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TWI465035B - Power amplifier with low power consumption - Google Patents

Power amplifier with low power consumption Download PDF

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TWI465035B
TWI465035B TW100143017A TW100143017A TWI465035B TW I465035 B TWI465035 B TW I465035B TW 100143017 A TW100143017 A TW 100143017A TW 100143017 A TW100143017 A TW 100143017A TW I465035 B TWI465035 B TW I465035B
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transistor
coupled
operational amplifier
circuit
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Sitronix Technology Corp
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Description

具低功率消耗之運算放大器
本發明係有關於一種運算放大器，其係尤指一種具有低功率消耗的運算放大器。
現今科技蓬勃發展，資訊商品種類推陳出新，滿足了眾多民眾不同的需求。早期顯示器多半為陰極射線管(Cathode Ray Tube，CRT)顯示器，由於其體積龐大與耗電量大，而且所產生的輻射線，對於長時間使用顯示器的使用者而言有危害身體的疑慮，因此，現今市面上的顯示器漸漸將由液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)取代舊有的CRT顯示器。液晶顯示器具有輕薄短小、低輻射與耗電量低等優點，也因此成為目前市場主流。
液晶顯示器為一種外型輕薄的平面顯示裝置(Flat Panel Display，FPD)，其具有低輻射、體積小及低耗能等優點，已逐漸取代傳統的陰極射線管顯示器(Cathode Ray Tube Display，CRT)，因而被廣泛地應用在筆記型電腦、個人數位助理(Personal Digital Assistant，PDA)、平面電視或行動電話等資訊產品上。液晶顯示器包含一液晶顯示面板(Liquid Crystal Panel)、一時序控制器(Timing Controller，TCON)、一閘極驅動器(Gate Driver)及一源極驅動器(Source Driver)。時序控制器係用來產生影像資料訊號，及驅動液晶顯示面板所需之控制訊 號和時脈訊號。閘極驅動器係用來產生開啟或關閉畫素電路陣列的掃描訊號，而源極驅動器則依據影像資料訊號、控制訊號和時脈訊號來產生液晶顯示面板之驅動訊號。
現今液晶顯示面板驅動晶片朝向高解析度發展，而每一級源極皆經由運算放大器輸出並驅動負載。由於解析度越高所需要使用越多的運算放大器，如此便會有不小的運算放大器所產生之靜態電流。為了解決此問題，唯一的方法就是將運算放大器的靜態操作電流限制在很小的變化範圍內。然而，一般習知之運算放大器是利用浮動源極隨耦(Floating source follower)的方式控制輸出靜態電流，但此架構的運算放大器易受製程變動而造成輸出級靜態電流過大，而導致過大的靜態功率消耗。
因此，如何針對上述問題而提出一種新穎運算放大器，其可有效降低功率消耗，使可解決上述之問題。
本發明之目的之一，在於提供一種具低功率消耗之運算放大器，其藉由一浮動偏壓產生電路位於一差動電路與一輸出級電路之間，而依據一控制訊號產生一浮動電壓以控制輸出級電路之一輸出訊號的電壓準位上升或下降，而達到一個運算放大器可快速充放電的能力，進而增加運算放大器的應用範圍。
本發明之目的之一，在於提供一種具低功率消耗之運算放大器，其藉由一浮動偏壓產生電路使運算放大器在驅動時可限制輸出電流，以達到低功率消耗的目的。
