TWI461360B - Anisotropic conductive material and manufacturing method thereof - Google Patents
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Description
本發明係關於一種分散有導電性粒子之異向性導電材料及其製造方法。本申請案係基於2010年12月2日於日本提出申請之日本專利申請案編號特願2010-269422而主張優先權,藉由參照該申請案而引用於本申請案中。
先前,使用利用異向性導電膜(ACF:Anisotropic Conductive Film),而使半導體等零件構裝於基板上之施工方法。將ACF用於玻璃基板之情形時,為了提高接著劑成分與玻璃之接著力而使用矽烷偶合劑,但矽烷偶合劑隨著放置時間而滲出於ACF膜表面,並會揮發。因此,使用使矽烷偶合劑對二氧化矽進行修飾而抑制揮發之方法(例如,參照專利文獻1~3)。
[專利文獻1]日本特開2005-75983號公報
[專利文獻2]日本特開2010-84019號公報
[專利文獻3]日本特開2006-196850號公報
然而,於矽烷偶合劑修飾二氧化矽之方法中,通常所使用之二氧化矽於表面存在羥基,為親水性,因此分散性較差,而無法獲得較低之傳導電阻及較高之接著強度。
本發明係鑒於此種實際情況而提出者,且提供一種可獲得較低之傳導電阻及較高之接著強度的異向性導電材料及其製造方法。
本案發明者等人進行努力研究,結果發現,使用二氧化矽表面經有機修飾之疏水性二氧化矽,並於異向性導電材料中摻合該疏水性二氧化矽經二硫化物系矽烷偶合劑表面處理而成之二氧化矽粒子,藉此獲得較低之傳導電阻及較高之接著強度。
即,本發明之異向性導電材料之特徵在於:含有疏水性二氧化矽表面經二硫化物系矽烷偶合劑表面處理而成之二氧化矽粒子。
又,本發明之異向性導電材料之製造方法之特徵在於:係利用二硫化物系矽烷偶合劑對疏水性二氧化矽表面進行表面處理,並摻合經過該表面處理之二氧化矽粒子。
根據本發明,可藉由使異向性導電材料含有硫化物矽烷修飾疏水性二氧化矽而獲得較高之接著強度。又,因可提高硫化物矽烷修飾疏水性二氧化矽之分散性,故可獲得較低之傳導電阻。
以下,依下述順序對本發明之實施形態進行詳細說明。
1.異向性導電材料
2.異向性導電材料之製造方法
3.連接方法
4.實施例
作為本發明之具體例所示之異向性導電材料係含有利用二硫化物系矽烷偶合劑對疏水性二氧化矽表面進行表面
處理之二氧化矽粒子(以下,稱為硫化物矽烷修飾疏水性二氧化矽)者。
首先,對硫化物矽烷修飾疏水性二氧化矽進行說明。硫化物矽烷修飾疏水性二氧化矽可藉由利用二硫化物系矽烷偶合劑對疏水性二氧化矽表面進行表面處理而獲得。
圖1係表示疏水性二氧化矽與二硫化物系矽烷偶合劑之反應之概略圖。於該反應例中,疏水性二氧化矽係二氧化矽表面經二甲基矽氧烷修飾所成之二甲基矽氧烷修飾二氧化矽,且二硫化物系矽烷偶合劑係具有二硫鍵(S-S鍵),且於末端具有乙氧基(EtO)之二硫化物矽烷。
如圖1所示,疏水性二氧化矽表面之Si並未完全經有機修飾,且存在未修飾之羥基(OH)。因此,如圖2所示,疏水性二氧化矽之未修飾之羥基(OH)與二硫化物矽烷之烷氧基(OR)可進行鍵結。又,二甲基矽氧烷末端之Si與二硫化物矽烷之烷氧基(OR)可進行鍵結。如此,可藉由利用二硫化物矽烷對疏水性二氧化矽進行修飾而防止二硫化物系矽烷偶合劑自異向性導電材料滲出。
圖3係表示經由異向性導電材料將玻璃基板與金屬配線材熱壓接時之反應之示意圖。若將玻璃基板11與金屬配線材12熱壓接,則於玻璃基板11與異向性導電材料13之界面,玻璃基板11表面之Si與修飾於疏水二氧化矽14上之二硫化物矽烷末端之烷氧基(OR)進行反應,並進行化學鍵結。藉此可提高異向性導電材料13與玻璃基板11之接著性(接著強度)。
又,於金屬配線材12與異向性導電材料13之界面,由於壓接時之熱,二硫化物矽烷之一部分之S-S鍵(二硫鍵)解離,解離之硫化物矽烷與金屬Me進行化學鍵結。藉此可提高異向性導電材料13與金屬配線材12之接著性(連接強度)。
