[go: up one dir, main page]

TWI462825B - 金屬積層構造體及金屬積層構造體之製造方法 - Google Patents

金屬積層構造體及金屬積層構造體之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI462825B
TWI462825B TW099120982A TW99120982A TWI462825B TW I462825 B TWI462825 B TW I462825B TW 099120982 A TW099120982 A TW 099120982A TW 99120982 A TW99120982 A TW 99120982A TW I462825 B TWI462825 B TW I462825B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
metal layer
metal
layer
laminated structure
thickness
Prior art date
Application number
TW099120982A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201111164A (en
Inventor
新田耕司
真嶋正利
稻澤信二
安部誘岳
橫山博
諏訪多治
山形伸一
Original Assignee
住友電氣工業股份有限公司
聯合材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 住友電氣工業股份有限公司, 聯合材料股份有限公司 filed Critical 住友電氣工業股份有限公司
Publication of TW201111164A publication Critical patent/TW201111164A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI462825B publication Critical patent/TWI462825B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/01—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/20—Layered products comprising a layer of metal comprising aluminium or copper
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C23C28/02—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material
    • C23C28/021—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material including at least one metal alloy layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/66—Electroplating: Baths therefor from melts
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
    • C25D5/12—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/06—Wires; Strips; Foils
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/12—Semiconductors
    • C25D7/123—Semiconductors first coated with a seed layer or a conductive layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/858—Means for heat extraction or cooling
    • H10H20/8581—Means for heat extraction or cooling characterised by their material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2311/00—Metals, their alloys or their compounds
    • H10W40/255—
    • H10W40/258—
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12771—Transition metal-base component
    • Y10T428/12806—Refractory [Group IVB, VB, or VIB] metal-base component
    • Y10T428/12826—Group VIB metal-base component

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

金屬積層構造體及金屬積層構造體之製造方法
本發明關於金屬積層構造體及金屬積層構造體之製造方法。
在例如LED(Light Emitting Diode)元件等半導體裝置之中，一般而言，設置用於將半導體元件之驅動時所產生的熱排放至外部的放熱基板(熱槽)。
例如在專利文獻1(日本特開平6-268115號公報)中，記載了將使用壓延法所製作的直徑200mm且厚度0.465mm之Cu板、與Cu板相同直徑而厚度為0.090mm之Mo板，在以Cu板/Mo板/Cu板的順序重疊的狀態下進行熱壓延，藉此製作厚度1.02mm之Cu/Mo/Cu包覆材，並將其作為半導體裝置之放熱基板使用(專利文獻1的段落[0034]～[0049]等)。
另外，在專利文獻1中，亦記載了在使用W代替Mo的情況，藉由相同的製造方法，可得到信賴性高的包覆材(專利文獻1的段落[0033])。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本特開平6-268115號公報
然而，上述專利文獻1之放熱基板厚度非常厚，而為1.02mm，因此會有無法應付於要求放熱基板薄度的情況的問題。
另外，對於Mo板或W板而言，在可壓延的厚度方面有限制，因此亦有難以使放熱基板全體厚度變薄的問題。
再者，如上述熱壓延般，在每次製作包覆材的時候，分別將Cu板及Mo板設置於熱壓延裝置內，在熱壓延之後，再由熱壓延裝置內將包覆材取出，在這樣的製造方法中，也會有無法有效率地製作出放熱基板的問題。
鑑於上述事由，本發明之目的在於提供一種金屬積層構造體及金屬積層構造體之製造方法，可使厚度變薄，同時可有效率地製造。
本發明為一種金屬積層構造體，係具備：第1金屬層、第2金屬層、第3金屬層，第1金屬層係設置於第2金屬層的其中一個表面上，第3金屬層係設置於第2金屬層的另外一個表面上，第1金屬層係含鎢及鉬之至少一者，第2金屬層係含銅，第3金屬層係含鎢及鉬之至少一者。
