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WO2019146456A1 - 基板処理装置 - Google Patents

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WO2019146456A1
WO2019146456A1 PCT/JP2019/000985 JP2019000985W WO2019146456A1 WO 2019146456 A1 WO2019146456 A1 WO 2019146456A1 JP 2019000985 W JP2019000985 W JP 2019000985W WO 2019146456 A1 WO2019146456 A1 WO 2019146456A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
processing
abnormality
substrate
absence
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2019/000985
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
尚幸 岡村
裕隆 丸山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to US16/964,247 priority Critical patent/US11923220B2/en
Priority to CN201980009009.XA priority patent/CN111630637B/zh
Priority to JP2019567013A priority patent/JP6946473B2/ja
Priority to KR1020207023272A priority patent/KR102706753B1/ko
Publication of WO2019146456A1 publication Critical patent/WO2019146456A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
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    • B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
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    • G—PHYSICS
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    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
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    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
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    • G—PHYSICS
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    • H10P72/0424—
    • H10P72/06—
    • H10P72/0602—
    • H10P72/0604—
    • H10P72/0616—
    • H10P76/00—

Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing apparatus that performs liquid processing of a substrate.
  • the substrate processing apparatus be equipped with a function to monitor the presence or absence of these abnormalities.
  • an abnormality detection technique for example, there is known a method of monitoring the position of a nozzle by detecting the position of a drive arm attached with the nozzle using an encoder. There is also known a technique for monitoring the discharge amount of the processing liquid by capturing the discharge state of the processing liquid with a CCD (Charge-Coupled Device) sensor and performing image processing on the captured image (see Patent Document 1).
  • CCD Charge-Coupled Device
  • the photographed image used in the apparatus of Patent Document 1 is a visible light image
  • the monitoring technology of Patent Document 1 can not be used in principle under the situation where visible light is not illuminated on the substrate.
  • the substrate for example, a copper film
  • irradiation of visible light may cause damage to the substrate (for example, a copper film) or that irradiation of visible light may change the degree of liquid treatment (for example, the amount of etching of the oxide film).
  • liquid processing of a substrate is performed in the light-off state.
  • the monitoring technology of Patent Document 1 using visible light images can not be used in the first place.
  • the present invention has been made in view of the above-described circumstances, and an object of the present invention is to provide a technique capable of detecting the presence or absence of abnormality in liquid processing even in a situation where visible light is not illuminated on a substrate.
  • a treatment chamber a substrate holding portion which holds a substrate, which is disposed in the treatment chamber, a treatment liquid supply portion which supplies a treatment liquid to a substrate held by the substrate holding portion;
  • the present invention relates to a substrate processing apparatus including an infrared camera that acquires an infrared image, and a control unit that detects a state of at least a processing liquid based on the infrared image and monitors the presence or absence of an abnormality.
  • the present invention it is possible to detect the presence or absence of an abnormality in liquid processing even in a situation where visible light is not illuminated on the substrate.
  • FIG. 1 is a view showing a schematic configuration of a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a vertical side view showing the outline of the processing unit.
  • FIG. 3 is a view for explaining a first typical example of abnormality monitoring using an infrared image, schematically showing the arrangement of an infrared camera, a processing fluid supply unit and a wafer.
  • FIG. 4 is a view showing an example of an infrared image acquired by the infrared camera shown in FIG.
  • FIG. 5 is a functional block diagram of a control device according to a first typical example of abnormality monitoring using an infrared image.
  • FIG. 6 is a view for explaining a second typical example of abnormality monitoring using an infrared image, schematically showing the arrangement of an infrared camera, a processing fluid supply unit and a wafer.
  • FIG. 7 is a view showing an example of an infrared image acquired by the infrared camera shown in FIG.
  • FIG. 8 is a functional block diagram of a control device according to a second typical example of abnormality monitoring using an infrared image.
  • FIG. 9 is a view for explaining a third typical example of abnormality monitoring using an infrared image, schematically showing an arrangement of an infrared camera, a processing fluid supply unit and a wafer.
  • FIG. 10 is a view showing an example of an infrared image acquired by the infrared camera shown in FIG.
  • FIG. 11 is a functional block diagram of a control device according to a third typical example of abnormality monitoring using an infrared image.
  • FIG. 12 is a view for explaining a fourth typical example of abnormality monitoring using an infrared image, schematically showing an arrangement of an infrared camera, a processing fluid supply unit and a wafer.
  • FIG. 13 is a schematic plan view showing an example where two processing fluid supplies and one infrared camera are provided in one chamber.
  • FIG. 1 is a view showing a schematic configuration of a substrate processing system according to the present embodiment.
  • the X axis, the Y axis, and the Z axis orthogonal to one another are defined, and the positive direction of the Z axis is the vertically upward direction.
  • the substrate processing system 1 includes a loading / unloading station 2 and a processing station 3.
  • the loading / unloading station 2 and the processing station 3 are provided adjacent to each other.
  • the loading / unloading station 2 includes a carrier placement unit 11 and a transport unit 12.
  • a plurality of substrates C, in the present embodiment, a plurality of carriers C accommodating a semiconductor wafer (hereinafter, wafer W) in a horizontal state are mounted on the carrier mounting portion 11.
  • the transport unit 12 is provided adjacent to the carrier placement unit 11 and includes a substrate transport device 13 and a delivery unit 14 inside.
  • the substrate transfer apparatus 13 includes a wafer holding mechanism that holds the wafer W.
  • the substrate transfer apparatus 13 can move in the horizontal direction and the vertical direction and can pivot around the vertical axis, and transfer the wafer W between the carrier C and the delivery unit 14 using the wafer holding mechanism. Do.
  • the processing station 3 is provided adjacent to the transport unit 12.
  • the processing station 3 includes a transport unit 15 and a plurality of processing units 16.
  • the plurality of processing units 16 are provided side by side on both sides of the transport unit 15.
  • the transport unit 15 includes a substrate transport device 17 inside.
  • the substrate transfer apparatus 17 includes a wafer holding mechanism that holds the wafer W.
  • the substrate transfer device 17 can move in the horizontal and vertical directions and can pivot about the vertical axis, and transfer the wafer W between the delivery unit 14 and the processing unit 16 using the wafer holding mechanism. I do.
  • the processing unit 16 performs predetermined substrate processing on the wafer W transferred by the substrate transfer device 17.
  • the substrate processing system 1 further includes a control device 4.
  • Control device 4 is, for example, a computer, and includes control unit 18 and storage unit 19.
  • the storage unit 19 stores programs for controlling various processes performed in the substrate processing system 1.
  • the control unit 18 controls the operation of the substrate processing system 1 by reading and executing the program stored in the storage unit 19.
  • the program may be recorded in a storage medium readable by a computer, and may be installed in the storage unit 19 of the control device 4 from the storage medium.
  • Examples of the computer-readable storage medium include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical disk (MO), and a memory card.
  • the substrate transfer device 13 of the loading / unloading station 2 takes out the wafer W from the carrier C placed on the carrier placement unit 11 and receives the taken-out wafer W Place it on the crossing section 14.
  • the wafer W placed on the delivery unit 14 is taken out of the delivery unit 14 by the substrate transfer device 17 of the processing station 3 and carried into the processing unit 16.
  • the wafer W carried into the processing unit 16 is processed by the processing unit 16, then carried out of the processing unit 16 by the substrate transfer device 17 and placed on the delivery unit 14. Then, the processed wafer W placed on the delivery unit 14 is returned to the carrier C of the carrier placement unit 11 by the substrate transfer device 13.
  • the processing unit 16 includes a chamber 20, a substrate holding mechanism 30, a processing fluid supply unit 40, and a recovery cup 50.
  • the chamber 20 accommodates the substrate holding mechanism 30, the processing fluid supply unit 40 and the recovery cup 50.
  • An FFU (Fan Filter Unit) 21 is provided on the ceiling of the chamber 20.
  • the FFU 21 forms a downflow in the chamber 20.
  • the substrate holding mechanism 30 includes a holding unit 31, a support unit 32, and a drive unit 33.
  • the holding unit 31 holds the wafer W horizontally.
  • the support portion 32 is a member extending in the vertical direction, and the proximal end portion is rotatably supported by the drive portion 33, and horizontally supports the holding portion 31 at the distal end portion.
  • the drive unit 33 rotates the support unit 32 around the vertical axis.
  • the substrate holding mechanism 30 rotates the holding unit 31 supported by the support unit 32 by rotating the support unit 32 using the driving unit 33, thereby rotating the wafer W held by the holding unit 31. .
  • the processing fluid supply unit 40 supplies the processing fluid to the wafer W.
  • the processing fluid supply unit 40 is connected to the processing fluid supply source 70.
  • the recovery cup 50 is disposed so as to surround the holding unit 31, and collects the processing liquid scattered from the wafer W by the rotation of the holding unit 31.
  • a drainage port 51 is formed at the bottom of the recovery cup 50, and the treatment liquid collected by the recovery cup 50 is drained from the drainage port 51 to the outside of the processing unit 16. Further, at the bottom of the recovery cup 50, an exhaust port 52 for discharging the gas supplied from the FFU 21 to the outside of the processing unit 16 is formed.
  • the substrate processing system 1 is provided with a plurality of processing units (substrate processing apparatuses) 16, and each processing unit 16 is disposed in the chamber (processing chamber) 20 and the chamber 20, and a wafer (substrate A holding unit (substrate holding unit) 31 for holding W, and a treatment fluid supply unit (treatment liquid supply unit) 40 for supplying a treatment liquid to the wafer W held by the holding unit 31.
  • the processing unit 16 of the present embodiment further includes an infrared camera for acquiring an infrared image in the chamber 20, and the control device (control unit) 4 detects at least the state of the treatment liquid based on the infrared image, Monitor the presence or absence.
  • the infrared camera 60 performs various operations such as photographing under the control of the control device 4 (in particular, a main control unit described later).
  • control device 4 may monitor only the presence or absence of one type of abnormality, or may monitor the presence or absence of a plurality of types of abnormality.
  • FIG. 3 is a view for explaining a first typical example of abnormality monitoring using an infrared image, schematically showing the arrangement of the infrared camera 60, the processing fluid supply unit 40 and the wafer W.
  • FIG. 4 is a view showing an example of the infrared image I acquired by the infrared camera 60 shown in FIG.
  • FIG. 5 is a functional block diagram of the control device 4 according to a first typical example of abnormality monitoring using an infrared image.
  • the controller 4 monitors the presence or absence of an abnormality regarding the position of the processing fluid supply unit 40 that discharges the processing liquid L.
  • the processing fluid supply unit 40 shown in FIG. 3 includes the nozzle 41, and the processing liquid L from the processing fluid supply source 70 is discharged from the nozzle 41.
