，Shodex Asahipak GF-710HQ，內徑為7.6mm×300mm

溶離液：50mM-Na₂ HPO₄ 水溶液/乙腈(acetonitrile)=90/10(v/v)

流量：0.6mL/min

試樣：以與溶離液的組成相同的溶液調整至樹脂成分濃度成為2%，利用0.45μm的聚四氟乙烯(polytetrafluorethylene)過濾器進行過濾

注入量：0.4μL

校正用標準物質：Polymer Laboratories製造，窄分子量分佈的聚丙烯酸鈉

就低研磨荷重下的研磨速度的觀點而言，丙烯酸與甲基丙烯酸的共聚物的利用光散射法所測定的聚合物尺寸較好的是1nm～100nm，更好的是1nm～95nm，特好的是1nm～90nm。

就低研磨荷重下的研磨速度的觀點而言，丙烯酸與甲基丙烯酸的共聚物的利用光散射法所測定的聚合物尺寸的標準偏差較好的是1.0～300，更好的是1.0～280，特好的是1.0～250。

就金屬配線的凹陷得到抑制、研磨布上的被研磨物的蓄積減少的方面而言，丙烯酸與甲基丙烯酸的共聚物的調配量相對於金屬膜用研磨液的總量100g，較好的是大於等於0.001g，更好的是大於等於0.01g，特好的是大於等於0.1g，就降低蝕刻速度、且容易兼顧研磨速度與其面內均勻性的方面而言，較好的是小於等於10g，更好的是小於等於5g，特好的是小於等於2g。

本實施形態中，合成丙烯酸與甲基丙烯酸的共聚物時，較好的是使用於水中混合了有機溶劑(例如2-丙醇)的溶劑進行聚合。

(氧化劑)

本實施形態中所使用的金屬的氧化劑，可列舉：過氧化氫、過硫酸銨、硝酸鐵、硝酸、過碘酸鉀、次氯酸及臭氧水(ozone water)等，該等氧化劑中尤其好的是過氧化氫。該等金屬的氧化劑可單獨使用一種，或者混合兩種或兩種以上進行使用。當應用對象的基板為包含半導體元件的矽基板時，可抑制由鹼金屬、鹼土金屬、鹵化物等所引起的污染，因而較理想的是不包含非揮發成分的氧化劑。其中，臭氧水的組成伴隨時間的變化強烈，因而過氧化氫最合適。當應用對象的基板為不包含半導體元件的玻璃(glass)基板等時，亦可為包含非揮發成分的氧化劑。

金屬的氧化劑的調配量相對於金屬膜用研磨液的總量100g，就金屬膜被充分氧化、研磨速度增加的方面而言，較好的是大於等於0.01g，更好的是大於等於0.1g，特好的是大於等於3.0g，就抑制金屬膜表面的氧化層的厚膜化、研磨速度增加的方面而言，較好的是小於等於60g，更好的是小於等於55g，特好的是小於等於50g。

(氧化金屬溶解劑)

本實施形態中所使用的氧化金屬溶解劑若為可溶解經氧化的金屬錯合物的水溶性化合物，則並無特別限制，例如可列舉：丙二酸(malonic acid)、檸檬酸(citric acid)、蘋果酸(malic acid)、甘醇酸(glycolic acid)、麩胺酸(glutamic acid)、醛糖酸(glyconic acid)、草酸(oxalic acid)、酒石酸(tartaric acid)、吡啶甲酸(picolinic acid)、菸鹼酸(nicotinic acid)、扁桃酸(mandelic acid)、吡啶甲酸、乙酸、甲酸、丁二酸(succinaic acid)、己二酸(adipic acid)、戊二醛(glutaric acid)、苯甲酸(benzoic acid)、喹哪啶酸(quinaldic acid)、丁酸、戊酸(valeric acid)、乳酸、鄰苯二甲酸(phthalic acid)、反丁烯二酸(fumaric acid)、順丁烯二酸(maleic acid)、胺基乙酸、水楊酸(salicylic acid)、甘油酸(glyceric acid)、庚二酸(pimelic acid)等有機酸，該等的有機酸酯、該等有機酸的銨鹽，硫酸、硝酸、磷酸、乙酸、鹽酸等無機酸，該等無機酸的銨鹽等。該等水溶性化合物可單獨使用一種，或者混合兩種或兩種以上進行使用。該等水溶性化合物中，較好的是有機酸，更好的是蘋果酸、檸檬酸、丁二酸。另外，就可維持實用性的研磨速度，並且可有效果地抑制蝕刻速度的方面而言，亦有效的是混合兩種或兩種以上的酸或銨鹽。

