TWI333391B - Organic light emitting display and method of fabricating the same - Google Patents

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九、發明說明： 【相關申請案交互參考】 t申明案申請在此併入其整體做參考，2005年10月 曰提出申4之韓國專利中請案第號之 ，先性及利益。本申請案财g且在此併人參考以下同時 部内容： 題 代理人摘要編號 ----— 提出申請曰 期 申請案 號 ----- SDISW. 026AUS --—-- 標 有機發光顯示器及其 製造方法 【心明所屬之技術領域】 本發明係有關有機發光顯示裝置，且特別有關封裝有 機發光顯示襞置。 【先前技術】 有機發光顯示器(OLED)通常包含一陽極層，一電洞傳 輸層’ 一有機發光層，及依序形成於該陽極層上之一電子 傳輸層，及形成於該最終結構上之一陰極層。該結構中， 當施加電壓時，從陽極層注入之電洞係經由該電洞傳輸層 移至該有機發光層’而從陰極層注入之電子係經由該電子 傳輸層移至該有機發光層，使電動及電子載體組合於該有 機發光層中以創造激發子。當上述所創造之激發子從激發 狀態轉換至接地狀態時，有機發光層可藉由所產生能量發 1333391 光。 然而，由具有低熱電阻係數之有機化合物形成之 有機薄層可能會因潮濕而降級，而形成於該有機薄層上之 一陰極可能因氧化而效能降低。因此，有機薄層應密封防 止濕氣或氧氣接觸該薄層。第1圖係為有機發光顯示器之 橫斷面圖。如第1圖所示’一有機發光二極體11〇係形成 於一基板100上。基板100係包含一薄膜電晶體，具有— 半導體層，一閘極，一源極及一汲極。接著，形成一潮濕 吸收層130於面對該有機發光二極體11〇之密封基板14〇 一表面上之後，基板1〇〇及密封基板14〇係使用密封劑而 彼此附著，藉此完成有機發光顯示器。 【發明内容】 本發明一特性係提供一有機發光顯示裝置，其可包 含：一第一基板；包含該第一基板對側之一内表面之一第 二基板；形成於該第-及第二基板間之—有機發光像素陣 列，該_包含面_第二基板之—上表面，插入該第一 及第二基板之間而環繞該_之—玻璃騎密封；及包含 -個或更多分層膜片之—膜片結構，該膜片結構包含插入 該第二基板及該陣觸之—部件，該膜片結構係接觸該内 表面及該上表面。 上述裝置中，該膜片結構可實質覆蓋全部上表面。該 膜片結構可進-步包含插人該第—及第二基板之間而不插 入該陣列及該第二基板間之―部件。觸片結構可接觸該 6 1333391 玻璃原料密封。該膜只έ士播 陣列可包含-第：觸該玻璃原料密封。該 二綱之-有機發光物質第m—及第 一;=離第：第電極具有距該第-基板之 上表面可為該二表面離大於該第-距離’而其中該 裝置中，膜片結構可包含-有機樹脂層，及 插入该陣列及該有機樹脂層間之一保護層， 匕3選自包含二氧化矽及氮化矽之群組至少- 者。有機樹脂層可包含一氨基甲酸乙酉旨樹脂。該陣列可發 射穿透第二基板之可見光。 χ 進一步於上述裝置中，至少一部份膜片結構可實質讓 可見光穿透。則結構可具有小於或實料於第二基板之 可見光反射比。膜片結構具有實質等於可形成接觸該膜片 結構之-層之物質之輸指數。膜片結構可實質非傳導。 玻璃原料密封包含-或更多被選自包含氧化鎂(Mg〇)，氧 化鈣(Ca〇)，氧化鋇(Ba0)，氧化鋰(Li2〇)，氧化納_〇)， 氧化鉀(Κ2〇)，氧化硼_，氧化釩_，氧化鋅(Zn〇)， 氧化碲(Te02)，氧化雖丨2〇3)，二氧化邦i〇2)，氧化錯 (PbO) ’氧化錫(Sn〇) ’氧化卿2〇5)，氧化釘(Ru2〇)，氧化 铷(Rb20) ’氧化鍺(仙2〇) ’氧化鐵(Fe2〇3)，氧化銅(Cu〇)， 氧化鈦(ή〇2)，氧化鎢(w〇3)，氧化鉍(扭2〇3)，氧化銻 (Sb2〇3)，鉛-硼酸鹽玻璃，錫_磷酸鹽玻璃，釩酸鹽玻璃， 7 1333391 及硼矽酸鹽之群組之物質。 本發明另-特徵係提供—種製造錢發絲示裝置方 法，其可包含：提供一未完成品，包含一第一基板，包含 該第-基板對側之-内表面之—第二基板，插人該第一及 第二基板間之有機發光像素之—第，該第一陣列包 含面對该第二基板之—第—上表面，插人該第—及第二基 板之間而環繞該第-陣列之—第—玻璃原料，插入該第一 及第二基板間之有機發光像素之-第二_，該第-陣列 包含面對该第二基板之—第二上表面，插人該第一及第二 基板之間而環繞該第二陣列之—第二玻璃原料，及一第一 膜片結構，包含插人該第—陣列及該第二基板間之一個或 更多分層則’該第-則結構係接職喊面及該第一 上表面，而該第-膜片結構至少—膜片係包含—可加工物 質’-第二膜片結構，包含插人該第二陣列及該第二基板 間之-個或更多分層則，該第二則結__該内表 面及該第二上表面，而該第二則結構至少m系包含 一可加工物質；將該未完成品切割為第一片及第二片其 中該第-片係包含該第—基板之—切片，該第二 二 切片’該第-陣列，該第—玻璃原料，該第—膜片結構， 其中該第二/係包含該第—基板之—切片，該第二基板之 一切片，該第二陣列，該第二玻璃原料，該第二臈片結構； 及加工該可加工物質。 上述方法中，提供該未完成品係包含提供該第一基板 及形成於該第-基板上之該第_及第n提供該第二 8 基板及形成_第二基板上找可加讀質；安置該第一 質座落於該第一及第二基板之 及插入a第-及第二玻璃原料於該第一及第二基板之 間。該可加工物質可接觸該第—玻璃原料，而其中加工該 上可加工物質係包含首先加卫該第—玻璃原料附近之-部份 =可加工物質，及接著加工該可加工物制餘物。加工該 4-玻璃断之該部份係包含放㈣外光。加工該剩 餘物係包含加熱該可加工物質。該第—陣列可包含—第一 電極，—第二電極，及插人該第—及第二電極間之有機發 光物質，其中該第一電極具有距該第一基板之一第一距 離’而該第二電極具有距該第—基板之—第二距離，其中 該第二距離大_第-雜，而其找上表面係為該電極 表面。 【實施方式】 現在將參考顯示本發明實施例之附圖完整說明本發明 各實施例。圖中，為了說明起見，係誇大層及區域之長度 及厚度。 有機發光顯示器係為包含有機發光二極體陣列之一顯 示裝置。有機發光二極體係為固態裝置，其包含一有機物 質且於施加適當電位時可適應產生及發光。 有機發光顯示器通常可視提供激發電流之安排而區分 為兩基本類型。第8A圖簡單說明被動矩陣型有機發光顯示 器W〇〇簡化結構分解圖。第8B圖簡單說明主動矩陣型有 1333391 機發光齡It 1_簡化結構。祕置中，麵發光顯示器 1000，卿1係包含建造於基板聰上之有機發光顯示器 像素，而該有勸务光顯#器像素係包含—陽極1004，一陰 極H)06及-有機層1010。當施加適當電流至陽極顚時: 電流係流過該像素，且該有機層可發射可見光。 參考第8A圖，被動矩陣有機發光顯示器(pM〇LED) 設計係包含大致安置垂直於有機層被插人其間之陰極麵 延長狹條之陽極職延級條。陰極祕及陽極刪狹 條之相交係可界定陽極1()()4與陰極觸6對應狹條適當刺 激所產生及伽之光叙各有機發絲示器像素。被動矩 陣有機發光顯示器可提供相當簡單生產之優點。 參考第8B圖’主動矩陣有機發光顯示器(am〇led) 係包含安胁紐聰及械發絲示^像素間之驅動 電路1012。主動轉有機發光齡器各像素係被界定於與 其他陽極電子隔離之共用陰極腦及陽極刚4之間。^ 驅動電路1012係與有機發光顯示器各像素之陽極麵耦 合，^與資料線1016及掃描線1018做另一輕合。實施例 :’掃描、線1018可供應選擇該驅動電路列之掃描信號，而 ^料線1016可供應資料信號給特定驅動電路。資料信號及 知描信號可刺激局部驅動電路脆，其可激發陽極刪 從其對應像素發光。 所述主動矩陣有機發光顯示器中，局部驅動電路 1012，資料線1016及掃描線画係埋入平面化層腿， 其係播入像素_及基板臟之間。平面化層/刚可提 10

平面化層 //目〜从u勺部驅動電路i0i: 成，且女置於有機發光顯示器 i〇i2通常以薄膜電晶體(TFT)形 之兩或更

主動矩陣有機發麵示器具有改善用於 局部驅動電路1〇12

