TWI307961B

TWI307961B -

Info

Publication number: TWI307961B
Application number: TW92134005A
Authority: TW
Inventors: Shih Chang Chang; Chang Ho Tseng; De Hua Deng; Yaw Ming Tsai
Original assignee: Toppoly Optoelectronics Corp
Priority date: 2003-12-03
Filing date: 2003-12-03
Publication date: 2009-03-21
Also published as: TW200520229A

Description

1307961 五、發明說明（1) 發明所屬之技術領域：一本發明有關於一種液晶顯示器之薄膜電晶體陣列基板技術，特別有關一種多閘極結構之薄膜電晶體及其製作方法。先前技術：液明顯示器（1 iquid cry sta 1 d i spl ay，以下簡稱 LCD)之薄膜電晶體（thin f丨lm transist〇r，以下簡稱 TFT)疋用來作為晝素之開關元件，一般可區分成非晶矽 TFT>與多晶石夕TFT兩種型式。由於多晶石夕TFT的載子遷移率較高、驅動電路之積集度較佳、漏電流較小，故多晶矽 TFT較常應用在向操作速度的電路中。但是，多晶矽之開啟（on)與關閉（off)狀態下的電流很大，且鄰近汲極區域之空乏區内會產生一大的電場，因此材料缺陷以及穿遂效應所產生的能隙極易使汲極區域内之電子與空乏區之電洞結合，則於關閉狀態下易發生漏電流（leakage current)的問題。為了有效改善漏電流的現象，目前技術係於閘極與汲極之間製作一未摻雜之間隔區域（und〇ped offset region)或一輕摻雜汲極（Hghtiy doped drain, LDD)區域’用來降低没極接面處（drain juncti〇n)的電 %。此外，更將多晶石夕T F T設計為多閘極（m u 11 i - g a t e)結構’例如：雙閘極（dual - gate)結構，可以進一步減緩漏電流現象。請參閱第1 A〜1 C圖，其顯示習知第一種雙閘極結構之 0773-9592CIPT»F(Nl);P92031;che r ry.ptd 第6頁 1307961 五、發明說明（2) 多晶石夕T F T製程的剖面示意圖。首先，如第1 a圖所示，— 玻璃基板1 0上包含有一緩衝層1 2以及一多晶矽層丨4，並進行一蝴離子佈植（B+ i〇n impiantati〇n)製程16用以調、整、晶體之臨界電壓（threshold voltage)。然後，如第1B圖、所示’依序製作一閘極絕緣層丨8以及分隔之一第一開極^ 20 I、一第二閘極層2〇丨丨。而後進行一輕摻雜離子佈^直制曰程2 2 ’利用第一閘極層2 〇丨以及第二閘極層2 〇丨丨作為罩衣幕，於第一閘極層2 0 I以及第二閘極層2 0 I I周圍之多曰曰層14内形成一N-摻雜區域14a。後續，如第1(：圖所示阳= 行沉積、微影與蝕刻製程以形成一光阻層24，使其、一閘極層2〇I以及第二閘極層20丨丨之間隙處的N_摻y 14a。最後進行一重摻雜離子佈植製程26，利用光阻:域 2一4、第-閘極層201以及第二閘極層2〇11作為罩幕，二一閘極層201以及第二閘極層2〇11之外側周圍的n 域14a成為兩個…摻雜區域丨“、HD。如此一 ϋ隹& 24覆蓋之Ν-摻雜區域14a係成為一 LDDH且層 ::係分別 =2〇1以及第二閑極層…j覆蓋之未摻雜區域心-14 C2則成為兩個通道區域。一 1 上述製程較易達成黃光之精準性與電性之對P # 卻無法在筮一托a 〇 » "、电丨王I對％性’但閘極層2 0 I以及第二閘極層2 〇 I I之爭側的源/汲極區域附近形成L 取外圍兩 TFT的結構必須犧鉍門从,、口此上迷多晶矽 h± 牲開啟（〇1°電流以提高[叩區域之由$ 抗來抑制漏電流’況且此結構之漏電流仍過大==

0773-9592CIPIW(Nl) ；P92031 ；cherry .ptd_ 第7頁

彌MS 1307961

請參閱第ID圖，其翔千羽土结 _ ^ ε.Τϋτ A1 ··、貝不S知弟二種雙閘極結構之多晶矽TFT製程的剖面示意圖。笛一 ^ 口弟一種製作方式大致與上述第程相同，相同之處於此省略敘述，…處在於光 :層—=之圖案設計。當完成上述第ία〜iBm示之步驟後，圖所示，進行沉冑、微影與蝕刻製程以形成-第- 篦！ „241以及一第一光阻層2411 ’使第-光阻層241覆蓋甲極層2GI及其周圍之—部份N_#雜區域i4a，並使第層2411覆蓋第二閘極層2GII及其周圍之-部份N-摻 ^域14a。最後進行一重摻雜離子佈植製程26，利用第一光阻層241、第二光阻層2411、帛—閘極層2()1以及第二閑極層20 I I作為罩幕，使第一閘極層2〇 I以及第二閘極層 2 0 I I之外側周圍的N摻雜區域丨4 a成為三個N+摻雜區域 14S、14D、US/D。如此一來，被第一光阻層241、第二光阻層2411覆蓋之N摻雜區域14\、14^、14^、14〜係成為四個LDD區域，N+摻雜區域143、UD、14S/D係分別成為一源極區域、一汲極區域以及一共用源/汲極區域，而被第一閘極層201以及第二閘極層2〇1丨覆蓋之未摻雜區域HCi、 1 4 C2則是成為兩個通道區域。上述製私可於第一、第二閘極層2〇1、2〇11之外圍與内部的多晶係層14内製作LDD區域，故可有效抑制漏電流。但是’受限於曝光技術之對準誤差（ph〇t〇 misal ignment) ’不易控制四個n -摻雜區域148丨、14〜、 1 4 a；5、1 4 的長度對稱性’且會發生l j) d區域之位置偏移現

0773-9592CIPTW(Nl);P92031;cherry.ptd 第8頁 !3〇7961 ---- 五、發明說明（4) —一象，進而導致雷曰JBil ---- 备令t 展日9體呈現電性上的不對稱性、制產率低的問題。製程複雜、發明内容：有4監於此，太狀夕夕n +發明的目的就在於提供一插夕側ί 作方法，可於每-個間極/二极結構

且可免M 性。 < 問通，並達到LDD區域的电成，食度對稱電曰二、成古^目❸’本發明提供-種多閘朽* 摻雜區域以及一第：二1.:第-輕摻雜區域；！，溥骐側；一第-通道區域以及-第成於該第-ί ::形成於該第二摻雜區域以及：二通道區域，：該第-通道區域以及:第五輕摻雜區域，係^之外側；重摻雜區域以及一第二:通道區域之外側；、^別形成於輕摻雜區域以及該第:± ^雜區域，係分別形士及一第一緣層係形成於該有致芦^參雜區*之夕卜側。」^該第四 ί該有效層之第-心區域且=:-中央C 有效層之第四輕摻雜區域]第一遮蔽區域，^係覆 ;有效層之第二輕掺雜區域心第二遮蔽區域;;ί該於该有效層上’且包含有：：-問極絕緣層：覆蓋之第二通道區域；一中央區域，係覆$ ^係形成第一遮蔽區域，係覆該有致層 _____ 益该有效j® ~政層之第

