1311782 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於電费加工（plasma processing)，尤指 關於平行平板型RIE方式的電漿蝕刻方法及電漿處理裝 置。 【先前技術】 以往，半導體裝置或FPD ( Flat Panel Display )之製 造步驟的蝕刻加工中，多使用平行平板型電漿蝕刻裝置。 平行平板型電漿蝕刻裝置，乃在處理容器或反應室內，將 上部電極和下部電極平行配置，在下部電極上載置被處理 基板（半導體晶圓、剝離基板等），在下部電極及上部電 極之至少一方，介由整合器施加高頻電壓。藉由因該高頻 電壓而形成於兩電極間的電場，得以加速電子，藉由電子 和處理氣體分子的衝突電離，得以產生電漿，藉由電漿所 生成的自由基或離子，得以蝕刻基板表面的膜。尤其，在 平行平板型的RIE ( Reactive Ion Etching)方式中，電獎 中的離子因形成於基板表面附近之離子層（ion sheath) 的電場而加速’並垂直入射至基板表面，藉此方式，亦可 進行方向性優良的異向性蝕刻。大體上，該方式是採用陰 極耦合’將上部電極接地’對下部電極施加電漿激發用高 頻（參考例如專利文獻1 )。 [專利文獻1]日本特開2000— 12531號公報 1311782 (2) 【發明內容】 [發明所欲解決之課題] 然而，習知平行平板型RIE電漿蝕刻裝置，應用在較 大的晶板尺寸時，尤指大口徑（例如3 00mm )晶圓、或 FPD基板的蝕刻加工中，蝕刻均勻性或蝕刻能力等方面會 產生界限。具體而言，在鋁、鈦、含鈦金屬類的蝕刻中， 要求低壓下的高密度電漿，故必須提高RF功率。然而， 提高RF功率時，會產生電漿集中於基板中心部附近，導 致電漿密度分布之均勻性或蝕刻均勻性降低的問題。再 者，鋁合金、ITO (銦錫氧化物）類的蝕刻或氧化矽膜 (Si02 )的蝕刻中，無法獲得充分的蝕刻速度，選擇性也 不佳。由上述得知，這些被蝕刻材，逐漸採用有利於高密 度電漿之生成的感應性耦合電漿蝕刻裝置（ICP )。 本發明是有鑑於上述問題點而開發者，其目的在於提 供一種蝕刻能力及蝕刻均勻性優良之平行平板型RIE方式 的電漿蝕刻方法及電漿處理裝置。 本發明之其他目的在於提供一種，在双頻重疊施加方 式中得以實現整合電路的小型化及低成本化的電漿處理裝 置。 [解決課題之手段] 爲了達成上述目的，本發明第1電漿蝕刻方法係使用 電漿，用以蝕刻被處理基板上的鋁、鈦或含鈦金屬的膜， 其特徵爲：在可形成真空的處理容器內，與上部電極相對 -5- (3) 1311782 配置的下部電極上，載置上述被處理基板，並且在上述上 部電極和上述下部電極之間，流入含氯原子的氣體、或以 該氯原子爲主成分的蝕刻氣體，並且將第丨高頻和第2高 頻重疊施加於上述下部電極，而該第1高頻具有設定在 10MHz至30MHz範圍內的第1頻率，該第2高頻具有設 定在2MHz至6MHz範圍內的第2頻率。 上述第1電漿蝕刻方法中，於鋁、鈦或含鈦金屬的蝕 刻中，將10MHz至 30MHz的第 1高頻、和 2MHz至 6MHz的第2高頻重疊施加於載置有被處理基板的下部電 極，以此方式，主要藉由第〗高頻，可將電漿密度最適當 化，同時藉由第2高頻，可將自偏壓最適當化，不僅如 此，藉由兩高頻的相互作用，亦可達成電漿密度分布的均 勻性、和自偏壓電壓的均勻性，且可改善蝕刻均勻性。 