TWI440121B - Coating, developing device, coating, developing method and memory medium - Google Patents

Description

塗佈、顯像裝置，塗佈、顯像方法及記憶媒體

本發明係關於在基板塗佈光阻，並進行顯像之塗佈、顯像裝置，塗佈、顯像方法及記憶媒體。

在為半導體製造工程之一的光阻工程中，在半導體晶圓(以下，稱為晶圓)之表面塗佈光阻，並以特定圖案使光阻曝光之後予以顯像而形成光阻圖案。在用以形成上述光阻圖案之塗佈、顯像裝置上，設置有用以對晶圓進行各種之處理之處理模組的處理區塊。

處理區塊係如專利文獻1所記載般，藉由互相疊層形成光阻膜等之各種塗佈膜之單位區塊及進行顯像處理之單位區塊而被構成。在各單位區塊設置有晶圓之搬運機構，藉由該搬運機構，晶圓依序被收授至設置在各單位區塊之處理模組而接受處理。

然而，為了形成更微細之圖案，並且提升良率，被設置在上述處理區塊之處理模組為多樣化。例如，除在晶圓塗佈光阻之光阻膜形成模組或供給顯像液之顯像模組之外，設置有洗淨塗佈有光阻之晶圓之背面的背面洗淨模組、對光阻膜之上層供給藥液並且形成膜之上層用之液處理模組等之情形。將該些各種處理模組搭載在處理區塊，並且研究如何抑制塗佈、顯像裝置之地板占有面積。

疊層上述單位區塊之構成，用於抑制上述地板占有面 積為有效，但是因晶圓依序被搬運至各單位區塊，故於在一個處理模組或單位區塊產生異常，或進行維修之時，必須停止塗佈、顯像裝置之處理全體的情形。如此一來，則有裝置之處理量下降之問題。

〔先行技術文獻〕 〔專利文獻〕

[專利文獻1]日本特開2007-115831號公報

本發明係鑒於如此之情形下而研究出，提供於單位區塊產生異常或進行維修時，可以抑制塗佈、顯像裝置之處理量下降並且抑制處理區塊之設置面積的技術。

本發明之塗佈、顯像裝置係將藉由載體被搬入至載體區塊之基板收授於處理區塊，在該處理區塊形成含有光阻膜之塗佈膜後，經相對於上述處理區塊位於與載體區塊相反側之介面區塊而搬運至曝光裝置，並將經上述介面區塊而返回之曝光後的基板在上述處理區塊進行顯像處理而收授於上述載體區塊，該塗佈、顯像裝置之特徵為：(a)上述處理區塊具備：上下疊層有複數前段處理用之單位區塊的構造，該前段處理用之單位區塊具備：為了在基板形成下層側之反射 防止膜，供給藥液之下層用之液處理模組；為了在上述反射防止膜上形成光阻膜，供給光阻液的塗佈模組；加熱基板之加熱模組；及為了在該些模組間搬運基板，在從載體區塊側延伸至介面區塊側之直線搬運路上移動之單位區塊用之搬運機構；複數後段處理用之單位區塊，其係與該前段用之單位區塊鄰接而各被設置在複數之前段處理用之單位區塊之介面區塊側，具備：為了在形成有光阻膜之基板形成上層側之膜，供給藥液之上層用之液處理模組；加熱基板之加熱模組；為了在該些模組間搬運基板，在從載體區塊側延伸至介面區塊側延伸之直線搬運路上移動之單位區塊用之搬運機構；塗佈處理用之收授部，其係各被設置在前段處理用之單位區塊和對應之後段處理用之單位區塊之間，用以在兩單位區塊之搬運機構之間進行基板之收授：輔助移載機構，其係為了在各段之塗佈處理用之收授部之間及各段之顯像處理用之收授部之間進行基板之搬運，被設置成升降自如；上下疊層有複數顯像處理用之單位區塊的構造，該顯像處理用之單位區塊，相對於上下疊層有前段處理用之單位區塊的構造，係被疊層於上下方向，具備：對基板供給顯像液之液處理模組；加熱基板之加熱模組；及在從載體區塊側延伸至介面區塊之直線搬運路上移動之單位區塊用之搬運機構； 複數輔助用之單位區塊，其係與該顯像處理用之單位區塊鄰接而各被設置在複數顯像處理用之單位區塊之介面區塊側，具備在從載體區塊側延伸至介面區塊側之直線搬運路上移動，且用以搬運基板之單位區塊用之搬運機構：及顯像處理用之收授部，其係各被設置在顯像處理用之單位區塊和對應之輔助用之單位區塊之間，用以在兩單位區塊之搬運機構之間進行基板之收授：具備：(b)搬入搬出用之收授部，其係在每個單位區被設置在載體區塊上，在與各單位區塊之搬送機構之間進行基板之收授；(c)第1收授機構，其係用以將基板從載體分配至對應於前段處理用之各單位區塊的上述搬入搬出之收授部而進行收授，並且使基板從對應於顯像處理用之各單位區塊之搬入搬出用之收授部返回至載體；(d)第2收授機構，其係用以接取在上述處理區塊被處理之曝光前之基板，將曝光後之基板分配至顯像處理用之單位區塊而進行收授；(e)上述輔助用之單位區塊具備該輔助用之單位區塊內之搬運機構，和用以洗淨在上述後段處理用之單位區塊被處理的基板之背面側的背面洗淨模組；(f)為了在上述輔助用之單位區塊內之搬運機構，和上述第2收授機構之間進行基板之收授，被設置在每一 輔助用之單位區塊的輔助用之單位區塊搬入搬出用之收授部；(g)上述第2收授機構接收在各後段處理用之單位區塊被處理的曝光前之基板，將基板分配至上述各輔助用之單位區塊搬入搬出用之收授部而進行搬運，並且為了將在上述背面洗淨模組被處理之基板搬運至曝光裝置，從上述輔助用之單位區塊搬入搬出用之收授部搬出；(h)上述第2收授機構為了將曝光完之基板分配至各顯像處理用之單位區塊進行搬運，搬運至上述輔助用之單位區塊搬入搬出用之收授部；(i)上述輔助用之單位區塊內之搬運機構係在上述輔助用之單位區塊搬入搬出用之收授部和上述背面洗淨模組之間搬運上述曝光前之基板，在上述輔助用之單位區塊搬入搬出用之收授部和上述顯像處理用之收授部之間搬運上述曝光完之基板。

就以本發明之具體態樣而言，例如下述般。

(1)具備有實行包含下述步驟之模式的控制部：針對前段處理用之單位區塊發生故障或進行維修之時，不使用該單位區塊，在其他前段處理用之單位區塊，於基板形成下層側之反射防止膜及光阻膜之步驟；和在該步驟之後，經上述輔助移載機構，將該基板搬運至成為不使用之單位區塊之介面區塊側之後段處理用之單位區塊的步驟。

(2)具備有實行包含下述步驟之模式的控制部，該模式包含：針對後段處理用之單位區塊發生故障或進行維 修之時，不使用該單位區塊，在成為不使用之單位區塊之載體區塊側之前段處理用之單位區塊，於基板形成下層側之反射防止膜及光阻膜之步驟；和在該步驟之後，經上述輔助移載機構，將該基板搬運至其他階層之後段處理用之單位區塊的步驟。

