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TWI462641B - 鐳射誘致熱成像用膜的去除裝置 - Google Patents

鐳射誘致熱成像用膜的去除裝置 Download PDF

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TWI462641B
TWI462641B TW100121569A TW100121569A TWI462641B TW I462641 B TWI462641 B TW I462641B TW 100121569 A TW100121569 A TW 100121569A TW 100121569 A TW100121569 A TW 100121569A TW I462641 B TWI462641 B TW I462641B
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TW
Taiwan
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film
air
pipe
thermal imaging
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TW100121569A
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TW201204173A (en
Inventor
Sang Oh Kim
Sung Jae Hwang
So Hwi Youn
Dong Gyu Choi
Original Assignee
Ap Systems Inc
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Publication date
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Description

鐳射誘致熱成像用膜的去除裝置
本發明係有關於一種鐳射誘致熱成像(Laser Induced Thermal Imaging,LITI)用膜的去除裝置,尤其有關一種用於穩定去除設置於基板的鐳射誘致熱成像(LITI)用膜的裝置。
平板顯示器中的有機電致發光顯示器具有的優點在於,無論尺寸如何,其均可作為運動圖像的顯示介質;這是因為其響應時間不超過1毫秒、功耗低,並且由於能夠自發光而具有出色的視角。此外,基於現有的半導體處理技術,能夠利用簡單的工藝在低溫條件下製造有機電致發光顯示器,因此,其作為下一代平板顯示器頗具吸引力。
根據使用的材料和工藝,一般可以將有機電致發光顯示器分為採用濕法的聚合物型顯示器和採用沉積法的低分子量型顯示器。
但是,在聚合物或低分子量發光層所採用的成圖法中,噴墨列印法具有的缺點在於,除發光層之外的有機層所採用的材料有限,並且噴墨列印所採用的結構必須形成在基板上。此外,採用沉積法對發光層成圖時,由於金屬掩膜的影響,難以製造大型顯示裝置。
鐳射誘致熱成像(LITI)法,作為這種成圖法的可代替技術,最近才發展起來。
LITI法是將光源發出的鐳射轉變成熱能,熱能依次將成圖材料轉移至靶基板,從而形成圖形。
在LITI法中,供體薄膜覆蓋作為受體的整個基板,並且供體薄膜和基板固定於平臺上。此外,供體薄膜與基板通過層壓處理進一步相互結合,然後再進行鐳射成像,從而形成圖形。
應當注意的是上述內容僅用於理解背景技術,並非說明本領域的公知技術。
通常,從基板上去除供體薄膜時,會不可控地引入空氣,從而導致供體薄膜起皺並且損壞基板上已成像部分。因此,需要解決這個問題。
本發明內容的一個方面在於提供一種根據輥子位置朝供體薄膜相繼噴射空氣從而將鐳射誘致熱成像用膜從基板上穩定地去除並同時調節空氣引入的裝置,從而防止了因不必要的空氣洩漏導致基板上出現缺陷。
根據本發明的一個方面,一種鐳射誘致熱成像用膜的去除裝置,包括:基板台,上述基板台上設置有基板;輥單元,用於壓制設置於上述基板台的供體薄膜;以及吸氣單元,設置於上述基板台並將上述供體薄膜與上述基板之間逸出的空氣去除。
上述吸氣單元可以包括:穿過上述基板台的多個吸氣管、與上述吸氣管連通的集氣管、與上述集氣管連通的排氣管、以及與上述排氣管連通以抽吸空氣的排氣泵。
上述吸氣管可以圍繞上述基板設置。
上述吸氣單元可以根據上述輥單元的位置相繼抽吸空氣。
通過下文並結合附圖對實施例的說明,本發明的上述及其它方面、特徵和優點將顯而易見。
下面將結合附圖詳細描述本發明的實施例。應當注意的是附圖並未按照精確比例繪製,為方便描述和清楚起見,線條厚度或元件尺寸可能被放大。此外,文中定義的術語考慮了本發明的功能,並可以根據使用人員和操作人員的習慣或意圖予以改變。因此,應根據本文所述的整個公開內容來確定術語的含義。
圖1為根據本發明的示例性實施例的一種鐳射誘致熱成像(LITI)用膜的去除裝置的示意圖;圖2為根據本發明的示例性實施例的上述裝置的吸氣單元示意圖;圖3為根據本發明的示例性實施例的上述鐳射誘致熱成像(LITI)用膜的去除裝置的基板台示意圖,其中設置有基板和供體薄膜;圖4為根據本發明的示例性實施例的上述裝置的吸氣管排列示意圖。