此處，在本發明之金屬積層構造體之中，係以第1金屬層為藉由鍍敷而形成於第2金屬層的其中一個表面上，第3金屬層為藉由鍍敷而形成於第2金屬層的另外一個表面上為佳。
另外，在本發明之金屬積層構造體之中，係以第1金屬層厚度與第3金屬層厚度總和對第1金屬層厚度與第2金屬層厚度與第3金屬層厚度總和之比為0.2以上0.8以下 為佳。
另外，本發明之金屬積層構造體，係以具備：設置於第1金屬層而與第2金屬層之設置側相反側的第4金屬層、設置於第3金屬層而與第2金屬層之設置側相反側的第5金屬層，第4金屬層及第5金屬層分別含銅為佳。
另外，在本發明之金屬積層構造體之中，係以第1金屬層厚度與第3金屬層厚度總和對第1金屬層厚度與第2金屬層厚度與第3金屬層厚度與第4金屬層厚度與第5金屬層厚度總和之比為0.2以上0.8以下為佳。
另外，在本發明之金屬積層構造體之中，係以在第1金屬層與第4金屬層之間、及第3金屬層與第5金屬層之間之至少一者之間包含鈷含有層為佳。
另外，在本發明之金屬積層構造體之中，鈷含有層厚度係以0.05μ m以上3μ m以下為佳。
另外，在本發明之金屬積層構造體之中，金屬積層構造體之全體厚度係以20μ m以上400μ m以下為佳。
另外，本發明之金屬積層構造體係以使用於熱槽為佳。
進一步而言，本發明為一種金屬積層構造體之製造方法，係製造上述任一者金屬積層構造體之方法，包含：藉由在第2金屬層的其中一個表面上鍍敷而形成第1金屬層之步驟、藉由在第2金屬層的另外一個表面上鍍敷而形成第3金屬層之步驟。
此處，在本發明之金屬積層構造體之製造方法中，鍍敷係以熔融鹽浴鍍敷為佳。
依據本發明，可提供一種金屬積層構造體及金屬積層構造體之製造方法，可使厚度變薄，同時可有效率地製造。
以下，針對本發明之實施之形態作說明。另外，在本發明的圖式中，相同的參照符號係表示相同部分或相當部分。
[金屬積層構造體]
在第1圖表示本發明之金屬積層構造體其中一例的模式剖面圖。此處，金屬積層構造體100，係由第1金屬層1、設置於第1金屬層1上的第2金屬層2、設置於第2金屬層2上的第3金屬層3之積層構造體所構成。亦即，在金屬積層構造體100之中，第1金屬層1係設置於第2金屬層2其中一個表面上，第3金屬層3係設置於第2金屬層2另外一個表面上。
此處，第1金屬層1係含鎢及鉬之至少一種金屬所構成的金屬層，其中，由使金屬積層構造體100厚度變薄，有效率地製造金屬積層構造體100的觀點看來，係以第1金屬層1為藉由鍍敷所形成的鎢層或鉬層為佳。
另外，第2金屬層2係由含銅的金屬所構成的金屬層，其中由使金屬積層構造體100厚度變薄，有效率地製造金屬積層構造體100的觀點看來，係以第2金屬層2為例如銅箔等銅之薄板為佳。
另外，第3金屬層3係由含鎢及鉬之至少一者之金屬所構成的金屬層，其中由使金屬積層構造體100厚度變薄，有效率地製造金屬積層構造體100的觀點看來，係以第3金屬層3為藉由鍍敷所形成的鎢層或鉬層為佳。
另外，金屬積層構造體100之全體厚度h，係以20μ m以上400μ m以下為佳。在金屬積層構造體100厚度h為20μ m以上400μ m以下的情況，會傾向於能夠使金屬積層構造體100厚度變薄而有效率地製造金屬積層構造體100。
另外，在金屬積層構造體100之中，第1金屬層1厚度h1 與第3金屬層3厚度h3 之總和(h1 +h3 )對第1金屬層1厚度h1 與第2金屬層2厚度h2 與第3金屬層3厚度h3 之總和(h1 +h2 +h3 )之比[(h1 +h3 )/(h1 +h2 +h3 )]，係以0.2以上0.8以下為佳。在上述比為0.2以上0.8以下的情況下，金屬積層構造體100之線膨脹不會變得過大，且熱傳導率也不會變得過小，因此在例如將金屬積層構造體100貼附於半導體裝置之半導體基板作為熱槽的情況下，金屬積層構造體100與該半導體基板熱膨脹的差異不會變得太大，會傾向於能夠充分發揮金屬積層構造體100之放熱機能。
另外，為了抑制金屬積層構造體100之彎曲，係以金屬積層構造體100從厚度方向之中央部(在此例中，金屬積層構造體100之全體厚度h的1/2部分)至上方部分與積層構造體從厚度方向的中央部至下方部分相對於積層構造體厚度方向之中央部呈對稱為佳。另外，在本發明中，「對稱」不僅是金屬積層構造體100從厚度方向的中央部至上端面往鉛直方向的上方發展時所出現的層之材質與厚度與金屬積層構造體100從厚度方向之中央部至下端面往鉛直方向的下方發展時完全相同的情況，其概念亦包含同等程度的情況。
[金屬積層構造體之製造方法]
以下，針對第1圖所揭示的金屬積層構造體100之製造方法其中一例作說明，而本發明之金屬積層構造體之製造方法，理所當然地並不受此限定。
首先，如第2圖的模式構成圖所示，將含鎢及鉬之至少一者之熔融鹽浴8收容於容器7。熔融鹽浴8，只要是可藉由熔融鹽浴8之電解而使鎢及鉬之至少一者析出，則並無特別限定。另外，關於熔融鹽浴8的合適構成係如後述。
接下來，分別將例如第2金屬層2之銅箔及對向電極6浸漬於收容於容器7的熔融鹽浴8中。此處，就對向電極6而言，只要是導電性的電極，則可無特別限定地使用，可使用例如由金屬所構成的電極等。
接下來，以第2金屬層2之銅箔作為陰極並且以對向電極6作為陽極，在第2金屬層2之銅箔與對向電極6之間施加電壓，藉由使熔融鹽浴8電解，而使熔融鹽浴8中之鎢及/或鉬分別析出至第2金屬層2之銅箔的兩面，藉由熔融鹽浴鍍敷形成第1金屬層1及第3金屬層3。
其後，將形成了第1金屬層1及第3金屬層3的第2金屬層2之銅箔由熔融鹽浴8取出，以例如離子交換水等分別洗去附著於第1金屬層1及第3金屬層3的熔融鹽浴8。然後，藉由以例如指定的酸作清洗，分別除去於第1金屬層1及第3金屬層3的表面所形成的氧化膜。藉由以上方式，可製造第1圖所揭示的金屬積層構造體100。
另外，第1圖所示的金屬積層構造體100，亦可藉著例如以下的方式製造。
首先，如第3圖的模式構成圖所示，以使第2金屬層2之銅箔通過收容於容器7的熔融鹽浴8中的方式，在第1輥子31a與第2輥子31b之間架設第2金屬層2之銅箔。
接下來，將第2金屬層2之銅箔由第1輥子31a拉出，使銅箔連續地浸漬於收容於容器7的熔融鹽浴8中，同時藉由將熔融鹽浴8電解，使鎢及/或鉬分別析出至銅箔兩面，藉由熔融鹽浴鍍敷，形成金屬積層構造體100。
其後，鎢及/或鉬分別析出至銅箔的兩面所形成的金屬積層構造體100，係藉由纏繞於第2輥子31b而回收。
如上述般，在使鎢及/或鉬連續地析出至第2金屬層2之表面上，而連續地形成金屬積層構造體100的情況下，可更有效率地製造金屬積層構造體100。
[半導體裝置]
於第4圖表示使用本發明之金屬積層構造體的半導體裝置其中一例之LED元件其中一例的模式剖面圖。此處第4圖所示的LED元件，係具備：第1圖所揭示的金屬積層構造體100、設置於金屬積層構造體100上的LED構造體10，金屬積層構造體100與LED構造體10係藉由接合層21而接合。
此處，LED構造體10，係具備：半導體基板14與設置於半導體基板14上的n型半導體層13、設置於n型半導體層13上的活性層12、設置於活性層12上的p型半導體層11、設置於p型半導體層11上的半透明電極17、設置於半透明電極17上的p電極15、設置於n型半導體層13上的n電極16。
另外，就LED構造體10而言，只要是含p型半導體層11、n型半導體層13與活性層12，在p型半導體層11與n型半導體層13之間設置有活性層12，藉由電流的注入，從活性層12發光的構造，則可無特別限定地使用，可使用例如以往所周知的LED構造體。