率之優點。 像素陣列下之隔柵或陣列。 有機涛膜電晶體之至少部分 丨03开负（又吾用於顯 。同時，主動矩陣有 顯示器消耗較少功 …參考被動矩陣有機發光顯示器及主動矩陣有機發光顯 不器設計制特性，基板職可提供有機發光顯示器像素 及電路之結構支援。各實施财，基板顧可包含僵固或 可變物質及不透贼透明物質，如塑膠，玻璃及/或^^ 如上述，各有機發光顯示器像素或二極體係以陽極1⑻4， 陰極1006及插入其間之有機層1〇1〇形成。當施加適當電 流至陽極1004時，陰極1〇〇6係注入電子，而陽極1〇〇4係 注入電洞。特定實施例中，陽極1004及陰極1〇〇6係為反 向，也就是陰極形成於基板1002上，而陽極被對向安置。 插入於陰極1006及陽極1004之間者係為一個或更多 有機層。更明確地，至少一放射或發光層被插入於陰極丨〇〇6 及陽極1004之間。發光層可包含一個或更多發光有機化合 物。通常，發光層係被配置發射如藍色，綠色，紅色或白 色之單色可見光。所述實施例中，一有機層1010係形成於 陰極1006及陽極1004之間且當作一發光層。可形成於陽 1333391 • 極1004及陰極1006間之附加層，係可包含一電洞傳輸層， 一電洞注入層，一電子傳輸層及一電子注入層。 ， 制傳輸及/或注入層係被插入於發光;f 1010及陽極 1004之間。電子傳輸及/或注入層係被插入於陰極及 . 發光層1010之間。電子注入層可藉由降低注入來自陰極 1006之電子之工作函數促成來自陰極藤之電子朝向發 光層圓注射。同樣地，電敝人層可促成電洞郷極 籲 1004朝向發光層1_注射。制及電子傳輸層可促成被 注入載體從各電極朝向發光層移動。 某些實施例中，單層可提供電子注入及傳輸功能或電 洞注入及傳輸功能。某些實施例中，缺乏一個或更多這也 • ^。某些實關中，—個歧多有機層雜雜助載體； • 人及成傳輸之-個或更多物質。僅一有機層形成於陰極及 陽極間之實施例中，該有機層不僅可包含一有機發光化合 亦可包含獅載體注人或雜於該層内之狀功能性 _ 物質。 具有發展用於包含發光層之這些層之複數有機物質。 =時，亦發展可用於這些層之複數其他有機物質。某些實 施例中’這些有機物質可為包含寡聚物及聚合物之高分 子。某些實施例中，這些層之有機物質可為相當小分子。 5匠可鑒於特定②計中各層預期功能及鄰近層物質來選擇 各這些層之適當物質。 a操作時，電路可於陰極藤及陽極刪之間提供適 田電位。此料f雜陽極麵㈣喃錢層流至陰極 12 1006。一實施例中，陰極1〇〇6可提供電子至鄰接有機層 1010。陽極1004注入電洞至有機層1〇1〇。電洞及電子再 結合於有機層1010中並產生被稱為”激子，，之能量微粒。該 激子轉移其能量至有機層1010中之有機發光物質，而該能 量係被用來從有機發光物質發射可見光。有機發光顯示器 1〇〇〇，1〇〇1所產生及發射光線之光譜特性係視有機層中之 有機分子特性及成分而定。一個或更多有機層之成分係被 選擇來配合熟練技術人士特定應用的需要。 有機發光顯示裝置亦可以光發射方向為基礎來分類。 被稱為’’上發射”類型之一類型中，有機發光顯示裝置係可 經由陰極或上電極1006發光及顯示影像。這些實施例中， 陰極1006係由可見光可穿透或至少部分可穿透物質製 成。特定實施例中，為了避免損失可穿透陽極或下電極1〇〇4 之任何光，陽極係由可實質反射可見光之物質製成。第二 類型有機發光顯示裝置係可經由陽極或下電極1〇〇4發光 且被稱為”下發射’’類型。下發射類型有機發光顯示裝置 中，陽極1004係由至少部分穿透可見光之物質製成。下發 射類型有機發光顯示裝置中’陰極1〇〇6通常由實質反射可 見光之物質製成。第二類型有機發光顯示裝置係如經由陽 極1004及陰極1〇〇6之兩方向發光。視光發射方向而定， 基板可由可穿透’不穿透或反射可見光之物質製成。 許多貫施例中，如第8C圖顯示，包含複數有機發光像 素之一有機發光顯示器像素陣列1021係安置於基板〗〇〇2 上。實施例中，陣列1021中之像素係藉由驅動電路(無圖 13 1333391 式)控制開啟及關閉，而複數像素整體顯示資訊或影像於陣 列1021上。特定實施例中，有機發光顯示器像素陣列仞21 係女置至如驅動及控制電子之其他組件，以界定一顯示區 域及-非顯示區域。這些實施例中，顯示區域係涉及有機 發光顯示器像素陣列1021形成之基板臟區域。非顯示 區域係涉及基板1002之剩餘區域。實施例中，非顯示區域 可包含邏輯及/或電源供應電路。應了解，顯示區域内係安 置至少部分控制/驅動電路元件。例如被動矩陣有機發光顯 示器中，傳導組件係延伸入顯示區域以提供適當電位至陽 極及陰極。主動矩陣有機發光顯示器中，與驅動電路耦合 之局部驅動電路及資料/掃赠，艇伸人顯示區域以驅動 及控制主動矩陣有機發光顯示器各像素。 有機發光顯示裝置中之一設計及製造考量，係有機發 光顯示裝置之㈣層會受财，減或其他有害氣體 之損害或加速破壞。於是，大致了解密封或囊封有機發光 顯不裝置财卩躲露於減及氧氣，或觀鱗作環境中 所發現之其他有害氣體。第8D圖係簡單贈具有第8c圖 佈局及沿第8C圖線d-d採用之密封有機發光顯示裝置】〇11 橫斷面圖。此實施例中，平面上板或基板腿大致與密封 墊71嗤白其進一步與下板或基板1002嗤合以包圍或 密封有機發光顯示器像素陣列顧。其他實施例中，一個 或更多>1伽Μ於上板腕或下板膽上，而密封整刪 係經由該層與下或上板臓，麵搞合。所述實施例中， 在封墊1〇71係沿著有機發光顯示器像素陣列聰或下或 14 上板1002，1061周圍延伸。 實施例中，密封墊1071係由將進一步討論如下之玻璃 原料製成。各實施例中，上及下板1〇61，1〇〇2係包含如塑 膠’玻璃及/或金屬荡膜之物質，其可提供氧氣及/或水通道 屏障以保護有機發光顯示器像素陣列1021不致暴露於這 些物質。實施例中，上板1061及下板1⑻2至少其中之一 係由實質可透物質形成。 為了延長有機發光顯示裝置1011壽命，通常預期密封 墊1071及上及下板1〇61，1〇〇2可提供氧氣及水實質可穿 透之密封，及提供實質密封包覆空間1081。特定應用中， &示與上及下板1061，1〇〇2結合之玻璃原料密封塾ι〇71， 係可提供小於約l〇-3cc/m2_日之氧氣及小於1〇-6_2_日之水 之屏障。假設某些氧氣及濕氣可滲透包覆空間1〇81，某些 貫施例中，可佔據氧氣及/或濕氣之一物質係形成於該包覆 空間1081内。 如第8D圖顯示，密封墊1〇71具有一寬度w ,其厚度 為平行於上及下板1061，1〇〇2表面之方向。該寬度於實施 例間有所不同，而範圍從約3〇〇em至約3〇〇〇am，選擇 I1 生從約500ym至約i500/zm。同時，該寬度可隨密封墊 1071不同位置而改變。某些實施例中，密封墊1〇71可接 觸下及上板1002，1061或形成其上之一層其中之一者，密 封墊1071寬度為最大。密封墊1〇71彼此接觸者，該寬度 可為最小。密封墊1〇71之單橫斷面寬度變異係有關密封墊 1071之橫斷面形狀及其他設計參數。 15 如第8D圖顯示，密封墊1071具有一高度H ,其厚度 為垂直於上及下板1061，1〇〇2表面之方向。該高度於實施 例間有所不同，而範圍從約2/zm至約30“m，選擇性從 約10//m至約15/zm。該寬度通常不隨密封墊1〇71不同 位置而明顯改變。然而特定實施例中，密封墊1〇71之高度 可隨其不同位置而改變。 所述實把例中，进封塾1071具有大致矩形橫斷面。然 而其他實施例中，密封墊1071可具有各種其他橫斷面形 狀，如大致正方形橫斷面，大致梯形橫斷面，一個或更多 圓形外緣橫斷面，或如給定應用需要所標示之其他配置。 為了改善密封性，通常預期增加密封墊1〇71直接接觸下或 上板1002，1061或形成其上之一層之介面區域。某些實施 例中，密封墊形狀可被設計增加該介面區域。 选封墊1071可直接安置鄰接有機發光顯示器陣列 1021，而其他實施例中，密封墊1〇71係與該有機發光顯示 器陣列1021分隔若干距離。特定實施例中，密封墊1〇71 包含彼此相連環繞有機發光顯示器陣列1〇21之大致線性 片段。特定實施例中，該密封墊1〇71線性片段可大致平行 於有機發光顯示器陣列1021各邊界做延伸。其他實施例 中，一個或更多密封墊1071線性片段係以與有機發光顯示 器陣列1021各邊界非平行關係做安置。再其他實施例中， 至乂°卩分费封墊1071以曲線方式延伸於上板丨〇61及下板 1002之間。 如上述特定實施例中，密封墊1〇71係使用包含精細玻 璃微粒之玻璃原料物質或僅，’玻璃原料”來形成。玻璃原料 微粒係包含一個或更多氧化鎂(Mg0)，氧化鈣(Ca0)，氧化 鎖(BaO)，氧化鐘(Li20) ’氧化納獅2〇)，氧化鉀(&〇)，氧 化删(Β2〇3) ’乳化飢(\^〇5) ’氧化鋅(Ζη〇)，氧化碲(Te〇2)， 氧化紹(ΑΙΛ) ’二氧化矽(Si〇2)，氧化鉛(Pb〇)，氧化錫 (SnO) ’氧化鱗(p2〇5)，氧化釕(Ru2〇) ’氧化物(Rb2〇)，氧 化姥(Rh20)，氧化鐵(Fe203) ’氧化銅(QiO)，氧化鈦(Ti〇2)， 氧化鎢(WO3)，氧化鉍(Bi2〇3)，氧化銻(Sb2〇3)，鉛_硼酸鹽 玻璃，錫酸鹽玻璃，釩酸鹽玻璃，及硼矽酸鹽等。