TWI323405B - Voltage regulation unit with zener diode and voltage regulation device thereof - Google Patents
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- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims description 43
- 238000013507 mapping Methods 0.000 claims description 16
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 6
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 230000011664 signaling Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010977 jade Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
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三達編號:TW3173PA 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 ·· 本發明是有關於一種利用齊納二極體(Zener Diode) 之穩壓裝置,且特別是有關於一種可節省功率損耗之利用 齊納二極體之穩壓裝置。 【先前技術】 • 請參照第1A圖,其繪示傳統之利用齊納二極體之穩 壓裝置的電路圖。致能訊號EN用以致能穩壓裝置100。時 序訊號產生單元102受到致能訊號EN之驅動產生時序訊 號CLK,而電荷泵104根據時序訊號CLK來提高輸出電壓 Vout之電壓位準驅動負載裝置110。 請參照第1B圖,其圖繪示乃第1A圖中齊納二極體106 的電流對電壓曲線圖。當齊納二極體106操作於崩潰區 時,具有特殊之電壓對電流特性曲線;此時無論流經齊納 • 二極體106之電流Iz為何,齊納二極體106兩端之跨壓 仍實質上等於齊納二極體106之崩潰電壓Vzl,使得輸出 電壓Vout實質上等於崩潰電壓Vzl,而達到穩壓之效果。 然,傳統之穩壓裝置100具有若干缺點。 穩壓裝置100無法於輸出電壓Vout達到預定之電壓 位準時終止電荷泵104之運作。而電荷泵104係不停地運 作以提升輸出電壓Vout之電壓位準,並產生輸出電流經 由齊納二極體106導入接地位準。如此,將使得穩壓裝置 100具有耗電量較高及功率使用率(Power Efficiency)較 6 1323405
三達編號:TW3173PA 低之缺點。另外,由於齊納二極體106之溫度係數不為零, 使得齊納二極體106兩端之電壓會隨著溫度之變化而改 變。齊納二極體之溫度係數例如為正數。如此,穩壓裝置 100係更具有輸出電壓Vout會隨著溫度改變而變動之缺 請參照第1C圖,其繪示乃傳統之非利用齊納二極體 之穩壓裝置的電路圖。穩壓裝置1〇係經由運算玫大器〇P1 • 之輸出電壓Vol來致能電晶體Τχ,以提升輸出電壓v〇2之 電壓位準。而穩壓裝置10更將輸出電壓V〇2迴授至運算 放大器0P1之負端,以於輸出電壓Vo2之電壓位準高於輸 出電壓VI之電壓位準時,經由運算放大器ορι非致能電 晶體Tx,並經由電流源112將輸出電壓V〇2拉低。如此, 以負迴授之方式來對輸出電壓Vo2進行穩壓。然,由於穩 壓裝置10係需設置運算放大器0P1來對輸出電壓Vo2進 行穩壓’如此,穩壓裝置10係具有電路複雜及成本較高 ®之缺點。 【發明内容】 有鑑於此,本發明係提供一種利用齊納二極體(Zener Diode)之穩壓單元及穩壓裝置,其係具有耗電量較低、使 用功率較高、電路較為簡單及成本較低之優點。 根據本發明提出一種穩壓單元,用以接收電荷泵 (Charge Pump)輸出之驅動電壓,並對驅動電壓進行穩壓。 穩壓單元包括:電流映射單元、齊納二極體及偏鮮元。 7 1323405
