JP4626721B1 - 透明導電性電極、タッチパネル、情報入力装置、および表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】優れた反射防止特性を有する導電性光学素子を提供することにある。
【解決手段】反射防止機能を有する導電性光学素子は、表面を有する基体と、基体の表面に可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された、凸部または凹部からなる構造体と、構造体上に形成された透明導電膜とを備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、透明導電性電極、タッチパネル、情報入力装置、および表示装置に関する。詳しくは、透明導電膜が一主面に形成された透明導電性電極に関する。

近年、モバイル機器や携帯電話機器などが備える液晶表示素子などの表示装置上には、情報を入力するための抵抗膜式タッチパネルが配置されるようになっている。

抵抗膜式タッチパネルは、２つの透明導電性フィルムがアクリル樹脂などの絶縁材料からなるスペーサを介して対向配置された構造を有する。透明導電性フィルムは、タッチパネルの電極として機能するものであり、高分子フィルムなどの透明性を有する基材と、この基材上に形成された、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの高屈折率の材料（例えば１．９〜２．１程度）からなる透明導電膜とを備える。

抵抗膜式タッチパネル用としての透明導電性フィルムには、例えば３００Ω／□〜５００Ω／□程度の所望の表面抵抗値が求められている。また、透明導電性フィルムには、抵抗膜式タッチパネルが配置される液晶表示素子などの表示装置の表示品質の劣化を避けるため、高い透過率が求められている。

所望の表面抵抗値を実現するためには、透明導電性フィルムを構成する透明導電膜を例えば２０ｎｍ〜３０ｎｍ程度まで厚くする必要がある。しかしながら、高屈折率の材料である透明導電膜を厚くすると、透明導電膜と基材との界面における外光の反射が増加し、透明導電性フィルムの透過率が低下してしまうため、表示装置の品質の劣化が生じる問題がある。

この問題を解決するために、例えば特許文献１では、基材と透明導電膜との間に反射防止膜を設けたタッチパネル用の透明導電性フィルムが提案されている。この反射防止膜は、屈折率の異なる複数の誘電体膜を順次積層して形成されている。

特開２００３−１３６６２５号公報

しかしながら、特許文献１に記載の透明導電性フィルムでは、反射防止膜の反射機能に波長依存があるため、透明導電性フィルムの透過率に波長分散が生じてしまい、広範囲の波長で高透過率を実現することが困難である。

したがって、本発明の目的は、優れた反射防止特性を有する透明導電性電極、タッチパネル、情報入力装置、および表示装置を提供することにある。

上述の課題を解決するために、本発明は、
表面を有する基体と、
基体の表面に可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された凸部または凹部からなる構造体と、
構造体上に形成された透明導電膜と、
を備え、
構造体が、錐体形状を有し、
構造体のアスペクト比は０．２以上１．７８以下であり、
透明導電膜は構造体に倣った表面を有し、
構造体の頂部における透明導電膜の平均膜厚Ｄ _m １が、５ｎｍ以上８０ｎｍ以下であり、
透明導電膜の表面抵抗は、２７０Ω／□以上４０００Ω／□以下の範囲である透明導電性電極である。

この発明において、主構造体を四方格子状または準四方格子状に周期的に配置することが好ましい。ここで、四方格子とは、正四角形状の格子のことをいう。準四方格子とは、正四角形状の格子とは異なり、歪んだ正四角形状の格子のことをいう。
例えば、構造体が直線上に配置されている場合には、準四方格子とは、正四角形状の格子を直線状の配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませた四方格子のことをいう。構造体が蛇行して配列されている場合には、準四方格子とは、正四角形状の格子を構造体の蛇行配列により歪ませた四方格子をいう。または、正四角形状の格子を直線状の配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませ、かつ、構造体の蛇行配列により歪ませた四方格子のことをいう。

この発明において、構造体を六方格子状または準六方格子状に周期的に配置することが好ましい。ここで、六方格子とは、正六角形状の格子のことをいう。準六方格子とは、正六角形状の格子とは異なり、歪んだ正六角形状の格子のことをいう。
例えば、構造体が直線上に配置されている場合には、準六方格子とは、正六角形状の格子を直線状の配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませた六方格子のことをいう。構造体が蛇行して配列されている場合には、準六方格子とは、正六角形状の格子を構造体の蛇行配列により歪ませた六方格子をいう。または、正六角形状の格子を直線状の配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませ、かつ、構造体の蛇行配列により歪ませた六方格子のことをいう。

この発明において、楕円には、数学的に定義される完全な楕円のみならず、多少の歪みが付与された楕円も含まれる。円形には、数学的に定義される完全な円（真円）のみならず、多少の歪みが付与された円形も含まれる。

この発明において、同一トラック内における構造体の配置ピッチＰ１は、隣接する２つのトラック間における構造体の配置ピッチＰ２よりも長いことが好ましい。このようにすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体の充填率を向上することができるので、反射防止特性を向上することができる。

この発明において、各構造体が、基体表面において六方格子パターン、または準六方格子パターンを形成している場合には、同一トラック内における構造体の配置ピッチをＰ１、隣接する２つのトラック間における構造体の配置ピッチをＰ２としたとき、比率Ｐ１／Ｐ２が、好ましくは１．００≦Ｐ１／Ｐ２≦１．２、または１．００＜Ｐ１／Ｐ２≦１．２、より好ましくは１．００≦Ｐ１／Ｐ２≦１．１、または１．００＜Ｐ１／Ｐ２≦１．１の関係を満たすことが好ましい。このような数値範囲にすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体の充填率を向上することができるので、反射防止特性を向上することができる。

この発明において、各構造体が、基体表面において六方格子パターン、または準六方格子パターンを形成している場合には、各構造体は、トラックの延在方向に長軸方向を有し、中央部の傾きが先端部および底部の傾きよりも急峻に形成された楕円錐または楕円錐台形状であることが好ましい。このような形状にすることで、反射防止特性および透過特性を向上することができる。

この発明において、各構造体が、基体表面において六方格子パターン、または準六方格子パターンを形成している場合には、トラックの延在方向における構造体の高さまたは深さは、トラックの列方向における構造体の高さまたは深さよりも小さいことが好ましい。このような関係を満たさない場合には、トラックの延在方向の配置ピッチを長くする必要が生じるため、トラックの延在方向における構造体の充填率が低下する。このように充填率が低下すると、反射特性の低下を招くことになる。

この発明において、構造体が、基体表面において四方格子パターンまたは準四方格子パターンを形成している場合には、同一トラック内における構造体の配置ピッチＰ１は、隣接する２つのトラック間における構造体の配置ピッチＰ２よりも長いことが好ましい。このようにすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体の充填率を向上することができるので、反射防止特性を向上することができる。

構造体が、基体表面において四方格子パターンまたは準四方格子パターンを形成している場合には、同一トラック内における構造体の配置ピッチをＰ１、隣接する２つのトラック間における構造体の配置ピッチをＰ２としたとき、比率Ｐ１／Ｐ２が、１．４＜Ｐ１／Ｐ２≦１．５の関係を満たすことが好ましい。このような数値範囲にすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体の充填率を向上することができるので、反射防止特性を向上することができる。

構造体が、基体表面において四方格子パターンまたは準四方格子パターンを形成している場合には、各構造体は、トラックの延在方向に長軸方向を有し、中央部の傾きが先端部および底部の傾きよりも急峻に形成された楕円錐または楕円錐台形状であることが好ましい。このような形状にすることで、反射防止特性および透過特性を向上することができる。

構造体が、基体表面において四方格子パターンまたは準四方格子パターンを形成している場合には、トラックに対して４５度方向または約４５度方向における構造体の高さまたは深さは、トラックの列方向における構造体の高さまたは深さよりも小さいことが好ましい。このような関係を満たさない場合には、トラックに対して４５度方向または約４５度方向における配置ピッチを長くする必要が生じるため、トラックに対して４５度方向または約４５度方向における構造体の充填率が低下する。このように充填率が低下すると、反射特性の低下を招くことになる。

本発明では、微細ピッチで基体表面に多数配設けられた構造体が、複数列のトラックをなしていると共に、隣接する３列のトラック間において、六方格子パターン、準六方格子パターン、四方格子パターンまたは準四方格子パターンをなしている。したがって、表面における構造体の充填密度を高くすることができ、これにより可視光などの反射防止効率を高め、反射防止特性に優れた透過率の極めて高い導電性光学素子を得ることができる。

また、光ディスクの原盤作製プロセスとエッチングプロセスとを融合した方法を用いて光学素子を作製した場合には、光学素子作製用原盤を短時間で効率良く製造することができるとともに基体の大型化にも対応でき、これにより、光学素子の生産性の向上を図ることができる。また、構造体の微細配列を光入射面だけでなく光出射面にも設けた場合には、透過特性をより一層向上させることができる。

以上説明したように、本発明によれば、優れた反射防止性を有する導電性光学素子を実現できる。

図１Ａは、本発明の第１の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図１Ｂは、図１Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図１Ｃは、図１ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図１Ｄは、図１ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。図１Ｅは、図１ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。図１Ｆは、図１ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。 図２は、図１Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す斜視図である。 図３Ａは、図１Ａに示した導電性光学素子のトラック延在方向の断面図である。図３Ｂは、図１Ａに示した導電性光学素子１のθ方向の断面図である。 図４は、図１Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す斜視図である。 図５は、図１Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す斜視図である。 図６は、図１Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す斜視図である。 図７は、構造体の境界が不明瞭な場合の構造体底面の設定方法について説明するための図である。 図８Ａ〜図８Ｄは、構造体の底面の楕円率を変化させたときの底面形状を示す図である。 図９Ａは、円錐形状または円錐台形状を有する構造体の配置の一例を示す図である。図９Ｂは、楕円錐形状または楕円錐台形状を有する構造体の配置の一例を示す図である。 図１０Ａは、導電性光学素子を作製するためのロールマスタの構成の一例を示す斜視図である。図１０Ｂは、図１０Ａに示したロールマスタの一部を拡大して表す平面図である。 図１１は、ロール原盤露光装置の構成の一例を示す概略図である。 図１２Ａ〜図１２Ｃは、本発明の第１の実施形態による導電性光学素子の製造方法を説明するための工程図である。 図１３Ａ〜図１３Ｃは、本発明の第１の実施形態による導電性光学素子の製造方法を説明するための工程図である。 図１４Ａ〜図１４Ｂは、本発明の第１の実施形態による導電性光学素子の製造方法を説明するための工程図である。 図１５Ａは、本発明の第２の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図１５Ｂは、図１５Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図１５Ｃは、図１５ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図１５Ｄは、図１５ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。図１５Ｅは、図１５ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。図１５Ｆは、図１５ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。 図１６は、構造体の底面の楕円率を変化させたときの底面形状を示す図である。 図１７Ａは、導電性光学素子を作製するためのロールマスタの構成の一例を示す斜視図である。図１７Ｂは、図１７Ａに示したロールマスタの一部を拡大して表す平面図である。 図１８Ａは、本発明の第３の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図１８Ｂは、図１８Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図１８Ｃは、図１８ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図１８Ｄは、図１８ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。 図１９Ａは、導電性光学素子を作製するためのディスクマスタの構成の一例を示す平面図である。図１９Ｂは、図１９Ａに示したディスクマスタの一部を拡大して表す平面図である。 図２０は、ディスク原盤露光装置の構成の一例を示す概略図である。 図２１Ａは、本発明の第４の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図２１Ｂは、図２１Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。 図２２Ａは、本発明の第５の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図２２Ｂは、図２２Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図２２Ｃは、図２２ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図２２Ｄは、図２２ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。 図２３は、図２２Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す斜視図である。 図２４Ａは、本発明の第６の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図２４Ｂは、図２４Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図、図２４Ｃは、図２４ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図２４Ｄは、図２４ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。 図２５は、図２４Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す斜視図である 図２６は、本発明の第６の実施形態に係る導電性光学素子の屈折率プロファイルの一例を示すグラフである。 図２７は、構造体の形状の一例を示す断面図である。 図２８Ａ〜図２８Ｃは、変化点の定義を説明するための図である。 図２９は、本発明の第７の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す断面図である。 図３０は、本発明の第８の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す断面図である。 図３１Ａは、本発明の第９の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。図３１Ｂは、本発明の第９の実施形態に係るタッチパネルの構成の変形例を示す断面図である。 図３２Ａは、本発明の第１０の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す斜視図である。図３２Ｂは、本発明の第１０の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。 図３３Ａは、本発明の第１１の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す斜視図である。図３３Ｂは、本発明の第１１の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。 図３４は、本発明の第１２の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。 図３５は、本発明の第１３の実施形態に係る液晶表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図３６Ａは、本発明の第１４の実施形態に係るタッチパネルの構成の第１の例を示す斜視図である。図３６Ｂは、本発明の第１４の実施形態に係るタッチパネルの構成の第２の例を示す断面図である。 図３７Ａは、実施例１〜３、比較例１〜２の反射特性を示すグラフである。図３７Ｂは、実施例１〜３、比較例１〜２の透過特性を示すグラフである。 図３８Ａは、実施例４〜７におけるアスペクト比と表面抵抗との関係を示すグラフである。図３８Ｂは、実施例４〜７における構造体高さと表面抵抗との関係を示すグラフである。 図３９Ａは、実施例４〜７の透過特性を示すグラフである。図３９Ｂは、実施例４〜７の反射特性を示すグラフである。 図４０Ａは、実施例４、６の透過特性を示すグラフである。図４０Ｂは、実施例４、６の反射特性を示すグラフである。 図４１Ａは、実施例３、４の透過特性を示すグラフである。図４１Ｂは、実施例３、４の反射特性を示すグラフである。 図４２Ａは、実施例８〜１０、比較例６の透過特性を示すグラフである。図４２Ｂは、実施例８〜１０、比較例６の反射特性を示すグラフである。 図４３は、実施例１１〜１２、比較例７〜９の透過特性を示すグラフである。 図４４Ａは、実施例１３、１４の導電性光学シートの透過特性を示すグラフである。図４４Ｂは、実施例１３、１４の導電性光学シートの反射特性を示すグラフである。 図４５Ａは、実施例１５、比較例１０の反射特性を示すグラフである。図４５Ｂは、実施例１６、比較例１１の反射特性を示すグラフである。 図４６Ａは、実施例１７、比較例１２の反射特性を示すグラフである。図４６Ｂは、実施例１８、比較例１３の反射特性を示すグラフである。 図４７Ａは、構造体を六方格子状に配列したときの充填率を説明するための図である。図４７Ｂは、構造体を四方格子状に配列したときの充填率を説明するための図である。 図４８は、試験例３のシミュレーション結果を示すグラフである。 図４９Ａは、比較例１４の抵抗膜式タッチパネルの構成を示す斜視図である。図４９Ｂは、比較例１４の抵抗膜式タッチパネルの構成を示す断面図である。 図５０Ａは、比較例１５の抵抗膜式タッチパネルの構成を示す斜視図である。図５０Ｂは、比較例１５の抵抗膜式タッチパネルの構成を示す断面図である。 図５１Ａは、比較例１６の抵抗膜式タッチパネルの構成を示す斜視図である。図５１Ｂは、比較例１６の抵抗膜式タッチパネルの構成を示す断面図である。 図５２Ａは、実施例１９の抵抗膜式タッチパネルの構成を示す斜視図である。図５２Ｂは、実施例１９の抵抗膜式タッチパネルの構成を示す断面図である。 図５３Ａは、実施例２０の抵抗膜式タッチパネルの構成を示す斜視図である。図５３Ｂは、実施例２０の抵抗膜式タッチパネルの構成を示す断面図である。 図５４Ａは、実施例２１の抵抗膜式タッチパネルの構成を示す斜視図である。図５４Ｂは、実施例２１の抵抗膜式タッチパネルの構成を示す断面図である。 図５５Ａは、実施例２２の抵抗膜式タッチパネルの構成を示す斜視図である。図５５Ｂは、実施例２２の抵抗膜式タッチパネルの構成を示す断面図である。 図５６は、実施例１９、２０、および比較例１５の抵抗膜式タッチパネルの反射特性を示すグラフである。 図５７は、凸部である構造体上に形成された透明導電膜の平均膜厚Ｄ_m１、Ｄ_m２、Ｄ_m３の求め方を説明するための略線図である。

本発明の実施形態について図面を参照しながら以下の順序で説明する。
１．第１の実施形態（直線状でかつ六方格子状に構造体を２次元配列した例：図１参照）
２．第２の実施形態（直線状でかつ四方格子状に構造体を２次元配列した例：図１５参照）
３．第３の実施形態（円弧状でかつ六方格子状に構造体を２次元配列した例：図１８参照）
４．第４の実施形態（構造体を蛇行させて配列した例：図２１参照）
５．第５の実施形態（凹形状の構造体を基体表面に形成した例：図２２参照）
６．第６の実施形態（屈折率プロファイルをＳ字形状とした例：図２４参照）
７．第７の実施形態（導電性光学素子の両主面に構造体を形成した例：図２９参照）
８．第８の実施形態（透明導電性を有する構造体を透明導電膜上に配列した例：図３０）
９．第９の実施形態（抵抗膜式タッチパネルに対する適用例：図３１Ａ、図３１Ｂ参照）
１０．第１０の実施形態（タッチパネルのタッチ面にハードコート層を形成した例：図３２Ａ、図３２Ｂ参照）
１１．第１１の実施形態（タッチパネルのタッチ面に偏光子またはフロントパネルを形成した例：図３３Ａ、図３３Ｂ参照）
１２．第１２の実施形態（タッチパネルの周縁部に構造体を配列した例：図３４参照）
１３．第１３の実施形態（インナータッチパネルの例：図３５参照）
１４．第１４の実施形態（静電容量式タッチパネルに対する適用例：図３６Ａ、図３６Ｂ参照）

＜１．第１の実施形態＞
［導電性光学素子の構成］
図１Ａは、本発明の第１の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図１Ｂは、図１Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図１Ｃは、図１ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図１Ｄは、図１ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。図１Ｅは、図１ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。図１Ｆは、図１ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。図２、図４〜図６は、図１Ａに示した導電性光学素子１の一部を拡大して表す斜視図である。図３Ａは、図１Ａに示した導電性光学素子のトラックの延在方向（Ｘ方向（以下、適宜トラック方向ともいう））の断面図である。図３Ｂは、図１Ａに示した導電性光学素子のθ方向の断面図である。