由圖1-圖4可知,根據本發明的實施例的上述裝置1包括基板台10、輥單元20以及吸氣單元50。
基板台10具有凹部,該凹部內設置有基板11和供體薄膜件12。
基板台10橫向移動,可以通過輪、導軌、長度可變的氣缸或其他各種結構來移動基板台10。
將雷射光束照射到供體薄膜件12時,供體薄膜件12的光熱轉換層將該雷射光束轉變成熱能,從而在散熱時膨脹。因此,有機層,即轉換層,也會膨脹,並與供體薄膜件12分離,從而在基板11上形成有機層。這裏,成圖材料根據鐳射的照射方向附著至基板11。
供體薄膜件12包括與激光反應的薄膜13以及連接至薄膜13邊緣的托架14。
輥單元20壓制供體薄膜件12。輥單元20包括一對連接板21和輥子22,連接板21連接到某個結構(圖中未示出)。該對連接板21根據薄膜13的寬度彼此分開相應的距離。輥子22旋轉設置在該對連接板21之間,從而壓制薄膜13。
吸氣單元50設置於基板台10並將供體薄膜件12與基板11之間逸出的空氣去除。
吸氣單元50包括吸氣管51、集氣管52、排氣管53以及排氣泵54。
吸氣管51穿過基板台10。吸氣管51由多個管道構成,該管道設置於基板台10的與供體薄膜件12的薄膜13和托架14之間的部分相對應的部分。
集氣管52設置於基板台10,用於與相應的吸氣管51連通。
排氣管53設置於基板台10,用於與集氣管52連通。排氣管53穿過運動單元38,運動單元38設置於基板台10以便縱向運動。當運動單元38向上運動時,基板11與薄膜13之間的空氣被排出,而使基板11與薄膜13之間被排空。
排氣泵54連接至排氣管53。當排氣泵54被驅動時,空氣被排出,因此薄膜13和基板11所不需要的導入空氣被排出。
吸氣管51圍繞基板11設置,對基板11及薄膜13之間的導入空氣進行抽吸。
吸氣管51由多個管道構成,將該管道分成多個管組a、b、c及d,從而相繼抽吸空氣。
分組設置的吸氣管51可以根據輥單元20的位置相繼抽吸空氣。
吸氣管51分別與集氣管52連通,集氣管52與單獨的排氣管53連通,進而連接至排氣泵54,或者,集氣管52與帶有氣路換向閥的單個排氣管53連通。
下面將講述該鐳射誘致熱成像用膜的去除裝置的操作方法。
當輥子22壓制薄膜13時,根據輥子22的位置,空氣被持續送入基板11與薄膜13之間,薄膜13與基板11分離。
此處,輥子22在對應於薄膜寬度的整個長度上壓制薄膜13,從而防止薄膜13由於氣壓過大而起皺。
在持續將空氣送入基板11與薄膜13之間的過程中,一部分空氣被送入基板11與薄膜13之間的輥子22未經過的區域。
此處,驅動排氣泵54時,洩漏到不必要位置處的空氣通過吸氣管51、集氣管52和排氣管53排出。
即,當輥子22經過a組的吸氣管51時,通過b、c和d組的排氣管51抽吸薄膜13與基板11之間洩漏的空氣。
然後,隨著基板台10的移動,當輥子22經過b組的吸氣管51時,通過c組和d組的吸氣管51抽吸薄膜13與基板11之間洩漏的空氣。
此外,隨著基板台10的移動,當輥子22經過c組的吸氣管51時,通過d組的吸氣管51抽吸薄膜13與基板11之間洩漏的空氣。
同樣,根據這些實施例,該鐳射誘致熱成像用膜的去除裝置可以通過吸氣單元排出洩漏的空氣,從而防止薄膜因空氣洩漏而受損。
儘管本發明中已經講述了一些實施例,但應明白的是,這些實施例僅用於說明,而非限制本發明的範圍,並且在不背離本發明的精神的前提下,本領域的技術人員可以進行各種修改、變化和改變,本發明的精神及範圍僅由所附申請專利範圍予以限定。
1...裝置
10...基板台
11...基板
12...供體薄膜件
13...薄膜
14...托架
20...輥單元
21...連接板
22...輥子
38...運動單元
50...吸氣單元
51...吸氣管
52...集氣管
53...排氣管
54...排氣泵
圖1為根據本發明的示例性實施例的一種鐳射誘致熱成像(LITI)用膜的去除裝置的示意圖;
圖2為根據本發明的示例性實施例的上述裝置的吸氣單元示意圖;
圖3為根據本發明的示例性實施例的上述鐳射誘致熱成像(LITI)用膜的去除裝置的基板台示意圖,其中設置有基板和供體薄膜;以及
圖4為根據本發明的示例性實施例的上述裝置的吸氣管排列示意圖。
1...裝置
10...基板台
11...基板
12...供體薄膜件
13...薄膜
14...托架
20...輥單元
21...連接板
22...輥子

Claims (4)

  1. 一種鐳射誘致熱成像用膜的去除裝置,其特徵在於包括:基板台,上述基板台上設置有基板;輥單元,用於相繼壓制設置於上述基板台的供體薄膜;以及吸氣單元,設置於上述基板台並將上述供體薄膜與上述基板之間逸出的空氣去除。
  2. 如申請專利範圍第1項所述裝置,其中,上述吸氣單元包括:穿過上述基板台的多個吸氣管、與上述吸氣管連通的集氣管、與上述集氣管連通的排氣管、以及與上述排氣管連通以抽吸空氣的排氣泵。
  3. 如申請專利範圍第2項所述裝置,其中,上述吸氣管圍繞上述基板設置。
  4. 如申請專利範圍第3項所述裝置,其中,上述吸氣單元根據上述輥單元的位置相繼抽吸空氣。
TW100121569A 2010-06-30 2011-06-21 鐳射誘致熱成像用膜的去除裝置 TWI462641B (zh)

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