JP2012216084A - 情報入力装置 - Google Patents

Abstract

【課題】視認性に優れた情報入力装置を提供する。
【解決手段】情報入力装置は、表面を有する光学層と、表面に形成された複数の第１の電極と、表面に第１の電極と交差するように形成された複数の第２の電極と、第１の電極と第２の電極とが交差する交差部に介在された透明絶縁層とを備える。光学層の表面は、可視光の波長以下の平均波長を有する波面であり、波面の平均波長をλｍとし、波面の振動の平均幅をＡｍとしたき、比率（Ａｍ／λｍ）が、０．２以上１．０以下の範囲内である。
【選択図】図１

Description

本技術は、情報入力装置に関する。詳しくは、互いに交差するように形成された第１の電極および第２の電極を光学層表面に有する情報入力装置に関する。

近年、携帯電話や携帯音楽端末などのモバイル機器にタッチパネル（入力装置）が搭載されるケースが増えている。タッチパネルは、指やペンなどにより接触が行われた場所の位置検出を行うための入力装置である。このようなタッチパネルには、抵抗膜型や静電容量型などがあるが、モバイル機器には静電容量型が非常に多く用いられている。

静電容量型タッチパネルでは、例えば、互いに交差する方向に電極パターンを延在させて、指などが接触あるいは近接した際、電極間の静電容量が変化することを検知して入力位置を検出するタイプのものがある（例えば、特許文献１参照）。

特開２００３−１７３２３８号公報

しかしながら、上述の従来技術では、２枚の透明導電性フィルムを使用するため、内部反射が増加し、視認性が低下してしまう。また、電極パターンが形成されている部分と形成されていない部分との光学特性の違いにより、電極パターンが視認されてしまう。

したがって、本技術の目的は、視認性に優れた情報入力装置を提供することにある。

上述の課題を解決するために、本技術は、
表面を有する光学層と、
表面に形成された複数の第１の電極と、
表面に第１の電極と交差するように形成された複数の第２の電極と、
第１の電極と第２の電極とが交差する交差部に介在された透明絶縁層と
を備え、
光学層の表面は、可視光の波長以下の平均波長を有する波面であり、
波面の平均波長をλｍとし、波面の振動の平均幅をＡｍとしたき、比率（Ａｍ／λｍ）が、０．２以上１．０以下の範囲内である情報入力装置である。

本技術において、光学層の波面は、複数の構造体を基体表面に配列することにより形成されていることが好ましい。構造体は、凸状または凹状を有し、所定の格子状に配置されていることが好ましい。格子状としては、四方格子状もしくは準四方格子状、または六方格子状もしくは準六方格子状を用いることが好ましい。

本技術において、同一トラック内における構造体の配置ピッチＰ１は、隣接する２つのトラック間における構造体の配置ピッチＰ２よりも長いことが好ましい。このようにすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体の充填率を向上することができるので、光学調整機能を向上することができる。

本技術において、各構造体が、基体表面において六方格子パターン、または準六方格子パターンを形成している場合には、同一トラック内における構造体の配置ピッチをＰ１、隣接する２つのトラック間における構造体の配置ピッチをＰ２としたとき、比率Ｐ１／Ｐ２が、１．００≦Ｐ１／Ｐ２≦１．１、または１．００＜Ｐ１／Ｐ２≦１．１の関係を満たすことが好ましい。このような数値範囲にすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体の充填率を向上することができるので、光学調整機能を向上することができる。

本技術において、各構造体が、基体表面において六方格子パターン、または準六方格子パターンを形成している場合には、各構造体は、トラックの延在方向に長軸方向を有し、中央部の傾きが先端部および底部の傾きよりも急峻に形成された楕円錐または楕円錐台形状であることが好ましい。このような形状にすることで、光学調整機能を向上することができる。

本技術において、各構造体が、基体表面において六方格子パターン、または準六方格子パターンを形成している場合には、トラックの延在方向における構造体の高さまたは深さは、トラックの列方向における構造体の高さまたは深さよりも小さいことが好ましい。このような関係を満たさない場合には、トラックの延在方向の配置ピッチを長くする必要が生じるため、トラックの延在方向における構造体の充填率が低下する。このように充填率が低下すると、光学調整機能の低下を招くことになる。

本技術において、構造体が、基体表面において四方格子パターンまたは準四方格子パターンを形成している場合には、同一トラック内における構造体の配置ピッチＰ１は、隣接する２つのトラック間における構造体の配置ピッチＰ２よりも長いことが好ましい。このようにすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体の充填率を向上することができるので、光学調整機能を向上することができる。

構造体が、基体表面において四方格子パターンまたは準四方格子パターンを形成している場合には、同一トラック内における構造体の配置ピッチをＰ１、隣接する２つのトラック間における構造体の配置ピッチをＰ２としたとき、比率Ｐ１／Ｐ２が、１．４＜Ｐ１／Ｐ２≦１．５の関係を満たすことが好ましい。このような数値範囲にすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体の充填率を向上することができるので、光学調整機能を向上することができる。

構造体が、基体表面において四方格子パターンまたは準四方格子パターンを形成している場合には、各構造体は、トラックの延在方向に長軸方向を有し、中央部の傾きが先端部および底部の傾きよりも急峻に形成された楕円錐または楕円錐台形状であることが好ましい。このような形状にすることで、光学調整機能を向上することができる。

構造体が、基体表面において四方格子パターンまたは準四方格子パターンを形成している場合には、トラックに対して４５度方向または約４５度方向における構造体の高さまたは深さは、トラックの列方向における構造体の高さまたは深さよりも小さいことが好ましい。このような関係を満たさない場合には、トラックに対して４５度方向または約４５度方向における配置ピッチを長くする必要が生じるため、トラックに対して４５度方向または約４５度方向における構造体の充填率が低下する。このように充填率が低下すると、光学調整機能の低下を招くことになる。

本技術において、微細ピッチで基体表面に多数配設けられた構造体が、複数列のトラックをなしていると共に、隣接する３列のトラック間において、格子パターンを形成していることが好ましい。格子パターンとしては、六方格子パターン、準六方格子パターン、四方格子パターンおよび準四方格子パターンの少なくとも１種を用いることが好ましい。これにより、表面における構造体の充填密度を高くすることができる。したがって、光学調整機能を高めた情報入力装置を得ることができる。

本技術において、光ディスクの原盤作製プロセスとエッチングプロセスとを融合した方法を用いて光学層を作製することが好ましい。光学層作製用原盤を短時間で効率良く製造することができるとともに情報入力装置の大型化にも対応でき、これにより、情報入力装置の生産性の向上を図ることができる。

本技術では、光学層の同一面に第１の電極と第２の電極とを形成しているので、光学層の層数を減らすことができる。したがって、内部反射を低減し、視認性の低下を抑制することができる。

本技術では、可視光の波長以下の平均波長を有する波面に第１の電極および第２の電極を形成することともに、波面の平均波長λｍと波面の振動の平均幅Ａｍとの比率（Ａｍ／λｍ）を０．２以上１．０以下の範囲内としている。したがって、波長依存性の少ない、視認性の優れた光学調整機能を得ることができる。したがって、第１の電極および第２の電極の視認を抑制することができる。ここで、光学調整機能とは、透過特性および／または反射特性の光学調整機能を示す。

以上説明したように、本技術によれば、情報入力装置の視認性を向上することができる。

図１Ａは、本技術の第１の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を示す概略平面図である。図１Ｂは、図１Ａに示したＡ−Ａ線に沿った概略断面図である。 図２Ａは、光学層の表面形状の一例を示す斜視図である。図２Ｂは、図２Ａに示したＡ−Ａ線に沿った断面図である。図２Ｃは、光学層の表面に形成された複数の構造体の配列の一例を示す平面図である。 図３は、構造体の境界が不明瞭な場合の構造体底面の設定方法について説明するための概略図である。 図４Ａは、図１Ａに示した交差部Ｃの付近を拡大して示す平面図である。図４Ｂは、図４Ａに示したＡ−Ａ線に沿った断面図である。 図５Ａは、本技術の第１の実施形態に係る情報入力装置の電極パターンの第１の例を示す概略平面図である。図５Ｂは、本技術の第１の実施形態に係る情報入力装置の電極パターンの第２の例を示す概略平面図である。 図６Ａは、本技術の第１の実施形態に係る情報入力装置の電極パターンの第３の例を示す概略平面図である。図６Ｂは、本技術の第１の実施形態に係る情報入力装置の電極パターンの第４の例を示す概略平面図である。 図７Ａは、第１の連結部の第１の構成例を示す概略図である。図７Ｂは、第１の連結部の第２の構成例を示す概略図である。図７Ｃは、第１の連結部の第３の構成例を示す概略図である。 図８Ａは、透明絶縁層の第１の形状例を示す概略図である。図８Ｂは、透明絶縁層の第２の形状例を示す概略図である。図８Ｃは、透明絶縁層の第３の形状例を示す概略図である。図８Ｄは、透明絶縁層の第４の形状例を示す概略図である。 図９Ａは、透明絶縁層の第５の形状例を示す概略図である。図９Ｂは、透明絶縁層の第６の形状例を示す概略図である。図９Ｃは、透明絶縁層の第７の形状例を示す概略図である。図９Ｄは、透明絶縁層の第８の形状例を示す概略図である。 図１０Ａは、図４Ｂに示した領域Ｒ₁を拡大して示す断面図である。図１０Ｂは、図４Ｂに示した領域Ｒ₂を拡大して示す断面図である。 図１１Ａは、第１の電極の表面形状の一例を説明するための拡大断面図である。図１１Ｂは、第１の電極の膜厚を説明するための拡大断面図である。 図１２Ａは、ロール原盤の構成の一例を示す斜視図である。図１２Ｂは、図１２Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す平面図である。図１２Ｃは、図１２ＢのトラックＴにおける断面図である。 図１３は、ロール原盤露光装置の構成の一例を示す概略図である。 図１４Ａ〜図１４Ｄは、本技術の第１の実施形態に係る情報入力装置の製造方法の一例を説明するための工程図である。 図１５Ａ〜図１４Ｃは、本技術の第１の実施形態に係る情報入力装置の製造方法の一例を説明するための工程図である。 図１６Ａ〜図１６Ｄは、本技術の第１の実施形態に係る情報入力装置の製造方法の一例を説明するための工程図である。 図１７は、本技術の第２の実施形態に係る情報入力装置の光学層の表面形状の一例を示す平面図である。 図１８Ａは、本技術の第３の実施形態に係る情報入力装置の光学層の表面形状の一例を示す平面図である。図１８Ｂは、本技術の第３の実施形態に係る情報入力装置の光学層の表面形状の一例を示す断面図である。 図１９は、本技術の第４の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を示す断面図である。 図２０Ａは、サンプル１−１〜１−３の基体表面に配列された複数の構造体を示す平面図である。図２０Ｂは、サンプル１−１〜１−３の透明導電性素子の反射スペクトルを示すグラフである。 図２１は、サンプル２−１〜２−３の透明導電性素子の透過スペクトルの測定結果を示すグラフである。 図２２Ａは、サンプル３−１〜３−３の透明導電性素子の反射スペクトルを示すグラフである。図２２Ｂは、サンプル３−１〜３−３の透明導電性素子の透過スペクトルを示すグラフである。 図２３は、サンプル４−１〜４−４の透明導電性素子の反射スペクトルを示すグラフである。 図２４は、サンプル６−１、６−２およびサンプル６−３、６−４の透明導電性素子の反射率の差ΔＲを示すグラフである。 図２５Ａは、サンプル７−１の透明導電性素子の反射スペクトルを示すグラフである。図２５Ｂは、サンプル７−２の透明導電性素子の反射スペクトルを示すグラフである。図２５Ｃは、サンプル７−３の透明導電性素子の反射スペクトルを示すグラフである。 図２６Ａは、サンプル７−２の透明導電層の厚さＤ１、Ｄ２、Ｄ３を示す断面図である。図２６Ｂは、サンプル７−３の透明導電層の厚さＤ１、Ｄ２、Ｄ３を示す断面図である。 図２７は、サンプル９−１〜１０−５の透明導電性シートの表面抵抗値の測定結果を示すグラフである。

本技術の実施形態について図面を参照しながら以下の順序で説明する。なお、以下の実施形態の全図においては、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
（１）第１の実施形態（光学層の波面に電極パターンを形成した情報入力装置の例）
（１−１）情報入力装置の概略構成
（１−２）情報入力装置の構成要素
（１−２−１）第１の光学層
（１−２−２）第２の光学層
（１−２−３）第１の電極および第２の電極
（１−２−４）電極の形状
（１−３）光学特性
（１−４）ロール原盤の構成
（１−５）露光装置の構成
（１−６）情報入力装置の製造方法
（２）第２の実施形態（複数の構造体を（準）四方格子状に配列することにより波面を形成した情報入力装置の例）
（３）第３の実施形態（複数の構造体をランダムに配列することにより波面を形成した情報入力装置の例）
（４）第４の実施形態（電極面側を表示装置の表示面に対向させた情報入力装置の例）
（５）本技術の構成

（１）第１の実施形態
（１−１）情報入力装置の概略構成
図１Ａは、本技術の第１の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を示す概略平面図である。図１Ｂは、図１Ａに示したＡ−Ａ線に沿った概略断面図である。情報入力装置１は、いわゆる投影型静電容量方式タッチパネルであり、図１Ａおよび図１Ｂに示すように、表面を有する光学層（第１の光学層）２と、光学層２の同一の表面に形成された複数の第１の電極３および複数の第２の電極４と、第１の電極３および第２の電極４の間に介在された透明絶縁層５とを備える。光学層２の表面は波面であり、この波面に倣うように第１の電極３および第２の電極４が形成されている。また、図１Ｂに示すように、必要に応じて、第１の電極３および第２の電極４が形成された光学層２の表面に光学層（第１の光学層）６をさらに備えるようにしてもよい。光学層６は、貼合層７と、基体８とを備え、貼合層７を介して基体８が光学層２の表面に貼り合わされている。情報入力装置１は、表示装置の表示面に対して適用して好適なものである。光学層２および光学層６は、例えば、可視光に対して透明性を有しており、その屈折率ｎは、１．２以上１．７以下の範囲内であることが好ましい。以下では、情報入力装置１の表面の面内で互いに直交する２方向をそれぞれＸ軸方向、およびＹ軸方向とし、その表面に垂直な方向をＺ軸方向と称する。

第１の電極３は、光学層２の表面においてＸ軸方向（第１の方向）に延在されているに対して、第２の電極４は、光学層２の表面においてＹ軸方向（第２の方向）に向かって延在されている。したがって、第１の電極３と第２の電極４とは直交するように交差している。第１の電極３と第２の電極４とが交差する交差部Ｃには、両電極間を絶縁するための透明絶縁層５が介在されている。第１の電極３および第２の電極４の一端にはそれぞれ、取り出し電極１１が電気的に接続され、この取り出し電極１１と駆動回路（図示省略）とがＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）１２を介して接続されている。

（１−２）情報入力装置の構成要素
（１−２−１）第１の光学層
（第１の光学層の表面形状）
図２Ａは、光学層の表面形状の一例を示す斜視図である。図２Ａに示すように、光学層２は、一主面に波面Ｓｗを有している。波面Ｓｗの平均波長λｍに対する波面Ｓｗの振動の平均幅Ａｍの比率（Ａｍ／λｍ）が、好ましくは０．２以上１．０以下、より好ましくは０．３以上０．８以下の範囲内である。比率（Ａｍ／λｍ）が０．２未満であると、波面Ｓｗによる光学調整機能が低下する傾向がある。一方、比率（Ａｍ／λｍ）が１．０を超えると、電気的信頼性が低下する傾向がある。