導電性光学素子１は、対向する両主面を有する基体２と、反射の低減を目的とする光の波長以下の微細ピッチで一主面に配置された、凸部である複数の構造体３と、これらの構造体３上に形成された透明導電膜４とを備える。また、表面抵抗の低減の観点から、構造体３と透明導電膜４との間に金属膜（導電膜）５をさらに設けてもよい。この導電性光学素子１は、基体２を図２の−Ｚ方向に透過する光について、構造体３とその周囲の空気との界面における反射を防止する機能を有している。
以下、導電性光学素子１に備えられる基体２、構造体３、透明導電膜４、および金属膜５について順次説明する。

構造体３のアスペクト比（高さＨ／平均配置ピッチＰ）が、好ましくは０．２以上１．７８以下、より好ましくは０．２以上１．２８以下、さらに好ましくは０．６３以上１．２８以下の範囲内である。透明導電膜４の平均膜厚は、９ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。構造体３のアスペクト比が０．２未満であり、透明導電膜４の平均膜厚が５０ｎｍを超えると、構造体間の凹部が透明導電膜４により埋まり、反射防止特性、および透過特性が低下する傾向にある。一方、構造体３のアスペクト比が１．７８を超え、透明導電膜４の平均膜厚が９ｎｍ未満であると、構造体３の斜面が急峻になり、透明導電膜４の平均膜厚が薄くなるため、表面抵抗が上昇する傾向にある。すなわち、アスペクト比、および平均膜厚が上記数値範囲を満たすことで、幅広い範囲の表面抵抗（例えば１００Ω/□以上５０００Ω/□以下）を得ることができ、かつ、優れた反射防止特性、および透過特性を得ることができる。ここで透明導電膜４の平均膜厚は、構造体３の頂部における透明導電膜４の平均膜厚Ｄ_m１である。

構造体３の頂部における透明導電膜４の平均膜厚をＤ_m１、構造体３の傾斜面における透明導電膜４の平均膜厚をＤ_m２、構造体間における透明導電膜４の平均膜厚をＤ_m３としたときに、Ｄ_m１＞Ｄ_m３＞Ｄ_m２の関係を満たすことが好ましい。構造体３の傾斜面の平均膜厚Ｄ２は、９ｎｍ以上３０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。透明導電膜４の平均膜厚Ｄ_m１、Ｄ_m２、Ｄ_m３が上記関係を満たし、かつ透明導電膜４の平均膜厚Ｄ_m２が上記数値範囲を満たすことで、幅広い範囲の表面抵抗を得ることができ、かつ、優れた反射防止特性、および透過特性を得ることができる。なお、平均膜厚Ｄ_m１、Ｄ_m２、Ｄ_m３が上記関係を有しているか否かは、後述するように平均膜厚Ｄ_m１、Ｄ_m２、Ｄ_m３をそれぞれ求めることにより確認することができる。

透明導電膜４が、構造体３の形状に倣った表面を有し、構造体３の頂部における透明導電膜４の平均膜厚Ｄ１が、５ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。なお、構造体３の頂部における透明導電膜４の平均膜厚Ｄ１は、平板換算膜厚にほぼ等しい。平板換算膜厚は、構造体上に透明導電膜４を形成した場合と同様の成膜条件にて、平板上に透明導電膜４を形成したときの膜厚である。

幅広い範囲の表面抵抗を得ることができ、かつ、優れた反射防止特性、および透過特性を得る観点からすると、構造体３の頂部における透明導電膜４の平均膜厚Ｄ_m１は、２５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内であり、構造体３の傾斜面における透明導電膜４の平均膜厚Ｄ_m２は、９ｎｍ以上３０ｎｍ以下の範囲内であり、構造体間における透明導電膜４の平均膜厚Ｄ_m３は、９ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。

図５７は、凸部である構造体上に形成された透明導電膜の平均膜厚Ｄ_m１、Ｄ_m２、Ｄ_m３の求め方を説明するための略線図である。以下、図５７を参照して、平均膜厚Ｄ_m１、Ｄ_m２、Ｄ_m３の求め方を説明する。

まず、導電性光学素子１を構造体３の頂部を含むようにトラックの延在方向に切断し、その断面をＴＥＭにて撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、構造体３の頂部における透明導電膜４の膜厚Ｄ１を測定する。次に、構造体３の傾斜面の位置のうち、構造体３の半分の高さ（Ｈ／２）の位置の膜厚Ｄ２を測定する。次に、構造体間の凹部の位置のうち、その凹部の深さが最も深くなる位置の膜厚Ｄ３を測定する。次に、これらの膜厚Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３の測定を導電性光学素子１から無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３を単純に平均（算術平均）して平均膜厚Ｄ_m１、Ｄ_m２、Ｄ_m３を求める。

透明導電膜４の表面抵抗は、１００Ω/□以上５０００Ω/□以下の範囲であることが好ましく、より好ましくは２７０Ω/□以上４０００Ω/□以下の範囲内である。このような範囲の表面抵抗にすることで、種々の方式のタッチパネルの上部電極、または下部電極として透明導電性光学素子１を用いることができるからである。ここで、透明導電膜４の表面抵抗は、４端子測定（ＪＩＳ Ｋ ７１９４）により求めたものである。

構造体３の平均配置ピッチＰは、好ましくは１８０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以上３２０ｎｍ以下、さらに好ましくは１１０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下範囲内である。平均配置ピッチが１８０ｎｍ未満であると、構造体３の作製が困難となる傾向がある。一方、平均配置ピッチが３５０ｎｍを超えると、可視光の回折が生じる傾向がある。

構造体３の高さ（深さ）Ｈは、好ましくは７０ｎｍ以上３２０ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以上３２０ｎｍ以下、さらに好ましくは１１０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下の範囲に設定される。構造体３の高さＨが７０ｎｍ未満であると、反射率が増加する傾向がある。構造体３の高さＨが３２０ｎｍを超えると、所定の抵抗を実現するのが困難となる傾向がある。

（基体）
基体２は、例えば、透明性を有する透明基体である。基体２の材料としては、例えば、透明性を有するプラスチック材料、ガラスなどを主成分とするものが挙げられるが、これらの材料に特に限定されるものではない。

ガラスとしては、例えば、ソーダライムガラス、鉛ガラス、硬質ガラス、石英ガラス、液晶化ガラスなど（「化学便覧」基礎編、P.I-537、日本化学会編参照）が用いられる。プラスチック材料としては、透明性、屈折率、および分散などの光学特性、さらには耐衝撃性、耐熱性、および耐久性などの諸特性の観点から、ポリメチルメタアクリレート、メチルメタクリレートと他のアルキル（メタ）アクリレート、スチレンなどといったビニルモノマーとの共重合体などの（メタ）アクリル系樹脂；ポリカーボネート、ジエチレングリコールビスアリルカーボネート（CR-39）などのポリカーボネート系樹脂；（臭素化）ビスフェノールＡ型のジ（メタ）アクリレートの単独重合体ないし共重合体、（臭素化）ビスフェノールＡモノ（メタ）アクリレートのウレタン変性モノマーの重合体及び共重合体などといった熱硬化性（メタ）アクリル系樹脂；ポリエステル特にポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートおよび不飽和ポリエステル、アクリロニトリル−スチレン共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、シクロオレフィンポリマー（商品名：アートン、ゼオノア）などが好ましい。また、耐熱性を考慮したアラミド系樹脂の使用も可能である。

基材２としてプラスチック材料を用いる場合、プラスチック表面の表面エネルギー、塗布性、すべり性、平面性などをより改善するために、表面処理として下塗り層を設けるようにしてもよい。この下塗り層としては、例えば、オルガノアルコキシメタル化合物、ポリエステル、アクリル変性ポリエステル、ポリウレタンなどが挙げられる。また、下塗り層を設けるのと同様の効果を得るために、基体２の表面に対してコロナ放電、ＵＶ照射処理を行うようにしてもよい。

基体２がプラスチックフィルムである場合には、基体２は、例えば、上述の樹脂を伸延、あるいは溶剤に希釈後フィルム状に成膜して乾燥するなどの方法で得ることができる。また、基材２の厚さは、例えば２５μｍ〜５００μｍ程度である。

基体２の形状としては、例えば、シート状、プレート状、ブロック状を挙げることができるが、特にこれらの形状に限定されるものではない。ここで、シートにはフィルムが含まれるものと定義する。基体２の形状は、カメラなどの光学機器などにおいて、所定の反射防止機能が必要とされる部分の形状などに合わせて適宜選択することが好ましい。

（構造体）
基体２の表面には、凸部である構造体３が多数配列されている。この構造体３は、反射の低減を目的とする光の波長帯域以下の短い配置ピッチ、例えば可視光の波長と同程度の配置ピッチで周期的に２次元配置されている。ここで、配置ピッチとは、配置ピッチＰ１および配置ピッチＰ２を意味する。反射の低減を目的とする光の波長帯域は、例えば、紫外光の波長帯域、可視光の波長帯域または赤外光の波長帯域である。ここで、紫外光の波長帯域とは１０ｎｍ〜３６０ｎｍの波長帯域、可視光の波長帯域とは３６０ｎｍ〜８３０ｎｍの波長帯域、赤外光の波長帯域とは８３０ｎｍ〜１ｍｍの波長帯域をいう。具体的には、配置ピッチは、好ましくは１８０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下、１９０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下であることがより好ましい。配置ピッチが１８０ｎｍ未満であると、構造体３の作製が困難となる傾向がある。一方、配置ピッチが３５０ｎｍを超えると、可視光の回折が生じる傾向がある。

導電性光学素子１の各構造体３は、基体２の表面において複数列のトラックＴ１，Ｔ２，Ｔ３，・・・（以下総称して「トラックＴ」ともいう。）をなすような配置形態を有する。本発明において、トラックとは、構造体３が列をなして直線状に連なった部分のことをいう。また、列方向とは、基体２の成形面において、トラックの延在方向（Ｘ方向）に直交する方向）のことをいう。

構造体３は、隣接する２つのトラックＴ間において、半ピッチずれた位置に配置されている。具体的には、隣接する２つのトラックＴ間において、一方のトラック（例えばＴ１）に配列された構造体３の中間位置（半ピッチずれた位置）に、他方のトラック（例えばＴ２）の構造体３が配置されている。その結果、図１Ｂに示すように、隣接する３列のトラック（Ｔ１〜Ｔ３）間においてａ１〜ａ７の各点に構造体３の中心が位置する六方格子パターンまたは準六方格子パターンを形成するように構造体３が配置されている。この第１の実施形態において、六方格子パターンとは、正六角形状の格子パターンのことをいう。また、準六方格子パターンとは、正六角形状の格子パターンとは異なり、トラックの延在方向（Ｘ軸方向）に引き伸ばされ歪んだ六方格子パターンのことをいう。

構造体３が準六方格子パターンを形成するように配置されている場合には、図１Ｂに示すように、同一トラック（例えばＴ１）内における構造体３の配置ピッチＰ１（ａ１〜ａ２間距離）は、隣接する２つのトラック（例えばＴ１およびＴ２）間における構造体３の配置ピッチ、すなわちトラックの延在方向に対して±θ方向における構造体３の配置ピッチＰ２（例えばａ１〜ａ７、ａ２〜ａ７間距離）よりも長くなっていることが好ましい。このように構造体３を配置することで、構造体３の充填密度の更なる向上を図れるようになる。

構造体３が、成形の容易さの観点から、錐体形状、または錐体形状をトラック方向に延伸または収縮させた錐体形状を有することが好ましい。構造体３が、軸対称な錐体形状、または錐体形状をトラック方向に延伸または収縮させた錐体形状を有することが好ましい。隣接する構造体３に接合されている場合には、構造体３が、隣接する構造体３に接合されている下部を除いて軸対称な錐体形状、または錐体形状をトラック方向に延伸または収縮させた錐体形状を有することが好ましい。錐体形状としては、例えば、円錐形状、円錐台形状、楕円錐形状、楕円錐台形状などを挙げることができる。ここで、錐体形状とは、上述のように、円錐形状および円錐台形状以外にも、楕円錐形状、楕円錐台形状を含む概念である。また、円錐台形状とは、円錐形状の頂部を切り落とした形状をいい、楕円錐台形状とは、楕円錐の頂部を切り落とした形状のことをいう。

構造体３は、トラックの延在方向の幅がこの延在方向とは直交する列方向の幅よりも大きい底面を有する錐体形状であることが好ましい。具体的には、構造体３は、図２および図４に示すように、底面が長軸と短軸をもつ楕円形、長円形または卵型の錐体構造で、頂部が曲面である楕円錐形状であることが好ましい。もしくは、図５に示すように、底面が長軸と短軸をもつ楕円形、長円形または卵型の錐体構造で、頂部が平坦である楕円錐台形状であることが好ましい。このような形状にすると、列方向の充填率を向上させることができるからである。

反射特性の向上の観点からすると、頂部の傾きが緩やかで中央部から底部に徐々に急峻な傾きの錐体形状（図４参照）が好ましい。また、反射特性および透過特性の向上の観点からすると、中央部の傾きが底部および頂部より急峻な錐形形状（図２参照）、または、頂部が平坦な錐体形状（図５参照）であることが好ましい。構造体３が楕円錐形状または楕円錐台形状を有する場合、その底面の長軸方向が、トラックの延在方向と平行となることが好ましい。図２などでは、各構造体３は、それぞれ同一の形状を有しているが、構造体３の形状はこれに限定されるものではなく、基体表面に２種以上の形状の構造体３が形成されていてもよい。また、構造体３は、基体２と一体的に形成されていてもよい。

また、図２、図４〜図６に示すように、構造体３の周囲の一部または全部に突出部６を設けることが好ましい。このようにすると、構造体３の充填率が低い場合でも、反射率を低く抑えることができるからである。具体的には例えば、突出部６は、図２、図４、および図５に示すように、隣り合う構造体３の間に設けられる。また、細長い突出部６が、図６に示すように、構造体３の周囲の全体またはその一部に設けられるようにしてもよい。この細長い突出部６は、例えば、構造体３の頂部から下部の方向に向かって延びている。突出部６の形状としては、断面三角形状および断面四角形状などを挙げることができるが、特にこれらの形状に限定されるものではなく、成形の容易さなどを考慮して選択することができる。また、構造体３の周囲の一部または全部の表面を荒らし、微細の凹凸を形成するようにしてもよい。具体的には例えば、隣り合う構造体３の間の表面を荒らし、微細な凹凸を形成するようにしてもよい。また、構造体３の表面、例えば頂部に微小な穴を形成するようにしてもよい。

構造体３は図示する凸部形状のものに限らず、基体２の表面に形成した凹部で構成されていてもよい。構造体３の高さは特に限定されず、例えば４２０ｎｍ程度、具体的には４１５ｎｍ〜４２１ｎｍである。なお、構造体３を凹部形状とした場合には、構造体３の深さとなる。

トラックの延在方向における構造体３の高さＨ１は、列方向における構造体３の高さＨ２よりも小さいことが好ましい。すなわち、構造体３の高さＨ１、Ｈ２がＨ１＜Ｈ２の関係を満たすことが好ましい。Ｈ１≧Ｈ２の関係を満たすように構造体３を配列すると、トラックの延在方向の配置ピッチＰ１を長くする必要が生じるため、トラックの延在方向における構造体３の充填率が低下するためである。このように充填率が低下すると、反射特性の低下を招くことになる。

なお、構造体３のアスペクト比は全て同一である場合に限らず、各構造体３が一定の高さ分布（例えばアスペクト比０．５〜１．４６程度の範囲）をもつように構成されていてもよい。高さ分布を有する構造体３を設けることで、反射特性の波長依存性を低減することができる。したがって、優れた反射防止特性を有する導電性光学素子１を実現することができる。

ここで、高さ分布とは、２種以上の高さ（深さ）を有する構造体３が基体２の表面に設けられていることを意味する。すなわち、基準となる高さを有する構造体３と、この構造体３とは異なる高さを有する構造体３とが基体２の表面に設けられていることを意味する。基準とは異なる高さを有する構造体３は、例えば基体２の表面に周期的または非周期的（ランダム）に設けられている。その周期性の方向としては、例えばトラックの延在方向、列方向などが挙げられる。

構造体３の周縁部に裾部３ａを設けることが好ましい。導電性光学素子の製造工程において構造体３を金型などから容易に剥離することが可能になるからである。ここで、裾部３ａとは、構造体３の底部の周縁部に設けられた突出部を意味する。この裾部３ａは、上記剥離特性の観点からすると、構造体３の頂部から下部の方向に向かって、なだらかに高さが低下する曲面を有することが好ましい。なお、裾部３ａは、構造体３の周縁部の一部にのみ設けてもよいが、上記剥離特性の向上の観点からすると、構造体３の周縁部の全部に設けることが好ましい。また、構造体３が凹部である場合には、裾部は、構造体３である凹部の開口周縁に設けられた曲面となる。

構造体３の高さ（深さ）は特に限定されず、透過させる光の波長領域に応じて適宜設定され、例えば１００ｎｍ〜２８０ｎｍ、好ましくは１１０ｎｍ〜２８０ｎｍの範囲に設定される。ここで、構造体３の高さ（深さ）は、トラックの列方向における構造体３の高さ（深さ）である。構造体３の高さが１００ｎｍ未満であると、反射率が増加する傾向があり、構造体３の高さが２８０ｎｍを超えると、所定の抵抗を確保するのが困難になる傾向がある。構造体３のアスペクト比（高さ／配置ピッチ）は、０．５〜１．４６の範囲に設定することが好ましく、より好ましくは０．６〜０．８の範囲である。０．８１未満であると反射特性および透過特性が低下する傾向にあり、１．４６を超えると導電性光学素子の作製時において構造体３の剥離特性が低下し、レプリカの複製が綺麗に取れなくなる傾向があるからである。
また、構造体３のアスペクト比は、反射特性をより向上させる観点からすると、０．５４〜１．４６の範囲に設定することが好ましい。また、構造体３のアスペクト比は、透過特性をより向上させる観点からすると、０．６〜１．０の範囲に設定することが好ましい。

