TWI475925B - 場發射式顯示面板 - Google Patents

Description

場發射式顯示面板

本發明是有關於一種顯示面板，且特別是有關於一種場發射式顯示面板。

一般來說，場發射式顯示面板主要是在超高真空的環境(小於10^-6 陶爾)下，於陰極上製作電子發射端(electron emitter)，並利用電子發射端中高深寬比(high aspect ratio)的微結構來幫助電子克服陰極的功函數(work function)而脫離陰極。另外，在場發射顯示面板中，若在陽極上塗佈螢光粉，並藉由陰極與陽極之間的高電場使電子由陰極的電子發射端導出，透過電場的作用而直接撞擊陽極上的螢光粉，即可以發出可見光。

目前的場發射式顯示面板所面臨的問題是，顯示面板之發光亮度的均勻度不足。換言之，在傳統的場發射式顯示面板中，部分區域的電子發射端的電流與另一部份區域的電子發射端的電流會有明顯的差異，如此將造成顯示面板之整體的發光亮度的均勻度不佳。

本發明提供一種場發射式顯示面板，其可以改善傳統場發射式顯示面板發光亮度的均勻度不足的問題。

本發明提出一種場發射式顯示面板，其包括基板、第一電阻元件、第一導電圖案、電子發射元件、第二電阻元件、第二導電圖案以及導電層。基板至少具有顯示區與非顯示區，且顯示區至少包括第一子畫素區及第二子畫素區。第一電阻元件設置於第一子畫素區及第二子畫素區中，其中第一子畫素區中的第一電阻元件的電阻值不同於第二子畫素區中的第一電阻元件的電阻值。第一導電圖案連接第一子畫素區中的第一電阻元件的一端與第二子畫素區中的第一電阻元件的一端。電子發射元件設置於第一子畫素區及第二子畫素區中，且連接第一子畫素區中的第一電阻元件的另一端與第二子畫素區中的第一電阻元件的另一端。第二電阻元件設置於第一子畫素區及第二子畫素區中，其中第一子畫素區中的第二電阻元件的電阻值不同於第二子畫素區中的第二電阻元件的電阻值。第二導電圖案連接第一子畫素區中的第二電阻元件的一端與第二子畫素區中的第二電阻元件的一端。導電層連接第一子畫素區中的第二電阻元件的另一端與第二子畫素區中的第二電阻元件的另一端，其中導電層環繞且浮接於電子發射元件。

本發明另提出一種場發射式顯示面板，包括基板、第一導電層、電阻材料層、絕緣層、電子發射元件以及第二導電層。基板至少包括顯示區與非顯示區。第一導電層設置於顯示區中，且第一導電層包括第一電極線以及與第一電極線電性連接之第一電極。電阻材料層位於顯示區中的第一導電層上。絕緣層覆蓋於顯示區中的電阻材料層上，且絕緣層具有第一開口以及第二開口，第一開口暴露出位在第一電極上方的部份電阻材料層，第二開口暴露出位在第一電極線上方的部份電阻材料層。電子發射元件設置於被第一開口所暴露出來的電阻材料層上。第二導電層設置於絕緣層上及第二開口中，其中第二導電層包括第二電極線以及與第二電極線電性連接之第二電極，且第二電極具有第三開口以暴露出電子發射元件，而第二電極線與第一電極線至少定義出第一子畫素區與第二子畫素區。

基於上述，本發明在場發射式顯示面板之第一子畫素區與第二子畫素區各自設置了第一電阻元件以及第二電阻元件。特別是，第一子畫素區中的第一電阻元件的電阻值不同於第二子畫素區中的第一電阻元件的電阻值，且第一子畫素區中的第二電阻元件的電阻值不同於第二子畫素區中的第二電阻元件的電阻值。上述之第一電阻元件以及第二電阻元件的設置可以降低場發射式顯示面板之第一子畫素區與第二子畫素區中之電子發射元件所產生的電流的差異，進而改善場發射式顯示面板之發光亮度的均勻度。

