TWI310221B

TWI310221B - Angular spin, rinse, and dry module and methods for making and implementing the same

Info

Publication number: TWI310221B
Application number: TW091106256A
Authority: TW
Inventors: E Treur Randolph
Original assignee: Lam Res Corp
Priority date: 2001-03-30
Filing date: 2002-03-28
Publication date: 2009-05-21
Also published as: WO2002080237A1; US20020139389A1; US20040200501A1; KR100886593B1; KR20030088483A; CN100375226C; US7029539B2; EP1374285A1; US6748961B2; JP2004533716A; JP4141842B2; CN1639836A

Description

1310221 五、發明說明（1) 【發明背景】發明之領域本發明係關於一種半導體晶圓製備，特別是關於空間及處理效率高的旋轉、清洗、及乾燥（SRD)模進行半導體基板的清潔及乾燥。 … 相關技術之描述係在半導體裝置之製造中執行晶圓製備及清潔板=期間之一反複重覆的常見晶圓製備操作係使用及乾燥（srd)模組以進行旋轉清洗及乾燥 =。典型地，在安裝於SRD箱上之碗狀部中執行旋^、、 ^先、及乾燥操作，而其依序固定至轉軸。血將使轉轴、安类左鐘+ /、^也馬達 ^ Λβ flf, A 4* 、/頭、及藉由裝設至夾頭的轉曰。P而夾持之晶圓旋轉。㉟常：：轉圓’轉站指部总七—』按收·待衣備之晶碗狀部之外及晶圓處理平面之吏其延伸至送待處理之晶圓至轉軸指部。在接曰圓：執2 j ?輸及農設至其上的晶圓向下移回並之，轉轴指部圓放置在晶圓處理平面的高度。碗狀邛中，因而將晶通每’當以每分鐘高韓數（ρ 由拾部而施加去離子（D" Μ 3旋轉晶圓時」即經晶圓。—旦沖哞日日圓表面之上，错以清洗供應，並接著以古、^输°束時，即關閉栓部而停止DI水的亚接者以咼RPM繼續旋轉晶圓，蕤以#裎曰旦已完成乾燥操作而達一第二_藉以乾屌晶圓。一部、及晶圓移出碗狀部並位在曰二則將夾頭、轉軸指位在日日圓處理平面之上方。於此第4頁 1310221 五、發明說明（2) 時，即到達並將晶圓從⑽模组中移除。典型的斷“中，係在水平=:;;^主要地，在週』故了清楚理解，此減少SRD模組的整體產能。“ 第一限制為SRD模組之内的極重盘# 足以容納高㈣旋轉晶圓達—極長時料/生—^制為使用佔用極高/Λ有淨極室大空之間架。構及支樓架構’因而不必要地且有ΐ 1卜-除了不必要地佔用高價的空間之外，夹頭组件頭:：:走轉並上下移動，俾能接收或輸送晶圓: ί =ί:;::Γ係使炎頭必須維持適當的校適當對;處理高度保持靜止。而在夾頭並非極粍時且費r，wRD^?頁重新對齊夾頭组件。此處理係因而減少n 須離線而導致時間的延長’ 栽入3轴；=重新對齊時，爽頭組件將執行將晶圓由例之上係涉及四個階段。組中.，將晶圓载入至轉軸指部 I先，為了接收晶圓’故將夾頭及 1310221 五、發明說明（3) 轉軸移出碗狀部之外方。因此，為了將未載持晶圓的末端執行指部水平面以上一高後，末端執行器必須到晶圓到達轉軸指之旦轉轴指部嗜入a 際輸送未處理的晶圓使末端執行器略為向之前離開晶圓。以末器的各種向上及向下此’在各旋轉、清洗耗費極長的時間。所少SRD模組的總產能（鑑於前述，因而清洗、及乾燥模組，較高的產能，而有效及乾燥操作。，俾能處理之器係首度處水向下移高度能圓，末至轉軸下移動端執行移動，、及乾以增加使轉軸定位在晶圓處理平面上晶圓輪送至轉軸指部的邊緣，先在（已位在上位置的）轉轴平地在碗狀部上方移動。之動（雖然在碗狀部上方），直使轉軸指部喝合晶圓的地方。端執行器即鬆開晶圓並因而實指部。最後’為了拔出，必須 ’並在水平地離開碗狀部上方器的「Z」轉速進行末端執行事貫上’為極低的轉速。因燥週期’僅載入及卸載晶圓即每一晶圓的SRD週期，繼而減本技術領域中存在需要有—種旋轉、其，，佔用較小的清潔室空間及產生地提同在基板表面上的旋轉、清洗、【發明概要】不發明籍由