なお、本発明においてアスペクト比は、以下の式（１）により定義される。
アスペクト比＝Ｈ／Ｐ・・・（１）
但し、Ｈ：構造体の高さ、Ｐ：平均配置ピッチ（平均周期）
ここで、平均配置ピッチＰは以下の式（２）により定義される。
平均配置ピッチＰ＝（Ｐ１＋Ｐ２＋Ｐ２）／３ ・・・（２）
但し、Ｐ１：トラックの延在方向の配置ピッチ（トラック延在方向周期）、Ｐ２：トラックの延在方向に対して±θ方向（但し、θ＝６０°−δ、ここで、δは、好ましくは０°＜δ≦１１°、より好ましくは３°≦δ≦６°）の配置ピッチ（θ方向周期）

また、構造体３の高さＨは、構造体３の列方向の高さとする。構造体３のトラック延在方向（Ｘ方向）の高さは、列方向（Ｙ方向）の高さよりも小さく、また、構造体３のトラック延在方向以外の部分における高さは列方向の高さとほぼ同一であるため、サブ波長構造体の高さを列方向の高さで代表する。但し、構造体３が凹部である場合、上記式（１）における構造体の高さＨは、構造体の深さＨとする。

同一トラック内における構造体３の配置ピッチをＰ１、隣接する２つのトラック間における構造体３の配置ピッチをＰ２としたとき、比率Ｐ１/Ｐ２が、１．００≦Ｐ１／Ｐ２≦１．１、または１．００＜Ｐ１／Ｐ２≦１．１の関係を満たすことが好ましい。このような数値範囲にすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体３の充填率を向上することができるので、反射防止特性を向上することができる。

基体表面における構造体３の充填率は、１００％を上限として、６５％以上、好ましくは７３％以上、より好ましくは８６％以上の範囲内である。充填率をこのような範囲にすることで、反射防止特性を向上することができる。充填率を向上させるためには、隣接する構造体３の下部同士を接合する、または、構造体底面の楕円率を調整などして構造体３に歪みを付与することが好ましい。

ここで、構造体３の充填率（平均充填率）は以下のようにして求めた値である。
まず、導電性光学素子１の表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）を用いてＴｏｐ Ｖｉｅｗで撮影する。次に、撮影したＳＥＭ写真から無作為に単位格子Ｕｃを選び出し、その単位格子Ｕｃの配置ピッチＰ１、およびトラックピッチＴｐを測定する（図１Ｂ参照）。また、その単位格子Ｕｃの中央に位置する構造体３の底面の面積Ｓを画像処理により測定する。次に、測定した配置ピッチＰ１、トラックピッチＴｐ、および底面の面積Ｓを用いて、以下の式（３）より充填率を求める。
充填率＝（Ｓ（hex.）／Ｓ（unit））×１００ ・・・（３）
単位格子面積：Ｓ（unit）＝Ｐ１×２Ｔｐ
単位格子内に存在する構造体の底面の面積：Ｓ（hex.）＝２Ｓ

上述した充填率算出の処理を、撮影したＳＥＭ写真から無作為に選び出された１０箇所の単位格子について行う。そして、測定値を単純に平均（算術平均）して充填率の平均率を求め、これを基体表面における構造体３の充填率とする。

構造体３が重なっているときや、構造体３の間に突出部６などの副構造体があるときの充填率は、構造体３の高さに対して５％の高さに対応する部分を閾値として面積比を判定する方法で充填率を求めることができる。

図７は、構造体３の境界が不明瞭な場合の充填率の算出方法について説明するための図である。構造体３の境界が不明瞭な場合には、断面ＳＥＭ観察により、図７に示すように、構造体３の高さｈの５％（＝（ｄ／ｈ）×１００）に相当する部分を閾値とし、その高さｄで構造体３の径を換算し充填率を求めるようにする。構造体３の底面が楕円である場合には、長軸および短軸で同様の処理を行う。

図８は、構造体３の底面の楕円率を変化させたときの底面形状を示す図である。図８Ａ〜図８Ｄに示す楕円の楕円率はそれぞれ、１００％、１１０％、１２０％、１４１％である。このように楕円率を変化させることで、基体表面における構造体３の充填率を変化させることができる。構造体３が準六方格子パターンを形成する場合には、構造体底面の楕円率ｅは、１００％＜ｅ＜１５０％以下であることが好ましい。この範囲にすることで、構造体３の充填率を向上し、優れた反射防止特性を得ることができるからである。

ここで、楕円率ｅは、構造体底面のトラック方向（Ｘ方向）の径をａ、それとは直交する列方向（Ｙ方向）の径をｂとしたときに、（ａ／ｂ）×１００で定義される。なお、構造体３の径ａ、ｂは以下のようにして求めた値である。導電性光学素子１の表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）を用いてＴｏｐ Ｖｉｅｗで撮影し、撮影したＳＥＭ写真から無作為に構造体３を１０個抽出する。次に、抽出した構造体３それぞれの底面の径ａ、ｂを測定する。そして、測定値ａ、ｂそれぞれを単純に平均（算術平均）して径ａ、ｂの平均値を求め、これを構造体３の径ａ、ｂとする。

図９Ａは、円錐形状または円錐台形状を有する構造体３の配置の一例を示す。図９Ｂは、楕円錐形状または楕円錐台形状を有する構造体３の配置の一例を示す。図９Ａおよび図９Ｂに示すように、構造体３が、その下部同士を重ね合うようにして接合されていていることが好ましい。具体的には、構造体３の下部が、隣接関係にある構造体３の一部または全部の下部と接合されていることが好ましい。より具体的には、トラック方向において、θ方向において、またはそれら両方向において、構造体３の下部同士を接合することが好ましい。より具体的には、トラック方向において、θ方向において、またはそれら両方向において、構造体３の下部同士を接合することが好ましい。図９Ａ、図９Ｂでは、隣接関係にある構造体３の全部の下部を接合する例が示されている。このように構造体３を接合することで、構造体３の充填率を向上することができる。構造体同士は、屈折率を考慮した光路長で使用環境下の光の波長帯域の最大値の１／４以下の部分で接合されていることが好ましい。これにより、優れた反射防止特性を得ることができる。

図９Ｂに示すように、楕円錐形状または楕円錐台形状を有する構造体３の下部同士を接合した場合には、例えば、接合部ａ、ｂ、ｃの順序で接合部の高さが浅くなる。具体的には、同一トラック内において隣接する構造体３の下部同士が重ね合わされて第１の接合部ａが形成されるとともに、隣接するトラック間において隣接する構造体３の下部同士が重ね合わされて第２の接合部２が形成される。第１の接合部ａと第２の接合部ｂとの交点に交点部ｃが形成される。交点部ｃの位置は、例えば、第１の接合部ａ、および第２の接合部ｂの位置よりも低くなっている。楕円錐形状または楕円錐台形状を有する構造体３の下部同士を接合した場合には、例えば、接合部ａ、接合部ｂ、交点部ｃの順序でそれらの高さが低くなる。

配置ピッチＰ１に対する径２ｒの比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が、８５％以上、好ましくは９０％以上、より好ましくは９５％以上である。このような範囲にすることで、構造体３の充填率を向上し、反射防止特性を向上できるからである。比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が大きくなり、構造体３の重なりが大きくなりすぎると反射防止特性が低減する傾向にある。したがって、屈折率を考慮した光路長で使用環境下の光の波長帯域の最大値の１／４以下の部分で構造体同士が接合されるように、比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）の上限値を設定することが好ましい。ここで、配置ピッチＰ１は、構造体３のトラック方向の配置ピッチ、径２ｒは、構造体底面のトラック方向の径である。なお、構造体底面が円形である場合、径２ｒは直径となり、構造体底面が楕円形である場合、径２ｒは長径となる。

（透明導電膜）
透明導電膜４は、透明酸化物半導体を主成分としていることが好ましい。透明酸化物半導体としては、例えば、ＳｎＯ₂、ＩｎＯ₂、ＺｎＯおよびＣｄＯなどの二元化合物、二元化合物の構成元素であるＳｎ、Ｉｎ、ＺｎおよびＣｄのうちの少なくとも一つの元素を含む三元化合物、または多元系（複合）酸化物を用いることができる。透明導電膜４を構成する材料としては、例えばＩＴＯ（Ｉｎ₂Ｏ₃、ＳｎＯ₂：インジウム錫酸化物）、ＡＺＯ（Ａｌ₂Ｏ₃、ＺｎＯ：アルミドープ酸化亜鉛）、ＳＺＯ、ＦＴＯ（フッ素ドープ酸化錫）、ＳｎＯ₂（酸化錫）、ＧＺＯ（ガリウムドープ酸化亜鉛）、ＩＺＯ（Ｉｎ₂Ｏ₃、ＺｎＯ：酸化インジウム亜鉛）などが挙げられるが、信頼性の高さ、および抵抗率の低さなどの観点から、ＩＴＯが好ましい。透明導電膜４を構成する材料は、導電性の向上の観点からすると、アモルファスと多結晶との混合状態であることが好ましい。透明導電膜４は、構造体３の表面形状に倣って形成され、構造体３と透明導電膜４との表面形状がほぼ相似形状であることが好ましい。透明導電膜４の形成による屈折率プロファイルの変化を抑制し、優れた反射防止特性および／または透過特性を維持できるからである。

（金属膜）
金属膜（導電膜）５を透明導電膜４の下地層として設けることが好ましい。抵抗率を低減でき、透明導電膜４を薄くすることができる、または透明導電膜４だけでは導電率が十分な値に達しない場合に、導電率を補うことができるからである。金属膜５の膜厚は、特に限定されるものではないが、例えば数ｎｍ程度に選ばれる。金属膜５は導電率が高いため、数ｎｍの膜厚で十分な表面抵抗を得ることができる。また、数ｎｍ程度であれば、金属膜５による吸収や反射などの光学的な影響がほとんどない。金属膜５を構成する材料としては、導電性が高い金属系の材料を用いることが好ましい。このような材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｎｂ、不純物添加Ｓｉなどが挙げられるが、導電性の高さ、および使用実績などを考慮すると、Ａｇが好ましい。金属膜５だけでも表面抵抗を確保することが可能だが極端に薄い場合、金属膜５が島状の構造となってしまい、導通性を確保することが困難となる。その場合、島状の金属膜５を電気的につなぐためにも、金属膜５の上層の透明導電膜４の形成が重要となってくる。

［ロールマスタの構成］
図１０は、上述の構成を有する導電性光学素子を作製するためのロールマスタの構成の一例を示す。図１０に示すように、ロールマスタ１１は、例えば、原盤１２の表面に凹部である構造体１３が可視光などの光の波長と同程度のピッチで多数配置された構成を有している。原盤１２は、円柱状または円筒状の形状を有する。原盤１２の材料は、例えばガラスを用いることができるが、この材料に特に限定されるものではない。後述するロール原盤露光装置を用い、２次元パターンが空間的にリンクし、１トラック毎に極性反転フォマッター信号と記録装置の回転コントロラーを同期させ信号を発生し、ＣＡＶで適切な送りピッチでパターニングする。これにより、六方格子パターンまたは準六方格子パターンを記録することができる。極性反転フォマッター信号の周波数とロールの回転数を適切に設定することにより、所望の記録領域に空間周波数が一様な格子パターンを形成する。

［導電性光学素子の製造方法］
次に、図１１〜図１４を参照しながら、以上のように構成される導電性光学素子１の製造方法について説明する。

第１の実施形態に係る導電性光学素子の製造方法は、原盤にレジスト層を形成するレジスト成膜工程、ロール原盤露光装置を用いてレジスト膜にモスアイパターンの潜像を形成する露光工程、潜像が形成されたレジスト層を現像する現像工程を備える。さらに、プラズマエッチングを用いてロールマスタを製作するエッチング工程、紫外線硬化樹脂により複製基板を製作する複製工程と、複製基板上に透明導電膜を成膜する成膜工程とを備える。

（露光装置の構成）
まず、図１１を参照して、モスアイパターンの露光工程に用いるロール原盤露光装置の構成について説明する。このロール原盤露光装置は、光学ディスク記録装置をベースとして構成されている。

レーザー光源２１は、記録媒体としての原盤１２の表面に着膜されたレジストを露光するための光源であり、例えば波長λ＝２６６ｎｍの記録用のレーザー光１５を発振するものである。レーザー光源２１から出射されたレーザー光１５は、平行ビームのまま直進し、電気光学素子（ＥＯＭ：Electro Optical Modulator）２２へ入射する。電気光学素子２２を透過したレーザー光１５は、ミラー２３で反射され、変調光学系２５に導かれる。

ミラー２３は、偏光ビームスプリッタで構成されており、一方の偏光成分を反射し他方の偏光成分を透過する機能をもつ。ミラー２３を透過した偏光成分はフォトダイオード２４で受光され、その受光信号に基づいて電気光学素子２２を制御してレーザー光１５の位相変調を行う。

変調光学系２５において、レーザー光１５は、集光レンズ２６により、ガラス（ＳｉＯ₂）などからなる音響光学素子（ＡＯＭ：Acoust-Optic Modulator）２７に集光される。レーザー光１５は、音響光学素子２７により強度変調され発散した後、レンズ２８によって平行ビーム化される。変調光学系２５から出射されたレーザー光１５は、ミラー３１によって反射され、移動光学テーブル３２上に水平かつ平行に導かれる。

移動光学テーブル３２は、ビームエキスパンダ３３、および対物レンズ３４を備えている。移動光学テーブル３２に導かれたレーザー光１５は、ビームエキスパンダ３３により所望のビーム形状に整形された後、対物レンズ３４を介して、原盤１２上のレジスト層へ照射される。原盤１２は、スピンドルモータ３５に接続されたターンテーブル３６の上に載置されている。そして、原盤１２を回転させるとともに、レーザー光１５を原盤１２の高さ方向に移動させながら、レジスト層へレーザー光１５を間欠的に照射することにより、レジスト層の露光工程が行われる。形成された潜像は、円周方向に長軸を有する略楕円形になる。レーザー光１５の移動は、移動光学テーブル３２の矢印Ｒ方向への移動によって行われる。

露光装置は、図１Ｂに示した六方格子または準六方格子の２次元パターンに対応する潜像をレジスト層に形成するための制御機構３７を備えている。制御機構３７は、フォマッター２９とドライバ３０とを備える。フォマッター２９は、極性反転部を備え、この極性反転部が、レジスト層に対するレーザー光１５の照射タイミングを制御する。ドライバ３０は、極性反転部の出力を受けて、音響光学素子２７を制御する。

このロール原盤露光装置では、２次元パターンが空間的にリンクするように１トラック毎に極性反転フォマッター信号と記録装置の回転コントロラーを同期させ信号を発生し、音響光学素子２７により強度変調している。角速度一定（ＣＡＶ）で適切な回転数と適切な変調周波数と適切な送りピッチでパターニングすることにより、六方格子または準六方格子パターンを記録することができる。例えば、図１０Ｂに示すように、円周方向の周期を３１５ｎｍ、円周方向に対して約６０度方向（約−６０度方向）の周期を３００ｎｍにするには、送りピッチを２５１ｎｍにすればよい（ピタゴラスの法則）。極性反転フォマッター信号の周波数はロールの回転数（例えば１８００ｒｐｍ、９００ｒｐｍ、４５０ｒｐｍ、２２５ｒｐｍ）により変化させる。例えば、ロールの回転数１８００ｒｐｍ、９００ｒｐｍ、４５０ｒｐｍ、２２５ｒｐｍそれぞれに対向する極性反転フォマッター信号の周波数は、３７．７０ＭＨｚ、１８．８５ＭＨｚ、９．３４ＭＨｚ、４、７１ＭＨｚとなる。所望の記録領域に空間周波数（円周３１５ｎｍ周期、円周方向約６０度方向（約−６０度方向）３００ｎｍ周期）が一様な準六方格子パターンは、遠紫外線レーザー光を移動光学テーブル３２上のビームエキスパンダ（ＢＥＸ）３３により５倍のビーム径に拡大し、開口数（ＮＡ）０．９の対物レンズ３４を介して原盤１２上のレジスト層に照射し、微細な潜像を形成することにより得られる。

（レジスト成膜工程）
まず、図１２Ａに示すように、円柱状の原盤１２を準備する。この原盤１２は、例えばガラス原盤である。次に、図１２Ｂに示すように、原盤１２の表面にレジスト層１４を形成する。レジスト層１４の材料としては、例えば有機系レジスト、および無機系レジストのいずれを用いてもよい。有機系レジストとしては、例えばノボラック系レジストや化学増幅型レジストを用いることができる。また、無機系レジストとしては、例えば、１種または２種以上の遷移金属からなる金属化合物を用いることができる。

（露光工程）
次に、図１２Ｃに示すように、上述したロール原盤露光装置を用いて、原盤１２を回転させると共に、レーザー光（露光ビーム）１５をレジスト層１４に照射する。このとき、レーザー光１５を原盤１２の高さ方向（円柱状または円筒状の原盤１２の中心軸に平行な方向）に移動させながら、レーザー光１５を間欠的に照射することで、レジスト層１４を全面にわたって露光する。これにより、レーザー光１５の軌跡に応じた潜像１６が、可視光波長と同程度のピッチでレジスト層１４の全面にわたって形成される。

潜像１６は、例えば、原盤表面において複数列のトラックをなすように配置されるとともに、六方格子パターンまたは準六方格子パターンを形成する。潜像１６は、例えば、トラックの延在方向に長軸方向を有する楕円形状である。

（現像工程）
次に、原盤１２を回転させながら、レジスト層１４上に現像液を滴下して、図１３Ａに示すように、レジスト層１４を現像処理する。図示するように、レジスト層１４をポジ型のレジストにより形成した場合には、レーザー光１５で露光した露光部は、非露光部と比較して現像液に対する溶解速度が増すので、潜像（露光部）１６に応じたパターンがレジスト層１４に形成される。