本發明之具低功率消耗之運算放大器包含一差動電路、一輸出級電路與一浮動偏壓產生電路。差動電路接收一輸入訊號，產 生一控制訊號；輸出級電路耦接差動電路，並依據控制訊號，產生一輸出訊號；以及浮動偏壓產生電路耦接於差動電路與輸出級電路之間，並依據控制訊號產生一浮動偏壓，以控制輸出訊號的電壓位準上升或下降。如此，本發明藉由一浮動偏壓產生電路位於一差動電路與一輸出級電路之間，而依據一控制訊號產生一浮動電壓以控制輸出級電路之一輸出訊號的電壓準位上升或下降，而達到一個運算放大器可快速充放電的能力，進而增加運算放大器的應用範圍，並浮動偏壓產生電路使運算放大器在驅動時可限制輸出電流，以達到低功率消耗的目的。
本發明：
1‧‧‧運算放大器
10‧‧‧差動電路
100‧‧‧第一電晶體
102‧‧‧第二電晶體
104‧‧‧第三電晶體
106‧‧‧第四電晶體
108‧‧‧第五電晶體
20‧‧‧輸出級電路
200‧‧‧第六電晶體
202‧‧‧第七電晶體
204‧‧‧第二電流源
206‧‧‧第一控制開關
208‧‧‧第七電晶體
210‧‧‧第五電流源
212‧‧‧第十電晶體
214‧‧‧第二控制開關
30‧‧‧浮動偏壓產生電路
300‧‧‧第三電流源
302‧‧‧第八電晶體
304‧‧‧第九電晶體
306‧‧‧第一二極體
308‧‧‧第二二極體
310‧‧‧第四電流源
第一圖為本發明之運算放大器之一實施例的電路圖；第二圖為本發明之運算放大器之另一實施例的電路圖；第三圖為第二圖之運算放大器之詳細電路圖；第四A圖為第三圖之運算放大器之一實施例的動作狀態電路圖；第四B圖為第三圖之運算放大器之另一實施例的動作狀態電路圖；第四C圖為第三圖之運算放大器之另一實施例的動作狀態電路圖；第五圖為本發明之運算放大器之另一實施例的電路圖；第六圖為本發明之運算放大器之另一實施例的電路圖；第七A圖為第五圖之運算放大器之一實施例的動作狀態電路圖；第七B圖為第五圖之運算放大器之另一實施例的動作狀態電路圖；以及第七C圖為第五圖之運算放大器之另一實施例的動作狀態電路圖 。
茲為使 貴審查委員對本發明之結構特徵及所達成之功效有更進一步之瞭解與認識，謹佐以較佳之實施例及配合詳細之說明，說明如後：請參閱第一圖，係為本發明之運算放大器之一實施例的電路圖。如圖所示，本發明之具低功率消耗之運算放大器1包含一差動電路10、一輸出級電路20與一浮動偏壓產生電路30。差動電路10於一輸入端IN，IP，而接收一輸入訊號產生一控制訊號，輸出級電路20耦接差動電路10，並依據控制訊號產生一輸出訊號，即差動電路10會依據負載的狀況而控制輸出級電路20之輸出訊號的電壓準位上升或下降，以控制運算放大器1而驅動高準位(driving high)或驅動低準位(driving low)。
由於一般運算放大器僅能對負載進行充電或放電，即對一般運算放大器不是對負載充電能力較強就是對負載放電能力較強，也就是輸出級電路20之輸出訊號的電壓準位上升就是對負載進行充電，相反地，輸出級電路20之輸出訊號的電壓準位下降就是對負載進行放電。所以，本發明為了使運算放大器1具有對負載充電與放電能力而增加浮動偏壓產生電路30。浮動偏壓產生電路30耦接於差動電路10與輸出級電路20之間，並依據控制訊號產生一浮動電壓，而控制輸出訊號的電壓準位上升或下降。由於差動電路10會依據負載的狀況而控制輸出級電路20之輸出訊號的電壓準位，所以，浮動偏壓產生電路30即可依據控制訊號而得知需對負載進行充電或是放電，而產生浮動電壓，以控制輸出訊號的電壓 準位上升或下降，如此，本發明藉由浮動偏壓產生電路30依據差動電路10之控制訊號產生浮動電壓以控制輸出級電路20之輸出訊號的電壓準位上升或下降，而達到一個運算放大器可快速充放電的能力，進而增加運算放大器的應用範圍。
請一併參閱第二圖，其為本發明之運算放大器之另一實施例的電路圖。如圖所示，本實施例與第一圖之實施例不同之處，在於本實施例之浮動偏壓產生電路30為一運算放大單元30。運算放大單元30耦接於差動電路10與輸出級電路20之間，並依據控制訊號產生浮動電壓，而控制輸出訊號的電壓準位上升或下降。以下係針對本發明之運算放大器1的詳細電路進行說明，首先，差動電路10包含一第一電晶體100、一第二電晶體102、一第三電晶體104、一第四電晶體106與一第一電流源108。第一電晶體100具有一閘極、一汲極與一源極。第一電晶體100之閘極接收輸入訊號，於本實施例中，輸入訊號為差動電路10之一輸出端OUT1的訊號(圖中未示)，第二電晶體102之一端耦接第一電晶體100，其另一端耦接一電源端VDD，即第二電晶體102具有一閘極、一汲極與一源極，第二電晶體102之汲極耦接第一電晶體100之汲極，第二電晶體102之源極耦接電源端VDD，並第二電晶體102之閘極耦接第二電晶體102之汲極。
