TWI310101B

TWI310101B - Substrate for liquid crystal display (lcd) panel and method of manufacturing the same

Info

Publication number: TWI310101B
Application number: TW90120732A
Authority: TW
Inventors: Jeon Jin
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2001-08-23
Filing date: 2001-08-23
Publication date: 2009-05-21

Description

五、發明説明（1 ) '匕本發明係有關於—種薄膜電晶體基材及其製造方法，生種用於LCD面板的非結晶石夕薄膜電晶體基材及盆製 =二其中係有一問極驅動件被整合於無摻雜的非結2 矽潯膜電晶體基材上者。在資訊走向之社會的今曰，一電子顯示器的 ==要。所有各種的電子顯示器皆被廣泛地使用續地笋屏罝產業領域中。而電子顯示器領域的技術仍持、、1〜、備裁新功能之各種電子顯示器乃被提供，來回應於資訊走向社會的種種需求。叙而έ，電子顯示器係為—種可供人們訊的裝置。即是’電子顯示器乃可被定義為一種電子裝覺置貝，、能將由各種電子設備輸出的電資訊信號，轉換成—種可供視覺辨識的光資訊信號。又，其亦可被視為一種形如人們與電子設備之連接橋樑的電子裝置。該等電子顯示器乃被分為一種發光顯示器，盆信號係以發光方法來顯示；及-種非發光顯示器:… 係以光調制方法，例如光的反射、散射與干涉現象等，而來顯示。該等發光顯示器 -被稱為主動顯示器，例如陰極射線官(⑽)、電漿顯示器(pDp)、發光二極體⑽d)、電致發光顯示器（則）等皆屬之。而非發光式的顯示器乃稱為被動顯…例如液晶顯示器(LCD)、電 (EPID)等。

該CR 丁已被作為例如電視接收器、監視器等影像顯示、置歷經最長的時間。由於其顯示品質與經濟效益，該CRT 1310101 A7 B7 五、發明説明（2 ) 曾具有最高的市場占有率，但亦具有許多缺點，例如重量較重、體積較大、及耗電量高等。同時，由於各種電子裝置隨著半導體技術的快速進步，而得被整合並減少驅動電壓與耗電，故能被小型化及 ' 減輕重量，目前依據新環境所需者，係為更細薄輕巧並具更低驅動電壓及耗電.特性的平板式顯示器。在各種已被開發的平板式顯示器當中，LCD要比其它的顯示器更為細薄輕巧，並具有較低的驅動電壓及耗電量。且，其顯示品質亦類似於CRT。故，LCD乃被廣泛地使用於各種電子器件中。該LCD包含有二基材，其各具有一電極被設在内表面上，及一液晶層被炎設在該二基材之間。在該LCD中，一電壓會被施於該電極來使液晶分子配向，並控制穿過該等分子的透光量。在該等LCD中，一種當今主要被使用的TFT-LCD，乃具有設在該二基材上的電極，以及薄膜電晶體等能夠用來切換供入各電極的電力。通常，該等薄膜電晶體（以下簡稱 TFT)係被設在該二基材的·一面上。一般而言，在各單位像元區域設有TFT的LCD乃被分成一種非結晶型的TFT-LCD，及另一種多晶型的 TFT-LCD 〇多晶型的TFT-LCD之優點係能提高操作速度，並可在低耗電情況下進行驅動操作。而且，其像元的TFTs 與驅動電路的半導體裝置亦可被一起製成。但’該多晶型的TFT-LCD之驅動電路另須要在非結晶 6 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 1310101 A7 —_______ B7_ 五、發明説明（3 ) 石夕被/儿積之後，以一退火程序來將非結晶矽轉化成多晶石夕’此將會限制該基材的材料。換言之，假若使用玻璃基材’則该玻璃基材可能會由於退火程序而發生變形。又’因其間極驅動件具有一互補金屬氧化物半導體 (CMOS)的構造’該n通道電晶體與？通道電晶體兩者係一起形成於同基材上。.就此，若與僅設有單一通道式的電.晶體之非結晶型TFT-LCD的製程相較，該多晶型的TFT_LCD 之製程會更為複雜而且困難。傳統上，設有TFTsiLCD的基材係以使用罩幕之光蝕刻法來製造。目前，係使用七片至九片的光罩。光蝕刻製程的數目增加愈多，則製造成本及失誤機率亦會增加愈多。因此，在製造一彩色LCD面板的TFT基材過程中，乃必然地需要一種能夠減少光罩數目的技術研發。緣是，本發明的第一目的即在提供一種非結晶矽製成的LCD面板基材，其能藉將多數由相同材料製成的元件設在同一膜層上’而減少光罩的數目者。本發明之第二目的係在提供一種非結晶石夕之lcd面板基材的製造方法，其能藉將多數由相同材料製成的元件設在同一膜層上’而減少光罩的數目者。本發明之第三目的係在提供—種LCD面板基材，其閘極驅動件係被設在該TFT基材的一侧緣或兩側緣處者/、本發明之第四目的係在提供—種非結晶矽之lcd面板基材的製造方法，其能藉將第一電晶體的閘極與第二電晶體的源極及汲極一起製成，而不會在製造像元電極時增加本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐）

.-…--------丨-L笔…： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .、可| -Φ- !31〇1〇1 五、發明説明（4 更多的觸點製程’該第二電晶體係鄰接於第一電晶體，且该第一與第二電晶體合福# 曰構成一閘極驅動件的移位暫存器，而得簡化該TFT基材的製程者。為達到本發明的上述目”，乃提供-種LCD面板基在。亥LCD面板基材中，有—開極紋·路包含—間極線設在一透明絕緣基材之一像元區域與-周邊區域上，並有-問極電極由該間極線分支伸出。一間極絕緣膜設在該間極、文路與該基材上一主動紋路被設在該閘極絕緣膜上，而 3第雜負區、一第二雜質區、及一通道區設於該第與第-雜質區之間。―資料紋路設在該主動紋路及該問極絶緣膜上。5亥貝料紋路係包含一没極電極觸接該第一雜質區’-源極電極觸接該第二雜質區，及一資料線連接於該沒極電極。一第一絕緣中介層設在該資料紋路與該閘極絕緣膜上。該第-絕緣中介層乃包含一第一接觸孔可部份地曝現該沒極電極，一第二接觸孔可曝現該周邊區域之一第一驅動電晶體的閘極電極，及一第三接觸孔可曝現周邊區域之一第二驅動電晶體的源/汲極電極。一電極紋路部設在該第-絕緣中介層上。.該電極紋路部包含一第一電極紋路乃經由第一接觸孔連接於該像元區域的汲極電極，及一第二電極紋路乃經由第二與第三接觸孔，而來連接該第一驅動電晶體之部份曝現的閘極電極與第二驅動電晶體之曝現的源/沒極電極。又，本發明亦提供一種LCD面板基材，其中有一閘極紋路包含一閘極線設在一透明絕緣基材之一像元區域與一本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4规格（210 X 297公釐）五、發明説明（5 ) 周邊區域上，並有一間極電極由該閉極線分支伸出。極絕緣膜設在該閉極紋路與該基材上。一主動纹路^ 閉極絕緣膜上’而包含一第一雜質區、一第二雜質‘二 -通道區設於該第—與第二雜質區之間。—資料㈣設在 ^主動紋路及閘極絕緣膜上，而包含—汲極電極觸接該第一雜質區’―源極電極觸接第二雜質區’及-資料線連接於歧極電極。一第—絕緣中介層設在該資料紋路與閉極絕緣膜上。該第一絕緣中介層包含一第一接觸孔可部份地曝現源極電極’ -第二接觸孔可部份地曝現該像元區域的没極電極’及-第三接觸孔可曝現該周邊區域之—第一驅動電晶體的閉極電極’及一第四接觸孔可曝現該周邊區域之一第二驅動電晶體的源/汲極電極。一電極紋路部設在第一絕緣中介層上。該電極紋路部包含一第一電極紋路乃經由第一接觸孔連接於該像元區域的源極電極，一第二電極紋路乃經由第二接觸孔連接於像元區域的沒極電極，及— 第三電極紋路乃經由第三與第四接觸孔，而來連接第一驅動電晶體之曝現的閘極電極與第二驅動電晶體之曝現的源 / >及極電極。為達成本發明之第二及第四目的，乃提供一種製造 LCD面板基材的方法。在該方法中，有一閘極紋路包含一閘極線會被6又在一透明絕緣基材之一像元區域與一周邊區域上，並設有一閘極電極由該閘極線分支伸出。一閘極絕彖膜、一無摻雜的非結晶石夕層、一摻雜的非結晶石夕層、及一金屬層等會依序設在該閘極紋路及該基材上。一本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公奮) 1310101 五、發明説明（案曰被形成於該金屬層上。其中，該光阻圖案對應於源極電極與汲極電極間之通道區的部份，會比對應於該源極電極及汲極電極的部份更薄。該金屬層、摻雜非結晶石夕層、及非結晶⑦層等’會被利用該光阻圖案作為光罩來圖案化，而除去該通道區的金屬層，並形成一資料紋路，直包含該源極電極，該沒極電極與該源極電極間隔分間，及一資料線連接於汲極電極而垂直於閘極線。該光阻圖案與通逗區的摻雜非結晶石夕層嗣會被除去。一第一絕緣中介層會被設在該基材的形成結構上。該第一絕緣中介層會被部份地触刻’而製成一第一接觸孔可部份地曝現該像元區域的沒極電極，-第二接觸孔可曝現該周邊區域之一第一電晶體的閘極電極，及-第三接觸孔可曝現周邊區域之一第2 電晶體的源/汲極電極。一導電膜會設在該具有第一、第二、第三接觸孔的第-絕緣中介層上。該導電臈會被圖案化來形成-第-電極紋路及一第二電極紋路。該第一電極而電紋路會經由第-接觸孔來連接於像元區域的没極電極第二電極紋路會經由第二與第三接觸孔，來連接該第一电晶體之部份曝現的閑極電極與第二電晶體之曝現的源/沒極電極。於絕由矽又，本發明亦提供一種製造LCD面板基材的方法。該方法中，一閘極紋路包含一閘極線分別被設在一透明緣基材之一像元區域與一周邊區域上，並有一閘極電極該閘極線分支伸出。一閘極絕緣膜、一無摻雜的非結晶V 層、一摻雜的非結晶矽層、及一金屬層等會接續地設在該五、發明説明（7 ) :極：路與該基材上。—光阻圖案會被形成於該金屬層 ' 該光阻圖案對應於源極電極與汲極電極間之— U區的’會比對應於該源極電極及汲極電極的部份薄X金屬層、摻雜非結晶石夕層、及非結晶石夕層等，會被利用該光阻圖案作為光罩來圖案化，而除去該通道“ 孟屬層’亚形成-資料紋路其包含該源極電極，該沒極電極與該源極電極間隔分開。該光阻圖案及該通道區的換雜非結晶石夕層制會被除去。一第一絕緣中介層會被設在該基 =的开/成’..。構上。該第一絕緣中介層會被部份地钱刻，而土成—第一接觸孔可部份地曝現該像元區域的汲極電極， -第二接觸孔可部份地曝現像元區域的源極電極，一第三接觸孔可曝現該周邊區域之一第一電晶體的間極電極，及一第四接觸孔可曝現周邊區域之―第二電晶體的源/没極電極。一導電膜會被設在該具有第一、第二、第三、第四接觸孔的第-絕緣中介層上。該導電膜會被圖案化而形成二弟-電極紋路、一第二電極紋路、及一第三電極紋路。該第—電極紋路會經由第一接觸孔而連接於像元區域的源極電極’第二電極紋路會.經由第二接觸孔而連接於像元區域的汲極電極’第三電極紋路則會經由第三與第四接觸孔而來連接该第一電晶體之曝現的閘極電極與第二電晶體之曝現的源/汲極電極。又，本發明亦提供一種製造]LCD面板基材的方法。在該方法中，一閘極紋路包含一閘極線被設在一透明絕緣基材之-像it區域與-周邊區域上，並有—間極電極由該間 1310101 五、發明説明上。一支伸出。一間極絕緣膜會設在該間極紋路與該基材 ―主動㈣會設在該間極絕緣膜上。該主動第一第：：質區、-第二雜質區、及-通道區介於該第—盘雜區：間。一資料紋路包含-汲極電極設在該第- 與之觸接，〜、之觸接’—源極電極設在該第二雜質區上並一”及—貧料線連接於該源極電極並垂直於閘極 ’ 、％緣中介層被設在該資料紋路與閘極絕緣膜上。該 ^層會被部份钱刻，而形成一第一接觸孔可部份地曝現 …區域的;及極電極，—第二接觸孔可曝現制邊區域之一弟一驅動電晶體的閘極電極’及一第三接觸孔可曝現周 >邊區域之一第二驅動電晶體的源/沒極電極。-導電膜會被在a/、有第一、第一、第三接觸孔的絕緣中介層上。該 v电膜會被圖案化而形成一第一電極紋路及一第二電極紋路。該第-電極紋路會經由第一接觸孔而連接於像元區域的汲極電極’第二電極紋路則會經由第二與第三接觸孔，來連接該第—驅動電晶體之曝現的閘極電極與第二驅動電晶體之曝現的源/汲極電極。再者，本發明亦提供一種製造LCD面板基材的方法。在該方法中’-閘極紋路包含一閘極線分別設在一透明絕緣基材之一像元區域及一周邊區域上，並有一閘極電極由該閘極線分支伸出。一閘極絕緣膜設在該閘極紋路與該基材上。一主動紋路設在該閘極絕緣膜上。該主動紋路包含第雜貝區、一第一雜質區、及一通道區介於該第一與第二雜質區之間。一資料紋路包含一汲極電極設在該第一本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 X 297公釐）五、發明説明（9 ) 雜質區上亚與之觸接，一源極電極設在該第二雜質區上並 -、之觸接及資料線連接於源極電極並垂直於該閘極線。-第-絕緣中介層會被設在該資料紋路及該間極絕緣膜上。该第一絕緣中介層會被部份蝕刻，而形成一第一接觸孔可部份地曝現像元區域的源極電極，—第—接觸孔可部份地曝現像元區域的汲極電極，一第三接觸孔可曝現該周這區域之第一電晶體的閘極電極，及一第四接觸孔可曝見周邊區域之一第一電晶體的源/汲極電極。一導電膜會被設在該具有第-、第二、第三、第四接觸孔的第一絕緣中介層上。該導電膜會被圖案化而形成一第一電極紋路、一第二電極紋路、及一第三電極效路。該第一電極紋路會經由第一接觸孔而連接於像元區域的源極電極，第二電極紋路會經由第二接觸孔而連接於像元區域的汲極電極，第一電極，.文路則會經由第二與第四接觸孔，而來連接該第一電晶體之曝現的閘極電極與第二電晶體之曝現的源/汲極電極。故而，依據本發明，該閘極驅動區域的面積會被減至最小’同時用來形成該TFT的光罩數目乃可減至四或五片。圖式之簡單說明本發明之上述目的及其它的優點等，將可藉其較佳實施例之詳細說明參照所附圖式而得更清楚瞭解；其中：、第1圖係為一 LCD面板的示意圖；第2圖為一具有傳輸閘（TG)結構的單源極驅動電路部之1.85时面板的平面圖；

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 X 297公釐) 1310101 A7 " ------— B7_ 五、發明 ———--- 苐3圖為第2圖之簡化電路圖；第4圖為一具有雙閘（DG)結構的單驅動電路部之〗85 时面板的簡化平面圖；第5圖為第4圖之簡化電路圖；第6圖為本發明一較佳實施例之一 LCD非結晶矽TFT 基材=閘極驅動區域中之一移位暫存器的電路圖；第7圖係本發明之一較佳實施例的非結晶矽tft基材之剖視圖；第8圖係本發明另一較佳實施例的非結晶矽基材之剖視圖；第9至14圖為於第7圖的a_Si TFT基材中之一單位像元區域及其鄰近部份的各平面圖；第15至23圖各為第9至14圖中之沿第一截線的剖視圖；第24至29圖各為第9至14圖中之沿第二截線的剖視圖；第30圖為一平面圖部份地示出該閘極驅動區域及鄰近的像元區域；第31至35圖係為了製成第3〇圖的構造而使用於各單元製程之紋路的平面圖；第36圖為第3〇圖之單位像元區域及鄰近部份的平面圖；第37至41圖為供說明各製程之該單位像元區域及鄰近部份的局部平面圖；第42圖為第30圖之閘極驅動區域的局部平面圖；第43至47圖為供說明各製程之該閘極驅動區域的局部本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS) A4規格（210X 297公楚）

.*tr— (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) .Φ, 1310101 11 五、發明説明平面圖； (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第48圖為本發明較佳實施例中之閘極驅動區域的密封部份之平面圖；第49圖為本發明較佳實施例中之閘極驅動區域的接觸部之平面圖；第50圖為本發明較佳實施例中之閘極驅動區域的信號線連接構造之平面圖；及第51圖為DE1與DE2線路，由源極驅動電路部所擷取的資料信號線’及一切換部的平面圖。現在，本發明的較佳實施例將參考所附圖式來詳細說明。第1圖係為一1.85吋之LCD面板的平面示意圖。請參閱第1圖，該LCD面板乃包含一薄膜電晶體（TFT) 基材100作為下基材，一濾色基材2〇〇作為上基材及一液晶層（未示出）夾設在該T F τ基材丨〇〇與濾色基材2 〇〇之間。一可撓的印刷電路（FPC)連揍件3〇〇乃沿著該LCD面板之一側緣固接連結於該TFT基材1 〇〇。該TFT基材1〇〇係被區分為一像元區域與一周邊區域。在像元區域内’乃設有呈矩陣狀排列的像元電極。作為切換元件的薄膜電晶體等則各接合於該等像元電極。在第1圖中’標示符號DA係表示顯示區域。在該周邊區域處，乃設有一源極驅動電路部400及一閘極驅動電路部500。該源極驅動電路部4〇〇會將由FPC連接件300輸入的外來影像信號分為—閘極驅動信號及一資料

五 1310101 、發明説明（l2 驅動信號，並將該等被分開的升艇動信號供至資料線寻。而該閘極驅動電路部500會將 n . „„ . ^ 破源極驅動電路部400所刀開的閘極驅動信號供至閘極線等。該源極驅動電路部4〇〇係被“ L 5γρη 晶片形成於玻璃上（COG)之類型的丁FT基材1〇〇上。遠源極驅動電路部4〇〇乃可為夕數的結構如第1圖圖所示。 …爭-的結構如第2 第2圖為一具有傳輸閘（丁G)結部的1 85—；^ m #之早—源極驅動電路 .于面板之間化平面圖。請參閱第2圖，其中乃設有二切換部可容資料信號由該源極驅動電路部彻二一 %間間隔供入像元區域的資料線等。該切換部600的電路圖乃示於第3圖中。又有一由爷源極驅動電路部400及切換部_所擷取之線路DE卜郎2,與資料線等之平面結構，乃示於第51圖中。第4圖係為-具有雙閘（DG)結構的單源極驅動電路部之U5时面板的簡化平面圖’而第5圖為第4圖的簡化電路圖。請參閱第4及5圖’在.該雙閘結構中，其閘極驅動電路 J 500係名著该[CD面板的兩側邊緣列設。例如，一第一閘極驅動電路部5 〇〇設在左側，而能將閘極信號供至連接於奇數像元電極的！^丁8，及一第二閘極驅動電路部5〇ι設在右側’而能將閘極信號送至連接於偶數像元電極的TFTs。在第1至第5圖所示的LCD面板乃皆具有包含多數移位暫存器的閘極驅動電路部。第6圖係示出該等移位暫存器的本紙張尺度適用中國國家標準（〇jS) A4規格（21〇χ297公爱〉

(請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) -訂· 五、發明説明（u ) 電路圖。在本發明之實施例中，該閘極驅動電路部乃具有以下特性。第如第48圖所示，有一密封線可用來接合該TFT 基材與渡色基材，而被設計成與問極驅動電路部分開’當該密封線被設在閘極驅動電路部的絕緣中介層丨時，能防止可能發生的連接線路短路故障。又’如第49圖所示’電接點的數目會被儘量減少，且驅動電路係被設計成具有最小的面積。換言之，寬度較寬的第一與第二電晶體會被直接連接於輸出端子（〇υτ),而其餘的第三至第九電晶體ΝΤ3至ΝΤ9等，則被列設在中間部份。如第50圖所示，信號線113等係被列設在像元區域與閘極驅動區域的外部。又，使用像元電極的範圍係被限制在該接觸部份中，俾使該電路特性不必倚賴於所使用的電極種類。再者，若對電阻的敏感度變大，則連接線路的寬度會增加。（Voff>VCKl=VCK2>Vst) 實施例1 第7圖為本發明一較佳實施例之非結晶矽薄膜電晶體基材的剖視圖，乃示出在像元區域與周邊區域的構造。該周邊區域包含一接墊區域及一閘極驅動區域。請參閱第7圖’閘極紋路112a、112b、112c、112d、112e、 112 f等係被設在一透明絕緣基材丨丨〇的像元區域及周邊區域一即該接墊區域與閘極驅動區域等各部份上。閘極紋路 -------- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 1310101第90120732號專利申請案說明書修正頁97.10.20 ^7年⑴月·1^修(足rli遏換貝------- 五、發明說明（14)1____ | 112a〜112f乃包含閘極線及由該等閘極線分支的閘極電極等。該閘極紋路112b與112e分別設在該像元區域與周邊區域處’而形成儲存電容器的下電極。閘極紋路112a〜112f等係在一具有2500 A厚度的單層結構中，而最好是能在一雙層結構中，其有一厚度約為5〇〇 A的Cr下層，及一大約2〇〇〇A厚的A1Nd合金上層。該接墊區域係被設於像元區域與閘極驅動區域之間。且’有一由該等閘極紋路同層材料製成的閘極接墊丨12〇被设在该接墊區域中。一由該像元區域内之閘極線伸出的線路會電連接於該閘極接墊112c。在包含該等閘極紋路U2a〜112f的基材1〇〇之整個表面之，乃設有一閘極絕緣膜1 i 4。該閘極絕緣膜114最好係由厚約4500 A的矽氮化物 (SiNx)或矽氧化物所製成。在该閘極絕緣膜114上的像元區域與閘極驅動區域，乃 a史有一主動層紋路，包含第一雜質區1183與11心，第二雜質區18b/、118d，及通道區116&與1161)分別設在第一雜質區118a、118c與第二雜質區U8b、U8d之間。 °亥等通道區116a、116b係由大約2000 A厚的本質非結曰曰石夕所製成。該等第—與第二雜質區U8a〜ll8d則由非本徵的非結晶料製成，其中n型雜質會被高度地摻雜在一大約 500A的厚度中。在該等主動紋路118a〜118d，116a、116b上乃設有一資料紋路°亥貝料紋路包含源極電極12〇a、12〇e分別觸接第 18 1310101 1:

五、發明說明（15) 一雜質區118a、118c，汲極電極咖匕、I20f分別觸接第二雜質區118b、118d，及資料線等係垂直於閘極線。如第7圖所示，在該閘極驅動區域中之一 TFT的源極電極120e與汲極電極l2〇f等，最好係被製成具有多個通道的指狀間交結構。換言之，偶數的源極電極12〇e係交替輪設於奇數的汲極電極120f之間。一上儲存電極120g被設在該閘極絕緣膜丨14上。該上儲

存電極120g係重疊一下儲存電極112e，而使該絕緣膜介於其間。在該像元區域與閘極驅動區域之間的接墊區域中，乃設有一資料接墊120d，其係由該閘極驅動區域的資料紋路 120a〜120g之同一膜層所製成者。

在該包含有該等資料紋路12〇a〜i20g的基材上乃設有一鈍化膜130,其t設有一第一接觸孔111可曝現部份的像元區域之汲極電極120b，一第二接觸孔5^可曝現部份的接觸閘極紋路112 f，及一第三接觸孔H 3可曝現該閘極驅動區域的接觸資料紋路120h。以下，該閘極紋路丨丨2f乃稱為‘‘接觸閘極紋路”’而該資料紋路則稱為“接觸資料紋路，，。又，在该鈍化膜130的接墊區域中，乃設有第四及第五接觸孔H4與H5，而分別可曝現部份的閘極接墊丨12c與資料接墊120d。該鈍化膜130係由矽氮化物所製成，而具有約丨85 # m 的厚度。在§亥含有第一至第五接觸孔^11〜115的鈍化膜13〇上，乃 Γ C； l· Λ* ul 19 1310101 A7 B7 五、發明説明（l6 °又有電極紋路部，其申有一像元電極（或第一電極紋路）140係經由該第一接觸孔m連接於像元區域的汲極電極120b，一第二電極紋路142乃經由第二與第三接觸孔H2 與H3，而電連接該閘極驅動區域之曝現的接觸閘極紋路 112f與資料紋路丨20h，及一第三電極紋路丨43乃經由第四與第五接觸孔Η 4與Η 5，.而電連接該接墊區域的閘極接墊丨i 2 c 與資料接墊120d。其中，該閘極驅動區域的第二電極紋路142及接墊區域的第三電極紋路143,當思及它們電連接該閘極紋路的一部份與資料紋路的一部份時，則可視為相同功能類型的接觸端子。 β (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· 該等接觸端子部份的詳細構造乃示於第49圖中。請參閱第49圖，該接觸閘極紋路112f的一端係由第二接觸孔^^ 曝現，而接觸資料紋路12011的一端係由第三接觸孔们曝現。該接觸閘極紋路112f及接觸資料紋路12〇h係藉第二電極紋路142來互相電連接。最好是，它們係被設計成，使第一與第二接觸孔H2與H3之一端線，係比接觸閘極紋路U2f 與接觸資料紋路12〇1!之一.端線各較長4/(z m ;且該第二電極紋路142的寬度，比該各接觸閘極紋路112『與接觸資料紋路 120h的寬度，由—邊線算起較大5 // m ,或者整體較大10 饭使本發明之該TFT基材應用於一透射式的lcd，則所有的第一電極紋路140、第二電極紋路142、第三電極紋路143等，皆會由透明材料製成，諸如銦錫氧化物（IT〇)或

1310101 A7 月（17 ) ~~ ---·—~- 銦鋅氧化物（ΙΖ〇)等。列於上述者，假若該抓基材使用於—反射式的LCD，則它們可由Cl^A1Nd製成。 . t其是，當該反射式LCD的反射電極具有—不平坦的時’會有—具有不平坦表面的綠性有機絕緣膜被用丨作為祕域。利㈣光敏性的有機絕㈣，乃可至少省去一製造接觸孔及.不平坦表面的圖案化程序。貫施例2 帛8圖為本發明第二實施例之非結”薄膜電晶體基材的剖視圖。比較第7圖與第8圖，其資料線的構造互不相同。在第8 圖中，有一資料線M4係與像元電極刚—起設在—純化膜 130上，並以一預定間隔與該像元電極14〇分開。評言之，該資料線144並非設在所形成基材的像元區域上，該形成該基材乃包含有主動層紋路n8a〜n8d，且僅設有包含觸接-第-雜質區118a的源極電極12Qa，及觸接一第二雜質區118b的汲極電極丨2〇b等之資料紋路。在該含有資料紋路的形成基材上乃設有該鈍化層，其中設有-第-接觸孔H1可曝現部份的像元區域之源極電極120a，一第二接觸孔H2可曝現部份的像元區域之汲極電極120b，一第二接觸孔H3可曝現部份的閘極驅動區域之接 | 觸閘極紋路112f’及-第四接觸孔則可曝現閘極驅動區域之接觸資料紋路120h。又，在该純化膜130的接塾區域中，乃設有第五及第六接觸孔H5與H6，而可分別曝現部份的閘極接墊丨〗2c及資料本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公楚)

訂- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Φ, 1310101

發明説明接墊120d。該鈍化膜no係由石夕氮化物製成，而具有約ΐ 85_的厚度。㈣含有第—至第六接觸·〜H6的鈍化膜130上，乃設有一電極紋路部。該電極紋路部乃包含資料線（或第一電 =紋路）144 ’係經由第—接觸孔H1連接於像4域的源極電極12〇a;及該像元電極（或第二電極紋路⑽係以一預定間隔與該資料線144分開，並經由第二接觸孔H2電連接於像兀區域的没極電極i鳥；及—第三電極紋路142係經由第二與弟四接觸細與H4,而將該閘極驅動區域之曝現的接觸閘極紋路112f與資料紋路咖電連接；及—第四電極紋路⑷係經由第五與第六接觸孔出細，而將該接塾區域之閘極接墊112c與資料接墊12〇({電連接。其中’該㈣驅動區域的第三電極紋路142與接塾區域的第四電極紋路⑷等’當思及它們電連接_部份的間極纹路與部份的資料紋路時，乃可被視為相同功能類型的接觸端子。由於除了上述元件以.外之其餘元件的構造一實施例，故其說明不再冗述。、弟依據該第-與第二實施例，在周邊區域的接觸面積备被減到最小，而使閘極驅動件可被整合在—最小的面積内。又，由於使用該閘極驅動區域中的像元電極係僅限於接觸部份’其電路特性不會受電極種類的影響，故可得到一穩定的電路。本紙張尺度適用中國國家標準（⑽）A4規格（21〇χ297公复） '請先閲讀背面意頁訂 22 五、發明説明（l9 ) 貫施例3 第9至14圖乃各示出在第7圖的a_si TFT基材中之一單位像兀區域及其鄰近部份；第15至23圖係為第9至14圖中之各第一截線的剖視圖；第14至29圖則為第9至14圖中之各第二截線的剖視圖。具體言之，第15圖為沿第9圖中之15_15, 截線的剖視圖，而第24圓為沿第9圖中之24_24，截線的剖視圖。 δ月參閱第9、15及24圖，有一矽氧化物之遮光膜（未示出）被設在一透明基材202上。該基材2〇2係由例如玻璃、石英或藍寶石等絕緣材料所製成。在該遮光膜上設有一閘極紋路。該閘極紋路乃包含一閘極線212a，一閘極電極2i2d由該閘極線212a分支，及一下儲存電極紋路anddUbdUc由該閘極電極212d伸出，而具有一開放迴路構造，其中該下儲存電極紋路2 i2d、 212b、212c乃圍封一單位像元區域的邊緣部份。雖未示於圖中，但在該周邊區域亦設有閘極接墊可由一外部的積體電路（IC)接收掃描信號，及與該像元區域之閘極紋路一起的接觸閘極.紋路。該閘極接墊與接觸閘極紋路係由與像元區域之閘極紋路相同的膜層所製成者。該閘極紋路具有一單層結構，例如鋁（Α〇或AlNd之鋁合金，或一多層結構其中鋁或A1Nd合金係推疊在&膜上。該閘極紋路係將一具有上述單層結構或多層結構的薄膜， /儿積在基材上至大約2000〜3000 A的厚度，並利用傳統的光飯刻法來將該沉積薄膜圖案化（第一光罩）所製成者。 1310101 解丨0月日修(更)正替換頁五、發明說明（20) 第16圖係沿第1 〇圖之16-16’截線的剖視圖，而第25圖係沿第11圖的25-25,截線之剖視圖。第10、16、25圖中，包含該等閘極紋路2i2a〜212d的基材上’乃依序沉積有一矽氮化物（SiNx)的閘極絕緣膜214，一本質非結晶矽（a-Si:H)膜216其中未被掺入雜質，及一非本徵的非結晶矽（!1+3_3丨)膜218其中乃高度地掺入雜質。該三膜層214、216、218等係以電漿加強化學氣相沉積法（PECVD)來製成，其係為化學氣相沉積法（CVD)的一種。例如，該氮化矽膜214係被形成約4500 A厚，該本質非結晶膜216係約為2000 A厚，而非本質非結晶矽膜2 18則約為500 A厚。在該非本質非結晶矽膜的整個表面上，則以物理氣相沉積法’例如濺鍍法’來形成一作為源極/汲極電極的金屬層 220。該源極/沒極電極的金屬層220及底下的三層218、 216、214等係利用一活動罩幕來一次形成圖案。詳言之’請參閱第17圖，有一正型光阻膜250會被塗設在該源極/汲極電極之金屬層220的整個表面上至一預定厚度’然後有一罩幕240會被校準覆設在該光阻膜上面。該罩幕240具有一透光區240b及一不透光區240a對準於該源極區、汲極區與通道區上方。尤其是，在該通道區與源極區之間，及通道區與汲極區之間的該透光區240b部份，乃具有一隙縫構造。由於通過該等隙縫的光會被繞射，故其係被設計成使該等隙縫的 24 rpt丨〇”日修(p正瞀换頁丨

、發明說明（21) 1310101 間隔稍小於該通道區的間距。假使紫外光被作為照射光，則穿過該等隙缝的紫外光會繞射來曝光該光阻膜的通道區部份。同時，其餘曝露的光阻膜亦會被該紫外光曝照。該被曝光的光阻膜將會被顯影，而形成一光罩圖案 250e ’其中該通道區部份會被除去至一預定深度。

請參閱第19圖，該未被光罩圖案25〇e所覆蓋之曝露的金屬層220，其底下的非本質非結晶矽膜2丨8及本質非結晶矽膜216將會被除去。在此時，該曝露的金屬層22〇、該非本質非結晶矽膜218、該本質非結晶矽膜2丨6等，至少有一者會被以乾蝕刻法來除掉，而使該通道區部份的光阻圖案倉b被一起除掉。換言之，由於該通道區部份的光阻圖案25〇e 在顯影過程中會變得报薄，故其會於乾蝕刻時一起被除去。然後，该通道區之曝露的金屬膜220及底下的非本質非結晶矽膜218會被以所擇的蝕刻方法來完成去除，而該本質非結晶矽膜216會被除去預定的厚度。

然後，該源極/汲極區的光阻圖案25〇會被除去。（第二光罩製程）第12圖為一平面圖示出前述第二光罩製程完成的狀態，第21圖為沿第12圖之載線21_21，的剖視圖，而第27圖為沿第12圖之截線2 7 - 2 7，的剖視圖。請參閱第12'2卜27圖，該源極區的主動紋路216、218 乃延伸而垂直於閘極線212a，並與資料線22〇重疊。該絕緣膜214係介设於資料線220與該主動紋路216、218之間。該各主動紋路216與218的寬度皆小於該資料線22〇。故，該等 25 1310101 竹年丨〇月劣日修(/:? !ΐ·-替換頁五、發明說明（22) 延伸的主動紋路216與21 8乃可防止該資料線220形成缺口’並可降低資料線220的電阻。第13圖為一平面圖，乃示出氮化矽之鈍化膜222沉積 1.85//m厚於第12圖之基材上的狀態，第22圖為沿第13圖之22-22’截線的剖視圖，而第28圖為沿第13圖之28-28,截線的剖視圖。請參閱第13、22、28圖，在該鈍化膜222的預定部位乃設有一第一接觸孔223可曝現汲極電極220d之一所擇部份。而，雖未示於圖中，有一可曝現該閘極驅動區域之閘極紋路的第二接觸孔，及一可曝現該閘極驅動區域之資料紋路的第三接觸孔，亦與該第一接觸孔223一起被製成。（第三光罩）其次，請參閱第14、23及29圖，有一金屬膜會被以濺鑛法沉積在該基材的整個表面上大約i 5〇〇 A厚。如第23圖所示，該被沉積的金屬膜會被利用一第四光罩來形成兩種導電紋路圖案。換言之，其會形成一像元電極（或第一電極紋路），乃經由該像元區域的第一接觸孔來觸接該汲極電極220d。雖未示於圖中，但其亦會形成一第二電極紋路’可經由第二與第三接觸孔，而來連接從第一電晶體的閘極電極伸出的閘極紋路，與從相鄰於該第一電晶體之第二電晶體的源/汲極電極伸出的資料紋路。如第23及28圖的剖視圖所示，該被圖案化的像元電極 224乃具有該純化膜222與閘極絕緣膜214來作為介電層，該介電層係、介於該像元電極224與下儲存電極仙、 1310101 、發明説明（Μ "電層係介於該像元電極224與下儲存電極21以、2咖之間。該像元電極224會形如-儲存電容器的上電極。藉著上 =構造，液晶的相位將能被穩定地保持，直到後續的務1入。 T使該第三實施例所揭的TFT基材之製造方法被應用 ^透射式⑽’則該第-電極紋路224與第二電極紋路會透明導電材料來製成’例如銦錫氧化物（ιτ〇)或銦辞氧化物（ΙΖΟ)等。相反的，若該势右β衣k方法係使用於一反射式 LCD ’則該像元電極會由例如心或Α_合金等之不透電材料來製成。 · 尤其是，當該反射式LCD的丁 FT基材之反射電極具有 1定的不平坦表面時，—具有不平坦表面之光敏性有機絕緣膜乃可被用來當作該鈍化膜。 ~由於該光敏性有機絕緣膜不須要—製程來在其上形成 -光罩圖案’故至少有—製成接觸孔及不規則表面的圖案化製程將可被減省。依據本發明，該等主動紋路、源極電極與汲極電極等皆以-光罩製程來完成，且由第一TFT之間極伸出的接觸間極紋路，及由第二TFT之源〇及極電極伸出的接觸資料紋路，皆在該像元電極被圖案化時同時來完成。因此，用以 i成5亥TFT的光罩數目乃可減至四片。實施例4 四 •T: (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) ,MW, 以類似於第8圖之第二實施例所述的方法，本實施例乃揭不種TFT基材的製造方法，其中之資料線亦僅使用本紙張尺度適用中國國家標準A4規格（21〇><297公奢: 上 1310101 五、發明説明（24 ) 片光罩來被製設在鈍化膜如第15圖所示，利用一第一光罩，乃可形成一問極紋路，其包含有閘極電極、閘極線、及下儲存電極等。嗣，一閉極絕緣膜會在該基材的整個表面上被沉積至—預定厚度。以如第17〜21圖所示的相同方法，一包含第一與第二雜質區及通道區的主動紋路，及—包含第二電極與沒極: 極的資料紋路將會被製成，但該與源極電極形成—體的資料線則不會被設在像元區域中。（第二光罩）其次，請參閱第22及8圖，在該含有主動紋路與資料紋路的基材上，乃設有一氮化矽的鈍化膜13〇。然後，一可曝現部份的像元區域之源極電極12如的第一接觸孔hi，一可曝現部份的像元區域之汲極電極12〇b的第二接觸孔H2，— 可曝現閘極驅動區域之接觸閘極紋路丨丨2f的第三接觸孔 H3，及一可曝現閘極驅動區域之接觸資料紋路12仙的第四接觸孔H4等，將會被製成於該鈍化膜no中。（第三光罩）又在》亥純化膜13 0的接塾區域中，亦設有第五及第六接觸孔H5與H6等，而可分別曝現部份的閘極接墊丨〗2c及資料接墊120d。在該含有第一至第六接觸孔H1〜H6的鈍化膜130上，有一作為像元電極的金屬膜會被沉積至一預定厚度。該沉積的金屬膜會被使用一第四光罩來圖案化，而形成一電極紋路部。該電極紋路部乃包含該資料線（或第一電極紋路）144 ’其係經由第一接觸孔H1而連接於像元區域的源極本紙張尺度適用中國國豕標準（CNs) A4規格（210X297公愛） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· -1, 28 五、發明説明（25 ) 電極！21該像元電極（或第二電極紋路）14〇，其係經由第二接觸孔H2而電連接於像元區域的一電極紋請係經由第三與第四接觸細細而將間I: 動區域之曝露的接觸閘極紋路U2f與資料紋路⑽互相電連接’·及-第四電極紋路143係經由第五與第六接觸孔出與H6而將接職域之間極接塾〗仏與f料接塾副互相電連接。 ★其中’該閘極驅動區域的第三電極紋路142及接藝區域的第四電極紋路⑷等，由於它們會將部份的閉極紋路與部伤的貝料、、文路電連接’而可被視為同一功能類型的接觸端子。如同於前述之各實施例，假若在第四實施例所揭之該 TFT基材的製造方法被使用於一透射式lcd，則該第一電極紋路144與第二電極紋路14〇會由透明導電材料製成，例如銦錫氧化物（IT0)或錮鋅氧化物（IZ〇)等。相反地，若該製造方法使用於-反射式LCD’則該像元電極會由一不透明的導電材料，例如Cr或AINd合金來製成。尤其是’當該反射式LCD的TFT基材之反射電極具有 -特定的不平坦表面時，一具有不平坦表面的光敏性有機絕緣膜乃可被用來作為該鈍化膜。由於該光敏性有機絕緣膜並不需要在其上形成一光罩圖案的製程’故至少有-形成接觸孔與不平坦表面的圖案化製程將可被減省。依據本發明，該等主動紋路、源極電極與没極電極等五 26 本紙張尺度適用t國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 1310101 發明說明（光罩製程來形成’且由第—m之閘極伸出的接觸 Ο文路，及由第二TFT之源/汲極電極伸出的接觸資料紋广皆在該像元電極被圖案化時同時來形成。因此，用來製成該TFT的光罩數目乃可減至四片。實施例5 旦、、本實施例具有一圖案紋路的佈局設計之特點，而可儘 =減少在該間極驅動區域中的接觸點，俾以最小的面積來完成一電路。、弟30圖係為一平面圖，部份地示出該開極驅動區域及其鄰近部份。凊參閱第30及第6圖，作為閘極線驅動電晶體的第—與第二電晶體NT1與NT2係被設在靠近於像元區域的部份;、而外部信號線CKB、CK、VDD、vss、ST等職設在離該顯示區最遠的部位。作為控制電晶體的第三至第九電晶體NT3〜ΝΤ9係被設在該等閘極線驅動電晶體區域與外部信號線區域之間。電谷器（c)係被設在第一閘極線驅動電晶體Ντ 1與第二閘極線驅動電晶體NT2之間。該電容器包含—下電極設在該第驅動電晶體NT 1的閘極電極底部之一伸出部份，與一上電極設在該第二驅動電晶體NT2的汲極電極頂部之 —伸出部份，及一SiNx的閘極絕緣膜設於該上電極與下電極之間。第31至35圖乃示出在形成第3〇圖的結構之各單元製程中的圖案。前述第7與8圖的截面構造係部份地對應於第3〇 30

舂明# m 13 101 (^1〇90120732號專利申請案說明書修正頁修正日期：93年5月 27) 圖的平面結構。第36圖為一單位像元區域及其鄰近部份的詳細平面圖，而第37至41圖為第3G圖的部份詳細平面圖。第42圖為第30圖中之閘極驅動區域之部份詳細平面圖，而第43至47圖為示出在周邊區域之各單元製程的部份詳細平面圖。請參閱第31、37、43與7圖’有一閘極紋路U2被形成於一透明絕緣基材110的像元區域上。該閘極紋路ιΐ2具有一鋁（A1),或含鋁合金例如A1Nd之單層結構，或者一以& 或Mo堆疊在A1上的雙層結構。（第一光罩）該像元區域的閘極紋路112乃包含閘極線U2g等沿著水平方向互相平行列設，一下電容線11211設於二平行的閘極線112g之間，一下電容紋路112丨與該下電容線U2g重疊並被設於一單位像元區域中，及一閘極電極112&由該閘極線112g分支伸出。如第31圖所示，有一閘極接墊112(;係設在該像元區域與閘極驅動區域之間，而被連接於閘極線丨12g的一端。輸出端子OUT的閘極接墊112c會由一外部資訊處理裝置接收掃描信號’並將之供至該閘極線Π 2g。該第一驅動電晶體NT1與第二驅動電晶體NT2的閘極 112d-l與112d-2等’其寬度係比第43圖所示之第三至第九電晶體NT3〜NT9的閘極更大。又，該第一驅動電晶體NT1 的閘極電極112d-1乃包含一下儲存紋路112e朝該第二電晶體NT2閘極電極112d-2伸出。在第3 1圖所示的閘極紋路之圖案化製程完成後，氮化本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4规格（210X297公釐）

------------------..... (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、τ. 1310101 A7 ----- —_______ 五、發明説明（28 ) 石夕的閘極絕緣膜114將會被設在該基材的整個表面上。明’如第7圖所示，主動紋路n6a、116b、118a、118b、 11 8c、118d等會被形成於該閘極絕緣膜114上。（第二光革）第32、38、44圖等係為平面圖，乃示出該等主動紋路 116與118被設在閘極絕緣膜114上之像元區域中的狀態。請參閱第32與38圖，其中設有第一至第三主動紋路。該等主動紋路乃包含一第一主動紋路丨18e垂直於閘極線 i!2g’ 一第二主動紋路117部份地重疊該閘極電極ιΐ2&,及第一主動紋路Π 8f設在第一主動紋路1 i.8e的所擇部位處’並與下電容線112h重疊。該第二主動紋路117包含一第雜貝區118a(或没極區）’ 一第二雜質區丨18b(或源極區），及一通道區116a介於該第一雜質區118a與第二雜質區U8b 之間。請參閱第32及44圖，該第一與第二閘極驅動電晶體 NT1與NT2的主動紋路118(Μ與U8e_2等，係連接於間極驅動區域的輸出端子，而具有比第三至第九電晶體之主動紋路更大的寬度。在第32圖所示的主動.紋路中，以符號“sp”所示的片塊作為虛設紋路，乃用來保護橫交下層之閘極紋路的源極紋路。該等虛設紋路可減少將形成該源極紋路之一表面的表面斜率’而防止頂部的源極金屬線破開。如第33圖所不，在包含該等主動紋路的基材上，乃設有源/汲極金屬紋路120(第三光罩）。該源/汲極金屬紋路12〇係在該基材的整個表面上沉積大約15〇〇A厚度的〇膜，並一 1 丨__ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) μ規格⑵〇χ297公釐) ' --

.*trl (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) i, 1310101 A7 -----Ξ___ 五、發明説明（29 ) 以傳統的光蝕刻法來將該Cr膜圖案化而形成者。請參閱第33、39及45圖，其中乃設有資料線12〇i等垂直於閘極線1 22i等，並與像元區域中的第一主動紋路丨丨8e 重疊。源極電極120a由該資料線120i分支伸出，而以一預疋距離與該源極電極12〇a分開的沒極電極12〇b，係與該等資料線120i等一起形.成於一單位像元區域中，並使它們觸接弟二主動紋路117的第一與第二雜質區丨丨仏與丨18b。如第39圖所示，該汲極電極12〇b係與第31圖所示的下電容紋路112i重疊，俾可確保一充分的儲存電容。請參閱第33圖，源/汲極接墊丨]!^(或資料接墊）係被設成靠近於在閘極驅動區域中的閘極接墊丨12c。該源/汲極接墊120d與閘極接墊112c係以一接觸紋路來互相電連接，該接觸紋路係與像元區域的像元電極一起形成，如第3〇圖所 >"]> ° 該第一與第二驅動電晶體Ν τ丨與Ν τ 2的源極與汲極電極等係被設成一指狀間交結構。換言之，偶數的源極電極 12〇e等係共同連接於左邊的源極接墊12〇d，而奇數的汲極電極120f等係共同連接於右邊的沒極接^亥等偶數的源極電極120e係交替輪設於奇數的汲極電極12〇f之間。該第一驅動電晶體NT1之一第一奇數的汲極電極u〇f 係朝其寬度方向延伸，而與該第一驅動電晶體NT1的下儲存电極112e重疊’故该第-奇數的汲極電極丨翦會形成連接於該第一驅動電晶體NT1的源極電極12〇e與閘極電極 112d之間的電容器C之上電極。

♦- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) i, 1 1-- 2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNs) A4規格（210 X 297·^^ ------ 1310101 五、發明説明（3〇 ) 應用於該第一與第二驅動電晶體NT1與NT2之源極與汲極電極的指狀間交結構’將會增加該驅動電晶體的通道寬度，因此由非結晶矽製成的TFTS乃得以確保足夠的驅動能力。當第3 3圖所示之該源/汲極金屬紋路丨2〇完成後，該鈍化膜130會被設在所形成的基材上，如第7圖所示。該鈍化膜13 0係由一無機絕緣材料製成。讓無機絕緣材料的例子係如矽氧化物、矽氮化物、或其混合物等。再來’如第34圖所示’接觸孔H1〜H5等會由一習知的光姓刻法來被形成於該純化膜中。（第四光罩）具體而言，第一接觸孔Η1係被設在像元區域中，且該第一接觸孔Η1會部份地曝現該汲極電極丨2〇b。該第二接觸孔H2與第三接觸孔係設在閘極驅動區域中。該第二接觸孔 H2會曝現該接觸閘極紋路，而第三接觸孔^^會曝現該接觸資料紋路。除了該第二與第三接觸孔H2、H3之外，該第四與第五接觸孔H4與H5亦設在閘極驅動區域中。如同該第二與第三接觸孔H2與H3，該第四與第五接觸孔^^與^^會被分為一可曝現接觸閘極紋路的第一組群，及一可曝現接觸資料紋路的第二組群。其中，乃可認為可曝現該間極接塾 112C的接觸孔等，係被包含於第二接觸孔組群中，而可曝現該資料接塾120d的接觸孔等，則被包含於第三接觸孔組群中。如第35圖所示，相鄰列設的一對接觸孔^^與^^係以一電極紋路144來互相電連接，該電極紋路144係與設於顯示

1310101 五、發明說明（31) 換言之，為了將包含該等閘極金屬紋路與源極紋路的信號線路互相電連接，該等接觸孔乃被設在該鈍化膜中，然後由與像元電極紋路相同材料製成的接觸紋路等，會被設在含有該等接觸孔的鈍化膜上。具體而言，當該等接觸孔被形成後，一作為像元電極的金屬膜會被沈積在含有該等接觸孔的鈍化膜上。該沈積的金屬膜嗣會被以習知的光蝕刻法來圖案化。（第五光軍）第35圖為一平面圖示出該像元電極紋路被形成於含有接觸孔的鈍化膜上，第41圖為第35圖所示之像元電極紋路的詳細平面圖，而第47圖為一平面圖示出電極紋路被設在閘極驅動區域中。如第35圖所示，在該像元區域中的像元電極（或第一電極紋路）140會經由設在該鈍化膜13〇中的第一接觸孔則來觸接汲極電極120b。一設在該周邊區域之閘極驅動區域中的像元電極紋路 (或第二電極紋路）144會經由第二與第三接觸孔112與113，而將曝現的閘極紋路112f與資料紋路12〇h互相電連接。又，一 β又在周邊區域之接墊區域中的像元電極紋路（或第三電極紋路）143，會將曝現的資料接墊12〇d與閘極接墊 112c互相電連接。如同前述之各實施例，假使該第五實施例所揭之該 TFT基材的製造方法被應用於一透射式LCD，則該第一電極紋路144與第二電極紋路140會由一透明導電材料來製成，例如銦錫氧化物（ITO)或銦鋅氧化物（IZ〇)。相反地， 35 1310101 五、發明説明（32) 成’例如銦錫氧化物（ITO)或銦辞氧化物（IZO)。相反地，若6玄製造方法係使用於一反射式LCD，則該第一與第二電極紋路會由一不透明材料如Cr或AINd合金來製成。若為透射式LCD時，由於透明導電膜被用來作為接觸紋路，而其具有比金屬紋路更低的導電性，故經由該等電極紋路來互相連接的.接觸孔等，最好能被設成儘可能地靠近，俾可儘量減少該閘極驅動電路之電特性由於接觸電阻所產生的影響。此外，為了避免由於校準失誤而使接觸電阻增加或接觸失敗，最好該接觸紋路的尺寸裕度要確保一足夠的程度，而得以充分地覆蓋該接觸孔。同時，當作為反射式LCD之該丁 FT基材的反射電極具有-特定的不平坦表面時，有一具有不平坦表面之光敏性有機絕緣膜乃可被用來作為該鈍化膜。由於該光敏性有機絕緣膜並不須要在其上形成一光罩圖案的製程，故至少可減省一形成接觸孔與不規則表面的圖案化製程。依據本發明的第五實施例，該接觸閉極紋路係由間極驅動區域之第一 TFT的間極電極伸出，而該接觸資料紋路係由第二TFT的源/及極電極伸出，兩者皆會在像元電極被圖案化時同時來形成。因此，用來製成該TFT的光罩數目可被減至五片。此最故’在該周邊區域中的接觸點數目會減至最少。因相較於該面板的尺寸，一間極驅動電路乃可被整合於本紙張尺錢财_家鮮 1310101 五、發明説明（33 ) 小的面積中。又，由於在該問極驅動區域中該像元電極的使用範圍係僅限於該接觸部份，故其電路特性將不會被使用^ 種類所影響，而可得到一穩定的電路。實施例6 第8圖為本發明之非結晶㈣T基材的剖視圖。比較第8圖與第7圖’該等資料線的構造應值-提。換言之，如第8圖所示，該等資料線H4係與像元電極14〇—起 =成於該鈍化膜13〇上，且以一預定距離與像元電極14〇分、具體而言，如第3_2圖所示，在該基材上的像元區域中，並未設有該閘極紋路112、閘極絕緣膜ιΐ4與主動紋路118a〜118d、資料線等，但設有資料紋路包括觸接第—雜質區118a的源極電極12〇a，及觸接第二雜質區⑽的沒極電極120b。藉著在含有該等主動紋路的基材上沈積一例如&的金屬膜至約1500 A之厚度，嗣以習知的光钮刻法來將該金屬膜圖案化，則該資料紋路.即會被形成，如第32圖所示。（第三光罩）如第8圖所示，在含有該資料紋路的基材上，乃設有大約1.85 # m厚的氮化矽鈍化膜13〇。嗣，接觸孔H1〜H4會被以習知的光蝕刻法來形成於該鈍化膜130中。詳細而言，該第一接觸孔!^係被設在像元區域中，而本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐）

衣— f請先閱讀背面之注意事项再填窝本頁) •訂— 37 五、發明説明（34 ) 可部份地曝現源極電極120a。第二接觸孔H2亦設在像元區域中，而可部份地曝現汲極電極12〇b。第三接觸孔係設在閘極驅動區域中，而可曝現接觸閘極紋路U2f。第四接觸孔H4亦設在閘極驅動區域中，而可曝現接觸資料紋路 120h。此外，在其接墊區域亦設有第五與第六接觸孔等，而分別可部份地曝現該閘極接墊U2c與資料接墊 120d。（第四光罩）然後，在含有該等第一至第六接觸孔{_11〜;^16的鈍化膜 130上，乃設有一大約15〇〇人厚度的透明導電膜。該透明導電膜會被以習知的光蝕刻法來圖案化。（第五光罩）換Ω之，其乃设有該資料線（或第一電極紋路）1 係經由第一接觸孔H1連接於像元區域的源極電極〗2〇a，該像元電極紋路（或第二電極紋路）140係經由第二接觸孔H2連接於像元區域的汲極電極12〇b，一第三電極紋路142係經由第二與第四接觸孔H3與H4而將閘極驅動區域之曝露的閘極紋路112f與資料紋路12〇h電連接，及一第四電極紋路Mg 係、差由第五與第六接觸孔H5與H6而將接墊區域的閘極接墊112c與資料接墊120d電連接。於此，該第三電極紋路142與第四電極紋路143，由於它們使部份的閘極紋路與部份的資料紋路互相電連接，故可視為同一類型的接觸端子。依據本發明之戎第六實施例，其在周邊區域中的接觸面積會被減至最小。故’相較於該面板的尺寸，一閘極驅 1310101 五、發明説明（％動電路乃可被整合在—最小的面積令。係僅在該閘極㈣區域中像元電極所使用的範圍種=該接觸部份，故其電路特性不會被所使用的電極種類影響，而可獲得—穩定的電路。 =所述，依據本發明，在該周邊區域的接觸面積會被減至*小，因此相較於乃可被整合於-最小的面射。寸，其閉極驅動電路又’由於在該間極驅動區域中該像元電極的使用範圍係僅限於該接觸部份，因此其電路特性不會受所使用的電極種類影響，而可獲得一穩定的電路。再者，該主動紋路、源極電極與沒極電極等皆係以一光單製程來形成’且由第一TFT之閘極伸出的接觸間極紋 ^與由第二TFT之源/沒極電極伸出的接觸㈣紋路等，皆係在該像元電極被圖案化時同時來形成。因此，用來製成該TFT的光罩數目乃可減至四片。而且，由於該資料線係與像元電極一起形成，故可避免因在像凡區域中之資料紋路的複雜性’而導致該等資料紋路的短路或破斷瑕疵。. 的資因此外，由閘極驅動區域的第一丁F丁之閘極電極伸出接觸閘極紋路’與由第二TFT之源/没極電極伸出的接觸料紋路等，皆係在該像元電極被圖案化時同時來形成此，用以製成該TFT的光罩數目乃可減至五片。 ;物又，由於該鈍化膜係由丙烯酸樹脂類的光敏性有機所製成，故形成接觸孔的製程步驟數目乃可減少，而得簡 1310101 A7 B7 五、發明説明（36 ) 化其製造程序。雖本發明已被詳細說明，惟應可瞭解仍有許多的變化、替代、修正可被實施，而不超出申請專利範圍所界定之本發明的精神與範4。 40 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 1310101

、發明說明（37) 100"_TFT 基材 110···透明絕緣基材 112a〜f···閘極紋路 112a_··閘極電極 112c…閘極接墊 112d···閘極 112e…下儲存電極 112f…接觸閘極紋路 112g_"閘極線 112h…下電容線 112l···閘極線 113···信號線 114···閘極絕緣膜 116a，b…通道區 117·"第二主動紋路 118a,c···第一雜質區 118b，d···第二雜質區 118e…第一主動紋路 118f…第三主動紋路 120a，e…源極電極 120b，f…汲極電極 120d…資料接墊元件標號對照 120g…上儲存電極 120h…接觸資料紋路 120l···資料線 130···鈍化膜 140…像元電極 142…電極紋路 143…電極紋路 144…資料線 2〇〇…濾色基材 202…透明基材 212a…閘極線 212d··.閘極電極 212b、c、cl···下儲存電極紋路 214…閘極絕緣骐 216…本質非結晶矽膜 218…非本徵的非結晶矽膜 220…金屬層 220d…沒極電極 222…鈍化膜 223…接觸孔 224…像元電極 250"·光阻膜 41 1310101 A7 _B7 五、發明説明（38 ) 240…罩幕 300…FPC連接件 400…源極驅動電路部 500,501…閘極驅動電路部 6 0 0…切換部 42 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐）

Claims

六、申請專利範圍第90120732號專利申請案申請專利範圍修正本97年1〇月则 1. 一種用於液晶顯示器面板的基板，其包含：一閘極紋路，係設在一像元區域與一周邊區域上， 4周邊區域具有—閉極驅動區域及—接墊區域，該問極紋路具有—間極線及該周邊區域之一第一驅動電晶體之一閘極電極，且該像元區域與該周邊區域係設於一絕緣基板上；一主動紋路，係與該閘極紋路絕緣且被設在該閘極紋路上，該主動紋路包含一半導體層；一資料紋路，係與該主動紋路之一部分電性連接，且邊身料紋路包含一資料電極及該周邊區域之一第二驅動電晶體之一第二資料電極；一第一絕緣中介層，係設在該資料紋路上，且該第絕緣中介層設有：—第—接觸孔，其可部份地曝現該資料紋路之資料電極；一第二接觸孔，其可曝現該間極紋路之該閉極電極；以及-第三接觸孔，其可曝現該資料紋路之該第二資料電極；及一電極紋路部，係設在該第一絕緣中介層上且該電極紋路部包含：一第一電極紋路，其係透過第一接觸孔來觸接該像元區域之該資料電極，以及，_第二電極紋路，其係透過該第二與第三接觸孔來連接該第 :驅動電晶體之部份曝現的閘極電極與該第二驅動電晶體之已曝現的第二資料電極。申叫專利範圍第1項之基板，其中該閘極線係分別形 1310101 六、申請專利範圍成於該像元區域及該周邊區域上，且該閘極電極係自該閘極線分支出者，而該基板更包含有一低電容電極，其係设在該基板的像元區域上，且該第一低電容電極係由與該閘極線相同之膜層所製成，該低電容電極係以—預定間隔與該閘極線分開並與閘極線平行。訾 3·如申請專利範圍第1項之基板，其中該閘極線係分別形成於該像元區域及該周邊區域上，且該閘極電極係自該閘極線刀支出者，而該基板更包含有一低電容電極，其係設在該基板的周邊區域之一閘極驅動區域上，且該低電容電極係由與該開極線相同之膜層所製成，並由閉極線的一側邊緣伸出。士申4專利範圍第丨項之基板’其中該主動紋路係結晶石夕製成。 ★申明專利範園第i項之基板’其中該資料電極包含— % 電極或第二電極，且該第—與第二驅動電晶體的第 —與第二電極具有一指叉狀結構。體電 ★、申味專利犯圍第工項之基板，其中該等二驅動電晶的第二電極具有一高電容電極，其係朝向該第一驅：晶體的第一電極延伸。 7.=請專利範圍第1項之基板，其中該第—絕緣中介層係由氦化矽所製成。 θ 8範圍第1項之基板’其中該第-絕緣中介層 '、光敏性有機絕緣材料所製成。 9·如申請專利範圍第8 ^其中該第一絕緣令介層 44 1310101 六、申請專利範圍在其一表面上設有一浮凸圖案。 10.如申請專利範圍第丨項之基板，其中該第一、第二及第二電極係由一透明材料所構成。 1 1 ·如申吻專利範圍第1 〇項之基板，其中該透明材料包含姻錫氧化物（ITO)或銦鋅氧化物（IZ0)。 12. 如申印專利範圍第丨項之基板，其中該主動紋路及該資料電極分別具有第一及第二末端表面，且各第一與第二末端表面彼此具有實質相同之傾斜。 13. —種用於液晶顯示器面板的基板，其包含：閘極紋路，係設在一像元區域與一周邊區域上， π亥周邊區域具有一閘極驅動區域及一接墊區域，該閘極紋路具有—閘極線及該周邊區域之一第一驅動電晶體之一閘極電極，且該像元區域與該周邊區域係設於該基板上；一主動紋路’係與該閘極紋路絕緣並被設於該閘極紋路上；資料紋路，係與該主動紋路之一部份電性連接，且該資料紋路包含一第一電極、-第二電極、-與該第一電極耦合之資料線以及該周邊區域之一第二驅動電晶體之一資料電極；一第一絕緣中介層，係設在該資料紋路上，且該第絕緣中介層含有：_第—接觸孔，其可部份地曝現 °亥:貝料紋路之該第二電極；-第二接觸孔，其可部份地曝現該像元區域的第一電極；一第三接觸孔，其可 45 六、申請專利範圍曝現該閘極紋路之該閘極電極；— 曝現該資料紋路之該資料電極;及w㈣’其可 7減路部，係設在”―絕緣中介層上，且兮電和紋路部包含：一第一電極紋路，其係透過第—接 f孔耦合至該像元區域的該第二電極；一第二源極電極紋路，其係透過第二接觸孔耗合至該像元區域之兮第一電極；以及，-第三電極紋路，其係透過第三：第四接觸孔來連接第一驅動電晶體之已曝現的閑極電極與第二驅動電晶體之已曝現的資料電極。 14·如申請專利範圍第13項之基板’其十該閘極線係分別形成於該像元區域及該周邊區域上，且耗極電極係自該閘極線分支出者，而該基板更包含有__低電容電極其係設在該基板的像元區域上，且該低電容電極係由與該閘極線相同之膜層所製成，並以一預定間隔與閘極線分開而與閘極線平行。 15.如申請專利範圍第13項之基板，其中該閘極線係分別形成於該像元區域及該周邊區域上，且該閘極電極係自該閉極線分支出者’而該基板更包含有一低電容電極，其係設在該基板的周邊區域之該閘極驅動區域上，該低電容電極係由與該閘極線相同之膜層所製成並由閘極線的一侧邊緣伸出。 16.如申請專利範圍第13項之基板，其中該主動紋路係由非結晶矽製成。 17.如申請專利範圍第13項之基板，其中該第一與第二驅動 1310101 六、申請專利範圍電晶體的第一及第二電極具有一指叉狀結構。 18. 如申請專利範圍第17項之基板，其中該等二驅動電晶體的第二電極具有一高電容電極，其係朝向第一驅動電晶體的第一電極延伸。 19. 如申請專利範圍第π項之基板，其中該第一絕緣中介層係由氮化矽所製成。 20·如申請專利範圍第13項之基板，其中該第一絕緣中介層係由一光敏性有機絕緣材料所構成。 21. 如申„月專利範圍第2〇項之基板，其中該第一絕緣中介層在其一表面上設有一浮凸圖案。 22. 如申請專利範圍第13項之基板，其中該第一、第二及第二電極紋路均由相同的材料所構成。 23. —種製造基板的方法，其包含：在一絕緣基板之一像元區域與一周邊區域上分別形成一含有閘極線的閘極紋路以及形成該周邊區域之一第二驅動電晶體之一閘極電極，該閘極電極自該閘極線分支而出；接續地在該閘極紋路與該絕緣基板上製成一閘極 '邑緣膜第一非結晶石夕層、一第二非結晶石夕層及一金屬層；在°玄金屬層上製成一光阻圖案，該光阻圖案具有一了第—電極與第—電極間之一通道區對應的部份，且系較對應於該第—電極與第二電極之其它部份更薄；用》亥光阻圖索作為光罩以將前述曝露的金屬 Γ C； 1 1310101

Γ： •二· 1310101 六、申請專利範圍在該金屬層上製成一光阻膜；二膜曝光’其中在該金屬層上之第二電極區 ”第-電極區間的部份以及該第二電極區區以外的—第-部份會被曝光至—完全曝光的第度，而一第二部分會被曝光至—低於該第—深户的第衣 -深度’該第二部分包含該第二電極區與第—電極區間之部份、該第二電極區及該第—電極區；及 Φ 顯影並去除該已曝鼓綠膜的第_與第二部分。 25.:申：專利範圍第24項之方法，其中該第-非結晶，夕層、第二非結晶石夕層及金屬層係以_pecvd法形成者。从如申請專利第24項之方法，其中該光㈣係為—正型先阻膜’且該光阻圖案係使用_具有一透光區及一不透光區的罩幕而形成者，而該罩幕在該通道區與第二區之間以及通道區與第-區之間的透光區處設有隙縫。 A如申請專利範圍第24項之方法，其中該等曝現的金屬層、第二非結晶⑦層及第-非結㈣層中至少—者係以乾钮刻法除去，以使該第二部份的光阻圖案可在形成該㈣紋路的步驟中，當該金屬層曝現而第二非結晶㈣與第一非結晶矽層被除去時，一起被除掉。 28_如申請專利範圍第23項之方法，其中該絕緣中介層係由無機絕緣材料或有機絕緣材料所構成。 29. 如申請專利範圍第23項之方法，其中該第—與第二電極紋路皆由ITO或IZO所構成。 30. 如申請專利範圍第23項之方法，其中該第―與第二電極 t S! 49 1310101 六、申請專利範圍紋路白由不透明金屬膜所構成，且該絕緣中介層係由一 /、八有浮凸圖案結構的光敏性有機絕緣層所構成。 31. -種製造LCD面板基板的方法，其包含下列步驟· 在一絕緣基板之一像元區域與一周邊區域上分別形成-含有閘極線的閉極紋路以及形成一第一驅動電曰B體之閘極電極，该閉極電極自該閑極線分支而出；第二非結晶矽層及接續地在設有該閘極紋路的絕緣基板上形成一閘極絕緣膜、一第一非結晶矽層一金屬層；在该金屬層上製成一光阻圖案；利用該光阻圖案作為光罩，將該金屬層、摻雜的非，、口曰日矽層及该非結晶矽層圖案化，以除去該通道區的金屬層，並製成一包含一第二電極、一與該第二電極分開之第一電極以及該周邊區域之第二驅動電晶體的資料電極的資料紋路；除掉該光阻圖案及通道區的第二非結晶矽層；在該絕緣基板的合成結構上形成一第一絕緣中介孔 % 地I虫刻该第一絕緣中介層以形成：一第—接觸其可部份地曝現像元區域的第一電極；一第二接觸孔，其可部份地曝現像元區域的第二電極；—第三接觸孔，其可曝現該周邊區域之該第一驅動電晶體的閘極電極；以及一第四接觸孔，其可曝現該資料紋路 50 六、申請專利範圍之該資料電極；在具有該第一、第二、第三及第四接觸孔的第一絕緣中介層上製成一導電膜；及將該導電膜圖案化以形成一第一電極紋路、一第二電極紋路及-第三電極紋路，該第一電極紋路係透過第一接觸孔而連接於像元區域的第二電極，該第二電極紋路係透過第二接觸孔而連接於像元區域的第一電極，該第三電極紋路則透過第三與第四接觸孔連接第一驅動電晶體之曝現的閘極電極與第二驅動電晶體之曝現的資料電極。 32.如申請專利範圍第31項之方法，其製成該光阻圖案的步驟包含下列之次步驟：在該閘極紋路與該絕緣基板上連續地製成該閘極絕緣膜、第-非結晶㈣、第二非結晶⑦層及金屬層；在5^金屬層上製成一光阻膜；將該光阻膜曝光，其中在該金屬層上之第二電極區與第一電極區間的部份以及該第二電極區與第一電極區以外的-第-部份會被曝光至一完全曝光的第—深度而第一 °卩分會被曝光至一低於該第一深度的第冰度《亥第—部分包含該第二電極區與第一電極區間之部份、該第二電極區及該第一電極區；及顯影並去除該已曝光之光阻膜的第—與第二部分。 33·如申請專利錢第32項之方法，其中該第—非結晶石夕層、第二非結晶發層及金屬層係以_pEcvD法製成者。 Ϊ310101 、申請專利範圍 3(如申請專利範圍第32項之方法，其中該光阻膜為一正型光阻膜’且該光阻圖案係使用—具# —透光區及一不透光區的罩幕製成者’且該罩幕在該通道區與源極區之間以及通道區與汲極區之間的透光區處設有隙縫。 5,如申晴專利|έ圍第32項之方法，其中該等金屬層、第二 g、.-α Β曰矽層及第一非結晶矽層中至少一者係以乾蝕刻法除去，以使該第二部份的光阻圖案可在製成該資料紋路的步驟中’當該金屬層曝現而第二非結晶⑪層與第一非結晶碎層被除去時，-起被除掉。 •如申凊專利範圍第32項之方法，其中該絕緣中介層係由無機絕緣材料或有機絕緣材料所構成。 37·如申請專利範圍第32項之方法，其中該第_、第二及第二電極紋路皆由ΙΤΟ或ΙΖ0所構成。 39. 38·如申請專利範圍第32項之方法，其中該第一、第二及第三電極紋路皆由一不透明金屬所構成，且該絕緣中介層為一光敏性有機絕緣膜，其一表面上具有一浮凸圖案。種製造基板的方法，其包含·· 在一絕緣基板之一像元區域與一周邊區域上形成 —閘極紋路’該閘極紋路具有該周邊區域之一第一驅動電晶體的一閘極電極；在具有該閘極紋路之該絕緣基板上形成一閘極絕緣膜；在該閘極絕緣膜上形成一主動紋路，該主動紋路包含一半導體層； Τ. i Γ: 1. 1310101

六、申請專利範圍製成一資料紋路，其包含：一第一電極、一第二電極、一耦合至該第二電極之資料線以及該周邊區域之一第二驅動電晶體的一資料電極；在該資料紋路上形成一絕緣中介層；

部份地蝕刻該絕緣中介層以製成：_第—接觸孔，其可部份地曝現該像元區域之該第一電極；一第二接觸孔，其可曝現該閘極紋路之該閘極電極；以及一第二接觸孔，其可曝現該資料紋路之該資料電極；在設有該第一、第二與第三接觸孔的絕緣中介層上製成一導電膜； s 將該導電膜圖案化而形成一第一電極紋路與一第二電極紋路，該第-電極紋路係經由第—接觸聽合至該像元區域之該第~電極’而該第二電極紋路係透過第二與第三接觸孔連接該第一驅動電晶體之曝現的閘極電極與第二驅動電晶體之曝現的資料電極。 40.如申請專㈣圍第39項之方法，其中該閘極紋路包含一閘極線及-閘極電極’該閘極㈣分別形成於該像元區域及該周邊區域上’且該閘極f極係自該閘極線分支出者，而該間極紋路係由與該閘極線相同之膜層所製成，更包含：一第一低電容電極，係以—預定間隔與該問極線分開，並與該閘極線平行；及—第二低電容電極，係被設在該絕緣基板的周邊區域上，並由該閘極線的U 伸出。 41.如申請專利範圍第39項之方法’其中該周邊區域包含一

Γ C | -53 - 1310101 六、申請專利範圍料閉極驅動區域及-接墊區域，而該閘極驅動區域的資「紋路包含該第一與第二驅動電晶體的第二與第―：極，且該等第-與第二電極具有—指又狀結構。 42. 如申請專利範圍第41項之方法，其中該閘極驅動區域之第一驅動電晶體的第-電極具有—高電容電極，其係朝该第二驅動電晶體的第二電極延伸。 43. 如申請專利範圍第39項之方法，其中該主動紋路係由非結晶石夕所構成。 44· 一種製造基板的方法，其包含：在-絕緣基板之-像元區域與—周邊區域上形成 —閘極紋路，該間極紋路具有該周邊區域之一第—驅動電晶體的一閘極電極；在具有該閘極紋路之該絕緣基板上製成-閘極絕緣膜； % 在該閘極絕賴上形成H㈣，該线紋路包含一半導體層；製成-資料紋路，其包含一第一電極、一第二電極、-麵合至該源極電極之資料線，以及該周邊區域之一第二驅動電晶體的—資料電極；在該資料紋路與該閘極絕緣膜上形成一絕緣中介層；部份地钮刻該絕緣中介層以製成：一第一接觸孔，其可部份地曝現像元區域的第：電極；—第二接觸孔’其可部份地曝現像元區域的第一電極；一第三接 54 1310101 六、申請專利範圍觸孔，其可曝現該閘極紋路之該閘極電極；以及一第四接觸孔，其可曝現該資料紋路之該資料電極；在設有該等第一、第二、第三及第四接觸孔的第一絕緣中介層上形成一導電膜；及將該導電膜圖案化以形成一第一電極紋路、一第二電極紋路及—第二電極紋路，該第__電極紋路係透過第一接觸孔耦合至該像元區域之該第二電極，該第二電極紋路係透*第二接觸孔輕合至該像元區域之該第電極’而該第二電極紋路則透過第三與第四接觸孔來連接該第-電晶體之曝現的問極電極與第二電晶體之曝現的資料電極。 45.如申請專利範圍第44項之方法，其中該閘極紋路包含一間極線及-閘極電極，該閘極線係分別形成於該像元區域及該周邊區域上，且該閘極電極係自㈣極線分支出者；而該閘極紋路係由與該閘極線相同之膜層所製成，包含：-第-低電容電極，係以_預定間隔與該閘極線分開’並平行於該祕線；及—第二低電容電極，係被設在該基板的周邊區域上，且由與該閘極線相同之膜層所製成’並由該閘極線的—側伸出。 46.如申請專利範圍第44項之方法，其中該周邊區域包含一間極驅動區域及-接墊區域，該閘極驅動區域的資料纹路包含該第一與第二驅動電晶體的第二與第一電極，且該等第二與第-電極具有—指又狀結構。 47.如申請專利難第46項之方法，其中㈣極驅動區域之 f r： -ι. ΐ. w J 1310101 六、申請專利範圍第*驅動電晶體的第一電極具有一高電容電極，其係朝該第二驅動電晶體的第二電極延伸。 48.-種用於液晶顯示器面板的基板，包含：一閘極紋路，係形成於一像元區域及一周邊區域上，該周邊區域具有—閘極驅動區域及—接塾區域，該 y極紋路具有1極線及該周邊區域之-第-驅動電 " 閘極電極，且該像元區域及該周邊區域係設於該基板上；動、’文路，係與該閘極紋路絕緣而設於該閘極紋路上，該主動紋路包含一半導體層； = 貝料紋路，係與該主動紋路之一部份電性連接， 5 — 貝料、、文路具有該周邊區域之-第二驅動電晶體之一資料電極；及一第一絕緣中介層，係形成於該資料紋路上； % 其中該像元區域包含多數像元及一由非結晶矽構成之主動紋路。 49 =申請專利範圍第48項之基板，其中該等像元各包含一 —電as體，而该等周邊區域則包含多數之驅動電晶體 $以驅動該等像元之第-電晶體。欠厂/專利範圍第48項之基板’其中該資料紋路包含一貝料^極，該第—絕緣中介層具有：一用以使該資料紋紋=貝料電極部分曝現之第一接觸孔，一用以使該閘極 ^ S閘極電極曝現之第二接觸孔，一用以使該資料故路之該資料電極曝現之第三接觸孔；且該基板更包含 T C- 1· 56 1310101 六、申請專利範圍 -形成於該第-絕緣中介層上之電極紋路部，該電極紋路部包含··一透過該第一接觸孔與該像元區域之該資料電極接觸之第-電極紋路，以及—第二電極紋路，其係透過該第二與第三接觸孔來連接該第一驅動電晶體之部分曝現的閘極電極與該第二驅動電晶體之已曝現的資料電極。 51.如申請專利範圍第48項之基板，其中該第一、第二及第三電極紋路係由一透明材料所構成。 2 ·如申清專利範圍第51項之基板，其中該透明材料包含銦錫氧化物（ITO)或銦鋅氧化物（IZ〇)。