實施 例中，雖然不限制僅此，但這些微粒大小範圍從約2#瓜 至約30/zm，選擇性從約5#m至約1〇/zm。該微粒可約 為上及下板1061 ’ 1〇〇2間之距離般大’或玻璃原料密封塾 1071可接觸之這些基板上所形成之任何層。 用來形成密封墊1071之玻璃原料物質亦可包含一個 或更多填充物或添加物。可提供填充物或添加物來調整密 封墊1071之熱膨脹特性及/或調整密封墊1〇71之吸收特性 作為入射能量之頻率選擇。填充物或添加物亦可包含反向 及/或加法濾波器來調整玻璃原料之熱膨脹係數。例如，填 充物或添加物可包含如鉻(Cr)，鐵(Fe)，錳(Mn)，鈷(c〇)，' 銅(Cu)及/或釩之過渡金屬。填充物或添加物之附加物係包 含 ZnSi〇4 ’ PbTi〇3，Zr02，鋰霞石。 實施例中’ #乾式成分之玻璃原料物質係包含約20至 90wt%之玻璃微粒，而剩餘物包含填充物及/或添加物。某 些實施例中，麵原料膠包含約丨㈣爾有機物及約 17 1333391 70-90wt%無機物。某些實施例中，玻璃原料膠包含約20wt °/〇有機物及約80wt%無機物。某些實施例中，有機物包含 約〇-30wt%接著劑及約70-100wt%溶劑。某些實施例中， 有機物包含約10wt%接著劑及約90wt%溶劑。某些實施例 中’無機物包含約0-10wt%添加物，約20-40wt%填充物， 及約50-80wt%玻璃粉。某些實施例中，無機物之間約0-5wt %為添加物，約25-30wt%為填充物，而約65-75wt%為玻 璃粉。 形成玻璃原料密封墊時，係將液態物質添加至乾式玻 璃原料物質以形成玻璃原料膠。任何具有或無添加物之有 機或無機溶劑均可當作該液態物質。實施例中，該溶劑包 含一個或更多有機化合物。例如，可施加之有機化合物係 為乙基纖維素，硝基纖維素，氫氧根丙基纖維素，乙酸丁 基二甘醇酯，丁基甘醇，丙烯酸化合物。接著’因而形成 之玻璃原料膠係可被施加形成上及/或下板1〇61，1〇〇2上 之密封墊1071形狀。 一實施例中，密封墊1071形狀係最初形成自玻璃原料 膠及被插入於上板1061及下板1〇〇2之間。特定實施例中， 铂封塾1071可為預先加工或預先燒結至上板及下板 1061，1〇〇2之一上。組裝上板1〇61及下板1〇〇2與插入其 間之密封墊1071之後，密封墊1071部件係被選擇性加熱， 使至少部分形成密封墊1〇71之玻璃原料物質得以融化。接 著允許雄封塾1071再凝固形成上板1061及下板1002間之 固定節點，藉此抑制被包覆有機發光顯示器陣列1021暴露 18 於氧氣或水。 實施例中，藉由如雷射或引導紅外燈發光來選擇性加 熱玻璃原料密封墊。如上述，形成密封墊1071之玻璃原料 物質係可與一個或更多添加物或填充物，如選擇用來改善 吸收放射光之物體結合，以促進加熱及融化該玻璃原料物 質形成密封墊1071。 某些實施例中，係大量製造有機發光顯示裝置1〇11。 第8E圖所示實施例中’複數獨立有機發光顯示器陣列ι〇2ι 係形成於共用下基板1101上。所示實施例中，各有機發光 顯不器陣列1021係被成形玻璃原料環繞形成密封墊 贿。實施例令，共用上基板(無圖式)係置於共用下基板 u〇i及形成其上之結構上，使有機發光顯示器陣列1〇21 及該成形玻璃原料膠被插入共用下基板1101及共用上基板 之間。有機發光顯示器陣列1()21係經由上述單有機發光顯 示裝置包覆處理做㈣。最終產品係包含制下及上基板 保持-起之複數有機發光顯示裝置。接著，該最終產品係 被77割為複數片，其各組成第8D圖之有機發光顯示裝置 聰。特定實施例中’各有機發光顯示裝置ι〇ιι接著進一 步承又附加封裝操作，以進—錢善麵原浦封墊刪 及上及下板1〇61，1〇〇2所形成之密封。 當上基板及下基板由玻璃形成時，有機發光顯示器可 顯不牛頓(Newton)環’其係從其外部及特定反射進入之光 線1之光予干擾所創造如橢圓或同心圓之環形圖案。 第2及3圖係為依據本發明實施例之有機發光顯示器 1333391 橫斷面圖。參考第2圖，玻璃原料210係形成於等同上板 1061之密封基板200 —表面上。