TWI320945B

TWI320945B -

Info

Publication number: TWI320945B
Application number: TW092119056A
Authority: TW
Inventors: Yohei Yamazawa; Manabu Iwata; Chishio Koshimizu; Fumihiko Higuchi; Akitaka Shimizu; Asao Yamashita; Nobuhiro Iwama; Tsutomu Higashiura; Dong Sheng Zhang; Michiko Nakaya; Norikazu Murakami
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2002-07-12
Filing date: 2003-07-11
Publication date: 2010-02-21
Also published as: JP2004096066A; TW200402759A; CN1476057A; US20040035365A1; US8251011B2; US7527016B2; CN100355038C; JP4370789B2; US20070236148A1

Description

1320945 玖、發明說明【發明所屬之技術領域】本發明係有關於例如在半導體處理系統中利用電漿針對被處理基板實施電漿處理的裝置。此外，在此，所謂的半導體處理，係指藉由根據特定圖案將半導體層、絕緣層、導電層等形成在半導體晶圓或LCD基板等的被處理基板上，而針對在該被處理基板上製造出包含半導體裝置或被連接到半導體裝置的配線、電極等在內之構造物時所實鲁施的各種的處理。【先前技術】一般而言，在製造半導體裝置時，則進行成膜處理、 - 退火處理、蝕刻處理、氧化擴散處理等的各種處理。在該 . 些處理中有大多數是藉由利用高頻《RF)電力的電漿處理裝置來進行的傾向。例如在平行平板型的電漿處理裝置中，將半導體晶圓 φ 載置在兼作爲載置台的下部電極上。藉著將RF電力施加在該下部電極與面向其之上述電極之間而產生電漿。藉由該電漿進行成膜處理或蝕刻處理等的各種的處理。爲了要提高由半導體晶圓所製造之製品的良品率，必須要維持電漿處理在晶圓面內的均一性於高水準。此時，電漿處理對於半導體晶圓的均一性則與在處理室內所產生之電漿狀態具有很大的關係。因此，以往爲了要使電漿狀態能夠成爲最佳狀態，乃調整在製程中的處理室內的壓力 -6 - 1320945 溫度’調整供給到處理室內之各種氣體的比例、或是針對上部電極與下部電極之間的間隔進行微調整等。由於特別可以有效地控制電漿狀態爲最佳的狀態，因此在習知裝置中乃有採用可以調整上下兩電極間之間隔之構造的傾向。例如在處理室的底部側設置可讓下部電極作昇降的昇降機構以便讓下部電極昇降。必要時利用該昇降機構讓上述下部電極昇降，藉此來調整其與上部電極間的間隔。對於上述設成可讓電極昇降之構造的電漿處理裝置而言’與處理條件或裝置本身之狀況無關地可將電漿狀態維持在良好的狀態。但是必須是一在例如使下部電極本身維持內部氣密狀態下仍可以上下移動的構造。又，必須要設置一能夠使該下部電極朝上下方向昇降的昇降機構或馬達類。因此不僅裝置會大型化，且會導致成本提高。又，由於裝置本身會大型化，因此會有裝置的設置空間，亦即， foot print也增加的問題。【發明內容】本發明之第1目的在於提供一能夠以簡單的構造來維持電漿處理之面內均一性於高水準，可以將電漿狀態調整到最佳狀態的電漿處理裝置。本發明之第2目的在於提供一能夠以簡單的構造來維持處理室內的電漿狀態爲穩定狀態的電漿處理裝置。本發明之第3目的在於提供一可以進行校正以消除電 1320945 漿處理裝置使用之阻抗設定部相關的個體差（機器差別）的校正方法。根據本發明的第1觀點則提供一利用電漿針對被處理基板來實施電漿處理的裝置，其具備有：用來收容上述被處理基板之氣密式的處理室；將處理氣體供給到上述處理室內的氣體供給系；將上述處理室內部排氣之同時，將上述處理室內部設定爲真空的排氣系； · 彼此呈相向地被配設在上述處理室內部的第1及第2 電極，在上述第1以及第2電極間激發上述處理氣體而形成電漿化的RF電場；介由匹配電路被連接到上述第1或第2電極而供給 - RF電力的RF電源，上述匹配電路可對上述RF電力自動 . 進行輸入阻抗的匹配；阻抗設定部，其在上述電漿處理中介由配線被連接到電氣耦合於上述電漿之特定構件，用來設定對於從上述電 φ 漿被輸入到上述特定構件之RF成分的阻抗、亦即逆向阻抗上述阻抗設定部可以變更上述逆向阻抗的値；控制部，用於對上述阻抗設定部供給與上述逆向阻抗之設定値有關之控制信號。此外，在本說明書中上述所謂的「逆向」的用詞係指，上述RF成分流動的方向在電氣上乃是一與電流從上述 RF電源朝上述處理室內之上述第1或第2電極流動的方向呈相反的方向。亦即，電流從上述RF電源朝上述第1 -8- 1320945 或第2電極流動的方向爲正向’而與其呈相反的方向爲逆向。根據本發明的第2觀點係提供一利用電漿針對被處理基板實施電漿處理之裝置，其具備有：用來收容上述被處理基板之氣密式的處理室；將處理氣體供給到上述處理室內的氣體供給系；將上述處理室內部排氣之同時，將上述處理室內部設定爲真空的排氣系； φ 彼此呈相向地被配設在上述處理室內部的第1及第2 電極在上述第1與第2電極間激發上述處理氣體而形成電漿化的RF電場；介由匹配電路被連接到上述第1或第2電極而供給 - RF電力的RF電源，上述匹配電路可針對上述RF電力自 . 動地進行輸入阻抗的匹配；阻抗設定部，其在上述電漿處理中介由配線被連接到電氣耦合於上述電漿之特定構件，用來設定對於從上述電 · 漿被輸入到上述特定構件之上述RF電力的基本頻率所對應多個不同的高次的高諧波之一之阻抗，、亦即逆向阻抗，上述阻抗設定部可以變更上述逆向阻抗的値：及控制部，用於對上述阻抗設定部供給與上述逆向阻抗之設定値有關之控制信號。根據本發明的第3觀點係提供一利用電漿針對被處理基板實施電漿處理之裝置，其具備有：用來收容上述被處理基板之氣密式的處理室； -9- 1320945 將處理氣體供給到上述處理室內的氣體供給系；將上述處理室內部排氣之同時，將上述處理室內部設定爲真空的排氣系；彼此呈相向地被配設在上述處理室內的第1及第2電極，在上述第1與第2電極之間激發上述處理氣體而形成電漿化的RF電場；分別被連接到上述第1及第2電極，且被導出到上述處理室外的第1及第2配線，上述第1及第2配線則形成 φ 包含上述第1與第2電極間之電氣耦合之交流電路的一部分；被配設在上述第1配線上而供給第1RF電力的第1RF 電源； - 在上述第1配線上被配設在上述第1電極與上述第 . 1 RF電源之間，對上述第1 RF電力可以自動地進行輸入阻抗匹配的第1匹配電路；阻抗設定部，其被配設在上述第2配線上，用來設定 φ 對於從上述電漿被輸入到上述第2電極之RF成分的阻抗、亦即逆向阻抗，上述阻抗設定部可變更上述逆向阻抗的値，而上述RF成分包含具有上述第1RF電力之基本頻率的成分；及控制部，用於對上述阻抗設定部供給與上述逆向阻抗之設定値有關的控制信號。根據本發明的第4觀點係提供一利用電漿針對被處理基板實施電漿處理之裝置，其具備有： -10- 1320945 用來收容上述被處理基板之氣密式的處理室；將處理氣體供給到上述處理室內的氣體供給系；將上述處理室內部排氣之同時，將上述處理室內部設定爲真空的排氣系；彼此呈相向地被配設在上述處理室內的第1及第2電極；在上述第1以及第2電極之間激發上述處理氣體而形成電漿化的RF電場；分別被連接到上述第1及第2電極，且被導出到上述處理室外的第1及第2配線，上述第1及第2配線則形成包含上述第1與第2電極間之電氣耦合之交流電路的—部分；被配設在上述第1配線上而供給第1 RF電力的第1 RF 電源；在上述第1配線上被配設在上述第1電極與上述第 1 RF電源之間，對上述第1 RF電力可以自動地進行輸入阻抗匹配的第1匹配電路；阻抗設定部，其被配設在上述第1配線上，用來設定對於從上述電漿被輸入到上述第1電極之RF成分的阻抗、亦即逆向阻抗，上述阻抗設定部可變更上述逆向阻抗的値，而上述RF成分包含上述RF電力之基本頻率的高諧波；控制部，用於對上述阻抗設定部供給與上述逆向阻抗之設定値有關的控制信號。根據本發明的第5觀點係提供一利用電漿針對被處理 -11 - 1320945 基板實施電漿處理之裝置，其具備有：用來收容上述被處理基板之氣密式的處理室；將處理氣體供給到上述處理室內的氣體供給系；將上述處理室內部排氣之同時，將上述處理室內部設定爲真空的排氣系；彼此呈相向地被配設在上述處理室內的第1及第2電極，在上述第1與第2電極之間激發上述處理氣體而形成電漿化的RF電場；分別被連接到上述第1及第2電極，且被導出到上述處理室外的第1及第2配線，上述第1及第2配線則形成包含上述第1與第2電極間之電氣耦合之交流電路的一部分；被配設在上述第1配線上而供給第1 RF電力的第1 RF 電源；在上述第1配線上被配設在上述第1電極與上述第 1 RF電源之間，對上述第1 RF電力可以自動地進行輸入阻抗匹配的第1匹配電路；阻抗設定部，其被配設在上述第1配線上，用來設定對於被輸入到上述第1電極之RF成分的阻抗、亦即逆向阻抗；被配設在上述第2配線上而供給第2 RF電力的第2RF 電源，上述第2 RF電源可變更上述第2RF電力的頻率；在上述第2配線上被配設在上述第2電極與上述第 2RF電源之間，對上述第2RF電力自動地進行輸入阻抗匹 1320945 配的第2匹配電路；及控制部，用於對上述阻抗設定部供給與上述逆向阻抗之設定値有關的控制信號。根據本發明的第6觀點係提供一針對第1觀點之裝置中之上述阻抗設定部之校正方法，具備有：藉由測定而得到校正資料的過程，該校正資料用來補正在上述阻抗設定部設定固有之上述逆向阻抗時之誤差；及 · 藉由上述校正資料來補正上述設定値而調整上述逆向阻抗的過程。本發明其他目的與優點如下敘述說明，其中一部分可由如下敘述顯然得知或是由實施本發明而學習到。本發明 - 目的與優點可由如下特別指出的手段與組合而了解與得到 . 〇所附圖式爲本案說明書的一部分，其例示本發明之較佳具體例。所附圖式合倂前面的一般說明與下面之較佳具 φ 體例詳細說明，係用於解釋本發明的原理。【實施方式】以下請參照圖面來說明本發明的實施形態。此外，在以下的說明中針對具有大略相同之功能以及構成的構成要素則附加同一符號，且只有必要的時候才重覆說明。 <第1實施形態> -13- 1320945 圖1 槪略構成之可抽成理室4的上部電極的噴氣頭理氣體等 RF | 經由第1 電源1 4。到上部電阻抗調整被供給到射的功能在處真空排氣室4內部如面向上從處理室製成，具作被處理在處會開閉的配設有爲爲表示本發明之第1實施形態之電漿處理裝置的圖。如圖1所示，電漿處理裝置2具有例如鋁製真空之筒狀的處理室4。處理室4被接地。在處頂部則經由絕緣構件8而安裝固定有例如鋁製的 6。上述電極6形成爲被連接到氣體供給部GS (Shower head)構造。而從噴氣頭構造6將處之處理必要的氣體導入到處理室4內。 ^ 1 〇則被連接到上部電極6。RF線1 0則在途中 φ 匹配電路12而被連接到用來產生電漿的第1RF 從第1RF電源14將例如60MHz的RF電力供給極6。第1匹配電路12具有可以自動地使輸入 (匹配）爲例如5 0 Ω，而使得從第1RF電源14 - 上部電極6的RF電力不致於被上述電極6所反室4的底部，形成有被連接到包含真空泵等之 ES的排氣口 16。藉由真空排氣部ES將處理實施排氣之同時，將處理室4內部設定爲真空。 β電極6般地以絕緣狀態將下部電極1 8配設在 4的底部所立起的支柱上。下部電極18由鋁所 ?作爲載置台的功能。例如將半導體晶圓W當 S板而載置在其上面。 1室4的側壁配設有在將晶圓W作搬入搬出時 g (gate) 20。如包圍上部電極18的周圍般地 Ϊ理室側壁所支撐而對排氣氣體進行整流的整流

-14- 1320945 板22。整流板22可使朝下方被排氣的環境氣體從下部電極18均勻地流下。在下部電極18之上面側的周圍，爲了要將電漿集中在晶圓W的表面，配設有由石英或陶瓷所構成的聚磁環（focus ring，未圖示）。

RF線24被連接到下部電極18。偏壓用的第2RF電源28則經由第2匹配電路26而被連接到RF線24。偏壓用第2RF電源28的頻率較第1RF電源14爲低，例如產生13.56MHz的RF電力。 RF線10，24或第1及第2RF電源14、28則形成包

含有上部電極6與下部電極18之間之電氣上耦合在內的交流電路。從第1RF電源14被施加在上部電極6的RF 電力主要是用於形成RF電場，而在下部電極18與上部電極6之間的處理空間S將處理氣體電漿化。從第2RF 電源28被施加在下部電極18的RF電力，主要是利用在將電漿中的離子拉入到晶圓 W的表面。此外，有時也會藉由第2RF電源28來產生電漿。在位於第2匹配電路26與下部電極28之間的RF線 24，配設有阻抗設定部3 0。阻抗設定部3 0可變化從上部電極6側所看到的阻抗。換言之，阻抗設定部3 0，係對應於從第1RF電源14被供給到上部電極6之60MHz的 RF電力，來設定對於從電漿被輸入到下部電極18的RF 成分之阻抗、亦即逆向阻抗。阻抗設定部30，係藉由例如微電腦等所構成的阻抗控制部3 2來調整，適當控制其之逆向阻抗。 -15 - 1320945 具體地說如圖2所示，第2匹配電路26具有第1固定線圈34，第1可變電容器C1、以及第2固定線圈36。彼等係於RF線24，由上部電極1 8 (參照圖1 )側依序朝第2RF電源28側被串聯連接。在第2固定線圈3 6的兩端與接地之間，分別並列連接有第2可變電容器C2與固定電容器C3。第2匹配電路 26具有可以使輸入阻抗例如成爲50Ω般自動進行匹配之功能，以使從第2RF電源2 8被供給到下部電極1 8之RF 電力的反射波不會回到第2RF電源28(與上述第1匹配電路1 2相同）。此時，可以藉由位置感測器3 8來確認自動變化之第1可變電容器C1的調整位置（對應於此時的電容）。從上部電極6所供給之第1RF電源1 4的電流，係經由處理室4的側壁或下部電極1 8等而流入接地。相反地從下部電極1 8所供給的第2 RF電源2 8的電流則經由處理室4的側壁或上部電極6等而流入接地β 阻抗設定部3 0，係由被串聯連接到rF線24與接地之間的例如電感大略爲200nH的固定線圈40與可變電容器42所構成。藉著讓可變電容器42的電容變化，如上所述，可以設定從被施加60MHz的RF電力的上部電極6所看到的下部電極1 8側的阻抗。此時，可變電容器42的電容値可根據被串聯於此的調整構件44而自動地變化。代表此時之阻抗設定値的d i a 1調整値（刻度盤調整値，以下稱爲dial値）則被顯示在調整構件44等。此時，阻抗本身的値也可以同時顯不。從阻抗控制部32，將來自用 -16- 1320945 來規定處理晶圓時之製程條件等之處理程序（reciPe )的指示阻抗當作dial値而輸入到調整構件44。此外’也可以取代顯示阻抗設定値或dial値的功能’或與其同時具備有將資訊傳送（輸出）到上位控制器的功能。阻抗設定部30的各固定線圈40的電感或可變電容器 42的電容（包含可變範圍）被設定爲，則可使對於第 2RF電源之頻率13.56MHz的阻抗處理室4及其中所產生電漿所構成之負載阻抗大至少2倍以上。如此則，即使阻鲁抗設定部30的電感發生變化時，對於第2匹配電路26之匹配動作幾乎不會帶來影響。另外，根據此可以防止因爲設置阻抗設定部所造成之RF電力的功率損失以及伴隨其所造成之阻抗設定部的燒損。 - 將調整構件44之dial値DV與可變電容器42之電容 . 的相關關係的一例表示在圖3。對於dial値DV0〜20，電容可以在5〜13 OpF左右的範圍內大略呈直線地變化。此外，設定爲dial値DV愈大，電容會變得愈小。 φ 將調整構件44的dial値DV與針對被施加在上部電極6的60MHz的阻抗設定部側之電抗間的相關關係表示在圖4。由圖4可知，藉由dial値在5〜20的範圍內變化，可以將電抗控制在—30〜+ 600 Ω的範圍內。接著說明如上所構成之本實施形態的動作。在此，電漿處理的一例係說明，針對形成在例如由二氧化矽膜所構成之底層上的多晶矽膜實施蝕刻而形成閘極之例。在同一電漿處理裝置內連續地進行鈾刻速率快的製 -17- 1320945 程A與蝕刻速率慢之過蝕刻（overetch)用的製程B。在該2階段製程中的製程A，係爲了要作出形狀而進行異方性強的蝕刻，而在製程B中則進行與底層的選擇比非常大的蝕刻處理。在該製程A與製程B中，由於所供給之多種氣體之供給量的氣體比、供給電力、製程壓力等的製程條件改變 ’因此和彼等對應而產生在處理空間S之電漿的狀態也會改變。此時，控制阻抗設定部3 0而維持電漿處理的面內 φ 均一性。分別針對製程A以及製程B，依實驗求得各別最佳的阻抗設定部3 0之阻抗設定値。阻抗設定値，在進行各製程A、B時會從用於控制電漿處理裝置2之整體動作的主 · 控制部CPU，經由阻抗控制部32當作dial値被輸入到阻 . 抗設定部3 0。阻抗設定部3 0則如對應於該d i al値般地自動地讓可變電容器42的電容變化，結果，將阻抗調整爲最佳的値。 Φ 在此，製程A與製程B之製程條件的一例則如以下所述。 -18· 1320945 <製程A> 製程氣體（蝕刻氣體）：HBr/02 = 400/l seem 製程壓力：2.7Pa(20mTorr)

下部電極溫度：75°C RF電力：上部電極/下部電極=200/1 00W( 亙特） <製程Β> φ 製程氣體（蝕刻氣體）：HBr/02=1000/4 seem 製程壓力：20Pa(150mTorr)

下部電極溫度：75°C RF電力：上部電極/下部電極=65 0/200W( · 亙特） . 接著說明爲了分別針對製程A、B進行均一性之控制特性評估所做的實驗。在該實驗中，係使對無阻劑圖案之同樣的多晶矽晶圓實施2 5秒鐘的飩刻的過程，在一點一 · 點地變化阻抗設定部3 0的d i a 1値之同時被實施。圖5表示此時之製程A、B的dial値DV與電漿處理之面內均一性3σ間的關係分佈圖。此外，在此，表示標準偏差。由圖5可知，藉由dial値之變化可使阻抗設定部30 的阻抗一點一點地變化。結果可知面內均一性會大幅地變動’而各製程A、B均存在有可以使面內均一性成爲最小値的dial値。此時在製程A中使面內均一性成爲最小値的dial値大略爲11.5，而在製程B中使面內均一性成爲 -19- 1320945 最小値的dial値大略爲1 5.8。由於是藉由習知裝置與本實施形態裝置來進行各製程 A、B，因此在此說明此時的評估結果。圖6A、B、C表示在藉由習知裝置與本實施形態裝置進行製程時，直徑3 00mm的晶圓上的蝕刻速率ER的分佈情形的說明圖。習知裝置則使用上下電極均被固定，而阻抗被調整爲製程B使用者。圖6A表示藉由習知裝置實施製程A的結果。而藉由習知裝置來實施製程B的結果則省略其記載。圖6B爲藉由本實施形態裝置來實施製程A的結果。圖6C爲藉由本實施形態裝置來實施製程B的結果。在藉由習知裝置來進行製程B時，雖然未圖示，但是針對電漿處理可以得到良好的面內均一性。在藉由習知裝置來進行製程A時，如圖6 A所示，在晶圓中心部的蝕刻速率E R慢，但愈是到周邊部則蝕刻速率E R愈快。而蝕刻的面內均一性3 σ會惡化到1 4.4 %左右。相較於此，本實施形態裝置中則參照上述圖5所示的結果，根據dial値DV 11.5來進行製程A，而根據dial 値DV 1 5·8來進行製程B。結果，如圖6B所示，在製程 A中，電漿處理的面內均一性3 σ可以維持在非常高的 3.2%左右。另外，如圖6C所示，在製程Β，電漿處理的面內均一性3σ可維持於相當高的7.0%。由此可知，本實施形態之裝置中，兩製程Α及Β均可維持電漿處理之面內均一性於高水準。 -20- 1320945 阻抗設定部3 2可以便宜且非常小型的電氣元件作爲主體來構成。因此，相較於上下電極的其中一方能夠昇降的習知電漿處理裝置，其構造變爲非常簡單，且可以大幅地縮短設置空間。又，阻抗設定部32的dial値只不過表示一例而已，其最佳値可根據製程條件等而變動。圖2表示將固定線圈40與可變電容器42的串聯連接電路，當作阻抗設定部3 0而連接於RF線24與接地之間的例。阻抗設定部3 0亦可改用例如圖7 A〜G所示的電路 φ 構成。圖7 A〜G表示阻抗設定部3 0之變形例的電路圖。圖7A表示將固定線圈40與可變電容器42的連接順序替換而連接的電路。圖7B表示將阻抗可變化的可變線圈50與固定電容器52加以串聯連接的電路。此外，也可 ‘ 以取代固定電容器52而採用可變電容器42。圖7C係表 . 示將可變電容器42與固定線圈5 5串聯之後，再與固定線圈40並聯連接的電路。藉此，藉由可變電容器42與固定線圈5 5的串聯共振可以將阻抗設成最小。另一方面，藉 · 由可變電容器42、固定線圈40、固定線圈55的並列共振可以將阻抗設成最大。圖7D爲將可變線圏50及固定電容器54的串聯電路與固定電容器52加以並聯連接的電路。圖7E爲將固定電容器52與固定線圈40的並聯連接電路，其他的固定電容器54、以及可變線圈50依序串聯連接的電路。於該電路，藉著例如固定線圈40與固定電容器52所產生的並聯共振頻率，與RF電源28的頻率之間的匹配，可以確實地 -21 - 1320945 使對於阻抗設定部3 0之RF電源2 8的阻抗提高到1 〇倍左右以上。圖7F表示分別將開關53串聯連接到多個電容器52 ’藉由彼等開關53之任意組合而作〇n/OFF切換，可以讓電容呈階段式地變化的電路。圖7G表示分別將開關5 3 串聯連接到多個電感器（inductor ) 40，而將其與可變電容器42組合而成的電路。藉由開關53之任意組合而作 ΟΝ/OFF切換，可以讓電感（inductance )呈階段式地變化。藉由可變電容器進行微調整，藉由切換電感器來進行粗調整。藉此可以使控制範圍加寬，且能夠進行細微的控制。當作爲目標的阻抗彼此分離成2點時，藉由切換固定電路元件來進行粗調整，另外，藉由頻率呈連續地變化而進行微調整，而能夠以高精確度來實現目標阻抗的變化。 <第2實施形態> 在上述第1實施形態中’雖然是針對主要以提高電漿處理之面內均一性爲目的的製程來說明，但有時會進行有必要維持高的製程的穩定性的製程的情形。在此，有關電漿的穩定性’根據製程的條件’例如所施加的RF電力或製程壓力等’而在處理空間s中的電漿會有從整流板2 2 (參照圖1 )洩漏到或不洩漏到下方的情形。如此般，電漿從整流板2 2浅漏到與不浅漏到下方的情形，則當從第1匹配電路1 2或第2匹配電路26 (參照圖丨）來看處理室4內的電漿時的阻抗乃各不相同。因此 -22- 1320945 ，各匹配電路12、26如上所述，會分別自動地進行輸入阻抗的整合而使阻抗變化而改變調整位置。此時，電漿若是在不洩漏的狀態下會穩定、或是在洩漏的狀態下會穩定，則並不會產生問題。但是當成爲其中間狀態，亦即，電滎洩漏時與不洩漏時的臨界狀態時，則匹配電路爲了進行阻抗整合，調整位置會激烈地反覆地變化。因此，電漿放電會變得不穩定，最壞的情形則是電漿不會產生。籲在此，在該第2實施形態中爲了要使電漿穩定，乃利用在上述第1實施形態中所使用的阻抗設定部3 0。電漿處理整體的裝置構成則完全與第1實施形態相同。在此，製程處理則是以例如針對設在光阻膜下層之由有機物 _ 構成的防止反射膜進行蝕刻的情形爲例子來說明。 . 此時的製程條件則如下所述。製程氣體（蝕刻氣體）：CF4/〇2 = 70/10 seem 製程壓力：0_67Pa(5mTorr)

下部電極溫度：60°C 接著則說明與電漿的穩定性相關的實驗。在該實驗中，則將分別施加在上部電極6與下部電極18的RF電力的組合作各種的變更而進行電漿處理，而以目視來確認此時之電漿的穩定性。上部電極的RF電力則在1 00〜5 00 W 的範圍內變化，而下部電極的RF電力則在30〜105W的範圍內變化。阻抗設定部30的dial値則固定在15.2。將此時的評估結果表示在圖8。圖8爲在改變施加在 -23- 1320945 上部電極與下部電極之RF電力的組合時的電漿的穩定性的說明圖。電漿穩定性的判斷基準如下：〇：以目視在整流板的上方及下方皆無洩漏的情形電壓或RF電力的反射皆無不穩式振還（hunting )情形 △:以目視，在整流板的下方有洩漏的情形電壓或RF電力的反射皆無不穩或振盪的情形 x :以目視，在整流板的上方及下方皆有洩漏的情形電壓或RF電力的反射有激烈的不穩情形，且一度會引起振盪的情形在操作途中會因爲RF電力反射錯誤（error )而使得穩定性降低。由圖8可知，藉由對上部電極6的施加電力與對下部電極1 8的施加電力的組合，電漿的狀態會大幅地變化。特別是當對上部電極6的施加電力爲200W，而對下部電極1 8的施加電壓爲45 W時，則電漿的狀態成爲X記號而非常的不穩定》在此，在保持表示該不穩定的狀態的電力施加狀態下，亦β卩，在施加上部電極6〜200 W的RF電力，且下部電極 18~45W的RF電力的狀態下，讓阻抗設定部30的dial値作各種的變化，而以目視來觀察此時之電漿狀態的變化。將此時的評估結果表示在圖9。圖9爲表示阻抗設定部的dial値DV與電漿之安全性的關係圖。由圖9可知， -24- 1320945 電漿會穩定地產生的區域（〇記號的部分）則存在自dial 値DV爲11.4〜Π.6的區域A與dial値DV爲15.1〜15.2 的區域B的2個區域。在此，區域A爲在發生電漿洩漏的狀態下電漿仍會穩定的區域。又，區域B爲在沒發生電槳洩漏的狀態下電漿才會穩定的區域。如此般在決定製程條件時，藉著事先適當地選擇針對該製程的dial値而加以規定，可以在穩定地產生電漿的狀態下進行電漿處理。例如利用已組入了如上所述般所規定之dial値的處理程序而進行電漿處理。又，藉著適當地選擇dial値可以加大製程條件的範圍，而能夠擴大製程圍(process range) ° 在此，上述之製程的種類或此時的dial値則只是一例而已，可以根據製程條件來決定各種適當的dial値。 <第3實施形態> 上述之阻抗設定部30等則根據電漿處理裝置的訂單數目，一般而言乃製造多個同一規格者。此時，在各阻抗設定部30則無可避免會因爲製造誤差等而在特性上產生些微的誤差。亦即，阻抗設定部3 0的dial値與此時之實際的電抗的關係則不限定於要經常爲一致，許多時候也會因爲阻抗設定部的個體差而些微偏離。因此，在根據事先所決定的dial値來進行電漿處理時，雖然在某個裝置中可以以高的面內均一性來進行處理，但是在其他的裝置中 -25- 1320945 即使是以同一個的dial値來進行處理，有時也有無法得到高的面內均一性的情形。因此爲了要補正各阻抗設定部以及連接在此之匹配電路26的固有的誤差乃進行校正。在此乃利用阻抗設定部 30的電抗作爲用來校正的參數。圖10爲在進行電漿處理裝置校正時之電抗測定器的安裝狀態圖。如圖10所示，在此的電漿處理裝置2則與先前在圖1中所說明的構成完全相同。首先爲了要測定電抗，乃將電抗測定器5 6安裝在阻抗設定部30的輸出端子30A (下部電極18側）。此外，則利用阻抗分析器或網路分析器等的計測器來測定dial 値與電抗的關係。此時，則是測定在圖1 0中以箭頭60所示方向來看的電抗，亦即，包含阻抗設定部30及第2匹配電路26在內的電抗。依經驗來說，個體差會有在可變電容器42的電容小時變小，但在電容大時變大的傾向。圖11A、B、C乃分別將多個（2台）的電漿處理裝置的dial値與電抗的關係加以模式化來表示的說明圖。圖11A爲表示校正前dial値Y與電抗X的關係。圖ι1Β 爲表示校正前dial値Y與校正後dial値Y'的關係。圖 11C爲表示校正後dial値與電抗X的關係。如上所述，在圖11A中表示針對應顯示同一特性的NO 1與NO 2的電漿處理裝置的dial値與電抗的相閃關係。又，在圖u a 中也表示有成爲事先所決定之基準的基準相關關係62。在進行校正時，則分別求取基準相關關係62與NO 1 -26- 1320945 及NO 2的各電漿處理裝置之相關關係的差，且將用於消除該差分的校正函數或校正表（校正資料）記憶在調整構件44 (參照圖2 )。此時之校正前後的dial値則表示在圖11B。在實際的製程時的控制中，在由阻抗設定部32( 參照圖2)來指示在處理程序中的dial値，則根據該校正函數或校正表來控制可變電容器42。將電抗爲XI、X2時之在基準校正關係62中的dial値Y分別設爲Y'l、Y'2。又，在NO 1的裝置中分別將電抗Χ1、Χ2時的dial値Υ 分別設爲Yll、Υ12。當採用最單純的Y' = aiY + bl的函數當作校正函數時’則針對2個點可以得到以下的連立方程式。

Yrl=al · Y1 1+bl Y'2 = al · Y12 + bl 此外，針對N Ο 1的裝置的校正函數的計數a 1、b 1則可以分別表示如下。 al= ( Y'l - Y，2 ) / ( Y1 1 — Υ12 ) bl=Y_l -（Y’l— Y，2) ·Υ11/(Υ11-Υ12) 可以依據同樣的順序來求取針對NO 2的裝置的校正函數的計數a2、b2。如圖1 1 B所示，NO 1與NO 2之各裝置在校正前的dial値Y與校正後的dial値Y’的關係（校正函數）則可以以斜率與切片不同的2條直線來表示。亦即’個體差的主要原因則可考慮有固定線圈的電感的個體差與可變電容器的最小電容的個體差，而在校正曲線中 ’前者影響斜率a，而後者則影響切片b。 -27- 1320945 在實施完如此之校正後的dial値γι與電抗X的値的關係則表示在圖1 1 C。當將校正前的d i a 1値當作橫軸時（圖1 1 A )，則彼此離開很遠的3條曲線，當取校正後的 dial値Y'作爲橫軸時，則幾乎成爲一致。因此，即使是 NO 1以及NO 2的任一裝置，針對同一 dial値V皆具有相同的電抗X。若針對各電漿處理裝置事先求取該校正函數時，則當爲包含同一 dial値的製程條件（處理程序）的情形時，則可以與個體差無關，而在各裝置之間例如經常形成相同的電漿狀態。 <包含處理室在內的校正：其1> 以上是將電抗測定器5 6連接到阻抗設定部3 0的輸出端子而測定由箭頭60的方向所看到的電抗。但是也有因爲裝置構成，零件構成（更換零件等）而導致各裝置的電抗產生偏差的情形。因此，此時，如圖10所示，與上述情形同樣地測定當將電抗測定器56連接到下部電極丨8 , 而將阻抗設定部3 0及其R F電源側切離時從箭頭6 4的方向所看到的電抗（60MHz時）。在此也與上述同樣地將校正函數或校正表記憶在調整構件44 (參照圖2 )。此外’可以同時實施由先前所說明之從箭頭60的方向來看時的校正與從箭頭64的方向來看時的校正。藉此’針封各裝置，可以不必要換成同一規格的其他的個體重新進行校正即可使用阻抗設定部30。 -28- 1320945 <包含處理室在內的校正：其2> 在上述校正中，將電抗測定器56設在下部電極18而測定電抗的變化。但是該方法在精度高的反面，實際上爲了不要產生電漿，則連因爲晶圓狀態或製程條件所造成之共振上的偏差也無法反映出。在此，則取代此，也可以實際上讓電漿產生而來測定dial値與由第2匹配電路26的位置感測器3 8所檢測出來之調整位置的關係（參照圖2 )。亦即，由於會因爲裝置構成、零件構成、晶圓狀態、製程條件等而造成共振上的偏差，因此連匹配調整位置對於dial値的關係也需跟隨此而變動》圖12爲表示dial値DV與匹配位置MP之關係的說明圖。在圖12中也同時記載有成爲匹配位置MP與dial 値DV之基準的基準相關關係66。在此則表示有兩者的關係會大幅地變化的點，亦即，表示有2個的變曲點P1、 P 2 ’而以其中任何一個變曲點，例如變曲點p 1作爲基準來進行校正。 /一.、例如NO 3之電漿處理裝置的匹配位置與dia丨値的相關關係6 8則假設爲根據d i a 1値相對於基準相關關係6 6 只偏移Μ値。此時’則事先製作一可以抵消掉該μ値的例如校正表，且將其事先記憶在調整構件4 4 (參照圖2 ) 而進行校正。此外’在上述校正中，乃針對求取匹配電路與dial 値之相關關係的情形來說明。但也可以取代此，而利用其他一個或多個的參數與dial値的相關關係。其他的參數 -29- 1320945 則包含有從連接有阻抗設定部的電極側所施加之RF電力的電壓振幅，位在同一電極側之匹配電路的調整値，從對向的電極側所施加之RF電力的電壓振幅，位在同一電極側之匹配電路的調整値、以及蝕刻終點檢測用分光器的輸出。讓阻抗控制部等具備有可讓dial値自動地變化而取得與上述參數之變化相關的資料，且自動地進行上述的校正手法的功能。 <第4實施形態> 在上述各實施形態中設有可以讓阻抗變化的阻抗設定部3 0。但也可以取代此，如圖1 3所示，改設置一阻抗已固定的阻抗設定部70。此時則利用可以讓RF電力的頻率變化的可變頻率型的RF電源72作爲面向已連接有阻抗設定部70的電極，亦即，下部電極18的電極，亦即，被連接到上部電極6的RF電源來使用。RF電源72所產生的RF電力的頻率則根據已規定好處理晶圓時之製程條件等的處理程序等而爲控制部71的調整。針對RF電源72，當例如將基本頻率f〇設爲6〇mHz 時’則變動範圍±/\【以±5 %左右爲適當。可變頻率型的 RF電源72則可以使用被揭露在特開平5 - 114819號公報或特開平9 — 55347號公報（對應於美國專利第5 68 83 5 7 號）等中的RF電源。又，當更大的變動圍爲必要時，則可藉由切換多個固定電路元件來實現。亦即，藉著將控制電源頻率與可變阻抗元件加以組合 -30- 1320945 來利用’可針對通常無法加大的頻率變化範圍加大阻抗的控制範圍。如此般，藉著將RF電源72的頻率設成可以變化，能夠配合製程條件來設定能夠使電漿處理的面內均一性成爲最適當的頻率。 <第5實施形態> 在圖1等中乃表示將阻抗設定部30等設在連接到下 φ 部電極1 8的RF線24的情形。也可以取代此，如圖14 的第5實施形態所示，只將同樣構成的阻抗設定部30配設在連接到上部電極6的阻抗設定部30、或是可以同時將阻抗設定部30配設在兩個RF線10、24。 - 圖15爲以連接到上部電極的匹配電路與阻抗設定部作爲主體的電路構成圖。第1匹配電路12則是一與從圖 2中所示的匹配電路26省略掉固定線圈34同樣地被構成者。又，阻抗設定部30則是固定電容器52與可變線圈 φ 50的串聯電路。此外，各線圈的電感或電容器的電容則與圖2所示的情形不同，乃根據所對應之RF電力的頻率來決定。又，在此則省略阻抗控制部、調整構件、匹配調整位置感測器等的記載。接著在圖14及圖15所示的裝置中針對進行完電漿灰化（plasma ashing)處理後之實驗的評估結果加以說明。在該灰化處理中，則使用在矽晶圓上形成厚度爲 -31 - 1320945 lOOnm之TEOS的Si〇2膜，而在其上面堆積了已形成有厚度爲80nm的B ARC (有機系防止反射膜）以及厚度爲 400nm、寬度爲180nm之線圖案（line pattern)之光阻膜的被處理基板。 BARC與SiOj蝕刻條件如下： <BARC>

製程氣體（蝕刻氣體）：CH4/CHF3/02= 1 5 7/5 2/llsccni 製程壓力：0.93Pa(7mTorr)

下部電極溫度：7 5 °C RF電力：上部電極/下部電極=100/500W 過倉虫刻（overetching) : 10% <Si02>

製程氣體（蝕刻氣體）：C4F8/Ar= 1 7/400sccm 製程壓力：5.3Pa(40mTorr) 下部電極溫度：75 t RF電力：上部電極/下部電極=600/600W 過蝕刻：2 0 % 圖1 6爲表示針對由該實驗所得到之阻抗之CD ( Critical Dimension)偏移之變化的說明圖。上述所謂的 CD偏移係指在經TE0S之Si〇2的蝕刻及光阻膜灰化後的寬度尺寸與光阻膜在蝕刻前的寬度尺寸的差。在此則利用 55pF的固定電容器52與可變線圈50讓阻抗變化。 -32- 1320945 在圖16中，ISO表示弧立圖案、Nest則表示線（iine )或空間（s p a c e )爲（1 : 1 )。如圖1 6所示，當針對 13.5 6MHz的阻抗變化時，則追隨此，CD偏移量在某個程度，例如阻抗Z爲40〜50Ω的範圍內最大可以作10nm左右的變化。 <第6實施形態> 在圖1等中表示在上部電極6與下部電極18兩者分別連接有RF電源14、2 8的裝置的例子。而取代此，阻抗設定部30也可以適用在只將RF電源連接到其中一個電極的裝置的例子。此時，將阻抗設定部30連接到面向連接有RF電源之電極的電極，例如在圖17所示的構造中’面向連接有RF電源14之上部電極6的下部電極18 <第7實施形態> 在以上的各實施形態中，則進行調整控制以使得從其中一個電極來看另一個電極時的阻抗產生變化。取代此，也可以控制從在處理室內所產生之電漿所看到的阻抗。從電漿針對被施加在此的RF的基本波產生各種高次的高諧波’藉由從處理室釋放該高諧波而使得電漿的狀態發生變化。因此將上述可以改變阻抗之設定値的阻抗設定部連接到在電氣上與電漿耦合的特定的構件，而將該阻抗設定成可以針對在高次的高諧波內的至少一者產生共振。 -33- 1320945 圖18爲表示已設置第7實施形態之共振用阻抗設定部的電漿處理裝置的構成圖。圖19爲表示共振用阻抗設定部之一例的電路圖。在此爲了要容易理解發明，乃省略掉在圖1中之第1RF電源14以及第1匹配電路12的記載。在圖1 8所示的裝置中，乃取代圖1中所示之RF線 24的阻抗設定部3 0而改設共振用阻抗設定部8 〇。阻抗設定部80的阻抗設定部，則與阻抗設定部30同樣地根據已 · 規定的在處理晶圓時之製程條件等的處理程序等而藉由控制部8 1來調整。當從第2RF電源28將作爲基本波的13.56MHz的RF 電力施加在下部電極1 8與上部電極6之間而在處理空間 · S產生電漿時，則從該電漿針對上述基本波產生2次、3 . 次' 4次' 5次、.........等的高次的高諧波。阻抗設定部 80則設定成可變的以使得從電漿所看到的阻抗相對於在多個高次的高諧波內的至少一個高諧波產生共振。此外， | 如上所述，1 3 · 5 6MHz的基本波的RF電流則經由上部電極 6或處理室4的側壁等而漏到接地。如圖19所示，阻抗設定部80是由濾波器82與一個阻抗可變部84的串聯電路所構成。更且，阻抗可變部84 是由可變電容器86與固定線圈88的串聯電路所構成。直接被連接到RF線24的濾波器82則將被施加在濾波器82本身所連接之下部電極18的第2RF電源28的基本波加以濾掉（c ut )，亦即不讓1 3.5 6 Μ Η z的電流流入。 -34- 1320945 又，濾波器82則選擇讓較該基本波爲大的頻率通過。在此則使用高通濾波器作爲濾波器82來使用。

阻抗可變部84的可變電容器86的電容則設成可以改變。在此，則調整從電漿所看到的阻抗而控制在從相對於基本波的2次高諧波的附近到4次高諧波的附近的範圍內選擇共振。當實際上進行蝕刻等的電漿處理時，則呈可變地來調整阻抗可變部84的可變電容器86，而選擇性地使從電漿所看到的阻抗共振成2次高諧波、3次高諧波、或 4次高諧波。藉此針對晶圓W的電漿處理能夠維持具有高的面內均一性、或是將在處理室4內的電漿維持在穩定的狀態。

接著則說明在對可變電容器8 6的電容作各種變更時，包含基本波在內之高諧波的電壓的變動狀態，此時在電漿中的電子密度、以及在蝕刻時之面內均一性的各種評估的評估結果。圖20爲表示作爲下部電極1 8之電壓値的底部電壓Vpp (參照圖18 )相對於可變電容器之電容（dial 値DV)之依存性的說明圖。圖21A〜D爲表示包含基本波在內之各高諧波的底部電壓Vpp相對於可變電容器之電容（dial値DV)之依存性的說明圖。圖22爲表示在電漿中的電子密度ED相對於可變電容器之電容（dial値DV )之依存性的說明圖。圖23爲表示蝕刻速率ER的面內均一性相對於可變電容器之電容（dial値DV )的評估的說明圖。此外，在圖22中，可變電容器86的dial値DV 是以"〇~11"來表示，而此則對應於25 0PF~30PF的電容變 -35- 1320945 化。由圖20互 Al 、 A2 、 A3 ， A1〜A3產生共波測定電壓的次，但也可以1 圖 2 1 A 13.56MHz )的小，但電壓卻 Vpp相對於2 A 1處電壓急劇於2次高諧波對於3次高諧壓急劇地增加次高諧波產生: 次高諧波（54. 加，但在dial 生共振。又，將用：電子密度ED。 (dial 0 ' 7.5 確認出在各點1 根據以上行晶圓之矽氧< Γ 知，d i a 1 値 D V 在"0 ” 7 · 5 " ' 9 · 9 "的各點底部電壓Vpp會大幅地往上跳，而在各點振。在此，則針對包含基本波在內的各高諧變化。在此，雖然高諧波爲2次、3次、4 考慮更高次的高階波。爲表示底部電壓 Vpp相對於基本波（變化，可知分別在點 A1、A 2、A 3雖然微 —次急劇地降低。圖21B爲表示底部電壓次高諧波（2 7 · 1 2 Μ Η z )的變化，可知在點 ;地增加，但在dial値DV爲"(Γ處，則相對產生共振。圖21C爲表示底部電壓Vpp相波（40.6 8MHz)的變化，可知在點A2處電 ’但在dial値DV爲"7.5"處，則相對於2 终振。圖21D爲表示底部電壓Vpp相對於4 2MHz)的變化，在點 A3處電壓急劇地增値DV爲”9.9”處，則相對於2次高諧波產來測定電子密度的探針插入到電漿中來測定結果，如圖22所示，在各點Al、A2、A3 、9.9)處電子密度ED會暫時地降低，而可 1漿的狀態已受到控制。的評估結果，分別根據不同的dial値來進膜的蝕刻處理。請參照圖23來說明此時

-36 - 1320945 的蝕刻速率E R。此外，在此則使用直徑爲2 0 0 m m的晶圓。製程條件則爲使用 CF4作爲蝕刻氣體，其流量爲 80sccm，又，製程壓力爲 150mTorr(20Pa)。在圖23中則表示有與各dial値對應的點Al〜A3、 B1〜B4。由圖23可知，在將dial値設定在離開共振點的各點B 1~B4而進行蝕刻時，蝕刻速率則使得在晶圓的中心部會全部突起來但在周邊則會降低的情形，因此會導致蝕刻速率的面內均一性惡化。相較於此，在將dial値設定在共振的各點A1〜A3時，則可以抑制蝕刻速率會導致在晶圓中心部突出來的情形，而整體大略成爲平坦，而能夠大幅地改善蝕刻速率的面內均一性。此時，蝕刻速率隨著成爲4次、3次、2次高諧波而依序逐漸地降低。因此爲了要維持高的蝕刻速率，+ 則最好是進行阻抗調整以便與4次高諧波產生共振。此外 ’當將dial値設定在點A 1時，雖然能夠改善面內均一性，但是蝕刻速率本身會變得過低。圖1 9爲表示使用可變電容器8 6與固定線圈8 8的串聯電路作爲阻抗可變部84來使用的情形。阻抗可變部84 並不限定於此，只要是能夠改變阻抗，則可以使用任何的電路。例如可以使用如圖7A~G所示之全部的電路構成。此時’如上所述設定可以改變的阻抗範圍以使得針對相對於基本波的高諧波能夠產生共振。此外，如圖7F以及圖 7G所示’在藉由開關5 3切換阻抗時，可將固定線圈4〇的阻抗或固定電容器52的電容設定成可以與事先作爲目 -37- 1320945 標之特定的高次的高諧波產生共振的値。圖18爲表示將阻抗設定部80設在第2RF電源28的 RF線24的情形。阻抗設定部8 0並不限定於此’只要是可供RF電流流動的部分（換言之爲在電氣上與電漿耦合的部分），則可以是任何位置。圖24A〜E爲表示可以連接共振用阻抗設定部之部分的模式圖。在圖24A-E中則是表示電漿處理裝置，而表示出共振用阻抗設定部的連接狀態。圖24A爲表示利用有別於RF線1 0的其他的線將阻抗設定部80連接到下部電極1 8的情形。圖24B爲表示將阻抗設定部80連接到聚磁環90的情形。圖24C爲表示將阻抗設定部80連接到整流板22的情形。圖24D爲表示將阻抗設定部8 0連接到處理室4的壁（包含側壁以及底壁）的情形。圖24E爲表示將阻抗設定部80連接到上部電極6的情形。此外，圖24D所示的情形，處理室4針對作爲對象的高次的高諧波並未直接地被接地，而是經由阻抗設定部80而被接地。圖24所示之全部的情形可以發揮與圖1 8所示的情形同樣的作用效果。共振用阻抗設定部80則根據由1個可變電容器86與 1個固定線圈88所構成的阻抗可變部84可以針對2次〜4 次的高諧波產生共振。取代此，也可以針對各高諧波獨立地控制阻抗而設置多個，例如3個的阻抗可變部。圖 2 5 A〜C爲表示具有多個阻抗可變部的共振用阻抗設定部的變形例的電路圖。圖26爲用來說明圖25 A〜C所示之電路 1320945 圖之各連接點的模式圖。表示圖26所示之阻抗設定部80之3個點的連接點的記號pa、pb、pc則也被表示在圖24A〜E、圖25A~C以及圖30的對應位置。圖26的連接點pc在連接點pa被連接到電極時會開放（open)、或是被連接到匹配電路（參照圖30)。圖26的連接點pc或連接點pa在被連接到電極以外的構件時則開放。圖2 5 A所示的情形，則將分別可供不同的高諧波通過的 3 個帶通濾波器（bandpass filter) 82A、82B' 82C 並聯連接到RF線24而構成濾波器82。此時，第1、第2 、第3帶通濾波器82A、82B、82C則分別讓以2次、3 次、4次高諧波作爲中心的頻域通過。又，各帶通濾波器 82A-82C則不讓基本波（13.56MHz)通過。而由分別將各可變電容器 86A、86B、86C與固定線圈 88A、88B、 88C個別地予以串聯連接而成的3個阻抗可變部84A、 84B、84C則個別地被串聯連接到各帶通濾波器82A〜82C 〇根據此，在3個不同的高次的高諧波中可以選擇性地與其中一個高諧波產生共振。又，也可以針對任意的2個或3個高諧波同時地產生共振。因此，可以將各高諧波所擁有之對於電漿處理的特性加以組合。圖2 5 B所示的情形，則將讓2次高諧波以上之頻率通過的第1高通濾波器92A，讓3次高諧波以上之頻率通過的第2高通濾波器92B、以及讓4次高諧波以上之頻率通 -39- 1320945 過的第3高通濾波器92C依照此順序加以串聯連接而構成濾波器82。在第1與第2高通濾波器92A、92B之間則連接有具有與圖2 5 A所示者同樣構成的2次高諧波用的阻抗可變部84A。在第2與第3高通濾波器92B、92C之間則連接有3次高諧波用的阻抗可變部84B。在第3高通濾波器92C的下游側則連接有4次高諧波用的阻抗可變部 84C。此時也可以發揮具有與圖25 A所述者相同的作用效果。 φ 圖25C所示的電路構成，由於是應用在如後述之圖 30所示的電路構成，因此是以流有基本波爲前提。因此不利用在連接到下部電極1 8 (參照圖24A )、聚磁環90 (參照圖2 4 B )、以及整流板的（參照圖2 4 C )的情形， - 而是利用在連接到處理室（參照圖24D)、或上部電極6 . (參照圖24E)的情形。此外，當爲圖25A、B所示的電路構成時則不必要有此限制。如圖25C所示，濾波器82 是由將讓4次高諧波以下之頻率通過的第1低通濾波器 · 94A、讓3次高諧波以下之頻率通過的第2低通濾波器 94B、以及讓2次高諧波以下之頻率通過的第3低通濾波器94C依照此順序加以串聯連接而構成。在第1與第2低通濾波器94 A、94B之間則連接有具有與圖25A所示者相同之構成的4次高諧波用的阻抗可變部84C。在第2與第3低通濾波器94B、94C之間則連接有3次高諧波用的阻抗可變部84B。在第3低通濾波器 94C的下游側則連接有2次高諧波用的阻抗。此時，則可 -40- 1320945 以發揮具有與圖25A所述者相同的作用效果。在上述實施形態中所說明之各高通濾波器則可以如圖 27 A~D所示般地構成。圖27 A爲表示由被串聯連接到電路的固定電容器C1以及被並聯連接到電路的固定電阻R1 所構成的電路。圖27B爲表示由被串聯連接到電路的固定電容器C 1以及被並聯連接到電路的固定線圈L 1所構成的電路。圖27C爲表示由被串聯連接到電路的固定電容器 C1、以及被並聯連接到電路之固定線圏L1與固定電容器 φ C2的串聯電路所構成的電路。圖27D爲表示由被串聯連接到電路的固定電容器C1與固定線圈L1的並聯電路、以及被並聯連接到電路的固定線圈L2所構成的電路。在上述實施形態中所說明之各高通濾波器則可以如圖 · 28A-D所示般地構成。圖28A爲表示由被串聯連接到電 . 路的固定電阻R1以及被並聯連接到電路的固定容器C1 所構成的電路。圖28B爲表示由被串聯連接到電路的固定線圈L1以及被並聯連接到電路的固定電容器C1所構成 · 的電路。圖28C爲表示由被串聯連接到電路的固定線圏 L 1、以及被並聯連接到電路的固定電容器C 1所構成的電路。圖28C爲表示由被串聯連接到電路的固定線圈L1、以及被並聯連接到電路之固定電容器C1與固定線圈L2 的串聯電路所構成的電路。圖28D爲表示由被串聯連接到電路的固定線圈L1與固定電容器C1的並聯電路、以及被並聯連接到電路的固定電容器C2所構成的電路。圖29爲表示陷波（notch)濾波器之一例的電路圖。 -41 - 1320945 可以取代上述的帶通濾波器82A〜82C而改採此種陷波濾波器。該，陷波濾波器是一將只是不讓特定波長帶通過的陷波濾波器加以串聯連接以讓所希望的波長帶通過者。例如藉由第1固定線圈L1與第1固定電容器C1的並聯電路來濾掉（cut)基本波的波長帶。藉由第2固定線圈L2 與第2固定電容器C2的並聯電路來截掉2次高諧波的波長帶。藉由第3固定線圈L3與第3固定電容器C3的並聯電路來截掉3次高諧波的波長帶。藉著將各並聯電路加以串聯連接可以讓4次高諧波的波長帶通過（具體地說爲讓4次高諧波以上的波長帶通過）。因此若是適當地設定各固定線圈的電感與固定電容器的電容，可以截掉不希望的波長帶，而讓所希望的波長帶通過。在第7實施形態中係表將RF電源2 8連接到下部電極1 8的情形。也可以取代此，即使是將RF電源連接到上部電極6，則只是上下相反而已，可以得到與上述同樣的效果。此時，下部電極18則設定成可以讓施加在上部電極6的RF電流通過。更且，如圖3 0所示，第7實施形態也可以適用在將 RF電源1 4，2 8分別連接到上部電極6與下部電極1 8兩者的情形（該點則與圖1所示的情形相同）。在此，則在下部電極1 8的RF線24設置可以改變阻抗之設定値的共振用阻抗設定部80。連在上部電極6的RF線10也設置可以改變阻抗之設定値的共振用阻抗設定部96。此時，位在上部電極6側之阻抗設定部98的構成，除了基本頻 -42- 1320945 率從13.56MHz變更成第1RF電源14的60MHz以外，其他之前針對位在下部電極1 8側之阻抗設定部80所說明的構成則完全適用。此外，也可以選擇2個阻抗設定部80 、98的其中一者。在第7實施形態中乃針對將各阻抗可變部設定成針對高諧波爲完全的共振狀態的情形、或是大幅地脫離共振狀態的情形來說明。第7實施形態，也可以取代此而設定成不完全的共振狀態，例如50%左右的共振狀態而來控制電漿的狀態。又，共振狀態的程度也可以控制成在 0〜1 0 0%之間呈線性地變化。在第1至第7實施形態中所使用的RF電源的頻率則只是一例而已，也可以利用例如800KHz ' 2MHz、27MHz 、：100MHz，又，也可以將該些不同頻率的2個以上的RF 電源連接到同一電極。此時可以利用4 〇 Μ Η z及3 · 2 Μ Η z、 100MHz 及 3.2MHz、40MHz 及 13·56ΜΗζ 等的組合。又，被處理基板也可以不是半導體晶圓，在處理玻璃基板，LCD基板等時也可以應用各實施形態。另外的優點與改良爲熟習此項技藝人士可輕易思及。故本發明最廣的觀點並不限於本文所述特定的細節與代表具體例。因此在不背離所附申請專利範圍與均等物所定義之一般發明觀念的精神或範圍下’可以作出各種改良。【圖式簡單說明】圖1爲表示本發明之第1實施形態之電漿處理裝置 -43- 1320945 的槪略構成圖。圖2爲表示在圖1所示之裝置中被連接到下部電極的匹配電路與阻抗設定部的電路構成圖。圖3爲表示在圖1所示之裝置中之阻抗設定部的調整値（dial値）與電容之相互關係的說明圖。圖4爲表示在圖1所示之裝置中之阻抗設定部的調整値（dial値）與電抗之相關關係的說明圖。圖5爲表示在圖1所示之裝置中之製程A、B的dial 値與電漿處理之面內均一性3a的關係的說明圖。圖6A〜C爲表示在藉由習知裝置與圖1所示之裝置來進行製程時，在直徑3 00mm之晶圓之蝕刻速率的分佈情形的說明圖。圖7 A〜G爲表示在圖1所示之裝置中之裝置中之阻抗設定部之變形例的電路圖。圖8爲表示在改變施加在圖1所示之裝置中之上部電極與下部電極之RF電力所組合時之電漿的穩定性的說明圖。圖9爲表示在圖1所示之裝置中之阻抗設定部的dial 値與電漿之穩定性之關係的說明圖。圖10爲表示在圖1所示之裝置中進行校正時之電抗測定器的安裝狀態的說明圖。圖11爲表不分別表示具有圖1所示構成之多個（2 台）的電漿處理裝置的dial値與電抗的關係、校正前後之dial値的關係、dial値與電抗之關係的說明圖。 1320945 圖12爲表示圖1所示之裝置中之dial値與匹配位置 (matching position)之關係的說明圖。圖13爲表示本發明之第4實施形態之電漿處理裝置的槪略構成圖，在此則使用阻抗設定部與可變頻率型的 RF電源。圖14爲表示本發明之第5實施形態之電漿處理裝置的槪略構成圖，在此阻抗設定部被連接到上部電極。圖15爲表示在圖14所示之裝置中被連接到上部電極的匹配電路與阻抗設定部的電路構成圖。圖16爲表示針對在圖14所示之裝置中之阻抗（ 13.56MHz )的CD偏移（shift )之變化情形的說明圖。圖1 7爲表示本發明之第6實施形態之電漿處理裝置的槪略構成圖，在此RF電源只被連接到其中一個電極。圖1 8爲表示本發明之第7實施形態之電漿處理裝置的槪略構成圖，在此則配設有共振用阻抗設定部。圖19爲表示在圖18所示之裝置中之共振用阻抗設定部之一例的電路圖。圖20爲表示在圖18所示之裝置中作爲下部電極之電壓値的底部（bottom)電壓Vpp針對可變電容器之電容之依存性的說明圖。圖21A〜D爲表示在圖18所示之裝置中包含基本波在內之各高諧波的底部電壓Vpp針對可變電容器之電容之依存性的說明圖。圖23爲表示在圖18所示之裝置中蝕刻速率面內均一 -45- 1320945 性針對可變電容器之電容之評估的說明圖。圖22爲表示在圖18所示之裝置中在電漿中的電子密度針對可變電容器之電容之依存性的說明圖。圖24A~E爲表示第7實施形態之將電漿處理裝置加以模式化之共振用阻抗設定部的連接狀態的說明圖。圖25A〜C爲表示第7實施形態之具有多個阻抗可變部之共振用阻抗設定部的變形例的電路圖。圖26爲用來說明圖25所示之電路圖之各連接點的模式圖。圖27A〜D爲表示高通濾波器之一例的電路圖。圖28 A〜D爲表示低通濾波器之一例的電路圖。圖29爲陷波濾波器之一例的電路圖。圖30爲表示分別將RF電源連接到上部電極與下部電極兩者時之電漿處理裝置的槪略構成圖。元件對照表 2 :電漿處理裝置 4 :處理室 6 :上部電極 8 :絕緣構件 10 : RF 線 12 :匹配電路 14 :第1RF電源 1 6 :排氣口 -46 - 1320945 1 8 :下部電極 20 :閘 22 :整流板 24 ： RF 線 26 :第2匹配電路 28:第2RF電源 3 0 =阻抗設定部 3 2 :阻抗控制部 3 4 :第1固定線圈 3 6 :第2固定線圈 3 8 :位置感測器 4 0 :固定線圏 42 :可變電容器 44 :調整構件 5 〇 :可變電容器 52 :固定電容器 70 =阻抗設定部 7 2 : R F電源 80 :阻抗設定部 8 2 :濾波器 84 :阻抗可變部 86 :可變電容器 8 8 :固定線圈 82A :第1帶通濾波器 1320945 82B :第2帶通濾波器 82C :第3帶通濾波器 9 0 :聚磁環 92A :第1高通濾波器 92B :第2高通濾波器 92C:第3高通濾波器 94A :第1低通濾波器 94B :第2低通濾波器 94C :第3低通濾波器 GS :氣體供給部 E S :真空排氣部 W :晶圓 C1 :第1固定電容器 L1 :第1固定線圏 L2 :第2固定線圈 C2:第2固定電容器 -48-

Claims

1320945 拾、申請專利範圍第921 19056號專利申請案中文申請專利範圍修正本民國98年7月1日修正 1. 一種電漿處理裝置，係使用電漿對被處理基板實施電漿處理者；具備：用來收容上述被處理基板之氣密式處理室；將處理氣體供給到上述處理室內的氣體供給系；將上述處理室內部排氣之同時，將上述處理室內部設定爲真空的排氣系；彼此呈相向地被配設在上述處理室內部的第1及第2 電極，在上述第1與第2電極間激發上述處理氣體而形成電漿化的RF電場；介由匹配電路被連接到上述第1或第2電極而供給 RF電力的RF電源，上述匹配電路可對上述RF電力自動進行輸入阻抗的匹配：阻抗設定部，其在上述電漿處理中介由配線被連接到電氣耦合於上述電漿之特定構件，用來設定對於從上述電漿被輸入到上述特定構件之RF成分的阻抗、亦即逆向阻抗，上述阻抗設定部可以變更上述逆向阻抗的値；及控制部，用於對上述阻抗設定部供給和上述逆向阻抗的設定値有關之控制信號。 2. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中上述控制部更具有記億部’用來記憶彼此條件不同之第1及 1320945 第2之處理、以及與彼等處理對應之上述逆向阻抗之第1 及第2設定値間之關係有關之資料；上述控制部，當上述處理室內進行的處理從上述第1處理轉換成上述第2處理時，會根據上述資料對上述阻抗設定部供給控制信號，以使上述逆向阻抗從上述第1設定値變更成上述第2設定値〇 3_如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中上述設定値，係事先被設定爲可提高上述電漿處理在上述被處理基板上的面內均一性。 4. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中上述設定値事先被設定爲可使上述電漿穩定化。 5. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中上述電漿處理裝置爲蝕刻裝置，上述被處理基板具有形成有圖案的掩罩層與位於其下方之被蝕刻的下側層，而上述設定値事先被設定以控制上述下側層的加工尺寸。 6. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中上述阻抗設定部，係具備：藉由連續可變元件使上述逆向阻抗連續變化的構成，及藉由切換多個固定元件使上述逆向阻抗呈階段式變化的構成的其中一方或兩方。 7·如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中上述阻抗設定部具備有顯示上述設定値的功能。 8·如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中上述控制部或上述阻抗設定部，係藉由補正上述阻抗設定部固有之誤差後的校正資料’來修正上述設定値而調整上述 -2 - 1320945 逆向阻抗。 9. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中上述RF電源係介由第1配線被連接到上述第1電極，上述阻抗設定部則介由第2配線被連接到上述第2電極，上述 RF成分包含：具有上述RF電力之基本頻率的成分。 10. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中上述RF電源及上述阻抗設定部，係介由第1配線被連接到上述第1電極，上述RF成分包含有上述RF電力之基本頻率的高諧波。 11. 如申請專利範圍第10項之電漿處理裝置，上述阻抗設定部產生之上述輸入阻抗的値被設定爲，針對上述 RF電力的上述處理室及上述電漿所造成之RF負載阻抗的値的2倍以上。 12. —種電漿處理裝置，係使用電漿對被處理基板實施電漿處理者；具備有：用來收容上述被處理基板之氣密式處理室；將處理氣體供給到上述處理室內的氣體供給系；將上述處理室內部排氣之同時，將上述處理室內部設定爲真空的排氣系；彼此呈相向地被配設在上述處理室內部的第1及第2 電極，在上述第1與第2電極間激發上述處理氣體而形成電漿化的RF電場；介由匹配電路被連接到上述第1或第2電極而供給 RF電力的RF電源，上述匹配電路可對上述rf電力自動 -3- 1320945 地進行輸入阻抗的匹配；阻抗設定部，其在上述電漿處理中介由配線被連接到電氣耦合於上述電漿之特定構件，用來設定對於從上述電漿被輸入到上述特定構件之上述RF電力的基本頻率所對應多個不同的高次的高諧波之一之阻抗、亦即逆向阻抗，上述阻抗設定部可以變更上述逆向阻抗的値；及控制部，用於對上述阻抗設定部供給和上述逆向阻抗之設定値相關之控制信號。 13. 如申請專利範圍第12項之電漿處理裝置，其中上述特定構件係選自上述第1及第2電極、以及上述處理室。 14. 如申請專利範圍第12項之電漿處理裝置，其中上述特定構件係被配設成包圍上述被處理基板的聚磁環。 15_如申請專利範圍第12項之電漿處理裝置，其中上述特定構件係整流板，其被配設在上述處理室內之處理空間與排氣路徑之間。 16·如申請專利範圍第12項之電漿處理裝置，其中上述阻抗設定部具備：在上述多個不同之高次的高諧波之中，藉由連續可變元件使上述逆向阻抗連續變化的構成；及藉由切換多個固定元件使上述逆向阻抗呈階梯式變化的構成之其中一方或兩方。 17.如申請專利範圍第12項之電漿處理裝置，其中上述阻抗設定部具有濾波器，用來選擇成爲共振對象之高次的高諧波。 -4- 1320945 18. 如申請專利範圍第17項之電漿處理裝置，其中上述濾波器，對於所選擇之高諧波以外的高諧波，係具有 50Ω以上的高阻抗。 19. 如申請專利範圍第17項之電漿處理裝置，其中上述濾波器具備有由高通濾波器、帶通濾波器、低通濾波器以及陷波濾波器所構成的群中所選擇的濾波器。 20. 如申請專利範圍第17項之電漿處理裝置，其中上述濾波器，係濾掉具有上述RF電力之基本頻率的成分〇 21. —種電漿處理裝置，係使用電漿對被處理基板實施電漿處理者；具備有：用來收容上述被處理基板之氣密式處理室；將處理氣體供給到上述處理室內的氣體供給系；將上述處理室內部排氣之同時，將上述處理室內部設定爲真空的排氣系；彼此呈相向地被配設在上述處理室內的第1及第2電極，在上述第1與第2電極之間激發上述處理氣體而形成電漿化的RF電場；分別被連接到上述第1及第2電極，且被導出到上述處理室外的第1及第2配線，上述第1及第2配線係形成包含上述第1與第2電極間之電氣耦合之交流電路的一部分；被配設在上述第1配線上而供給第1RF電力的第1RF 電源； -5- 1320945 第1匹配電路，其在上述第1配線上被配設在上述第 1電極與上述第1RF電源之間，可以自動進行對上述第 1RF電力之輸入阻抗之匹配；阻抗設定部，其被配設在上述第2配線上，用來設定對於從上述電漿被輸入到上述第2電極之RF成分的阻抗、亦即逆向阻抗，上述阻抗設定部可變更上述逆向阻抗的値，而上述RF成分包含具有上述第1RF電力之基本頻率的成分；及控制部，用於對上述阻抗設定部供給與上述逆向阻抗之設定値相關的控制信號。 22. 如申請專利範圍第21項之電漿處理裝置，其中上述第2配線介由上述阻抗設定部被連接到接地》 23. 如申請專利範圍第21項之裝置，更具備有：被配設在上述第2配線上而供給第2RF電力的第2RF 電源；及在上述第2配線上被配設在上述第2電極與上述第 2 RF電源之間，自動進行對上述第2RF電力之輸入阻抗匹配的第2匹配電路。 2 4.如申請專利範圍第23項之電漿處理裝置，其中上述第1RF電力具有較上述第2RF電力爲高的頻率。 25·如申請專利範圍第23項之電漿處理裝置，其中上述第1RF電力具有較上述第2RF電力爲低的頻率。 26. —種電漿處理裝置，係使用電漿對被處理基板實施電漿處理者；具備有： -6- 1320945 用來收容上述被處理基板之氣密式的處理室；將處理氣體供給到上述處理室內的氣體供給系；將上述處理室內部排氣之同時，將上述處理室內部設定爲真空的排氣系；彼此呈相向地被配設在上述處理室內部的第1及第2 電極，在上述第1與第2電極之間激發上述處理氣體而形成電漿化的RF電場；分別被連接到上述第1及第2電極，且被導出到上述處理室外的第1及第2配線，上述第1及第2配線係形成包含上述第1與第2電極間之電氣耦合的交流電路之一部分；被配設在上述第1配線上而供給第1RF電力的第1RF 電源；在上述第1配線上被配設在上述第1電極與上述第 1RF電源之間，自動進行對上述第1RF電力之輸入阻抗匹配的第1匹配電路；阻抗設定部，其被配設在上述第1配線上，用來設定對於從上述電漿被輸入到上述第1電極之RF成分的阻抗、亦即逆向阻抗，上述阻抗設定部可變更上述逆向阻抗的値，而上述RF成分包含上述第1RF電力之基本頻率的高諧波；及控制部，用於對上述阻抗設定部供給和上述逆向阻抗之設定値相關的控制信號的控制部。 2 7.如申請專利範圍第26項之電漿處理裝置，上述 1320945 阻抗設定部產生的上述輸入阻抗的値，係被設定爲對於上述第1RF電力而由上述處理室及上述電漿所造成之RF負載阻抗的値的2倍以上。 28. 如申請專利範圍第26項之電漿處理裝置，更具備有：被配設在上述第2配線上而供給第2RF電力的第2RF 電源；及在上述第2配線上被配設在上述第2電極與上述第 2RF電源之間，自動進行對上述第2 RF電力之輸入阻抗的匹配第2匹配電路。 29. 如申請專利範圍第28項之電漿處理裝置，其中上述第1RF電力具有較上述第2RF電力爲高的頻率。 30. 如申請專利範圍第29項之電漿處理裝置，其中上述第1RF電力具有較上述第2RF電力爲低的頻率。 31. —種電漿處理裝置，係使用電漿對被處理基板實施電漿處理者；具備有：用來收容上述被處理基板之氣密式處理室；將處理氣體供給到上述處理室內的氣體供給系；將上述處理室內部排氣之同時，將上述處理室內部設定爲真空的排氣系；彼此呈相向地被配設在上述處理室內的第1及第2電極，在上述第1與第2電極之間激發上述處理氣體而形成電漿化的RF電場；分別被連接到上述第1及第2電極，且被導出到上述 -8- 1320945 處理室外的第1及第2配線，上述第1及第2配線係形成包含上述第1與第2電極間之電氣耦合的交流電路之一部分：被配設在上述第1配線上而供給第1RF電力的第1RF 電源；在上述第1配線上被配設在上述第1電極與上述第 1RF電源之間，自動進行對上述第1RF電力之輸入阻抗匹配的第1匹配電路；阻抗設定部，其被配設在上述第1配線上，用來設定對於被輸入到上述第1電極之RF成分的阻抗、亦即逆向阻抗；被配設在上述第2配線上而供給第2RF電力的第2RF 電源，上述第2RF電源可變更上述第2 RF電力的頻率；在上述第2配線上被配設在上述第2電極與上述第 2RF電源之間，自動進行對上述第2RF電力之輸入阻抗匹配的第2匹配電路；及控制部，用來對上述第2RF電源供給和上述第2RF 電力之頻率之設定値相關的控制信號。 32. 如申請專利範圍第31項之電漿處理裝置，其中上述阻抗設定部之上述逆向阻抗的設定値爲一定。 33. 如申請專利範圍第31項之電漿處理裝置，其中上述阻抗設定部具備有：藉由連續可變元件連續變化上述逆向阻抗的構成，及藉由切換多個固定元件而使上述逆向阻抗呈階梯式變化的構成之其中一方或兩方。 -9- 1320945 34. —種阻抗設定部的校正方法，係申請專利範圍第 1項之電漿處理裝置之阻抗設定部的校正方法；具備有：藉由測定而得到校正資料的過程，該校正資料係用來補正在上述阻抗設定部設定固有之上述逆向阻抗時之誤差 :及藉由上述校正資料來補正上述設定値而調整上述逆向阻抗的過程。 35. 如申請專利範圍第34項之阻抗設定部的校正方法，具備有：藉由電抗測定器來求取針對上述阻抗設定部之上述 RF成分的電抗與上述設定値間之相關關係的過程；及根據事先所決定的基準相關關係與上述所求得的相關關係而得到上述校正資料的過程。 3 6 ·如申請專利範圍第3 5項之阻抗設定部的校正方法，其中上述阻抗設定部被連接到上述第1電極’上述 RF電源被連接到上述第2電極。 37. 如申請專利範圍第35項之阻抗設定部的校正方法，將上述電抗測定器連接到上述阻抗設定部的輸出端子〇 38. 如申請專利範圍第35項之阻抗設定部的校正方法，在上述電漿處理裝置中，上述阻抗設定部係被連接到上述第1電極，而在上述阻抗設定部的校正方法中則將上述電抗測定器連接到上述第1電極。 39. 如申請專利範圍第34項之阻抗設定部的校正方 -10- 1320945 法’在上述電漿處理裝置中，上述阻抗設定部係被連接到上述第1電極，上述阻抗設定部的校正方法具備有：求取第1參數與上述設定値間之相關關係的過程，上述第1參數係代表：由被施加在上述第1電極之RF電力的電壓振幅、被連接到上述第1電極之匹配電路的調整値，被施加在上述第2電極之RF電力的電壓振幅、被連接到上述第2電極之匹配電路的調整値、以及終點檢測用分光器之輸出所構成的群被選出的資訊；及根據事先所決定的基準相關關係與上述所求得之相關關係而得到上述校正資料的過程。 40. 如申請專利範圍第39項之阻抗設定部的校正方法，其中上述控制部，係藉由自動變化上述阻抗設定部的上述逆向阻抗，取得與上述第1參數之變化相關的資料，而得到上述校正資料。 41. 如申請專利範圍第10項之電漿處理裝置，其中上述阻抗設定部，係針對多數高次之高諧波之中至少一個高諧波，以使包含上述逆向阻抗的電路產生共振的方式予以設定。 42. 如申請專利範圍第12項之電漿處理裝置，其中上述阻抗設定部，係針對多數高次之高諧波之中至少一個高諧波，以使包含上述逆向阻抗的電路產生共振的方式予以設定。 43. 如申請專利範圍第26項之電漿處理裝置，其中 -11 - 1320945 上述阻抗設定部，係針對多數高次之高諧波之中至少一個高諧波，以使包含上述逆向阻抗的電路產生共振的方式予以設定。

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