[go: up one dir, main page]

TWI379371B - Substrate processing device - Google Patents

Substrate processing device Download PDF

Info

Publication number
TWI379371B
TWI379371B TW097145460A TW97145460A TWI379371B TW I379371 B TWI379371 B TW I379371B TW 097145460 A TW097145460 A TW 097145460A TW 97145460 A TW97145460 A TW 97145460A TW I379371 B TWI379371 B TW I379371B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
block
substrate
solvent
smoothing
gas
Prior art date
Application number
TW097145460A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200933796A (en
Inventor
Junya Minamida
Seiki Ishida
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW200933796A publication Critical patent/TW200933796A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI379371B publication Critical patent/TWI379371B/zh

Links

Classifications

    • H10P72/0604—
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70975—Assembly, maintenance, transport or storage of apparatus
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70991—Connection with other apparatus, e.g. multiple exposure stations, particular arrangement of exposure apparatus and pre-exposure and/or post-exposure apparatus; Shared apparatus, e.g. having shared radiation source, shared mask or workpiece stage, shared base-plate; Utilities, e.g. cable, pipe or wireless arrangements for data, power, fluids or vacuum
    • H10P72/0436—

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Description

1379371 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 【0001】 .膜表面粗縫之處理 單元之基板處理裝置 基板處理妓，尤有關於在例如半導體晶®等 塗布•顯影處理單元中組裝有改善基板之光 牛㈣曰曰圓荨 【先前技術】 【0002】 半導體進行有：如 „塗布處理、在晶圓表面上使既忒二==且 理、糟由顯影液使曝光後之晶_影之顯影處理 底層膜等之蝕刻處理等。 及蝕刻aaH之 【0003】 處理上賴影處理後之光_絲面上，因曝光 寺…、射於日日圓表面之光之波動性質丨例如KrF之、古真么 248nm、ArF之波長為i93nm}，會乃弁阻圄安〃 之波長為 亩方Θ屮银㈣心Γ > 會光阻圖案側壁面之水平及錯 i^u j {lwr (Line W.dth Roughness) ^ LER CLine Edge R〇ughness) , ： 發fit而使Λ面粗輪，以此光阻圖案為遮罩侧處 形成精密之電路圖案，造成所期 【0004】 LERfL:=f5善上述凹凸{LWR(UneWidthR〇Ughness)、 LER (Line Edge Roughness ))之方法，申 法，使用光阻之溶劑氛gj、、容解弁_ π ° 種方 滑處理）（她==^目㈣表崎其平滑化（平 【0005】 5 1379371 經顯影處歡級表自面案且已曝光處理並 ::阻圖案表面之凹凸⑽滑阻圖案膨 圖4 ^ = _2_〜_號公報（懈利範圍、
【發明内容】 所欲解決之淫芻 【0007】 然而，僅以配置於裝置内之排氣杯難以確實回收自 二2念f心溶劑蒸氣朝裝置内漏洩。因此，若將平 = ί ΐ 顯影處理單元，即會產生平滑處理單元 到-7，圍漏④至外部，塗布·顯影4理單元内及曝光裝置受 且溶劑氛圍―旦漏、;妓外部，亦令人擔心對人體 【0008】 鑑於上述情事:本發明以提供一種基板處理裝置為其課題， 方止於平μ處理單it内產生之溶劑蒸氣氛圍朝外部漏，且易於 將平滑處理單元組裝於塗布•顯影處理系統。 、 jL決課題之年段 【0009】 為解決上述課題，本發明之基板處理裝置包含： 塗布·顯影處理區塊，配置有對基板實施光阻塗布及顯影處 理之複數處理單元； ’ 送出入區塊，將未處理之基板自收納複數片基板之匿盒送入 該塗布•顯影處理區塊側，並將處理完成之基板收納至匣盒；

Claims (1)

1379371 七 、申請專利範圍： —種基板處理裝置，包含 101年8月|日修正替換頁 97145460(無劃線) 處理2^^_謂㈣繼輸塗布及顯影 入人區塊，將未處理之基板自收納複數片基板之匡盒送 入雜布•㈣處賴_，並將處理完狀基板㈣於匡盒； 基板介面_，在該塗布·顯影處理區塊解紐置之間ί遞 =滑處理區塊，配置有转處理單元，該平_理單元朝 案並經曝錢之顯影處理之基板光阻圖案表面 供、、δ光阻之溶劑蒸氣而平滑化光阻圖案表面； 八氣流形成機構，自該塗布•顯影處理區塊、送出入區塊、 "面區塊及平滑處理區塊上方朝下方形成空氣之氣流；及 控制機構，用以控制該氣流形成機構； 該控制機構根據來自檢測該塗布·顯影處理區塊内之壓 之第1壓力感測器及檢測該平滑處理區塊内之壓力之第2厣 之檢測訊號，藉由控制該氣流形成機構内介設於通i =布•顯t彡處理區塊之通氣路巾的第ut量調細與介設於 ϋ該平滑處賴塊之通氣路中之第2流量調㈣，而使該平 ο Γ ί理區塊内之壓力低於該塗布•顯影處理區塊内之壓力。 厶如申請專利範圍第1項之基板處理裴置，1 ，該送出入區塊内壓力之第3ί力感== 感，器之檢測訊號，藉由控制該氣流形成機構内介設於針對該 =出入區塊之通氣路珠之第3流量調整閥與該第2流量調整 令該平滑處賴塊内之壓力低於該送出入區塊内之壓力。 .〇申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中於該平滑處 ，區塊之下部排氣側配置收集溶劑氛圍之過濾/器，並於該過渡 游側配置氣^漏偵測感測器，根據該氣體茂漏偵測感 =為之檢測訊號’藉由該控制機構可將檢測資訊顯示於顯示機 構0 29 1379371 4. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置 配置用以將附著於平滑處理後基板之溶敝圍蒸發 處理單元麟精處理單元之間配置 5. 如申請專利範圍第丨或2項之基板處理裝置，i中於哕 内配置紫外線照射單元，該紫外線照射單元對;表^ 刀離光阻圖案之溶解抑制性保護基之紫外線，並在該 祕=射單元能平滑處理單元之間配輯遞基板用之基 扳輸运臂。 6. ^申，專·圍第丨或2項之基板處理裝置，其中該平滑處理 早兀中的溶劑蒸氣供給機構包含： 噴嘴’朝基板表面喷吐出溶劑蒸氣； 溶劑蒸氣產生用槽，用以收納溶劑； 氣體供給源，朝該溶劑蒸氣產生用槽内供給溶劑蒗 用氣體；及 … 洛劑蒸氣供給管路，連接該嘴嘴與溶劑蒸氣產生用槽； ^ f該溶劑蒸氣產生用槽中包含：溫度感測器，用以檢測該 岭，絡氣產生用槽内之溫度；及液面高度感測器，用以檢測溶 劑蒸氣產生用槽内溶劑液面之高度； ^且於連接該溶劑蒸氣產生用槽與氣體供給源之氣體供給 官路中介設氣體流量調整閥，並於該溶劑蒸氣供給管路中介設 溶劑蒸氣之流量調整閥； 且於該平滑處理區塊内配置氣體濃度感測器，用以檢測該 平滑處理區塊内的處理單元外之溶劑氛圍；且 〇〇根據來自該氣體濃度感測器、溫度感測器及液面高度感測 裔之檢測訊號，藉由該控制機構，控制該氣體流量調整閥及溶 劑瘵氣之流量調整閥，並將檢測資訊顯示於該顯示機構。 30
TW097145460A 2007-12-18 2008-11-25 Substrate processing device TWI379371B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007325718A JP4601080B2 (ja) 2007-12-18 2007-12-18 基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200933796A TW200933796A (en) 2009-08-01
TWI379371B true TWI379371B (en) 2012-12-11

Family

ID=40751565

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097145460A TWI379371B (en) 2007-12-18 2008-11-25 Substrate processing device

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8033244B2 (zh)
JP (1) JP4601080B2 (zh)
KR (1) KR101359804B1 (zh)
TW (1) TWI379371B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI616970B (zh) * 2015-06-18 2018-03-01 思可林集團股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
TWI728134B (zh) * 2016-07-05 2021-05-21 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100424822C (zh) * 2003-06-06 2008-10-08 东京毅力科创株式会社 基板的处理膜表面粗糙度的改善方法及基板的处理装置
JP5437739B2 (ja) * 2009-08-21 2014-03-12 東京エレクトロン株式会社 液処理システム
JP5719546B2 (ja) * 2009-09-08 2015-05-20 東京応化工業株式会社 塗布装置及び塗布方法
JP5469966B2 (ja) * 2009-09-08 2014-04-16 東京応化工業株式会社 塗布装置及び塗布方法
JP5439097B2 (ja) * 2009-09-08 2014-03-12 東京応化工業株式会社 塗布装置及び塗布方法
JP5639816B2 (ja) * 2009-09-08 2014-12-10 東京応化工業株式会社 塗布方法及び塗布装置
JP4967004B2 (ja) 2009-09-14 2012-07-04 東京エレクトロン株式会社 レジスト塗布現像装置およびレジスト塗布現像方法
KR101084275B1 (ko) * 2009-09-22 2011-11-16 삼성모바일디스플레이주식회사 소스 가스 공급 유닛, 이를 구비하는 증착 장치 및 방법
US9941100B2 (en) 2011-12-16 2018-04-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Adjustable nozzle for plasma deposition and a method of controlling the adjustable nozzle
KR101930849B1 (ko) * 2011-12-28 2018-12-20 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 그것을 이용한 박막 증착 방법
JP5541274B2 (ja) * 2011-12-28 2014-07-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
US8647817B2 (en) * 2012-01-03 2014-02-11 Tokyo Electron Limited Vapor treatment process for pattern smoothing and inline critical dimension slimming
JP5655895B2 (ja) * 2013-06-05 2015-01-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
US9759089B2 (en) * 2013-12-10 2017-09-12 General Electric Company Transportable modular coating systems and methods
JP6094513B2 (ja) 2014-02-28 2017-03-15 東京エレクトロン株式会社 処理ガス発生装置、処理ガス発生方法、基板処理方法及び記憶媒体
US20150259797A1 (en) * 2014-03-17 2015-09-17 Jiangsu Nata Opto-electronic Material Co., Ltd. Liquid-Metal Organic Compound Supply System
KR20170009539A (ko) * 2015-07-17 2017-01-25 세메스 주식회사 처리액 공급 유닛 및 기판 처리 장치
US20210242039A1 (en) * 2020-02-04 2021-08-05 Tokyo Electron Limited Substrate processing system and method to reduce a number of external connectors provided on the system

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3225344B2 (ja) * 1996-01-26 2001-11-05 東京エレクトロン株式会社 処理装置
KR100602104B1 (ko) * 1999-05-25 2006-07-19 동경 엘렉트론 주식회사 레지스트 도포현상처리장치
JP3888836B2 (ja) 1999-05-25 2007-03-07 東京エレクトロン株式会社 レジスト塗布現像処理装置
US6426303B1 (en) * 1999-07-16 2002-07-30 Tokyo Electron Limited Processing system
JP4294837B2 (ja) 1999-07-16 2009-07-15 東京エレクトロン株式会社 処理システム
JP4170943B2 (ja) * 1999-10-19 2008-10-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2001319845A (ja) * 2000-05-02 2001-11-16 Tokyo Electron Ltd 塗布現像処理システム
JP2003178946A (ja) * 2001-12-10 2003-06-27 Tokyo Electron Ltd 現像処理方法及び現像処理装置
JP4180304B2 (ja) * 2002-05-28 2008-11-12 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US7077585B2 (en) * 2002-07-22 2006-07-18 Yoshitake Ito Developing method and apparatus for performing development processing properly and a solution processing method enabling enhanced uniformity in the processing
JP4093462B2 (ja) * 2002-10-09 2008-06-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
CN100424822C (zh) * 2003-06-06 2008-10-08 东京毅力科创株式会社 基板的处理膜表面粗糙度的改善方法及基板的处理装置
JP4328667B2 (ja) * 2003-06-06 2009-09-09 東京エレクトロン株式会社 基板の処理膜の表面荒れを改善する方法及び基板の処理装置
JP4912008B2 (ja) * 2006-03-29 2012-04-04 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4697882B2 (ja) * 2006-05-19 2011-06-08 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置及び処理液供給方法並びに処理液供給用制御プログラム

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI616970B (zh) * 2015-06-18 2018-03-01 思可林集團股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
TWI728134B (zh) * 2016-07-05 2021-05-21 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體

Also Published As

Publication number Publication date
JP4601080B2 (ja) 2010-12-22
US8033244B2 (en) 2011-10-11
KR101359804B1 (ko) 2014-02-07
US20090151631A1 (en) 2009-06-18
TW200933796A (en) 2009-08-01
KR20090066248A (ko) 2009-06-23
JP2009147261A (ja) 2009-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI379371B (en) Substrate processing device
TW201003328A (en) Substrate table, lithographic apparatus and device manufacturing method
TW200921294A (en) Methods relating to immersion lithography and an immersion lithographic apparatus
TW200919105A (en) Lithography ststem, method of clamping and wafer table
TW200521634A (en) Method and system for immersion lithography
TWI536120B (zh) 基板台總成，浸潤式微影裝置及器件製造方法
TW200916733A (en) Apparatus and method of sensing leakage of chemical liquid
TWI621729B (zh) 基板處理方法
TW200530766A (en) Exposure apparatus, supply method and recovery method, exposure method, and component producing method
TWI297174B (zh)
TW201220385A (en) Substrate treatment method, computer storage medium and substrate treatment apparatus
TW201227166A (en) Method of manufacturing a multi-tone photomask and pattern transfer method
TW200836244A (en) Immersion lithography method
CN103389618B (zh) 防尘薄膜组件框架
TW457540B (en) Substrate processing system and substrate processing method
TWI261880B (en) Photolithography method to prevent photoresist pattern collapse
TWI317051B (zh)
TWI434148B (zh) Exposure control system and exposure control method
TW201245908A (en) A lithographic apparatus, a method of controlling the apparatus and a device manufacturing method
TWI304916B (zh)
JPH0354818A (ja) ホトレジスト塗布装置
TWI857131B (zh) 流體處理系統、方法及微影裝置
JP2880264B2 (ja) 基板保持装置
TWI582547B (zh) 用於調整微影設備之照明裝置的校正設備以及調整方法
CN213122596U (zh) 衬底台、光刻设备和液体限制系统

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees