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TWI322455B - Display device and manufacturing method of display device - Google Patents

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TWI322455B
TWI322455B TW092135862A TW92135862A TWI322455B TW I322455 B TWI322455 B TW I322455B TW 092135862 A TW092135862 A TW 092135862A TW 92135862 A TW92135862 A TW 92135862A TW I322455 B TWI322455 B TW I322455B
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TW
Taiwan
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film
sealing
display device
layer
display portion
Prior art date
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TW092135862A
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English (en)
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TW200415698A (en
Inventor
Kaoru Tsuchiya
Ryota Fukumoto
Satoshi Murakami
Hiromichi Godo
Original Assignee
Semiconductor Energy Lab
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Publication date
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Description

1322455 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關具有於電極間挾持發光材料之元件（以 下稱爲發光元件）之顯示裝置（以下稱爲顯示裝置）及其 製作方法。特別係有關使用獲得EL (電激發光體：Eiectro Lumine)之發光性材料（以下稱爲EL材料）之顯示裝置 【先前技術】 近年使用利用發光材料之EL現象之發光元件（以下 稱爲EL元件）之顯示裝置（EL顯示裝置）之開發係持續 進行中。EL顯示裝置係於發光元件本身由於具有發光能 力’故具備不用如液晶顯示器之背光；視野角更廣；對比 更高等之優點。 EL元件係於一對電極間挾持有機化合物層而藉由施 加電壓’從陰極所注入之電子及從陽極所注入之電洞係於 有機化合物層中之發光中心再結合而形成分子激勵子；其 分子激勵子於回復於基底狀態之時，將放出能量而發光。 於激勵狀態時，眾所皆知係有單層激勵與三層激勵，而發 光係可考量不論經過任一種激勵狀態都可能發光。 又於使用於EL元件之發光性材料中，雖然具有無機 發光材料與有機發光材料，但以驅動電壓較低之有機發光 材料較受囑目。 但是’於EL元件使用有機材料之有機EL元件係當 -5- 1322455 於一定期間驅動時，發光亮度、發光之均一性等之發光特 性，相較於初期係有較明顯惡化之問題。此信賴性低下之 要因係因爲限定其實用之用途。 信賴性惡化之要因之一，可舉出水分或氧等從外部侵 入有機EL元件。 於使用EL元件之EL顯示裝置（面板）中，侵入於 內部之水分係將導致嚴重之信賴性低下，且也將引起暗點 •或萎縮，或從發光顯示裝置週邊部之亮度惡化。暗點係爲 發光亮度部分的低下（也包含變得不發光者）現象；於上 部電極開洞之情況等所發生。又，萎縮係指亮度從畫素之 邊際（edge )開始惡化之現象。 具有防止如上述之EL元件之惡化之構造之顯示裝置 之開發係持續進行中。有將EL元件收納於氣密性容器中 ，且將EL元件鎖緊於密閉空間而阻斷外氣，更於其密閉 空間’從EL元件隔離而放入乾燥劑之方法（例如參照專 鲁利文件1 )。 (專利文件1 )日本特開平9 - 1 4 8 0 6 6號公報 又’也有於形成E L元件之絕緣體上形成密封材，且 使用密封材而將以覆蓋材或密封材所包圍之密閉空間，用 樹脂等所做成之充塡材而充塡，而從外部阻斷之方法（例 如參照專利文件2 )。 (專利文件2)日本特開平13-203076號公報 【發明內容】 -6- 1322455 於上述專利文件中，於形成EL元件之絕緣體上形成 密' 封材’且使用密封材而形成以覆蓋材或密封材所包圍之 密閉空間。此密封工程係由於在不活性氣體環境下進行， 且水氣或氧並非從一開始就存在很多於顯示裝置內部，故 密'封完後於顯示裝置內部僅有微量之水氣或氧存在。 亦即，成爲暗點等惡化之原因之水分係主要於密封後 進入到顯示裝置內部。同時絕緣體與覆蓋材係由於爲金屬 或坡璃之情況較多，故水氣或氧係主要從密封材進入。 於圖1顯示於專利文件2中所記載之EL顯示裝置之 上面圖。虛線所圖示之40 1爲源極側驅動電路，402爲閘 極側驅動電路，4 0 3爲畫素部，4 0 9爲F P C (可撓性印刷 電路基板）。又，404爲覆蓋材，405爲第1密封材，406 爲第2密封材。將如圖1之傳統EL顯示裝置之剖面圖圖 示於圖27(未圖示第2密封材406)。而如圖27所示， 於密封領域之領域A中，藉由密封材將E L元件密封於內 部。 上述專利文件1及專利文件2係如於圖2 7中之密封 領域中之領域A中，藉由密封材而阻斷EL元件與外部之 水分。 如專利文件1，當作爲將EL元件收納於氣密性容器 之構造時，EL顯示裝置會因容器之大小而大型化。此外 ，爲了防止因乾燥劑（放入乾燥劑之保護層）直接積層於 EL元件而產生之不良影響，而將乾燥劑與EL元件隔離而 配置，故氣密性容器係更加大型化。但是EL顯示裝置雖 1322455 大型化’但發光部分之大小係不改變。因此，無法有善利 用特意不需要背光之EL顯示裝置之所謂薄型化之優點。 更加於專利文件1之構造中，於氣密性容器內部由於藉由 乾燥劑吸取水分，故進入於氣密性容器內部之水氣接觸於 EL元件而可能導致EL元件惡化。 於專利文件2中，EL元件藉由樹脂等之充塡材而阻 斷與外部之水分之接觸，但由於仍然將密封材塗布於圖 Φ 27之領域A而製作密封空間，故難免將EL顯示裝置大型 化。 如上所述，當發光之畫素部以外之顯示裝置面積（於 圖27中之領域A)較廣大時，不發光之部分將導致增加 ，且爲了取得同面積之發光部分也必須將顯示裝置大型化 〇 爲了解決此問題，有將密封材塗布於層間膜或保護膜 等之絕緣層上之方法。將如此之EL顯示裝置圖示於圖17 •，而將端部之密封領域之邊際（edge )部分擴大之者圖示 於圖2。於圖2中，21爲基板，22爲對向基板，23爲閘 極絕緣膜，24、25爲層間膜’ 26爲配線，27爲密封材。 如圖2於密封領域中，積層基板21上之閘極絕緣膜 23、層間膜24、25及配線26 ’而於其絕緣層（積層膜） 上塗布著密封材27。當爲此構造時’可縮小於圖27中之 不發光之領域A。又’圖2爲一例子，且TFT基板側所積 層之膜之材料或積層之順序並未限定於此例子。在此做爲 其例子，能夠於玻璃基板上積層基底膜、閘極絕緣膜、保 -8- 1322455 護膜或層間膜而於最上方積層配線之構造。 但是，如圖2密封功能之密封材係於積層之膜之上之 情況，積層之所有之膜係直接與面板外部之大氣接觸。因 此，面板外部之水氣或氧係通過積層之膜而進入顯示裝置 內。更於作爲層間膜而使用如丙烯基等之透濕性高之材料 之情況，進入之水或氧將更爲增加。 水或氧係從此層間膜之丙烯基或丙烯基之上下界面進 入，於接觸孔中經由於因源極、汲極電極之成膜性之惡劣 所產生之斷線部分等，甚至進入直接與EL元件接觸之層 間膜。然後，導致引起EL顯示裝置之內部污染、電氣特 性之惡化、暗點或萎縮等種種之惡化。 因此，本發明係無須將EL顯示裝置大型化，且阻斷 使EL元件之特性惡化之原因之水氣及氧之進入而提供信 賴性高之EL顯示裝置與其製作方法爲課題。 本發明係於顯示裝置之端部之密封領域藉由構成前述 顯示裝置之膜而將顯示裝置內部與外部阻斷，爲防止顯示 裝置外部之水或氧等之污染物質進入之物。又，本說明書 中，將顯示裝置之內部與外部阻斷且保護發光元件免受到 污染物質之保護膜記載爲密封膜。 本發明之顯示裝置，係具有於一對基板間配列使用有 機發光材料之發光元件而形成之顯示部之顯示裝置；其特 徵係：前述顯示部係形成在形成於一方基板之絕緣層上； 前述一對基板係形成於前述顯示部之外側而包圍外圍，藉 由形成於前述絕緣層上之密封材而加以固定；前述絕緣層 -9- 1322455 之至少一層，係以有機樹脂材料所形成；位於前述密封材 外側之前述絕緣層之外端部，係藉由密封膜而覆蓋。 本發明之顯示裝置，係具有於一對基板間配列使用有 機發光材料之發光元件而形成之顯示部之顯示裝置；其特 徵係：前述顯示部係形成在形成於一方基板之絕緣層上； 前述一對基板係形成於前述顯示部之外側而包圍外圍，藉 由形成於前述絕緣層上之密封材而加以固定；前述絕緣層 鲁之至少一層係以有機樹脂材料而形成；前述絕緣層具有開 口部，前述開口部係藉由密封膜而覆蓋；前述密封材係與 前述密封膜相接而形成。 本發明之顯示裝置，係具有於一對基板間配列使用有 機發光材料之發光元件而形成之顯示部之顯示裝置；其特 徵係：前述顯示部係形成在形成於一方基板之絕緣層上； 前述一對基板係形成於前述顯示部之外側而包圍外圍，藉 由形成於前述絕緣層上之密封材而加以固定；前述絕緣層 鲁之至少一層係以有機樹脂材料而形成；前述絕緣層具有開 口部，前述開口部係藉由密封膜而覆蓋；位於前述密封材 外側之前述絕緣層之外端部，係藉由前述密封膜而覆蓋。 本發明之顯示裝置’係具有於一對基板間配列使用有 機發光材料之發光元件而形成之顯示部之顯示裝置；其特 徵係：前述顯示部係形成在形成於一方基板之絕緣層上； 前述一對基板係形成於前述顯示部之外側而包圍外圍，藉 由形成於前述絕緣層上之密封材而加以固定；前述絕緣層 之至少一層係以有機樹脂材料而形成；前述絕緣層具有複 -10- 1322455 數之開口部，前述複數之開口部係藉由密封膜而覆蓋；前 述密封材係與前述密封膜相接而形成。 本發明之顯示裝置，係具有於一對基板間配列使用有 機發光材料之發光元件而形成之顯示部之顯示裝置；其特 徵係：前述顯示部係形成在形成於一方基板之絕緣層上； 前述一對基板係形成於前述顯示部之外側而包圍外圍，藉 由形成於前述絕緣層上之密封材而加以固定；前述絕緣層 之至少一層係以有機樹脂材料而形成；前述絕緣層具有複 數之開口部，前述複數之開口部係藉由密封膜而覆蓋：位 於前述密封材外側之前述絕緣層之外端部，係藉由前述密 封膜而覆蓋。 於上述構造中，前述絕緣層係可設置複數開口部而以 密封膜覆蓋；亦可於顯示裝置內部中在任一部分設置開口 部。且亦可於畫素領域與週邊驅動電路領域之間密封；亦 可於密封領域密封。但是，位於前述密封材之外側之前述 絕緣層之外端部，係有必要以密封膜覆蓋。因此’當開α 部位於密封材之更爲外側時，如圖4前述外端部係亦可爲 開口部。 於上述構成中，前述密封膜係可使用由選自導電性薄 膜、絕緣性薄膜之一種、或複數種所形成之膜。做爲導電 性薄膜係可使用由選自Al，Ti，Mo’ W或Si元素之一種 、或複數種所形成之膜。做爲絕緣性薄膜係可使用由選自 氮化矽膜，氮氧化矽膜’或含氮之碳膜之一種、或複數種 所形成之膜。 -11 - 1322455 於上述構造中’前述有機樹脂材料係可使用由選自丙 稀基，聚薩I女或聚醯亞胺院基之一種、或複數種所形成之 膜。又，亦可以由矽與氧所結合而形成骨架構造之材料來 形成。做爲由矽與氧所結合而形成骨架構造之材料係可舉 出矽氧烷系聚合物做爲代表例子；更詳而言之爲由矽與氧 所結合而構成骨架構造且於取代基至少包含氫之材料；或 者於取代基具有氟’烷基或芳香族烴之中至少一種之材料 本發明之顯示裝置之製作方法，係具有於一對基板間 配列使用有機發光材料之發光元件而形成之顯示部之顯示 裝置之製作方法；其特徵係：將前述顯示部形成在形成於 一方基板之絕緣層上；前述一對基板係於前述顯示部之外 側包圍外圍而形成，藉由形成於前述絕緣層上之密封材而 加以固定；前述絕緣層之至少一層係以有機樹脂材料而形 成；藉由密封膜覆蓋形成於前述密封材外側之前述絕緣層 ♦之外端部。 本發明之顯示裝置之製作方法，係具有於一對基板間 配列使用有機發光材料之發光元件而形成之顯示部之顯示 裝置之製作方法；其特徵係：將前述顯示部形成在形成於 一方基板之絕緣層上；前述一對基板係於前述顯示部之外 側包圍外圍而形成，藉由形成於前述絕緣層上之密封材而 加以固定；前述絕緣層之至少一層係以有機樹脂材料而形 成；於前述絕緣層形成開口部，藉由密封膜覆蓋前述開口 部；將前述密封材前述密封膜相接而形成。 -12- 1322455 本發明之顯示裝置之製作方法，係具有於一對基板間 配列使用有機發光材料之發光元件而形成之顯示部之顯示 裝置之製作方法；其特徵係：將前述顯示部形成在形成於 一方基板之絕緣層上；前述一對基板係於前述顯示部之外 側包圍外圍而形成，藉由形成於前述絕緣層上之密封材而 加以固定；前述絕緣層之至少一層係以有機樹脂材料而形 成；於前述絕緣層形成開口部，藉由密封膜覆蓋前述開口 部；藉由密封膜覆蓋形成於前述密封材外側之前述絕緣層 之外端部。 本發明之顯示裝置之製作方法，係具有於一對基板間 配列使用有機發光材料之發光元件而形成之顯示部之顯示 裝置之製作方法；其特徵係：將前述顯示部形成在形成於 一方基板之絕緣層上；前述一對基板係於前述顯示部之外 側包圍外圍而形成，藉由形成於前述絕緣層上之密封材而 加以固定；前述絕緣層之至少一層係以有機樹脂材料而形 成；於前述絕緣層形成複數之開口部，分別藉由密封膜覆 蓋前述複數之開口部；將前述密封材與前述密封膜相接而 形成。 本發明之顯示裝置之製作方法，係具有於一對基板間 配列使用有機發光材料之發光元件而形成之顯示部之顯示 裝置之製作方法；其特徵係：將前述顯示部形成在形成於 一方基板之絕緣層上；前述一對基板係於前述顯示部之外 側包圍外圍而形成，藉由形成於前述絕緣層上之密封材而 加以固定；前述絕緣層之至少一層係以有機樹脂材料而形 -13- 1322455 成；於前述絕緣層形成複數之開口部’分別藉由密封膜覆 蓋前述複數之開口部；藉由前述密封膜覆蓋形成於前述密 封材外側之前述絕緣層之外端部。 於上述構造中，前述絕緣層係亦可設置複數開口部而 以封止膜覆蓋；亦可於顯示裝置內部中，以任—部分設置 開口部。亦可於畫素領域與週邊驅動電路領域之間進行密 封；亦可於密封領域進行密封。但是位於前述密封材之外 •側之前述絕緣層之外端部係有必要以密封膜覆蓋。因此當 開口部位於密封材更爲外側時，如圖4所示前述外端部亦 可爲開口部。 於上述構造中，前述密封膜亦可由選自導電性薄膜、 絕緣性薄膜之一種或複數種所形成。做爲導電性薄膜亦可 由選自Al，Ti，Mo，W或Si元素之一種、或複數種所形 成。做爲絕緣性薄膜亦可由選自氮化矽膜，氮氧化矽膜， 或含氮之碳膜之一種、或複數種所形成。 φ 於上述構造中，前述有機樹脂材料亦可由選自丙烯基 ，聚醯胺或聚醯亞胺之一種、或複數種所形成。又，亦可 以由矽與氧所結合而形成骨架構造之材料來形成。做爲由 砂與氧所結合而形成之骨架構造之材料係可舉出砂氧院系 聚合物做爲代表例子；更詳而言之爲由矽與氧所結合而構 成骨架構造且於取代基至少包含氫之材料；或者於取代基 具有氟，烷基或芳香族烴之中至少一種之材料。 如本發明藉由備有密封膜，顯示裝置之含有有機樹脂 材料之絕緣層係無法直接與顯示裝置（面板）外部之空氣 -14- 1322455 接觸。因此，可防止顯示裝置外部之水氣或氧通過包含有 吸水性之有機材料之絕緣膜等而進入顯不裝置內。藉由此 ，可防止由水氣或氧等所引起顯不裝置之內部污染、電氣 特性之惡化、暗點或萎縮等種種之惡化；亦能提高顯示裝 置之信賴性。同時，本發明係由於將構成顯示裝置之膜作 爲密封膜（保護膜）而利用，故不需增加工程數亦可製作 信賴性高之顯示裝置。 (發明效果） 藉由採用本發明之構造，可得到如以下所示之效果。 藉由備有密封膜（保護膜），顯示裝置之含有有機樹 脂材料之絕緣層係無法直接與顯示裝置（面板）外部之空 氣接觸。因此，可防止顯示裝置外部之水氣或氧通過包含 有吸水性之有機材料之絕緣膜等而進入顯Tf；裝置內。藉由 此，可防止由水氣或氧等所引起顯示裝置之內部污染、電 氣特性之惡化、暗點或萎縮等種種之惡化；亦能提高顯示 裝置之信賴性。 同時，本發明係由於同時形成與構成顯示裝置之膜爲 相同材料的膜且作爲密封膜而利用，故不需增加工程數亦 可製作信賴性高之顯示裝置。 如以上之做法所製作之顯示裝置係於顯示裝置端部之 密封領域中，由於具有阻斷污染物質之構造，故前述顯示 裝置之動作特性或信賴性係能完全發揮。然後，使用本發 明之顯示裝置之電子機器亦也能具有高信賴性。 -15- 1322455 【實施方式】 爲實施發明之最佳形態 (實施形態1 ) 本發明之實施形態係介由圖面而詳細說明。 於顯示裝置之密封領域中，積層於TFT基板上之閘 鲁極絕緣膜或層間膜或配線係爲絕緣層。於圖3中，31爲 基板、32爲對向基板' 33爲絕緣膜、34、35爲層間膜、 36爲保護膜之密封膜而37爲密封材。又’圖3之積層例 爲例子且於T F T基板側所積層之膜之材料或積層之順序 並無限定於此例子。在此’做爲其例子於玻璃基板上積層 基底膜（未圖示）’閘極絕緣膜，保護膜或層間膜而於最 上方爲密封膜之構造。 如前所述，爲了減少不發光之畫素部以外之顯示裝置 φ面積，故將密封材塗布於前述積層之絕緣層之上；且與包 含絕緣層之基板及對向基板黏接（固定）。於本實施形態 中，如圖3所示，於最上方所積層之密封膜係以與配線相 同之材料之膜且與配線同時形成；且在其之前覆蓋所積層 之基底膜（未圖示）’絕緣膜，層間膜’保護膜等之構造 〇 藉由此密封膜，層間膜等之膜係成爲不直接與顯示裝 置外部之大氣接觸。因此，可防止顯示裝置外部之水氣或 氧從層間膜等或膜與膜之間隙通過而進入顯示裝置內。藉 -16- 1322455 由此，可防止由水氣或氧等所引起顯示裝置之內部污染、 電氣特性之惡化、暗點或萎縮等種種之惡化；亦能提高顯 示裝置之信賴性。同時，本發明係由於將與構成顯示裝置 之膜爲相同材料的膜作爲密封膜而利用，故不需增加工程 數亦可製作信賴性高之顯示裝置。 阻斷水氣或氧等之密封膜由於係做爲保護膜而機能化 ，故此密封膜最好爲精密之構造。 又，密封膜係從導電性薄膜、絕緣性薄膜選出之一種 ，或亦可使用由複數種所形成之膜。做爲導電性薄膜係爲 由Al，Ti，Mo，W或Si元素選出之一種，或亦可使用由 複數種所形成之合金膜等膜。做爲絕緣性薄膜係爲由氮化 矽膜，或氮氧化砂膜，或由含氮之碳膜選出之一種，或亦 可使用由複數種所形成之膜。 同時，使用於絕緣層之有機樹脂材料係可使用丙烯基 、聚醯胺或聚醯亞胺等，並未限定於材料。又，亦可使用 由矽與氧所結合而形成骨架構造之材料。做爲由矽與氧所 結合而形成骨架構造之材料係可舉出矽氧烷系聚合物做爲 代表例子；更詳而言之’爲由矽與氧所結合而構成骨架構 造且於取代基至少包含氫之材料；或者於取代基具有氟、 烷基或芳香族烴之中至少一種之材料。 又，如圖5所示，不僅一層之密封膜，亦可設置二層 以上。此時，以有導電性之膜覆蓋時，爲了避免顯示裝置 內部之短路等，如圖5之（B )所示，必須與顯示裝置內 部領域分開而僅積層於密封領域。如此，當積層顯示裝置 -17- 1322455 端部且阻斷時，比密封膜單層更有阻斷污染物質之效果。 又，如於圖3之側面圖所示，當以密封膜覆蓋時，所 被覆之下層的膜的形狀係傾斜面爲曲率半徑呈連續變化之 形狀（平滑）時，由於係未切段上層之薄膜而加以形成， 故較爲理想。