就LED構造體10而言，其中係以分別在p型半導體層11、活性層12及n型半導體層13使用第III族元素(選自Al、In及Ga所構成之群中至少一種)與第V族元素(氮)之化合物的第III～V族氮化物半導體為佳。在此情況下，可使活性層12發出藍色光線。
就可使活性層12發出藍色光線的LED構造體10其中一例而言，可列舉例如第4圖所示的，使用GaN基板或藍寶石基板作為半導體基板14，使用p型GaN層作為p型半導體層11、使用無摻雜InGaN層作為活性層12、使用n型GaN層作為n型半導體層13的LED構造體等。
另外，本發明之金屬積層構造體不限於LED元件，亦可適用於例如半導體雷射元件或場效電晶體等LED元件以外之半導體裝置。此處，可使活性層12發出藍色光線的LED構造體10以外之半導體裝置所使用的半導體基板14而言，可使用例如矽基板、碳化矽基板或鎵砷基板等。
另外理所當然地，p型半導體層11係具有摻雜p型雜質的p型導電型之半導體層，n型半導體層13係具有摻雜n型雜質的n型導電型之半導體層。另外，活性層12亦可具有p型或n型任一種導電型，亦可為並未摻雜p型雜質及n型雜質之任一種雜質的無摻雜半導體層。
再者，亦可在半導體基板14與n型半導體層13之間、n型半導體層13與活性層12之間、活性層12與p型半導體層11之間、p型半導體層11與半透明電極17之間、半透明電極17與p電極15之間、及n型半導體層13與n電極16之間的至少一組之間含有其他層。
另外，就接合層21而言，可使用例如由熱傳導率高於共晶焊接的導電性物質所構成的層。就接合層21而言，特別是以使用電阻低、熱傳導率高，且難以氧化的金屬為佳，其中，係以使用選自含金、銀、銅及鎳所構成之群中至少一種之層為較佳。
以具有以上所述般構成的LED元件之n電極16作為陰極，以p電極15作為陽極，藉由在該等電極間施加電壓，使電流在LED構造體10之內部由p電極15向n電極16通過。藉此，可使LED構造體10之p型半導體層11與n型半導體層13間之活性層12發出光線。
另外，第4圖所示構成之LED元件，能夠以例如以下的方式製造。
首先，將半導體基板14設置於例如MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)裝置內之後，例如第4圖的模式剖面圖所示，在半導體基板14的表面上，依照n型半導體層13、活性層12及p型半導體層11的順序，藉由例如MOCVD法等使其磊晶成長而形成。
接下來，藉由例如光蝕刻等除去n型半導體層13、活性層12及p型半導體層11的一部分之後，利用例如剝離(lift off)法等，在p型半導體層11上形成半透明電極17及p電極15，同時在n型半導體層13上形成n電極16。
接下來，藉由接合層21而使金屬積層構造體100接合於形成了上述p電極15及n電極16之半導體基板14的內面。
然後，藉由例如圓形旋轉刃刃等，將形成了上述接合層21的半導體基板14切斷，分割成具有第4圖所示模式剖面的各個LED元件。藉由以上方式，可得到第4圖所示構成之LED元件。
另外，在本發明中，可使用厚度比以往大幅薄化的金屬積層構造體100作為半導體裝置之熱槽，因此可減低金屬積層構造體100之材料成本，同時分割成元件時，金屬積層構造體100變得容易切斷，因此加工性提升。進一步而言，可使金屬積層構造體100厚度變薄，因此亦可減低半導體裝置本身厚度。
[其他形態]
於第5圖所示本發明之金屬積層構造體其他例子的模式剖面圖。此處，金屬積層構造體200，特徵為具備：設置於第1金屬層1而與第2金屬層2設置側的相反側的第4金屬層4、設置於與第3金屬層3而與第2金屬層2設置側相反側的第5金屬層5。
此處，就第4金屬層4及第5金屬層5而言，分別可使用例如由含銅之金屬所構成的金屬層。
此處金屬積層構造體200之全體厚度h，亦以20μ m以上400μ m以下為佳。在金屬積層構造體200厚度h為20μ m以上400μ m以下的情況，金屬積層構造體200厚度變薄而使可有效率地製造金屬積層構造體200的傾向變大。
另外，在金屬積層構造體200之中，第1金屬層1厚度h1 與第3金屬層3厚度h3 之總和(h1 +h3 )對第1金屬層1厚度h1 與第2金屬層2厚度h2 與第3金屬層3厚度h3 與第4金屬層4厚度h4 與第5金屬層5厚度h5 之總和(h1 +h2 +h3 +h4 +h5 )之比[(h1 +h3 )/(h1 +h2 +h3 +h4 +h5 )]，係以0.2以上、0.8以下為佳。在上述比為0.2以上0.8以下的情況，金屬積層構造體200之線膨脹不會變得過大，且熱傳導率也不會變得過小，因此在例如將金屬積層構造體200貼附於半導體裝置之半導體基板作為熱槽的情況下，金屬積層構造體200與該半導體基板熱膨脹的差異不會變得太大，會傾向於能夠充分發揮金屬積層構造體200之放熱機能。
另外，為了抑制金屬積層構造體200之彎曲，係以金屬積層構造體200從厚度方向之中央部(在此例中，金屬積層構造體200之全體厚度h的1/2部分)至上方部分與從積層構造體厚度方向之中央部至下方部分相對於積層構造體厚度方向的中央部呈對稱為佳。
於第5圖所示的金屬積層構造體200，能夠以例如以下的方式製造。
首先，藉由上述第2圖所示的方法，使熔融鹽浴8中之鎢及/或鉬分別析出至例如銅箔等第2金屬層2之兩面，藉由熔融鹽浴鍍敷，形成第1金屬層1及第3金屬層3。
接下來，將形成了第1金屬層1及第3金屬層3的第2金屬層2由熔融鹽浴8取出，以例如離子交換水等清洗，分別除去附著於第1金屬層1及第3金屬層3的熔融鹽浴8。然後，藉由以例如指定的酸作清洗，分別除去於第1金屬層1及第3金屬層3的表面所形成的氧化膜。
其後，如第6圖的模式構成圖所示，分別使形成了第1金屬層1及第3金屬層3的第2金屬層2以及對向電極6浸漬於收容於容器7的電鍍液9中。
此處，就電鍍液9而言，只要是含構成第4金屬層4及第5金屬層5的金屬原子，並可藉由電鍍液9之電解而使構成第4金屬層4及第5金屬層5的金屬析出，則並無特別限定，而在例如第4金屬層4及第5金屬層5分別由銅所構成的情況下，可使用例如市售之硫酸銅鍍液等作為電鍍液9。
接下來，以第2金屬層2作為陰極，同時以對向電極6作為陽極，在第2金屬層2與對向電極6之間施加電壓，而使電鍍液9電解。藉此，使電鍍液9中之銅分別析出至第1金屬層1表面及第3金屬層3表面，形成第4金屬層4及第5金屬層5，製作出金屬積層構造體200。
然後，將形成了第4金屬層4及第5金屬層5的金屬積層構造體200由電鍍液9取出，並以例如離子交換水等清洗，除去附著於第4金屬層4及第5金屬層5的電鍍液9，其後，藉由例如以指定的酸作清洗，可分別除去形成於第4金屬層4及第5金屬層5表面的氧化膜。藉由以上方式，可製造出第5圖所示的金屬積層構造體200。
另外，第5圖所示的金屬積層構造體200，亦可例如以下的方式製造。
首先，如第7圖之模式構成圖所示，以使第2金屬層2之銅箔分別通過收容於容器7的熔融鹽浴8及收容於容器7的電鍍液9中的方式，將銅箔架設於第1輥子31a與第2輥子31b之間。
接下來，將銅箔由第1輥子31a拉出，使銅箔連續地浸漬於收容於容器7的熔融鹽浴8中，同時藉由使熔融鹽浴8電解，使鎢及/或鉬分別析出至銅箔之兩面，藉由熔融鹽浴鍍敷，在銅箔之兩面分別形成第1金屬層1及第3金屬層3。
接下來，使形成了第1金屬層1及第3金屬層3之銅箔連續地浸漬於收容於容器7的電鍍液9中，使銅箔連續地浸漬於收容於容器7的電鍍液9中，同時使電鍍液9電解。藉此，分別使銅析出至第1金屬層1及第3金屬層3表面，藉由電鍍分別使第4金屬層4及第5金屬層5形成於第1金屬層1及第3金屬層3各表面，製成金屬積層構造體200。