A體而言 )模其實施方法’而滿足有效地ΐ佳化執行旋轉、清洗、及乾燥之操作在基板表面上組係佔用較小的清潔室空間，而本發明之SRD模較咼的產能。較佳情

1310221 玉 '發明說明（4) 況為，本發明之s 筒，俾在旋轉、主味、、，且實一對驅動滾筒及一嚙合滾驅動滾筒及嚙人；锊；f乾燥操作期間嚙合基板。將此對旋轉、清洗、：乾模組之内，俾能當滾筒在板之定義成一處理采'，、乍期間嚙合基板時，使包括有該基佳例子中，將該驅動二與：：=二處理角度。在較合滾筒則今点I始成轉被嚙合的基板，而該嚙一清除路徑。°、目’俾能產生供該基板之載人及卸載的理、：種型式加以實施，包括處實施例。 &置、或方法。以下說明本發明的許多在一實施例中，揭露一種在一旋轉、清洗、及乾燥 / SRD )模組中之一基板的處理方法。該方法包括：提供待處理之基板、將SRJ)模組定位在一基板接收位置、將處理之基板定向在界定於一角度的一插入位置、以此角度將基板插入至SRD模組之中、將SRD模組放置在一處理位置、。旋轉呈此角度的基板、沖洗呈此角度旋轉之基板、及乾燥呈此角度旋轉之基板。在另一實施例中，揭露一種在一旋轉、清洗、及乾燥 (SRD )模組中之一基板的處理方法。該方法包括一唾合步驟’嚙合在一處理平面之一晶圓，此處理平面設為使其與一水平面界定出一處理角度’且此處理角度設為使此 SRD模組的性能最佳化、一旋轉步驟’旋轉在此處理平面之晶圓、及一清潔步驟，當旋轉在此處理平面之晶圓時， 1310221 五、發明說明（5) 同時清潔晶圓的一上表面及一下表面。在又一實施例中，揭露一種在一旋轉、清洗、及乾燥 (SRD )模組中之一基板的處理方法。該方法包括：一0# 合步驟，嚙合在一處理平面之一晶圓，此處理平面設為使其與一水平面界定出一處理角度，且此處理角度設為使 SRD模組的性能最佳化、一旋轉步驟，旋轉在此處理平面之晶圓、及一清潔步驟，當旋轉在此處理平面之晶圓時，同時清潔晶圓的一上表面及一下表面，此清潔步驟則包括：當旋轉在此處理平面之晶圓時，同時以DI水沖洗晶圓的上表面及下表面、及當旋轉在此處理平面之晶圓時，同時施加一超音波流動至晶圓的上表面及下表面。在另一實施例中，提供一種在一旋轉、清洗、及乾燥 (SRD )模組中之一基板的處理方法。該方法包括一嚙合步驟，嗜合在一處理平面之一晶圓，此處理平面設為使其與一水平面界定出一處理角度，並此處理角度設為使晶圓的一乾燥最佳化、一旋轉步驟，旋轉在此處理平面之晶圓、一清潔步驟，當旋轉在此處理平面之晶圓時，同時清潔晶圓的一上表面及一下表面、及一乾燥步驟，當旋轉在此處理平面之晶圓時，同時乾燥晶圓的上表面及該下表面。在再一實施例中，揭露一種晶圓製備模組。該晶圓製備模組包括一容室，包括晶圓唾合滚筒，將此晶圓喷合滾筒定位在一角度，並設計此晶圓嚙合滾筒而用以在製備期間以一角度旋轉一晶圓。

1310221 五、發明說明（6) 在另一實施例中，揭露—旋土

)模組。此SRD模組包括一容々洗、及乾燥（SRD 壁部設成包括其中的一窗部，將—外壁部，將此外内，俾能與一水平面產生一處 ^部界定在此外壁部之定在此容室之内，將此驅動滾 ^ :—對驅動滾筒，界板時，同時旋轉待處理之一某 ^成為畲嚙合待處理之基此容室之内，此喃合滾筒設：唾唾合滚筒，界定在滾筒及此對驅動滾筒設為喝合待^處理之基板，此唾合理之基板與水平面產生實質上 =基板，俾能使待處本發明具有各種優點最度的-角度。本發明之具角度的SRD模組係實施用象人\用：:板組’ 面的乾燥。以此方式，將Ϊ少；：及:卑：成最佳化基板表 ί!二：、及乾燥週期所需的時間，因而提同產此。使用滾筒而非使用轉軸指部及夾頭為另一優點。即，藉由實施用以嚙合晶圓的滾筒，本發明之具角度的 SRD模組將確保整個晶圓的清潔，即確保晶圓的上及下表面兩面的清潔。另一優點為：由於嚙合呈一角度的晶圓，所以僅需要較少之用以處理晶圓的機械性移動，因而可使用由低RPM至高RPM的非破壞性操作來處理晶圓。本發明之再一優點為使用滾筒而非使用夾頭及轉軸指部’故本發明之具角度的S R D模組1 〇〇將小於現有的s r d模組’因而佔用極少的清潔室空間。本發明又一優點為採用較佳的乾燥方法。即，由於使用乾燥協助機構、呈一肖度

第9頁 1310221 五、發明說明（7) 、及使用用以清潔晶圓的高度揮發溶劍之組故大幅地增進本發明之乾燥操作。例如， LVr Λ地/…曰圓，同時_保邊緣清潔。因此，將縮燥週期，因而提高產能。最後，具角度的圓模組將藉由實施非破壞性的低RPM而達成極乾燥角的晶及各ΐ = ϊ它樣態及優點將可參考以下之較佳實施例及谷圖式的說明而更加明顯。 _ 【較佳實施例之詳細說明】及角佳旋筒位位將者發免以下說明用以最佳化基板表面之處理的旋主 i=D平)ι組。較佳地，SRD模組實施-對用：在有又的處理平面上嚙合基板的驅動滾筒 ϊ持：ς在：i理之基板。在一較佳例子中，當驅動滾、’」ίίίί、清洗、及乾燥期間旋轉基板時的定 !將嚙&滾筒設成可縮回，俾能使其移入及，故分別提供基板之卸載及載入所需之空隙。提為了提供對本發明的徹底理解，因此模糊ΪΪΓ將不詳細地說明熟知之製程操作以避圖1為依照本發明之-實施例的示範之具角度的SRD模

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組之簡化橫剖面圖。此具角度的SRD模組包括容室1〇2，其係設計為自給自足性，以下將詳細說明其理由。如圖所、不，^角度的SRD模組更包括第一驅動滾筒12〇&、第二驅動滾筒120a，（未圖示）、及嚙合滚筒12〇b，全部設成為在旋轉、清洗、及乾燥操作期間嚙合晶圓122。如上所述，第一驅動滚筒120a、嚙合滚筒12〇13、及晶圓122係配置在各室1 02之中，俾能使包括被嚙合晶圓丨22之平面的延伸與水平面之間產生處理角度。以此方式，定位呈處理角度的aa圓1 2 2設為能错由指向清潔流體而使其向下且離開處理中的晶圓1 2 2而最佳化晶圓丨2 2的乾燥。在較佳實施例中，角度隋瑤d圍從實質為零（0)度至實質為九十（9〇度。

如圖所示，使第一驅動滾筒120a耦合至插入到容室 102之開口U6a的滾筒驅動軸116。將第一驅動滚筒12〇&設成如同滾筒驅動軸11 6般在旋轉方向1 〇 6上旋轉。在此實施中，為了以下將詳細說明的理由，故藉由配置在容室^〇2 之外的驅動馬達1 〇4而驅動滚筒驅動軸丨丨6及第一驅動滾筒 120a ^如圖所示，耦合至驅動馬達1〇4的馬達驅動軸係在旋轉方向106上旋轉，因而導致安裝在驅動滑輪丨丨“及' 114b上的驅動皮帶丨12旋轉。驅動滑輪丨Ub的旋轉將依序導致滾同驅動軸116、驅動滾筒12〇a、及晶圓122旋轉。吾人必須注意到，當第一驅動滾筒丨2〇a及第二驅動滚筒120b在處理平面上嚙合晶圓122時，係將第二驅動滾筒< 120a’界定在第一驅動滚筒i2〇a的1 20度角扇。又，類似於