0773- C D E -9592CIPWF(N1) ；P92031 ;cherry .ptd 1307961 五、發明說明（5) 三輕摻雜區域；以及一第二遮蔽區域，係覆蓋該有效層之第五輕摻雜區域。一第一閘極層，係形成於該第一閘極絕緣層上，且覆蓋該第一閘極絕緣層之中央區域。一第二閘極層，係形成於該第二閘極絕緣層上，且覆蓋該第二閘極絕緣層之中央區域。為達成上述目的，本發明提供一種多閘極結構之薄膜電晶體的製作方法，其包括下列步驟。依序形成一有效層、一絕緣層以及一導電層於一基底上。進行一钱刻製程，將該導電層定義為一第一閘極層以及一第二閘極層’ 並將該絕緣層定義為一第一閘極絕緣層以及一第二閘極絕緣層。該第一閘極絕緣層包含有一中央區域、一第一遮蔽區域形成於該中央區域之一側、以及一第二遮蔽區域形成於該中央區域之另一側。該第一閘極層係覆蓋該第一閘極絕緣層之中央區域。該第二閘極絕緣層包含有一中央區域、一第一遮蔽區域形成於該中央區域之一側、以及一第二遮蔽區域形成於該中央區域之另一側。該第二閘極層係覆蓋該第二閘極絕緣層之中央區域。該第一閘極絕緣層之第二遮蔽區域係鄰近於該第二閘極絕緣層之第一遮蔽區域，且該第一閘極絕緣層之第二遮蔽區域與該第二閘極絕緣層之第一遮蔽區域之間隙處係暴露下方之該有效層。進行一輕摻雜離子佈植製程，於該有效層中形成複數個具有不同摻雜濃度之區域：一第一區域與一第二區域係為一未摻雜區域，且分別形成於該第一閘極絕緣層之中央區域與該第二閘極絕緣層之中央區域的下方；一第三區域與一第

0773-9592CIPTWF(Nl);P92031jcherry .ptd 第10頁 1307961 五、發明說明（6) 四區域係為一具有第一摻成於該第一閘極絕緣層之域的下方；一第五區域與濃度輕摻雜區域，且分別一遮蔽區域與該第二遮蔽具有第二摻雜滚度之輕摻緣層之第一遮蔽區域的外摻雜濃度之輕摻雜區域，一遮蔽區域的外側；一第之輕摻雜區域’且形成於域與該第二閘極絕緣層之光阻層，以覆蓋該該第一弟一閘極絕緣層之第·一遮域。進行一重摻雜離子佈五區域成為一具有第三摻七區域與該第八區域成為雜濃度之輕該第—遮蔽一第六區域形成於該第區域的下方雜區域，且側；—第八且形成於該九區域係為 s亥第一閘極第一遮蔽區閘極絕緣層蔽區域及其植製程，以雜濃度之輕一重摻雜區摻雜區域’ 區域與該第係為一具有二閘極絕緣 ;一第七區形成於s亥第區域係為一第二閘極絕一具有第二絕緣層之第域的間隙處之第二遮蔽間隙處之該使該第三區摻雜區域，域0 且分別形二遮蔽區第一摻雜層之該第域係為一一閘極絕具有第二緣層之第摻雜濃度二遮蔽區。形成一區域、該第九區域與該第並使該第實施方式：本發明提出一種多閘極結構之多晶@TFT及其製作方法’利用閘極絕緣層之暴露於閘極層兩側之遮蔽區域作為離子佈植製程的罩幕，則可同時達成LDD區域以及源/汲極區域之製作。如此可於每一個閘極層之周圍兩側均製作一 LDD區域’以使多晶矽打τ具有極低之漏電流，且可免去黃光對準之問題’並達到LDD區域的長度對稱性。

0773-9592CIPnvF(Nl)；P92031;cherry.ptd 第11頁 1307961 五、發明說明（7) ，^讓本發明之上述和其他目的、特徵、和心特舉一雙閉極結構之多晶石夕TFT作為貫把例並配合所附圖示，作詳細說明如下： [第一實施例] 梅&二二?第2 A〜2 E圖，其顯示本發明第一實施例之雔n 極、，。構=夕晶矽TFT的製作方法的剖面示意圖。-閘 π床：你’如第2八圖所示，提供一基底30，並於基底30上作—緩衝層32以及-有效層34。基底30之較佳者土二ί =緣基底’例如：破璃基底。緩衝層32之較佳：為 ::於二層〇 :例ΐ :氧化矽層，其目的為幫助有效層3 4 :成：=3〇上。有效層34之較佳者為一半導體石夕如η夕^夕層。為了調整電晶體之臨界電壓Uhreshold V〇1叩6)，可進行一爛或碟離子佈植（B+ 〇r P ion implantation)製程〇然後，如第2 B圖所千，> + 層36以及一導電声38。絕上序於有效層34上沉積-絕緣 -氣化矽層、一氮氧化矽之較佳者》-氧化矽層、之較佳者為-金屬層或—多 =且々¥電層38 光阻作為罩幕以進行乾蝕 . π用口茶化之為-第-閑極層381以及1第將導電層38定義成 ^ , 4m ^9Γ ® - 第一開極層3811的圖案。繼 :=2。圖所不，進行電漿蝕應性離子蝕刻，可使用—呈右人¥ y g; ^ ^ 氣體，於導電層38的餘刻=及含氯氣體之混合表〗過&中將含氣氣體之流量逐漸調

0773-9592CIFTWF(Nl);P92031;cherry.ptd 605 第12頁 1307961 五、發明說明（8) --- 整至極大（甚至是僅使用含氣氣體作為蝕刻反應氣體），待 I虫刻至絕緣層36時再同時通入氧氣或加大氧氣流量，同時可蝕刻再度露出之第一、第二閘極層3 8工、3 8丨I輪廓，則可將第一、第二閘極層38I、3811製作成為一上窄下寬的梯形，並可使絕緣層3 6成為兩個分隔之第一、第二閘極絕緣層4 0、4 2。後續將圖案化之光阻移除。對於第一閘極絕緣層4〇而言，其包含有一中央區域 40a、一第一遮蔽區域401^以及一第二遮蔽區域4〇b2。中央區域40a係被第一閘極層381之底部覆蓋，第一、第二遮蔽區域40b、4〇b2係分別暴露於第一間極層381之底部兩侧，且第一閘極絕緣層4 0係暴露有效層3 4之一預定源/汲極區域。較佳者為，第一遮蔽區域4〇bi之橫向長度％為〇. i # m〜2·0μπι ’第二遮蔽區域4〇b2之橫向長度界2為〇.1 〜2_0 # m。依據電路設計需求，可以適當調整％、％之長度及其對稱性。對於弟二閘極絕緣層4 2而言，其包含有一中央區域 42a、一第一遮蔽區域42 h以及一第二遮蔽區域42 b2，中央區域4 2 a係被第二閘極層3 8 I I之底部覆蓋，第一、第二遮蔽區域42b]、42 b2係分別暴露於第二閘極層38 I I之底部兩 i側’且第二閘極絕緣層4 2係暴露有效層34之一預定源/汲極區域。較佳者為’第一遮蔽區域42 b!之橫向長度匕為0.1 /zm〜2.0/zm，第二遮蔽區域42b2之橫向長度〇2為0.1//111〜2. 0 μ m。依據電路設計需求，可以適當調整Di、D2之長度及其對稱性，並可調整％、W2、D,、D2之對稱性。較佳者為：

0773-9592CIPTWF(Nl);P92031;cherry.ptd 第13頁 1307961

五、發明說明（9) wi=D2，〇此外’第一閘極絕緣層4 0之第二遮蔽區域4 〇 h係相鄰於第二閘極絕緣層42之第一遮蔽區域42N，且第二遮蔽區域40b2與第一遮蔽區域42bi之間隙處係暴露下方之有效層° 3 4 .第閘極纟巴緣層4 0之第一遮蔽區域4 0 b2的外側係暴露下方之有效層34 ’第二閘極絕緣層42之第二遮蔽區域22t) 的外側係暴露下方之有效層34。 — 2 接著，如第2 D圖所示，進行一輕摻雜離子佈植製程 44，利用第一、第二閘極層38 ϊ、38丨〗、第一閘極絕緣層 40之遮蔽區域40 b!、4 ΟΝ、第二閘極絕緣層42之遮蔽區域 421^、42bz作為罩幕’則可於有效層34中形成多個具有不同摻雜濃度的區域。第一、第二區域341、342乃為未摻雜區域’且相對應形成於中央區域4〇a、42a的下方。第二、第四區域343、344乃為一 N ——摻雜區域，且相對應形成於第一閘極絕緣層4 0之第一、第二遮蔽區域4 〇 h、4 0 b2的下方。第五、第六區域345、346乃為一 N--摻雜區域，且相對應形成於第二閘極絕緣層42之第一、第二遮蔽區域 42 b!、42 b>2的下方。第七區域347乃為一 N -摻雜區域，係暴露於第一閘極絕緣層40之第一遮蔽區域4Ob!的外側。第'八' 區域3 4 8乃為一 N _摻雜區域，係暴露於第二閘極絕緣層4 2 之第二遮蔽區域42b2的外側。第九區域349乃為一N-捧雜區域’係暴露於第一閘極絕緣層4 0之第二遮蔽區域4 〇 b2 ‘第^ 二閘極絕緣層42之第一遮蔽區域42b!的間隙處。值得丨主音的是，由於第一閘極絕緣層40之遮蔽區域40、、4Gb 、: 2 弟