如此,可藉由使異向性導電材料含有硫化物矽烷修飾疏水性二氧化矽,而於異向性導電材料13與玻璃基板11之界面、及異向性導電材料13與金屬配線材12之界面獲得優異之接著強度。又,硫化物矽烷修飾疏水性二氧化矽為疏水性,且可提高材料中之分散性,故可獲得優異之傳導電阻。
硫化物矽烷修飾疏水性二氧化矽可使用自由基聚合性、陽離子聚合性中之任一種接著劑。其中,自由基聚合性接著劑因通常有硬化收縮率較高且內部應力較大、且接著強度下降之傾向,故藉由含有硫化物矽烷修飾疏水性二氧化矽而明顯表現出上述效果。
以下,以自由基聚合性接著劑中含有硫化物矽烷修飾疏水性二氧化矽之異向性導電材料為例而進行說明。本實施形態之異向性導電材料含有硫化物矽烷修飾疏水性二氧化矽、膜形成樹脂、自由基聚合性物質、硬化劑、及導電性粒子。
硫化物矽烷修飾疏水性二氧化矽如上所述係疏水性二氧化矽表面經二硫化物系矽烷偶合劑表面處理而成者。疏水性二氧化矽對二氧化矽表面進行有機修飾,且具有疏水
性。有機修飾二氧化矽表面之化合物並無特別限定,但較佳使用二甲基矽氧烷或三甲基矽氧烷。又,疏水性二氧化矽之平均粒徑為10~1000 nm,其中較佳為10~500 nm,更佳為10~300 nm。
相對於異向性導電組成物100質量份,硫化物矽烷修飾疏水性二氧化矽之含量較佳為2~15質量份。可藉由使相對於異向性導電組成物100質量份之含量為2質量份以上而獲得提高連接強度之效果,且可藉由為15質量份以下而獲得提高傳導電阻之效果。
作為二硫化物系矽烷偶合劑,較佳使用具有二硫鍵(S-S鍵),且具有末端上之烷氧基(RO)之二硫化物矽烷。此處,「烷氧基」例如可列舉:甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、甲氧乙氧基、甲氧丙氧基、乙氧乙氧基、乙氧丙氧基、甲氧乙氧乙氧基等碳數1~20個烷氧基鍵結於直鏈上或支鏈狀鍵結者等。
二硫化物系矽烷偶合劑之具體例可列舉:雙(3-三乙氧基矽基丙基)二硫化物、雙(2-三乙氧基矽基乙基)二硫化物、雙(4-三乙氧基矽基丁基)二硫化物、雙(3-三甲氧基矽基丙基)二硫化物、雙(2-三甲氧基矽基乙基)二硫化物、雙(4-三甲氧基矽基丁基)二硫化物、雙(3-甲基二乙氧基矽基丙基)二硫化物、雙(2-甲基二乙氧基矽基丙基)二硫化物、雙(4-甲基二乙氧基矽基丙基)二硫化物、雙(3-甲基二甲氧基矽基丙基)二硫化物、雙(2-甲基二甲氧基矽基丁基)二硫化物、雙(4-甲基二甲氧基矽基丁基)二硫化物、雙(3-三乙氧基矽基丙基)三硫化
物、雙(2-三乙氧基矽基乙基)三硫化物、雙(4-三乙氧基矽基丁基)三硫化物、雙(3-三甲氧基矽基丙基)三硫化物、雙(2-三甲氧基矽基乙基)三硫化物、雙(4-三甲氧基矽基丁基)三硫化物、雙(3-三乙氧基矽基丙基)四硫化物、雙(2-三乙氧基矽基乙基)四硫化物、雙(4-三乙氧基矽基丁基)四硫化物、雙(3-三甲氧基矽基丙基)四硫化物、雙(2-三甲氧基矽基乙基)四硫化物、雙(4-三甲氧基矽基丁基)四硫化物、雙(3-甲基二乙氧基矽基丙基)四硫化物、雙(2-甲基二乙氧基矽基乙基)四硫化物、雙(4-甲基二乙氧基矽基丁基)四硫化物、雙(3-甲基二甲氧基矽基丙基)四硫化物、雙(2-甲基二甲氧基矽基乙基)四硫化物、雙(4-甲基二甲氧基矽基丁基)四硫化物等,該等可單獨使用,亦可組合2種以上使用。該等之中,較佳為使用優異之雙(3-三乙氧基矽基丙基)二硫化物。再者,該等二硫化物系矽烷偶合劑亦可使用1種或組合2種以上使用。
膜形成樹脂係相當於平均分子量為10000以上之高分子量樹脂,且就膜形成性之觀點而言,較佳為10000~80000左右之平均分子量。膜形成樹脂可列舉:苯氧樹脂、聚酯樹脂、聚胺酯樹脂(polyurethane resin)、聚酯胺酯樹脂、丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、縮丁醛樹脂(butyral resin)等各種樹脂,該等可單獨使用,亦可組合2種以上使用。該等之中,就膜形成狀態、連接可靠性等觀點而言,較佳為使用苯氧樹脂。相對於異向性導電組成物100質量份,膜形成樹脂之含量通常為30~80質量份,較佳為40~70質量份。