波面Ｓｗの平均波長λｍは、光学調整機能を目的とする光の波長帯域以下であることが好ましい。光学調整機能を目的とする光の波長帯域は、例えば、紫外光の波長帯域、可視光の波長帯域または赤外光の波長帯域である。ここで、紫外光の波長帯域とは１０ｎｍ〜３６０ｎｍの波長帯域、可視光の波長帯域とは３６０ｎｍ〜８３０ｎｍの波長帯域、赤外光の波長帯域とは８３０ｎｍ〜１ｍｍの波長帯域をいう。具体的には、波面Ｓｗの平均波長λｍは、好ましくは１４０ｎｍ以上３００ｎｍ以下、より好ましくは１５０ｎｍ以上２７０ｎｍ以下の範囲内である。波面Ｓｗの平均波長λｍが１４０ｎｍ未満であると、電気特性が悪化する傾向がある。一方、波面Ｓｗの平均波長λｍが３００ｎｍを超えると、視認性が悪化する傾向がある。

波面Ｓｗの振動の平均幅Ａｍは、好ましくは２８ｎｍ以上３００ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以上２４０ｎｍ以下、さらに好ましくは８０ｎｍ以上２４０ｎｍ以下の範囲内である。波面Ｓｗの振動の平均幅Ａｍが２８ｎｍ未満であると、光学調整機能が劣化する傾向がある。一方、波面Ｓｗの振動の平均幅Ａｍが３００ｎｍを超えると、電気特性が劣化する傾向がある。

ここで、波面Ｓｗの平均波長λｍ、振動の平均幅Ａｍ、および比率（Ａｍ／λｍ）は、以下のようにして求めたものである。まず、波面Ｓｗの振動の幅が最大となる位置を含むようにして情報入力装置１を一方向に切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Transmission Electron Microscope）にて撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、波面Ｓｗの波長λおよび振動の幅Ａを求める。この測定を情報入力装置１から無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値を単純に平均（算術平均）して波面Ｓｗの平均波長λｍ、および振動の平均幅Ａｍを求める。次に、これらの平均波長λｍ、および振動の平均幅Ａｍを用いて、比率（Ａｍ／λｍ）を求める。

波面Ｓｗのうち斜面の平均角度が、好ましくは６０°以下、より好ましくは３０°以上６０°以下の範囲内である。平均角度が３０°未満であると、波面Ｓｗによる電気的信頼性が低下する傾向がある。一方、平均角度が６０°を超えると、電気的信頼が低下する傾向がある。また、平均角度が６０°を超えると、第１の電極３および第２の電極４を作製する際の透明導電層のエッチング耐性が低下する傾向にある。

（第１の光学層の構成）
図２Ｂは、図２Ａに示したＡ−Ａ線に沿った断面図である。図２Ｂに示すように、光学層２は、例えば、基体２１と、基体２１の表面に形成された複数の構造体２３とを備える。複数の構造体２３は、複数の列をなすように配置されている。波面Ｓｗは、このように配列された複数の構造体２３により形成されている。構造体２３は、例えば、基体２１の表面に対して凸状または凹状を有している。なお、図２Ａおよび図２Ｂでは、構造体２３が、基体２１の表面に対して凸状を有する例が示されている。構造体２３と基体２１とは、例えば、別成形または一体成形されている。構造体２３と基体２１とが別成形されている場合には、必要に応じて構造体２３と基体２１との間に基底層２２をさらに備えるようにしてもよい。基底層２２は、構造体２３の底面側に構造体２３と一体成形される層であり、構造体２３と同様のエネルギー線硬化性樹脂組成物などを硬化してなる。

（基体）
基体２１は、例えば、透明性を有する透明基体である。基体２１の材料としては、例えば、透明性を有するプラスチック材料、ガラスなどを主成分とするものが挙げられるが、これらの材料に特に限定されるものではない。

ガラスとしては、例えば、ソーダライムガラス、鉛ガラス、硬質ガラス、石英ガラス、液晶化ガラスなど（「化学便覧」基礎編、P.I-537、日本化学会編参照）が用いられる。プラスチック材料としては、透明性、屈折率、および分散などの光学特性、さらには耐衝撃性、耐熱性、および耐久性などの諸特性の観点から、ポリメチルメタアクリレート、メチルメタクリレートと他のアルキル（メタ）アクリレート、スチレンなどといったビニルモノマーとの共重合体などの（メタ）アクリル系樹脂；ポリカーボネート、ジエチレングリコールビスアリルカーボネート（CR-39）などのポリカーボネート系樹脂；（臭素化）ビスフェノールＡ型のジ（メタ）アクリレートの単独重合体ないし共重合体、（臭素化）ビスフェノールＡモノ（メタ）アクリレートのウレタン変性モノマーの重合体及び共重合体などといった熱硬化性（メタ）アクリル系樹脂；ポリエステル特にポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートおよび不飽和ポリエステル、アクリロニトリル−スチレン共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、シクロオレフィンポリマー（商品名：アートン、ゼオノア）、シクロオレフィンコポリマーなどが好ましい。また、耐熱性を考慮したアラミド系樹脂の使用も可能である。ここで、（メタ）アクリレートは、アクリレートまたはメタアクリレートを意味する。

基体２１としてプラスチック材料を用いる場合、プラスチック表面の表面エネルギー、塗布性、すべり性、平面性などをより改善するために、表面処理として下塗り層を設けるようにしてもよい。この下塗り層としては、例えば、オルガノアルコキシメタル化合物、ポリエステル、アクリル変性ポリエステル、ポリウレタンなどが挙げられる。また、下塗り層を設けるのと同様の効果を得るために、基体２１の表面に対してコロナ放電、ＵＶ照射処理を行うようにしてもよい。

基体２１がプラスチックフィルムである場合には、基体２１は、例えば、上述の樹脂を伸延、あるいは溶剤に希釈後フィルム状に成膜して乾燥するなどの方法で得ることができる。また、基体２１の厚さは、情報入力装置１の用途に応じて適宜選択することが好ましく、例えば２５μｍ〜５００μｍ程度である。

基体２１の形状としては、例えば、シート状、プレート状、ブロック状を挙げることができるが、特にこれらの形状に限定されるものではない。ここで、シートにはフィルムが含まれるものと定義する。

（構造体）
図２Ｃは、光学層の表面に形成された複数の構造体の配列の一例を示す平面図である。図２Ｃに示すように、複数の構造体２３は、基体２１の表面に対して２次元配列されている。構造体２３は、反射の低減または透過の向上を目的とする光の波長帯域以下の短い平均配置ピッチで周期的に２次元配列されていることが好ましい。

複数の構造体２３は、基体２１の表面において複数列のトラックＴ１，Ｔ２，Ｔ３，・・・（以下総称して「トラックＴ」ともいう。）をなすような配置形態を有する。本技術において、トラックとは、構造体２３が列をなして連なった部分のことをいう。トラックＴの形状としては、直線状、円弧状などを用いることができ、これらの形状のトラックＴをウォブル（蛇行）させるようにしてもよい。このようにトラックＴをウォブルさせることで、外観上のムラの発生を抑制できる。

トラックＴをウォブルさせる場合には、基体２１上における各トラックＴのウォブルは、同期していることが好ましい。すなわち、ウォブルは、シンクロナイズドウォブルであることが好ましい。このようにウォブルを同期させることで、六方格子または準六方格子の単位格子形状を保持し、充填率を高く保つことができる。ウォブルしたトラックＴの波形としては、例えば、サイン波、三角波などを挙げることができる。ウォブルしたトラックＴの波形は、周期的な波形に限定されるものではなく、非周期的な波形としてもよい。ウォブルしたトラックＴのウォブル振幅は、例えば±１０ｎｍ程度に選択される。

構造体２３は、例えば、隣接する２つのトラックＴ間において、半ピッチずれた位置に配置されている。具体的には、隣接する２つのトラックＴ間において、一方のトラック（例えばＴ１）に配列された構造体２３の中間位置（半ピッチずれた位置）に、他方のトラック（例えばＴ２）の構造体２３が配置されている。その結果、図３Ｂに示すように、隣接する３列のトラック（Ｔ１〜Ｔ３）間においてａ１〜ａ７の各点に構造体２３の中心が位置する六方格子パターンまたは準六方格子パターンを形成するように構造体２３が配置されている。

ここで、六方格子とは、正六角形状の格子のことをいう。準六方格子とは、正六角形状の格子とは異なり、歪んだ正六角形状の格子のことをいう。例えば、構造体２３が直線上に配置されている場合には、準六方格子とは、正六角形状の格子を直線状の配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませた六方格子のことをいう。構造体２３が円弧状に配置されている場合には、準六方格子とは、正六角形状の格子を円弧状に歪ませた六方格子、または正六角形状の格子を配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませ、かつ、円弧状に歪ませた六方格子のことをいう。構造体２３が蛇行して配列されている場合には、準六方格子とは、正六角形状の格子を構造体２３の蛇行配列により歪ませた六方格子、または正六角形状の格子を配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませ、かつ、構造体２３の蛇行配列により歪ませた六方格子のことをいう。

構造体２３が準六方格子パターンを形成するように配置されている場合には、図２Ｃに示すように、同一トラック（例えばＴ１）内における構造体２３の配置ピッチＰ１（例えばａ１〜ａ２間距離）は、隣接する２つのトラック（例えばＴ１およびＴ２）間における構造体２３の配置ピッチ、すなわちトラックの延在方向に対して±θ方向における構造体２３の配置ピッチＰ２（例えばａ１〜ａ７、ａ２〜ａ７間距離）よりも長くなっていることが好ましい。このように構造体２３を配置することで、構造体２３の充填密度の更なる向上を図れるようになる。

構造体２３の具体的な形状としては、例えば、錐体状、柱状、針状、半球体状、半楕円体状、多角形状などが挙げられるが、これらの形状に限定されるものではなく、他の形状を採用するようにしてもよい。錐体状としては、例えば、頂部が尖った錐体形状、頂部が平坦な錐体形状、頂部に凸状または凹状の曲面を有する錐体形状が挙げられ、電気的信頼性の観点からすると、頂部に凸状の曲面を有する錐体形状が好ましいが、これらの形状に限定されるものではない。頂部に凸状の曲面を有する錐体形状としては、例えば、放物面状などの２次曲面状が挙げられる。また、錐体状の錐面を凹状または凸状に湾曲させるようにしてもよい。後述するロール原盤露光装置（図１３参照）を用いてロール原盤を作製する場合には、構造体２３の形状として、頂部に凸状の曲面を有する楕円錐形状、または頂部が平坦な楕円錐台形状を採用し、それらの底面を形成する楕円形の長軸方向をトラックＴの延在方向と一致させることが好ましい。ここで、楕円、球体、楕円体などの形状には、数学的に定義される完全な楕円、球体、楕円体などの形状のみならず、多少の歪みが付与された楕円、球体、楕円体などの形状も含まれる。

光学調整機能の向上の観点からすると、頂部の傾きが緩やかで中央部から底部に徐々に急峻な傾きの錐体形状が好ましい。また、反射特性および透過特性の光学調整機能の向上の観点からすると、中央部の傾きが底部および頂部より急峻な錐形形状、または、頂部が平坦な錐体形状であることが好ましい。構造体２３が楕円錐形状または楕円錐台形状を有する場合、その底面の長軸方向が、トラックの延在方向と平行となることが好ましい。

構造体２３は、その底部の周縁部に、頂部から下部の方向に向かってなだらかに高さが低下する曲面部２３ｂを有することが好ましい。情報入力装置１の製造工程において光学層２を原盤などから容易に剥離することが可能になるからである。なお、曲面部２３ｂは、構造体２３の周縁部の一部にのみ設けてもよいが、上記剥離特性の向上の観点からすると、構造体２３の周縁部の全部に設けることが好ましい。

構造体２３の周囲の一部または全部に突出部２３ａを設けることが好ましい。このようにすると、構造体２３の充填率が低い場合でも、反射率を低く抑えることができるからである。突出部２３ａは、成形の容易さの観点からすると、隣り合う構造体２３の間に設けることが好ましい。また、構造体２３の周囲の一部または全部の表面を荒らし、微細の凹凸を形成するようにしてもよい。具体的には例えば、隣り合う構造体２３の間の表面を荒らし、微細な凹凸を形成するようにしてもよい。また、構造体２３の表面、例えば頂部に微小な穴を形成するようにしてもよい。

なお、図２Ａ〜図２Ｃでは、各構造体２３がそれぞれ同一の大きさ、形状および高さを有しているが、構造体２３の形状はこれに限定されるものではなく、基体表面に２種以上の大きさ、形状および高さを有する構造体２３が形成されていてもよい。

トラックの延在方向における構造体２３の高さＨ１は、列方向における構造体２３の高さＨ２よりも小さいことが好ましい。すなわち、構造体２３の高さＨ１、Ｈ２がＨ１＜Ｈ２の関係を満たすことが好ましい。Ｈ１≧Ｈ２の関係を満たすように構造体２３を配列すると、トラックの延在方向の配置ピッチＰ１を長くする必要が生じるため、トラックの延在方向における構造体２３の充填率が低下するためである。このように充填率が低下すると、光学調整機能の低下を招くことになる。

なお、構造体２３のアスペクト比は全て同一である場合に限らず、各構造体２３が一定の高さ分布をもつように構成されていてもよい。高さ分布を有する構造体２３を設けることで、光学調整機能の波長依存性を低減することができる。したがって、優れた光学調整機能を有する情報入力装置１を実現することができる。

ここで、高さ分布とは、２種以上の高さを有する構造体２３が基体２１の表面に設けられていることを意味する。例えば、基準となる高さを有する構造体２３と、この構造体２３とは異なる高さを有する構造体２３とが基体２１の表面に設けるようにしてもよい。この場合、基準とは異なる高さを有する構造体２３は、例えば基体２１の表面に周期的または非周期的（ランダム）に設けられる。その周期性の方向としては、例えば、トラックの延在方向、列方向などが挙げられる。

構造体２３の平均配置ピッチＰｍ、平均高さＨｍおよびアスペクト比（平均高さまたは平均深さＨｍ／平均配置ピッチＰｍ）はそれぞれ、波面Ｓｗの平均波長λｍ、振動の平均幅Ａｍおよび比率（振動の平均幅Ａｍ／平均波長λｍ）と同様である。

同一トラック内における構造体２３の配置ピッチをＰ１、隣接する２つのトラック間における構造体２３の配置ピッチをＰ２としたとき、比率Ｐ１／Ｐ２が、１．００≦Ｐ１／Ｐ２≦１．１、または１．００＜Ｐ１／Ｐ２≦１．１の関係を満たすことが好ましい。このような数値範囲にすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体２３の充填率を向上することができるので、光学調整機能を向上することができる。

波面Ｓｗの面積Ｓ１に対する平坦部の面積Ｓ２の比率Ｒ_s（（Ｓ２／Ｓ１）×１００）が、好ましくは０％以上５０％以下、より好ましくは０％以上４５％以下、さらに好ましくは０％以上３０％以下の範囲内である。面積比率Ｒ_sを５０％以下にすることで、光学調整機能を向上することができる。

ここで、波面Ｓｗの面積Ｓ１に対する平坦部の面積Ｓ２の比率Ｒ_s（（Ｓ２／Ｓ１）×１００）は以下のようにして求めた値である。まず、情報入力装置１の表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）を用いてＴｏｐ Ｖｉｅｗで撮影する。次に、撮影したＳＥＭ写真から無作為に単位格子Ｕｃを選び出し、その単位格子Ｕｃの配置ピッチＰ１、およびトラックピッチＴｐを測定する（図２Ｃ参照）。また、その単位格子Ｕｃの中央に位置する構造体２３の底面の面積Ｓ（structure）を画像処理により測定する。次に、測定した配置ピッチＰ１、トラックピッチＴｐ、および底面の面積Ｓ（structure）を用いて、以下の式より比率Ｒを求める。
比率Ｒ＝［（Ｓ（lattice）−Ｓ（structure））／Ｓ（lattice）］×１００
単位格子面積：Ｓ（lattice）＝Ｐ１×２Ｔｐ
単位格子内に存在する構造体の底面の面積：Ｓ（structure）＝２Ｓ