三達編號:TW3H3PA 電流映射單元包括電流主控端及電流從屬端。電流映射單 元用以接收驅動電壓,並根據驅動電壓於電流主控端及電 ·· 流從屬端分別產生第一電流訊號及第二電流訊號。齊納二 極體之負端耦接至電流主控端,正端接收固定電壓。齊納 二極體接收第一電流訊號’並控制驅動電壓之電壓位準實 質上等於預定電壓位準,以對驅動電壓進行穩壓。偏壓單 元用以接收第二電流訊號’並根據第二電流訊號來判斷驅 • 動電壓之電壓位準是否達到預定電壓位準,並根據第二電 流訊號產生控制訊號。其中,控制訊號係迴授至電荷泵, 以控制電荷泵產生驅動電壓。 根據本發明提出一種穩壓裝置,其中包括:電荷泵、 穩壓單元、偵測單元及時序訊號產生單元。電荷泵用以輪 出驅動電壓。穩壓單元包括:電流映射單元、齊納二極體 及偏壓單元。電流映射單元包括電流主控端及電流從屬 端。電流映射單元用以接收驅動電壓,並根據驅動電壓於 • 電流主控端及電流從屬端分別產生第一電流訊號及第二 電流訊號。齊納二極體之負端耦接至電流主控端’正端接 收固定電壓。齊納二極體接收第一電流訊號,並控制驅動 電壓之電壓位準實質上等於預定電壓位準,以對驅動電壓 進行穩壓。偏壓單元用以接收第二電流訊號’並根據第二 電流訊號來判斷驅動電壓之電壓位準是否達到預定電壓 位準,並根據第二電流訊號產生控制訊號。偵測單元用以 接收控制訊號’並根據控制訊號產生第一致能訊號。時序 訊號產生單元接收第一致能訊號,並根據第一致能訊號產 1323405
三號:TW3173PA 生時序訊號及反向時序訊號。其中,時序訊號及反向時序 訊號係輸出至電荷泵,而電荷泵根據時序訊號及反向時序 訊號產生驅動電壓。 為讓本發明之上述内容能更明顯易懂,下文特舉一較 佳實施例’並配合所附圖式,作詳細說明如下: 【實施方式】 請參照第2A圖’其繪示依照本發明較佳實施例之利 用齊納二極體之穩壓裝置的一電路圖。穩壓裝置2〇〇包括 時序訊號產生單元202、電荷泵204、穩壓單元206及偵 測單元208。時序訊號產生單元202用以接收致能訊號 EN ’並據以產生時序訊號CLK’及反向時序訊號CLKB。 電荷泵204係接收時序訊號CLK’及反向時序訊號CLKB並 據以產生輸出電壓Vout’來驅動負載裝置210。 穩壓單元206包括電流映射單元206a、齊納二極體 206b及偏壓單元206c。電流映射單元206a具有電流主控 端212a及一電流從屬端212b,電流映射單元206a接收輸 出電壓Vout’ ,並將輸出電壓Vout’作為驅動電壓,以 根據驅動電壓於電流主控端212a及電流從屬端212b分別 產生電流訊號II及電流訊號12。電流訊號π及12之電 流值係為相關。 齊納二極體206b之負端耦接至電流主控端212a,正 端接收固定電壓VB。齊納二極體206b係接收電流訊號 II,並控制輸出電壓Vout’之電壓位準實質上等於一預定 9 1323405
號:TW3173PA :壓位準’以對輸出電壓v〇ut,$行穩壓。偏壓單元· 收電流訊號12 ’並根據電流訊號12來判斷輸出電屋 ^>ut之電壓位準是否達到預定電壓位準,並根據電流訊 〜12產生控制訊號sc。在本實施例中,固定電壓w例如 為接地電=’電流訊號u及12之電流值係例如為相等。 偵測單元208接收控制訊號sc,並根據控制訊號sc 來偵測輸出電壓Vout,是否達到預定之電壓位準;若是, 偵測單元係設定致能訊號,為非致能位準並迴授致 月色訊號EN至時序訊號產生單元2Q2,使時序訊號產生單 元202停止產生時序訊號CLK,及反向時序訊號ακΒ,以 終止電荷泵204之操作。如此,係可透過訊號迴授之方式 來終止電荷泵204操作’來達到降低耗電量及提高功率使 用效率之效果。 其中,偵測單元208更接收一系統致能訊號ENS,用 以致能穩壓裝置20(^系統致能訊號ENS係例如為電壓訊 號。