其後，金屬積層構造體200係藉由纏繞於第2輥子31b而回收。
另外，在上述中，使用電鍍液9分別形成第4金屬層4及第5金屬層5，而第4金屬層4及第5金屬層5之形成方法，理所當然地並不受該等所限定。
亦可藉由例如濺鍍法等以往所周知的氣相法分別形成第4金屬層4及第5金屬層5，而形成金屬積層構造體200。
另外，第4金屬層4及第5金屬層5的形成，亦可組合例如藉由上述電鍍液之電解的形成與藉由濺鍍法等氣相法的形成。
另外，金屬積層構造體並不受上述3層或5層的構造所限定，只要依照順序包含第1金屬層1、第2金屬層2、第3金屬層3即可。
另外，例如第8圖的模式剖面圖所示，還可在金屬積層構造體200的第4金屬層4而與第1金屬層1的設置側相反側之表面，設置例如鎳等所構成的金屬層41。
另外還可在金屬積層構造體200之第1金屬層1與第4金屬層4之間及/或第3金屬層3與第5金屬層5之間，設置含有鈷之鈷含有層。
含有上述鈷含有層之金屬積層構造體200，能夠以例如以下的方式製造。
首先，藉由使分別形成於第2金屬層2表面之兩面的第1金屬層1及第3金屬層3浸漬於鹼溶液，進行第1金屬層1表面及第3金屬層3表面之脫脂步驟。
接下來，以使第1金屬層1及第3金屬層3作為陽極，浸漬於鹼水溶液中，藉由進行電解，分別除去第1金屬層1表面及第3金屬層3表面的氧化膜。
接下來，以除去上述氧化膜後之第1金屬層1及第3金屬層3作為陰極，使其浸漬於由硫酸鈷水溶液等所構成的鈷鍍液中，藉由進行電解分別使鈷析出至第1金屬層1表面及第3金屬層3表面，形成鈷含有層。
其後，以上述所形成的鈷層作為陰極而浸漬於硫酸銅鍍液中，進行電解，藉此使銅析出至鈷層表面上，分別形成由銅所構成的第4金屬層4及第5金屬層5。
藉由以上方式，可分別在金屬積層構造體200之第1金屬層1與第4金屬層4之間及第3金屬層3與第5金屬層5之間形成鈷含有層。
[熔融鹽浴之合適構成]
就本發明所使用的熔融鹽浴8而言，可使用例如將氟化鉀(KF)與氧化硼(B2 O3 )與氧化鎢(WO3 )以例如67：26：7之莫耳比混合，使混合物熔融所製作出的熔融鹽浴等。
另外，在第1金屬層1及第3金屬層3分別由鉬所構成的情況，就熔融鹽浴8而言亦可使用例如將KF、K2 MoO4 、B2 O3 以例如81：9：10之莫耳比混合，以例如850℃左右的溫度使混合物熔融所製作出的熔融鹽浴等。
另外，在第1金屬層1及第3金屬層3分別由鎢及鉬所構成的情況，就熔融鹽浴8而言，亦可使用例如將KF、WO3 、K2 MoO4 、B2 O3 以例如80：4：5：10之莫耳比混合，以例如850℃左右之溫度使混合物熔融所製作出的熔融鹽浴等。
[實施例] [實施例1之熱槽之製作]
分別將KF粉末319g及WO3 粉末133g封入耐壓容器之後，將耐壓容器保持在500℃，並將耐壓容器之內部抽真空2天以上，藉此分別使KF粉末及WO3 粉末乾燥。
另外，將B2 O3 粉末148g封入與上述不同的耐壓容器之後，將耐壓容器保持於380℃，並將耐壓容器之內部抽真空2天以上，藉此使B2 O3 粉末乾燥。
然後，使用第9圖之模式構成圖所示的裝置，由上述乾燥後之KF粉末、B2 O3 粉末及WO3 粉末製作出熔融鹽浴。
具體而言，首先分別將上述乾燥後的KF粉末、B2 O3 粉末及WO3 粉末投入在500℃乾燥了2天以上的SiC製之坩堝111，並將投入了該等粉末的坩堝111封入石英製之耐真空容器110。
接下來，在耐真空容器110上部的開口部蓋上SUS316L製之蓋子118的狀態，將坩堝111保持於500℃，並將耐真空容器110之內部抽真空1天以上。
然後，由氣體導入口117將高純度氬氣導入耐真空容器110之內部，對耐真空容器110的內部充填高純度氬氣，並將坩堝111保持於850℃，使上述粉末熔融，製作出熔融鹽浴前驅物112。
接下來，由設置於蓋子118的開口部，分別插入含作為陽極的鎢板113(表面：20cm2 )之棒狀電極與含作為陰極的鎳板114(表面：20cm2 )之棒狀電極，分別使鎢板113及鎳板114浸漬於坩堝111中之熔融鹽浴前驅物112中。
此處，在上述棒狀電極之中，導線115分別連接至鎢板113及鎳板114，耐真空容器110內部之導線115係使用鎢線，耐真空容器110外部之導線115係使用銅線。另外，以氧化鋁製之被覆材116被覆了導線115之至少一部分。
另外，在插入上述棒狀電極時，設定為由氣體導入口117將高純度氬氣導入耐真空容器110之內部，大氣不會混入耐真空容器110之內部。
另外，為了防止鎢板113及鎳板114發生氧化而造成雜質混入熔融鹽浴前驅物112中，如第9圖所示，使鎢板113及鎳板114各表面的全部區域浸漬於熔融鹽浴前驅物112中。
然後，藉由將熔融鹽浴前驅物112電解，使雜質析出至鎳板114，藉此將雜質由熔融鹽浴前驅物112除去，而製作出熔融鹽浴。
接下來，以厚度40μm之銅箔代替上述雜質析出的鎳板114後，使電流密度3A/dm2 之電流通過上述鎢板113與銅箔之間17分鐘，進行熔融鹽浴之定電流電解，分別使鎢析出至銅箔兩面，藉此形成厚度5μm之鎢層。然後，將形成了上述鎢層的銅箔從第9圖所示的裝置取出，以離子交換水清洗鎢層表面，除去附著於鎢層的熔融鹽浴之後，藉由酸洗除去形成於鎢層表面的氧化膜，製作出實施例1之熱槽。
然後，對實施例1之熱槽測定水平方向的線膨脹係數(ppm/℃)。將其結果表示於表1。另外，線膨脹係數(ppm/℃)之測定，係以熱機械分析裝置(TMA)進行，在室溫至150℃進行測定，並算出其平均值。
[實施例2之熱槽之製作]
除了使用厚度20μm之銅箔，使電流密度3A/dm2 之電流通過該銅箔與第9圖所示裝置之鎢板113之間136分鐘，藉由進行熔融鹽浴之定電流電解，分別使鎢析出至銅箔之兩面，形成厚度40μm之鎢層以外，係以與實施例1相同的方式，製作出實施例2之熱槽。
然後，亦以與實施例1相同的方式，對實施例2之熱槽測定水平方向的線膨脹係數(ppm/℃)。將其結果表示於表1。
[實施例3之熱槽之製作]
除了使用厚度10μm之銅箔以外，係以與實施例1相同的方法，製作出實施例3的熱槽。然後亦以與實施例1相同方式，對實施例3的熱槽，測定水平方向的線膨脹係數(ppm/℃)。將其結果表示於表1。
[實施例4之熱槽之製作]
首先，除了使電流密度3A/dm2 之電流通過厚度100μm之銅箔與第9圖所示裝置之鎢板113之間340分鐘，進行熔融鹽浴之定電流電解以外，係以與實施例1相同的方式，分別使鎢析出至銅箔兩面，形成厚度100μm之鎢層。
接下來，將形成了上述鎢層的銅箔從第9圖所揭示的裝置取出，以離子交換水清洗鎢層表面，除去附著於鎢層的熔融鹽浴之後，藉由酸洗除去鎢層表面所形成的氧化膜。
接下來，藉由將上述除去氧化膜後之鎢層表面浸漬於50℃之鹼脫脂液(奧野製藥工業股份有限公司製之Aceclean A220)中20分鐘而洗淨。
接下來，以上述洗淨後之鎢層作為陽極，使其浸漬於鹼水溶液中，藉由進行電解(鹼陽極電解)，分別除去鎢層表面的氧化膜。
接下來，使1片鈷板所構成的陽極以及對向於該陽極的上述鹼陽極電解後之銅箔作為陰極浸漬於由硫酸鈷水溶液所構成的鈷鍍液中。此處，鈷鍍液係使用每1公升鈷鍍液有200g之硫酸鈷與100g硫酸溶於水的硫酸鈷水溶液。
然後，在將鈷鍍液之溫度保持於80℃的狀態，使電流密度15A/dm2 的電流通過上述陽極與陰極之間3分鐘。
