TWI314651B - High frequency probe assembly for ic testing - Google Patents

Description

1314651 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種探針組結構（pr〇be assembly)， 特別係有關於一種適用於積體電路測試之高頻探針組。 【先前技術】 在積體電路測試領域中，探針部份是介於探針頭之 訊號傳輸線與積體電路待測物（Device Under Test，DUT) 之界面。積體電路待測物係可為一半導體晶圓中其中一 晶粒，晶粒之表面上會形成有可供探針探觸之銲墊或凸 塊。 w町組兵有複數個探針 '測半導體晶粒上之銲墊或凸塊，能測試其積體電路之 電氣特性’藉以判定半導體晶粒是否為良好。良好的半 導體晶粒（KGD)將繼續進行後靖 退订俊、續之封裝或組裝製程。不 良的半導體晶粒將被捨輋 ^ 借棄或修補，以免增加額外的封裝 成本。然而’在積體電路測 式之訊唬傳輸過程中，受到 因導通高頻之切換電流而產 # μ工m 座生電源或接地點之高頻雜 甙的干擾，或受到傳輸結構 亩^卜4 高頻反射波，造成訊號失 【發明内容】 而無法精確地測量該丰！糾曰1 π 茨牛導髅晶粒之電氣特性。 本發明之主要目的係在 油丨μ — 吸货種適用於積體電路 測试之南頻探針組，藉由在 ^ ^ ^ , 針之外露部位接合上一终 端表面接合兀件，以消除探針 -α, ^ ^ 針之四頻反射波或是濾除電 身'或接地點之高頻雜訊。 ^ u14651 本發明之次—目的係在於 挪試之高頻 杈供種適用於積體電路 馬頻探針組，可使一終 如+導體曰私> 丄 饮070件更接近一 體B日粒之待測物，以加強狄碴A左上 效性。 強終端表面接合元件之有 本發明的目的及解決其 案來實現的。仂秘丄 τπ題疋採用以下技術方 ^ 、 據本發明，一種適用於葙做通> 鬲頻探針組至少包含一 、體電路測試之 以及一終端表第探針、—第二探針 、、細衣面接合元件。其中， 基材並具有一外露之第_探觸：-探針係設於該 基材並具有一外露端，“第-探針亦設於該 .^ ^ ^ 之第一探觸端。該終端表面接合元件 係鄰近於該第一探觸 ^ ^ ^ ^ 探觸端並且該終端表 面接合兀件之兩姓後八0, μ 端係刀別設於該第一探針與該第二探 針0 本發明的目的及組 及解決其技術問題還可採用以下技術 措施進一步實現。 在前述的高頻探針 可姐τ 该終端表面接合元件係可 為一晶片蜜電陡。 在前述的高頻控i 針組中，該第一探針係可為電源探 針，該第二探針传 你可為接地探針。 在前述的，頻控 茨探針組中，該第一探針係可為訊號探 針，該第二探針係 诉可為接地探針或電源探針。 在前述的高頻控 私針組中，該第一探針與該第二探針 係可皆為訊號探針。 在前述的高頻桉 沐針組中’該終端表面接合元件係可 6 1314651 為一晶片型電容。 在前述的高頻探針組中，該第一探針係可為電源探 針，該第二探針係可為接地探針。 在前述的高頻探針組中，該基材係可為同軸或其他 傳輸線結構。 在前述的高頻探針組中，該基材係可包含有一包覆 該第一探針之絕緣介電材料以及一外殼導體。 在前述的高頻探針組中，該第二探針可連接至該外 擊殼導體。 在前述的高頻探針組中，該絕緣介電材料可更包覆 該第二探針。 在前述的高頻探針組中，可另包含有至少一第三探 針，其係連接至該外殼導體。 在前述的高頻探針組中，該基材係可為一具有平面 導體之傳輸線結構。 在前述的高頻探針組中，該平面導體係可為一參考 • 〇 平面。 在前述的南頻探針組中’該基材係可包含有一包覆 該第一探針之絕緣介電層。 在前述的高頻探針組中，該第二探針係可連接至該 平面導體。 在前述的高頻探針组中，該絕緣介電層可更包覆該 第二探針。 在前述的高頻探針組中，可另包含有至少一第三探 7 1314651 針’其係連接至該平面導體β 在刚述的尚頻探針組中，該基材係可包含有一絕緣 介電層以及在該絕緣介電層兩面之一電源平面與一接 地平面’該第一探針係連接至該電源平面，該第二探針 係連接至該接地平面。 【實施方式】