  • the nozzle 41 is fixedly attached to the drive arm 42, and the drive arm 42 is pivotably provided under the control of the controller 4. Therefore, the arrangement position of the nozzle 41 is determined according to the pivoting operation of the drive arm 42. For example, when the wafer W is attached to and detached from the holding unit 31, the drive arm 42 arranges the nozzle 41 at a position (that is, a standby position) which does not disturb the wafer W.
  • the drive arm 42 discharges the processing liquid L from the nozzle 41 toward a desired position on the processing surface (that is, the upper surface) of the wafer W.
  • the nozzle 41 is disposed at a predetermined position (that is, a discharge position) above the wafer W.
  • the nozzle 41 discharges the processing liquid L having a temperature higher than the temperature of the atmosphere in the chamber 20.
  • the temperature of the processing liquid L discharged from the nozzle 41 is determined according to the conditions of the liquid processing (for example, the composition of the processing liquid L, the composition of the wafer W, etc.), but is typically about 20 ° C. to 70 ° C. is there.
  • the control device 4 detects the state (for example, the temperature and the position) of the processing liquid L based on the temperature difference between the processing liquid L and the atmosphere, and monitors the presence or absence of abnormality.
  • the processing liquid L is discharged from the nozzle 41 toward the processing surface of the wafer W, and a liquid film L1 of the processing liquid L is formed on the processing surface, and the nozzle 41 and liquid film A liquid column L2 of the processing liquid L is formed between it and L1.
  • the infrared camera 60 photographs the liquid film L1 and the liquid column L2 (in particular, the liquid column L2) thus formed, and acquires an infrared image I as shown in FIG.
  • the mounting position and mounting mode of the infrared camera 60 are not particularly limited as long as the desired object can be photographed properly.
  • the mounting position and mounting mode of the infrared camera 60 are not limited as long as the liquid film L1 and the liquid column L2 (especially, the liquid column L2) can be photographed properly.
  • the specific specifications of the infrared camera 60 are not particularly limited as long as the infrared image I useful to appropriately monitor the presence or absence of an abnormality can be obtained. Therefore, the infrared camera 60 may capture a moving image, may capture a still image, or may perform so-called continuous shooting in which a plurality of still images are captured continuously in a short time.
  • the wavelength of infrared light that can be photographed by the infrared camera 60 is not particularly limited.
  • the infrared camera 60 may perform imaging based on, for example, the wavelength of the near infrared region, may perform imaging based on the wavelength of the mid infrared region, or performs imaging based on the wavelength of the far infrared region. Alternatively, imaging may be performed based on the wavelengths of two or more of the plurality of wavelength regions, or imaging may be performed based on the wavelengths of other infrared regions. Further, the infrared camera 60 may acquire an image obtained by analyzing the intensity of infrared rays and determining the temperature distribution as the infrared image I.
  • thermography for providing infrared images I obtained by visualizing color distribution of far-infrared dose distribution
  • the infrared camera 60 may be used.
  • an infrared camera for example, a near infrared camera
  • that provides a monochrome image may be used as the infrared camera 60.
  • the infrared image I acquired by the infrared camera 60 of this typical example corresponds to the liquid film image I1 corresponding to the liquid film L1 of the processing liquid L and the liquid column L2 of the processing liquid L.
  • the liquid column image I2 is included, and it is possible to specify the position of the liquid column image I2 in the infrared image I. Therefore, the control device 4 performs image processing of the infrared image I to specify the position of the liquid column image I2, and specify the arrangement position of the nozzle 41 (processing fluid supply unit 40) based on the position of the liquid column image I2. be able to.
  • control device 4 can also acquire information on the drive position of the drive arm 42, and specify the arrangement position of the nozzle 41 (processing fluid supply unit 40) based on this drive position. Therefore, the control device 4 obtains both of the information on the arrangement position of the nozzle 41 derived from the liquid column image I2 and the information on the arrangement position of the nozzle 41 derived from the drive position of the drive arm 42. It is possible to monitor the presence or absence of an abnormality regarding the arrangement position.
  • the control device 4 includes a main control unit 81, an image processing unit 82, and a monitoring unit 83, as shown in FIG. 5 as an example.
  • the main control unit 81 performs control related to the entire liquid processing.
  • the main control unit 81 controls, for example, drive control of the drive arm 42, opening / closing control of a flow rate adjustment valve (not shown) for adjusting the flow rate of the treatment liquid L flowing in a pipe connecting the treatment fluid supply source 70 and the nozzle 41, and holding The rotation control of the unit 31 and the like are performed. Therefore, the main control unit 81 has information on the arrangement position of the drive arm 42, and directly or indirectly indicates the arrangement position of the nozzle 41 integrally attached to the drive arm 42 (that is, It also has 1 nozzle position information ").
  • the main control unit 81 provides the monitoring unit 83 with the first nozzle position information.
  • the image processing unit 82 receives the infrared image I from the infrared camera 60, performs image processing of the infrared image I to acquire image processing information, and provides the image processing information to the monitoring unit 83.
  • Information on the position of the liquid column image I2 in the infrared image I is acquired by the image processing, and information indicating the arrangement position of the nozzle 41 directly or indirectly from the position information of the liquid column image I2 (ie, "second nozzle position Information is acquired.
  • the image processing unit 82 provides the monitoring unit 83 with the second nozzle position information.
  • the monitoring unit 83 compares the first nozzle position information from the main control unit 81 with the second nozzle position information from the image processing unit 82, and determines whether there is an abnormality regarding the position of the nozzle 41 (processing fluid supply unit 40). Monitor If there is no abnormality in the position of the nozzle 41, the first nozzle position information and the second nozzle position information indicate mutually corresponding data. On the other hand, if there is an abnormality in the position of the nozzle 41, the first nozzle position information and the second nozzle position information indicate data which do not correspond to each other. The monitoring unit 83 can monitor the presence or absence of an abnormality in the position of the nozzle based on the correspondence between the first nozzle position information and the second nozzle position information.
  • the monitoring unit 83 acquires discharge information of the treatment liquid L from the main control unit 81 as described below, and the discharge information is information indicating that the treatment liquid L is discharged from the nozzle 41 (that is, “discharge ON” It is also possible to confirm that the information is “)” and monitor the presence or absence of an abnormality in the position of the nozzle.
  • the timing at which the image processing unit 82 performs the image processing of the infrared image I is not particularly limited.
  • the first nozzle position information is provided from the main control unit 81 to the image processing unit 82, and the nozzle 41 has entered a specific area (for example, an area above the wafer W) or a specific position (for example, the processing liquid L on the wafer W).
  • the image processing unit 82 may perform the image processing only when the first nozzle position information indicates that the first nozzle position information is disposed at the predetermined position to be discharged toward. That is, only the infrared image I captured and acquired while the nozzle 41 is disposed in the specific area or the specific position may be the target of the image processing. By switching the presence or absence of the execution of the image processing according to the position of the nozzle 41 in this manner, unnecessary image processing can be avoided, and the processing load on the control device 4 can be reduced.
  • FIG. 6 is a view for explaining a second typical example of abnormality monitoring using an infrared image, schematically showing the arrangement of the infrared camera 60, the processing fluid supply unit 40 and the wafer W.
  • FIG. 7 is a view showing an example of the infrared image I acquired by the infrared camera 60 shown in FIG.
  • FIG. 8 is a functional block diagram of the control device 4 according to a second typical example of abnormality monitoring using an infrared image.
  • the arrangement of the infrared camera 60, the processing fluid supply unit 40, and the wafer W according to this typical example shown in FIG. 6 is the same as that of the above-described first typical example (see FIG. 3).
  • the functional blocks of the control device 4 according to this typical example shown in FIG. 8 are also similar to the above-described first typical example (see FIG. 5).
  • the controller 4 monitors the presence or absence of an abnormality related to an unexpected dripping of the processing liquid L from the nozzle 41 (processing fluid supply unit 40).
  • the discharge state of the processing liquid L from the nozzle 41 is the flow rate adjustment provided between the processing fluid supply source 70 and the nozzle 41 under the control of the control device 4 (particularly the main control unit 81).
  • the valve (not shown) is adjusted by opening and closing. Therefore, the main control unit 81 has information (i.e., “discharge information”) indicating whether the treatment liquid L is discharged from the nozzles 41 and provides the discharge information to the monitoring unit 83.
  • the infrared camera 60 continuously performs imaging while the processing liquid L is not discharged from the nozzle 41, and in particular, imaging the area between the nozzle 41 and the liquid film L1 of the processing liquid L on the wafer W Do.
  • an image of the droplet L3 as shown in FIG. 7 that is, a “dropped image” I3 in the infrared image I acquired by the infrared camera 60. Is included.
  • the treatment liquid L is not discharged from the nozzle 41 and the droplet L3 does not drip, the dripping image I3 does not appear in the infrared image I acquired by the infrared camera 60.
  • the image processing unit 82 of the control device 4 in the present typical example receives the infrared image I from the infrared camera 60, performs image processing of the infrared image I, and obtains information on the presence or absence of the dripping image I3 in the infrared image I Acquired as image processing information.
  • the image processing unit 82 provides the monitoring unit 83 with the image processing information (droplet information).
  • the monitoring unit 83 monitors liquid dripping information from the main control unit 81 and discharge information from the image processing unit 82 to monitor the presence or absence of a liquid dripping abnormality. If there is no liquid dripping abnormality, the discharge information is discharge OFF information indicating that the discharge of the processing liquid L from the nozzle 41 is stopped, and the liquid dripping information includes the liquid dripping image I3 in the infrared image I. Indicates that it is not On the other hand, when there is a liquid dripping abnormality, even if the ejection information is the ejection OFF information, the liquid dripping information indicates that the infrared image I includes the liquid dripping image I3. As described above, the monitoring unit 83 can monitor the presence or absence of an abnormality related to the liquid drop based on the image processing information (liquid drop information) and the discharge information (discharge OFF information).
  • the timing at which the image processing unit 82 performs image processing of the infrared image I is not particularly limited.
  • the main control unit 81 also provides ejection information (in particular, ejection OFF information) to the image processing unit 82, and the image processing unit 82 performs image processing only while the processing liquid L is not ejected from the nozzle 41.
  • ejection information in particular, ejection OFF information
  • the image processing unit 82 performs image processing only while the processing liquid L is not ejected from the nozzle 41.
  • ejection information in particular, ejection OFF information
  • FIG. 9 is a view for explaining a third typical example of abnormality monitoring using an infrared image, schematically showing the arrangement of the infrared camera 60, the processing fluid supply unit 40 and the wafer W.
  • FIG. 10 is a view showing an example of the infrared image I acquired by the infrared camera 60 shown in FIG.
