TWI302201B - Inspecting method and adjusting method of pressure of probe - Google Patents

Description

I3022lffPwf*doc/g 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種探針之針壓的檢測方法與調整 方法，且特別是有關於可以將探針之針壓量化的一種探針 之針壓的檢測方法與調整方法。 【先前技術】 一般來說，半導體的封裝測試可區分為兩大部份，分 別是在晶圓加工完成後的晶圓測試（wafer pr〇be and sort)，以及封裝完成後的成品測試(fmaltest)。晶圓測試是 利用晶圓針測機(prober)上探針卡(pr〇be card)的探針與受 測晶圓的切割道(scribe line)上所配置的測試鍵(test_ke力連 接來進行測試，而此測試鍵與晶粒上之某一元件結構相 同。然後，將測得的資料送往測試機⑽㈣作分析與判斷， =正理出各晶粒的可修補資料，經由雷射修補機依據此資 =將不良的元件替換掉’之後再經晶圓針測通過後，即告 亓，成 〇 f而’捸針與測試鍵連接時因為探針之針壓大小不 ^墊(Pad)造成大小不—的刻痕。也就是 而冬二广’探針會在薛墊上造成大面積的刻痕， 針=探針會在銲墊上造成小面積的刻痕。探 結果。；例來::彺$響電性的量測，而造成不同的測試 性測試的結果n。 過大會使得接觸電阻過大而影響電 針對上述問題，目前多使用人工利用顯微鏡觀測的方 I30220Twfdoc/g 式來觀測刻痕的面積以判定料段 、， 高度來調整針壓。然而，使用古亚精由調整探針的 的時間，且由於無法將目式往往會浪費過多 而導致判定針壓大小的精準度I較低:之面積量化，進 【發明内容】 本發明的目的就是在提供一藉 法，可以將針壓量化以精確__。之針壓的檢測方 本發明的另一目的是括版 ^ 法，可以增加電性量測的可H舆m之針壓的調整方 本發明提出-種探針之針壓的檢 提供一晶圓，此晶圓之切割道 去此方法疋先 域，其中測試區域分為多個或、，有區域與測試區 每-個次區域之面積相等°°5 ^區域之面積與 件，而每-個魏域中具有具有—第一元 觸，並施加電壓’以使探針與參ΐΐ域 “域，亚施加，以使探針與至少一個： 接著，將測試電流值與參考電流2 試電流值。 弈描供一 a if] . , I „ 正力/:£： 此方法 二f Γ割道上具有參考區糊 〃域刀為多個次區域’而參考區域之面積與 13 022(^l°twf doc/g 每-個次區域之面積相等，且參考區域中具有—第_元 件，而每-個次區域中具有一第二元件。然後，將探針接 齡考區域，並施加電壓，以使探針與參考區域中之第— 兀件包性連接’並對應得到一參考電流值，以及將探針接 觸至少-，次區域，並施加電壓，以使探針與至少一個次 區域中之第一元件電性連接，並對應得到—則試電流值。 接著，將測忒電流值與參考電流值進行數據處理步驟，以 付到至少-個次區域之總面積。繼之，將總面積與標準值 0 随比對’以得到探針之針壓與標準針壓之間的相對關 係。之後，依照探針之針壓與標準針壓之間的相對關係對 探針進行校正步驟。 本發明因採用探針與測試區域及參考區域電性連接 時所測得的測試電流值與參考電流值來進行數據處理，以 得到具有導通的二極體的次區域之面積，並將此面積與標 準值做比較，關定探針之針壓是否過大或過小。如此一 來，便=將探針之針壓進行量化，並藉由量化的結果對 _ 探針進行彳X準避免了以人卫方式利用顯微鏡觀測刻痕面 積所產生的疾差，且縮短了檢測探針之針壓的時間。 “為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯 易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如 下。 【實施方式】 方林發明實施例崎示的探収針壓的檢測 方法之步驟流程圖。請參照圖卜首先，在步驟削中， 130220^¾001^°10^ 提供一晶圓，此晶圓之切割道上具有參考區域與測試區 域。測試區域分為多個次區域。這些次區域例如是以矩陣 方式排列。此外，參考區域之面積與每一個次區域之面積 相等。參考區域中具有一第一元件，而每一個次區域中具 ^一第二元件。第一元件與第二元件例如為二極體。在本 貫鈀例中，第一元件的形成方法，例如是先在位於測試區 域的基底中形成例如是淺溝渠隔離結構的元件隔離結構。 淺溝渠隔離結構將測試區域的基底分為多個以矩陣方式排 列的次區域，而這些次區域也就是所謂的主動區（active area)。然後，進行離子植入製程，將與基底具有不同導電 型態的摻質植入次區域的基底中，以在每一個次區域中形 成一個二極體。之後，於每一個二極體上進行一般熟知的 内連線製程，並於最上層的金屬上形成銲墊。因此，若以 上視的角度來看，在測試區域可看到多個以矩陣方式排列 的銲墊。特別一提的是，上述的内連線製程是與晶粒上的 内連線製程同時進行。 此外，在進行測試區域的製程時，一般會同時於參考 區域的基底中形成與第一元件相同的第二元件。參考區域 與測試區域的差異在於··測試區域中具有多個以矩陣方式 排列的一極體，而參考區域中僅具有一個二極體，也就是 說，在參考區域中，淺溝渠隔離結構僅定義出一個主動區^ 同樣地，在參考區域的二極體形成之後，與晶粒同時進行 内連線製程，並於最上層的金屬上形成銲墊。特別一提的 是，在參考區域中，由於僅具有一個二極體，為了避=因 130220totwfd〇c/g 田然，在測試區域的旁邊必須形 試區域中的二極體下方的端點接出， ^件來將測 施加電料形成一個完整的迴路。上^十接觸銲墊並 本領域中具有通常知識者所熟知，於此:再=作方法為 然後，在步驟102中，將探針 、= 觸至少一個次區域，並施加電璧，以使探^域^同時接 之第一元件以及與至少—個奸域域中 接，即導通探針所接觸到的二極體，並對庫得:/ 連 以及至少-個次區域，並施加電壓/ =觸茶考區域 區域中之第-元件以及至少一個次區二十:別考 連接接ΠΓ得到一參考電流值與-測以^ 行數據處理步與參考電流值進 據處理步驟例如是將測試電流值除積以 婁值即為測試區域中經探針導通心 $:後’將茶考區域之面積乘以數值，即可得到 區域中具有導通之二極體的次區域之總面積。 ㈣之後二在步驟106中’將上述的總面積與標準值進行 之針壓與標準針壓之間的娜 以，視產叩的需要而有所不同，其可以是一個數值或 -個粑圍。在-實施例中，當總面積大於標準值時，探針 130220^0-4 之針壓與標準針壓之間的相對關係被判定為該探針之針壓 大於標準針塵。在另一實施例中’當總面積小於標準值時， 探針之針壓與標準針壓之間的相對關係被判定為該探針之 針壓小於標準針壓。如此一來，便可以將每一次以探針進 行電性量測時的針壓量化，以方便檢測探針的針壓是否過 大或過小。此外，上述方法還可以避免以人工方式利用顯 微鏡觀測刻痕面積所產生的誤差，以及縮短了檢測的時間。 除此之外，在以上述的檢測方法判定探針的針壓是否 過大或過小之後’遷必須將採針加以調整，以使電性量測 的可靠廑輿籍破疮接4。ra ，太！驗1 λ，、_

度，以使探針遠離晶圓。或者，當探針之針 壓時，降低探針的高度，以使探針接近晶圓。如此一來， 在進行電性量_便可以精確地控他針的遞，你借見

I3022&t0twfdoc/^ 有導ΐ:出:M區域中導通的二極體的數目，進而得到且 比較，以判定探針之是否:大==標= 除了可以將探針之針磨進行量化之外，還可以藉由X 結果對探針進行校準，避免了以人工方式利用^二、、、 刻痕面積所產生的誤差，以及縮短了檢測的時間Γ域測 此外，利用本發明之方法還可以在機台運作 檢測晶圓吸座的平坦度，而不需將機台停止，可以、辟= :影響製程產量的問題，並可以隨時檢測晶圓吸二 雖然本發明已以實施例揭露如上，然其 :明丄=熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神： ，内’虽可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保 虽視後附之申請專利範圍所界定者為準。 &圍 【圖式簡單說明】 方法=為驟^圖發明實施例所繪示的探計之針壓的檢測 【主要元件符號說明】 100〜106 :步驟

Claims (1)

1. I3022(W°0twfdoc/g 十、申請專利範圍： 1·種探針之針壓的檢測方法，包括· ϋ、日日圓，该晶圓之一切割道上且古—△ -測試區域，其中該測試區 ：蒼考區域與 區域之面積與每夕個一欠區域，而該參考 中具有且解考區域 將-探針接觸該參考區域施、有#一兀件； ^亥參考區域中之該第—元 ’以使該探針 考電流值； 电丨連接，亚對應得到一參 該探針與3==::次區:或’並施加電壓，以使 群應得到一測試電;二之該第二元輪連接，並 將該測試電流值與該參考 驟，以得到至少-該些次區域订^據處理步 行比對’以得到該探針之針 知早針反之間的一相對關係。 法，魏圍第1項所叙探針之針壓的檢測方 、中该些魏域㈣陣方式齡I。 方 法，二!4專利:Γ1項所述之探針之針壓的檢測方 4::申第二元件包括二極體。 去，其中該數據處理 所述之探針之針壓的檢測方 以及將_試電流值除㈣參考電流值，κ得到一數值； 12 I3O2204otwf.d〇c/g 將該參考區域之面積乘以該數值。 、去，絲_1項所述之探針之針壓的檢測方 法广錢面積大於該標準值，該相 之針壓大於該標準針壓。 勺/抓針 法’广_面積小於該標準值，該相對關係 之針壓小於該標準針壓。 、'十 7·一種探針之針壓的調整方法，包括： 提供-晶圓，該晶圓之-切割道上具有一參考區域盘 -測试區域，其中制試區域分為多個次區域，而該來^ =域之面積與每—該些次區域之面積相等，且該參考區域 中具有-第-元件’而每—該些次區域中具有—第二元件； 將彳朱針接觸遠參考區域，並施加電壓，以使号p# =該參考區域中之該第一元件電性連接 到：夂 考電流值； ~參 將该探針接觸至少一該些次區域，並施加電壓， 至少—該些次區域中之該第二細電性連接，並 對應付到一測試電流值； 將該測試電流值與該參考電流值進行一數據處理步 知，以得到與該探針接觸之該些次區域之一總面積； 將該總面積與—鮮值進行比對，以制該探針 墊與一標準針壓之間的一相對關係；以及 依照該相對關係對該探針進行一校正步驟。 8.如申請專利範圍第7項所述之探針之針μ的檢測方 13 I3〇2204otwfdoc/g 法，其中遠些次區域以矩陣方式排列 項：探針之針壓的檢測方 1Λ, ^ 1干^、3弟—兀件包括二極體。 方法概聰綱 以及將該測試電流值除以該參考電流值，以得到-數值； 將該參考區域之面積乘以該數值。 方法 針之針Μ大於該標準·。 一目·係為該探 12·如申請專利範圍第丨丨項 、 方法，其找校正步驟包括使_ t之、樣的檢測 方^ 利範圍第7項所述之探針之針壓的檢測 法八中西忒總面積小於該標 、 針之針壓小於該標準針麗。’、，_對關係為該探 方法14其如針壓的檢測 又步包括使麵針接近該晶圓。 14