該電漿蝕刻方法中，欲達成電漿密度分布的均勻化 時，以將第2高頻的RF功率相對於上述第1高頻的RF 功率之比設爲1 / 1 〇以上爲佳，例如，亦可將上述第1高 頻的RF功率設爲1000W以上，將上述第2高頻的RF功 率設爲1 〇 0 W以上。此外，以在氯系蝕刻氣體中混合氬爲 佳。藉由將處理容器內的壓力設爲Torr以下，可進一 步增大偏壓電壓，且可提升蝕刻能力。 本發明第2電漿蝕刻方法係使用電漿’用以蝕刻被處 理基板上的含鋁金屬、或ITO (銦錫氧化物）的膜，其特 徵爲：在可形成真空的處理容器內，與上部電極相對配置 的下部電極上，載置上述被處理基板’並且在上述上部電 -6 - 1311782 (4) 極和上述下部電極之間，流入含氯原子的氣體、或以該氯 原子爲主成分的蝕刻氣體，並且將第1高頻和第2高頻重 疊施加於上述下部電極，而該第1高頻具有設定在 10MHz至30MHz範圍內的第1頻率，該第2高頻具有設 定在2MHz至6MHz範圍內的第2頻率。 上述第2電漿蝕刻方法中，於含鋁金屬或ITO的蝕刻 中，將10MHz至30MHz的第1高頻和2MHz至6MHz的 第2高頻重疊施加於載置有被處理基板的下部電極’以此 方式，主要藉由第1高頻，可將電漿密度最適當化’同時 藉由第2高頻，可將自偏壓最適當化，不僅如此，藉由兩 高頻的相互作用，亦可達成蝕刻速度的提升。再者，蝕刻 均勻性亦可獲得改善。 該電漿蝕刻方法中，爲了達成蝕刻速度的提升，以將 第1高頻的RF功率設爲2000W以上，將第2高頻的RF 功率設在〗〇 〇 W以上爲佳。此外，以在氯系蝕刻氣體中混 合Μ爲佳。 本發明第3電漿蝕刻方法係使用電漿，用以蝕刻被處 理基板上的氧化矽膜，其特徵爲：在可形成真空的處理容 器內，與上部電極相對配置的下部電極上，載置上述被處 理基板，並且在上述上部電極和上述下部電極之間，流入 包含由 CF4、CHF3、CH2F2、C4F8、SF6組成的群組中選 擇至少一種蝕刻氣體，並且將第1高頻和第2高頻重疊施 加於上述下部電極，而該第1高頻具有設定在10MHz至 30MHz範圍內的第1頻率，該第2高頻具有設定在2MHz 1311782 (5) 至6MHz範圍內的第2頻率。 上述第3電漿蝕刻方法中，於氧化矽膜的蝕刻中，將 10MHz至30MHz的第1高頻和2MHz至6MHz的第2高 頻重疊施加於載置有被處理基板的下部電極上’以此方 式，主要藉由第1高頻，可將電漿密度最適當化，同時藉 由第2高頻，可將自偏壓最適當化’不僅如此，藉由兩高 頻的相互作用，亦可達成蝕刻速度的提升。再者，蝕刻均 勻性亦可獲得改善。 該電漿蝕刻方法中，爲了達成蝕刻速度的提升，以將 第1高頻的RF功率設爲2 5 00W以上’將第2高頻的RF 功率設爲2000W以上爲佳。此外，以在蝕刻氣體中添加 H2、02、Ar、He之至少一種爲佳。 本發明之電漿蝕刻方法可適用於大型尺寸的被處理基 板，尤其是平面顯示（Flat Panel Display)用基板。 