自由基聚合性樹脂係具有藉由自由基而聚合之官能基之物質,可列舉:環氧丙烯酸酯、丙烯酸胺基甲酸酯、聚酯丙烯酸酯等,該等可單獨使用,亦可組合2種以上使用。該等之中,於本實施形態中較佳使用環氧丙烯酸酯。相對於異向性導電組成物100質量份,自由基聚合性樹脂之含量通常為10~60質量份,較佳為20~50質量份。
自由基聚合起始劑可使用公知者,其中可較佳使用有機過氧化物。有機過氧化物可列舉:過氧化縮酮類、過氧化二醯基類、過氧化二碳酸酯類、過氧酯類、過氧化二烷基類、過氧化氫類、過氧化矽基類等,該等可單獨使用,亦可組合2種以上使用。該等之中,於本實施形態中較佳為使用過氧化縮酮類。相對於異向性導電組成物100質量份,自由基聚合起始劑之含量通常為0.1~30質量份,較佳為1~20質量份。
作為使該等溶解之有機溶劑,可使用甲苯、乙酸乙酯、或該等之混合溶劑、其他各種有機溶劑。
又,分散於異向性導電組成物中之導電性粒子例如可使用對鎳、金、銅等金屬粒子,樹脂粒子實施鍍金等者等。又,就連接可靠性之觀點而言,導電性粒子之平均粒徑較佳為1~20 μm,更佳為2~10 μm。又,就連接可靠性及絕緣可靠性之觀點而言,異向性導電組成物中之導電性粒子之平均粒子密度較佳為1000~50000個/mm2
,更佳為5000~30000個/mm2
。
繼而,對上述異向性導電材料之製造方法進行說明。本實施形態之異向性導電材料之製造方法係利用二硫化物系矽烷偶合劑對疏水性二氧化矽表面進行表面處理,並摻合經過該表面處理之二氧化矽粒子者。
首先,使二硫化物系矽烷偶合劑溶解於甲基乙基酮等溶劑中而製備處理液。繼而,於該處理液中加入疏水性二氧化矽,靜置後過濾,回收二氧化矽粒子並進行真空乾燥,從而獲得硫化物矽烷修飾疏水性二氧化矽。
並且,摻合膜形成樹脂、自由基聚合性物質、自由基聚合起始劑及硫化物矽烷修飾疏水性二氧化矽而獲得接著劑組成物,並使導電性粒子分散於接著劑組成物中,從而獲得異向性導電材料。
於製作片狀之異向性導電膜之情形時,於塗佈有聚矽氧等剝離劑之PET(Poly Ethylene Terephthalate)等剝離基材上塗佈上述異向性導電材料,並使用熱烘箱、加熱乾燥裝置等使剝離基材上之異向性導電材料乾燥,從而形成特定厚度之層。
又,於積層含有導電性粒子之含導電性粒子層與絕緣性接著層之2層構造之異向性導電材料之情形時,可藉由如下方式而製造:於剝離基材上塗佈含導電性粒子層之樹脂組成物並使其乾燥,從而形成含導電性粒子層,並以相同之方式形成絕緣性樹脂層,貼合含導電性粒子層與絕緣性樹脂層。於該情形時,絕緣性接著層亦可含有該硫化物矽烷修飾疏水性二氧化矽。
繼而,對使用上述異向性導電材料之電子零件之連接方法進行說明。本實施形態之電子零件之連接方法係將上述異向性導電材料貼附於第1電子零件之端子上,且使第2電子零件暫時配置於上述異向性導電膜上,並藉由加熱按壓裝置從上述第2電子零件上方按壓,從而使上述第1電子零件之端子與上述第2電子零件之端子連接。
藉此,可獲得經由分散於異向性導電材料中之導電性粒子連接第1電子零件之端子與第2電子零件之端子的連接體。
本實施形態之異向性導電材料因摻合利用二硫化物系矽烷偶合劑對疏水性二氧化矽表面進行表面處理之二氧化矽粒子,故可獲得具有優異之連接電阻及接著強度之連接體。
此處,第1電子零件可列舉:於玻璃基板上塗覆有IZO(Indium Zinc Oxide)膜之IZO塗覆玻璃、於玻璃基板上塗覆有SiNX
(氮化矽)膜之SiNX
塗覆玻璃等。又,第2電子零件可列舉:COF(Chip On Film)、IC(Integrated Circuit)等。於本實施形態中,因於異向性導電材料中摻合硫化物矽烷修飾疏水性二氧化矽,故即便於表面為平坦之SiNX
塗覆玻璃中,亦可獲得優異之接著強度。
以下,對本發明之實施例進行說明,但本發明並非限
定於該等實施例者。於此處,製作實施例1~6及比較例1~7之異向性導電膜。
並且,使用異向性導電膜製作構裝體,並評估構裝體之傳導電阻及接著強度。再者,異向性導電膜之保存穩定性試驗、構裝體之製作、傳導電阻之測定及接著強度之測定係依據以下方式進行。
將實施例3、比較例1及比較例7之異向性導電膜投入40℃/60%之環境烘箱中48 hr。