藉由以如此的條件進行鈷鍍液之電解，使鈷析出至形成了鎢層的銅箔之陰極的該鎢層之各個表面上，分別在該銅箔兩面的鎢層表面上形成厚度0.5μm之鈷層。
其後，在形成鈷層後的銅箔由鈷鍍液取出，以離子交換水洗去附著於鎢層的鈷鍍液，並且在其後藉由酸洗除去鎢層表面所形成的氧化膜。
接下來，使1片含磷銅所構成的對向電極以及與對向電極呈對向的上述形成了鈷層的銅箔浸漬於收容在PYREX(註冊商標)燒杯的硫酸銅鍍液(上村工業股份有限公司製之LEVCO EX)中。
然後，在將硫酸銅鍍液之溫度保持於30℃的狀態，以使每1cm2 之作為陽極的對向電極及作為陰極的形成了鈷層的銅箔的表面，通過20mA(毫安培)的電流(電流密度20mA/cm2 )的方式，使電流通過上述陽極與陰極之間1470分鐘。
藉由以如此的條件進行硫酸銅鍍液之電解，使銅析出至陰極的形成了鈷層之銅箔兩面的該鈷層之各個表面上，形成厚度49μm之銅層。
接下來，以離子交換水清洗上述的形成了銅層的銅箔之銅層表面，除去附著於銅層的硫酸銅鍍液之後，藉由酸洗除去銅層表面所形成的氧化膜，製作出實施例4之熱槽。
然後，亦以與實施例1相同的方式，對實施例4之熱槽測定水平方向的線膨脹係數(ppm/℃)。將其結果表示於表1。
確認了經如以上方式所製作出的實施例1～4之熱槽，能夠製作成全體厚度薄至100μm以下，而且進一步可藉由使用鍍液的電鍍有效率地製作。
另外，如表1所示，還確認了在實施例1~4之熱槽之中，鎢層厚度之總和對銅層厚度(包含銅箔厚度)之總和與鎢層厚度之總和之比為0.2以上0.8以下，因此為線膨脹不會變得過大，且熱傳導率也不會變得過小的優異熱槽。
[實施例5之熱槽之製作]
首先，將氟化鉀(KF)粉末、氧化硼(B2 O3 )粉末與氧化鎢(WO3 )粉末，以67：26：7之莫耳比混合，製作出混合物，將該混合物投入SiC製之坩堝(AS ONE股份有限公司製)。
此處，在Ar(氬)氣體環境的手套箱內分別秤量氟化鉀(KF)粉末、氧化硼(B2 O3 )粉末及氧化鎢(WO3 )粉末，將其投入在相同手套箱內的SiC製之坩堝。
接下來，藉由使用加熱包，將投入了上述混合物的SiC製之坩堝加熱至850℃，使上述混合物熔融，而製作出熔融鹽浴。
接下來，在上述手套箱內，使由鎢板所構成的對向電極(陽極)，同時使厚度40μ m之銅箔(陰極)以與對向電極呈對向的方式浸漬於上述熔融鹽浴。
此處，在上述陽極及陰極分別熔接有鎳線，並成為可由鎳線對陽極與陰極之間供給電流的構造。
然後，在將熔融鹽浴之溫度保持於850℃的狀態下，搖動陽極及陰極，同時以使陽極表面每1cm2 通過30mA(毫安培)之電流(電流密度30mA/cm2 )的方式，在上述陽極與陰極之間通過電流150分鐘。
藉由以如此的條件進行熔融鹽浴之電解，使鎢析出至 陰極的銅箔表面上，形成30μ m厚度之由鎢析出物所構成的鎢層。
接下來，在上述手套箱外，將形成了上述鎢層的銅箔由熔融鹽浴取出，以離子交換水洗去附著於鎢層的熔融鹽浴之後，藉由酸洗除去鎢層表面所形成的氧化膜。藉由以上的方式，製作出實施例5之熱槽。
確認了以上方式所製作出的實施例5之熱槽，能夠製作成全體厚度薄至100μ m，而且進一步可藉由熔融鹽浴鍍敷有效率地製作。
另外還確認了，在實施例5之熱槽中，由於鎢層厚度之總和對銅層厚度(包含銅箔厚度)總和與鎢層厚度總和之比為0.6，是在0.2以上0.8以下範圍內者，因此為線膨脹不會變得過大，且熱傳導率也不會變得過小之優異的熱槽。
[實施例1~5之LED元件之製作]
接下來，製作出5片在藍寶石基板的其中一個表面上形成有LED構造體的晶圓。
此處，5片晶圓分別如以下的方式製造。首先，在具有直徑100mm的圓形表面，且厚度為100μ m的藍寶石基板的表面上，依照n型GaN層、無摻雜InGaN活性層及p型GaN層的順序，藉由MOCVD法使其磊晶成長。
接下來，藉由光蝕刻除去n型GaN層、無摻雜InGaN活性層及p型GaN層各自的一部分，直到n型GaN層表面的一部分露出。
其後，藉由剝離形成n型GaN層上的n電極、p型GaN層上的半透明電極及半透明電極上的p電極，藉此分別製作出上述晶圓。
然後，藉由共晶熔接使上述製作出的實施例1～5之熱槽接合於與上述所製作的各個晶圓的LED構造體之形成側相反側的內面，以圓形旋轉刃分割成具有10mm×10mm尺寸之正方形表面的LED元件，藉此分別得到實施例1～5的LED元件。
[實施例1～5之LED元件之評估]
除了將使銅板及鎢板藉由壓接而接合，由銅(20μm)/鎢(60μm)/銅(20μm)之積層構造體所構成的全體厚度為1mm之熱槽與LED構造體，藉由上述共晶焊接接合，形成LED元件以外，係以與上述相同的方式，製作出比較例之LED元件。
然後，將上述所製作的實施例1～5之LED元件與上述比較例之LED元件之發光特性加以比較的結果，發光特性為同等。
然而，實施例1～5的LED元件之熱槽厚度為100μm以下，比較例之LED元件之熱槽厚度為1mm，因此確認了實施例1～5之LED元件與比較例之LED元件相比，可減低熱槽之材料成本，進一步而言，容易藉由圓形旋轉刃進行晶圓切斷，因此加工性亦提升。
本次所揭示的實施之形態及實施例應認為其並不為例示了全部的特點而具限制性者。本發明之範圍並不限於上述說明，還意圖包含由申請專利範圍所揭示，以及與申請專利範圍均等之意義及在範圍內的所有變更。
產業上之可利用性
本發明之金屬積層構造體及金屬積層構造體之製造方法，有可能利用於例如半導體裝置之熱槽等。
1．．．第1金屬層
2．．．第2金屬層
3．．．第3金屬層
4．．．第4金屬層
5．．．第5金屬層
6．．．對向電極
7．．．容器
8．．．熔融鹽
9．．．電鍍液
10．．．LED構造體
11．．．p型半導體層
12．．．活性層
13．．．n型半導體層
14．．．半導體基板
15．．．p電極
16．．．n電極
17．．．半透明電極
21．．．接合層
31a．．．第1輥子
31b．．．第2輥子
41．．．接合層
100,200．．．金屬積層構造體
111．．．坩堝
112．．．熔融鹽浴前驅物
113．．．鎢板
114．．．鎳板
115．．．導線
116．．．被覆材
117．．．氣體導入口
118．．．蓋子
第1圖係本發明之金屬積層構造體其中一例的模式剖面圖。
第2圖係圖解本發明之金屬積層構造體之製造方法其中一例的模式構成圖。
第3圖係圖解本發明之金屬積層構造體之製造方法其中一例的模式構成圖。
第4圖係使用本發明之金屬積層構造體的半導體裝置其中一例的LED元件其中一例的模式剖面圖。
第5圖係本發明之金屬積層構造體另外的一個例子的模式剖面圖。
第6圖係圖解本發明之金屬積層構造體之製造方法其中一例的模式構成圖。
第7圖係圖解本發明之金屬積層構造體之製造方法其中一例的模式構成圖。
第8圖係本發明之金屬積層構造體再另外一個例子的模式剖面圖。
第9圖係實施例1～4所使用裝置之模式構成圖。
1．．．第1金屬層
2．．．第2金屬層
3．．．第3金屬層
100．．．金屬積層構造體

Claims (9)

  1. 一種金屬積層構造體(100,200)，其特徵為具備：第1金屬層(1)、第2金屬層(2)、與第3金屬層(3)；該第1金屬層(1)係藉由熔融鹽浴鍍敷設置於該第2金屬層(2)的其中一個表面上，該第3金屬層(3)係藉由熔融鹽浴鍍敷設置於該第2金屬層(2)的另外一個表面上；該第1金屬層(1)係含鎢及鉬之至少一者，該第2金屬層(2)係含銅，該第3金屬層(3)係含鎢及鉬之至少一者。