上述した比率Ｒの算出処理を、撮影したＳＥＭ写真から無作為に選び出された１０箇所の単位格子Ｕｃについて行う。そして、測定値を単純に平均（算術平均）して比率Ｒの平均率を求め、これを比率Ｒ_sとする。

構造体２３が重なっているときや、構造体２３の間に突出部２３ａなどの副構造体があるときの比率Ｒ_sは、構造体２３の高さに対して５％の高さに対応する部分を閾値として面積比を判定する方法により求めることができる。

図３は、構造体２３の境界が不明瞭な場合の比率Ｒ_sの算出方法について説明するための図である。構造体２３の境界が不明瞭な場合には、断面ＳＥＭ観察により、図３に示すように、構造体２３の高さｈの５％（＝（ｄ／ｈ）×１００）に相当する部分を閾値とし、その高さｄで構造体２３の径を換算し比率Ｒ_sを求めるようにする。構造体２３の底面が楕円である場合には、長軸および短軸で同様の処理を行う。

構造体２３が、その下部同士を重ね合うようにして繋がっていることが好ましい。具体的には、隣接関係にある構造体２３の一部または全部の下部同士が重なり合っていることが好ましく、トラック方向、θ方向、またはそれら両方向において重なり合っていることが好ましい。このように構造体２３の下部同士を重なり合わせることで、構造体２３の充填率を向上することができる。構造体同士は、屈折率を考慮した光路長で使用環境下の光の波長帯域の最大値の１／４以下の部分で重なり合っていることが好ましい。これにより、優れた光学調整機能を得ることができるからである。

配置ピッチＰ１に対する径２ｒの比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が、好ましくは８５％以上、より好ましくは９０％以上、さらに好ましくは９５％以上の範囲内である。このような範囲にすることで、構造体２３の充填率を向上し、光学調整機能を向上できるからである。比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が大きくなり、構造体２３の重なりが大きくなりすぎると光学調整機能が低減する傾向にある。したがって、屈折率を考慮した光路長で使用環境下の光の波長帯域の最大値の１／４以下の部分で構造体同士が接合されるように、比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）の上限値を設定することが好ましい。ここで、配置ピッチＰ１は、図２Ｃに示すように、構造体２３のトラック方向の配置ピッチであり、径２ｒは、図２Ｃに示すように、構造体底面のトラック方向の径である。なお、構造体底面が円形である場合、径２ｒは直径となり、構造体底面が楕円形である場合、径２ｒは長径となる。

構造体２３が準六方格子パターンを形成する場合には、構造体底面の楕円率ｅは、１００％＜ｅ＜１５０％以下であることが好ましい。この範囲にすることで、構造体２３の充填率を向上し、優れた光学調整機能を得ることができるからである。

（１−２−２）第２の光学層
（第２の光学層の構成）
光学層６は、例えば、基体８と貼合層７とを備え、この貼合層７を介して基体８が、第１の電極３および第２の電極４を形成した光学層２の表面に貼り合わされる。光学層６はこの例に限定されるものではなく、ＳｉＯ₂などのセラミックコート（オーバーコート）とすることも可能である。

（基体）
基体８は、上述の光学層（第１の光学層）２の基体２１と同様である。

（貼合層）
貼合層７としては、例えば、粘着ペースト、粘着テープなどを用いることができる。それらの粘着剤としては、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコン系粘着剤などを用いることができるが、透明性の観点からすると、アクリル系粘着剤が好ましい。

（１−２−３）第１の電極および第２の電極
（電極の構成）
図４Ａは、図１Ａに示した交差部Ｃの付近を拡大して示す平面図である。図４Ｂは、図４Ａに示したＡ−Ａ線に沿った断面図である。図４Ａに示すように、第１の電極３は、複数の第１のパッド部（第１の単位電極体）３ａと、複数の第１のパッド部３ａ同士を連結する複数の第１の連結部３ｂとを備える。第１の連結部３ｂは、Ｘ軸方向に延在されており、隣り合う第１のパッド部３ａの端部同士を連結する。図４Ａに示すように、第２の電極４は、複数の第２のパッド部（第２の単位電極体）４ａと、複数の第２のパッド部４ａ同士を連結する複数の第２の連結部４ｂとを備える。第２の連結部４ａは、Ｙ軸方向に延在されており、隣り合う第２のパッド部４ａの端部同士を連結する。

図４Ｂに示すように、交差部Ｃでは、第２の連結部４ｂ、透明絶縁層５、第１の連結部４ａがこの順序で光学層２の表面に積層されている。第１の連結部３ｂは、透明絶縁層５を横断して跨ぐように形成され、透明絶縁層５を跨いだ第１連結部３ｂの一端が、隣り合う第１のパッド部３ａの一方と電気的に接続され、透明絶縁層５を跨いだ第１連結部３ｂの他端が、隣り合う第１のパッド部３ａの他方と電気的に接続される。

第１のパッド部３ａと第１の連結部３ｂとは、別形成されている。第２のパッド部４ａと第２の連結部４ｂとは、一体的に形成されている。第１のパッド部３ａ、第２のパッド部４ａおよび第２のパッド部４ｂは、例えば、透明導電層からなり、第１の連結部３ｂは、例えば、導電層からなる。以下、これらの透明導電層および導電層について説明する。

（透明導電層）
第１のパッド部３ａおよび第２のパッド部４ａを構成する透明導電層は、透明導電材料を主成分としている。透明導電材料としては、導電性の観点からすると、透明酸化物半導体を用いることが好ましい。透明酸化物半導体としては、例えば、ＳｎＯ₂、ＩｎＯ₂、ＺｎＯおよびＣｄＯなどの二元化合物、二元化合物の構成元素であるＳｎ、Ｉｎ、ＺｎおよびＣｄのうちの少なくとも一つの元素を含む三元化合物、または多元系（複合）酸化物を用いることができる。透明酸化物半導体の具体例としては、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ（Ａｌ₂Ｏ₃、ＺｎＯ））、ＳＺＯ、フッ素ドープ酸化錫（ＦＴＯ）、酸化錫（ＳｎＯ₂）、ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ（Ｉｎ₂Ｏ₃、ＺｎＯ））などが挙げられる。特に、信頼性の高さ、および抵抗率の低さなどの観点から、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）が好ましい。透明酸化物半導体は、導電性の向上の観点からすると、アモルファスと多結晶との混合状態であることが好ましい。

透明導電材料としては、生産性の観点からすると、導電性高分子、金属ナノ粒子、およびカーボンナノチューブからなる群より選ばれる少なくとも１種を主成分とするものが好ましい。これらの材料を主成分とすることで、高価な真空装置などを用いずに、ウエットコーティングにより透明導電層を容易に形成することができる。

第１のパッド部３ａおよび第２のパッド部４ａを形成する透明導電層の表面抵抗は、５０Ω／□以上４０００Ω／□以下の範囲内であることが好ましく、より好ましくは５０Ω／□以上５００Ω／□以下の範囲内である。ここで、透明導電層の表面抵抗は、４端子測定（ＪＩＳ Ｋ ７１９４）により求めたものである。透明導電層の比抵抗は、１×１０^-3Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。１×１０^-3Ω・ｃｍ以下であると、上記表面抵抗範囲を実現することができるからである。

（導電層）
第１の連結部３ｂを構成する導電層としては、例えば、金属層または透明導電層を用いることができる。金属層は、金属を主成分として含んでいる。金属としては、導電性の高い金属を用いるこことが好ましく、このような材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｎｂ、不純物添加Ｓｉなどが挙げられるが、導電性の高さ、ならびに成膜性および印刷性などを考慮すると、Ａｇが好ましい。金属層の材料として導電性が高い金属を用いることにより、第１の連結部３ｂの幅を狭くし、その厚さを薄くし、その長さを短くすることが好ましい。これにより視認性を向上することができる。

具体的には、第１の連結部３ａが透明導電層からなる場合、第１の連結部３ａの長さＬ、幅Ｄおよび厚さＴは以下のように選択することが好ましい。第１の連結部３ａの長さＬは、好ましくは５ｍｍ以下、より好ましくは２ｍｍ以下の範囲内である。第１の連結部３ａの幅Ｄは、好ましくは５００μｍ以下、より好ましくは２００μｍ以下の範囲内である。第１の連結部３ａの厚さＴは、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下の範囲内である。

透明導電層は、透明導電材料を主成分として含んでいる。透明導電材料としては、第１のパッド部３ａ、第２のパッド部４ａおよび第２のパッド部４ｂと同様のものを用いることができる。導電層として透明導電層を用いる場合には、第１の連結部３ｂが透明を有するために、導電層として金属層を用いる場合よりも第１の連結部３ｂの幅を広くするようにしてもよい。

具体的には、第１の連結部３ａが金属層からなる場合、第１の連結部３ａの長さＬ、幅Ｄおよび厚さＴは以下のように選択することが好ましい。第１の連結部３ａの長さＬは、好ましくは５ｍｍ以下、より好ましくは２ｍｍ以下の範囲内である。第１の連結部３ａの幅Ｄは、好ましくは３０μｍ以下、より好ましくは１５μｍ以下の範囲内である。第１の連結部３ａの厚さＴは、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下の範囲内である。

（パッド部の形状例）
図５Ａ〜図６Ｂは、第１のパッド部および第２のパッド部の形状の例を示す概略平面図である。第１のパッド部３ａおよび第２のパッド部４ａの形状としては、例えば、菱形（図５Ａ）、星形（図５Ｂ）、矩形（図６Ａ）、および十字形（図６Ｂ）などを用いることができるが、これらの形状に限定されるものではない。

図５Ａは、菱形を有する第１のパッド部および第２のパッドの例を示す概略平面図である。図５Ａに示すように、情報入力装置１を入力面側からみると、菱形を有する第１のパッド部３ａおよび第２のパッド部４ａが敷き詰められて、最密充填された状態となっていることが好ましい。具体的には、菱形を有する第１のパッド部３ａおよび第２のパッド部４ａは、対向する２組の角部を有し、一方の組の角部がＸ軸方向を向き、他方の組の角部がＹ軸方向を向くように敷き詰められていることが好ましい。これにより、情報入力装置１の光学特性を面内でほぼ同様にすることができる。

図５Ｂは、星形を有する第１のパッド部および第２のパッドの例を示す概略平面図である。図５Ｂに示すように、第１のパッド部３ａおよび第２のパッド部４ａが有する星形は、対向する２組の先端部を有し、一方の組の先端部がＸ軸方向を向き、他方の組の先端部がＹ軸方向を向くように敷き詰められていることが好ましい。

図６Ａは、矩形を有する第１のパッド部および第２のパッドの例を示す概略平面図である。図６Ａに示すように、第１のパッド部３ａおよび第２のパッド部４ａが有する矩形は、対向する２組の辺部を有し、一方の組の辺部（例えば長辺部）がＸ軸方向を向き、他方の組の辺部（例えば短辺部）がＹ軸方向を向くように敷き詰められていることが好ましい。

図６Ｂは、十字形を有する第１のパッド部および第２のパッドの例を示す概略平面図である。図６Ｂに示すように、第１のパッド部３ａおよび第２のパッド部４ａが有する十字形は、Ｘ軸方向に延在された１組の先端部と、Ｙ軸方向に延在された１組の先端部とを有し、一方の組の延在部がＸ軸方向を向き、他方の組の延在部がＹ軸方向を向くように敷き詰められていることが好ましい。

（第１の連結部の形状例）
図７Ａは、第１の連結部の形状の例を示す概略図である。図７Ａに示すように、第１の連結部３ａの形状としては矩形状を採用することができるが、第１の連結部３ｂの形状は隣り合う第１のパッド部３ａ同士を連結可能な形状であればよく特に矩形状に限定されるものではない。矩形状以外の形状の例としては、線状、長円状、三角形状、不定形状などを挙げることができる。

図７Ｂは、第１の連結部の本数の例を示す概略図である。図７Ｂに示すように、Ｘ軸方に隣り合う第１のパッド部３ａ同士を、複数の第１の連結部５ａにより連結することも可能である。このような構成にする場合、複数の第１の連結部３ａの幅Ｄ１、Ｄ２、・・・、Ｄｎの合計（Ｄ１＋Ｄ２＋・・・＋Ｄｎ）を連結部３ａの幅Ｄと定義する。

図７Ｃは、第１の連結部の構造の例を示す概略図である。図７Ｃに示すように、第１の連結部３ａの構造をメッシュ構造とすることも可能である。このような構造にする場合、メッシュ構造を形成する孔部を除いた部分を連結部３ａの幅Ｄと定義する。

（１−２−４）透明絶縁層
（透明絶縁層）
透明絶縁層５は、第１の連結部３ｂと第２の連結部とが交差する部分より大きな面積を有していることが好ましく、例えば、交差部Ｃに位置する第１のパッド部３ａおよび第２のパッド部４ａの先端に被さる程度の大きさを有している。

透明絶縁層５は、透明絶縁材料を主成分として含んでいる。透明絶縁材料としては、透明性を有する高分子材料を用いることが好ましく、このような材料としては、例えば、ポリメチルメタアクリレート、メチルメタクリレートと他のアルキル（メタ）アクリレート、スチレンなどといったビニルモノマーとの共重合体などの（メタ）アクリル系樹脂；ポリカーボネート、ジエチレングリコールビスアリルカーボネート（CR-39）などのポリカーボネート系樹脂；（臭素化）ビスフェノールＡ型のジ（メタ）アクリレートの単独重合体ないし共重合体、（臭素化）ビスフェノールＡモノ（メタ）アクリレートのウレタン変性モノマーの重合体及び共重合体などといった熱硬化性（メタ）アクリル系樹脂；ポリエステル特にポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートおよび不飽和ポリエステル、アクリロニトリル−スチレン共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、シクロオレフィンポリマー（商品名：アートン、ゼオノア）、シクロオレフィンコポリマーなどが挙げられる。また、耐熱性を考慮したアラミド系樹脂を使用することも可能である。ここで、（メタ）アクリレートは、アクリレートまたはメタアクリレートを意味する。

透明絶縁層５の体積抵抗率は１０¹²Ω・ｃｍ以上であることが好ましい。透明絶縁層５の厚さは、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは３μｍ以下である。１０μｍ以下であると、例えば５０μｍ程度の厚みの貼合層７を用いた場合、第１の電極３、透明絶縁層５および第２の電極４による凹凸を吸収して、光学層６の表面の凹凸を目視できない程度に抑えることができるからである。

（透明絶縁層の形状例）
図８Ａ〜図９Ｄは、透明絶縁層の形状例を示す概略図である。透明絶縁層５の形状は、交差部Ｃにおいて第１の電極３と第２の電極４との間に介在し、両電極の電気的接触を防ぐことが可能な形状であればよく特に限定されるものではないが、例示するならば、四角形などの多角形（図８Ａ〜図９Ｂ）、楕円形（図９Ｃ）、円形（図９Ｄ）などを挙げることができる。四角形としては、例えば、長方形（図８Ａ）、正方形（図８Ｂ）、菱形（図８Ｄ）、台形（図９Ａ）、平行四辺形（図９Ｃ）、角に曲率Ｒが付された矩形状（図９Ｄ）が挙げられる。

（１−２−４）電極の形状
図１０Ａは、図４Ｂに示した領域Ｒ₁を拡大して示す断面図である。図１０Ｂは、図４Ｂに示した領域Ｒ₂を拡大して示す断面図である。図１０Ａに示すように、第１のパッド部３ａおよび第２のパッド３ｂが光学層２の波面Ｓｗに倣うように形成されていることが好ましい。これにより、波長依存性が少なく、視認性に優れた光学調整機能を得ることができる。したがって、第１の電極３および第２の電極４の視認を抑制することができる。透明絶縁層５も、光学層２の波面Ｓｗに倣うように形成されていることが好ましい。これにより、波長依存性が少なく、視認性に優れた光学調整機能を得ることができる。したがって、透明絶縁層５の視認を抑制することができる。