本發明以下列具體實施例具體說明一種適用於積體 電路測試之高頻探針組。依據本發明之第一具體實施 例’揭示一種適用於積體電路測試之高頻探針組1〇〇， 可裝没至一探針卡（probe eard)或其他測試介面。請參 閱第1圖所示，該高頻探針組100至少包含一基材11〇、 一第一探針120、一第二探針13〇以及一終端表面接合 疋件140。在本實施例中，該基材11〇係可為同轴或其 他傳輸線結構。例如，該基材110係可包含有一包覆該 第一探針120之絕緣介電材料111以及一外殼導體 11 2。該外殼導體i丨2係可為圓形同軸心之結構。 其中，該第一探針H 20係設於該基材11〇並具有一 外露之第一探觸端丨21，且該第二探針13〇亦設於該基 材no並具有一外露之第二探觸端131，用以與一待測 半導體晶粒上對應位置之銲墊或凸塊作導電接觸。在本 實施例中，該第一探針120係可為電源探針或為訊號探 針，該第二探針130係可為接地探針。該第二探針 係可連接至該外殼導體n八該第一探針12〇與該第二 探針130之幾何形狀係可為針狀、圓錐狀、圓柱狀或= 1314651 帶狀該第一探針120斑該第-樓4+ 11Λ 微型化，以極小化其針：ST之設計係可採 笛_城 化其針長，並可使該第一探針120與該

低。/針130之寄生電感（parasitic inductance)減至最 於可取得較小的寄生電感值而有效延伸訊號傳輸 。在本實施例中，迴路電流（returning謝之走 ::為SG之樣式，其中s係表示訊號探針，〇係表示 考平面導體探針G，共同形成微小之迴路，該迴路面 積與寄生電感量成正比。在不同實施例中，迴路電流之 走向係可4 GS、GSG、GSSG等#固^之樣式。 _該終端表面接合元件14〇係具有一第一電極端i4i 與—第二電極端142。請再參閱第1圖所示，該終端表 面接合元件140係鄰近於該第一探觸端121與該第二探 觸端131。並且，該終端表面接合元件14〇之第一電極