第11頁 1310221 五、發明說明（9) 第一驅動滾筒1 20a，係將第二驅動滾筒1 20a’設計成藉由類似於第一驅動滾筒120a的驅動馬達而驅動。然而，在一實施例中’係可藉由一驅動馬達而驅動第一及第二驅動滾筒120a及120b。此外，將第一驅動滾筒120a及第二驅動滾筒120a’設成在其旋轉時，仍保持在其定位上。關於具角度的SRD模组1 〇〇之内的第一驅動滾筒1 20a、第二驅動滾筒 120a’ 、及嚙合滾筒120b之定位的額外細節將在以下與圖 2A至圖2C有關的說明中提出。

將第一驅動滾筒120a及第二驅動滚筒120a，設計成使晶圓1 2 2旋轉時，係僅同時將唾合滾筒1 2 2 b設計成在處理晶圓122的同時亦4合住晶圓122。此外，相較於設計成保持定位的第一驅動滾筒1 2 0 a及第二驅動滚筒12 0 a，，則將合滾筒120b設計成可縮回。即將嚙合滾筒120b設計成可移進及出其定位，俾能提供晶圓122之載入及卸載所需的足夠間隙。在一實施例中’為了以下更詳細說明的理由，故:使用配置在容室102之外的氣壓缸140而使唾合滾筒120b 移出其定位。如圖所示，使喊合滚筒120b麵合至裝設到氣屋缸140之活塞142的臂部146。將活塞142插入至容室1〇2 而穿過開口 142a。當活塞142在移動方向144上移動時，活塞142將導致嚙合滚筒120a移進及出定位。經由此例子，將活塞142的遠離設計成牵引在其上的嚙合滚筒12〇13，俾能使嚙合滾筒120b充份地移出定位而提供末端執行器載入及卸載晶圓1 22所需的適當間隙。在晶圓的載入及卸載之後’將活塞142的行程設成可將嚙合滚筒120b推回其初始

第12頁 1310221 五、發明說明（ίο) 位置。 _ 繼續參見圖1，如上所述’具角度的SRD模組100更包括具有上分配器1 26a及下分配器1 2 6b的清潔劑分配器 126。上及下分配器12 6a及126b各具有各自之表面— j 及126b-l ’而各表面則包括複數之孔部128。將複數之孔部128設成為輸送清潔流體至晶圓122之上及下表面^23及 122b之上。如圖所示’在此實施例中，將上分配器i26a之表面126a~l界定在容室1〇2之内’俾能使表面i26a-l面對 s曰圓122之上表面i22a。再者，如上所述，將下分配器 126b之表面i26b-l界定在容室102之内，俾能使表面 12 6b-l面對晶圓之下表面122b。然而，吾人必須理解在另一實施中，只要清潔劑分配器丨26能提供實質上均勻的清潔液體塗佈至晶圓1 2 2的區段之上，亦可將清潔劑分配器 126界定在容室102之内的不同位置上。較佳情況為’經由複數之孔部1 2 8而將流體喷射氣流 134輪送至晶圓122之上及下表面122a&122b上，俾能在任一已知時間’使晶圓〗22的至少一區段受到清潔。以此方式’將碟保清潔分配器1 2 6實質均勻地施加清潔液體的塗佈實質上覆蓋從晶圓中心延伸至晶圓邊緣的晶圓〗22之局部°在一實施例，將流體喷射氣流丨34實質均勻地施加至處理中的晶圓122之上及下表面122a及122b上，俾能使清潔流體覆蓋晶圓122之上及下表面12 2a及122b的實質一半。較佳情況為，將清潔劑分配器126設計成從上及下表

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1310221 五、發明說明（π) - 面122a及12 2 b逐出、鬆弛、及移除微粒的污染物、殘留物、及化學物質。以例子說明，微粒的污染物係微粒及金屬，而微小材料碎片之微粒則存在於晶圓〗22之上或下表面122a或122b上（例如，灰塵、石夕土（呵）、研衆殘留物、聚合物殘留物、金屬薄片、大氣灰塵、塑膠顆粒、矽土顆粒等等）。較佳情況為，為了逐出、鬆弛、或移除污染物，故將清潔劑分配器1 2 6設計成可實施形成為不會殘留任何殘留物在上及下表面122a及122b之上的高度蒸發之清潔流體。然而，吾人必須理解在另一例子中，只要流體介質迅速地蒸發並且不會殘留殘留物時，本發明之清潔劑分配器126 係可實施任一適當的流體介質而清潔晶圓〗22的表面（例，，去離子水、氫氟酸（HF)、氫氧化銨（Nh4〇h )、

氨、亞乙基一胺四乙酸（EDTA)、四1f基氫氧化銨（TMAH )、檸檬酸、鹽酸、過氧化氫、MCC3000、MCC2500、其異丙醇（I PA )混合物、及任何清潔劑、任何溶劑等。）。再者，依照本發明的一實施例，清潔劑分配器丨26係設計為在上及下表面122a及122b上、沿著有角度的處理平面、在移動方向139’上來回移動（即，晶圓122的半徑r上來回移動）。再者’在一例子中，在具角度的SRD模組之内於晶圓 122上執行的清潔操作更包括在處理平面上（即，以一角度）刷洗晶圓122的上及下表面122a及122b。例如，在一實施例中，具角度的SRD模組可界定容室丨〇2之内的一上刷

1310221 五、發明說明（12) 滾筒及一下刷滾筒。當定位時，將各上刷滾筒及下刷滾筒設成分別清潔晶圓1 2 2的上表面1 2 2 a及下表面1 2 2 b。如上所述’在一實施中，透過實施超音波喷霧組件 136施加超音波而增強在具角度的SRD模組於晶圓122上執行的清潔操作。如圖所示，超音波喷霧組件〗3 6包括上超音波喷霧1 3 6 a及下超音波喷霧1 3 6 b，並將各個分別設成清秦曰曰圓122的上表面i22a及下表面122b。如圖所示，上超音波唢霧136a包括裝設至上超音波喷霧喷嘴138&的上超音

波臂，137a。將上超音波喷霧喷嘴138a設成將受超音波頻率之聲波攪動之液體喷灑至晶圓122的上表面122&上。依相同的方式’附在下超音波喷霧136a的超音波臂部之上的下超音波噴霧噴嘴13813係將受超音波頻率之聲波攪動之液體的圓錐形喷霧施加至晶圓1 22的下表面1 22b上。經由=自之上及下超音波臂部丨37a及13几中的相關之管路或其匕中空之通路而將液體輸送至各上及下超音波喷霧喷嘴 13 8a 及138b。 j此實施例中，係將各上及下超音波喷霧喷嘴138a及 1 3 8b议成旋轉。在不同的例子中，除了旋轉之外將各上

超κ音波噴霧噴嘴1388及1 38b設計成在超音波移動方向 ιΓ著有角度的處理平面而來回地在上及下表面122a 1 上移動。即，將上及下超音波喷霧喷嘴138a及 $ «Λι /從晶圓122的中心移動到晶圓122的邊緣，並接卜=叙ί圓1 22的中心（即，來回地在晶圓1 22的半徑r之上移動）。所以，在晶圓122的清潔之後，藉由鬆弛、軟

1310221 ____________________ 五、發明說明（13) f '逐出、及移除殘留在上及下表面122a及12 2b之上的更微小之微粒污染物、殘留物、及化學物質，超音波噴霧組件1 3 6將增強清潔劑分配器丨2 6的清潔。本技術領域之一般技術者必須理解在不同的實施例中’只要超音波組件1 3 6能將受超音波頻率之聲波攪動之液體喷灑至晶圓122的上及下表面上，超音波喷霧組件136 係可具有不同之元件。再者，超音波噴霧組件丨3 6可將任何適當的液體喷灑至晶圓122的上及下表面122a及12 2b上 (例如’ DI水）。此外，超音波圓錐形喷霧的喷灑期間及強度係隨著預先建立之處理資料需求而異。繼續圖1之實施例，經由實施氣體分配機構及分散氣流機構之兩獨立元件的乾燥協助處理而增強具角度的SR]) 模組100之乾燥操作。在氣體分配機構中，具角度的SRD模組包括複數之噴嘴124a、124a，（此圖未圖示），及分別穿過開口124&-1、124&-1，、及12513-1而插入至容室1〇2中的喷嘴12 4b。如圖所示，將各喷嘴124a、124a，、及124b 配置在容室102之内，俾能將分配至各喷嘴丨24a、124a，、及124b的氣體分別施加至第一驅動滚筒12〇a、第二驅動滾筒120a’ 、及嚙合滾筒12〇b上。以此方式，經由喷嘴 124a、124a’ 、及丨24b而分配的氣體將使殘留在各第一或第二驅動滾筒120a或120a，及嚙合滾筒120b之上的任何液體被吹掉’因而乾燥滚筒及處理中的晶圓122之邊緣。再者’藉由將液體吹離上及下表面122a&122b，氣體經由喷嘴124a、124 a’ 、及124b的分配將進一步增強晶圓122之上

第16頁 1310221 五、發明說明（14) 及下表面122a及12 2b的清潔。因此’氣體分配機構達成乾燥滾筒’同時不僅增強晶圓表面的乾燥，更增強晶圓邊緣的乾燥。藉由例子說明’在此實施例中，將吹氣喷嘴1 2 4 a、 124a 、及124b设成為用以將加熱的氮氣分配至第一及第二驅動滾筒120a及120a’及嚙合滾筒120b上。然而，在不同例子中’可使用任何適當的氣體，俾促進驅動滾筒12〇a 及120a及嗜合滾同12〇b、晶圓122的邊緣、及上及下表面 122a及122b的乾燥（例如，c〇2、清潔乾燥空氣（CDa)、氮氣等。）。藉由採用分散氣流機構將進一步增進晶圓的乾燥。如圖所示，將複數之氣體供給孔130界定在容室1〇2的内壁 l〇2a上’俾能允許氣體在容室1〇2之内流動。將氣體供給孔130設成具有指向晶圓122之上及下表面122a及12 2b的氣體流動方向132。依此方式，將氣體均勻地分佈至整個容至102，俾能實質促進上及下表面122a及122b兩面的均勻乾燥。

較佳地’利用極小微粒抓取（ULPA )過濾器而過據分佈至整個容室1 02中的氣體。此外，在較佳實施例中，〜可實施的氣體為空氣或氮氣。然而，在另一例子中，可使用任何適當的氣體而促進晶圓之上及下表面122a&122b兩面的均勻乾燥。依據一例子，將導管之氣流導至晶圓i 22之上及下表面12 2a及122b ,並如以下之說明，接著使其排 1310221 五、發明說明（15) 繼續參見圖1之實施例，具角度的SRD模組1 0 0之容室 102更包括排出部150a ’其耗合至配置在容室1Q2之外的排出管道150。將排出部150a設成為在容室1〇2之内接收氣體流動及液體流動，及利用排出管道1 5 〇將之移除到容室i 〇 2 之外。以此方式，在模組之旋轉、清洗、及乾燥操作期間，使容室1 0 2之内的環境保持清潔。

除實施排出部150a之外，本發明之具角度的SRI)模組 100不僅在SRD容室102之外配置氣壓缸14〇，更配置驅動馬達104及104’ ，因而進一步清除進入容室1〇2之中的微粒污染物❶再者，將各滾筒驅動轴i 16及丨16，及活塞142分別設成為固定在一對密封墊118及148之内。將密封墊118及148 配置在極接近容室102之開口116a-l、116a-2、及142a-l 之處。以此方式’將有利於密封墊118及148分別嚙合固定在其定位上的滾筒驅動軸116及活塞H2，因而預防過多的微粒污染物進入容室102之中。

再者’具角度的SRD模組1 〇〇實施雙阻障容室。即，除了容室102之外，模組亦實施設成為封住容室1〇2的外容室 1〇2’ （此圖未圖示）。以此方式，將外容室1〇2，設成為容納任何洩漏自容室1 〇 2的液體或氣體。在洩漏發生的情況時’將界定在外容室1〇2’及容室1〇2之間的排出設成為陷入兩容室102及102’之間的廢物之配置。因此，本發明之具角度的SRD模組丨〇〇不僅徹底、迅 f、且高效率地清潔及乾燥晶圓122的邊緣，更清潔及乾知其上及下表面12 2a及i22b。再者，當具角度的SRD模組

