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TWI468721B - 導電光學器件，其製造方法，觸控面板器件，顯示器件，及液晶顯示裝置 - Google Patents

導電光學器件，其製造方法，觸控面板器件，顯示器件，及液晶顯示裝置 Download PDF

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TWI468721B
TWI468721B TW99129750A TW99129750A TWI468721B TW I468721 B TWI468721 B TW I468721B TW 99129750 A TW99129750 A TW 99129750A TW 99129750 A TW99129750 A TW 99129750A TW I468721 B TWI468721 B TW I468721B
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TW
Taiwan
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transparent conductive
film
conductive
touch panel
structures
Prior art date
Application number
TW99129750A
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English (en)
Other versions
TW201113551A (en
Inventor
Shunichi Kajiya
Masaki Takenouchi
Sohmei Endoh
Kazuya Hayashibe
Kiyohiro Kimura
Original Assignee
Dexerials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dexerials Corp filed Critical Dexerials Corp
Publication of TW201113551A publication Critical patent/TW201113551A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI468721B publication Critical patent/TWI468721B/zh

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Description

導電光學器件，其製造方法，觸控面板器件，顯示器件，及液晶顯示裝置
本發明係關於一導電光學器件、其一製造方法、一觸控面板、一顯示裝置及一液晶顯示裝置，更特定而言，係關於一透明導電層形成於其一主表面上之一導電光學器件。
相關申請案之交叉參考
本申請案主張2009年9月2日提出申請之日本專利申請案JP 2009-203180及2009年12月28日提出申請之日本專利申請案JP 2009-299004之優先權，該等申請案之整體內容皆以引用方式併入本文中。
最近幾年，將用於輸入資訊之一電阻膜式觸控面板附接至一顯示裝置，諸如裝配於一行動裝置、一蜂巢式電話及類似裝置之一液晶顯示器件。
該電阻膜式觸控面板具有其中兩個透明導電膜係經由一間隔件彼此相對提供之一結構，該間隔件由諸如丙烯酸樹脂等一絕緣材料形成。該透明導電膜用作該觸控面板之一電極且包含具有一透明度之一基底材料，諸如一聚合物膜，及一透明導電層，該透明導電層形成於該基底材料上且由具有一高折射率(例如，約1.9至2.1)之一材料形成，諸如ITO(氧化銦錫)。
用於該電阻膜式觸控面板之該透明導電膜需要具有例如約300 Ω/□至500 Ω/□之一所需表面電阻值。此外，該透明導電膜需要具有一高透射比以避免該電阻膜式觸控面板附接至其之顯示裝置(諸如一液晶顯示器件)之一顯示品質之劣化。
為實現一所需表面電阻值，構成該透明導電膜之該透明導電層需要如例如約20奈米至30奈米一樣厚。然後，若由具有一高折射率之一材料形成之該透明導電層變厚，則在該透明導電層與該基底材料之間的一界面處反射外部光之一量增加且該透明導電膜之一透射比降低，因此導致該顯示裝置之一品質係劣化之一問題。
為解決此問題，舉例而言，第2003-136625號日本專利特許公開申請案(後文稱為專利文檔1)揭示一種用於一觸控面板之透明導電膜，其中一抗反射膜提供於一基底材料與一透明導電層之間。該抗反射膜係藉由按序層壓具有不同折射率之複數個介電膜而形成。
然而，由於在專利文檔1之透明導電膜中該抗反射膜之一反射功能具有一波長相依性，因此在該透明導電膜之一透射比中引起一波長分散，由此難以在一寬廣波長範圍中實現一高透射比。
因此，需要具有極佳抗反射特性之一導電光學器件、其一製造方法、一觸控面板、一顯示裝置及一液晶顯示裝置。
在一實施例中，一導電光學器件包含一基底部件及形成於該基底部件上之一透明導電膜。該透明導電膜之一表面結構包含複數個凸部分，其等具有抗反射性質且以等於或小於可見光之一波長之一間距配置。
在一實施例中，一觸控面板器件包含一第一導電基底層，及與該第一導電基底層相對之一第二導電基底層。在此實施例中，該第一導電基底層及該第二導電基底層中之至少一者包含一基底部件及形成於該基底部件上之一透明導電膜，該透明導電膜之一表面結構包含複數個凸結構，其等具有抗反射性質且以等於或小於可見光之一波長之一間距配置。
在另一實施例中，一顯示器件包含一顯示裝置及附接至該顯示裝置之一觸控面板器件。該觸控面板器件包含一第一導電基底層及與該第一導電基底層相對之一第二導電基底層。該第一導電基底層及該第二導電基底層中之至少一者包含一基底部件及形成於該基底部件上之一透明導電膜。該透明導電膜之一表面結構包含複數個凸結構，其等具有抗反射性質且以等於或小於可見光之一波長之一間距配置。
在一個實施例中，一種製造一導電光學器件之方法包含：形成包含複數個凸結構之一基底部件，及在該基底部件上形成一透明導電膜以使得該透明導電膜之一表面結構包含對應於該基底部件之該等凸結構之複數個凸部分。該等凸結構具有抗反射性質且以等於或小於可見光之一波長配置。
在一實施例中，提供一透明導電膜，其包含一表面結構，該表面結構包含具有抗反射性質且以等於或小於可見光之一波長之一間距配置之複數個凸部分。
當該等結構在基板之表面上形成一正方晶格圖案或一準正方晶格圖案時，合意地，該等結構具有一橢圓錐體形狀或一橢圓截頭錐體形狀，該形狀具有在跡線之延伸方向上之一長軸方向且該形狀中一中心部分處之一傾斜比一末端部分及一底部部分處之彼等傾斜陡峭。在此一組態之情形下，可改良抗反射特性及透射特性。
當該等結構在基板之表面上形成一正方晶格圖案或一準正方晶格圖案時，合意地，該等結構中之每一者在相對於該等跡線之一45度方向或近似45度方向上之高度或深度小於該等結構中之每一者在該等跡線之列方向上之一高度或深度。當不滿足此一關係時，需要伸長在相對於該等跡線之45度方向或近似45度方向上之配置間距。因此，降低該等結構在相對於該等跡線之45度方向或近似45度方向上之一填充率。如上文所述降低填充率導致抗反射特性之劣化。
如上文所述，根據該等實施例，可實現具有極佳抗反射特性之一導電光學器件。
本文闡述額外特徵及優點且自以下具體實施方式及圖將明瞭該等額外特徵及優點。
此後，將參照圖式按以下次序闡述實施例。
1.第一實施例(其中結構係線性地且在二維上配置成六方晶格圖案之實例：參見圖1)
2.第二實施例(其中結構係線性地且在二維上配置成正方晶格圖案之實例：參見圖15)
3.第三實施例(其中結構係在二維上配置成弧形及六方晶格圖案之實例：參見圖18)
4.第四實施例(其中結構係曲折地配置之實例：參見圖21)
5.第五實施例(其中凸結構係配置在基板表面上之實例：參見圖22)
6.第六實施例(其中折射率曲線為S形之實例：參見圖24)
7.第七實施例(其中結構係形成於導電光學器件之兩個主表面上之實例：參見圖29)
8.第八實施例(其中具有透明導電性之結構係配置於透明導電層上之實例：參見圖30)
9.第九實施例(關於電阻膜式觸控面板之應用實例：參見圖31)
10.第十實施例(其中硬塗層係形成於觸控面板之觸控表面上之實例：參見圖32)
11.第十一實施例(其中偏振器或前面板係形成於觸控面板之觸控表面上之實例：參見圖33)
12.第十二實施例(其中結構係配置在觸控面板之周邊部分處之實例：參見圖34)
13.第十三實施例(內部觸控面板之實例：參見圖35)
14.第十四實施例(關於電阻式觸控面板之應用實例：參見圖36)
<1.　第一實施例>
(導電光學器件之結構)
圖1A係顯示根據一第一實施例之一導電光學器件1之一結構實例之一示意平面圖。圖1B係圖1A中所示導電光學器件之一部分放大平面圖。圖1C係圖1B之跡線T1、T3、...之一剖視圖。圖1D係圖1B之跡線T2、T4、...之一剖視圖。圖1E係顯示形成對應於圖1B之跡線T1、T3、...之一潛像所使用之雷射光之一調變波形之一示意圖。圖1F係顯示形成對應於圖1B之跡線T2、T4、...之一潛像所使用之雷射光之一調變波形之一示意圖。圖2及4至6各自係圖1A中所示導電光學器件1之一部分放大透視圖。圖3A係圖1A中所示導電光學器件1在一跡線延伸方向(X方向(此後，亦適當地稱為跡線方向))上之一剖視圖。圖3B係圖1A中所示導電光學元件1在一θ方向上之一剖視圖。
導電光學器件1包含一基板2，該基板包含彼此相對之主表面、用於抑制一反射之以等於或小於一光波長之一微小間距配置於該等主表面中之一者上之複數個凸結構3及形成於結構3上之一透明導電層4。此外，為減小一表面電阻，合意地，在結構3與透明導電層4之間額外提供一金屬膜(導電膜)5。導電光學器件1具有防止已在圖2之一Z方向上透射穿過基板2之光在結構3與環境空氣之間的一界面處被反射之一功能。
此後，將依序闡述包含於導電光學器件1中之基板2、結構3、透明導電層4及金屬膜5。
結構3之一縱橫比(高度H/平均配置間距P)合意地為0.2或更大且1.78或更小，更合意地為0.2或更大且1.28或更小，進一步合意地為0.63或更大且1.28或更小。透明導電層4之一平均膜厚度合意地為9奈米或更大且50奈米或更小。若結構3之縱橫比下降到低於0.2且透明導電層4之平均膜厚度超過50奈米，則由於毗鄰結構3之間的凹部分填充有透明導電層4，因此抗反射特性及透射特性趨於劣化。另一方面，若結構3之縱橫比超過1.78且透明導電層4之平均膜厚度下降到低於9奈米，則由於結構3中之每一者之一斜面變陡峭且透明導電層4之平均膜厚度變薄，因此表面電阻趨於增加。換言之，藉由使該縱橫比及平均膜厚度滿足上文所述數值範圍，可獲得極佳抗反射特性及透射特性以及一寬廣範圍之一表面電阻(例如，100 Ω/□或更大且5000 Ω/□或更小)。此處，透明導電層4之平均膜厚度係透明導電層4在結構3之一頂點部分處之一平均膜厚度Dm 1。
當透明導電層4在結構3之一頂點部分處之平均膜厚度由Dm 1表示，透明導電層4在結構3之一斜面處之平均膜厚度由Dm 2表示且透明導電層4在毗鄰結構之間之平均膜厚度由Dm 3表示時，合意地，滿足D1>D3>D2之一關係。在結構3之斜面處之平均膜厚度Dm 2合意地為9奈米或更大且30奈米或更小。藉由使透明導電層4之平均膜厚度Dm 1、Dm 2及Dm 3滿足以上關係且使透明導電層4之平均膜厚度Dm 2滿足以上數值範圍，可獲得極佳抗反射特性及透射特性以及一寬廣範圍之一表面電阻。應注意，平均膜厚度Dm 1、Dm 2及Dm 3是否滿足以上關係可藉由如後文將闡述獲得平均膜厚度Dm 1、Dm 2及Dm 3中之每一者來確認。
合意地，透明導電層4具有沿結構3之形狀形成之一表面，且透明導電層4在結構3之頂點部分處之平均膜厚度Dm 1為5奈米或更大且80奈米或更小。應注意透明導電層4在結構3之頂點部分處之平均膜厚度Dm 1大致與一板狀轉換膜厚度相同。該板狀轉換膜厚度係當一透明導電層4在與該透明導電層4形成於該等結構上相同之條件下形成於一板上時所獲得之一膜厚度。
為獲得極佳抗反射特性及透射特性以及一寬廣範圍之一表面電阻，在結構3之頂點部分處之平均膜厚度Dm 1合意地為25奈米或更大且50奈米或更小，在結構3之斜面處之平均膜厚度Dm 2合意地為9奈米或更大且30奈米或更小，且在毗鄰結構之間的平均膜厚度Dm 3合意地為9奈米或更大且50奈米或更小。
圖57係用於闡釋獲得形成於各自作為一凸部分之結構上之透明導電層之平均膜厚度Dm 1、Dm 2及Dm 3之一方法之一示意圖。此後，將闡述該獲得該等平均膜厚度Dm 1、Dm 2及Dm 3之方法。
首先，在一跡線延伸方向上切割導電光學器件1以包含結構3之頂點部分，且藉由TEM給其一剖面拍照。接下來，自所拍得TEM照片量測透明導電層4在結構3之頂點部分處之膜厚度D1。然後，量測結構3之斜面上之若干位置中在結構3之高度之一半(H/2)處之膜厚度D2。隨後，量測該等結構之間的凹部分之若干位置中在其中凹部分之深度變為最大之一位置處之膜厚度D3。然後，在自導電光學器件1隨機選擇之10個點處重複量測膜厚度D1、D2及D3，且僅對所量測值D1、D2及D3求平均值(算術中值)以獲得平均膜厚度Dm 1、Dm 2及Dm 3。
透明導電層4之表面電阻合意地為100 Ω/□或更大且5000 Ω/□或更小，更合意地為270 Ω/□或更大且4000 Ω/□或更小。藉由將表面電阻設定在此一範圍內，導電光學器件1可用作各種類型觸控面板之一上電極或下電極。此處，透明導電層4之表面電阻係藉由四端子量測法(JIS K 7194)來獲得。
結構3之一平均配置間距P合意地為180奈米或更大且350奈米或更小，更合意地為100奈米或更大且320奈米或更小，進一步合意地為110奈米或更大且280奈米或更小。若配置間距下降到低於180奈米，則結構3之一製造趨於變得困難。另一方面，若配置間距超過350奈米，則趨於發生可見光之一繞射。
結構3之一高度(深度)H合意地為70奈米或更大且320奈米或更小，更合意地為100奈米或更大且320奈米或更小，進一步合意地為110奈米或更大且280奈米或更小。若結構3之高度下降到低於70奈米，則一反射比趨於增加。若結構3之高度超過320奈米，則實現一預定電阻趨於變得困難。
(基板)
舉例而言，基板2係具有一透明度之一透明基板。基板2之材料之實例包含具有一透明度之一塑膠材料及含有玻璃作為一主要成分之一材料，但並不限於此。
舉例而言，可使用以下作為玻璃：鈉鈣玻璃、鉛玻璃、硬質玻璃、石英玻璃及液晶玻璃(參見日本化學協會、第I-537頁、「化學手冊」介紹)。鑒於諸如一透明度、折射率及散射等光學特性及諸如一耐衝擊性、耐熱性及耐久性等各種特性，期望以下作為塑膠材料：(甲基)丙烯酸樹脂，諸如聚甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯與另一丙烯酸烷基酯或乙烯基單體(例如苯乙烯)之共聚物；聚碳酸酯樹脂，諸如聚碳酸酯及二乙二醇-雙-烯丙基碳酸酯(CR-39)；熱可固化(甲基)丙烯酸樹脂，例如(溴化)雙酚A之二(甲基)丙烯酸酯之均聚物及共聚物、及(溴化)雙酚A單(甲基)丙烯酸酯之經胺基甲酸酯修飾之單體的聚合物及共聚物；聚酯(尤其聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯及不飽和聚酯)、丙烯腈-苯乙烯共聚物、聚氯乙烯、聚胺基甲酸酯、環氧樹脂、芳香族聚酯、聚醚碸類、聚醚酮、環烯聚合物(產品名：ARTON，ZEONOR)。另外，關於一耐熱性，亦可使用芳族聚醯胺樹脂。
當使用塑膠材料作為基板2時，為額外地改良一塑膠表面之表面能量、一塗層性質、一滑動性質、平緩度及類似性質，可提供一底塗層作為表面處理。舉例而言，可使用有機烷氧基金屬化合物、聚酯、經丙烯酸修飾之聚酯及聚胺基甲酸酯作為底塗層。此外，為獲得與在提供底塗層之情況下相同之效應，可在基板2之表面上執行一電暈放電及UV輻照處理。
當基板2係一塑膠膜時，可藉由拉伸上文所述樹脂或將該等樹脂稀釋於一溶劑中、使所得物形成一膜及對其烘乾之一方法來獲得基板2。此外，舉例而言，基板2之一厚度係約25 μm至500 μm。
基板2之組態之實例包含一片、一板及一塊之形狀，但並不特定限於此。本文所使用之片包含一膜。合意地，基於需要在一光學裝置(例如一相機)中具有一預定抗反射功能之一部分之一組態適當選擇基板2之組態。
(結構)
在基板2之表面上，配置大量凸結構3。結構3循環地且在二維上以等於或小於光之一波長帶之一配置間距配置以抑制一反射，例如係與可見光之一波長相同級別之一配置間距。此處，該配置間距係指配置間距P1及P2。用於抑制一反射之光之波長帶係紫外光、可見光或紅外光之一波長帶。此處，紫外光之波長帶係指10奈米至360奈米之一波長帶，可見光之波長帶係指360奈米至830奈米之一波長帶且紅外光之波長帶係指830奈米至1 mm之一波長帶。具體而言，該配置間距合意地為180奈米或更大且350奈米或更小，更合意地為190奈米或更大且280奈米或更小。若配置間距下降到低於180奈米，則結構3之製造趨於變得困難。另一方面，若配置間距超過350奈米，則趨於發生可見光之一繞射。
導電光學器件1之結構3經配置以在基板2之表面上形成複數個跡線列T1、T2、T3、...(此後，亦統稱為「跡線T」)。在本申請案中，跡線係指其中結構3線性耦合成一列之一部分。此外，一列方向係指基板2之成形表面上垂直於一跡線延伸方向(X方向)之一方向。
結構3經配置以使得兩個毗鄰跡線T之結構3偏移一半間距。具體而言，橫跨兩個毗鄰跡線T，一個跡線(例如，T1)之結構3分別配置在另一跡線(例如，T2)中所配置之結構3中之中間位置(各自偏移一半間距之位置)處。因此，如圖1B中所示，結構3經配置以便形成其中結構3之中心係分別定位於橫跨三個毗鄰跡線(T1至T3)之點a1至a7處之六方晶格圖案或準六方晶格圖案。在該第一實施例中，六方晶格圖案係指規則六方晶格圖案，而準六方晶格圖案係指不同於規則六方晶格圖案且在跡線延伸方向(X方向)上拉伸且變形之六方晶格圖案。
當結構3經配置以便形成準六方晶格圖案時，結構3在同一跡線(例如，T1)中之配置間距P1(a1與a2之間的距離)合意地長於結構3橫跨兩個毗鄰跡線(例如，T1及T2)之配置間距，亦即，結構3在如圖1B中所示相對於跡線延伸方向之一±θ方向上之配置間距P2(例如，a1與a7之間的距離及a2與a7之間的距離)。藉由如此配置結構3，可額外增加結構3之一填充密度。
鑒於可成形性，合意地，結構3具有一金字塔形狀或在跡線方向上拉伸或收縮之一金字塔形狀。合意地，結構3具有一軸對稱金字塔形狀或在跡線方向上拉伸或收縮之一軸對稱金字塔形狀。當毗鄰結構3接合至彼此時，合意地，結構3具有除其接合至彼此之下部分外係軸對稱之一金字塔形狀或在跡線方向上拉伸或收縮之一軸對稱金字塔形狀。該金字塔形狀之實例包含一錐體形狀、一截頭錐體形狀、一橢圓錐體形狀及一橢圓截頭錐體形狀。此處，除錐體形狀及截頭錐體形狀之外，該金字塔形狀概念上還包含如上文所述橢圓錐體形狀及橢圓截頭錐體形狀。此外，截頭錐體形狀係指藉由切割錐體形狀之一頂點部分所獲得之一形狀且橢圓截頭錐體形狀係指藉由切掉一橢圓錐體之一頂點部分所獲得之一形狀。
合意地，結構3具有包含一底部表面之一金字塔形狀，在該底部表面中，在跡線延伸方向上之一寬度大於在垂直於該延伸方向之列方向上之一寬度。具體而言，合意地，結構3具有一橢圓錐體形狀，其中一底部表面具有一卵形形狀或一蛋形形狀，該形狀具有長軸及短軸且一頂點部分如圖2及4中所示彎曲。另一選擇為，期望其中一底部表面具有一卵形形狀或一蛋形形狀(該形狀具有長軸及短軸)且一頂點部分如圖5中所示係平緩之一橢圓截頭錐體形狀。在如上文所述之組態之情形下，可增加列方向上之一填充率。
鑒於改良反射特性，合意地，結構3具有其中頂點部分處之傾斜係逐漸的且該傾斜自中心部分朝向底部部分逐漸變陡峭(參見圖4)之一金字塔形狀。此外，鑒於改良反射特性及透射特性，合意地，結構3具有其中中心部分處之傾斜比底部部分及頂點部分處之傾斜陡峭(參見圖2)之一金字塔形狀或其中頂點部分係平緩(參見圖5)之一金字塔形狀。當結構3具有一橢圓錐體形狀或一橢圓截頭錐體形狀時，合意地，底部表面之長軸方向平行於跡線延伸方向。儘管結構3在圖2及類似圖中具有相同形狀，但結構3之形狀並不限於此，且兩個或更多個不同形狀可用於欲形成於基板之表面上之結構3。此外，結構3可與基板2形成整體。
此外，如圖2及4至6中所示，合意地，在結構3之一部分或整個周圍上形成突出部分6。在此結構之情形下，甚至在結構3之填充率為低時，亦可將反射比抑制為低。具體而言，突出部分6中之每一者係提供於毗鄰結構3之間，例如如圖2、4及5中所示。另一選擇為，伸長的突出部分6可提供於結構3之一部分或整個周圍上，如圖6中所示。舉例而言，伸長的突出部分6中之每一者自結構3之頂點部分延伸至下部分。可使用具有一三角形剖面之一形狀、具有四邊形剖面之一形狀及類似形狀作為突出部分6之一形狀。然而，突出部分6之形狀並不特定限於此，且可考量可成形性或類似因素來進行選擇。此外，結構3之該部分或整個周圍表面可經粗糙化以於其上形成微小突點。具體而言，毗鄰結構3之間的表面可經粗糙化以使得(例如)於其上形成微小突點。另一選擇為，微小孔可形成於結構3之表面上，如頂點部分。
結構3並不限於該等圖中所示之凸結構3且可替代地由形成於基板2之表面上之凹部分形成。結構3之高度並無特定限制且舉例而言係約420奈米，更具體而言，係415奈米至421奈米。應注意當結構3係由凹部分形成時，結構3之高度變為結構3之一深度。
結構3在跡線延伸方向上之一高度H1合意地小於結構3在列方向上之一高度H2。換言之，合意地，高度H1及H2滿足H1<H2之一關係。當結構3經配置以滿足H1H2之一關係時，在跡線延伸方向上之配置間距P1需要伸長，其結果係結構3在跡線延伸方向上之填充率降低。如上文所述降低填充率導致反射特性之劣化。
應注意，結構3之縱橫比不需要係相同，且結構3可經構造以具有某一高度分佈(例如，在0.5至1.46之範圍內之縱橫比)。藉由如此提供具有一高度分佈之結構3，可抑制反射特性之一波長相依性。因此，可實現具有極佳抗反射特性之一導電光學器件1。
本文所使用之高度分佈意指結構3以兩個或更多個不同高度(深度)形成於基板2之表面上。換言之，具有一參考高度之結構3及具有不同於該參考高度之一高度之結構3形成於基板2之表面上。舉例而言，具有不同於該參考高度之高度之結構3循環地或非循環地(隨機地)形成於基板2之表面上。舉例而言，跡線延伸方向及列方向可能作為一循環方向。
合意地，在結構3中之每一者之一周邊部分處形成一摺邊部分3a，此乃因在導電光學器件之一製造過程中自一模具或類似裝置容易地剝離結構3變為可能。本文所使用之摺邊部分3a係指形成於結構3之底部部分之一周邊部分處之一突出部分。鑒於剝離特性，合意地，摺邊部分3a係彎曲以使得其一高度自結構3之頂點部分至下部分逐漸降低。應注意，摺邊部分3a可僅提供於結構3之周邊部分之一部分處，但鑒於改良剝離特性，合意地，提供於結構3之整個周邊部分上。此外，當結構3係由凹部分構成時，摺邊部分3a係形成於作為結構3之凹部分之一開口之一周邊上之一彎曲表面。
結構3之高度(深度)並不進行特定限制且基於欲透射之光之一波長範圍適當設定為在(例如)100奈米至280奈米(合意地為110奈米至280奈米)之一範圍內。此處，結構3之高度(深度)係結構3在跡線列方向上之一高度(深度)。當結構3之高度低於100奈米時，反射比趨於增加，而當結構3之高度超過280奈米時，一預定電阻之確保趨於變得困難。結構3之縱橫比(高度/配置間距)合意地在0.5至1.46，更合意地為0.6至0.8之範圍內。當縱橫比低於0.5時，反射特性及透射特性趨於劣化，而當縱橫比超過1.46時，在導電光學器件之製造過程中，結構3之剝離特性趨於劣化，其結果係不能完美地複製一複製品。
此外，鑒於改良反射特性，合意地，結構3之縱橫比在0.54至1.46之範圍內。鑒於改良透射特性，合意地，結構3之縱橫比在0.6至1.0之範圍內。
應注意，在本申請案中，該縱橫比係由以下表達式(1)界定。
縱橫比=H/P...(1)
此處，H表示結構之一高度，且P表示一平均配置間距(平均循環)。
此處，平均配置間距P由以下表達式(2)界定。
平均配置間距P=(P1+P2+P2)/3...(2)
此處，P1表示在跡線延伸方向上之一配置間距(跡線延伸方向循環)，且P2表示在相對於跡線延伸方向之一±θ方向(假設θ=60°-δ，其中δ合意地，為0°<δ11°，更合意地為3°δ6°)上之一配置間距(θ方向循環)。
此外，結構3之高度H係結構3在列方向上之一高度。結構3在跡線延伸方向(X方向)上之高度小於在列方向(Y方向)上之高度，且結構3在不同於在跡線延伸方向上之部分之部分處之高度大致與在列方向上之高度相同。因此，子波長結構之高度係由在列方向上之高度表示。當結構3係由凹部分構成時，表達式(1)中結構之高度H係結構之一深度H。
當結構3在相同跡線中之配置間距係由P1表示且結構3在兩個毗鄰跡線之間的配置間距係由P2表示時，一比率P1/P2合意地滿足1.00P1/P21.1或1.00<P1/P21.1之關係。藉由如此設定數值範圍，可增加各自具有一橢圓錐體形狀或一橢圓截頭錐體形狀之結構3之填充率，其結果係可改良抗反射特性。
結構3在基板之表面上之填充率係65%或更大，合意地為73%或更大，更合意地為86%或更大，其中100%作為一上限。藉由將填充率如此設定在彼等範圍內，可改良抗反射特性。為增加該填充率，合意地，接合毗鄰結構3之下部分或藉由調整該等結構之底部表面之一橢圓率來使結構3變形。
此處，結構3之填充率(平均填充率)係如下獲得之一值。
首先，使用一SEM(掃描電子顯微鏡)以俯視圖形式給導電光學器件1之一表面拍照。接下來，自所拍SEM照片隨機選擇一單位胞Uc以由此量測單位胞Uc之配置間距P1及一跡線間距Tp(參見圖1B)。然後，藉由影像處理來量測定位於單位胞Uc之中心處之結構3之底部表面之一面積S。隨後，使用所量測配置間距P1、跡線間距Tp及底部表面之面積S來藉由以下表達式(3)獲得填充率。
填充率=(S(六方)/S(單位))*100...(3)
單位胞面積：S(單位)=P1*2Tp
單位胞內結構之底部表面的面積：S(六方)=2S
針對自所拍SEM照片中隨機選擇之10個單位胞執行如上文所述計算一填充率之處理。之後，僅對量測值求平均值(算術中值)以獲得填充率之一平均率，且使用所獲得值作為結構3在基板之表面上之填充率。
結構3重疊時或一子結構(諸如一突出部分6)係提供於結構3之間時的填充率可藉由以下一方法獲得：使用對應於結構3之高度之5%之一部分作為一臨限值來判定一面積比。
圖7係用於闡釋在其中結構3之邊界係不明顯之一情況下計算一填充率之一方法之一圖示。當結構3之邊界係不明顯時，可藉由以下操作獲得填充率：藉由一剖面SEM觀察使用對應於結構3之高度h之5%之一部分(=(d/h)*100)作為一臨限值(如圖7中所示)而藉由高度d轉換結構3之一直徑。當結構3之底部表面係一卵形時，使用長軸及短軸執行相同處理。
圖8係各自顯示當結構3之底部表面之一橢圓率改變時之一底部表面組態之圖示。圖8A至8D中所示之卵形之橢圓率分別係100%、110%、120%及141%。藉由如此改變橢圓率，可改變結構3在基板之表面上之填充率。當結構3形成準六方晶格圖案時，該結構之底部表面之一橢圓率e合意地係100%<e<150%或更小。此乃因，在該範圍內，可增加結構3之填充率，且可獲得極佳抗反射特性。
此處，當結構之底部表面在跡線方向(X方向)上之一直徑由a表示且在垂直於其之列方向(Y方向)上之一直徑由b表示時，則橢圓率e由(a/b)*100界定。應注意，結構3之直徑a及b係如下獲得之值。首先，使用一SEM(掃描電子顯微鏡)以俯視圖形式給導電光學器件1之一表面拍照，且自所拍SEM照片隨機抽取10個結構3。接下來，量測所抽取結構3之底部表面之直徑a及b。然後，僅對量測值a及b求平均值(算術中值)以獲得結構3之直徑a及b。
圖9A顯示各自具有一錐體形狀或一截頭錐體形狀之結構3之一配置實例。圖9B顯示各自具有一橢圓錐體形狀或一橢圓截頭錐體形狀之結構3之一配置實例。如圖9A及9B中所示，合意地，結構3之下部分以一重疊方式接合。具體而言，合意地，結構3之下部分與毗鄰結構3之下部分部分地或整體地接合。更具體而言，合意地，在跡線方向上、在θ方向上或該兩個方向之兩者上接合結構3之下部分。圖9A及9B各自顯示其中接合毗鄰結構3之所有下部分之一實例。藉由如此接合結構3，可增加結構3之填充率。合意地，在將一折射率考量在內之一光學路徑長度中之一使用環境下將該等結構在對應於光波長帶之最大值之1/4或更小之部分處接合。因此，可獲得極佳抗反射特性。
當各自具有一橢圓錐體形狀或一橢圓截頭錐體形狀之結構3之下部分如圖9B中所示接合至彼此時，接合部分a、b及c之高度按所陳述的接合部分a、b及c之次序變小。具體而言，相同跡線中之毗鄰結構3之下部分疊合以形成一第一接合部分a且在毗鄰跡線之間的毗鄰結構3之下部分疊合以形成一第二接合部分b。一相交部分c形成在第一接合部分a與第二接合部分b之一相交處。相交部分c之一位置(舉例而言)低於第一接合部分a及第二接合部分b之位置。當各自具有一橢圓錐體形狀或一橢圓截頭錐體形狀之結構3之下部分接合時，第一接合部分a、第二接合部分b及相交部分c之高度按所陳述的次序變小。
一直徑2r與配置間距P1之一比率((2r/P1)*100)係85%或更大，合意地為90%或更大，更合意地為95%或更大。藉由如此設定彼等範圍，可增加結構3之填充率，且可改良抗反射特性。若比率((2r/P1)*100)變大且結構3之重疊變為太大，則抗反射特性趨於劣化。因此，合意地，設定比率((2r/P1)*100)之一上限值以使得在將一折射率考量在內之光學路徑長度中之一使用環境下將該等結構在對應於光波長帶之最大值之1/4或更小之部分處接合至彼此。此處，配置間距P1係結構3在跡線方向上之一配置間距，且直徑2r係該結構之底部表面在跡線方向上之一直徑。應注意，當該結構之底部表面係圓形時，直徑2r變為一直徑，且當該結構之底部表面係卵形時，直徑2r變為一最長直徑。
(透明導電層)
合意地，透明導電層4含有一透明氧化物半導體作為一主要成分。該透明氧化物半導體之實例包含二元化合物(諸如SnO2 、InO2 、ZnO及CdO)、三元化合物(其包含選自由Sn、In、Zn及Cd構成之群組之至少一個元素作為該二元化合物之構成元素)及多組分(複雜)氧化物。形成透明導電層4之材料之實例包含ITO(In2 O3 、SnO2 )、AZO(Al2 O3 、ZnO:鋁摻雜氧化鋅)、SZO、FTO(氟摻雜氧化錫)、SnO2 (氧化錫)、GZO(鎵摻雜氧化鋅)及IZO(In2 O3 、ZnO：氧化銦鋅)。在彼等實例中，鑒於高可靠性及一低電阻，ITO係合意的。合意地，構成該透明導電層4之材料處於一非晶形-多晶混合狀態中以提高一導電性。透明導電層4係沿結構3之表面組態形成，且合意地，結構3及透明導電層4之表面組態係幾乎相同。此乃因可抑制因透明導電層4之形成所致一折射率曲線之一改變，且可維持極佳抗反射特性及透射特性。
(金屬膜)
合意地，形成金屬膜(導電膜)5作為透明導電層4之一基底層，此乃因減小一電阻、減小透明導電層4之一厚度及當僅藉助透明導電層4導電性不能達到一充分值時補償導電性變為可能。金屬膜5之膜厚度並不進行特定限制且舉例而言，可設定為約數個奈米。由於金屬膜5具有高導電性，因此可藉助數個奈米之一膜厚度獲得一充分表面電阻。此外，在約數個奈米之膜厚度之情形下，幾乎不存在光學影響，諸如金屬膜5之吸收及反射。合意地，使用具有高導電性之一金屬材料作為形成金屬膜5之材料。此一材料之實例包含Ag、Al、Cu、Ti、Nb及經摻雜Si。在彼等材料中，考量到高導電性及實際使用效能，Ag係合意的。儘管一表面電阻可僅藉助金屬膜5來確保，但若金屬膜5係極薄，則金屬膜5變為一島狀結構，其結果係確保導電性變得困難。在此情況下，為電連接島狀金屬膜5，將透明導電層4形成為金屬膜5之上層變為重要。
(捲軸母板之結構)
圖10顯示用於製造具有以上結構之一導電光學器件之一捲軸母板之一結構實例。如圖10中所示，一捲軸母板11具有其中作為凸部分之大量結構13以約與光(諸如可見光)之一波長相同之間距配置於一基質12之一表面上之一結構。基質12具有一圓筒形形狀或一圓柱形形狀。可使用(舉例而言)玻璃作為基質12之一材料，但並不特定限於此。使用後文欲闡述之一捲軸基質曝光裝置，可在空間上聯接二維圖案，針對每一跡線使一極性反轉格式化器信號與一記錄裝置之一旋轉控制器同步以產生一信號，且藉由CAV以一適當饋送間距圖案化一圖案。因此，可記錄六方晶格圖案或準六方晶格圖案。藉由適當設定極性反轉格式化器信號之一頻率及捲軸之一rpm，在一所需記錄區域中形成具有一均勻空間頻率之一晶格圖案。
(導電光學器件之製造方法)
接下來，參照圖11至14，將闡述用於如上文所述所構造之導電光學器件1之一製造方法。
用於根據該第一實施例之導電光學器件1之製造方法包含：在一基質上形成一光阻劑層之一光阻劑沈積步驟、使用一捲軸基質曝光裝置在該光阻劑層上形成一蠅眼式圖案之一潛像之一曝光步驟及顯影其上形成該潛像之該光阻劑層之一顯影步驟。該方法亦包含使用電漿蝕刻製造一捲軸母板之一蝕刻步驟、藉由紫外光可固化樹脂製造一複製基板之一複製步驟，及將一透明導電層沈積在該複製基板上之一沈積步驟。
(曝光裝置之結構)
首先，參照圖11，將闡述蠅眼式圖案曝光步驟中所使用之捲軸基質曝光裝置之一結構。該捲軸基質曝光裝置係基於一光學圓盤記錄裝置而構造。
一雷射光源21係用於曝光沈積在基質12之一表面上作為一記錄媒體之一光阻劑之一光源且發射具有(舉例而言)266奈米之一波長λ之記錄雷射光15。自雷射光源21發射之雷射光15作為一平行光束向前行進且進入一電光器件(EOM：電光調變器)22。已透射穿過該電光器件22之雷射光15由一反射鏡23反射且被引導至一調變光學系統25。
反射鏡23係由一偏振分束器構成且具有反射一個偏振分量並致使另一偏振分量從中透射之一功能。已透射穿過反射鏡23之偏振分量由一光電二極體24接收，且一光接收信號用於控制電光器件22以便執行對雷射光15之一相位調變。
在調變光學系統25中，雷射光15經由一聚光透鏡26由一聲光器件(AOM：聲光調變器)27收集，該聲光器件係由玻璃(SiO2 )形成。在雷射光15由聲光器件27進行強度調變且傳播之後，一透鏡28使其成為一平行光束。自調變光學系統25發射之雷射光15由一反射鏡31反射且作為平行光束被水平引導至一移動光學台32。
移動光學台32包含一擴束器33及一物鏡34。引導至移動光學台32之雷射光15由擴束器33整形為一預定光束形狀且之後經由物鏡34輻照至基質12上之一光阻劑層上。基質12放置在連接至一主軸馬達35之一轉臺36上。然後，在使基質12旋轉且在基質12之一高度方向上移動雷射光15之同時，將雷射光15間歇地輻照至該光阻劑層上。因此，執行該光阻劑層曝光步驟。所形成潛像具有近似一卵形形狀，該卵形形狀在一圓周方向上具有一長軸。雷射光束15之移動係藉由移動光學台32在由箭頭R指示之一方向上之一移動來執行。
該曝光裝置包含用於在該光阻劑層上形成對應於圖1B中所示之二維六方晶格或準六方晶格圖案之一潛像之一控制機構37。該控制機構37包含一格式化器29及一驅動器30。格式化器29包含一極性反轉部分，其控制雷射光15相對於該光阻劑層之一輻照計時。驅動器30在接收到該極性反轉部分之一輸出之後控制聲光器件27。
在該捲軸基質曝光裝置中，針對每一跡線使一極性反轉格式化器信號與一記錄裝置之一旋轉控制器同步以產生一信號從而在空間上聯接二維圖案，且該信號之一強度由聲光器件27調變。藉由以一恆定角速度(CAV)、一適當rpm、一適當調變頻率及一適當饋送間距執行圖案化，可記錄六方晶格圖案或準六方晶格圖案。舉例而言，饋送間距僅需要設定為251奈米以將圓周方向上之循環設定為315奈米且將在相對於該圓周方向為約60度(約-60度方向)之一方向上之一循環設定為300奈米(勾股定理)，如圖10B中所示。該極性反轉格式化器信號之一頻率藉由捲軸之rpm(例如，1800 rpm、900 rpm、450 rpm及225 rpm)改變。舉例而言，該極性反轉格式化器信號之對應於捲軸之1800 rpm、900 rpm、450 rpm及225 rpm之頻率分別係37.70 MHz、18.85 MHz、9.34 MHz及4.71 MHz。一所需記錄區域中具有一均勻空間頻率(315-奈米圓周循環、在相對於圓周方向約60度方向(約-60度方向)上之300-奈米循環)之準六方晶格圖案由以下步驟獲得：藉由移動光學台32上之擴束器(BEX)33將遠紫外雷射光之一光束直徑擴大至5倍於該光束直徑，經由具有0.9之一NA(數值孔徑)之物鏡34將該雷射光輻照至基質12上之光阻劑層上及形成一微小潛像。
(光阻劑沈積步驟)
首先，如圖12A中所示，製備一圓筒形基質12。基質12(舉例而言)係一玻璃基質。接下來，如圖12B中所示，一光阻劑層14形成於基質12之一表面上。可使用(舉例而言)一有機光阻劑或一無機光阻劑作為光阻劑層14之材料。可使用(舉例而言)酚醛光阻劑或化學放大光阻劑作為有機光阻劑。可使用(舉例而言)由一種或兩種或更多種類型之過度金屬構成之金屬氧化物作為無機光阻劑。
(曝光步驟)
隨後，如圖12C中所示，使用上文所述捲軸基質曝光裝置，將雷射光(曝光光束)15輻照至光阻劑層14上，同時使基質12旋轉。此時，藉由間歇地輻照雷射光15同時在基質12之一高度方向(平行於圓筒形或圓柱形基質12之中心軸之方向)上移動雷射光15，曝光光阻劑層14之整個表面。因此，在光阻劑層14之整個表面上以約與可見光之波長相同之間距形成對應於雷射光15之一軌跡之潛像16。
潛像16經配置以便在基質之表面上形成複數列跡線並由此形成六方晶格圖案或準六方晶格圖案。潛像16各自具有一卵形形狀，該卵形形狀在跡線延伸方向上具有一長軸方向。
(顯影步驟)
接下來，將一顯影劑滴塗在光阻劑層14上同時使基質12旋轉，且光阻劑14因此如圖13A中所示經受顯影處理。當光阻劑層14形成為如圖中所示之一正型光阻劑時，與一未曝光部分相比，關於該顯影劑之一溶解率在由雷射光15曝光之一經曝光部分處增加，其結果係在光阻劑層14上形成對應於潛像(經曝光部分)16之一圖案。
(蝕刻步驟)