図１０Ｂに示すように、交差部Ｃにおいて、積層された第２の結合部４ｂ、透明絶縁層５および第１の結合部３ｂがすべて光学層２の波面Ｓｗに倣うように形成されていることが好ましい。これにより、公差部Ｃにおいて、視認性に優れた光学調整機能を得ることができる。したがって、公差部Ｃにおいて、第２の電極４、透明絶縁層５および第１の電極３の視認を抑制することができる。

第１の連結部３ｂが、光学層２の波面Ｓｗに倣うように形成されていることが好ましい。特に第１の連結部３ｂが金属層からなる場合に、第１の連結部３ｂが、光学層２の波面Ｓｗに倣うように形成されていることが好ましい。第１の連結部３ｂが反射率が高い金属層からなる場合であっても、第１の連結部３ｂの視認を抑制することができるからである。

波長依存性が少なく、視認性に優れた光学調整機能を得る観点からすると、第１の電極３および第２の電極４が光学層２の波面Ｓｗに倣うように形成されていることが好ましく、第１の電極３、透明絶縁層５および第２の電極４がすべて光学層２の波面Ｓｗに倣うように形成されていることが好ましい。

図１１Ａは、第１のパッド部および第２のパッド部の表面形状の例を説明するための拡大断面図である。第１のパッド部３ａおよび第２のパッド部４ａは、互いに同期する第１の波面Ｓｗ１と第２の波面Ｓｗ２とを有する。第１の波面Ｓｗ１と第２の波面Ｓｗ２との振動の平均幅が異なっていることが好ましい。第１の波面Ｓｗ１の振動の平均幅Ａｍ１は、第２の波面Ｓｗ２の振動の平均幅Ａｍ２よりも小さいことがより好ましい。振動の幅が最大となる位置を含むようにして、第１の波面Ｓｗ１または第２の波面Ｓｗ２を一方向に向かって切断したときの断面形状は、例えば、三角波形状、正弦波形状、２次曲線もしくは２次曲線の一部を繰り返した波形状、またはこれらに近似する形状などである。２次曲線としては、円、楕円、放物線などが挙げられる。

図１１Ｂは、第１のパッド部および第２のパッド部の膜厚を説明するための拡大断面図である。図１１Ｂに示すように、構造体４の頂部における第１のパッド部３ａおよび第２のパッド部４ａの膜厚をＤ１、構造体４の傾斜面における第１のパッド部３ａおよび第２のパッド部４ａの膜厚をＤ２、構造体間における第１のパッド部３ａおよび第２のパッド部４ａの膜厚をＤ３としたときに、膜厚Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３が、好ましくはＤ１＞Ｄ３、より好ましくはＤ１＞Ｄ３＞Ｄ２の関係を満たしている。構造体４の頂部における第１のパッド部３ａおよび第２のパッド部４ａの膜厚Ｄ１に対する、構造体間の第１のパッド部３ａおよび第２のパッド部４ａの膜厚Ｄ３の比率（Ｄ３／Ｄ１）が、好ましくは０．８以下、より好ましくは０．７以下の範囲内である。比率（Ｄ３／Ｄ１）を０．８以下にすることで、比率（Ｄ３／Ｄ１）を１とした場合に比して光学調整機能を向上することができる。したがって、第１のパッド部３ａおよび第２のパッド部４ａが形成されたパッド部形成領域（電極体形成領域）と、第１のパッド部３ａおよび第２のパッド部４ａの間の隙間９において光学層２の波面Ｓｗが露出した波面露出領域との反射率差ΔＲを低減することができる。すなわち、第１の電極３および第２の電極４の視認を抑制することができる。

なお、構造体４の頂部における第１のパッド部３ａおよび第２のパッド部４ａの膜厚Ｄ１、構造体４の傾斜面における第１のパッド部３ａおよび第２のパッド部４ａの膜厚Ｄ２、構造体間における第１のパッド部３ａおよび第２のパッド部４ａの膜厚Ｄ３はそれぞれ、波面Ｓｗが最も高くなる位置における透明導電層６の膜厚Ｄ１、波面Ｓｗの傾斜面における透明導電層６の膜厚Ｄ２、波面Ｓｗが最も低くなる位置における透明導電層６の膜厚Ｄ３と等しい。

構造体４の頂部における第１のパッド部３ａおよび第２のパッド部４ａの膜厚Ｄ１は、好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましく１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、さらに好ましくは１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲内である。１００ｎｍを超えると、視認性が悪化する傾向がある。一方、１０ｎｍ未満であると、電気特性が悪化する傾向がある。

上述した第１のパッド部３ａおよび第２のパッド部４ａの膜厚Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３は以下のようにして求めたものである。まず、情報入力装置１を構造体４の頂部を含むようにトラックの延在方向に切断し、その断面をＴＥＭにて撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、構造体４の頂部における第１のパッド部３ａおよび第２のパッド部４ａの膜厚Ｄ１を測定する。次に、構造体４の傾斜面の位置のうち、構造体４の半分の高さ（Ｈ／２）の位置の膜厚Ｄ２を測定する。次に、構造体間の凹部の位置のうち、その凹部の深さが最も深くなる位置の膜厚Ｄ３を測定する。なお、第１のパッド部３ａおよび第２のパッド部４ａの膜厚Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３が上記関係を有しているか否かは、上述のようにして求めた第１のパッド部３ａおよび第２のパッド部４ａの膜厚Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３により確認することができる。

（１−３）光学特性
第１の電極３および第２の電極４上に光学層６がさらに形成されている場合、第１のパッド部３ａおよび第２のパッド部３ｂが形成されたパッド部形成領域（電極体形成領域）の反射率Ｒ１と、第１のパッド部３ａおよび第２のパッド部３ｂの間の隙間９において波面Ｓｗが露出した波面露出領域（図４Ａ参照）の反射率Ｒ２との反射率差ΔＲ（＝Ｒ２−Ｒ１）が、好ましくは５％以下、より好ましくは３％以下、さらに好ましくは１％以下の範囲内である。反射率差ΔＲを５％以下にすることで、第１のパッド部３ａおよび第２のパッド部３ｂの視認を抑制することができる。

第１の電極３および第２の電極４上に光学層６が形成されておらず、第１のパッド部３ａおよび第２のパッド部３ｂが露出している場合、情報入力装置１の両主面のうち第１のパッド部３ａおよび第２のパッド部３ｂとは反対側の主面でのＬ＊ａ＊ｂ＊色度系における透過色相が、好ましくは｜ａ＊｜≦１０かつ｜ｂ＊｜≦１０、より好ましくは｜ａ＊｜≦５かつ｜ｂ＊｜≦５、さらに好ましくは｜ａ＊｜≦３かつ｜ｂ＊｜≦３である。透過色相を｜ａ＊｜≦１０かつ｜ｂ＊｜≦１０とすることで、視認性を向上できる。

第１の電極３および第２の電極４上に光学層６がさらに形成されている場合、情報入力装置１の両主面のうち第１のパッド部３ａおよび第２のパッド部３ｂとは反対側の主面でのＬ＊ａ＊ｂ＊色度系における透過色相が、好ましくは｜ａ＊｜≦５かつ｜ｂ＊｜≦５、より好ましくは｜ａ＊｜≦３かつ｜ｂ＊｜≦３、さらに好ましくは｜ａ＊｜≦２かつ｜ｂ＊｜≦２である。透過色相を｜ａ＊｜≦５かつ｜ｂ＊｜≦５とすることで、視認性を向上できる。

第１の電極３および第２の電極４上に光学層６が形成されておらず、第１のパッド部３ａおよび第２のパッド部３ｂが露出している場合、情報入力装置１の両主面のうち第１のパッド部３ａおよび第２のパッド部３ｂ側の主面でのＬ＊ａ＊ｂ＊色度系における反射色相が、好ましくは｜ａ＊｜≦１０かつ｜ｂ＊｜≦１０、反射色相を｜ａ＊｜≦１０かつ｜ｂ＊｜≦１０とすることで、視認性を向上できる。

第１の電極３および第２の電極４上に光学層６がさらに形成されている場合、情報入力装置１の両主面のうち第１のパッド部３ａおよび第２のパッド部３ｂ側の主面でのＬ＊ａ＊ｂ＊色度系における反射色相が、好ましくは｜ａ＊｜≦１０かつ｜ｂ＊｜≦１０、より好ましくは｜ａ＊｜≦５かつ｜ｂ＊｜≦５、さらに好ましくは｜ａ＊｜≦３かつ｜ｂ＊｜≦３である。反射色相を｜ａ＊｜≦１０かつ｜ｂ＊｜≦１０とすることで、視認性を向上できる。

（１−４）ロール原盤の構成
図１２Ａは、ロール原盤の構成の一例を示す斜視図である。図１２Ｂは、図１２Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す平面図である。図１２Ｃは、図１２ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。ロール原盤３１は、上述した構成を有する光学層２を作製するための原盤、より具体的には、上述した基体表面に複数の構造体４を成形するための原盤である。ロール原盤３１は、例えば、円柱状または円筒状の形状を有し、その円柱面または円筒面が基体表面に波面Ｓｗ、すなわち複数の構造体４を成形するための成形面とされる。この成形面には、例えば、複数の構造体３２が２次元配列されている。構造体３２は、例えば、成形面に対して凹状または凸状を有している。なお、図１２Ｃでは、構造体２１が成形面に対して凹状を有する例が示されている。ロール原盤３１の材料としては、例えばガラスを用いることができるが、この材料に特に限定されるものではない。

ロール原盤３１の成形面に配置された複数の構造体３２と、上述の基体３の表面に配置された複数の構造体４とは、反転した凹凸関係にある。すなわち、ロール原盤３１の構造体３２の形状、配列、配置ピッチなどは、基体３の構造体４と同様である。

（１−５）露光装置の構成
図１３は、ロール原盤を作製するためのロール原盤露光装置の構成の一例を示す概略図である。このロール原盤露光装置は、光学ディスク記録装置をベースとして構成されている。

レーザー光源４１は、記録媒体としてのロール原盤３１の表面に着膜されたレジストを露光するための光源であり、例えば波長λ＝２６６ｎｍの記録用のレーザー光３４を発振するものである。レーザー光源４１から出射されたレーザー光３４は、平行ビームのまま直進し、電気光学素子（ＥＯＭ：Electro Optical Modulator）４２へ入射する。電気光学素子４２を透過したレーザー光３４は、ミラー４３で反射され、変調光学系４５に導かれる。

ミラー４３は、偏光ビームスプリッタで構成されており、一方の偏光成分を反射し他方の偏光成分を透過する機能をもつ。ミラー４３を透過した偏光成分はフォトダイオード４４で受光され、その受光信号に基づいて電気光学素子４２を制御してレーザー光３４の位相変調を行う。

変調光学系４５において、レーザー光３４は、集光レンズ４６により、ガラス（ＳｉＯ₂）などからなる音響光学素子（ＡＯＭ：Acousto-Optic Modulator）４７に集光される。レーザー光３４は、音響光学素子４７により強度変調され発散した後、レンズ４８によって平行ビーム化される。変調光学系４５から出射されたレーザー光３４は、ミラー５１によって反射され、移動光学テーブル５２上に水平かつ平行に導かれる。

移動光学テーブル５２は、ビームエキスパンダ５３、および対物レンズ５４を備えている。移動光学テーブル５２に導かれたレーザー光３４は、ビームエキスパンダ５３により所望のビーム形状に整形された後、対物レンズ５４を介して、ロール原盤３１上のレジスト層へ照射される。ロール原盤３１は、スピンドルモータ５５に接続されたターンテーブル５６の上に載置されている。そして、ロール原盤３１を回転させるとともに、レーザー光３４をロール原盤３１の高さ方向に移動させながら、レジスト層へレーザー光３４を間欠的に照射することにより、レジスト層の露光工程が行われる。形成された潜像は、円周方向に長軸を有する略楕円形になる。レーザー光３４の移動は、移動光学テーブル５２の矢印Ｒ方向への移動によって行われる。

露光装置は、図２Ｃに示した六方格子または準六方格子の２次元パターンに対応する潜像をレジスト層に形成するための制御機構５７を備えている。制御機構５７は、フォマッター４９とドライバ５０とを備える。フォマッター４９は、極性反転部を備え、この極性反転部が、レジスト層に対するレーザー光３４の照射タイミングを制御する。ドライバ５０は、極性反転部の出力を受けて、音響光学素子４７を制御する。

このロール原盤露光装置では、２次元パターンが空間的にリンクするように１トラック毎に極性反転フォマッター信号と回転コントロラーを同期させて信号を発生し、音響光学素子４７により強度変調している。角速度一定（ＣＡＶ）で適切な回転数と適切な変調周波数と適切な送りピッチでパターニングすることにより、六方格子または準六方格子パターンを記録することができる。

（１−６）情報入力装置の製造方法
図１４Ａ〜図１６Ｄは、本技術の第１の実施形態に係る情報入力装置の製造方法の一例を説明するための工程図である。

（レジスト成膜工程）
まず、図１４Ａに示すように、円柱状または円筒状のロール原盤３１を準備する。このロール原盤３１は、例えばガラス原盤である。次に、図１４Ｂに示すように、ロール原盤３１の表面にレジスト層３３を形成する。レジスト層３３の材料としては、例えば有機系レジスト、および無機系レジストのいずれを用いてもよい。有機系レジストとしては、例えばノボラック系レジストや化学増幅型レジストを用いることができる。また、無機系レジストとしては、例えば、１種または２種以上含む金属化合物を用いることができる。

（露光工程）
次に、図１４Ｃに示すように、ロール原盤３１の表面に形成されたレジスト層３３に、レーザー光（露光ビーム）３４を照射する。具体的には、図１３に示したロール原盤露光装置のターンテーブル５６上に載置し、ロール原盤３１を回転させると共に、レーザー光（露光ビーム）３４をレジスト層３３に照射する。このとき、レーザー光３４をロール原盤３１の高さ方向（円柱状または円筒状のロール原盤３１の中心軸に平行な方向）に移動させながら、レーザー光３４を間欠的に照射することで、レジスト層３３を全面にわたって露光する。これにより、レーザー光３４の軌跡に応じた潜像３５が、例えば可視光波長と同程度のピッチでレジスト層３３の全面にわたって形成される。

潜像３５は、例えば、ロール原盤表面において複数列のトラックをなすように配置されるとともに、六方格子パターンまたは準六方格子パターンを形成する。潜像３５は、例えば、トラックの延在方向に長軸方向を有する楕円形状である。

（現像工程）
次に、例えば、ロール原盤３１を回転させながら、レジスト層３３上に現像液を滴下して、レジスト層３３を現像処理する。これにより、図１４Ｄに示すように、レジスト層３３に複数の開口部が形成される。レジスト層３３をポジ型のレジストにより形成した場合には、レーザー光３４で露光した露光部は、非露光部と比較して現像液に対する溶解速度が増すので、図１４Ｄに示すように、潜像（露光部）１６に応じたパターンがレジスト層３３に形成される。開口部のパターンは、例えば六方格子パターンまたは準六方格子パターンなどの所定の格子パターンである。

（エッチング工程）
次に、ロール原盤３１の上に形成されたレジスト層３３のパターン（レジストパターン）をマスクとして、ロール原盤３１の表面をエッチング処理する。これにより、図１５Ａに示すように、トラックの延在方向に長軸方向をもつ楕円錐形状または楕円錐台形状の凹部、すなわち構造体３２を得ることができる。エッチングとしては、例えばドライエッチング、ウエットエッチングを用いることができる。このとき、エッチング処理とアッシング処理とを交互に行うことにより、例えば、錐体状の構造体３２のパターンを形成することができる。以上により、目的とするロール原盤３１が得られる。

（転写工程）
次に、図１５Ｂに示すように、ロール原盤３１と、基体２１上に塗布された転写材料３６とを密着させた後、紫外線などのエネルギー線をエネルギー線源３７から転写材料３６に照射して転写材料３６を硬化させた後、硬化した転写材料３６と一体となった基体２１を剥離する。これにより、図１５Ｃに示すように、複数の構造体２３を基体表面に有する光学層２が作製される。