第三電晶體104之一端耦接電源端VDD，第三電晶體104之另一端耦接第四電晶體106，即第三電晶體104具有一閘極、一汲極與一源極。第三電晶體104之源極耦接電源端VDD，第三電晶體104之閘極耦接第二電晶體102之閘極，第四電晶體106之一端耦接第三電晶體104與輸入訊號，即第四電晶體106具有一閘極、一汲極與一源極。第四電晶體106之汲極耦接第三電晶體104之汲極，第四 電晶體106之源極耦接第一電晶體100之源極，第四電晶體106之閘極接收輸入訊號，於本實施例中，第一電晶體100之閘極與第四電晶體106之閘極分別為差動電路10之一負輸入端與一正輸入端。第一電流源108之一端耦接第一電晶體100與第四電晶體，電流源之另一端耦接一接地端GND。
本發明之輸出級電路20包含一第五電晶體200與一第六電晶體202。第五電晶體200耦接並受控於控制訊號，即第五電晶體200具有一閘極、一汲極與一源極。第五電晶體200之一源極耦接電源端VDD，第五電晶體200之汲極耦接運算放大器1之輸出端，第五電晶體200之閘極接收差動電路10之控制訊號，第六電晶體202耦接第五電晶體200與浮動偏壓產生電路30，即第六電晶體202具有一閘極、一汲極與一源極。第六電晶體202之汲極耦接第五電晶體200與運算放大器1之輸出端，第六電晶體202之源極耦接於接地端GND，第六電晶體202之閘極依據浮動偏壓產生電路30所產生之浮動偏壓而使輸出訊號之電壓位準上升或下降，以可對負載進行充放電。
此外，為了配合運算放大器1具有快速充放電能力，輸出級電路20更包含一第二電流源204一第一控制開關206與一第七電晶體208。第二電流源204之一端耦接電源端VDD，並用以提供一偏壓電流Ibias，第一控制開關206耦接第二電流源204，並受控於浮動偏產生電路30所產生之浮動偏壓使偏壓電流控制第六電晶體202讓輸出訊號的電壓位準上升或下降，第七電晶體208具有一閘極、一汲極與一源極。第七電晶體208之汲極耦接第一控制開關206之一端，第七電晶體之源極耦接於接地端GND，第七電晶體208之閘極耦接第六電晶體202與第一控制開關206之另一端，其中，第 七電晶體208與第六電晶體202在第一控制開關206導通時，而形成一電流鏡電路，如此，電流鏡電路所產生之電流可以控制運算放大器1之輸出訊號，並此電流鏡電路所產生之電流並依據浮動偏壓產生電路30所產生之浮動電壓而改變，且浮動偏壓產生電路30所產生之浮動電壓而改變又依據控制訊號而改變，所以，本發明即可藉由浮動偏壓產生電路30而依據控制訊號產生浮動電壓以控制輸出級電路20之輸出訊號的電壓準位上升或下降，而達到一個運算放大器可快速充放電的能力，進而增加運算放大器的應用範圍。
請一併參閱第三圖，其為第二圖之運算放大器之詳細電路圖。如圖所示，本發明之浮動偏壓產生電路30為一運算放大單元。浮動偏壓產生電路30包含一第三電流源300、一第八電晶體302、一第九電晶體304、一第一二極體306與一第二二極體308。第三電流源204之一端耦接電源端VDD，並用以提供一電流，第八電晶體302之一端耦接第三電流源300，第八電晶體302之一閘極耦接差動電路10之輸出端，第九電晶體304之一端耦接第三電流源300，即第九電晶體304之一源極耦接第三電流源300與第八電晶體302之源極，第九電晶體304之閘極耦接差動電路10之第一電晶體100與第二電晶體102之間，第一二極體306之一端耦接第八電晶體302，第一二極體306之另一端耦接於接地端GND，第二二極體308之一端耦接第九電晶體304，第二二極體308之另一端耦接於接地端GND。其中，第一二極體306與第二二極體308為一場效電晶體。
另外，本發明之浮動偏壓產生電路30更包含一第四電流源310。第四電流源310之一端耦接第八電晶體302之一基底(body) 與第九電晶體304之一基底，而第四電流源310之另一端耦接於接地端GND，如此，本發明藉由第四電流源310耦接第八電晶體302之基底與第九電晶體304之基底而降低第八電晶體302與第九電晶體304之門檻電壓VTH，進而可避免浮動偏壓產生電路30產生誤動作。例如，當第八電晶體302與第九電晶體304之閘極上的電壓為4伏特V，則第八電晶體302與第九電晶體304之源極上的電壓必須超過4.8伏特V以上，才可使第八電晶體302與第九電晶體304，所以，本發明藉由第四電流源310耦接第八電晶體302之基底與第九電晶體304之基底而降低第八電晶體302與第九電晶體304之門檻電壓VTH，即第八電晶體302與第九電晶體304之源極上的電壓低於4.8伏特V，就可以可使第八電晶體302與第九電晶體304正常工作，如此，可以降低功率消耗，並且可避免運算放大單元誤動作。
請一併參閱第四A圖，其為本發明之運算放大器之一實施例的動作狀態電路圖。如圖所示，此為本發明之運算放大器1為一穩定狀態(Steady state)，在此穩定狀態，運算放大器1之輸出端OUT的輸出電流為：
並且節點O2的電壓為：
其中，K1與K2分別為第二電流源204與第六電晶體202的電流參數，Vt1與Vt2分別為第二電流源204與第六電晶體202的門檻電壓， 所以，由上述公式(1)與公式(2)可知，本發明可藉由控制第二電流源204與第六電晶體202的面積大小，使輸出電流Iout相關於偏壓電流Ibias，如此，可以藉由調整偏壓電流Ibias而限制輸出電流Iout的大小。
請一併參閱第四B圖，其為本發明之運算放大器之另一實施例的動作狀態電路圖。如圖所示，本實施例之運算放大器1的動作狀態是用以驅動高準位(driving high)，此動作狀態中，差動電路10會導通第五電晶體200，而浮動偏壓產生電路30會截止第一控制開關206，如此，電源端VDD會產生輸出電流Iout並經過第五電晶體200，而對負載進行充電。
請一併參閱第四C圖，其為本發明之運算放大器之另一實施例的動作狀態電路圖。如圖所示，本實施例之運算放大器1的動作狀態是用以驅動低準位(driving low)，此動作狀態中，差動電路10會截止第五電晶體200，而浮動偏壓產生電路30會導通第一控制開關206而使電流鏡電路映射偏壓電流Ibias而在第六電晶體202產生輸出電流Iout，以對負載進行放電。
請參閱第五圖與第六圖，為本發明之運算放大器之另一實施例的電路圖。如圖所示，本實施例與第一圖之實施例不同之處，在於本實施例之運算放大器1之輸出級電路20包含一第五電流源210、一第十電晶體212與一第二控制開關214。第五電流源210之一端耦接電源端VDD，第五電流源210之另一端耦接第六電晶體202之閘極，第十電晶體212之一端耦接電源端VDD與第五電流源210之一端，而第十電晶體212之另一端耦接於第五電流源210之一端，即第十電晶體212並聯於第五電流源210，並第十電晶體受控於一偏壓，第二控制開關214之一端耦接第六電晶體202與第十電晶體 212，並第二控制開關214之另一端耦接於接地端GND，且第二控制開關214受控於浮動偏壓產生電路30。
請一併參閱第七A圖，其為本發明之運算放大器之一實施例的動作狀態電路圖。如圖所示，此為本發明之運算放大器1為一穩定狀態(Steady state)，在此穩定狀態，第十電晶體212的面積大小可以限制第五電流源210所產生之電流，進而達到限制本實施例之運算放大器1之輸出電流的大小。
請一併參閱第七B圖，其為本發明之運算放大器之另一實施例的動作狀態電路圖。如圖所示，本實施例之運算放大器1的動作狀態是用以驅動高準位(driving high)，此動作狀態中，差動電路10會導通第五電晶體200，而浮動偏壓產生電路30會導通第二控制開關214，如此，電源端VDD會產生輸出電流Iout並經過第五電晶體200，而對負載進行充電。
請一併參閱第七C圖，其為本發明之運算放大器之另一實施例的動作狀態電路圖。如圖所示，本實施例之運算放大器1的動作狀態是用以驅動低準位(driving low)，此動作狀態中，差動電路10會截止第五電晶體200，而浮動偏壓產生電路30會亦會截止第二控制開關214而使第五電流源210所產生之電流經過第六電晶體202，而對負載進行放電。
綜上所述，本發明之具低功率消耗之運算放大器藉由一差動電路接收一輸入訊號，產生一控制訊號；一輸出級電路耦接差動電路，並依據控制訊號，產生一輸出訊號；以及一浮動偏壓產生電路耦接於差動電路與輸出級電路之間，並依據控制訊號產生一浮動偏壓，以控制輸出訊號的電壓位準上升或下降。如此，本發明藉由一浮動偏壓產生電路位於一差動電路與一輸出級電路之間 ，而依據一控制訊號產生一浮動電壓以控制輸出級電路之一輸出訊號的電壓準位上升或下降，而達到一個運算放大器可快速充放電的能力，進而增加運算放大器的應用範圍，並浮動偏壓產生電路使運算放大器在驅動時可限制輸出電流，以達到低功率消耗的目的。
本發明係實為一具有新穎性、進步性及可供產業利用者，應符合我國專利法所規定之專利申請要件無疑，爰依法提出發明專利申請，祈 鈞局早日賜准專利，至感為禱。
惟以上所述者，僅為本發明之一較佳實施例而已，並非用來限定本發明實施之範圍，舉凡依本發明申請專利範圍所述之形狀、構造、特徵及精神所為之均等變化與修飾，均應包括於本發明之申請專利範圍內。
1‧‧‧運算放大器
10‧‧‧差動電路
100‧‧‧第一電晶體
102‧‧‧第二電晶體
104‧‧‧第三電晶體
106‧‧‧第四電晶體
108‧‧‧第五電晶體
20‧‧‧輸出級電路
200‧‧‧第六電晶體
202‧‧‧第七電晶體
204‧‧‧第二電流源
206‧‧‧第一控制開關
208‧‧‧第七電晶體
30‧‧‧浮動偏壓產生電路

Claims (8)

  1. 一種具低功率消耗之運算放大器，其包含：一差動電路，接收一輸入訊號，產生一控制訊號；一輸出級電路，耦接該差動電路，並依據該控制訊號，產生一輸出訊號；以及一浮動偏壓產生電路，耦接於該差動電路與該輸出級電路之間，並依據該控制訊號產生一浮動偏壓，以控制該輸出訊號的電壓位準上升或下降；其中該浮動偏壓產生電路為一運算放大單元。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之運算放大器，其中該輸出級電路包含：一第一電晶體，耦接該差動電路，並受控於該控制訊號；以及一第二電晶體，耦接該第一電晶體與該浮動偏壓產生電路，並依據該浮動偏壓而使該輸出訊號的電壓位準上升或下降。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之運算放大器，其中該輸出級電路更包含：一電流源，用以提供一偏壓電流；以及一控制開關，耦接該電流源，並受控於該浮動偏壓，而使該偏壓電流控制該第二電晶體使該輸出訊號的電壓位準上升或下降。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之運算放大器，其中該運算放大單元包含：一第一電流源，耦接一電源端； 一第一電晶體，其一端耦接該第一電流源，並該第一電晶體之閘極耦接該差動電路之一輸出端；以及一第二電晶體，其一端耦接該第一電流源與該第一電晶體，並該第二電晶體之閘極耦接該差動電路。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之運算放大器，其中該運算放大單元更包含：一第二電流源，其一端耦接於該第一電晶體之一基底與該第二電晶體之一基底，而該第二電流源之另一端耦接一接地端。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之運算放大器，其中該運算放大器更包含：一第一二極體，其一端耦接該第一電晶體之另一端，而該第一二極體之另一端耦接一接地端；以及一第二二極體，其一端耦接該第二電晶體之另一端，而該第二二極體之另一端耦接該接地端。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之運算放大器，其中該第一二極體與該第二二極體為一場效電晶體。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之運算放大器，其中該差動電路包含：一第一電晶體，其一閘極接收該輸入訊號；一第二電晶體，其一端耦接該第一電晶體，其另一端耦接一電源端，並該第二電晶體之一閘極耦接該第二電晶體之一汲極；一第三電晶體，其一端耦接該電源端，並該第三電晶體之一閘極耦接該第二電晶體之該閘極；以及一第四電晶體，其一端耦接該第三電晶體與該差動電路之一輸出端，並該第四電晶體之一閘極接收該輸入訊號；以及 一電流源，其一端耦接該第一電晶體與該第四電晶體，該電流源之另一端耦接該接地端。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI721932B (zh) * 2020-10-08 2021-03-11 立錡科技股份有限公司 多級放大電路

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10187012B1 (en) * 2017-11-09 2019-01-22 Texas Instruments Incorporated Low voltage amplifier with gain boost circuit
CN114389552B (zh) * 2020-10-16 2025-09-30 立锜科技股份有限公司 多级放大电路
CN115940827B (zh) * 2022-12-21 2023-08-18 宜确半导体（苏州）有限公司 低噪声放大器电路及无线通信系统

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6753731B2 (en) * 2002-02-04 2004-06-22 Seiko Epson Corporation Operation amplifier circuit, drive circuit and method of controlling operation amplifier circuit
JP2006136004A (ja) * 2005-11-28 2006-05-25 Seiko Epson Corp 演算増幅回路、駆動回路及び位相余裕の調整方法
US7551030B2 (en) * 2007-02-08 2009-06-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Two-stage operational amplifier with class AB output stage
JP2009218958A (ja) * 2008-03-11 2009-09-24 Nec Electronics Corp 差動増幅器及びそれを用いた表示装置の駆動回路

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100729691B1 (ko) * 2000-05-16 2007-06-18 후지쯔 가부시끼가이샤 연산 증폭기 회로
EP1265354A1 (en) * 2001-05-25 2002-12-11 Nokia Corporation Amplifier circuit
CN101471634B (zh) * 2007-12-29 2011-05-11 瑞昱半导体股份有限公司 输出级电路以及使用其的运算放大器
JP5075051B2 (ja) * 2008-08-05 2012-11-14 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Ａｂ級増幅回路、及び表示装置
JP2013085080A (ja) * 2011-10-07 2013-05-09 Renesas Electronics Corp 出力回路及びデータドライバ及び表示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6753731B2 (en) * 2002-02-04 2004-06-22 Seiko Epson Corporation Operation amplifier circuit, drive circuit and method of controlling operation amplifier circuit
JP2006136004A (ja) * 2005-11-28 2006-05-25 Seiko Epson Corp 演算増幅回路、駆動回路及び位相余裕の調整方法
US7551030B2 (en) * 2007-02-08 2009-06-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Two-stage operational amplifier with class AB output stage
JP2009218958A (ja) * 2008-03-11 2009-09-24 Nec Electronics Corp 差動増幅器及びそれを用いた表示装置の駆動回路

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI721932B (zh) * 2020-10-08 2021-03-11 立錡科技股份有限公司 多級放大電路

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