TWI394505B - 多層配線基板的製造方法 - Google Patents

Description

多層配線基板的製造方法

本發明係關於多層配線基板的製造方法，特別是關於基板用材料的退火步驟。

近年來，隨著電氣機器、電子機器等的小型化，而在裝載於這些機器的配線基板等方面也被要求小型化和高密度化。為了因應市場的需求，而正在研討配線基板的多層化技術。作為此配線基板之多層化的方法，一般是採用所謂在核芯基板之正反兩面將樹脂’絕緣層和導體層交互層積一體化，所謂的增層(build up)法。

在製造此種多層配線基板的情況下，一般是使用在作為核芯基板之樹脂基板兩面上貼附有銅箔之構造的覆銅層積板。在此多層配線基板中，為了緩和將銅箔貼附於樹脂基板時所產生的內部應力，而施行將覆銅層積板加熱的退火處理(熱處理)(例如，參照專利文獻1)。爾後，蝕刻此覆銅層積板之銅箔而進行圖案化，藉以形成導體層。

[專利文獻1]特開2003-324260號公報

不過，在以往的退火處理中，例如，在熱風乾燥裝置51內，複數個覆銅層積板48係配置成平放堆積(橫放)，以構成此覆銅層積板48的樹脂材料之玻璃轉移點以上的溫度來加熱既定時間(例如參照第19圖)。在此加熱時，各覆銅層積板48為了防止因自身重量而撓曲，所以在無間隙而 重合的狀態下來進行配置。在此情況下，不會對所有基板均勻地傳遞熱量，外側之基板和內側之基板在高溫保持時間(玻璃轉移點以上之溫度的保持時間)方面發生差異。此高溫保持時間不同，在爾後之步驟(增層式層的層積步驟等)的核芯基板之收縮量不同，基板的收縮不均會擴大。其結果，在配備曝光遮罩的時候，很難對下層之配線圖案進行精度良好的對位，無法謀求配線圖案的細微化。

本發明係有鑑於上述的課題而完成者，其目的在於提供多層配線基板的製造方法，能在退火步驟中對複數個核芯基板均勻地傳遞熱量，減低基板的收縮不均。

作為用於解決上述課題的手段(手段1)，有一種多層配線基板的製造方法，該多層配線基板係在具有核芯基板導體層的核芯基板上，配置著由層積配線部導體層以及層間絕緣層所層積而成的層積配線部，該製造方法之特徵為包含：準備步驟，其準備在包含樹脂材料而構成之絕緣基板的主面上貼附金屬箔而成的複數個核芯基板用材料；退火步驟，其於在前述複數個核芯基板用材料之間設置空隙的狀態下，對前述複數個核芯基板用材料進行加熱；以及核芯基板導體層形成步驟，其在退火步驟之後，將前述金屬箔圖案化而形成前述核芯基板導體層。

因此，藉由手段1的多層配線基板之製造方法，在準備步驟中，於包含樹脂材料而構成之絕緣基板的主面上貼附金屬箔，藉以準備複數個核芯基板用材料。然後，在退火步驟中，在複數個核芯基板用材料之間設置空隙的狀態 下進行複數個核芯基板用材料的加熱。如同這般，在各核芯基板用材料之間設置空隙，藉以對各核芯基板用材料均勻地傳遞熱量，所以能減低絕緣基板的收縮不均。

在手段1的多層配線基板之製造方法的退火步驟中，如果在複數個核芯基板用材料之間存在有空隙，就能以任意狀態來進行配置，但最好是作為例如豎起的狀態。這是因為在這種配置式樣的情況下，變得容易在複數個核芯基板用材料之間設置空隙。此外，複數個核芯基板用材料係在該等之間設置空隙的狀態下以縱向放置為更佳。在此情況下，和橫向放置而設有空隙的情況不同，能夠防止絕緣基板撓曲的情形。因此，在核芯基板導體層形成步驟中，將金屬箔圖案化的時候，能正確地配置曝光遮罩，能夠精度良好地進行配線圖案的對位。其結果，核芯基板導體層的配線圖案能夠細微化。此外，也可以在豎立的狀態下垂吊複數個核芯基板用材料，但以豎立的狀態而支撐於任何支撐體上(亦即，縱向放置)者較能穩定地進行配置。