端141與第二電極端142分別焊設於該第一探針與 該第一探針I30。此外，在本實施例中，該終端表面接 合元件140係可為一晶片型電阻，配合該第一探針 係為訊號探針並且該第二探針13〇係為接地探針，以構 成 SG 同轴探針結構（sg coaxiai pr〇be structUre)，或者 該第二探針130可為電源探針，其中S係表示訊號探針 (signal probe); G 係表示接地探針（ground probe)，故 該終端表面接合元件140係可構成為一極接近該第一 探針探觸端121之終端電阻（terinination resistor)，具 有濾除該第一探針120之高頻反射波之功效。或者，該 終端表面接合元件係可為一晶片型電容，該第一探 9 1314651 針1 20係為電源探針，該第二探針130係為接地探針， 故該終端表面接合元件140係構成為一極接近第一探 =探觸端121之旁路電容，以濾除因導通高頻之切換電 叫而產生電源或接地點之高頻雜訊。 針因此，該終端表面接合元件140具有消除該第一探 〇之兩頻反射波或滅除電源或接地點之高頻雜訊 之功能。由於該終端表面接合元件140係鄰近於該第一 魯 j觸端121與該第二探觸端131，且跨越並接合在該第 —探針120與該第二探針13〇之外露部位，使該終端表 面接合元件140更接近一如半導鱧晶粒之待測物，以加 強該終端表面接合元件14〇之有效性。在本實施例中， 3 、’、端表面接σ元件丨4 〇與晶粒待測物之距離係可控 制在最高頻訊號成份之波長的四十分之一内，使該終端 表面接合70件140更有效消除該第一探針12〇之高頻反 射波或濾除電源或接地點之高頻雜訊。 • 依據本發明之第二具體實施例，揭示另一種適用於 積體電路測試之咼頻探針組，請參閱第2圖所示，主要 2件係與第一具體實施例相同’如一基材η〇、一第一 ^針12〇、一第二探針130以及一終端表面接合元件140 等不再重複贅述。該高頻探針組可另包含有至少一第 三探針其係連接至該外殼導鱧112。在本實施例 中，該第三探針150係可為接地探針，並配合該第一探 針120係為訊號探針並且該第二探針13〇係為接地探 針，以構成GSG同轴探針結構（GSG e〇axial ρΓ〇“ 10 1314651 structure)。 依據本發明之第三具體實施例，揭示 下另一種適用於 積體電路測試之高頻探針組，請參閱第 圖所示，該高 頻探針組200至少包含一基材210、一货 卑一探針220、 一第二探針230以及一終端表面接合元 u 1千240。在本實 施例中，該基材2 1 0係可為雙同轴傳輪 哪箱構。例如， 該基材210係可包含有一包覆該第一探 野2 2 0之絕緣介 電材料211以及一外殼導體212，其中社 、该絕緣介電材料 211可更包覆該第二探針23〇。該第—揸 ^ 探針220與該第 二探針230皆係設於該基材2丨〇並分 』具有一外露之第 一探觸端221與一外露之第二探觸端23ι，用以與一待 測半導體晶粒上對應之料或凸塊接觸。纟本實施例 :，該第-探針220與該第二探針23〇係可皆為訊號探 針。 請再參閱第3圖所示，該終端 碼表面接合元件240係 鄰近於該第一探觸端221與該笫-加a ^ + 丹落第—探觸端23 1，並且該 终端表面接合元件240之一篦一 髮概端241與一第二電 極端242係分別焊設於該第一 、 ?10。士 士傘 探針22〇與該第二探針 23 0。在本實施例中，該終 曰 面接合元件240係可為 一晶片型電阻，故該終蠕表面接 ^ ^ ^ 甶接合化件240係可構成為 一極接近探針探觸端 铁 ..、 ’、、電阻（terminatioi reS1St〇r)。因此，該終端表 _ 馇 扠处^ 设。凡件240具有濾除該 第一探針220與該第二探斜 之高頻反射波之功效。 清再參閱第3圖所示，該 门頸探針組2 00可另包含 1314651 有至少一第三探針250與一第四探針26〇，該第三探針 250與該第四探針鳩皆係連接至該外殼導體μ。在 本實施例中，該第二探針25〇為接地探針且該第四探針 260係為接地探針，而該第一探針22〇與該第二探針23〇 係皆為訊號探針，以構成GSSG雙同軸探針結構（〇88〇 dual-coaxial pr〇be structure)。 依據本發明之第四具艎實施例’揭示另一種適用於 積體電路測試之高頻探針組，請參㈣4圖所示，該高 _頻探針組300至少包含一基材310、-第-探針32〇、 一第一探針33〇以及一終端表面接合元件3該基材 3 10係可為一具有平面導體312之傳輸線結構。在本實 施例中，該平面導體3 12係可為一參考平面。通常該平 面導體312係可為一扁平帶狀之結構，並可為水平向或 垂直向。該平面導體312係在靠近一待測半導體晶粒附 近，並與該第二探針330直接連接，形成電氣與機械結 •構之一個完整構件。該基材3 1〇係可包含有一包覆該第 一探針320之絕緣介電層311，其係提供該第一探針 與該平面導體3 1 2間之絕緣作用。以電氣特性而言該 絕緣介電層311提供一個均勻固定的介電常數。以機械 結構而言，該絕緣介電層311提供一個連結該第一探針 3 20與該平面導體313 一個穩定的機械支撐力量，形成 一個完整的機械構件。該基材310係為具有固定特性阻 抗（characteristic impedance)之傳輸線結構，特別適用 於高頻訊號之傳輪。 12 1314651 其中’該第一探針320係設於該基材31〇並具有一 外露之第-探觸端321，且該第二探針33〇亦設於該基 材3i0並具有-外露之第二探觸端33卜通常該第一探