(3)前段處理用之單位區塊之疊層數及後段處理用之單位區塊之各個的疊層數為三層。

(4)顯像處理用之單位區塊之疊層數為三層。

(5)上述輔助搬運機構具備：用以進行各段之塗佈處理用之收授部之間之搬運的第1輔助移載機構，和用以進行各段之顯像處理用之收授部之間之搬運的第2輔助移載機構。

(6)在上述處理區塊設置有針對在該處理區塊被處理之基板進行事先所設定之檢查的檢查模組；當藉由上述檢查模組檢測出基板有異常時，上述控制部根據被搬運至該檢查模組為止上述基板通過的單位區塊，特定產生上述故障的單位區塊。

(7)上述下層用之液處理模組及供給光阻液之塗佈模組各具備複數處理杯，設置有控制部，該控制部係於在一個前段處理用之單位區塊內之上述液處理模組及上述塗佈模組中之一方的模組之一個處理杯不能使用之時，使上述液處理模組及上述塗佈模組中之另一方的模組之一個處理杯成為不能使用。

本發明之塗佈、顯像方法係使用上述塗佈、顯像裝 置，實施：於對前段處理用之單位區塊產生故障時或進行維修時，不使用該單位區塊，在其他之前段處理用之單位區塊，在基板形成下層側之反射防止膜及光阻膜的工程；接著，經輔助移載機構將該基板搬運至成為不使用之單位區塊之介面區塊側之後段處理用之單位區塊的工程；之後，藉由該後段處理用之單位區塊內之模組，形成上層側之膜的工程。

本發明之其他之塗佈、顯像方法係使用上述塗佈、顯像裝置，實施：於對後段處理用之單位區塊產生故障時或進行維修時，不使用該單位區塊，在成為不使用之單位區塊之載體區塊側之前段處理用之單位區塊，在基板形成下層側之反射防止膜及光阻膜的工程；接著，經輔助移載機構將該基板搬運至其他階層之後段處理用之單位區塊的工程；及之後，藉由該後段處理用之單位區塊內之模組，形成上層側之膜的工程。

本發明之記憶媒體係記憶有塗佈、顯像裝置所使用之電腦程式，該記憶媒體之特徵為：上述電腦程式為用以實施上述塗佈、顯像方法。

本發明係構成具備疊層複數用以在基板上形成下層側 之反射防止膜及光阻膜之前段處理用之單位區塊，疊層複數用以在光阻膜上形成上層側之膜的後段處理用之單位區塊，於前後連結該些疊層體，並且具備前段處理用之單位區塊，和對應之後段處理用之單位區塊之間進行基板之收授的收授部，藉由輔助移載機構可以在各層之收授部之間收授基板。因此，即使無法使用前段處理用之單位區塊及後段處理用之單位區塊中之任一者，亦可以利用上述輔助移載機構藉由其他單位區塊而進行處理，而謀求防止處理量下降。再者，因在上述疊層體疊層複數用以進行顯像處理之單位區塊，故也可以邊抑制裝置之設置面積，邊抑制裝置之深尺寸(沿著連結載體區塊和介面區塊之方向的長度尺寸)。

針對與本發明有關之塗佈、顯像裝置1予以說明。第1圖係表示將本發明之塗佈、顯像裝置1適用於光阻圖案形成裝置之時的一實施型態的俯視圖，第2圖為同概略斜視圖，第3圖為同概略側面圖。該塗佈、顯像裝置1直線狀配列載體區塊S1和處理區塊S20和介面區塊S4而構成，該載體區塊S1係用以搬入搬出密閉收納例如25片為和基板之晶圓W的載體C，該處理區塊S20係用以對晶圓W進行處理。在介面區塊S4連接有進行浸潤式曝光之曝光裝置S5。

在上述載體區塊S1設置有載置上述載體C之載置台 11，和從該載置台11觀看被設置在前方之壁面的開關部12，和用以經開關部12從載體C取出晶圓W之收授機械臂13。收授機械臂13係在上下方向具備五個晶圓保持部14，構成進退自如、升降自如、繞垂直軸旋轉自如、在載體C之配列方向移動自如。後述之控制部51係對載體C之晶圓W分配號碼，收授機械臂13從號碼小起依序每次5片將晶圓W一次收授至處理區塊S20之收授模組BU1。並且，將可以載置晶圓W之場所記載成模組，將該模組中對晶圓W進行加熱、液處理、氣體供給或周緣曝光等之處理的模組記載成處理模組。再者，將處理模組中，對晶圓W供給藥液或洗淨液之模組記載成液處理模組。

處理區塊S20係由被設置在載體區塊S1側之前段側處理區塊S2及被設置在介面區塊S4側之後段側處理區塊S3所構成。一面參照前方側處理區塊S2及後方側處理區塊S3之概略縱斷側面圖之第4圖，繼續說明。前段處理區塊S2係被構成從下依序疊層對晶圓W進行液處理之第1~第6之前方側單位區塊B1~B6。該些前方側單位區塊B1~B6具備有液處理模組、加熱模組、單位區塊用之搬運手段的主機械臂A、上述主機械臂A移動之搬運區域R1，在各前方側單位區塊B同樣構成該些配置佈局。在各前方側單位區塊B中，藉由主機械臂A互相獨立搬運晶圓W，進行處理。

在第1圖中，針對第1前方側單位區塊B1予以表示，以下針對該第1前方側單位區塊B1以代表予以說 明。在該第1前方側單位區塊B1之中央，形成有從載體區塊S1朝向後方側處理區塊S3之上述搬運區域R1。從載體區塊S1朝第2處理區塊S3側觀看該搬運區域R1之左右，各配置有液處理單元21、棚架單元U1~U6。

在液處理單元21，設置有反射防止膜形成模組BCT1，和光阻膜形成模組COT1，從載體區塊S1側朝向第2處理區塊S3側以BCT1、COT1之順序配列。反射防止膜形成模組BCT1沿著搬運區域R1之形成方向具備有兩個旋轉吸盤22，旋轉吸盤22係被構成吸附保持晶圓W之背面中央部，並且繞垂直軸旋轉自如。圖中23為處理罩杯，上側為開口。處理罩杯23係包圍旋轉吸盤22之周圍，抑制藥液之飛散。當處理晶圓W之時，在該處理罩杯23內收容晶圓W，晶圓W之背面中央部被保持於旋轉吸盤22。

再者，在反射防止膜形成模組BCT1設置有在各處理罩杯23共用之噴嘴24。圖中25為支撐噴嘴24之機械臂，圖中26為驅動機構。驅動機構26為經機械臂25使噴嘴24移動至各處理罩杯23之配列方向，並且經機械臂25使噴嘴24升降。藉由驅動機構26，噴嘴24在反射防止膜形成模組BCT1之各處理罩杯23間移動，並對被收授於各旋轉吸盤22之晶圓W之中心吐出反射防止膜形成用之藥液。被供給之藥液係藉由利用上述旋轉吸盤22繞垂直軸旋轉之晶圓W的離心力，朝晶圓W之周緣延展，形成反射防止膜。並且，雖然省略圖示，但反射防止膜形 成模組BCT1具備對晶圓W之周端部供給溶劑，且除去該周端部不需要之膜的噴嘴。

光阻膜形成模組COT1、COT2係被構成與反射防止膜形成模組BCT1、BCT2相同。即是，光阻膜形成模組COT1各具備兩個各用以處理晶圓W之處理罩杯23及旋轉吸盤22，相對於兩個處理罩杯23及旋轉吸盤22共有噴嘴24。但是，從上述噴嘴24供給光阻取代反射防止膜形成用之藥液。

棚架單元U1~U6係從載體區塊S1側朝向介面區塊S3側依序被配列。各棚架單元U1~U6係疊層例如兩段進行晶圓W之加熱處理的加熱模組而構成。因此，前方側單位區塊B1具備有12台之加熱模組27。在上述搬運區域R1設置有上述主機械臂A1。該主機械臂A1係被構成進退自如、升降自如、繞垂直軸旋轉自如、從載體區塊S1側在後方側處理區塊S3側移動自如，可以在單位區塊B1之所有模組間進行晶圓W之收授。

針對前方側單位區塊B2~B3予以說明。第2前方側單位區塊B2及第3前方側單位區塊B3係被構成與先前所述之第1前方側單位區塊B1相同。如第4圖所示般，將被設置在第2前方側單位區塊B2之反射防止膜形成模組設為BCT2，將兩台之光阻膜形成模組設為COT2。將被設置在第3前方側單位區塊B3之反射防止膜形成模組設為BCT3，將光阻膜形成模組設為COT3。前方側單位區塊B1~B3構成前段處理用之單位區塊。

接著。針對顯像處理用之單位區塊的前方側單位區塊B4~B6予以說明。第4前方側單位區塊B4以與第1前方側單位區塊B1之差異點而言，具備有顯像模組DEV1、DEV2，以取代反射防止膜形成模組BCT及光阻膜形成模組COT。第5前方側單位區塊B5及第6前方側單位區塊B6係被構成與第4前方側單位區塊B4相同，各具備有兩台之顯像模組DEV。將設置在第5前方側單位區塊B5之顯像模組設為DEV3、DEV4。將設置在第6前方側單位區塊B6之顯像模組設為DEV5、DEV6。顯像模組DEV係被構成與光阻膜形成模組COT相同，對晶圓W供給顯像液取代光阻。

在各層之搬運區域R1之載體區塊S1側，如第1圖及第3圖所示般，設置有跨越各單位區塊B1~B6之棚架單元U7。棚架單元U7係藉由互相疊層之複數模組所構成，針對該些各模組以下予以說明。在第1前方側單位區塊B1之高度位置設置有疏水化處理模組ADH1、ADH2及收授模組CPL1~CPL3。在第2前方側單位區塊B2之高度位置設置有疏水化處理模組ADH3、ADH4及收授模組CPL4~CPL6。在第3前方側單位區塊B3之高度位置設置有疏水化處理模組ADH5、ADH6及收授模組CPL7~CPL9。

在第4前方側單位區塊B4之高度位置設置有收授模組CPL21及收授模組BU11。在第5前方側單位區塊B5之高度位置設置有收授模組CPL22及收授模組BU12。在 第6前方側單位區塊B6之高度位置設置有收授模組CPL23及收授模組BU13。在說明中，記載成CPL之收授模組具備有冷卻載置之晶圓W的冷卻平台。記載成BU之收授模組係構成收容可以多片晶圓W，且使滯留。

再者，疏水化處理模組ADH1~ADH6係對含有晶圓W之斜切部的表面供給處理氣體，提升疏水性。依此，即使在各液處理模組除去該周端部之膜而晶圓W之表面成為露出之狀態，該表面亦具有撥水作用，於浸潤式曝光時從該周端部抑制各膜之剝離。

再者，在棚架單元U7中，在載體區塊S1之收授機械臂13可以存取之高度位置，設置有構成搬出搬入用收授部之收授模組BU1及CPL10。收授模組BU1為了一次接取從先前已述之收授機械臂13所搬運之晶圓W，在上下方向具備有五個晶圓W之保持部。被搬運至收授模組BU1之晶圓W係藉由控制部51從被分配到號碼小依序被分到各單位區塊。收授模組CPL10係用於使晶圓W返回至載體C。

並且，在棚架單元U7設置有檢查模組31。檢查模組31係檢查顯像處理後之晶圓W，針對圖案崩塌、線寬異常、光阻溶解不良等之各種檢查項目，檢查有無異常。從前方側單位區塊B4~B6搬出晶圓W之時，搬入至檢查模組31之晶圓W被搬運至例如收授模組BU11~BU13。不被搬運至檢查模組31之晶圓W從收授模組CPL不經收授模組BU11~BU13而返回至載體C。如此一來，藉由分別 使用收授模組，以上述號碼小之順序，即是從載體C搬出之順序，使晶圓W返回至載體C之方式，控制晶圓W之搬運。

再者，在前方側處理區塊S2中，在棚架單元U7之附近，設置有升降自如、進退自如之第1收授機構的收授機械臂30。該收授機械臂30係在棚架單元U7之各模組間搬運晶圓W。

第5圖為後方側處理區塊S3之縱斷正面圖，如該圖所示般，後方側處理區塊S3係從下方依序疊層對晶圓W進行液處理之第1~第6後方側單位區塊D1~D6而構成。後方側單位區塊D1~D6係位於與前方側單位區塊B1~B6相同之高度。該些後方側單位區塊D1~D6具備有液處理模組、加熱模組、單位區塊用之搬運手段的主機械臂E、上述主機械臂E移動之搬運區域R2，在各後方側單位區塊D1~D6中在俯視觀看同樣構成該些配置佈局。在各單位區塊D中，藉由主機械臂E互相獨立搬運晶圓W，進行處理。以下，一面參照第1圖，一面以第1後方側單位區塊D1代表說明。

在該第1後方側單位區塊D1之中央，形成有從前方側處理區塊S2朝向介面區塊S4之上述搬運區域R2。從該搬運區塊R2朝第2處理區塊S3側觀看介面區塊S4側之左右，各配置有液處理單元32、棚架單元U8~U9。

在液處理單元32設置有保護膜形成模組TCT1。該保護膜形成模組TCT1除對晶圓W供給撥水性之保護膜之形 成用之藥液外，為與反射防止膜形成模組BCT1相同之構成。即是，保護膜形成模組TCT1各具備兩個各用以處理晶圓W之處理罩杯23及旋轉吸盤22，相對於兩個處理罩杯23及旋轉吸盤22共有噴嘴24。

棚架單元U8~U9係從載體區塊S1側朝向介面區塊S3側依序被配列。各棚架單元U1~U6係疊層例如兩段進行晶圓W之加熱處理的加熱模組33而構成。因此，後方側單位區塊D1具備有四台之加熱模組33。在上述搬運區域R2設置有上述主機械臂E1。該主機械臂E1係被構成進退自如、升降自如、繞垂直軸旋轉自如、從前方側處理區塊S2側朝向介面區塊S4側而移動自如，可以在第1後方側單位區塊D1之所有模組間進行晶圓W之收授。

針對後方側單位區塊D2~D3予以說明。第2後方側單位區塊D2係被構成與先前所述之第1後方側單位區塊D1相同。將被設置在第2後方側單位區塊D2之保護膜形成模組設為TCT2。將被設置在第3後方側單位區塊D3之保護膜形成模組設為TCT3。後方側單位區塊D1~D3構成後段處理用之單位區塊。

接著，針對構成輔助用之單位區塊之後方側單位區塊D4~D6予以說明。第4後方側單位區塊D4與第1後方側單位區塊D1之差異點係具備背面洗淨模組BST1，以取代保護膜形成模組。背面洗淨模組BST各別地設置有對晶圓W之背面及斜切部供給洗淨液，並洗淨晶圓W之背面的噴嘴，以取代設置對晶圓W之表面供給藥液之噴嘴24。 除了如此的不同，背面洗淨模組BST為與反射防止膜形成模組BCT相同之構成。並且，背面洗淨模組BST即使構成僅洗淨晶圓W之背面側，或上述斜切部亦可。再者，構成棚架單元U8、U9之加熱模組33各被設置成僅一段。除了如此之差異外，第4後方側單位區塊D4係被構成與第1後方側單位區塊D1相同。

第5後方側單位區塊D5及第6後方側單位區塊D6係被構成與第4後方側單位區塊D4相同。第5後方側單位區塊D5具備BST2以作為背面洗淨模組，第6後方側單位區塊D6具備BST3以作為背面洗淨模組。

在各層之搬運區域R2之前方側處理區塊S2側，如第1圖及第3圖所示般，設置有跨越各後方側單位區塊D1~D6之棚架單元U10。針對該棚架單元U10之構成予以說明。棚架單元U10係藉由互相疊層之複數模組所構成。在第1後方側單位區塊D1之高度位置設置有收授模組CPL31。在第2後方側單位區塊D2之高度位置設置有收授模組CPL32，在第3後方側單位區塊D3之高度位置設置有收授模組CPL33。再者，在第4後方側單位區塊D4之高度位置設置有收授模組CPL41。在第5後方側單位區塊D5之高度位置設置有收授模組CPL42，在第6後方側單位區塊D6之高度位置設置有收授模組CPL43。

在構成棚架單元U10之模組，位於與該模組相同高度位置之後方側單位區塊D之主機械臂E，和前方側單位區塊B之主機械臂A可以存取。再者，在後方側處理區塊 S3中，於棚架單元U10之附近，設置有構成輔助移載機構之收授機械臂40。收授機械臂40係被構成升降自如、對棚架單元U10進退自如。收授機械臂40係在位於棚架單元U10之單位區塊B1~B6之高度位置之各模組間搬運晶圓W。

接著，針對介面區塊S4之構成，一面參照第6圖一面予以說明。在介面區塊S4於各單位區塊之主機械臂A1~A6可以存取之位置設置有棚架單元U11。棚架單元U11係在單位區塊B4、B5、B6之高度位置各具備有TRS1~TRS3、TRS4~TRS6、TRS7~TRS9。在單位區塊B1、B2、B3之高度位置各具備有CPL51、CPL52、CPL53。再者，棚架單元U11具備有收授模組BU21~23、CPL54。該些模組係互相疊層而被設置。

再者，在介面區塊S4疊層設置有例如四台之曝光後洗淨模組PIR1~PIR4。各曝光後洗淨模組PIR係構成與光阻膜形成模組COT相同，對晶圓W表面供給保護膜除去及洗淨用之藥液以取代光阻。

再者，在介面區塊S4設置有三台介面機械臂35、36、37。介面機械臂35、36、37係被構成升降自如及進退自如，並且介面機械臂35係被構成在水平方向移動自如。介面機械臂35係存取於曝光裝置S5、收授模組BU21、CPL52、51，在該些之間收授晶圓W。介面機械臂36係存取於收授模組BU22、BU23、TRS1~6，在該些模組間收授晶圓W。介面機械臂37係存取於構成棚架單元 U11之各模組及曝光後洗淨模組PIR1~PIR4，在該些模組間收授晶圓W。

接著，針對被設置在塗佈、顯像裝置1之控制部51，一面參照第7圖一面予以說明。圖中52為匯流排，圖中53為CPU，54為程式。該程式54係對塗佈、顯像裝置1之各部輸出控制訊號，如後述般編成命令(各步驟)使在模組間搬運晶圓W，對各晶圓W進行藥液或洗淨液之供給、加熱等之處理。該程式54係被儲存於例如軟碟、CD、硬碟、MO(光磁碟)記憶卡等之記憶媒體而被安裝於控制部51。

再者，匯流排52連接有記憶體55。例如，在記憶體55具備有寫入處理溫度、處理時間、各藥液之供給量或電力值等之處理參數之值的區域，於CPU53實行程式54之各命令時，讀出該些處理參數，因應其參數值之控制訊號被送至該塗佈、顯像裝置1之各部位。

再者，在記憶體55設置有搬運行程記憶區域56。在該記憶區域56中，記憶有互相使晶圓W之ID，和該晶圓W之搬運目的地之模組，和被搬運之模組之順序對應之搬運行程。並且，在該搬運行程中，針對各液處理模組，針對兩個處理罩杯23中要搬入哪一個也有記憶。該搬運行程係於晶圓W之處理前事先被設定，但是當如後述般決定停止搬運至單位區塊或模組時，因應此而變更。

再者，匯流排52連接有設定部57。設定部57係藉由例如鍵盤或滑鼠、觸控面板等而構成，成為使用者可以選 擇晶圓W之搬運模式。並且，如後述般搬運模式於使用者任意切換時之外，也有自動切換之時。當切換搬運模式時，因應切換之搬運模式而對各主機械臂A、E、收授機械臂13、30、40及介面機械臂35~37發送控制訊號，切換晶圓W之搬運目的地。再者，使用者從設定部57指定晶圓W之ID，而可以設定在檢查模組31進行檢查之晶圓W。

主機械臂A、E係將例如因應其位置之位置訊號輸出至控制部51，根據該位置訊號，控制部51判定主機械臂A、E之動作有無異常。再者，各處理模組係因應其動作對控制部51輸出訊號，根據該位置訊號，控制部51判定主機械臂A、E之動作有無異常。然後，控制部51係當定主機械臂A、E或各單位區塊之處理模組有動作異常時，進行搬運模式之變更。

(通常搬運模式)

接著，針對當實施通常搬運模式之時之塗佈、顯像裝置1中之晶圓W之搬運路徑予以說明。第8圖表示該搬運路徑之概略，從載體C取出至緩衝模組BU1之晶圓W，係被分配置第1~第3前方側單位區塊B1~B3，接收各處理之後，以第1前方側單位區塊B1→第1後方側單位區塊D1、第2前方側單位區塊B2→第2後方側單位區塊D2、第3前方側單位區塊B3→第3後方側單位區塊D3之路徑各個被搬運。在第1~第3後方側單位區塊D1~ D3接受處理之晶圓W搬入至曝光裝置S5之後，被分配至第4~第5之後方側單位區塊D4~D6。然後，以第4之後方側單位區塊D4→第4前方側單位區塊B4、第5後方側單位區塊D5→第5前方側單位區塊B5、第6後方側單位區塊D6→第6前方側單位區塊B6之路徑而各被搬運，返回至載體C。

在該例中，被分配至後方側單位區塊D1、D2、D3之晶圓W係各被分配至後方側單位區塊D4、D5、D6。再者，晶圓W係從被分配至控制部51之號碼小依序，例如以單位區塊B1、B2、B3、B1、B2、B3、B1、…之順序循環地被分配至單位區塊B1~B3。

針對晶圓W之搬運路徑當以模組單位詳細說明時，被分配至第1前方側單位區塊B1之晶圓W，係以緩衝模組BU1→收授機械臂30→疏水化處理模組ADH1、ADH2之順序被搬運，被進行疏水化處理。之後，主機械臂A1係以收授模組CPL11→反射防止膜形成模組BCT1→加熱模組27→收授模組CPL12→光阻膜形成模組COT1→加熱模組27→收授模組CPL31之順序搬運，在晶圓W依序形成反射防止膜、光阻膜，搬入至第1後方側單位區塊D1。

上述晶圓W係藉由主機械臂E1以保護膜形成模組TCT1→加熱模組33之順序被搬運，形成保護膜。接著，晶圓W被搬運至收授模組CPL51，被搬運至介面區塊S4，收授至介面機械臂37→收授模組TRS1→主機械臂 E4，並且被搬運至背面洗淨模組BST1而接受背面洗淨處理。之後，晶圓W以主機械臂E4→收授模組TRS2之順序被搬運，再次被搬入至介面區塊S4。之後，晶圓W以介面機械臂36→收授模組BU22、BU23→介面機械臂37→收授模組CPL54→介面機械臂35→曝光裝置S5之順序被搬運，而被浸潤式曝光。

浸潤式曝光後之晶圓W係以介面機械臂35→收授模組BU21→介面機械臂37→曝光後洗淨模組PIR1~PIR4→介面機械臂37→收授模組TRS3之順序被搬運。然後，上述晶圓W係藉由主機械臂E4再被搬入至第4後方側單位區塊D4，以加熱模組33→收授模組CPL41之順序被搬運。

之後，晶圓W係藉由主機械臂A4被搬入至第4前方側單位區塊B4，以顯像模組DEV1、DEV2→加熱模組27→收授模組CPL21→收授機械臂30→收授模組BU12→收授機械臂30→檢查模組31之順序被搬運，檢查後，以收授機械臂30→收授模組CPL10→收授機械臂13之順序被搬運，收授機械臂13係使該晶圓W返回至載體C。並且，非檢查對象之晶圓W係以顯像、加熱後處理、收授模組CPL21→收授機械臂30→收授機械臂13→載體C之順序被搬運。

被分配至第2前方側單位區塊B2之晶圓W係以與被分配至第1前方側單位區塊B1之晶圓W相同之順序在模組間搬運。以下，簡單說明搬運路徑。上述晶圓W係以 緩衝模組BU1→收授機械臂30→疏水化處理模組ADH3、ADH4順序搬運之後，主機械臂A2以收授模組CPL13→反射防止膜形成模組BCT2→加熱模組27→收授模組CPL14→光阻膜形成模組COT2→加熱模組27→收授模組CPL32之順序被搬運。

之後，以主機械臂E2→保護膜形成模組TCT2→主機械臂E2→加熱模組33→主機械臂E2→收授模組CPL52→介面機械臂37→收授模組TRS4→主機械臂E5→背面洗淨模組BST2→主機械臂E5→收授模組TRS5之順序被搬運，晶圓W被搬入至介面區塊S4。

在介面區塊S4中，上述晶圓W與被分配至第1前方側單位區塊B1之時相同被搬運，於曝光後洗淨之後，被分配至收授模組TRS6。之後，晶圓W係以主機械臂E5→加熱模組33→主機械臂E5→收授模組CPL42→主機械臂A5→顯像模組DEV3、DEV4→加熱模組27→收授模組CPL22→收授機械臂30→收授模組BU12→收授機械臂30→被搬運至檢查模組31之後，以與被分配至單位區塊B4之時相同之路徑返回至載體C。並且，針對非檢查對象之晶圓W，於搬運至顯像、加熱處理後、收授模組CPL22之後，以與被分配至單位區塊B4之時相同的路徑返回至載體C。

被分配至第3前方側單位區塊B3之晶圓W也以與被分配至第1前方側單位區塊B1之晶圓W相同之順序在模組間搬運。以下，當簡單說明搬運路徑時，上述晶圓W 係以緩衝模組BU1→收授機械臂30→疏水化處理模組ADH5、ADH6順序搬運之後，主機械臂A3以收授模組CPL15→反射防止膜形成模組BCT3→加熱模組27→收授模組CPL16→光阻膜形成模組COT3→加熱模組27→收授模組CPL35之順序搬運。

之後，晶圓W係以主機械臂E3→保護膜形成模組TCT3→主機械臂E3→加熱模組33→主機械臂E3→收授模組CPL53→介面機械臂37→收授模組TRS7→主機械臂E6→背面洗淨模組BST3→主機械臂E6→收授模組TRS8之順序被搬運，被搬入至介面區塊S4。

在介面區塊S4中，上述晶圓W與被分配至第1前方側單位區塊B1之時相同被搬運，於曝光後洗淨之後，被分配至收授模組TRS9。之後，晶圓W係以主機械臂E6→加熱模組33→主機械臂E6→收授模組CPL43→主機械臂A6→顯像模組DEV5、DEV6→加熱模組27→收授模組CPL23→收授機械臂30→收授模組BU13→收授機械臂30→被搬運至檢查模組31之後，以與被分配至單位區塊B4之時相同之路徑返回至載體C。並且，針對非檢查對象之晶圓W，於搬運至顯像、加熱處理後、收授模組CPL23之後，以與被分配至單位區塊B4之時相同的路徑返回至載體C。

(搬運模式A)

接著，針對實行搬運模式A之時予以說明。該搬運模 式A為前方側單位區塊B1、B2、B3中，於在任一者中皆不進行處理之時被實行的搬運模式，在能夠處理之前方側單位區塊B1~B3進行處理之後，將晶圓W分配至單位區塊D1~D3而進行搬運之模式。以後，一面參照第9圖，一面針對例如控制部51在搬運機械臂A1檢測出異常之時予以說明。當檢測出上述異常時，控制部51停止搬運機械臂A1之動作及前方側單位區塊B1之各處理模組之動作。然後，收授機械臂30係將後續之晶圓W交互搬運至第2、第3前方側單位區塊B2、B3，在先前所述之搬運路徑，各晶圓W係搬運各前方側單位區塊B2、B3而接受處理，然後搬運至棚架單元U10之收授模組CPL32、CPL33。

然後，被搬運至收授模組CPL32、CPL33之晶圓W中，例如於通常搬運模式實行時預定在單位區塊B1被處理之晶圓W，藉由收授機械臂40被搬運至收授模組CPL31，藉由主機械臂E1被搬入至後方側單位區塊D1。針對其他晶圓W，從收授模組CPL32、CPL33藉由主機械臂E2、E3各被搬入至後方側單位區塊D2、D3。以後與實行通常搬運模式之時相同搬運各晶圓W，接受處理。然後，針對晶圓W之搬運停止之第1前方側單位區塊B1，使用者可以進行故障時之修理或定期檢點、調整確認等之維修。

在前方側單位區塊B2、B3不進行晶圓W之處理之時，也與該例相同，藉由可使用之前方側單位區塊B，進 行處理，然後，藉由收授機械臂40，將晶圓W分配至用以將晶圓W搬入至各後方側單位區塊B4~B6之收授模組CPL。

(搬運模式B)

接著，針對搬運模式B之時予以說明。該搬運模式B係於在後方側單位區塊D1、D2、D3中之任一者無法進行處理之時所實行之搬運模式，將在前方側單位區塊B1~B3接受處理之晶圓W，分配至上述D1~D3之後方側單位區塊中，能夠處理之後方側單位區塊，之後分配至後方側單位區塊D4~D6。

之後，一面參照第10圖，一面針對例如主機械臂E1檢測出異常之時予以說明。控制部51係使主機械臂E1之動作及後方側單位區塊D1之各處理模組之動作停止。然後，在前方側單位區塊D1被處理，當接續之晶圓W被搬運至收授模組CPL31時，該晶圓W藉由收授機械臂40，交互被分配至棚架單元U10之收授模組CPL32、CPL33。之後，從收授模組CPL32、CPL33被搬入至後方側單位區塊D2、D3而接受處理之後，被搬運至棚架單元U11之收授模組CPL52、CPL53。

被收授至該收授模組CPL52、53之晶圓W中，例如於實行通常搬運模式時，預定各被搬入至後方側單位區塊D1之晶圓W，被搬入至對應於單位區塊D4之收授模組TRS1，在該單位區塊D4接受處理。針對被收授模組 CPL52、53之其他晶圓W，則與實行通常搬運模式時相同各被搬運至對應於單位區塊D5、D6之收授模組TRS4、TRS7，在該單位區塊D5、D6接受處理。單位區塊D4~D5以後晶圓W係與實行通常搬運模式時相同被搬運。然後，針對晶圓W之搬運停止之第1後方側單位區塊D1，使用者可以進行先前所述般之維修。

在後方側單位區塊D2、D3中，無法執行晶圓W之處理之時也與該例相同，藉由收授機械臂40將晶圓W分配至D1~D3中能夠使用之後方側單位區塊D，晶圓W係在該單位區塊D被處理後，被分配至各後方側單位區塊B4~B6。

雖然針對晶圓W之處理中自動切換搬運模式之例予以表示，但是也可以使用者從設定部57選擇使晶圓W之搬運停止之單位區塊，指示切換至搬運模式A~D。然後，使用者可以如先前所述般維修停止搬運之單位區塊。

在上述之例中，雖然針對停止搬運至被三層化之相同構成之單位區塊中之一個，但是即使搬運至相同構成之單位區塊中之兩個亦可。再者，即使組合實行搬運模式A、B亦可。因此，即使同時停止晶圓W搬運至前方側單位區塊B1~B3中之一個或兩個，後方側單位區塊D1~D3中之一個或兩個亦可。

再者，在塗佈、顯像裝置1中，隨著在檢查模組31檢查晶圓W之結果，可以停止晶圓W朝單位區塊搬運。當具體予以說明時，當晶圓W被檢測出異常時，控制部 51使成為異常的檢查項目、該晶圓W之ID、搬運路徑互相對應而當作檢查履歷，記憶於記憶體55。然後，控制部51係根據至此被記憶於記憶體55之過去之檢查之履歷，針對相同檢查項目，判斷通過相同單位區塊之特定片數之晶圓W是否被檢測出異常。

於判定檢測出異常之片數小於特定片數之時，持續進行處理。判定被檢測出異常之片數為特定片以上之時，決定停止晶圓W搬運至該單位區塊。當如此決定時，控制部51以將晶圓W分配至成為搬運停止之單位區塊之方式，控制各收授機械臂及介面機械臂之動作，使用該些單位區塊而持續進行晶圓W之處理。再者，控制部51係停止決定搬運停止之單位區塊中之各處理模組之動作及主機械臂之動作。依此，使用者可以對該單位區塊進行先前已述之維修。

如此於藉由檢查結果停止單位區塊之搬運時，與實行上述搬運模式A、B時不同，針對例如產生異常之晶圓W通過的所有單位區塊停止搬運。即是，除單位區塊B1~B3及D1~D3之外，即使針對單位區塊B4~B6及D4~D6，也停止朝成為異常之晶圓W通過之單位區塊搬運。

再者，在塗佈、顯像裝置1中，可以停止晶圓W搬運至每處理模組。當具體說明時，控制部51係當晶圓W被檢測出異常時，如先前所述般記憶檢查之履歷。接著，參照過去之檢查履歷，判定針對相同通過處理模組之晶圓W中，特定片數之晶圓W針對相同檢查項目被檢測出異 常時，控制部51停止晶圓W搬運至該處理模組。即是，在單位區塊中，晶圓W被搬運至成為搬運停止之處理模組以外之同種處理模組，持續搬運在單位區塊之晶圓W。但是，針對BCT、COT、TCT及BST，因在各單位區塊各設置一台，故於決定停止搬運至該些液處理模組之時，停止晶圓W朝例如包含該液處理模組之單位區塊搬運。針對如此停止晶圓W搬運至每單位區塊，或以處理模組單位停止晶圓W之搬運，使用者可以由設定部57設定。

若藉由該塗佈、顯像裝置1時，疊層用以在晶圓W形成下層側之反射防止膜及光阻膜之前方側單位區塊B1~B3，在光阻膜之上疊層用以形成上層側之膜的後方側單位區塊D1~D3，前後連結該些疊層體，並且構成在前方側單位區塊B1~B3，和對應之後段處理用之後方側單位區塊D1~D3之間進行基板之收授的收授模組，和在各層之收授模組之間藉由收授機械臂40可以收授晶圓W。因此，即使藉由前方側單位區塊B1~B3中之任一者故障或維修等而無法使用，亦可以在能夠使用之前方側單位區塊B1~B3進行處理之後，將晶圓W分配至後方側單位區塊D1~D3之各層。因此，即使藉由後方側單位區塊D1~D3中之任一者故障或維修等而無法使用，亦可以在前方側單位區塊B1~B3進行處理之後，將晶圓W分配至後方側單位區塊D1~D3中能夠使用之各層。依此，可以謀求處理量之提升。再者，因在前方側單位區塊B1~B3之疊層體，疊層用以進行顯像處理之前方側單位區塊B4~B6， 故可以抑制裝置之設置面積，並且也可以抑制從裝置之載體區塊S1朝向介面區塊S3之長度的尺寸。

在上述塗佈、顯像裝置1中，後方側單位區塊B1~B3之各棚架單元U8~U9除加熱模組33之外即使在光阻塗佈後之晶圓W具備有進行周緣曝光之周緣曝光模組WEE及檢查模組亦可。此時，被搬入至後方側單位區塊B1~B3之晶圓W以周緣曝光模組WEE→檢查模組→保護膜形成模組TCT之順序被搬運。

在上述檢查模組中，例如檢查光阻膜之表面有無異物及光阻之膜厚。然後，於晶圓W被檢測出異常之時，如先前所述般停止朝處理晶圓W之單位區塊或處理模組搬運。再者，即使在後方側單位區塊B1~B3以保護膜形成模組TCT→加熱模組33→檢查模組之順序搬運晶圓W，針對保護膜形成後之晶圓W檢查異物或各膜之膜厚亦可。此時，當晶圓W被檢測出異常時，控制部51根據搬運行程進行先前已述之判定，針對檢測出異常之晶圓W通過之處理模組或單位區塊，進行停止後續晶圓W之搬運。

再者，當藉由各檢查模組之檢查結果停止搬運至各處理模組，針對液處理模組BCT、COT、TCT、BST及DEV，亦可以控制停止晶圓W搬運至例如每個處理罩杯。即是，在該些各處理模組中，可以停止晶圓W搬運至處理完發生異常之晶圓W之處理罩杯23，持續將晶圓W搬運至共有該處理罩杯和噴嘴24之處理罩杯23。於如此停 止將晶圓W搬運至每處理罩杯時，為了調整裝置內之晶圓W的處理片數，於不使用例如一個BCT之處理罩杯23時，可以設定成不使用相同單位區塊之一個的COT之處理罩杯23。同樣於不使用例如一個COT之處理罩杯23之時，相同之單位區塊之一個BCT亦可以設定成不使用。並且，如此一來，即使在構成與停止搬運至COT及BCT之處理罩杯23的單位區塊相同之單位區塊，藉由停止搬運至COT之一個處理罩杯23及BCT之一個處理罩杯23，來調整晶圓W之處理片數亦可。

再者，在上述塗佈、顯像裝置1中，TCT即使非保護膜形成模組，是在光阻膜之上層形成反射防止膜之模組亦可。再者，在疏水化處理模組ADH中進行的疏水化處理，即使於形成上述反射防止膜之後，光阻塗佈前進行，來取代在反射防止膜形成模組BCT形成反射防止膜之前亦可，即使於塗佈光阻後，將晶圓W搬運至單位區塊B3、B4之前進行亦可。

在第1前方側單位區塊B1之液處理單元21中，被供給至晶圓W之藥液係朝被設置在塗佈、顯像裝置之下方側的無圖式之排液路排液。在反射防止膜形成模組BCT、光阻膜形成模組COT中，被供給至晶圓W之藥液之黏度較顯像液之黏度高。因此，如該實施型態般，藉由將顯像模組DEV配置在上側之單位區塊，將其他液處理模組配置在下側之單位區塊，可以快速排出各藥液。其結果，因可以防止在各處理模組藥液發揮，故可以防止液處理單元 21內之處理環境變化。但是，即使包含顯像模組DEV之單位區塊位於較包含反射防止膜形成模組BCT及光阻膜形成模組COT之單位區塊下方亦可。

第11圖表示其他介面區塊S4之構成。在該第11圖之介面區塊S4中，疊層設置有曝光前洗淨模組RD1~RD4。曝光前洗淨模組RD1~RD4係將洗淨液供給至曝光前之晶圓W，並沖洗該晶圓W之表面溶出物。除了設置該曝光前洗淨模組RD1~RD4之外，第11圖之介面區塊S4係構成與第6圖之介面區塊S4相同。

在後方側單位區塊B4~B6被處理，各被搬運至第11圖之介面區塊S4之收授模組TRS2、TRS5、TRS8之晶圓W，係藉由介面機械臂36被搬運至曝光前洗淨模組RD1~RD4而被洗淨。洗淨後，晶圓W以介面機械臂36→收授模組BU22、BU23→介面機械臂37→收授模組CPL54→曝光裝置S5之順序被搬運。

並且，第12圖表示其他介面區塊S4之構成。在該介面區塊S4疊層設置有背面洗淨模組BST1~BST4。如此一來，於連接於該介面區塊S4之後方側處理區塊S3不設置有背面洗淨模組BST，以取代在介面區塊S4設置背面洗淨模組BST。

在該介面區塊S4中，各被搬運至收授模組CPL51、CPL52、CPL53之晶圓W，係搬運至例如介面機械臂37→收授模組BU22→背面洗淨模組BST1~BST4而進行背面洗淨，以介面機械臂36→收授模組BU23→介面機械臂37 之順序被搬運，之後以先前所述之搬運路徑收授於曝光處理S5。再者，如此將背面洗淨模組BST配置在介面區塊S4之時，即使將曝光後洗淨模組PIR配置在後方側單位區塊D4~D6，以取代背面洗淨模組BST亦可。

並且，上述塗佈、顯像裝置1即使具備避開後方側單位區塊D4~D6中不能使用之單位區塊而進行搬運之搬運模式C亦可。在該搬運模式C中，係停止朝用以將晶圓W收授至後方側單位區塊之棚架單元U10及介面區塊S4之棚架單元U11中不能使用之上述單位區塊搬運。然後，針對曝光後，被搬運至棚架單元U10之晶圓W，被分配至各前方側單位區塊B4~B6。

例如當後方側單位區塊D4之搬運機械臂E4故障時，介面機械臂37係停止朝對應於該後方側單位區塊D4之收授模組TRS1~TRS3存取。然後，在後方側單位區塊D1~D3進行處理，將被搬入至收授模組CPL51~53之晶圓W，分配至對應於後方側單位區塊D5、D6之收授模組TRS4、TRS7。再者，介面機械臂37係將曝光完之晶圓W分配至對應於後方側單位區塊D5、D6之收授模組TRS6、TRS9。然後，從後方側單位區塊D5~D6被搬運至收授模組CPL42、CPL43之曝光完之晶圓W中，例如預定在後方側單位區塊D4中被處理之晶圓W係藉由收授機械臂40而被收授至CPL41。然後，各收授模組CPL41、42、43之晶圓W係被搬運至前方側單位區塊B4~B6而接受顯像處理。

並且，上述塗佈、顯像裝置1即使具備避開前方側單位區塊B4~B6中不能使用之單位區塊而進行搬運之搬運模式D亦可。在該搬運模式D中，接受曝光處理，被搬運至棚架單元U10之收授模組CPL41、CPL42、CPL43之晶圓W中，將被收授於對應成為不能使用之上述單位區塊之收授模組CPL之晶圓W，藉由收授機械臂40搬運至其他收授模組CPL。然後。在前方側單位區塊B4~B6中能夠使用之單位區塊中進行顯像處理。

例如，當前方側單位區塊B4之搬運機械臂A4故障時，收授機械臂40係將接受曝光處理而搬運至收授模組CPL41之晶圓W交互搬運至例如收授模組CPL42、CPL43。被搬運至CPL42、CPL43之晶圓W係在前方側單位區塊B5、B6各接受顯像處理。搬運模式C、D係與搬運模式A、B相同，可以使用者可以任意從通常搬運模式切換。再者，亦可以與搬運模式A、B同時實行。

再者，如第13圖所示般即使例如設置在棚架單元U10中將晶圓W搬運至對應於單位區塊B1~B3之各收授模組的第1收授機械臂41，和例如將晶圓W搬運至對應於單位區塊B4~B6之各收授模組的第2收授機械臂42，來取代收授機械臂40亦可。該些第1及第2收授機械臂41、42係互相構成不同體，藉由獨立搬運晶圓W，可以抑制各機械臂之搬運負荷，謀求處理量之提升。

A1~A6‧‧‧主機械臂

BCT‧‧‧反射防止膜形成模組

B1~B6‧‧‧前方側單位區塊

COT‧‧‧光阻膜形成模組

DEV‧‧‧顯像模組

D1~D6‧‧‧後方側單位區塊

TCT‧‧‧保護膜形成模組

S1‧‧‧載體區塊

S2‧‧‧前方側處理區塊

S3‧‧‧後方側處理區塊

S4‧‧‧介面區塊

W‧‧‧晶圓

1‧‧‧塗佈、顯像裝置

27、33‧‧‧加熱模組

30、40‧‧‧收授機械臂

51‧‧‧控制部

第1圖為本發明之塗佈、顯像裝置之俯視圖。

第2圖為上述塗佈、顯像裝置之斜視圖。

第3圖為上述塗佈、顯像裝置之縱斷側面圖。

第4圖為上述塗佈、顯像裝置之液處理模組之縱斷側面圖。

第5圖為後方側處理區塊之縱斷正面圖。

第6圖為介面區塊之縱斷正面圖。

第7圖為上述塗佈、顯像裝置之控制部之構成圖。

第8圖為表示上述塗佈、顯像裝置中之晶圓之搬運路徑的流程圖。

第9圖為表示上述塗佈、顯像裝置中之晶圓之搬運路徑的流程圖。

第10圖為表示上述塗佈、顯像裝置中之晶圓之搬運路徑的流程圖。

第11圖為介面區塊之縱斷正面圖。

第12圖為介面區塊之縱斷正面圖。

第13圖為上述塗佈、顯像裝置之概略縱斷側面圖。

A1~A6‧‧‧主機械臂

E1~E6‧‧‧主機械臂

B1~B6‧‧‧前方側單位區塊

D1~D6‧‧‧後方側單位區塊

U7、U10、U11‧‧‧棚架單元

S1‧‧‧載體區塊

S2‧‧‧前方側處理區塊

S3‧‧‧後方側處理區塊

S4‧‧‧介面區塊

C‧‧‧載體

11‧‧‧載置台

13‧‧‧收授機械臂

14‧‧‧晶圓保持部

31‧‧‧檢查模組

Claims (11)

1. 顯像裝置，將藉由載體被搬入至載體區塊之基板收授於處理區塊，在該處理區塊形成含有光阻膜之塗佈膜後，經相對於上述處理區塊位於與載體區塊相反側之介面區塊而搬運至曝光裝置，並將經上述介面區塊而返回之曝光後的基板在上述處理區塊進行顯像處理而收授於上述載體區塊，該塗佈、顯像裝置之特徵為：(a)上述處理區塊具備：上下疊層有複數前段處理用之單位區塊的構造，該前段處理用之單位區塊具備：為了在基板形成下層側之反射防止膜，供給藥液之下層用之液處理模組；為了在上述反射防止膜上形成光阻膜，供給光阻液的塗佈模組；加熱基板之加熱模組；及為了在該些模組間搬運基板，在從載體區塊側延伸至介面區塊側之直線搬運路上移動之單位區塊用之搬運機構；複數後段處理用之單位區塊，其係與該前段用之單位區塊鄰接而各被設置在複數之前段處理用之單位區塊之介面區塊側，具備：為了在形成有光阻膜之基板形成上層側之膜，供給藥液之上層用之液處理模組；加熱基板之加熱模組；為了在該些模組間搬運基板，在從載體區塊側延伸至介面區塊側延伸之直線搬運路上移動之單位區塊用之搬運機構；塗佈處理用之收授部，其係各被設置在前段處理用之單位區塊和對應之後段處理用之單位區塊之間，用以在兩 單位區塊之搬運機構之間進行基板之收授：輔助移載機構，其係為了在各段之塗佈處理用之收授部之間及各段之顯像處理用之收授部之間進行基板之搬運，被設置成升降自如；上下疊層有複數顯像處理用之單位區塊的構造，該顯像處理用之單位區塊，相對上下疊層有複數前段處理用之單位區塊的構造，係被疊層於上下方向，具備：對基板供給顯像液之液處理模組；加熱基板之加熱模組；及在從載體區塊側延伸至介面區塊之直線搬運路上移動之單位區塊用之搬運機構；複數輔助用之單位區塊，其係與該顯像處理用之單位區塊鄰接而各被設置在複數顯像處理用之單位區塊之介面區塊側，具備在從載體區塊側延伸至介面區塊側之直線搬運路上移動，且用以搬運基板之單位區塊用之搬運機構：及顯像處理用之收授部，其係各被設置在顯像處理用之單位區塊和對應之輔助用之單位區塊之間，用以在兩單位區塊之搬運機構之間進行基板之收授：具備：(b)搬入搬出用之收授部，其係在每個單位區塊被設置在載體區塊側上，在與各單位區塊之搬送機構之間之間進行基板之收授；(c)第1收授機構，其係用以將基板從載體分配至對應於前段處理用之各單位區塊的上述搬入搬出之收授部 而進行收授，並且使基板從對應於顯像處理用之各單位區塊之搬入搬出用之收授部返回至載體；(d)第2收授機構，其係用以接取在上述處理區塊被處理之曝光前之基板，將曝光後之基板分配至顯像處理用之單位區塊而進行收授；(e)上述輔助用之單位區塊具備該輔助用之單位區塊內之搬運機構，和用以洗淨在上述後段處理用之單位區塊被處理的基板之背面側的背面洗淨模組；(f)為了在上述輔助用之單位區塊內之搬運機構，和上述第2收授機構之間進行基板之收授，被設置在每一輔助用之單位區塊的輔助用之單位區塊搬入搬出用之收授部；(g)上述第2收授機構接收在各後段處理用之單位區塊被處理的曝光前之基板，將基板分配至上述各輔助用之單位區塊搬入搬出用之收授部而進行搬運，並且為了將在上述背面洗淨模組被處理之基板搬運至曝光裝置，從上述輔助用之單位區塊搬入搬出用之收授部搬出；(h)上述第2收授機構為了將曝光完之基板分配至各顯像處理用之單位區塊進行搬運，搬運至上述輔助用之單位區塊搬入搬出用之收授部；(i)上述輔助用之單位區塊內之搬運機構係在上述輔助用之單位區塊搬入搬出用之收授部和上述背面洗淨模組之間搬運上述曝光前之基板，在上述輔助用之單位區塊搬入搬出用之收授部和上述顯像處理用之收授部之間搬運 上述曝光完之基板。
2. 如申請專利範圍第1項所記載之塗佈、顯像裝置，其中具備有實行模式之控制部，該模式包含：針對前段處理用之單位區塊發生故障或進行維修之時，不使用該單位區塊，在其他前段處理用之單位區塊，於基板形成下層側之反射防止膜及光阻膜之步驟；和在該步驟之後，經上述輔助移載機構，將該基板搬運至成為不使用之單位區塊之介面區塊側之後段處理用之單位區塊的步驟。
3. 如申請專利範圍第1項所記載之塗佈、顯像裝置，其中具備有實行模式之控制部，該模式包含：針對後段處理用之單位區塊發生故障或進行維修之時，不使用該單位區塊，在成為不使用之單位區塊之載體區塊側之前段處理用之單位區塊，於基板形成下層側之反射防止膜及光阻膜之步驟；和在該步驟之後，經上述輔助移載機構，將該基板搬運至其他階層之後段處理用之單位區塊的步驟。
4. 如申請專利範圍第1至3項中之任一項所記載之塗佈、顯像裝置，其中在上述處理區塊設置有針對在該處理區塊被處理之基板進行事先所設定之檢查的檢查模組，當藉由上述檢查模組檢測出基板有異常時，上述控制部根據被搬運至該檢查模組為止上述基板通過的單位區塊，特定產生上述故障的單位區塊。
5. 如申請專利範圍第1至3項中之任一項所記載之塗佈、顯像裝置，其中上述下層用之液處理模組及供給光阻液之塗佈模組各具備複數處理杯，設置有控制部，該控制部係於在一個前段處理用之單位區塊內之上述液處理模組及上述塗佈模組中之一方的模組之一個處理杯不能使用之時，使上述液處理模組及上述塗佈模組中之另一方的模組之一個處理杯成為不能使用。
6. 如申請專利範圍第1至3項中之任一項所記載之塗佈、顯像裝置，其中前段處理用之單位區塊之疊層數及後段處理用之單位區塊之各個疊層數量為3層。
7. 如申請專利範圍第1至3項中之任一項所記載之塗佈、顯像裝置，其中顯像處理用之單位區塊之疊層數量為3層。
8. 如申請專利範圍第1至3項中之任一項所記載之塗佈、顯像裝置，其中上述輔助搬運機構具備：用以進行各段之塗佈處理用之收授部之間之搬運的第1輔助移載機構，和用以進行各段之顯像處理用之收授部之間之搬運的第2輔助移載機構。
9. 顯像方法，其特徵為：使用如申請專利範圍第1項所記載之塗佈、顯像裝置， 實施：於對前段處理用之單位區塊產生故障時或進行維修時，不使用該單位區塊，在其他之前段處理用之單位區塊，在基板形成下層側之反射防止膜及光阻膜的工程；接著，經輔助移載機構將該基板搬運至成為不使用之單位區塊之介面區塊側之後段處理用之單位區塊的工程；之後，藉由該後段處理用之單位區塊內之模組，形成上層側之膜的工程。
10. 顯像方法，其特徵為：使用如申請專利範圍第1項所記載之塗佈、顯像裝置，實施：於對後段處理用之單位區塊產生故障時或進行維修時，不使用該單位區塊，在成為不使用之單位區塊之載體區塊側之前段處理用之單位區塊，在基板形成下層側之反射防止膜及光阻膜的工程；接著，經輔助移載機構將該基板搬運至其他階層之後段處理用之單位區塊的工程；及之後，藉由該後段處理用之單位區塊內之模組，形成上層側之膜的工程。
11. 一種記憶媒體，記憶有塗佈、顯像裝置所使用之電腦程式，該記憶媒體之特徵為：上述電腦程式係用以實施如申請專利範圍第9或10項所記載之塗佈、顯像方法。