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100係採用驅動滚筒而非夾頭盥餹 ^ 1102 ^ ^ ^SRD ^ # Λ ^ Ρ« L，. 1 匁0^ Μ犋組，因而佔用較小的潔淨室空間。此夕卜’由於乾燥協助機構、以—角度的晶圓處理、及度蒸發的溶劑以清潔晶圓的組合效應，因此將進一 ^增強具角度的SRD模組100之乾燥操作。例如，較佳情況為，具角度的SRD模組100可實施實質為1〇〇〇RpM的轉速以產生乾燥的晶圓。因此，具角度的SRD模組1〇〇實施較低的RPM即可產生較乾燥的晶圓’因而並不需實施龐大架構以支撐本發明的SRD模組1〇〇 ^因此，當本發明的SRD模組 1 00採用較小的破壞性轉速以高效率地達成更乾燥且更潔淨的處理晶圓時，其同時佔用更小的空間。參見圖2 A ’其顯示依照本發明一實施例之載持晶圓之第一及第二驅動滾筒120a及120a’及嚙合滾筒i2〇b的透視

圖。如圖所示’第一及第一驅動滾筒12〇a及120b及嗜合滾筒120b各被界定在晶圓122之邊緣附近，俾將其各放置其它兩滚筒的120度之角度之内。即，形成在第一驅動滾筒 120a及第二驅動滾商120a之間的角度α、形成在第一驅動滾筒120a及嚙合滾筒120b之間的角度召、及形成在喷合滾筒120b及第二驅動滾简120a之間的角度占各設成為相等的120度。再者’如圖所示，將嚙合滾筒120b設計成在移動方向121上來回移動。本技術領域之一般技術者必須注意到，係可將第—及 _第二驅動滾筒120a及120b及哨合滾筒120b界定成位在晶圓 122四周之角度α、冷、及（5並非相等之處。再者，吾人

第19頁 1310221 五、發明說明（17) 必須’主思至J ’在不同實施動滚筒以在旋轉、、生冰 R 了貝轭—或兩個以上的驅依照本發明之：會：乾燥操作期間旋轉晶圓。進一步了解藉由末勃—」’參見有關之圖2B及圖2C，將筒120b之移動。如圖2态之晶圓^22载入期間的嚙合滾口15 2a，的末端執行哭 J整當裝设至其上具有複數之吸、斤而#入曰之葉片154從移動方向15仏上靠。以:太々時，將從移動方向1213上拉離嚙合滾筒 d ία γ送至末端執行器152係具有足夠間隙以將晶囫輸弟—及第二驅動滾筒120a及120a，。之後，如圖2C所不，在晶圓載入至SRD模組之後，並在末端執行器臂部152從移動方向153b上退出及離開嚙合滾筒12扑的移動方向之後，即釋放嚙合滾筒丨2〇b，俾能回到其初始位置。所以’在以下與圖4A至圖4D及圖5有關的詳細說明中’將減少用以使晶圓載入及卸載出本發明之具角度的 SRD模組1〇〇之移動的數目。

參見圖3A至圖3B，將進一步了解不僅藉由驅動及嚙合滾筒的構造’更藉由第一及第二驅動滾筒及喊合滾筒的晶圓1 2 2之嚙合。圖3 A描述依照本發明之一實施例的固定晶圓122之第一驅動滾筒120a及第二驅動滚筒120a’的簡化侧視圖。如圖所示，第一驅動滾筒12〇a具有下輪子120 a-1、上輪子120 a-2、及一對用以嚙合待處理之晶圓122的夹環 120a-3。依此相同的方式，將第二驅動滚筒120a’設成為包括下輪子120a，-1、上輪子120a，-2、及，對用以嚙合晶圓122的夾環120a’ -3。

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如圖3B之第一驅動滾筒12〇3的分解圖所進此對夹環120a-3係具有下夹環12〇a_3a、上夹^；；；^；；、及V形溝槽12〇a-3c。將V形溝槽12〇3_仏設成為在旋轉、清洗、及乾燥操作期間使晶圓旋轉時，同時嚙合及固定晶圓 122。較佳情況為’在一實施中，第一及第二驅動滾筒 1 20a及1 20a，及嚙合滾筒12〇b在v形溝槽t實施聚氨醋襯，，俾固定及嚙合晶圓。然而，在另一例子中，則加工聚氨S曰滾琦的弟一及苐一驅動滾筒12〇3及12〇3，及响合滾筒 120b ’俾使其具有v形溝槽。

參見相關之圖4A至圖4D，冑進-步了解晶圓的載入至及卸載自SRD模組1〇〇、及其從載入站164的輸入晶舟盒168 至輸出晶舟盒158的輸送。如圖4A之實施例的側視圖所示，當末端執行器152及葉片156位在水平位置時，機械手臂156將同時實施末端執行器152，俾從輸入晶舟盒168中取出晶圓1 2 2。之後，如圖4B所示，使機械手臂156伸高至SRD模組 1〇〇的高度。如上所述，葉片154係已改變末端執行器152 及晶圓1 22，俾能使晶圓丨22對齊具角度的處理平面之方

位。以此方式，將消除載入晶圓時的不必要步驟，因而提高具角度的S R D模組之效率。如圖4C所示’一旦SRD模組1〇〇已結束晶圓122的處理’則當晶圓122仍在具角度的位置上時，末端執行蕤152 係同時從SRD模組取出晶圓122。又，消除了晶圓122之卸載的不必要步驟。之後，葉片1 56係改變，俾能將末端執

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行器152及晶圓122對齊在水平方位上而將潔淨的曰傳达至輸出站。如圖4C所示，在—實施中，末端:行哭 152將晶圓122卸載至輸出晶舟盒158之定位在 ^ =2之此基主底160上。如圖所示，將輸出晶舟盒ΐ58=: 載持潔的晶圓1 22。在另一實施例中，如以下與圖有關之說明中，係使用標準機械界面（SM丨〜出晶舟盒158。 ^相以代替輸圖4 D係描述依照本發明之一實施例的晶圓1 2 2呈一插入/處理角度地插入至SRD模組1〇〇之中。如上所述，將具有角度方位的窗部l〇2c界定在容室1〇2的侧壁i〇2b中，因而允許末端執行器152高效率地以插入/處理角度將晶圓 122插入SRD模組中。當末端執行器靠近SRD模組時，^窗部102c下推’俾能清除供末端執行器152將待處理之晶圓 122插入的路徑。將窗部1〇2(：界定於具角度的方位係有利於減少末端執行器152之載入及卸載晶圓122所需的移動數目。詳言之’由於窗部l〇2c、插入之晶圓122、及末端執行器1 5 2的各個皆與水平面形成一角度，而此角度則實質相等於晶圓處理平面與水平面之間所形成的角度（即，處理角度0)，故可移動數目。雖然在各實施例中，已使用末端執行器而將晶圓丨22 載入至/卸載自滾筒，本技術領域之一般技術者必須理解’只要可達成晶圓122之載入及卸載出第一及第二驅動滚同120a及120b的功能，亦可使用其它相等的機構。在一示範之實施例中’如圖5所示，將末端執行器1 5 2

第22頁 1310221 五、發明說明（20) 設成為使潔淨的晶圓122卸載至標準機械界面（siu)箱 159。如上所述’SMIF箱159包括界疋在輪出架162，之芙底 16 0,上的輸出晶舟盒158，。以此方式，一旦SMIF箱159土係一充滿潔淨的晶圓1 2 2時，則降低輸出架1 6 2，，並使覆一雲子裝設至SMIF箱159 ’因而使潔淨的晶圓122保持在清潔環境中。 ”

參見圖6之流程圖600 ’其顯示依照本發明之一杂於具角度的SRD模組中處理晶圓所執行的操作方法。只，法係始於操作602，其中確認具角度的SR 之晶圓。接著，在操作604中，使用末端-:二二的待處理認之晶圓。之後，在择你β η β由订器而取出確〇η,^8κι)μ 界定成-角度的窗部：：：生；：_模組的側壁内之路徑。除了打開窗部之外，亦;末端執仃器使用之插入理平面上的可縮回嗔合滾筒=s r d模組之内的界定在處位置並離開末端執行器的路，因而使嚙合滾筒移離其繼續至操作6〇8，末二。能使其呈插入角度。至執仃器係改變取出之晶圓，俾於處理角度，因而可減少為，插入角度係實質上相等數目。之後，在操作61〇中執行器插入晶圓所需的移動插入至SRD模組之中。最，：待處理之晶圓以插入角度於處理位置。即，釋放在’在操作612中，將SRD模組置入之所需間隙的嚙合滾筒:，移離其位置以提供晶圓載參見圖7所顯示之流程圖^回到初始位置。 ’其顯示依照本發明之一 1310221 五、發明說明（21) 實施例的於具自沾ς D n 角又的SRD楔組中用以處理晶圓的操作方法。方法700係始於择作a. ώ：隨著操作m而清潔’其中以一角度旋轉晶圓’並細說明中，使用Λ Λ的上及下表面。如與圖1有關之詳本品；土吏用0又成為施加清潔劑至旋轉之晶圓的上及下、兄\ ί ί上的清潔劑分配器而執行晶圓的清潔。較佳情的成為逐出、鬆、他、及移除殘留在晶圓的上及I表面之上的微粒污染物、殘留物、及化學物質。 Β ΠΓ ί 1，在操作706中，持續第一時間地清洗晶圓的上 j 5 S 。之後，此方法繼續至操作708 ,其中施加超音波至晶圓的上+ 〜曰 ,,# i，下表面之上。較佳情況為，在清潔操作之 1. . 〇超音波以逐出、鬆弛、及移除殘留在晶圓的上及 k #面之上的更微小微粒污染物、殘留物、及化學物質。三在操作710中，施加第二清洗至晶圓的上及下表 Ξ 後，在操作71 2中，藉由以一角度地旋轉晶圓而使 ”氣炼。在各較佳實施例中，使用與圖丨詳細說明有乾燥協助機構的協助而促進晶圓的乾燥。如圖8之流程圖800，其顯示依照本發明之一實施例清潔晶圓之操作方法。如上所述，方法800係始於操作 8〇2*八中以一角度旋轉晶圓，隨著操作804之藉由施加氫貌文（HF)及去離子水的混合物而清潔晶圓的上及下表面。較佳情況為，HF於氫氟酸（HF )及去離子水之混合物中的》農度從實質為1%至實質為2%。繼續至操作8 〇 6，施加超音波至晶圓的上及下表面之上。繼而’在操作8 0 8中，施加異丙醇及去離子水之混合

1310221 五、發明說明（22) =晶圓的上及下表面之上。最後，在操作81〇中，以一角度釦轉晶圓而使其乾燥。。角戶程圖_顯示依照本發明之另-實施例的於具中用以清潔晶圓的操作方法。*潔方綱之作902，其中以一角度旋轉晶圓，並隨著操作9〇4 離子水而清潔晶圓的上及下表面。接著，於中，猎由施加異丙醇及去離子水之混合物而清洗曰曰曰，的上及下表面。最後，於操作9〇8中，以一角度旋轉曰曰圓而使其乾燥。主圖1。〇之々,L程圖1 〇〇〇係顯示依照本發明之又一實施例的潔晶圓的操作方法。清潔方法1 0 00係始於操作1 002，其芬2 &角度旋轉晶圓，並隨著操作1 004而以氫氟酸（HF ) 作ι〇η、ί合物沖洗晶圓的上及下表面。接著，在操 n a施加異丙醇及去離子水的混合物而清洗晶 i而你5: ί面。最後’在操作1 〇〇8中，以-角度旋轉晶圓而使其乾燥。鏟曰=述t操作方法6〇0至1〇00中，藉由滚筒唾合及旋轉日日圓並同時使呈备. ^ ^ 史，、角度之曰曰圓旋轉、清洗、及乾燥係有利 $減=載入及卸載晶圓所需之末端執行器的移動數目。此彳用非破壞性之實質低的RPM將促進晶圓的乾燥。再 {用滾筒以嚙合晶圓係大幅地減少SRD模組的尺寸，同時可確保晶圓的上及下表面兩者的潔淨。 f然為了提供對本發明的徹底理解，而提出許多具體、田節仁可在本發明之範圍内作各種修改及變化。例 1310221