針320之第一探觸端321與該第二探針330之第二探觸 端331係為尖端’其係與一待測半導體晶粒上對應位置 之銲墊或凸塊接觸。該第-探針320與該第二探針33〇 之另一端係與該基材110之訊號導體或該平面導體312 直接連接’以形成電氣與機械結構之一個完整構件。在 本實施例中’該第—探針32()係可為電源探針或為訊號 探針，該第二探針330係可為接地探針。

請再參閲第4圖所示’該終端表面接合元件340係 鄰近於該第一探觸端321與該第二探觸端331並且該終 端表面接Μ件34。之-第—電㈣341與—第二電極 端342係分別設於該第一探針320與該第二探針330。 在本實施例中，該終端表面接合元件34〇係可為一晶片 型電阻’ J·該帛一探針32〇係為訊號探針，該第二探針 33〇係為接地探針，以構成SG微帶探針結構（SG microstrip probe structure)’故該終端表面接合元件34〇 係可為極接近該第—探針探觸端321之終端電阻 (termination resistor)。或者，該終端表面接合元件34〇 係可為明片型電容，該第一探針320係可為電源探 針，該第二探針330係可為接地探針，故該終端表面接 σ元件340係可為一極接近該第一探針探觸端32ι之旁 路電令。因此’該終端表面接合元件34〇具有消除該第 13 1314651 一探針320之高頻反射波或濾除電源或接地點之高頻 雜訊之功能。此外’該縿端表面接合元件3 4 〇係極接近 如半導體晶粒之待測物，使該終端表面接合元件34〇 之效果最佳化。 依據本發明之第五具體實施例，揭示另一種適用於 積體電路測試之高頻探針組，請參閱第5圖所示，主要 兀件係與第四具體實施例相同，如一基材3丨〇、一第一 探針320、一第二探針33〇以及一終端表面接合元件34〇 等，不再重複贅述。該高頻探針組可另包含有至少一第 —探針350，其係連接至該平面導體312，故該第三探 針350係可為接地探針，並配合該第一探針係為訊 號探針並且該第二探針33〇係為接地探針，以構成GSg 微帶探針結構（GSG microstrip pr〇be structure)。 依據本發明之第六具體實施例，揭示另一種適用於 積體電路測試之高頻探針組。請參閱第6圖所示，該高 j探針組400至少包含一基材41〇、一第一探針^同 第一探針430以及一終端表面接合元件“ο。該基材 410係可為一具有平面導體412之傳輪線結構。在本實 施例中，該基材410係可包含有-包覆該第—探針42〇 與該第二探斜430之絕緣介電層4η。該第-探 與該笛-你r ^ 矛一探針430皆係設於該基材41〇並分別具 露之第—'卜 探觸端421與一外露之第二探觸端431。其 Z該第—探針420與該第二探針430係可皆為訊號探 14 1314651 請再參閱第ό圖所示’該終端表面接合元件44〇係 鄰近於該第一探觸端421與該第二探觸端431並且該終 端表面接合元件440之一第一電極端441與一第二電極 端442係分別焊設於該第一探針42〇與該第二探針 43〇。該終端表面接合元件440係可為一晶片型電阻， t該終端表面接合元件440係可為一極接近探針探觸 端之終端電阻（termination resist〇r)，故可濾除該第一 探針钧〇與該第二探針430之高頻反射波。具體而言， 該高頻探針組400可另包含有至少一第三探針45〇與一 第四探針460，該第三探針45〇與該第四探針46〇皆係 連接至該平面導體412。在本實施例中，該第三探針45〇 係為接地探針且該第四探針46〇係為接地探針，而該第 一探針420與該第二探斜 休针430係皆為訊號探針，故可構 成GSSG微帶探針蛀 . | .苑構（GSSG microstrip probe structure) 〇 鲁 在不同實施例中，# 丄 該終端表面接合元件440亦可焊 设於該第一探針420你a* 與第三探針45〇，或焊設於該第二 探針430與該第四捏紅 私針46 0，或焊設於該第一探針42〇 與該平面導體412。瀹〜 也鱿是說，依不同之需求，該終端

