TW201307876A - 探針的校正方法及校正裝置 - Google Patents

Abstract

一種校正裝置，應用於至少具有第一探針與第二探針之測試裝置，該校正裝置包含：第一測試區域及第二測試區域，第一測試區域及第二測試區域係分別具有nxn個感測單元，其係因應第一探針及第二探針之接觸程度而產生對應於第一測試區域之nxn個平均電性值及對應於第二測試區域之另一nxn個平均電性值，第一測試區域的中心到第二測試區域中心之間的距離等於第一探針的中心到第二探針的中心之間的距離。

Description

探針的校正方法及校正裝置

本發明是有關於一種探針的校正裝置，且特別是有關於一種以平行電板電容做為校正裝置來校正探針的準確度。

在完成晶圓的製造程序之後，需對晶圓進行電性及功能性測試，用以確認晶圓上的每一個積體電路晶片是否可以正常運作。而晶圓測試(wafer testing)是利用測試機台與探針(probe)來待測晶圓上的待測元件，以確保晶片上積體電路的功用與效能是依照設計的規格來製造完成。在待測晶圓進行測試時，係先利用測試機台將探針卡固定在測試基座(Test head)上，將探針與待測晶圓上測試元件的銲墊(pad)接觸以量測該銲墊之電性訊號，再將此電性訊號傳遞回測試機台，測試機台便可藉由此電性訊號來判斷在待測晶圓上測試元件是否為良品。一般來說，在探針與銲墊接觸時會在銲墊上造成一刻痕，而此刻痕面積的大小可以做為探針之針壓的指標。刻痕面積的大小多半都是藉由光學顯微鏡來觀測，並藉由刻痕面積大小進一步地判斷探針的使用狀況。但是藉由光學顯微鏡來觀測的時候，不同的使用者會有不同的觀測標準，因此，對於探針的實際使用狀況也會造成錯誤的判斷，例如探針的針尖(tip)已經磨損，但使用者仍然繼續使用該支探針而影響測試的準確度。或者是在銲墊下方已經有損毀，而讓該探針繼續接觸銲墊，而造成銲墊毀損(crack)。

本發明的目的就是在提供一種探針的校正方法，藉由探針與校正裝置之接觸程度之後所產生的電性，來判斷探針的位置以及探針與待測晶圓之間的高度差。

本發明的再一目的是在提供一校正裝置，在待測晶圓進行測試之前，對探針進行校正，藉由探針與校正裝置接觸時之接觸程度而產生的電性，來判斷探針與待測晶圓之間的接觸壓力(driving force)。

本發明的又一目的是提供一校正裝置，在待測晶圓進行測試之前，藉由探針與校正裝置接觸時之接觸程度而所產生電性變化，來判斷是否要調整探針與待測晶圓之間的高度或是更換探針。

本發明提出一種校正裝置，應用於至少具有第一探針與第二探針之測試裝置，該校正裝置包含：第一測試區域及第二測試區域，第一測試區域及第二測試區域係分別具有nxn個感測單元，其係因應第一探針與第一測試區域及第二探針與第二測試區域之接觸程度而產生對應於第一測試區域之nxn個平均電性值及對應於第二測試區域之另一nxn個平均電性值，第一測試區域中心到第二測試區域中心之間的距離等於第一探針中心到第二探針中心之間的距離。

在本發明之一實施例中，上述之第一測試區域及第二測試區域係由一上金屬層、一介電層及一下金屬層所組成之一平行電板電容。

在本發明之一實施例中，上述之介電層為金屬層間介電層或內介電層。

在本發明之一實施例中，上述之n為至少大於1之正整數。

在本發明之一實施例中，上述之nxn個平均電性值為平均電容值。

在本發明之一實施例中，上述之第一測試區域及第二測試區域係具有第一次測試區域及第二次測試區域，且以內連線結構電性連接第一次測試區域及第二次測試區域。

本發明提出一種校正裝置，應用於至少具有第一探針與第二探針之測試裝置，該校正裝置包含：第一測試區域及第二測試區域，第一測試區域及第二測試區域分別具有mxm個感測單元，其係因應第一探針與第一測試區域之接觸程度而產生mxm個電性值，第一測試區域到第二測試區域中心之間的距離等於第一探針到第二探針中心之間的距離。