使用實施例1~6及比較例1~7之異向性導電膜,並將COF(Chip On Film用基材,50 μmP、Cu8 μmt-鍍Sn,38 μmt-S' perflex基材)與於玻璃基板上塗覆有IZO(Indium Zinc Oxide)膜之厚度0.7 mm之IZO塗覆玻璃進行接合,從而完成構裝體。又,將COF與於玻璃基板上塗覆有SiNX
(氮化矽)膜之厚度0.7 mm之SiNX
塗覆玻璃進行接合,從而完成構裝體。
對於各構裝體,進行壓力鍋試驗(PCT,pressure cooker test)而評估連接電阻值。初始及投入85℃/85%/500 hr後之連接電阻值係使用數位萬用表(數位萬用表7555,橫河電機公司製造)而測定。測定係使用四端子法,通過電流1 mA而進行。
對於各構裝體,進行壓力鍋試驗(PCT)而評估接著強度。初始及投入85℃/85%/500 hr後之接著強度係使用拉力測試機(RTC1201,AMD公司製造)而測定。測定係於90℃之溫度中以50 mm/sec之速度提高COF而進行。
使5質量份之雙(3-(乙氧基矽基)丙基)二硫化物(商品名:KBE846,信越化學工業公司製造)溶解於100質量份之甲基乙基酮中而製備處理液。繼而,於該105質量份之處理液中,加入10質量份之平均粒徑14 nm之二甲基矽氧烷修飾之二氧化矽粒子作為疏水性二氧化矽,於70℃靜置2小時後過濾,回收二氧化矽粒子,並進行真空乾燥,從而獲得硫化物矽烷修飾疏水性二氧化矽A。
摻合42質量份之作為膜形成樹脂之苯氧樹脂(商品名:PKHC,巴工業公司製造)、40質量份之作為自由基聚合性物質之環氧丙烯酸酯(商品名:EB600,Daicel-Cytec(股)製造)、3質量份之作為自由基聚合起始劑之過氧化縮酮(商品名:Perhexa C,日本油脂(股)製造)及15質量份之硫化物矽烷修飾疏水性二氧化矽A而獲得接著劑組成物。使導電性粒子(商品名:AUL704,積水化學工業(股)製造)以粒子密度成為5000個/mm2
之方式分散於該接著劑組成物中,從而獲得異向性導電材料。並且,藉由將異向性導電材料塗佈於PET膜上並使其乾燥,從而製作厚度20
μm之異向性導電膜。
測定COF與IZO塗覆玻璃接合而成之構裝體之傳導電阻,結果初始電阻為4.5 Ω,投入85℃/85%/500 hr後之電阻為7.2 Ω。
又,測定COF與IZO塗覆玻璃接合而成之構裝體之接著強度,結果初始強度為8.7 N/cm,投入85℃/85%/500 hr後之強度為6.7 N/cm。又,測定COF與SiNX
塗覆玻璃接合而成之構裝體之接著強度,結果初始強度為7.8 N/cm,投入85℃/85%/500 hr後之強度為8.4 N/cm。將該等結果示於表1。
除使苯氧樹脂(商品名:PKHC,巴工業公司製造)為46質量份,及使硫化物矽烷修飾疏水性二氧化矽A為11質量份以外,以與實施例1相同之方式製作異向性導電膜。
測定COF與IZO塗覆玻璃接合而成之構裝體之傳導電阻,結果初始電阻為3.8 Ω,投入85℃/85%/500 hr後之電阻為5.6 Ω。
又,測定COF與IZO塗覆玻璃接合而成之構裝體之接著強度,結果初始強度為8.8 N/cm,投入85℃/85%/500 hr後之強度為6.9 N/cm。又,測定COF與SiNX
塗覆玻璃接合而成之構裝體之接著強度,結果初始強度為7.7 N/cm,投
入85℃/85%/500 hr後之強度為6.2 N/cm。將該等結果示於表1。
除使苯氧樹脂(商品名:PKHC,巴工業公司製造)為49質量份,及使硫化物矽烷修飾疏水性二氧化矽A為8質量份以外,以與實施例1相同之方式製作異向性導電膜。
測定COF與IZO塗覆玻璃接合而成之構裝體之傳導電阻,結果初始電阻為3.0 Ω,投入85℃/85%/500 hr後之電阻為4.7 Ω。
又,測定COF與IZO塗覆玻璃接合而成之構裝體之接著強度,結果初始強度為8.5 N/cm,投入85℃/85%/500 hr後之強度為6.5 N/cm。又,測定COF與SiNX
塗覆玻璃接合而成之構裝體之接著強度,結果初始強度為7.3 N/cm,投入85℃/85%/500 hr後之強度為5.6 N/cm。將該等結果示於表1。