エネルギー線源３７としては、電子線、紫外線、赤外線、レーザー光線、可視光線、電離放射線（Ｘ線、α線、β線、γ線など）、マイクロ波、または高周波などエネルギー線を放出可能なものであればよく、特に限定されるものではない。

転写材料３６としては、エネルギー線硬化性樹脂組成物を用いることが好ましい。エネルギー線硬化性樹脂組成物としては、紫外線硬化性樹脂組成物を用いることが好ましい。エネルギー線硬化性樹脂組成物が、必要に応じてフィラーや機能性添加剤などを含んでいてもよい。

紫外線硬化性樹脂組成物は、例えばアクリレートおよび開始剤を含んでいる。紫外線硬化性樹脂組成物は、例えば、単官能モノマー、二官能モノマー、多官能モノマーなどを含み、具体的には、以下に示す材料を単独または、複数混合したものである。

単官能モノマーとしては、例えば、カルボン酸類（アクリル酸）、ヒドロキシ類（２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート）、アルキル、脂環類（イソブチルアクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、ステアリルアクリレート、イソボニルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート）、その他機能性モノマー（２−メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレンクリコールアクリレート、２−エトキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ベンジルアクリレート、エチルカルビトールアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ-ジメチルアミノエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、アクリロイルモルホリン、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド、Ｎ−ビニルピロリドン、２−（パーフルオロオクチル）エチル アクリレート、３−パーフルオロヘキシル−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、３−パーフルオロオクチルー２−ヒドロキシプロピル アクリレート、２−（パーフルオロデシル）エチル アクリレート、２−（パーフルオロー３−メチルブチル）エチル アクリレート）、２，４，６−トリブロモフェノールアクリレート、２，４，６−トリブロモフェノールメタクリレート、２−（２，４，６−トリブロモフェノキシ）エチルアクリレート）、２−エチルヘキシルアクリレートなどを挙げることができる。
二官能モノマーとしては、例えば、トリ（プロピレングリコール）ジアクリレート、トリメチロールプロパン ジアリルエーテル、ウレタンアクリレートなどを挙げることができる。

多官能モノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ及びヘキサアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレートなどを挙げることができる。

開始剤としては、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オンなどを挙げることができる。

フィラーとしては、例えば、無機微粒子および有機微粒子のいずれも用いることができる。無機微粒子としては、例えば、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂、ＳｎＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃などの金属酸化物微粒子を挙げることができる。

機能性添加剤としては、例えば、レベリング剤、表面調整剤、消泡剤などを挙げることができる。基体２１の材料としては、例えば、メチルメタクリレート（共）重合体、ポリカーボネート、スチレン（共）重合体、メチルメタクリレート−スチレン共重合体、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアセタール、ポリエーテルケトン、ポリウレタン、ガラスなどが挙げられる。

基体２１の成形方法は特に限定されず、射出成形体でも押し出し成形体でも、キャスト成形体でもよい。必要に応じて、コロナ処理などの表面処理を基体表面に施すようにしてもよい。

（電極の形成工程）
まず、図１６Ａに示すように、複数の構造体２３が形成された光学層２の波面Ｓｗに、透明導電層１３を成膜する。透明導電層６を成膜する際に、光学層２を加熱しながら成膜を行うようにしてもよい。透明導電層６の成膜方法としては、例えば、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤなどのＣＶＤ法（Chemical Vapor Deposition（化学蒸着法）：化学反応を利用して気相から薄膜を析出させる技術）のほか、真空蒸着、プラズマ援用蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどのＰＶＤ法（Physical Vapor Deposition（物理蒸着法）：真空中で物理的に気化させた材料を基板上に凝集させ、薄膜を形成する技術）などを用いることができる。

次に、図１６Ｂに示すように、透明導電層１３をパターニングすることにより、光学層２の波面Ｓｗに、第１のパッド部３ａ、第２のパッド部４ａおよび第２の連結部４ｂを形成する。パターニングの方法としては、例えば、フォトリソグラフィ（感光性の薄膜をパターン露光し、エッチングによりパターンを生成する技術）などによりエッチングを行うことでパターンを形成する方法を用いることができる。

第１のパッド部３ａ、第２のパッド部４ａおよび第２の連結部４ｂの形成方法は、上述の例に限定されるものではなく、透明導電層の成膜時に形成パターン以外の部分にマスキングを行うことでパターンを形成する方法、印刷法などを用いることができる。印刷法としては、例えば、グラビア印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、スクリーン印刷法、インクジェット法、ディスペンス法などを用いることができる。

（絶縁層の形成工程）
次に、図１６Ｃに示すように、第２の電極４の第２の連結部４ｂの表面に透明絶縁層５を形成する。透明絶縁層５の形成方法としては、例えば、透明絶縁層の成膜時に形成パターン以外の部分にマスキングを行うことでパターンを形成する方法、マスキングをせずに成膜を行い、フォトリソグラフィ（感光性の薄膜をパターン露光し、エッチングによりパターンを生成する技術）などによりエッチングを行うことでパターンを形成する方法、印刷法によりパターンを形成する方法などを用いることができる。透明導電層の成膜方法としては、例えば、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤなどのＣＶＤ法（Chemical Vapor Deposition（化学蒸着法）：化学反応を利用して気相から薄膜を析出させる技術）のほか、真空蒸着、プラズマ援用蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどのＰＶＤ法（Physical Vapor Deposition（物理蒸着法）：真空中で物理的に気化させた材料を基板上に凝集させ、薄膜を形成する技術）などを用いることができる。印刷法としては、例えば、グラビア印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、スクリーン印刷法、インクジェット法、ディスペンス法などを用いることができる。

（連結部の形成工程）
次に、図１６Ｄに示すように、透明絶縁層５を跨ぐようにして第１の連結部３ｂを形成する。これにより、第１の電極パッド３ａの間が第１の連結部３ｂにより連結される。第１の連結部３ｂの形成方法としては、例えば、第１の連結部３ｂの成膜時に形成パターン以外の部分にマスキングを行うことでパターンを形成する方法、マスキングをせずに成膜を行い、フォトリソグラフィ（感光性の薄膜をパターン露光し、エッチングによりパターンを生成する技術）などによりエッチングを行うことでパターンを形成する方法、印刷法によりパターンを形成する方法などを用いることができる。

（光学層の形成工程）
次に、必要に応じて、光学層２の波面Ｓｗの波面に、貼合層７を介して基体８を貼り合わせることにより、光学層６を形成する。

（効果）
第１の実施形態によれば、光学層２の同一面に第１の電極３と第２の電極４とを形成しているので、光学層の層数を減らすことができる。したがって、内部反射を低減し、視認性の低下を抑制することができる。

また、可視光の波長以下の平均波長を有する波面Ｓｗに、この波面Ｓｗに倣うように第１の電極３および第２の電極４を形成した場合には、波長依存性の少ない、視認性の優れた光学調整機能を得ることができる。したがって、第１の電極３および第２の電極４の視認を抑制することができる。

また、光学層２の波面Ｓｗのうち斜面の平均角度を３０°以上６０°以下の範囲内とした場合には、優れた電気的信頼性を得ることができる。

（２）第２の実施形態
図１７は、本技術の第２の実施形態に係る情報入力装置の光学層の表面形状の一例を示す平面図である。図１７に示すように、第２の実施形態に係る情報入力装置１は、複数の構造体２３が、隣接する３列のトラックＴ間において四方格子パターンまたは準四方格子パターンをなしている点において、第１の実施形態のものとは異なっている。

ここで、四方格子とは、正四角形状の格子のことをいう。準四方格子とは、正四角形状の格子とは異なり、歪んだ正四角形状の格子のことをいう。例えば、構造体２３が直線上に配置されている場合には、準四方格子とは、正四角形状の格子を直線状の配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませた四方格子のことをいう。構造体２３が円弧状に配置されている場合には、準四方格子とは、正四角形状の格子を円弧状に歪ませた四方格子、または正四角形状の格子を配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませ、かつ、円弧状に歪ませた四方格子のことをいう。構造体２３が蛇行して配列されている場合には、準四方格子とは、正四角形状の格子を構造体２３の蛇行配列により歪ませた四方格子、または正四角形状の格子を配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませ、かつ、構造体２３の蛇行配列により歪ませた四方格子のことをいう。

同一トラック内における構造体２３の配置ピッチＰ１は、隣接する２つのトラック間における構造体２３の配置ピッチＰ２よりも長いことが好ましい。また、同一トラック内における構造体２３の配置ピッチをＰ１、隣接する２つのトラック間における構造体２３の配置ピッチをＰ２としたとき、Ｐ１／Ｐ２が１．４＜Ｐ１／Ｐ２≦１．５の関係を満たすことが好ましい。このような数値範囲にすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体２３の充填率を向上することができるので、光学調整機能を向上することができる。また、トラックに対して４５度方向または約４５度方向における構造体２３の高さまたは深さは、トラックの延在方向における構造体２３の高さまたは深さよりも小さいことが好ましい。

トラックの延在方向に対して斜となる構造体２３の配列方向（θ方向）の高さＨ２は、トラックの延在方向における構造体２３の高さＨ１よりも小さいことが好ましい。すなわち、構造体２３の高さＨ１、Ｈ２がＨ１＞Ｈ２の関係を満たすことが好ましい。

構造体２３が四方格子または準四方格子パターンを形成する場合には、構造体底面の楕円率ｅは、１５０％≦ｅ≦１８０％であることが好ましい。この範囲にすることで、構造体２３の充填率を向上し、優れた光学調整機能を得ることができるからである。

波面Ｓｗの面積Ｓ１に対する平坦部の面積Ｓ２の比率Ｒ_s（（Ｓ２／Ｓ１）×１００）が、好ましくは０％以上５０％以下、より好ましくは０％以上４５％以下、さらに好ましくは０％以上３０％以下の範囲内である。比率Ｒ_sを５０％以下にすることで、光学調整機能を向上することができる。

ここで、波面Ｓｗの面積Ｓ１に対する平坦部の面積Ｓ２の比率Ｒ_s（（Ｓ２／Ｓ１）×１００）は以下のようにして求めた値である。まず、情報入力装置１の表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）を用いてＴｏｐ Ｖｉｅｗで撮影する。次に、撮影したＳＥＭ写真から無作為に単位格子Ｕｃを選び出し、その単位格子Ｕｃの配置ピッチＰ１、およびトラックピッチＴｐを測定する（図１０Ｂ参照）。また、その単位格子Ｕｃに含まれる４つの構造体２３のいずれかの底面の面積Ｓ（structure）を画像処理により測定する。次に、測定した配置ピッチＰ１、トラックピッチＴｐ、および底面の面積Ｓ（structure）を用いて、以下の式より比率Ｒを求める。
比率Ｒ＝［（Ｓ（lattice）−Ｓ（structure））／Ｓ（lattice）］×１００
単位格子面積：Ｓ（lattice）＝２×（（Ｐ１×Ｔｐ）×（１／２））＝Ｐ１×Ｔｐ
単位格子内に存在する構造体の底面の面積：Ｓ（structure）＝Ｓ

上述した比率Ｒの算出の処理を、撮影したＳＥＭ写真から無作為に選び出された１０箇所の単位格子Ｕｃについて行う。そして、測定値を単純に平均（算術平均）して比率Ｒの平均率を求め、これを比率Ｒ_sとする。

配置ピッチＰ１に対する径２ｒの比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が、６４％以上、好ましくは６９％以上、より好ましくは７３％以上である。このような範囲にすることで、構造体２３の充填率を向上し、光学調整機能を向上できるからである。ここで、配置ピッチＰ１は、構造体２３のトラック方向の配置ピッチ、径２ｒは、構造体底面のトラック方向の径である。なお、構造体底面が円形である場合、径２ｒは直径となり、構造体底面が楕円形である場合、径２ｒは長径となる。

この第２の実施形態において上記以外のことは、第１の実施形態と同様である。

第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

（３）第３の実施形態
図１８Ａは、本技術の第３の実施形態に係る情報入力装置の光学層の表面形状の一例を示す平面図である。第３の実施形態に係る情報入力装置１は、複数の構造体２３をランダム（不規則）に２次元配列することにより、光学層２の波面Ｓｗを形成している点において、第１の実施形態とは異なっている。

図１８Ｂは、本技術の第３の実施形態に係る情報入力装置の光学層の表面形状の一例を示す断面図である。図１８Ｂに示すように、構造体２１の形状、大きさおよびは高さの少なくとも１つをランダムに変化させるようにしてもよい。

上述の表面形状を有する光学層２を作製するための原盤の作製方法としては、例えば、アルミニウム基材などの金属基材の表面を陽極酸化する方法を用いることができるが、この方法に特に限定されるものではない。

この第３の実施形態において上記以外のことは、第１の実施形態と同様である。

第３の実施形態では、複数の構造体２３をランダムに２次元配列しているので、外観上のムラの発生を抑制できる。

（４）第４の実施形態
図１９は、本技術の第４の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を示す断面図である。図１９に示すように、情報入力装置１が、表示装置６１の表示面に対して設けられている。第４の実施形態において第１の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。

光学層２の波面Ｓｗに形成された第１の電極３および第２の電極４は露出しており、これらの電極が露出した波面Ｓｗと、表示装置６１の表示面とが所定間隔離して対向配置されている。情報入力装置１と表示装置６１との周縁部間には、貼合層６２が設けられており、互いに貼り合わされている。貼合層１２１としては、例えば、粘着ペースト、粘着テープなどを用いることができる。

情報入力装置１０１が設けられる表示装置１０２は特に限定されるものではないが、例示するならば、液晶ディスプレイ、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）ディスプレイ、プラズマディスプレイ（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）、エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）ディスプレイ、表面伝導型電子放出素子ディスプレイ（Surface-conduction Electron-emitter Display：ＳＥＤ）、電子ペーパなどの各種表示装置が挙げられる。

第４の実施形態によれば、波面Ｓｗに第１の電極３および第２の電極４を形成しているので、第１の電極３および第２の電極４が露出している場合でも、第１の電極３と第２の電極４の視認、例えば第１のパッド部３ａおよび第２のパッド部４ａの視認を抑制することができる。