（エッチング工程）
次に、原盤１２の上に形成されたレジスト層１４のパターン（レジストパターン）をマスクとして、原盤１２の表面をロールエッチング処理する。これにより、図１３Ｂに示すように、トラックの延在方向に長軸方向をもつ楕円錐形状または楕円錐台形状の凹部、すなわち構造体１３を得ることができる。エッチング方法は、例えばドライエッチングによって行われる。このとき、エッチング処理とアッシング処理を交互に行うことにより、例えば、錐体状の構造体１３のパターンを形成することができる。また、レジスト層１４の３倍以上の深さ（選択比３以上）のガラスマスターを作製でき、構造体３の高アスペクト比化を図ることができる。ドライエッチングとしては、ロールエッチング装置を用いたプラズマエッチングが好ましい。

以上により、例えば、深さ１２０ｎｍ程度から３５０ｎｍ程度の凹形状の六方格子パターンまたは準六方格子パターンを有するロールマスタ１１が得られる。

（複製工程）
次に、例えば、ロールマスタ１１と転写材料を塗布したシートなどの基体２を密着させ、紫外線を照射し硬化させながら剥離する。これにより、図１３Ｃに示すように、凸部である複数の構造体が基体２の一主面に形成され、モスアイ紫外線硬化複製シートなどの導電性光学素子１が作製される。

転写材料は、例えば、紫外線硬化材料と、開始剤とからなり、必要に応じてフィラーや機能性添加剤などを含んでいる。

紫外線硬化材料は、例えば、単官能モノマー、二官能モノマー、多官能モノマーなどからなり、具体的には、以下に示す材料を単独または、複数混合したものである。
単官能モノマーとしては、例えば、カルボン酸類（アクリル酸）、ヒドロキシ類（２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート）、アルキル、脂環類（イソブチルアクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、ステアリルアクリレート、イソボニルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート）、その他機能性モノマー（２−メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレンクリコールアクリレート、２−エトキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ベンジルアクリレート、エチルカルビトールアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ-ジメチルアミノエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ-ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、アクリロイルモルホリン、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド、Ｎ−ビニルピロリドン、２−（パーフルオロオクチル）エチル アクリレート、３−パーフルオロヘキシル−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、３−パーフルオロオクチルー２−ヒドロキシプロピル アクリレート、２−（パーフルオロデシル）エチル アクリレート、２−（パーフルオロー３−メチルブチル）エチル アクリレート）、２，４，６−トリブロモフェノールアクリレート、２，４，６−トリブロモフェノールメタクリレート、２−（２，４，６−トリブロモフェノキシ）エチルアクリレート）、２−エチルヘキシルアクリレートなどを挙げることができる。

二官能モノマーとしては、例えば、トリ（プロピレングリコール）ジアクリレート、トリメチロールプロパン ジアリルエーテル、ウレタンアクリレートなどを挙げることができる。

多官能モノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ及びヘキサアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレートなどを挙げることができる。

開始剤としては、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オンなどを挙げることができる。

フィラーとしては、例えば、無機微粒子および有機微粒子のいずれも用いることができる。無機微粒子としては、例えば、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂、ＳｎＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃などの金属酸化物微粒子を挙げることができる。

機能性添加剤としては、例えば、レベリング剤、表面調整剤、消泡剤などを挙げることができる。基体２の材料としては、例えば、メチルメタクリレート（共）重合体、ポリカーボネート、スチレン（共）重合体、メチルメタクリレート−スチレン共重合体、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアセタール、ポリエーテルケトン、ポリウレタン、ガラスなどが挙げられる。

基体２の成形方法は特に限定されず、射出成形体でも押し出し成形体でも、キャスト成形体でもよい。必要応じて、コロナ処理などの表面処理を基体表面に施すようにしてもよい。

（金属膜成膜工程）
次に、図１４Ａに示すように、必要に応じて、構造体３が形成された基体２の凹凸面上に、金属膜を成膜する。金属膜の成膜方法としては、例えば、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤなどのＣＶＤ法（Chemical Vapor Deposition（化学蒸着法）：化学反応を利用して気相から薄膜を析出させる技術）のほか、真空蒸着、プラズマ援用蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどのＰＶＤ法（Physical Vapor Deposition（物理蒸着法）：真空中で物理的に気化させた材料を基板上に凝集させ、薄膜を形成する技術）を用いることができる。

（導電膜の成膜工程）
次に、図１４Ｂに示すように、構造体３が形成された基体２の凹凸面上に、透明導電膜を成膜する。透明導電膜の成膜方法としては、例えば、上述の金属膜の成膜方法と同様の方法を用いることができる。

第１の実施形態によれば、非常に高透過率で反射光が低く写りこみの少ない導電性光学素子１を提供できる。複数の構造体３を表面に形成することにより反射防止機能を実現しているため、波長依存性が少ない。角度依存性が光学膜タイプの透明導電膜より少ない。多層の光学膜を使用せず、ナノインプリント技術の利用と高スループットな膜構成の採用とによって、優れた量産性、および低コストを実現できる。

＜２．第２の実施形態＞
［導電性光学素子の構成］
図１５Ａは、本発明の第２の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図１５Ｂは、図１５Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図１５Ｃは、図１５ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図１５Ｄは、図１５ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。図１５Ｅは、図１５ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。図１５Ｆは、図１５ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。

第２の実施形態に係る導電性光学素子１は、各構造体３が、隣接する３列のトラック間において四方格子パターンまたは準四方格子パターンをなしている点において、第１の実施形態のものとは異なっている。本発明において、準四方格子パターンとは、正四方格子パターンと異なり、トラックの延在方向（Ｘ方向）に引き伸ばされ歪んだ四方格子パターンを意味する。

構造体３の高さまたは深さは特に限定されず、例えば、１００ｎｍ〜２８０ｎｍ、好ましくは１１０ｎｍ〜２８０ｎｍである。ここで、構造体３の高さ（深さ）は、トラックの延在方向における構造体３の高さ（深さ）である。構造体３の高さが１００ｎｍ未満であると、反射率が増加する傾向があり、構造体３の高さが２８０ｎｍを超えると、所定の抵抗を確保するのが困難となる傾向がある。トラックに対して（約）４５度方向ピッチＰ２は、例えば、２００ｎｍ〜３００ｎｍ程度である。構造体３のアスペクト比（高さ／配置ピッチ）は、例えば、０．５４〜１．１３程度である。更に、各構造体３のアスペクト比は全て同一である場合に限らず、各構造体３が一定の高さ分布をもつように構成されていてもよい。

同一トラック内における構造体３の配置ピッチＰ１は、隣接する２つのトラック間における構造体３の配置ピッチＰ２よりも長いことが好ましい。また、同一トラック内における構造体３の配置ピッチをＰ１、隣接する２つのトラック間における構造体３の配置ピッチをＰ２としたとき、Ｐ１/Ｐ２が１．４＜Ｐ１／Ｐ２≦１．５の関係を満たすことが好ましい。このような数値範囲にすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体３の充填率を向上することができるので、反射防止特性を向上することができる。また、トラックに対して４５度方向または約４５度方向における構造体３の高さまたは深さは、トラックの延在方向における構造体３の高さまたは深さよりも小さいことが好ましい。

トラックの延在方向に対して斜となる構造体３の配列方向（θ方向）の高さＨ２は、トラックの延在方向における構造体３の高さＨ１よりも小さいことが好ましい。すなわち、構造体３の高さＨ１、Ｈ２がＨ１＞Ｈ２の関係を満たすことが好ましい。

図１６は、構造体３の底面の楕円率を変化させたときの底面形状を示す図である。楕円３₁、３₂、３₃の楕円率はそれぞれ、１００％、１６３．３％、１４１％である。このように楕円率を変化させることで、基体表面における構造体３の充填率を変化させることができる。構造体３が四方格子または準四方格子パターンを形成する場合には、構造体底面の楕円率ｅは、１５０％≦ｅ≦１８０％であることが好ましい。この範囲にすることで、構造体３の充填率を向上し、優れた反射防止特性を得ることができるからである。

基体表面における構造体３の充填率は、１００％を上限として、６５％以上、好ましくは７３％以上、より好ましくは８６％以上の範囲内である。充填率をこのような範囲にすることで、反射防止特性を向上することができる。

ここで、構造体３の充填率（平均充填率）は以下のようにして求めた値である。
まず、導電性光学素子１の表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）を用いてＴｏｐ Ｖｉｅｗで撮影する。次に、撮影したＳＥＭ写真から無作為に単位格子Ｕｃを選び出し、その単位格子Ｕｃの配置ピッチＰ１、およびトラックピッチＴｐを測定する（図１５Ｂ参照）。また、その単位格子Ｕｃに含まれる４つの構造体３のいずれかの底面の面積Ｓを画像処理により測定する。次に、測定した配置ピッチＰ１、トラックピッチＴｐ、および底面の面積Ｓを用いて、以下の式（４）より充填率を求める。
充填率＝（Ｓ（tetra）／Ｓ（unit））×１００ ・・・（２）
単位格子面積：Ｓ（unit）＝２×（（Ｐ１×Ｔｐ）×（１／２））＝Ｐ１×Ｔｐ
単位格子内に存在する構造体の底面の面積：Ｓ（tetra）＝Ｓ

上述した充填率算出の処理を、撮影したＳＥＭ写真から無作為に選び出された１０箇所の単位格子について行う。そして、測定値を単純に平均（算術平均）して充填率の平均率を求め、これを基体表面における構造体３の充填率とする。

配置ピッチＰ１に対する径２ｒの比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が、６４％以上、好ましくは６９％以上、より好ましくは７３％以上である。このような範囲にすることで、構造体３の充填率を向上し、反射防止特性を向上できるからである。ここで、配置ピッチＰ１は、構造体３のトラック方向の配置ピッチ、径２ｒは、構造体底面のトラック方向の径である。なお、構造体底面が円形である場合、径２ｒは直径となり、構造体底面が楕円形である場合、径２ｒは長径となる。

［ロールマスタの構成］
図１７は、上述の構成を有する導電性光学素子を作製するためのロールマスタの構成の一例を示す。このロールマスタは、その表面において凹状の構造体１３が四方格子パターンまたは準四方格子パターンをなしている点において、第１の実施形態のものとは異なっている。

ロール原盤露光装置を用い、２次元パターンが空間的にリンクし、１トラック毎に極性反転フォマッター信号と記録装置の回転コントロラーを同期させ信号を発生し、ＣＡＶで適切な送りピッチでパターニングする。これにより、四方格子パターン、または準六方格子パターンを記録することができる。極性反転フォマッター信号の周波数とロールの回転数を適切に設定することにより、所望の記録領域に空間周波数が一様な格子パターンをレーザー光の照射により原盤１２上のレジストに形成することが好ましい。

＜３．第３の実施形態＞
［導電性光学素子の構成］
図１８Ａは、本発明の第３の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図１８Ｂは、図１８Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図１８Ｃは、図１８ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図１８Ｄは、図１８ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。

第３の実施形態に係る導電性光学素子１は、トラックＴが円弧状の形状を有し、構造体３が円弧状に配置されている点において、第１の実施形態のものとは異なっている。図１８Ｂに示すように、隣接する３列のトラック（Ｔ１〜Ｔ３）間においてａ１〜ａ７の各点に構造体３の中心が位置する準六方格子パターンを形成するように構造体３が配置されている。ここで、準六方格子パターンとは、正六方格子パターンとは異なり、トラックＴの円弧状に沿って歪んだ六方格子パターンを意味する。あるいは、正六方格子パターンとは異なり、トラックＴの円弧状に沿って歪み、かつ、トラックの延在方向（Ｘ軸方向）に引き伸ばされ歪んだ六方格子パターンを意味する。
上述した以外の導電性光学素子１の構成は、第１の実施形態と同様であるので説明を省略する。

［ディスクマスタの構成］
図１９Ａ、図１９Ｂは、上述の構成を有する導電性光学素子を作製するためのディスクマスタの構成の一例を示す。図１９Ａ、図１９Ｂに示すように、ディスクマスタ４１は、円盤状の原盤４２の表面に凹部である構造体４３が多数配列された構成を有している。この構造体１３は、導電性光学素子１の使用環境下の光の波長帯域以下、例えば可視光の波長と同程度のピッチで周期的に２次元配列されている。構造体４３は、例えば、同心円状またはスパイラル状のトラック上に配置されている。
上述した以外のディスクマスタ４１の構成は、第１の実施形態のロールマスタ１１と同様であるので説明を省略する。

［導電性光学素子の製造方法］
まず、図２０を参照して、上述した構成を有するディスクマスタ４１を作製するための露光装置について説明する。

移動光学テーブル３２は、ビームエキスパンダ３３、ミラー３８および対物レンズ３４を備えている。移動光学テーブル３２に導かれたレーザー光１５は、ビームエキスパンダ３３により所望のビーム形状に整形された後、ミラー３８および対物レンズ３４を介して、円盤状の原盤４２上のレジスト層へ照射される。原盤４２は、スピンドルモータ３５に接続されたターンテーブル（図示を省略する。）の上に載置されている。そして、原盤４２を回転させるとともに、レーザー光１５を原盤４２の回転半径方向に移動させながら、原盤４２上のレジスト層へレーザー光を間欠的に照射することにより、レジスト層の露光工程が行われる。形成された潜像は、円周方向に長軸を有する略楕円形になる。レーザー光１５の移動は、移動光学テーブル３２の矢印Ｒ方向への移動によって行われる。

図２０に示した露光装置においては、レジスト層に対して図１８Ｂに示した六方格子または準六方格子の２次元パターンからなる潜像を形成するための制御機構３７を備えている。制御機構３７は、フォマッター２９とドライバ３０とを備える。フォマッター２９は、極性反転部を備え、この極性反転部が、レジスト層に対するレーザー光１５の照射タイミングを制御する。ドライバ３０は、極性反転部の出力を受けて、音響光学素子２７を制御する。

制御機構３７は、潜像の２次元パターンが空間的にリンクするように、１トラック毎に、ＡＯＭ２７によるレーザー光１５の強度変調と、スピンドルモータ３５の駆動回転速度と、移動光学テーブル３２の移動速度とをそれぞれ同期させる。原盤４２は、角速度一定（ＣＡＶ）で回転制御される。そして、スピンドルモータ３５による原盤４２の適切な回転数と、ＡＯＭ２７によるレーザー強度の適切な周波数変調と、移動光学テーブル３２によるレーザー光１５の適切な送りピッチとでパターニングを行う。これにより、レジスト層に対して六方格子パターン、または準六方格子パターンの潜像が形成される。

更に、極性反転部の制御信号を、空間周波数（潜像のパターン密度であり、Ｐ１：３３０、Ｐ２：３００ｎｍ、または、Ｐ１：３１５ｎｍ、Ｐ２：２７５ｎｍ、または、Ｐ１：３００ｎｍ、Ｐ２：２６５ｎｍ）が一様になるように徐々に変化させる。より具体的には、レジスト層に対するレーザー光１５の照射周期を１トラック毎に変化させながら露光を行い、各トラックＴにおいてＰ１がほぼ３３０ｎｍ（あるいは３１５ｎｍ、３００ｎｍ）となるように制御機構３７においてレーザー光１５の周波数変調を行う。即ち、トラック位置が円盤状の原盤４２の中心から遠ざかるに従い、レーザー光の照射周期が短くなるように変調制御する。これにより、基板全面において空間周波数が一様なナノパターンを形成することが可能となる。

以下、本発明の第３の実施形態に係る導電性光学素子の製造方法の一例について説明する。
まず、上述した構成を有する露光装置を用いて、円盤状の原盤上に形成されたレジスト層を露光する以外は、第１の実施形態と同様にしてディスクマスタ４１を作製する。次に、このディスクマスタ４１と、紫外線硬化樹脂を塗布したアクリルシートなどの基体２とを密着させ、紫外線を照射し紫外線硬化樹脂を硬化させた後、ディスクマスタ４１から基体２を剥離する。これにより、複数の構造体３が表面に配列された円盤状の光学素子が得られる。次に、複数の構造体３が形成された光学素子の凹凸面上に、必要に応じて、金属膜５を成膜した後、透明導電膜４を成膜する。これにより、円盤状の導電性光学素子１が得られる。次に、この円盤状の導電性光学素子１から、矩形状などの所定形状の導電性光学素子１を切り出す。これにより、目的とする導電性光学素子１が作製される。

この第３の実施形態によれば、直線状に構造体３を配列した場合と同様に、生産性が高く、優れた反射防止特性を有する導電性光学素子１を得ることができる。

＜４．第４の実施形態＞
図２１Ａは、本発明の第４の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図２１Ｂは、図２１Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。

第４の実施形態に係る導電性光学素子１は、構造体３を蛇行するトラック（以下ウォブルトラックと称する。）上に配列している点において、第１の実施形態とは異なっている。基体２上における各トラックのウォブルは、同期していることが好ましい。すなわち、ウォブルは、シンクロナイズドウォブルであることが好ましい。このようにウォブルを同期させることで、六方格子または準六方格子の単位格子形状を保持し、充填率を高く保つことができる。ウォブルトラックの波形としては、例えば、サイン波、三角波などを挙げることができる。ウォブルトラックの波形は、周期的な波形に限定されるものではなく、非周期的な波形としてもよい。ウォブルトラックのウォブル振幅は、例えば±１０μｍ程度に選択される。
この第４の実施形態において、上記以外のことは、第１の実施形態と同様である。

第４の実施形態によれば、構造体３をウォブルトラック上に配列していので、外観上のムラの発生を抑制できる。

＜５．第５の実施形態＞
図２２Ａは、本発明の第５の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図２２Ｂは、図２２Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図２２Ｃは、図２２ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図２２Ｄは、図２２ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。図２３は、図２２Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す斜視図である。

第５の実施形態に係る導電性光学素子１は、凹部である構造体３が基体表面に多数配列されている点において、第１の実施形態のものとは異なっている。この構造体３の形状は、第１の実施形態における構造体３の凸形状を反転して凹形状としたものである。なお、上述のように構造体３を凹部とした場合、凹部である構造体３の開口部（凹部の入り口部分）を下部、基体２の深さ方向の最下部（凹部の最も深い部分）を頂部と定義する。すなわち、非実体的な空間である構造体３により頂部、および下部を定義する。また、第５の実施形態では、構造体３が凹部であるため、式（１）などにおける構造体３の高さＨは、構造体３の深さＨとなる。

この第５の実施形態において、上記以外のことは、第１の実施形態と同様である。
この第５の実施形態では、第１の実施形態における凸形状の構造体３の形状を反転して凹形状としているので、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

＜６．第６の実施形態＞
図２４Ａは、本発明の第６の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図２４Ｂは、図２４Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図２４Ｃは、図２４ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図２４Ｄは、図２４ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。図２５は、図２４Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す斜視図である。

導電性光学素子１は、基体２と、この基体２の表面に形成された複数の構造体３と、これらの構造体３上に形成された透明導電膜４とを備える。また、表面抵抗の向上の観点から、構造体２と透明導電膜４との間に金属膜５をさらに設けることが好ましい。この構造体３は、錐体形状の凸部である。隣接する構造体３の下部同士が、その下部同士を重なり合うようにして接合されている。隣接する構造体３のうち、最隣接する構造体３が、トラック方向に配置されていることが好ましい。このような位置に最隣接する構造体３を配置することが、後述する製造方法では容易であるからである。この導電性光学素子１は、構造体３が設けられた基体表面に対して入射する光の反射を防止する機能を有している。以下では、図２４Ａに示すように、基体２の一主面内において直交する２つの軸をＸ軸、Ｙ軸と称し、基体２の一主面に垂直な軸をＺ軸と称する。また、構造体３間に空隙部２ａがある場合には、この空隙部２ａに微細凹凸形状を設けることが好ましい。このような微細凹凸形状を設けることで、導電性光学素子１の反射率をさらに低減することができるからである。

図２６は、本発明の第１の実施形態に係る導電性光学素子の屈折率プロファイルの一例を示す。図２６に示すように、構造体３の深さ方向（図２４Ａ中、−Ｚ軸方向）に対する実効屈折率が、基体２に向けて徐々に増加するとともに、Ｓ字形状の曲線を描くように変化している。すなわち、屈折率プロプロファイルが、１つの変曲点Ｎを有している。この変曲点は、構造体３の側面の形状に対応するものである。このように実効屈折率を変化させることで、光にとって境界が明確では無くなるため反射光を低減し、導電性光学素子１の反射防止特性を向上することができる。深さ方向に対する実効屈折率の変化は、単調増加であることが好ましい。ここで、Ｓ字状には、反転Ｓ字状、すなわちＺ字状も含まれる。

また、深さ方向に対する実効屈折率の変化が、構造体３の頂部側および基体側の少なくとも一方において実効屈折率の傾きの平均値よりも急峻であることが好ましく、構造体３の頂部側および基体側の両方において上記平均値よりも急峻であることがより好ましい。これにより、優れた反射防止特性を得ることができる。

構造体３の下部は、例えば、隣接関係にある構造体３の一部または全部の下部と接合されている。このように構造体同士の下部を接合することで、構造体３の深さ方向に対する実効屈折率の変化を滑らかにすることができる。その結果、Ｓ字形状の屈折率プロファイルが可能となる。また、構造体同士の下部を接合することで、構造体の充填率を高めることができる。なお、図２４Ｂでは、隣接する全ての構造体３を接合したときの接合部の位置が、黒丸印「●」にて示されている。具体的には、接合部は、隣接する全ての構造体３の間、同一トラック内にて隣接する構造体３の間（例えばａ１〜ａ２間）、または、隣接するトラック間の構造体３の間（例えばａ１〜ａ７間、ａ２〜ａ７間）に形成される。滑らかな屈折率プロファイルを実現し、優れた反射防止特性を得るためには、隣接する全ての構造体３の間に接合部を形成することが好ましい。後述する製造方法により接合部を容易に形成するためには、同一トラック内にて隣接する構造体３の間に接合部を形成することが好ましい。構造体３が六方格子パターンまたは準六方格子パターンに周期的に配置されている場合には、例えば、構造体３が６回対称となる方位で接合する。

構造体３が、その下部同士を重ね合うようにして接合されていていることが好ましい。このように構造体３を接合することで、Ｓ字形状の屈折率プロファイルを得ることができるとともに、構造体３の充填率を向上することができる。構造体同士は、屈折率を考慮した光路長で使用環境下の光の波長帯域の最大値の１／４以下の部分で接合されていることが好ましい。これにより、優れた反射防止特性を得ることができる。

構造体３の高さは、透過させる光の波長領域に応じて適宜設定することが好ましい。具体的には、構造体３の高さが、使用環境下の光の波長帯域の最大値の５／１４以上１０／７以下に選んでもよい。可視光を透過させる場合、構造体３の高さは１００ｎｍ〜２８０ｎｍであることが好ましい。構造体３のアスペクト比（高さＨ／配置ピッチＰ）は、０．５〜１．４６の範囲に設定することが好ましい。０．５未満であると反射特性および透過特性が低下する傾向にあり、１．４６を超えると導電性光学素子１の作製時において、構造体３の剥離特性が低下し、レプリカの複製が綺麗に取れなくなる傾向があるからである。

構造体３の材料としては、例えば、紫外線、もしくは電子線により硬化する電離放射線硬化型樹脂、または熱により硬化する熱硬化型樹脂を主成分とするものが好ましく、紫外線で硬化できる紫外線硬化樹脂を主成分とするものが最も好ましい。

図２７は、構造体の形状の一例を示す拡大断面図である。構造体３の側面が、基体２へ向けて徐々に拡大するとともに、図２６に示したＳ字状曲線の平方根の形状を描くように変化することが好ましい。このような側面形状にすることにより、優れた反射防止特性を得ることができ、かつ、構造体３の転写性を向上することができる。

構造体３の頂部３ｔは、例えば、平面形状、または、先端に行くに従って細くなる凸形状である。構造体３の頂部３ｔを平面形状とする場合、単位格子の面積Ｓに対する、構造体頂部の平面の面積Ｓｔの面積比率（Ｓｔ／Ｓ）は、構造体３の高さが高くなるにつれて小さくなるようにすることが好ましい。このようにすることで、導電性光学素子１の反射防止特性を向上することができる。ここで、単位格子は、例えば、六方格子または準六方格子などである。構造体底面の面積比率（単位格子の面積Ｓに対する、構造体底面の面積Ｓｂの面積比率（Ｓｂ／Ｓ）は、頂部３ｔの面積比率に近いことが好ましい。また、構造体３の頂部３ｔに、構造体３よりも屈折率が低い低屈折率層を形成してもよく、このような低屈折率層を形成することで、反射率を下げることが可能となる。

頂部３ｔおよび下部３ｂを除く構造体３の側面は、その頂部３ｔから下部３ｂの方向に向かって、第１の変化点Ｐａおよび第２の変化点Ｐｂの組をこの順序で１つ有することが好ましい。これにより、構造体３の深さ方向（図２４Ａ中、−Ｚ軸方向）に対する実効屈折率が、１つの変曲点を有することができる。

ここで、第１の変化点および第２の変化点は以下のように定義される。
図２８Ａ、図２８Ｂに示すように、構造体３の頂部３ｔから下部３ｂの間の側面が、構造体３の頂部３ｔから下部３ｂに向かって、滑らかな複数の曲面を不連続的に接合して形成されている場合には、接合点が変化点となる。この変化点と変曲点は一致することになる。接合点では正確には微分不可能であるが、ここでは、このような極限としての変曲点も変曲点と称する。構造体３が上述のような曲面を有する場合、構造体３の頂部３ｔから下部３ｂに向かう傾きが、第１の変化点Ｐａを境にしてより緩やかになった後、第２の変化点Ｐｂを境にしてより急になることが好ましい。

図２８Ｃに示すように、構造体３の頂部３ｔから下部３ｂの間の側面が、構造体３の頂部３ｔから下部３ｂに向かって、滑らかな複数の曲面を連続的に滑らかに接合して形成されている場合には、変化点は以下のように定義される。図２８Ｃに示すように、構造体の側面に存在する２つの変曲点におけるそれぞれの接線が互いに交わる交点に対して、曲線上で最も近い点を変化点と称する。

構造体３は、その頂部３ｔから下部３ｂの間の側面に、１つのステップＳｔを有することが好ましい。このように１つのステップＳｔを有することで、上述の屈折率プロファイルを実現することができる。すなわち、構造体３の深さ方向に対する実効屈折率を、基体２に向けて徐々に増加させるとともに、Ｓ字形状の曲線を描くように変化させることができる。ステップとしては、例えば傾斜ステップまたは平行ステップが挙げられ、傾斜ステップが好ましい。ステップＳｔを傾斜ステップとすると、ステップＳｔを平行ステップとするよりも、転写性を良好にできるからである。

傾斜ステップとは、基体表面に対して平行ではなく、構造体３の頂部から下部の方向に向かうに従って側面が広がるように傾斜しているステップのことをいう。平行ステップとは、基体表面に対して平行なステップのことをいう。ここで、ステップＳｔは、上述の第１の変化点Ｐａおよび第２の変化点Ｐｂで設定される区画である。なお、ステップＳｔには、頂部３ｔの平面、および構造体間の曲面または平面を含まないものとする。

構造体３が、成形の容易さの観点から、隣接する構造体３に接合されている下部を除いて軸対称な錐体形状、または錐体形状をトラック方向に延伸または収縮させた錐体形状を有することが好ましい。錐体形状としては、例えば、円錐形状、円錐台形状、楕円錐形状、楕円錐台形状などを挙げることができる。ここで、錐体形状とは、上述のように、円錐形状および円錐台形状以外にも、楕円錐形状、楕円錐台形状を含む概念である。また、円錐台形状とは、円錐形状の頂部を切り落とした形状をいい、楕円錐台形状とは、楕円錐の頂部を切り落とした形状のことをいう。なお、構造体３の全体形状は、これらの形状に限定されるものではなく、構造体３の深さ方向に対する実効屈折率が、基体２に向けて徐々に増加するとともに、Ｓ字状に変化するような形状であればよい。また、錐体形状には、完全な錐体形状のみならず、上述したように、側面にステップＳｔを有する錐体形状も含まれる。

楕円錐形状を有する構造体３は、底面が長軸と短軸をもつ楕円形、長円形または卵型の錐体構造で、頂部が先端に行くに従って狭くなる細くなる凸形状を有する構造体である。楕円錐台形状を有する構造体３は、底面が長軸と短軸をもつ楕円形、長円形または卵型の錐体構造で、頂部が平面である構造体である。構造体３を楕円錐形状または楕円錐台形状とする場合、構造体３の底面の長軸方向がトラックの延在方向（Ｘ軸方向）となるように、構造体３を基体表面に形成することが好ましい。

構造体３の断面積は、上述の屈折率プロファイルに対応するように、構造体３の深さ方向に対して変化する。構造体３の断面積は、構造体３の深さ方向に向かうに従って単調に増加することが好ましい。ここで、構造体３断面積とは、構造体３が配列された基体表面に対して、平行な切断面の面積を意味する。深さの異なる位置での構造体３の断面積割合が、当該位置に対応した上記実効屈折率プロファイルに相当するように、深さ方向に構造体の断面積を変化させることが好ましい。

上述したステップを有する構造体３は、例えば、以下のようにして作製された原盤を用いて、形状転写をすることにより得られる。すなわち、原盤作製のエッチング工程において、エッチング処理およびアッシング処理の処理時間を適宜調整することにより、構造体（凹部）の側面にステップが形成された原盤を作製する。

この第６の実施形態によれば、構造体３が錐体形状を有し、この構造体３の深さ方向に対する実効屈折率が、基体２へ向けて徐々に増加するとともに、Ｓ字状の曲線を描くように変化する。これにより、構造体３の形状効果により、光にとって境界が明確では無くなるため、反射光を低減できる。よって、優れた反射防止特性を得ることができる。特に、構造体３の高さが大きい場合に、優れた反射防止特性が得られる。また、隣接する構造体３の下部同士を、その下部同士が重なり合うようにして接合しているので、構造体３の充填率を上げることができるとともに、構造体３の成形が容易となる。

構造体３の深さ方向に対する実効屈折率プロファイルをＳ字状に変化させるとともに、（準）六方格子、または、（準）四方格子の配列で構造体を配置させることが好ましい。また、各構造体３は軸対称の構造、または、軸対称の構造をトラック方向に延伸または収縮させた構造とすることが好ましい。さらに、隣接する構造体３を基体付近において接合させることが好ましい。このような構成とすることで、より製造しやすく、高性能な反射防止構造体を作製することができる。

光ディスクの原盤作製プロセスとエッチングプロセスとを融合した方法を用いて、導電性光学素子１を作製する場合には、電子線露光を用いて導電性光学素子１を作製した場合に比べて、原盤作製プロセスに要する時間（露光時間）を大幅に短縮することができる。したがって、導電性光学素子１の生産性を大幅に向上することができる。

構造体３の頂部の形状を先鋭でなく平面形状とした場合には、導電性光学素子１の耐久性を向上することができる。また、ロールマスタ１１に対する構造体３の剥離性を向上することもできる。構造体３のステップを傾斜ステップとした場合には、平行ステップとした場合に比べて転写性を向上することができる。

＜７．第７の実施形態＞
図２９は、本発明の第７の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す断面図である。第７の実施形態に係る導電性光学素子１は、図２９に示すように、構造体３が形成された一主面（第１の主面）とは反対側となる他主面（第２の主面）に、構造体３をさらに備える点において、第１の実施形態とは異なっている。

導電性光学素子１の両主面における構造体３の配置パターン、およびアスペクト比などは、同一である必要はなく、所望とする特性に応じて、異なる配置パターン、およびアスペクト比を選択するようにしてもよい。例えば、一主面の配置パターンを準六方格子パターンとし、他主面の配置パターンを準四方格子パターンとするようにしてもよい。

第７の実施形態では、基体２の両主面に複数の構造体３を形成しているので、導電性光学素子１の光入射面および光出射面の双方に対して、光の反射防止機能を付与することができる。これにより、光の透過特性の更なる向上を図ることが可能となる。

＜８．第８の実施形態＞
図３０は、本発明の第８の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す断面図である。図３０に示すように、この導電性光学素子１は、基体２上に透明導電層８を備え、この透明導電層８の表面に、透明導電性を有する多数の構造体３が形成されている点において、第１の実施形態とは異なっている。透明導電層８が、導電性高分子、導電性フィラー、カーボンナノチューブ、および導電性粉末からなる群のうちの少なくとも１種の材料を含んでいる。導電性フィラーとしては、例えば銀系フィラーなどを用いることができる。導電性粉末としては、例えばＩＴＯ粉末を用いることができる。

第８の実施形態では、上述の第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

＜９．第９の実施形態＞
図３１Ａは、本発明の第９の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。このタッチパネルは、いわゆる抵抗膜方式タッチパネルである。抵抗膜方式タッチパネルとしては、アナログ抵抗膜方式タッチパネル、およびデジタル抵抗膜方式タッチパネルのいずれであってもよい。図３１Ａに示すように、情報入力装置であるタッチパネル５０は、情報を入力するタッチ面（入力面）を有する第１の導電性基材５１と、この導電性基材５１と対向する第２の導電性基材５２とを備える。タッチパネル５０は、第１の導電性基材５１のタッチ側となる面に、ハードコート層、または防汚性ハードコート層をさらに備えることが好ましい。また、必要に応じて、タッチパネル５０上にフロントパネルをさらに備えるようにしてもよい。このタッチパネル５０は、例えば表示装置５４に対して接着層５３を介して貼り合わされる。

表示装置としては、例えば、液晶ディスプレイ、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）ディスプレイ、プラズマディスプレイ（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）、エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）ディスプレイ、表面伝導型電子放出素子ディスプレイ（Surface-conduction Electron-emitter Display：ＳＥＤ）などの各種表示装置を用いることができる。

第１の導電性基材５１、および第２の導電性基材５１の少なくとも一方として、第１〜第６の実施形態に係る導電性光学素子１のいずれかが用いられる。第１の導電性基材５１、および第２の導電性基材５１の両方として、第１〜第６の実施形態に係る導電性光学素子１のいずれかを用いる場合、両導電性基材として互いに同一、または異なる実施形態に係る導電性光学素子１を用いることができる。

第１の導電性基材５１、および第２の導電性基材５１の互いに対向する２つの面のうち、少なくとも一方に構造体３が形成され、反射防止特性および透過特性の観点からすると、両方に構造体３が形成されていることが好ましい。

第１の導電性基材５１のタッチ側となる面に、単層または多層の反射防止層を形成することが好ましい。反射率を低減し、視認性を向上することができるからである。

（変形例）
図３１Ｂは、本発明の第９の実施形態に係るタッチパネルの変形例を示す断面図である。図３１Ｂに示すように、第１の導電性基材５１、および第２の導電性基材５２の少なくとも一方として、第７の実施形態に係る導電性光学素子１が用いられる。

第１の導電性基材５１、および第２の導電性基材５１の互いに対向する２つの面のうち、少なくとも一方に複数の構造体３が形成される。さらに、第１の導電性基材５１のタッチ側となる面、および第２の導電性基材５２の表示装置５４の側となる面の少なくとも一方に複数の構造体３が形成される。反射防止特性および透過特性の観点からすると、両方の面に構造体３が形成されていることが好ましい。

第９の実施形態では、第１の導電性基材５１、および第２の導電性基材５１の少なくとも一方として、導電性光学素子１を用いているので、すぐれた反射防止特性および透過特性を有するタッチパネル５０を得ることができる。したがって、タッチパネル５０の視認性を向上することができる。特に、屋外でのタッチパネル５０の視認性を向上することができる。

＜１０．第１０の実施形態＞
図３２Ａは、本発明の第１０の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す斜視図である。図３２Ｂは、本発明の第１０の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。第１０の実施形態に係るタッチパネルは、タッチ面に形成されたハードコート層７をさらに備える点において、第９の実施形態とは異なっている。

タッチパネル５０は、情報を入力するタッチ面（入力面）を有する第１の導電性光学素子５１と、この第１の導電性光学素子５１と対向する第２の導電性光学素子５２とを備える。第１の導電性光学素子５１と、第２の導電性光学素子５２は、それらの周縁部間に配置された貼合層５５を介して互いに貼り合わされている。貼合層５５としては、例えば、粘着ペースト、粘着テープなどが用いられる。ハードコート層７の表面には、防汚性が付与されていることが好ましい。このタッチパネル５０は、例えば表示装置５４に対して貼合層５３を介して貼り合わされる。貼合層５３の材料としては、例えば、アクリル系、ゴム系、シリコン系などの粘着剤を用いることができ、透明性の観点からすると、アクリル系粘着剤が好ましい。

第１０の実施形態では、第１の導電性光学素子５１のタッチ側となる面に、ハードコート層７を形成しているので、タッチパネル５０のタッチ面の耐擦傷性を向上することができる。

＜１１．第１１の実施形態＞
図３３Ａは、本発明の第１１の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す斜視図である。図３３Ｂは、本発明の第１１の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。第１１の実施形態に係るタッチパネル５０は、第１の導電性光学素子５１のタッチ側となる面に対して、貼合層６０などを介して貼り合わされた偏光子５８をさらに備える点において、第９の実施形態とは異なっている。このように偏光子５８を設ける場合、第１の導電性光学素子５１、および第２の導電性光学素子５２の基体２としては、λ／４位相差フィルムを用いることが好ましい。このように偏光子５８と、λ／４位相差フィルムである基体２とを採用することで、反射率を低減し、視認性を向上することができる。

第１の導電性光学素子５１のタッチ側となる面に、単層または多層の反射防止層（図示せず）を形成することが好ましい。反射率を低減し、視認性を向上することができるからである。また、第１の導電性光学素子５１のタッチ側となる面に対して、貼合層６１などを介して貼り合わされたフロントパネル（表面部材）５９をさらに備えるようにしてもよい。このフロントパネル５９の両主面の少なくとも一方に、第１の導電性光学素子５１と同様に、多数の構造体３を形成するようにしてもよい。なお、図３３では、フロントパネル５９の入射面側に多数の構造体３を形成した例が示されている。また、第２の導電性光学素子５２の表示装置５４などに貼り合わされる面に、貼合層５７などを介してガラス基板５６を貼り合わせるようにしてもよい。

第１の導電性光学素子５１、および第２の導電性光学素子５２の少なくとも一方の周縁部にも、複数の構造体３を形成することが好ましい。アンカー効果により、第１の導電性光学素子５１、または第２の導電性光学素子５２と、貼合層５５との間の密着性を向上することができるからである。

また、第２の導電性光学素子５２の表示装置５４などと貼り合わされる面に対しても、複数の構造体３を形成することが好ましい。複数の構造体３のアンカー効果により、タッチパネル５０と貼合層５７との間の接着性を向上することができるからである。

＜１２．第１２の実施形態＞
図３４は、第１２の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。第１２の実施形態に係るタッチパネル５０は、第１の導電性基材５１および第２の導電性基材５２の少なくとも一方がその周縁部にも複数の構造体３を備える点において、第９の実施形態とは異なっている。第１の導電性基材５１、および第２の導電性基材５２の周縁部には、所定のパターンを有する配線層７１と、この配線層７１を覆う絶縁層７２と、両基材を貼り合わせる貼合層５５との少なくとも１種を備える。また、第２の導電性基材５２の主面のうち、第１の導電性基材５１と対向する対向面には、ドットスペーサ７３が多数形成されている。

配線層７１は、平行電極、取り回し回路などを形成するためのものであり、例えば熱乾燥型、または熱硬化型の導電性ペーストなどの配線材を主成分としている。導電性ペーストとしては、例えば銀ペーストを用いることができる。絶縁層７２は、両基材の配線層７１の絶縁性確保、および短絡防止をするためのものであり、例えば紫外線硬化型、または熱硬化型の絶縁ペーストなどの絶縁材料、または絶縁テープからなる。貼合層５５は、両基材を貼り合わせるためのものであり、例えば紫外線硬化型、または熱硬化型の粘着ペーストなどの粘着剤を主成分としている。ドットスペーサ７３は、両基材のギャップ確保、および接触防止をするためのものであり、例えば紫外線硬化型、熱硬化型、またはフォトリソ型のドットスペーサ用ペーストを主成分としている。

第１２の実施形態では、第１の導電性基材５１および第２の導電性基材５２の少なくとも一方がその周縁部にも複数の構造体３を備えているので、アンカー効果を得ることできる。したがって、配線層７１、絶縁層７２、および貼合層５５の密着性を向上することができる。また、下部電極となる第２の導電性基材５２の電極面に多数の構造体３を形成した場合には、ドットスペーサ７３の密着性を向上することができる。

また、図３４に示すように、第２の導電性基材５２の表示装置５４と貼り合わされる面に対しても、複数の構造体３を形成することが好ましい。複数の構造体３のアンカー効果により、タッチパネル５０と表示装置５４との間の接着性を向上することができるからである。

＜１３．第１３の実施形態＞
図３５は、第１３の実施形態に係る液晶表示装置の構成の一例を示す断面図である。図３５に示すように、第１３の実施形態に係る液晶表示装置７０は、第１、および第２の主面を有する液晶パネル（液晶層）７１と、第１の主面上に形成された第１の偏光子７２と、第２の主面上に形成された第２の偏光子７３と、液晶パネル７１と第１の偏光子７２との間に配置されたタッチパネル５０とを備える。タッチパネル５０は、液晶ディスプレイ一体型タッチパネル（いわゆるインナータッチパネル）である。第１の偏光子７２の表面に多数の構造体３を直接形成するようにしてもよい。第１の偏光子７２が、ＴＡＣ（トリアセチルセルロース）フィルムなどの保護層を表面に備えている場合には、保護層上に多数の構造体３を直接形成することが好ましい。このように偏光子７２に多数の構造体３を形成することで、液晶表示装置７０をさらに薄型化することができる。

（液晶パネル）
液晶パネル７１としては、例えば、ツイステッドネマチック（Twisted Nematic：ＴＮ）モード、スーパーツイステッドネマチック（Super Twisted Nematic：ＳＴＮ）モード、垂直配向（Vertically Aligned：ＶＡ）モード、水平配列（In-Plane Switching：ＩＰＳ）モード、光学補償ベンド配向（Optically Compensated Birefringence：ＯＣＢ）モード、強誘電性（Ferroelectric Liquid Crystal：ＦＬＣ）モード、高分子分散型液晶（Polymer Dispersed Liquid Crystal：ＰＤＬＣ）モード、相転移型ゲスト・ホスト（Phase Change Guest Host：ＰＣＧＨ）モードなどの表示モードのものを用いることができる。

（偏光子）
第１の偏光子７２、および第２の偏光子７３は、その透過軸が互いに直交するようにして液晶パネル７１の第１、および第２の主面上に対して、貼合層７４、７５を介して貼り合わされる。第１の偏光子７２、および第２の偏光子７３は、入射する光のうち直交する偏光成分の一方のみを通過させ、他方を吸収により遮へいするものである。第１の偏光子７２、および第２の偏光子７３としては、例えば、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）系フィルムに、ヨウ素錯体や二色性染料を一軸方向に配列させたものを用いることができる。第１の偏光子７２、および第２の偏光子７３の両面には、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）フィルムなどの保護層を設けることが好ましい。

（タッチパネル）
タッチパネル５０は、第９〜第１２の実施形態のいずれかのものを用いることができる。

第１１の実施形態では、偏光子７２を液晶パネル７１とタッチパネル５０とで共用した構成としているので、光学特性を向上することができる。

＜１４．第１４の実施形態＞
図３６Ａは、本発明の第１４の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す斜視図である。図３６Ｂは、本発明の第１４の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。この第１４の実施形態に係るタッチパネル５０は、いわゆる静電容量方式タッチパネルであり、その表面および内部の少なくとも一方に多数の構造体３が形成されている。このタッチパネル５０は、例えば表示装置５４に対して接着層５３を介して貼り合わされる。

（第１の構成例）
図３６Ａに示すように、第１の構成例に係るタッチパネル５０は、基体２と、この基体２上に形成された透明導電膜４と、保護層９とを備える。基体２および保護層９の少なくとも一方には、可視光の波長以下の微細ピッチで構造体３が多数配置されている。なお、図３６Ａでは、基体２の表面に構造体３が多数配置された例が示されている。静電容量方式タッチパネルは、表面型静電容量方式タッチパネル、インナー型静電容量方式タッチパネル、および投影型静電容量方式タッチパネルのいずれであってもよい。基体２の周縁部に配線層などの周縁部材を形成する場合には、上述の第１２の実施形態と同様に、基体２の周縁部にも多数の構造体３を形成することが好ましい。配線層などの周縁部材と基体２との密着性を向上することができるからである。

保護層９は、例えばＳｉＯ₂などの誘電体を主成分とする誘電体層である。透明導電膜４は、タッチパネル５０の方式により異なる構成を有している。例えば、タッチパネル５０が表面型静電容量方式タッチパネル、またはインナー型静電容量方式タッチパネルである場合には、透明導電膜４は、ほぼ一様な膜厚を有する薄膜である。タッチパネル５０が投影型静電容量方式タッチパネルである場合には、透明導電膜４は、所定ピッチで配置された格子形状などの透明電極パターンである。透明導電膜４の材料としては、上述の第１の実施形態と同様のものを用いることができる。上記以外のことは、第９の実施形態と同様であるので説明を省略する。

（第２の構成例）
図３６Ｂに示すように、第２の構成例に係るタッチパネル５０は、タッチパネル５０の内部に代えて、保護層９の表面、すなわち、タッチ面に可視光の波長以下の微細ピッチで構造体３が多数配置されている点において、第１の構成例とは異なっている。なお、表示装置５３に貼り合わされる側の裏面に、多数の構造体３をさらに配置するようにしてもよい。

第１４の実施形態では、静電容量方式のタッチパネル５０の表面および内部の少なくとも一方に多数の構造体３を形成しているので、第８の実施形態と同様の効果を得ることができる。

以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。

本発明の実施例および試験例について以下の順序で説明する。
１．導電性光学シートの光学特性
２．構造体と光学特性および表面抵抗との関係
３．透明導電膜の厚みと光学特性および表面抵抗との関係
４．他方式の低反射導電膜との比較
５．構造体と光学特性との関係
６．透明導電膜の形状と光学特性との関係
７．充填率、および径の比率と反射特性との関係（シミュレーション）
８．導電性光学シートを用いたタッチパネルの光学特性
９．モスアイ構造体による密着性の向上

（高さＨ、配置ピッチＰ、アスペクト比（Ｈ／Ｐ））
以下の実施例において、導電性光学シートの構造体の高さＨ、配置ピッチＰ、およびアスペクト比（Ｈ／Ｐ）は以下のようにして求めた。
まず、光学シートの表面形状を、透明導電膜を成膜していない状態において、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Atomic Force Microscope）により撮影した。そして、撮影したＡＦＭ像、およびその断面プロファイルから、構造体の配置ピッチＰ、高さＨを求めた。次に、これらの配置ピッチＰおよび高さＨを用いてアスペクト比（Ｈ／Ｐ）を求めた。

（透明導電膜の平均膜厚）
以下の実施例において、透明導電膜の平均膜厚は以下のようにして求めた。
まず、導電性光学シートを構造体の頂部を含むようにトラックの延在方向に切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Transmission Electron Microscope）にて撮影し、撮影したＴＥＭ写真から、構造体における頂部における透明導電膜の膜厚Ｄ１を測定した。これらの測定を導電性光学シートから無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値を単純に平均（算術平均）して平均膜厚Ｄ_m１を求め、この平均膜厚を透明導電膜の平均膜厚とした。

また、凸部である構造体の頂部における透明導電膜の平均膜厚Ｄ_m１、凸部である構造体の傾斜面における透明導電膜の平均膜厚Ｄ_m２、凸部である構造体の間における透明導電膜の平均膜厚Ｄ_m３は、以下のようにして求めた。
まず、導電性光学シートを構造体の頂部を含むようにトラックの延在方向に切断し、その断面をＴＥＭにて撮影した。次に、撮影したＴＥＭ写真から、構造体の頂部における透明導電膜の膜厚Ｄ１を測定した。次に、構造体の傾斜面の位置のうち、構造体の半分の高さ（Ｈ／２）の位置の膜厚Ｄ２を測定した。次に、構造体間の凹部の位置のうち、その凹部の深さが最も深くなる位置の膜厚Ｄ３を測定した。次に、これらの膜厚Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３の測定を導電性光学シートから無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３を単純に平均（算術平均）して平均膜厚Ｄ_m１、Ｄ_m２、Ｄ_m３を求めた。

また、凹部である構造体の頂部における透明導電膜の平均膜厚Ｄ_m１、凹部である構造体の傾斜面における透明導電膜の平均膜厚Ｄ_m２、凹部である構造体の間における透明導電膜の平均膜厚Ｄ_m３は、以下のようにして求めた。
まず、導電性光学シートを構造体の頂部を含むようにトラックの延在方向に切断し、その断面をＴＥＭにて撮影した。次に、撮影したＴＥＭ写真から、非実体的な空間である構造体の頂部における透明導電膜の膜厚Ｄ１を測定した。次に、構造体の傾斜面の位置のうち、構造体の半分の深さ（Ｈ／２）の位置の膜厚Ｄ２を測定した。次に、構造体間の凸部の位置のうち、その凸部の高さが最も高くなる位置の膜厚Ｄ３を測定した。次に、これらの膜厚Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３の測定を導電性光学シートから無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３を単純に平均（算術平均）して平均膜厚Ｄ_m１、Ｄ_m２、Ｄ_m３を求めた。

＜１．導電性光学シートの光学特性＞
（実施例１）
まず、外径１２６ｍｍのガラスロール原盤を準備し、このガラスロール原盤の表面に以下のようにしてレジスト層を着膜した。すなわち、シンナーでフォトレジストを１／１０に希釈し、この希釈レジストをディップによりガラスロール原盤の円柱面上に厚さ７０ｎｍ程度に塗布することにより、レジスト層を着膜した。次に、記録媒体としてのガラスロール原盤を、図１１に示したロール原盤露光装置に搬送し、レジスト層を露光することにより、１つの螺旋状に連なるとともに、隣接する３列のトラック間において六方格子パターンをなす潜像がレジスト層にパターニングされた。

具体的には、六方格子が形成されるべき領域に対して、前記ガラスロール原盤表面まで露光するパワー０．５０ｍＷ／ｍのレーザー光を照射し凹形状の六方格子パターンを形成した。なお、トラック列の列方向のレジスト層の厚さは６０ｎｍ程度、トラックの延在方向のレジスト厚さは５０ｎｍ程度であった。

次に、ガラスロール原盤上のレジスト層に現像処理を施して、露光した部分のレジスト層を溶解させて現像を行った。具体的には、図示しない現像機のターンテーブル上に未現像のガラスロール原盤を載置し、ターンテーブルごと回転させつつガラスロール原盤の表面に現像液を滴下してその表面のレジスト層を現像した。これにより、レジスト層が六方格子パターンに開口しているレジストガラス原盤が得られた。

次に、ロールエッチング装置を用い、ＣＨＦ₃ガス雰囲気中でのプラズマエッチングを行った。これにより、ガラスロール原盤の表面において、レジスト層から露出している六方格子パターンの部分のみエッチングが進行し、その他の領域はレジスト層がマスクとなりエッチングはされず、楕円錐形状の凹部が得られた。このときのパターンでのエッチング量（深さ）はエッチング時間によって変化させた。最後に、Ｏ₂アッシングにより完全にレジスト層を除去することにより、凹形状の六方格子のモスアイガラスロールマスタが得られた。列方向における凹部の深さは、トラックの延在方向における凹部の深さより深かった。

次に、上記モスアイガラスロールマスタと紫外線硬化樹脂を塗布したアクリルシートを密着させ、紫外線を照射し硬化させながら剥離した。これにより、複数の構造体が一主面に配列された光学シートが得られた。次に、スパッタリング法により、平均膜厚３０ｎｍのＩＺＯ膜を構造体上に成膜した。
以上により、目的とする導電性光学シートを作製した。

（実施例２）
平均膜厚１６０ｎｍのＩＺＯ膜を構造体上に形成する以外は、実施例１と同様にして導電性光学シートを作製した。

（実施例３）
まず、実施例１と同様にして一主面に複数の構造体が配列された光学シートを作製した。次に、一主面に複数の構造体を形成したのと同様にして、光学シートの他主面に複数の構造体を形成した。これにより、両主面に複数の構造体が配列された光学シートが作製された。次に、スパッタリング法により、平均膜厚３０ｎｍのＩＺＯ膜を一主面の構造体上に成膜することにより、複数の構造体が両主面に配列された導電性光学シートを作製した。

（比較例１）
ＩＺＯ膜の成膜工程を省略する以外は実施例１と同様にして、光学シートを作製した。

（比較例２）
スパッタリング法により、平均膜厚３０ｎｍのＩＺＯ膜を、平滑なアクリルシートの表面上に形成し、導電性光学シートを作製した。

（形状の評価）
光学シートの表面形状を、ＩＺＯ膜を成膜していない状態において、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Atomic Force Microscope）により観察した。そして、ＡＦＭの断面プロファイルから各実施例の構造体の高さなどを求めた。その結果を表１に示す。

（表面抵抗の評価）
上述のようにして作製した導電性光学シートの表面抵抗を４端子法（ＪＩＳ Ｋ ７１９４）にて測定した。その結果を表１に示す。

（反射率／透過率の評価）
上述のようにして作製した導電性光学シートの反射率、および透過率を日本分光の評価装置（Ｖ−５５０）を用いて評価した。その結果を図３７Ａ、図３７Ｂに示す。

上述の評価結果から以下のことがわかる。
比較例２の表面抵抗を４端子法（ＪＩＳ Ｋ ７１９４）にて測定したところ、２７０Ω/□となった。これに対して、モスアイ構造を表面に形成した実施例１では、抵抗率２．０×１０^-4Ω・ｃｍの透明導電膜（ＩＺＯ膜）を平板換算で３０ｎｍ成膜すると、約３０ｎｍ程度の平均膜厚となる。このときの表面抵抗は、表面積が増えることを換算しても、４０００Ω/□であるが、抵抗膜式タッチパネルとして使用する際に問題ないレベルである。