  • FIG. 11 is a functional block diagram of the control device 4 according to a third typical example of abnormality monitoring using an infrared image.
  • the arrangement of the infrared camera 60, the processing fluid supply unit 40 and the wafer W according to this typical example shown in FIG. 9 is the same as the first typical example (see FIG. 3) and the second typical example (see FIG. 6) described above. It is.
  • the functional blocks of the control device 4 according to this typical example shown in FIG. 8 are also similar to the above-described first typical example (see FIG. 5) and the second typical example (see FIG. 8).
  • the controller 4 monitors the presence or absence of an abnormality relating to an unexpected splash of the treatment liquid L.
  • the processing liquid L discharged from the nozzle 41 collides with the processing liquid L forming the liquid film L1 on the wafer W droplets L4 of the processing liquid L may be generated.
  • the presence or absence of an abnormality related to the splashing of the treatment liquid L is monitored by detecting the presence or absence of such droplets L4.
  • the main control unit 81 in the present typical example provides discharge information indicating whether the treatment liquid L is discharged from the nozzle 41 to the monitoring unit 83, similarly to the main control unit 81 in the above-described second typical example. .
  • the infrared camera 60 continuously performs imaging, and in particular, performs imaging of an area near the intersection of the liquid column L2 and the liquid film L1.
  • the infrared image I acquired by the infrared camera 60 includes an image of the droplets L4 as shown in FIG. 10 (that is, a “liquid splash image”) I4.
  • the splash image I4 does not appear in the infrared image I acquired by the infrared camera 60.
  • the image processing unit 82 of the control device 4 receives the infrared image I from the infrared camera 60, performs image processing of the infrared image I, and uses information regarding the presence or absence of the liquid splash image I4 in the infrared image I as image processing information get.
  • the image processing unit 82 provides the monitoring unit 83 with the image processing information (liquid splash information).
  • the monitoring unit 83 monitors the liquid splash information from the main control unit 81 and the discharge information from the image processing unit 82 to monitor the presence or absence of a liquid splash abnormality. If there is no dripping abnormality, the ejection information is ejection ON information indicating that the treatment liquid L is being ejected from the nozzle 41, and the liquid splash information does not include the liquid splash image I4 in the infrared image I. Indicates that. On the other hand, when there is a liquid dripping abnormality, even if the ejection information is the ejection ON information, the liquid splash information indicates that the infrared image I includes the liquid splash image I4. As described above, the monitoring unit 83 can monitor the presence or absence of an abnormality related to the liquid splash based on the image processing information (liquid splash information) and the ejection information.
  • the timing at which the image processing unit 82 performs image processing of the infrared image I is not particularly limited.
  • the main control unit 81 also provides ejection information (in particular, ejection ON information) to the image processing unit 82, and the image processing unit 82 performs image processing only while the treatment liquid L is being ejected from the nozzle 41.
  • ejection information in particular, ejection ON information
  • the image processing unit 82 performs image processing only while the treatment liquid L is being ejected from the nozzle 41.
  • ejection information in particular, ejection ON information
  • FIG. 12 is a view for explaining a fourth typical example of abnormality monitoring using an infrared image, schematically showing the arrangement of the infrared camera 60, the processing fluid supply unit 40 and the wafer W. As shown in FIG.
  • the infrared camera 60 may be movably provided under the control of the control device 4, and the imaging position and / or the imaging angle of the infrared camera 60 may be variable.
  • the control device 4 can monitor a plurality of locations in the chamber 20 with one infrared camera 60. For example, even if it is difficult for the infrared camera 60 to simultaneously photograph the entire processing surface of the nozzle 41 and the wafer W, it is possible to arrange the infrared camera 60 at the first position (shown by a solid line in FIG. 12).
  • Infrared light camera 60 and the processing liquid L from the nozzle 41 is photographed by the infrared light camera 60, and the infrared camera 60 is disposed at the second position (refer to the infrared light camera 60 indicated by a broken line in FIG. 12)
  • the entire surface of the liquid film L1 and the processing surface of the wafer W over the entire processing surface of the wafer W can be photographed by the infrared camera 60.
  • the control device 4 in this typical example monitors, for example, the presence or absence of an abnormality described as the first to third typical examples (see FIGS. 3 to 11) and the processing liquid L on the wafer W. It is possible to perform the monitoring of the presence or absence of the abnormality regarding the temperature of using the common infrared camera 60. Thereby, the control device 4 can detect, for example, whether or not the liquid film L1 has an appropriate temperature for liquid processing, and can monitor the presence or absence of an abnormality regarding the progress of liquid processing.
  • the control device 4 in this typical example can also detect the temperature of the wafer W based on the infrared image I acquired by the infrared camera 60 and monitor the presence or absence of an abnormality based on the temperature of the wafer W. Thereby, for example, the propriety of the spin dry drying of the wafer W can be monitored.
  • spin dry drying the wafer W is rotated by the holding unit 31 in a state in which the discharge of the processing liquid L from the nozzle 41 is stopped, and the liquid such as the processing liquid L on the wafer W is evaporated to dry the wafer W. is there.
  • the heat of vaporization of the processing liquid L causes the temperature of the wafer W to decrease as the spin dry drying progresses.
  • the control device 4 may perform control such as continuing the spin dry drying as necessary.
  • the infrared image I acquired by the infrared camera 60 needs to contain such specific temperature information. is there. Therefore, it is necessary to use an infrared imaging device such as a thermography capable of providing an infrared image I capable of determining a specific temperature with a certain degree of accuracy as the infrared camera 60.
  • the entire desired monitoring area for example, the entire surface of the processing surface of the nozzle 41 and the wafer W
  • the infrared camera 60 may not be movable.
  • a fixed infrared camera 60 capable of wide-angle shooting may be used, or a plurality of fixed infrared cameras 60 may be used in combination.
  • the infrared camera 60 can capture the discharge state of the processing liquid L from the nozzle 41 (processing fluid supply unit 40). Therefore, the control device 4 (image processing unit 82) performs image processing on the infrared image I (for example, moving image) continuously acquired by the infrared camera 60, thereby information on the discharge start time of the processing liquid L from the nozzle 41, Information on the discharge stop time of the processing liquid L from the nozzle 41 can be acquired.
  • image processing unit 82 image processing unit 82
  • control device 4 obtains information on the time during which the treatment liquid L is being discharged from the nozzle 41 based on the discharge start time information and the discharge stop time information (ie, “first discharge time Information ”) can be obtained.
  • the monitoring unit 83 uses information on the discharge time of the treatment liquid L from the nozzle 41 (that is, “second discharge time information”), which is predetermined as the recipe information, It can be acquired from the control unit 81).
  • the monitoring part 83 can monitor the presence or absence of abnormality of the discharge time of the process liquid L from the nozzle 41 by collating 1st discharge time information and 2nd discharge time information.
  • the monitoring unit 83 and the main control unit 81 open and close a flow rate adjusting valve (not shown) provided between the processing fluid supply source 70 and the nozzle 41.
  • the timing may be adjusted to change the timing for starting the discharge of the treatment liquid L from the nozzle 41 and / or the timing for stopping the discharge of the treatment liquid L from the nozzle 41.
  • the control device 4 may correct the recipe information.
  • the substrate processing system 1 includes a plurality of processing units 16 (including the chamber 20) as shown in FIG. 1, and each processing unit 16 is partitioned by the chambers 20, and for each chamber 20. , A holding unit 31, a processing fluid supply unit 40 and an infrared camera 60 are provided.
  • the control device 4 (particularly, the monitoring unit 83) detects the processing liquid L detected based on the infrared image I acquired by the plurality of infrared cameras 60 provided in each of the plurality of chambers 20 (the plurality of processing units 16). It is possible to monitor the presence or absence of an abnormality in each processing unit 16 derived by comparing the states of.
  • a flow meter (not shown) is provided for each processing unit 16, and the processing liquid L supplied from the processing fluid supply source 70 (see FIG. 2) to the nozzles 41 (processing fluid supply unit 40) of each processing unit 16.
  • the flow rate of water may be measured by their flow meter.
  • the control device 4 controls the above-mentioned flow rate adjusting valve (not shown) or the like based on the measurement result of the flow meter, and the flow rate of the processing liquid L to the nozzle 41 of each processing unit You may adjust the In this case, the temperature of the processing liquid L discharged from the nozzle 41 of one processing unit 16 (hereinafter also referred to as “abnormal processing unit 16 a”) is the temperature of the processing liquid L discharged from the nozzle 41 of another processing unit 16 If lower than the above, the amount of the processing liquid L being supplied from the processing fluid supply source 70 to the nozzle 41 of the abnormality processing unit 16a is likely to be smaller than expected.
  • a problem may occur in the flow meter that measures the flow rate of the processing liquid L supplied from the processing fluid supply source 70 to the nozzle 41 of the abnormality processing unit 16a. Therefore, by comparing the temperatures of the processing liquid L discharged from the nozzles 41 between the processing units 16, it is possible to monitor the presence or absence of an abnormality regarding the flow meter.
  • control device 4 can monitor also for abnormalities other than the above.
  • the control device 4 estimates the temperature of the processing liquid L (for example, the liquid column L2 and the liquid film L1) discharged from the nozzle 41 detected based on the infrared image I and the processing liquid L preset as the recipe information. By comparing the temperature with the temperature, it is possible to monitor the presence or absence of an abnormality related to the discharge amount of the treatment liquid L.
  • control device 4 detects the temperature of the processing liquid L and / or the wafer W itself in the outer peripheral portion of the wafer W based on the infrared image I, thereby supplying and discharging air around the outer peripheral portion of the wafer W (for example, It is possible to monitor the presence or absence of abnormality regarding the state of the gas supplied from FFU21. For example, as the exhaust amount through the exhaust port 52 increases, the temperature of the outer peripheral portion of the wafer W tends to be lower than the temperature of its central portion.
  • control device 4 monitors the presence or absence of the exhaust abnormality by detecting the temperature distribution of the processing liquid L (liquid film L1) and the temperature distribution of the wafer W on the processing surface of the wafer W based on the infrared image I. It is possible.
  • each processing unit 16 Although only one nozzle 41 and one drive arm 42 are illustrated in FIGS. 2, 3, 6, 9 and 12, the number of the nozzles 41 and the drive arm 42 provided in each processing unit 16 is not particularly limited. The number may be only one or two or more.
  • FIG. 13 is a schematic plan view showing an example in which two processing fluid supplies 40 and one infrared camera 60 are provided in one chamber 20, and each processing fluid supply 40 has a corresponding drive. It is attached to the arm 42.