另外，在前述退火步驟中，較佳為使前述複數個核芯基板用材料之材料主面彼此面對而平行配置。若以此方式進行配置，因為熱風的流動方向變成固定，且熱風能平順地穿過空隙，所以能對各核芯基板用材料均勻地傳遞熱量。在此情況下，藉由使空隙固定，則能確實減低複數個核芯基板用材料之各個的加熱不均。

在前述退火步驟中，較佳為將前述複數個核芯基板用材料加熱至前述樹脂材料之玻璃轉移點以上的溫度，較佳為在此玻璃轉移點以上的溫度加熱240分鐘以上。在前述 準備步驟中貼附金屬箔的時候，在核芯基板用材料內殘存有內部應力，但藉由加熱至樹脂材料之玻璃轉移點以上的溫度，能確實釋放此內部應力。此外，樹脂材料之玻璃轉移點就是指在低溫區域呈現玻璃狀之堅硬易碎性質的樹脂材料會隨著溫度上升而變化成橡膠狀時的溫度。

在前述退火步驟中，最好是使用由能耐受前述樹脂材料的玻璃轉移點以上之溫度的耐熱性材料所組成，且以縱向放置來支撐前述複數個核芯基板用材料的基板支撐器具來進行加熱。作為此基板支撐器具，例如，能列舉出包含由不鏽鋼或陶瓷等之耐熱性材料所組成的框體(框架)而構成的棚架等，在退火步驟中，較佳為儘可能是不要遮蔽到用於加熱核芯基板用材料之熱風的構造。

前述基板支撐器具係較佳為具有用於在前述複數個核芯基板用材料之間確保前述空隙的間隔保持部。作為此間隔保持部，能列舉出在形成於基板支撐器具之框體上的溝部和框體中所固定之線材等的導引構件。

在前述退火步驟中，較佳為在熱風乾燥裝置內配置前述複數個核芯基板用材料，藉由吹拂熱風來加熱各核芯基板用材料，在此熱風乾燥裝置內，較佳為將前述複數個核芯基板用材料配置成平行於熱風方向而進行加熱。若以此方式配置各核芯基板用材料，熱風能通過材料之間的縫隙，此時能對各核芯基板用材料均勻地傳遞熱量，更減低了絕緣基板的收縮不均。

作為形成前述核芯基板的樹脂材料，能考慮成本性、加工性、絕緣性、機器強度等而進行適當選擇。作為核芯 基板的具體範例，有EP樹脂(環氧樹脂)基板、PI樹脂(聚醯亞胺樹脂)基板、BT樹脂(雙馬來醯亞胺-三樹脂)基板、PPE樹脂(聚苯醚樹脂)基板等。除此之外，也可以使用由這些樹脂和玻璃纖維(玻璃織布和玻璃不織布)或聚醯胺纖維等之有機纖維的複合材料所組成的基板。或者，也可以使用將環氧樹脂等之熱硬化性樹脂含浸於連續多孔質PTFE之三維網目狀氟系樹脂基材的樹脂－樹脂複合材料所組成之基板等。此外，也可以在前述核芯基板中形成貫通其上面及下面的複數個鍍通孔等，也可以在那些複數個鍍通孔內填入填充材料。另外，上述核芯基板可以是在其內部形成配線層的基板，也可以是埋入有晶片電容器和晶片阻抗等之電子零件的基板。

前述核芯基板導體層以及層積配線部導體層的形成手法，係能考慮導電性及與樹脂絕緣層的緊密性等而進行適當的選擇。作為各導體層的材料範例，能舉出銅、銅合金、鎳、鎳合金、錫、錫合金等。另外，能以減成法(subtractive)、半加成法(semi-additive)、全加成法(full-additive)等之習知的手法來形成該導體層。具體而言，能夠採用例如銅箔之蝕刻、無電解鍍銅或者電解鍍銅、無電解鍍鎳或者電解鍍鎳等的手法。此外，可由濺鍍或CVD等之手法形成金屬層以後進行蝕刻以形成導體層，或藉由印刷導電性糊漿等來形成導體層。

前述層間絕緣層係例如採用具有熱硬化性的樹脂而形成。作為熱硬化性樹脂的適當例，則列舉出了EP樹脂(環氧樹脂)、PI樹脂(聚醯亞胺樹脂)、BT樹脂(雙馬來醯亞胺- 三樹脂)、苯酚樹脂、二甲苯樹脂、聚脂樹脂、矽樹脂等。即使在這些當中，較佳為選擇EP樹脂(環氧樹脂)、PI樹脂(聚醯亞胺樹脂)、BT樹脂(雙馬來醯亞胺-三樹脂)。例如，作為環氧樹脂，使用所謂的BP(雙酚)型、PN(苯酚酚醛清漆)型、CN(甲酚酚醛清漆)型者即可。特別是，以BP(雙酚)型為主體者即可，BPA(雙酚A)型和BPF(雙酚F)型為最佳。

根據圖式來詳細說明將本發明具體化之多層配線基板的一實施形態。第1圖係多層配線基板的概略平面圖，第2圖係多層配線基板的截面圖。

如第1圖所示，多層配線基板11由平面觀看呈現矩形狀，且具有複數(在此為4×4個)個製品區域100，及包圍那些製品區域100的框部區域101。因為框部區域101不會成為製品，所以在最後會經過切割步驟而被切除。

如第2圖所示，構成多層配線基板11的核芯基板12係由玻璃環氧所組成的略矩形板狀之構件(厚度0.8mm)，並具有作為主面的上面13以及下面14。核芯基板12的上面13形成有第1增層式(build up)層15(層積配線部)，核芯基板12的下面14形成有第2增層式層16(層積配線部)。在核芯基板12的製品區域100之既定處，係形成有使上面13以及下面14連通的多數個鍍通孔17。在位於鍍通孔17內的空洞部中，則填充有由加入銅填充物之環氧樹脂所組成的填充材料18。另外，在核芯基板12的上面13以及下面14係形成有由銅所組成之導體層19(核芯基板導體層)之圖案，各導體層19係電氣連接於鍍通孔17。

在核芯基板12之上面13形成的第1增層式層15係具有由環氧樹脂組成之樹脂絕緣層20、21(層間絕緣層)及由銅組成之導體層22、23(層積配線部導體層)以各2層層積的構造。在本實施形態中，各樹脂絕緣層20、21的厚度是40μm左右，各導體層22、23的厚度是20μm左右。

在第2層樹脂絕緣層21的表面上的複數處，構成導體層23的端子襯墊230係形成為陣列狀。第1層樹脂絕緣層20內設有複數個導通孔25以及通孔導體26，第2層樹脂絕緣層21內設有複數個導通孔27以及通孔導體28。介由這些通孔導體26、28，導體層19、22以及端子襯墊230會相互地電氣連接。另外，第2層樹脂絕緣層21的表面係被防焊部29所大致全體地覆蓋。在防焊部29的既定處，形成使端子襯墊230露出的開口部30。各端子襯墊230係介由未圖示之焊料凸塊而電氣連接於IC晶片(半導體積體電路元件)的連接端子。

形成在核芯基板12之下面14上的第2增層式層16係具有和上述第1增層式層15大致相同的構造。亦即，第2增層式層16具有由環氧樹脂組成之樹脂絕緣層31、32及由銅組成之導體層33、34以各2層層積的構造。在第2層樹脂絕緣層32之下面上的複數處，構成導體層34的BGA用襯墊340係形成為陣列狀。第1層樹脂絕緣層31內設有複數個導通孔25以及通孔導體26，第2層樹脂絕緣層32內設有複數個導通孔27以及通孔導體28。介由這些通孔導體26、28，導體層19、33以及BGA用襯墊340會相互地電氣連接。另外，第2層樹脂絕緣層32的下面係被防焊部 36所大致全體地覆蓋。在防焊部36的既定處，形成使BGA用襯墊340露出的開口部37。BGA用襯墊340的表面上係配設有複數個焊料凸塊38，用以謀求和未圖示之主板(mother board)進行電氣連接，藉由各焊料凸塊38，多層配線基板11會被組裝於未圖示之主板。

接著，就上述構成之多層配線基板11的製造順序來進行說明。

首先，在準備步驟中，準備將銅箔47(金屬箔)貼附於由玻璃環氧所組成之絕緣基板46的上面以及下面而成的複數個兩面覆銅層積板48(核芯基板用材料)(參照第3圖)。

然後，在退火步驟中，進行作為核芯基板用材料的各兩面覆銅層積板48的加熱。具體而言，如第4圖所示，在收納架50(基板支撐器具)中設有空隙的狀態下，縱向放置複數個(例如24片)的兩面覆銅層積板48。使各兩面覆銅層積板48的主面12A(材料主面)彼此面對而配置成平行，而各兩面覆銅層積板48之空隙會成為固定。將此狀態的收納架50配置於熱風乾燥裝置51內，並以200℃加熱240分鐘。在本實施形態的熱風乾燥裝置51中，其構成為在裝置上部設有送風風扇52，被加熱部53加熱的熱風W1會從上方朝向下方送風。

如第5圖、第6圖所示，收納架50係具備：框架(框體)55，其係使用耐熱性材料(例如，不鏽鋼)而形成為盒狀；以及複數個保持導部56(間隔保持部)，其以既定間距而固定於此框架55，並用以在各覆銅層積板48間確保空隙。各保持導部56，係例如使用直徑2mm左右的不鏽鋼製之線材 而形成，且在成為框架55所面對之側部的位置上，設置成沿著兩面覆銅層積板48的插入方向(本實施形態中是上下方向)。然後，兩面覆銅層積板48之緣部(框部區域101)係被插入並保持於鄰近的2根保持導部56的縫隙之間。

進行退火步驟之後，對從收納架50取出之兩面覆銅層積板48，使用YAG雷射或者碳酸氣體雷射來進行雷射開孔加工，並在既定位置形成貫通兩面覆銅層積板48的貫通孔。然後，依照習知手法而進行無電解鍍銅以及電解鍍銅以形成鍍通孔17之後，在此鍍通孔17內填入填充材料18並使之熱硬化。

爾後，在核芯基板導體層形成步驟中，進行基板兩面之銅箔47的蝕刻，藉以在核芯基板12上圖案化導體層19。具體而言，無電解鍍銅之後，在基板表面上配置曝光用玻璃遮罩並進行曝光，進一步進行顯影來形成既定圖案的抗鍍層。在此狀態下以無電解鍍銅層作為共同電極而施行電解鍍銅以後，首先溶解並除去抗鍍層，進一步以蝕刻來除去不需要的無電解鍍銅層。其結果，在核芯基板12的表面上形成既定圖案的導體層19(參照第7圖)。

在絕緣層形成步驟中，在核芯基板12的上面13以及下面14，以分別將由環氧樹脂作為主要成分之膜狀絕緣樹脂材料重合的方式來進行配置。然後，利用真空壓接熱壓力機(未圖示)於真空下對這種層積物進行加壓加熱，藉以使膜狀絕緣樹脂材料硬化，並在上面13以及下面14各自形成第1層樹脂絕緣層20、31(參照第8圖)。

藉由對樹脂絕緣層20、31之既定位置照射雷射而形成 導通孔25(參照第9圖)。然後，藉由進行無電解鍍銅，在導通孔25內形成通孔導體26，同時在樹脂絕緣層20的上面全體形成無電解鍍銅層。爾後，進行曝光以及顯影以形成既定圖案的抗鍍層。然後，施行電解鍍銅之後，首先溶解並除去抗鍍層，進一步以蝕刻來除去不需要的無電解鍍銅層。其結果，在樹脂絕緣層20、31上形成既定圖案的導體層22、33(參照第10圖)。

接著，與上述第1層樹脂絕緣層20、31相同的情況下，進行絕緣層形成步驟，藉以形成第2層樹脂絕緣層21、32。此外，對樹脂絕緣層21、32之既定位置照射雷射，藉以形成導通孔27(參照第11圖)。然後，進行無電解鍍銅，藉以在導通孔27內形成通孔導體28，同時在樹脂絕緣層21、32上面全體形成無電解鍍銅層。爾後，進行曝光以及顯影以形成既定圖案的抗鍍層，並施行電解鍍銅。然後，溶解並除去抗鍍層之後，進一步以蝕刻來除去不需要的無電解鍍銅層。其結果，在樹脂絕緣層21上形成複數個端子襯墊230，同時在樹脂絕緣層32上形成複數個BGA用襯墊340(參照第12圖)。

在防焊部形成步驟中，在核芯基板12之上面以及下面的表面上塗佈感光性液態樹脂材料並使之硬化，以形成防焊部29、36(參照第13圖)。此外，在本實施形態中，能使用無鹵素型的感光性液態防焊部(例如日立化成工業股份公司製的SR-7200)。

接著，在開孔步驟中，以使曝光用玻璃遮罩58重合於防焊部29之表面的方式來進行配置(參照第14圖)。在此狀 態下，介由曝光用玻璃遮罩58來進行曝光，進一步進行顯影，藉以在防焊部29上圖案化開口部30(參照第15圖)。

另外，在核芯基板12下面側之防焊部36方面，也同樣地在防焊部36的表面上配置曝光用玻璃遮罩58，進行曝光以及顯影，在防焊部36上圖案化開口部37(參照第15圖)。

然後，對從各開口部30露出之端子襯墊230或從各開口部37露出之BGA用襯墊340，進行表面粗化處理以及進行鎳-金電鍍處理。爾後，利用習知的手法來進行焊料凸塊形成步驟，在BGA用襯墊340的表面上形成焊料凸塊38(參照第2圖)。具體而言，在防焊部36上載置既定圖案的遮罩，在BGA用襯墊340上印刷焊料糊漿以後，將此焊料糊漿進行回焊(reflow)。爾後，將以一大張的狀態而一體化的中間製品，使用切割刀具等的切斷器具而切割分離成各個小片，藉以完成多層配線基板。

為了確認在本實施形態之製造方法的效果，在上述的退火步驟中，在以縱向放置而收納於收納架50的各覆銅層積板48之複數個位置(第16圖所示的測定點)上配置溫度感測器，測定在各測定點的溫度。於第17圖表示其結果。在此，作為熱風乾燥裝置51的設定條件，溫度是200℃，時間是240分鐘。此外，於第17圖中，在所測定之溫度為最高的測定點(Max)、最低的測定點(Min)和平均溫度的測定點(Ave)方面，以一覽表來表示了在各測定點之最高溫度(Max.temp)以及比玻璃轉移點Tg(例如180℃)還要高的溫度所保持的保持時間(Keep time)。另外，此一覽表中，也表示由 測定點(Max)和測定點(Min)所測定的最高溫度以及保持時間的不均R(誤差)。

另外，本案發明人係如同習知技術般地以橫向放置來配置複數個覆銅層積板48，並測定以和上述相同條件(200℃、240分鐘)而加熱時之複數個位置(參照第18圖以及第19圖)的溫度。此外，在第18圖的情況下(比較例1)，於熱風乾燥裝置51內，以平坦堆積的50片覆銅層積板48者為1組，並將其配置3段份量(3組份量)。另外，在第19圖的情況下(比較例2)，在熱風乾燥裝置51內，將50片覆銅層積板48配置成平坦堆積(1組份量)。在第20圖中表示比較例1之情況的測定結果，在第21圖中表示比較例2之情況的測定結果。

如第20圖以及第21圖所示，在比較例1、2的情況下，在各測定點的溫度不同，不會對各覆銅層積板48均勻地傳遞熱量。另外，玻璃轉移點Tg以上的保持時間(Keep time)也在各測定點發生不均R。

相對於此，如第17圖所示，在本實施形態的情況下，各測定點的溫度大致相同，而確認了可對各覆銅層積板48均勻地傳遞熱量。另外，玻璃轉移點Tg以上的保持時間(Keep time)方面，不均R會較比較例1、2的情況還要小，且能確保充分長的時間。

此外，本案發明人確認了本實施形態之製造方法的基板之收縮不均。作為具體的確認方法，如第22圖所示，於在準備步驟所準備之兩面覆銅層積板48中，在成為框部區域101之四個角隅所對應的位置上預先形成導引孔60，直 到進行防焊部29、36之曝光的開孔步驟為止以前的各製造步驟中，測定各導引孔60之間隔來作為平板間距P。然後，以形成導引孔60時(退火步驟前)的平板間距P作為基準，而測定退火步驟後之各製造步驟的平板間距P之誤差△P。在第23圖中表示其結果。此外，在此，針對已變更覆銅層積板48的絕緣基板46之材質和銅箔47之厚度的3個樣品1～3，測定平板間距P的誤差△P。此外，在各樣品1～3方面，也測定將覆銅層積板48平坦堆積並行加熱時(參照第18圖)的平板間距P之誤差△P，並將此測定結果作為比較例而表示於第23圖的左側。如第23圖所示，在本實施形態的製造方法中，相較於比較例的情況，則確認了標準偏差Std之值小，平板間距P之不均會變小。

此外，本案發明人測定了防焊部29、36之開口部30、37相對於位在防焊部29、36下層之導體層23、34(端子襯墊230、BGA用襯墊340)的位置精度。在第24圖表示其結果。此外，在此也針對已變更覆銅層積板48的絕緣基板46之材質和銅箔47之厚度的3個樣品1～3來測定位置精度。另外，將覆銅層積板48平坦堆積並進行加熱時(參照第18圖)之位置精度亦作為比較例而表示於第24圖的左側。如第24圖所示，在本實施形態的製造方法中，相較於比較例的情況，則確認了開口部30、37的位置偏移小，能精度良好地形成各開口部30、37。

因此，藉由本實施形態而能獲得以下的效果。

(1) 在本實施形態的多層配線基板11之製造方法中，於退火步驟中，藉由使用收納架50，能在將空隙設於複數 個核芯基板用材料之間的狀態下，將複數個覆銅層積板48配置成縱向放置，能在此狀態下加熱各覆銅層積板48。如同這般，在各覆銅層積板48之間設置空隙，藉以在熱風乾燥裝置51中使熱風W1吹至各覆銅層積板48的全體，對那些覆銅層積板48均勻地傳遞熱量。藉此，能減低絕緣基板46的收縮不均。另外，因為各覆銅層積板48在設有空隙的狀態下而配置成縱向放置，所以和橫向放置而設置空隙的情況不同，能夠防止絕緣基板46撓曲的情形。因此，對覆銅層積板48之銅箔47進行圖案化時，能夠精度良好地進行此圖案的對位。另外，因為能抑制在退火步驟以後之各步驟的基板收縮不均，所以在增層式層15、16之導體層22、23、33、34或防焊部29、36之開口部30、37的形成步驟中，相對於下層的配線圖案能夠正確地配置曝光用玻璃遮罩58等，能進行配線圖案的細微化。

(2) 在本實施形態的情況下，於退火步驟中，因為複數個覆銅層積板48會在樹脂材料之玻璃轉移點Tg以上的溫度而被加熱240分鐘以上，所以能確實釋放覆銅層積板48的內部應力。

(3) 本實施形態的收納架50係因為由能承受玻璃轉移點Tg以上之溫度的耐熱性材料(具體而言，不鏽鋼)所組成，所以能確實地進行覆銅層積板48的退火。另外，收納架50係由盒狀的框架55所組成，因為是不會遮蔽熱風W1的構造，所以能確實地加熱各覆銅層積板48。

(4) 本實施形態的收納架50中，為了確保各覆銅層積板48的空隙而設置複數個保持導部56(間隔保持部)。此保 持導部56係利用不鏽鋼製的線材而形成，且設置成沿著作為熱風W1之送風方向的上下方向。然後，藉由將兩面覆銅層積板48的緣部(框部區域101)插入於鄰近的2根保持導部56的縫隙之間，能以縱向放置的方式來保持各覆銅層積板48。以此方式，能防止由於保持導部56而遮蔽熱風W1的情形，能使熱風W1確實地吹至各覆銅層積板48的製品區域100。

(5) 在本實施形態的熱風乾燥裝置51中，在其上部設有送風風扇52，並構成為將被加熱部53所加熱之熱風W1從上方朝向下方而進行送風。在此情況下，對於使用收納架50而配置成縱向放置的各覆銅層積板48，平行地將熱風W1進行送風。因此，熱風W1能穿過各覆銅層積板48之間的間隙，此時能對各覆銅層積板48均勻地傳遞熱量，能更減低絕緣基板46的收縮不均。

此外，本發明之實施形態亦可如同以下進行變更。

‧在上述實施形態的熱風乾燥裝置51中，係在其上部設有送風風扇52，且從上方將熱風W1朝向下方送風，但也可以如第25圖所示，構成為在裝置側面上設置送風風扇，在橫向方向(水平方向)上將熱風W1進行送風。此外，在此情況下，以各覆銅層積板48與熱風W1之方向平行的方式來配置收納架50並進行加熱。換言之，若能確保空隙，則亦可將各覆銅層積板48橫向放置並進行退火步驟。

‧在上述實施形態的收納架50中，作為兩面覆銅層積板48之間隔保持部，是具有由線材組成的保持導部56者，但並非被侷限於此。具體而言，也可以在框架55的一部 分，以等間隔而形成基板緣部可插入的凹部(例如，定位溝)，使用那些凹部來作為間隔保持部。此外，也可以在框架55的一部分設置用以夾入基板緣部的複數個凸部(例如，固定用的小片突起)，使用那些凸部來作為間隔保持部。

‧上述實施形態中，多層配線基板11的封裝形態是BGA(球閘陣列封裝)，但並非僅侷限於BGA，也可以是例如PGA(插針網格陣列)或LGA(平面閘格陣列)等。

‧上述實施形態中，使各覆銅層積板48以90度站立之狀態下的縱向放置來進行退火步驟，但並非侷限於此，亦可作成例如第26圖所示之其他的實施型態。亦即，在第26圖中，複數個核芯基板用材料係被斜向放置地保持於收納架50B。

‧上述實施形態中，使各覆銅層積板48支撐於收納架，但除此之外，也可以例如使用如第27圖所示之吊下器具50A而垂吊各覆銅層積板48並加以保持。在此情況下，各覆銅層積板48係藉由保持導部58(間隔保持部)而被保持於一定的間隔即可。

接著，除了申請專利範圍所記載之技術思想以外，以下則列舉由前述實施形態所掌握之技術思想。

(1) 一種多層配線基板的製造方法，前述多層配線基板係在具有核芯基板導體層的核芯基板上，配置著由層積配線部導體層以及層間絕緣層所層積而成的層積配線部，前述製造方法之特徵為包含：準備步驟，其準備在包含樹脂材料而構成之絕緣基板的主面上貼附金屬箔而成的複數個核芯基板用材料；退火步驟，其於在前述複數個核芯基 板用材料之間設置空隙的狀態下，將前述複數個核芯基板用材料縱向放置並進行加熱；以及核芯基板導體層形成步驟，其在退火步驟之後，將前述金屬箔圖案化而形成前述核芯基板導體層，而在前述退火步驟中，將前述複數個核芯基板用材料以前述樹脂材料之玻璃轉移點以上的溫度加熱240分鐘以上。

(2) 在上述(1)中之多層配線基板的製造方法，其特徵為於前述退火步驟中，將前述複數個核芯基板用材料配置於熱風乾燥裝置內並進行加熱。

11‧‧‧多層配線基板

12‧‧‧核芯基板

15、16‧‧‧作為層積配線部的增層式層

19‧‧‧作為核芯基板導體層的導體層

20、21、31、32‧‧‧作為層間絕緣層的樹脂絕緣層

22、23、33、34‧‧‧作為層積配線部導體層的導體層

46‧‧‧絕緣基板

47‧‧‧作為金屬箔的銅箔

48‧‧‧作為核芯基板用材料的兩面覆銅層積板

50、50B‧‧‧作為基板支撐器具的收納架

50A‧‧‧作為基板支撐器具的吊下器具

51‧‧‧熱風乾燥裝置

52‧‧‧送風風扇

53‧‧‧加熱部

56、58‧‧‧作為間隔保持部的保持導部

W1‧‧‧熱風

第1圖係表示將本發明具體化的一實施形態之多層配線基板的概略平面圖。

第2圖係表示將本發明具體化的一實施形態之多層配線基板的主要部分截面圖。

第3圖係用於說明一實施形態之多層配線基板的製造方法的截面圖。

第4圖係表示熱風乾燥裝置的正面圖。

第5圖係表示收納架(縱放狀態)的正面圖。

第6圖係表示收納架(縱放狀態)的側面圖。

第7圖係用於說明一實施形態之多層配線基板的製造方法的截面圖。

第8圖係用於說明一實施形態之多層配線基板的製造方法的截面圖。

第9圖係用於說明一實施形態之多層配線基板的製造方法的截面圖。

第10圖係用於說明一實施形態之多層配線基板的製造方法的截面圖。

第11圖係用於說明一實施形態之多層配線基板的製造方法的截面圖。

第12圖係用於說明一實施形態之多層配線基板的製造方法的截面圖。

第13圖係用於說明一實施形態之多層配線基板的製造方法的截面圖。

第14圖係用於說明一實施形態之多層配線基板的製造方法的截面圖。

第15圖係用於說明一實施形態之多層配線基板的製造方法的截面圖。

第16圖係表示在一實施形態中縱放配置之各覆銅層積板的溫度之測定點的說明圖。

第17圖係表示在一實施形態之各測定點的溫度變化之說明圖。

第18圖係表示在比較例1中橫放配置之各覆銅層積板的溫度之測定點的說明圖。

第19圖係表示在比較例2中橫放配置之各覆銅層積板的溫度之測定點的說明圖。

第20圖係表示在比較例1之各測定點的溫度變化之說明圖。

第21圖係表示在比較例2的各測定點的溫度變化之說明圖。

第22圖係表示導引孔以及平板間距的平面圖。

第23圖係表示基板收縮不均的說明圖。

第24圖係表示防焊部之開口部的位置精度的說明圖。

第25圖係表示其他實施形態之收納架(橫放狀態)的正面圖。

第26圖係表示其他實施形態之收納架(斜放狀態)的正面圖。

第27圖係表示其他實施形態之吊下器具(吊下狀態)的正面圖。

48‧‧‧作為核芯基板用材料的兩面覆銅層積板

50‧‧‧作為基板支撐器具的收納架

51‧‧‧熱風乾燥裝置

52‧‧‧送風風扇

53‧‧‧加熱部

W1‧‧‧熱風

Claims (10)

1. 一種製造多層配線基板的方法，前述多層配線基板包含層積配線部(15、16)，其結構為在具有核芯基板導體層(19)的核芯基板(12)上，層積有複數個層積配線部導體層(22、23、33、34)以及複數個層間絕緣層(20、21、31、32)，前述方法包含以下步驟：準備步驟，其準備藉由在包含樹脂材料之絕緣基板(46)的主面貼附金屬箔(47)而形成的複數個核芯基板用材料(48)；退火步驟，其於在前述複數個核芯基板用材料之間設置空隙且被彼此平行豎立的狀態下，對前述複數個核芯基板用材料(48)進行加熱；以及核芯基板導體層形成步驟，其在退火步驟之後，藉由將前述金屬箔(47)圖案化而形成前述核芯基板導體層(19)。
2. 如申請專利範圍第1項之製造多層配線基板的方法，其中，在前述退火步驟中，前述複數個核芯基板用材料(48)係被豎立在基板支撐器具(50、50A、50B)上。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項之製造多層配線基板的方法，其中，在前述退火步驟中，前述複數個核芯基板 用材料(48)係被平行地配置，使得其主面(12A)係彼此相互面對。
4. 如申請專利範圍第1項或第2項之製造多層配線基板的方法，其中，在前述退火步驟中，前述複數個核芯基板用材料(48)係被配置成平行且於前述核芯基板用材料之間具有預定間隔，使得其前述主面(12A)係彼此相互面對。
5. 如申請專利範圍第1項或第2項之製造多層配線基板的方法，其中，在前述退火步驟中，在等於或高於前述樹脂材料之玻璃轉移點的溫度，加熱前述複數個核芯基板用材料(48)。
6. 如申請專利範圍第1項或第2項之製造多層配線基板的方法，其中，在前述退火步驟中，前述複數個核芯基板用材料(48)被加熱歷時240分鐘或以上。
7. 如申請專利範圍第1項或第2項之製造多層配線基板的方法，其中，在前述退火步驟中，將前述複數個核芯基板用材料(48)配置於熱風乾燥裝置(51)中並加熱。
8. 如申請專利範圍第1項或第2項之製造多層配線基板的方法，其中，使用由能耐受等於或高於前述樹脂材料之玻璃轉移點的溫度的耐熱材料所製成之前述基板支撐器具(50、50A、50B)來支撐前述複數個核芯基板用材料(48)，使前述複數個核芯基板用材料在前述退火步驟中，被加熱時，處在豎立於前述基板支撐器具(50、50A、50B)上的狀態下。
9. 如申請專利範圍第8項之製造多層配線基板的方法，其中，前述基板支撐器具(50、50A、50B)包括間隔保持部(56、58)，用以確保在前述複數個核芯基板用材料之間的間隔。
10. 如申請專利範圍第1項或第2項之製造多層配線基板的方法，其中，當在前述退火步驟中加熱前述核芯基板用材料(48)時，前述複數個核芯基板用材料(48)係配置成平行於熱風(W1)的方向。