  2. 如申請專利範圍第1項之金屬積層構造體(100,200)，其中該第1金屬層(1)厚度與該第3金屬層(3)厚度總和相對於該第1金屬層(1)厚度與該第2金屬層(2)厚度與該第3金屬層(3)厚度總和之比係0.2以上0.8以下。
  3. 如申請專利範圍第1項之金屬積層構造體(100,200)，其中具備：設置於與該第1金屬層(1)之該第2金屬層(2)之設置側相反側之第4金屬層(4)、與設置於與該第3金屬層(3)之該第2金屬層(2)之設置側相反側之第5金屬層(5)；該第4金屬層(4)及該第5金屬層(5)係分別含銅。
  4. 如申請專利範圍第3項之金屬積層構造體(100,200)，其中該第1金屬層(1)厚度與該第3金屬層(3)厚度總和相對 於該第1金屬層(1)厚度、該第2金屬層(2)厚度、該第3金屬層(3)厚度、該第4金屬層(4)厚度與該第5金屬層(5)厚度總和之比係0.2以上0.8以下。
  5. 如申請專利範圍第3項之金屬積層構造體(100,200)，其中該第1金屬層(1)與該第4金屬層(4)之間、及該第3金屬層(3)與該第5金屬層(5)之間之至少一者之間係包含鈷含有層。
  6. 如申請專利範圍第5項之金屬積層構造體(100,200)，其中該鈷含有層厚度係0.05μm以上3μm以下。
  7. 如申請專利範圍第1項之金屬積層構造體(100,200)，其中該金屬積層構造體(100,200)之全體厚度係20μm以上400μm以下。
  8. 如申請專利範圍第1項之金屬積層構造體(100,200)，其係使用於熱槽(heat sink)。
  9. 一種金屬積層構造體(100,200)之製造方法，其係製造如申請專利範圍第1項之金屬積層構造體(100,200)之方法，其特徵為包含：藉由在該第2金屬層(2)的其中一個表面上熔融鹽浴鍍敷而形成該第1金屬層(1)之步驟、與藉由在該第2金屬層(2)的另外一個表面上熔融鹽浴鍍敷而形成該第3金屬層(3)之步驟。
TW099120982A 2009-06-30 2010-06-28 金屬積層構造體及金屬積層構造體之製造方法 TWI462825B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009155159A JP2011011366A (ja) 2009-06-30 2009-06-30 金属積層構造体の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201111164A TW201111164A (en) 2011-04-01
TWI462825B true TWI462825B (zh) 2014-12-01

Family

ID=43410875

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW099120982A TWI462825B (zh) 2009-06-30 2010-06-28 金屬積層構造體及金屬積層構造體之製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9199433B2 (zh)
EP (1) EP2450182A4 (zh)
JP (1) JP2011011366A (zh)
KR (1) KR20120112353A (zh)
CN (1) CN102470639A (zh)
TW (1) TWI462825B (zh)
WO (1) WO2011001795A1 (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011011366A (ja) 2009-06-30 2011-01-20 Sumitomo Electric Ind Ltd 金属積層構造体の製造方法
JP5583985B2 (ja) * 2010-02-19 2014-09-03 住友電気工業株式会社 金属積層構造体
JP2012253125A (ja) * 2011-06-01 2012-12-20 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置及び配線基板
TWI496954B (zh) 2011-07-29 2015-08-21 Furukawa Electric Co Ltd An electrolytic copper alloy foil manufacturing method, an electrolytic solution for the production of the alloy foil, a negative electrode current collector for a secondary battery, a secondary battery and an electrode
JP6233677B1 (ja) * 2016-08-31 2017-11-22 Jfe精密株式会社 放熱板及びその製造方法
CN106868462A (zh) * 2017-03-01 2017-06-20 东莞市航晨纳米材料有限公司 一种合金复合材料及其制备方法
WO2020184773A1 (ko) * 2019-03-11 2020-09-17 주식회사 더굿시스템 방열판재
JP6786090B2 (ja) * 2019-03-11 2020-11-18 ザ グッドシステム コーポレーション 放熱板材
JP7444814B2 (ja) * 2021-04-27 2024-03-06 Ｎｇｋエレクトロデバイス株式会社 パッケージ
KR102869316B1 (ko) * 2022-11-15 2025-10-14 주식회사 아모그린텍 방열기판 패키지 및 그 제조방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4371589A (en) * 1976-08-24 1983-02-01 Warner London Inc. Process for depositing protective coating and articles produced
US6352014B1 (en) * 1999-12-15 2002-03-05 International Business Machines Corporation Method for making punches using multi-layer ceramic technology
EP2056344A1 (en) * 2006-07-28 2009-05-06 Kyocera Corporation Electronic component storing package and electronic device

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4025997A (en) * 1975-12-23 1977-05-31 International Telephone & Telegraph Corporation Ceramic mounting and heat sink device
US4448854A (en) 1980-10-30 1984-05-15 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Coherent multilayer crystals and method of making