  • the mounting position and mounting mode of the infrared camera 60 are not particularly limited, but positions at which the entire movement path t of the processing fluid supply unit 40 on the wafer W (in particular, the movement path t above the wafer W) can be photographed simultaneously It is preferable that the infrared camera 60 be installed at the angle.
  • the processing fluid supply units 40 and the drive arms 42 have the same structure, it is preferable that the infrared camera 60 be installed at the same distance from the rotation axis Ar of the drive arms 42.
  • the common infrared camera 60 is assigned to the plurality of processing fluid supply units 40, but the unique infrared camera 60 may be assigned to each processing fluid supply unit 40. Also, a plurality of infrared cameras 60 may be assigned to one processing fluid supply unit 40.
  • control device 4 can monitor the presence or absence of various types of abnormalities by performing image processing on the infrared image I of the infrared camera 60.
  • the control device 4 can process the results of monitoring these abnormalities in various forms.
  • control device 4 may record information regarding the presence or absence of an abnormality in the storage unit 19.
  • the control device 4 stores the information of the date and time when the presence or absence of abnormality was monitored, the identification information of the wafer W subjected to the monitoring, and / or other related information in association with the information regarding the presence or absence of abnormality. It is preferable to record in the part 19.
  • the user or any device can access the storage unit 19 as needed, and can extract information regarding the presence or absence of an abnormality.
  • control device 4 processes discharge start time information indicating the time when discharge of the processing liquid L from the processing fluid supply unit 40 is started when monitoring the presence or absence of abnormality as information regarding the presence or absence of abnormality.
  • the discharge stop time information indicating the time when the discharge of the treatment liquid L from the fluid supply unit 40 is stopped may be recorded in the storage unit 19.
  • the control device 4 controls the discharge time during which the processing liquid L is discharged from the processing fluid supply unit 40 based on the discharge start time information and the discharge stop time information recorded in the storage unit 19.
  • the discharge time of the ink may be optimized.
  • a notification device 65 (see FIGS. 5, 8 and 11) connected to the control device 4 (for example, the monitoring unit 83) is further installed, and the control device 4 (for example, the monitoring unit 83) detects an abnormality. May operate the notification device 65 to notify the user of the abnormality.
  • the notification device 65 can be configured by any device.
  • the notification device 65 may be configured by a display device and / or a voice device, and may notify the user of the presence or absence of abnormality by display and / or voice.
  • control device 4 may control various devices to correct such an abnormality. For example, when positional deviation abnormality of the nozzle 41 (processing fluid supply unit 40) is detected, the control device 4 controls the drive arm 42 based on the positional information of the nozzle 41 obtained from the infrared image I to automatically The position of the nozzle 41 may be optimized.
  • control device 4 includes the main control unit 81, the image processing unit 82, and the monitoring unit 83 (see FIG. 5, FIG. 8 and FIG. 11), the control device 4 functionally includes these units. Hardware and software may be combined appropriately to realize the function of each part.
  • the present invention is not only a substrate processing apparatus, but also a substrate processing method, a program for causing a computer to execute a procedure performed in such a substrate processing method, and a non-temporary computer reading in which such a program is recorded. It may be realized as a possible recording medium, and other things and methods.

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Abstract

［課題］基板に可視光が照らされていない状況下でも、基板の液処理の異常の有無を検知することができる基板処理装置を提供する。 ［解決手段］基板処理装置は、処理室２０、基板保持部、処理液供給部４０、赤外線カメラ６０及び制御部を備える。基板保持部は、処理室２０内に配置され、基板Ｗを保持する。処理液供給部４０は、基板保持部に保持されている基板Ｗに処理液Ｌを供給する。赤外線カメラは、処理室２０内の赤外線画像を取得する。制御部は、赤外線画像に基づいて少なくとも処理液Ｌの状態を検知し、異常の有無を監視する。

Description

基板処理装置
　本発明は、基板の液処理を行う基板処理装置に関する。
　基板の液処理の間に、処理液を吐出するノズルの位置ずれ、ノズルからの液だれ、或いは基板上における液跳ね等が生じると、製品不良が生じうる。そのため、これらの異常の有無を監視する機能を基板処理装置に搭載することが望まれることがある。
　そのような異常検出技術として、例えば、ノズルが取り付けられた駆動アームの位置をエンコーダで検出することでノズル位置を監視する方法が知られている。また、処理液の吐出状態をＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ－Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｄｅｖｉｃｅ）センサにより撮影し、撮影画像の画像処理を行うことで処理液の吐出量を監視する技術が知られている（特許文献１参照）。
特開２００３－２７３００３号公報
　しかしながら従来の手法では、製品不良をもたらしうる異常の有無を適切に監視できていない場合があった。例えば、エンコーダによって駆動アームの位置を監視する場合、駆動部のネジが緩む等の不具合が発生すると、実際の駆動アームの位置が、エンコーダ値が示す位置からずれてしまうことがある。
　また特許文献１の装置で用いられる撮影画像は可視光画像であるため、基板に対して可視光が照らされていない状況下では、原理的に特許文献１の監視技術を使うことができない。特に最近では、可視光の照射により基板（例えば銅膜）にダメージがもたらされうること、或いは可視光の照射により液処理の程度（例えば酸化膜エッチング量）が変化しうることを懸念し、消灯した状態で基板の液処理を行うことも増えてきている。このような場合、可視光画像を使った特許文献１の監視技術をそもそも使うことができない。
　本発明は上述の事情に鑑みてなされたものであり、基板に可視光が照らされていない状況下でも、液処理の異常の有無を検知することができる技術を提供することを目的とする。
　本発明の一態様は、処理室と、処理室内に配置され、基板を保持する基板保持部と、基板保持部に保持されている基板に処理液を供給する処理液供給部と、処理室内の赤外線画像を取得する赤外線カメラと、赤外線画像に基づいて少なくとも処理液の状態を検知し、異常の有無を監視する制御部と、を備える基板処理装置に関する。
　本発明によれば、基板に可視光が照らされていない状況下でも、液処理の異常の有無を検知することができる。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。 図２は、処理ユニットの概要を示す縦断側面図である。 図３は、赤外線画像を使った異常監視の第１の典型例を説明するための図であり、赤外線カメラ、処理流体供給部及びウェハの配置を概略的に示す。 図４は、図３に示す赤外線カメラによって取得された赤外線画像の一例を示す図である。 図５は、赤外線画像を使った異常監視の第１の典型例に係る制御装置の機能ブロック図である。 図６は、赤外線画像を使った異常監視の第２の典型例を説明するための図であり、赤外線カメラ、処理流体供給部及びウェハの配置を概略的に示す。 図７は、図６に示す赤外線カメラによって取得された赤外線画像の一例を示す図である。 図８は、赤外線画像を使った異常監視の第２の典型例に係る制御装置の機能ブロック図である。 図９は、赤外線画像を使った異常監視の第３の典型例を説明するための図であり、赤外線カメラ、処理流体供給部及びウェハの配置を概略的に示す。 図１０は、図９に示す赤外線カメラによって取得された赤外線画像の一例を示す図である。 図１１は、赤外線画像を使った異常監視の第３の典型例に係る制御装置の機能ブロック図である。 図１２は、赤外線画像を使った異常監視の第４の典型例を説明するための図であり、赤外線カメラ、処理流体供給部及びウェハの配置を概略的に示す。 図１３は、１つのチャンバ内に２つの処理流体供給部及び１つの赤外線カメラが設けられている場合の一例を示す概略平面図である。
　以下、図面を参照して本発明の一実施形態について説明する。まず本発明を適用可能な基板処理システムの典型例について説明する。
　図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
　図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
　搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウェハ（以下ウェハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
　搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。
　処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。
　搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。
　処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して所定の基板処理を行う。
　また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。
　なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
　上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。
　処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。
　図２に示すように、処理ユニット１６は、チャンバ２０と、基板保持機構３０と、処理流体供給部４０と、回収カップ５０とを備える。
　チャンバ２０は、基板保持機構３０と処理流体供給部４０と回収カップ５０とを収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Ｆａｎ　Ｆｉｌｔｅｒ　Ｕｎｉｔ）２１が設けられる。ＦＦＵ２１は、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。
　基板保持機構３０は、保持部３１と、支柱部３２と、駆動部３３とを備える。保持部３１は、ウェハＷを水平に保持する。支柱部３２は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部３３によって回転可能に支持され、先端部において保持部３１を水平に支持する。駆動部３３は、支柱部３２を鉛直軸まわりに回転させる。かかる基板保持機構３０は、駆動部３３を用いて支柱部３２を回転させることによって支柱部３２に支持された保持部３１を回転させ、これにより、保持部３１に保持されたウェハＷを回転させる。
　処理流体供給部４０は、ウェハＷに対して処理流体を供給する。処理流体供給部４０は、処理流体供給源７０に接続される。
　回収カップ５０は、保持部３１を取り囲むように配置され、保持部３１の回転によってウェハＷから飛散する処理液を捕集する。回収カップ５０の底部には、排液口５１が形成されており、回収カップ５０によって捕集された処理液は、かかる排液口５１から処理ユニット１６の外部へ排出される。また、回収カップ５０の底部には、ＦＦＵ２１から供給される気体を処理ユニット１６の外部へ排出する排気口５２が形成される。
［赤外線カメラ］
　上述のように基板処理システム１には複数の処理ユニット（基板処理装置）１６が設けられており、各処理ユニット１６は、チャンバ（処理室）２０と、チャンバ２０内に配置され、ウェハ（基板）Ｗを保持する保持部（基板保持部）３１と、保持部３１に保持されているウェハＷに処理液を供給する処理流体供給部（処理液供給部）４０と、を備える。本実施形態の処理ユニット１６は、更にチャンバ２０内の赤外線画像を取得する赤外線カメラを備え、制御装置（制御部）４は、その赤外線画像に基づいて少なくとも処理液の状態を検知し、異常の有無を監視する。なお、赤外線カメラ６０は、制御装置４（特に後述のメインコントロール部）の制御下で、撮影等の各種作動を行う。
　以下、赤外線画像を使った異常監視の典型例について説明する。以下、複数の典型例について説明するが、制御装置４は、１種類の異常の有無のみを監視してもよいし、複数種類の異常の有無を監視してもよい。
［ノズル位置の監視］
　図３は、赤外線画像を使った異常監視の第１の典型例を説明するための図であり、赤外線カメラ６０、処理流体供給部４０及びウェハＷの配置を概略的に示す。図４は、図３に示す赤外線カメラ６０によって取得された赤外線画像Ｉの一例を示す図である。図５は、赤外線画像を使った異常監視の第１の典型例に係る制御装置４の機能ブロック図である。
　本典型例では、処理液Ｌを吐出する処理流体供給部４０の位置に関する異常の有無が、制御装置４によって監視される。
　図３に示す処理流体供給部４０はノズル４１を具備し、処理流体供給源７０からの処理液Ｌはノズル４１から吐出される。ノズル４１は駆動アーム４２に対して固定的に取り付けられており、駆動アーム４２は制御装置４の制御下で旋回可能に設けられている。したがってノズル４１の配置位置は、駆動アーム４２の旋回動作に応じて決められる。例えばウェハＷを保持部３１に対して着脱を行う際、駆動アーム４２は、ウェハＷを邪魔しない位置（すなわち待機位置）にノズル４１を配置する。一方、ノズル４１からウェハＷに向けて処理液Ｌを吐出する際、駆動アーム４２は、ウェハＷの処理面（すなわち上面）における所望位置に向かってノズル４１から処理液Ｌが吐出されるように、ウェハＷの上方における予め定められた位置（すなわち吐出位置）にノズル４１を配置する。
　ノズル４１（処理流体供給部４０）は、チャンバ２０内の雰囲気の温度よりも高い温度を有する処理液Ｌを吐出する。ノズル４１から吐出される処理液Ｌの温度は、液処理の条件（例えば処理液Ｌの組成やウェハＷの組成等）に応じて決められるが、典型的には２０℃程度～７０℃程度である。制御装置４は、処理液Ｌと雰囲気との間の温度差に基づいて処理液Ｌの状態（例えば温度や位置）を検知し、異常の有無を監視する。
　ウェハＷの液処理を行う際、ノズル４１からウェハＷの処理面に向けて処理液Ｌが吐出され、この処理面上に処理液Ｌの液膜Ｌ１が形成されるとともに、ノズル４１と液膜Ｌ１との間に処理液Ｌの液柱Ｌ２が形成される。赤外線カメラ６０は、このようにして形成される液膜Ｌ１及び液柱Ｌ２（とりわけ液柱Ｌ２）を撮影し、図４に示すような赤外線画像Ｉを取得する。
　なお赤外線カメラ６０の取り付け位置及び取り付け態様は、所望の対象を適切に撮影可能であれば、特に限定されない。本典型例では、液膜Ｌ１及び液柱Ｌ２（とりわけ液柱Ｌ２）を適切に撮影できるのであれば、赤外線カメラ６０の取り付け位置及び取り付け態様は限定されない。また、異常の有無を適切に監視するために役立つ赤外線画像Ｉを取得可能であれば、赤外線カメラ６０の具体的な仕様も特に限定されない。したがって赤外線カメラ６０は、動画を撮影してもよいし、静止画を撮影してもよく、短時間に複数の静止画を連続的に撮影する所謂連写を行ってもよい。
　また赤外線カメラ６０が撮影可能な赤外線の波長も、特に限定されない。赤外線カメラ６０は、例えば近赤外線領域の波長に基づいて撮影を行ってもよいし、中赤外線領域の波長に基づいて撮影を行ってもよいし、遠赤外線領域の波長に基づいて撮影を行ってもよいし、これらの複数の波長領域のうちの２以上の波長領域の波長に基づいて撮影を行ってもよいし、その他の赤外線領域の波長に基づいて撮影を行ってもよい。また赤外線カメラ６０は、赤外線の強度を解析して温度分布を割り出した画像を赤外線画像Ｉとして取得してもよく、例えば遠赤外線の線量分布を色分けして可視化した赤外線画像Ｉを提供するサーモグラフィーを、赤外線カメラ６０として用いてもよい。またモノクロ画像を提供する赤外線カメラ（例えば近赤外線カメラ）を赤外線カメラ６０として用いてもよい。
　図４からも明らかなように、本典型例の赤外線カメラ６０によって取得される赤外線画像Ｉには、処理液Ｌの液膜Ｌ１に対応する液膜画像Ｉ１及び処理液Ｌの液柱Ｌ２に対応する液柱画像Ｉ２が含まれ、赤外線画像Ｉ中における液柱画像Ｉ２の位置を特定することが可能である。したがって制御装置４は、赤外線画像Ｉの画像処理を行って液柱画像Ｉ２の位置を特定し、この液柱画像Ｉ２の位置に基づいてノズル４１（処理流体供給部４０）の配置位置を特定することができる。一方、制御装置４は、駆動アーム４２の駆動位置に関する情報を取得し、この駆動位置に基づいてノズル４１（処理流体供給部４０）の配置位置を特定することもできる。したがって制御装置４は、液柱画像Ｉ２から導き出されるノズル４１の配置位置の情報と、駆動アーム４２の駆動位置から導き出されるノズル４１の配置位置の情報との両方を取得することにより、ノズル４１の配置位置に関する異常の有無を監視することができる。
　制御装置４は、一例として図５に示すように、メインコントロール部８１、画像処理部８２及び監視部８３を含む。
　メインコントロール部８１は、液処理全般に関わる制御を行う。メインコントロール部８１は、例えば、駆動アーム４２の駆動制御、処理流体供給源７０とノズル４１とをつなぐ配管を流れる処理液Ｌの流量調整を行う流量調整バルブ（図示省略）の開閉制御、及び保持部３１の回転制御、等を行う。そのためメインコントロール部８１は、駆動アーム４２の配置位置に関する情報を持っており、駆動アーム４２に対して一体的に取り付けられたノズル４１の配置位置を直接的又は間接的に示す情報（すなわち「第１ノズル位置情報」）も持っている。メインコントロール部８１は、その第１ノズル位置情報を監視部８３に提供する。
　一方、画像処理部８２は、赤外線カメラ６０から赤外線画像Ｉを受信し、赤外線画像Ｉの画像処理を行って画像処理情報を取得し、その画像処理情報を監視部８３に提供する。画像処理により、赤外線画像Ｉにおける液柱画像Ｉ２の位置に関する情報が取得され、その液柱画像Ｉ２の位置情報からノズル４１の配置位置を直接的又は間接的に示す情報（すなわち「第２ノズル位置情報」）が取得される。画像処理部８２は、その第２ノズル位置情報を監視部８３に提供する。
　そして監視部８３は、メインコントロール部８１からの第１ノズル位置情報と画像処理部８２からの第２ノズル位置情報とを照らし合わせて、ノズル４１（処理流体供給部４０）の位置に関する異常の有無を監視する。ノズル４１の位置に異常がなければ、第１ノズル位置情報及び第２ノズル位置情報は互いに対応するデータを示す。一方、ノズル４１の位置に異常があれば、第１ノズル位置情報及び第２ノズル位置情報は互いに対応しないデータを示す。監視部８３は、第１ノズル位置情報及び第２ノズル位置情報のこの対応性に基づいて、ノズルの位置の異常の有無を監視することができる。
　なお、上述のようにしてノズルの位置の異常の有無を監視する際には、ノズル４１から処理液Ｌが吐出されている。そのため監視部８３は、処理液Ｌの吐出情報を下述のようにメインコントロール部８１から取得し、その吐出情報がノズル４１から処理液Ｌが吐出されていることを示す情報（すなわち「吐出ＯＮ情報」）であることも確認し、ノズルの位置の異常の有無を監視してもよい。
　また画像処理部８２において赤外線画像Ｉの画像処理を行うタイミングは、特に限定されない。例えば、メインコントロール部８１から画像処理部８２に第１ノズル位置情報が提供され、ノズル４１が特定エリア（例えばウェハＷの上方のエリア）に進入したことや特定位置（例えば処理液ＬをウェハＷに向かって吐出する所定位置）に配置されたことを第１ノズル位置情報が示す場合にのみ、画像処理部８２は画像処理を行ってもよい。すなわち、ノズル４１が特定エリアや特定位置に配置されている間に撮影されて取得された赤外線画像Ｉのみを、画像処理の対象としてもよい。このようにノズル４１の位置に応じて画像処理の実行の有無を切り換えることで、無駄な画像処理を回避し、制御装置４の処理負担を軽減することができる。
［液垂れの監視］
　図６は、赤外線画像を使った異常監視の第２の典型例を説明するための図であり、赤外線カメラ６０、処理流体供給部４０及びウェハＷの配置を概略的に示す。図７は、図６に示す赤外線カメラ６０によって取得された赤外線画像Ｉの一例を示す図である。図８は、赤外線画像を使った異常監視の第２の典型例に係る制御装置４の機能ブロック図である。図６に示す本典型例に係る赤外線カメラ６０、処理流体供給部４０及びウェハＷの配置は、上述の第１の典型例（図３参照）と同様である。また図８に示す本典型例に係る制御装置４の機能ブロックも、上述の第１の典型例（図５参照）と同様である。
　本典型例では、ノズル４１（処理流体供給部４０）からの予期しない処理液Ｌの垂れに関する異常の有無が、制御装置４によって監視される。
　ノズル４１（処理流体供給部４０）からの処理液Ｌの吐出状態は、制御装置４（特にメインコントロール部８１）の制御下で、処理流体供給源７０とノズル４１との間に設けられる流量調整バルブ（図示省略）が開閉されることで調節される。そのためメインコントロール部８１は、ノズル４１から処理液Ｌが吐出されているか否かを示す情報（すなわち「吐出情報」）を持っており、その吐出情報を監視部８３に提供する。
　一方、赤外線カメラ６０は、ノズル４１から処理液Ｌが吐出されていない間、撮影を連続的に行い、特にノズル４１とウェハＷ上の処理液Ｌの液膜Ｌ１との間のエリアの撮影を行う。意図しない処理液Ｌの液滴Ｌ３がノズル４１から垂れた場合、赤外線カメラ６０によって取得される赤外線画像Ｉには、図７に示すような液滴Ｌ３の画像（すなわち「液垂れ画像」）Ｉ３が含まれる。一方、ノズル４１から処理液Ｌが吐出されず液滴Ｌ３も垂れていない場合、赤外線カメラ６０によって取得される赤外線画像Ｉには、液垂れ画像Ｉ３は写り込まない。
　したがって本典型例における制御装置４の画像処理部８２は、赤外線カメラ６０からの赤外線画像Ｉを受信し、赤外線画像Ｉの画像処理を行って、赤外線画像Ｉにおける液垂れ画像Ｉ３の有無に関する情報を画像処理情報として取得する。画像処理部８２は、その画像処理情報（液垂れ情報）を監視部８３に提供する。
　そして監視部８３は、メインコントロール部８１からの液垂れ情報と画像処理部８２からの吐出情報とを照らし合わせて、液垂れの異常の有無を監視する。液垂れ異常がなければ、吐出情報はノズル４１からの処理液Ｌの吐出が停止していることを示す吐出ＯＦＦ情報であり、且つ、液垂れ情報は赤外線画像Ｉに液垂れ画像Ｉ３が含まれていないことを示す。一方、液垂れ異常がある場合には、吐出情報が吐出ＯＦＦ情報であっても、液垂れ情報は赤外線画像Ｉに液垂れ画像Ｉ３が含まれていることを示す。このように監視部８３は、画像処理情報（液垂れ情報）及び吐出情報（吐出ＯＦＦ情報）に基づいて、液垂れに関する異常の有無を監視することができる。
　なお画像処理部８２において赤外線画像Ｉの画像処理を行うタイミングは、特に限定されない。例えば、メインコントロール部８１から画像処理部８２にも吐出情報（特に吐出ＯＦＦ情報）を提供し、ノズル４１から処理液Ｌが吐出されていない間のみ、画像処理部８２は画像処理を行ってもよい。すなわち、ノズル４１から処理液Ｌが吐出されていない間に撮影されて取得された赤外線画像Ｉのみを、画像処理の対象としてもよい。このようにノズル４１からの処理液Ｌの吐出状態に応じて画像処理の実行の有無を切り換えることで、無駄な画像処理を回避することができる。