在本發明之一實施例中，上述之第一測試區域及第二測試區域係由一上金屬層、一介電層及一下金屬層所組成之一平行電板電容。

在本發明之一實施例中，上述之介電層為金屬層間介電層(IMD)或內介電層(ILD)。

在本發明之一實施例中，上述之n為至少大於1之正整數。

在本發明之一實施例中，上述之電性為電容值。

在本發明之一實施例中，上述之第一測試區域及第二測試區域係分別包含第一次測試區域及第二次測試區域，且以內連線結構電性連接第一次測試區域及第二次測試區域。

本發明又提出一種校正方法，應用於至少具有第一探針與第二探針之測試裝置，其校正方法包含下列步驟：提供第一測試區域與第二測試區域，第一測試區域中心到第二測試區域中心之間的距離等於第一探針心中到第二探針中心之間的距離；將第一探針與第二探針對準第一測試區域與第二測試區域；接收第一測試區域與第二測試區域因應第一探針、第二探針分別與第一測試區域與第二測試區域之接觸程度所產生之第一電性與第二電性；以及根據第一電性及/或第二電性而對第一探針與第二探針進行校正。

在本發明之一實施例中，上述之第一測試區域及第二測試區域之結構係由上金屬層、介電層及下金屬層所組成之一平行電板電容。

在本發明之一實施例中，上述之介電層為金屬層間介電層或內介電層。

在本發明之一實施例中，上述之第一測試區域及第二測試區域內至少區分成nxn個感測單元。

在本發明的較佳實施例中，上述之n為至少大於1之正整數。

在本發明的較佳實施例中，上述之第一電性及第二電性為電容值。

在本發明的較佳實施例中，上述之校正方法包含計算第一電性及第二電性，以得到一平均電性，且藉由此平均電性可以得到第一探針及第二探針之平均高度。

在本發明之一實施例中，上述之校正方法包含當平均高度大於一容忍誤差值，係更換相對應於平均高度之第一探針或第二探針。

在本發明之一實施例中，上述之校正方法包含當平均高度介於容忍誤差值之間，調整第一探針及第二探針之一傾斜角度，使得第一探針及第二探針以相同的平均高度進行測試。

在本發明之一實施例中，上述之校正方法包含計算第一電性或第二電性，以得到相對於第一電性或第二電性之一壓力值。

為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

在進行晶圓(未在圖中表示)測試，當探針接觸待測晶圓(未在圖中表示)上的銲墊(未在圖中表示)時，一般是藉由光學顯微鏡來判斷在銲墊上的刻痕面積大小以及在銲墊上的刻痕位置，來判斷探針與銲墊之間的接觸程度以及探針是否有偏移的現象(即探針是否對準測試晶圓上的銲墊)。為了避免人為因素而造成錯誤的判斷，在本發明中係在待測晶圓進行測試之前，先將探針與具有複數個測試區域之校正裝置接觸，藉由探針與這些測試區域之接觸程度所產生之電性變化來判斷探針是否有偏移或是損毀，或是需要進行調整及更換，以增加探針測試的準確度以及待測晶圓的良率。

請參考圖1A，其係表示本案發展出來之校正裝置之外觀上視示意圖。在圖1A中，校正裝置10係由複數個測試區域101~120所組成；於此實施例中，每一個測試區域101~120的結構係為平行電板電容，如圖1B所示。