氧化金屬溶解劑的調配量相對於金屬膜用研磨液的總量100g，就研磨速度進一步提高的方面而言，較好的是大於等於0.001g，更好的是大於等於0.01g，特好的是大於等於0.05g，就蝕刻速度降低、抑制金屬配線的腐蝕的方面而言，較好的是小於等於10g，更好的是小於等於5g，特好的是小於等於1.0g。

(金屬防蝕劑)

本實施形態中所使用的金屬防蝕劑，可使用可與銅系金屬生成螯合物錯合物而形成防止銅系金屬被過度蝕刻的牢固保護膜的化合物。此種化合物可使用公知的化合物，例如可列舉：具有三唑骨架的化合物、具有咪唑(imidazole)骨架的化合物、具有嘧啶(pyrimidine)骨架的化合物、具有胍(guanidine)骨架的化合物、具有噻唑(thiazole)骨架的化合物、具有吡唑(pyrazole)骨架的化合物。

金屬防蝕劑可單獨使用一種，或者混合兩種或兩種以上進行使用。就可以低防蝕劑濃度來維持實用性的研磨速度與蝕刻速度的平衡(balance)，並且可有效果地抑制研磨摩擦的方面而言，有效的是使用兩種或兩種以上的金屬防蝕劑。

具有三唑骨架的化合物，可例示：1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、3-胺基-1H-1,2,4-三唑、苯幷三唑、1-羥基苯幷三唑、1-二羥基丙基苯幷三唑、2,3-二羧基丙基苯幷三唑、4-羥基苯幷三唑、4-羧基(-1H-)苯幷三唑、4-羧基(-1H-)苯幷三唑甲酯、4-羧基(-1H-)苯幷三唑丁酯、4-羧基(-1H-)苯幷三唑辛酯、5-己基苯幷三唑、[1,2,3-苯幷三唑基-1-甲基][1,2,4-三唑基-1-甲基][2-乙基己基]胺、甲苯三唑、萘酚三唑(naphthotriazole)、雙[(1-苯幷三唑基)甲基]膦酸、3-胺基三唑、5-甲基苯幷三唑等。

具有咪唑骨架的化合物，可列舉：2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-異丙基咪唑、2-丙基咪唑、2-丁基咪唑、4-甲基咪唑、2,4-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-胺基咪唑等。

具有嘧啶骨架的化合物，可列舉：嘧啶、1,2,4-三唑幷[1,5-a]嘧啶、1,3,4,6,7,8-六氫-2H-嘧啶[1,2-a]嘧啶、1,3-二苯基-嘧啶-2,4,6-三酮、1,4,5,6-四氫嘧啶、2,4,5,6-四胺基嘧啶硫酸鹽、2,4,5-三羥基嘧啶、2,4,6-三胺基嘧啶、2,4,6-三氯嘧啶、2,4,6-三甲氧基嘧啶、2,4,6-三苯基嘧啶、2,4-二胺基-6-羥基嘧啶、2,4-二胺基嘧啶、2-乙醯胺嘧啶、2-胺基嘧啶、2-甲基-5,7-二苯基-(1,2,4)三唑幷[1,5-a]嘧啶、2-甲基磺醯基-5,7-二苯基-(1,2,4)三唑幷[1,5-a]嘧啶、2-甲基磺醯基-5,7-二苯基-4,7-二氫-(1,2,4)三唑幷[1,5-a]嘧啶、4-胺基吡唑幷[3,4-d]嘧啶等，尤其就研磨速度、蝕刻速度的方面而言，較好的是4-胺基吡唑幷[3,4-d]嘧啶、1,2,4-三唑幷[1,5-a]嘧啶、2-甲基-5,7-二苯基-(1,2,4)三唑幷[1,5-a]嘧啶、2-甲基磺醯基-5,7-二苯基-(1,2,4)三唑幷[1,5-a]嘧啶等。

具有胍骨架的化合物，可列舉1,3-二苯基胍、1-甲基-3-硝基胍等。

具有噻唑骨架的化合物，可列舉：2-巰基苯幷噻唑(2-mercaptobenzothiazole)、2-胺基噻唑、4,5-二甲基噻唑、2-胺基-2-噻唑啉(2-amino-2-thiazoline)、2,4-二甲基噻唑、2-胺基-4-甲基噻唑等。

具有吡唑骨架的化合物，可列舉：3,5-二甲基吡唑、3-甲基-5-吡唑酮(3-methyl-5-pyrazolone)、3-胺基-5-甲基吡唑、3-胺基-5-羥基吡唑、3-胺基-5-甲基吡唑等。

上述金屬防蝕劑中，就研磨速度與蝕刻速度的方面而言，較好的是具有三唑骨架的化合物。進而，具有三唑骨架的化合物中，更好的是1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、3-胺基-1H-1,2,4-三唑、4-胺基-4H-1,2,4-三唑、苯幷三唑、1-羥基苯幷三唑、5-甲基苯幷三唑。

金屬防蝕劑的調配量相對於金屬膜用研磨液的總量100g，就容易抑制蝕刻的方面而言，較好的是大於等於0.001g，更好的是大於等於0.01g，特好的是大於等於0.02g；就可獲得實用水準的研磨速度的方面而言，較好的是小於等於5.0g，更好的是小於等於2.0g，特好的是小於等於0.5g。

本實施形態的金屬膜用研磨液較好的是酸性。若金屬膜用研磨液的pH過低，則容易產生金屬的腐蝕或被研磨表面的粗糙等問題。若增加金屬防蝕劑的調配量，則有可抑制該等問題發生的傾向，研磨液的pH較好的是大於等於2.0，更好的是大於等於2.5，特好的是大於等於3.0。另外，若pH較高，則金屬的腐蝕作用少，故可降低防蝕劑的調配量，但另一方面存在難以獲得充分的研磨速度的傾向，因而pH較好的是小於等於5.0，更好的是小於等於4.5，特好的是小於等於4.3。

研磨液的pH可以下述方式進行測定：利用pH計(pH meter)(例如，橫河電機股份有限公司製造的Model pH81)，使用標準緩衝液(鄰苯二甲酸鹽pH緩衝液：pH 4.21(25℃)、中性磷酸鹽pH緩衝液：pH 6.86(25℃))，進行兩點校正後，將電極放入研磨液中，經過大於等於2分鐘而穩定後，測定此時的值。

(研磨粒)

本實施形態的金屬膜用研磨液的優點在於：即使實質上不含研磨粒(研磨液中，相對於整體的研磨粒含量實質上為0%)時，亦可進行銅系金屬的研磨。另外，與先前的研磨粒含量較少的研磨液相比而具有下述優點：即使為較低的研磨荷重(例如小於等於7kPa)，亦可獲得良好的研磨速度。

然而，本實施形態的金屬膜用研磨液並非不能含有研磨粒。為了對研磨速度進行若干調整，亦可含有微量的研磨粒。就可抑制平坦性降低的方面而言，研磨粒的含量相對於金屬膜用研磨液整體，較好的是小於等於0.5wt%，更好的是小於等於0.3wt%，特好的是小於等於0.2wt%，尤其好的是小於等於0.1wt%，極好的是小於等於0.05wt%。可用於本實施形態的金屬膜用研磨液中的研磨粒，例如可列舉：氧化矽(silica)、氧化鋁(alumina)、氧化鋯(zirconia)、氧化鈰(ceria)、氧化鈦(titania)、氧化鍺(germania)、碳化矽等無機物研磨粒，聚苯乙烯(polystyrene)、聚丙烯(polyacryl)、聚氯乙烯(polyvinylchloride)等有機物研磨粒等。

本實施形態的金屬膜用研磨液，即使於降低研磨時的研磨荷重的情形時，亦可獲得充分的研磨速度。另外，對形成有配線的圖案晶圓進行研磨時的研磨速度優異。進而，可抑制阻障層的研磨速度，且於金屬鑲嵌製程中，可增大金屬膜的研磨速度相對於阻障層的研磨速度的比，因而可抑制凹陷及侵蝕的發生。

本實施形態的研磨方法是向研磨平台的研磨布上供給上述金屬膜用研磨液，在將基板的被研磨膜按壓於研磨布上的狀態下，使研磨平台與基板相對移動而研磨被研磨膜。

作為研磨裝置，例如可使用具有保持基板的固持器(holder)(頭部(head))、及貼附有研磨布的研磨平台的一般研磨裝置。研磨裝置亦可安裝有可改變轉數的馬達(motor)、或向研磨布上供給研磨液的機構(泵)等。

研磨布並無特別限制，可使用一般的不織布(nonwoven fabric)、發泡聚胺基甲酸酯(polyurethane)、多孔質氟樹脂(porous fluorine resin)等，較好的是實施了用以蓄積金屬膜用研磨液的槽加工的研磨布。

對研磨條件並無特別限制，研磨平台的旋轉速度較好的是小於等於200min^-1 的低旋轉，以使基板不會飛出。將具有被研磨膜的基板按壓於研磨布上的壓力(研磨壓力)並無特別限制，通常在5kPa～50kPa的範圍內適當選擇。對介電常數較小的層間絕緣膜、及使用有該等層間絕緣膜的積層膜進行研磨時，就可提高被研磨面的平坦性的觀點而言，較好的是將研磨壓力設為小於等於30kPa。