（５）本技術の構成
なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）表面を有する光学層と、
上記表面に形成された複数の第１の電極と、
上記表面に上記第１の電極と交差するように形成された複数の第２の電極と、
上記第１の電極と上記第２の電極とが交差する交差部に介在された透明絶縁層と
を備え、
上記光学層の表面は、可視光の波長以下の平均波長を有する波面であり、
上記波面の平均波長をλｍとし、上記波面の振動の平均幅をＡｍとしたき、比率（Ａｍ／λｍ）が、０．２以上１．０以下の範囲内である情報入力装置。
（２）上記第１の電極は、複数の第１の単位電極体と、上記複数の第１の単位電極体同士をそれぞれ連結する複数の第１の連結部とを備え、
上記第２の電極は、複数の第２の単位電極体と、上記複数の第２の単位電極体同士をそれぞれ連結する複数の第２の連結部とを備え、
上記交差部では、上記第２の連結部、上記透明絶縁層、上記第１の連結部がこの順序で上記表面に積層され、
上記第１の連結部は、上記透明絶縁層を跨いで上記第１の単位電極体を連結している（１）記載の情報入力装置。
（３）上記第１の単位電極体、上記第２の単位電極体、および上記第２の連結部は、透明導電材料を主成分とする透明導電層であり、
上記第１の連結部は、金属または透明導電材料を主成分とする導電層である（２）記載の情報入力装置。
（４）上記波面のうち斜面の平均角度が、３０°以上６０°以下の範囲内であり、
上記波面が最も高くなる位置における上記透明導電層の膜厚をＤ１とし、上記波面が最も低くなる位置における上記透明導電層の膜厚をＤ３としたとき、比率Ｄ３／Ｄ１が０．８以下の範囲内である（３）記載の情報入力装置。
（５）上記波面が最も高くなる位置における透明導電層の膜厚が、１００ｎｍ以下である（３）または（４）記載の情報入力装置。
（６）上記第１の単位電極体および上記第２の単位電極体が、上記波面に倣うように形成されている（２）〜（５）のいずれか１項に記載の情報入力装置。
（７）上記第１の電極、上記第２の電極、および上記透明絶縁層が、上記波面に倣うように形成されている（１）〜（５）のいずれか１項に記載の情報入力装置。
（８）上記光学層の波面には、上記第１の単位電極体および上記第２の単位電極体が形成された電極体形成領域と、上記第１の単位電極体および上記第２の単位電極体との間において上記波面が露出した波面露出領域とがあり、
上記電極体形成領域と上記波面露出領域との反射率差ΔＲが５％以下である（２）〜（５）のいずれか１項に記載の情報入力装置。
（９）上記波面側でのＬ＊ａ＊ｂ＊色度系における反射色相が｜ａ＊｜≦１０かつ｜ｂ＊｜≦１０である（１）〜（８）のいずれか１項に記載の情報入力装置。
（１０）上記波面とは反対側の面でのＬ＊ａ＊ｂ＊色度系における透過色相が｜ａ＊｜≦１０かつ｜ｂ＊｜≦１０である（１）〜（８）のいずれか１項に記載の情報入力装置。
（１１）上記第１の電極、および上記第２の電極が形成された表面に光学層をさらに備える（１）〜（８）のいずれか１項に記載の情報入力装置。
（１２）上記波面とは反対側の面でのＬ＊ａ＊ｂ＊色度系における透過色相が｜ａ＊｜≦５かつ｜ｂ＊｜≦５である（１１）記載の情報入力装置。
（１３）上記波面のうち平坦部の面積が、５０％以下である（１）〜（１２）のいずれか１項に記載の情報入力装置。
（１４）上記波面の平均波長λｍが、１４０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、
上記波面の振動の平均幅Ａｍが、２８ｎｍ以上３００ｎｍ以下である（１）〜（１３）のいずれか１項に記載の情報入力装置。
（１５）上記波面は、複数の列をなすように配置された複数の構造体により形成され、
上記列が、直線状、または円弧状を有する（１）〜（１４）のいずれか１項に記載の情報入力装置。
（１６）上記波面は、複数の列をなすように配置された複数の構造体により形成され、
上記列が、蛇行している（１）〜（１５）のいずれか１項に記載の情報入力装置。
（１７）上記構造体は、隣接する列間において格子パターンを形成し、
上記格子パターンが、六方格子パターン、準六方格子パターン、四方格子パターンおよび準四方格子パターンの少なくとも１種である（１５）または（１６）記載の情報入力装置。

以下、実施例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらの実施例のみに限定されるものではない。

以下、サンプルにより本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらのサンプルのみに限定されるものではない。

（平均高さＨｍ、平均配置ピッチＰｍ、アスペクト比（Ｈｍ／Ｐｍ））
以下において、透明導電性シートなどの構造体の平均高さＨｍ、平均配置ピッチＰｍ、およびアスペクト比（Ｈｍ／Ｐｍ）は次のようにして求めた。

まず、透明導電性シートを構造体の頂部を含むように切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）にて撮影した。次に、撮影したＴＥＭ写真から、構造体の配置ピッチＰ、構造体の高さＨを求めた。この測定を透明導電性シートから無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値を単純に平均（算術平均）して、平均配置ピッチＰｍ、および平均高さＨｍを求めた。次に、これらの平均配置ピッチＰｍ、および平均高さＨｍを用いて、アスペクト比（Ｈｍ／Ｐｍ）を求めた。

なお、構造体の平均高さＨｍ、平均配置ピッチＰｍ、およびアスペクト比（Ｈｍ／Ｐｍ）はそれぞれ、波面の振動の平均幅Ａｍ、波面の平均波長をλｍ、および比率（Ａｍ／λｍ）に対応する。

（ＩＴＯ膜の膜厚）
以下において、ＩＴＯ膜の膜厚は次のようにして求めた。
まず、透明導電性シートを構造体の頂部を含むように切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）にて撮影し、撮影したＴＥＭ写真から、構造体の頂部におけるＩＴＯ膜の膜厚を測定した。

（構造体斜面の平均角度）
以下において、構造体斜面の平均角度は次のようにして求めた。
まず、透明導電性シートを構造体の頂部を含むように切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）にて撮影した。次に、撮影したＴＥＭ写真から、底部から頂部への斜面の角度の平均値（１個の構造体の斜面角度の平均値）を求めた。このような平均値を求める処理を透明導電性シートから無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、１０個の構造体の斜面角度の平均値を単純に平均（算術平均）して、構造体斜面の平均角度とした。

サンプル１−１〜１０−５について以下の順序で説明する。
１．平坦部面積比（サンプル１−１〜１−３）
２．色調（サンプル２−１〜２−３）
３．透明導電層の膜厚比（サンプル３−１〜３−３）
４．アスペクト比（サンプル４−１〜４−４）
５．電気的信頼性（サンプル５−１〜５−６）
６．反射率差ΔＲ（サンプル６−１〜６−４）
７．構造体の形状（サンプル７−１〜７−３）
８．パターン歪み（サンプル８−１、８−２）
９．エッチング耐性（サンプル９−１〜１０−５）

＜１．平坦部面積比＞
サンプル１−１〜１−３では、ＲＣＷＡ（Rigorous Coupled Wave Analysis）による光学シミュレーションにより、平坦部面積比と反射率との関係について検討を行った。

（サンプル１−１）
光学シミュレーションにより、透明導電性素子の反射スペクトルを求めた。その結果のグラフを図２０Ｂに示す。

以下に、光学シミュレーションの条件を示す。
（透明導電性素子の構成）
透明導電性素子は以下の積層構造体とした。
（入射側）基体／構造体／透明導電層／光学層（出射側）

図２０Ａは、基体表面に配列された複数の構造体を示す平面図である。図２０Ａにおいて、円形状は構造体底面を示し、Ｕｃは単位格子、ｒ_sは構造体底面の半径を示す。基体表面には、図２０Ａに示すように、複数の構造体が配列されている。

（基体）
屈折率ｎ：１．５２
（構造体）
構造体の配列：六方格子
構造体の形状：釣鐘型
構造体の底面：円形
配置ピッチ（波長λ）Ｐ：２５０ｎｍ
構造体の高さ（振幅Ａ）Ｈ：１５０ｎｍ
アスペクト比（Ｈ／Ｐ）：０．６
単位格子Ｕｃの面積Ｓ（lattice）：２×２√３
構造体の底面の半径ｒ_s：０．９
構造体の底面の面積Ｓ（structure）：２×πｒ_s ²＝２×π×０．９²
平坦部の面積比率Ｒ_s：［（Ｓ（lattice）−Ｓ（structure））／Ｓ（lattice）］×１００＝２６．５４％
（透明導電層）
透明導電層の屈折率ｎ：２．０
透明導電層の厚さｔ：６０〜７５ｎｍ
構造体頂部の透明導電層の厚さＤ１：７５ｎｍ
構造体間の透明導電層の厚さＤ３：６０ｎｍ
膜厚比Ｄ３／Ｄ１：０．８
（光学層）
屈折率ｎ：１．５２
（入射光）
偏光：無偏光
入射角：５度（透明導電性素子の法線に対して）

（サンプル１−２）
以下の条件を変更する以外はサンプル１−１と同様にして、光学シミュレーションにより、透明導電性素子の反射スペクトルを求めた。その結果のグラフを図２０Ｂに示す。

（構造体）
構造体の底面の半径ｒ_s：０．８
構造体の底面の面積Ｓ（structure）：２×πｒ_s ²＝２×π×０．８²
平坦部の面積比率：［（Ｓ（lattice）−Ｓ（structure））／Ｓ（lattice）］×１００＝４１．９６％

（サンプル１−３）
以下の条件を変更する以外はサンプル１−１と同様にして、光学シミュレーションにより、透明導電性素子の反射スペクトルを求めた。その結果のグラフを図２０Ｂに示す。

（構造体）
構造体の底面の半径ｒ_s：０．７
構造体の底面の面積Ｓ（structure）：２×πｒ_s ²＝２×π×０．７²
平坦部の面積比率：［（Ｓ（lattice）−Ｓ（structure））／Ｓ（lattice）］×１００＝５５．５６％

図２０Ｂから以下のことがわかる。
透明導電性素子の表面において平坦部の面積比率を５０％以下とすることで、視感反射率（波長５５０ｎｍにおける反射率）を２％以下にすることができる。
視感反射率２％以下にすることで、視認性を向上することができる。

なお、構造体の底面の半径ｒ_s、構造体の底面の面積Ｓ（structure）、および平坦部の面積比率Ｒ_sを以下のように設定した場合には、サンプル１−１に比して反射率をさらに低減することができる。
構造体の底面の半径ｒ_s：１．０
構造体の底面の面積Ｓ（structure）：２×πｒ_s ²＝２×π×１．０²
平坦部の面積比率Ｒ_s：［（Ｓ（lattice）−Ｓ（structure））／Ｓ（lattice）］×１００＝９．３１％

＜２．色調＞
サンプル２−１〜２−３では、透明導電性シートを実際に作製することにより、色調について検討を行った。

（サンプル２−１）
まず、外径１２６ｍｍのガラスロール原盤を準備し、このガラスロール原盤の表面に以下のようにしてレジスト層を着膜した。すなわち、シンナーでフォトレジストを１／１０に希釈し、この希釈レジストをディッピング法によりガラスロール原盤の円柱面上に厚さ７０ｎｍ程度に塗布することにより、レジスト層を着膜した。次に、記録媒体としてのガラスロール原盤を、図１３に示したロール原盤露光装置に搬送し、レジスト層を露光することにより、１つの螺旋状に連なるとともに、隣接する３列のトラック間において六方格子パターンをなす潜像がレジスト層にパターニングされた。

具体的には、六方格子状の露光パターンが形成されるべき領域に対して、前記ガラスロール原盤表面まで露光するパワー０．５０ｍＷ／ｍのレーザー光を照射し六方格子状の露光パターンを形成した。なお、トラック列の列方向のレジスト層の厚さは６０ｎｍ程度、トラックの延在方向のレジスト厚さは５０ｎｍ程度であった。

次に、ガラスロール原盤上のレジスト層に現像処理を施して、露光した部分のレジスト層を溶解させて現像を行った。具体的には、図示しない現像機のターンテーブル上に未現像のガラスロール原盤を載置し、ターンテーブルごと回転させつつガラスロール原盤の表面に現像液を滴下してその表面のレジスト層を現像した。これにより、レジスト層が六方格子パターンに開口しているレジストガラス原盤が得られた。

次に、ロールエッチング装置を用い、ＣＨＦ₃ガス雰囲気中でのプラズマエッチングを行った。これにより、ガラスロール原盤の表面において、レジスト層から露出している六方格子パターンの部分のみエッチングが進行し、その他の領域はレジスト層がマスクとなりエッチングはされず、楕円錐形状の凹部がガラスロール原盤に形成された。この際、エッチング量（深さ）は、エッチング時間によって調整した。最後に、Ｏ₂アッシングにより完全にレジスト層を除去することにより、凹形状の六方格子パターンを有するモスアイガラスロールマスタが得られた。列方向における凹部の深さは、トラックの延在方向における凹部の深さより深かった。

次に、上記モスアイガラスロールマスタを用いて、ＵＶインプリントにより複数の構造体を厚さ１２５μｍのＰＥＴシート上に作製した。具体的には、上記モスアイガラスロールマスタと、紫外線硬化樹脂を塗布したＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）シートを密着させ、紫外線を照射し硬化させながら剥離した。これにより、以下の構造体が一主面に複数配列された光学シートが得られた。
構造体の配列：六方格子
構造体の形状：釣鐘型
構造体の平均配置ピッチ（波長λ）Ｐｍ：２５０ｎｍ
構造体の平均高さ（振幅Ａ）Ｈｍ：１２５ｎｍ
構造体のアスペクト比（Ｈｍ／Ｐｍ）：０．５

次に、スパッタリング法により、複数の構造体が形成されたＰＥＴシート表面に、ＩＴＯ層を成膜することにより、透明導電性シートを作製した。

以下にＩＴＯ層の成膜条件を示す。
ガス種：ＡｒガスとＯ₂ガスとの混合ガス
混合ガスの混合比率（体積比率）：Ａｒ：Ｏ₂＝２００：１０
ＩＴＯ層の膜厚：７５ｎｍ
ここで、ＩＴＯ層の膜厚は構造体の頂部における膜厚である。

次に、透明導電性シートを屈折率１．５のガラス基板上に、粘着シートを介してＩＴＯ層側の面がガラス基板の面側になるように接着した。

以上により、目的とする透明導電性シートが作製された。

（サンプル２−２）
以下の構造体をＰＥＴシートの一主面に複数配列する以外のことは、サンプル２−１と同様にして光学シートを作製した。
構造体の配列：六方格子
構造体の形状：釣鐘型
構造体の平均配置ピッチＰｍ：２５０ｎｍ
構造体の構造体の平均高さＨｍ：１５０ｎｍ
アスペクト比（Ｈｍ／Ｐｍ）：０．６

次に、スパッタリング法により、複数の構造体が形成されたＰＥＴシート表面に、ＩＴＯ層を成膜することにより、透明導電性シートを作製した。

以下にＩＴＯ層の成膜条件を示す。
ガス種：ＡｒガスとＯ₂ガスとの混合ガス
混合ガスの混合比率（体積比率）：Ａｒ：Ｏ₂＝２００：１０
ＩＴＯ層の膜厚：１００ｎｍ
ここで、ＩＴＯ層の膜厚は構造体の頂部における膜厚である。

次に、透明導電性シートを屈折率１．５のガラス基板上に、粘着シートを介してＩＴＯ層側の面がガラス基板の面側になるように接着した。
以上により、目的とする透明導電性シートが作製された。

（サンプル２−３）
まず、ＩＴＯ層の形成を省略する以外は、サンプル２−１と同様にして光学シートを作製した。

次に、光学シートを屈折率１．５のガラス基板上に、粘着シートを介して複数の構造体が形成された側の面がガラス基板の面側になるように接着した。
以上により、目的とする透明導電性シートが作製された。

（透過色相）
上述のようにして作製した透明導電性シートおよび光学シートを測定試料として、分光光度計により可視周辺の波長域（３５０ｎｍ〜８００ｎｍ)での透過スペクトルを測定し、その透過スペクトルから透過色相ａ＊、ｂ＊を算出した。透過スペクトルの測定結果を図２１に示す。透過色相ａ＊、ｂ＊の算出結果を表１に示す。

表１は、サンプル２−１〜２−３の透過色相の算出結果を示す。

表１から以下のことがわかる。
サンプル２−１、２−２の透明導電性シートでは、ａ＊、ｂ＊ともに３より小さい値となり、無色透明で良好な特性を有していることがわかる。

＜３．透明導電層の膜厚比＞
サンプル３−１〜３−３では、ＲＣＷＡによる光学シミュレーションにより、透明導電層の膜厚比（Ｄ３／Ｄ１）と反射率との関係について検討を行った。

（サンプル３−１）
光学シミュレーションにより透明導電性素子の反射スペクトルを求め、この反射スペクトルから反射色相ａ＊、ｂ＊および反射Ｙ値を求めた。その結果のグラフを図２２Ａおよび表２に示す。

同様に、光学シミュレーションにより透明導電性素子の透過スペクトルを求め、この透過スペクトルから透過色相ａ＊、ｂ＊を求めた。その結果のグラフを図２２Ｂおよび表３に示す。

以下に、光学シミュレーションの条件を示す。
（透明導電性素子の構成）
透明導電性素子は以下の積層構造体とした。
（入射側）基体／構造体／透明導電層／光学層（出射側）