密封基板2〇〇係由絕緣玻 璃基板形成，而玻璃原料210係由具有強黏著力，機械強 度及化學耐久力之玻璃原料形成。玻璃原料係藉由融化具 有被選擇自包含氧化鎂(MgO)，氧化鈣(Ca〇)，氧化鋇 (BaO) ’乳化鐘(Li2〇) ’氧化鋼(Na2〇)，氧化卸(κ2〇)，氧化 硼出2〇3) ’氧化釩(V2〇5)，氧化鋅(Zn〇)，氧化碲(Te〇2)，氧 化銘(Al2〇3) ’二氧化石夕(Si02) ’氧化鉛(pbO)，氧化錫(sn〇)， 氧化磷(P2〇5) ’氧化釕(rU2〇) ’氧化铷(Rb2〇)，氧化鍺 (Rh2〇) ’氧化鐵(Fe203) ’氧化銅(CuO) ’氧化鈦(Ti〇2)，氧 化鎢(WO3)，氧化鉍(則2〇3) ’氧化銻(Sb2〇3)，鉛_硼酸鹽玻 璃，錫-罐酸鹽玻璃，釩酸鹽玻璃，及硼矽酸鹽及其組成之 群組者之玻璃，及將玻璃磨成粉來形成精細粉。 膜片220係形成於玻璃原料220之間。特定實施例中， 膜片220係由可降低光學干擾之氨基甲酸乙酯壓克力形 成。一實施例中，膜片220係具有可實質降低光學干擾， 貫質專於可形成接觸該膜片.220之一層之物質之一折射 率。一實施例中，該膜片220之折射率係從可形成接觸該 膜片220之一層之該物質約90%至110%。例如，該膜片 220之折射率係從可形成接觸該膜片22〇之一層之該物質 約 90，92，94 ’ 95，96，97，97.5，98，98.5，99，99.5， 100，100.5，101，101.5，102，102.5，103，104，105， 106 ’ 108及110%。一實施例中，膜片220係以分成薄板 方式附著至基板200。 20 1333391 接著，如第3圖顯示，有機發光二極體或像素23〇係 形成於等同下板1002之基板240上。某些實施例中，基板 240包含一薄膜電晶體，具有一半導體層，一閘極，一源 極及一汲極。有機發光二極體或像素23〇係包含一電洞注 入層，一電洞傳輸層，一電子傳輸層及一電子注入層至少 其中之一。 所述實施例中，基板240係與密封基板2〇〇校準，而 玻璃原料210係以約攝氏18〇至約350度溫度做熱加工。 例如，玻璃原料210可以雷射束放射來融化及凝固該玻璃 原料210。當密封基板200與基板240校準時，形成於密 封基板200 —表面上之膜片220係與形成於基板24〇上之 有機發光二極體230接觸。膜片220係與藉此發光之有機 發光二極體23.0之一表面接觸，藉以降低干擾圖案產生。 所述有機發光顯示器中，因為基板係使用具有強黏著 力，優異機械強度，及化學耐久度之玻璃原料來密封，所 以不需濕氣吸收物質即可保護有機發光二極體。一實施例 中，可附著降低光學干擾之附加膜片來移除干擾圖案。 第4至7圖係為依據本發明特定實施例之有機發光顯 不器橫斷面圖。首先如第4圖所示，第一電極31〇係形成 於#同下板1011之基板3〇〇上。基板3〇〇包含一薄膜電晶 體’具有-半導體層’-閘極，—源極及—沒極，而該第 一電極可由具有一高工作函數之可透IT〇或IZ〇形成。一 實施例中，有機發光二極體或像素36()係形成於第一基板 300上。有機發光二極體360係包含第一電極31〇，一電洞 21 1333391 傳輸層320，一有機發光層330，一電洞傳輸層340及一第 二電極350。一實施例中，可形成保護有機發光二極體36〇 之一無機層370。可保護有機發光二極體不受密封劑影響 之無機層370係由選自二氧化矽或氮化矽之—可透物質形 成。 接著於所述實施例中，形成環繞有機發光二極體36〇 之玻璃原料380。類似上述實施例，玻璃原料38〇係由具 有強黏著力，機械強度，及化學耐久度之玻璃原料形成。 玻璃原料係藉由融化具有被選擇自包含氧化鎂(Mg〇)，氧 化鈣(CaO)，氧化鋇(BaO)，氧化鋰(Li2〇)，氧化鈉挪2〇)， 氧化鉀(K2〇) ’氧化硼出2〇3) ’氧化饥(v2〇5)，氧化鋅(Zn〇)， 氧化碲(Te〇2)，氧化鋁(Al2〇3)，二氧化矽(Si〇2),氧化鉛 (PbO)，氧化錫(SnO)，氧化鱗(p2〇5)，氧化釕(Ru2〇)，氧化 #〇(Rb20) ’ 氧化錢(Rh2〇) ’ 氧化鐵(Fe2〇3)，氧化銅(Cu〇)， 氧化鈦(Ti〇2)，氧化鎢(w〇3)，氧化鉍(Bi2〇3)，氧化銻 (Sb2〇3)，鉛-硼酸鹽玻璃，錫_磷酸鹽玻璃，釩酸鹽玻璃， 及硼矽酸鹽及其組成之群組者之玻璃，及將玻璃磨成粉來 形成精細粉I。 