為了在將基板的被研磨膜按壓於研磨布上的狀態下使研磨布與被研磨膜相對移動，具體而言，使基板與研磨平台中的至少一者移動即可。除了使研磨平台旋轉以外，亦可使固持器旋轉或搖動來進行研磨。

另外，亦可採用使研磨平台進行行星式旋轉的研磨方法、將帶(belt)狀的研磨布在長度方向的一方向上成直線狀移動的研磨方法等。此外，固持器可為固定、旋轉、搖動中的任一種狀態。該等研磨方法若使研磨布與被研磨膜相對移動，則可根據被研磨面及研磨裝置來適當選擇。

將本實施形態的金屬膜用研磨液供給至研磨裝置的方法，若可在研磨期間用泵等連續地向研磨布供給金屬膜用研磨液，則並無特別限制。進而，研磨液的供給量並無限制，較好的是研磨布的表面一直由金屬膜用研磨液覆蓋。

研磨結束後，較好的是在流水中充分清洗基板，進而使用旋轉乾燥器(spin dryer)等，將附著於基板上的水滴拂落後，使其乾燥。

實施例

以下利用實施例來說明本發明。此外，本發明並非限定於該等實施例。

(共聚物的合成)

(合成例1)

在具備攪拌機、回流冷卻管、溫度計、氮氣導入口及單體滴加口的1升可分離式燒瓶(separable flask)中投入去離子水(deionized water)240g及2-丙醇30g，一面以30mL/min將氮氣導入液面，一面進行攪拌，在油浴(oil bath)中升溫至85℃。然後，製備混合有丙烯酸313.6g、甲基丙烯酸3.78g及去離子水222.6g的混合液，再於該混合液中溶解4,4'-偶氮雙氰基戊酸(4,4'-azobiscyanovaleric acid)(和光純藥製造，商品名：V-501)4g。將該溶液用2小時滴加至上述燒瓶內。接著，在85℃下保溫2小時後，加以冷卻，從而獲得丙烯酸(AA)/甲基丙烯酸(MA)共聚物a。

(合成例2)

除了將在丙烯酸305g、甲基丙烯酸19g及去離子水216g的混合液中溶解有4,4'-偶氮雙氰基戊酸4g的溶液滴加至燒瓶內以外，利用與合成例1相同的方法而獲得丙烯酸/甲基丙烯酸共聚物b。

(合成例3)

除了將在丙烯酸286.4g、甲基丙烯酸38g及去離子水215.6g的混合液中溶解有4,4'-偶氮雙氰基戊酸4g的溶液滴加至燒瓶內以外，利用與合成例1相同的方法而獲得丙烯酸/甲基丙烯酸共聚物c。

(合成例4)

除了將在丙烯酸254.6g、甲基丙烯酸76g及去離子水209.4g的混合液中溶解有4,4'-偶氮雙氰基戊酸4g的溶液滴加至燒瓶內以外，利用與合成例1相同的方法而獲得丙烯酸/甲基丙烯酸共聚物d。

(合成例5)

除了將在丙烯酸305g、甲基丙烯酸19g及去離子水216g的混合液中溶解有4,4'-偶氮雙氰基戊酸2g的溶液滴加至燒瓶內以外，利用與合成例1相同的方法而獲得丙烯酸/甲基丙烯酸共聚物e。

(合成例6)

除了將在丙烯酸305g、甲基丙烯酸19g及去離子水216g的混合液中溶解有4,4'-偶氮雙氰基戊酸0.7g的溶液滴加至燒瓶內以外，利用與合成例1相同的方法而獲得丙烯酸/甲基丙烯酸共聚物f。

(合成例7)

除了將在丙烯酸100g中溶解有偶氮雙異丁腈(azobisisobutyronitrile)1.0g的溶液滴加至燒瓶內以外，利用與合成例1相同的方法而獲得丙烯酸均聚物g。

(合成例8)

除了將在丙烯酸305g、甲基丙烯酸19g及去離子水216g的混合液中溶解有偶氮雙異丁腈(關東科學製造，試劑)4g的溶液滴加至燒瓶內以外，利用與合成例2相同的方法而獲得丙烯酸/甲基丙烯酸共聚物h。

(合成例9)

在具備攪拌機、回流冷卻器、溫度計及單體滴加口的1升四口燒瓶中添加去離子水575g、及0.15wt%的FeSO₄ ‧7H₂ O 5g，獲得溶液。接著製備含有甲基丙烯酸10.9g及丙烯酸173.7g的單體混合物184.6g後，一面在60℃下攪拌上述溶液，一面在上述溶液中添加單體混合物20g。接著，將上述溶液保持為65℃，將溶解於去離子水10g中的0.5g過硫酸鈉、及溶解於去離子水30g中的4g偏亞硫酸氬鈉以固定速度分別用130分鐘添加於上述溶液中。