本發明之電漿處理裝置係在可形成真空的處理容器 內，與上部電極相對配置的下部電極上載置被處理基板， 並且在兩電極間形成高頻電場，同時流入處理氣體，以此 方式，生成上述處理氣體的電漿，而在上述電漿下，對上 述被處理基板實施所期望的電漿處理，其特徵爲：具備： 第1高頻電源，用以將具有第1頻率的第1高頻施加於上 述下部電極；和第1整合電路，爲了進行上述第1高頻電 源側的阻抗和上述下部電極側的負載阻抗之整合，而連接 於上述第1高頻電源和上述下部電極之間；和第2高頻電 源，用以將具有頻率低於上述第I頻率之第2頻率的第2 -8- (6) 1311782 高頻施加於上述下部電極；和第2整合電路，爲了進行上 述第2高頻電源側的阻抗和上述下部電極側的負載阻抗， 而連接於上述第2高頻電源和上述下部電極之間，並且 上述第2整合電路是由輸出段具有線圈的T型電路所構 成，而上述輸出段的線圈乃構成用以遮斷來自上述第1高 頻電源之上述第1高頻的高頻截止濾波器（high cut filter )。 上述電漿處理裝置中，將頻率不同的第1及第2高頻 重疊施加於載置有被處理基板的下部電極之双頻重疊施加 方法中，由最終輸出段具有線圈的T型電構成頻率較低之 第2高頻側的第2整合電路，令其兼具用以進行該線圈匹 配（matching )調整的整合電路 '和用以保護低頻側的第 2高頻電源之高頻截止濾波器（high cut filter )，得以實 現第2整合電路的尺寸及成本的大幅降低。 上述電漿處理裝置中，爲了將構成第2整合電路的原 子數形成最小限度，理想的狀態是，第2整合電路具有： 在第2高頻電源的輸出端子和下部電極之間，與輸出段的 線圈串聯之輸入段的第1電容器；和連接於該第1電容器 與該線圈的連接點和接地電位之間的第2電容器。此時， 進行匹配調整時，以第1及第2電容器的至少一邊是得以 進行電容之可變調整的可變電容器爲佳。輸出段的線圈， 爲了保證具有高頻遮斷功能，以具有1 00歐姆以上的阻抗 爲佳。 又，上述電漿處理裝置中，爲了將電漿密度的分布特 -9- 1311782 (7) 性最適當化，理想的狀態是’第1頻率設定在1 ΟΜΗζ至 30MHz的範圍內，第2頻率設定在2MHz至6MHz的範圍 內。上部電極亦可典型地連接於接地電位。上述電漿處理 裝置所使用的處理氣體是含Cl2、BC13、HC1、SF6、 CF4、CHF3、CH2、F2 ' 〇2、N2、H2、Ar、He 中的一種之 單氣體、或含兩種以上的混合氣體。 [發明的效果] 根據本發明的電漿蝕刻方法及電漿處理裝置，藉由具 有上述之構成和作用，得以進行蝕刻能力及蝕刻均勻性優 良之平行平板型RIE方式的電漿蝕刻。再者，根據本發明 之電漿處理裝置，藉由具有上述之構成和作用，在双頻重 疊施加方式中，得以實現整合電路的小型化及低成本化。 【實施方式】 以下’參佐附圖，說明本發明較合適的實施型態。 第1圖是表示本發明一實施型態之電漿蝕刻裝置重要 部位的構成。該電漿蝕刻裝置是平行平板型RIE電漿蝕刻 裝置的構成’具有例如鋁或不銹鋼等金屬製的真空室（處 理容器）10。真空室10係形成保護接地。 在真空室10內的底面，隔著陶瓷等絕緣板〗2，設有 由例如鋁所構成的支持台14，在該支持台14上設有由例 如鋁構所成的下部電極16。該下部電極16兼具用以載置 被處理基板（例如FPD基板）G的載置台。 -10- (8) 1311782 在下部電極1 6的上方，與該電極1 6平行相對地配置 有上部電極18。在該上部電極18上，形成有用以構成噴 頭（shower head)的多數貫通孔或氣體排出口 I8a。在設 置於上部電極18的背面之氣體導入口 20上，連接有來自 處理氣體供給源22的氣體供給管24。在該氣體供給管24 的中途，設有流量調整器（MFC) 26及開關閥28。 在真空室10的底部設有排氣口 30，在該排氣口 30 上介由排氣管32連接有排氣裝置34。排氣裝置34具有 渦輪分子泵等真空泵，可將真空室10內的電漿空間減壓 至所期望的真空度。在真空室10的側壁，設置基板搬入 出口 （未圖示），而在該基板搬入出口上，介著閘閥 (gate valve )，連接有鄰室的加載互鎖真空室（load-lock chamber)(未圖示）。 該電漿蝕刻裝置中，將下部電極1 6形成電性陰極耦 合配置。上部電極18乃介著真空室10與接地電位連接 (接地）。另一方面，在下部電極16上，分別介著第1 及第2整合器36、38，電性連接有第1及第2高頻電源 40 、 42 。 第1高頻電源40主要是幫助電漿的生成’故理想的 狀態是將具有10MHz至30MHz之頻率（例如13.56MHz 或27.12MHz)的第1高頻（以下’稱爲「電源 (source )用高頻」。）RFS，以所期望的功率（P〇wer ) 輸出。第1整合器3 6是用以進行高頻電源4 0側的阻抗和 下部電極〗6側的負載阻抗之整合，其具有用以進行匹配 -11 - 1311782 (9) (matching )調整的整合電路44 '和用以保護高頻電源 40 的帶通濾波器（band-pass filter) 46。 整合電路44是由兩個可變電容器48' 50和一個線圈 52所構成的L型電路。更詳言之，在輸入端子（節點 Na )和接地電位之間連接有電容器48，在輸入端子（節 點Na )和輸出端子（節點Ne )之間，串聯線圈52和電容 器50。藉由將兩可變電容器48' 50的電容進行可變調 整，得以使含整合電路44之下部電極1 6側的負載阻抗， 與含帶通濾波器46之第1高頻電源40側的阻抗在外觀上 —致。 帶通濾波器46是將線圈54和電容器56串聯而成的 串聯共振電路。僅選擇性地與電源用高頻RFS附近的高頻 帶域相通。即使來自第2高頻電源42的高頻RFb通過整 合電路44 ’也會被該帶通濾波器46遮斷，不會傳送至第 1高頻電源4 0。 第2高頻電源42主要是幫助自偏壓Vde的調整，故 理想的狀態是將具有 2MHz至 6MHz之頻率（例如 3·2ΜΗζ)的第2高頻（以下’稱爲「電源用高頻」。） RFb’以所期望的功率輸出。第2整合器38是用以進行高 頻電源42側的阻抗和下部電極丨6側的負載阻抗之整合， 是由兩個可變電容器58、60和一個線圈62所構成的T型 電路，且兼具匹配（matching )調整用的整合電路、和用 以保護高頻電源42的濾波電路。 更詳言之’在高頻電源42側之整合器輸入端子和下 -12- 1311782 (10) 部電極16側之整合器輸出端子（節點N。）之間，串聯有 電容器58和線圈62，在電容器58和線圈62的連接點 (節點N b )和接地電位之間’連接有電容器6 0。在該τ 型電路中’最後輸出段的線圈62 ’是以單獨或藉由與接 ；t也俱I]之電容器6 0的組合，構成高頻截止濾波器（h i g h c u t filter ) ’而具有遮斷來自第1高頻電源40之電源用高頻 RFS的功能。爲了保證該高頻遮斷功能’以將線圈62的 阻抗形成1〇〇歐姆以上爲佳。另一方面，藉由將兩可變電 容器58、60的電容進行可變調整，得以使含該整合電路 (5 8、60、62 )之下部電極1 6側的負載阻抗，與第2高 頻電源42側的阻抗在外觀上一致。此外’整合器輸出端 子（節點N e )和下部電極1 6之間的給電線64亦可由饋 電棒構成。 如上所述，本實施型態之電漿蝕刻裝置中，將電源用 高頻RFS和偏壓用高頻RFb重疊施加在下部電極16的双 頻重疊施加方式中’由最後輸出段具有線圈62之三元件 (58、60、62 )的T型電路構成低頻率側的整合器38， 使該線圈62兼具用以保護低頻率側（即偏壓用高頻RFb 側）的高頻電源42的高頻截止濾波器。藉此構成，可實 現整合器38之尺寸及成本的大幅降低。 於該電漿蝕刻裝置中，進行蝕刻時，首先將閘閥形成 開啓的狀態’將加工對象的基板G搬進真空室10內’並 載置於下部電極1 6上。然後，從處理氣體供給源22 ’將 預定的蝕刻氣體以預定流量及流量比導入真空室1〇內’ -13- (11) 1311782 藉由排氣裝置34將真空室10內的壓力形成設定値。再 者，從第1高頻電源40，以預定功率，對下部電極1 6， 施加電源用高頻RFS，大約在此同時，從第2高頻電源 42，以預定功率，施加偏壓用高頻RFS。從噴頭（上部電 極）18噴出的蝕刻氣體在兩電極16、18之間，藉由高頻 放電形成電漿化，藉由因該電漿而生成的自由基或離子， 得以蝕刻基板G的主面。 在此，由第1高頻電源40，施加於下部電極16的電 源用高頻RFS，主要是作用於下部電極1 6和上部電極1 8 之間的高頻放電，進而增強作用於電漿的生成。一般而 言，平行平板型中，施加在兩電極間之高頻的頻率越高的 話，越可提升電漿密度，然而，電極中心部側比電極邊緣 部側更容易變高。又，電源用高頻RFs的功率越高的話， 越可提高賦予電漿的能源，越可提升電漿密度，然而，電 漿容易集中於電極中心部，造成電漿密度分布的均勻性降 低。本實施型態中，如上所述，藉由電源用高頻RF s和偏 壓用高頻RFb的双頻重疊施加方式，得以解決該問題。 由第2高頻電源42，施加於下部電壓16的偏壓用高 頻RFb’會先作用於生成於下部電極16或基板G之負的 自偏壓電壓Vde的大小（絕對値），進而作用於將電漿中 的離子引入基板G的電場強度。一般而言，自偏壓電壓 Vd。在頻率軸上具有極大點，當偏壓用高頻RFb的頻率過· 高（6MHz以上）時，Vde反而會變小，而當偏壓用高頻 RFb的頻率變得過低時’ Vde也會變小。由此觀點來看， -14 - 1311782 (12) 本實施型態中乃將偏壓用高頻RFb設在2MHz至6MHz的 範圍內。 本案發明者，在本實施型態之双頻重疊施加方式的平 行平板型RIE電漿蝕刻裝置中，重複數次實驗且致力於檢 討的結果，發現藉由適當選擇電源用高頻RFS和偏壓用高 頻RFb的頻率、功率、壓力或蝕刻氣體等其他蝕刻條件， 不僅可將自由基基礎（radical base )的化學蝕刻、和離 子基礎（ion base )的物理蝕刻，分別進行獨立控制或最 適當化控制，而且關於特定的被蝕刻材，也可提升電漿密 度分布的均勻性、或獲得與ICP (電感性耦合電漿蝕刻裝 置）匹敵的蝕刻能力。 繼之，說明本發明之電漿蝕刻方法的具體實施例。 [實施例1] 使用第1圖的電漿蝕刻裝置，在鋁（A1 )的蝕刻中， 以電源用高頻RFS ( 13·56ΜΗζ)的功率Ps和偏壓用高頻 RFb ( 3.2MHz)的功率Pb作爲參數，評價電漿密度分布的 均勻性。 設置鋁的配線之多層配線構造中，爲了容易進行絕緣 膜的埋設，期望在下層側，尤其在最下層的鋁配線進行錐 狀0虫刻（taper etching )。因此在 FPD的銘·錐狀触刻 中，得以進行異向性蝕刻’所以以降低壓力’提高電源用 高頻RFS的功率Ps爲佳。 然而，如第4圖至第6圖的比較例1'2、3所示’在 -15- (13) 1311782 沒有施加偏壓用高頻RFb而僅利用電源用高頻RFS的單頻 施加方式中，RFS的功率ps越高，真空室內的壓力越低 時，電漿密度在各位置就變得越高，但是，會發生電極中 心部附近異常突出而變高的不良現象。又，如第4圖所 示，即使電極間隙（GAP )變大，電漿密度的均勻性也會 降低。更詳言之，在21 Omm的電極間隙（GAP )中，將 壓力設爲SmTorr以下，將電源用高頻RFS的功率Ps設在 1000W以上的條件之應用（application)中，欲獲得均勻 性良好的電漿密度分布是很不可能的。 相對於此’双頻重疊施加方式的實施例1中，如第2 圖及第3圖所示，與電源用高頻RFS的功率Ps成比例 地’理想的狀態是藉由以1 / 1 〇以上的比率，選擇偏壓用 高頻RFb的功率P b ’上述條件的應用中亦可獲致大致平 均的電漿密度分布。藉此方式，確認使用第1圖的電漿蝕 刻裝置’對於基板G上的鋁膜，進行蝕刻均勻性優良之 所期望的蝕刻加工。再者，鈦及含鈦金屬皆屬於與鋁相同 種類的被蝕刻材’這些金屬同樣可進行蝕刻均勻性優良之 所期望的蝕刻加工。 此外’第2圖及第4圖的資料，是經由設置於真空室 1 0側壁的螢幕窗（未圖示），藉由目視觀測來評價真空 室內部（尤其是兩電極間）的電漿發光狀態，看到電漿發 光區域集中於一處（通常爲中心部）的現象時，劃上均勻 性不良（X )的記號’看到電漿發光區域大致同樣分布的 現象時’劃上均勻性良好（0 )的記號。另一方面，第3 -16 · (14) 1311782 圖、第5圖及第6圖的資料，是藉由使用網路分析器之電 漿吸收探針（P A P )法，來計測電漿密度分布，作爲電子 密度分布。 又，上述實施例1及比較例1、2中，是使用氯氣C12 (流量3 0 0或2 0 0 s c c m )，作爲蝕刻氣體，然而，如第6 圖的參考例所示，得知在氯氣中，以適當的流量比（理想 的狀態是 Cl2/Ar = 125/75 至 100/100)混合氬（Ar) 的方法，得以改善電漿密度分布的均勻性。 [實施例2] 使用第1圖的電漿蝕刻裝置，在一種鋁合金之鋁·銨 (AINd )的蝕刻中，以偏壓用高頻RFb ( 3.2MHZ )的功 率Pb作爲參數，評價蝕刻速度的大小。就其他主要的蝕 刻條件而言，將電極間隙（GAP )設爲1 40mm、蝕刻氣體 設爲Cl2(流量300sccm)、真空室內壓力設爲5mTorr、 溫度（上部電極（T) /下部電極（B) /真空室側壁 (W) ) = 60/20/60 °C、電源用高頻 RFS( 13.56MHz) 的功率Pb設爲2000W。蝕刻氣體亦可使用BC13等氯系氣 體。 又，被處理基板G是使用550x650尺寸的LCD用剝 離基板，如第8圖所示，以基板上多數的測定點（1至 14)，來測試蝕刻速度，在中心部（7、8 )及中間部 (4、5、1 0、1 1 )，求得平均値，在邊緣部（1、2、3、 6、9、1 2、1 3、1 4 )，求得最大値和最小値。 -17- 1311782 (15) 如第8圖的曲線圖所示，得知偏壓用高頻RFb (3 ·2ΜΗζ )的功率Pb越高的話，鋁.銨的蝕刻速度則越 大，Pb= 1000W以上，可獲得大約2000A/min以上的蝕 刻速度。因此’可確認藉由在鋁合金的蝕刻加工，使用第 1圖的電漿蝕刻裝置’可獲致與ICP (電感性耦合電漿蝕 刻裝置）匹敵之充分的蝕刻能力。又，因爲利用本發明之 双頻重疊施加方式’也可達成電漿密度的均勻化，所以也 可達成蝕刻均勻性的提升。此外，IT◦也是屬於與鋁合金 同種類的被蝕刻材，該合金亦可獲得與對於鋁合金者同樣 的蝕刻能力。 使用第1圖的電漿蝕刻裝置，以矽基板或矽層（Si) 爲基底層之氧化矽膜（Si〇2 )的蝕刻中，以偏壓用高頻 RFb ( 3.2MHz )的功率Pb作爲參數，測試各蝕刻速度及選 擇比。就其他主要的蝕刻條件而言，將電極間隙（GAP ) 設爲140mm、f虫刻氣體設爲CHF3(流量200sccm)、真 空室內壓力設爲5mT〇rr、溫度（上部電極（T) /下部電 極（B ) /真空室側壁（W ) ) = 60 / 20 / 60 °C、電源用 高頻RFs(27.12MHz)的功率Pb設爲2500W。在此，將 電源用高頻RFS的頻率設爲27.12MHz是爲了獲得比 13.56ΜΗΖ更高密度的電漿之故。蝕刻氣體不僅是CHF3, 也可使用 CF4、CH2F2、C4Fs中之任一種或兩種氣體和 H2、Ar的混合氣體等。再者’也可使用SF6、02及希氣 體的混合氣體。 如第 9圖的曲線圖所示’得知偏壓用高頻 RFb -18- (16) 1311782 (3·2ΜΗζ)的功率Pb越高的話’ SiCh的蝕刻速度越大’ P b = 1 〇 〇 0 W以上，可獲得大約1 0 0 0 A / m in以上的蝕刻速 度，同時可獲得約1 0以上的選擇比。如上所述’得以確 認藉由在Si〇2膜的蝕刻加工’使用第1圖的電漿蝕刻裝 置，可獲致與icp (電感性耦合電漿蝕刻裝置）匹敵之充 分的蝕刻能力。又’因爲藉由本發明之双頻重疊施加方 式，亦可達成電漿密度的均勻化，所以亦可獲致蝕刻均勻 性的提升。 上述實施型態之電漿蝕刻裝置（第1圖）的基本型態 亦可適用於其他的電漿處理裝置，例如，可在施行電漿 CVD、電漿氧化、電漿氮化、濺鍍等的各種電漿處理裝置 中變形。此外，本發明之被處理基板並不侷限於FPD基 板，亦可爲半導體晶圓、光遮罩、CD基板、印刷基板 等。 【圖式簡單說明】 第1圖是表示本發明一實施型態之電漿蝕刻裝置的重 要部位構成圖。 第2圖是表示第1實施例中，藉由目視觀察電漿密度 分布特性的評價結果圖。 第3圖是表示第1實施例的電子密度分布特性圖。 第4圖是表示比較例中，藉由目視來觀察電漿密度分 布特性的評價結果圖。 第5圖是表示比較例的電子密度分布特性圖。 -19- (17) 1311782 第6圖是表示比較例的電子密度分布特性圖。 第7圖是表示參考例的電子密度分布特性圖。 第8圖是表示第2實施例之蝕刻速度的偏壓功率依存 性圖。 第9圖是表示第3實施例之蝕刻速度的偏壓功率依存 性圖。 ❿ 主要元件符號說明〕 10真空室（處理容器） 1 6下部電極 1 8 上部電極 22處理氣體供給源 3 4排氣裝置 36第1(電源用）整合器 38第2(偏壓用）整合器 40第1(電源用）高頻電源 4 2第2 (偏壓用）高頻電源 58可變電容器 60可變電容器 6 2 線圈