又,對使用投入40℃/60%之環境烘箱中48 hr之異向性導電膜而接合而成之構裝體,測定傳導電阻及接著強度。測定COF與IZO塗覆玻璃接合而成之構裝體之傳導電阻,結果初始電阻為3.2 Ω,投入85℃/85%/500 hr後之電阻為5.1 Ω。
又,測定COF與IZO塗覆玻璃接合而成之構裝體之接著強度,結果初始強度為8.3 N/cm,投入85℃/85%/500 hr
後之強度為6.2 N/cm。又,測定COF與SiNX
塗覆玻璃接合而成之構裝體之接著強度,結果初始強度為7.4 N/cm,投入85℃/85%/500 hr後之強度為5.8 N/cm。將該等結果示於表2。
除使苯氧樹脂(商品名:PKHC,巴工業公司製造)為52質量份,及使硫化物矽烷修飾疏水性二氧化矽A為5質量份以外,以與實施例1相同之方式製作異向性導電膜。
測定COF與IZO塗覆玻璃接合而成之構裝體之傳導電阻,結果初始電阻為2.6 Ω,投入85℃/85%/500 hr後之電阻為4.2 Ω。
又,測定COF與IZO塗覆玻璃接合而成之構裝體之接著強度,結果初始強度為7.8 N/cm,投入85℃/85%/500 hr後之強度為5.7 N/cm。又,測定COF與SiNX
塗覆玻璃接合而成之構裝體之接著強度,結果初始強度為8.8 N/cm,投入85℃/85%/500 hr後之強度為5.0 N/cm。將該等結果示於表1。
除使苯氧樹脂(商品名:PKHC,巴工業公司製造)為55質量份,及使硫化物矽烷修飾疏水性二氧化矽A為2質量份以外,以與實施例1相同之方式製作異向性導電膜。
測定COF與IZO塗覆玻璃接合而成之構裝體之傳導電阻,結果初始電阻為2.5 Ω,投入85℃/85%/500 hr後之電阻為4.3 Ω。
又,測定COF與IZO塗覆玻璃接合而成之構裝體之接著強度,結果初始強度為7.1 N/cm,投入85℃/85%/500 hr後之強度為5.1 N/cm。又,測定COF與SiNX
塗覆玻璃接合而成之構裝體之接著強度,結果初始強度為5.5 N/cm,投入85℃/85%/500 hr後之強度為4.0 N/cm。將該等結果示於表1。
使2.5質量份之雙(3-(乙氧基矽基)丙基)二硫化物(商品名:KBE846,信越化學工業公司製造)及2.5質量份之非硫化物系矽烷偶合劑(商品名:KBM-503,信越化學工業公司製造)溶解於100質量份之甲基乙基酮中而製備處理液。繼而,於該105重量份之處理液中,加入10質量份之平均粒徑14 nm之二甲基矽氧烷修飾之二氧化矽粒子作為疏水性二氧化矽,於70℃靜置2小時後過濾,回收二氧化矽粒子,並進行真空乾燥,從而獲得硫化物矽烷修飾疏水性二氧化矽B。
摻合49質量份之作為膜形成樹脂之苯氧樹脂(商品名:PKHC,巴工業公司製造)、40質量份之作為自由基聚
合性物質之環氧丙烯酸酯(商品名:EB600,Daicel-Cytec(股)製造)、3質量份之作為自由基聚合起始劑之過氧化縮酮(商品名:Perhexa C,日本油脂(股)製造)及8質量份之硫化物矽烷修飾疏水性二氧化矽B而獲得接著劑組成物。使導電性粒子(商品名:AUL704,積水化學工業(股)製造)以粒子密度成為5000個/mm2
之方式分散於該接著劑組成物中,從而獲得異向性導電材料。並且,藉由將異向性導電材料塗佈於PET膜上並使其乾燥,從而製作厚度20 μm之異向性導電膜。
測定COF與IZO塗覆玻璃接合而成之構裝體之傳導電阻,結果初始電阻為3.1 Ω,投入85℃/85%/500 hr後之電阻為4.7 Ω。
又,測定COF與IZO塗覆玻璃接合而成之構裝體之接著強度,結果初始強度為7.7 N/cm,投入85℃/85%/500 hr後之強度為5.8 N/cm。又,測定COF與SiNX
塗覆玻璃接合而成之構裝體之接著強度,結果初始強度為6.9 N/cm,投入85℃/85%/500 hr後之強度為5.2 N/cm。將該等結果示於表1。
使5質量份之雙(3-(乙氧基矽基)丙基)二硫化物(商品名:KBE846,信越化學工業公司製造)溶解於100質量份之甲基乙基酮中而製備處理液。繼而,於該105質量份之