下層之膜之傾斜面之下層之膜表面並非爲平 滑之情況，於下層膜之表面上，密封膜之膜厚度將變薄而 導致損壞。於損壞之膜係無法完全阻斷污染物質而導致本 馨發明之效果減少。又，所被覆之下層膜之表面較爲平坦者 ，其重疊而形成之密封膜之覆蓋範圍佳，更能提高本發明 之效果。因此，做爲下層膜使用感光性材料再進行溼蝕刻 係由於膜表面之粗糙變較少且較爲平坦，故較爲理想。 如以上，無須增加不發光之畫素部以外之顯示裝置面 積，而就可得到阻斷成爲其惡化原因之污染物質；且信賴 性高之顯示裝置。 鲁（實施形態2 ) 本發明之實施形態係介由圖面而詳細說明。 於顯示裝置之密封領域中，積層TFT基板上之絕緣 膜或層間膜或配線成爲絕緣層。於圖4中，41爲基板、 42爲對向基板、43爲絕緣膜、44、45爲層間膜、46爲保 護膜之密封膜而47爲密封材。又，圖4之積層例爲一例 子且於TFT基板側所積層之膜之材料或積層之順序並無 限定於此例子。在此，做爲其例子，係成爲於玻璃基板上 積層著基底膜（未圖示），絕緣膜，保護膜或層間膜而於 -18- 1322455 最上方爲密封膜之構造》 如前所述，爲了減少畫素部以外之面板面積，故將密 封劑塗布於前述積層之絕緣層上；且與包含絕緣層之基板 及對向基板黏接。於本實施形態中，如圖4所示，於積層 之基底膜（未圖示），絕緣膜，層間膜，保護膜等設置開 口部，成爲於其開口部形成爲被覆所積層密封膜之膜之構 造。此密封膜係與配線爲相同材料且同時形成。 藉由此密封膜，於顯示裝置內，包含比密封膜更爲下 方之有機樹脂材料等之絕緣層係切離爲內側領域與外側領 域。顯示裝置內側領域之該等膜係不直接與顯示裝置外部 之大氣接觸。因此，將分離後之顯示裝置內之外側之絕緣 層曝露於大氣中，而顯示裝置外部之水氣或氧即使從層間 膜或膜與膜之間隙，通過外側領域之層間膜等或膜與膜之 間而進入面板內，亦藉由密封膜而受到阻斷，故無法進入 顯示裝置內部。因此，係可防止以往由水氣或氧等所引起 之顯示裝置之內部污染，電氣特性之惡化，暗點或萎縮等 種種之惡化，同時提高顯示裝置之信賴性。又，由於以與 構成顯示裝置之膜之相同材料且同時形成密封膜，故無須 增加工程數目就可提高製作顯示裝置之信賴性。 阻斷水氣或氧等之密封膜係由於做爲保護膜而使之機 能化，故此密封膜最好爲精密之構造物。 又，密封膜係可使用從導電性薄膜、絕緣性薄膜選出 之一種、或複數種所形成之膜。做爲導電性薄膜係可使用 由Al’ Ti’ Mo，W或Si元素選出之一種，或亦可使用由 1322455 複數種所形成之合金膜等膜。做爲絕緣性薄膜亦可使用由 氮化砂膜，或氮氧化砂膜，或含氮之碳膜選出之一種、或 複數種所形成之膜。 同時’用於絕緣層之有機樹脂材料，可使用丙嫌基、 聚醯胺、或是聚醯亞胺，並非限定於材料。且，即使以砂 和氧之結合而形成骨架構造之材料來形成亦可。而做爲以 矽與氧之結合而形成骨架構造之材料，係舉出以矽氧烷系 Φ聚合物爲代表例，更詳而言之，爲於以矽與氧之結合而構 成骨架構造且於取代基至少包含氫之材料，或是於取代基 具有氟，烷基，或是芳香族烴之中至少一種之材料。 另外，於面板內部以密封膜分割，且，如實施形態1 即使將面板端部覆蓋密封膜之構造亦可。多層膜即使以複 數次分割亦可，或於顯示裝置內部之中，分割任何部分亦 可。換言之，於畫素領域與周邊驅動電路電路領域之間分 割亦可，或於密封領域分割亦可。 • 絕緣層爲設置複數開口部而以密封膜覆蓋亦可，或於 顯示裝置內部之中，於任何部分設置開口部亦可。於畫素 領域與周邊驅動電路領域之間密封亦可，或以密封領域密 封亦可。但是，位於前述密封材外側之前述絕緣層之外端 部，有必要以密封膜覆蓋之。因此’開口部位於密封材更 爲外側時，如圖4所示，前述外端部即使爲開口部亦可。 且，於本實施形態之圖4上’雖然開口部形成於到達 玻璃基板，但是本發明之構造未限定於此。亦即，由於若 以密封膜覆蓋具有吸水性之有機材料之絕緣膜即可，因此 -20- 1322455 到達於可用氮化矽膜等作爲密封膜之膜而形成開口部；亦 可以密封膜覆蓋。 又，如圖5所示，不僅可設置一層密封膜，亦可設置 二層以上。於圖5(A)中，501爲基板、502爲對向基板 ·、503爲絕緣膜、504、505爲層間膜、506、508爲保護 膜之密封膜而507爲密封材。此時，以有導電性之膜覆蓋 時，爲了避免顯示裝置內部短路等，故如圖5(B)係有 必要與顯示裝置內部領域分開且僅於密封領域積層。於圖 5(B)中，511爲基板、512爲對向基板、513爲絕緣膜 、514、515爲層間膜、516、518爲保護膜之密封膜而 5 1 7爲密封材。如此，當使顯示裝置內部之分斷次數增加 ;或與覆蓋端部之構造組合；或積層顯示裝置之端部而阻 斷時，相較於密封膜單層係更能提高阻斷污染物質之效果 〇 本實施形態係可與實施形態1自由組合。 如以上，無須增加不發光之畫素部以外之顯示裝置面 積，而就可得到阻斷成爲其惡化原因之水或氧等污染物質 且信賴性高之顯示裝置。 (實施例） [實施例1] 於本實施例中，參照圖6〜圖9而說明有關主動矩陣 基板之製作方法。主動矩陣基板係雖然具有複數之TFT， 但以具有各自具有η通道型TFT及p通道型TFT之驅動 -21 - \55 電路部與畫素部之情況來進行說明。 於具有絕緣表面之基板200之上面，做爲基底膜300 ，藉由電漿CVD法形成10〜200nm之氮氧化矽膜（最好 爲50〜l〇〇nm)且積層50~200nm之氫氮氧化砂膜（最好 爲100〜150nm)。於本實施例中，藉由電漿CVD法形成 50ηπι之氮氧化矽膜及lOOnm之氮氫化矽膜；做爲基板 2〇〇係使用於玻璃基板、石英基板或矽基板、金屬基板或 不銹鋼基板之表面，形成絕緣膜之物即可。又，亦可使用 具有可承受本實施例之溫度處理之耐熱性之塑膠基板；也 可使用可撓性基板。又，做爲其基底膜係可使用2層構造 ，也可使用前述基底膜（絕緣）膜之單層膜或積層2層以 上之構造。 然後，於基底膜上形成半導體膜30 1(圖 6(A)) 。半導體膜係爲25~200nm之厚度（最好爲3〇~150nm) ，藉由周知之手段（濺鍍法、LPCVD法或電漿CVD法等 )成膜即可。雖然並無限定半導體膜之材料，但最好係以 矽或SiGe合金等所形成爲佳。於此非晶質矽膜進行使用 助長結晶化之金屬元素之熱結晶化法或雷射結晶化法。 於本實施例中，作爲半導體膜，藉由電漿CVD法形 成5 4nm非晶質矽膜。金屬元素係使用鎳再藉由溶液塗布 法導入於非晶質矽膜上。做爲導入非晶質矽膜之金屬元素 的方法，若能使該金屬元素存在於非晶質矽膜之表面或其 內部之方法’並無特別限定’例如可使用濺鍍法，CVD 法，電漿處理法（也包含電漿CVD法），吸附法，或塗 1322455 布金屬鹽之溶液之方法。其中，使用溶液之方法係較爲簡 便且也有較利於容易調整金屬元素之濃度之優點。又，此 時爲了改善非晶質半導體膜之表面濕潤性且使水溶液涵蓋 於非晶質矽膜之表面全體，最好係藉於由氧環境中之UV 光之照射、熱氧化法、含有羥基自由基之臭氧水或過氧化 氫之處理等，將氧化膜成膜。 之後’以5 00〜5 5 0 T：進行8〜20小時之熱處理，將非 晶質矽膜結晶化。於本實施例中，金屬元素係使用鎳，藉 由溶液塗布法形成金屬含有層302且導入於非晶質矽膜 3 〇 1上之後，以5 5 0 °C進行4小時之熱處理後即可得到第 1結晶性矽膜3 0 3 (圖6 ( B ) ( C ))。 其次’於第1結晶性矽膜3 03照射雷射光助長結晶化 ’可得到第2結晶性矽膜3 04。雷射結晶化法係將雷射光 照射在半導體膜。所使用之雷射係最好爲連續振動之固體 雷射或氣體雷射或金屬雷射。又，前述之固體雷射係有連 續振動之YAG雷射、YV〇4_雷射、YLF雷射、YAl〇3雷射 、玻璃雷射 '紅寶石雷射、藍紫寶石雷射' Ti :藍寶石雷 射等；前述之氣體雷射係有連續振動之Ar雷射、Kr雷射 及C〇2雷射等；而前述之氣體雷射則可舉出有連續振動之 氦鎘雷射 '銅蒸氣雷射、金蒸氣雷射。又持續發光之激分 子雷射也可適用於此。前述之雷射光束係亦可藉由非線形 光學元件變換爲諧波。使用於前述之非線形光學元件之結 晶係例如當使用所謂LBO或BBO或KDP、KTP或KB5、 CLBO時，可具有變換效率之效果之優點。將此等非線形 1322455 光學元件放入於雷射之共振器中時，可大幅度提高 率。於前述諧波之雷射中一般摻雜著Nd、Yb、Cr 種係激勵而雷射係振動。而實施者係適當選擇摻雜 類即可。作爲前述半導體膜，係有非晶質半導體膜 晶半導體膜、結晶性半導體膜等，亦可使用具有非 鍺膜，非晶質矽碳化物膜等之非晶質構造之化合物 膜。 • 如此，藉由使用微影法將所得到之結晶性半 304圖案化處理，形成半導體層305〜308。 又，形成半導體層3 05〜3 08之後，爲了控制 臨界値，亦可進行摻雜微量不純物元素（硼或磷）。 然後，形成覆蓋半導體層3 05〜3 08之閘極絕綠 。閘極絕緣膜3 09係使用電漿CVD法或濺鍍法， 做爲40〜15 Onm且以含有矽之絕緣膜來形成。於本 中，藉由電漿CVD法以115nm之厚度而形成氮氧 ^ °當然，絕閘極絕緣膜並非限定於氮氧化矽膜者， 其它絕緣膜作爲單層或積層構造而加以使用。 其次，於絕閘極絕緣膜上，形成積層膜厚20 之第1導電膜與膜厚100〜40Onm之第2導電膜。 電膜與第2導電膜係從Ta、W、Ti、Mo、Al、Cu &素或將前述之元素作爲主要成分之合金材料或化 料形成即可。 又’做爲第1導電膜及第2導電膜，亦可使用 憐等不純物元素之多結晶矽膜所代表之半導！ 變換效 等，此 劑之種 或微結 晶質砂 半導體 導體膜 TFT之 =膜 309 將厚度 實施例 化矽膜 亦可將 ~ 1 0 Onm 第1導 選出之 合物材 摻雜有 體膜或 -24- 1322455
AgPdCu合金。又，並未限定爲2層構造，例如亦可做成 依序積層膜厚50nm之鎢膜、膜厚500mn之鋁與矽之合金 (Al-Si)膜、膜厚30nm之氮化鈦膜之3層構造。又，爲 3層構造之情況時，取代第1導電膜之鎢，亦可使用氮化 鎢；取代第2導電膜之鋁與矽之合金（Al-Si )膜，亦可 使用鋁與鈦之合金膜（Al-Ti ):而取代第3導電膜之氮 化鈦膜，亦可使用鈦膜。 同時’亦可爲單層構造。又，本實施例中，於閘極絕 緣膜309上，依序積層膜厚30nm之氮化钽膜310、膜厚 370nm之鎢膜311而形成（圖7(A))。 其次，使用微影法而形成由光阻所構成之光罩 3 1 2〜3 1 6，再進行爲了形成電極及配線之第1蝕刻處理。 使用 ICP ( Inductively Coupled Plasma :感應稱合型電獎 )蝕刻法，藉由適當調節蝕刻條件（施加於線圈型之電極 之電力量、施加於基板側之電極之電力量、基板側之電極 溫度等），可將第1導電膜及第2導電膜蝕刻成所期望之 圓錐形狀。另外，做爲蝕刻用之氣體，可適當使用以Cl2 、BC13、SiCl4或CC14等爲代表的氯系氣體；以CF4、SF6 或NF3等爲代表的氟系氣體，或02。 藉由第1蝕刻處理，形成由第1導電層及第2導電層 所形成之第 1形狀之導電層 317〜321(第1導電層 317 a~321a 與第 2 導電層 317b 〜321b)(圖 7(B))。 其次，不去除由光阻劑所形成之光罩而進行第2蝕刻 處理。於此，選擇性蝕刻W膜。此時，藉由第2蝕刻處 -25- 1322455 理形成第2導電層3 22b~3 26b。另一方面，第1 322a〜326a係幾乎未經蝕刻而形成第2形狀之； 322〜326 ° 然後，不去除由光阻劑所形成之光罩而進行第 處理，且於半導體層以低濃度添加賦予n型之不純 。摻雜處理係可以離子摻雜法或離子注入法進行即 爲賦予η型之不純物元素，雖然可使用屬於15族 φ ，典型爲磷（Ρ)或砷（As)，但在此使用磷（P 種情況，導電層3 22〜3 26係成爲對於賦予η型之不 素之光罩，而自我整合地形成不純物領域3 2 7~3 3 0 純物領域3 2 7〜3 3 0，以lxlO18〜lxl〇2G/cm3之濃度 添加賦予η型之不純物元素（圖7(C))。 除去由光阻劑所形成之光罩之後，重新形成由 所形成之光罩33 la〜331c，以相較於第1摻雜處理 的加速電壓進行第2摻雜處理。摻雜處理係將第2 φ 323 b、326b做爲對於不純物元素之光罩而使用；且 導電層之圓錐部下方之半導體層摻雜添加不純物元 次，藉由第2摻雜處理減低加速電壓且進行第3摻 後可得圖8 ( A )之狀態。藉由第2摻雜處理及第 處理，於與第1導電層重疊之低濃度不純物領域 341中，以lxlO18〜5xl019/cm3之濃度範圍添加賦i 之不純物元素；而於高濃度不純物領域334、337、 ，以lxlO19〜5xl021cm3之濃度範圍添加賦予η型之 元素。 導電層 蓐電層 1摻雜 物元素 可。做 之元素 )。此 純物元 。於不 範圍， 光阻劑 爲更高 導電層 於第1 素。其 雜處理 3摻雜 3 3 5 ' ;η型 340中 不純物 -26- 1322455 當然，以適當之加速電壓，第2摻雜處理及第3摻雜 處理係以一次之摻雜處理，也可形成低濃度不純物領域及 高濃度不純物領域。 然後，去除由光阻劑所形成之光罩之後，重新形成由 光阻劑所形成之342a、342b而進行第4摻雜處理。藉由 此第4摻雜處理，於成爲p通道型TFT之活性層之半導 體層，形成添加賦予和前述一導電型不同之導電型之不純 物元素之不純物領域343、3 44、347及348。將第1及第 2導電層322、326做爲對於不純物元素之光罩而使用； 添加賦予P型之不純物元素而自我整合地形成不純物領域 。於本實施例中，不純物領域343、344、347及348係以 已使用B2H6之離子摻雜法所形成（圖8(B))。於進行 此第4摻雜處理時，形成η通道型TFT之半導體層係以 由光阻劑所形成之光罩3 42a、342b所覆蓋著。藉由第1 至第3摻雜處理，於不純物領域332、340及341中雖然 各以不同濃度添加磷，但即使於其任一領域中，將賦予P 型之不純物元素之濃度藉由摻雜處理形成 ΙχΙΟ19 ~5xl021atoms/cm3，且由於做爲p通道型TFT源極領域及 汲極領域而機能化，故不會產生任何之問題》 於以上之工程，於各半導體層形成不純物領域。 其次，除去由光阻劑所形成之光罩3 42a、342b而形 成第1層間絕緣膜3 49。做爲此第1層間絕緣膜349係使 用電漿CVD法或濺鍍法，厚度爲100〜200nm且以包含矽 之絕緣膜所形成（圖8(C))。於本實施例中，藉由電 -27- 1322455 漿CVD法形成膜厚i50nm之氮氧化矽膜。當然，第1層 間絕緣膜349並非限定於氮氧化矽膜者，亦可將包含其它 矽之絕緣膜作爲單層或積層構造而使用。 然後’爲了活性化不純物元素，而進行加熱處理、強 光照射或雷射光照射。同時，於活性化之同時，可回復對 閘極絕緣膜之電漿損耗或對閘極絕緣膜與半導體層之界面 之電漿損耗。 Φ 於第1層間絕緣膜^9上’形成由無機絕緣膜材料或 有機絕緣物材料所形成之第2層間絕緣膜3 50。於本實施 例中’雖然形成膜厚1·6μιη之丙烯酸樹脂膜，而黏度係使 用爲10〜lOOOcp，但最好爲40〜200cp之者。又，亦可使 用以矽與氧之結合而形成骨架構造之材料。做爲以矽與氧 所結合而形成骨架構造之材料係可舉出矽氧烷系聚合物爲 代表例子，更詳而言之，於由矽與氧所結合而構成骨架構 造之取代基至少包含氫之材料；或者於取代基具有氟，烷 φ基或芳香族烴之中至少一種之材料。此後，於第2層間絕 緣膜350上，形成由氮化絕緣膜（氮化矽膜或氮氧化矽膜 或含氮之碳膜（CN)爲代表）所形成的鈍化膜351。 其次，形成金屬膜，蝕刻金屬膜而形成與各不純物領 域各電氣性連接的源極電極及汲極電極及各配線（未圖示 )。金屬膜係由鋁（A1 )、鈦（Ti )、銦（Mo )、鎢（W )或矽（Si)之元素所形成之膜或也可利用使用此等之元 素之合金膜。又，於本實施例中，將鈦膜/鋁鈦合金膜/鈦 膜（Ti/ Al- Si/ Ti)各自積層成l〇〇/3 50/ 1 00nm之後，圖 -28- 1322455 案化或蝕刻成所望之形狀而形成源極電極、汲極電極3 5 2 及各配線（未圖示）。藉此，於週邊電路部1形成p通道 型TFT11' η通道型TFT 12;而於畫素部2形成η通道型 TFT13、ρ 通道型 TFT14。 於形成此配線時，基於本發明於成爲密封領域之基板 端部’與配線相同材料之膜係爲密封膜，亦可形成覆蓋下 層之膜。發光元件由於不與外部之大氣接觸即可，故端部 之密封方法係爲實施形態1或2或使用兩者之組合即可。 藉由此密封膜，層間膜等之絕緣層係變得不與顯示裝 置外部之大氣直接接觸。因此，可防止顯示裝置外部之水 氣或氧從絕緣層或膜與膜之間隙通過而進入顯示裝置內。 藉由此’可防止由水氣或氧等所引起之顯示裝置之內部污 染、電氣特性之惡化、暗點或萎縮等種種之惡化；亦能提 高顯示裝置之信賴性。同時，本發明係由於與構成顯示裝 置之膜之相同材料之膜作爲密封膜而利用，故不需增加工 程數且可製作信賴性高之顯示裝置。 其後，形成電極（EL顯示裝置之情況係成爲陽極或 陰極；液晶顯示裝置之情況係成爲畫素電極）。於電極中 ，可使用銦錫氧化物與氧化矽所形成ITSO、ΙΤΟ、Sn02 等之透明導電膜；於反射型之液晶顯示裝置之情況係可使 用A1等之金屬膜。又，於本實施例中，形成ITO膜且因 蝕刻成所望之形狀而形成電極3 5 3 (圖9 )。 藉由以上之工程，備有TFT之主動矩陣基板即完成 1322455 又’本發明中’不限於本實施例中所示之頂部閘極型 (平面型）TFT之製作方法，底部閘極型（反交錯型）或 於通道領域之上下具有介由閘極絕緣膜所配置之2個閘極 電極之雙閘極型或其它構造也可適用。 [實施例2] 於本實施例中’使用製作於實施例1所示之主動矩陣 鲁基扳時之TFT之製作方法，而說明有關製作顯示裝置之 例子。於本說明書中，所謂顯示裝置係指將於基板上所形 成之發光元件密封於該基板與覆蓋材之間之顯示用面板， 及於該顯示用面板備有TFT之顯示用模組之總稱之物。 又’發光元件係具有包含得到因施加電場而發生電激發光 體（Electro Luminescence)之有機化合物層（發光層） 、陽極層及陰極層。同時，有機化合物中之電激發光體中 ’有從單層激勵狀態回到基底狀態之時之發光（螢光）與 鲁從三層激勵狀態回到基底狀態之時之發光（磷光）。可於 本發明使用之EL材料係包含單層激勵或三層激勵或經由 兩者之激勵而發光之全部之發光性材料。 又，於本說明書中，於發光元件中，將形成於陽極與 陰極間之全部之層定義爲有機發光層。於有機發光層中具 體包含發光層，電洞注入層、電子注入層、電洞輸送層、 電子輸送層等。基本上發光元件係具有陽極層、發光層、 陰極層依序積層之構造；除此構造以外，也有陽極層、電 洞注入層、發光層、陰極層或陽極層、電洞注入層、發光 -30- 1322455 層、電子輸送層、陰極層等依序積層之構造。 圖1 1爲本實施例之顯示裝置之剖面圖。於圖 於週邊電路部 6001形成p通道型 TFT6003、η TFT6004;於畫素部6002形成η通道型TFT6005、 型TFT6006而全於密封領域6000受到密封。又， 例中，係形成爲形成有2個通道形成領域之雙閘極 但亦可爲形成有1個通道形成領域之單閘極構造或 3個之三閘極構造。 於基板700上所設置之驅動電路係使用圖9之 電路所形成。因此，構造的說明係參照η通道型 及Ρ通道型TFT12之說明即可。又，於本實施例 然係爲單閘極構造，但亦可爲雙閘極構造或參閘極 又，711係由透明導電膜所形成之畫素電極（ 件之陽極）。做爲透明導電膜係可使用氧化銦與氧 化合物、氧化銦與氧化鋅之化合物、氧化鋅、氧化 化銦。又，亦可使用於前述透明導電膜添加鎵之物 電極7 1 1係亦可於形成上述配線之前，形成於平坦 絕緣膜上。使用由樹脂所形成之平坦化膜可有效平 TFT所造成的段差。於後所形成之發光層由於非常 會有因存有段差而引起發光不良之情況。因此，儘 發光層形成爲平坦面，最好係於形成畫素電極之前 平坦化。 於形成配線701後，如圖11所示形成間隔壁 間隔壁712係將包含100~400nm之矽之絕緣膜或 1中， 通道型 P通道 本實施 構造， 形成有 CMOS TFT1 1 中，雖 _造。 發光元 化錫之 錫或氧 。畫素 之層間 坦化因 薄，而 可能將 ，事先 712 〇 有機樹 1322455 脂膜圖案化而形成即可。又，亦可使用以矽與氧之結合而 形成骨架構造之材料。做爲以矽與氧所結合而形成骨架構 造之材料係可舉出矽氧院系聚合物爲代表例子，更詳而言 之’爲由砂與氧所結合而構成骨架構造之取代基至少包含 氫之材料；或者於取代基具有氟，烷基或芳香族烴之中至 少一種之材料。 又’間隔壁7 1 2由於爲絕緣膜，故有必要注意於成膜 春時之元件之靜電破壞。於本實施例中，於成爲間隔壁712 之材料之絕緣膜中添加碳粒子或金屬粒子而減低電阻率而 抑制發生靜電。此時，使電阻率成爲1X106〜1χ1〇12Ωιη ( 最好爲1χ108~1χ101(>)且調節碳粒子或金屬粒子之添加量 艮Ρ可。 於畫素電極711上形成發光層713。又於圖11中雖 然僅圖示一畫素，但於本實施例中，分成對應於R (紅） 、G (綠）、B (藍）之各色之發光層。同時，於本實施 φ例中，藉由蒸鍍法形成低分子系有機發光材料。具體說明 之，做爲電洞注入層而設置20nm厚度之CuPc膜；而於 其上做爲發光層而設置70nm厚度之A lq3膜之積層構造。 於 Alq3 因添加喹吖 Π定酮（quinacridon)，菲（perylene) 或DCM 1等之螢光色素，故可控制發光色。 但是，以上之例子係可做爲發光層而使用之有機發光 材料之一例子，完全無必要限定於此。自由組合發光層、 電荷輸送層或電荷注入層而形成發光層（發光及爲了進行 此載子移動之層）即可。例如，於本實施例中’雖然顯示 -32- 1322455 將低分子系有機發光材料做爲發光層而使用之例子，但亦 可使用中分子系有機發光材料或高分子系有機發光材料。 又，於本說明書中，不具有昇華性且將分子數爲20以下 或連鎖之分子之長度爲ΙΟμηι以下之有機發光材料作爲中 分子系有機發光材料。同時，做爲使用高分子系有機發光 材料之例子，做爲電洞注入層藉由旋轉塗布法設置2 〇nm 之聚唾吩（PEDOT)膜；於其上亦可做爲發光層而設置大 約100 nm之聚對苯乙烯（PPV)膜之積層構造。又，當使 用PPV之π共軛系高分子時，從紅色到藍色可撰擇發光 波長。又，做爲電荷輸送層或電荷注入層也可使用碳化砂 等之無機材料。此等之有機發光材料或無機材料係可使用 爲周知之材料。 其次，於發光層713上設有由導電膜所形成之陰極 7 1 4。本實施例之情況，係將鋁與鋰之合金膜做爲導電膜 加以使用。當然亦可使用周知之Mg Ag膜（鎂與銀之合金 膜）。可將由屬於週期表之1族或2族之元素所形成之導 電膜或添加此等元素之導電膜做爲陰極材料而加以使用即 可 〇 於形成此陰極714之時，即完成發光元件715。又， 在此所謂發光元件715係指於畫素電極（陽極）711、發 光層713及陰極714所形成之二極體。 設置鈍化膜可有效完全覆蓋發光元件715(未圖示） 。而做爲鈍化膜，有由含有碳膜、氮化砂膜、含氮之碳膜 (CN)或氮氧化矽膜之絕緣膜所形成，且可將該絕緣膜 -33- 1322455 於單層或已組合之積層所使用。 此時，最好係將覆蓋範圍良好之膜作爲鈍化膜 ，而使用碳膜、特別係DLC膜係較有效。DLC膜 室溫到1 〇〇 °C以下之溫度範圍內成膜，故於耐熱性 發光層713之上方亦可輕易成膜。同時，DLC膜係 之阻隔效果較高，故可抑制發光層713之氧化。因 其後進行持續之密封工程時，係可防止發光層7 1 3 春之問題。 更於鈍化膜（未圖示）上設置密封材7 1 7且貼 材720。做爲密封材7 1 7係使用紫外線硬化樹脂即 於內部設有具有吸水效果之物質或具有防止氧化效 質也有其效果。又，本實施例中，覆蓋材720係使 璃基板或石英基板或塑膠基板（也包含塑膠薄膜） 性基板之兩面，形成碳膜（最好係爲DLC膜）之 碳膜以外，也可使用鋁膜（A10N、AIN、A10等） #等。 如此一來，係完成如圖11所示之顯示裝置之 又，於形成間隔壁712之後，使用多腔室方式（或 式）之成膜裝置，而無須解放大氣地連續處理至形 膜（未圖示）前之工程係較爲有效。同時，更使之 貼附覆蓋材720之工程也可無須解放大氣地連續處 更於閘極電極設置介由絕緣膜而重疊之不純物 藉此可形成不易因熱載子效果而產化惡化之η通道 。因此’可實現信賴性較高之顯示裝置。
而使用 係可在 較低之 對於氧 此，於 氧化等 附覆蓋 可：而 果之物 用於玻 或可撓 物。於 、SiN 構造。 平行方 成鈍化 發展到 理。 領域， 型TFT -34- 1322455 又，於本實施例中，雖然僅顯示畫素部與驅動電路之 構造，但若遵照本實施例之製造工程，可將其它如信號分 割電路、D/A轉換器、運算放大器、r修正電路等之邏輯 電路形成於同一絕緣體上：更也可形成記憶體或微處理器 〇 於本實施例中，於形成配線時，基於本發明於成爲密 封領域之基板端部形成使用與配線相同材料之密封膜718 。密封膜係形成更能覆蓋（被覆）下層之膜。絕緣層、特 別係含有具有吸水性之有機材料之絕緣膜係由於不接觸外 部之大氣即可，而端部之被膜、阻斷之方法並未限定於圖 1 1之構造，係爲實施形態1或2或使用兩者之組合即可 。因此，於積層於比配線更上層之畫素電極、間隔壁、鈍 化膜、陰極等，亦可覆蓋面板之端部；而即使於2層以上 覆蓋其膜係亦可爲和任一膜之組合。 又，如圖4所示於開口部形成密封膜，將下層之膜於 顯示裝置內切離爲內側領域與外側領域而防止污染物質之 進入之構造也可。於圖20顯示著：藉由與配線同時且同 材料所形成之密封膜，覆蓋顯示裝置端部之絕緣層呈現剝 離之部分，且以同密封膜覆蓋形成於絕緣層之開口部之構 造。於圖20中，9000爲密封領域、900 1爲週邊電路部' 9002爲畫素部、9003、9006爲p通道型TFT、9004、 9005爲n通道型TFT、2000爲基板、2001爲配線、2011 、2014爲電極（陽極或陰極）、2012爲間隔壁、2013爲 發光層、2015爲發光元件、2018爲開口部、2019爲覆蓋 1322455 開口部2018與側端部之密封膜（保護膜）、2017爲密封 材。以具有導電性之膜覆蓋時，爲了避免顯示裝置內部之 短路等，如圖5(B)所示，有必要與顯示裝置內部領域 分斷且僅於密封領域積層。又，如圖4所示，當將密封膜 作爲積層構造而阻斷時，相較於單層密封膜更有阻斷污染 物質之效果。於圖21係顯示做爲密封膜而使用與配線同 材料之膜及與I TO同材料之膜之積層構造之例子。於圖 ® 21中，9500爲密封領域、9501爲週邊電路部、9502爲畫 素部 ' 9503、9506 爲 p 通道型 TFT、9504' 9505 爲 η 通 道型TFT、2100爲基板、2101爲配線、2111、2114爲電 極（陽極或陰極）、2112爲間隔壁、2113爲發光層、 21 15爲發光元件、21 18爲開口部、21 19a、21 19b爲覆蓋 開口部2 1 1 8與側端部之密封膜（保護膜）、2 1 1 7爲密封 材。 又，即使將構成顯示裝置之膜，任意組合任一膜且做 •爲密封膜而加以利用，也無須增加工程數即可製作信賴高 之顯示裝置。但是，作爲密封膜，形成於最外側且曝露於 含有外部水分或氧等之外部氣體之密封膜係有必要爲可阻 斷水分或氧等之精密之膜。又，於圖20、圖21中，密封 材係雖然形成於密封膜之一部分，但亦可形成覆蓋密封膜 全部。 對具有傳統構造之顯示裝置與具有使用本實施例之構 造之顯示裝置進行信賴性評估。又，於密封膜使用與配線 同樣之材料之膜而形成爲實施形態1之構造。 -36- 1322455 信賴性之評估係以溫度65°C、濕度95%保存190個 小時而調查發光亮度之變化。於圖1 5顯示具有傳統構造 之顯示裝置於以上各條件保存1 90個小時後之發光樣子。 於圖16顯示具有使用本實施例之構造之顯示裝置於以上 各條件保存1 9 0個小時後之發光樣子。圖1 5及圖1 6之照 片係爲各發光時之畫素領域內之9個地點之發光樣子。 從圖15可知，於具有傳統構造之顯示裝置中，從顯 示裝置端部往中心部，非發光之領域係擴大著。此爲如前 所述稱爲萎縮之惡化，係由於水氣或氧等之污染物質進入 於顯示裝置所致。與其相較之下，於圖16中幾乎看無此 種之惡化。此意味爲藉由本發明，水氣或氧等之污染物質 受到阻斷而無法進入顯示裝置內部。 於具有本實施例之構造之顯示裝置中，藉由此密封膜 ，層間膜等之膜係變得無法直接與顯示裝置外部之大氣接 觸。因此，可防止顯示裝置外部之水氣或氧從層間膜等或 膜與膜之間隙通過而進入顯示裝置內。藉由此，可防止由 水氣或氧等所引起顯示裝置之內部污染、電氣特性之惡化 、暗點或萎縮等種種之惡化：亦能提高顯示裝置之信賴性 。同時，本發明係因將與構成顯示裝置之膜之同材料之膜 作爲密封膜而利用，故不需增加工程數，亦可製作信賴性 高之顯示裝置。 如以上所述而製作之顯示裝置係於顯示裝置端部之密 封領域中，由於具有阻斷污染物質之構造，故能充分得到 前述顯示裝置之動作特性與信賴性。然後，如此之顯示裝 -37- 1322455 置係可做爲各種電子機器之顯示部而使用。 [實施例3] 本實施例係於實施例2中所製作之顯示裝置中，使用 圖1 〇而進行說明密封膜構造不同之例。因此，與實施例 2同樣構造之部分係以實施例2之方法製作即可。 即使係本實施例，也與實施例2相同，使用製作於實 鲁施例1所示之主動矩陣基板時之TFT之製作方法，而製 作顯示裝置。 圖10爲本實施例之顯示裝置之剖面圖。於圖10中， 5 000爲密封領域、500 1爲週邊電路部、5002爲畫素部、 5003、5006爲p通道型TFT、5004、5005爲η通道型 TFT、1000爲基板、1001爲配線、1〇11、1〇14爲電極（ 陽極或陰極）、1012爲間隔壁（bank) 、1013爲發光層 ' 1015爲發光元件、1018爲開口部、1〇19爲覆蓋開口部 • 與側端部之密封膜（保護膜）、1017爲密封材。 於本實施例中，電極1011係由透明導電膜所形成》 做爲透明導電膜係可使用氧化鍋與氧化錫之化合物、氧化 銦與氧化鋅之化合物、氧化鋅、氧化錫或氧化銦。又，於 前述透明導電膜，亦可使用添加鎵之物。 如圖10所不，於形成電極1011時，於源極電極、汲 極電極之上亦可將與電極1011同材料之膜做爲密封膜而 加以形成。於源極電極、汲極電極之下之層間絕緣膜，係 可使用非感光性丙烯基或感光性丙烯基、無機材料。於由 -38- 1322455 非感光性聚丙烯基或無機材料所形成之層間膜，將接觸孔 開洞時，有必要使用乾蝕刻。藉由乾蝕刻之蝕刻將導致於 蝕刻之剖面產生凹凸；且有可能使源極電極、汲極電極之 成膜性降低。如圖1 〇所示，於源極電極、汲極電極藉由 形成密封膜，且由於源極電極、汲極電極之成膜性不良而 有可能產生斷線部分（膜之洞）等，故可阻斷水氣或氧氣 之進入。因此，也可防止EL顯示裝置因水氣或氧氣所造 成之惡化。 於發光層1013上設置由導電膜所形成之電極1〇14。 本實施例之情況，可將鋁與鋰之合金膜作爲導電膜而加以 使用。當然，亦可使用周知之MgAg膜（鎂與銀之合金膜 )。可將由屬於週期表之1族或2族之元素所形成之導電 膜或添加此等元素之導電膜做爲陰極材料而使用即可。 本實施例中，形成於發光層1013上所設置之陰極時 ，以與電極1014爲同材料而形成密封膜1〇19。形成到達 基板之開口部1018且形成如覆蓋其開口部之密封膜1〇19 。將兼陰極與密封膜之機能之導電膜接續成膜到週邊電路 之外側’藉由保護內部之EL元件或TFT，即使水氣或氧 通過密封材或曝露於外部空氣之丙烯基等之層間膜而進入 ’藉由本發明之密封膜，係可阻斷其等之物。也因此， EL顯示裝置係可防止因水氣或氧所造成之惡化。同時， 密封膜1019係亦可與電極1〇14連接，也可使用光罩等分 離而形成。 於本實施例中，雖然將與陰極同材料之膜作爲密封膜 1322455 而使用’但於陰極（第2電極）上形成鈍化膜 與鈍化膜同行程且同材料形成密封膜。 本實施例係可組合實施形態1、2、實施必 亦可將其等複數組合使用。 [實施例4 ] 於本實施例中’於以實施例2或實施例3 •顯示裝置中，以圖18說明畫素電極與源極、 接續構造、密封膜之構造係不同之例。於圖1 爲密封領域、8 00 1爲週邊電路部、8002爲畫 、8006 爲 p 通道型 TFT、8004、8005 爲 η 通 11 〇 〇爲基板、11 0 1爲配線、1111、11 14爲電 陰極）、1112爲平坦化層、1113爲發光層、1 元件、1 1 1 6爲間隔壁、1 1 1 8爲開口部、1 1 1 9 部1 1 1 8與側端部之密封膜（保護膜）、！丨丨7 f 0 如圖1 8所示，於源極電極及汲極電極之g ’設置平坦化層1 1 1 2 ;於其平坦化層1 1 1 2 1111°此時，平坦化層1112可爲無機絕緣膜 機絕緣膜。當使用平坦化層時，更可有效提高 平坦化層1112中，可使用非感光性丙烯基或 基、無機材料等。同時，亦可使用由矽與氧所 骨架構造之材料。做爲由矽與氧所結合而形成 材料係可舉出矽氧烷系聚合物爲代表例子，更 於由矽與氧所結合而構成骨架構造，在取代基 ，且亦可以 1、2，或 中所製作之 汲極電極之 8 中，8000 素部、8003 道型TFT、 極（陽極或 1 1 5爲發光 爲覆蓋開口 I密封材。 ]線1 1 0 1上 上設有電極 ，亦可爲有 平坦性。於 感光性丙烯 結合而形成 骨架構造之 詳而言之， 至少包含氫 -40- 1322455 之材料；或者於取代基具有氟，烷基或芳香族烴之中之至 少一種之材料。 使用平坦化膜係可有效平坦因TFT所造成之段差。 於後所形成之發光層由於非常薄，故會有因存有段差而引 起發光不良的情形。因此，爲了儘可能將發光層形成爲平 坦面，故最好係於形成電極（畫素電極）之前，事先平坦 化。 於發光層1113之上設置由導電膜所形成之電極1114 。本實施例之情況，可將鋁與鋰之合金膜作爲導電膜而加 以使用。當然，亦可使用周知之Mg Ag膜（鎂與銀之合金 膜）。可將由屬於週期表之1族或2族之元素所形成之導 電膜或添加此等元素之導電膜做爲陰極材料而使用即可。 本實施例中，形成於發光層1113上所設置之電極 1114時’以與電極1114爲同材料而形成密封膜1119。形 成到達基板之開口部Η 1 8且形成如覆蓋其開口部之密封 膜1119。將兼陰極與密封膜之機能之導電膜連續成膜到 週邊電路之外側，藉由保護內部之EL元件或TFT，即使 水氣或氧通過密封材或曝露於外部空氣之丙烯基等之層間 膜而進入；藉由本發明之密封膜，係可阻斷其等之物。也 因此’可防止EL顯示裝置因水氣或氧所造成之惡化。同 時’密封膜1119係亦可與電極1114連接，也可使用光罩 等分離而加以形成。 於本實施例中’雖然將與陰極同材料之膜作爲密封膜 而使用’但於陰極（第2電極）上，形成鈍化膜且亦可以 -41 - 1322455 與鈍化膜同行程且同材料形成密封膜。 又，此平坦化層係於週邊電路等無須平坦化之地方， 將有吸水性之丙烯基等作爲材料而使用之情況，由於可能 導致形成水氣之通道，故也可有效去除。但爲了防止去除 時之藉由乾蝕刻等而對電漿等之膜所造成之損壞；若爲不 去除平坦化層之情況’可使用與前述電極、鈍化膜同材料 之密封膜而如實施形態1，被覆絕緣層外端部即可。 於本實施例中’關於EL顯示裝置之情況雖然適用密 封構造，但即使於具有使用實施例1或本實施例之平坦化 膜之構造之液晶顯示裝置中，本發明之密封構造也可適用 。此種情況’使用本發明之密封構造而製作顯示部係使用 液晶而非發光元件之顯示裝置即可。 本實施例係可使用實施形態1、2或亦可組合實施例 1、2、3 ’或亦可將其等複數組合使用。 Φ [實施例5 ] 適當使用本發明而可製作各種顯示裝置（主動矩陣型 顯示裝置）。亦即’可將本發明適當使用於將其等之顯示 裝置安裝於顯示部之各種之電子機器。 作爲其各種之電子機器係可舉例有影像攝影機、數位 相機、投影機、頭罩式顯示器（擋風眼鏡型顯示器）、汽 車衛星定位器、汽車音響、個人電腦、攜帶資訊終端機（ 行動式電腦、手機或電子書等）等。其等之例子係顯示於 圖12'圖13及圖14。 -42- 1322455 圖12(A)爲個人電腦，係包含本體3〇(H、畫像輸 入部3002、顯示部3003、鍵盤3004等。藉由本發明而製 作之顯不裝置由於適用於顯示部3003，故可完成本發明 之個人電腦。 圖12(B)爲影像攝影機’係包含本體31〇ι、顯示部 3102、聲音輸入部3103、操作開關3104、電池3105、受 像部3106等。藉由本發明而製作之顯示裝置由於適用於 顯示部3102’故可完成本發明之影像攝影機。 圖12(C)爲行動式電腦（行動電腦），係包含本體 3201、相機部3202、受像部3203、操作開關3204、顯示 部3205等。藉由本發明而製作之顯示裝置由於適用於顯 示部3205，故可完成本發明之行動式電腦。 圖12(D)爲擋風眼鏡型顯示器，係包含本體3301 、顯示部3302、鏡架部3303等。顯示部3302係將可撓 性基板做爲基板而使用；彎曲顯示部3302而製作擋風眼 鏡型顯示器。同時亦可實現較輕且薄之擋風眼鏡型顯示器 。藉由本發明而製作之顯示裝置由於適用於顯示部3302 ，故可完成本發明之擋風眼鏡型顯示器。 圖12(E)爲使用記錄程式之記錄媒體（以下稱爲記 錄媒體）之播放器，係包含本體3401、顯示部34〇2、揚 聲器部3403、記錄媒體3 404、操作開關3405等等。又， 此播放器係做爲記錄媒體，使用DVD (Digital Versatile Disc) 、CD等，也可實用於欣賞音樂或電影或遊戲或網 際網路。藉由本發明而製作之顯示裝置由於適用於顯示部 -43- 1322455 3 4 02 ’故可完成本發明之記錄媒體。 圖12 (F)爲數位相機’係包含本體35〇1、顯示部 3 5 02、接眼部3503、操作開關3 504、受像部（未圖示） 等。藉由本發明而製作之顯示裝置由於適用於顯示部 3502，故可完成本發明之數位相機。 圖1 3 ( A )爲前置型投影機，係包含投射裝置3 6〇 1 、螢幕3 6 02等。藉由本發明而製作之顯示裝置由於適用 馨於構成投射裝置3601之一部分之液晶顯示裝置3808或其 他之驅動電路’故可完成本發明之前置型投影機。 圖13(B)爲背型投影機，係包含本體3701、投射裝 置3702、鏡片3703、螢幕3704等。藉由本發明而製作 之顯示裝置由於適用於構成投射裝置3702之一部分之液 晶顯示裝置3 808或其他之驅動電路，故可完成本發明之 背型投影機。 又，圖13(C)爲顯示於圖13(A)及圖13(B)中 鲁之投射裝置360 1、3 702之構造之一例圖。投射裝置3 60 1 、3702係由光源光學系3801、鏡片3802、3804〜3806、 分色鏡3803、稜鏡3807、液晶顯示裝置3808、相位差板 3 809、投射光學系3810所構成。投射光學系3810係由具 有投射透鏡之光學系所構成。本實施例雖然顯示三板式之 例子，但無特別限定，例如亦可爲單片式。又，於圖13 (C)中，實施者亦可適當於以箭頭所指示之光路，設置 光學透鏡或具有偏光機能之薄膜或爲了調節相位差之薄膜 、IR薄膜等之光學系。 -44- 1322455 3 80 1 係由 光變 D ) f 實施 機能 系。 之光 適用 3902 天線 顯示 、顯 天線 顯示 、顯 製作 4103 示部 又，圖13(D)爲顯示於圖13(C)中之光源光學系 之構造之一例圖。於本實施例中，光源光學系3 80 1 反射物3 8 1 1、光源3 8 1 2、透鏡陣列3 8 1 3 ' 3 8 1 4、偏 換元件3815、聚光透鏡3816所構成。又，於圖13( 斤示之光源光學系係爲一例子且無特別限定。例如， 者亦可適當於光源光學系，設置光學透鏡或具有偏光 之薄膜或爲了調節相位差之薄膜、IR薄膜等之光學 但於圖1 3中所示之投影機中，係顯示已使用透過型 電裝置之情況；而反射型之光電裝置及顯示裝置中之 例子係未圖不。 圖14 ( A )爲手機，具備本體3 90 1、聲音輸出部 、聲音輸入部3903、顯示部3904、操作開關3905、 3 906等。藉由本發明而製作之顯示裝置由於適用於 部39 04，故可完成本發明之手機》 圖14(B)爲攜帶式書籍（電子書），具備本體4001 示部4002、4003、記憶媒體4004 '操作開關4005、 4006等。藉由本發明而製作之顯示裝置由於適用於 部4002、4003,故可完成本發明之攜帶式書籍。 圖14(C)爲顯示器，具備本體4101、支持台4102 示部41〇3等。顯示部4103係由於使用可撓性基板而 ’故可實現較輕且薄之顯示器。同時也可能使顯示部 彎曲。藉由本發明而製作之顯示裝置由於適用於顯 4 103，故可完成本發明之顯示器。
-45- 1322455 如以上所述，本發明之適用範圍係極爲廣泛，也可適 用於各種領域之電子機器。 [實施例6] 於本實施例中，於以實施例2或實施例3中所製作之 顯示裝置中，以圖20、圖2 1說明密封膜之構造爲不同之 例子。 Φ 於圖20中’2000爲基板、2001爲配線、2011爲電 極（陽極或陰極）、2013爲發光層、2014爲電極（陽極 或陰極）、2115爲發光元件、2017爲密封材。於圖20中 ，以與配線200 1爲同行程、同材料而形成密封膜20 1 9 ° 於密封領域形成到達基板2000之開口部2018 ;藉由密封 膜2019覆蓋開口部2018且顯示裝置端部之絕緣層係覆蓋 呈現剝離部分之構造。 於圖21中，2100爲基板、2101爲配線、2111爲電 φ 極（陽極或陰極）'2113爲發光層、2114爲電極（陽極 或陰極）、2115爲發光元件、2117爲密封材。於圖21中 ，使用與配線2 101同材料而形成密封膜2119a和與畫素 電極21 1 1同材料所形成之密封膜21 19b。密封膜21 19a、 2119b係可於與各配線2101、畫素電極2111同行程且同 時形成。於密封領域形成到達基板2100之開口部2118; 藉由密封膜2119a、2119b覆蓋開口部2118且顯示裝置端 部之絕緣層係覆蓋呈現剝離部分之構造。 於本實施例中，雖然將密封領域之開口部21 1 8到達 -46- 1322455 於基板而加以形成，但也可到達精密之基底膜。由於於成 爲水氣通道之親水性之膜形成開口部即可，故開口部之形 成深度係適當設定即可。本實施例係爲本發明之一例子， 本發明係不限定於本實施例。 藉由本發明，即使水氣或氧通過密封材或曝露於外部 空氣之丙烯基等之層間膜或平坦化層2012而進入；藉由 密封膜，由於可阻斷水氣或氧，因此可保護顯示裝置內部 之EL元件或TFT。也因此，EL顯示裝置係可防止因水氣 或氧所造成之惡化。又如圖21所示，當複數積層密封膜 時，更可提高阻斷水氣等之污染物質能力。 製作本發明之顯示裝置而進行信賴性之評估。信賴性 之評估係以溫度65°C、濕度95%保存約500個小時而調 查發光亮度之變化。將於圖23顯示具有本實施例圖20之 構造之顯示裝置及於圖24具有圖21之構造之顯示裝置， 分別以上列條件保存5 00個小時後之發光樣子。圖23及 圖24之照片係爲各發光時之畫素領域內之9個地點之發 光樣子。 藉由圖23之密封膜而保護EL元件或TFT之物，雖 然從右上、左下之角落開始有些亮度惡化產生，但並無嚴 重之惡化。又，更於圖24之將密封膜作爲積層構造之物 中，幾乎無此種之惡化。此意味著，藉由密封膜覆蓋開口 部與端部，水分係受到多重之阻斷，更加無法進入顯示裝 置內部。同時，可確認更由於複數積層密封膜，故可提高 阻斷能力且可防止顯示裝置之惡化。 -47- 1322455 於本發明之顯示裝置中，藉由密封膜，層間膜等 係變得無法直接與顯示裝置外部之大氣接觸。因此， 止顯示裝置外部之水氣或氧從層間膜等或膜與膜之間 過而進入顯示裝置內。又，藉由密封膜，可防止由水 氧等所引起顯示裝置之內部污染、電氣特性之惡化、 或萎縮等種種之惡化；亦能提高顯示裝置之信賴性。 ，本發明係因將與構成顯示裝置之膜之同材料之膜作 隹封膜而加以利用，故不需增加工程數亦可製作信賴性 顯示裝置。 [實施例7] 於本實施例中，使用圖1、圖19、圖2 2及圖2 5 示回繞顯示裝置端部之配線配置之不同之顯示裝置。 於圖1中，於41 1之部分，畫素部之配線係接 FPC (可撓性印刷電路基板）。且將4 1 1部分之擴大 鲁示於圖19。圖19爲傳統之配線配置，1901爲陰極、 爲第1陽極、1903爲第2陽極、1904爲第3陽極。 統之配置中，最外圍之配線之陰極1 90 1係於最內 FPC之接續部分。因此，於最外圍之配線中，無法完 蓋顯示裝置之端部。也因此，水分等係從其之間隙進 無法完全防止顯示裝置之惡化。 本發明之顯示裝置之配線配置係顯示於圖22。 FPC之接續存在於裝置之最爲外側之第1陽極1902 於最外側而將陰極1 90 1配置於內側。藉此，最外圍 之膜 可防 隙通 氣或 暗點 同時 爲密 高之 ，顯 續於 圖顯 1902 於傳 部有 全覆 入而 將與 配置 之配 -48 - 1322455 線係除了與FPC接續部分以外，可無間隙地完全覆蓋顯 示裝置端部而可完全阻斷水分。 又，配線之配置之最外圍之配線係於最外側接續於其 它之FPC等之配線即可；而配線之種類或極性、數等係 適當設定即可。 以圖22之配線配置，製作具有圖20之構造之顯示裝 置且進行信賴性之評估。信賴性之評估係以溫度65 °C、 濕度95%保存約5 70個小時而調查發光亮度之變化。於圖 25顯示將具有圖20與圖22之構造之顯示裝置，以上列 條件保存500個小時後之發光樣子。圖23及圖24之照片 係爲各發光時之畫素領域內之9個地點之發光樣子。 如圖25所示，雖然從左邊上下可看出有些萎縮之亮 度惡化產生，但幾乎無惡化。又，更於圖23之配線之配 置係當與圖19之傳統之物比較時，惡化之程度較輕微。 因此’藉由本發明係可確認提高防止顯示裝置之惡化之效 果。 藉由本發明之構造，可防止由水氣或氧等所引起顯示 裝置之內部污染、電氣特性之惡化、暗點或萎縮等種種之 惡化：且更能提高顯示裝置之信賴性。 【圖式簡單說明】 圖1爲傳統之顯示裝置之上面圖。 圖2爲顯圖示傳統之構造圖。 圖3爲顯示本發明之構造圖。 · -49- 1322455 圖4爲顯示本發明之構造圖。 圖5爲顯示本發明之構造圖。 圖6爲顯示主動矩陣基板之製作工程之剖面圖。 圖7爲顯示主動矩陣基板之製作工程之剖面圖。 圖_ 8爲顯示主動矩陣基板之製作工程之剖面圖。 圖9爲主動矩陣基板之剖面圖。 圖1 0爲本發明之顯示裝置之剖面圖。 圖11爲本發明之顯示裝置之剖面圖。 圖12爲顯示顯示裝置之例子圖。 圖13爲顯示顯示裝置之例子圖。 圖14爲顯示顯示裝置之例子圖。 圖1 5爲顯示傳統之顯示裝置之信賴性評估結果圖。 圖1 6爲顯示本發明之顯示裝置之信賴性評估結果圖 圖17爲傳統之EL顯示裝置之剖面圖。 圖1 8爲本發明之顯示裝置之剖面圖。 圖19爲傳統之顯示裝置之上面圖。 圖20爲本發明之顯示裝置之剖面圖。 圖21爲本發明之顯示裝置之剖面圖。 圖22爲本發明之顯示裝置之上面圖。 圖23爲顯示本發明之顯示裝置之信賴性評估結果圖 圖24爲顯示本發明之顯示裝置之信賴性評估結果圖 -50- 1322455 圖2 5爲顯示本發明之顯示裝置之信賴性評估結果圖 〇 圖26爲顯不本發明之顯不裝置之圖。 圖27爲傳統之EL顯示裝置之剖面圖。 【符號說明】 4 0 1源極側驅動電路 402 汲極側驅動電路 403 畫素部 404覆蓋材 40 5第1密封材 4 0 6 第2密封材 409可撓性印刷電路基板 21 基板 22 對向基板 23 閘極絕緣膜 2 4 層間膜 25 層間膜 26 配線 27 密封材 3 1 基板 32 對向基板 33 絕緣膜 3 4 層間膜 -51 - 1322455 3 5 層間膜 36 密封膜 37 密封材 4 1 基板 42 對向基板 43 絕緣膜 44 層間膜 45 層間膜 46 密封膜 4 7 密封材 501基板 502對向基板 5 0 3 絕緣膜 5 0 4 層間膜 5 0 5 層間膜 5 06密封膜 5 0 7 密封材 5 0 8 密封膜 51 1基板 5 1 2 對向基板 5 1 3絕緣膜 5 1 4層間膜 5 1 5 層間膜 5 1 6密封膜 -52 1322455 5 1 7 密封材 5 1 8密封膜 200 基板 3 00 基底膜 301膜 3 02 金屬含有層 3 0 3第1結晶性矽膜 3 04第2晶性矽膜 3 05 半導體層 3 06半導體層 3 〇 7半導體層 3 0 8半導體層 3 09 閘極絕緣膜 3 1 0氮化鈦膜 3 1 1鎢膜 3 1 2 光罩 3 1 3 光罩 3 1 4 光罩 3 1 5 光罩 3 1 6 光罩 3 1 7a第1導電層 3 1 7b第2導電層 3 1 8a第1導電層 3 1 8b第2導電層 -53- 1322455 第1導電層 第2導電層 第1導電層 第2導電層 第1導電層 第2導電層 第1導電層 第2導電層 第1導電層 第2導電層 第1導電層 第2導電層 第1導電層 第2導電層 第1導電層 第2導電層 不純物領域 不純物領域 不純物領域 不純物領域 光罩 光罩 光罩 不純物領域 1322455 3 3 4不純物領域 3 3 5不純物領域 3 3 7不純物領域 340不純物領域 3 4 1不純物領域 342a光罩 3 42b光罩 3 4 3不純物領域 3 4 4 不純物領域 3 4 7不純物領域 3 4 8不純物領域 3 4 9第1層間絕緣膜 3 5 0 第2層間絕緣膜 3 5 3 電極 1 週邊電路部 2 畫素部
11 η通道型TFT 12 p通道型TFT 1 3 η通道型TFT 14 p通道型TFT 5 0 0 0密封領域 500 1週邊電路部 5002畫素部
5 003 p通道型TFT 1322455
5 004 η通道型TFT 5 005 n通道型TFT 5 006 p通道型TFT 1 0 〇 〇基板 1 0 0 1配線
1011電極（陽極或陰極） 1 〇 1 2間隔壁 1013發光層 1014電極（陽極或陰極） 1 〇 1 5發光元件 1 0 1 7密封材 1 0 1 8開口部 1 〇 1 9密封膜
6 0 0 0密封領域 6001週邊電路部 6002畫素部
6003 p通道型TFT 6004 η通道型TFT 600 5η通道型TFT 6006 p通道型TFT 700基板 7 〇 1配線 71 1畫素電極 7 1 2間隔壁 -56 1322455 713發光層 714電極（陽極或陰極） 7 1 5發光元件 7 1 7 密封材 7 1 8密封膜 720覆蓋材 300 1本體
3 002畫像輪入部 3 00 3顯示部 3 004鍵盤 3101本體 3102顯示部 3103聲音輸入部 3 1 0 4操作開關 3 1 0 5電池
3 1 0 6受像部 3 20 1本體 3 2 0 2照相部 3 2 0 3受像部 3 204操作開關 3 2 0 5顯示部 3 3 0 1本體 3 3 02顯示部 3 3 0 3鏡架 -57 - 1322455 340 1本體 3 4 0 2顯示部 3 403揚聲部 3404記錄媒體 3 4 0 5操作開關 3 5 0 1本體 3 5 02顯示部 3 5 03著眼部（觀景部） 3 5 04操作開關 3 60 1投射裝置 3 602螢幕 3 70 1本體 3 7 0 2投射裝置 3 7 0 3鏡子 3 704螢幕 3 8 0 1光源光學系 3 8 0 2鏡子 3 8 0 3分色鏡 3 8 0 4鏡子 3 8 0 5鏡子 3 8 06鏡子 3 8 0 7稜鏡 3 8 0 8液晶顯示裝置 3 809相位差板 -58- 1322455 3 8 1 0投射光學系 3 8 1 1反射物 3 8 1 2光源 3 8 1 3透鏡陣列 3 8 1 4透鏡陣列 3 8 1 5偏光變換元件 3 8 1 6聚光透鏡 390 1本體 3 902聲音輸出部 3 903聲音輸入部 3904顯示部 3 9 0 5操作開關 3 9 0 6天線 400 1本體 4002顯示部 4003顯示部 4004記憶媒體 4 0 0 5操作開關 4 0 0 6天線 4 1 0 1本體 4 1 0 2支持台 4 1 0 3顯示部 8000密封領域 800 1週邊電路部 1322455
8 002畫素部 8 003p通道型TFT 8004 η通道型TFT 8 005η通道型TFT 8 00 6 p通道型TFT 1 100基板 1 1 〇 1配線
1111電極（陽極或陰極 1 1 1 2平坦化層 1 1 13發光層 1114電極（陽極或陰極 1 1 1 5發光元件 1 1 1 7密封材 1 1 1 8開口部 1 1 1 9密封膜（保護膜）
1 90 1陰極 1 902第1陽極 1 90 3第2陽極 1904第3陽極 9 0 0 0密封領域 900 1週邊電路部 9002畫素部
9003 p通道型TFT 9004 η通道型TFT 1322455 900 5 η通道型TFT 9006 p通道型TFT 2000基板 200 1配線 2011電極（陽極或陰極） 2 0 1 2平坦化層 2013發光層
2014電極（陽極或陰極） 2 0 1 5發光元件 2 0 1 7密封材 2 0 1 8開口部 2019密封膜 9 5 0 0密封領域 950 1週邊電路部 9 5 0 2畫素部
95 03 p通道型TFT
9504 η通道型TFT
95 0 5 η通道型TFT
9506 p通道型TFT 2100基板 2 1 0 1配線 2111電極（陽極或陰極） 2 1 1 2間隔壁 21 13發光層 -61 - 1322455 2114電極（陽極或陰極） 2 1 1 5發光元件 2 1 1 7密封材 2 1 1 8開口部 2 1 1 9密封膜 2 119a 密封膜 2 119b 密封膜 •
-62-

Claims (1)

1322455 拾、申請專利範圍 1. 一種顯示裝置，其特徵爲具有：一對基板、 被形成於前述基板之一方表面上的基底膜， 被形成於前述基底膜上的絕緣膜， 被形成於前述絕緣膜上之顯示部， 被形成於前述顯示部內之發光元件， 被形成於前述顯示部上之密封膜，及 以包圍前述顯示部周邊的方式被形成於前述顯示部的 外側之密封材； 前述一對基板藉由前述密封材而固定， 前述絕緣膜之至少一層係以有機樹脂材料形成的， 前述絕緣膜具有開口部，前述開口部係以密封膜覆蓋 前述基底膜於前述開口部與前述密封膜相接， 前述密封材係與前述密封膜相接。 2.—種顯示裝置，其特徵爲具有：一對基板、 被形成於前述基板之一方表面上的基底膜， 被形成於前述基底膜上的絕緣膜， 被形成於前述絕緣膜上之顯示部， 被形成於前述顯示部內之發光元件， 被形成於前述顯示部上之密封膜，及 以包圍前述顯示部周邊的方式被形成於前述顯示部的 外側之密封材； 前述一對基板藉由前述密封材而固定， -63- 1322455 前述絕緣膜之至少一層係以有機樹脂材料形成的， 前述絕緣膜具有開口部，前述開口部係以密封膜覆蓋 前述基底膜於前述開口部與前述密封膜相接， 位於前述密封材的外側之前述基底膜的外端部，與前 述密封膜相接。 3. 一種顯示裝置，其特徵爲具有：一對基板、 被形成於前述基板之一方表面上的基底膜， 被形成於前述基底膜上的絕緣膜， 被形成於前述絕緣膜上之顯示部， 被形成於前述顯示部內之發光元件， 被形成於前述顯示部上之密封膜，及 以包圍前述顯示部周邊的方式被形成於前述顯示部的 外側之密封材； 前述一對基板藉由前述密封材而固定， 前述絕緣膜之至少一層係以有機樹脂材料形成的， 前述絕緣膜具有複數開口部，前述複數開口部係以密 封膜覆蓋， 前述基底膜於前述複數開口部與前述密封膜相接， 前述密封材與前述密封膜相接。 4. —種顯示裝置，其特徵爲具有：一對基板、 被形成於前述基板之一方表面上的基底膜， 被形成於前述基底膜上的絕緣膜， 被形成於前述絕緣膜上之顯示部， -64- 1322455 被形成於前述顯示部內之發光元件， 被形成於前述顯示部上之密封膜，及 以包圍前述顯示部周邊的方式被形成於前述顯示部的 外側之密封材； 前述一對基板藉由前述密封材而固定， 前述絕緣膜之至少一層係以有機樹脂材料形成的， 前述絕緣膜具有複數開口部，前述複數開口部係以密 封膜覆蓋， φ 前述基底膜於前述複數開口部與前述密封膜相接， 位於前述密封材的外側之前述基底膜的外端部，與前 述密封膜相接。 5. 如申請專利範圍第1項至第4項之任一項所記載 之顯示裝置，其中，前述密封膜爲由選自導電性薄膜、或 絕緣性薄膜之一種、或複數種所形成。 6. 如申請專利範圍第1項至第4項之任一項所記載 之顯示裝置，其中，前述密封膜爲由選自 Al，Ti，Mo， φ W或Si元素之一種、或複數種所形成。 7. 如申請專利範圍第1項至第4項之任一項所記載 之顯示裝置，其中，前述密封膜爲由選自氮化矽膜、氮氧 化矽膜、或含氮之碳膜之一種、或複數種所形成。 8. 如申請專利範圍第1項至第4項之任一項所記載 之顯示裝置，其中，前述有機樹脂材料爲由選自丙烯基， 聚醯胺，聚醯亞胺或包含烷基之氧化矽之一種、或複數種 所形成。 -65- 1322455 9 · 一種顯示裝置之製作方法，係具有於一對基板間 配列使用有機發光材料之發光元件而形成之顯示部之顯示 裝置之製作方法； 其特徵係：將前述顯示部形成在形成於一方基板之絕 緣層上； 前述一對基板係於前述顯示部之外側包圍外圍而形成 ，藉由形成於前述絕緣層上之密封材而加以固定； 前述絕緣層之至少一層係以有機樹脂材料而形成； 藉由前述密封膜覆蓋位於前述密封材外側之前述絕緣 層之外端部。 1 〇. —種顯示裝置之製作方法，係具有於一對基板間 配列使用有機發光材料之發光元件而形成之顯示部之顯示 裝置之製作方法； 其特徵係：將前述顯示部形成在形成於一方基板之絕 緣層上； 前述一對基板係於前述顯示部之外側包圍外圍而形成 ，藉由形成於前述絕緣層上之密封材而加以固定； 前述絕緣層之至少一層係以有機樹脂材料而形成； 於前述絕緣層形成開口部，藉由密封膜覆蓋前述開口 部： 將前述密封材與前述密封膜相接而形成。 11. 一種顯示裝置之製作方法，係具有於一對基板間 配列使用有機發光材料之發光元件而形成之顯示部之顯示 裝置之製作方法； -66- 1322455 其特徵係：將前述顯示部形成在形成於一方基板之絕 緣層上， 前述一對基板係於前述顯示部之外側包圍外圍而形成 ，藉由形成於前述絕緣層上之密封材而加以固定； 前述絕緣層之至少一層係以有機樹脂材料而形成； 於前述絕緣層形成開口部，藉由密封膜覆蓋前述開口 部： 藉由前述密封膜覆蓋形成於前述密封材外側之前述絕 緣層之外端部。 1 2 . —種顯示裝置之製作方法，係具有於一對基板間 配列使用有機發光材料之發光元件而形成之顯示部之顯示 裝置之製作方法； 其特徵係：將前述顯示部形成在形成於一方基板之絕 緣層上； 前述一對基板係於前述顯示部之外側包圍外圍而形成 ，藉由形成於前述絕緣層上之密封材而加以固定； 前述絕緣層之至少一層係以有機樹脂材料而形成； 於前述絕緣層形成複數之開口部，分別藉由密封膜覆 蓋前述複數之開口部； 將前述密封材與前述密封膜相接而形成。 13. —種顯示裝置之製作方法，係具有於一對基板間 配列使用有機發光材料之發光元件而形成之顯示部之顯示 裝置之製作方法； 其特徵係：將則述顯不部形成在形成於一方基板之絕 -67- 1322455 緣層上； 前述一對基板係於前述顯示部之外側包圍外圍而形成 ，藉由形成於前述絕緣層上之密封材而加以固定； 前述絕緣層之至少一層係以有機樹脂材料而形成： 於前述絕緣層形成複數之開口部，分別藉由密封膜覆 蓋前述複數之開口部； 藉由密封膜覆蓋形成於前述密封材外側之前述絕緣層 Φ之外端部。 14.如申請專利範圍第9項至第13項之任一項所記 載之顯示裝置之製作方法，其中，前述密封膜爲由選自導 電性薄膜、或絕緣性薄膜之一種、或複數種所形成。 1 5 ·如申請專利範圍第9項至第丨3項之任一項所記 載之顯示裝置之製作方法，其中，前述密封膜爲由選自 Al ’ Ti，Mo，W或Si元素之一種、或複數種所形成。 1 6 ·如申請專利範圍第9項至第丨3項之任一項所記 •載之顯示裝置之製作方法，其中，前述密封膜爲由選自氮 化砂膜、氮氧化矽膜、或含氮之碳膜之一種、或複數種所 形成。 1 7 ·如申請專利範圍第9項至第丨3項之任一項所記 載之顯示裝置之製作方法，其中，前述有機樹脂材料爲由 選自丙稀基’聚醯胺，聚醯亞胺或包含烷基之氧化矽之一 種、或複數種所形成。 -68-
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