1307961 五、發明說明（10) 閘極絕緣層42之遮蔽區域42b 42b係用為輕 =程“之罩幕，因此第三、第四區域343、3“雜二 ^五:第六區域345、34 6之邊緣乃實質上對齊於第_、第一遮蔽區域42^、42bz的邊緣。此外，藉由調整輕摻雜離，佈植製程4 4之加速電壓與劑量，可以控制第三、第四、第五、第六區域343、344、345、346的濃度，以使其成為摻^雜區域或是濃度極小之間隔區域（〇f fset regi()n): ,、取後，如第2E圖所示，進行沉積、微影與蝕刻製程以 y成一光阻層46，使其覆蓋第一閘極絕緣層4〇之第二遮蔽區域4〇b2、第二閘極絕緣層42之第一遮蔽區域42h及其間隙處之第九區域34 9。繼續，進行一重摻雜離子佈植^程 48，利用光阻層46、第一、第二閘極層38I、3811、第一閘極絕緣層40之第一遮蔽區域40 bi、第二閘極絕緣層42之第二遮蔽區域42b2作為罩幕，可以增加有效層34之第三區，343、第六區域346、第七區域347、第八區域348之摻雜濃度。如此一來，第三、第四區域343、344成為一N—摻雜區域，第七區域347成為一N+摻雜區域，第八區域34 8乃為一 N+摻雜區域。 ’ 、由上述可知，第七區域347、第八區域348為『摻雜區域，係用作為一源極區域與一汲極區域；第三區域343、第六區域346為N -摻雜區域，係用作為雙閘極結構之外圍的LDD區域；第四區域344、第五區域345為計—摻雜區域，係用作為雙閘極結構之内部的LDD區域；第九區域349為^

1307961 圖式簡單說明第1 A〜1 C圖顯示習知第一種雙閘極結構之多晶矽TFT製程的剖面示意圖。第1 D圖顯示習知第二種雙閘極結構之多晶矽TFT製程的剖面示意圖。第2 A〜2E圖顯示本發明第一實施例之雙閘極結構之多晶矽TFT的製作方法的剖面示意圖。第3圖顯示本發明第二實施例之雙閘極結構之多晶矽 TFT的剖面示意圖。符號說明：習知技4标玻璃基板〜10 ; 緩衝層〜12 ; 多晶矽層〜1 4 ; N -摻雜區域〜1 4 a、1 4 a!、1 4 a2、1 4 a3、1 4 a4 ; N+ 摻雜區域〜14S、14D、14S/D ; 未摻雜區域〜14(^、14C2 ; 硼離子佈植製程〜16 ; 閘極絕緣層〜1 8 ; 閘極層〜2 0 ; 第一閘極層〜2 0 I ; 第二閘極層〜2 0 I I ; 輕摻雜離子佈植製程〜2 2 ; 光阻層〜24、241、2411 ; 重摻雜離子佈植製程〜26。本發明技術

〇773-9592CIPTWF(Nl);P92031;cherry.ptd 第19頁 1307961 圖式簡單說明基底〜3 0 ; 緩衝層〜3 2 ; 有效層〜3 4 ; 區域〜341 ' 342 '343 '344 '345 '346 '347 '348 ' 349 ；絕緣層〜3 6 ; 第一閘極層〜3 8 I ; 第一閘極絕緣層〜4 0 中央區域〜40a ; 第二遮蔽區域〜40b2 延伸區域〜40c ; 中央區域〜42a ; 第二遮蔽區域〜42 b2 延伸區域〜42c ; 光阻層〜4 6 ; 導電層〜38 ; 第二閘極層〜3 8 I I ; 第一遮蔽區域〜401^ ; 第二閘極絕緣層〜4 2 ; 第一遮蔽區域〜421^ ; 輕摻雜離子佈植製程〜44 ; 重摻雜離子佈植製程〜4 8。

0773-9592CIPTW(Nl) ;P92031 ;cherry .ptd 第20頁

Claims

1307961 案號 92134005 曰六、申請專利範圍 1. mip 年/ 種多閘極結構之薄膜電晶體，包括有V: / % 基底一有效層，係形成於該基底上，且包含有：一第一輕摻雜區域，作為共用源/汲極；一第二輕摻雜區域以及一第三輕摻雜區域，係分別形成於該第一掺雜區域之兩側；一第一通道區域以及一第二通道區域，係分別形成於該第二摻雜區域以及該第三摻雜區域之外侧；成於該第二、度為小一第四輕掺雜區域以及一第五輕摻雜區域，係分別形第一通道區域以及該第二通道區域之外侧，其中該三輕掺雜區域之濃度比該第四、五輕摻雜區域之濃 ;以及一第一重摻雜區域以及一第二重摻雜區域，係分別形成於該第四輕摻雜區域以及該第五輕摻雜區域之外侧；一第一閘極絕緣層，係形成於該有效層上，其覆蓋該第一通道區域、該第四輕摻雜區域，以及該第二輕摻雜區域；一第二閘第二通道區域域；蓋該第蓋該第第一閘 -通道第二閘二通道極絕緣層，係形成於該有效層上，其覆蓋該、第三輕摻雜區域，以及該第五輕摻雜區極層，係形成於該第一閘極絕緣層上，且覆區域上方之該第一閘極絕緣層；以及極層，係形成於該第二閘極絕緣層上，且覆區域上方之該閘極絕緣層。

0773-9592CIPTWF2(Nl).ptc 第21頁 1307961 . _案號92134005_年 '月日__ 六、申請專利範圍 2. 如申請專利範圍第1項所述之多閘極結構之薄膜電晶體，其中該第二輕掺雜區域以及該第三輕掺雜區域具有相同之摻雜濃度與長度。 3. 如申請專利範圍第1項所述之多閘極結構之薄膜電晶體，其中該第四輕摻雜區域以及該第五輕摻雜區域具有相同之摻雜濃度與長度。 4. 如申請專利範圍第1項所述之多閘極結構之薄膜電晶體，其中：該第一輕摻雜區域、該第四輕摻雜區域、該第五輕摻雜區域之摻雜濃度為1 X 1 012〜1 X 1 014 a tom/cm2 ; 該第二輕摻雜區域、該第三輕摻雜區域之摻雜濃度為小於lx 1013 atom/cm2 ;以及該第一重摻雜區域、該第二重輕掺雜區域之摻雜濃度為lx 1014〜lx 1016 atom/cm2。 5. 如申請專利範圍第1項所述之多閘極結構之薄膜電晶體，其更包括一絕緣延伸區域，其係自該第一、第二閘極絕緣層之兩侧延伸，且覆蓋該有效層之第一、第二重掺雜區域以及該第一輕摻雜區域，且該絕緣延伸區域的厚度小於該第一和第二閘極絕緣層的厚度。 6. 如申請專利範圍第1項所述之多閘極結構之薄膜電晶體，其中：該基底係為一透明絕緣基底或一玻璃基底；該有效層係為一半導體矽層或一多晶矽層；該第一閘極絕緣層係為一氧化矽層、一氮化矽層、一

0773-9592CIPTWF2(Nl).ptc 第22頁 1307961 , _案號92134005_车月日_i±^_ 六、申請專利範圍氮氧化矽層或其組合之堆疊層；以及該第二閘極絕緣層係為一氧化矽層、一氮化矽層、一氮氧化矽層或其組合之堆疊層。 7. 如申請專利範圍第1項所述之多閘極結構之薄膜電晶體，另包含有一缓衝層，係形成於該基底與該有效層之間。 8. 如申請專利範圍第1項所述之多閘極結構之薄膜電晶體，其中該第一、第二、第三、第四、第五輕摻雜區域以及該第一、第二重摻雜區域係為相同導電型式之離子摻雜區域。 9. 一種多閘極結構之薄膜電晶體之製作方法，包括下列步驟：提供一基底；形成一有效層於該基底上；形成一絕緣層於該基底上，以覆蓋該有效層；形成一導電層於該絕緣層上；進行一蝕刻製程，將該導電層定義為一第一閘極層以及一第二閘極層，並將該絕緣層定義為一第一閘極絕緣層以及一第二閘極絕緣層；其中，該第一閘極層覆蓋該第一閘極絕緣層之中央區域，並露出該第一閘極絕緣層兩側之區域；其中，該第二閘極層覆蓋該第一閘極絕緣層之中央區域，並露出該第一閘極絕緣層兩侧之區域；其中，該第一、第二閘極絕緣層之相鄰侧區域的間隙

0773-9592CIPTWF2(Nl).ptc 第23頁 1307961 , _案號92134005_年月曰修正_ 六、申請專利範圍處暴露下方之該有效層；進行一輕摻雜離子佈植製程，於該有效層中形成複數個具有不同摻雜濃度之區域；其中，一第一區域與一第二區域係為一未摻雜區域，且分別形成於該第一閘極絕緣層之中央區域與該第二閘極絕緣層之中央區域的下方；其中’ 一第三區域與一第四區域以及一第五區.域與一第六區域係分別為一具有第一摻雜濃度之輕摻雜區域，且各自形成於該第一、第二閘極絕緣層兩側之區域下方；其中，一第七區域係為一具有第二摻雜濃度之輕摻雜區域，且形成於該第一閘極絕緣層之外侧區域；其中，一第八區域係為一具有第二摻雜濃度之輕摻雜區域，且形成於該第二閘極絕緣層之外侧區域；其中，一第九區域係為一具有第二摻雜濃度之輕摻雜區域，且形成於該第一、第二閘極絕緣層之相鄰側區域的間隙處，且該第九區域係作為共用源/汲極；形成一光阻層，以覆蓋該第一、第二閘極絕緣層之相鄰侧區域及其間隙處之該第九區域；以及進行一重摻雜離子佈植製程，以使該第三區域與該第六區域成為一具有第三摻雜濃度之輕摻雜區域，並使該第七區域與該第八區域成為一重摻雜區域，其中該第四、五區域之第一摻雜濃度比該第三、六區域之第三摻雜濃度為小 0 1 0.如申請專利範圍第9項所述之多閘極結構之薄膜電

0773-9592CIPTWF2(Nl).ptc 第24頁 1307961 _案號 92334005 申請專利範圍體之製作方法，其中該第二修正曰B 同之摻雜濃度與長度。區域以及該第六區域具有相 11 _如申請專利範圍第9項晶體之製作方法，其令該第四述之多閘極結構之薄膜電同之摻雜濃度與長度。區喊以及該第五區域具有相斤述之多閘極結構之薄膜電 ]2‘如申請專利範圍第9項晶體之製作方法，其中·· 該第三區域、第六區域成摻雜區域的摻雜濃度為1 χ } 〇32為該具有第三摻雜濃度之輕該第九區域之摻雜濃戶1 atom/cm2 ; 該第四區域、第五區域:1 Ο1、1 x 1 014 a t〇m/cm2 ; atom/cm2 ;以及 ^ ^》農度為小於1 x 1 〇i3 該第七區域 '第八區域成為h 1014〜lx at〇ln/cm2。，.、、〜‘接雜區域的摻雜濃度 1 3.如申請專利範圍第9項所述之晶體之製作方法，其中該蝕刻製程包括ς兮結構之薄膜電一第一閘極絕绫禺十字該絕緣屉定蠢凫巴，味層、一第二閘極絕緣層、以R層疋義為區域，及—絕緣延伸其：該絕緣延伸區域係自該第一、第二延伸，且覆蓋該有效層之第七區域、第八區之，侧區域，且该絕緣延伸區域的厚度小於該第—和 2 緣層的厚度。 1 —閘極絕曰蝴1i制如專利範圍第9項所述之多閑極結構之薄膜電曰日肪之製作方法，其中：

0773-9592CIPTWF2(Nl).pt 第25頁 1307961 Λ-_η _§正 S 號 92134005 六、申請專利範圍該基底係為-透明絕緣基底或該有效層係為一半導體石夕層或—多晶石夕】·’ 氮該弟-閘極絕緣層為一氧化、日軋化矽層或其組合之堆疊層；以及乳化發層氮該第二閘極絕緣層為—氧化一 ^ 氧化矽層或其組合之堆疊層^ g 、風化梦層 1 5.如申清專利範圍第q 晶體之製作方法，於形：:頁：：之土間極結構之薄膜電驟：形成一緩衝層該基底^ h之刖，另包含有—步 1 6.如申請專利範圍第曰姊夕制说七、x 頁所述·之多閘極結構之珐曰日脰之製作方次，其中該第三、第四、、之溥膜電七？7二、由第么區域係為相同導電型式之離子摻it F第 17.如申請專利範圍第9項所述之槿，Q域。义製編1中該輕摻雜離子佈植製程；電弟一閘極層、該第一、第二币'^第罩幕。阴位層之兩側區域為 1 8. —種多閘極結構之薄膜電晶體，包括有：該一基底，具有一對第―、第二電晶體設置於复對電晶體包括： '〃上’ 一有效層形成於該基底上；第一、第二閘極絕緣層設置於該有效層上；第閘拖第一、第二閘極電極，分別設置於該第一絕緣層上之中間位置，且露出其兩侧；第一、第二對之源/汲極區，設置於該閘極、、、巴緣層兩 0773-9592CIPTWF2(Nl).ptc 第26頁 1307961 _案號92134005_年月曰__ 六、申請專利範圍側以外之有效區，且其中一源/汲極區為第一、第二電晶體所共用；以及第一、第二對輕摻雜區域，分別形成於該第一、第二對之源/汲極之内側，且每對該輕摻雜區域包括兩個濃度不對稱之接雜區。 1 9.如申請專利範圍第1 8項所述之多閘極結構之薄膜 .電晶體’其中該共用之源及極區兩側的輕推雜區域具有相同之摻雜濃度與長度。 20. 如申請專利範圍第1 8項所述之多閘極結構之薄膜電晶體，其中與該源/汲極區域鄰接之輕摻雜區域具有相同之摻雜濃度與長度。 2 1.如申請專利範圍第1 8項所述之多閘極結構之薄膜電晶體，其中：該共用之源/汲極區域、該非共用之源/汲極區域鄰接的輕摻雜區域之摻雜濃度為1 X 1 012〜1 X 1 014 a tom/cm2 ; 該共用之源/汲極區域兩侧之輕摻雜區域之摻雜濃度為小於1 X 1013 a tom/cm2 ;以及該非共用之源/汲極區域之摻雜濃度為1 x 1 〇14〜1 x 1 Ο16 a tom/cm2 〇 2 2.如申請專利範圍第1 8項所述之多閘極結構之薄膜電晶體，其中該第一閘極絕緣層另包含有一延伸區域，係自該第一、第二閘極絕緣層之兩側延伸覆蓋至該第一、第二源/汲極區域，且該延伸區域的厚度小於該閘極絕緣層的厚度。

0773-9592CIPTWF2(Nl).ptc 第27頁 1307961 . _案號 92134005_年月日__ 六、申請專利範圍 2 3 .如申請專利範圍第1 8項所述之多閘極結構之薄膜電晶體，另包含有一缓衝層，係形成於該基底與該有效層之間。 2 4.如申請專利範圍第1 8項所述之多閘極結構之薄膜電晶體，其中該些摻雜區域係為相同導電型式之離子摻雜區域。

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