（基体）
屈折率ｎ：１．５２
（構造体）
構造体の配列：六方格子
構造体の形状：釣鐘型
構造体の底面：円形
配置ピッチ（波長λ）Ｐ：２５０ｎｍ
構造体の高さ（振幅Ａ）Ｈ：１５０ｎｍ
アスペクト比（Ｈ／Ｐ）：０．６
単位格子Ｕｃの面積Ｓ（lattice）：２×２√３
平坦部の面積比率Ｒ_s：［（Ｓ（lattice）−Ｓ（structure））／Ｓ（lattice）］×１００＝４２％
（透明導電層）
透明導電層の屈折率ｎ：２．０
透明導電層の厚さｔ：５０ｎｍ
構造体頂部の透明導電層の厚さＤ１：５０ｎｍ
構造体間の透明導電層の厚さＤ３：５０ｎｍ
膜厚比Ｄ３／Ｄ１：１
（光学層）
屈折率ｎ：１．５２
（入射光）
偏光：無偏光
入射角：５度（透明導電性素子の法線に対して）

（サンプル３−２）
以下の光学シミュレーション条件を変更する以外のことは、サンプル３−１と同様にして光学シミュレーションを行い、反射スペクトルを求め、この反射スペクトルから反射色相ａ＊、ｂ＊および反射Ｙ値を求めた。その結果のグラフを図２２Ａおよび表２に示す。

同様に、光学シミュレーションにより透明導電性素子の透過スペクトルを求め、この透過スペクトルから透過色相ａ＊、ｂ＊を求めた。その結果のグラフを図２２Ｂおよび表３に示す。

（透明導電層）
透明導電層の厚さｔ：４０〜５０ｎｍ
構造体頂部の透明導電層の厚さＤ１：５０ｎｍ
構造体間の透明導電層の厚さＤ３：４０ｎｍ
膜厚比Ｄ３／Ｄ１：０．８

（サンプル３−３）
以下の光学シミュレーション条件を変更する以外のことは、サンプル３−１と同様にして光学シミュレーションを行い、反射スペクトルを求め、この反射スペクトルから反射色相ａ＊、ｂ＊および反射Ｙ値を求めた。その結果のグラフを図２２Ａおよび表２に示す。

同様に、光学シミュレーションにより透明導電性素子の透過スペクトルを求め、この透過スペクトルから透過色相ａ＊、ｂ＊を求めた。その結果のグラフを図２２Ｂおよび表３に示す。

（透明導電層）
透明導電層の厚さｔ：３０ｎｍ〜５０ｎｍ
構造体頂部の透明導電層の厚さＤ１：５０ｎｍ
構造体間の透明導電層の厚さＤ３：３０ｎｍ
膜厚比Ｄ３／Ｄ１：０．６

図２２Ａから以下のことがわかる。
膜厚比Ｄ３／Ｄ１を１未満とすることで反射特性を向上することができる。具体的には膜厚比Ｄ３／Ｄ１が、好ましくは０．８以下、より好ましくは０．６以下である。

＜４．アスペクト比＞
サンプル４−１〜４−４では、ＲＣＷＡによる光学シミュレーションにより、構造体のアスペクト比と反射率との関係について検討を行った。

（サンプル４−１）
光学シミュレーションにより、透明導電性素子の反射スペクトルを求め、この反射スペクトルから反射色相ａ＊、ｂ＊および反射Ｙ値を求めた。その結果を図２３および表４に示す。

以下に、光学シミュレーションの条件を示す。
（透明導電性素子の構成）
透明導電性素子は以下の積層構造体とした。
（入射側）基体／構造体／透明導電層／光学層（出射側）

（基体）
屈折率ｎ：１．５２
（構造体）
構造体の配列：六方格子
構造体の形状：釣鐘型
構造体の底面：円形
配置ピッチ（波長λ）Ｐ：２５０ｎｍ
構造体の高さ（振幅Ａ）Ｈ：２００ｎｍ
アスペクト比（Ｈ／Ｐ）：０．８
単位格子Ｕｃの面積Ｓ（lattice）：２×２√３
平坦部の面積比率Ｒ_s：［（Ｓ（lattice）−Ｓ（structure））／Ｓ（lattice）］×１００＝４２％
（透明導電層）
透明導電層の屈折率ｎ：２．０
透明導電層の厚さｔ：６０〜７５ｎｍ
構造体頂部の透明導電層の厚さＤ１：７５ｎｍ
構造体間の透明導電層の厚さＤ３：６０ｎｍ
膜厚比Ｄ３／Ｄ１：０．８
（光学層）
屈折率ｎ：１．５２
（入射光）
偏光：無偏光
入射角：５度（透明導電性素子の法線に対して）

（サンプル４−２）
以下の光学シミュレーション条件を変更する以外のことは、サンプル４−１と同様にして光学シミュレーションを行い、反射スペクトルを求め、この反射スペクトルから反射色相ａ＊、ｂ＊および反射Ｙ値を求めた。その結果のグラフを図２３および表４に示す。

（構造体）
配置ピッチ（波長λ）Ｐ：２５０ｎｍ
構造体の高さ（振幅Ａ）Ｈ：１５０ｎｍ
アスペクト比（Ｈ／Ｐ）：０．６

（サンプル４−３）
以下の光学シミュレーション条件を変更する以外のことは、サンプル４−１と同様にして光学シミュレーションを行い、反射スペクトルを求め、この反射スペクトルから反射色相ａ＊、ｂ＊および反射Ｙ値を求めた。その結果のグラフを図２３および表４に示す。

（構造体）
配置ピッチ（波長λ）Ｐ：２５０ｎｍ
構造体の高さ（振幅Ａ）Ｈ：１００ｎｍ
アスペクト比（Ｈ／Ｐ）：０．４

（サンプル４−４）
以下の光学シミュレーション条件を変更する以外のことは、サンプル４−１と同様にして光学シミュレーションを行い、反射スペクトルを求め、この反射スペクトルから反射色相ａ＊、ｂ＊および反射Ｙ値を求めた。その結果のグラフを図２３および表４に示す。

（構造体）
配置ピッチ(波長λ)Ｐ：４００ｎｍ
構造体の高さ（振幅Ａ）Ｈ：６０ｎｍ
アスペクト比（Ｈ／Ｐ）：０．１５

図２３から以下のことがわかる。
構造体のアスペクトを０．２以上１．０以下の範囲内にすると、優れた光学調整機能を得ることができる。

＜５．電気的信頼性＞
サンプル５−１〜５−５では、透明導電性シートを実際に作製することにより、構造体斜面の平均角度と電気的信頼性との関係について検討を行った。

（サンプル５−１）
以下の構造体をＰＥＴシートの一主面に複数配列する以外のことは、サンプル２−１と同様にして光学シートを作製した。
構造体の配列：六方最密
構造体の形状：円錐台形状
構造体の平均配置ピッチＰｍ：２２０ｎｍ
構造体の平均高さＨｍ：２４０ｎｍ
構造体のアスペクト比（Ｈｍ／Ｐｍ）：１．０９１
構造体斜面の平均角度θｍ：６５度

次に、スパッタリング法により、複数の構造体が形成されたＰＥＴシート表面に、ＩＴＯ層を成膜することにより、透明導電性シートを作製した。

以下にＩＴＯ層の成膜条件を示す。
ガス種：ＡｒガスとＯ₂ガスとの混合ガス
混合ガスの混合比率（体積比率）：Ａｒ：Ｏ₂＝２００：１３
ＩＴＯ層の膜厚：３６ｎｍ〜４０ｎｍ
ここで、ＩＴＯ層の膜厚は構造体の頂部における膜厚である。

（サンプル５−２）
以下の構造体をＰＥＴシートの一主面に複数配列する以外のことは、サンプル５−１と同様にして透明導電性シートを作製した。
構造体の配列：六方最密
構造体の形状：円錐台形状
構造体の平均配置ピッチＰｍ：２５０ｎｍ
構造体の平均高さＨｍ：１８０ｎｍ
構造体のアスペクト比（Ｈｍ／Ｐｍ）：０．７２
構造体斜面の平均角度θｍ：５５度

（サンプル５−３）
以下の構造体をＰＥＴシートの一主面に複数配列する以外のことは、サンプル５−１と同様にして透明導電性シートを作製した。
構造体の配列：六方最密
構造体の形状：円錐台形状
構造体の平均配置ピッチＰｍ：２７０ｎｍ
構造体の平均高さＨｍ：１５０ｎｍ
構造体のアスペクト比（Ｈｍ／Ｐｍ）：０．５５
構造体斜面の平均角度θｍ：７０度

（サンプル５−４）
以下の構造体をＰＥＴシートの一主面に複数配列する以外のことは、サンプル５−１と同様にして透明導電性シートを作製した。
構造体の配列：六方最密
構造体の形状：円錐台形状
構造体の平均配置ピッチＰｍ：２５０ｎｍ
構造体の平均高さＨｍ：１３５ｎｍ
構造体のアスペクト比（Ｈｍ／Ｐｍ）：０．５４
構造体斜面の平均角度θｍ：５０度

（サンプル５−５）
構造体の形成を省略し、ＰＥＴシートの平坦な一主面に厚さ２０ｎｍのＩＴＯ層を成膜する以外は、サンプル５−１と同様にして透明導電性シートを作製した。

（サンプル５−６）
構造体の形成を省略し、ＰＥＴシートの平坦な一主面に、厚さ２０ｎｍのＮｂＯ層、厚さ９０ｎｍのＳｉＯ₂層、厚さ２０ｎｍのＩＴＯ層を順次成膜する以外は、サンプル５−１と同様にして透明導電性シートを作製した。

（ヒートショック試験）
まず、上述のようにして作製した透明導電性シートを、大気中雰囲気下において１５０度、３０分間エージングした。次に、−３０度の低温環境下に３０分間保持した後、７０度の高温環境下に３０分間保持する環境試験を透明導電性シートに５０サイクル行った。次に、透明導電性シートの表面抵抗を４探針法（ＪＩＳ Ｋ ７１９４）により測定した。その結果を表５に示す。

（高温試験）
まず、上述のようにして作製した透明導電性シートを、大気中雰囲気下において１５０度、３０分間エージングした。次に、透明導電性シートを８０度の低温環境下に２４０時間保持した後、透明導電性シートの表面抵抗を４探針法（ＪＩＳ Ｋ ７１９４）により測定した。その結果を表５に示す。

表５は、サンプル５−１〜５−６のヒートショック試験および高温試験（以下信頼性試験という。）の結果を示す。

表５から以下のことがわかる。
単層ＩＴＯ、多層ＩＴＯの構成を有するサンプル５−５、５−６では、信頼性試験により表面抵抗が１０％以上上昇する。
高アスペクト１．０９の構造体を表面に形成したサンプル５−１では、傾斜角度が６５度と大きいため、信頼性試験により表面抵抗が大きく上昇する。
低アスペクト０．５５の構造体を形成したサンプル５−３でも、構造体の形状が楕円錐台であるため、射面傾斜角度が７０度と大きくなり、信頼性試験により表面抵抗が上昇する。
１．０以下の低アスペクトであり、６０度以下の緩やかな射面傾斜角度であるサンプル５−２、５−４では、信頼製試験による表面抵抗の抵抗が極めて少ない。

ＩＴＯ層が数１０ｎｍの膜厚であると、基材の膨張収縮率による変化に応力を受けて一部断線すると考えられるが、構造体を基材表面に付与することで応力が緩和されて信頼性が飛躍的に向上すると考えられる。

したがって、構造体の形状としては、電気的信頼性の観点から、頂部に凸状の曲面を有する錐体状が好ましい。また、電気的信頼性の観点から、構造体の平均傾斜角度は、６０度以下であることが好ましい。

＜６．反射率差ΔＲ＞
（サンプル６−１）
まず、以下の構造体をＰＥＴシートの一主面に複数配列する以外のことは、サンプル１−１と同様にして透明導電性シートを作製した。
構造体の配列：六方格子
構造体の形状：釣鐘型
構造体の平均配置ピッチＰｍ：２５０ｎｍ
構造体の平均構造体の高さＨｍ：９０ｎｍ
構造体のアスペクト比（Ｈｍ／Ｐｍ）：０．３６
構造体の傾斜部平均角度θｍ：３６ｄｅｇ

次に、スパッタリング法により、複数の構造体が形成されたＰＥＴシート表面に、ＩＴＯ層を成膜することにより、透明導電性シートを作製した。

以下にＩＴＯ層の成膜条件を示す。
ガス種：ＡｒガスとＯ₂ガスとの混合ガス
混合ガスの混合比率（体積比率）：Ａｒ：Ｏ₂＝２００：１３
ＩＴＯ層の膜厚：３０ｎｍ
ここで、ＩＴＯ層の膜厚は構造体の頂部における膜厚である。

次に、透明導電性シートを屈折率１．５のガラス基板上に、粘着シートを介してＩＴＯ層側の面がガラス基板の面側になるように接着した。
以上により、目的とする透明導電性シートが作製された。

（サンプル６−２）
まず、ＩＴＯ層の形成を省略する以外は、サンプル６−１と同様にして光学シートを作製した。

次に、光学シートを屈折率１．５のガラス基板上に、粘着シートを介して複数の構造体が形成された面がガラス基板の面側になるように接着した。
以上により、目的とする光学シートが作製された。

（サンプル６−３）
構造体の形成を省略し、ＰＥＴシートの平坦な一主面に３０ｎｍの厚さのＩＴＯ層を成膜する以外は、サンプル６−１と同様にして透明導電性シートを作製した。

（サンプル６−４）
ＩＴＯ層の形成を省略する以外は、サンプル６−３と同様にして光学シートを作製した。

（反射スペクトル）
まず、上述のようにして作製した透明導電性シートおよび光学シートのガラス基板を貼り合わせた側とは反対側の面に黒色テープを貼り合わせることにより、測定試料を作製した。次に、この測定試料の可視周辺の波長域（３５０ｎｍ〜７００ｎｍ)での反射スペクトルを、分光光度計（日本分光株式会社製、商品名：Ｖ−５５０）により測定した。次に、以下の式により反射率の差ΔＲを算出した。反射率の差ΔＲの算出結果を図２４に示す。視感反射率の差ΔＲの算出結果を表６に示す。ここで、視感反射率とは、波長５５０ｎｍにおける反射率である。
ΔＲ＝（（サンプル６−２の反射率）−（サンプル６−１の反射率））
ΔＲ＝（（サンプル６−４の反射率）−（サンプル６−３の反射率））

（反射色相）
上述のようにして測定した反射スペクトルから反射色相ａ＊、ｂ＊を算出した。その結果を表６に示す。

表６は、サンプル６−１〜６−４の視感反射率の差ΔＲおよび反射色相の算出結果を示す。

図２４および表６から以下のことがわかる。
傾斜角度が制御された構造体上に透明導電層を形成することで、視感反射率の差ΔＲを抑制することができる。また、ａ＊、ｂ＊の値の絶対値を小さくできる。

＜７．構造体の形状＞
サンプル７−１〜７−３では、ＲＣＷＡ（Rigorous Coupled Wave Analysis）による光学シミュレーションにより、構造体の形状と反射率との関係について検討を行った。

（サンプル７−１）
光学シミュレーションにより、透明導電性素子の反射スペクトルを求め、この反射スペクトルから反射色相ａ＊、ｂ＊を算出した。その結果を図２５Ａおよび表７に示す。

以下に、光学シミュレーションの条件を示す。
（透明導電性素子の構成）
透明導電性素子は以下の積層構造体とした。
（入射側）基体／透明導電層／光学層（出射側）

（基体）
屈折率ｎ：１．５２
（透明導電層）
透明導電層の屈折率ｎ：２．０
透明導電層の厚さｔ：７０ｎｍ
（出射面側の樹脂層）
屈折率ｎ：１．５２
（入射光）
偏光：無偏光
入射角：５度（透明導電性素子の法線に対して）