接著於實施例中’可透密封劑39〇係形成於面對有機 發光二極體360之密封基板4〇〇。密封劑39〇係由可降低 光學干擾用來移除干擾ϋ案之4基甲酸乙賴克力形成。 乳基甲酸乙酯就力具有-折射率，其實f等於形成接觸 膜片220用來降低光學干擾之之一層之物質。 接著於第5圖描述實施例中，基板3〇〇及密封基板*⑽ 22 係彼此校準。一實施例中，提供紫外光遮罩410來光學及 部分加工雄、封劑390。s亥遮罩具有可使紫外光穿過之一區 域420 ’及抑制紫外光穿過之另一區域43〇。接著於第6圖 貫施例中，玻璃原料380附近形成之密封劑係藉由使用紫 外光遮罩410做加工，而其他區域形成之密封劑則不做加 工。因此，可獲得未完成品。該未完成品係沿著切割線44〇 切割，接著於一實施例中，切割線44〇附近之未加工密封 劑係被移除。參考第7圖，形成於有機發光二極體36〇上 之未加工密封劑450係被熱加工，藉以完成有機發光顯示 器。 上述有機發光顯示器中，基板係使用具有強黏著力， 優異機械強度，及化學耐久度之玻璃原料來密封，藉以提 供較佳密封效果《此外，可降低光學干擾之密封劑係被用 來移除非預期干擾圖案。因此，依據本發明之有機發光顯 示器及其製造方法，係可提供優異密封特性，保護顯示器 不受外部影響，及移除玻璃干擾圖案。 雖然本發明已參考特定實施例做說明，但熟練技術人 =應了解，只要不背離附帶申請專利範圍及其同等物中所 疋義之本發明精神及範圍，均可作各種修改及變化。 23 【圖式簡單說明】 aa it月以上及其他特徵將參考特定實施例附圖做說 明，其中： 第1圖係為有機發光顯示H橫斷面圖； 第及3圖係為依據本發明實施例之有機發光顯示器 橫斷面圖； 第4至7圖係為依據本發明實施例之有機發光顯示器 橫斷面圖； 一第8A圖係為依據一實施例之被動矩陣塑有機發光顯 示裝置簡單分解圖； 一第8B圖係為依據一實施例之主動矩陣螌有機發光顯 示裝置簡單分解圖； 第8C圖係為依據一實施例之被動矩陣漤有機發光顯 示器簡單上平面圖； 第8D圖係為沿線d-d採用之第8C圖有機發光顯示器 橫斷面圖；及 第8E圖係為描述依據一實施例大量製造有機發光顯 示裝置簡單透視圖。 【主要元件符號說明】 100、240、300、1〇〇2 基板 140、200密封基板 210、380玻璃原料 1000、1001有機發光顯示器 420可使紫外光穿過之一區域 24 1333391 430抑制紫外光穿過之另一區域 1011密封有機發光顯示裝置 1021有機發光顯示器像素陣列

110有機發光二極體 220膜片 310電極 330有機發光層 350第二電極 370無機層 400密封基板 440切割線 1004陽極 1010有機層 1014驅動電路 1018掃描線 1071密封墊 130潮濕吸收層 230像素 320電洞傳輸層 340電洞傳輸層 360有機發光二極體 390加工密封劑 410紫外光遮罩 450未加工密封劑 1006陰極 1012局部驅動電路 1016資料線 1061上板 1081包覆空間 25

Claims (1)

1333391 微 Ό· f 年月Ri修(更)正本 十、申睛專利範圍： h —種有機發光顯示器，包含： 一第一基板； 一第二基板，包含面對該第一基板之一内表面； —有機發光像素陣列，於該第一及第二基板之間形成， 該陣列包含面對該第二基板之一上表面；

-玻璃原料密封，插入於該第一及第二基板之間而 該陣列；及 -膜片結構’包含—個或更多分層膜片，其中該膜片結 構包含插入於該第二基板及該陣列間之一部件，該膜片 結構接觸該内表面及該上表面， -中4膜片結構包括_樹脂材料’其中該玻璃原料密 封包括背離該陣列的外表面，並且其中相同的樹脂形 成在該玻璃原料密封的外表面之部件上。

2·=申請專利範圍第1項之裝置，其中該膜片結構實質覆 盖該上表面的全部。 3.如申請專利範圍第1項之裝置，其中該膜片結構進一步 包含插入於該第-及第二基板之間而不插入於該陣列 及該第二基板間之一部件。 申-月專利範圍第1項之裝置，其中該陣列包含一第一 電極、—第二電極、及插人於該第-及第二電極間之一 有機發光物質’其中該第_電極具有距該第—基板之一 第-距離，而該苐二電極具有距該第一基板之一第二距 離’其中該第二距離切該第-距離，而其中該上表面 26 4. 係為該電極之一表面。 5·如申請專利範圍第1項之裝置，其中該膜片結構包含一 有機樹脂層及插入於該陣列及該有機樹脂層間之—保 護層，其中該保護層經配置以實質抑制該有機樹脂層的 組件不致擴散進入該陣列。 6.如申請專利範圍第5項之裝置，其中該保護層包含從_ 氧化矽及氮化矽所組成群組的至少其中之一。 7·如申請專利範圍第5項之裝置，其中該有機樹脂層包含 氨基曱酸乙酯樹脂。 8.如申請專利範圍第1項之裝置，其中該陣列發射穿透第 二基板之可見光。 9·如申請專利範圍第i項之裝置’其中該至少一部份媒片 結構可實質讓可見光穿透。 10. 如申請專利範圍第！項之裝置，其中該膜片結構具有小 於或實質等於該第二基板之可見光反射比。 11, 如申請專利範圍第J項之裝置，其中該膜片結構具有— 折射指數，該折射指數實質等於可形成接觸該膜片結構 之一層之物質。 12·如申請專利範圍第1項之裝置，其中該膜片結構為實質 非傳導。 13.如申請專利範圍第1項之裝置，其中該玻璃原料密封包 含—或更多物質，該物質係選自由氧化鎂（Mg0)、氧化 鈣（CaO)、氧化鋇（Ba0)、氧化鋰(Li2〇)、氧化鈉（Na2〇) ' 氧化鉀do)、氧化硼（B2〇3)、氧化釩（V2〇s)、氧化辞 1333391 (ZnO)、氧化碑（Te〇2)、氧化紹（AI2O3)、二氧化♦ (|§i〇2)、 氧化鉛（PbO)、氧化錫（SnO)、氧化磷（pa)、氧化釕 (RhO)、氧化伽(RhO)、氧化鍺（仙2〇)、氧化鐵(Fe2〇3)、 氧化銅（CuO)、氧化鈦（Ti〇2)、氧化鎢（w〇3)、氧化鉍 (Bi2〇3)、氧化録（Sb2〇3)、錯一獨酸鹽玻璃、錫—磷酸 鹽玻璃、釩酸鹽玻璃及硼矽酸鹽所組成的群組。 14· 一種製造有機發光顯示裝置的方法，該方法包含： 提供一未完成品，包含： 一第一基板， 一第二基板，其包含面對該第一基板之一内表面； 一有機發光像素第一陣列，其插入於該第一及第二基板 之間，該第一陣列包含面對該第二基板之一第一上表 面； -第-玻璃原料，插人於該第—及第二基板之間而環繞 該第一陣列； • 一有機發光像素第二陣列，插入於該第一及第二基板之 間’該第二陣列包含面對該第二基板之一第二上表面; -第二玻璃原料，插人於該第—及第二基板之間而環繞 該第二陣列；及 -第-膜片結構，包含插入於該第一陣列及該第二基板 間之-個或更多分層膜片’該第一膜片結構接觸該内表 面及該第一上表面，而該第-膜片結構至少-膜片包含 一可加工物質； -第二膜片結構’包含插人於該第二陣列及該第二基板 28 1333391 =之一個或更多分層膜片，該第二膜片結構係接觸該内 表面及該第一上表面，而該第二膜片結構至少一膜片係 包含一可加工物質； 將該未完成品切割為一第一只 罘片及第二片，其中該第一 片係包含該第-基板之—切片、該第二基板之一切片、 該第一陣列、該第—玻璃原料及該第H结構，其中 該第二片包含該第-基板之—切片、該第二基板之一切 片該第一陣列、该第二玻璃原料及該第二膜片結構； 及 加工該可加工物質。 15. 如申請專利範圍第14項之方法，其中提供該未完成品 係包含： 提供該第一基板，及於該第一基板上形成之該第一及第 二陣列； 提供該第二基板及於該第二基板上形成之該可加工物 質； 叹置該第一及第二基板，使該可加工物質位於該第一及 第二基板之間；及 將該第一及第二玻璃原料插入於該第一及第二基板之 間。 16. 如申請專利範圍第μ項之方法，其中該可加工物質接 觸該第一玻璃原料’而其中加工該可加工物質係包含首 先加工該第一玻璃原料附近之—部份該可加工物質，及 接著加工該可加工物質的剩餘物。 29 17·如申請專利範圍第16項之方法，其中加工該第一玻璃 原料附近之該部份係包含放射紫外光。 如申明專利範圍第16項之方法，其中加卫該剩餘物係 包含加熱該可加 工物質0 19·如申請專利範圍第14項之方法，其中該第一陣列係包 含-第-電極、-第二電極及插人於該第—及第二電極 間之-有機發光物質，其中該第—電極具有距該第一基 板之一第-距離，而該第二電極具有距該第―基板之一 第二距離，其中該第二距離大於該第一距離，而其中該 上表面係為該電極的一表面。