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TWI314745B - Method and apparatus of non-symmetrical electrode of build-in capacitor - Google Patents

Method and apparatus of non-symmetrical electrode of build-in capacitor Download PDF

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TWI314745B TW093102292A TW93102292A TWI314745B TW I314745 B TWI314745 B TW I314745B TW 093102292 A TW093102292 A TW 093102292A TW 93102292 A TW93102292 A TW 93102292A TW I314745 B TWI314745 B TW I314745B
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Description

1314745 玖、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 聂人明係^印刷電路板之製程中利用内藏尺寸相異的金屬片相互 CT之電合’使減少因製雜合對位的誤差,可以提昇電容性基 板雜訊抑制能力,與誤差最小的電容值。 【先前技術】 一見代頻冋速的精费電子系統產品例中元件的精確度要求越來越 冋’各種主動與被動TL件為了能提高精密度,各家廠商皆在製程上處 理都=望提高元件雜準度。其巾板巾猶雜訊或穩壓所需 的電容頻率越來越高’且體積越來越小,這賴飾言是—嚴格 戰。 習用技術中’電容元件主要技術有兩種,第一種為使用離散式 (d1Screte M_ent)電容器’例如_表面崎技術伽⑽此耐 Technology, SMT)之電容器’·第二種為新近發展的電容性基板,來作 電容功能。各有其優缺點;離散式電容器主要存在以下三項缺點,⑴ 工作頻圍不夠寬,⑵交触抗不夠低,⑶不驗祕基板整合 (System in Package)等的問題。而目前電容性基板元件的缺點主要有 下列三點:⑴貫穿孔電氣寄生效應太大(Via 職咖), (2^電。谷性基板僅有二輯構電氣設計且面積太大,⑶電容介電材料 電氣損耗大,但此内藏式元件的電路板可減少被動元件之使用數量, 以減低成本’產品體積得以縮小、減少焊點,增加整個產品的可靠度, 更提高被動元件的電氣特性。 習用之印刷電路板通常肋同介電魏的平面狀基韻如玻璃纖 維布(FR4)基細·組成’其缺點為在練時抑制辦磁綠差被動元 件整合度較低。有進一步改良者例如第一圖所示之美國專利:usp 5,079,069,使用於印刷電路板之電容基板製造方法(Capacit〇r Laminate for Use in Capacitive Printed Circuit Boards and Method of Manufacture),其中電路板10上設置有複數個電子元件12,並且 1314745 1G的兩面皆可設置如積體電路⑽、電晶體等主動元件或電 ίί元件,—般都為電源(师er)、接地或許 夕導體所組成的-或複數板,各樣元件間會相互連接、連接電源 或接地。 而其中藉以代替習用電容元件之内藏電容性基板敘述如下:現今的 P刷電路紅域脫離僅貞責訊賴翻魏,秘許多的被 ΪΓΐί至主就件内藏於其中,而此方法所製作的電路板之斷面圖 明乡看第一圖,其中表面元件2Μ系設置於電路板10之表面,縱向有 電源引線34與接關線36分別·導通孔來連翻藏電容26之第一 極板28與第二極板30 ’使之成為電容的電源與接地兩極(如圖示相接 的黑點),即電路板10中内礙有内藏電容26,係由分別為電源盥接地 端之第-極板28與第二極板3G植—定雜,錢財㈣3⑼合 一(coupled)而成。另有一訊號引線38貫穿電路板1〇,可作為各電子 元件之連線’或是訊號傳遞。 —第三圖所示衫層喊電容之斷面示賴,對應第二_示之内藏 電容26,本習職術實施例分別有上下兩個耦合内藏電容3133,並 提供兩倍的電容量。 ’ 習用技術之内藏式電容魏與其優點為:⑴抑制高頻雜訊之干 擾;(2)可以降低印刷電路板接線所需要的接線層數目;(幻提高電子 系統整合密度與縮小面積。習用技術在⑽中加人不同介電材質的平 面狀f板’以求增加電路板間電容性的電氣特性來抑制雜訊等,而獲 得部1良。但是,用高介電係數的基板形成喊式電容主要的目的 之-就是希望縮小電容面積,可是面積—小,因為印刷電路板製程精 度不夠,所以造成的誤差相對變的更大,若精密度不高,易產生製程 壓合對位的誤差,也就是喊電容巾,上下兩基板在製程上會有位置 的差異’無法提供如離散式電容器的高精密度電容。 如第四A圖内藏電容上視示意圖,其中有電容之兩平行基板(28,, 30 ),如第二圖所示之第一極板28與第二極板3〇 ,在製程時因精密度 分所;==二 平移的問題’故實際的電容僅只有斜紋部 預期的電容值有差距,第四B圖為側面圖,亦表達 -和板(28 , 30’)會因製程不精密的問題而有—位移。 並/=^=術之缺失,本發明利用極板中内藏式電容的設計, 並猎尺寸純的極板,尺寸較大的 雜訊抑概力與料。 顿錢^谷性基板 【發明内容】 的誤差,更創造出高精密度的電容性 丨藉一印刷電路板中非對稱電極之 提高電容值在製作上的精密度,該内藏電容包:值; 該第-極板她於—輯之第 帛極板,與 極缺尺寸«,極缺寸鼓者之邊緣涵蓋= 緣,猎-或碰個引接點連接第 ^者之邊 ‘件界接;及牧’、弟—極板’使内職電容與表 «之尺柏m σ ' 以—極板之尺寸與該第- 面元件界接;及兩極板間的介電質。 :實施方式】 印刷笔路板(pCB) #過濾雜 且體積越來越小,則需要 黏^的詩頻率越來越高, 題,本發明更藉採用内藏式相里^ 容性基板來解決問 應,也就是於_電路板之喊稱設計來減少不對位的效 包容對位誤差,取代姆* %☆’彻面料對稱的金屬片以 精準度。 仙叙小電_主要結構結構的f容,提昇電容 1314745 第二;isl ^9^五八圖本發明内藏電容之非對稱電極實施例側視圖,其中 係涵蓋j的面極板51之尺寸相異’並且大者之面積(與其邊緣) 並與第-極板ΪΛ與吝其邊緣)’此例第二極板52稱大於第一極板51, 53於有限面㈣=纟耗合的等效電容’並可藉高介電係數的介電質 電容ci夕ί,^得到較高的電容值,除了中心的主要麵合的第一等效 會有不等料1上下極板料會完美地平行又轉鱗地對位,故亦 i效電容C3 的邊緣轉合,如圖示中的第二等效電容C2與第三 於的;在上下不同尺寸之極板組成—電容11,第二極板 相同面積(即第:極板51 ’因對位不準偏移下兩極板還是麵合 雖然邊緣㈣ ㈥1之面積)’可關定住主要決定的電容值, 和理棟值有二谷C2與第三等效電容C3 ’都會有所影響,不會 本;仍萨將二電f值’但是不是主要決定整體電容值的決定項, 、積a t 加大的方式’岐住主要決錢體電容的麵 。面積(C1),達到預期所需的電容值。 極板本發明實_之上視示意圖,可清楚得知有效電容之 極板面積為第一極板51之面積。 圖所數!電容基板側視示意圖,其中藉由複數個第五A 二二n圣板與第—極板組合成—複數層之電容裝置,其不同面 •容二板3 Γ:’62’63,64,65’66)組成的印刷電路板中之複數個 不同的極板互相穿插設置,且大的極板必須 小的極板’使達到翻的電容值 ⑽,602,603,604’605)來提昇此電容值。彳扳門更了填以^貝 泰容之:並=限於上述之長方形’更可為第七A圖所示之内藏 = 角形極板71,72,其中第二三角形極板72 要大於且涵盍整㈣—三角形極板7卜又如苐七β圖第专 :戶可為圓形極板(第一圓形極板73,第二圓形極板w: 本叙明之極板實施例並不限於此述之外型。 當依序加大其中較大的極板尺寸,雖然另一個極板面積不變,可是 1314745 效電容C3)备升弟五A圖所示之第二等效電容C2與第三等 大較大極板的尺磁#_示之觀實驗結果可發現,加 之内藏電容確f有斷上升,即酬本翻辅稱電極 知,電容值隨容值:由圖中所示之虛線前數據得 後,則電容值為大於虛線所示之大小之 步驟本=====一電容製程 實施例僅對-個内藏^ 對%电極之内臧電容之製程結構,本 上,唯此明,簡科錢料等製程 i=.r穩壓所需的電容頻率:高= 下步 了冓’並於其:::=二:::電: 賊式電容之第-極板謝,並侧成需要的尺寸。東曰成為内 叫★圖所示為在第—極板⑽1上壓合適當介電材料的介電層 二’以此介電層93當作内藏電容之介電質,並在此=== ’並侧出所需的形狀與面積,成㈣電 與第^板舰在為解決傳統此第一極板901 q〇1 切上a以成决差,所以本發明係將第一極板 細機,蝴綱—_G1做成比第 — 輔此第二極板 锺屮tin為在介電層93中彻雷射鑽孔等盲(埋)孔的方式 鑽出所品要的-或複數個孔洞(via) 95,並將此孔洞接觸第一極板 1314745 請外界顧’此為内藏電容與傳觀間㈣接m 的金屬導體於此孔洞可使表面元件斑 ]Π妾點,再猎錢上 稱電極之内藏電容的製作。亦 ^ ρ元成本發明非對 極之内藏電容電路板。 a⑬处步驟製作複數個非對稱電 而第九D圖則為更進—步之 第二極板902上層再加入另—介‘料在g^况下會於*電層93與 ^電路與元件,並安_f =2==7 ;以形成 中鑛上金屬導體以連接埋藏之電容第 :弟一—孔洞95, 卯”中鍍上金屬導體以連接第 二1,以第二孔洞 中的金屬導體形成的導線,使第=fqni精—或设數個孔洞貯,95,, ^ ^ 9〇2 至第九D圖)製作複數個非對稱電極之^電容電=驟(第九A圖 之數個(多層)非對稱電極 需求也娜條财G _,_路設計的 括有第-卿,,'介電二^ 提高的=^/;置鄕娜她嫩值,與 :::原有的印刷電路板製朗時提高_密度,及 二===::=口:及具產*上, 敬請詳查《準本料利,《保件,歧練出申請, 專利林發明讀佳可行實施例,_騎·本發明之 化,均同理包含於本發日狀範_, 内謂权“結構變 1314745 【圖式簡單說明】 一、 圖不說明. 第一圖係為習用技術之印刷電路板示意圖; 第二圖係為習用技術之印刷電路板斷面示意圖; 第三圖係為習用技術之多層内藏電容斷面示意圖; 第四A圖係為習用技術之内藏電容上視示意圖; 第四B圖係為習用技術之内藏電容側視示意圖; 第五A圖係為本發明之内藏電容側視示意圖; 第五B圖係為本發明之内藏電容上視示意圖; 第六圖係為本發明複數層電容基板側面示意圖; 第七A圖係為本發明非對稱電極之内藏電容第一實施例示意 圖, 第七B圖係為本發明非對稱電極之内藏電容第二實施例示意 圖; 第八圖係為本發明極板大小與等效電容值之關係圖; 第九A圖至第九D圖係為本發明實施例之雙埠非對稱電極之 内藏電容製程步驟; 第十圖係為本發明複數個(多層)非對稱電極之内藏電容結構 示意圖。 二、 主要部份之代表符號: 10電路板 12電子元件 26,31,33内藏電容 2 0表面元件 1314745 28, 28’第一極板 30, 30’第二極板 32介電質 34電源引線 36接地引線 38訊號引線 51第一極板 52第二極板 53介電質 C1第一等效電容 C2第二等效電容 C3第三等效電容 61, 62, 63, 64, 65, 66 極板 601,602, 603, 604, 605 介電 71第一三角形極板 72第二三角形極板 7 3第一圓形極板 74第二圓形極板 91基板 93,93’介電層 95, 95’,95” 孔洞 9 7外部層 901,901’第一極板 902,902’第二極板 903外部元件

Claims (1)

1314745 拾、申請專利範圍: 1. 一種非對稱電極之内藏電容裝置,藉一印刷電路板中非對稱 電極之内藏電容減少製程中電極間壓合對位的誤差,以增加 電容值與提高電容值在製作上的精密度,該非對稱電極之内 藏電容包括有: 一第一極板; 一第二極板,與該第一極板相距於一距離,且該第二極板 之尺寸與該第一極板之尺寸相異,極板尺寸較大者之邊 緣涵蓋極板尺寸較小者之邊緣,以形成該非對稱電極之 内藏電容; 一或複數個引接點,該第一極板藉該所連接之引接點界接 表面元件,該第二極板藉該所連接的引接點界接表面元 件,以使該内藏電容與表面元件界接;及 一介電質,係設置於該第一極板與該第二極板之間。 2. 如申請專利範圍第1項所述之非對稱電極之内藏電容裝 置,其中藉結合複數個該第一極板與複數個該第二極板互相 穿插設置組合成一複數層非對稱電極之内藏電容。 3. —種非對稱電極之内藏電容裝置,藉一印刷電路板中複數個 非對稱電極之内藏電容以增加電容值與提高電容值在製作 上的精密度,該非對稱電極之内藏電容包括有: 複數個極板,該相鄰之複數個極板之尺寸相異,相互穿插 設置,並相距於一距離,且極板尺寸較大者邊緣涵蓋極 板尺寸較小者之邊緣,以形成該非對稱電極之内藏電 容;及 複數個引接點,該複數個極板分別藉所連接的引接點界接 14 1314745 表面元件,以使該内藏電容與表面元件界接;及 複數個介電質,係設置於該複數個極板間。 一種非對稱電極之内藏電容製程,包括有: 於一基板上沉積—金屬導電層; 蝕刻該金屬導電層成一第一極板; 壓合一介電層於該基板與該金屬導電層上; ==另一金屬導電層成〜板,並使該第二極板 二 極板相異’其中極板尺寸較大者邊緣涵蓋極板 尺寸車父小者之邊緣,以形成該非對稱電極之内藏電容·及 5 士於介電層上鑽出-或複數個孔洞,並與該第—極板接觸。 。申明專利範圍第4項所述之非對稱電極之内藏電容製 私,其中可藉鑛膜方式稱成該金屬導電層。 6. 範圍第4項所述之非對軸之内藏電容製 者。極板與該第二極板尺寸大者邊緣涵蓋尺寸小 .如申凊專利範圍第4項所述之非對越 程,^m , 状非對稱電極之喊電容製 具中该基板為一絕緣層。 S.如申凊專利範圍第4項所述之 程,1中节筮^ f稱电極之内藏電容製 ).如申料刹m 複數個孔洞與表面元件界接。 容。 複上述步驟製作複數個非對稱電極之内藏電 稱電極之 =::::::藏電容製程’其中-_對 於 基板上沉積一金屬導電層; 15 1314745 蝕刻該金屬導電層成一第一極板; 壓合一介電層於該基板與該金屬導電層上; 沉積並钱刻另—金屬導電層成一第二極板,並使今第二極 ==一極板相異,其中極板尺寸較大者邊緣涵 =烟、者之邊緣,成該物對稱電極之 加入一外部層,該外部層係為介質材料; 於該第一極板上鑽出一或複數個孔洞;及 於該第二極板上鑽出一或複數個孔洞。 u.如申請專利範圍第10項所述之非對稱電極之内藏 其中可藉鍍膜方式稱成該金屬導電層。 12'rrrm圍第1G項所述之非對稱電極之内藏電容製 者之邊2第一極板與該第二極板尺寸大者邊緣涵蓋尺寸小 13.=申請專利範圍第10項所述之非對稱電極之内藏電容製 程’其中該基板為一絕緣層。 申請專利範圍第1〇項所述之非對稱電極之内藏電容製 程,其中表面元件係設置於該外部層上。 15=申請專利範圍第1Q項所述之非對稱電極之内藏電容製 Z其中該第一極板藉該—或複數個孔洞與該表面元件界 16.2申請專利範圍第10項所述之非對稱電極之内藏電 Z其中該第二極板藉該一或複數個孔洞與該表面元件界 17.如申請專利範圍第1G項所述之非對稱電極之内藏電容製 16 1314745 程,其中可藉重複上述步驟製作複數個(多層)非對稱電極之 内藏電容。
17 1314745 柒、指定代表圖: (一) 本案指定代表圖為:第(五A )圖。 (二) 本代表圖之元件代表符號簡單說明: 51第一極板 52第二極板 53介電質 C1第一等效電容 C2第二等效電容 C3第三等效電容 捌、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學式:
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