図３７Ａ、図３７Ｂに示すように、実施例１は、透明導電膜を成膜していない、モスアイ構造体のみが表面に形成された比較例１と比較しても、遜色ない特性を保持している。また、実施例１は、同程度の表面抵抗をもつ透明導電膜を平滑なシート上に成膜した比較例１の光学特性よりも、優れた光学特性が得られている。
実施例２では、平板換算（平均膜厚）で１６０ｎｍとなる厚さの透明導電膜（ＩＺＯ膜）を成膜しているため、透過率が劣化する傾向がある。これは透明導電膜を過度に厚く成膜したため、モスアイ構造体の形状が崩れてしまい、所望の形状を維持することが困難となってしまったためと考えられる。すなわち、透明導電膜を過度に厚くすると、モスアイ構造体の形状を保持したまま薄膜を成長させることが困難になる。しかし、このように形状が保持されていない場合であっても、透明導電膜のみを平滑なシートに成膜した比較例２よりも光学特性が優れている。
両面にモスアイ構造体を形成した実施例３では、片面にモスアイ構造を形成した実施例１に比べて反射防止機能が向上している。図３７Ｂから、９７％〜９９％の非常に高透過率な特性が実現されていることがわかる。

＜２．構造体と光学特性および表面抵抗との関係＞
（実施例４〜６）
１トラック毎に極性反転フォマッター信号の周波数と、ロールの回転数と、送りピッチとを調整し、レジスト層をパターニングすることにより、六方格子パターンをレジスト層に記録した。これ以外のことは、実施例１と同様にして導電性光学シートを作製した。

（実施例７）
実施例６と凹凸関係を逆にした以外のことは実施例１と同様にして、凹形状を有する複数の構造体（逆パターンの構造体）が表面に形成された導電性光学シートを作製した。

（比較例３）
ＩＺＯ膜の成膜を省略する以外は実施例４と同様にして導電性光学シートを作製した。

（比較例４）
ＩＺＯ膜の成膜を省略する以外は実施例６と同様にして導電性光学シートを作製した。

（比較例５）
スパッタリング法により、平均膜厚４０ｎｍのＩＺＯ膜を、平滑なアクリルシートの表面上に形成し、導電性光学シートを作製した。

（形状の評価）
光学シートの表面形状を、ＩＺＯ膜を成膜していない状態において、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Atomic Force Microscope）により観察した。そして、ＡＦＭの断面プロファイルから各実施例の構造体の高さなどを求めた。その結果を表２に示す。

（表面抵抗の評価）
上述のようにして作製した導電性光学シートの表面抵抗を４端子法にて測定した。その結果を表２に示す。また、図３８Ａに、アスペクト比と表面抵抗との関係を示す。図３８Ｂに、構造体の高さと表面抵抗との関係を示す。

（反射率／透過率の評価）
上述のようにして作製した導電性光学シートの反射率、および透過率を日本分光の評価装置（Ｖ−５５０）を用いて評価した。その結果を図３９Ａ、図３９Ｂに示す。また、図４０Ａ、図４０Ｂに、実施例６と比較例４の透過特性、および反射特性を示す。図４１Ａ、図４１Ｂに、実施例４と比較例３の透過特性、および反射特性を示す。

図３８Ａ、図３８Ｂから以下のことがわかる。
構造体のアスペクト比と表面抵抗との間に相関があり、アスペクト比の値にほぼ比例して表面抵抗が増加する傾向がある。これは、構造体の斜面が急峻になるほど、透明導電膜の平均膜厚が薄くなる、または構造体の高さが高い、もしくは深さが深いほど表面積が増えるため、高抵抗となるためと考えられる。
タッチパネルでは、一般的に５００〜３００Ω／□の表面抵抗が求められるので、本発明をタッチパネルに適用する場合には、アスペクト比を適宜調整して、所望の抵抗値が得られるようにすることが好ましい。

図３９Ａ、図３９Ｂ、図４０Ａ、図４０Ｂから以下のことがわかる。
波長４５０ｎｍよりも短波長側では透過率が低下する傾向がるが、波長４５０ｎｍ〜８００ｎｍの範囲では優れた透過特性が得られる。また、構造体のアスペクト比が高いほど、短波長側での透過率の低下を抑制できる。
波長４５０ｎｍよりも短波長側では反射率も低下する傾向があるが、波長４５０ｎｍ〜８００ｎｍの範囲では優れた反射特性が得られる。また、構造体のアスペクト比が高いほど、短波長側での反射率の増加を抑制できる。
凸形状の構造体が形成された実施例６は、凹形状の構成体が形成された実施例７よりも光学特性が優れている。

図４１Ａ〜図４１Ｂから以下のことがわかる
アスペクト比が１．２である実施例４では、アスペクト比が０．６である実施例６よりも、光学特性の変化が少なく抑えられている。これは、アスペクト比１．２である実施例４の方が、アスペクト比０．６である実施例６よりも表面積が大きく、構造体に対する透明導電膜の平均膜厚が薄くなっているためと考えられる。

＜３．透明導電膜の厚みと光学特性および表面抵抗との関係＞
（実施例８）
ＩＺＯ膜の平均膜厚を５０ｎｍにする以外は実施例６と同様にして導電性光学シートを作製した。

（実施例９）
実施例６と同様にして導電性光学シートを作製した。

（実施例１０）
ＩＺＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍにする以外は実施例６と同様にして導電性光学シートを作製した。

（比較例６）
ＩＺＯ膜の成膜を省略する以外は実施例６と同様にして導電性光学シートを作製した。

（形状の評価）
光学シートの表面形状を、ＩＺＯ膜を成膜していない状態において、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Atomic Force Microscope）により観察した。そして、ＡＦＭの断面プロファイルから各実施例の構造体の高さなどを求めた。その結果を表３に示す。

（表面抵抗の評価）
上述のようにして作製した導電性光学シートの表面抵抗を４端子法（ＪＩＳ Ｋ ７１９４）にて測定した。その結果を表３に示す。

（反射率／透過率の評価）
上述のようにして作製した導電性光学シートの反射率、および透過率を日本分光の評価装置（Ｖ−５５０）を用いて評価した。その結果を図４２Ａ、図４２Ｂに示す。

なお、“（）”内に記された抵抗値は、同一の成膜条件にて平滑なシート上にＩＺＯ膜を成膜し、その成膜したＩＺＯ膜の抵抗値を測定したときの値である。

図４２Ａ、図４２Ｂから以下のことがわかる。
平均膜厚が厚くなるほど、４５０ｎｍより短波長側の反射率、および透過率が低下する傾向がる。

＜２．構造体と光学特性および表面抵抗との関係＞、および＜３．透明導電膜の厚みと光学特性および表面抵抗との関係＞の評価結果を総合すると、以下のことがわかる。
長波長側の光学特性は、構造体上に透明導電膜を成膜する前後でほとんど変化しないのに対して、短波長側の光学特性は変化する傾向がる。
構造体を高アスペクトな形状とすると、光学特性は良好であるが、表面抵抗が大きくなる傾向がる。
透明導電膜の厚さが厚くなると、短波長側の反射率が増加する傾向がある。
表面抵抗と光学特性とがトレードオフの関係にある。

＜４．他方式の低反射導電膜との比較＞
（実施例１１）
実施例５と同様にして導電性光学シートを作製した。

（実施例１２）
ＩＺＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍにする以外は実施例６と同様にして導電性光学シートを作製した。

（比較例７）
スパッタリング法により、平均膜厚３０ｎｍのＩＺＯ膜を、平滑なアクリルシートの表面上に形成し、導電性光学シートを作製した。

（比較例８）
ＰＶＤ法にてフィルム上に順次Ｎ＝２．０前後の光学膜を形成しその上に１．５前後の光学膜を形成しさらにその上に導電膜を形成した。

（比較例９）
ＰＶＤ法にてフィルム上に順次Ｎ＝２．０前後の光学膜とＮ＝１．５前後の光学膜を４層積層しそのうえに導電膜を形成した。

（形状の評価）
光学シートの表面形状を、ＩＺＯ膜を成膜していない状態において、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Atomic Force Microscope）により観察した。そして、ＡＦＭの断面プロファイルから各実施例の構造体の高さなどを求めた。その結果を表４に示す。

（反射率／透過率の評価）
上述のようにして作製した導電性光学シートの透過率を日本分光の評価装置（Ｖ−５５０）を用いて評価した。その結果を図４３に示す。

図４３から以下のことがわかる。
構造体上に透明導電膜を成膜した実施例１１、１２は、平滑なシート上に透明導電膜を成膜した比較例７に比して、４００ｎｍ〜８００ｎｍの波長帯域において優れた透過特性を有している。
多層膜を積層した比較例８、９は、波長５００ｎｍ程度までは優れた透過特性を示す。しかしながら、４００ｎｍ〜８００ｎｍの波長帯域全体では、構造体上に透明導電膜を成膜した実施例１１、１２が、多層膜を積層した比較例８、９よりも優れている。

＜５．構造体と光学特性との関係＞
（実施例１３）
１トラック毎に極性反転フォマッター信号の周波数と、ロールの回転数と、送りピッチとを調整し、レジスト層をパターニングすることにより、六方格子パターンをレジスト層に記録した。平均膜厚２０ｎｍのＩＺＯ膜を構造体上に形成した。これ以外のことは、実施例１と同様にして光学シートを作製した。

（実施例１４）
１トラック毎に極性反転フォマッター信号の周波数と、ロールの回転数と、送りピッチとを調整し、レジスト層をパターニングすることにより、六方格子パターンをレジスト層に記録した。これ以外のことは、実施例１と同様にして光学シートを作製した。

（形状の評価）
光学シートの表面形状を、ＩＺＯ膜を成膜していない状態において、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Atomic Force Microscope）により観察した。そして、ＡＦＭの断面プロファイルから各実施例の構造体の高さなどを求めた。その結果を表５に示す。

（表面抵抗の評価）
上述のようにして作製した導電性光学シートの表面抵抗を４端子法（ＪＩＳ Ｋ ７１９４）にて測定した。その結果を表５に示す。

（反射率／透過率の評価）
上述のようにして作製した導電性光学シートの反射率、および透過率を日本分光の評価装置（Ｖ−５５０）を用いて評価した。その結果を図４４Ａ、図４４Ｂに示す。

図４４Ａ、図４４Ｂから以下のことがわかる。
アスペクト比を低くすることにより、４５０ｎｍより短波長側における光学特性の低下を改善することができる。透過特性がより改善していることから、吸収特性が改善していると推定される。

＜６．透明導電膜の形状と光学特性との関係＞
（実施例１５）
ＩＺＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍにする以外は実施例１４と同様にして導電性光学シートを作製した。

（比較例１０）
ＩＺＯ膜の成膜を省略する以外は実施例１５と同様にして光学シートを作製した。

（実施例１６）
ＩＺＯ膜の平均膜厚を２０ｎｍにする以外は実施例１２と同様にして導電性光学シートを作製した。

（比較例１１）
ＩＺＯ膜の成膜を省略する以外は実施例１６と同様にして光学シートを作製した。

（実施例１７）
実施例４と凹凸関係を逆にした。ＩＺＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍにして導電性光学シートを作製した。これ以外のことは実施例４と同様にして、凹形状を有する複数の構造体（逆パターンの構造体）が表面に形成された導電性光学シートを作製した。

（比較例１２）
ＩＺＯ膜の成膜を省略する以外は実施例１７と同様にして光学シートを作製した。

（実施例１８）
構造体の断面プロファイルの曲線変化率に変化をもたせた構造体上に平均膜厚３０ｎｍのＩＺＯ膜を形成した光学シートを作製した。

（比較例１３）
ＩＺＯ膜の成膜を省略する以外は実施例１８と同様にして光学シートを作製した。

（形状の評価）
光学シートの表面形状を、ＩＺＯ膜を成膜していない状態において、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Atomic Force Microscope）により観察した。そして、ＡＦＭの断面プロファイルから各実施例の構造体の高さなどを求めた。その結果を表６に示す。

（表面抵抗の評価）
上述のようにして作製した導電性光学シートの表面抵抗を４端子法（ＪＩＳ Ｋ ７１９４）にて測定した。その結果を表６に示す。

（透明導電膜の評価）
構造体上に形成した導電膜の断面方向に切断し、断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）にて構造体とそれに付着した導電膜の像を観察する。

（反射率の評価）
上述のようにして作製した導電性光学シートの反射率を日本分光の評価装置（Ｖ−５５０）を用いて評価した。その結果を図４５Ａ〜図４６Ｂに示す。

透明導電膜の形状評価、および反射率の評価から以下のことがわかる。
実施例１５では、構造体の先端部の平均膜厚Ｄ１、構造体の斜面の平均膜厚Ｄ２、および構造体間のボトム部Ｄ３の平均膜厚は、以下のような関係になっていることがわかった。
Ｄ１（＝３８ｎｍ）＞Ｄ３（＝２１ｎｍ）＞Ｄ２（＝１４ｎｍ〜１７ｎｍ）
ＩＺＯは屈折率が２．０程度であるため、構造体の先端部だけ実行屈折率が上昇する。このため、図４５Ａに示すように、ＩＺＯ膜の成膜により反射率が上昇する。
実施例１６では、構造体にほぼ均一に成膜されていることがわかった。このため、図４５Ｂに示すように、成膜前後の反射率変化も少なくなっている。
実施例１６では、凹形状の構造体のボトム部と、凹形状の構造体間のトップ部とにＩＺＯ膜の平均膜厚が、他の部分の平均膜厚に比して非常に厚くなっていることがわかった。特に、トップ部において平均膜厚が著しく厚くなっていることがわかった。このような成膜状態であるため、図４６Ａに示すように、反射率変化も複雑な挙動を示し、かつ上昇する傾向がある。
実施例１７では、実施例１５と同様に、構造体の先端部の平均膜厚Ｄ１、構造体の斜面の平均膜厚Ｄ２、および構造体間のボトム部Ｄ３の平均膜厚は、以下のような関係になっていることがわかった。
Ｄ１（＝３６ｎｍ）＞Ｄ２（＝２０ｎｍ）＞Ｄ３（＝１８ｎｍ）
しかしながら、５００ｎｍ程度より短波長側において、反射率が急激に増加する傾向がる。これは、構造体の先端部の平面状となっており、先端部の面積が大きくなっているためと考えられる。

以上により、急峻な斜面には透明導電膜は薄く付着し、フラットな面に近いほど透明導電膜が厚く付着する傾向がある。
また、構造体全体に均一に成膜されていると、成膜前後の光学特性変化が小さくなる傾向がある。
また、構造体の形状が自由曲面に近いほど、透明導電膜が構造体全体に均一に付着する傾向がある。

＜７．充填率、および径の比率と反射特性との関係＞
次に、ＲＣＷＡ（Rigorous Coupled Wave Analysis）シミュレーションにより、比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）と反射防止特性との関係について検討を行った。

（試験例１）
図４７Ａは、構造体を六方格子状に配列したときの充填率を説明するための図である。図４７Ａに示すにように、構造体を六方格子状に配列した場合において、比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）（但し、Ｐ１：同一トラック内における構造体の配置ピッチ、ｒ：構造体底面の半径）を変化させたときの充填率を以下の式（２）により求めた。
充填率＝（Ｓ（hex.）／Ｓ（unit））×１００ ・・・（２）
単位格子面積：Ｓ（unit）＝２ｒ×（２√３）ｒ
単位格子内に存在する構造体の底面の面積：Ｓ（hex.）＝２×πｒ²
（但し、２ｒ＞Ｐ１のときは作図上から求める。）

例えば、配置ピッチＰ１＝２、構造体底面の半径ｒ＝１とした場合、Ｓ（unit）、Ｓ（hex.）、比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）、充填率は以下に示す値となる。
Ｓ（unit）＝６．９２８２
Ｓ（hex.）＝６．２８３１９
（２ｒ／Ｐ１）×１００＝１００．０％
充填率＝（Ｓ（hex.）／Ｓ（unit））×１００＝９０．７％

表７に、上述の式（２）により求めた充填率と比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）との関係を示す。

（試験例２）
図４７Ｂは、構造体を四方格子状に配列したときの充填率を説明するための図である。図４７Ｂに示すにように、構造体を四方格子状に配列した場合において、比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）、比率（（２ｒ／Ｐ２）×１００）、（但し、Ｐ１：同一トラック内における構造体の配置ピッチ、Ｐ２：トラックに対して４５度方向の配置ピッチ、ｒ：構造体底面の半径）を変化させたときの充填率を以下の式（３）により求めた。
充填率＝（Ｓ（tetra）／Ｓ（unit））×１００ ・・・（３）
単位格子面積：Ｓ（unit）＝２ｒ×２ｒ
単位格子内に存在する構造体の底面の面積：Ｓ（tetra）＝πｒ²
（但し、２ｒ＞Ｐ１のときは作図上から求める。）

例えば、配置ピッチＰ２＝２、構造体底面の半径ｒ＝１とした場合、Ｓ（unit）、Ｓ（tetra）、比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）、比率（（２ｒ／Ｐ２）×１００）、充填率は以下に示す値となる。
Ｓ（unit）＝４
Ｓ（tetra）＝３．１４１５９
（２ｒ／Ｐ１）×１００＝７０．７％
（２ｒ／Ｐ２）×１００＝１００．０％
充填率＝（Ｓ（tetra）／Ｓ（unit））×１００＝７８．５％

表８に、上述の式（３）により求めた充填率と、比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）、比率（（２ｒ／Ｐ２）×１００）との関係を示す。
また、四方格子の配置ピッチＰ１とＰ２との関係はＰ１＝√２×Ｐ２となる。

（試験例３）
配置ピッチＰ１に対する構造体底面の直径２ｒの比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）を８０％、８５％、９０％、９５％、９９％の大きさにして、以下の条件で反射率をシミュレーションにより求めた。その結果のグラフを図４８に示す。
構造体形状：釣鐘型
偏光：無偏光
屈折率：１．４８
配置ピッチＰ１：３２０ｎｍ
構造体の高さ：４１５ｎｍ
アスペクト比：１．３０
構造体の配列：六方格子

図４８から、比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が８５％以上あれば、およそ可視域の波長域(０．４〜０．７μｍ)において、平均反射率ＲがＲ＜０．５％となり、十分な反射防止効果が得られる。このとき底面の充填率は６５％以上である。また、比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が９０％以上あれば、可視域の波長域において平均反射率ＲがＲ＜０．３％となり、より高性能な反射防止効果が得られる。このとき底面の充填率は７３％以上であり、上限を１００％として充填率が高いほど性能が良くなる。構造体同士が重なり合う場合は、構造体高さは一番低い位置からの高さを考えることとする。また、四方格子においても、充填率と反射率の傾向は同様であることを確認した。