為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1是根據本發明一實施例之場發射式顯示面板的上視示意圖。請參照圖1，本實施例之場發射式顯示面板包括基板100。根據本實施例，基板100之材質可為玻璃、石英、聚合物、或是不透光/反射材料(例如：導電材料、金屬、晶圓、陶瓷、或其它可適用的材料)、或是其它可適用的材料。基板100至少具有顯示區A與非顯示區B，且非顯示區B是圍繞在顯示區A的周圍。另外，在顯示區A中具有多個陣列排列的子畫素區。在圖1中僅標示出第一子畫素區P1及第二子畫素區P2以詳細說明。第一子畫素區P1及第二子畫素區P2是分別位於顯示區A的邊緣以及中央為例來說明，但本發明不限於此。根據其他實施例，第一子畫素區P1及第二子畫素區P2也可以都位於顯示區A的邊緣，或是都位於靠近顯示區A的中央。

以下將先針對上述第一子畫素區P1內之結構作詳細說明。圖2A是圖1之場發射式顯示面板之第一子畫素區的等效電路圖。圖2B是圖1之場發射式顯示面板之第一子畫素區的上視示意圖。圖2C是圖2B之沿著剖面線I-I’以及II-II’的剖面示意圖。

請同時參照圖2A、圖2B以及圖2C，在第一子畫素區P1中包括設置有第一導電層102、電阻材料層103、絕緣層104、電子發射元件110-1以及第二導電層106。

第一導電層102包括第一電極線102b-1以及與第一電極線102b-1電性連接之第一電極102a-1。在此，第一導電層102之第一電極102a-1可稱為第一導電圖案，且第一導電層102之第一電極線102b-1可稱為第二導電圖案。因此，在本實施例中，第一導電圖案(第一電極102a-1)與第二導電圖案(第一電極線)102b-1是由同一膜層(第一導電層)102所構成，但本發明不限於此。根據其他的實施例，第一導電圖案(第一電極102a-1)與第二導電圖案(第一電極線)102b-1也可以是由不同膜層所構成。基於導電性的考量，第一導電層102一般是使用金屬材料。然，本發明不限於此，根據其他實施例，第一導電層102也可以使用其他導電材料。例如：合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其它合適的材料)、或是金屬材料與其它導電材料的堆疊層。

電阻材料層103位於第一導電層102上。根據本實施例，電阻材料層103包括矽、非晶矽、結晶矽、矽化物、類鑽石碳(diamond-like carbon,DLC)、碳化矽、非晶碳、陶瓷材料(例如：金屬陶瓷(cermet)、或其它具有相同性質的材料)、半導體氧化物、半導體氮化物、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、上述材料具有多孔性、或是其他適用的電阻材料、或是上述材料的任二種組合。電阻材料層103在第一導電圖案(第一電極102a-1)之上方是作為第一電阻元件Ra-1，且第一電阻元件Ra-1的一端連接第一導電圖案102a-1。電阻材料層103在第二導電圖案(第一電極線)102b-1上方是作為第二電阻元件Rb-1，且第二電阻元件Rb-1的一端連接第二導電圖案102b-1。另外，當第一電阻元件Ra-1與第二電阻元件Rb-1投影至基板100上時，第一電阻元件Ra-1不與第二電阻元件Rb-1重疊。

絕緣層104覆蓋電阻材料層103，且絕緣層104具有第一開口Oa-1以及第二開口Ob-1。第一開口Oa-1暴露出位在第一電極(第一導電圖案)102a-1上方的部份電阻材料層103，且第二開口Ob-1暴露出位在第一電極線(第二導電圖案)102b-1上方的部份電阻材料層103。

電子發射元件110-1是設置於被絕緣層104之第一開口Oa-1所暴露出來的電阻材料層103上。因此，電子發射元件110-1是連接第一子畫素區P1中的第一電阻元件Ra-1的另一端。電子發射元件110-1可為金屬材料的錐體、奈米碳管電子發射端、或是其他種尖端放電形式之電子發射端、或是上述二種發射端的組合。本發明不限在第一子畫素區域P1中所設置的電子發射元件110-1的數目。換言之，在第一子畫素區域P1中所設置的電子發射元件110-1的數目可以比圖式所繪示的數目更多。再者，本發明也不限在第一子畫素區域P1中所設置的電子發射元件110-1所存在的區域僅當作一個電子發射區。換言之，在第一子畫素區域P1中可設置多個電子發射區。

第二導電層106設置於絕緣層104上且填入第二開口Ob-1中。根據本實施例，第二導電層106更接觸位於第二開口Ob-1中的電阻材料層103之表面。另外，第二導電層106環繞且浮接於電子發射元件110-1。換言之，第二導電層106環繞在電子發射元件110-1的四周且與電子發射元件110-1不連接在一起。

根據本實施例，第二導電層106包括第二電極線106b-1以及與第二電極線106b-1電性連接之第二電極106a-1。第二導電層106之第二電極106a-1具有第三開口Oc-1以暴露出電子發射元件110-1，而第二導電層106之第二電極線106b-1連接第一子畫素區P1中的第二電阻元件Rb-1的另一端。另外，絕緣層104是位於第二導電層106之下且未遮蔽電子發射元件110-1。而且第二導電層106是位於第一電阻元件Ra-1、第二電阻元件Rb-1、第一導電圖案102a-1與第二導電圖案102b-1之上。基於導電性的考量，第二導電層106一般是使用金屬材料。然，本發明不限於此，根據其他實施例，第二導電層106也可以使用其他導電材料。例如：合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其它合適的材料)、或是金屬材料與其它導電材料的堆疊層。

根據本實施例，上述第二電極線106b-1的延伸方向與第一電極線102b-1的延伸方向不平行，較佳的是，第二電極線106b-1的延伸方向與第一電極線102b-1的延伸方向垂直。因此，第二電極線106b-1與第一電極線102b-1定義出第一子畫素區P1。另外，在此實施例中，第一子畫素區P1中的第二開口Ob-1是位於第一電極線102b-1與第二電極線106b-1交錯處。

在圖2B之實施例中，第一子畫素區P1中的第一導電層102是包括第一電極線102b-1以及第一電極102a-1。然，本發明不限於此。根據其他實施例，如圖2D所示，第一子畫素區P1中的第一導電層102除了包括第一電極102a-1之外，第一電極線是由102b-1以及102c-1所構成。第一電極線102c-1與第一電極102a-1之連接處具有間隙，以使得第一電極線102c-1與第一電極102a-1分離。而暴露出第二電阻元件Rb-1之第二開口Ob-1是對應設置在第一電極線102c-1與第二電極線106b-1之交錯處。在此，第一電極線102c-1與第一電極線102b-1可以各自連接到對應電壓Va-1、Vb-1，而電壓Va-1、Vb-1可以相同或是不相同。

在本實施例之第一子畫素區P1中，如圖2A所示，當外部電路給予第一子畫素區P1電壓V1時，經外部線路之電阻Ro-1消耗之後進入第一子畫素區域P1之電壓值為Vg-1，而電壓Vg-1以及電壓HV1將驅動電子發射元件110-1產生放電。

接著，是針對本實施例之場發射式顯示面板之第二子畫素區P2內之結構作詳細說明。圖3A是圖1之場發射式顯示面板之第二子畫素區的等效電路圖。圖3B是圖1之場發射式顯示面板之第二子畫素區的上視示意圖。圖3C是圖3B之沿著剖面線I-I’以及II-II’的剖面示意圖。

請同時參照圖3A、圖3B以及圖3C，在第二子畫素區P2中包括設置有第一導電層102、電阻材料層103、絕緣層104、電子發射元件110-2以及第二導電層106。

第一導電層102包括第一電極線102b-2以及與第一電極線102b-2電性連接之第一電極102a-2。在此，第一導電層102之第一電極102a-2可稱為第一導電圖案，且第一導電層102之第一電極線102b-2可稱為第二導電圖案。因此，在本實施例中，第一導電圖案(第一電極102a-2)與第二導電圖案(第一電極線)102b-2是由同一膜層(第一導電層)102所構成。

類似地，第二子畫素區P2之電阻材料層103位於第一導電層102上。電阻材料層103在第一導電圖案(第一電極102a-2)之上方是作為第一電阻元件Ra-2，且第一電阻元件Ra-2的一端連接第一導電圖案102a-2。電阻材料層103在第二導電圖案(第一電極線)102b-2上方是作為第二電阻元件Rb-2，且第二電阻元件Rb-21的一端連接第二導電圖案102b-2。另外，當第一電阻元件Ra-2與第二電阻元件Rb-2投影至基板100上時，第一電阻元件Ra-2不與第二電阻元件Rb-2重疊。

值得一提的是，在此場發射式顯示面板中，第一子畫素區P1中的第一電阻元件Ra-1的電阻值不同於第二子畫素區中P2的第一電阻元件Ra-2的電阻值。而且，第一子畫素區P1中的第二電阻元件Rb-1的電阻值不同於第二子畫素區P2中的第二電阻元件Rb-2的電阻值。

絕緣層104覆蓋電阻材料層103，且絕緣層104具有第一開口Oa-2以及第二開口Ob-2。第一開口Oa-2暴露出位在第一電極(第一導電圖案)102a-2上方的部份電阻材料層103，且第二開口Ob-2暴露出位在第一電極線(第二導電圖案)102b-2上方的部份電阻材料層103。

值得一提的是，根據一實施例，第一子畫素區P1中的第一開口Oa-1投影至基板100的面積實質上不同於在第二子畫素區P2中的第一開口Oa-2投影至基板100的面積。然，本發明不限於此，在其他實施例中，第一子畫素區P1中的第一開口Oa-1投影至基板100的面積與在第二子畫素區P2中的第一開口Oa-2投影至基板100的面積相當。另外，根據一實施例，第一子畫素區P1中的第二開口Ob-1投影至基板110的面積實質上不同於在第二子畫素區P2中的第二開口Ob-2投影至基板100的面積。然，本發明不限於此，在其他實施例中，第一子畫素區P1中的第二開口Ob-1投影至基板110的面積也可以與第二子畫素區P2中的第二開口Ob-2投影至基板100的面積相當。

電子發射元件110-2是設置於被絕緣層104之第一開口Oa-2所暴露出來的電阻材料層103上。因此，電子發射元件110-2連接第二子畫素區P2中的第一電阻元件Ra-2的另一端。電子發射元件110-2可為金屬材料的錐體、奈米碳管電子發射端、或是其他種尖端放電形式之電子發射端、或是上述二種發射端的組合。本發明不限在第二子畫素區P2中所設置的電子發射元件110-2的數目。換言之，在第二子畫素區P2中所設置的電子發射元件110-2的數目可以比圖式所繪示的數目更多。再者，本發明也不限在第一子畫素區域P1中所設置的電子發射元件110-1所存在的區域僅當作一個電子發射區。換言之，在第一子畫素區域P1中可設置多個電子發射區。另外，第二導電層106環繞且浮接於電子發射元件110-2。換言之，第二導電層106環繞在電子發射元件110-2的四周且與電子發射元件110-2不連接在一起。

值得一提的是，在第一子畫素區P1中的電子發射元件110-1的面積實質上不同於在第二子畫素區P2中的電子發射元件110-2面積。但是，本發明不限於此，根據其他實施例，在第一子畫素區P1中的電子發射元件110-1的面積實質上與第二子畫素區P2中的電子發射元件110-2面積相當。

第二導電層106設置於絕緣層104上且填入第二開口Ob-2中。根據本實施例，第二導電層106更接觸位於第二開口Ob-2中的電阻材料層103之表面。第二導電層106包括第二電極線106b-2以及與第二電極線106b-2電性連接之第二電極106a-2。第二導電層106之第二電極106a-2具有第三開口Oc-2以暴露出電子發射元件110-2，且第二導電層106之第二電極線106b-2連接第二子畫素區P2中的第二電阻元件Rb-2的另一端。另外，絕緣層104是位於第二導電層106之下且未遮蔽電子發射元件110-2。而且第二導電層106是位於第一電阻元件Ra-2、第二電阻元件Rb-2、第一導電圖案102a-2與第二導電圖案102b-2之上。

根據本實施例，上述第二電極線106b-2的延伸方向與第一電極線102b-2的延伸方向不平行，較佳的是，第二電極線106b-2的延伸方向與第一電極線102b-2的延伸方向垂直。因此，第二電極線106b-2與第一電極線102b-2定義出第二子畫素區P2。另外，在此實施例中，第二子畫素區P2中的第二開口Ob-2是位於第一電極線102b-2與第二電極線106b-2交錯處。

在圖3B之實施例中，第二子畫素區P2中的第一導電層102是包括第一電極線102b-2以及第一電極102a-2。然，本發明不限於此。根據其他實施例，如圖3D所示，第二子畫素區P2中的第一導電層102除了包括第一電極102a-2之外，第一電極線是由102b-2以及102c-2所構成。第一電極線102c-2與第一電極102a-2之連接處具有間隙，以使得第一電極線102c-2與第一電極102a-2分離。而暴露出第二電阻元件Rb-2之第二開口Ob-2是對應設置在第一電極線102c-2與第二電極線106b-2之交錯處。在此，第一電極線102c-2與第一電極線是由102b-2可以各自連接到對應電壓Va-2、Vb-2，而電壓Va-2、Vb-2可以相同或是不相同。

在本實施例之第二子畫素區P2中，如圖3A所示，當外部電路給予第二子畫素區P2電壓V2時，經外部線路之電阻Ro-2消耗之後進入第二子畫素區P2之電壓值為Vg-2，而電壓Vg-2以及電壓HV2將驅動電子發射元件110-2產生放電。

承上所述，在本實施例之場發射式顯示面板中，第一子畫素區P1中具有第一電阻元件Ra-1以及第二電阻元件Rb-1，且第二子畫素區P2中具有第一電阻元件Ra-2以及第二電阻元件Rb-2。特別是，第一子畫素區P1中的第一電阻元件Ra-1的電阻值不同於第二子畫素區中P2的第一電阻元件Ra-2的電阻值。而且，第一子畫素區P1中的第二電阻元件Rb-1的電阻值不同於第二子畫素區P2中的第二電阻元件Rb-2的電阻值。因此，當第二導電層106所傳遞的電壓Vg-1經由第一子畫素區P1的第二電阻元件Rb-1而給予電子發射元件110-1的電流會與第二導電層106所傳遞的電壓Vg-2經由第二子畫素區P2的第二電阻元件Rb-2而給予電子發射元件110-2的電流實質上相同。

換言之，本實施例藉由在場發射式顯示面板的每一個子畫素區中設置第一電阻元件以及第二電阻元件，可以使得場發射式顯示面板之所有子畫素區的電子發射元的電流的差異性變小，進而達到改善場發射式顯示面板之發光亮度的均勻度。

必需說明的是，上述實施例中，第一開口Oa-1、第二開口Ob-1、第三開口Oc-1所述之數目及形狀皆不限於實施例中所述，例如：第一開口Oa-1/Oa-2、第二開口Ob-1/Ob-2、第三開口Oc-1/Oc-2各別的數目，可以至少一個以上。第一開口Oa-1/Oa-2、第二開口Ob-1/Ob-2、第三開口Oc-1/Oc-2各別的形狀，包含圓形、矩形、三角形、菱形、五邊形、六邊形、星形、花形、弧形、多邊形、鋸齒形、齒輪形、或其它合適的形狀、或上述之任二種之組合。另外，第一開口Oa-1/Oa-2、第二開口Ob-1/Ob-2、第三開口Oc-1/Oc-2各別的尺吋也不為限制條件。

以下列舉一個實例以及一個比較例以說明在場發射式顯示面板的每一個子畫素區中設置第一電阻元件以及第二電阻元件確實可以改善場發射式顯示面板之發光亮度的均勻度。

實例

在此實例之場發射式顯示面板中，每一個子畫素區中設置第一電阻元件以及第二電阻元件，其中此實例之場發射式顯示面板之子畫素區的結構即如圖2A-圖2C或圖3A-圖3C所示。另外，在此實例中，外部電路給予每一個子畫素區的電壓皆約為35V，外部電路之電阻值約為3KΩ，第一導電層102(第一電極以及第一電極線)是給予約0V。當對於此實例之場發射式顯示面板之其中三個子畫素區(子畫素區1、2、3)進行電性量測時，可以得到如表1之結果。

比較例

在此比較例之場發射式顯示面板中，每一個子畫素區中僅設置了第一電阻元件，而沒有設置第二電阻元件。另外，在此比較例中，外部電路給予每一個子畫素區的電壓皆約為30V，外部電路之電阻值約為3KΩ，且陰極是給予約0V。當對於此實例之場發射式顯示面板之其中三個子畫素區(子畫素區1、2、3)進行電性量測時，可以得到如表2之結果。

由上述實例可知，當在場發射式顯示面板中之每一個子畫素區中設置第一電阻元件以及第二電阻元件時，可使得場發射式顯示面板之電子發射元件之電流(IRa)的均勻度高達約72.8%。若在場發射式顯示面板中之每一個子畫素區中僅設置第一電阻元件，場發射式顯示面板之電子發射元件之電流(IRa)的均勻度僅有約66.7%。因此，本發明在場發射式顯示面板中之每一個子畫素區中設置第一電阻元件以及第二電阻元件確實可以達到改善場發射式顯示面板之亮度均勻度。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧基板

A‧‧‧顯示區

B‧‧‧非顯示區

P1‧‧‧第一子畫素區

P2‧‧‧第二子畫素區

Ra-1‧‧‧第一電阻元件

Rb-1‧‧‧第二電阻元件

R0-1‧‧‧電阻

Va-1、Vb-1、V1、Vg-1、HV1‧‧‧電壓

110-1‧‧‧電子發射元件

102‧‧‧第一導電層

102a-1、102a-2‧‧‧第一電極(第一導電圖案)

102b-1、102b-2、102c-1、102c-2‧‧‧第一電極線(第二導電圖案)

103‧‧‧電阻材料層

104‧‧‧絕緣層

106‧‧‧第二導電層

106a-1、106a-2‧‧‧第二電極

106b-1、106b-2‧‧‧第二電極線

Oa-1、Oa-2‧‧‧第一開口

Ob-1、Ob-2‧‧‧第二開口

Oc-1、Oc-2‧‧‧第三開口

圖1是根據本發明一實施例之場發射式顯示面板的上視示意圖。

圖2A是圖1之場發射式顯示面板之第一子畫素區的等效電路圖。

圖2B是圖1之場發射式顯示面板之第一子畫素區的上視示意圖。

圖2C是圖2B之沿著剖面線I-I’以及II-II’的剖面示意圖。

圖2D是根據另一實施例之之場發射式顯示面板之第一子畫素區的上視示意圖。

圖3A是圖1之場發射式顯示面板之第二子畫素區的等效電路圖。

圖3B是圖1之場發射式顯示面板之第二子畫素區的上視示意圖。

圖3C是圖3B之沿著剖面線I-I’以及II-II’的剖面示意圖。

圖3D是根據另一實施例之之場發射式顯示面板之第二子畫素區的上視示意圖。

P1‧‧‧第一子畫素區

Ra-1‧‧‧第一電阻元件

Rb-1‧‧‧第二電阻元件

Ro-1‧‧‧電阻

Va-1、Vb-1、V1、Vg-1、HV1‧‧‧電壓

110-1‧‧‧電子發射元件

Claims (16)

