CN102436998B - 场发射式显示面板 - Google Patents

Abstract

一种场发射式显示面板。基板至少包括显示区与非显示区。第一导电层设置于显示区中，且第一导电层包括第一电极线以及与第一电极线电性连接的第一电极。电阻材料层位于显示区中的第一导电层上。绝缘层覆盖于显示区中的电阻材料层上且具有第一开口以及第二开口，第一开口暴露出位在第一电极上方的部份电阻材料层，第二开口暴露出位在第一电极线上方的部份电阻材料层。电子发射元件设置于被第一开口所暴露出来的电阻材料层上。第二导电层设置于绝缘层上及第二开口中，其中第二导电层包括第二电极线以及与第二电极线电性连接的第二电极，且第二电极具有第三开口以暴露出电子发射元件，而第二电极线与第一电极线至少定义出第一子像素区与第二子像素区。

Description

场发射式显示面板

技术领域

本发明是有关于一种显示面板，且特别是有关于一种场发射式显示面板。

背景技术

一般来说，场发射式显示面板主要是在超高真空的环境(小于10-6陶尔)下，于阴极上制作电子发射端(electron emitter)，并利用电子发射端中高深宽比(high aspect ratio)的微结构来帮助电子克服阴极的功函数(workfunction)而脱离阴极。另外，在场发射显示面板中，若在阳极上涂布萤光粉，并藉由阴极与阳极的间的高电场使电子由阴极的电子发射端导出，透过电场的作用而直接撞击阳极上的萤光粉，即可以发出可见光。

目前的场发射式显示面板所面临的问题是，显示面板的发光亮度的均匀度不足。换言的，在传统的场发射式显示面板中，部分区域的电子发射端的电流与另一部份区域的电子发射端的电流会有明显的差异，如此将造成显示面板的整体的发光亮度的均匀度不佳。

发明内容

本发明提供一种场发射式显示面板，其可以改善传统场发射式显示面板发光亮度的均匀度不足的问题。

本发明提出一种场发射式显示面板，其包括基板、第一电阻元件、第一导电图案、电子发射元件、第二电阻元件、第二导电图案以及导电层。基板至少具有显示区与非显示区，且显示区至少包括第一子像素区及第二子像素区。第一电阻元件设置于第一子像素区及第二子像素区中，其中第一子像素区中的第一电阻元件的电阻值不同于第二子像素区中的第一电阻元件的电阻值。第一导电图案连接第一子像素区中的第一电阻元件的一端与第二子像素区中的第一电阻元件的一端。电子发射元件设置于第一子像素区及第二子像素区中，且连接第一子像素区中的第一电阻元件的另一端与第二子像素区中的第一电阻元件的另一端。第二电阻元件设置于第一子像素区及第二子像素区中，其中第一子像素区中的第二电阻元件的电阻值不同于第二子像素区中的第二电阻元件的电阻值。第二导电图案连接第一子像素区中的第二电阻元件的一端与第二子像素区中的第二电阻元件的一端。导电层连接第一子像素区中的第二电阻元件的另一端与第二子像素区中的第二电阻元件的另一端，其中导电层环绕且浮接于电子发射元件。

该第一电阻元件与该第二电阻元件包括电阻材料层。

该第一导电图案与该第二导电图案是由同一膜层所构成。

该导电层位于该第一电阻元件、该第二电阻元件、该第一导电图案与该第二导电图案的上。

进一步包括一绝缘层，位于该导电层的下且未遮蔽该电子发射元件。

该第一电阻元件与该第二电阻元件投影至该基板上时，该第一电阻元件不与该第二电阻元件重迭。

该导电层所传递的电压经由该第一子像素区的该第二电阻元件而给予该电子发射元件的电流与该导电层所传递的电压经由该第二子像素区的第二电阻元件而给予该电子发射元件的电流实质上相同。

本发明另提出一种场发射式显示面板，包括基板、第一导电层、电阻材料层、绝缘层、电子发射元件以及第二导电层。基板至少包括显示区与非显示区。第一导电层设置于显示区中，且第一导电层包括第一电极线以及与第一电极线电性连接的第一电极。电阻材料层位于显示区中的第一导电层上。绝缘层覆盖于显示区中的电阻材料层上，且绝缘层具有第一开口以及第二开口，第一开口暴露出位在第一电极上方的部份电阻材料层，第二开口暴露出位在第一电极线上方的部份电阻材料层。电子发射元件设置于被第一开口所暴露出来的电阻材料层上。第二导电层设置于绝缘层上及第二开口中，其中第二导电层包括第二电极线以及与第二电极线电性连接的第二电极，且第二电极具有第三开口以暴露出电子发射元件，而第二电极线与第一电极线至少定义出第一子像素区与第二子像素区。

在该第一子像素区中的该第二开口投影至该基板的面积实质上不同于在该第二子像素区中的第二开口投影至该基板的面积。

该第二导电层接触位于该第二开口中的该电阻材料层的表面。

在该第一子像素区中的该第二开口是位于该第一电极线与该第二电极线交错处。

在该第二子像素区中的该第二开口是位于该第一电极线与该第二电极线交错处。

该第一电极线与该第一电极的连接处具有一间隙，以使得该第一电极线与该第一电极分离。

在该第一子像素区中的该第一开口投影至该基板的面积实质上不同于在该第二子像素区中的该第一开口投影至该基板的面积。

在该第一子像素区中的该电子发射元件面积实质上不同于在该第二子像素区中的该电子发射元件面积。

基于上述，本发明在场发射式显示面板的第一子像素区与第二子像素区各自设置了第一电阻元件以及第二电阻元件。特别是，第一子像素区中的第一电阻元件的电阻值不同于第二子像素区中的第一电阻元件的电阻值，且第一子像素区中的第二电阻元件的电阻值不同于第二子像素区中的第二电阻元件的电阻值。上述的第一电阻元件以及第二电阻元件的设置可以降低场发射式显示面板的第一子像素区与第二子像素区中的电子发射元件所产生的电流的差异，进而改善场发射式显示面板的发光亮度的均匀度。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

附图说明

图1是根据本发明一实施例的场发射式显示面板的上视示意图。

图2A是图1的场发射式显示面板的第一子像素区的等效电路图。

图2B是图1的场发射式显示面板的第一子像素区的上视示意图。

图2C是图2B的沿着剖面线I-I’以及II-II’的剖面示意图。

图2D是根据另一实施例的的场发射式显示面板的第一子像素区的上视示意图。

图3A是图1的场发射式显示面板的第二子像素区的等效电路图。

图3B是图1的场发射式显示面板的第二子像素区的上视示意图。

图3C是图3B的沿着剖面线I-I’以及II-II’的剖面示意图。

图3D是根据另一实施例的的场发射式显示面板的第二子像素区的上视示意图。

附图标记说明

100：基板            A：显示区

B：非显示区                    P1：第一子像素区

P2：第二子像素区               Ra-1：第一电阻元件

Rb-1：第二电阻元件             Ro-1：电阻

Va-1、Vb-1、V1、Vg-1、HV1L：电压

110-1：电子发射元件           102：第一导电层

102a-1、102a-2：第一电极(第一导电图案)

102b-1、102b-2、102c-1、102c-2：第一电极线(第二导电图案)

103：电阻材料层               104：绝缘层

106：第二导电层               106a-1、106a-2：第二电极

106b-1、106b-2：第二电极线    Oa-1、Oa-2：第一开口

Ob-1、Ob-2：第二开口          Oc-1、0c-2：第三开口

具体实施方式

图1是根据本发明一实施例的场发射式显示面板的上视示意图。请参照图1，本实施例的场发射式显示面板包括基板100。根据本实施例，基板100的材质可为玻璃、石英、聚合物、或是不透光/反射材料(例如：导电材料、金属、晶圆、陶瓷、或其它可适用的材料)、或是其它可适用的材料。基板100至少具有显示区A与非显示区B，且非显示区B是围绕在显示区A的周围。另外，在显示区A中具有多个阵列排列的子像素区。在图1中仅标示出第一子像素区P1及第二子像素区P2以详细说明。第一子像素区P1及第二子像素区P2是分别位于显示区A的边缘以及中央为例来说明，但本发明不限于此。根据其他实施例，第一子像素区P1及第二子像素区P2也可以都位于显示区A的边缘，或是都位于靠近显示区A的中央。

以下将先针对上述第一子像素区P1内的结构作详细说明。图2A是图1的场发射式显示面板的第一子像素区的等效电路图。图2B是图1的场发射式显示面板的第一子像素区的上视示意图。图2C是图2B的沿着剖面线I-I’以及II-II’的剖面示意图。

请同时参照图2A、图2B以及图2C，在第一子像素区P1中包括设置有第一导电层102、电阻材料层103、绝缘层104、电子发射元件110-1以及第二导电层106。

第一导电层102包括第一电极线102b-1以及与第一电极线102b-1电性连接的第一电极102a-1。在此，第一导电层102的第一电极102a-1可称为第一导电图案，且第一导电层102的第一电极线102b-1可称为第二导电图案。因此，在本实施例中，第一导电图案(第一电极102a-1)与第二导电图案(第一电极线)102b-1是由同一膜层(第一导电层)102所构成，但本发明不限于此。根据其他的实施例，第一导电图案(第一电极102a-1)与第二导电图案(第一电极线)102b-1也可以是由不同膜层所构成。基于导电性的考量，第一导电层102一般是使用金属材料。然，本发明不限于此，根据其他实施例，第一导电层102也可以使用其他导电材料。例如：合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或其它合适的材料)、或是金属材料与其它导电材料的堆迭层。

电阻材料层103位于第一导电层102上。根据本实施例，电阻材料层103包括硅、非晶硅、结晶硅、硅化物、类钻石碳(diamond-like carbon，DLC)、碳化硅、非晶碳、陶瓷材料(例如：金属陶瓷(cermet)、或其它具有相同性质的材料)、半导体氧化物、半导体氮化物、金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物、上述材料具有多孔性、或是其他适用的电阻材料、或是上述材料的任二种组合。电阻材料层103在第一导电图案(第一电极102a-1)的上方是作为第一电阻元件Ra-1，且第一电阻元件Ra-1的一端连接第一导电图案102a-1。电阻材料层103在第二导电图案(第一电极线)102b-1上方是作为第二电阻元件Rb-1，且第二电阻元件Rb-1的一端连接第二导电图案102b-1。另外，当第一电阻元件Ra-1与第二电阻元件Rb-1投影至基板100上时，第一电阻元件Ra-1不与第二电阻元件Rb-1重迭。

绝缘层104覆盖电阻材料层103，且绝缘层104具有第一开口Oa-1以及第二开口Ob-1。第一开口Oa-1暴露出位在第一电极(第一导电图案)102a-1上方的部份电阻材料层103，且第二开口Ob-1暴露出位在第一电极线(第二导电图案)102b-1上方的部份电阻材料层103。

电子发射元件110-1是设置于被绝缘层104的第一开口Oa-1所暴露出来的电阻材料层103上。因此，电子发射元件110-1是连接第一子像素区P1中的第一电阻元件Ra-1的另一端。电子发射元件110-1可为金属材料的锥体、奈米碳管电子发射端、或是其他种尖端放电形式的电子发射端、或是上述二种发射端的组合。本发明不限在第一子像素区域P1中所设置的电子发射元件110-1的数目。换言的，在第一子像素区域P1中所设置的电子发射元件110-1的数目可以比图式所绘示的数目更多。再者，本发明也不限在第一子像素区域P1中所设置的电子发射元件110-1所存在的区域仅当作一个电子发射区。换言的，在第一子像素区域P1中可设置多个电子发射区。

第二导电层106设置于绝缘层104上且填入第二开口Ob-1中。根据本实施例，第二导电层106更接触位于第二开口Ob-1中的电阻材料层103的表面。另外，第二导电层106环绕且浮接于电子发射元件110-1。换言的，第二导电层106环绕在电子发射元件110-1的四周且与电子发射元件110-1不连接在一起。

根据本实施例，第二导电层106包括第二电极线106b-1以及与第二电极线106b-1电性连接的第二电极106a-1。第二导电层106的第二电极106a-1具有第三开口Oc-1以暴露出电子发射元件110-1，而第二导电层106的第二电极线106b-1连接第一子像素区P1中的第二电阻元件Rb-1的另一端。另外，绝缘层104是位于第二导电层106的下且未遮蔽电子发射元件110-1。而且第二导电层106是位于第一电阻元件Ra-1、第二电阻元件Rb-1、第一导电图案102a-1与第二导电图案102b-1的上。基于导电性的考量，第二导电层106一般是使用金属材料。然，本发明不限于此，根据其他实施例，第二导电层106也可以使用其他导电材料。例如：合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或其它合适的材料)、或是金属材料与其它导电材料的堆迭层。

根据本实施例，上述第二电极线106b-1的延伸方向与第一电极线102b-1的延伸方向不平行，较佳的是，第二电极线106b-1的延伸方向与第一电极线102b-1的延伸方向垂直。因此，第二电极线106b-1与第一电极线102b-1定义出第一子像素区P1。另外，在此实施例中，第一子像素区P1中的第二开口Ob-1是位于第一电极线102b-1与第二电极线106b-1交错处。

在图2B的实施例中，第一子像素区P1中的第一导电层102是包括第一电极线102b-1以及第一电极102a-1。然，本发明不限于此。根据其他实施例，如图2D所示，第一子像素区P1中的第一导电层102除了包括第一电极102a-1的外，第一电极线是由102b-1以及102c-1所构成。第一电极线102c-1与第一电极102a-1的连接处具有间隙，以使得第一电极线102c-1与第一电极102a-1分离。而暴露出第二电阻元件Rb-1的第二开口Ob-1是对应设置在第一电极线102c-1与第二电极线106b-1的交错处。在此，第一电极线102c-1与第一电极线102b-1可以各自连接到对应电压Va-1、Vb-1，而电压Va-1、Vb-1可以相同或是不相同。

在本实施例的第一子像素区P1中，如图2A所示，当外部电路给予第一子像素区P1电压V1时，经外部线路的电阻Ro-1消耗的后进入第一子像素区域P1的电压值为Vg-1，而电压Vg-1以及电压HV1将驱动电子发射元件110-1产生放电。

接着，是针对本实施例的场发射式显示面板的第二子像素区P2内的结构作详细说明。图3A是图1的场发射式显示面板的第二子像素区的等效电路图。图3B是图1的场发射式显示面板的第二子像素区的上视示意图。图3C是图3B的沿着剖面线I-I’以及II-II’的剖面示意图。

请同时参照图3A、图3B以及图3C，在第二子像素区P2中包括设置有第一导电层102、电阻材料层103、绝缘层104、电子发射元件110-2以及第二导电层106。

第一导电层102包括第一电极线102b-2以及与第一电极线102b-2电性连接的第一电极102a-2。在此，第一导电层102的第一电极102a-2可称为第一导电图案，且第一导电层102的第一电极线102b-2可称为第二导电图案。因此，在本实施例中，第一导电图案(第一电极102a-2)与第二导电图案(第一电极线)102b-2是由同一膜层(第一导电层)102所构成。

类似地，第二子像素区P2的电阻材料层103位于第一导电层102上。电阻材料层103在第一导电图案(第一电极102a-2)的上方是作为第一电阻元件Ra-2，且第一电阻元件Ra-2的一端连接第一导电图案102a-2。电阻材料层103在第二导电图案(第一电极线)102b-2上方是作为第二电阻元件Rb-2，且第二电阻元件Rb-21的一端连接第二导电图案102b-2。另外，当第一电阻元件Ra-2与第二电阻元件Rb-2投影至基板100上时，第一电阻元件Ra-2不与第二电阻元件Rb-2重迭。

值得一提的是，在此场发射式显示面板中，第一子像素区P1中的第一电阻元件Ra-1的电阻值不同于第二子像素区中P2的第一电阻元件Ra-2的电阻值。而且，第一子像素区P1中的第二电阻元件Rb-1的电阻值不同于第二子像素区P2中的第二电阻元件Rb-2的电阻值。

绝缘层104覆盖电阻材料层103，且绝缘层104具有第一开口Oa-2以及第二开口Ob-2。第一开口Oa-2暴露出位在第一电极(第一导电图案)102a-2上方的部份电阻材料层103，且第二开口Ob-2暴露出位在第一电极线(第二导电图案)102b-2上方的部份电阻材料层103。

值得一提的是，根据一实施例，第一子像素区P1中的第一开口Oa-1投影至基板100的面积实质上不同于在第二子像素区P2中的第一开口Oa-2投影至基板100的面积。然，本发明不限于此，在其他实施例中，第一子像素区P1中的第一开口Oa-1投影至基板100的面积与在第二子像素区P2中的第一开口Oa-2投影至基板100的面积相当。另外，根据一实施例，第一子像素区P1中的第二开口Ob-1投影至基板110的面积实质上不同于在第二子像素区P2中的第二开口Ob-2投影至基板100的面积。然，本发明不限于此，在其他实施例中，第一子像素区P1中的第二开口Ob-1投影至基板110的面积也可以与第二子像素区P2中的第二开口Ob-2投影至基板100的面积相当。

电子发射元件110-2是设置于被绝缘层104的第一开口Oa-2所暴露出来的电阻材料层103上。因此，电子发射元件110-2连接第二子像素区P2中的第一电阻元件Ra-2的另一端。电子发射元件110-2可为金属材料的锥体、奈米碳管电子发射端、或是其他种尖端放电形式的电子发射端、或是上述二种发射端的组合。本发明不限在第二子像素区P2中所设置的电子发射元件110-2的数目。换言的，在第二子像素区P2中所设置的电子发射元件110-2的数目可以比图式所绘示的数目更多。再者，本发明也不限在第一子像素区域P1中所设置的电子发射元件110-1所存在的区域仅当作一个电子发射区。换言的，在第一子像素区域P1中可设置多个电子发射区。另外，第二导电层106环绕且浮接于电子发射元件110-2。换言的，第二导电层106环绕在电子发射元件110-2的四周且与电子发射元件110-2不连接在一起。

值得一提的是，在第一子像素区P1中的电子发射元件110-1的面积实质上不同于在第二子像素区P2中的电子发射元件110-2面积。但是，本发明不限于此，根据其他实施例，在第一子像素区P1中的电子发射元件110-1的面积实质上与第二子像素区P2中的电子发射元件110-2面积相当。

第二导电层106设置于绝缘层104上且填入第二开口Ob-2中。根据本实施例，第二导电层106更接触位于第二开口Ob-2中的电阻材料层103的表面。第二导电层106包括第二电极线106b-2以及与第二电极线106b-2电性连接的第二电极106a-2。第二导电层106的第二电极106a-2具有第三开口Oc-2以暴露出电子发射元件110-2，且第二导电层106的第二电极线106b-2连接第二子像素区P2中的第二电阻元件Rb-2的另一端。另外，绝缘层104是位于第二导电层106的下且未遮蔽电子发射元件110-2。而且第二导电层106是位于第一电阻元件Ra-2、第二电阻元件Rb-2、第一导电图案102a-2与第二导电图案102b-2的上。

根据本实施例，上述第二电极线106b-2的延伸方向与第一电极线102b-2的延伸方向不平行，较佳的是，第二电极线106b-2的延伸方向与第一电极线102b-2的延伸方向垂直。因此，第二电极线106b-2与第一电极线102b-2定义出第二子像素区P2。另外，在此实施例中，第二子像素区P2中的第二开口Ob-2是位于第一电极线102b-2与第二电极线106b-2交错处。

在图3B的实施例中，第二子像素区P2中的第一导电层102是包括第一电极线102b-2以及第一电极102a-2。然，本发明不限于此。根据其他实施例，如图3D所示，第二子像素区P2中的第一导电层102除了包括第一电极102a-2的外，第一电极线是由102b-2以及102c-2所构成。第一电极线102c-2与第一电极102a-2的连接处具有间隙，以使得第一电极线102c-2与第一电极102a-2分离。而暴露出第二电阻元件Rb-2的第二开口Ob-2是对应设置在第一电极线102c-2与第二电极线106b-2的交错处。在此，第一电极线102c-2与第一电极线是由102b-2可以各自连接到对应电压Va-2、Vb-2，而电压Va-2、Vb-2可以相同或是不相同。

在本实施例的第二子像素区P2中，如图3A所示，当外部电路给予第二子像素区P2电压V2时，经外部线路的电阻Ro-2消耗的后进入第二子像素区P2的电压值为Vg-2，而电压Vg-2以及电压HV2将驱动电子发射元件110-2产生放电。

承上所述，在本实施例的场发射式显示面板中，第一子像素区P1中具有第一电阻元件Ra-1以及第二电阻元件Rb-1，且第二子像素区P2中具有第一电阻元件Ra-2以及第二电阻元件Rb-2。特别是，第一子像素区P1中的第一电阻元件Ra-1的电阻值不同于第二子像素区中P2的第一电阻元件Ra-2的电阻值。而且，第一子像素区P1中的第二电阻元件Rb-1的电阻值不同于第二子像素区P2中的第二电阻元件Rb-2的电阻值。因此，当第二导电层106所传递的电压Vg-1经由第一子像素区P1的第二电阻元件Rb-1而给予电子发射元件110-1的电流会与第二导电层106所传递的电压Vg-2经由第二子像素区P2的第二电阻元件Rb-2而给予电子发射元件110-2的电流实质上相同。

换言的，本实施例藉由在场发射式显示面板的每一个子像素区中设置第一电阻元件以及第二电阻元件，可以使得场发射式显示面板的所有子像素区的电子发射元的电流的差异性变小，进而达到改善场发射式显示面板的发光亮度的均匀度。

必需说明的是，上述实施例中，第一开口Oa-1、第二开口Ob-1、第三开口Oc-1所述的数目及形状皆不限于实施例中所述，例如：第一开口Oa-1/Oa-2、第二开口Ob-1/Ob-2、第三开口Oc-1/Oc-2各别的数目，可以至少一个以上。第一开口Oa-1/Oa-2、第二开口Ob-1/Ob-2、第三开口Oc-1/Oc-2各别的形状，包括圆形、矩形、三角形、菱形、五边形、六边形、星形、花形、弧形、多边形、锯齿形、齿轮形、或其它合适的形状、或上述的任二种的组合。另外，第一开口Oa-1/Oa-2、第二开口Ob-1/Ob-2、第三开口Oc-1/Oc-2各别的尺时也不为限制条件。

以下列举一个实例以及一个比较例以说明在场发射式显示面板的每一个子像素区中设置第一电阻元件以及第二电阻元件确实可以改善场发射式显示面板的发光亮度的均匀度。

实例

在此实例的场发射式显示面板中，每一个子像素区中设置第一电阻元件以及第二电阻元件，其中此实例的场发射式显示面板的子像素区的结构即如图2A-图2C或图3A-图3C所示。另外，在此实例中，外部电路给予每一个子像素区的电压皆约为35V，外部电路的电阻值约为3KΩ，第一导电层102(第一电极以及第一电极线)是给予约0V。当对于此实例的场发射式显示面板的其中三个子像素区(子像素区1、2、3)进行电性量测时，可以得到如表1的结果。

表1

比较例

在此比较例的场发射式显示面板中，每一个子像素区中仅设置了第一电阻元件，而没有设置第二电阻元件。另外，在此比较例中，外部电路给予每一个子像素区的电压皆约为30V，外部电路的电阻值约为3KΩ，且阴极是给予约0V。当对于此实例的场发射式显示面板的其中三个子像素区(子像素区1、2、3)进行电性量测时，可以得到如表2的结果。

表2

由上述实例可知，当在场发射式显示面板中的每一个子像素区中设置第一电阻元件以及第二电阻元件时，可使得场发射式显示面板的电子发射元件的电流(IRa)的均匀度高达约72.8％。若在场发射式显示面板中的每一个子像素区中仅设置第一电阻元件，场发射式显示面板的电子发射元件的电流(IRa)的均匀度仅有约66.7％。因此，本发明在场发射式显示面板中的每一个子像素区中设置第一电阻元件以及第二电阻元件确实可以达到改善场发射式显示面板的亮度均匀度。

虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当以权利要求书为准。

Claims (15)

1.一种场发射式显示面板，包括：

一基板，至少具有一显示区与一非显示区，且该显示区至少包括一第一子像素区及一第二子像素区；

一第一电阻元件，设置于该第一子像素区及该第二子像素区中，其中该第一子像素区中的该第一电阻元件的电阻值不同于该第二子像素区中的该第一电阻元件的电阻值；

一第一导电图案，连接该第一子像素区中的该第一电阻元件的一端与该第二子像素区中的该第一电阻元件的一端；

一电子发射元件，设置于该第一子像素区及该第二子像素区中，且连接该第一子像素区中的该第一电阻元件的另一端与该第二子像素区中的该第一电阻元件的另一端；

一第二电阻元件，设置于该第一子像素区及该第二子像素区中，其中该第一子像素区中的该第二电阻元件的电阻值不同于该第二子像素区中的该第二电阻元件的电阻值；

一第二导电图案，连接该第一子像素区中的该第二电阻元件的一端与该第二子像素区中的该第二电阻元件的一端;以及

一导电层，连接该第一子像素区中的该第二电阻元件的另一端与该第二子像素区中的该第二电阻元件的另一端，其中该导电层环绕且浮接于该电子发射元件；

其中不同像素区中的第一电阻元件与第二电阻元件的电阻值的比值相等。

2.如权利要求1所述的场发射式显示面板，其特征在于，该第一电阻元件与该第二电阻元件包括电阻材料层。

3.如权利要求1所述的场发射式显示面板，其特征在于，该第一导电图案与该第二导电图案是由同一膜层所构成。

4.如权利要求1所述的场发射式显示面板，其特征在于，该导电层位于该第一电阻元件、该第二电阻元件、该第一导电图案与该第二导电图案的上。

5.如权利要求1所述的场发射式显示面板，其特征在于，进一步包括一绝缘层，位于该导电层的下且未遮蔽该电子发射元件。

6.如权利要求1所述的场发射式显示面板，其特征在于，该第一电阻元件与该第二电阻元件投影至该基板上时，该第一电阻元件不与该第二电阻元件重迭。

7.如权利要求1所述的场发射式显示面板，其特征在于，该导电层所传递的电压经由该第一子像素区的该第二电阻元件而给予该电子发射元件的电流与该导电层所传递的电压经由该第二子像素区的第二电阻元件而给予该电子发射元件的电流实质上相同。

8.一种场发射式显示面板，包括：

一基板，其至少包括一显示区与一非显示区；

一第一导电层，设置于该显示区中，且该第一导电层包括第一电极线以及与该第一电极线电性连接的一第一电极；

一电阻材料层，位于该显示区中的该第一导电层上；

一绝缘层，覆盖于该显示区中的该电阻材料层上，且该绝缘层具有一第一开口以及一第二开口，该第一开口暴露出位在该第一电极上方的部份该电阻材料层，该第二开口暴露出位在该第一电极线上方的部份该电阻材料层；

一电子发射元件，设置于被该第一开口所暴露出来的该电阻材料层上；

一第二导电层，设置于该绝缘层上及该第二开口中，其中该第二导电层包括一第二电极线以及与该第二电极线电性连接的一第二电极，且该第二电极具有一第三开口以暴露出该电子发射元件，而该第二电极线与该第一电极线至少定义出一第一子像素区与一第二子像素区；

其中第一开口暴露出来的部分该电阻材料层与第二开口暴露出来的部分该电阻材料层的电阻值的比值相等。

9.如权利要求8所述的场发射式显示面板，其特征在于，在该第一子像素区中的该第二开口投影至该基板的面积实质上不同于在该第二子像素区中的第二开口投影至该基板的面积。

10.如权利要求8所述的场发射式显示面板，其特征在于，该第二导电层接触位于该第二开口中的该电阻材料层的表面。

11.如权利要求8所述的场发射式显示面板，其特征在于，在该第一子像素区中的该第二开口是位于该第一电极线与该第二电极线交错处。

12.如权利要求8所述的场发射式显示面板，其特征在于，在该第二子像素区中的该第二开口是位于该第一电极线与该第二电极线交错处。

13.如权利要求8所述的场发射式显示面板，其特征在于，该第一电极线与该第一电极的连接处具有一间隙，以使得该第一电极线与该第一电极分离。

14.如权利要求8所述的场发射式显示面板，其特征在于，在该第一子像素区中的该第一开口投影至该基板的面积实质上不同于在该第二子像素区中的该第一开口投影至该基板的面积。

15.如权利要求8所述的场发射式显示面板，其特征在于，在该第一子像素区中的该电子发射元件面积实质上不同于在该第二子像素区中的该电子发射元件面积。

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