接下來，使用形成於基質12上之光阻劑層14上之一圖案(光阻劑圖案)作為一遮罩使基質12之表面經受蝕刻處理。因此，如圖13B中所示，可獲得具有一橢圓椎體形狀或一橢圓截頭椎體形狀(其在跡線延伸方向上具有一長軸方向)之凹部分(亦即結構13)。舉例而言，該蝕刻係藉由幹式蝕刻來執行。此時，藉由交替執行蝕刻處理及灰化處理，可形成錐形結構13之圖案。此外，可製造具有3倍或更多倍於光阻劑層14之深度(3或更大之選擇性)之一玻璃母板且增加結構3之一縱橫比。作為乾式蝕刻，使用一捲軸蝕刻裝置之電漿蝕刻係受歡迎。
藉由執行上文所述步驟，可獲得具有六方晶格圖案或準六方晶格圖案之一捲軸母板11，該晶格圖案由各自具有約120奈米至350奈米之一深度之凹部分構成。
(複製步驟)
接下來，將捲軸母板11與其上施加有一轉印材料之基板2(例如一片)彼此緊密接觸並用紫外射線輻照以進行固化及剝離。因此，作為凸部分之複數個結構如圖13C中所示形成於基板2之一個主表面上，且製造一導電光學器件1，例如一蠅眼式紫外光可固化複製片。
該轉印材料由(例如)一紫外光可固化材料及一引發劑構成且根據需要包含一填充劑、一功能添加劑及類似材料。
該紫外光可固化材料係由(例如)單功能性單體、雙功能性單體、多功能性單體或類似材料構成。具體而言，該紫外光可固化材料係藉由單獨使用上文所述材料或混合該複數種材料來獲得。
該單功能性單體之實例包含羧酸(丙烯酸)、羥基化合物(丙烯酸2-羥乙基酯、丙烯酸2-羥丙基酯及丙烯酸4-羥丁基酯)、烷基類、脂環族化合物(丙烯酸異丁酯、丙烯酸第三丁酯、.丙烯酸異辛酯、丙烯酸月桂基酯、丙烯酸硬脂基酯、丙烯酸異冰片基酯及丙烯酸環己酯)、其他功能性單體(丙烯酸2-甲氧基乙酯、甲氧基乙二醇丙烯酸酯、丙烯酸2-乙氧基乙基酯、丙烯酸四氫糠基酯、丙烯酸苄酯、乙基卡必醇丙烯酸酯、丙烯酸苯氧基乙基酯、丙烯酸N,N-二甲胺基乙酯、N,N-二甲胺基丙基丙烯醯胺、N,N-二甲基丙烯醯胺、丙烯醯基嗎啉、N-異丙基丙烯醯胺、N,N-二乙基丙烯醯胺、N-乙烯基吡咯啶酮、丙烯酸2-(全氟辛基)乙基酯、丙烯酸3-全氟己基-2-羥基丙酯、丙烯酸3-全氟辛基-2-羥丙酯、丙烯酸2-(全氟癸基)乙酯、丙烯酸2-(全氟-3-甲基丁基)乙酯)、2,4,6-三溴苯酚丙烯酸酯、2,4,6-三溴苯酚甲基丙烯酸酯、丙烯酸2-(2,4,6-三溴苯氧基)乙酯)及丙烯酸2-乙基己酯。
雙功能性單體之實例包含三(丙二醇)二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二芳基醚及丙烯酸胺基甲酸酯。
多功能性單體之實例包含三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、聚二異戊四醇五丙烯酸酯及聚二異戊四醇六丙烯酸酯。
引發劑之實例包含2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、1-羥基環己基苯基酮及2-羥基-2-甲基-1-苯基丙-1-酮。
可使用(舉例而言)無機粒子或有機粒子作為填充劑。無機粒子之實例包含SiO2 、TiO2 、ZrO2 、SnO2 、Al2 O3 及類似物之金屬氧化物粒子。
功能性添加劑之實例包含一均化劑、一表面調節劑及一消泡劑。基板2之材料之實例包含甲基丙烯酸甲酯(共)聚物、聚碳酸酯、苯乙烯(共)聚物、甲基丙烯酸甲酯-苯乙烯共聚物、二乙酸纖維素、三乙酸纖維素、乙酸丁酸纖維素、聚酯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚醚碸、聚碸、聚丙烯、聚甲基戊烯、聚氯乙烯、聚乙烯醇縮醛、聚醚酮、聚胺基甲酸酯及玻璃。
形成一基板2之方法並不進行特定限制且可係注入模製、擠壓模製或鑄造模製。可根據需要在基板之表面上執行表面處理，例如電暈處理。
(金屬膜沈積步驟)
接下來，如圖14A中所示，將一金屬膜沈積在基板2之其上已根據需要形成結構3之凹凸表面上。除一CVD方法(化學氣相沈積：使用化學反應自氣相沈積薄膜之技術)(例如熱CVD、電漿CVD及光學CVD)之外，可使用一PVD方法(物理氣相沈積：藉由將在真空中物理氣化之材料聚集在基板上來形成薄膜之技術)(例如真空氣相沈積、電漿輔助氣相沈積、濺鍍及離子電鍍)作為用於一金屬膜之一沈積方法。
(導電膜沈積步驟)
接下來，如圖14B中所示，將一透明導電層沈積在基板2之其上已形成結構3之凹凸表面上。可使用(舉例而言)與上文所述沈積一金屬膜之方法相同之一方法作為沈積一透明導電層之方法。
根據該第一實施例，可提供具有一極高透射比及較少反射之一導電光學器件1。由於抗反射功能係藉由在表面上形成複數個結構3來實現，因此一波長相依性係低且一角相依性比一光學膜式透明導電層之角相依性低。一極佳生產率及低成本可藉由使用一奈米壓印技術且選用一高通量膜結構而不使用一多層光學膜來實現。
<2.　第二實施例>
(導電光學器件之結構)
圖15A係根據一第二實施例之一導電光學器件之一結構實例之一示意平面圖。圖15B係圖15A中所示導電光學器件之一部分放大平面圖。圖15C係圖15B之跡線T1、T3、...之一剖視圖。圖15D係圖15B之跡線T2、T4、...之一剖視圖。圖15E係顯示形成對應於圖15B之跡線T1、T3...之潛像所使用之雷射光之一調變波形之一示意圖。圖15F係顯示形成對應於圖15B之跡線T2、T4...之潛像所使用之雷射光之一調變波形之一示意圖。
該第二實施例之導電光學器件1與該第一實施例之導電光學器件的不同之處在於結構3橫跨三個毗鄰跡線形成一正方晶格圖案或一準正方晶格圖案。在當前實施例中，準正方晶格圖案不同於一規則正方晶格圖案且係指藉由在跡線延伸方向(X方向)上延伸該規則正方晶格圖案以使其變形來獲得之一規則正方晶格圖案。
結構3之高度或深度並非進行特性限制且設定在(例如)100奈米至280奈米，合意地110奈米至280奈米之範圍內。此處，結構3之高度(深度)係結構3在跡線延伸方向上之一高度(深度)。當結構3之高度低於100奈米時，反射比趨於增加，而當結構3之高度超過280奈米時，一預定電阻之確保趨於變得困難。在相對於該等跡線(約)45度之一方向上之配置間距P2係(例如)約200奈米至300奈米。結構3之縱橫比(高度/配置間距)合意地係在約0.54至1.13之範圍內。此外，結構3之縱橫比不需要係相同，且結構3可經構造以具有某一高度分佈。
結構3在相同跡線中之配置間距P1合意地係長於結構3在兩個毗鄰跡線之間的配置間距P2。此外，當結構3在相同跡線中之配置間距係由P1表示且結構3在兩個毗鄰跡線之間的配置間距係由P2表示時，合意地，一比率P1/P2滿足1.4<P1/P21.5之一關係。藉由設定此一數值範圍，可改良各自具有一橢圓椎體形狀或一橢圓截頭椎體形狀之結構3之一填充率，其結果係可改良抗反射特性。此外，合意地，結構3在相對於該等跡線之一45度方向或近似45度方向上之高度或深度小於結構3在跡線延伸方向上之高度或深度。
合意地，結構3在相對於跡線延伸方向傾斜之陣列方向(θ方向)上之高度H2小於結構3在跡線延伸方向上之高度H1。換言之，合意地，高度H1及H2滿足H1>H2之一關係。
圖16係結構3之底部表面之一橢圓率改變時之一底部表面組態之一圖示。卵形31 、32 及33 之橢圓率分別係100%、163.3%及141%。藉由如此改變該橢圓率，可改變結構3在基板之表面上之填充率。當結構3形成一正方晶格圖案或一準正方晶格圖案時，該結構之底部表面之一橢圓率e合意地係150%e180%。此乃因，在該範圍內，可增加結構3之填充率，且可獲得極佳抗反射特性。
結構3在基板之表面上之填充率係65%或更大，合意地係73%或更大，更合意地係86%或更大，其中100%作為一上限。藉由將該填充率如此設定在彼等範圍內，可改良抗反射特性。
此處，結構3之填充率(平均填充率)係如下獲得之一值。
首先，使用一SEM(掃面電子顯微鏡)以俯視圖形式給導電光學器件1之表面拍照。接下來，自所拍SEM照片隨機選擇一單位胞Uc以由此量測該單位胞Uc之配置間距P1及跡線間距Tp(參見圖15B)。然後，藉由影像處理量測該單位胞Uc中四個結構3中之任一者之底部表面之一面積S。隨後，使用所量測配置間距P1、跡線間距Tp及底部表面之面積S藉由以下表達式(4)來獲得填充率。
填充率=(S(正方)/S(單位))*100...(4)
單位胞面積：S(單位)=2*((P1*Tp)*(1/2))=P1*Tp
單位胞內之結構之底部表面的面積：S(正方)=S
針對自所拍SEM照片隨機選擇之10個單位胞執行上文所述計算一填充率之處理。之後，僅對量測值求平均值(算術中值)以獲得該填充率之一平均率，且使用所獲得值作為結構3在基板之表面上之填充率。
直徑2r與配置間距P1之比率((2r/P1)*100)係64%或更大，合意地為69%或更大，更合意地為73%或更大。藉由如此設定彼等範圍，可增加結構3之填充率，且可改良抗反射特性。此處，配置間距P1係結構3在跡線方向上之一配置間距，且直徑2r係該結構之底部表面在跡線方向上之一直徑。應注意，當該結構之底部表面係圓形時，直徑2r變為一直徑，且當該結構之底部表面係卵形時，直徑2r變為一最長直徑。
(捲軸母板之結構)
圖17顯示用於製造具有上文所述結構之一導電光學器件之一捲軸母板之一結構實例。此捲軸母板與該第一實施例之捲軸母板的不同之處在於凹結構13在表面上形成一正方晶格圖案或一準正方晶格圖案。
使用捲軸基質曝光裝置，在空間上聯接二維圖案，針對每一跡線使一極性反轉格式化器信號與一記錄裝置之一旋轉控制器同步以產生一信號及藉由CAV以一適當饋送間距圖案化一圖案。因此，可記錄一正方晶格圖案或一準正方晶格圖案。合意地，藉由適當設定該極性反轉格式化器信號之一頻率及該捲軸之一rpm，在基質12上之光阻劑之一所需記錄區域中藉由輻照雷射光形成具有一均勻空間頻率之一晶格圖案。
<3.　第三實施例>
(導電光學器件之結構)
圖18A係顯示根據一第三實施例之一導電光學器件之一結構實例之一示意平面圖。圖18B係圖18A中所示導電光學器件之一部分放大平面圖。圖18C係圖18B之跡線T1、T3、...之一剖視圖。圖18D係圖18B之跡線T2、T4、...之一剖視圖。
該第三實施例之導電光學器件1與該第一實施例之導電光學器件的不同之處在於跡線T形成為一弧形且結構3沿該弧形配置。如圖18B中所示，結構3經配置以形成準六方晶格圖案，其中結構3之中心分別定位於橫跨三個毗鄰跡線(T1至T3)之點a1至a7處。此處，準六方晶格圖案係指不同於規則六方晶格圖案且沿跡線T之弧形拉伸及變形之六方晶格圖案或係指不同於規則六方晶格圖案且在跡線延伸方向(X方向)上拉伸及變形之六方晶格圖案。
由於導電光學器件1之除上文所述結構之外之結構與該第一實施例之彼等結構相同，因此將省略對其說明。
(圓盤母板之結構)
圖19A及19B顯示用於製造具有上文所述結構之一導電光學器件之一圓盤母板之一結構實例。如圖19A及19B中所示，一圓盤母板41具有其中作為凹部分之大量結構43配置在一圓盤狀基質42之一表面上之一結構。在該導電光學器件1之一使用環境下結構43循環地且在二維上以等於或小於光之一波長帶之一配置間距配置，例如係與可見光之一波長相同級別之一配置間距。舉例而言，將結構43配置在同心或螺旋跡線上。
由於圓盤母板41之除上文所述結構之外之結構與該第一實施例之捲軸母板11之彼等結構相同，因此將省略對其說明。
(製造導電光學器件之方法)
首先，參照圖20，將闡述用於製造具有上文所述結構之一圓盤母板41之一曝光裝置。
移動光學台32包含擴束器33、一反射鏡38及物鏡34。引導至移動光學台32之雷射光15藉由擴束器33整形為一預定光束形狀且之後經由反射鏡38及物鏡34輻照至圓盤狀基質42上之一光阻劑層上。將基質42放置在連接至主軸馬達35之一轉臺(未顯示)上。然後，當使基質42旋轉且在基質42之一徑向方向上移動雷射光15之同時，將雷射光15間歇地輻照至基質42上之光阻劑層上。因此，執行光阻劑層曝光步驟。所形成潛像具有近似一卵形形狀，該卵形形狀在一圓周方向上具有一長軸。雷射光15之移動係藉由移動光學台32在由箭頭R指示之一方向上之一移動來執行。
圖20中所示曝光裝置包含用於在光阻劑層上形成對應於圖18B中所示一二維六方晶格或準六方晶格圖案之一潛像之控制機構37。控制機構37包含格式化器29及驅動器30。格式化器29包含一極性反轉部分，該極性反轉部分控制雷射光15相對於光阻劑層之一輻照計時。驅動器30在接收該極性反轉部分之一輸出之後控制聲光器件27。
控制機構37針對每一跡線同步藉由聲光器件27對雷射光15之一強度調變、主軸馬達35之一驅動旋轉速度及移動光學台32之一移動速度以便空間上聯接二維圖案作為潛像。基質42經控制以一恆定角速度(CAV)旋轉。然後，在藉由主軸馬達35之基質42之一適當rpm、藉由聲光器件27之雷射光15之一雷射強度之一適當頻率調變及藉由移動光學台32之雷射光15之一適當饋送間距下執行圖案化。因此，在光阻劑層上形成六方晶格圖案或準六方晶格圖案之一潛像。
此外，極性反轉部分之一控制信號係逐漸改變以使得空間頻率變得均勻(潛像之圖案密度，P1：330奈米及P2：300奈米、P1：315奈米及P2：275奈米或P1：300奈米及P2：265奈米)。更具體而言，在相對於每一跡線之光阻劑層改變雷射光15之輻照循環之同時執行一曝光，及在控制機構37中執行雷射光15之一頻率調變以使得每一跡線T中之P1變為近似330奈米(或315奈米、300奈米)。換言之，控制該調變以使得隨著該跡線之位置進一步遠離圓盤狀基質42之中心移動雷射光之輻照循環變得越來越短。因此，可在基板之整個表面上形成具有一均勻空間頻率之一奈米圖案。
此後，將闡述製造根據該第三實施例之一導電光學器件之方法之一實例。
首先，使用具有上文所述結構之曝光裝置，以除曝光形成於該圓盤狀基質上之該光阻劑層之外與該第一實施例中相同之方式製造圓盤母板41。接下來，將圓盤母板41與其上已施加有紫外光可固化樹脂之基板2(例如丙烯酸片)彼此緊密接近且用紫外射線輻照以由此固化該紫外光可固化樹脂。此後，自圓盤母板41剝離基板2。因此，可獲得其中複數個結構3配置於該表面上之一圓盤狀光學器件。接下來，在該光學器件之其中形成複數個結構3之一凹凸表面上，在根據需要沈積一金屬膜5之後沈積一透明導電層4。因此，可獲得一圓盤狀導電光學器件1。隨後，自該圓盤狀導電光學器件1切去一預定形狀(例如一矩形)之導電光學器件1。因此，製造一所需導電光學器件1。
根據該第三實施例，可如在其中線性配置結構3之情況下一樣獲得具有一高生產率及極佳抗反射特性之一導電光學器件1。
<4.　第四實施例>
圖21A係根據一第四實施例之一導電光學器件之一結構實例之一示意平面圖。圖21B係顯示圖21A中所示導電光學器件之一部分放大平面圖。
該第四實施例之導電光學器件1與該第一實施例之導電光學器件的不同之處在於結構3曲折地配置於跡線上(此後，稱為擺動跡線)。合意地，使基板2上跡線之擺動同步。換言之，合意地，使擺動為同步擺動。藉由如此同步化該等擺動，可維持六方晶格或準六方晶格之一單位胞組態，且可保持填充率為高。可使用(舉例而言)一正弦曲線或一三角波作為擺動跡線之一波形。該等擺動跡線之波形並不限於一循環波形且可係一非循環波形。將該等擺動跡線之一擺動振幅設定為(例如)約±10 μm。
該第四實施例之除上文所述結構之外之結構與該第一實施例之彼等結構相同。
根據該第四實施例，由於結構3配置在擺動跡線上，因此可抑制一外觀方面之不平緩。
<5.　第五實施例>
圖22A係顯示根據一第五實施例之一導電光學器件之一結構實例之一示意平面圖。圖22B係圖22A中所示導電光學器件之一部分放大平面圖。圖22C係圖22B之跡線T1、T3、...之一剖視圖。圖22D係圖22B之跡線T2、T4、...之一剖視圖。圖23係圖22A中所示導電光學器件之一部分放大透視圖。
該第五實施例之導電光學器件1與該第一實施例之導電光學器件的不同之處在於大量結構3作為凹部分配置在基板之表面上。結構3具有藉由顛倒該第一實施例之結構3之凸形狀獲得之一凹形狀。應注意，當結構3形成為如上文所述凹部分時，將作為凹部分之結構3之一開口(凹部分之進入部分)界定為一下部分，而將結構3在深度方向上之一最低部分(凹部分之最深部分)界定為一頂點部分。換言之，頂點部分及下部部分由結構3界定為一非物質空間。此外，由於結構3在第五實施例中係凹部分，因此在表達式(1)及類似表達式中結構3之高度H變為結構3之一深度H。
該第五實施例之除上文所述結構之外之結構與該第一實施例之彼等結構相同。
由於在該第五實施例中顛倒該第一實施例之凸結構3之形狀，因此該第五實施例具有與該第一實施例相同之效應。
<6.　第六實施例>
圖24A係顯示根據一第六實施例之一導電光學器件之一結構實例之一示意平面圖。圖24B係圖24A中所示導電光學器件之一部分放大平面圖。圖24C係圖24B之跡線T1、T3、...之一剖視圖。圖24D係圖24B之跡線T2、T4、...之一剖視圖。圖25係圖24A中所示導電光學器件之一部分放大透視圖。
導電光學器件1包含基板2、形成於基板2之表面上之複數個結構3及形成於結構3上之透明導電層4。合意地，鑒於改良一表面電阻在結構3與透明導電層4之間額外提供金屬膜5。結構3係各自具有一金字塔形狀之凸部分。毗鄰結構3之下部分接合至彼此同時彼此重疊。在毗鄰結構3中，最毗鄰之結構3合意地係配置在跡線方向上。此乃因在後文欲闡述之製造方法中易於將最毗鄰之結構3配置於此等位置處。導電光學器件1具有防止進入基板之其上形成有結構3之表面之光之一反射之一功能。在以下闡述中，在基板2之一個主表面內垂直之兩個軸將分別稱為X軸及Y軸，且垂直於基板2之該主表面之一軸將稱為Z軸。此外，當在結構3中存在空餘部分2a時，合意地，在該等空餘部分2a上形成一微小凹凸組態。藉由提供此一微小凹凸組態，可額外減少導電光學器件1之反射比。
圖26顯示根據該第六實施例之導電光學器件之一折射率曲線之一實例。如圖26中所示，結構3相對於深度方向(圖24A中之-Z方向)之一有效折射率以一S曲線朝向基板2逐漸增加。具體而言，該折射率曲線包含一個反曲點N。該反曲點N對應於結構3之一側表面組態。藉由如此改變有效折射率，減小一反射(此乃因邊界對於光變為不明顯)及改良導電光學器件1之抗反射特性變為可能。合意地，相對於深度方向之有效折射率之改變係一單一增加。此處，該S曲線包含一倒S曲線，亦即一Z曲線。
此外，合意地，相對於深度方向之有效折射率之改變比結構3之頂點部分側及基板側中之至少一者上之有效折射率之傾斜之一中值陡峭，更合意地，比結構3之頂點部分側及基板側之兩者上之有效折射率之傾斜之一中值陡峭。因此，可獲得極佳抗反射特性。
舉例而言，結構3之下部分接合至一部分或所有毗鄰結構3之下部分。藉由如此接合該等結構之下部分至彼此，可使結構3相對於深度方向之有效折射率之改變平滑。因此，一S形折射率曲線變為可能。此外，藉由接合該等結構之下部分至彼此，可增加該等結構之填充率。應注意，在圖24B中，在所有毗鄰結構3皆接合至彼此之一狀態中之接合部分之位置由黑點「‧」指示。具體而言，接合部分形成於所有毗鄰結構3中、相同跡線中之毗鄰結構3之間(例如，a1與a2之間)或橫跨毗鄰跡線之結構3中(例如，在a1至a7或a2至a7中)。為實現一平滑折射率曲線且獲得極佳抗反射特性，合意地，在所有毗鄰結構3中形成接合部分。為在之後欲闡述之製造方法中容易地形成該等接合部分，合意地，在相同跡線中之毗鄰結構3之間形成接合部分。當結構3循環地配置成六方晶格圖案或準六方晶格圖案時，在其中結構3成六重對稱之一方向上接合該等接合部分。