［液跳ねの監視］
　図９は、赤外線画像を使った異常監視の第３の典型例を説明するための図であり、赤外線カメラ６０、処理流体供給部４０及びウェハＷの配置を概略的に示す。図１０は、図９に示す赤外線カメラ６０によって取得された赤外線画像Ｉの一例を示す図である。図１１は、赤外線画像を使った異常監視の第３の典型例に係る制御装置４の機能ブロック図である。図９に示す本典型例に係る赤外線カメラ６０、処理流体供給部４０及びウェハＷの配置は、上述の第１の典型例（図３参照）及び第２の典型例（図６参照）と同様である。また図８に示す本典型例に係る制御装置４の機能ブロックも、上述の第１の典型例（図５参照）及び第２の典型例（図８参照）と同様である。
　本典型例では、予期しない処理液Ｌの跳ねに関する異常の有無が制御装置４によって監視される。ノズル４１から吐出される処理液ＬがウェハＷ上の液膜Ｌ１を構成する処理液Ｌに衝突することで、処理液Ｌの飛沫Ｌ４が生じることがある。本典型例では、このような飛沫Ｌ４の発生の有無を検知することで、処理液Ｌの跳ねに関する異常の有無が監視される。
　本典型例におけるメインコントロール部８１は、上述の第２の典型例のメインコントロール部８１と同様に、ノズル４１から処理液Ｌが吐出されているか否かを示す吐出情報を監視部８３に提供する。
　一方、赤外線カメラ６０は、ノズル４１から処理液Ｌが吐出されている間、撮影を連続的に行い、特に液柱Ｌ２と液膜Ｌ１との交点付近のエリアの撮影を行う。意図しない処理液Ｌの飛沫Ｌ４が生じた場合、赤外線カメラ６０によって取得される赤外線画像Ｉには、図１０に示すような飛沫Ｌ４の画像（すなわち「液跳ね画像」）Ｉ４が含まれる。一方、飛沫Ｌ４が生じていない場合、赤外線カメラ６０によって取得される赤外線画像Ｉには、液跳ね画像Ｉ４は写り込まない。
　制御装置４の画像処理部８２は、赤外線カメラ６０からの赤外線画像Ｉを受信し、この赤外線画像Ｉの画像処理を行って、赤外線画像Ｉにおける液跳ね画像Ｉ４の有無に関する情報を画像処理情報として取得する。画像処理部８２は、その画像処理情報（液跳ね情報）を監視部８３に提供する。
　監視部８３は、メインコントロール部８１からの液跳ね情報と画像処理部８２からの吐出情報とを照らし合わせて、液跳ねの異常の有無を監視する。液垂れ異常がなければ、吐出情報はノズル４１から処理液Ｌの吐出がされていることを示す吐出ＯＮ情報であり、且つ、液跳ね情報は赤外線画像Ｉに液跳ね画像Ｉ４が含まれていないことを示す。一方、液垂れ異常がある場合には、吐出情報が吐出ＯＮ情報であっても、液跳ね情報は赤外線画像Ｉに液跳ね画像Ｉ４が含まれていることを示す。このように監視部８３は、画像処理情報（液跳ね情報）及び吐出情報に基づいて、液跳ねに関する異常の有無を監視することができる。
　なお画像処理部８２において赤外線画像Ｉの画像処理を行うタイミングは、特に限定されない。例えば、メインコントロール部８１から画像処理部８２にも吐出情報（特に吐出ＯＮ情報）を提供し、ノズル４１から処理液Ｌが吐出されている間のみ、画像処理部８２は画像処理を行ってもよい。すなわち、ノズル４１から処理液Ｌが吐出されている間に撮影されて取得された赤外線画像Ｉのみを、画像処理の対象としてもよい。このようにノズル４１からの処理液Ｌの吐出状態に応じて画像処理の実行の有無を切り換えることで、無駄な画像処理を回避することができる。
［液膜温度の監視及びウェハ温度の監視］
　図１２は、赤外線画像を使った異常監視の第４の典型例を説明するための図であり、赤外線カメラ６０、処理流体供給部４０及びウェハＷの配置を概略的に示す。
　赤外線カメラ６０は、制御装置４の制御下で、移動可能に設けられていてもよく、赤外線カメラ６０の撮影位置及び／又は撮影角度が可変であってもよい。これにより制御装置４は、チャンバ２０内の複数箇所を１つの赤外線カメラ６０によって監視することが可能である。例えば、赤外線カメラ６０がノズル４１及びウェハＷの処理面の全体を同時に撮影することが難しい場合であっても、第１のポジションに赤外線カメラ６０を配置することで（図１２において実線で示された赤外線カメラ６０参照）、ノズル４１からの処理液Ｌを赤外線カメラ６０によって撮影し、第２のポジションに赤外線カメラ６０を配置することで（図１２において破線で示された赤外線カメラ６０参照）、ウェハＷの処理面全体にわたる液膜Ｌ１やウェハＷの処理面の全体を赤外線カメラ６０によって撮影することが可能である。
　したがって本典型例における制御装置４は、例えば、上述の第１の典型例～第３の典型例（図３～図１１参照）として説明した異常の有無の監視と、ウェハＷ上の処理液Ｌの温度に関する異常の有無の監視と、を共通の赤外線カメラ６０を使って行うことが可能である。これにより制御装置４は、例えば、液膜Ｌ１が液処理のために適切な温度を有するか否かを検知することができ、液処理の進行に関する異常の有無を監視することができる。
　また本典型例における制御装置４は、赤外線カメラ６０が取得した赤外線画像Ｉに基づいてウェハＷの温度を検知し、このウェハＷの温度に基づいて異常の有無を監視することも可能である。これにより、例えばウェハＷのスピンドライ乾燥の適否を監視することができる。スピンドライ乾燥は、ノズル４１からの処理液Ｌの吐出を停止した状態で保持部３１によりウェハＷを回転させ、ウェハＷ上の処理液Ｌ等の液体を蒸発させてウェハＷを乾燥させる処理である。処理液Ｌの気化熱により、スピンドライ乾燥の進行とともに、ウェハＷの温度は低下する。したがって、赤外線カメラ６０によって取得される赤外線画像Ｉに基づいてウェハＷの温度又はウェハＷ上の処理液Ｌの温度の経時的変化を検知することにより、ウェハＷが完全に乾燥したか否かを精度良く監視することができる。制御装置４は、その監視結果がウェハＷの処理面が完全に乾燥していないことを示す間は、必要に応じてスピンドライ乾燥を続行する等の制御を行ってもよい。
　なお、上述のように処理液Ｌ及び／又はウェハＷの温度自体を監視する場合、赤外線カメラ６０によって取得される赤外線画像Ｉには、そのような具体的な温度情報が含まれている必要がある。したがって、ある程度の精度で具体的な温度を判別可能な赤外線画像Ｉを提供することが可能なサーモグラフィー等の赤外線撮像装置を、赤外線カメラ６０として使用する必要がある。
　また上述では、図１２に示すような可動式の赤外線カメラ６０を用いる場合について説明したが、所望の監視エリア（例えばノズル４１及びウェハＷの処理面の全体）の全体を同時に撮影することができるのであれば、赤外線カメラ６０は可動式でなくてもよい。例えば、広角撮影可能な固定式の赤外線カメラ６０を用いたり、複数の固定式の赤外線カメラ６０を組み合わせて用いたりしてもよい。
［処理液の吐出時間の監視］
　上述のように赤外線カメラ６０は、ノズル４１（処理流体供給部４０）からの処理液Ｌの吐出の状態を撮影することができる。したがって制御装置４（画像処理部８２）は、赤外線カメラ６０が連続的に取得する赤外線画像Ｉ（例えば動画）を画像処理することによって、ノズル４１からの処理液Ｌの吐出開始時間の情報と、ノズル４１からの処理液Ｌの吐出停止時間の情報とを取得することができる。また制御装置４（画像処理部８２又は監視部８３）は、これらの吐出開始時間情報及び吐出停止時間情報から、ノズル４１から処理液Ｌが吐出されている時間の情報（すなわち「第１吐出時間情報」）を取得することができる。
　一方、監視部８３は、レシピ情報として予め定められているノズル４１からの処理液Ｌの吐出時間の情報（すなわち「第２吐出時間情報」）を、記憶部１９や他の機能ブロック（例えばメインコントロール部８１）から取得することができる。
　そして監視部８３は、第１吐出時間情報と第２吐出時間情報とを照らし合わせることで、ノズル４１からの処理液Ｌの吐出時間の異常の有無を監視することができる。ノズル４１からの処理液Ｌの吐出時間に異常がある場合、例えば監視部８３及びメインコントロール部８１は、処理流体供給源７０とノズル４１との間に設けられる流量調整バルブ（図示省略）の開閉タイミングを調整して、ノズル４１からの処理液Ｌの吐出開始のタイミング及び／又はノズル４１からの処理液Ｌの吐出停止のタイミングを変えてもよい。或いは、制御装置４は、レシピ情報を修正してもよい。
［複数の処理ユニット間の比較による異常の監視］
　本実施形態に係る基板処理システム１は、図１に示すように複数の処理ユニット１６（チャンバ２０を含む）を具備し、それぞれの処理ユニット１６はチャンバ２０によって仕切られており、チャンバ２０毎に、保持部３１、処理流体供給部４０及び赤外線カメラ６０が設けられている。
　制御装置４（特に監視部８３）は、これらの複数のチャンバ２０（複数の処理ユニット１６）のそれぞれに設けられた複数の赤外線カメラ６０が取得した赤外線画像Ｉに基づいて検知される処理液Ｌの状態を、互いに比較することによって導出される各処理ユニット１６の異常の有無を監視することができる。
　例えば、処理ユニット１６毎に流量計（図示省略）を設置し、処理流体供給源７０（図２参照）からそれぞれの処理ユニット１６のノズル４１（処理流体供給部４０）に供給される処理液Ｌの流量をそれらの流量計により計測してもよい。制御装置４（例えばメインコントロール部８１）は、流量計の計測結果に基づいて、上述の流量調整バルブ（図示省略）等を制御して、各処理ユニット１６のノズル４１への処理液Ｌの流量を調節してもよい。この場合、ある処理ユニット１６（以下、「異常処理ユニット１６ａ」とも称する）のノズル４１から吐出される処理液Ｌの温度が、他の処理ユニット１６のノズル４１から吐出される処理液Ｌの温度よりも低い場合、処理流体供給源７０から異常処理ユニット１６ａのノズル４１に供給されている処理液Ｌの量が、想定よりも少ない蓋然性が高い。この場合、処理流体供給源７０から異常処理ユニット１６ａのノズル４１に供給される処理液Ｌの流量を計測する流量計に、不具合が発生している可能性がある。したがって、ノズル４１から吐出される処理液Ｌの温度を処理ユニット１６間で比較することにより、流量計に関する異常の有無を監視することができる。
　このように、それぞれの処理ユニット１６における処理液Ｌの温度等の状態を検知し、その処理液Ｌの状態を処理ユニット１６間で互いに比較することで、各処理ユニット１６において生じている可能性のある異常を監視することができる。
［その他の異常の監視］
　制御装置４は、赤外線画像Ｉに基づいて、上述以外の異常についても監視することが可能である。
　上述のように、ノズル４１からの処理液Ｌの吐出量が想定よりも少ない場合、ノズル４１から吐出された処理液Ｌの温度は想定よりも低くなる傾向がある。したがって制御装置４は、赤外線画像Ｉに基づいて検知されるノズル４１から吐出された処理液Ｌ（例えば液柱Ｌ２及び液膜Ｌ１）の温度と、レシピ情報として予め設定された処理液Ｌの想定温度とを比較することにより、処理液Ｌの吐出量に関する異常の有無を監視することが可能である。
　また制御装置４は、赤外線画像Ｉに基づいて、ウェハＷの外周部における処理液Ｌ及び／又はウェハＷ自体の温度を検知することで、ウェハＷの外周部の周囲における給排気の状態（例えばＦＦＵ２１から供給される気体の状態）に関する異常の有無を監視することが可能である。例えば、排気口５２を介した排気量が多くなるにつれて、ウェハＷの外周部の温度がその中央部の温度よりも低下する傾向がある。したがって制御装置４は、赤外線画像Ｉに基づいて、ウェハＷの処理面上における処理液Ｌ（液膜Ｌ１）の温度分布やウェハＷの温度分布を検知することによって、排気の異常の有無を監視することが可能である。
　なお上述の図２、図３、図６、図９及び図１２には、ノズル４１及び駆動アーム４２が１つのみ描かれているが、各処理ユニット１６において設けられるノズル４１及び駆動アーム４２の数は１つだけであってもよいし、２以上であってもよい。
　図１３は、１つのチャンバ２０内に２つの処理流体供給部４０及び１つの赤外線カメラ６０が設けられている場合の一例を示す概略平面図であり、それぞれの処理流体供給部４０は対応の駆動アーム４２に取り付けられている。赤外線カメラ６０の取り付け位置及び取り付け態様は特に限定されないが、これらの処理流体供給部４０のウェハＷ上における移動経路ｔ（特にウェハＷの上方における移動経路ｔ）の全体を、同時に撮影可能な位置及び角度に赤外線カメラ６０が設置されることが好ましい。処理流体供給部４０同士及び駆動アーム４２同士が同じ構造を有する場合、これらの駆動アーム４２の回転軸Ａｒから等距離の位置に赤外線カメラ６０が設置されることが好ましい。
　なお図１３には、複数の処理流体供給部４０に対して共通の赤外線カメラ６０が割り当てられているが、処理流体供給部４０毎に固有の赤外線カメラ６０が割り当てられてもよい。また１つの処理流体供給部４０に対して複数の赤外線カメラ６０が割り当てられてもよい。
［監視結果の処理例］
　上述のように制御装置４は、赤外線カメラ６０の赤外線画像Ｉを画像処理することによって、様々な種類の異常の有無を監視することが可能である。制御装置４は、これらの異常の監視の結果を、様々な形態で処理することができる。
　例えば、制御装置４は、異常の有無に関する情報を記憶部１９に記録してもよい。この場合、制御装置４は、異常の有無の監視を行った日時の情報、当該監視を行ったウェハＷの識別情報、及び／又はその他の関連情報を、異常の有無に関する情報と関連づけて、記憶部１９に記録することが好ましい。これによりユーザや任意の装置は、必要に応じて記憶部１９にアクセスし、異常の有無に関する情報を取り出すことができる。
　また制御装置４は、異常の有無に関する情報として、異常の有無の監視を行った際における、処理流体供給部４０からの処理液Ｌの吐出が開始された時間を示す吐出開始時間情報と、処理流体供給部４０からの処理液Ｌの吐出が停止した時間を示す吐出停止時間情報とを、記憶部１９に記録してもよい。この場合、制御装置４は、記憶部１９に記録された吐出開始時間情報及び吐出停止時間情報に基づいて、処理流体供給部４０から処理液Ｌが吐出される吐出時間を制御し、処理液Ｌの吐出時間の適正化を行ってもよい。
　また制御装置４（例えば監視部８３）に接続される報知装置６５（図５、図８及び図１１参照）を更に設置し、制御装置４（例えば監視部８３）は、異常を検知した際には、当該異常をユーザに報知するように報知装置６５を作動してもよい。報知装置６５は、任意の装置によって構成可能であり、例えば表示装置及び／又は音声装置によって報知装置６５を構成し、異常の有無を表示及び／又は音声によりユーザに伝えてもよい。
