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TWI388942B - 加熱裝置、加熱方法及記憶媒體 - Google Patents

加熱裝置、加熱方法及記憶媒體 Download PDF

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TWI388942B
TWI388942B TW097102209A TW97102209A TWI388942B TW I388942 B TWI388942 B TW I388942B TW 097102209 A TW097102209 A TW 097102209A TW 97102209 A TW97102209 A TW 97102209A TW I388942 B TWI388942 B TW I388942B
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TW
Taiwan
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substrate
heating
gas
heating plate
supply port
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Application number
TW097102209A
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English (en)
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TW200837511A (en
Inventor
川路辰也
坂井祐一
金田正利
Original Assignee
東京威力科創股份有限公司
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Publication date
Application filed by 東京威力科創股份有限公司 filed Critical 東京威力科創股份有限公司
Publication of TW200837511A publication Critical patent/TW200837511A/zh
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Publication of TWI388942B publication Critical patent/TWI388942B/zh

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    • H10P95/90—
    • H10P72/0434—
    • H10P72/7614—
    • H10P72/78—
    • H10P95/00—

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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

加熱裝置、加熱方法及記憶媒體
本發明是用以加熱表面被塗佈塗佈膜的基板之加熱裝置、加熱方法以及記憶此加熱方法的記憶媒體。
在用以對基板塗佈塗佈膜(例如阻劑膜)後顯像的塗佈．顯像裝置中組裝有用以進行基板的加熱或冷卻的加熱裝置。
參照圖12來說明如此的裝置，例如有關用以加熱基板的加熱裝置101。此加熱裝置101是將基板103載置於加熱板102，例如藉由埋設於加熱板102的加熱器104來加熱基板103，且對該基板103供給氮氣體等，使自基板103發生的有機溶劑等的揮發物質經由捕集部105等藉由排氣裝置110來排氣。就該加熱裝置101而言，若使基板103直接接觸於加熱板102的表面，則會有粒子附著於基板103的背面之虞，因此在加熱板102的表面例如設置複數的銷108，將基板103載置於該銷108，而使能夠經由形成於基板103與加熱板102之間的所謂鄰近間隙(proximity gap)的空氣層來加熱基板103。
可是在基板103的表面形成塗佈膜等時，有時會因該塗佈膜等的應力而使得基板103彎曲。針對如此的基板103，為了在面內均一地加熱，而於加熱板102設置複數的吸引路106，藉由真空泵107來將基板103吸引至加熱 板102側，利用所謂的真空吸盤(vacuum chuck)方式進行矯正，使基板103的形狀能夠形成平坦，進行熱處理的方法為人所知。如上述，加熱裝置101內的環境會因為來自基板103表面的塗佈膜之例如揮發物質或昇華物等而被汚染，因此一旦從吸引路106吸引基板103，則該被汚染的環境會流入吸引路106內。此揮發物質或昇華物等，一旦溫度下降則凝固，因此在吸引路106內析出，成為該吸引路106的阻塞原因，其結果，吸引力會降低，無法矯正基板103的形狀，在面內熱處理產生不均。
在專利文獻1中記載有實質地密閉基板與加熱板之間的空氣層，使外部的空氣不會流入的技術，但基板背面的周緣部會因為例如阻劑液從基板的表面繞進而被汚染，藉與加熱板的接觸而該汚染會擴散，因此無法利用如此的技術。
[專利文獻1]特開平6-338450 (0027)
本發明是有鑑於上述情事而研發者，其目的是在於提供一藉由設於加熱板上的複數個突起來保持表面被塗佈塗佈膜的基板，將該基板吸引於加熱板側且予以加熱時，可抑止因用以吸引基板的吸引路內之揮發物質等的析出所造成吸引量的降低，在基板間及基板的面內均一地加熱之技術。
本發明的加熱裝置，係用以加熱表面被塗佈塗佈膜的基板之加熱裝置，其特徵係具備：處理容器，其係具有用以對上述基板的表面供給淨化氣體的給氣口及用以排除從該給氣口供給的上述淨化氣體的排氣口；加熱板，其係設置於該處理容器內，設有用以加熱上述基板的加熱手段；複數的突起，其係設於該加熱板的表面，用以保持上述基板；複數的吸引孔，其係設於該加熱板，用以將上述基板吸引至該加熱板側；繞進防止用氣體取入口，其係包圍載置於上述加熱板上的基板，為了防止往上述基板的背面側之淨化氣體的繞進，而朝向該基板的背面與加熱板之間開口。
又，本發明的加熱裝置，可具備：包圍上述加熱板上的上述基板，上面形成引導上述淨化氣體至外方的整流面之環狀構件，上述繞進防止用氣體取入口係形成於上述環狀構件的內周面。
上述環狀構件可具備用以加熱上述基板的加熱手段。
本發明的其他加熱裝置，係用以加熱表面被塗佈塗佈膜的基板之加熱裝置，其特徵係具備：處理容器，其係具有用以對上述基板的表面供給淨化 氣體的給氣口及用以排除從該給氣口供給的上述淨化氣體的排氣口；加熱板，其係設置於該處理容器內，設有用以加熱上述基板的加熱手段；複數的突起，其係設於該加熱板的表面，用以保持上述基板；複數的吸引孔，其係設於該加熱板，用以將上述基板吸引至該加熱板側；繞進防止用氣體取入口，其係於比上述加熱板上的基板的外緣更靠內側位置且比上述吸引孔更靠外側位置，沿著基板的周方向來設於該加熱板，用以防止往基板的背面側之淨化氣體的繞進。
上述繞進防止用氣體取入口，可一端側形成於被大氣開放的氣體供給路的另一端側。
上述排氣口最好設於比繞進防止用氣體取入口更靠外方側。又，上述排氣口最好設於處理容器的側壁。
本發明的加熱方法，係用以加熱表面被塗佈塗佈膜的基板之加熱方法，其特徵係包含：在設於處理容器內的加熱板上的複數的突起上載置上述基板之工程；其次，從設於上述加熱板的複數的吸引孔吸引上述基板之工程；對上述基板的表面供給淨化氣體之工程；排除上述淨化氣體之工程； 為了防止往上述基板的背面側之淨化氣體的繞進，而包圍載置於上述加熱板上的基板，從朝向上述基板的背面與上述加熱板之間開口的繞進防止用氣體取入口往上述吸引孔形成氣體流之工程；及藉由加熱板來加熱上述基板之工程。