於過硫酸鈉及偏亞硫酸氫鈉的添加結束10分鐘後，在72℃下用120分鐘以固定速度添加剩餘的單體混合物。進而，將溶液在72℃下保持10分鐘後，冷卻至62℃。接著，添加溶解於去離子水5g中的0.12g過硫酸鈉。將該溶液在62℃下保持10分鐘後，開始攪拌。在所攪拌的溶液中添加50%氫氧化鈉20.2g及30%過氧化氫2.7g。接著，添加溶解於去離子水5g中的0.25g異抗壞血酸(isoascorbic acid)。將溶液在62℃下保持5分鐘後，冷卻至25℃，從而獲得丙烯酸/甲基丙烯酸共聚物i。

(合成例10)

在具備攪拌機、回流冷卻管、溫度計、氮氣導入口及單體滴加口的1升可分離式燒瓶中投入去離子水240g及2-丙醇30g，一面以100mL/min將氮氣導入液中，一面攪拌10分鐘，然後將氮氣導入口移動至液面，一面以30mL/min導入氮氣，一面在油浴中升溫至85℃。然後，製備混合有丙烯酸305g、甲基丙烯酸19g及去離子水218g的混合液，再於該混合液中溶解過硫酸銨4g。將該溶液用2小時滴加至上述燒瓶內。接著，在85℃下保溫2小時後，加以冷卻，從而獲得丙烯酸/甲基丙烯酸共聚物j。

(合成例11)

除了製備含有甲基丙烯酸109g及丙烯酸91g的單體混合物200g以外，利用與合成例9相同的方法而獲得丙烯酸/甲基丙烯酸共聚物k。

(合成例12)

在具備攪拌機、回流冷卻管、溫度計、氮氣導入口及單體滴加口的1升可分離式燒瓶中投入去離子水150g及2-丙醇150g，一面以30mL/min將氮氣導入液面，一面進行攪拌，在油浴中升溫至85℃。然後，製備混合有丙烯酸66.1g、甲基丙烯酸33.9g的混合液，再於該混合液中溶解2,2'-偶氮雙異丁腈0.85g。將該溶液用1.5小時滴加至上述燒瓶內。接著，在85℃下保溫2小時後，加以冷卻，從而獲得丙烯酸/甲基丙烯酸共聚物1。

(合成例13)

除了將在丙烯酸45.6g及甲基丙烯酸54.4g的混合液中溶解有2,2'-偶氮雙異丁腈0.9g的溶液滴加至燒瓶內以外，利用與合成例12相同的方法而獲得丙烯酸/甲基丙烯酸共聚物m。

(合成例14)

除了將在丙烯酸26.4g及甲基丙烯酸73.6g的混合液中溶解有2,2'-偶氮雙異丁腈0.95g的溶液滴加至燒瓶內以外，利用與合成例12相同的方法而獲得丙烯酸/甲基丙烯酸共聚物n。

(合成例15)

除了將在甲基丙烯酸100g中溶解有2.2'-偶氮雙異丁腈1.0g的溶液滴加至燒瓶內以外，利用與合成例12相同的方法而獲得甲基丙烯酸均聚物o。

(實施例1-1)

相對於研磨液總重量，添加檸檬酸0.21wt%、苯幷三唑0.11wt%、丙烯酸/甲基丙烯酸共聚物a(共聚合比：AA/MA=99/1，重量平均分子量Mw：16萬)0.84wt%、過氧化氫(試劑特級)10wt%及純水，調配為100wt%，然後添加濃度為25wt%的氨水，調整pH為3.5(研磨液A)。

(實施例1-2)

使用共聚合比不同的丙烯酸/甲基丙烯酸共聚物b(共聚合比：AA/MA=95/5，重量平均分子量Mw：16萬)，來代替實施例1-1中的丙烯酸/甲基丙烯酸共聚物a。除了替換共聚合比以外，以與實施例1-1相同的組成、調配量、順序來獲得pH為3.5的研磨液(研磨液B)。

(實施例1-3)

使用共聚合比不同的丙烯酸/甲基丙烯酸共聚物c(共聚合比：AA/MA=90/10，重量平均分子量Mw：16萬)，來代替實施例1-1中的丙烯酸/甲基丙烯酸共聚物a。除了替換共聚合比以外，以與實施例1-1相同的組成、調配量、順序來獲得pH為3.5的研磨液(研磨液C)。

(實施例1-4)

使用共聚合比不同的丙烯酸/甲基丙烯酸共聚物d(共聚合比：AA/MA=80/20，重量平均分子量Mw：16萬)，來代替實施例1-1中的丙烯酸/甲基丙烯酸共聚物a。除了替換共聚合比以外，以與實施例1-1相同的組成、調配量、順序來獲得pH為3.5的研磨液(研磨液D)。

(實施例1-5)

使用重量平均分子量Mw不同的丙烯酸/甲基丙烯酸共聚物e(共聚合比：AA/MA=95/5，重量平均分子量Mw：30萬)，來代替實施例1-2中的丙烯酸/甲基丙烯酸共聚物b。除了替換重量平均分子量以外，以與實施例1-2相同的組成、調配量、順序來獲得pH為3.5的研磨液(研磨液E)。

(實施例1-6)

使用重量平均分子量Mw不同的丙烯酸/甲基丙烯酸共聚物f(共聚合比：AA/MA=95/5，重量平均分子量Mw：100萬)，來代替實施例1-2中的丙烯酸/甲基丙烯酸共聚物b。除了替換重量平均分子量以外，以與實施例1-2相同的組成、調配量、順序來獲得pH為3.5的研磨液(研磨液F)。

(實施例1-7)

於實施例1-2的研磨液B中，進而以相對於研磨液整體而成為0.26wt%之方式調配平均粒徑為35nm的膠體氧化矽(colloidal silica)研磨粒，從而獲得pH為3.5的研磨液(研磨液G)。此外，膠體氧化矽可藉由四乙氧基矽烷(tetraethoxysilane)在氨溶液中的水解而製作。

(比較例1-1)

使用丙烯酸的均聚物g(重量平均分子量Mw：16萬)，來代替實施例1-1中的丙烯酸/甲基丙烯酸共聚物a。除了使用丙烯酸均聚物來代替丙烯酸/甲基丙烯酸共聚物以外，以與實施例1-1相同的組成、調配量、順序而獲得pH為3.5的研磨液(研磨液H)。

以如下所示的方法，測定實施例1-1～1-7、比較例1-1中所使用的丙烯酸/甲基丙烯酸共聚物及丙烯酸均聚物的重量平均分子量(Mw)、及研磨液A～H的研磨性能。

(重量平均分子量的測定條件)

重量平均分子量是利用下述方法進行測定，讀取所獲得的值作為「Mw」。

使用機器(檢測器)：日立製作所股份有限公司製造，L-3300型液相層析用示差折射儀

泵：日立製作所股份有限公司製造，L-7100型液相層析用

資料處理：日立製作所股份有限公司製造，D-2520型GPC積分器

管柱：昭和電工製造，Shodex Asahipak GF-710HQ，內徑為7.6mm×300mm

溶離液：50mM-Na₂ HPO₄ 水溶液/乙腈=90/10(v/v)

流量：0.6mL/min

試樣：以與溶離液的組成相同的溶液調整至樹脂成分濃度成為2%，用0.45μm的聚四氟乙烯過濾器進行過濾

注入量：0.4μL

(研磨條件)

基體(I)：無圖案且直徑為8英吋的附銅膜的毯覆式矽基板

層構造：矽基板/層間絕緣膜(二氧化矽，平均膜厚為300nm)/阻障層(氮化鉭，平均膜厚為25nm)/金屬層(銅，平均膜厚為1.5μm)

基體(II)：無圖案且直徑為8英吋的附氮化鉭的毯覆式矽基板

層構造：矽基板/層間絕緣膜(二氧化矽，平均膜厚為300nm)/阻障層(氮化鉭，平均膜厚為150nm)

基體(III)：附圖案且直徑為8英吋的矽基板(ATDF製造的854CMP圖案)

層構造：形成有深度為0.5μm的槽的矽基板/層間絕緣膜(二氧化矽，平均膜厚為300nm)/阻障層(氮化鉭，平均膜厚為25nm)/金屬層(銅，平均膜厚為850nm)

此外，上述基體(III)中，利用化學氣相沈積(chemical vapor deposit，CVD)法在矽基板上形成厚度300nm的二氧化矽膜來作為層間絕緣膜。在該層間絕緣膜上，利用光微影法(photolithography)以寬度為100μm且深度為0.5μm的槽部(對應於配線金屬部)、寬度為100μm的隆起部(對應於層間絕緣部)交替排列之方式形成階差部。

進而，沿層間絕緣膜的表面，利用濺鍍法形成平均膜厚為25nm的氮化鉭膜作為阻障層。在上述氮化鉭膜上，利用電鍍法以將上述槽部全部填埋之方式形成850nm的銅膜作為金屬層，從而獲得圖1的剖面示意圖所示的基體(III)。此外，圖1中，1為矽基板，2為層間絕緣膜，3為阻障層，4為銅膜。

(研磨條件)

研磨布：Rodel公司製造，型號IC1010

研磨壓力：21.0kPa、14.0kPa、7.0kPa

研磨平台轉數：93min^-1

安裝有晶圓的頭部轉數：87min^-1

研磨液供給量：200mL/min

(研磨液的評價項目)

(1)銅研磨速度：根據片電阻值進行換算，求出用上述研磨液以研磨壓力為21.0kPa或14kPa或7kPa的條件對基體(I)實施1分鐘CMP研磨前後的銅膜厚度差。接著，利用該銅膜厚度差與研磨時間來算出銅研磨速度。

(2)氮化鉭(TaN)研磨速度：根據片電阻值進行換算，求出用上述研磨液以研磨壓力為14kPa的條件對基體(II)實施1分鐘CMP研磨前後的銅膜厚度差。接著，利用該銅膜厚度差與研磨時間來算出銅研磨速度。

另外，研磨速度比算出為銅研磨速度/氮化鉭研磨速度(研磨荷重均為：14kPa時)。此外，銅、氮化鉭膜厚測定可使用電阻測定器VR-120/08S(日立國際電氣公司製造)而進行。

(3)基體(III)研磨時間：對基體(III)進行研磨時，自研磨開始直至在整個表面上露出氮化鉭的阻障層為止的時間。

(4)凹陷量：進行研磨，直至在基體(III)的整個表面上露出氮化鉭的阻障層。接著，利用觸針式輪廓儀(stylus profilometer)，根據配線金屬部寬度100μm、絕緣膜部寬度100μm交替排列的條紋(stripe)狀圖案部的階差部的表面形狀，而求得槽部相對於隆起部的膜減少量來作為凹陷量。

(5)侵蝕量：進行研磨，直至在基體(III)的整個表面上露出氮化鉭的阻障層。利用觸針式輪廓儀對寬度為9μm的配線金屬部、寬度為1μm的層間絕緣膜部交替排列而成的條紋狀圖案部的表面形狀進行測定，根據將條紋狀圖案部外沿的層間絕緣膜部作為基準時的條紋狀圖案部的層間絕緣膜的研磨量而求得。

此外，凹陷、侵蝕的測定是使用輪廓儀P16-OF(KLA Tencor公司製造)而進行。

上述評價項目(1)～(5)的評價結果示於表1。

根據表1可知，對於使用有丙烯酸/甲基丙烯酸共聚物的研磨液A、B、C、D、E，當研磨荷重為21.0kPa、14.0kPa、7.0kPa時，銅毯覆式晶圓的研磨速度均表現出較高的研磨速度。另一方面，阻障膜的研磨速度均小於等於1nm/min，較低，研磨速度比均超過1000，表現出較高研磨速度比。

另外瞭解到：研磨液A、B、C、D、E的圖案晶圓的研磨特性中，均顯示出良好的凹陷特性，侵蝕量亦為10～12nm，表現出良好的平坦化特性。

使用有重量平均分子量Mw=1000000的丙烯酸/甲基丙烯酸共聚物的研磨液F，其銅毯覆式晶圓的研磨速度於研磨荷重為21.0kPa、14.0kPa、7.0kPa時，均表現出較高的研磨速度，但與研磨液A、B、C、D、E相比，研磨速度稍稍降低。

於使用有丙烯酸的均聚物的研磨液H中，銅毯覆式晶圓的研磨速度與使用有丙烯酸/甲基丙烯酸的共聚物的研磨液相比，於研磨荷重為21.0kPa、14.0kPa、7.0kPa中的任一者時均降低。另外，研磨液H中，圖案晶圓的研磨時間為282秒，與研磨液A、B、C、D、E相比變長。

在使用有丙烯酸/甲基丙烯酸共聚物的研磨液中進而添加有膠體氧化矽研磨粒的研磨液G，其對銅的研磨速度提高，但同時阻障膜的研磨速度亦提高，結果導致研磨速度比降低為94。另外，圖案晶圓中的侵蝕量與研磨液A、B、C及D相比增大，平坦化特性惡化。

(實施例2-1)

以與實施例1-2相同的組成、調配量、順序而獲得pH為3.5的研磨液(研磨液I)。

(實施例2-2～2-4、比較例2-1)

除了如表2所示使用丙烯酸/甲基丙烯酸共聚物h～k來代替共聚物b以外，以與實施例2-1相同的組成、調配量、順序而獲得pH為3.5的研磨液(研磨液J～M)。

在以下測定條件下，測定實施例2-1～2-4、比較例2-1中所使用的丙烯酸/甲基丙烯酸共聚物及甲基丙烯酸均聚物的聚合平均分子量(Mw)、聚合物尺寸及聚合物尺寸的標準偏差、以及研磨液I～M的黏度。

利用上述方法對重量平均分子量(Mw)進行測定。共聚物b、h～k由於在圖表中具有排除極限波峰(peak)或與主波峰重複，因而無法讀取測定裝置中所顯示的Mw的值，僅記作「具有排除極限波峰」。例如，共聚物b如上述表1中所記載，在測定裝置上讀取Mw=160000的值，但在圖表上存在排除極限波峰，超過測定極限的分子量較大的分子被檢測為相對較小的分子量的分子。因此，僅瞭解到共聚物b的分子量為大於等於160000，因而在表2及表3中，僅記作「具有排除極限波峰」。

(黏度的測定條件)

測定溫度：25℃

測定：使用烏式黏度計。

(利用光散射法所測定的聚合物尺寸及其標準偏差的測定條件)

測定溫度：25℃

測定波長：633.0nm

池類型：毛細管池

檢測角度：90.00deg

測定方法：獲得使丙烯酸/甲基丙烯酸共聚物或甲基丙烯酸均聚物以濃度成為1.5wt%之方式溶解於純水中，進而以25%氨水將pH調整為9.0的溶液。接著，使用0.5μm的過濾器將該溶液過濾後，利用光散射法來測定聚合物尺寸及其標準偏差。

使用研磨液I～M，與上述研磨液A～H同樣地，利用上述評價項目(1)～(5)對研磨特性進行評價。此外，實施例2-1～2-4、比較例2-1中的上述測定及評價是在同一天進行。研磨液I～M的評價結果示於表2。

(實施例3-1)

以與實施例1-2相同的組成、調配量、順序而獲得pH為3.5的研磨液(研磨液N)。

(比較例3-1～3-4)

除了如表3所示使用丙烯酸/甲基丙烯酸共聚物1～o代替共聚物b以外，以與實施例3-1相同的組成、調配量、順序而獲得pH為3.5的研磨液(研磨液O～R)。

在上述測定條件下，測定實施例3-1、比較例3-1～3-4中所使用的丙烯酸/甲基丙烯酸共聚物及甲基丙烯酸均聚物的重量平均分子量(Mw)、聚合物尺寸及聚合物尺寸的標準偏差、以及研磨液N～R的黏度。使用GPC法測定重量平均分子量(Mw)，但對於共聚物b，由於認為包含排除極限波峰，故不讀取Mw的值，而記作「具有排除極限波峰」。

使用研磨液N～R，與上述研磨液A～H同樣地，利用上述評價項目(1)～(5)對研磨特性進行評價。此外，實施例3-1、比較例3-1～3-4中的上述測定及評價是在同一天進行。研磨液N～R的評價結果示於表3。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

1．．．矽基板

2．．．層間絕緣膜

3．．．阻障層

4．．．銅膜

圖1是實施例中的研磨性能的評價中所使用的基體的示意剖面圖。

1．．．矽基板

2．．．層間絕緣膜

3．．．阻障層

4．．．銅膜

Claims

一種金屬膜用研磨液，其含有氧化劑、氧化金屬溶解劑、金屬防蝕劑、水溶性聚合物及水，並且上述水溶性聚合物是丙烯酸與甲基丙烯酸的共聚物，且以上述丙烯酸與上述甲基丙烯酸的合計為基準，上述共聚物中的上述甲基丙烯酸的共聚合比率為1莫耳百分比~20莫耳百分比，上述金屬膜用研磨液在25℃的黏度為0.5mPa‧s~3.5mPa‧s。
一種金屬膜用研磨液，其含有氧化劑、氧化金屬溶解劑、金屬防蝕劑、水溶性聚合物及水，並且上述水溶性聚合物是丙烯酸與甲基丙烯酸的共聚物，且以上述丙烯酸與上述甲基丙烯酸的合計為基準，上述共聚物中的上述甲基丙烯酸的共聚合比率為1莫耳百分比~20莫耳百分比，利用光散射法所測定的上述共聚物的聚合物尺寸為1nm~100nm。
如申請專利範圍第2項所述之金屬膜用研磨液，其中上述金屬膜用研磨液在25℃的黏度為0.5mPa‧s~3.5mPa‧s。
如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之金屬膜用研磨液，其中利用光散射法所測定的上述共聚物的聚合物尺寸的標準偏差為1~300。
如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之金屬膜用研磨液，其中以研磨液整體為基準，研磨粒的含量為0重量百分比~0.5重量百分比。
如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之金屬膜用研磨液，其pH為2.0~5.0。
如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之金屬膜用研磨液，其中上述共聚物的重量平均分子量Mw為50000~500000。
一種研磨方法，其是向研磨平台的研磨布上供給如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述之金屬膜用研磨液，在將基板的被研磨面按壓於上述研磨布上的狀態下，使上述研磨平台與上述基板相對移動而研磨上述被研磨面。