＜８．導電性光学シートを用いたタッチパネルの光学特性＞
（比較例１４）
図４９Ａは、比較例１４の抵抗膜式タッチパネルの構成を示す斜視図である。図４９Ｂは、比較例１４の抵抗膜式タッチパネルの構成を示す断面図である。なお、図４９Ｂ中の矢印は、タッチパネルに入射する入射光、および界面にて反射された反射光を示している。なお、以下に示す比較例１５、１６、実施例１９〜２２の抵抗膜式タッチパネルの構成を示す断面図でも、図中の矢印は同様のものを示している。

まず、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム１０２の一主面に、厚さ２６ｎｍのＩＴＯ膜１０３をスパッタリング法により成膜することにより、タッチ側となる第１の導電性基材１０１を作製した。次に、ガラス基板１１２の一主面に、厚さ２６ｎｍのＩＴＯ膜１１３をスパッタリング法により成膜することにより、表示装置側となる第２の導電性基材１１１を作製した。次に、第１の導電性基材１０１と第２の導電性基材１１１とを互いのＩＴＯ膜同士が対向するとともに、両基材間に空気層が形成されるように配置し、両基材の周縁部を粘着テープ１２１により貼り合わせた。これにより、抵抗膜式タッチパネル１００が得られた。

（反射率／透過率の評価）
上述のようにして得られた抵抗膜式タッチパネル１００の反射率を、ＪＩＳ Ｚ８７２２に準拠して測定した。また、液晶表示装置５４に貼り合わされた抵抗膜式タッチパネル１００の透過率を、ＪＩＳ Ｋ７１０５に準拠して測定した。

（視認性の評価）
上述のようにして得られた抵抗膜式タッチパネル１００の視認性を以下のようにして評価した。標準蛍光灯下に配置し、蛍光灯の写り込みを目視にて確認し、視認性を以下の基準に従って評価した。
×：蛍光灯の輪郭が明確にみえる
△：蛍光灯の輪郭がややぼやける
○：蛍光灯の輪郭がわかりにくく、反射光が明らかに弱い
◎：蛍光灯の輪郭がわからなく、ぼやけた光が反射する程度である

（比較例１５）
図５０Ａは、比較例１５の抵抗膜式タッチパネルの構成を示す斜視図である。図５０Ｂは、比較例１５の抵抗膜式タッチパネルの構成を示す断面図である。

第２の導電性基材１１１として、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム１１４の一主面に、厚さ２６ｎｍのＩＴＯ膜１１３を成膜したものを用いる以外は、比較例１と同様にして抵抗膜式タッチパネル１００を得た。次に、比較例１４と同様にして、反射率／透過率の評価、および視認性の評価を行った。

（比較例１６）
図５１Ａは、比較例１６の抵抗膜式タッチパネルの構成を示す斜視図である。図５１Ｂは、比較例１６の抵抗膜式タッチパネルの構成を示す断面図である。

まず、λ／４位相差フィルム１０４の一主面に、厚さ２６ｎｍのＩＴＯ膜１０３をスパッタリング法により成膜することにより、タッチ側となる第１の導電性基材１０１を作製した。次に、λ／４位相差フィルム１１５の一主面に、厚さ２６ｎｍのＩＴＯ膜１１３をスパッタリング法により成膜することにより、表示装置側となる第２の導電性基材１１１を作製した。次に、第１の導電性基材１０１と第２の導電性基材１１１とを互いのＩＴＯ膜同士が対向するとともに、両基材間に空気層が形成されるように配置し、両基材の周縁部を粘着テープ１２１により貼り合わせた。

次に、一主面にＡＲ（Anti-reflection）層１３２が形成された偏光子１３１を準備し、この偏光子１３１を、粘着テープ１２４を介して第１の導電性基材１０１のタッチ面側に対して貼り合わせた。この際、偏光子１３１と、液晶表示装置５４の表示面側に備えられた偏光子との透過軸が平行の関係となるように、偏光子１３１の位置を調整した。これにより、抵抗膜式タッチパネル１００が得られた。次に、比較例１４と同様にして、反射率／透過率の評価、および視認性の評価を行った。

（実施例１９）
図５２Ａは、実施例１９の抵抗膜式タッチパネルの構成を示す斜視図である。図５２Ｂは、実施例１９の抵抗膜式タッチパネルの構成を示す断面図である。

以下の構成を有する複数の構造体３が形成されるように、露光およびエッチングの条件を調整する以外は実施例１と同様にして光学シート２を得た。但し、基体なるフィルムとしては、ＰＥＴフィルムを用いた。
配置パターン：六方格子
構造体の凹凸：凸形状
構造体の形成面：片面
ピッチＰ１：２７０ｎｍ
ピッチＰ２：２７０ｎｍ
高さ：１６０ｎｍ
なお、構造体３のピッチ、高さ、およびアスペクト比は、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Atomic Force Microscope）による観察結果から得たものである。

次に、複数の構造体３が形成された光学シート２の一主面に、平均膜厚２６ｎｍのＩＴＯ膜４をスパッタリング法により成膜することにより、第１の導電性基材５１を作製した。次に、ＰＥＴフィルムを用いる以外は第１の導電性基材５１を作製したのと同様にして、第２の導電性基材５２を作製した。次に、第１の導電性基材５１と第２の導電性基材５２とを互いのＩＴＯ膜同士が対向するとともに、両基材間に空気層が形成されるように配置し、両基材の周縁部を粘着テープ５５により貼り合わせた。これにより、抵抗膜式タッチパネル５０が得られた。次に、比較例１４と同様にして、反射率／透過率の評価、および視認性の評価を行った。

（実施例２０）
図５３Ａは、実施例２０の抵抗膜式タッチパネルの構成を示す斜視図である。図５３Ｂは、実施例２０の抵抗膜式タッチパネルの構成を示す断面図である。

まず、実施例１９と同様にして、複数の構造体が一主面に配列された光学シート５１を形成した。次に、複数の構造体を一主面に形成したのと同様にして、光学シート５１の他主面にも複数の構造体３を形成した。これにより、複数の構造体３が両主面に配列された光学シート２が作製された。この光学シート２を用いて第１の導電性基材５１を作製する以外は実施例１９と同様にして抵抗膜式タッチパネル５０を得た。次に、比較例１４と同様にして、反射率／透過率の評価、および視認性の評価を行った。

（実施例２１）
図５４Ａは、実施例２１の抵抗膜式タッチパネルの構成を示す斜視図である。図５４Ｂは、実施例２１の抵抗膜式タッチパネルの構成を示す断面図である。

まず、λ／４位相差フィルム２の一主面に、厚さ２６μｍのＩＴＯ膜４をスパッタリング法により成膜することにより、タッチ側となる第１の導電性基材５１を作製した。次に、基体となるフィルムとして、λ／４位相差フィルム２を用いる以外は実施例１９と同様にして、第２の導電性基材５２を得た。次に、第１の導電性基材５１と第２の導電性基材５２とを互いのＩＴＯ膜同士が対向するとともに、両基材間に空気層が形成されるように配置し、両基材の周縁部を粘着テープ５５により貼り合わせた。次に、第１の導電性基材５１のタッチ側の面に、粘着テープ６０を介して偏光子５８を貼り合わせた後、この偏光子５８上にトッププレート（前面部材）５９を粘着テープ６１を介して貼り合わせた。次に、第２の導電性基材５２にガラス基板５６を粘着テープ５７を介して貼り合わせた。これにより、抵抗膜式タッチパネル５０が得られた。次に、比較例１４と同様にして、反射率／透過率の評価、および視認性の評価を行った。

（実施例２２）
図５５Ａは、実施例２２の抵抗膜式タッチパネルの構成を示す斜視図である。図５５Ｂは、実施例２２の抵抗膜式タッチパネルの構成を示す断面図である。

第１の導電性基材５１、および第２の導電性基材５２の２つの対向面のうち、第２の導電基材５２の対向面にのみ複数の構造体３を形成する以外は、実施例１９と同様にして抵抗膜式タッチパネル５０を得た。次に、この抵抗膜式タッチパネル５０のタッチ側となる面に、トッププレート（前面部材）５９を粘着テープ６０を介して貼り合わせた。次に、第２の導電性基材５２にガラス基板５６を粘着テープ５７を介して貼り合わせた。次に、比較例１４と同様にして、反射率／透過率の評価、および視認性の評価を行った。

表９に、比較例１４〜１６、実施例１９〜２２のタッチパネルの評価結果を示す。

但し、表９に記載された反射率、および透過率は、波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの全波長測定後、太陽光換算に補正した透過率、視感反射率換算におけるものである。

表９から以下のことがわかる。
第１および第２の導電性基材５１、５２の対向面に複数の構造体３を形成した実施例１９は、このようなモスアイ構造体３を対向面に形成していない比較例１４、１５に比して、反射率を大幅に低減でき、かつ、透過率を大幅に向上できる。
タッチ側となる第１の導電性基材５１の両主面に複数の構造体３を形成した実施例２０は、タッチ側となる面に偏光子１３１、およびＡＲ層１３２を積層した比較例１６のように透過率の大幅な低下を招くことなく、反射率を低減できる。
第１の導電性基材５１のタッチ側となる面に偏光子５８を配置した実施例２１は、第１の導電性基材５１のタッチ側となる面に偏光子５８を配置していない実施例２２に比して、反射率を低減することができる。

図５６は、実施例１９、２０、および比較例１５の抵抗膜式タッチパネルの反射特性を示すグラフである。図５６から、以下のことがわかる。
第１および第２の導電性基材５１、５２の対向面に複数の構造体３を形成した実施例１９、２０は、このようなモスアイ構造体３を対向面に形成していない比較例１５に比して、波長帯域３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの範囲において反射率を低減できる。
具体的には、実施例１９、２０は、人間の視感度が最も高い波長５５０ｎｍにおいて反射率６％以下の低反射特性を実現できているのに対して、比較例１５は、波長５５０ｎｍにおいて反射率１５％程度の低反射特性しか得られていない。
実施例１９、２０は、比較例１５に比して波長依存性が小さい。特に、タッチ側となる第１の導電性基材５１の両主面に複数の構造体３を形成した実施例２０は、波長依存性が小さく、波長帯域３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの範囲においてほぼフラットな反射特性を得ることができる。

＜９．モスアイ構造体による密着性向上＞
（実施例２３）
露光工程、およびエッチング工程の条件を調整し、下記構成の構造体を六方格子状に配列する以外は、実施例１と同様にして導電性光学シートを作製した。
高さＨ：２４０ｎｍ
配置ピッチＰ：２２０ｎｍ
アスペクト比（Ｈ／Ｐ）：１．０９

（実施例２４）
露光工程、およびエッチング工程の条件を調整し、下記構成の構造体を六方格子状に配列する以外は、実施例１と同様にして導電性光学シートを作製した。
高さＨ：１７０ｎｍ
配置ピッチＰ：２７０ｎｍ
アスペクト比（Ｈ／Ｐ）：０．６３

（比較例１７）
ＰＥＴフィルム上にハードコート層、ＩＴＯ膜を順次積層することにより、導電性光学シートを作製した。

（比較例１８）
ＰＥＴフィルム上にフィラー含有ハードコート層、ＩＴＯ膜を順次積層することにより、導電性光学シートを作製した。

（密着性の評価）
上述のようにして作製した導電性光学シートの電極面上に銀ペーストを塗布した後、１３０℃の環境下で３０分間焼成した。次に、碁盤目テープ剥離テストを行った。テープとしては、密着性が高いポリイミドテープを用いた。その結果を表１０に示す。

表１０から、密着性、および透過特性について以下のことがわかる。
実施例２３、２４では、テープ剥離後のはがれはないことがわかる。これに対して、比較例１７では、５〜６マス程度はがれがあり、比較例１８では、１８〜２４程度のはがれがある。
実施例２３、２４では、９５〜９６％の高透過率が得られているのに対して、比較例１７、１８では、８７〜９０％の透過率が得られるにすぎないことがわかる。

以上により、基材となるフィルム表面全体にモスアイ構造体を形成することで、導電性ペーストなどの配線材との密着性に優れ、かつ高透過率を有する透明導電性フィルムを実現することができる。また、モスアイ構造体の形成により、粘着ペーストなどの粘着剤、絶縁ペーストなどの絶縁材、およびドットスペーサなどとの密着性の向上も期待できる。

以上、本発明の実施形態および実施例について具体的に説明したが、本発明は、上述の実施形態および実施例に限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

例えば、上述の実施形態および実施例において挙げた数値、形状、材料および構成などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる数値、形状、材料および構成などを用いてもよい。

また、上述の実施形態の各構成は、本発明の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

また、上述の実施形態において、光学素子１が、構造体３が形成された側の凹凸面上に、低屈折率層をさらに備えるようにしてもよい。低屈折率層は、基体２、構造体３、および突出部５を構成する材料より低い屈折率を有する材料を主成分としていることが好ましい。このような低屈折率層の材料としては、例えばフッ素系樹脂などの有機系材料、またはＬｉＦ、ＭｇＦ₂などの無機系の低屈折率材料が挙げられる。

また、上述の実施形態において、熱転写により光学素子を作製するようにしてもよい。具体的には、熱可塑性樹脂を主成分とする基体を加熱し、この加熱により十分に柔らかくなった基体に対して、ロールマスタ１１やディスクマスタ４１などの判子（モールド）を押し当てることにより、光学素子１を作製する方法を用いるようにしてもよい。

上述の実施形態では、抵抗膜式のタッチパネルに対して本発明を適用した例を説明したが、本発明はこの例に限定されるものではなく、静電容量式、超音波式、または光学式のタッチパネルなどに対しても適用可能である。

１ 光学素子
２ 基体
３ 構造体
４ 突出部
１１ ロールマスタ
１２ 基体
１３ 構造体
１４ レジスト層
１５ レーザー光
１６ 潜像
２１ レーザー
２２ 電気光学変調器
２３，３１ ミラー
２４ フォトダイオード
２６ 集光レンズ
２７ 音響光学変調器
２８ コリメータレンズ
２９ フォマッター
３０ ドライバ
３２ 移動光学テーブル系
３３ ビームエキスパンダ
３４ 対物レンズ
３５ スピンドルモータ
３６ ターンテーブル
３７ 制御機構

Claims (19)

1. 表面を有する基体と、
   上記基体の表面に可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された凸部または凹部からなる構造体と、
   上記構造体上に形成された透明導電膜と、
   を備え、
   上記構造体が、錐体形状を有し、
   上記構造体のアスペクト比は０．２以上１．７８以下であり、
   上記透明導電膜は上記構造体に倣った表面を有し、
   上記構造体の頂部における透明導電膜の平均膜厚Ｄ _m １が、５ｎｍ以上８０ｎｍ以下であり、
   上記透明導電膜の表面抵抗は、２７０Ω／□以上４０００Ω／□以下の範囲である透明導電性電極。
2. 上記構造体は、楕円錐または楕円錐台形状である、反射防止機能を有する請求項１記載の透明導電性電極。
3. 上記構造体は、頂部に曲面を有する請求項２記載の透明導電性電極。
4. 上記構造体は、上記基体の表面において複数列のトラックをなすように配置され、
   上記トラックが、直線状、または円弧状を有する請求項１記載の透明導電性電極。
5. 上記構造体は、上記基体の表面において複数列のトラックをなすように配置され、
   上記トラックが、蛇行している請求項１記載の透明導電性電極。
6. 上記基材は、上記表面とは反対側の他の表面を有し、
   上記基体の他の表面に可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された、凸部または凹
   部からなる構造体をさらに備える請求項１記載の透明導電性電極。
7. 上記構造体は、上記基体の表面において複数列のトラックをなすように配置され、
   上記構造体は、上記トラックの延在方向に長軸方向を有する楕円錐または楕円錐台形状
   である請求項１記載の透明導電性電極。
8. 上記構造体は、上記基体の表面において複数列のトラックをなすように配置されている
   とともに、六方格子パターン、準六方格子パターン、四方格子パターンまたは準四方格子
   パターンを形成する請求項１記載の透明導電性電極。
9. 上記構造体の頂部における透明導電膜の平均膜厚をＤ_m１、上記構造体の傾斜面におけ
   る透明導電膜の平均膜厚をＤ_m２、上記構造体間における透明導電膜の平均膜厚をＤ_m３と
   したときに、Ｄ_m１＞Ｄ_m３＞Ｄ_m２の関係を満たす請求項１記載の透明導電性電極。
10. 上記構造体の傾斜面における透明導電膜の平均膜厚Ｄ_m２は、９ｎｍ以上３０ｎｍ以下
    の範囲内である請求項１記載の透明導電性電極。
11. 上記構造体の頂部における透明導電膜の平均膜厚Ｄ_m１は、２５ｎｍ以上５０ｎｍ以下
    の範囲内であり、
    上記構造体の傾斜面における透明導電膜の平均膜厚Ｄ_m２は、９ｎｍ以上３０ｎｍ以下
    の範囲内であり、
    上記構造体間における透明導電膜の平均膜厚Ｄ_m３は、９ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲
    内である請求項１記載の透明導電性電極。
12. 上記基体の表面に対する上記構造体の充填率が、６５％以上である請求項１記載の透明導電性電極。
13. 上記基体の表面に対する上記構造体の充填率が、７３％以上である請求項１２記載の透明導電性電極。
14. 上記配置ピッチＰ１に対する上記径２ｒの比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が、８５％以上である請求項１記載の透明導電性電極。
15. 上記配置ピッチＰ１に対する上記径２ｒの比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が、９０％以上である請求項１４記載の透明導電性電極。
16. 上記透明導電膜は、透明電極パターンである請求項１記載の透明導電性電極。
17. 請求項１〜１６のいずれか１項に記載の透明導電性電極を備えるタッチパネル。
18. 請求項１〜１６のいずれか１項に記載の透明導電性電極を備える情報入力装置。
19. 請求項１〜１６のいずれか１項に記載の透明導電性電極を備える表示装置。

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