JPH01305544A (ja) 1988-06-03 1989-12-08 Denki Kagaku Kogyo Kk 半導体装置
JPH0280589A (ja) 1988-09-17 1990-03-20 Nisshin Steel Co Ltd 電気タングステンめっき浴およびその浴によるめっき方法
JPH02256262A (ja) 1988-12-14 1990-10-17 Sumitomo Metal Ind Ltd 半導体素子用ヒートシンク
US4950554A (en) * 1989-05-30 1990-08-21 Amax Inc. Composite copper-molybdenum sheet
JPH03218054A (ja) 1990-01-23 1991-09-25 Mitsubishi Electric Corp 発熱素子用基板
JPH04230063A (ja) * 1990-12-27 1992-08-19 Aichi Steel Works Ltd 多層ヒートシンク
JP2860037B2 (ja) * 1993-03-15 1999-02-24 東京タングステン株式会社 半導体装置用放熱基板の製造方法
JPH07211822A (ja) 1994-01-24 1995-08-11 Kyocera Corp 半導体素子収納用パッケージ
US5445106A (en) 1994-10-03 1995-08-29 General Electric Company Method for making high thermal conducting diamond
US5525815A (en) 1994-10-03 1996-06-11 General Electric Company Diamond film structure with high thermal conductivity
JPH08222658A (ja) 1995-02-17 1996-08-30 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体素子用パッケージ及びその製造方法
JPH1012767A (ja) 1996-06-19 1998-01-16 Tokyo Tungsten Co Ltd 積層構造放熱基板及びその製造方法
JPH11284111A (ja) * 1998-03-30 1999-10-15 Sumitomo Special Metals Co Ltd ヒートシンク部材及びその製造方法、並びにヒートシンク部材を用いた半導体パッケージ
JP2000124370A (ja) * 1998-10-15 2000-04-28 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc 半導体装置用パッケージ
JP3505704B2 (ja) 1999-05-10 2004-03-15 株式会社アライドマテリアル 放熱基板およびその製造方法
JP2001024370A (ja) 1999-07-13 2001-01-26 Japan Aviation Electronics Industry Ltd Ｚｉｆ型ｉｃソケット
US6965199B2 (en) * 2001-03-27 2005-11-15 The University Of North Carolina At Chapel Hill Coated electrode with enhanced electron emission and ignition characteristics
JP2003037204A (ja) 2001-07-25 2003-02-07 Kyocera Corp 半導体素子収納用パッケージ
FR2830328B1 (fr) * 2001-09-28 2003-12-05 Socomate Internat Dispositif et procede d'analyse de la structure d'un materiau
JP2004088083A (ja) 2002-06-25 2004-03-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光素子、その製造方法及びその実装方法
US20040140474A1 (en) 2002-06-25 2004-07-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device, method for fabricating the same and method for bonding the same
JP2004249589A (ja) * 2003-02-20 2004-09-09 Toshiba Corp 銅−モリブデン複合材料およびそれを用いたヒートシンク
CA2535481C (en) 2003-08-13 2010-04-20 All-Clad Metalcrafters Llc Bonded metal components having uniform thermal conductivity characteristics and method of making same
JP4104517B2 (ja) 2003-09-26 2008-06-18 本田技研工業株式会社 摺動部材
JP2005105354A (ja) 2003-09-30 2005-04-21 Honda Motor Co Ltd 摺動部材
JP2006100640A (ja) * 2004-09-30 2006-04-13 Hitachi Metals Ltd セラミックス回路基板及びこれを用いたパワー半導体モジュール
KR100900117B1 (ko) 2004-10-01 2009-06-01 스미토모덴키고교가부시키가이샤 용융염욕, 이 용융염욕을 이용해서 얻어진 석출물, 금속제품의 제조방법 및 금속제품
JP5123462B2 (ja) 2004-10-27 2013-01-23 住友電気工業株式会社 膜形成用配向基板および超電導線材ならびに膜形成用配向基板の製造方法
US8318519B2 (en) 2005-01-11 2012-11-27 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Method for handling a semiconductor wafer assembly
US9390999B2 (en) * 2005-03-23 2016-07-12 Noriaki Kawamura Metal substrate/metal impregnated carbon composite material structure and method for manufacturing said structure
TWI254419B (en) 2005-04-08 2006-05-01 Univ Nat Chiao Tung Compound semiconductor device having copper metallization
JP4711724B2 (ja) 2005-04-19 2011-06-29 学校法人同志社 溶融塩めっき用電解浴及び該電解浴を用いた溶融塩めっき方法