形成上述氣體流的工程可為：從設成包圍上述加熱板上的上述基板之環狀構件的內周面所形成的繞進防止用的取入口往上述吸引孔形成氣體流，更藉由形成整流面的上述環狀構件的上面來將上述淨化氣體引導至外方之工程。
又，加熱上述基板的工程，可更包含藉由設於上述環狀構件的加熱手段來加熱的工程。
本發明的其他加熱方法，係用以加熱表面被塗佈塗佈膜的基板之加熱方法，其特徵係包含：在設於處理容器內的加熱板上的複數的突起上載置上述基板之工程；其次，從設於上述加熱板的複數的吸引孔吸引上述基板之工程；對上述基板的表面供給淨化氣體之工程；排除上述淨化氣體之工程；為了防止往上述基板的背面側之淨化氣體的繞進，而包圍載置於上述加熱板上的基板，在比上述加熱板上的基板的外緣更靠內側位置且比上述吸引孔更靠外側位置，從沿著基板的周方向來設於該加熱板的繞進防止用氣體取入口往上述吸引孔形成氣體流之工程；及 藉由加熱板來加熱上述基板之工程。
上述繞進防止用氣體取入口，可一端側形成於被大氣開放的氣體供給路的另一端側，上述氣體流係藉由來自上述吸引孔的吸引所形成。
排除上述淨化氣體的工程，最好是從比上述繞進防止用氣體取入口更靠外方側來排氣之工程。又，排除上述淨化氣體的工程，最好從設於處理容器的側壁的排氣口來排氣之工程。
本發明的記憶媒體，係儲存使用於用以加熱表面被塗佈塗佈膜的基板的加熱裝置之電腦程式，其特徵為：上述電腦程式係組成步驟，而使能夠實施上述加熱方法。
本發明是藉由設於加熱板上的複數個突起來保持表面被塗佈塗佈膜的基板，將該基板吸引於加熱板側且予以加熱時，在基板與加熱板之間供給清浄的氣體，因此對於用以吸引基板的吸引路而言汚染環境難以流入，吸引量的降低會被抑止，可在基板間及基板的面內均一地加熱。
以下說明有關本發明的第1實施形態的加熱裝置之一例，亦即適用於供以在基板(例如半導體晶圓(以下稱為「晶圓W」))的表面形成塗佈膜(例如阻劑膜)的塗佈 ．顯像裝置20之加熱裝置2。
在圖1及圖2所示的塗佈．顯像裝置20中設有：可載置複數個基板卡匣C的載置台21，作為用以搬出入收納於基板卡匣C內之例如13片的晶圓W、及設於該載置台21的內側(圖中X方向)的壁面之開閉部22、以及經由開閉部22在與基板卡匣C之間交接晶圓W的交接手段23。
並且，在卡匣載置部S1的內側連接以框體24圍繞周圍的處理部S2，在該處理部S2從前側依序交替設有：使包含上述加熱裝置2的加熱．冷卻系的單元多段化之棚架單元U1、U2、U3、及進行包含後述的塗佈．顯像單元的各處理單元間的晶圓W交接之主搬送手段25A、25B。亦即，棚架單元U1、U2、U3及主搬送手段25A、25B是從卡匣載置部S1側往X方向前後配列成一列，在各個的連接部位形成有未圖示的晶圓搬送用的開口部，晶圓W可在處理部S2內從一端側的棚架單元U1自由移動至另一端側的棚架單元U3。並且，主搬送手段25A、25B是在以配置於兩側之棚架單元U1、U2、U3側的一面部、後述的右側(Y軸正側)的液處理單元U4、U5側的一面部及框體24的背面部所圍繞的空間內配置。在液處理單元U4、U5的兩側面，設有具備處理液的溫度調節裝置或溫溼度調節用的管等的溫溼度調整單元27、28。液處理單元U4、U5是在例如形成塗佈液(阻劑液)或顯像液等的藥液供給用空間的収納部29上，積層複數段(例如5段)塗佈單元 COT、顯像單元DEV及反射防止膜形成單元BARC等的構成。並且上述的棚架單元U1、U2、U3是積層複數段(例如10段)用以進行在液處理單元U4、U5所進行的處理之前處理及後處理的各種單元。在處理部S2的棚架單元U3的內側，例如隔著由第1搬送室31及第2搬送室32所構成的介面部S3來連接曝光部S4。在介面部S3的內部，除了用以在處理部S2與曝光部S4之間進行晶圓W的交接之2個的交接手段33、34以外，還設有棚架單元U6及緩衝卡匣C0。
有關該塗佈．顯像裝置20之晶圓的流向，例如首先從外部將收納晶圓W的基板卡匣C載置於載置台21，然後與開閉部22一起開啟基板卡匣C的蓋體，藉由交接手段23來取出晶圓W。然後，晶圓W會經由成為棚架單元U1的一段之未圖示的交接單元來引渡至主搬送手段25A，在棚架單元U1~U3內的其中之一的棚架，例如進行疏水化處理或冷卻處理等，作為塗佈處理的前處理，然後在塗佈單元COT塗佈阻劑液。然後，晶圓W會在棚架單元U1~U3的其中之一的棚架的加熱單元(加熱裝置2)被加熱，更在冷卻後經由棚架單元U3的交接單元來搬入至介面部S3。在該介面部S3中晶圓W是例如從交接手段33經由棚架單元U6及交接手段34來搬送至曝光部S4，進行曝光。曝光後，晶圓W會在棚架單元U3中被加熱後，以相反的路徑來搬送至主搬送手段25A，在顯像單元DEV被顯像而形成阻劑光罩。然後晶圓W會回到載置台21上的原 本基板卡匣C。
其次，參照圖3～圖5來說明本實施形態的要部之加熱裝置2。加熱裝置2是如上述般例如以能夠形成棚架單元U1~U3內的一段之方式構成，其周圍例如藉由鋁所構成的框體41來包圍。若以設有液處理單元U4、U5等的圖1中右側(Y軸正方向)為前方來說明，則在框體41的後方設有收納排氣系零件的一部份之収納室43，在框體41的底部設有平台42。在該框體41的側壁44形成有用以進行晶圓W的搬送之開口部45，藉由未圖示的開閉器(shutter)等來構成可開閉。並且，在框體41的側壁的中央附近，用以冷卻後述的加熱板61的周圍之冷媒流路40會貫通於上下，此冷媒流路40是構成例如從棚架單元U1(U2、U3)的最下層之未圖示的収納部來供給被溫度調節的冷卻水。
在平台42的上面，分別在其前方側及後方側設有冷卻臂5及加熱板61。冷卻臂5是以能夠在經由開口部45來進入框體41內的主搬送手段25A(25B)與加熱板61之間進行晶圓W的交接之方式，使冷卻臂5的脚部51可沿著平台42上的導件(guide)46來移動於開口部45的側方位置(搬送位置)與加熱板61的上方位置(處理位置)之間。並且，在冷卻臂5的晶圓支持板52的背面側，為了粗步冷卻所被加熱的晶圓W(進行粗步去熱)，例如設有用以使溫度調節用的溫調媒體例如純水通流的溫調流路(未圖示)。
在平台42內，上述的搬送位置(平台42的主搬送手段25A(25B)與冷卻臂5之間的晶圓W交接位置)及處理位置(加熱板61與冷卻臂5之間的晶圓W交接位置)分別設有突沒自如的支持銷47a、47b，在平台42的上面形成有該等支持銷47a、47b突沒的孔部48。並且，在晶圓支持板52中形成有裂口(slit)53，而使該等支持銷47a、47b能夠貫通。
其次，說明有關加熱板61的周邊部位。在加熱板61的上方，設有藉由未圖示的昇降機構的作用來昇降自如的蓋體62。並且，在加熱板61的周圍，設有後述的環狀構件54。如圖4及圖5所示，一旦蓋體62下降，則會包圍加熱板61的周圍，且與形成於環狀構件54上部的溝55內的密封體55a密接而氣密地接合，將載置晶圓W的環境保持於氣密。此蓋體62、環狀構件54及加熱板61是成為處理容器。另外，在圖3及圖4中省略了溝55及密封體55a的記載。
在蓋體62的頂部，經由給氣管66來連接氣體供給源65，例如可經由形成於頂部中央的給氣口之開口部67，對加熱板61上的晶圓W供給淨化氣體例如空氣或氮氣體等。該氣體供給源65，如後述，經由氣體供給路56來連接置上述的環狀構件54。並且，在蓋體62的側壁，於全周形成有多數的孔部68作為排氣口。孔部68是經由蓋體62的側壁內部的排氣流路69及捕集部8來連接至排氣路7，可與已述的淨化氣體一起排除自晶圓W發生的揮發物 質等。在該捕集部8內，例如設有未圖示的過濾器等，可捕集上述的揮發物質等。在排氣路7的下流側是經由収納室43內例如排氣流量調節手段等來連接至例如在構成棚架單元U1(U2、U3)的各段單元所被共用的共用排氣路26。
其次，參照圖5及圖6來說明有關加熱板61。此加熱板61是例如由氮化鋁所構成的概略圓板狀的板，在內部埋設有用以加熱晶圓W的加熱器64，作為熱交換手段。在該加熱器64連接電源70。在加熱板61的表面，以能夠與晶圓W之間形成所定的尺寸例如0.1mm程度的間隙之方式，形成複數個銷狀的突起81。此突起81是加在熱板61上大致等間隔地配置，而使能夠在全面均等地保持晶圓W。在圖6中是分別以等間隔從晶圓W的中心往徑方向2處及周方向4處合計設置8處的突起81，但亦可更多數量。
並且，在加熱板61中，對應於晶圓W的中心部及晶圓W的中心部與周緣部的中點附近徑方向等間隔例如4處的位置形成吸引孔83，經由吸引路84a、84b及閥85a、85b來連接至真空泵等的吸引手段86，而使能夠分別從晶圓W的中心部及晶圓W的中心部與周緣部的中點附近來吸引晶圓W。
藉由上述突起81及吸引手段86，可使晶圓W的背面全面不接觸於加熱板61的表面來矯正晶圓W的形狀，因此晶圓W背面附著粒子的情況會被壓制到最小限度，且 在面內均一地加熱。所以，在吸引保持晶圓W時，吸引孔83會被晶圓W所阻塞，因此可從吸引孔83常時吸引晶圓W的背面側的環境。
在加熱板61的周圍，以能夠密接於加熱板61的側面及表面的周緣部之方式設有環狀構件54。此環狀構件54是用以抑止流通於晶圓W的表面側之淨化氣體繞進晶圓W的背面側者。亦即，在晶圓W的表面側，如後述，藉由加熱，揮發物質等會從晶圓W的表面生成，該揮發物質等雖會與從給氣管66供給的淨化氣體一起經由孔部68來排出至加熱裝置2的外部，但在晶圓W的背面側，如上述，為了吸附晶圓W，而從吸引孔83來吸引晶圓W與加熱板61之間的環境，所以設置一環狀構件54，而使晶圓W的表面側的淨化氣體繞進晶圓W的背面側的量少。有關此環狀構件54會在以下具體說明。
另外，此環狀構件54為一體設置，但為了使說明簡略化，而以加熱板61的表面為基準在鉛直方向分成上下，分別將上側及下側作為上部54a及下部54b來進行說明。
在該上部54a的內周面，於周方向等間隔例如4處的氣體供給口57會作為繞進防止用氣體的取入口來形成，在晶圓W的背面與加熱板61之間的間隙供給清淨氣體例如氮氣體或空氣等，作為繞進防止用氣體，該清淨氣體可從已述的吸引孔83吸引。該清淨氣體是意指不含來自上述晶圓W的揮發物質等之氣體或揮發物質的含有量比流 通於晶圓W的表面側之淨化氣體更少的狀態之氣體。
又，上部54a的內周面，為了壓低晶圓W表面的氣流繞進晶圓W的背面的量，而以能夠和載置於加熱板61的晶圓W的外端面接近之方式，例如以和晶圓W的間隙一側形成2.5mm之方式設置。該上部54a的上端面的高度是與晶圓W表面的高度大致相同高度。亦即，該上部54a是形成將流通於晶圓W的表面側之淨化氣體引導至外方(孔部68)的整流面，一旦晶圓W載置於突起81上，則可將蓋體62、環狀構件54及加熱板61所構成的處理容器內與晶圓一起區劃成晶圓W的表面側及背面側。
此環狀構件54是以能夠對晶圓W造成熱影響少的方式，甚至可更高精度加工的方式，藉由熱傳導性高的材料，最好是AlN(氮化鋁)、SiC(碳化矽)等的陶瓷或鋁、不鏽鋼來構成。
在氣體供給口57連接氣體供給路56的一端側，在氣體供給路56的另一端側經由閥65a及流量控制部65b來連接已述的氣體供給源65。從氣體供給口57供給而流通於晶圓W的背面與加熱板61之間的氣體流量是被調整成流通於晶圓W的表面側之氣體的流量的50%~150%程度。亦即，如上述，藉由環狀構件54來以晶圓W的表面側的淨化氣體不會繞進晶圓W的背面側之方式區劃晶圓W的上下的區域，但當晶圓W的背面側的氣流繞進表面側時也會對熱處理造成不良影響，因此藉由考量各個區域的體積或所流入的流量及所被排氣的流量等，以兩者的氣 流往來能夠極力變少的方式，藉由後述的控制部10來控制流量控制部65b。另外，此例中是設置4處的氣體供給口57，但亦可形成更多數的氣體供給口57，或例如1處。
上部54a與晶圓W接近的內周部，為了抑止上述昇華物等的析出及來自晶圓W的吸熱，而藉由埋設於加熱板61的加熱器64來加熱。並且，在該上部54a內埋設有連接至電源70a的加熱器64a，更可抑止昇華物等的析出及來自晶圓W的吸熱。另外，在圖5及圖6中，為了圖的簡略化，而分別省略了孔部48的記載，及溝55、密封體55a的記載。
並且，在加熱裝置2連接如電腦所構成的控制部10，具有用以進行晶圓W的加熱或吸引的程式或CPU、記憶體等。此程式是例如被儲存於硬碟、光碟、光磁碟(MO)或記憶卡等的記憶部11，然後安裝於控制部10。
其次，說明有關上述加熱裝置2之第1實施形態的作用。首先，若未圖示的開閉器開啟，則會藉由主搬送手段25A (25B)來使已在塗佈單元COT中表面被塗佈阻劑液的晶圓W經由開口部45來搬送至框體41內。一旦晶圓W被搬送至冷卻臂5上方的搬送位置，則會藉由支持銷47a的昇降來將晶圓W載置於冷卻臂5上。然後，一旦在使蓋體62上昇的狀態下冷卻臂5移動至處理位置，則會藉由加熱板61下方的支持銷47b在加熱板61上載置晶圓W。此時，加熱器64是經常設定成所定的溫度例如 150℃，一旦晶圓W被載置於加熱板61，則會迅速地進行以下的工程。
使蓋體62下降來密閉晶圓W的周圍。然後，從氣體供給源65經由給氣管66來以所定的流量對晶圓W的表面供給氮氣體等的淨化氣體，且從孔部68來排除晶圓W周圍的環境。並且，利用吸引手段86經由吸引路84a、84b及吸引孔83來將晶圓W吸引至加熱板61側，且以所定的流量從氣體供給口57供給繞進防止用氣體例如空氣。然後，晶圓W的形狀會被矯正成平坦，而於晶圓W的各部均一地進行熱處理。如圖7所示，區劃晶圓W上下的區域，而使能夠藉由環狀構件54的上面來將淨化氣體引導至外方，因此從晶圓W所生成的揮發物質等會從孔部68來排除至加熱裝置2的外部。並且，從吸引孔83吸引至吸引路84a、84b的空氣，大致全量是藉由從氣體供給口57所供給的空氣來供給。
然後，在保持此狀態所定的時間例如60秒後，以和晶圓W搬入時相反的路徑來交接至冷卻臂5，在所定的時間冷卻後藉由主搬送手段25A (25B)來從框體41搬出。另外，熱處理中自孔部68排氣的排氣氣體是其中所含來自晶圓W的昇華物等會在捕集部8被除去，除此以外的氣體會被排除於已述的共用排氣路26。
然後，針對所定片數的晶圓W也是同様地進行加熱處理。
若利用上述實施形態，則因為在晶圓W與加熱板61 之間供給清浄的氣體，所以在晶圓W的表面側自晶圓W生成的揮發物質等往吸引孔83的流入會被抑止，因此可抑止在氣體供給路56內該等的揮發物質等的析出，可在晶圓W間進行安定熱處理。
又，在晶圓W與加熱板61之間供給清淨的氣體時，藉由環狀構件54，晶圓W的上下區域所連通的開口部(晶圓W與上部54a之間)的面積會變小，因此晶圓W的上下區域會概略地分別形成閉鎖空間。因此，即使從氣體供給口57不供給過剩量的氣體，還是會供給與自吸引孔83吸引的氣體的量大致同程度的少量氣體，藉此壓制從晶圓W的表面側繞進晶圓W的背面側之淨化氣體的量。並且，從晶圓W的背面側往表面側之氣體的繞進也會被壓制，因此可在面內安定地進行熱處理。
又，由於藉由加熱板61的加熱器64及環狀構件54內的加熱器64a來加熱環狀構件54，因此可抑止來自晶圓W的昇華物等析出於環狀構件54，且亦從側面加熱晶圓W，因此可使晶圓W的溫度在面內均一化。
其次，參照圖8及圖9來說明有關本發明的第2實施形態。此第2實施形態是針對與已述的加熱裝置2相異的構成之加熱板61a及蓋體62a來進行說明。亦即，此實施形態是不設置已述的環狀構件54，在加熱板61a設置氣體供給口57。所以，不被區劃晶圓W的表面側與背面側，因此能以晶圓W的表面側的淨化氣體被吸引孔83所吸引的量變少的方式，使氣體供給口57形成可沿著晶圓W的 周方向來接近於各個吸引孔83的外側。
蓋體62a是以其下面側能夠密合於平台42的上面之方式，比起已述的蓋體62，圓筒部份更伸長於鉛直方向。另外，在與該蓋體62a接觸的平台42上面形成有溝，且在該溝內收納密封體，但在此省略。
在該實施形態中，亦與上述第1實施形態同様，在進行加熱處理時晶圓W會被吸引，但如圖10所示，由於是以晶圓W的表面側與背面側的氣流不會極力混合的方式來調整從吸引孔83供給的空氣量，因此往氣體供給路56內之昇華物等的析出會被抑止的同時，可在面內均一地進行熱處理。
另外，有關形成於該加熱板61a的氣體供給口57亦可構成溝狀。參照圖11來說明有關該例。在該加熱板61b中，氣體供給口57a會環狀地形成於吸引孔83的外側，在氣體供給口57a的底部連接氣體供給路56。另外，圖11雖省略記載，但實際此氣體供給路56是分歧成複數條例如4條，以能夠和氣體供給口57a在周方向成等間隔的方式連接。
在如此的加熱板61b中，亦與圖9所示的加熱板61a同様進行晶圓W的吸引及熱處理。
另外，在上述的各例中，對於晶圓W的背面與加熱板61之間的區域，是從加熱板61的周方向供給清淨的氣體，但例如亦可在一端側形成氣體供給口57，而使能夠從一端側往另一端側形成水平方向的氣體流動。並且，在晶 圓W與加熱板61之間是從氣體供給源65來供給清浄的氣體，但亦可不是如此強制性地供給，而是從吸引孔83自然地吸引周邊的環境。此情況，可使氣體供給路56在所定的位置例如加熱裝置2的外部或塗佈．顯像裝置20的外部開口，而使能夠吸引清浄的大氣。
2‧‧‧加熱裝置
57‧‧‧氣體供給口
61‧‧‧加熱板
62‧‧‧蓋體
64‧‧‧加熱器
65‧‧‧氣體供給源
68‧‧‧孔部
81‧‧‧突起
83‧‧‧吸引孔
圖1是表示本發明的塗佈．顯像裝置之一例的立體圖。
圖2是表示上述塗佈．顯像裝置的水平剖面圖。
圖3是表示本發明的加熱裝置2之一例的立體圖。
圖4是表示上述加熱裝置2的縱剖面圖。
圖5是表示設置於上述加熱裝置2的加熱板61之一例的縱剖面圖。
圖6是表示上述加熱板61的立體圖。
圖7是表示上述加熱板61的氣體流動的剖面圖。
圖8是表示上述加熱板61的其他例的縱剖面圖。
圖9是表示上述加熱板61的其他例的立體圖。
圖10是表示上述加熱板61的其他例的氣體流動的剖面圖。
圖11是表示上述加熱板61的其他例的立體圖。
圖12是表示以往的加熱裝置101的縱剖面圖。
10‧‧‧控制部
11‧‧‧記憶部
54‧‧‧環狀構件
54a‧‧‧上部
54b‧‧‧下部
55‧‧‧溝
55a‧‧‧密封體
56‧‧‧氣體供給路
57‧‧‧氣體供給口
62‧‧‧蓋體
64a‧‧‧加熱器
65‧‧‧氣體供給源
65a‧‧‧閥
65b‧‧‧流量控制部
61‧‧‧加熱板
64‧‧‧加熱器
66‧‧‧給氣管
68‧‧‧孔部
69‧‧‧排氣流路
70‧‧‧電源
70a‧‧‧電源
81‧‧‧突起
83‧‧‧吸引孔
84a‧‧‧吸引路
84b‧‧‧吸引路
85a‧‧‧閥
85b‧‧‧閥
86‧‧‧吸引手段

Claims (15)

  1. 一種加熱裝置，係用以加熱表面被塗佈塗佈膜的基板之加熱裝置，其特徵係具備：處理容器，其係具有用以對上述基板的表面供給淨化氣體的給氣口及用以排除從該給氣口供給的上述淨化氣體的排氣口；加熱板，其係設置於該處理容器內，設有用以加熱上述基板的加熱手段；複數的突起，其係設於該加熱板的表面，用以保持上述基板；複數的吸引孔，其係設於該加熱板，用以將上述基板吸引至該加熱板側；繞進防止用氣體的氣體供給口，其係沿著被載置於上述加熱板上的基板的周方向來配置，且朝該基板的背面與加熱板之間的間隙開口，為了防止從上述給氣口供給的淨化氣體往上述基板的背面側繞進，而對該間隙供給繞進防止用氣體。
  2. 如申請專利範圍第1項之加熱裝置，其中，具備：包圍上述加熱板上的上述基板，上面形成引導上述淨化氣體至外方的整流面之環狀構件，上述繞進防止用氣體的氣體供給口係形成於上述環狀構件的內周面。
  3. 如申請專利範圍第2項之加熱裝置，其中，上述環狀構件係具備用以加熱上述基板的加熱手段。
  4. 一種加熱裝置，係用以加熱表面被塗佈塗佈膜的基板之加熱裝置，其特徵係具備：處理容器，其係具有用以對上述基板的表面供給淨化氣體的給氣口及用以排除從該給氣口供給的上述淨化氣體的排氣口；加熱板，其係設置於該處理容器內，設有用以加熱上述基板的加熱手段；複數的突起，其係設於該加熱板的表面，用以保持上述基板；複數的吸引孔，其係設於該加熱板，用以將上述基板吸引至該加熱板側；繞進防止用氣體的氣體供給口，其係於比上述加熱板上的基板的外緣更靠內側位置且比上述吸引孔更靠外側位置，沿著基板的周方向來設於該加熱板，為了防止從上述給氣口供給的淨化氣體往上述基板的背面側繞進，而對該基板的背面與加熱板之間的間隙供給繞進防止用氣體。
  5. 如申請專利範圍第1~4項中任一項所記載之加熱裝置，其中，上述繞進防止用氣體的氣體供給口係一端側形成於被大氣開放的氣體供給路的另一端側。
  6. 如申請專利範圍第1~4項中任一項所記載之加熱裝置，其中，上述排氣口係設於比繞進防止用氣體的氣體供給口更靠外方側。
  7. 如申請專利範圍第6項之加熱裝置，其中，上述排氣口係設於處理容器的側壁。
  8. 一種加熱方法，係用以加熱表面被塗佈塗佈膜的基板之加熱方法，其特徵係包含：在設於處理容器內的加熱板上的複數的突起上載置上述基板之工程；其次，從設於上述加熱板的複數的吸引孔吸引上述基板之工程；從給氣口對上述基板的表面供給淨化氣體之工程；排除上述淨化氣體之工程；為了防止從上述給氣口供給的淨化氣體往上述基板的背面側繞進，而從沿著被載置於上述加熱板上的基板的周方向來配置且朝上述基板的背面與上述加熱板之間的間隙開口之繞進防止用的氣體的氣體供給口，朝上述間隙形成繞進防止用的氣體流之工程；及藉由加熱板來加熱上述基板之工程。
  9. 如申請專利範圍第8項之加熱方法，其中，形成上述氣體流的工程為：從設成包圍上述加熱板上的上述基板之環狀構件的內周面所形成的繞進防止用的氣體供給口往上述吸引孔形成氣體流，更藉由形成整流面的上述環狀構件的上面來將上述淨化氣體引導至外方之工程。
  10. 如申請專利範圍第9項之加熱方法，其中，加熱上述基板的工程，更包含藉由設於上述環狀構件的加熱手段來加熱的工程。
  11. 一種加熱方法，係用以加熱表面被塗佈塗佈膜的基板之加熱方法，其特徵係包含：在設於處理容器內的加熱板上的複數的突起上載置上述基板之工程；其次，從設於上述加熱板的複數的吸引孔吸引上述基板之工程；從給氣口對上述基板的表面供給淨化氣體之工程；排除上述淨化氣體之工程；為了防止從上述給氣口供給的淨化氣體往上述基板的背面側繞進，而從在比上述加熱板上的基板的外緣更靠內側位置且比上述吸引孔更靠外側位置，沿著基板的周方向來設於該加熱板之繞進防止用的氣體的氣體供給口，對該基板的背面與加熱板之間的間隙供給繞進防止用氣體之工程；及藉由加熱板來加熱上述基板之工程。
  12. 如申請專利範圍第8~11項中任一項所記載之加熱方法，其中，上述繞進防止用氣體的氣體供給口係一端側形成於被大氣開放的氣體供給路的另一端側，上述氣體流係藉由來自上述吸引孔的吸引所形成。
  13. 如申請專利範圍第8~11項中任一項所記載之加熱方法，其中，排除上述淨化氣體的工程，係從比上述繞進防止用氣體的氣體供給口更靠外方側來排氣之工程。
  14. 如申請專利範圍第13項之加熱方法，其中，排除上述淨化氣體的工程，係從設於處理容器的側壁的排氣口 來排氣之工程。
  15. 一種記憶媒體，係儲存使用於用以加熱表面被塗佈塗佈膜的基板的加熱裝置之電腦程式，其特徵為：上述電腦程式係組成步驟，而使能夠實施申請專利範圍第8~11項中任一項所記載的加熱方法。
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