合意地，接合該等結構3以使得其下部分彼此重疊。藉由如此接合結構3，可獲得一S形折射率曲線且可增加結構3之填充率。合意地，在將一折射率考量在內之一光學路徑長度中之一使用環境下將該等結構在對應於光波長帶之最大值之1/4或更小之部分處接合。因此，可獲得極佳抗反射特性。
合意地，根據欲透射之光之一波長帶適當地設定結構3之高度。具體而言，合意地，在一使用環境下結構3之高度為光波長帶之最大值之5/14或更大且其10/7或更小。當使可見光透射穿過結構3時，結構3之高度合意地係100奈米至280奈米。合意地，將結構3之縱橫比(高度H/配置間距)設定為0.5至1.46之範圍內。當該縱橫比低於0.5時，反射特性及透射特性趨於劣化，且當該縱橫比超過1.46時，在導電光學器件1之製造中，結構3之剝離特性趨於劣化，其結果係不能完美地複製一複製品。
作為結構3之材料，含有紫外光可固化樹脂(藉由紫外射線固化)、電離輻射可固化樹脂(藉由電子束固化)或熱可固化樹脂(藉由熱固化)作為一主要成分之一材料係合意，且含有藉由紫外射線固化之紫外光可固化樹脂作為一主要成分之一材料係最合意。
圖27係顯示該結構之形狀之一實例之一放大剖視圖。合意地，結構3之側表面朝向基板2以圖26中所示S曲線之一平方根之一形狀逐漸變寬。在此一側表面組態之情形下，可獲得極佳抗反射特性且可改良結構3之一可轉印性。
結構3之一頂點部分3t具有一平面形狀或朝向一末端變細之一凸形狀。當結構3之頂點部分3t具有一平面形狀時，合意地，該結構之頂點部分之一平面之一面積St與單位胞之面積S之一面積比(St/S)隨著結構3之高度增加而降低。在此一結構之情形下，可改良結構3之抗反射特性。此處，該單位胞係(舉例而言)六方晶格或準六方晶格。該結構之底部表面之一面積比(結構之底部表面之面積Sb與單位胞之面積S之面積比(Sb/S))合意地係接近頂點部分3t之面積比。此外，具有比結構3低之一折射率之一低折射率層可形成於結構3之頂點部分3t處。藉由如此形成一低折射率層，可降低反射比。
合意地，結構3之排除頂點部分3t及下部分3b之側表面自頂點部分3t至下部分3b按所陳述次序具有一對第一改變點Pa及第二改變點Pb。因此，結構3相對於深度方向(圖24A中之-Z方向)之有效折射率可具有一個反曲點。
此處，該第一改變點及該第二改變點界定如下。
如圖28A及28B中所示，當結構3在頂點部分3t與下部分3b之間的側表面係藉由自結構3之頂點部分3t至其下部分3b不連續地連接複數個平滑曲線而形成時，連接點變為改變點。該等改變點與反曲點重合。儘管準確而言不能在連接點處執行一微分，但作為一極限之此一反曲點在此情況中亦稱為反曲點。當結構3具有如上文所述之彎曲表面時，合意地，結構3自頂點部分3t至下部分3b之傾斜自第一改變點Pa係逐漸的，且自第二改變點Pb變得陡峭。
當結構3在頂點部分3t與下部分3b之間的側表面係藉由自結構3之頂點部分3t至其下部分3b連續連接複數個平滑曲線(如圖28C中所示)而形成，如下界定改變點。一曲線中最靠近該結構之側表面上之兩個改變點中之每一者處的兩個相交切線之一相交處之一點(如圖28C中所示)變為改變點。
合意地，結構3在其介於頂點部分3t與下部分3b之間的側表面上具有一個步階St。藉由如此提供一個步階St，可實現上文所述折射率曲線。換言之，結構3相對於深度方向之有效折射率可朝向基板2以一S曲線逐漸增加。該步階之實例包含一斜步階及一平行步階，但該斜步階係合意。當步階St係一斜步階時，可使可轉印性比在其中步階St係一平行步階之情況下更受歡迎。
該斜步階係指其中一側表面不平行於基板之表面，但自結構3之頂點部分朝向下部分變寬之一步階。該平行步階係指平行於基板之表面之一步階。此處，步階St係由上文所述第一改變點Pa及第二改變點Pb設定之一區段。應注意，步階St並不包含頂點部分3t之一平面及結構中之一曲線或平面。
合意地，結構3具有除接合至一毗鄰結構3之下部分之外係軸對稱之一金字塔形狀或鑒於可成形性藉由在跡線方向上延伸或收縮金字塔形狀而獲得之一金字塔形狀。該金字塔形狀之實例包含一錐體形狀、一截頭錐體形狀、一橢圓錐體形狀及一橢圓截頭錐體形狀。此處，除了錐體形狀及截頭錐體形狀之外，該金字塔形狀概念上亦包含如上文所述橢圓錐體形狀及橢圓截頭錐體形狀。此外，該截頭錐體形狀係指藉由切掉錐體形狀之一頂點部分而獲得之一形狀，且該橢圓截頭錐體形狀係指藉由切掉一橢圓錐體之一頂點部分而獲得之一形狀。應注意，結構3之整個形狀並不限於彼等形狀且僅需要係其中結構3相對於深度方向之折射率朝向基板2以一S曲線逐漸增加之一形狀。此外，該金字塔形狀不僅包含一完整金字塔形狀而且包含以下一金字塔形狀：如上文所述在其一側表面上包含步階St 。
具有一橢圓錐體形狀之結構3係一凸金字塔結構，其中一底部表面具有一卵形狀或一蛋形形狀(其具有長軸及短軸)且一頂點部分朝向一末端變細。具有一橢圓截頭錐體形狀之結構3係其中一底部表面具有一卵形形狀或一蛋形形狀(其具有長軸及短軸)且一頂點部分係平緩之一金字塔結構。當結構3形成為一橢圓錐體形狀或一橢圓截頭錐體形狀時，合意地，在基板之表面上形成結構3以使得結構3之底部表面之長軸方向與跡線延伸方向(X方向)重合。
結構3之一剖面面積相對於結構3之深度方向而改變以對應於上文所述折射率曲線。合意地，結構3之剖面面積在結構3之深度方向上單一地增加。此處，結構3之剖面面積係指平行於基板之其上形成有結構3之表面之一剖面之一面積。合意地，改變結構3在深度方向上之剖面面積以使得結構3在具有不同深度之位置處之剖面面積之一比率對應於與彼等位置對應之有效折射率曲線。
具有上文所述步階之結構3係藉由(例如)使用如以下所述所製造之一基質轉印一組態而獲得。具體而言，其中一步階形成於一結構(凹部分)之一側表面上之一基質係藉由在基質製造中適當調整蝕刻步驟中之蝕刻處理及灰化處理之一處理時間來製造。
根據該第六實施例，結構3各自具有一金字塔形狀，且結構3相對於深度方向之有效折射率朝向基板2以一S曲線逐漸增加。因此，可減小一反射，此乃因藉由結構3之形狀效應邊界對於光變為不明顯。因此，可獲得極佳抗反射特性。尤其當結構3之高度係大時可獲得極佳抗反射特性。此外，由於毗鄰結構3之下部分接合至彼此之同時彼此重疊，因此可增加結構3之填充率且可改良結構3之可成形性。
合意地，改變結構3相對於深度方向之成一S曲線之有效折射率曲線且將該等結構配置成一(準)六方晶格圖案或一(準)正方晶格圖案。此外，合意地，結構3具有一軸對稱結構或其中軸對稱結構在跡線方向上延伸或收縮之一結構。此外，合意地，在基板附近接合毗鄰結構3。在此一結構之情形下，可產生可更容易製造之高效能抗反射基板。
當導電光學器件1係藉由其中組合光碟基質製造過程及蝕刻過程之方法製造時，該基質製造過程所需之一時間(曝光時間)與藉由一電子束曝光製造導電光學器件1之情況相比可顯著縮短。因此，可顯著改良導電光學器件1之一生產率。
當結構3之頂點部分不陡峭且係平緩時，可改良導電光學器件1之耐久性。此外，亦可改良結構3相對於捲軸母板11之剝離特性。當結構3之步階係一斜步階時，與其中該步階係一平行步階之情況相比，可改良一可轉印性。
<7.第七實施例>
圖29係顯示根據一第七實施例之一導電光學器件之一結構實例之一剖視圖。如圖29中所示，該第七實施例之導電光學器件1與該第一實施例之導電光學器件的不同之處在於結構3亦形成在其上已形成有結構3之主表面(第一主表面)之另一側上之另一主表面(第二主表面)上。
對於導電光學器件1之兩個主表面，結構3之配置圖案、縱橫比及類似參數不需要相同，且可根據所需特性選擇不同配置圖案及縱橫比。舉例而言，一個主表面之配置圖案可係準六方晶格圖案，且另一主表面之配置圖案可係一準正方晶格圖案。
由於在該第七實施例中複數個結構3形成於基板2之兩個主表面上，因此一抗反射功能可授予給導電光學器件1之一光入射表面及一光發射表面兩者。因此，可額外改良透射特性。
<8.　第八實施例>
圖30係根據一第八實施例之一導電光學器件之一結構實例之一剖視圖。如圖30中所示，導電光學器件1與該第一實施例之導電光學器件的不同之處在於一透明導電層8形成於基板2上且具有一透明導電性之大量結構3形成於透明導電層8之一表面上。透明導電層8包含選自由以下構成之群組之至少一種類型材料：一導電聚合物、一導電填充劑、一碳奈米管及一導電粉。可使用(舉例而言)一銀基填充劑作為一導電填充劑。可使用(舉例而言)一ITO粉作為導電粉。
該第八實施例具有與上文該第一實施例相同之效應。
<9.　第九實施例>
圖31A係顯示根據一第九實施例之一觸控面板之一結構實例之一剖視圖。此觸控面板係一所謂電阻膜式觸控面板。可使用一類比電阻膜式觸控面板或一數位電阻膜式觸控面板作為電阻膜式觸控面板。如圖31A中所示，作為一資訊輸入裝置之一觸控面板50包含一第一導電基底材料51(其包含資訊輸入至其之一觸控表面(輸入表面))及與該第一導電基底材料51相對之一第二導電基底材料52。合意地，觸控面板50在該第一導電基底材料51之一觸控側表面上額外地包含一硬塗層或一防污硬塗層。此外，可根據需要在該觸控面板50上額外提供一前面板。舉例而言經由一黏合劑層53將該觸控面板50附接至一顯示裝置54。
該顯示裝置之實例包含各種顯示裝置，例如一液晶顯示器、一CRT(陰極射線管)顯示器、一電漿顯示器(PDP：電漿顯示面板)、一EL(電致發光)顯示器及一SED(表面傳導電子發射顯示器)。
使用根據該第一至第六實施例之導電光學器件1中之任一者作為第一導電基底材料51及第二導電基底材料52中之至少一者。當將根據該第一至第六實施例之導電光學器件1中之任一者用於第一導電基底材料51及第二導電基底材料52時，相同實施例或不同實施例之導電光學器件1可用於該等導電基底材料
合意地，在第一導電基底材料51與第二導電基底材料52之兩個相對表面中之至少一者上形成結構3，或鑒於抗反射特性及透射特性，在相對表面之兩者上形成結構3。
合意地，在第一導電基底材料51之觸控側表面上形成一單層或多層抗反射層以減小反射比且改良可見度。
(經修改實例)
圖31B係根據第九實施例之觸控面板之結構之一經修改實例之一剖視圖。如圖31B中所示，該第七實施例之導電光學器件1用作第一導電基底材料51及第二導電基底材料52中之至少一者。
複數個結構3形成於第一導電基底材料51及第二導電基底材料52之相對表面中之至少一者上。另外，複數個結構3亦形成於第一導電基底材料51之觸控側表面及第二導電基底材料52之位於顯示器件54側上之表面中之至少一者上。鑒於抗反射特性及透射特性，合意地，在兩個表面上形成結構3。
由於在該第九實施例中使用導電光學器件1作為第一導電基底材料51及第二導電基底材料52中之至少一者，因此可獲得具有極佳抗反射特性及透射特性之一觸控面板50。因此，可改良觸控面板50之可見度，尤其係觸控面板50之在外部之可見度。
<10.　第十實施例>
圖32A係根據一第十實施例之一觸控面板之一結構實例之一透視圖。圖32B係顯示根據該第十實施例之觸控面板之結構之一實例之一剖視圖。此實施例之觸控面板與該第九實施例之觸控面板的不同之處在於額外提供了形成於觸控表面上之一硬塗層7。
觸控面板50包含第一導電基底材料51(其包含資訊輸入至其之觸控表面(輸入表面))及與第一導電基底材料51相對之第二導電基底材料52。第一導電基底材料51及第二導電基底材料52經由在其等周邊部分處之間提供的一接合層55附接至彼此。使用(舉例而言)一黏合膏或一膠帶作為接合層55。合意地，將一防污性質授予硬塗層7之一表面。觸控面板50經由(舉例而言)黏合劑層53附接至顯示裝置54。可使用(舉例而言)丙烯酸黏合劑、橡膠黏合劑及矽黏合劑作為黏合劑層53之材料，但鑒於一透明性丙烯酸黏合劑係合意。
由於在該第十實施例中硬塗層7形成於第一導電基底材料51之觸控側表面上，因此可改良觸控面板50之觸控表面之一抗磨耗性。
<11.　第十一實施例>
圖33A係顯示根據一第十一實施例之一觸控面板之一結構實例之一透視圖。圖33B係顯示根據該第十一實施例之該觸控面板之結構之一實例之一剖視圖。該第十一實施例之觸控面板50與該第九實施例之觸控面板的不同之處在於額外提供了經由一接合層60附接至第一導電基底材料51之觸控側表面之一偏振器58。當如上文所述提供偏振器58時，合意地，使用一λ/4-相位差膜作為第一導電基底材料51及第二導電基底材料52之基板2。藉由如此選用偏振器58及作為λ/4-相位差膜之基板2，可減少反射比，且可改良可見度。
合意地，在第一導電基底材料51之觸控側表面上形成一單層或多層抗反射層(未顯示)以減少反射比且改良可見度。此外，可額外地提供經由一接合層61或類似物附接至第一導電基底材料51之觸控側表面之一前面板(表面部件)59。與在第一導電基底材料51中一樣，大量結構3可形成於前面板59之主表面中之至少一者上。圖33顯示其中大量結構3形成於前面板59之一光入射表面上之一實例。此外，一玻璃基板56可經由一接合層57或類似物附接至第二導電基底材料52之位於附接至顯示裝置54或類似裝置之一側上之表面。
合意地，還在第一導電基底材料51及第二導電基底材料52中的至少一者的一周邊部分上形成複數個結構3，此乃因第一導電基底材料51或第二導電基底材料52與接合層55之間的黏合性可藉由一定錨效應改良。
此外，合意地，還在第二導電基底材料52的附接至顯示裝置54或類似裝置之表面上形成複數個結構3，此乃因觸控面板50與接合層57之間的黏合性可藉由該複數個結構3之定錨效應改良。
<12.　第十二實施例>
圖34係顯示根據一第十二實施例之一觸控面板之一結構實例之一剖視圖。該第十二實施例之觸控面板50與該第九實施例之觸控面板的不同之處在於第一導電基底材料51及第二導電基底材料52中之至少一者在其一周邊部分上包含複數個結構3。第一導電基底材料51及第二導電基底材料52之該等周邊部分各自包含具有一預定圖案之一佈線層71、覆蓋佈線層71之一絕緣層72及用於接合該等基底材料之接合層55中之至少一者。此外，在第二導電基底材料52之該等主表面之中，大量點間隔件73形成在與第一導電基底材料51相對之表面上。
佈線層71係用於形成一平行電極、一輸送電路(handling circuit)或類似物且含有一佈線材料(諸如一熱乾燥式或熱可固化導電膏)作為一主要成分。可使用(舉例而言)一銀膏作為導電膏。絕緣層72係用於確保該等基底材料中之每一者之佈線層71之絕緣性質且防止發生短路，且其係由一絕緣材料形成，例如紫外光可固化或熱可固化絕緣膏或一絕緣帶。接合層55係用於接合該等基底材料且含有一黏合劑(諸如紫外光可固化或熱可固化黏合膏)作為一主要成分。點間隔件73用於確保該等基底材料之間的一間隙且防止該等基底材料與彼此接觸，且含有紫外光可固化、熱可固化或微影式點間隔件膏作為一主要成分。
由於在該第十二實施例中，第一導電基底材料51及第二導電基底材料52中之至少一者在該周邊部分處包含複數個結構3，因此可獲得一定錨效應。因此，可改良佈線層71、絕緣層72及接合層55之黏合性。此外，當大量結構3形成於為一下部電極之第二導電基底材料52之一電極表面上時，可改良點間隔件73之黏合性。
此外，合意地，還在第二導電基底材料52之接合至顯示裝置54之表面上形成複數個結構3(如圖34中所示)，此乃因可藉由該複數個結構3之定錨效應改良觸控面板50與顯示裝置54之間的黏合性。
<13.　第十三實施例>
圖35係顯示根據一第十三實施例之一液晶顯示裝置之一結構實例之一剖視圖。如圖35中所示，該第十三實施例之一液晶顯示裝置70包含一液晶面板(液晶層)71(其包含第一及第二主表面)、形成於該第一主表面上之一第一偏振器72、形成於該第二主表面上之一第二偏振器73及間置於液晶面板71與第一偏振器72之間的觸控面板50。觸控面板50係一與液晶顯示器整合之觸控面板(所謂的內部觸控面板)。大量結構3可直接形成於第一偏振器72之一表面上。當第一偏振器72在該表面上具有一保護層(例如一TAC(三乙醯基纖維素)膜)時，合意地，在該保護層上直接形成該等大量結構3。藉由在第一偏振器72上如此形成該等大量結構3，可使液晶顯示裝置70更薄。
(液晶面板)
可使用一顯示模式中之一面板作為液晶面板71，例如一TN(扭曲向列)模式、一STN(超扭曲向列)模式、一VA(垂直配向)模式、一IPS(平面內切換)模式、一OCB(光學補償雙折射)模式、一FLC(鐵電液晶)模式、一PDLC(聚合物分散液晶)模式及一PCGH(相位改變主客)模式。
(偏振器)
第一偏振器72及第二偏振器73經由接合層74及75接合至液晶面板71之第一及第二主表面以使得其透射軸變為相互垂直。第一偏振器72及第二偏振器73僅透射入射光中正交偏振分量中之一者，且藉由吸收阻擋另一偏振分量。可使用(舉例而言)藉由在一聚乙烯醇(PVA)膜上配置一碘錯合物或一二色性染料獲得之彼等偏振器作為第一偏振器72及第二偏振器73。合意地，在第一偏振器72及第二偏振器73之兩個表面上提供一保護層，例如TAC(三乙醯基纖維素)。
(觸控面板)
可使用根據該第九至第十二實施例之觸控面板中之任一者作為觸控面板50。
由於在該第十一實施例中液晶面板71與觸控面板50共享第一偏振器72，因此可改良光學特性。
<14.　第十四實施例>
圖36A係顯示根據一第十四實施例之一觸控面板之一結構之一第一實例之一剖視圖。圖36B係顯示根據該第十四實施例之觸控面板之結構之一第二實例之一剖視圖。該第十四實施例之觸控面板50係一所謂電容式觸控面板，且大量結構3形成在其一表面或一內部中之至少一者上。觸控面板50(舉例而言)經由黏合劑層53接合至顯示裝置54。
(第一結構實例)
如圖36A中所示，該第一結構實例之觸控面板50包含基板2、形成在基板2上之透明導電層4及一保護層9。大量結構3以等於或小於可見光之波長之微小間距形成於基板2及保護層9中之至少一者上。應注意圖36A顯示其中該等大量結構3形成於基板2之表面上之一實例。可使用一表面電容式觸控面板、一內部電容式觸控面板及一投射電容式觸控面板作為電容式觸控面板。當諸如一佈線層等一周邊部件形成於基板2之該周邊部分上時，合意地，還如在該第十二實施例中一樣在基板2之該周邊部分上形成該等大量結構3，此乃因可改良該周邊部件(諸如一佈線層)與基板2之間的黏合性。
保護層9係含有一電介質材料(諸如SiO2 )作為一主要成分之一電介質層。透明導電層4具有相依於觸控面板50之類型而不同之一結構。舉例而言，當觸控面板50為一表面電容式觸控面板或一內部電容式觸控面板時，透明導電層4係具有一大致均勻厚度之一薄膜。當觸控面板50係一投射電容式觸控面板時，透明導電層4係一透明電極圖案，例如以預定間距配置之一晶格形狀。可使用與該第一實施例之透明導電層4相同之材料作為第一結構實例之透明導電層4之材料。除此之外之部分與該第九實施例之彼等部分相同。
(第二結構實例)
如圖36B中所示，該第二結構實例之觸控面板50與該第一結構實例之觸控面板的不同之處在於大量結構3以等於或小於可見光之波長之微小間距形成於保護層9之該表面(亦即觸控表面)上，而非觸控面板50之內部上。應注意，亦可在接合至顯示裝置54之一側上之背部表面上形成該等大量結構3。
由於在該第十四實施例中該等大量結構3形成於電容式觸控面板50之表面或內部中之至少一者上，因此該第十四實施例具有與該第八實施例相同之效應。
(若干實例)
後文，將藉助實例詳細闡述該等實施例，但該等實施例並不限於彼等實例。
將按以下次序闡述該等實例及實驗實例。
1.導電光學片之光學特性
2.結構與光學特性及表面電阻之關係
3.透明導電層之厚度與光學特性及表面電阻之關係
4.與其他類型之低反射導電膜之比較
5.結構與光學特性之間的關係
6.透明導電層之形狀與光學特性之間的關係
7.填充率、直徑比及反射比特性(模擬)之間的關係
8.使用導電光學片之觸控面板之光學特性
9.藉由蠅眼式結構之黏合性之改良
(高度H、配置間距P及縱橫比(H/P))
在以下實例中，如下確定導電光學片之結構之高度H、配置間距P及縱橫比(H/P)。
首先，在未沈積一透明導電層之一狀態中，藉由一AFM(原子力顯微鏡)給一光學片之一表面組態拍照。然後，自所拍AFM影像及其一剖面輪廓獲得該等結構之配置間距P及高度H。接下來，使用配置間距P及高度H來獲得一縱橫比(H/P)。
(透明導電層之平均膜厚度)
在以下實例中，如下獲得透明導電層之平均膜厚度。
首先，在跡線延伸方向上切割該導電光學片以包含該等結構之一頂點部分，且藉由一TEM(透射式電子顯微鏡)給其一剖面拍照。自所拍TEM照片量測透明導電層在該等結構之該等頂點部分處之膜厚度D1。在自該導電光學片隨機選擇之10個點處重複此量測，且僅對該等量測值求平均值(算術中值)以獲得用作該透明導電層之平均膜厚度之一平均膜厚度Dm 1。
此外，如下獲得該透明導電層在作為一凸部分之結構之頂點部分處之平均膜厚度Dm 1、透明導電層在作為一凸部分之結構之斜面處之平均膜厚度Dm 2及透明導電層在毗鄰的作為凸部分之結構之間的平均膜厚度Dm 3。
首先，在跡線延伸方向上切割該導電光學片以包含該等結構之一頂點部分，且藉由一TEM給其一剖面拍照。自所拍TEM照片量測透明導電層在該等結構之該等頂點部分處之膜厚度D1。然後，量測結構3之斜面上之若干位置中在結構3之高度之一半(H/2)處之膜厚度D2。隨後，量測該等結構之間的凹部分之若干位置中在其中凹部分之深度變為最大之一位置處之膜厚度D3。然後，在自導電光學片隨機選擇之10個點處重複量測膜厚度D1、D2及D3，且僅對所量測值D1、D2及D3求平均值(算術中值)以獲得平均膜厚度Dm 1、Dm 2及Dm 3。
此外，如下獲得透明導電層在作為一凹部分之結構之頂點部分處之平均膜厚度Dm 1、透明導電層在作為一凹部分之結構之斜面處之平均膜厚度Dm 2及該透明導電層在毗鄰的作為凹部分之結構之間的平均膜厚度Dm 3。
首先，在跡線延伸方向上切割該導電光學片以包含該等結構之一頂點部分，且藉由一TEM給其一剖面拍照。自所拍TEM照片量測該透明導電層在作為一非物質空間之該等結構之頂點部分處之膜厚度D1。然後，量測該結構之斜面上之若干位置中在該結構之高度之一半(H/2)處之膜厚度D2。隨後，量測該等結構之間的凹部分之若干位置中在其中凹部分之高度變為最大之一位置處之膜厚度D3。然後，在自導電光學片隨機選擇之10個點處重複量測膜厚度D1、D2及D3，且僅對所量測值D1、D2及D3求平均值(算術中值)以獲得平均膜厚度Dm 1、Dm 2及Dm 3。
<1.　導電光學片之光學特性>
(實例1)
首先，製備具有126 mm之一外徑之一玻璃捲軸基質，且如下在該玻璃基質之一表面上沈積一光阻劑層。具體而言，藉由透過一稀釋劑將一光阻劑稀釋至1/10且透過浸塗以約70奈米之一厚度將該經稀釋光阻劑施加至該玻璃捲軸基質之一圓筒形表面上來沈積該光阻劑層。接下來，將作為一記錄媒體之該玻璃捲軸基質運送至圖11中所示捲軸基質曝光裝置，以便使該光阻劑層曝光。因此，在該光阻劑層上圖案化作為一單個螺旋線之一潛像，其橫跨三個毗鄰跡線形成六方晶格圖案。
具體而言，將甚至使該玻璃捲軸基質之表面曝光之具有0.50 mW/m之功率之雷射光輻照至其中欲形成該六方晶格圖案之一區域上，以因此形成一凹六方晶格圖案。應注意，該光阻劑層在跡線列方向上之厚度為約60奈米，且其在跡線延伸方向上之厚度為約50奈米。
接下來，該玻璃捲軸基質上之該光阻劑層經受顯影處理，在該顯影處理中，溶解且顯影經曝光部分處之該光阻劑層。具體而言，將一未經顯影之玻璃捲軸基質放置於一顯影機(未顯示)之一轉臺上，且將一顯影劑滴塗至該玻璃捲軸基質之表面上同時旋轉整個轉臺，由此顯影該基質之表面上之該光阻劑。因此，獲得其中該光阻劑層呈六方晶格圖案顯露之一光阻劑玻璃基質。
隨後，使用一捲軸蝕刻裝置在CHF3 氣體之氣氛中執行電漿蝕刻。因此，該蝕刻僅在該玻璃捲軸基質之表面上自該光阻劑層曝光且對應於該六方晶格圖案之部分中進行，且不蝕刻其他區域此乃因該光阻劑層充當一遮罩，其結果係獲得具有一橢圓錐體形狀之凹部分。藉由蝕刻時間改變此時圖案化中之一蝕刻量(深度)。最後，藉由透過O2 灰化完全移除光阻劑層，獲得一凹六方晶格蠅眼式玻璃捲軸母板。該凹部分在列方向上之一深度比該凹部分在跡線延伸方向上之深度深。
接下來，將該蠅眼式玻璃捲軸母板與其上已施加有紫外光可固化樹脂之丙烯酸片彼此緊密接觸，且在藉助紫外射線輻照以使其固化之同時剝離該丙烯酸片。因此，獲得在其上於一個主表面上配置複數個結構之一光學片。接下來，藉由一濺鍍方法在該等結構上沈積具有30奈米之一膜厚度之一IZO膜。
目標導電光學片係藉由上文所述方法製造。
(實例2)
一導電光學片係藉由除將具有160奈米之一膜厚度之IZO膜形成於該等結構上之外與實例1中相同之方法製造。
(實例3)
首先，藉由與實例1中相同之方法在一個表面上製造其上配置有複數個結構之一光學片。接下來，藉由與在一個主表面上形成複數個結構之方法相同之一方法在該光學片之另一主表面上形成複數個結構。因此，製造其上於兩個表面上形成複數個結構之一光學片。接下來，藉由一濺鍍方法將具有30奈米之一平均膜厚度之一IZO膜沈積在形成於一個主表面上之該等結構上。因此，製造其上於兩個表面上形成該複數個結構之一導電光學片。
(比較實例1)
藉由除省略沈積一IZO膜之步驟之外與實例1相同之方法製造一光學片。
(比較實例2)
藉由透過一濺鍍方法在平滑丙烯酸片之一表面上沈積具有30奈米之一膜厚度之一IZO膜製造一導電光學片。
(形狀評估)
在未沈積一IZO膜之一狀態中藉由一AFM(原子力顯微鏡)觀察該等光學片之一表面組態。此後，自該AFM之一剖面輪廓獲得該等實例之結構之高度及類似參數。將結果顯示於表1中。
(表面電阻評估)
藉由四端子方法(JIS K 7194)量測如上文所述製造之該等導電光學片之一表面電阻。將結果顯示於表1中。
(反射比/透射比評估)
使用可自JASCO公司購得之一評估裝置(V-550)來評估如上文所述製造之該等導電光學片之一反射比及透射比。將結果顯示於圖37A及37B中。
應注意在表1中，一圓錐形狀係指具有一彎曲頂點部分之一橢圓錐體形狀。
可自上文評估結果發現以下內容。
當藉由該四端子方法(JIS K 7194)量測時，比較實例2中之表面電阻為270 Ω/□。另一方面，在其中將一蠅眼式結構形成於該表面上之實例1中，當藉由一板狀轉換將具有2.0*10-4 Ωcm之一電阻之一透明導電層(IZO膜)沈積為具有30奈米之一膜厚度時，該平均膜厚度變為約30奈米。甚至在將一表面面積之一增加考量在內之情形下此時之表面電阻亦變為4000 Ω/□。作為一電阻膜式觸控面板，此級別電阻沒有問題。
如圖37A及37B中所示，實例1具有與比較實例1相等級別之特性，在比較實例1中未形成該透明導電層且僅在該表面上形成蠅眼式結構。此外，在實例1中，獲得比比較實例1中更佳之光學特性，在比較實例1中，將具有一相當級別之表面電阻之透明導電層沈積在一平滑片上。
由於在實例2中沈積在一板狀轉換中具有160奈米之一厚度(平均膜厚度)之一透明導電層(IZO膜)，因此該透射比趨於降低。認為此係由於因將該透明導電層形成為過厚，因而該等蠅眼式結構失去其形狀且因此維持一所需形狀變得困難。換言之，藉由將該透明導電層形成為過厚，在維持該等蠅眼式結構之形狀之同時使一薄膜生長變得困難。然而，甚至在如上文所述未維持該形狀時，該等光學特性比比較實例2之彼等光學特性更佳，在比較實例2中僅將該透明導電層沈積在一平滑片上。
在其中將該等蠅眼式結構形成於兩個表面上之實例3中，相比於其中將該等蠅眼式結構形成於一個表面上之實例1，改良該抗反射功能。可自圖37B看出實現其中該透射比如97%或99%一樣高之特性。
<2.　結構與光學特性及表面電阻之關係>
(實例4至6)
藉由除以下內容之外與實例1中相同之方法製造一導電光學片：藉由針對每一跡線調整一極性反轉格式化器信號之一頻率、一捲軸之一rpm及一饋送間距且圖案化一光阻劑層來將六方晶格圖案記錄至該光阻劑層上。
(實例7)
藉由除顛倒實例6之凹度及凸度之外與實例1中相同之方法製造其中將複數個凹結構(反轉圖案之結構)形成於一表面上之一導電光學片。
(比較實例3)
藉由除省略一IZO膜之沈積之外與實例4中相同之方法製造一導電光學片。
(比較實例4)
藉由除省略一IZO膜之沈積之外與實例6中相同之方法製造一導電光學片。
(比較實例5)
藉由透過一濺鍍方法在平滑丙烯酸片上沈積具有40奈米之一膜厚度之一IZO膜製造一導電光學片。
(形狀評估)
在未沈積一IZO膜之一狀態中藉由一AFM(原子力顯微鏡)觀察該等光學片之一表面組態。此後，自該AFM之一剖面輪廓獲得該等實例之結構之高度及類似參數。將結果顯示於表2中。
(表面電阻評估)
藉由四端子方法量測如上文所述製造之該等導電光學片之一表面電阻。將結果顯示於表2中。此外，圖38A顯示縱橫比與表面電阻之間的一關係。圖38B顯示該等結構之高度與該表面電阻之間的一關係。
(反射比/透射比評估)
使用可自JASCO公司購得之一評估裝置(V-550)評估如上文所述製造之該等導電光學片之一反射比及透射比。將結果顯示於圖39A及39B中。此外，圖40A及40B分別顯示實例6及比較實例4之透射特性及反射特性，且圖41A及41B分別顯示實例4及比較實例3之透射特性及反射特性。
應注意表2中，一圓錐形狀係指具有一彎曲頂點部分之一橢圓錐體形狀。
可自圖38A及38B發現以下內容。
該等結構之縱橫比與該表面電阻相關，且該表面電阻趨於幾乎與該縱橫比之值成比例地增加。認為此係由於該透明導電層之該膜厚度隨著該等結構之斜面變陡而降低，或該表面面積隨著該等結構之高度或深度增加而增加，由此產生一高電阻。
由於通常需要該觸控面板具有500至300Ω/□之一表面電阻，因此合意地適當調整該縱橫比以使得當將本實施例應用於一觸控面板時可獲得一所需電阻值。
可自圖39A、39B、40A及40B發現以下內容。
儘管當波長短於450奈米時，該透射比趨於降低，但當波長在450奈米至800奈米之範圍內時可獲得極佳透射特性。另外，隨著該等結構之該縱橫比增加可更徹底地抑制較短波長側上該透射比之一增加。
儘管當波長短於450奈米時該反射比趨於增加，但當波長在450奈米至800奈米之範圍內時可獲得極佳反射特性。另外，隨著該等結構之縱橫比增加可更徹底地抑制在較短波長側上該反射比之一增加。
其中形成凸結構之實例6之光學特性比其中形成凹結構之實例7之彼等光學特性更佳。
可自圖41A及41B發現以下內容。
在其中該縱橫比為1.2之實例4中，相比於其中該縱橫比為0.6之實例6，將該光學特性之一改變抑制為低。認為此係由於其中該縱橫比為1.2之實例4之表面面積大於其中該縱橫比為0.6之實例6之彼表面面積，且該透明導電層相對於該等結構之膜厚度係薄。
<3.　透明導電層之厚度與光學特性及表面電阻之關係>
(實例8)
藉由除將該IZO膜之平均膜厚度設定為50奈米之外與實例6中相同之方法製造一導電光學片。
(實例9)
藉由與實例6中相同之方法製造一導電光學片。
(實例10)
藉由除將該IZO膜之平均膜厚度設定為30奈米之外與實例6中相同之方法製造一導電光學片。
(比較實例6)
藉由除省略一IZO膜之沈積之外與實例6中相同之方法製造一導電光學片。
(形狀評估)
在其中未沈積一IZO膜之一狀態中藉由一AFM(原子力顯微鏡)觀察該等光學片之一表面組態。此後，自該AFM之一剖面輪廓獲得該等實例之該等結構之高度及類似參數。將結果顯示於表3中。
(表面電阻評估)
藉由四端子方法(JIS K 7194)量測如上文所述製造之該等導電光學片之一表面電阻。將結果顯示於表3中。
(反射比/透射比評估)
使用可自JASCO公司購得之一評估裝置(V-550)評估如上文所述製造之該等導電光學片之一反射比及透射比。將結果顯示於圖42A及42B中。
應注意括號中之電阻值係藉由量測各自在相同沈積條件下沈積於一平滑片上之該等IZO膜之電阻值獲得之值。
可自圖42A及42B發現以下內容。
在相對於450奈米之較短波長側上之反射比及透射比趨於隨著平均膜厚度增加而降低。
總結<2.結構與光學特性及表面電阻之關係>及<3.透明導電層之厚度與光學特性及表面電阻之關係>之評估結構，可發現以下內容。
較長波長側上之該等光學特性在該透明導電層沈積於該等結構上之前及之後幾乎不改變，而較短波長側上之該等光學特性在該透明導電層沈積於該等結構上之前及之後趨於改變。
儘管當該等結構具有一縱橫比為高之一形狀時該等光學特性係受歡迎，但該表面電阻趨於增加。
隨著該透明導電層之膜厚度增加，較短波長側上之反射比趨於增加。
該表面電阻與該等光學特性處於一折中關係中。
<4.　與其他類型之低反射導電膜之比較>
(實例11)
藉由與實例5中相同之方法製造一導電光學片。
(實例12)
藉由除將IZO膜之膜厚度設定為30奈米之外與實例6中相同之方法製造一導電光學片。
(比較實例7)
藉由透過一濺鍍方法在平滑丙烯酸片之一表面上沈積具有30奈米之一膜厚度之一IZO膜來製造一導電光學片。
(比較實例8)
藉由一PVD方法按序將具有約2.0之N之一光學膜及具有約1.5之N之一光學膜沈積在一膜上，且於其上額外沈積一導電膜。
(比較實例9)
藉由一PVD方法按序將具有約2.0之N之一光學膜及具有約1.5之N之一光學膜以四個層沈積在一膜上，且於其上額外沈積一導電膜。
(形狀評估)
在未沈積一IZO膜之一狀態中，藉由一AFM(原子力顯微鏡)觀察該等光學片之一表面組態。此後，自該AFM之一剖面輪廓獲得該等實例之該等結構之高度及類似參數。將結果顯示於表4中。
(反射比/透射比評估)
使用可自JASCO公司購得之一評估裝置(V-550)評估如上文所述製造之該等導電光學片之一透射比。將結果顯示於圖43中。
可自圖43發現以下內容。
在其中在該等結構上沈積該等透明導電層之實例11及12中，400奈米至800奈米之波長帶內之透射特性比其中在平滑片上沈積該透明導電層之比較實例7之彼等特性更佳。
各自具有一多層結構之比較實例8及9之透射特性在直至約500奈米之波長處為極佳，但其中在該等結構上沈積該等透明導電層之實例11及12之透射特性在400奈米至800奈米之整個波長帶中比各自具有一多層結構之比較實例8及9之彼等特性更佳。
<5.　結構與光學特性之間的關係>
(實例13)
藉由針對每一跡線調整一極性反轉格式化器信號之一頻率、一捲軸之一rpm及一饋送間距且圖案化一光阻劑層來將六方晶格圖案記錄至該光阻劑層上。將具有20奈米之一平均膜厚度之一IZO膜形成於該等結構上。除此之外，藉由與實例1中相同之方法製造一光學片。
藉由除以下內容之外與實例1中相同之方法製造一光學片：藉由針對每一跡線調整一極性反轉格式化器信號之一頻率、一捲軸之一rpm及一饋送間距且圖案化一光阻劑層來將六方晶格圖案記錄至該光阻劑層上。
(形狀評估)
在未沈積一IZO膜之一狀態中藉由一AFM(原子力顯微鏡)觀察該等光學片之一表面組態。此後，自該AFM之一剖面輪廓獲得該等實例之該等結構之高度及類似參數。將結果顯示於表5中。
(表面電阻評估)
藉由四端子方法(JIS K 7194)量測如上文所述製造之該等導電光學片之一表面電阻。將結果顯示於表5中。
(反射比/透射比評估)
使用可自JASCO公司購得之一評估裝置(V-550)來評估如上文所述製造之該等導電光學片之一反射比及透射比。將結果顯示於圖44A及44B中。
應注意在表5中，一圓錐形狀係指具有一彎曲頂點部分之一橢圓錐體形狀。
可自圖44A及44B發現以下內容。
藉由降低一縱橫比，可抑制該等光學特性在相對於450奈米之較短波長側上之劣化。由於改良了透射特性，因此認為改良了吸收特性。
<6.　透明導電層之形狀與光學特性之間的關係>
(實例15)
藉由除將IZO膜之平均膜厚度設定為30奈米之外與實例14中相同之方法製造一導電光學片。
(比較實例10)
藉由除省略一IZO膜之沈積之外與實例15中相同之方法製造一光學片。
(實例16)
藉由除將IZO膜之平均膜厚度設定為20奈米之外與實例12中相同之方法製造一導電光學片。
(比較實例11)
藉由除省略一IZO膜之沈積之外與實例16中相同之方法製造一光學片。
(實例17)
顛倒實例4之凹度及凸度。製造其中一IZO膜之一平均膜厚度為30奈米之一導電光學片。除此之外之過程係由與實例4中相同之方法執行，且製造其中複數個凹結構(反轉圖案之結構)形成於一表面上之一導電光學片。
(比較實例12)
藉由除省略一IZO膜之沈積之外與實例17中相同之方法製造一光學片。
(實例18)
製造其中具有30奈米之一平均膜厚度之一IZO膜形成於其剖面輪廓之一彎曲線之改變率變化之結構上之一光學片。
(比較實例13)
藉由除省略一IZO膜之沈積之外與實例18中相同之方法製造一光學片。
(形狀評估)
在其中未沈積一IZO膜之一狀態中藉由一AFM(原子力顯微鏡)觀察該等光學片之一表面組態。此後，自該AFM之一剖面輪廓獲得該等實例之該等結構之高度及類似參數。將結果顯示於表6中。
(表面電阻評估)
藉由四端子方法(JIS K 7194)量測如上文所述製造之該等導電光學片之一表面電阻。將結果顯示於表6中。
(透明導電層之評估)
在形成於該等結構上之導電膜之一剖面方向上切割該光學片，且使用一TEM(透射式電子顯微鏡)觀察該等結構及黏合至其之導電膜之一剖面影像。
(反射比評估)
使用可自JASCO公司購得之一評估裝置(V-550)評估如上文所述製造之該等導電光學片之一反射比。將結果顯示於圖45A至46B中。
應注意在表6中，一圓錐形狀係指具有一彎曲頂點部分之一橢圓錐體形狀。
可自對透明導電層之形狀評估及反射比評估發現以下內容。
發現在實例15中，在每一結構之一末端部分處之一平均膜厚度D1、在結構之一斜面處之一平均膜厚度D2及在結構之底部部分之間之一平均膜厚度D3具有以下關係。
D1(=38奈米)>D3(=21奈米)>D2(=14奈米至17奈米)
由於IZO具有約2.0之一折射率，因此僅該結構之末端部分具有一增加的折射率。因此，如圖45A中所示，藉由沈積該IZO膜增加該反射比。
發現在實例16中該IZO膜幾乎均勻地沈積在該等結構上。因此，如圖45B中所示，該反射比在沈積之前及之後的一改變係小。
發現在實例16中凹結構之底部部分及凹結構之頂部部分之平均膜厚度顯著大於其他部分之彼等平均膜厚度。特定而言，發現該IZO膜在該頂部部分處係明顯大之平均膜厚度。在此一沈積狀態中，反射比之改變趨於顯示如圖46A中所示之一複雜行為且亦趨於增加。
發現在實例17中類似於實例15，在結構之末端部分處之平均膜厚度D1、在結構之斜面處之平均膜厚度D2及在結構之底部部分之間的平均膜厚度D3具有以下關係。
D1(=36奈米)>D2(=20奈米)>D3(=18奈米)
然而，當波長短於約500奈米時，該反射比趨於急劇增加。認為此係由於結構之末端部分係平緩且該末端部分之一面積係大。
因此，存在透明導電層較少地黏合至一險峻斜面且較多地黏合至一較平緩表面之一趨勢。
此外，當膜均勻地沈積在整個結構上方時，光學特性在沈積之前及之後之改變趨於為小。
此外，當該等結構具有更接近一自由形式表面之一組態時，該透明導電層趨於更均勻地黏合至整個結構。
<7.　填充率、直徑比及反射比特性之間的關係>
接下來，藉由一RCWA(嚴格耦合波分析)模擬來論述一比率(2r/P1)*100)與抗反射特性之間的一關係。
[實驗實例1]
圖47A係用於闡釋當該等結構配置成六方晶格圖案時之一填充率之一圖示。在其中該等結構配置成如圖47A中所示之六方晶格圖案之一情況下當一比率((2r/P1)*100)(P1：結構在相同跡線中之配置間距，r：結構之底部表面之半徑)改變時所獲得之一填充率係藉由以下表達式(2)獲得。
填充率=(S(六方)/S(單位))*100...(2)
單位胞面積：S(單位)=2r*(23)r
單位胞內之結構之底部表面的面積：S(六方)=2*πr2
(假如填充率係自當2r>P1時之圖式獲得)
舉例而言，當配置間距P1為2且一結構之一底部表面之一半徑r為1時，S(單位)、S(六方)、一比率((2r/P1)*100)及一填充率呈以下值。
S(單位)=6.9282
S(六方)=6.28319
(2r/P1)*100=100.0%
填充率=(S(六方)/S(單位))*100=90.7%
表7顯示藉由上文表達式(2)獲得之填充率與比率((2r/P1)*100)之間的一關係。
(實驗實例2)
圖47B係用於闡釋當該等結構配置成一正方晶格圖案時之一填充率之一圖示。在其中該等結構配置成如圖47B中所示之一正方晶格圖案之一情況下當一比率((2r/P1)*100)及一比率((2r/P2)*100)(P1：結構在相同跡線中之配置間距，P2：在相對於跡線45度方向上之配置間距，r：結構之底部表面之半徑)改變時所獲得之一填充率係藉由以下表達式(3)獲得。
填充率=(S(正方)/S(單位))*100...(3)
單位胞面積：S(單位)=2r*2r
單位胞內之結構之底部表面的面積：S(正方)=πr2
(假如填充率係自當2r>P1時之圖式獲得)
舉例而言，當配置間距P2為2且一結構之一底部表面之一半徑r為1時，S(單位)、S(正方)、一比率((2r/P1)*100)、一比率((2r/P2)*100)及一填充率呈以下值。
S(單位)=4
S(正方)=3.14159
(2r/P1)*100=70.7%
(2r/P2)*100=100.0%
填充率=(S(正方)/S(單位))*100=78.5%
表8顯示藉由上文表達式(3)獲得之填充率、比率((2r/P1)*100)及比率(2r/P2)*100之間的一關係。
此外，正方晶格之配置間距P1與P2之間的一關係變為P1=2*P2。
(實驗實例3)
藉由將結構底部表面之一直徑2r相對於配置間距P1之比率((2r/P1)*100)設定為80%、85%、90%、95%及99%，透過在以下條件下之模擬獲得一反射比。圖48係顯示結果之一圖表。
結構之形狀：鐘形形狀
偏振：不存在
折射率：1.48
配置間距P1：320奈米
結構之高度：415奈米
縱橫比：1.30
結構之配置：六方晶格
可自圖48看出，在85%或更大之比率((2r/P1)*100)之情形下，在一可見波長範圍(0.4至0.7 μm)中一平均反射比R為R<0.5%且獲得一充分抗反射效應。在此情況下，底部表面之一填充率係65%或更大。在90%或更大之比率((2r/P1)*100)之情形下，在該可見波長範圍中平均反射比R為R<0.3%且獲得具有較高效能之一抗反射效應。在此情況下，該底部表面之填充率為73%或更大，且效能隨著填充率變高(其上限為100%)而增加。在其中該等結構彼此重疊之一情況下，假設該結構之高度係自一最低部分之一高度。此外，確認填充率及反射比之趨勢在正方晶格中係相同。
(使用導電光學片之觸控面板之光學特性)
(比較實例14)
圖49A係顯示比較實例14之一電阻膜式觸控面板之一結構之一透視圖。圖49B係顯示比較實例14之該電阻膜式觸控面板之結構之一剖視圖。應注意，圖49B中之箭頭指示進入觸控面板之入射光及在界面處反射之反射光。應注意在顯示比較實例15及16以及後文欲闡述之實例19至22之電阻膜式觸控面板之結構之剖視圖中之箭頭指示相同事物。
首先，藉由一濺鍍方法將具有26奈米之一厚度之一ITO膜103沈積在一PET(聚對苯二甲酸乙二酯)膜102之一主表面上，其結果係製造欲成為一觸控側之一第一導電基底材料101。接下來，藉由濺鍍方法將具有26奈米之一厚度之一ITO膜113沈積在一玻璃基板112之一主表面上，其結果係製造欲成為一顯示裝置側之一第二導電基底材料111。接下來，第一導電基底材料101及第二導電基底材料111經配置以使得其ITO膜彼此相對且一空氣層形成於該等基底材料之間，且該等基底材料之圓周部分藉由一壓敏膠帶121接合至彼此。因此，獲得一電阻膜式觸控面板100。
(反射比/透射比評估)
根據JIS-Z8722量測如上文所述獲得之電阻膜式觸控面板100之一反射比。此外，根據JIS-K7105量測附接至液晶顯示裝置54之電阻膜式觸控面板100之一透射比。
(可見度評估)
如下評估如上文所述獲得之電阻膜式觸控面板100之可見度。將該電阻膜式觸控面板100放置在一普通螢光燈下面，視覺檢查由該螢光燈所致之一炫光及基於以下準則評估可見度。
a：螢光燈之輪廓為清晰
b：螢光燈之輪廓在一定程度上模糊
c：螢光燈之輪廓不清晰且反射光明顯弱
d：不能看不到螢光燈之輪廓且反射模糊光
(比較實例15)
圖50A係顯示比較實例15之一電阻膜式觸控面板之一結構之一透視圖。圖50B係顯示比較實例15之電阻膜式觸控面板之結構之一剖視圖。
藉由除以下內容之外與比較實例1相同之方法獲得該電阻膜式觸控面板100：將藉由將具有26奈米之一厚度之一ITO膜113沈積在一PET(聚對苯二甲酸乙二酯)膜114之一主表面上所獲得之一基底材料用作第二導電基底材料111。然後，如在比較實例14之情況中，評估一反射比/透射比及可見度。
(比較實例16)
圖51A係顯示比較實例16之一電阻膜式觸控面板之一結構之一透視圖。圖51B係顯示比較實例16之電阻膜式觸控面板之結構之一剖視圖。
首先，藉由濺鍍將具有26奈米之一厚度之一ITO膜103沈積在一λ/4相位差膜104之一主表面上，以藉此製造欲成為一觸控側之一第一導電基底材料101。接下來，藉由一濺鍍方法將具有26奈米之一厚度之一ITO膜113沈積在一λ/4相位差膜115之一主表面上，以藉此製造欲成為一顯示裝置側之一第二導電基底材料111。接下來，第一導電基底材料101及第二導電基底材料111經配置以使得其ITO膜彼此相對且一空氣層形成於兩個基底材料之間，且該等基底材料之圓周部分藉由一壓敏膠帶121附接至彼此。
接下來，製備具有其上形成有一AR(抗反射)層132之一主表面之一偏振器131，且經由一壓敏膠帶124將該偏振器131附接至第一導電基底材料101之一觸控表面側。在此情況下，偏振器131之一位置經調整以使得偏振器131及提供於液晶顯示裝置54之一顯示表面側上之一偏振器之透射軸變為平行於彼此。因此，獲得一電阻膜式觸控面板100。接下來，如在比較實例14之情況中，評估一反射比/透射比及可見度。
(比較實例19)
圖52A係顯示實例19之一電阻膜式觸控面板之一結構之一透視圖。圖52B係顯示實例19之電阻膜式觸控面板之結構之一剖視圖。
藉由除調整曝光及蝕刻之條件以便形成具有以下結構之複數個結構3之外與比較實例1相同之方法獲得一光學片2。應注意使用一PET膜作為欲成為一基板之一膜。
配置圖案：六方晶格
結構之凹度及凸度：凸形狀
形成結構之表面：一個表面
間距P1：270奈米
間距P2：270奈米
高度：160奈米
應注意自使用AFM(原子力顯微鏡)之觀察結果獲得該等結構3之間距、高度及縱橫比。
接下來，藉由一濺鍍方法在光學片2之其上形成有該複數個結構3之一主表面上沈積具有26奈米之一平均膜厚度之一ITO膜4，以藉此製造一第一導電基底材料51。接下來，藉由除使用PET膜之外與製造第一導電基底材料51之情況中相同之方法獲得一第二導電基底材料52。然後，第一導電基底材料51及第二導電基底材料52經配置以使得其ITO膜彼此相對且一空氣層形成於兩個基底材料之間，且兩個基底材料之圓周部分藉由一壓敏膠帶55附接至彼此。因此，獲得一電阻膜式觸控面板50。隨後，如在比較實例14中一樣評估一反射比/透射比及可見度。
(實例20)
圖53A係顯示實例20之一電阻膜式觸控面板之一結構之一透視圖。圖53B係顯示實例20之電阻膜式觸控面板之結構之一剖視圖。
首先，如在實例19中，形成具有其上配置有複數個結構之一主表面之一光學片51。接下來，以相同方式，在光學片51之另一主表面上形成複數個結構3。因此，製造具有其上形成有該複數個結構3之兩個主表面之光學片2。因此，藉由除使用光學片2製造第一導電基底材料51之外與實例19中相同之方法獲得一電阻膜式觸控面板50。隨後，如在比較實例14中一樣評估一反射比/透射比及可見度。
(實例21)
圖54A係顯示實例21之一電阻膜式觸控面板之一結構之一透視圖。圖54B係顯示實例21之電阻膜式觸控面板之結構之一剖視圖。
首先，藉由一濺鍍方法在一λ/4相位差膜2之一主表面上沈積具有26奈米之一厚度之一ITO膜4，以藉此製造欲成為一觸控側之一第一導電基底材料51。接下來，除使用λ/4相位差膜2作為欲成為一基板之一膜之外如在實例19之情況中一樣製造一第二導電基底材料52。接下來，第一導電基底材料51及第二導電基底材料52經配置以使得其ITO膜彼此相對且一空氣層形成於兩個基底材料之間，且兩個基底材料之圓周部分藉由一壓敏膠帶55附接至彼此。一偏振器58經由一壓敏膠帶60附接至第一導電基底材料51之表面於觸控側上，且然後一頂板(前表面部件)59經由壓敏膠帶61附接於偏振器58上。接下來，一玻璃基板56經由一壓敏膠帶57附接至第二導電基底材料52。因此，獲得一電阻膜式觸控面板50。接下來，如在比較實例14中一樣評估一反射比/透射比及一可見度。
(實例22)
圖55A係顯示實例22之一電阻膜式觸控面板之一結構之一透視圖。圖55B係顯示實例22之電阻膜式觸控面板之結構之一剖視圖。
藉由除在第一導電基底材料51及第二導電基底材料52之兩個相對表面中，僅第二導電基底材料52之相對表面形成有複數個結構3之外與實例19中相同之方法獲得一電阻膜式觸控面板50。接下來，一頂板(前表面部件)59經由一壓敏膠帶60附接至一表面以成為電阻膜式觸控面板50之一觸控側，且此後一玻璃基板56經由一壓敏膠帶57附接至第二導電基底材料52。隨後，如在比較實例14中一樣評估一反射比/透射比及可見度。
表9顯示比較實例14至16及實例19至22之觸控面板之評估結果。
F：PET膜
G：玻璃基板
AR：AR層
Po：偏振器
Re：λ/4相位差膜
MF：在一個表面上具有蠅眼式結構之蠅眼式膜
BMF：在兩個表面上具有蠅眼式結構之蠅眼式膜
TP：頂板
MRe：在一個表面上具有蠅眼式結構之λ/4相位差膜
a：不論外部光之狀態如何皆為相當差之可見度
b：相依於外部光之狀態差的可見度
c：具有少量外部光之良好可見度
d：不論外部光之狀態如何皆為受歡迎可見度
應注意，表9中所示反射比及透射比係在量測自380奈米至780奈米之所有波長之後依據太陽光校正之透射比及依據光反射比校正之反射比。
可自表9發現以下內容。
在其中複數個結構3形成於第一及第二導電基底材料51及52之相對表面上之實例19中，相比於其中未在相對表面上形成如上文所述之蠅眼式結構3之比較實例14及15，一反射比可很大程度地減小且一透射比很大程度地增加。
在其中複數個結構3形成於欲成為一觸控側之第一導電基底材料51之兩個表面上之實例20中，如在其中將偏振器131及AR層132層壓在觸控側之表面上之比較實例16中，可在不致使一透射比之一顯著減小之情形下減小一反射比。
在其中偏振器58配置在欲成為觸控側之第一導電基底材料51之表面上之實例21中，相比於其中偏振器58未配置於欲成為觸控側之第一導電基底材料51之表面上之實例22，可減小一反射比。
圖56係顯示實例19及20以及比較實例15之電阻膜式觸控面板之反射特性之一圖表。可自圖56發現以下內容。
在其中複數個結構3形成於第一及第二導電基底材料51及52之相對表面上之實例19及20中，相比於其中未在相對表面上形成如上文所述蠅眼式結構3之比較實例15，可減小在380奈米至780奈米之一波長範圍中之一反射。
具體而言，在實例19及20中在550奈米之一波長(此處一人類光度因子為最高)中可實現6%或更低之低反射比特性，而在比較實例15中在550奈米之一波長中獲得僅約15%之低反射比特性。
實例19及20中之波長相依性小於比較實例15中之波長相依性。特定而言，在其中複數個結構3形成於欲成為觸控側之第一導電基底材料51之兩個主表面上之實例20中，波長相依性為小且反射特性在380奈米至780奈米之波長範圍中幾乎係平緩。
<9.　藉由蠅眼式結構之黏合性之改良>
(實例23)
藉由除調整曝光步驟及蝕刻步驟之條件且將具有以下結構之結構配置成六方晶格圖案之外與實例1中相同之方法製造一導電光學片。
高度H：240奈米
配置間距P：220奈米
縱橫比(H/P)：1.09
(實例24)
藉由除調整曝光步驟及蝕刻步驟之條件且將具有以下結構之結構配置成六方晶格圖案之外與實例1中相同之步驟製造一導電光學片。
高度H：170奈米
配置間距P：270奈米
縱橫比(H/P)：0.63
(比較實例17)
藉由將一硬塗層及一ITO膜按序層壓於一PET膜上來製造一導電光學片。
(比較實例18)
藉由將含有一填充劑之一硬塗層及一ITO膜按序層壓於一PET膜上來製造一導電光學片。
(黏合性評估)
在將一銀膏施加至如上文所述製造之導電光學片之一電極表面上之後，在130℃之一環境下煅燒該銀膏達30分鐘。接下來，執行一方格帶之一剝離測試。使用具有高黏合性之聚醯亞胺帶作為該帶。將該測試之結果顯示於圖10中。
可自表10發現以下內容。
發現在實例23及24中不能剝離該帶。相反，在比較實例17中剝離5至6個方形且在比較實例18中剝離18至24個方形。
儘管在實例23及24中獲得95%至96%之一高透射比，但在比較實例17及18中僅獲得87%至90%之一透射比。
如上文所述，藉由在作為基板之膜之整個表面上形成蠅眼式結構，可實現具有相對於一佈線材料(諸如一導電膏)極佳之黏合性及一高透射比之一透明導電層。此外，藉由形成蠅眼式結構，可預期相對於一壓敏黏合劑(諸如一壓敏黏合膏)、一絕緣材料(諸如一絕緣膏、一點間隔件)及類似物之黏合性之一改良。
上文所述實施例及實例中所使用之數值、組態、材料及結構僅係實例，且可適當使用不同於以上各項之數值、組態、材料及結構。
此外，可以組合方式使用上文所述實施例之結構。
此外，在上文所述該等實施例中光學器件1可進一步包含在其上形成結構3之側上之凹凸表面上之一低折射率層。該低折射率層合意地包含以此各項作為一主要成分：具有低於構成基板2、結構3及突出部5之材料之一折射率之一材料。使用(舉例而言)一有機材料(諸如氟基樹脂)或一無機低折射率材料(LiF及MgF2 )作為此一低折射率層之材料。
此外，在上文所述該等實施例中，可藉由熱轉印製造該光學器件。具體而言，可使用藉由以下製造光學器件1之一方法：加熱由作為一主要成分之熱塑樹脂形成之一基板且將一印模(模型)(諸如捲軸母板11及圓盤母板41)按壓在因加熱而充分軟之該基板上。
儘管在上文所述該等實施例中已闡述應用於該電阻膜式觸控面板之實例，但該等實施例亦可應用於一電阻式觸控面板、一超聲波式觸控面板、一光學式觸控面板及類似觸控面板。
應理解彼等熟悉此項技術者將明瞭本文所述當前較佳實施例之各種改變及修改。可在不背離本標的物之精神及範疇且不縮小其意欲優點之前提下作出此等改變及修改。因此，此等改變及修改意欲由隨附申請專利範圍涵蓋。
1．．．導電光學器件
2．．．基板
2a．．．空餘部分
3．．．凸結構
3a．．．摺邊部分
3b．．．下部分
3t．．．頂點部分
4．．．透明導電層
5．．．金屬膜(導電膜)
6．．．突出部分
7．．．硬塗層
8．．．透明導電層
9．．．保護層
11．．．捲軸母板
12．．．基質
13．．．結構
14．．．光阻劑層
15．．．雷射光
16．．．潛像
21．．．雷射光源
22．．．電光器件
23．．．反射鏡
24．．．光電二極體
25．．．調變光學系統
26．．．聚光透鏡
27．．．聲光器件
28．．．透鏡
29．．．格式化器
30．．．驅動器
31．．．反射鏡
31 ．．．卵形
32．．．移動光學台
32 ．．．卵形
33．．．擴束器
33 ．．．卵形
34．．．物鏡
35．．．主軸馬達
36．．．轉臺
37．．．控制機構
38．．．反射鏡
41．．．圓盤母板
42．．．圓盤狀基質
43．．．結構
50．．．觸控面板
51．．．第一導電基底材料
52．．．第二導電基底材料
53．．．黏合劑層
54．．．顯示裝置
55．．．接合層
56．．．玻璃基板
57．．．接合層
58．．．偏振器
59．．．前面板
60．．．接合層
61．．．接合層
70．．．液晶顯示裝置
71．．．佈線層(液晶面板)
72．．．絕緣層(第一偏振器)
73．．．點間隔件(第二偏振器)
74．．．接合層
75．．．接合層
100．．．電阻膜式觸控面板
101．．．第一導電基底材料
102．．．聚對苯二甲酸乙二酯膜
103．．．氧化銦錫膜
104．．．λ/4相位差膜
111．．．第二導電基底材料
112．．．玻璃基板
113．．．氧化銦錫膜
114．．．聚對苯二甲酸乙二酯膜
115．．．λ/4相位差膜
121．．．壓敏膠帶
124．．．壓敏膠帶
131．．．偏振器
132．．．抗反射層
a．．．接合部分
a1．．．點
a2．．．點
a3．．．點
a4．．．點
a5．．．點
a6．．．點
a7．．．點
b．．．接合部分
c．．．接合部分
d．．．高度
h．．．高度
H1．．．高度
H2．．．高度
P1．．．間距
P2．．．間距
Pa．．．第一改變點
Pb．．．第二改變點
r．．．半徑
St．．．步階
T1．．．跡線
T2．．．跡線
T3．．．跡線
T4．．．跡線
Tp．．．跡線間距
Uc．．．單位胞
圖1A係根據一第一實施例之一導電光學器件之一結構實例之一示意平面圖。圖1B係圖1A中所示導電光學器件之一部分放大平面圖。圖1C係圖1B之跡線T1、T3、...之一剖視圖。圖1D係圖1B之跡線T2、T4、...之一剖視圖。圖1E係顯示形成對應於圖1B之跡線T1、T3...之潛像所使用之一雷射光之一調變波形之一示意圖。圖1F係顯示形成對應於圖1B之跡線T2、T4...之潛像所使用之一雷射光之一調變波形之一示意圖；
圖2係圖1A中所示導電光學器件之一部分放大透視圖；
圖3A係圖1A中所示導電光學器件在一跡線延伸方向上之一剖視圖。圖3B係圖1A中所示導電光學器件在一θ方向上之一剖視圖；
圖4係圖1A中所示導電光學器件之一部分放大透視圖；
圖5係圖1A中所示導電光學器件之一部分放大透視圖；
圖6係圖1A中所示導電光學器件之一部分放大透視圖；
圖7係用於闡釋在結構之間的邊界係不明顯之一情況中設定一結構底部表面之一方法之一圖示；
圖8A至8D係各自顯示當結構之底部表面之一橢圓率改變時之一底部表面組態之圖示；
圖9A係顯示各自具有一錐體形狀或一截頭錐體形狀之結構之一配置實例之一圖示。圖9B係顯示各自具有一橢圓錐體形狀或一截頭橢圓錐體形狀之結構之一配置實例之一圖示；
圖10A係顯示用於製造一導電光學器件之一捲軸母板之一結構實例之一透視圖。圖10B係圖10A中所示捲軸母板之一部分放大平面圖；
圖11係顯示一卷軸基質曝光裝置之一結構實例之一示意圖；
圖12A至12C係用於闡釋製造根據該第一實施例之一導電光學器件之一方法之過程圖；
圖13A至13C係用於闡釋製造根據該第一實施例之一導電光學器件之方法之過程圖；
圖14A至14B係用於闡釋製造根據該第一實施例之一導電光學器件之方法之過程圖；
圖15A係顯示根據一第二實施例之一導電光學器件之一結構實例之一示意平面圖。圖15B係圖15A中所示導電光學器件之一部分放大平面圖。圖15C係圖15B之跡線T1、T3、...之一剖視圖。圖15D係圖15B之跡線T2、T4、...之一剖視圖。圖15E係顯示形成對應於圖15B之跡線T1、T3...之潛像所使用之一雷射光之一調變波形之一示意圖。圖15F係顯示形成對應於圖15B之跡線T2、T4...之潛像所使用之一雷射光之一調變波形之一示意圖；
圖16係顯示當結構底部表面之一橢圓率改變時之一底部表面組態之一圖示；
圖17A係顯示用於製造一導電光學器件之一卷軸母板之一結構實例之一透視圖。圖17B係圖17A中所示卷軸母板之一部分放大平面圖；
圖18A係顯示根據一第三實施例之一導電光學器件之一結構實例之一示意平面圖。圖18B係圖18A中所示導電光學器件之一部分放大平面圖。圖18C係圖18B之跡線T1、T3、...之一剖視圖。圖18D係圖18B之跡線T2、T4、...之一剖視圖；
圖19A係用於製造一導電光學器件之一圓盤母板之一結構實例之一平面圖。圖19B係圖19A中所示圓盤母板之一部分放大平面圖；
圖20係一圓盤基質曝光裝置之一結構實例之一示意圖；
圖21A係根據一第四實施例之一導電光學器件之一結構實例之一示意平面圖。圖21B係顯示圖21A中所示導電光學器件之一部分放大平面圖；
圖22A係顯示根據一第五實施例之一導電光學器件之一結構實例之一示意平面圖。圖22B係圖22A中所示導電光學器件之一部分放大平面圖。圖22C係圖22B之跡線T1、T3、...之一剖視圖。圖22D係圖22B之跡線T2、T4、...之一剖視圖；
圖23係圖22A中所示導電光學器件之一部分放大透視圖；
圖24A係顯示根據一第六實施例之一導電光學器件之一結構實例之一示意平面圖。圖24B係圖24A中所示導電光學器件之一部分放大平面圖。圖24C係圖24B之跡線T1、T3、...之一剖視圖。圖24D係圖24B之跡線T2、T4、...之一剖視圖；
圖25係圖24A中所示導電光學器件之一部分放大透視圖；
圖26係根據該第六實施例之導電光學器件之一折射率曲線之一實例之一圖表；
圖27係顯示一結構組態之一實例之一剖視圖；
圖28A至28C係用於闡釋一改變點之一界定之圖示；
圖29係根據一第七實施例之一導電光學器件之一結構實例之一剖視圖；
圖30係根據一第八實施例之一導電光學器件之一結構實例之一剖視圖；
圖31A係顯示根據一第九實施例之一觸控面板之一結構實例之一剖視圖。圖31B係顯示根據該第九實施例之觸控面板之結構之一修改實例之一剖視圖；
圖32A係顯示根據一第十實施例之一觸控面板之一結構實例之一透視圖。圖32B係顯示根據該第十實施例之觸控面板之結構之一實例之一剖視圖；
圖33A係顯示根據一第十一實施例之一觸控面板之一結構實例之一透視圖。圖33B係顯示根據該第十一實施例之觸控面板之結構之一實例之一剖視圖；
圖34係顯示根據一第十二實施例之一觸控面板之一結構實例之一剖視圖；
圖35係顯示根據一第十三實施例之一液晶顯示裝置之一結構實例之一剖視圖；
圖36A係根據一第十四實施例之一觸控面板之一結構之一第一實例之一剖視圖。圖36B係根據該第十四實施例之觸控面板之結構之一第二實例之一剖視圖；
圖37A係顯示實例1至3及比較實例1及2中之反射特性之一圖表。圖37B係顯示實例1至3及比較實例1及2中之透射特性之一圖表；
圖38A係顯示實例4至7中一縱橫比與一表面電阻之間的一關係之一圖表。圖38B係顯示實例4至7中一結構高度與表面電阻之間的一關係之一圖表；
圖39A係顯示實例4至7中之透射特性之一圖表。圖39B係顯示實例4至7中之反射特性之一圖表；
圖40A係顯示實例4及6中之透射特性之一圖表。圖40B係顯示實例4及6中之反射特性之一圖表；
圖41A係顯示實例3及4中之透射特性之一圖表。圖41B係顯示實例3及4中之反射特性之一圖表；
圖42A係顯示實例8至10及比較實例6中之透射特性之一圖表。圖42B係顯示實例8至10及比較實例6中之反射特性之一圖表；
圖43係顯示實例11與12及比較實例7至9中之透射特性之一圖表；
圖44A係顯示實例13及14中之導電光學片之透射特性之一圖表。圖44B係顯示實例13及14中之導電光學片之反射特性之一圖表；
圖45A係顯示實例15及比較實例10中之反射特性之一圖表。圖45B係顯示實例16及比較實例11中之反射特性之一圖表；
圖46A係顯示實例17及比較實例12中之反射特性之一圖表。圖46B係顯示實例18及比較實例13中之反射特性之一圖表；
圖47A係用於闡釋當該等結構配置成六方晶格圖案時之一填充率之一圖示。圖47B係用於闡釋當該等結構配置成一正方晶格圖案時之填充率之一圖示；
圖48係顯示實驗實例3之一模擬結果之一圖表；
圖49A係顯示比較實例14之一電阻膜式觸控面板之一結構之一透視圖。圖49B係顯示比較實例14之該電阻膜式觸控面板之結構之一剖視圖；
圖50A係顯示比較實例15之一電阻膜式觸控面板之一結構之一透視圖。圖50B係顯示比較實例15之該電阻膜式觸控面板之結構之一剖視圖；
圖51A係顯示比較實例16之一電阻膜式觸控面板之一結構之一透視圖。圖51B係顯示比較實例16之該電阻膜式觸控面板之結構之一剖視圖；
圖52A係顯示實例19之一電阻膜式觸控面板之一結構之一透視圖。圖52B係顯示實例19之該電阻膜式觸控面板之結構之一剖視圖；
圖53A係顯示實例20之一電阻膜式觸控面板之一結構之一透視圖。圖53B係顯示實例20之該電阻膜式觸控面板之結構之一剖視圖；
圖54A係顯示實例21之一電阻膜式觸控面板之一結構之一透視圖。圖54B係顯示實例21之該電阻膜式觸控面板之結構之一剖視圖；
圖55A係顯示實例22之一電阻膜式觸控面板之一結構之一透視圖。圖55B係顯示實例22之該電阻膜式觸控面板之結構之一剖視圖；
圖56係顯示實例19與20及比較實例15之電阻膜式觸控面板之反射特性之一圖表；及
圖57係用於闡釋獲得形成于各自作為一凸起部分之結構上之透明導電層之平均膜厚度Dm 1、Dm 2及Dm 3之一方法之一示意圖。
1．．．導電光學器件
2．．．基板
3．．．凸結構
4．．．透明導電層
5．．．金屬膜(導電膜)
a1．．．點
a2．．．點
a3．．．點
a4．．．點
a5．．．點
a6．．．點
a7．．．點
P1．．．間距
P2．．．間距
r．．．半徑
T1．．．跡線
T2．．．跡線
T3．．．跡線
T4．．．跡線
Tp．．．跡線間距
Uc．．．單位胞

Claims (46)

  1. 一種導電光學器件，其包括：一基底部件；及一透明導電膜，其形成於該基底部件上，該透明導電膜之一表面結構包含複數個凸部分，該複數個凸部分具有抗反射性質且以等於或小於可見光之一波長之一間距配置；及形成於該基底部件與該透明導電膜之間的一導電金屬膜。
  2. 如請求項1之導電光學器件，其中該基底部件包含對應於該透明導電膜之該等凸部分之複數個凸結構。
  3. 如請求項2之導電光學器件，其中該基底部件之該等凸結構係經組態以防止已在至少大致垂直於該基底部件之一方向上透射穿過該基底部件之光在該等凸結構與該透明導電膜之間的一界面處反射。
  4. 如請求項2之導電光學器件，其中該等凸結構之一縱橫比係介於自0.2至1.78之範圍內。
  5. 如請求項1之導電光學器件，其中該透明導電膜之一膜厚度係介於自9奈米至50奈米之範圍內。
  6. 如請求項2之導電光學器件，其中該透明導電膜在該等凸結構之一頂點部分處之一膜厚度為D1，該透明導電膜在該等凸結構之一傾斜部分處之一膜厚度為D2，且該透明導電膜在毗鄰凸結構之間之一膜厚度為D3，且D1、D2及D3滿足D1>D3>D2之關係。
  7. 如請求項6之導電光學器件，其中D1介於自25奈米至50奈米之範圍內，D2介於自9奈米至30奈米之範圍內且D3介於自9奈米至50奈米之範圍內。
  8. 如請求項2之導電光學器件，其中該等凸結構之一平均配置間距係介於自110奈米至280奈米之範圍內。
  9. 如請求項2之導電光學器件，其中該等凸結構係經配置以便形成複數個跡線列。
  10. 如請求項2之導電光學器件，其中該等凸結構係經配置以便形成六方晶格圖案或準六方晶格圖案。
  11. 如請求項9之導電光學器件，其中該等凸結構具有一金字塔形狀或在一跡線方向上伸長或收縮之一金字塔形狀。
  12. 如請求項11之導電光學器件，其中該金字塔形狀係選自由以下各項構成之群組：一錐體形狀、一截頭錐體形狀及橢圓錐體形狀以及一橢圓截頭錐體形狀。
  13. 如請求項2之導電光學器件，其中毗鄰凸結構之下部分以一重疊方式接合在一起。
  14. 一種觸控面板器件，其包括：一第一導電基底層；及一第二導電基底層，其與該第一導電基底層相對，其中該第一導電基底層及該第二導電基底層中之至少一者包含一基底部件，及一透明導電膜，其形成於該基底部件上，該透明導電 膜之一表面結構包含具有抗反射性質且以等於或小於可見光之一波長之一間距配置之複數個凸結構；及形成於該基底部件與該透明導電膜之間的一導電金屬膜。
  15. 如請求項14之觸控面板器件，其中該基底部件包含對應於該透明導電膜之該等凸部分之複數個凸結構。
  16. 如請求項15之觸控面板器件，其中該基底部件之該等凸結構係經組態以防止已在至少大致垂直於該基底部件之一方向上透射穿過該基底部件之光在該等凸結構與該透明導電膜之間的一界面處反射。
  17. 如請求項14之觸控面板器件，其進一步包括位於該基底部件與該透明導電膜之間的一導電金屬膜。
  18. 如請求項15之觸控面板器件，其中該等凸結構之一縱橫比係介於自0.2至1.78之範圍內。
  19. 如請求項14之觸控面板器件，其中該透明導電膜之一膜厚度係介於自9奈米至50奈米之範圍內。
  20. 如請求項15之觸控面板器件，其中該透明導電膜在該等凸結構之一頂點部分處之一膜厚度為D1，該透明導電膜在該等凸結構之一傾斜部分處之一膜厚度為D2，且該透明導電膜在毗鄰凸結構之間之一膜厚度為D3，且D1、D2及D3滿足D1>D3>D2之關係。
  21. 如請求項20之觸控面板器件，其中D1係介於自25奈米至50奈米之範圍內，D2係介於自9奈米至30奈米之範圍內且D3係介於自9奈米至50奈米之範圍內。
  22. 如請求項15之觸控面板器件，其中該等凸結構之一平均配置間距係介於自110奈米至280奈米之範圍內。
  23. 如請求項15之觸控面板器件，其中該等凸部分係經配置以便形成複數個跡線列。
  24. 如請求項15之觸控面板器件，其中該等凸部分係經配置以便形成六方晶格圖案或準六方晶格圖案。
  25. 如請求項23之觸控面板器件，其中該等凸部分具有一金字塔形狀或在一跡線方向上伸長或收縮之一金字塔形狀。
  26. 如請求項25之觸控面板器件，其中該金字塔形狀係選自由以下各項構成之群組：一錐體形狀、一截頭錐體形狀及橢圓錐體形狀以及一橢圓截頭錐體形狀。
  27. 如請求項15之觸控面板器件，其中毗鄰凸結構之下部分以一重疊方式接合在一起。
  28. 一種顯示器件，其包括：一顯示裝置；及一觸控面板器件，其附接至該顯示裝置，該觸控面板器件包含一第一導電基底層；及一第二導電基底層，其與該第一導電基底層相對，其中該第一導電基底層及該第二導電基底層中之至少一者包含一基底部件，及一透明導電膜，其形成於該基底部件上，該透明導電 膜之一表面結構包含具有抗反射性質且以等於或小於可見光之一波長之一間距配置之複數個凸結構；及形成於該基底部件與該透明導電膜之間的一導電金屬膜。
  29. 如請求項28之顯示器件，其中該基底部件包含對應於該透明導電膜之該等凸部分之複數個凸結構。
  30. 如請求項29之顯示器件，其中該基底部件之該等凸結構係經組態以防止已在至少大致垂直於該基底部件之一方向上透射穿過該基底部件之光在該等凸結構與該透明導電膜之間的一界面處反射。
  31. 如請求項28之顯示器件，其進一步包括位於該基底部件與該透明導電膜之間的一導電金屬膜。
  32. 如請求項29之顯示器件，其中該等凸結構之一縱橫比係介於自0.2至1.78之範圍內。
  33. 如請求項28之顯示器件，其中該透明導電膜之一膜厚度係介於自9奈米至50奈米之範圍內。
  34. 如請求項29之顯示器件，其中該透明導電膜在該等凸結構之一頂點部分處之一膜厚度為D1，該透明導電膜在該等凸結構之一傾斜部分處之一膜厚度為D2，且該透明導電膜在毗鄰凸結構之間之一膜厚度為D3，且D1、D2及D3滿足D1>D3>D2之關係。
  35. 如請求項34之顯示器件，其中D1係介於自25奈米至50奈米之範圍內，D2係介於自9奈米至30奈米之範圍內且D3係介於自9奈米至50奈米之範圍內。
  36. 如請求項29之顯示器件，其中該等凸結構之一平均配置間距係介於自110奈米至280奈米之範圍內。
  37. 如請求項29之顯示器件，其中該等凸部分係經配置以便形成複數個跡線列。
  38. 如請求項29之顯示器件，其中該等凸部分係經配置以便形成六方晶格圖案或準六方晶格圖案。
  39. 如請求項37之顯示器件，其中該等凸部分具有一金字塔形狀或在一跡線方向上伸長或收縮之一金字塔形狀。
  40. 如請求項39之顯示器件，其中該金字塔形狀係選自由以下各項構成之群組：一錐體形狀、一截頭錐體形狀及橢圓錐體形狀以及一橢圓截頭錐體形狀。
  41. 如請求項29之顯示器件，其中毗鄰凸結構之下部分係以一重疊方式接合在一起。
  42. 一種製造一導電光學器件之方法，該方法包括：形成包含複數個凸結構之一基底部件；及在該基底部件上形成一透明導電膜，以使得該透明導電膜之一表面結構包含對應於該基底部件之該等凸結構之複數個凸部分，及形成於該基底部件與該透明導電膜之間的一導電金屬膜，其中該等凸結構具有抗反射性質且係以等於或小於可見光之一波長之一間距配置。
  43. 如請求項42之製造一導電光學器件之方法，其中形成該基底部件包含： 提供具有複數個凹結構之一捲軸母板；將一轉印材料施加至一基板；使該基板與該捲軸母板接觸；固化該轉印材料；及自該捲軸母板剝離該經固化之轉印材料及基板，其中該捲軸母板之該等凹結構對應於該基底部件之該等凸結構。
  44. 一種透明導電膜，其具有包含複數個凸部分之一表面結構，該等凸部分具有抗反射特性且係以等於或小於可見光之一波長之一間距配置，且其包括形成於該基底部件與該透明導電膜之間的一導電金屬膜。
  45. 如請求項44之透明導電膜，其中該透明導電膜包括選自由以下各項構成之群組之至少一種材料：ITO、AZO、SZO、FTO、SnO2 、GZO及IZO。
  46. 如請求項44之透明導電膜，其進一步包括作為該透明導電膜之一基底層之一金屬膜。
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Families Citing this family (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5440165B2 (ja) * 2009-12-28 2014-03-12 デクセリアルズ株式会社 導電性光学素子、タッチパネル、および液晶表示装置
JP5659551B2 (ja) * 2010-04-28 2015-01-28 ソニー株式会社 透明導電性素子、入力装置、および表示装置
JP5552887B2 (ja) * 2010-04-30 2014-07-16 ソニー株式会社 配線構造体、およびその製造方法
WO2012053625A1 (ja) * 2010-10-22 2012-04-26 ソニー株式会社 パターン基体およびその製造方法ならびに情報入力装置および表示装置
JP2012164383A (ja) * 2011-02-04 2012-08-30 Sony Corp 光情報記録媒体およびその製造方法
JP5720278B2 (ja) * 2011-02-07 2015-05-20 ソニー株式会社 導電性素子およびその製造方法、情報入力装置、表示装置、ならびに電子機器
JP2012216084A (ja) * 2011-03-31 2012-11-08 Sony Corp 情報入力装置
US9447492B2 (en) 2011-06-03 2016-09-20 Graham J. Hubbard Conductive anti-reflective films
US20120319277A1 (en) * 2011-06-19 2012-12-20 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology, Co., Ltd. Thin film transistor panel and manufacturing method thereof
JP2013061612A (ja) * 2011-06-21 2013-04-04 Asahi Kasei E-Materials Corp 光学素子
JP2013041878A (ja) 2011-08-11 2013-02-28 Sony Corp 撮像装置およびカメラモジュール
JP5948778B2 (ja) * 2011-09-28 2016-07-06 凸版印刷株式会社 反射型マスクブランク
JP5230788B2 (ja) * 2011-11-24 2013-07-10 日東電工株式会社 透明導電性フィルム
JP6079637B2 (ja) * 2011-12-08 2017-02-15 旭硝子株式会社 積層体、表示装置、照明装置、太陽電池、及び積層体の製造方法
EP2827177B1 (en) 2012-03-15 2017-11-29 Soken Chemical & Engineering Co., Ltd. Anti-reflection film
JP6016394B2 (ja) * 2012-03-15 2016-10-26 綜研化学株式会社 反射防止フィルムを備えた情報表示装置
TW201415067A (zh) 2012-03-28 2014-04-16 Sony Corp 導電性元件及其製造方法、配線元件及母盤
KR20130137438A (ko) * 2012-06-07 2013-12-17 삼성전기주식회사 터치센서 및 그 제조방법
JP2014002326A (ja) * 2012-06-20 2014-01-09 Asahi Kasei E-Materials Corp 光学素子及び導電性光学素子
JP2014002322A (ja) * 2012-06-20 2014-01-09 Asahi Kasei E-Materials Corp 光学素子及び導電性光学素子