處理液中,加入10質量份之平均粒徑14 nm之二氧化矽粒子作為親水性二氧化矽,於70℃靜置2小時後過濾,回收二氧化矽粒子,並進行真空乾燥,從而獲得硫化物矽烷修飾親水性二氧化矽C。
摻合49質量份之作為膜形成樹脂之苯氧樹脂(商品名:PKHC,巴工業公司製造)、40質量份之作為自由基聚合性物質之環氧丙烯酸酯(商品名:EB600,Daicel-Cytec(股)製造)、3質量份之作為自由基聚合起始劑之過氧化縮酮(商品名:Perhexa C,日本油脂(股)製造)及8質量份之硫化物矽烷修飾親水性二氧化矽C而獲得接著劑組成物。使導電性粒子(商品名:AUL704,積水化學工業(股)製造)以粒子密度成為5000個/mm2
之方式分散於該接著劑組成物中,從而獲得異向性導電材料。並且,藉由將異向性導電材料塗佈於PET膜上並使其乾燥,從而製作厚度20 μm之異向性導電膜。
測定COF與IZO塗覆玻璃接合而成之構裝體之傳導電阻,結果初始電阻為6.3 Ω,投入85℃/85%/500 hr後之電阻為9.3 Ω。
又,測定COF與IZO塗覆玻璃接合而成之構裝體之接著強度,結果初始強度為8.2 N/cm,投入85℃/85%/500 hr後之強度為6.4 N/cm。又,測定COF與SiNX
塗覆玻璃接合而成之構裝體之接著強度,結果初始強度為6.2 N/cm,投
入85℃/85%/500 hr後之強度為4.5 N/cm。將該等結果示於表2。
又,對使用投入40℃/60%之環境烘箱中48 hr之異向性導電膜而接合而成之構裝體,測定傳導電阻及接著強度。測定COF與IZO塗覆玻璃接合而成之構裝體之傳導電阻,結果初始電阻為6.7 Ω,投入85℃/85%/500 hr後之電阻為9.6 Ω。
又,測定COF與IZO塗覆玻璃接合而成之構裝體之接著強度,結果初始強度為8.0 N/cm,投入85℃/85%/500 hr後之強度為6.2 N/cm。又,測定COF與SiNX
塗覆玻璃接合而成之構裝體之接著強度,結果初始強度為6.0 N/cm,投入85℃/85%/500 hr後之強度為4.3 N/cm。將該等結果示於表3。
使5質量份之不具有二硫鍵但含有硫之矽烷偶合劑(商品名:A-189,Momentive Performance Materials公司製造)溶解於100質量份之甲基乙基酮中而製備處理液。繼而,於該105質量份之處理液中,加入10質量份之平均粒徑14 nm之二甲基矽氧烷修飾之二氧化矽粒子作為疏水性二氧化矽,於70℃靜置2小時後過濾,回收二氧化矽粒子,並進行真空乾燥,從而獲得非硫化物矽烷修飾疏水性二氧化矽D。
除使用非硫化物矽烷修飾疏水性二氧化矽D代替硫化物矽烷修飾親水性二氧化矽C以外,以與比較例1相同之方式製作異向性導電膜。
測定COF與IZO塗覆玻璃接合而成之構裝體之傳導電阻,結果初始電阻為3.1 Ω,投入85℃/85%/500 hr後之電阻為5.0 Ω。
又,測定COF與IZO塗覆玻璃接合而成之構裝體之接著強度,結果初始強度為7.2 N/cm,投入85℃/85%/500 hr後之強度為5.1 N/cm。又,測定COF與SiNX
塗覆玻璃接合而成之構裝體之接著強度,結果初始強度為5.8 N/cm,投入85℃/85%/500 hr後之強度為3.8 N/cm。將該等結果示於表2。
使5質量份之不具有二硫鍵但含有硫之矽烷偶合劑(商品名:A-189,Momentive Performance Materials公司製造)溶解於100質量份之甲基乙基酮中而製備處理液。繼而,於該105質量份之處理液中,加入10質量份之平均粒徑14 nm之二氧化矽粒子作為親水性二氧化矽,於70℃靜置2小時後過濾,回收二氧化矽粒子,並進行真空乾燥,從而獲得硫化物矽烷修飾親水性二氧化矽E。
除使用硫化物矽烷修飾親水性二氧化矽E代替硫化物
矽烷修飾親水性二氧化矽C以外,以與比較例1相同之方式製作異向性導電膜。
測定COF與IZO塗覆玻璃接合而成之構裝體之傳導電阻,結果初始電阻為8.3 Ω,投入85℃/85%/500 hr後之電阻為11.3 Ω。
又,測定COF與IZO塗覆玻璃接合而成之構裝體之接著強度,結果初始強度為7.1 N/cm,投入85℃/85%/500 hr後之強度為5.0 N/cm。又,測定COF與SiNX