　また制御装置４は、異常を検知した際には、そのような異常を正すように各種装置を制御してもよい。例えば、ノズル４１（処理流体供給部４０）の位置ずれ異常が検知された場合、制御装置４は、赤外線画像Ｉから得られるノズル４１の位置情報に基づいて、駆動アーム４２を制御し、自動的にノズル４１の位置の適正化してもよい。
　本発明は、上述の実施形態及び変形例に限定されるものではなく、当業者が想到しうる種々の変形が加えられた各種態様も含みうるものであり、本発明によって奏される効果も上述の事項に限定されない。したがって、本発明の技術的思想及び趣旨を逸脱しない範囲で、特許請求の範囲及び明細書に記載される各要素に対して種々の追加、変更及び部分的削除が可能である。
　例えば、上述の制御装置４はメインコントロール部８１、画像処理部８２及び監視部８３を含むが（図５、図８及び図１１参照）、制御装置４はこれらの各部を機能的に含んでいればよく、ハードウェア及びソフトウェアが適宜組み合わされて各部の機能が実現されていればよい。
　また本発明は、基板処理装置だけではなく、基板処理方法、そのような基板処理方法において行われる手順をコンピュータに実行させるためのプログラム、及びそのようなプログラムが記録された非一時的なコンピュータ読み取り可能な記録媒体、及びその他の物及び方法として実現されてもよい。
４　制御装置
１６　処理ユニット
２０　チャンバ
３１　保持部
４０　処理流体供給部
４１　ノズル
６０　赤外線カメラ
Ｌ　処理液
Ｗ　ウェハ

Claims (12)

  1. 　処理室と、
    　前記処理室内に配置され、基板を保持する基板保持部と、
    　前記基板保持部に保持されている前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、
    　前記処理室内の赤外線画像を取得する赤外線カメラと、
    　前記赤外線画像に基づいて少なくとも前記処理液の状態を検知し、異常の有無を監視する制御部と、を備える基板処理装置。
  2. 　前記処理液供給部は、前記処理室内の雰囲気の温度よりも高い温度を有する前記処理液を吐出し、
    　前記制御部は、前記処理液と前記雰囲気との間の温度差に基づいて前記処理液の状態を検知する請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 　前記異常の有無は、前記処理液を吐出する前記処理液供給部の位置に関する異常の有無を含む請求項１又は２に記載の基板処理装置。
  4. 　前記異常の有無は、前記処理液供給部からの予期しない前記処理液の垂れに関する異常の有無を含む請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  5. 　前記異常の有無は、予期しない前記処理液の跳ねに関する異常の有無を含む請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  6. 　前記異常の有無は、前記基板上の前記処理液の温度に関する異常の有無を含む請求項１～５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  7. 　前記制御部は、前記赤外線画像に基づいて前記基板の温度も検知し、前記異常の有無を監視する請求項１～６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  8. 　前記処理室は複数設けられ、
    　前記複数の処理室の各々に対して、前記基板保持部、前記処理液供給部及び前記赤外線カメラが設けられ、
    　前記異常の有無は、前記複数の処理室のそれぞれに設けられた前記赤外線カメラが取得した前記赤外線画像に基づいて検知される前記処理液の状態を互いに比較することによって導出される異常の有無を含む請求項１～７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  9. 　前記制御部は、前記異常の有無に関する情報を記憶部に記録する請求項１～８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  10. 　前記制御部は、前記異常の有無に関する情報として、前記処理液供給部からの前記処理液の吐出が開始された時間を示す吐出開始時間情報と、前記処理液供給部からの前記処理液の吐出が停止した時間を示す吐出停止時間情報とを、前記記憶部に記録する請求項９に記載の基板処理装置。
  11. 　前記制御部は、前記吐出開始時間情報及び前記吐出停止時間情報に基づいて、前記処理液供給部から前記処理液が吐出される吐出時間を制御する請求項１０に記載の基板処理装置。
  12. 　報知装置を更に備え、
    　前記制御部は、前記異常を検出した際には、前記異常をユーザに報知するように前記報知装置を作動させる請求項１～１１のいずれか一項に記載の基板処理装置。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021132158A (ja) * 2020-02-20 2021-09-09 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び液体吐出評価方法
JP2021157303A (ja) * 2020-03-25 2021-10-07 東京エレクトロン株式会社 異常検出装置及び異常検出方法
WO2022201442A1 (ja) 2021-03-25 2022-09-29 日本電気株式会社 情報処理システム、情報処理方法、及びコンピュータプログラム
KR20220150332A (ko) * 2020-03-10 2022-11-10 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 트랙 시스템 내로의 통합을 위한 장파 적외선 열 센서
EP4227983A1 (en) 2022-02-14 2023-08-16 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treating apparatus, substrate treating system, and substrate treating method
JP2023118878A (ja) * 2019-11-15 2023-08-25 東京エレクトロン株式会社 監視装置、基板処理装置、監視方法、及び記憶媒体
WO2023176176A1 (ja) * 2022-03-18 2023-09-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および監視方法
WO2023176156A1 (ja) * 2022-03-18 2023-09-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および監視方法
JP2024072826A (ja) * 2020-05-27 2024-05-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP2024105501A (ja) * 2020-07-29 2024-08-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、及び基板処理方法。
KR20240140932A (ko) 2022-03-01 2024-09-24 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 시스템 그리고 기판 처리 방법
WO2025004716A1 (ja) 2023-06-27 2025-01-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、および基板処理装置における情報処理方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019146456A1 (ja) * 2018-01-26 2019-08-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US12276027B2 (en) * 2019-03-28 2025-04-15 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN116845010A (zh) * 2023-07-21 2023-10-03 创微微电子(常州)有限公司 一种实时检测晶圆清洗设备、使用方法及检测方法
JP2025020913A (ja) * 2023-07-31 2025-02-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、および基板処理装置における情報処理方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003273003A (ja) * 2002-03-15 2003-09-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2015191895A (ja) * 2014-03-27 2015-11-02 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP2016070669A (ja) * 2014-09-26 2016-05-09 倉敷紡績株式会社 基板上の液体成分の測定方法および基板処理装置
JP2016122681A (ja) * 2014-12-24 2016-07-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Family Cites Families (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04186862A (ja) * 1990-11-21 1992-07-03 Tokyo Electron Sagami Ltd キャリア内基板の検出装置
KR100797435B1 (ko) * 2000-06-30 2008-01-24 동경 엘렉트론 주식회사 액처리장치
US6647642B2 (en) * 2000-12-15 2003-11-18 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus and method
JP4100466B2 (ja) * 2000-12-25 2008-06-11 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP2002353184A (ja) * 2001-05-28 2002-12-06 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法及び基板処理装置
WO2004047161A1 (ja) * 2002-11-18 2004-06-03 Tokyo Electron Limited 絶縁膜形成装置
JP2004363229A (ja) 2003-06-03 2004-12-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体ウェハの研磨装置および研磨方法
JP4194495B2 (ja) * 2004-01-07 2008-12-10 東京エレクトロン株式会社 塗布・現像装置
JP4998854B2 (ja) * 2006-02-03 2012-08-15 株式会社ニコン 基板処理方法、基板処理システム、プログラム及び記録媒体
JP4832142B2 (ja) 2006-03-31 2011-12-07 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP4999415B2 (ja) * 2006-09-29 2012-08-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理装置の用力供給装置及び基板処理装置の用力供給方法
JP2008198820A (ja) * 2007-02-14 2008-08-28 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法及び基板処理装置
JP4973267B2 (ja) * 2007-03-23 2012-07-11 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置、基板搬送モジュール、基板搬送方法及び記憶媒体
JP4887310B2 (ja) * 2008-01-29 2012-02-29 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP5457384B2 (ja) * 2010-05-21 2014-04-02 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
JP5567392B2 (ja) * 2010-05-25 2014-08-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5338757B2 (ja) * 2010-07-09 2013-11-13 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP5408059B2 (ja) * 2010-07-09 2014-02-05 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP5348083B2 (ja) * 2010-07-16 2013-11-20 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP5368393B2 (ja) * 2010-08-05 2013-12-18 東京エレクトロン株式会社 気化装置、基板処理装置及び塗布現像装置
JP2012114409A (ja) * 2010-11-04 2012-06-14 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び基板洗浄用記憶媒体
US8654325B2 (en) * 2011-07-05 2014-02-18 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, substrate processing method, and computer-readable storage medium having program for executing the substrate processing method stored therein
JP5742635B2 (ja) * 2011-09-29 2015-07-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理装置のアラーム管理方法および記憶媒体
JP6018528B2 (ja) * 2013-03-13 2016-11-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR101567195B1 (ko) * 2013-03-14 2015-11-06 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 토출 검사 장치 및 기판 처리 장치
JP6145061B2 (ja) * 2014-03-04 2017-06-07 東京エレクトロン株式会社 接合システムおよび接合方法
CN106256016B (zh) * 2014-04-18 2020-06-23 株式会社荏原制作所 基板处理装置、基板处理系统
JP6316703B2 (ja) * 2014-08-19 2018-04-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP6316742B2 (ja) * 2014-12-24 2018-04-25 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置および基板搬送方法
JP6332095B2 (ja) * 2015-03-20 2018-05-30 東京エレクトロン株式会社 薬液供給装置の調整方法、記憶媒体及び薬液供給装置
KR102499939B1 (ko) * 2017-08-29 2023-02-14 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6925219B2 (ja) * 2017-09-29 2021-08-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
WO2019146456A1 (ja) * 2018-01-26 2019-08-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
CN112106182A (zh) * 2018-03-20 2020-12-18 东京毅力科创株式会社 结合有集成半导体加工模块的自感知校正异构平台及其使用方法
JP7348440B2 (ja) * 2018-03-20 2023-09-21 東京エレクトロン株式会社 統合的な半導体処理モジュールを組み込んだ自己認識及び補正異種プラットフォーム及びその使用方法
JP7052573B2 (ja) * 2018-06-06 2022-04-12 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成装置及び塗布膜形成装置の調整方法
KR102716070B1 (ko) * 2018-06-29 2024-10-14 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 범프 높이 측정 장치, 기판 처리 장치, 범프 높이 측정 방법, 기억 매체
JP7314634B2 (ja) * 2019-06-11 2023-07-26 東京エレクトロン株式会社 塗布装置及び塗布方法
DE102020130415B4 (de) * 2019-12-26 2025-01-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Versorgungssystem für chemische flüssigkeiten und verfahren zur versorgung mit chemischen flüssigkeiten
US11715656B2 (en) * 2019-12-26 2023-08-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chemical liquid supplying system and method of supplying chemical liquid
KR102256132B1 (ko) * 2020-02-18 2021-05-25 (주)캔탑스 캐리어 내부의 오염 관리 기능을 갖는 자동 반송시스템
CN115315794A (zh) * 2020-03-10 2022-11-08 东京毅力科创株式会社 用于集成到跟踪系统的长波红外热传感器
JP7475945B2 (ja) * 2020-04-20 2024-04-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
CN115769346A (zh) * 2020-07-06 2023-03-07 东京毅力科创株式会社 液处理装置和液处理方法
JP7546418B2 (ja) * 2020-09-09 2024-09-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP7521391B2 (ja) * 2020-11-25 2024-07-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP7571498B2 (ja) * 2020-11-25 2024-10-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP7663367B2 (ja) * 2021-02-08 2025-04-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP7714670B2 (ja) * 2021-03-04 2025-07-29 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 基板画像の処理に基づいたピクセルおよび領域の膜不均一分類
JP7628897B2 (ja) * 2021-06-15 2025-02-12 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置、基板処理装置、ブレークイン装置、基板に付着する微粒子数の推定方法、基板洗浄部材の汚染度合い判定方法およびブレークイン処理の判定方法
JP7778622B2 (ja) * 2022-03-24 2025-12-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003273003A (ja) * 2002-03-15 2003-09-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2015191895A (ja) * 2014-03-27 2015-11-02 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP2016070669A (ja) * 2014-09-26 2016-05-09 倉敷紡績株式会社 基板上の液体成分の測定方法および基板処理装置
JP2016122681A (ja) * 2014-12-24 2016-07-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US12244972B2 (en) 2019-11-15 2025-03-04 Tokyo Electron Limited Substrate processing monitoring apparatus based on imaging video data, substrate processing apparatus, substrate processing monitoring method, and storage medium
JP7727686B2 (ja) 2019-11-15 2025-08-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、及び基板処理装置
JP2023118878A (ja) * 2019-11-15 2023-08-25 東京エレクトロン株式会社 監視装置、基板処理装置、監視方法、及び記憶媒体
JP7362505B2 (ja) 2020-02-20 2023-10-17 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び液体吐出評価方法
JP2021132158A (ja) * 2020-02-20 2021-09-09 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び液体吐出評価方法
JP7671558B2 (ja) 2020-03-10 2025-05-02 東京エレクトロン株式会社 トラックシステムに統合するための長波赤外線熱センサ
KR20220150332A (ko) * 2020-03-10 2022-11-10 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 트랙 시스템 내로의 통합을 위한 장파 적외선 열 센서
JP2023517095A (ja) * 2020-03-10 2023-04-21 東京エレクトロン株式会社 トラックシステムに統合するための長波赤外線熱センサ
TWI885080B (zh) * 2020-03-10 2025-06-01 日商東京威力科創股份有限公司 用於整合進軌徑系統的長波紅外線熱感測器
KR102874193B1 (ko) * 2020-03-10 2025-10-20 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 트랙 시스템 내로의 통합을 위한 장파 적외선 열 센서
JP7482662B2 (ja) 2020-03-25 2024-05-14 東京エレクトロン株式会社 異常検出装置及び異常検出方法
TWI874607B (zh) * 2020-03-25 2025-03-01 日商東京威力科創股份有限公司 異常檢測裝置及異常檢測方法
JP2021157303A (ja) * 2020-03-25 2021-10-07 東京エレクトロン株式会社 異常検出装置及び異常検出方法
JP7736835B2 (ja) 2020-05-27 2025-09-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US12478997B2 (en) 2020-05-27 2025-11-25 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2024072826A (ja) * 2020-05-27 2024-05-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP2024105501A (ja) * 2020-07-29 2024-08-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、及び基板処理方法。
JP7635872B2 (ja) 2020-07-29 2025-02-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、及び基板処理方法。
WO2022201442A1 (ja) 2021-03-25 2022-09-29 日本電気株式会社 情報処理システム、情報処理方法、及びコンピュータプログラム
EP4227983A1 (en) 2022-02-14 2023-08-16 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treating apparatus, substrate treating system, and substrate treating method
KR20240140932A (ko) 2022-03-01 2024-09-24 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 시스템 그리고 기판 처리 방법
WO2023176176A1 (ja) * 2022-03-18 2023-09-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および監視方法
TWI888800B (zh) * 2022-03-18 2025-07-01 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置及監視方法
TWI849768B (zh) * 2022-03-18 2024-07-21 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置及監視方法
JP2023137511A (ja) * 2022-03-18 2023-09-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および監視方法
JP2023137510A (ja) * 2022-03-18 2023-09-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および監視方法
WO2023176156A1 (ja) * 2022-03-18 2023-09-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および監視方法
JP7775121B2 (ja) 2022-03-18 2025-11-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および監視方法
WO2025004716A1 (ja) 2023-06-27 2025-01-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、および基板処理装置における情報処理方法

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JP6946473B2 (ja) 2021-10-06

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