（サンプル７−２）
図２６Ａは、サンプル７−２の透明導電層の厚さＤ１、Ｄ２、Ｄ３を示す断面図である。図２６Ａ中、ｎ₁、ｎ₂およびｎ₃はそれぞれ、構造体頂部、構造体斜面および構造体間の垂線方向を示す。膜厚Ｄ１、膜厚Ｄ２、および膜厚Ｄ３はそれぞれ、構造体頂部における垂線ｎ₁方向の透明導電層の厚さ、構造体斜面における垂線ｎ₂方向の透明導電層の厚さ、および構造体間における垂線ｎ₃方向の透明導電層の厚さを示す。

光学シミュレーションにより、透明導電性素子の反射スペクトルを求め、この反射スペクトルから反射色相ａ＊、ｂ＊を算出した。その結果を図２５Ｂおよび表７に示す。

以下に、光学シミュレーションの条件を示す。
（透明導電性素子の構成）
透明導電性素子は以下の積層構造体とした。
（入射側）基体／構造体／透明導電層／光学層（出射側）

（基体）
屈折率ｎ：１．５２
（構造体）
構造体の配列：正方格子
構造体の形状：四角錐（底面の辺の長さ：１００ｎｍ、上面の辺の長さ：４０ｎｍ）
構造体の底面：四角形
構造体の屈折率ｎ：１．５２
配置ピッチＰ：１２０ｎｍ
構造体の高さＨ：１００ｎｍ
アスペクト比（Ｈ／Ｐ）：０．８３

（透明導電層）
図２６Ａに示すように、構造体頂部における垂線方向ｎ₁の透明導電層の厚さＤ１、構造体斜面における垂線方向ｎ₂の透明導電層の厚さＤ２が７０ｎｍとなるように透明導電層を設定した。

透明導電層の屈折率ｎ：２．０
構造体頂部の透明導電層の厚さＤ１：７０ｎｍ
構造体斜面の透明導電層の厚さＤ２：７０ｎｍ
膜厚比Ｄ３／Ｄ１：１以上
（出射面側の樹脂層）
屈折率ｎ：１．５２
（入射光）
偏光：無偏光
入射角：５度（透明導電性素子の法線に対して）

（サンプル７−３）
図２６Ｂは、サンプル７−３の透明導電層の厚さＤ１、Ｄ２、Ｄ３を示す断面図である。図２６Ｂ中、ｎ₀は、透明導電性素子表面（または基体表面）の垂線方向を示す。膜厚Ｄ１、膜厚Ｄ２、および膜厚Ｄ３はそれぞれ、構造体頂部における垂線方向ｎ₀の透明導電層の厚さ、構造体斜面における垂線方向ｎ₀の透明導電層の厚さ、および構造体間における垂線ｎ₀方向の透明導電層の厚さを示す。

以下の光学シミュレーション条件を変更する以外のことは、試験例１と同様にして光学シミュレーションを行い、反射スペクトルを求め、この反射スペクトルから反射色相ａ＊、ｂ＊を算出した。その結果を図２５Ｃおよび表７に示す。

（透明導電層）
図２６Ｂに示すように、構造体頂部における垂線方向ｎ₀の透明導電層の厚さＤ１、構造体斜面における垂線方向ｎ₀の透明導電層の厚さＤ２、構造体間における垂線方向ｎ₀の透明導電層の厚さＤ３がすべて７０ｎｍとなるように透明導電層を設定した。

透明導電層の屈折率ｎ：２．０
構造体頂部の透明導電層の厚さＤ１：７０ｎｍ
構造体間の透明導電層の厚さＤ３：７０ｎｍ
膜厚比Ｄ３／Ｄ１：１

表７は、サンプル７−１〜７−３の視感反射率および透過色相の算出結果を示す。

図２５Ａ〜図２５Ｃおよび表７から以下のことがわかる。
平坦面上に透明導電層を形成した構成を有するサンプル７−１では、ａ＊、ｂ＊の絶対値は小さいが、視感反射率が高くなってしまう。
構造体上に透明導電層を一定の厚さで形成したサンプル７−２では、視感反射率をある程度低減することはできるが、ａ＊、ｂ＊の絶対値が大きくなってしまう。
構造体上に、この構造体が形成された表面の垂線方向に一定の厚さで透明導電層を形成したサンプル７−３では、視感反射率を低減することはできるが、ａ＊、ｂ＊の絶対値が大きくなってしまう。

＜８．電極パターン歪み＞
サンプル８−１、８−２では、透明導電性シートを実際に作製することにより、構造体の有無と電極パターン歪みとの関係について検討した。

（サンプル８−１）
以下の構造体をＰＥＴシートの一主面に複数配列する以外のことは、サンプル１−１と同様にして光学シートを作製した。
構造体の配列：六方最密
構造体の形状：円錐台形状
配置ピッチＰ：２５０ｎｍ
構造体の高さＨ：１５０ｎｍ
アスペクト比：０．６
傾斜部平均角度：５０ｄｅｇ

次に、スパッタリング法により、複数の構造体が形成されたＰＥＴシート表面に、ＩＴＯ層を成膜した。

以下にＩＴＯ層の成膜条件を示す。
ガス種：ＡｒガスとＯ₂ガスとの混合ガス
混合ガスの混合比率（体積比率）：Ａｒ：Ｏ₂＝２００：１０
ＩＴＯ層の膜厚：３０ｎｍ
ここで、ＩＴＯ層の膜厚は構造体の頂部における膜厚である。

次に、ＩＴＯ層をパターニングしてダイヤモンド形状が繋がった複数の電極を形成することにより、透明導電性シートを作製した。次に、上述のようにして作製した２枚の透明導電性シートを、複数の電極が形成された面が上側となるようするとともに、互いのダイヤモンド形状の電極が重ならないようにして、紫外線硬化樹脂により貼り合わせた。次に、上側に位置する透明導電性シートを、屈折率１．５のガラス基板に粘着シートを介してＩＴＯ層側の面がガラス基板の面側になるように接着した。
以上により、目的とする入力素子が得られた。

（サンプル８−２）
構造体の形成を省略し、ＰＥＴシートの平坦な一主面にＩＴＯ層を成膜する以外は、サンプル８−１と同様にして入力素子を作製した。

（パターン歪み評価）
上述のようにして作製した入力素子表面に蛍光灯を写し込み、入力素子表面に電極パターンに応じた歪みが生じているか否かを観察した。その結果、サンプル８−１では歪みが観察されなかったのに対して、サンプル８−２では歪みが観察された。

＜９．エッチング耐性＞
（サンプル９−１）
（転写工程）
以下の構造体をＰＥＴシートの一主面に複数配列する以外のことは、サンプル２−１と同様にして光学シートを作製した。
構造体の配列：六方最密
構造体の形状：釣鐘型
配置ピッチＰ：２５０ｎｍ
構造体の高さＨ：１８０ｎｍ
アスペクト比：０．５５
斜面の平均角度：５５度

（成膜工程）
次に、スパッタリング法により、複数の構造体が形成されたＰＥＴシート表面に、ＩＴＯ層を成膜した。

以下にＩＴＯ層の成膜条件を示す。
ガス種：ＡｒガスとＯ₂ガスとの混合ガス
混合ガスの混合比率（体積比率）：Ａｒ：Ｏ₂＝２００：１０
ＩＴＯ層の膜厚：３０ｎｍ
ここで、ＩＴＯ層の膜厚は構造体の頂部における膜厚である。

（アニール工程）
次に、ＩＴＯ層を形成したＰＥＴシートに対して、大気中にて１５０℃、１２０分間のアニールを施した。これにより、ＩＴＯ層の多結晶化が促進された。次に、この促進の状態を確認すべく、Ｘ線回折（X‐ray diffraction：ＸＲＤ）でＩＴＯ層を測定したところ、Ｉｎ₂Ｏ₃のピークが確認された。
以上により、目的とする透明導電性シートが作製された。

（サンプル９−２）
（転写工程、成膜工程、アニール工程）
まず、サンプル９−１と同様にして転写工程、成膜工程およびアニール工程を順次行い、アニール処理が施されたＩＴＯ層を有するＰＥＴフィルムを作製した。

（エッチング工程）
次に、アニール処理を施したＰＥＴフィルムを、ＨＣｌ１０％希釈溶液に２０秒間浸漬させて、ＩＴＯ層をエッチングした。

（洗浄工程）
次に、エッチング処理を施したＰＥＴシートに対して純水洗浄を行った。
以上により、目的とする透明導電性シートが作製された。

（サンプル９−３）
浸漬時間を４０秒間に変更する以外はサンプル９−２と同様にして透明導電性シートを作製した。

（サンプル９−４）
浸漬時間を６０秒間に変更する以外はサンプル９−２と同様にして透明導電性シートを作製した。

（サンプル９−５）
浸漬時間を１００秒間に変更する以外はサンプル９−２と同様にして透明導電性シートを作製した。

（サンプル１０−１）
以下の構造体をＰＥＴシートの一主面に複数配列する以外のことは、サンプル９−１と同様にして透明導電性シートを作製した。
構造体の配列：六方最密
構造体の形状：釣鐘型
配置ピッチＰ：２００ｎｍ
構造体の高さＨ：１８０ｎｍ
アスペクト比：０．６２
斜面の平均角度：６１度

（サンプル１０−２）
（転写工程、成膜工程、アニール工程）
まず、サンプル１０−１と同様にして転写工程、成膜工程およびアニール工程を順次行い、アニール処理が施されたＩＴＯ層を有するＰＥＴフィルムを作製した。

（エッチング工程）
次に、アニール処理を施したＰＥＴフィルムを、ＨＣｌ１０％希釈溶液に２０秒間浸漬させて、ＩＴＯ層をエッチングした。

（洗浄工程）
次に、エッチング処理を施したＰＥＴシートに対して純水洗浄を行った。
以上により、目的とする透明導電性シートが作製された。

（サンプル１０−３）
浸漬時間を４０秒間に変更する以外はサンプル１０−２と同様にして透明導電性シートを作製した。

（サンプル１０−４）
浸漬時間を６０秒間に変更する以外はサンプル１０−２と同様にして透明導電性シートを作製した。

（サンプル１０−５）
浸漬時間を１００秒間に変更する以外はサンプル１０−２と同様にして透明導電性シートを作製した。

（表面抵抗）
上述のようにして得られたサンプル９−１〜１０−５の透明導電性シート表面の表面抵抗値を４端針法にて測定した。その結果を表８および図２７に示す。

（初期変化率の逆数）
上述のようにして得られたサンプル９−１〜１０−５の透明導電性シート表面の初期変化率の逆数（仮想厚さの変化）を以下の式より求めた。その結果を表９に示す。
（初期表面抵抗に対する変化率の逆数）＝（エッチング前のサンプルの表面抵抗）／（エッチング後のサンプルの表面抵抗）

表８は、サンプル９−１〜１０−５に係る透明導電性シートの表面抵抗の評価結果を示す。

表９は、サンプル９−１〜１０−５に係る透明導電性シートの初期変化率の逆数の評価結果を示す。

表８、表９および図２７から以下のことがわかる。

斜面の平均角度が６０度を超えると、ＩＴＯ層のエッチング耐性が低下し、エッチング時間の経過に伴って表面抵抗が上昇する傾向がある。

以上、本発明の実施形態について具体的に説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

例えば、上述の実施形態において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。

また、上述の実施形態の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本発明の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

１ 情報入力装置
２ 光学層（第１の光学層）
３ 第１の電極（Ｘ電極）
３ａ 第１のパッド部
３ｂ 第１の連結部
４ 第２の電極（Ｙ電極）
４ａ 第２のパッド部
４ｂ 第２の連結部
５ 透明絶縁層
６ 光学層（第２の光学層）
７ 貼合層
８ 基体
１１ 取り出し電極
１２ ＦＰＣ
２１ 基体
２２ 基底層
２３ 構造体
Ｓｗ 波面

Claims (17)

1. 表面を有する光学層と、
   上記表面に形成された複数の第１の電極と、
   上記表面に上記第１の電極と交差するように形成された複数の第２の電極と、
   上記第１の電極と上記第２の電極とが交差する交差部に介在された透明絶縁層と
   を備え、
   上記光学層の表面は、可視光の波長以下の平均波長を有する波面であり、
   上記波面の平均波長をλｍとし、上記波面の振動の平均幅をＡｍとしたき、比率（Ａｍ／λｍ）が、０．２以上１．０以下の範囲内である情報入力装置。
2. 上記第１の電極は、複数の第１の単位電極体と、上記複数の第１の単位電極体同士をそれぞれ連結する複数の第１の連結部とを備え、
   上記第２の電極は、複数の第２の単位電極体と、上記複数の第２の単位電極体同士をそれぞれ連結する複数の第２の連結部とを備え、
   上記交差部では、上記第２の連結部、上記透明絶縁層、上記第１の連結部がこの順序で上記表面に積層され、
   上記第１の連結部は、上記透明絶縁層を跨いで上記第１の単位電極体を連結している請求項１記載の情報入力装置。
3. 上記第１の単位電極体、上記第２の単位電極体、および上記第２の連結部は、透明導電材料を主成分とする透明導電層であり、
   上記第１の連結部は、金属または透明導電材料を主成分とする導電層である請求項２記載の情報入力装置。
4. 上記波面のうち斜面の平均角度が、３０°以上６０°以下の範囲内であり、
   上記波面が最も高くなる位置における上記透明導電層の膜厚をＤ１とし、上記波面が最も低くなる位置における上記透明導電層の膜厚をＤ３としたとき、比率Ｄ３／Ｄ１が０．８以下の範囲内である請求項３記載の情報入力装置。
5. 上記波面が最も高くなる位置における透明導電層の膜厚が、１００ｎｍ以下である請求項３記載の情報入力装置。
6. 上記第１の単位電極体および上記第２の単位電極体が、上記波面に倣うように形成されている請求項２記載の情報入力装置。
7. 上記第１の電極、上記第２の電極、および上記透明絶縁層が、上記波面に倣うように形成されている請求項１記載の情報入力装置。
8. 上記光学層の波面には、上記第１の単位電極体および上記第２の単位電極体が形成された電極体形成領域と、上記第１の単位電極体および上記第２の単位電極体との間において上記波面が露出した波面露出領域とがあり、
   上記電極体形成領域と上記波面露出領域との反射率差ΔＲが５％以下である請求項２記載の情報入力装置。
9. 上記波面側でのＬ＊ａ＊ｂ＊色度系における反射色相が｜ａ＊｜≦１０かつ｜ｂ＊｜≦１０である請求項１記載の情報入力装置。
10. 上記波面とは反対側の面でのＬ＊ａ＊ｂ＊色度系における透過色相が｜ａ＊｜≦１０かつ｜ｂ＊｜≦１０である請求項１記載の情報入力装置。
11. 上記第１の電極、および上記第２の電極が形成された表面に光学層をさらに備える請求項１記載の情報入力装置。
12. 上記波面とは反対側の面でのＬ＊ａ＊ｂ＊色度系における透過色相が｜ａ＊｜≦５かつ｜ｂ＊｜≦５である請求項１１記載の情報入力装置。
13. 上記波面のうち平坦部の面積が、５０％以下である請求項１記載の情報入力装置。
14. 上記波面の平均波長λｍが、１４０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、
    上記波面の振動の平均幅Ａｍが、２８ｎｍ以上３００ｎｍ以下である請求項１記載の情報入力装置。
15. 上記波面は、複数の列をなすように配置された複数の構造体により形成され、
    上記列が、直線状、または円弧状を有する請求項１記載の情報入力装置。
16. 上記波面は、複数の列をなすように配置された複数の構造体により形成され、
    上記列が、蛇行している請求項１記載の情報入力装置。
17. 上記構造体は、隣接する列間において格子パターンを形成し、
    上記格子パターンが、六方格子パターン、準六方格子パターン、四方格子パターンおよび準四方格子パターンの少なくとも１種である請求項１５記載の情報入力装置。

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