當系統致能訊號ENS為非致能位準時,將使致能訊號 EN’係持續地位於非致能位準,進而使時序訊號產生單元 202及電荷泵204均持續地為非致能而無法產生輸出電壓 Vout’ 。當系統致能訊號ENS為致能位準時,將使得偵測 單元208開始偵測控制訊號SC來判斷電流訊號12之電流 值,並據以對電荷泵204進行控制。 請參照第2B圖,其繪示乃第2A圖中穩壓單元206的 詳細電路圖。在本實施例中,係以電流映射單元206a為 包括兩個P型金氧半導體(Metal Oxide Semiconductor,
號:TW3173PA MOS)電晶體Τ1及Τ2之電流鏡((:urrent Μι_)為例作說 Γ山電ΒθΜΤΐ及打^分別為電流主控端212&及電流從 屬端212b’而電流訊號㈣分別為電晶體η及η =電流。電晶體T1及Τ2之閘極(Gate)係相互耦接, ;'、玉.。虹⑻亦相互輕接,以接收輸出電壓V〇ut,,汲極 (Dr in)係刀別耦接至齊納二極體2_之負端及偏壓單元 206c如此電晶體T1及T2具有實質上相等之閉極一源 極電壓。而本實施例係以電晶體Τ1及Τ2之長寬比 (Width/Length)為相等為例作說明,這樣一來,電晶體T1 及T2係具有實質上相等之源極電流,亦即是電流訊號n 及12係為實質上相等。其中,電晶體τι係例如被配置為 順向導通之二極體(DiQde),其係溫度錢侧如為負數。 在本實施例中,預定電壓位準實質上為:_剩刺, S納一極體206b係用以將輪出電壓v〇ut,之電壓值固定 為至預定電壓位準。其中Vth為電晶㈣之臨界電壓, Vzl為齊納二極體2〇6b之崩潰電壓。當輸出電壓 之電壓位準為:驗〈㈣.㈣,亦即輸出電壓乂〇以,之電壓 位準過低未達到預定電壓位準時,電晶體71及12均為截 止’而電流訊號II及12之電流值係實質上均為零。當輸 出電壓Vout之電壓位準為:%说=叫+㈣丨,亦即輸出電壓 Vout之電壓位準達到預定電壓位準時,電晶體T1及τ2 均導通並操作於飽和區。此時,電流訊號η及12之電流 值係均大於零且為實質上相等。 偏壓單元206c包括電流源214及節點ΝΤ1,電流源 1323405
三達編號:TW3173PA 214係用以輸出-偏墨電流Ιβ由節點m導入接地位準。 節點NT1之電壓係由電流訊號12及偏壓電流^所決定。 當輸出電MVout’未達到預定電M位準時,冑晶體丁2為 截止’而電流訊號12之電流值係實質上為零。此時,節 點NT1之電壓位準將被偏壓電流IB偏壓至接近接地位 準。當輸出電壓Vout’達到預定之電壓位準時,電晶體 T2係為導通涵作於姊區。㈣,電流訊號i2之電流 值係大於零,以提升節點NT1之電壓位準從接近接地位準 開始拉高至接近輸出電壓v〇ut,之電壓位準,亦即是將節 點m之電壓位準被偏壓至高電壓位準。而在本實施例 ^節點NT1之電壓更用以作為控制訊號SC,輸出至摘測 早几2 0 8。 > Μ參照第2C圖’其纷示乃第2A圖中偵測單元2〇8的 詳、、’田電路圖。本實;^例係以彳貞測單元包括電晶體T3、 丁4及T5、緩衝器216及及閘(AndGate)218之電路為例作 說明。電晶體T3之源極係接收高電壓位準Vdd,閘極接收 接地,準’如此,使得電晶體T3恒為導通,以形成一連 接至=電壓位準Vdd之路徑,來將節點ντ2之電壓位準偏 壓至高電壓位準Vdd。電晶體Τ4及Τ5係為Ν型金氧半導 體電晶體’電晶體Τ5之源極接收接地位準,跡係與電 ,體Τ4之源極輕接’閘極用以接收系统致能訊號腿。電 =體T4之及極與電晶體T3之汲極耦接,以形成節點nt2, =極接收控制訊號%。電晶體Τ4及Τ5彼此串聯以形成-地路徑’來將節·點ΝΤ2之電壓位準偏壓至接地位準,而 1323405
—達編遗:TW3173PA 此接地路徑係由控制訊號%及系統致能訊號ENS來控制。 在本實施例中’系統致能訊號ENS及致能訊號EN,之 致能位準均為高電壓位準,而非致能位準均為低電壓位 準。當系統致能訊號ENS為非致能位準時,無論控制訊號 SC之位準為何,致能訊號εν’均被控制為非致能位準。 此時穩壓裝置200係為非致能。當系統致能訊號ENS為致 能位準而控制訊號sc為高電壓位準時,系統致能訊號ENS 與控制訊號SC將分別致能電晶體T4及T5,以將節點NT2 之電壓位準拉低至接地位準,使得節點NT2之電壓位準為 低電壓位準,進而使得致能訊號EN,為非致能位準。如 此’彳貞測早元2 0 8係可根據處於向電壓位準之控制味發sc 來使致能訊號EN’為非致能位準,以經由時序訊號產生單 元202來非致能電荷泵204之操作。 當糸統致能訊號ENS為致能位準而控制訊號· sc為低 電壓位準時,控制訊號SC關閉電晶體T4,使得節點NT2 之電壓位準為高電壓位準’進而使得致能訊號en,•為致能 位準。如此’偵測單元208係可根據處於低電塵位準之控 制訊號SC來使致能訊號EN’為致能位準,以經由時序訊 號產生單元202來致能電荷泵204之操作。 時序訊號產生單元202例如為一般周知之時序訊號產 生電路’如第2D圖所示。時序訊號產生單元2〇2係接收 致能訊號EM’ ,以經由反向器將電壓位準反向之特性輸出 時序訊號CLK’及反向時序訊號CUB。而電荷泵2〇4亦例 如為一般通知之電荷泵電路,如第2E圖所示。電荷泵2〇4 13 1323405
三達編號:TW3173 PA 係接收時序訊號CLK’ 、反向時序訊號CLKB及高電壓位準 Vdd,並受到時序訊號CLK’及反向時序訊號CLKB之控制 ‘· 來產生輸出電壓Vout’ 。其中,高電壓位準Vdd係例如為 電荷泵204之輸入電壓。 負载裝置210例如為快閃記憶體(F1 ash)。輸出電壓 Vout’係用以輸入至作為快閃記憶體之資料線(Bit Line),來提供電壓將電子注入快閃記憶體記憶單元 • (Memory Cell)中電晶體之懸浮層(Floating Gate),來進 行資料寫入;或提供電壓來將電子由懸浮層吸出,來進行 資料清除。 本實施例雖僅以電流訊號II及12之電流大小實質上 相同為例作說明’然’電流訊號n及12亦可為其他任意 比例。本實施例雖僅以電流映射單元2〇以為包括兩個p 型金氧半導體電晶體T1及T2之電流鏡為例作說明,然, 電流映射單元206a並不侷限於本實施例之結構’而更可 籲為其他形式之電流鏡’例如為串疊組態(Cascode)電流 鏡’或為其他可輸出兩個電流值大小相關之電流訊號之電 路結構。本實施例雖僅以將致能訊號EN,輸入時序訊號產 生器202來間接地對電荷泵2〇4進行控制,然,本實施例 之穩壓裝置200亦可選擇具有致能訊號接腳之電荷泵gw 裝置,並將致能訊號EN,直接地輸入電荷泵204來對電荷 泵204之操作進行控制。 本實施例之利用齊納二極體之穩壓單元及穩壓裝置 係根據輸出電壓來產生兩個電流值相關之電流訊號。本實 1323405
三達編號:TW3173PA 施例之利用齊納二極體之穩壓單元及穩壓裝置係輸入其 中一電流訊號至齊納二極體,來對輸出電壓進行穩壓,並 '· 轉換另一電流訊號為控制訊號,以根據控制訊號來判斷輸 出電壓是否已達到預定之電壓位準。本實施例之利用齊納 二極體之穩壓單元更迴授控制訊號至電荷泵,以於輸出電 壓達到預定之電壓位準時非致能電荷泵。如此,本實施例 之利用齊納二極體之穩壓單元係可有效地改善傳統穩壓 • 裝置無法在輸出電壓達到預定之電壓位準時關閉電荷 泵,而具有耗電量高及功率使用效率低之缺點,而具有降 低耗電量及提高功率使用效率之優點。 另外,本實施例之利用齊納二極體之穩壓單元及穩壓 裝置係利用齊納二極體與實質上為順向偏壓之二極體之 電流主控端來將輸出電壓偏壓至預定電壓位準,而順向導 通之二極體之溫度係數為負數。如此,順向導通之二極體 更可對齊納二極體進行溫度係數之補償,以降低溫度對輸 ^ 出訊號位準之影響。這樣一來,本實施例之利用齊納二極 體之穩壓單元及穩壓裝置係可有效地解決傳統利用齊納 二極體之穩壓裝置輸出電壓易受到溫度影響而偏移之缺 點,而具有輸出電壓位準較為穩定之優點。 再者,本實施例之利用齊納二極體之穩壓單元及穩壓 裝置係以包括齊納二極體、電晶體及邏輯閘之簡單電路結 構,搭配負迴授電路之應用來達到穩壓與控制電荷泵之效 果。如此,本實施例之利用齊納二極體之穩壓單元及穩壓 裝置係可有效地改善傳統非利用齊納二極體之穩壓裝置 15 1323405
三達編號:TW3173PA 電路複雜及成本較高之缺點,而具有電路結構簡單及成本 較為低廉之優點。 綜上所述,雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上, 然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通 常知識者,在不脫離本發明之精神和範圍内,當可作各種 之更動與潤飾。因此,本發明之保護範圍當視後附之申請 專利範圍所界定者為準。 1323405
三達編號·· TW3173PA 【圖式簡單說明】 第1A圖繪示傳統之利用齊納二極體之穩壓裝置的電 路圖。 第1B圖繪示乃第1A圖中齊納二極體106的電流對電 壓曲線圖。 第1C圖繪示乃傳統之非利用齊納二極體之穩壓裝置 的電路圖。 • 第2A圖繪示依照本發明較佳實施例之利用齊納二極 體之穩壓裝置的一電路圖。 第2B圖繪示乃第2A圖中穩壓單元206的詳細電路圖。 第2C圖繪示乃第2A圖中偵測單元208的詳細電路圖。 第2D圖繪示乃第2C圖中控制訊號SC、系統致能訊號 ENS及致能訊號M’之真值表。 第2E圖繪示乃第2A圖中時序訊號產生單元202的詳 細電路圖。 【主要元件符號說明】 100、200 ··穩壓裝置 EN、EN’ :致能訊號 102、202 :時序訊號產生單元 CLK、CLK’ :時序訊號 104、204 :電荷泵
Vout、Vout’ :輸出電壓 106、206c :齊納二極體 17 1323405
三達編號:TW3173PA
Vzl :崩潰電壓 Iz:流經齊納二極體之電流 110、210 :負載裝置 206:穩壓單元 206a :電流映射單元 212a :電流主控端 212b :電流從屬端 _ II、12 :電流訊號 VB :固定電壓 206c :偏壓單元 SC:控制訊號 208 :偵測單元 ENS :系統致能訊號 CLKB :反向時序訊號 ΤΙ、T2、T3、T4、T5 :電晶體 ® Vth :臨界電壓 214 .電流源 NT1、NT2 :節點 IB .偏壓電流 Vdd :高電壓位準 216 :緩衝器 218 :及閘
Claims (1)
1323405 三Μϋ號:TW3173PA 十、申請專利範圍: 1. 一種穩壓單元,用以接收一電荷泵(Charge PumP) ·· 輸出之一驅動電壓,並對該驅動電壓進行穩壓’該穩壓單 元包括: 一電流映射單元,包括:一電流主控端及一電流從屬 端,該電流映射單元用以接收該驅動電壓,並根據該驅動 電壓於該電流主控端及該電流從屬端分別產生一第一電 • 流訊號及一第二電流訊號; 一齊納二極體,該齊納二極體之負端耦接至該電流主 控端,正端接收一固定電壓,該齊納二極體接收該第一電 流訊號,並控制該驅動電壓之電壓位準實質上等於一預定 電壓位準,以對該驅動電壓進行穩壓;以及 一偏壓單元,用以接收該第二電流訊號’以根據該第 二電流訊號來判斷該驅動電壓之電壓位準是否達到該預 定電壓位準’並根據該第二電流訊號產生一控制訊號; 籲 其中,該控制訊號迴授至該電荷泵’以控制該電荷泵 產生該驅動電壓。 2. 如申請專利範圍第1項所述之穩壓單元,其中該 控制訊號係輸入一偵測單元,該偵測單元更接收一第一致 能訊號’以根據該第一致能訊號及該控制訊號產生一第二 致能訊號。 3. 如申請專利範圍第2項所述之穩壓單元,其中該 第二致能訊號係輸入一時序訊號產生單元’該時序訊號產 生單元根據該第二致能訊號產生一時序訊號及一反向時 二麵號:TW3173PA 序訊號。 4.如申請專利範園第3項所述之穩壓單元,其中該 電荷泵接收該時序訊號及該反向時序訊號,以根據該時序 訊號及該反向時序訊號產生該驅動電壓’該電荷泵並輸出 該驅動電壓。 5·如申請專利範圍第丨項所述之穩壓單元,其中該 電荷栗更接收一輪入電壓,並根據該輸入電壓來產生該驅 • 動電壓。 6. —種穩壓裝置,包括: 一電荷泵(Charge Pump) ’用以輸出一驅動電壓; 一穩塵單元,包括: 一電流映射單元’包括:一電流主控端及一電流 從屬端,該電流映射單元用以接收該驅動電壓,並根據該 驅動電壓於該電流主控端及該電流從屬端分別產生一第 一電流訊號及一第二電流訊號; 一齊納二極體’該齊納二極體之負端耦接至該電 流主控端’正端接收一固定電壓’該齊納二極體接收該第 一電流訊號’並控制該驅動電壓之電壓位準實質上等於一 預定電壓位準,以對該驅動電壓進行穩壓;及 一偏壓單元’用以接收該第二電流訊號,並根據 該第二電流訊號來判斷該驅動電壓之電壓位準是否達到 該預定電壓位準,並根據該第二電流訊號產生一控制訊 號; 一偵測單元’用以接收該控制訊號’並根據該控制訊 20 1323405 三達編號:TW3173PA 號產生一第一致能訊號;以及 一時序訊號產生單元,接收該第一致能訊號,並根據 '· 該第一致能訊號產生一時序訊號及一反向時序訊號; 其中,該時序訊號及該反向時序訊號係輸出至該電荷 泵,該電荷泵根據該時序訊號及該反向時序訊號產生該驅 動電壓。 7. 如申請專利範圍第6項所述之穩壓裝置,其中該 • 偵測單元更接收一第二致能訊號,該偵測單元係根據該第 二致能訊號及該控制訊號產生該第一致能訊號。 8. 如申請專利範圍第7項所述之穩壓裝置,其中該 第二致能訊號係為一系統致能訊號,以致能該穩壓裝置進 行穩壓操作。 9. 如申請專利範圍第6項所述之穩壓裝置,其中該 電荷泵更接收一輸入電壓,該電荷泵係根據該輸入電壓、 該時序訊號及該反向時序訊號產生該驅動電壓。 21
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW95141418A TWI323405B (en) | 2006-11-08 | 2006-11-08 | Voltage regulation unit with zener diode and voltage regulation device thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW95141418A TWI323405B (en) | 2006-11-08 | 2006-11-08 | Voltage regulation unit with zener diode and voltage regulation device thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200821814A TW200821814A (en) | 2008-05-16 |
| TWI323405B true TWI323405B (en) | 2010-04-11 |
Family
ID=44770621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW95141418A TWI323405B (en) | 2006-11-08 | 2006-11-08 | Voltage regulation unit with zener diode and voltage regulation device thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TWI323405B (zh) |
-
2006
- 2006-11-08 TW TW95141418A patent/TWI323405B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200821814A (en) | 2008-05-16 |
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