1. 一種場發射式顯示面板，包括：一基板，至少具有一顯示區與一非顯示區，且該顯示區至少包括一第一子畫素區及一第二子畫素區；一第一電阻元件，設置於該第一子畫素區及該第二子畫素區中，其中該第一子畫素區中的該第一電阻元件的電阻值不同於該第二子畫素區中的該第一電阻元件的電阻值；一第一導電圖案，連接該第一子畫素區中的該第一電阻元件的一端與該第二子畫素區中的該第一電阻元件的一端；一電子發射元件，設置於該第一子畫素區及該第二子畫素區中，且連接該第一子畫素區中的該第一電阻元件的另一端與該第二子畫素區中的該第一電阻元件的另一端；一第二電阻元件，設置於該第一子畫素區及該第二子畫素區中，其中該第一子畫素區中的該第二電阻元件的電阻值不同於該第二子畫素區中的該第二電阻元件的電阻值；一第二導電圖案，連接該第一子畫素區中的該第二電阻元件的一端與該第二子畫素區中的該第二電阻元件的一端；以及一導電層，連接該第一子畫素區中的該第二電阻元件的另一端與該第二子畫素區中的該第二電阻元件的另一端，其中該導電層環繞且浮接於該電子發射元件。
2. 如請求項1所述的面板，其中該第一電阻元件與該第二電阻元件包含電阻材料層。
3. 如請求項1所述的面板，其中該第一導電圖案與該第二導電圖案是由同一膜層所構成。
4. 如請求項1所述的面板，其中該導電層位於該第一電阻元件、該第二電阻元件、該第一導電圖案與該第二導電圖案之上。
5. 如請求項1所述的面板，更包含一絕緣層，位於該導電層之下且未遮蔽該電子發射元件。
6. 如請求項1所述的面板，其中該第一電阻元件與該第二電阻元件投影至該基板上時，該第一電阻元件不與該第二電阻元件重疊。
7. 如請求項1所述的面板，其中該導電層所傳遞的電壓經由該第一子畫素區的該第二電阻元件而給予該電子發射元件的電流與該導電層所傳遞的電壓經由該第二子畫素區的第二電阻元件而給予該電子發射元件的電流實質上相同。
8. 如請求項1所述的面板，其中各該子畫素區中彼此的該第一電阻元件與該第二電阻元件的一電阻比值皆相同。
9. 一種場發射式顯示面板，包括：一基板，其至少包括一顯示區與一非顯示區；一第一導電層，設置於該顯示區中，且該第一導電層包括第一電極線以及與該第一電極線電性連接之一第一電 極；一電阻材料層，位於該顯示區中的該第一導電層上；一絕緣層，覆蓋於該顯示區中的該電阻材料層上，且該絕緣層具有一第一開口以及一第二開口，該第一開口暴露出位在該第一電極上方的部份該電阻材料層，該第二開口暴露出位在該第一電極線上方的部份該電阻材料層；一電子發射元件，設置於被該第一開口所暴露出來的該電阻材料層上；一第二導電層，設置於該絕緣層上及該第二開口中，其中該第二導電層包括一第二電極線以及與該第二電極線電性連接之一第二電極，且該第二電極具有一第三開口以暴露出該電子發射元件，而該第二電極線與該第一電極線至少定義出一第一子畫素區與一第二子畫素區。
10. 如請求項9所述的面板，其中在該第一子畫素區中的該第二開口投影至該基板的面積實質上不同於在該第二子畫素區中的第二開口投影至該基板的面積。
11. 如請求項9所述的面板，其中該第二導電層接觸位於該第二開口中的該電阻材料層之表面。
12. 如請求項9所述的面板，其中在該第一子畫素區中的該第二開口是位於該第一電極線與該第二電極線交錯處。
13. 如請求項9所述的面板，其中在該第二子畫素區中的該第二開口是位於該第一電極線與該第二電極線交錯處。
14. 如請求項9所述的面板，其中該第一電極線與該第一電極之連接處具有一間隙，以使得該第一電極線與該第一電極分離。
15. 如請求項9所述的面板，其中在該第一子畫素區中的該第一開口投影至該基板的面積實質上不同於在該第二子畫素區中的該第一開口投影至該基板的面積。
16. 如請求項9所述的面板，其中在該第一子畫素區中的該電子發射元件面積實質上不同於在該第二子畫素區中的該電子發射元件面積。