US9784889B2 (en) 2012-06-22 2017-10-10 Sharp Kabushiki Kaisha Antireflection structure and display device
JP2014016586A (ja) * 2012-07-11 2014-01-30 Dainippon Printing Co Ltd 反射防止物品
JP2014021401A (ja) * 2012-07-20 2014-02-03 Dexerials Corp 導電性光学素子、入力素子、および表示素子
CN103576370A (zh) * 2012-07-23 2014-02-12 天津富纳源创科技有限公司 偏光片
CN103576372A (zh) * 2012-07-23 2014-02-12 天津富纳源创科技有限公司 液晶面板
CN102800379B (zh) * 2012-07-31 2014-05-07 江苏科技大学 一种用于线路制造的无需丝网印刷的银导电组合物
EP2906902B1 (en) * 2012-10-12 2018-08-01 DSM IP Assets B.V. Composite antiballistic radome walls
JP6107131B2 (ja) * 2012-12-27 2017-04-05 デクセリアルズ株式会社 ナノ構造体及びその作製方法
JP6070356B2 (ja) * 2013-03-28 2017-02-01 大日本印刷株式会社 タッチパネル用導電シートの製造方法、及びタッチパネル用導電シート
KR102053195B1 (ko) * 2013-04-01 2019-12-06 엘지전자 주식회사 터치 스크린 패널
JP6328984B2 (ja) 2013-05-22 2018-05-23 日東電工株式会社 両面透明導電性フィルムおよびタッチパネル
JP6493900B2 (ja) * 2013-08-09 2019-04-03 デクセリアルズ株式会社 透明積層体、及びそれを用いた保護具
KR102302817B1 (ko) * 2013-12-18 2021-09-16 엘지이노텍 주식회사 터치 윈도우
JP6343937B2 (ja) * 2014-01-10 2018-06-20 デクセリアルズ株式会社 反射防止構造体及びその設計方法
JP6303154B2 (ja) * 2014-07-08 2018-04-04 株式会社ブイ・テクノロジー 成膜マスク、その製造方法及びタッチパネル
JP6684046B2 (ja) * 2014-07-30 2020-04-22 デクセリアルズ株式会社 透明積層体
JPWO2016056434A1 (ja) 2014-10-07 2017-08-17 シャープ株式会社 透明導電体、透明導電体の製造方法、及び、タッチパネル
JP6642442B2 (ja) * 2014-10-24 2020-02-05 王子ホールディングス株式会社 光学素子、光学複合素子及び保護フィルム付光学複合素子
SG11201707249QA (en) * 2015-03-06 2017-10-30 Agency Science Tech & Res Anti-reflective and anti-fogging materials
KR102356723B1 (ko) * 2015-03-25 2022-01-27 삼성디스플레이 주식회사 커버 윈도우 및 이를 포함하는 표시 장치
JP6371731B2 (ja) * 2015-03-27 2018-08-08 シャープ株式会社 タッチパネル表示装置
JPWO2016158550A1 (ja) * 2015-03-27 2018-01-18 コニカミノルタ株式会社 表示部材及びヘッドアップディスプレイ装置
KR102402759B1 (ko) * 2015-05-29 2022-05-31 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치 및 이의 제조 방법
US10133428B2 (en) 2015-05-29 2018-11-20 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display device including a flexible substrate having a bending part and a conductive pattern at least partially disposed on the bending part
JP6561706B2 (ja) * 2015-09-10 2019-08-21 王子ホールディングス株式会社 金型、有機発光ダイオードの製造方法及び有機発光ダイオード
JP6903418B2 (ja) * 2015-11-16 2021-07-14 デクセリアルズ株式会社 光学体、原盤、及び光学体の製造方法
JP6736378B2 (ja) * 2016-06-24 2020-08-05 東芝テック株式会社 アンテナ装置
TWI629497B (zh) * 2017-03-31 2018-07-11 友達光電股份有限公司 抗反射光學膜片
EP4528444A3 (en) * 2018-06-28 2025-10-15 3M Innovative Properties Company Methods of making metal patterns on flexible substrate
JP7504574B2 (ja) * 2018-10-22 2024-06-24 デクセリアルズ株式会社 原盤、原盤の製造方法及び転写物の製造方法
US12436291B2 (en) 2019-03-19 2025-10-07 Sony Semiconductor Solutions Corporation Sensor chip, electronic apparatus, and distance measurement apparatus
US11143809B2 (en) 2019-08-30 2021-10-12 Darwin Precisions Corporation Backlight module with light guide having groups and microstructures connecting adjacent prisms
TWI696855B (zh) 2019-08-30 2020-06-21 達運精密工業股份有限公司 背光模組以及導光板的製作方法
JPWO2022092111A1 (zh) * 2020-10-26 2022-05-05
KR20240120338A (ko) * 2023-01-31 2024-08-07 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002287902A (ja) * 2001-01-17 2002-10-04 Seiko Epson Corp タッチパネル及び電子機器
US20030193719A1 (en) * 2000-08-29 2003-10-16 Hoya Corporation Optical element having antireflection film
US20050237897A1 (en) * 2003-03-27 2005-10-27 Tokyo University Of Agriculture And Technology Tlo Co., Ltd Wavefront aberration correcting device and optical pickup equipped with the same
US20070159698A1 (en) * 2004-12-03 2007-07-12 Sharp Kabushiki Kaisha Antireflective member, optical element, display device, method of making stamper and method of making antireflective member using the stamper
US20080129933A1 (en) * 2006-12-05 2008-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anti-reflection film and display device
US20080129183A1 (en) * 2006-12-05 2008-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Plasma display panel and field emission display
US20080180025A1 (en) * 2003-02-28 2008-07-31 Yasuko Baba Optical filter and organic el display using the same

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3520627B2 (ja) * 1995-09-14 2004-04-19 ソニー株式会社 光反射防止部材及びその作製方法、並びに陰極線管
US6958748B1 (en) * 1999-04-20 2005-10-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Transparent board with conductive multi-layer antireflection films, transparent touch panel using this transparent board with multi-layer antireflection films, and electronic equipment with this transparent touch panel
US6888678B2 (en) * 2000-02-16 2005-05-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Irregular-shape body, reflection sheet and reflection-type liquid crystal display element, and production method and production device therefor
JP4502445B2 (ja) * 2000-03-16 2010-07-14 大日本印刷株式会社 反射防止フィルムの製造方法
JP2002298665A (ja) * 2001-03-29 2002-10-11 Fuji Photo Film Co Ltd 透明導電膜の製造方法、透明導電膜及びこれを用いた光学フィルム
JP2003136625A (ja) 2001-08-24 2003-05-14 Sony Corp 表示体用フィルム、タッチパネル及びこれらの製造方法
JP2003139902A (ja) * 2001-11-07 2003-05-14 Nippon Sheet Glass Co Ltd 合成樹脂上への薄膜形成方法と得られた積層膜
JP2003205564A (ja) * 2002-01-15 2003-07-22 Dainippon Printing Co Ltd 反射防止機能付き帯電防止転写箔
JP2004021788A (ja) * 2002-06-19 2004-01-22 Alps Electric Co Ltd タブレット及びこの製造方法
JP4240928B2 (ja) * 2002-07-09 2009-03-18 住友金属鉱山株式会社 酸化物透明導電膜及びその製法
JP4198527B2 (ja) * 2003-05-26 2008-12-17 富士通コンポーネント株式会社 タッチパネル及び表示装置
JP2005011021A (ja) * 2003-06-18 2005-01-13 Alps Electric Co Ltd タブレット及び液晶表示装置
JP2005028821A (ja) * 2003-07-10 2005-02-03 Sony Corp 透明導電性基材およびタッチパネル
JP2006285332A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Gunze Ltd 透明タッチパネル
US20070098959A1 (en) * 2005-06-03 2007-05-03 Daniel Lieberman Substrates and articles having selective printed surface reliefs
JP4943091B2 (ja) * 2005-09-12 2012-05-30 日東電工株式会社 透明導電性フィルム、タッチパネル用電極板およびタッチパネル
KR100954309B1 (ko) * 2005-09-12 2010-04-21 닛토덴코 가부시키가이샤 투명 도전성 필름, 터치 패널용 전극판 및 터치 패널
JP2007156145A (ja) * 2005-12-06 2007-06-21 Konica Minolta Opto Inc 反射防止フィルム、その製造方法及び画像表示装置
WO2008023816A1 (en) * 2006-08-21 2008-02-28 Sony Corporation Optical element, method for manufacturing master for manufacturing optical element, and photoelectric conversion device
WO2008069164A1 (en) * 2006-12-05 2008-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Antireflection film and display device
JP4000178B1 (ja) * 2006-12-19 2007-10-31 株式会社テスコム タッチパネル表示装置及びタッチパネルユニット製造方法
JP2008209867A (ja) * 2007-02-28 2008-09-11 Mitsubishi Rayon Co Ltd スタンパおよび防眩性反射防止物品とその製造方法
JP4935513B2 (ja) * 2007-06-06 2012-05-23 ソニー株式会社 光学素子およびその製造方法、ならびに光学素子作製用複製基板およびその製造方法
JP2008027463A (ja) * 2007-09-25 2008-02-07 Dowa Holdings Co Ltd 低反射型抵抗膜式タッチパネル，その製造方法，および透明導電膜を備えた基板
JP4935627B2 (ja) * 2007-10-30 2012-05-23 ソニー株式会社 光学素子および光学素子作製用原盤の製造方法
JP4412388B2 (ja) * 2007-10-31 2010-02-10 セイコーエプソン株式会社 光学素子、液晶装置及び電子機器
US8810910B2 (en) * 2008-02-27 2014-08-19 Sony Corporation Antireflection optical device and method of manufacturing master
JP5318433B2 (ja) 2008-02-27 2013-10-16 十勝農業協同組合連合会 微生物資材
JP5388326B2 (ja) 2008-05-12 2014-01-15 住化スタイロンポリカーボネート株式会社 抗菌性に優れた透明熱可塑性樹脂組成物およびそれからなる成形品
BRPI0912278A2 (pt) * 2008-05-27 2015-10-20 Sharp Kk película de impedir reflexão e dispositivo de exibição
JP2010104619A (ja) 2008-10-30 2010-05-13 Sanyo Product Co Ltd 遊技機

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030193719A1 (en) * 2000-08-29 2003-10-16 Hoya Corporation Optical element having antireflection film
JP2002287902A (ja) * 2001-01-17 2002-10-04 Seiko Epson Corp タッチパネル及び電子機器
US20080180025A1 (en) * 2003-02-28 2008-07-31 Yasuko Baba Optical filter and organic el display using the same
US20050237897A1 (en) * 2003-03-27 2005-10-27 Tokyo University Of Agriculture And Technology Tlo Co., Ltd Wavefront aberration correcting device and optical pickup equipped with the same
US20070159698A1 (en) * 2004-12-03 2007-07-12 Sharp Kabushiki Kaisha Antireflective member, optical element, display device, method of making stamper and method of making antireflective member using the stamper
US20080129933A1 (en) * 2006-12-05 2008-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anti-reflection film and display device
US20080129183A1 (en) * 2006-12-05 2008-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Plasma display panel and field emission display

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