塗覆玻璃接合而成之構裝體之接著強度,結果初始強度為4.8 N/cm,投入85℃/85%/500 hr後之強度為3.4 N/cm。將該等結果示於表2。
使5質量份之非硫化物系矽烷偶合劑(商品名:KBM-503,信越化學工業公司製造)溶解於100質量份之甲基乙基酮中而製備處理液。繼而,於該105質量份之處理液中,加入10質量份之平均粒徑14 nm之二氧化矽粒子作為親水性二氧化矽,於70℃靜置2小時後過濾,回收二氧化矽粒子,並進行真空乾燥,從而獲得非硫化物矽烷修飾親水性二氧化矽F。
除使用非硫化物矽烷修飾親水性二氧化矽F代替硫化物矽烷修飾親水性二氧化矽C以外,以與比較例1相同之
方式製作異向性導電膜。
測定COF與IZO塗覆玻璃接合而成之構裝體之傳導電阻,結果初始電阻為7.2 Ω,投入85℃/85%/500 hr後之電阻為10.7 Ω。
又,測定COF與IZO塗覆玻璃接合而成之構裝體之接著強度,結果初始強度為5.6 N/cm,投入85℃/85%/500 hr後之強度為4.0 N/cm。又,測定COF與SiNX
塗覆玻璃接合而成之構裝體之接著強度,結果初始強度為4.7 N/cm,投入85℃/85%/500 hr後之強度為3.2 N/cm。將該等結果示於表2。
使用平均粒徑14 nm之親水性二氧化矽G。
除使用親水性二氧化矽G代替硫化物矽烷修飾親水性二氧化矽C以外,以與比較例1相同之方式製作異向性導電膜。再者,未摻合矽烷偶合劑。
測定COF與IZO塗覆玻璃接合而成之構裝體之傳導電阻,結果初始電阻為8.6 Ω,投入85℃/85%/500 hr後之電阻為12.3 Ω。
又,測定COF與IZO塗覆玻璃接合而成之構裝體之接著強度,結果初始強度為4.5 N/cm,投入85℃/85%/500 hr
後之強度為3.0 N/cm。又,測定COF與SiNX
塗覆玻璃接合而成之構裝體之接著強度,結果初始強度為1.5 N/cm,投入85℃/85%/500 hr後之強度為0.8 N/cm。將該等結果示於表2。
使用平均粒徑14 nm之二甲基矽氧烷修飾之疏水性二氧化矽H。
除使用疏水性二氧化矽H代替硫化物矽烷修飾親水性二氧化矽C以外,以與比較例1相同之方式製作異向性導電膜。再者,未摻合矽烷偶合劑。
測定COF與IZO塗覆玻璃接合而成之構裝體之傳導電阻,結果初始電阻為3.2 Ω,投入85℃/85%/500 hr後之電阻為5.1 Ω。
又,測定COF與IZO塗覆玻璃接合而成之構裝體之接著強度,結果初始強度為4.7 N/cm,投入85℃/85%/500 hr後之強度為3.1 N/cm。又,測定COF與SiNX
塗覆玻璃接合而成之構裝體之接著強度,結果初始強度為2.5 N/cm,投入85℃/85%/500 hr後之強度為1.5 N/cm。將該等結果示於表2。
除未摻合硫化物矽烷修飾親水性二氧化矽C,而摻合8
質量份之雙(3-(乙氧基矽基)丙基)二硫化物(商品名:KBE846,信越化學工業公司製造)以外,以與比較例1相同之方式製作異向性導電膜。
測定COF與IZO塗覆玻璃接合而成之構裝體之傳導電阻,結果初始電阻為2.6 Ω,投入85℃/85%/500 hr後之電阻為4.3 Ω。
又,測定COF與IZO塗覆玻璃接合而成之構裝體之接著強度,結果初始強度為7.1 N/cm,投入85℃/85%/500 hr後之強度為5.4 N/cm。又,測定COF與SiNX
塗覆玻璃接合而成之構裝體之接著強度,結果初始強度為5.5 N/cm,投入85℃/85%/500 hr後之強度為3.9 N/cm。將該等結果示於表2。
又,對使用投入40℃/60%之環境烘箱中48 hr之異向性導電膜而接合而成之構裝體,測定傳導電阻及接著強度。測定COF與IZO塗覆玻璃接合而成之構裝體之傳導電阻,結果初始電阻為2.7 Ω,投入85℃/85%/500 hr後之電阻為4.5 Ω。
又,測定COF與IZO塗覆玻璃接合而成之構裝體之接著強度,結果初始強度為6.5 N/cm,投入85℃/85%/500 hr後之強度為4.7 N/cm。又,測定COF與SiNX
塗覆玻璃接合而成之構裝體之接著強度,結果初始強度為2.2 N/cm,投入85℃/85%/500 hr後之強度為0.8 N/cm。將該等結果示於表3。
作為綜合評價,將對IZO塗覆玻璃投入85℃/85%/500 hr後之傳導電阻未達5.0 Ω,及對IZO塗覆玻璃投入85℃/85%/500 hr後之接著強度為6.0 N/cm以上,且對SiNX
塗覆玻璃投入85℃/85%/500 hr後之接著強度為5.0 N/cm以上設為◎。
又,將對IZO塗覆玻璃投入85℃/85%/500 hr後之傳導電阻未達6.0 Ω,及對IZO塗覆玻璃投入85℃/85%/500 hr後之接著強度為5.5 N/cm以上,且對SiNX
塗覆玻璃投入
85℃/85%/500 hr後之接著強度為5.0 N/cm以上設為○。又,將對IZO塗覆玻璃投入85℃/85%/500 hr後之傳導電阻未達8.0 Ω,及對IZO塗覆玻璃投入85℃/85%/500 hr後之接著強度為5.0 N/cm以上,且對SiNX
塗覆玻璃投入85℃/85%/500 hr後之接著強度為4.0 N/cm以上設為△。其以外設為×。
根據表1~3可知,與摻合有硫化物矽烷修飾親水性二氧化矽C、非硫化物矽烷修飾疏水性二氧化矽D、硫化物矽烷修飾親水性二氧化矽E、非硫化物矽烷修飾親水性二氧化矽F、親水性二氧化矽G、及疏水性二氧化矽H之異向性導電材料相比,摻合有硫化物矽烷修飾疏水性二氧化矽A、B之異向性導電材料可獲得較低之傳導電阻及較高之接著強度。又,與不摻合二氧化矽而摻合有二硫化物系矽烷偶合劑之比較例7相比,摻合有硫化物矽烷修飾疏水性二氧化矽A、B之異向性導電材料抑制滲出,且表現出優異之保存
穩定性。
又,根據實施例1~5可知,相對於異向性導電材料整體之100質量份,硫化物矽烷修飾疏水性二氧化矽A之含量為2~15質量份,藉此可獲得較低之傳導電阻及較高之接著強度。
11‧‧‧玻璃基板
12‧‧‧金屬配線材
13‧‧‧異向性導電材料
14‧‧‧疏水性二氧化矽
圖1係表示疏水性二氧化矽與二硫化物系矽烷偶合劑之反應之概略圖。
圖2係表示硫化物矽烷修飾疏水性二氧化矽之概略圖。
圖3係表示經由異向性導電材料將玻璃基板與金屬配線材熱壓接時之反應之示意圖。
11‧‧‧玻璃基板
12‧‧‧金屬配線材
13‧‧‧異向性導電材料
14‧‧‧疏水性二氧化矽
Claims (11)
- 一種異向性導電材料,其係相對於異向性導電材料100質量份,含有疏水性二氧化矽表面經二硫化物系矽烷偶合劑表面處理而成之二氧化矽粒子2~15質量份,該二硫化物系矽烷偶合劑具有二硫鍵,末端具有烷氧基。
- 如申請專利範圍第1項之異向性導電材料,其中,該二硫化物系矽烷偶合劑含硫化物矽烷。
- 如申請專利範圍第1項之異向性導電材料,其中,該疏水性二氧化矽係二氧化矽表面經二甲基矽氧烷修飾而成之二甲基矽氧烷修飾二氧化矽。
- 如申請專利範圍第2項之異向性導電材料,其中,該疏水性二氧化矽係二氧化矽表面經二甲基矽氧烷修飾而成之二甲基矽氧烷修飾二氧化矽。
- 如申請專利範圍第1項之異向性導電材料,其進一步含有膜形成樹脂、自由基聚合性物質、硬化劑、及導電性粒子。
- 如申請專利範圍第2項之異向性導電材料,其進一步含有膜形成樹脂、自由基聚合性物質、硬化劑、及導電性粒子。
- 如申請專利範圍第3項之異向性導電材料,其進一步含有膜形成樹脂、自由基聚合性物質、硬化劑、及導電性粒子。
- 如申請專利範圍第4項之異向性導電材料,其進一步含有膜形成樹脂、自由基聚合性物質、硬化劑、及導電性 粒子。
- 一種異向性導電材料之製造方法,其係利用二硫化物系矽烷偶合劑對疏水性二氧化矽表面進行表面處理,並以相對於異向性導電材料100質量份為2~15質量份之方式摻合經過該表面處理之二氧化矽粒子,該二硫化物系矽烷偶合劑具有二硫鍵,末端具有烷氧基。
- 一種連接方法,其係將申請專利範圍第1至8項中任一項之異向性導電材料貼附於第1電子零件之端子上,且使第2電子零件暫時配置於該異向性導電膜上,並藉由加熱按壓裝置從該第2電子零件上方進行按壓,從而使該第1電子零件之端子與該第2電子零件之端子連接。
- 一種接合體,係由申請專利範圍第10項之連接方法所製造。
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