JP3862737B1 (ja) * 2005-10-18 2006-12-27 栄樹 津島 クラッド材およびその製造方法、クラッド材の成型方法、クラッド材を用いた放熱基板
US7695808B2 (en) 2005-11-07 2010-04-13 3M Innovative Properties Company Thermal transfer coating
JP4867388B2 (ja) * 2006-02-21 2012-02-01 トヨタ自動車株式会社 熱電発電装置
JP2007327081A (ja) * 2006-06-06 2007-12-20 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 接着方法、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
JP4930026B2 (ja) 2006-12-13 2012-05-09 富士ゼロックス株式会社 積層体、無端状ベルト、定着装置及び画像形成装置
JP2008214728A (ja) 2007-03-07 2008-09-18 Sumitomo Electric Ind Ltd セラミックス膜の製造方法
US20080298024A1 (en) 2007-05-31 2008-12-04 A.L.M.T. Corp. Heat spreader and method for manufacturing the same, and semiconductor device
JP4883534B2 (ja) 2008-03-26 2012-02-22 住友電気工業株式会社 溶融塩浴、溶融塩浴の製造方法およびタングステン析出物
JP5568883B2 (ja) 2009-03-27 2014-08-13 住友電気工業株式会社 溶融塩浴および溶融塩浴の製造方法
JP2011011366A (ja) 2009-06-30 2011-01-20 Sumitomo Electric Ind Ltd 金属積層構造体の製造方法
JP5580772B2 (ja) 2011-04-07 2014-08-27 住友電気工業株式会社 金属積層構造体の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4371589A (en) * 1976-08-24 1983-02-01 Warner London Inc. Process for depositing protective coating and articles produced
US6352014B1 (en) * 1999-12-15 2002-03-05 International Business Machines Corporation Method for making punches using multi-layer ceramic technology
EP2056344A1 (en) * 2006-07-28 2009-05-06 Kyocera Corporation Electronic component storing package and electronic device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011011366A (ja) 2011-01-20
US20120100392A1 (en) 2012-04-26
WO2011001795A1 (ja) 2011-01-06
EP2450182A1 (en) 2012-05-09
EP2450182A4 (en) 2016-07-20
US9199433B2 (en) 2015-12-01
KR20120112353A (ko) 2012-10-11
TW201111164A (en) 2011-04-01
CN102470639A (zh) 2012-05-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI462825B (zh) 金屬積層構造體及金屬積層構造體之製造方法
US8993121B2 (en) Metal laminated structure and method for producing the same
EP3046116A1 (en) Superconductor and method of manufacturing same
TW201145569A (en) GaN-based semiconductor light-emitting device and method for the fabrication thereof
JP2019041106A (ja) 半導体装置
JP2011061192A (ja) 半導体発光素子、半導体発光装置、半導体発光素子の製造方法、半導体発光装置の製造方法、半導体発光装置を用いた照明装置および電子機器
EP2709173A1 (en) Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods thereof
JP2011014917A (ja) 金属積層構造体
JP4841909B2 (ja) 窒化物系半導体発光素子
JP5580772B2 (ja) 金属積層構造体の製造方法
JP5428520B2 (ja) Ｌｅｄ素子およびｌｅｄ素子の製造方法
KR100872276B1 (ko) 수직구조 질화물 반도체 발광 소자 및 제조방법
JP4799975B2 (ja) 窒化物系半導体発光素子及びその製造方法
EP2534705B1 (en) Manufacturing method for a semiconductor substrate
JP5417164B2 (ja) 超電導線材の修復方法及び修復構造を有する超電導線材
JP4749809B2 (ja) 窒化物系半導体発光素子
RU2601243C1 (ru) Способ получения термоэлектрического элемента
JP2007081313A (ja) 窒化物系半導体発光素子及びその製造方法
TW201029220A (en) Light emitting diode having reflective and low resistant contact and the manufacturing methods thereof
JP2012150914A (ja) 高抵抗材複合酸化物超電導線材
TWI251944B (en) Resistance electrode structure, compound semiconductor light emitting device having the same, and LED lamp
JP2010123861A (ja) 貼り合わせ基板の製造方法、発光ダイオードの製造方法及び発光ダイオード
JP2021197411A (ja) 板材及び放熱材
TW201230401A (en) Vertical type light-emitting diode and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees