JP2000068260A - 熱処理装置 - Google Patents
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ガス供給系の全部位を均一に加熱して処理ガ
スの凝結を十分に防止し、処理ガスの安定供給を可能と
する。 【解決手段】 被処理体Ｗを収容した熱処理炉１内にガ
ス供給系６により処理ガスを供給して所定の熱処理を行
う熱処理装置において、前記処理ガス供給系６を処理ガ
スの凝結を起こさない所定の温度に保持された恒温槽１
６内に収容してなる。
スの凝結を十分に防止し、処理ガスの安定供給を可能と
する。 【解決手段】 被処理体Ｗを収容した熱処理炉１内にガ
ス供給系６により処理ガスを供給して所定の熱処理を行
う熱処理装置において、前記処理ガス供給系６を処理ガ
スの凝結を起こさない所定の温度に保持された恒温槽１
６内に収容してなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、熱処理装置に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おいては、被処理体である半導体ウエハにＣＶＤ（化学
気相成長）、拡散、酸化、アニール等の熱処理を施すた
めに、各種の熱処理装置が使用されている。例えばＭＯ
・ＣＶＤ（金属酸化物の化学気相成長）等に使用される
熱処理装置においては、図４に示すように、液体材料ま
たは固定材料を気化させて処理ガスを発生させる気化部
８を備えている。そして、この気化部８で発生した処理
ガスをキャリアガス例えば窒素（Ｎ2）ガス等の不活性
ガスや原料ガスによりガス供給系６を介して熱処理炉１
に供給し、この熱処理炉１内で半導体ウエハＷに所定の
熱処理例えばＭＯ・ＣＶＤ処理を施すように構成されて
いる。また、前記ガス供給系６は、気化部８と熱処理炉
１を結ぶ配管９およびこの配管９に設けられた弁１０等
の部材により構成されている。
おいては、被処理体である半導体ウエハにＣＶＤ（化学
気相成長）、拡散、酸化、アニール等の熱処理を施すた
めに、各種の熱処理装置が使用されている。例えばＭＯ
・ＣＶＤ（金属酸化物の化学気相成長）等に使用される
熱処理装置においては、図４に示すように、液体材料ま
たは固定材料を気化させて処理ガスを発生させる気化部
８を備えている。そして、この気化部８で発生した処理
ガスをキャリアガス例えば窒素（Ｎ2）ガス等の不活性
ガスや原料ガスによりガス供給系６を介して熱処理炉１
に供給し、この熱処理炉１内で半導体ウエハＷに所定の
熱処理例えばＭＯ・ＣＶＤ処理を施すように構成されて
いる。また、前記ガス供給系６は、気化部８と熱処理炉
１を結ぶ配管９およびこの配管９に設けられた弁１０等
の部材により構成されている。
【０００３】ところで、前記ＭＯ・ＣＶＤ処理等で使用
される処理ガスは、所定の温度を下回ると、凝結が起こ
り、安定供給が困難となる。このため、前記ガス供給系
６の配管９および弁１０等の部材に、これらを加熱する
ためのリボン状のヒーター２５を巻き付けたり、更にそ
の上から断熱材で覆ったりすることで、処理ガスの凝結
を防止している。
される処理ガスは、所定の温度を下回ると、凝結が起こ
り、安定供給が困難となる。このため、前記ガス供給系
６の配管９および弁１０等の部材に、これらを加熱する
ためのリボン状のヒーター２５を巻き付けたり、更にそ
の上から断熱材で覆ったりすることで、処理ガスの凝結
を防止している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記熱
処理装置においては、リボン状のヒーターを巻き付けて
いるだけでは、配管および弁等の部材の全部位を一定の
温度にすることは難しく、弁等の熱容量の大きい部位が
十分に加熱されないなど、局所的に温度低下を生じる場
合がある。この場合、温度の低い部位で処理ガスの凝結
（液化または固化）が起こり易くなり、処理ガスを安定
供給することが困難となる場合があった。また、前記リ
ボン状のヒーターは、加熱温度（１５０〜２００℃程
度）に限界があり、耐久性に劣る欠点がある。
処理装置においては、リボン状のヒーターを巻き付けて
いるだけでは、配管および弁等の部材の全部位を一定の
温度にすることは難しく、弁等の熱容量の大きい部位が
十分に加熱されないなど、局所的に温度低下を生じる場
合がある。この場合、温度の低い部位で処理ガスの凝結
（液化または固化）が起こり易くなり、処理ガスを安定
供給することが困難となる場合があった。また、前記リ
ボン状のヒーターは、加熱温度（１５０〜２００℃程
度）に限界があり、耐久性に劣る欠点がある。
【０００５】そこで、本発明は、上述した課題を解決す
べくなされたもので、ガス供給系の全部位を均一に加熱
して処理ガスの凝結を十分に防止することができ、処理
ガスの安定供給が図れる熱処理装置を提供することを目
的とする。
べくなされたもので、ガス供給系の全部位を均一に加熱
して処理ガスの凝結を十分に防止することができ、処理
ガスの安定供給が図れる熱処理装置を提供することを目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のうち、請求項１
に係る発明は、被処理体を収容した熱処理炉内にガス供
給系により処理ガスを供給して所定の熱処理を行う熱処
理装置において、前記処理ガス供給系を処理ガスの凝結
を起こさない所定の温度に保持された恒温槽内に収容し
てなることを特徴とする。
に係る発明は、被処理体を収容した熱処理炉内にガス供
給系により処理ガスを供給して所定の熱処理を行う熱処
理装置において、前記処理ガス供給系を処理ガスの凝結
を起こさない所定の温度に保持された恒温槽内に収容し
てなることを特徴とする。
【０００７】請求項２に係る発明は、液体材料または固
定材料を気化して処理ガスを生成する気化部と、この気
化部からガス供給系により処理ガスを供給して被処理体
に所定の熱処理を施す熱処理炉とを備えた熱処理装置に
おいて、前記ガス供給系を処理ガスの凝結を起こさない
所定の温度に内部の雰囲気が保持された容器内に収容し
てなることを特徴とする。
定材料を気化して処理ガスを生成する気化部と、この気
化部からガス供給系により処理ガスを供給して被処理体
に所定の熱処理を施す熱処理炉とを備えた熱処理装置に
おいて、前記ガス供給系を処理ガスの凝結を起こさない
所定の温度に内部の雰囲気が保持された容器内に収容し
てなることを特徴とする。
【０００８】請求項３に係る発明は、請求項２記載の熱
処理装置において、前記容器内に、気化部も収容されて
いることを特徴とする。
処理装置において、前記容器内に、気化部も収容されて
いることを特徴とする。
【０００９】請求項４に係る発明は、請求項２または３
記載の熱処理装置において、前記容器が、内部を断熱す
る断熱材と、内部雰囲気を加熱する加熱部と、温度調節
部と、内部雰囲気を攪拌する攪拌部とを有する恒温槽か
らなることを特徴とする。
記載の熱処理装置において、前記容器が、内部を断熱す
る断熱材と、内部雰囲気を加熱する加熱部と、温度調節
部と、内部雰囲気を攪拌する攪拌部とを有する恒温槽か
らなることを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を添
付図面に基いて詳述する。図１は本発明の実施の形態で
ある熱処理装置を概略的に示す図、図２は図１に示され
た恒温槽の概略的断面図、図３は熱処理装置における恒
温槽の設置例を示す斜視図である。
付図面に基いて詳述する。図１は本発明の実施の形態で
ある熱処理装置を概略的に示す図、図２は図１に示され
た恒温槽の概略的断面図、図３は熱処理装置における恒
温槽の設置例を示す斜視図である。
【００１１】図１において、１は被処理体である半導体
ウエハＷを収容し、処理ガスを供給して例えば８５０℃
程度の高温下で所定の熱処理例えばＭＯ・ＣＶＤ処理を
施す縦型でバッチ式の熱処理炉で、この熱処理炉１は上
端が閉塞され下端が開放した縦長円筒状の耐熱性を有す
る例えば石英製の反応管２により構成されている。
ウエハＷを収容し、処理ガスを供給して例えば８５０℃
程度の高温下で所定の熱処理例えばＭＯ・ＣＶＤ処理を
施す縦型でバッチ式の熱処理炉で、この熱処理炉１は上
端が閉塞され下端が開放した縦長円筒状の耐熱性を有す
る例えば石英製の反応管２により構成されている。
【００１２】この反応管２は、炉口として開放した下端
開口部が蓋体３で気密に閉塞されることにより、気密性
の高い熱処理炉１を構成するようになっている。前記蓋
体３上には、多数枚例えば１５０枚程度の半導体ウエハ
Ｗを水平状態で上下方向に間隔をおいて多段に支持する
基板支持具である例えば石英製のウエハボート４が保温
筒５を介して載置されている。
開口部が蓋体３で気密に閉塞されることにより、気密性
の高い熱処理炉１を構成するようになっている。前記蓋
体３上には、多数枚例えば１５０枚程度の半導体ウエハ
Ｗを水平状態で上下方向に間隔をおいて多段に支持する
基板支持具である例えば石英製のウエハボート４が保温
筒５を介して載置されている。
【００１３】蓋体３は、図示しない昇降機構により、熱
処理炉１内へのウエハボート４のロード（搬入）ならび
にアンロード(搬出）および炉口の開閉を行うように構
成されている。また、前記反応管２の周囲には、炉内を
所定の温度例えば３００〜１０００℃に加熱制御可能な
ヒーターＨが設けられている。
処理炉１内へのウエハボート４のロード（搬入）ならび
にアンロード(搬出）および炉口の開閉を行うように構
成されている。また、前記反応管２の周囲には、炉内を
所定の温度例えば３００〜１０００℃に加熱制御可能な
ヒーターＨが設けられている。
【００１４】反応管２の下側部には、反応管２内に処理
ガスを供給するガス供給系６と、反応管内２を排気する
排気系７とが接続されている。排気系７には、反応管２
内を例えば最大１０-3Ｔｏｒｒ程度に減圧可能な図示し
ない真空ポンプが設けられている。
ガスを供給するガス供給系６と、反応管内２を排気する
排気系７とが接続されている。排気系７には、反応管２
内を例えば最大１０-3Ｔｏｒｒ程度に減圧可能な図示し
ない真空ポンプが設けられている。
【００１５】ガス供給系６の上流には、液体材料または
固体材料を気化させて処理ガスを発生させる気化部８が
設けられ、この気化部８で発生した処理ガスをキャリア
ガス例えば窒素（Ｎ2）ガス等の不活性ガスや原料ガス
により、気化部８からガス供給系６を介して反応管２内
に供給するように構成されている。
固体材料を気化させて処理ガスを発生させる気化部８が
設けられ、この気化部８で発生した処理ガスをキャリア
ガス例えば窒素（Ｎ2）ガス等の不活性ガスや原料ガス
により、気化部８からガス供給系６を介して反応管２内
に供給するように構成されている。
【００１６】前記液体材料としては、例えばＢＳＴＯプ
ロセスの場合、バリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓ
ｒ）およびチタン（Ｔｉ）をアルコールに溶かしたもの
が用いられる。前記固体材料としては、例えばルテニウ
ム系プロセスの場合、ルテニウム（Ｒｕ）を化学的に含
有した金属粉末が用いられる。気化部８には、液体材料
または固体材料を気化させるべく加熱する加熱手段（ヒ
ーター）が設けられている（図示省略）。
ロセスの場合、バリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓ
ｒ）およびチタン（Ｔｉ）をアルコールに溶かしたもの
が用いられる。前記固体材料としては、例えばルテニウ
ム系プロセスの場合、ルテニウム（Ｒｕ）を化学的に含
有した金属粉末が用いられる。気化部８には、液体材料
または固体材料を気化させるべく加熱する加熱手段（ヒ
ーター）が設けられている（図示省略）。
【００１７】前記ガス供給系６は、気化部８と熱処理炉
１を結ぶ配管９およびこの配管９に設けられた弁１０等
の部材（図示省略）により構成されている。ここで、弁
１０としては、例えば手動弁、エアオペレイト弁、ニー
ドル弁等が含まれる。また、部材としては、例えば継
手、フイルタ等が含まれる。前記ガス供給系６は、処理
ガスの凝結を起こさない所定の温度例えば１００〜２５
０℃程度に内部の雰囲気が保持された容器１１内に収容
されている。この容器１１内の雰囲気温度としては、例
えばＢＳＴＯプロセスの場合は２５０℃程度、タンタル
プロセスの場合は１５０℃程度、ＴＥＯＳプロセスの場
合は１００℃程度とされる。
１を結ぶ配管９およびこの配管９に設けられた弁１０等
の部材（図示省略）により構成されている。ここで、弁
１０としては、例えば手動弁、エアオペレイト弁、ニー
ドル弁等が含まれる。また、部材としては、例えば継
手、フイルタ等が含まれる。前記ガス供給系６は、処理
ガスの凝結を起こさない所定の温度例えば１００〜２５
０℃程度に内部の雰囲気が保持された容器１１内に収容
されている。この容器１１内の雰囲気温度としては、例
えばＢＳＴＯプロセスの場合は２５０℃程度、タンタル
プロセスの場合は１５０℃程度、ＴＥＯＳプロセスの場
合は１００℃程度とされる。
【００１８】この容器１１は、図２に示すように、内部
を断熱する断熱材１２と、内部雰囲気を加熱する加熱部
１３と、温度調節部（自動温度調整部）１４と、内部雰
囲気を攪拌する攪拌部１５とを有する恒温槽１６からな
っていることが好ましい。断熱材１２で区画された恒温
槽１６の内部には、例えばステンレス等の金属板で区画
された加熱室１７が設けられ、この加熱室１７の両側壁
には、多数の通気孔１８が設けられている。
を断熱する断熱材１２と、内部雰囲気を加熱する加熱部
１３と、温度調節部（自動温度調整部）１４と、内部雰
囲気を攪拌する攪拌部１５とを有する恒温槽１６からな
っていることが好ましい。断熱材１２で区画された恒温
槽１６の内部には、例えばステンレス等の金属板で区画
された加熱室１７が設けられ、この加熱室１７の両側壁
には、多数の通気孔１８が設けられている。
【００１９】加熱室１７と断熱材１２との間には、内部
雰囲気例えば空気が加熱室１７を通過するように循環さ
せるための通風路１９が設けられ、この通風路１９に、
抵抗発熱体からなる前記加熱部１３と、電動モータ２０
により回転駆動されて雰囲気を攪拌循環させるファンか
らなる前記攪拌部１５とが設けられている。そして、前
記加熱室１７内に、前記気化部８と熱処理炉１との間の
ガス供給系６を構成する配管９および弁１０等の部材が
収容されている。なお、本実施の形態では、恒温槽１６
の外部に前記気化部８が設けられている。
雰囲気例えば空気が加熱室１７を通過するように循環さ
せるための通風路１９が設けられ、この通風路１９に、
抵抗発熱体からなる前記加熱部１３と、電動モータ２０
により回転駆動されて雰囲気を攪拌循環させるファンか
らなる前記攪拌部１５とが設けられている。そして、前
記加熱室１７内に、前記気化部８と熱処理炉１との間の
ガス供給系６を構成する配管９および弁１０等の部材が
収容されている。なお、本実施の形態では、恒温槽１６
の外部に前記気化部８が設けられている。
【００２０】図３は、熱処理装置における恒温槽の設置
例を示す斜視図である。熱処理装置は、外郭を形成する
筐体２１を有し、この筐体２１の前部に、複数枚例えば
２５枚程度の半導体ウエハを収容したキャリア（カセッ
ト）の搬入、搬出を行う搬出入口２２が設けられ、筐体
２１内の後部上方に熱処理炉１が設置されている。前記
筐体２１の一側部には、処理ガス等の供給を行うガスボ
ックス２３が設けられ、このガスボックス２３内に前記
恒温槽１６が設置されている。
例を示す斜視図である。熱処理装置は、外郭を形成する
筐体２１を有し、この筐体２１の前部に、複数枚例えば
２５枚程度の半導体ウエハを収容したキャリア（カセッ
ト）の搬入、搬出を行う搬出入口２２が設けられ、筐体
２１内の後部上方に熱処理炉１が設置されている。前記
筐体２１の一側部には、処理ガス等の供給を行うガスボ
ックス２３が設けられ、このガスボックス２３内に前記
恒温槽１６が設置されている。
【００２１】恒温槽１６内には、熱容量のある弁１０等
の部材の全部を収め、後は直管のみで処理ガスを熱処理
炉１に供給するようにする。なお、恒温槽１６と熱処理
炉１との間で露出した直管（配管９の一部）の露出部に
は、リボン状のヒーターが巻き付けられ、断熱材で覆わ
れていることが好ましい。
の部材の全部を収め、後は直管のみで処理ガスを熱処理
炉１に供給するようにする。なお、恒温槽１６と熱処理
炉１との間で露出した直管（配管９の一部）の露出部に
は、リボン状のヒーターが巻き付けられ、断熱材で覆わ
れていることが好ましい。
【００２２】以上のように構成された熱処理装置によれ
ば、液体材料または固定材料を気化して処理ガスを生成
する気化部８と、この気化部８からガス供給系６により
処理ガスを供給して半導体ウエハＷに所定の熱処理例え
ばＭＯ・ＣＶＤ処理を施す熱処理炉１とを備えた熱処理
装置において、前記ガス供給系６を処理ガスの凝結を起
こさない所定の温度に内部の雰囲気が保持された容器１
１内に収容してなるため、弁１０等の部材を含むガス供
給系６を局所的な温度低下のない状態に均一に加熱する
ことが可能となり、ガス供給系６における処理ガスの凝
結を十分に防止することができ、処理ガスの安定供給が
可能となる。
ば、液体材料または固定材料を気化して処理ガスを生成
する気化部８と、この気化部８からガス供給系６により
処理ガスを供給して半導体ウエハＷに所定の熱処理例え
ばＭＯ・ＣＶＤ処理を施す熱処理炉１とを備えた熱処理
装置において、前記ガス供給系６を処理ガスの凝結を起
こさない所定の温度に内部の雰囲気が保持された容器１
１内に収容してなるため、弁１０等の部材を含むガス供
給系６を局所的な温度低下のない状態に均一に加熱する
ことが可能となり、ガス供給系６における処理ガスの凝
結を十分に防止することができ、処理ガスの安定供給が
可能となる。
【００２３】すなわち、従来の熱処理装置のようにリボ
ン状のヒーターでパーツを直接加熱するのではなく、パ
ーツ類が収まっている雰囲気を加熱することで、局所的
な温度低下のない安定した加熱を実現でき、処理ガスの
凝結を十分に防止できる。これにより、熱処理炉１への
処理ガスの安定供給が可能となり、熱処理の再現性およ
び品質の向上が図れる。また、前記容器１１が、内部を
断熱する断熱材１２と、内部雰囲気を加熱する加熱部１
３と、温度調節部１４と、内部雰囲気を攪拌する攪拌部
１５とを有する恒温槽１６からなるため、ガス供給系６
の全部位を容易に一定の温度に加熱することができる。
ン状のヒーターでパーツを直接加熱するのではなく、パ
ーツ類が収まっている雰囲気を加熱することで、局所的
な温度低下のない安定した加熱を実現でき、処理ガスの
凝結を十分に防止できる。これにより、熱処理炉１への
処理ガスの安定供給が可能となり、熱処理の再現性およ
び品質の向上が図れる。また、前記容器１１が、内部を
断熱する断熱材１２と、内部雰囲気を加熱する加熱部１
３と、温度調節部１４と、内部雰囲気を攪拌する攪拌部
１５とを有する恒温槽１６からなるため、ガス供給系６
の全部位を容易に一定の温度に加熱することができる。
【００２４】以上、本発明の実施の形態を図面により詳
述してきたが、本発明は前記実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の
設計変更等が可能である。例えば、前記実施の形態で
は、気化部を恒温槽の外部に設けた例が示されている
が、気化部は恒温槽内に収容されていてもよい。これに
よれば、気化部を恒温槽により加熱することができるの
で、気化部に専用の加熱手段を設ける必要がなくなり、
構造の簡素化が図れる。
述してきたが、本発明は前記実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の
設計変更等が可能である。例えば、前記実施の形態で
は、気化部を恒温槽の外部に設けた例が示されている
が、気化部は恒温槽内に収容されていてもよい。これに
よれば、気化部を恒温槽により加熱することができるの
で、気化部に専用の加熱手段を設ける必要がなくなり、
構造の簡素化が図れる。
【００２５】本発明は、気化部を備えた熱処理装置に好
適に適用されるが、気化部を備えていない熱処理装置に
も勿論適用可能である。熱処理炉としては、枚葉式であ
ってもよく、横型であってもよい。被処理体としては、
半導体ウエハ以外に、例えばガラス基板やＬＣＤ基板等
であってもよい。
適に適用されるが、気化部を備えていない熱処理装置に
も勿論適用可能である。熱処理炉としては、枚葉式であ
ってもよく、横型であってもよい。被処理体としては、
半導体ウエハ以外に、例えばガラス基板やＬＣＤ基板等
であってもよい。
【００２６】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な効果を奏することができる。
な効果を奏することができる。
【００２７】（１）請求項１に係る発明によれば、被処
理体を収容した熱処理炉内にガス供給系により処理ガス
を供給して所定の熱処理を行う熱処理装置において、前
記処理ガス供給系を処理ガスの凝結を起こさない所定の
温度に保持された恒温槽内に収容してなるため、ガス供
給系を局所的な温度低下のない状態に均一に加熱するこ
とができ、ガス供給系における処理ガスの凝結を十分に
防止でき、処理ガスの安定供給が可能となる。
理体を収容した熱処理炉内にガス供給系により処理ガス
を供給して所定の熱処理を行う熱処理装置において、前
記処理ガス供給系を処理ガスの凝結を起こさない所定の
温度に保持された恒温槽内に収容してなるため、ガス供
給系を局所的な温度低下のない状態に均一に加熱するこ
とができ、ガス供給系における処理ガスの凝結を十分に
防止でき、処理ガスの安定供給が可能となる。
【００２８】（２）請求項２に係る発明によれば、液体
材料または固定材料を気化して処理ガスを生成する気化
部と、この気化部からガス供給系により処理ガスを供給
して被処理体に所定の熱処理を施す熱処理炉とを備えた
熱処理装置において、前記ガス供給系を処理ガスの凝結
を起こさない所定の温度に内部の雰囲気が保持された容
器内に収容してなるため、ガス供給系を局所的な温度低
下のない状態に均一に加熱することができ、気化部を備
えた熱処理装置のガス供給系における処理ガスの凝結を
十分に防止でき、処理ガスの安定供給が可能となる。
材料または固定材料を気化して処理ガスを生成する気化
部と、この気化部からガス供給系により処理ガスを供給
して被処理体に所定の熱処理を施す熱処理炉とを備えた
熱処理装置において、前記ガス供給系を処理ガスの凝結
を起こさない所定の温度に内部の雰囲気が保持された容
器内に収容してなるため、ガス供給系を局所的な温度低
下のない状態に均一に加熱することができ、気化部を備
えた熱処理装置のガス供給系における処理ガスの凝結を
十分に防止でき、処理ガスの安定供給が可能となる。
【００２９】（３）請求項３に係る発明によれば、前記
容器内に、気化部も収容されているため、気化部に専用
の加熱手段を設ける必要がなくなり、構造の簡素化が図
れる。
容器内に、気化部も収容されているため、気化部に専用
の加熱手段を設ける必要がなくなり、構造の簡素化が図
れる。
【００３０】（４）請求項４に係る発明によれば、前記
容器が、内部を断熱する断熱材と、内部雰囲気を加熱す
る加熱部と、温度調節部と、内部雰囲気を攪拌する攪拌
部とを有する恒温槽からなるため、ガス供給系の全部位
を容易に一定の温度に加熱することが可能となり、ガス
供給系を局所的な温度低下のない状態に均一に加熱する
ことができ、処理ガスの凝結を十分に防止でき、処理ガ
スの安定供給が可能となる。
容器が、内部を断熱する断熱材と、内部雰囲気を加熱す
る加熱部と、温度調節部と、内部雰囲気を攪拌する攪拌
部とを有する恒温槽からなるため、ガス供給系の全部位
を容易に一定の温度に加熱することが可能となり、ガス
供給系を局所的な温度低下のない状態に均一に加熱する
ことができ、処理ガスの凝結を十分に防止でき、処理ガ
スの安定供給が可能となる。
【図１】本発明の実施の形態である熱処理装置を概略的
に示す図である。
に示す図である。
【図２】図１に示された恒温槽の概略的断面図である。
【図３】熱処理装置における恒温槽の設置例を示す斜視
図である。
図である。
【図４】従来の熱処理装置の一例を概略的に示す図であ
る。
る。
１ 熱処理炉 Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） ６ ガス供給系 ８ 気化部 １１ 容器 １２ 断熱材 １３ 加熱部 １４ 温度調節部 １５ 攪拌部 １６ 恒温槽
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 AA11 CA04 EA01 GA02 KA25 KA41 KA45 LA15 5F045 AA04 AD12 AE15 DP19 EC09 EE02
Claims (4)
- 【請求項１】 被処理体を収容した熱処理炉内にガス供
給系により処理ガスを供給して所定の熱処理を行う熱処
理装置において、前記処理ガス供給系を処理ガスの凝結
を起こさない所定の温度に保持された恒温槽内に収容し
てなることを特徴とする熱処理装置。 - 【請求項２】 液体材料または固定材料を気化して処理
ガスを生成する気化部と、この気化部からガス供給系に
より処理ガスを供給して被処理体に所定の熱処理を施す
熱処理炉とを備えた熱処理装置において、前記ガス供給
系を処理ガスの凝結を起こさない所定の温度に内部の雰
囲気が保持された容器内に収容してなることを特徴とす
る熱処理装置。 - 【請求項３】 前記容器内に、気化部も収容されている
ことを特徴とする請求項２記載の熱処理装置。 - 【請求項４】 前記容器が、内部を断熱する断熱材と、
内部雰囲気を加熱する加熱部と、温度調節部と、内部雰
囲気を攪拌する攪拌部とを有する恒温槽からなることを
特徴とする請求項２または３記載の熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10236202A JP2000068260A (ja) | 1998-08-24 | 1998-08-24 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10236202A JP2000068260A (ja) | 1998-08-24 | 1998-08-24 | 熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000068260A true JP2000068260A (ja) | 2000-03-03 |
Family
ID=16997303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10236202A Pending JP2000068260A (ja) | 1998-08-24 | 1998-08-24 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000068260A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004006511A (ja) * | 2002-05-31 | 2004-01-08 | Toppan Printing Co Ltd | プラズマ処理装置 |
| US7438872B2 (en) | 2003-01-23 | 2008-10-21 | Sony Corporation | Steam oxidation apparatus |
| US7992318B2 (en) * | 2007-01-22 | 2011-08-09 | Tokyo Electron Limited | Heating apparatus, heating method, and computer readable storage medium |
| JP2017168626A (ja) * | 2016-03-16 | 2017-09-21 | 住友電気工業株式会社 | 面発光半導体レーザを作製する方法 |
| JP2020150046A (ja) * | 2019-03-12 | 2020-09-17 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
-
1998
- 1998-08-24 JP JP10236202A patent/JP2000068260A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004006511A (ja) * | 2002-05-31 | 2004-01-08 | Toppan Printing Co Ltd | プラズマ処理装置 |
| US7438872B2 (en) | 2003-01-23 | 2008-10-21 | Sony Corporation | Steam oxidation apparatus |
| US7992318B2 (en) * | 2007-01-22 | 2011-08-09 | Tokyo Electron Limited | Heating apparatus, heating method, and computer readable storage medium |
| US8186077B2 (en) | 2007-01-22 | 2012-05-29 | Tokyo Electron Limited | Heating apparatus, heating method, and computer readable storage medium |
| JP2017168626A (ja) * | 2016-03-16 | 2017-09-21 | 住友電気工業株式会社 | 面発光半導体レーザを作製する方法 |
| JP2020150046A (ja) * | 2019-03-12 | 2020-09-17 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
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