請參考圖1B，每一個平行電板電容係由上導電板100a、具有一介電常數ε之介電層100b及下導電板100c所組成。電容值大小亦與幾何形狀及其間的介質有關，當上導電板100a與下導電板100c之間距離甚小，上導電板100a與下導電板100c間的電場可視為一均勻電場，因此平行電板電容的電容值可以表示成C=εA/d，其中C為電容值、A為上導電板100a與下導電板100c之截面積、d為上導電板100a與下導電板100c之間的距離。由此得知，介電層100b的介電常數ε為固定時，平行電板電容的截面積A遠大於平行電板電容之間的距離d時，可以將介電層100b的介電常數與介電層100b的面積的乘積εA視為一固定值，故可以藉由電容值的變化與平行電板電容之間介電層100b厚度的變化，來得到探針接觸到平行電板電容的位置以及與平行電板電容之間的距離。此外，在本發明的實施例中，上導電板100a及上導電板100c之材料為金屬板；而介電層100b則是金屬層間介電層(IMD)或是內介電層(ILD)。

圖2係表示具有複數支探針之測試裝置與校正裝置10接觸時，探針與校正裝置之間高度差之示意圖。由於每一支探針的使用狀況以及與待測晶圓上的銲墊的接觸程度有所不同，因此，有可能會發生如圖2所示之情況，當測試裝置20上之複數支探針20a~20d與校正裝置10上之每一個測試區域(未在圖中表示)接觸時，探針20a係與校正裝置10之測試區域直接接觸時，探針20a與校正裝置10之間的高度差為d1，即探針20a與測試區域係為正常的狀況下進行接觸因此沒有高度差d₁為零；探針20b未與校正裝置10接觸，其高度差為d₂；而探針20c已接觸到校正裝置10，但是針尖已經深入校正裝置10內，其高度差為d₃；以及探針20d未與校正裝置10接觸，其高度差為d4，又高度差d₃大於高度差d₄。

為了避免有部份探針與待測晶圓之銲墊過度接觸或者沒有接觸。因此，本發明揭露一種探針的校正方式，係用以校正每一支探針與校正裝置之間的高度差。圖3A~3B係表示探針的校正方式之各步驟示意圖。在圖3A中，先提供具有複數個測試區域之校正裝置10，其中，校正裝置10的詳細結構與圖1A相同，不再多加陳述。

於本實施例中，係將具有複數個測試區域之校正裝置10置放在具有複數支探針20a~20l之測試裝置20下方，以使得每一支探針分別對準每一個測試區域，且每兩個測試區域中心(pitch)到中心之間的距離等於每兩支探針中心到中心之間的距離。為了說明以及繪製圖式方便，在以下實施例的說明中，係以四支探針20a~20d以及四個測試區域101~104來做說明。請參考圖3B，將第一探針20a、第二探針20b、第三探針20c及第四探針20d與所對應的第一測試區域101、第二測試區域102、第三測試區域103及第四測試區域104分別接觸，因應第一探針20a、第二探針20b、第三探針20c及第四探針20d與第一測試區域101、第二測試區域102、第三測試區域103及第四測試區域104的接觸程度，可以分別得到第一電性、第二電性、第三電性及第四電性。然後，將第一電性、第二電性、第三電性及第四電性分別透過第一探針20a、第二探針20b、第三探針20c及第四探針20d傳回至測試裝置20，在此，第一電性、第二電性、第三電性及第四電性係指電容值。

在本實施例中，上述之每一個測試區域101~104可以再區分成nxn個感測單元S1，n可為至少大於1之正整數本圖係以10為例進行說明，如圖3C所示，因此每一個測試區域101~104可分成100個感測單元S1。每一個感測單元S1係以共用閘極(common gate)及共用汲極(common drain)之方式來完成電性連接。因此當探針20a~20d與測試區域101~104接觸時，在每一個測試區域101~104上的nxn個感測單元S1因應所感測到的壓力(driving force)所產生之電容值將一起被讀取出來，因此在每一個測試區域上所得到的輸出電容值係為nxn個(即100個)感測單元S1之電容值總和。

根據前述之平行電板電容之公式C=εA/d，將每一個測試區域101~104所得到的電容值代入，經計算之後可以得到第一探針20a、第二探針20b、第三探針20c及第四探針20d與第一測試區域101、第二測試區域102、第三測試區域103及第四測試區域104接觸之後，造成在平行電板電容之介電層100b上的厚度d變化量。而以一適當的驅動壓力所造成探針與測試區域間的適當接觸，將可得到一最佳的測試效果。因此，可以記錄下適當接觸時所測得之電容值來做為一基準值。接著，將每一個測試區域101~104所測量得到的電容值與該基準值相減而得到一電容差值，該差值愈大時，係表示測試區域之介電層的厚度d變化量愈小，這表示探針與校正裝置10之間的高度差較大，例如圖2中之第二探針20b及第四探針20d；反之，得到之電容差值愈小時，係表示探針接觸校正裝置10時，造成測試區域之介電層的厚度d變化量愈大，則表示探針與校正裝置10之間的高度差較小，例如圖2中之第一探針20a與第三探針20c。

因此，可以根據上述之校正步驟得到每一支探針接觸校正裝置之後的電容差值，並且可繪製成如圖3D所示之電容值與探針及校正裝置之平均高度之關係圖。在圖3D中，可以先預設一容許誤差範圍例如±5%，當這些探針經過校正之後，與校正裝置10之間的平均高度在此容許的誤差範圍內，可以將具有複數支探針之測試裝置20傾斜一角度，使得每一支探針在待測晶圓(未在圖中表示)進行測試時，每一支探針與待測晶圓之間具有相同的接觸的平均高度，使得每一支探針與待測晶圓有相同的接觸程度。又，若有部份探針的其與校正裝置10之間的高度差已經超過(高於或是低於)此容許的誤差範圍時，則須要更換該支探針，使得所有進行測試的探針與校正裝置之間的高度差係在一容許範圍內。

因此，在本實施例中，根據每一支探針與校正裝置接觸之後的電容值的大小可以得知每一支探針與校正裝置之間的高度差，來制定出更換探針或是補償探針與校正裝置之間高度差的準則。

於另一實施例中，如圖3E，校正裝置30係由複數個測試區域301~303組成，且第一測試區域301係區分為第一次測試區域3011及第二次測試區域3012；第二測試區域302區分成第一次測試區域3022及第二次測試區域3022；以及第三測試區域303區分成第一次測試區域3031及第二次測試區域3032所組成，且以內連線(interconnect)32電性連接第一次測試區域3011、3021、3031與第二次測試區域3012、3022、3032。探針的校正方式與前述相似，其差異性在於，在進行探針校正時，將測試裝置20之每一支探針20a~20c分別對準每一個測試區域301~303之第一次測試區域3011、3021、3031，如圖3F。接著，將每一支探針20a~20c與每一個測試區域301~303之第一次測試區域3011、3021、3031接觸，而因應接觸第一次測試區域3011、3021、3031可以得到相對應每一支探針20a~20c之第一電性，做為校正方法中之基準值。接著，如圖3G，將測試裝置20平移，使得每一支探針20a~20c對準每一個測試區域301~303之第二次測試區域3012、3022、3032，將每一支探針20a~20c與每一個測試區域301~303之第二次測試區域3012、3022、3032接觸，因應接觸第二次測試區域3012、3022、3032可以得到相對應每一支探針20a~20c之第二電性，然後將第二電性與第一電性相減則可以得到每一支探針20a~20c接觸每一個測試區域301~303之平均電容值。接著，與前述之校正方式相同，經由平行電容電板之公式計算之後，得到每一支探針20a~20c與每一個測試區域301~303接觸時造成平行電板電容內之介電層上厚度d的變化量。因此，同樣可以由每一個測試區域301~303之電容值的大小可以判斷測試裝置20上之探針與校正裝置30之間的平均高度差，而當此平均高度差在一容許的誤差範圍時，可以將測試裝置20微調一傾斜角度，使得測試裝置20之每一支探針在進行待測晶圓測試時，與待測晶圓之間具有相同的接觸的平均高度差，使得每一支探針與待測晶圓有相同的接觸程度(即接觸壓力)。又，若有部份探針的電容值已經超過(高於或是低於)此容許的誤差範圍時，則須要更換該支探針，使得所有進行測試的探針與校正裝置之間的平均高度差係在一容許誤差範圍內。

本發明還揭露另一探針的校正方法及與校正裝置之實施例。圖4A，先提供具有複數個測試區域401~420之校正裝置40，其中，校正裝置40以及每一個測試區域401~420的詳細結構與圖1A相同，不再多加陳述。接著，將具有複數支探針20a~20d之測試裝置20置放在校正裝置40上方，且每一支探針20a~20d分別對準校正裝置40之每一個測試區域401~404，其中，每兩個測試區域中心之間的距離等於每兩支探針中心之間的距離。

為了說明以及繪製圖式方便，在以下實施例的說明中，係以四支探針20a~20d以及四個測試區域401~404來舉例說明。請參考圖4B，將第一探針20a、第二探針20b、第三探針20c及第四探針20d分別對準於校正裝置40之第一測試區域401、第二測試區域402、第三測試區域403及第四測試區域404，且將探針與測試區域接觸，但可僅選擇其中一探針的測量結果來代表全體。以圖中為例，其係因應第三探針20c與第三測試區域403的接觸程度，而有電性產生。然後，經由第三探針20c與第三測試區域403接觸之後的電性傳回測試裝置20。

額外要說明的是，於此實施例中，每一個測試區域401~404可再細分成mxm個感測單元S2，其中m可為至少大於1之正整數，本圖係以9為例進行說明，如圖4C。每一個感測單元S2係以選擇閘極(selective gate)及選擇汲極(selective drain)之方式來完成電性連接係可被分別讀取出來。因此，每一個測試區域401~404可以分別得到81個不同的電容值。據此，在上述之實施例中，第三探針20c與第三測試區域403接觸之後可以得到81個不同的電容值。而以一適當的驅動壓力所造成探針與測試區域間的適當接觸，將可得到一最佳的測試效果。因此，可以記錄下適當接觸時所測得之81個電容值來做為一組基準值。

接著，將此81個電容值與該組基準值相減而得到電容差值，再代入先前所述之電容與距離之關係式C=εA/d計算，可以得到第三探針20c與第三測試區域403接觸時，造成介電層100b有不同的厚度d變化。故可以由此81個電容值繪製出第三探針20c接觸第三測試區域403時之輪廓(footprint)，如圖4D所示。因此根據目前對探針所施加的之壓力(driving force)與容忍值做比較，可以判定測試裝置20在進行測試時，其壓力是否需要增加壓力或是減少。另外，在測試裝置20中的其他支探針在進行測試時，其相較於圖4D之同心圓的位置若有所偏移，在小於容忍度的條件下則可以調整該支探針之水平位置若超過容忍度之範圍則可考慮更換該支探針。

此外，於本實施例中，可以藉由改變第三探針20c與第三測試區域403之接觸的壓力，可以得到在不同的壓力下的電容值，如圖4E所示。因此，根據圖4E之壓力與電容值之關係圖，當待測晶圓進行測試時，可以藉由該測試裝置中之探針的壓力以得到相對應的電容值，再藉由電容值來判斷該待測晶圓之電性。

於再一實施例中，如圖4F，其校正裝置50係由複數個測試區域501~520(在此為說明及繪示方便係僅以三個測試區域501~503做為表示)所組成，每一個測試區域501~503係由第一次測試區域5011、5021、5031及第二次測試區域5012、5022、5032所組成，且以內連線52電性連接第一次測試區域5011、5021、5031及第二次測試區域5012、5022、5032。其校正方式與上述相似，在此不再多作陳述。其差異性在於，在進行校正時，將測試裝置20之每一支探針20a~20c分別對準每一個測試區域501、502、503之第一次測試區域5011、5021、5031。接著，如圖4G將其中一支探針，例如第三探針20c，係接觸所對應第三測試區域503之第一次測試區域5031接觸，因應所接觸之程度而得到一第一電性。接著，如圖4H，同樣是先將具有複數支探針之測試裝置20平移，使得每一支探針分別對準每一個測區域的第二次測試區域。據此，將第三探針20c對準於第三測試區域503之第二次測試區域5032。當施加一壓力以使第三探針20c接觸第三測試區域503之第二測試區域5032，而可以得到一第二電性。於此實施例中，第三探針20c接觸第三測試區域503之第一次測試區域5031時可以視為歸零或原點校正之接觸。將第二次測試區域5032得到之第二電性與第一次測試區域5031得到之第一電性相減可以得到一電容值差。若以每一個測試區域上之81個感測單元S2來說，此電容值差係由第二次測試區域5032上的81個感測單元所得到的81個不同的電容值與第一次測試區域5031上81個感測單元所得到的81個不同的電容值相減所得到之81個不同的電容值差。然後再經由此81個不同的電容值差也可以繪製出如前述圖4C所示之第三探針20c之輪廓圖。同樣的，對第三探針20c施加不同的壓力，計算第三探針20c在接觸第三測試區域503之第一次測試區域5031之第一電容值及接觸第三測試區域503之第二次測試區域5032之第二電容值而可以得到在另一壓力下之電容值。因此，同樣可以得到如圖4D之高度差與電容值之關係圖。

在本發明中，待測晶圓可以是晶圓電性驗收測試銲墊(WAT pads,wafer acceptance test pads)、在主動電路上之銲墊測試(BOAC pads,bond pad over active circuit pads)或是電路偵測銲墊測試(CP test pads,circuit probing test pads)。

因此，藉由此校正方式，可以得到每支探針的實際使用狀況，故可以對每一支探針的高度衝擊特性化。另外，可以建立探針高度模式(probe height model)，以適用於在高溫/低溫的待測晶圓的測試。此外，藉由此校正方式，可以維持並延長探針的使用壽命。而校正裝置10也可應用在半導體後段製程(BEOL,back-end-of-line)的動態操作。

另外，需說明的是，本發明所揭露之校正裝置及校正方法可以直接建立在晶圓測試系統內，藉由多工器(MUX)或是傳輸型之場效電晶體(transmission FET)控制，在待測晶圓進行測試之前，在測試系統內先啟動校正探針之功能。另外，也可以將此校正裝置形成在待測晶圓的切割道上，在測試步驟完成之後，可以藉由切割的方式輕易的將此校正裝置由待測晶圓上移除，亦或是將此校正裝置形成在一犧牲晶圓(dummy wafer)上，係在校正步驟完成之後，將此校正裝置移除，也不會影響待測晶圓本身的電性以及功能上的使用性。

雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

10、30、40、50．．．校正裝置

101~120、301~320、401~420、501~520．．．測試區域

20．．．測試裝置

20a~20l．．．探針

3011、3021、3031、5011、5021、5031．．．第一次測試區域

3012、3022、3032、5012、5022、5032．．．第二次測試區域

32、52．．．內連線結構

S1、S2．．．感測單元

100a．．．上導電板

100b．．．介電層

100c．．．下導電板

d．．．介電層厚度

d1~d4．．．高度差

圖1A表示校正裝置之外觀上視示意圖；

圖1B係表示測試區域之結構；

圖2係表示具有複數支探針之測試裝置與校正裝置接觸時，探針與校正裝置之距離之示意圖；

圖3A~3B係表示校正具有複數支探針之測試裝置之平均高度之一實施例之各步驟示意圖；

圖3C係表示具有nxn個感測單元之測試區域之示意圖；

圖3D係表示電容值與探針及校正裝置之高度差之關係圖；

圖3E~圖3G係表示校正具有複數支探針之測試裝置之平均高度之另一實施例之各步驟示意圖；

圖4A~圖4B係表示校正探針之施加壓力之各步驟示意圖；

圖4C係表示測試區域具有mxm個感測單元之示意圖；

圖4D係表示探針與測試區域接觸之後所產生之輪廓圖；

圖4E係表示探針之壓力與電容值之關係圖；以及

圖4F~圖4H係表示校正探針之施加壓力之另一實施例之各步驟示意圖。

20．．．測試裝置

20a．．．第一探針

20b．．．第二探針

20c．．．第三探針

20d．．．第四探針

10．．．校正裝置

101．．．第一測試區域

102．．．第二測試區域

103．．．第三測試區域

104．．．第四測試區域

Claims (20)

1. 一種校正裝置，應用於至少具有一第一探針與一第二探針之一測試裝置，該校正裝置包含：一第一測試區域及一第二測試區域，該第一測試區域及該第二測試區域係分別具有nxn個感測單元，其係因應該第一探針及該第二探針之接觸程度而產生對應於該第一測試區域之nxn個平均電性值及對應於該第二測試區域之另一nxn個平均電性值，該第一測試區域的中心到該第二測試區域的中心之間之一距離等於該第一探針的中心到該第二探針的中心之間之距離。
2. 如申請專利範圍第1項所述之校正裝置，其中第一該測試區域及該第二測試區域係由一上金屬層、一介電層及一下金屬層所組成之一平行電板電容。
3. 如申請專利範圍第2項所述之校正裝置，其中該介電層為金屬層間介電層(IMD)或內介電層(ILD)。
4. 如申請專利範圍第1項所述之校正裝置，其中該n為大於1之正整數。
5. 如申請專利範圍第1項所述之校正裝置，其中該平均電性值為平均電容值。
6. 如申請專利範圍第1項所述之校正裝置，其中該第一測試區域及該第二測試區域係具有一第一次測試區域及一第二次測試區域，且以一內連線結構電性連接該第一次測試區域及該第二次測試區域。
7. 一種校正裝置，應用於至少具有一第一探針與一第二探針之一測試裝置，該校正裝置包含：一第一測試區域及一第二測試區域，該第一測試區域及該第二測試區域分別具有mxm個感測單元，其係因應該第一探針之接觸程度而產生mxm個電性值，該第一測試區域及該第二測試區域之一間距等於該第一探針及該第二探針之一間距。
8. 如申請專利範圍第7項所述之校正裝置，其中該第一測試區域及該第二測試區域係由一上金屬層、一介電層及一下金屬層所組成之一平行電板電容。
9. 如申請專利範圍第8項所述之校正裝置，其中該介電層為金屬層間介電層(IMD)或內介電層(ILD)。
10. 如申請專利範圍第7項所述之校正裝置，其中該m為大於1之正整數。
11. 如申請專利範圍第7項所述之校正裝置，其中該電性為電容值。
12. 如申請專利範圍第7項所述之校正裝置，其中每一該測試區域係分別包含一第一次測試區域及一第二次測試區域，且以一內連線結構電性連接該第一次測試區域及該第二次測試區域。
13. 一種校正方法，應用於至少具有一第一探針與一第二探針之一測試裝置，該校正方法包含下列步驟：提供一第一測試區域與一第二測試區域，該第一測試區域與該第二測試區域之間距等於該第一探針與該第二探針之間距；將該第一探針與該第二探針對準該第一測試區域與該第二測試區域；接收該第一測試區域與該第二測試區域因應該第一探針、該第二探針分別與該第一測試區域與該第二測試區域之接觸程度所產生之該第一電性與該第二電性；以及根據該第一電性及/或該第二電性而對該第一探針與該第二探針進行校正。
14. 如申請專利範圍第13項所述之校正方法，其中該第一測試區域及該第二測試區域至少區分成nxn個感測單元。
15. 如申請專利範圍第14項所述之校正方法，其中n為大於1之正整數。
16. 如申請專利範圍第13項所述之校正方法，其中該第一電性及該第二電性為電容值。
17. 如申請專利範圍第13項所述之校正方法，其中包含計算該第一電性及該第二電性，以得到一平均電性，且藉由該平均電性可以得到該第一探針及該第二探針之平均高度。
18. 如申請專利範圍第17項所述之校正方法，其中當該平均高度大於一容忍誤差值，係更換相對應於該平均高度之該第一探針或該第二探針。
19. 如申請專利範圍第17項所述之校正方法，其中當該平均高度介於容忍誤差值之間，調整該第一探針及該第二探針之一傾斜角度，使得該第一探針及該第二探針以相同的平均高度進行測試。
20. 如申請專利範圍第17項所述之校正方法，其中包含計算該第一電性或該第二電性，以得到相對於該第一電性或該第二電性之一接觸壓力值。