表面接合元件440夕I <兩端係可分別焊設於訊號探針與 接地探針，或暑盆 疋关兩蠕分別焊設於訊號探針與訊號探 針，或是其兩端可公. % j为別焊設於訊號探針與該平面導體 依據本發明之第4~ β 币七具體實施例’揭示另一種適用於 15 412 ° 1314651 積體電路測試之高頻探針組，請參閱第7圖所示，主要 凡件係與第四具體實施例相同，如一基材310、一第一 探針320、一第二探針330以及一終端表面接合元件34〇 等’不再重複贅述。在本實施例中，該基材310係可另 包含一平面導體3 13。該平面導體3丨3係可為一參考平 面。在本實施例中，該第一探針320係為訊號探針且該 第二探針330係為接地探針，以構成SG帶狀線探針結 構（SG stripline probe structure)。 t 依據本發明之第八具體實施例，揭示另一種適用於 積體電路測試之高頻探針組，請參閱第8圓所示，主要 元件係與第六具體實施例相同，如一基材41〇、一第一 探針420、一第二探針430以及一終端表面接合元件44〇 等’不再重複赘述。該基材410係可另包含一平面導體 413 ^該平面導髏413係可為一參考平面。在本實施例 中’該第二探針450係為接地探針且該第四探針460係 鲁 為接地探針，而該第一探針420與該第二探針43〇係皆 為接地探針’故可構成GSSG帶狀線探針結構（gssg s t r i p 1 i n e p r o b e s t r u c t u r e ) 〇 依據本發明之第九具體實施例，揭示另一種適用於 積體電路測試之高頻探針組，請參閱第9圖所示，該高 頻探針組500至少包含一基材51〇、一第一探針52〇、 一第二探針530以及一終端表面接合元件54〇〇該基材 510係可為一具有平面導體512與513之傳輪線結構。 在本實施例中’該些平面導體512與513係可為垂直 16 1314651 向。該基材510係可更包含有一絕緣介電層511，該些 平面導體512與513係可位於該絕緣介電層511之兩相 對侧或兩相對内層中，凡是形成兩相對平行之平面導 體，絕緣介電層包覆該平面導體或介於其中均屬之。其 中，該平面導體512可作為一電源平面❶該平面導體 513係可為一接地平面。其中，該第一探針52〇係連接 至該平面導體512，該第二探針53〇係連接至該平面導 體5 13。該第一探針520與該第二探針53〇係分別具有 ❿一外露之第一探觸端521與一外露之第二探觸端531。 該終端表面接合元件540係鄰近於該第一探觸端 521與該第二探觸端531並且該終端表面接合元件 之一第一電極端541與一第二電極端542係分別設於該 第一探針5 20與該第二探針53 0。因此，該第一探針52〇 係為電源探針（power probe)，該第二探針53〇係為接地 探針（ground probe)，以構成PG低阻抗探針結構（pG 1〇w impedance probe structure)。該終端表面接合元件 54〇 _ 係可為一晶片型電容’故該終端表面接合元件5 4 〇係可 為一極接近探針探觸端之旁路電容，藉此濾除因導通高 頻之切換電流而產生電源或接地點之高頻雜訊。 依據本發明之第十具體實施例，揭示另一種適用於 積鳢電路測試之高頻探針組，請參閱第1 〇圖所示，該 高頻探針組600至少包含一基材61〇、—第一探針62〇、 一第一探針630以及一終端表面接合元件640。該基材 610係可為一具有平面導艘612與613之傳輸線結構。 17 B14651 在本實施例中，該些平面導體612與613係可為垂直 向。該基材61〇係可更包含有一包覆該第一探針62〇與 該第二探針630之絕緣介電層611。其中’該些平面導 體612與613係可位於該絕緣介電層611之兩相對側或 兩相對内層中，凡是形成兩相對平行之平面導體，絕緣 介電廣包覆該平面導體或介於其中均屬之。該平面導體 612與613係可為一參考平面、一接地面或一電源面。 該第一探針620與該第二探針63〇皆係設於該基材61〇 並分別具有一外露之第一探觸端621與一外露之第二 探觸端63i。其中，該第一探針62〇與該第二探針63〇 係可皆為訊號探針。 請再參閱第ίο圖所示，該終端表面接合元件64〇 係鄰近於該第一探觸端621與該第二探觸端63ι並且該 終端表面接合元件640之一第一電極端641與_第二電 極端642係分別焊設於該第一探針62〇與該第二探針 630。該終端表面接合元件64〇係可為一晶片型電阻， 故該終端表面接合元件64〇係可為一極接近探針探觸 端之終…(t_uation resistor)，故可據除該第一 探針620與該第二探針63〇之高頻反射波。具體而^ 該高頻探針組繼可另包含有至少一第三探針心」 第四探針660’該第三探針650係連接至該平面導體 612,該第四探針66〇係連接至該平面導體 實施例中’該“探針㈣與該第四探針Μ。係為^ 探針或電源探針’而該第一探針62〇與該第二探針㈣ 18 1314651 係皆為訊號探針，故可構成GSSG帶狀線探針結 (GSSG stripline probe structure) 〇 以上所述，僅是本發明的較佳實施例而已，並非 本發明作任何形式上的限制，雖然本發明已以較佳實 例揭露如上，然而並非用以限定本發明，任何熟悉本 業的技術人員，在不脫離本發明技術方案範圍内，當 利用上述揭示的技術内容作出些許更動或修飾為等 變化的等效實施例，但凡是未脫離本發明技術方案的 ’容’依據本發明的技術實質對以上實施例所作的任何 單修改、等同變化與修飾’均仍屬於本發明技術方案 範圍内。 、 【圖式簡單說明】 第1圖：依據本發明之第一具體實施例，一種適用於 體電路測試之高頻探針組之立體示意圖。 第2圖：依據本發明之第二具體實施例，另一種適用 鲁積體電路測試之高頻探針組之立體示意圖。 第3圖：依據本發明之第三具體實施例，另一種適用 積體電路測試之高頻探針組之立體示意圖。 第4圖：依據本發明之第四具體實施例，另一種適用 積體電路測試之高頻探針組之立體示意圖。 第S圖：依據本發明之第五具體實施例，另一種適用 積趙電路測試之高頻探針組之立體示意圖。 第6圖：依據本發明之第六具體實施例，另一種適用 積體電路測试之高頻探針組之立翘示意圖。 構 對 施 專 可 同 内 簡 的 積 於 於 於 於 於 19 1314651 第7圖：依據本發明之第七具體實施例，另一種適用於 積體電路測試之高頻探針組之立體示意圖。 第8圖：依據本發明之萆八具體實施例，另一種適用於 積體電路測試之高頻探針組之立體示意圖。 第9圖：依據本發明之第九具體實施例，另一種適用於 積體電路測試之高頻探針組之立體示意圖。 第丨〇圖：依據本發明之第十具體實施例，另一種適用 於積體電路測試之高頻探針組之立體示意圖。

【主要元件符號說明】 100 高頻探針組 110 基材 111 絕緣介電材料 120 第一探針 121 第一探觸端 130 第二探針 131 第二探觸端 140 終表面接合元件 141 第一電極端 142 第二電極端 150 第三探針 200 高頻探針組 210 基材 211 絕緣介電材料 220 第一探針 221 第一探觸端 230 第二探針 231 第二探觸端 240 終端表面接合元件 241 第一電極端 242 第二電極端 250 第三探針 260 第四探針 300 高頻探針組 112外殼導體 212外殼導體 20 基材 311 絕緣介電層 312 平 面 導體 平面 導體 第一 探針 321 第一探觸端 第二 探針 331 第二探觸端 終端 表面接合元件 第一 電極端 342 第二電極端 第三 探針 向頻 探針組 基材 411 絕緣介電層 412 平 面 導體 平面 導體 第一 探針 421 第一探觸端 第二 探針 431 第二探觸端 終端 表面接合元件 第一 電極端 442 第二電極端 第三 探針 460 第四探針 向頻 探針組 基材 511 絕緣介電層 5 12 平 面 導體 平面 導體 第一 探針 521 第一探觸端 第二 探針 531 第二探觸端 終端 表面接 合元件 第一 電極端 542 第二電極端 高頻 探針紐 基材 611 絕緣介電層 612 平 面 導體 21 1314651 613平面導體 620第一探針 621 630第二探針 631 640終端表面接合元件 641第一電極端 642 650第三探針 660 第一探觸端 第二探觸端 第二電極端 第四探針

22

Claims (1)

1314651

η /¾修(更)正本 、申請專利範圓： 一種適用於積體電路賴之高頻探針組， 一基材； 包含： 第探針，其係設於該基材並具有一外露之第一探觸 一第二探針，其係設於該基材並 端，以及

:終端表面接合元件’其鄰近於該第一探觸端與該第二 一觸端並且該終端表面接合元件之兩端係分別設於該第 針”該第—探針’其中該終端表面接合元件係選自 於晶片型電阻與晶片型電容之其中之一。 2如申料利㈣第μ料之適詩㈣電路測試之高 頻探針組’其巾該第—探針係為電源探針，該第二探針 係為接地探針^

具有一外露之第二探觸 3如申料利範圍d項所述之適詩積體電路測試之高 頻探針組，其中該第__探針係為訊號探針，該第二探針 係為接地探針或電源探針。 4、如申請專利範圍帛i項所述之適用於積體電路測試之高 頻探針組，其中該第—探針與該第二探針係皆為訊號探 針〇 )、如申請專利範圍帛丨項所述之適用於積體電路測試之高 頻探針組，其中該基材係為同軸或其他傳輸線結構。 6、如申清專利範圍第5項所述之適用於積體電路測試之高 頻探針組，其中該基材係包含有一包覆該第一探針之絕 23 1314651 緣介電材料以及一外殼導體。 7 I. 如申請專利範圍第6項所述之適用於積體電路測試之高 頻探針組’其中該第二探針連接至該外殼導體。 8、由 、甲請專利範圍第6項所述之適用於積體電路測試之高 頻探針組’其中該絕緣介電材料更包覆該第二探針。 如申β專利範圍第8項所述之適用於積體電路測試之高

頻探針組，另包含有至少一第三探針，其係連接至該外 殼導體。 如申明專利範圍第丨項所述之適用於積體電路測試之 门頻探針組，其中該基材係為—具有平面導體之傳輸線 結構。 η、如中請專利範圍第Η)項所述之適^積體電路測試之 兩頻探針組，其中該平面導體係為_參考平面。 12:如申請專利範圍第10項所述之適用於積體電路測試之 :頻探針組，其中該基材係包含有-包覆該第-探針之 絕緣介電層。 13、 如申請專利範圍第12項所 高頻探針組，其中㈣二探針龍^測試之 私針係連接至該平面導體。 14、 如申請專利範圍第12項所述之 古週用於積體電路測試之 4探針組，其中該絕緣介電層更包覆該第二探針。 15、 如巾請㈣範圍第14項所 高頻探針組，另包含有至少—第=於積體電路測試之 平面導體。 第二探針，其係連接至該 16、 如申請專利範圍第10項所述 適肖於積則路測試之 24 1314651

高頻探針組，其中該基材係包含有一絕緣介電層以及在 該絕緣介電層兩面之一電源平面與一接地平面，該第一 探針係連接至該電源平面，該第二探針係連接至該接地 平面。