TWI388041B - 具散熱結構之半導體封裝件 - Google Patents

Description

具散熱結構之半導體封裝件

本發明係關於一種具散熱件之半導體封裝件，尤係關於一種藉散熱件以逸散半導體晶片所產生之熱量至大氣中的半導體封裝件。

隨著電子產品在功能及處理速度之需求的提升，作為電子產品之核心組件的半導體晶片即須設有更高密度之電子元件(Electronic Components)及電子電路(Electronic Circuits)。但半導體晶片之積體化密度(Integrated Density)越高，其在運作時所產生之熱量即越大，若不能有效逸散所產生之熱量，則會對半導體晶片造成損害。故遂有於半導體封裝件中加設散熱片(Heat Sink或Heat Spreader)之設計發展出，以藉散熱片逸散出半導體晶片所產生之熱量。

具有散熱片之半導體封裝件已揭露於第5,883,430、5,604,978、6,008,536、6,376,907、6,403,882、6,472,762及6,504,723號等美國專利中。該等美國專利揭露出不同型態之散熱片之使用，但以散熱片之頂面外露出封裝膠體或直接外露於大氣中為佳，俾取得較佳之散熱效果。然而，若散熱片僅以頂面外露出封裝膠體而未直接黏接至半導體晶片，而使半導體晶片與散熱片間為封裝膠體所充填，則會因形成封裝膠體之如環氧樹脂(Epoxy Resin)之封裝化合物(Mold Compound)的熱傳導 性甚差，使半導體晶片產生之熱量仍無法有效傳遞至散熱片而逸散至大氣中；故遂亦有先前技藝提出將散熱片藉散熱膠黏置於半導體晶片上，以使半導體晶片所產生之熱量能藉熱傳導性較佳之散熱膠傳遞至散熱片以逸散至大氣中，如第8圖所示。

第8圖所示之半導體封裝件8之散熱片80雖係以散熱膠81黏結至半導體晶片82，然而，散熱膠81為一昂貴之材料，雖能提升散熱效率，但會導致封裝成本之大幅提高；且，散熱片80、散熱膠81及半導體晶片82之熱膨脹係數(Coefficient of Thermal Expansion,CTE)均不同，故在封裝製程之溫度循環(Temperature Cycle)中，往往會因熱膨脹係數差異(CTE Mismatch)所產生之熱應力(Thermal Stress)導致散熱件80與散熱膠81間之介面及/或散熱膠81與半導體晶片82間之介面發現脫層(Delamination)現象，一旦脫層現象發生，半導體晶片82所產生熱量即無法有效逸散，並亦會隨之影響製成品之信賴性。此外，將散熱片80藉散熱膠81黏置於半導體晶片82上時，由於散熱膠81尚未固化(Cured)，故不易控制該散熱片80相對於半導體晶片82或承載該半導體晶片82之基板83的水平度(Planity)，當散熱片80產生傾斜時，會影響至製成品之外觀，且形成用以包覆該散熱片80及半導體晶片82之封裝膠體84的封裝化合物會溢膠至該散熱片80之頂面80a上，而影響至該散熱片80之散熱效率。

此外，第5,166,772號美國專利提出一種具有網狀金屬罩蓋之半導體封裝件。如第9圖所示，該第5,166,772號美國專利所揭示之半導體封裝件9係在基板90上接置一網狀金屬罩蓋(Meshed Metallic Lasip)92，將半導體晶片91收納其中，再以封裝膠體93將該網狀金屬罩體92及半導體晶片91完全包覆。該半導體封裝件9係藉由該網狀金屬罩體92之提供，以遮蔽半導體晶片91所產生之電磁干擾(EMI)或由外部裝置所產生之電磁干擾，因該網狀金屬罩體92係包覆於封裝膠體93中，故無習知技術之在封裝件外加設金屬罩而造成體積過大及成本增加的問題。

然而，第9圖所示之半導體封裝件9雖能解決電磁干擾之問題，但由於該網狀金屬罩體92係完全為封裝膠體93所包覆，且未能與半導體晶片91連接，故半導體晶片91所產生之熱量的傳遞途徑須經過導熱性甚差的封裝膠體，將使高積體化之半導體晶片所產生之熱量無法有效逸散出去，致會損及該半導體晶片91；且網狀金屬罩體92完全包覆於封裝膠體93中而無任何外露於大氣之部分，自當無法有效地產生散熱效果。更何況第6,504,723號美國專利已提出將半導體晶片完全包覆於金屬罩體中，毋須封裝膠體之使用，除能解決電磁干擾之問題，復可提升散熱效率，自較該第5,166,772號美國專利所揭示之裝置為佳；惟第6,504,723號美國專利所揭示之裝置仍存在前述之須使用昂貴之散熱膠及金屬罩體之水平度不易控制等 問題。

因而，如何使散熱片與半導體晶片之結合不致產生前述之問題，乃成封裝業界一亟待解決之課題。

為解決前揭問題，本發明乃提供一種具散熱結構之半導體封裝件，能免除昂貴散熱膠之使用而降低封裝成本，能避免脫層之發生而提升散熱效率，並能解決散熱片黏置於半導體晶片上時，散熱片之平面度不易控制之問題。

本發明所提供之具散熱結構之半導體封裝件，係包括一基板、至少一設置於該基板上並與基板電性連接之半導體晶片；以及黏設於該半導體晶片上之散熱結構，該散熱結構係由黏著劑、與該黏著劑結合且具有頂面與底面之第一散熱件(First Heat Dissipating Member)、以及黏結於該黏著劑上且具有頂面與底面之第二散熱件(Second Heat Dissipating Member)所構成，且該散熱結構係藉黏著劑黏置於該半導體晶片上，使該黏著劑位於該第二散熱件及半導體晶片間，並使該第一散熱件分別觸接至該第二散熱件之底面及半導體晶片，且該第一散熱件具有複數貫通第一散熱件之頂面及底面之通道，以供該黏著劑充填其中，而使該黏著劑之厚度相當於該第一散熱件自其頂面至底面之高度，俾令該黏著劑能分別與第二散熱件及半導體晶片黏結，並使該第一散熱件之頂面及底面同時觸接至第二散熱件及半導體晶片。

該第一散熱件係以導熱性良好之金屬材料製成，其形 狀得為網狀金屬片體、形成有多數開孔之金屬片體、由波浪狀金屬線材組成之片狀結構或以多數成彎曲狀之短金屬線材組接而成之片狀結構。前述形狀均須具有多數通道形成於其中之特徵，以使黏著劑能充填於各該通道中而與第一散熱件形成良好之結合關係，同時能使該黏著劑之上表面與第一散熱件之頂面齊平及使該黏著劑之下表面與第一散熱件之底面齊平，俾令該黏著劑能分別與該第二散熱件與半導體晶片有效黏結。因此，由於該第一散熱件係與該黏著劑結合，故能有效釋除在後續之溫度循環中所產生之熱效應，而避免黏著劑與半導體晶片及黏著劑與第二散熱件間發生脫層現象。同時，由於該第一散熱件係分別觸接至該第二散熱件及半導體晶片，故該半導體晶片所產生之熱量能藉由該第一散熱件傳遞至第二散熱件，而由第二散熱件之頂面逸散至大氣中，所以本發明之半導體封裝件的散熱效率能進一步提升。再者，由於該第一散熱件係夾設於第二散熱件與半導體晶片間，故該第二散熱件藉該黏著劑黏置於半導體晶片上時，第二散熱件會為第一散熱件所支撐，遂無發生傾斜之顧慮，且不致有外觀問題(Appearance Issue)之發生。此外，該第一散熱件之熱傳導性較該黏著劑或習用之散熱膠為佳，故能免除習知之散熱膠的使用，而能降低封裝成本。

該第一散熱件之面積得相當於或大於黏著劑所敷設之面積。當第一散熱件之面積大於黏著劑之敷設面積時，係使該第一散熱件之至少一側或一部分能延伸至基板 上，而與基板上之被動元件或接地墊(Ground Pads)或接地環(Ground Ring)電性連接，以進一步提升本發明之半導體封裝件的電性；此外，該第一散熱件亦得向外延展至足以將半導體晶片包覆住之程度，俾對該半導體晶片提供抗電磁干擾(EMI Resistance)的功效。

以下係藉由特定的具體實施例說明本發明之實施方式，所屬技術領域中具有通常知識者可由本說明書所揭示之內容輕易瞭解本發明之功效及特點。

並須說明的是，本說明書中所敘述之“頂面”與“底面”及“上表面”與“下表面”並非絕對之空間概念，而係隨構成要件之空間關係而變化，亦即，倒置本案圖式中所示之半導體封裝件時，“頂面”即成“底面”而“底面”即成“頂面”，其它亦同。故該等“頂面”、“底面”、“上表面”與“下表面”名詞之使用，係用以說明本發明所揭示之半導體封裝件中構成要件間之連結關係，使本發明所揭示之半導體封裝件在等效之範圍內具有合理之變化與替換，而非用以限定本發明之可實施範圍於一特定之態樣(Embodiment)。

第一實施例

如第1A圖所示者，為本發明第一實施例之半導體封裝件之剖視圖。該第一實施例之半導體封裝件1係由基板10、黏設於該基板10上之半導體晶片11、黏設於該半導體晶片11上之散熱結構12、以及形成於該基板10上、以包覆該半導體晶片11與部分之散熱結構12之封裝膠體 13所構成者。

該基板10在本實施例中為習用之覆晶基板，以供該半導體晶片11以覆晶方式(Flip Chip)藉複數銲錫凸塊(Solder Bumps)14電性連接至該基板10之上表面100之預設位置上；同時，相對於該上表面100之下表面101上，則植設有複數顆成陣列(Array)方式排列的銲球(Solder Balls)15，以使該半導體晶片11能藉由該銲球15而與外界裝置(如印刷電路板)電性連接。由於該基板10為習知者，且以覆晶方式將半導體晶片11設於基板10與銲球之植接亦為習用技術，故在此不予贅述。

該散熱結構12係由黏著劑120、結合於該黏著劑120中之第一散熱件121、及黏結於該黏著劑120上之第二散熱件122所構成。該黏著劑120得使用如銀膠(Silver Paste)或環氧樹脂黏膠(Epoxy Resin Adhesive)之習用者。該第一散熱件121在本實施例係為一由金屬線材所編組而成之網狀片體，具有頂面121a及相對之底面121b，如第1B圖所示；該第一散熱件121由於係為金屬線材所構成，故具有多數個網目(Meshes)，而形成供該黏著劑120通過並充填於其中的通道121c，使黏著劑120能藉由該等通道121c之提供而與第一散熱件121充分結合。同時，該第一散熱件121具有高度與該黏著劑120之厚度H相同的高度，使該黏著劑120與第一散熱件121結合後，該黏著劑120之上表面120a與第一散熱件121之頂面121a能齊平，且該黏著劑120之下表面120b與第一散熱 件121之底面121b能齊平，以令該第一散熱件121能以其頂面121a及底面121b分別抵接至該第二散熱件122之底面122b及半導體晶片11，俾使該半導體晶片11所產生之熱量能經由該第一散熱件121有效地傳遞至該第二散熱件122，再由該第二散熱件122將熱量逸散至大氣中。此外，由於該黏著劑120之上表面120a係與第一散熱件121之頂面121a齊平，而由第一散熱件121之通道(網目)121c中外露出，故能有效地以該黏著劑120將第二散熱件122黏結於該散熱結構12中；且，該黏著劑120之下表面120b係與第一散熱件121之底面121b齊平，而由第一散熱件121之通道121c中外露出，故能有效地藉由該黏著劑120將該散熱結構12黏固於該半導體晶片11上。

該第二散熱件122則得由如銅或其合金之金屬材料製成之金屬片體所構成，其厚度不限，係依設計上之選擇而定。該第二散熱件122之頂面122a在該封裝膠體13形成後係外露出該封裝膠體13而直接與大氣接觸，且其底面122b係與該第一散熱件121相接，故該半導體晶片11所產生之熱量遂能如上述之由第一散熱件121傳遞至第二散熱件122，進而由第二散熱件122外露於大氣之頂面122a逸散出。

此外，由圖可知，該散熱結構12藉由黏著劑120黏固於半導體晶片11上後，該黏著劑120與第一散熱件121係夾置(interposed)於第二散熱件122及半導體晶片11 之間。該第一散熱件121之面積得小於黏著劑120或半導體晶片11，使該第一散熱件121係完全結合於該黏著劑120中，如第1A圖所示；該第一散熱件121之面積亦得與黏著劑120或半導體晶片11之面積相當，使該第一散熱件121之周邊得外露出黏著劑120，但為簡化說明起見，在此不予圖示；當然，亦能令該第一散熱件121之面積大於黏著劑120或半導體晶片11之面積，此時，第一散熱件121能與封裝膠體13結合，而能藉由該第一散熱件121結合於封裝膠體13中之部分強化散熱結構12與封裝膠體13間的結合性，但為求簡化起見，在此亦不予圖示。然須知，第一散熱件121亦能延展至基板10上，以與基板10形成接地關係，此一結構將以另一實施例詳述之。

由上述之說明可知，本發明第一實施例之半導體封裝件1中的散熱結構12，係在用以黏結該第二散熱件122與半導體晶片11之黏著劑120中結合有第一散熱件121，藉由第一散熱件121具有與黏著劑120之厚度H相同之高度設計，使第一散熱件121能同時抵接至頂面122a外露出封裝膠體13的第二散熱件122及半導體晶片11，使半導體晶片11所產生之熱量能經由第一散熱件121及第二散熱件122構成之散熱途徑有效地逸散至大氣中，故毋須使用昂貴的散熱膠作為黏著劑來達成所欲之散熱效果，而以一般習用之黏著劑來黏結第二散熱件122與半導體晶片11即可，遂能降低封裝成本。再者，由於第一散 熱件121形成有多數之通道121c供黏著劑120充填並通過其中，所以能藉由第一散熱件121之金屬特性降低在後續之溫度循環中熱應力之產生對黏著劑120的影響，而避免熱應力之影響造成黏著劑120與半導體晶片11間之結合介面以及黏著劑120與第二散熱件122間之結合介面發生脫層現象，遂使脫層之產生所造成之散熱效率變差與信賴性問題(Reliability Concern)不致發生。此外，因有第一散熱件121夾置於第二散熱件122與半導體晶片11間，且第一散熱件121係與黏著劑120結合，故使第二散熱件122藉黏著劑120黏結至半導體晶片11上時，得有第一散熱件121之支撐不致產生偏斜(Tilt)之現象，而有效解決習知技術在散熱片與半導體晶片間僅有黏著層而不易控制散熱片之水平度的問題。

第二實施例

如第2A圖所示者，為本發明第二實施例之半導體封裝件之剖視圖。如圖所示，該第二實施例之半導體封裝件2之結構與前述第一實施例所揭示者大致相同，其不同處在於第一散熱件221係成一波浪狀之片體構造。由第2B圖之第一散熱件221的立體圖可知，該第一散熱件221形成有多數之開孔221d，以與任兩相鄰之波浪間形成的溝槽221e共同構成供黏著劑220通過並充填其中的通道。該具波浪狀之第一散熱件221與前述第一實施例中所揭示之第一散熱件121相同，均具有可彈性形變而延展之特性的波浪狀構造，故使第一散熱件221能有彈性地夾置 於第二散熱件222與半導體晶片21間，而有效地避免將散熱結構22經由黏著劑220黏固至半導體晶片21上時不慎壓損半導體晶片21的發生。

第三實施例

如第3A圖所示者，為本發明第三實施例之半導體封裝件之剖視圖。如圖所示，該第三實施例之半導體封裝件3之結構與前述第一實施例所揭示者大致相同，其不同處在於第一散熱件321係成平板狀之金屬片體所構成。如第3B圖之該第一散熱件321的立體圖可知，該第一散熱件321形成有多數之通道321c，以供黏著劑320通過並充填其中，該通道321c在圖示中係呈矩形，惟如圓形、橢圓形、多邊形等任何幾何形狀亦均適用。

第四實施例

如第4A圖所示者，為本發明第四實施例之半導體封裝件之剖視圖。如圖所示，該第四實施例之半導體封裝件4之結構與前述第一實施例所揭示者大致相同，不同之處係在於其第一散熱件421係由複數根呈不規則形狀或規則形狀之短金屬線材所構成。由第4B圖所示之第四實施例之第一散熱件421的立體圖可知，該由多數不規則形狀或具弧形之規則形狀之短金屬線材經壓合成的第一散熱件421，會具有複數亦呈不規則大小的通道421c，以供黏著劑420通過並充填其中。構成該第一散熱件421之短金屬線材能使用任何金屬材料於加工後產生之廢材或廢料，故能降低材料成本；且由於係由短金屬線材交錯結合 而成第一散熱件421，故第一散熱件421亦能具有良好之彈性變形的特性，在將由黏著劑420、第一散熱件421與第二散熱件422構成之散熱結構42經黏著劑420黏固至半導體晶片41上時，即不致壓損半導體晶片41。

第五實施例

如第5A圖所示者，為本發明第五實施例之半導體封裝件之剖視圖，如圖所示，該第五實施例之半導體封裝件5之結構與前述第一實施例所揭示者大致相同，不同之處係在於其第一散熱件521係由具多數通道521c之金屬片體構成，具有平面部521f及自平面部521f向外延伸之延伸部521g，如第5B圖所示。該延伸部521g乃延伸至基板50上，以與該基板50上之接地墊或接地環電性連接，俾藉該延伸部521g使第一散熱件521與基板50接地，而提升該半導體封裝件5之電性(Electrical Performance)。同時，該由延伸部521g及平面部521f構成之第一散熱件521係形成一將半導體晶片51罩覆住之罩體，能夠遮蔽電磁干擾(Electromagnetic Interference，EMI)，故能進一步提升該半導體封裝件5之電性。當然，該延伸部521g亦能接地於設置在基板50上之被動元件(未圖示)，同樣能達到接地效果；且該延伸部521g亦能僅形成於該平面部521f之一側，或相對之兩側(未圖示)，而毋須形成於平面部521f之四側上。

第六實施例

如第6圖所示者，為本發明第六實施例之半導體封裝 件之剖視圖。如圖所示，該第六實施例之半導體封裝件6之結構與前述第一實施例所稱示者大致相同，不同之處在於其半導體晶片61係藉多數之銲線64電性連接至基板60，為避免由黏著劑620、第一散熱件621與第二散熱件622構成之散熱結構62碰觸或干擾到銲線64而造成短路問題，係在該半導體晶片61上先黏結一假晶片(Dummy Chip)66，再將該散熱結構62藉黏著劑620黏置於該假晶片66上，如此，散熱結構62即不致碰觸或干擾到銲線64。且，假晶片66係以廢晶圓或廢晶片為材料，與半導體晶片61同為矽材料，故半導體晶片61所產生之熱量仍能有效地藉該假晶片66傳遞至散熱結構62，而無影響散熱效率之虞。須知圖中所示之第一散熱件621係以具通道之金屬片體態樣呈現，其僅係用以例示，其它本發明所揭示之態樣或其等效之變化或改變亦均能適用。

第七實施例

如第7圖所示者，為本發明第七實施例之半導體封裝件之剖視圖。如圖所示，該第七實施例之半導體封裝件7之結構與前述第一實施例所揭示者大致相同，不同之處在於其第二散熱件722係成一金屬罩蓋(Metallic Casing)，在藉黏著劑720黏固於半導體晶片71上後，即罩覆住該半導體晶片71，且該第二散熱件722之腳部722e係藉黏著材料77黏固於基板70上，而使該半導體晶片71為該第二散熱件722氣密地封罩住(Hermically Sealed)，故毋須形成封裝膠體來包覆該半導體晶片71。

在本實施例中所顯示之第一散熱件721亦係以具通道之金屬片體之態樣呈現，其僅係用以例示，其它本發明所揭示之態樣或其等效之變化或改變亦均適用。

上述實施例僅例示性說明本發明之原理及其功效，而非用於限制本發明。任何熟習此項技藝之人士均可在不違背本發明之精神及範疇下，對上述實施例進行修飾與改變。因此，本發明之權利保護範圍，應如後述之申請專利範圍所列。

1、2、3、4、5、6、7、8、9‧‧‧半導體封裝件

10、50、60、70、83、90‧‧‧基板

100、120a‧‧‧上表面

101、120b‧‧‧下表面

11、21、41、61、71、82、91‧‧‧半導體晶片

12、62‧‧‧散熱結構

120、220、320、420、620、720‧‧‧黏著劑

121、221、321、421、521、621、721‧‧‧第一散熱件

121a、122a‧‧‧頂面

121b、122b‧‧‧底面

121c、321c、421c、521c‧‧‧通道

122、222、422、622、722‧‧‧第二散熱件

13、84、93‧‧‧封裝膠體

14‧‧‧銲錫凸塊

15‧‧‧銲球

22、42‧‧‧散熱結構

221d‧‧‧開孔

221e‧‧‧溝槽

521f‧‧‧平面部

521g‧‧‧延伸部

64‧‧‧銲線

66‧‧‧假晶片

722e‧‧‧腳部

77‧‧‧黏著材料

80‧‧‧散熱片

80a‧‧‧頂面

81‧‧‧散熱膠

92‧‧‧金屬罩體

第1A圖係本發明第一實施例之半導體封裝件之剖視圖；第1B圖係第1A圖所繪示之第一散熱件之立體示意圖；第2A圖係本發明第二實施例之半導體封裝件之剖視圖；第2B圖係第2A圖所繪示之第一散熱件之立體示意圖；第3A圖係本發明第三實施例之半導體封裝件之剖視圖；第3B圖係第3A圖所繪示之第一散熱件之立體示意圖；第4A圖係本發明第四實施例之半導體封裝件之剖視圖；第4B圖係第4A圖所繪示之第一散熱件之立體示意 圖；第5A圖係本發明第五實施例之半導體封裝件之剖視圖；第5B圖係第5A圖所繪示之第一散熱件之立體示意圖；第6圖係本發明第六實施例之半導體封裝件之剖視圖；第7圖係本發明第七實施例之半導體封裝件之剖視圖；第8圖係習知半導體封裝件之剖視圖；以及第9圖係另一習知半導體封裝件之剖視圖。

1‧‧‧半導體封裝件

10‧‧‧基板

100、120a‧‧‧上表面

101、120b‧‧‧下表面

11‧‧‧半導體晶片

12‧‧‧散熱結構

120‧‧‧黏著劑

121‧‧‧第一散熱件

121a、122a‧‧‧頂面

121b、122b‧‧‧底面

122‧‧‧第二散熱件

13‧‧‧封裝膠體

14‧‧‧銲錫凸塊

15‧‧‧銲球

Claims (15)

1. 一種具散熱結構之半導體封裝件，係包括：基板；至少一設於該基板上並與該基板電性連接之半導體晶片；以及黏設於該半導體晶片上之該散熱結構，該散熱結構包括：黏著劑；與該黏著劑結合且具有頂面與底面之第一散熱件，該第一散熱件並具有貫連該頂面與底面之複數通道，以供該黏著劑充填其中；以及黏結於該黏著劑上之第二散熱件，其中，該黏著劑及該第一散熱件係夾置於該第二散熱件與半導體晶片間，以使該第二散熱件與半導體晶片能直接與該黏著劑黏結。
2. 如申請專利範圍第1項之具散熱結構之半導體封裝件，復包括形成於該基板上、以包覆該半導體晶片及部分之散熱結構之封裝膠體，但使該散熱結構之第二散熱件的頂面外露出該封裝膠體。
3. 如申請專利範圍第1項之具散熱結構之半導體封裝件，復包括複數個植接於該基板上之銲球，該基板供植接銲球之表面係相對於其供該半導體晶片設置之表面。
4. 如申請專利範圍第1項之具散熱結構之半導體封裝件，其中，充填於該第一散熱件中之黏著劑能外露出 該第一散熱件之頂面及底面，而使該第一散熱件之頂面至底面之高度相同於該黏著劑之厚度，且該第一散熱件之頂面與底面係分別抵接至該第二散熱件與半導體晶片。
5. 如申請專利範圍第1項之具散熱結構之半導體封裝件，其中，該第一散熱件係為網狀金屬片體，具有複數個作為該通道之網目。
6. 如申請專利範圍第5項之具散熱結構之半導體封裝件，其中，該網狀金屬片體係具有呈波浪狀之線材。
7. 如申請專利範圍第1項之具散熱結構之半導體封裝件，其中，該第一散熱件係為具有多數作為該通道用之開孔的金屬片體。
8. 如申請專利範圍第7項之具散熱結構之半導體封裝件，其中，該金屬片體係呈波浪狀。
9. 如申請專利範圍第1項之具散熱結構之半導體封裝件，其中，該第一散熱件係由複數根規則或不規則之短金屬線材構成者。
10. 如申請專利範圍第1項之具散熱結構之半導體封裝件，其中，該第一散熱件復具有向外延伸之延伸部。
11. 如申請專利範圍第10項之具散熱結構之半導體封裝件，其中，該延伸部係延伸至該基板，以與該基板形成接地關係。
12. 如申請專利範圍第1項之具散熱結構之半導體封裝件，其中，該第一散熱件係一金屬罩蓋，用以將該半 導體晶片氣密地封蓋於該基板上。
13. 如申請專利範圍第1項之具散熱結構之半導體封裝件，其中，該半導體晶片係藉複數銲錫凸塊以覆晶方式電性連接至該基板。
14. 如申請專利範圍第1項之具散熱結構之半導體封裝件，其中，該半導體晶片係藉複數銲線電性連接至該基板。
15. 如申請專利範圍第14項之具散熱結構之半導體封裝件，復包括一黏固於該半導體晶片上之假晶片，以供該散熱結構黏設於該假晶片上。