如，在此說明之實施例基本上針 (SRD)^ ，亦=用=任何種類之基板的旋轉沖洗。再者，夂若需要、時，吾人當理解本發明之具角度的SRD模組亦適用於任何尺寸之晶圓或如硬式碟片等基板的旋轉沖洗。此外，本發明之實施例已實施馬達，俾旋轉驅動滚筒及氣壓缸而重新女置0i合滚筒’但本技術領域之一般技術者必須理解亦可使用任何能執行這些功能的適當裝置。因此，本實施例應视為例示性而非限制性，而並非將本發明狹義地限制於該較佳實施例。凡依本發明所做的任何變更，皆屬本發明申請專利之範圍。 1310221 圖式簡單說明圖1為依照本發明之一實施例的示範之具角度的旋轉、清洗、及乾燥（SRD )模組之簡化橫剖面圖。圖2 A為依照本發明之一實施例的第一及第二驅動滾筒及嚙合晶圓之嚙合滾筒的透視圖。圖2B為顯示依照本發明之另一實施例的藉由末端執行杰而載入晶圓的期間之移出定位的嚙合滾筒俯視圖。圖2C為顯示依照本發明之又一實施例的藉由末端執行器而在載入晶圓之後的嚙合滾筒移回其初始位置之俯視圖。圖3 A為依照本發明之一實施例的固定晶圓之第—驅動滾筒及第二驅動滾筒的簡化侧視圖。圖3B為依照本發明之又一實施例的驅動滾筒分解圖。口圖為描述依照本發明之再一實施例的藉由末端執行器從輸入晶舟盒取出晶圓的簡化侧視圖。圖4 B為顯示依照本發明之一實施例的使晶圓重新平行對齊處理平面之具角度的方位之末端執行器的簡化侧視圖。圖4C為顯示依照本發明之一實施例的在從具角度的 SRD模組取出處理之晶圓及其輸送至輸出晶舟盒中之後的重新對齊之簡化侧視圖。圖4D為顯示依照本發明之一實施例的以插入/處理角度將晶圓插入至具角度的SR])模組中。圖5係依照本發明之一實施例的輸送處理之晶圓至標準機械界面（SM IF)箱之末端執行器的圖示。

第27頁 1310221 圖式簡單說明圖6係依照本發明巾處$日I» π 樣態之描述在具角度的SRD模組中處理曰曰圓所執行之操作方法的流程圖。圖7係依照本發明之又^ 组中虛理曰®## 樣惑之描述在具角度的SRD模組中處理/曰圓所執行之操作方法的流程圖。圖8係依照本發明之另― _ 袓巾、、主.、t曰π μ # & 另樣態之顯示在具角度的SRD模組f m办日日®的刼作方法流程圖。圖9。係依照本發明之又一樣態之顯示在具轉、=传ίίίί組中清潔晶圓的操作方法：程圖。圖1 0係依照本發明之再一樣態之顯示在且模組中清潔晶圓的操作方法流程圖。八冉又的【符號說明】 100 SRD模組 102 容室 102a 内壁 102b 侧壁 102c 窗部 104 驅動馬達

10 6 旋轉方向 110 馬達驅動轴 112 驅動皮帶 114a '114b 驅動滑輪 116 滾筒驅動軸 116a 、 116a-l 、 116a-2 、 142a 、 142a-l 開

第28頁 1310221 圖式簡單說明 118 '148 密封墊 120a、120a’ 、120b 滾筒 120a-1、120a-2、120a’ -1、120a’ -2 輪子 120a-3、120a’-3、120a-3a、120a-3b 夾環 120a-3c V形溝槽 121、 121a、 121b 移動方向 12 2 晶圓 122a 、 122b 表面 124a、124b 喷嘴 124a-1 、 124a-1’ 、 125b 、 124b-l 開口 126、126a、126b 清潔劑分配器 126a-l、126b-1 表面 128 孔部 130 氣體供給孔 132 氣體流動方向 134 氣流 136 組件 136a、136b 超音波喷霧 13 7a、137b 超音波臂部 138a、138b 超音波喷霧喷嘴 139 移動方向 140 氣壓缸 142 活塞 144 移動方向

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第30頁圖式簡單說明 146 臂部 150 排出管道 150a 排出部 152 末端執行器 152 ' 1 5 2a 吸口 153a 、153b 移動方 154 葉片 156 機械手臂 156 葉片 158 ' 15 8 晶舟盒 160 ' 160’ 基底 162 ' 162’ 輸出架 164 載入站 168 晶舟盒

Claims

1310221 六、申請專利範圍的基板處 1. 一種在一旋轉、清洗、及乾燥（SRD )模紐理方法’該方法包含：提供待處理之該基板；將該SRD模組定位在一基板接收位置，打開配置在該SRD模組之一壁部中的—窗驟包括：將配置在該SRD模組之一容室之内的一嚙入衰= 第一位置移動至一第二位置，將該移動設成°接_從一以將該基板插入至呈該插入位置的制组二仏足夠用隙； τ的一間置；將待處理之該基板定向在界定於一角度的_插入位以該角度將該基板插入至該SR])模組之中將该S R D模組放置在一處理位置；旋轉呈該角度的該基板；沖洗呈該角度旋轉之該基板；及乾燥呈該角度旋轉之該基板。 2.如申請專利範圍第】項之在一SRD模組中的基板處理方法，其中將待處理之該基板定向在該插入位置包括：改變該基板，俾能產生界定在該基板與一水平面之間的該角度。如申請專利範圍第1項之在_SRD模組中的基板處理方

1310221 _案號91106256_年月曰修正_ 六、申請專利範圍法，其中將該SRD模組放置在一處理位置包括：釋放保持在該第二位置之該嚙合滚筒以回到該第一位置，俾能喃合住該基板；使用一對驅動滚筒而嚙合住該晶圓，將該對驅動滾筒設成用以旋轉該基板；及關閉配置在該SRD模組之該壁部中的該窗部。 4. 一種在一旋轉、清洗、及乾燥（S R D )模組中的晶圓處理方法，該方法包含以下步驟：一嗤合步驟，唾合在一處理平面之一晶圓，該處理平面設為使其與一水平面界定出一處理角度，且該處理角度設為使該SRD模組的性能最佳化；一旋轉步驟，旋轉在該處理平面之該晶圓；及一清潔步驟，當旋轉在該處理平面之該晶圓時，同時清潔該晶圓的一上表面及一下表面。 5. 如申請專利範圍第4項之在一SRD模組中的晶圓處理方法，其中該清潔步驟包括刷洗、沖洗、及超音波流體作用之一。 6. 如申請專利範圍第4項之在一 S RD模組中的晶圓處理方法，其中嚙合在該處理平面之該晶圓的該嚙合步驟包括：將一嚙合滾筒從一第一位置移動到一第二位置，該移動設為提供用以插入該晶圓的間隙；

第32頁 1310221 __案號 9l1f)fi256__祭 η a 一' 六、申請專利範圍以一插入角度插入待處理之該晶圓；使用一對驅動滾筒而嚙合待處理之該晶圓，釋放該嚙合滾筒而回到該第一位置；及使用該喃合滚筒嗜合待處理之該晶圓。 7.如申請專利範圍第6項之在一srd模組中的晶圓處理方法’其中將該指入角度設成實質上相等於該處理角度 8，如申請專利範園第4項之在一 s R D模組中的晶圓處理方. 法，其中旋轉在該處理平面之該晶圓的該旋轉步驟包括· 使用一對驅動滾筒而旋轉該晶圓。 9.如申請專利範圍第4項之在一 §rd模組中的晶圓處理方法’其中當旋轉在該處理平面之該晶圓時，同時清潔該晶圓的該上表面及該下表面的清潔步驟包括：施加一清潔液體到該基板的該上表面上，該施加設為在該晶圓之該上表面的一區段上形成一實質上均勻的該清潔液體層；及施加一清潔液體到該基板的該下表面上，該施加設為在該晶圓之該下表面的一區段上形成一實質上均勻的該清潔液體層。 1 0.如申請專利範圍第5項之在一 SRD模組中的晶圓處理方法’其中該超音波流體作用包括：

第33頁 1310221 _ 案號9110625B_年月 η 佟jp 六、申請私m® --- 施加一超音波液體至該基板的該上表面之上，該施加設為在該晶圓之該上表面的一區段上形成一實質上均勾的該清潔液體層；及 ' 施加一超音波液體至該基板的該下表面之上，該施加設為在該晶圓之該下表面的一區段上形成一實質上均句的該清潔液體層。 11.如申請專利範圍第4項之在一 S R D模組中的晶圓處理方法，更包含以下步驟：施加一第一氣體至處理中的該晶圓之一邊緣之上；施加一第二氣體至處理中的該晶圓之該上表面及該下表面之上，並經由突出在該SRD模組的内壁之内的供應孔部而將該第二氣體導入至該SRD模組之中。 1 2. —種在一旋轉、清洗、及乾燥（SRD )模組中的晶圓處理方法，該方法包含以下步驟：一嚙合步驟’嚙合在一處理平面之一晶圓，該處理平面設為使其與一水平面界定出一處理角度，且該處理角度設為使該SRD模組的性能最佳化；一旋轉步驟，旋轉在該處理平面之該晶圓；及一清潔步驟’當旋轉在該處理平面之該晶圓時，同時清潔§玄晶圓的一上表面及一下表面’該清潔步驟包括：當旋轉在該處理平面之該晶圓時，同時以D I水沖洗該晶圓的該上表面及該下表面；及

第34頁 1310221 _案號91106256_年月日__ 六、申請專利範圍當旋轉在該處理平面之該晶圓時，同時施加一超音波流動至該晶圓的該上表面及該下表面。 13.如申請專利範圍第12項之在一SRD模組中的晶圓處理方法，更包含以下步驟：在施加該超音波流動之後’以D I水沖洗該晶圓的該上表面及該下表面；及當旋轉在該處理平面之該晶圓時，同時乾燥該晶圓的該上表面及該下表面。 1 4. 一種在一旋轉、清洗、及乾燥（SRD )模組中的晶圓處理方法，該方法包含以下步驟：一喃合步驟，喃合在一處理平面之一晶圓，該處理平面設為使其與一水平面界定出一處理角度，且該處理角度設為使該晶圓的一乾燥最佳化；一旋轉步驟，旋轉在該處理平面之該晶圓；一清潔步驟，當旋轉在該處理平面之該晶圓時，同時清潔該晶圓的一上表面及一下表面；及一乾燥步驟，當旋轉在該處理平面之該晶圓時，同時乾燥該晶圓的該上表面及該下表面。 1 5.如申請專利範圍第1 4項之在一SRD模組中的晶圓處理方法，更包含以下步驟：當旋轉在該處理平面之該晶圓時，施加超音波流動至

第35頁 1310221 _案號91106256_年月曰修正_ 六、申請專利範圍該晶圓的該上表面及該下表面。 1 6. —種晶圓製備模組，包含：一容室，包括晶圓嚙合滾筒，將該晶圓嚙合滾筒定位在一角度，並設計該晶圓嚙合滾筒而用以在製備期間以一角度旋轉一晶圓。 1 7.如申請專利範圍第1 6項之晶圓製備模組，其中該製備包括沖洗、清潔、乾燥、刷洗、及超音波流體作用之一。 1 8.如申請專利範圍第1 6項之晶圓製備模組，更包含：至少一清潔劑分配器，設成在該製備的至少部份期間施加一流體至該晶圓的一表面。 1 9.如申請專利範圍第1 6項之晶圓製備模組，更包含：一喷嘴，設成施加一氣流朝向晶圓嚙合滾筒的至少之 2 0.如申請專利範圍第1 6項之晶圓製備模組，更包含：一超音波喷霧組件，用以施加一超音波喷霧至該晶圓的一表面。 21.如申請專利範圍第1 6項之晶圓製備模組，其中該晶圓嚙合滾筒的至少之一為一驅動滚筒。

第36頁 1310221 案號 91106256 车月曰六、申請專利範圍修正 2 2. —種旋轉、清洗、及乾燥模組，包含：一容室，其具有—外壁，並將該外壁設成具有其中之一窗部，而該窗部則定義在該外壁之内，俾能與一水平面產生一處理角度；一對驅動滾筒，其定義在該容室之内，並將該驅動滾筒設成用以旋轉待處理之一基板，而嚙合待處理之該基板，及一嚙合滚筒，其定義在該容室之内，並將該嚙合滾筒設成用以嚙合待處理之該基板，該嚙合滾筒與該對驅動滚筒則設成用以唾合待處理之該基板，俾能使待處理之該基板與該水平面產生實質相等於該處理角度的一角度。 23. 如申請專利範圍第22項之旋轉、清洗、及乾燥模組，更包含：一清潔劑分配器，界定在該容室之内，將該清潔劑分配器設成清潔待處理之該基板的一上表面及一下表面。 24. 如申請專利範圍第22項之旋轉、清洗、及乾燥模組，更包含：一超音波组件’界定在該容室之内，將該超音波組件設成作用至待處理之該基板的一上表面及一下表面。 2 5.如申請專利範圍第22項之旋轉、清洗、及乾燥模組，

第37頁 1310221 案號 91106256 Λ：_η 修正六、申請專利範圍更包含：複數之吹氣噴嘴，界定在該容室的一内壁之内，將至少一吹氣噴嘴設成分配一第一氣體至該驅動滚筒及該嚙合滾筒的各個之上。 2 6.如申請專利範圍第2 2項之旋轉、清洗、及乾燥模組，更包含：複數之孔部，界定在該容室的一内壁之内，俾能將一第二氣體導入至該容室之中，將該第二氣體設成實質均勻地乾燥待處理之該基板的一上表面及一下表面。

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