TWI375821B - - Google Patents

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1375821 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於矽酮剝離襯墊之剥齙 刀調整方法、於石夕 酮剝離襯墊之剝離處理面上積層黏著鈿 、 可剛層之光學構 著劑層及其製造方法，以及附黏著劑光學構件 ， -步關於使用前述光學構件用黏著劑層：液晶二裝二進 有機電致發光（EL)顯示裝置、PDP㈣像_4。Μ 光學構件例如有偏光板、相位差板、光 尤學補償膜、亮度提 昇膜，及積層該等者等。 【先前技術】 使用於液晶顯示裝置等之光學構件，例如偏光板或相 位差板等’係、使用黏著劑貼附於液晶元件。通常，係使用 於光學構件上積層有黏著劑層之附黏著劑光學構件。由於 光學構件使狀材躲加熱條件下或加濕條件下之伸縮程 度大，故於貼附後容易因此而產生翹起或剝離。因此，對 光學構件用黏著劑要求於加熱或加濕條件下亦能具有因應 其之对久性。 又，忒等附黏著劑光學構件，通常與施以矽酮剝離處 理之剝離襯墊形成一體而呈現平滑性。於使該附黏著劑光 學構件之剝離襯墊，基於透明性、耐熱性、平滑性優異且 外觀缺陷少之理由，係使用於ΡΕΤ(聚對苯二甲酸乙二醇酯） 膜上精密被覆矽酮所形成之剝離襯塾。 該石夕嗣剝離概塾’於不需要時可剝離去除，但是如果 5 ⑤ 1375821 在剝離除去時矽酮剝離襯墊的剝離力太大，會不易將制離 襯墊剝離’反之’如果剝離力太小，於衝孔等光學構件製 程中會發生剝離襯墊翹起或剝離的問題，故剝離力必需為 適當。 將上述剝離力調整為適當大小的方法，已提出有例如 改變矽酮成分之使用量的方法（例如，參考專利文獻丨及專 利文獻2)。然而，如果於矽酮成分中使用例如重剝離劑等 來調整剝離力時，重剝離劑可能會轉印在黏著面上而造成 黏著特性降低。再者，已知當將矽酮剝離襯墊捲繞於原板 時重剝離劑會轉印於背面，使剝離剝離襯墊時產生不良的 情形。 專利文獻1 :日本特開平6-298875號公報 專利文獻2 :日本特開2000-199199號公報 【發明内容】 因此，本發明之目的在於提供一種矽酮剝離襯墊之剝 離力的調整方法’其不需使用重剝離劑等矽酮成分而可 輕易地調整矽酿j剝離襯墊之剝離力。又，本發明之目的亦 為提供-種光學構件用黏㈣層及其製造方法，該光學構 件用黏著劑層耐久性優異、且具有適#之剝離力。並且， 提供具有前述黏著劑層之附黏著劑光學構件及使用該附黏 著劑光學構件之影像顯示裝置。 本發月人等’為了達成上述目的努力研究的結果發現， "、下方法作為矽酮剝離襯墊之剝離力調整方法可達成 ⑧ 6 1375821 上述目的，並完成本發明。 亦即，本發明之矽酮剝離襯墊之剝離力調整方法，包 括：於矽酮剝離襯墊之剝離處理面設置含有基礎聚合物及 過氧化物之黏著劑組成物層的製程；以及，將前述過氧化 物之一部分或全部加熱分解之製程。 / 又，本發明之附矽酮剝離襯墊黏著劑層之製造方法， .·係一種黏著劑層之製造方法，其包含於矽酮剝離襯墊之剝 離處理面設置含有基礎聚合物及過氧化物之黏著劑組成物 • 層的製程，並包含調整矽酮剝離襯墊之剝離力的製程。 依照本發明之矽酮剝離襯墊剝離力調整方法，如實施 例之結果所示，藉由使用包含於矽酮剝離襯墊之剝離處理 面設置含有基礎聚合物及過氧化物黏著劑組成物層之製 程、以及將前述過氧化物之一部分或全部加熱分解之製程 的矽酮剝離襯墊之剝離力調整方法，可容易地調整矽酮剝 離襯墊之剝離力。以上述調整方法可輕易地調整矽酮剝離 .襯墊之剝離力的詳細理由雖尚不明確，但可推測是由於黏 著劑組成物中之過氧化物熱分解產生活性自由基，使得矽 酮分子中發生脫氫反應，因而造成矽酮面的變性所致。 上述矽酮剝離襯墊之剝離力調整方法中，較佳為對前 述黏著劑組成物lg，使前述過氧化物卜加"m〇1加熱分解。 藉由調整過氧化物量以展現適當的剝離力，而可調整剝離 力。 本發明之附矽酮剝離襯墊黏著劑層之製造方法，係包 含於矽酮剝離襯墊之剝離處理面設置含有基礎聚合物及過 ⑧ 7 叩 5821 =化物之黏著劑組成物層之製程之黏著劑層製造方法，姐 含有調整矽酮剝離襯墊之剝離力的製程。藉由使用該製造 '可製得耐久性良好且具有冑度剝離力之光學構件用 黏著劑層。 上述黏著劑層之製造方法中，前述黏著劑組成物之基 礎聚合物，較佳為於單體100重量份中含有（甲基）丙稀酸 烷自旨80重量份以上之（甲基）丙稀酸系聚合物。藉由使用該 點著劑組成物，可製得对久性優異且具有適度剝離力之光 學構件用黏著劑層。 旦又，上述黏著劑層之製造方法中，於黏著劑組成物1〇〇 重量份中’可含有錢偶合劑G.G1〜1重量份。藉由使用該 黏著劑組成物，可以得到耐久性優異且具有適度剝離力之 光學構件用黏著劑層。 另一方面，本發明之附矽酮剝離襯墊黏著片類之製造 方法，包含於石夕綱剝離襯塾之剝離處理面設置含有基礎聚 合物及過氧化物之黏著劑組成物層的製程，其特徵為：藉由 使前述過氧化物之-部分或全部進行加熱分解的製程，將 石夕鲷剝離襯墊之剝離力調整為〇1〜〇4ν/5〇_的範圍。藉 由使用該製造方法’可以得到耐久性優異且具有適度剝^ 力之附矽酮剝離襯墊黏著片類。 此外，本發明之光學構件用黏著劑層，係依照上述方 法所製造。由於本發明之黏著劑層可以發揮如上作用，故 藉由使用本發明之黏著劑層，可以得到耐久性優異且具有 適度剝離力之光學構件用黏著片類。因此，特別適用於再 ⑧ 8 1375821 剝離型之黏著劑層β 本發明之光學構件用華占著片類，係於依上 之黏著劑層上形成剝離觀塾而形成。藉由本發明之光= I用Γ二片·，由於具備能發揮上述作用效果的黏：劑 ^著；J 久性優異且具有適度剝離力之光學構件用 學構附黏著劍光學構件，其特徵為··係於光 成。形成上述光學構件㈣著劑層所構 ::由本發明之附黏著劑光學構件，由於具備能發揮如 效果的黏著劑層，故可成為耐久性優異且 商 度剝離力之附黏著劑光學構件。 、、 件之顯示裝置’係使用上述附黏著劑光學構 件之液日日顯不裝置、有機電致發光（EL)顯示裝置、ρε :::保存於高溫高濕狀態下也不會產生剝離或氣泡，可以 用時，接著力也"變大，可於;再利 之下容易地_。 謂裝置利影響 【實施方式】 以下，烊細說明本發明之實施形態。 本發明之矽酮剝離襯墊之剝離 酮剝離襯墊之剝離處理面設置含有… 。括於石夕 置有基礎聚合物及過氧化物 之黏者劑組成物層的製程、 八μ I ^ 桎及將别述過氧化物之一部分„戈 全部加熱分解的製程。 义 1375821 “設置本發明#著劑組成物層 < 製程中，彳於 著劑組成物之分散溶劑 、 萨序…t 削卜進仃熱熔塗佈’但是為提高塗佈 n^ 較佳為使用分散溶劑。 前述分散溶劑並無特別限定’例如，可適當使用甲苯、 乙=、醇類、明類等有機溶劑以及水等。亦可直接利 聚合時使用的溶劑來塗佈，或再適當添加溶劑。 5亥等各劑可單獨使用，也可混合2種以上使用。 如「黏著手冊(第2版)，第174胃，黏著膠帶工業會 ” ’ 1995.10.12」所示’矽酮剝離襯墊有使用縮合反應型 矽酮剝離劑(例如’一般以兩末端具有羥基之聚二甲基矽氧 院為基礎聚合物，以聚甲基氫二稀石夕氧院為交聯劑，以踢 糸為觸媒）者、及加成反應型矽酮剝離劑（例如，一般以兩 ^端具有經基之聚二甲基石夕氧烧中甲基一部分取代為乙歸 土者為基礎聚合物，以聚甲基氫二烯石夕氧燒為交聯劑以 鉑系觸媒為觸媒）者、以及加成反應型矽酮剝離劑者，但本 發明並無特別限定，使用任一者剝離劑之剝離襯墊皆可。 本發明之過氧化物，只要可藉由加熱產生活性自由基 並與剝離襯墊之矽酮反應者即可使用，但考量作業性與: 夂性，較佳為使用1分鐘半衰期溫度為肋〜丨的芄之過氧化 物’又以使用1分鐘半衰期溫度為90〜140〇c之過氧化物更 佳。若1分鐘半衰期溫度太低，可能於塗佈乾燥前之保存 期間就會進行反應，使得黏度變高而無法塗佈。另一方面， 右1刀鐘半哀期溫度太尚’由於交聯反應時的溫度變古 可月b會發生副反應，或者殘存許多未反應之過氧化物使得

JOZI 交聯一直進行，故不佳。 分解速度之指標，係扑· b物之半衰期，為過氧化物 於任意時間得到半衰期所=化物殘存置成為一半之時間。 之半衰期時間，記解溫度，或於任意溫度下 π 士 '製每商的型錄，例如，記載於曰本 = 機過氧化物型錄第9版(_3年…。 本發明可使用之過氧化物，可 過氧二碳酸能（1分鐘丰& (2乙基己基） 刀鳢手农期溫度：9〇.6t)、二（4_第二丁Α 環己基）過氧二碳酸萨八扯· 、乐一丁暴 吸§曰U分鐘半衰期溫度：92 rc )、二第二 丁基過氧二碳酸醅n 八, 一 (刀鐘半衰期溫度：92.4°c )、第三丁其 過氧新癸酸酯（1分鐘I吝 一 土 刀鐘+哀期溫度：1〇3.5。〇、第三己基過氧 二甲基乙酸醋Π分·_ 一 ’半农期溫度：1〇9.1I3c)、第三丁基過氧 :甲基乙酸醋（1分鐘半衰期溫度：11〇rc)、二月桂酿基過 氧化物Ο刀鐘半衰期溫度：116 4。〇、二正辛酿基過氧化物 0分鐘半衰期溫度： 乙基己酸S旨（1分鐘半衰期溫度：124 3。〇、二（4甲基苯甲酿 基）過氧化物（1分鐘半衰期溫度：128.2t)、二苯甲醯基過 氧化物（1分鐘半衰期温度：13〇〇。〇、第三丁基過氧化異丁 酸醋0分鐘半衰期溫度：136.rc)、1,1.二（第三己基過氧化） 環己烷（1分鐘半衰期溫度：149.2。〇等。其中，由於交聯反 應效率特別優異，故較佳為使用二（4·第三丁基環己基）過 氧一碳酸酯（1分鐘半衰期溫度：92.1。(：）、二月桂醯基過氧 化物（1分鐘半衰期溫度：116.4。〇、二苯甲醯基過氧化物（1 分鐘半衰期溫度：13〇.〇°c )等。前述過氧化物可單獨使用亦 可混合2種以上使用。 1375821 本發明之黏著劑組成物，塗佈於經過剝離處理之剥離 觀塾後乾燥，會形成具黏著劑組成物之層。又，亦可將形 成於其他基材之黏著劑組成物層轉印於剝離襯墊。 本發明之剝離力調整方法中，除了調整過氧化物量以 外，分解處理溫度與分解處理時間也是重要因子。 本發明中’過氧化物分解量，對前述黏著劑組成物ig， 較佳為調整成1〜2“m〇卜更佳為2〜16"mo卜以2〜12" 又更佳。若過氧化物之分解量低於，剝離力會 變得太小，而若高於2“ mol，則剝離力可能會變得太大， 故不佳。 =述過氧化物’對黏著劑組成物⑽重量份，較 〜2重量份，又以〇創重量份更佳。若低於。·。2 重分隔體的剝離力可能變得太小，另一方面，若高 於2重里份’則剝離力會 ° 户旦# 會變付太大，或者黏著劑層中殘存 夕里、過氧化物而使黏著特性隨時間而改變。 關於别述過氧化物之分解處理溫度與分解處理時間， ;:2要〇能將過氧化物之分解量調整為對黏著劑組成物lg，為 //mo卜較佳為“ _更佳為2〜12一卜即可， 但疋’若溫度為1 70〇C以 處理溫度可直接使用乾燥昧i可月b會引起副反應。分解 扞八鲑步 ’、時之，皿度，或者可於乾燥後再進 4丁刀解處理。虚理味p弓 ^ Α π 、β ，可考量生產性或作業性設定，通 吊為0 · 2〜2 0分鐘；t亡，π 刀鐘左右’又以〇.5〜10分鐘左右較佳。 使用之黏著劑組成物，只要於上述組成中具有 口茨黏者性即可，並盔牿 …特別限疋，較佳為使用（甲基）丙烯酸 12 1375821 糸聚合物作為基礎聚合物之黏著劑組成物。 可作為前述基礎聚合物之單體成分的（甲基）丙烯酸烷 酿，可使用與碳數為12以下之醇形成之酯。尤其以具有 碳數為4〜12之烷基的（曱基）丙烯酸系單體為佳。 前述（甲基）丙烯酸系單體，可舉例如，（甲基）丙烯酸甲 . 醋、（甲基）丙烯酸乙酯、（曱基）丙烯酸丙酯、（曱基）丙烯酸 .· 正丁酯、（甲基）丙烯酸第三丁酯、（甲基）丙烯酸異丁酯、（甲 基）丙烯酸戊酯、（甲基）丙烯酸己酯、（曱基）丙烯酸2-乙基 ί 己酯、（甲基）丙稀酸正辛酯、（甲基）丙烯酸異辛酯、（甲基） 丙烯酸正壬酯、（曱基）丙烯酸異壬酯、（曱基）丙烯酸正癸酯、 (甲基）丙稀酸異癸酯、（曱基）丙稀酸正十二酯等。該等丙稀 酸糸單體可單獨使用’也可以混合2種以上使·用。 本發明中’（甲基）丙稀酸系聚合物’係指丙烯酸系聚 合物及/或曱基丙烯酸系聚合物，而，（曱基）丙烯酸酯係指 丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯。 前述（甲基）丙烯酸系聚合物，尤其以單體成分1〇〇重 量份中，具有（甲基）丙烯酸烷醋80重量份之（曱基）丙烯酸 系聚合物為佳。 前述（甲基）丙稀酸系聚合物中，於單體成分l〇〇重量 份中，（甲基）丙烯酸烷酯之比率較佳為8〇重量份以上（例 如80〜99.8重量％左右），又以85重吾々v L系 垔里伤U上更佳。如果低 於80重量份，會缺乏應力緩和性，故不佳。 本發明中，可使用含有經基等官能基之含官能基單體。 官能基之種類可以適當選擇。 13 1375821 前述含官能基之單體具體例，可舉例如，（曱基）丙歸 酸、衣康酸、馬來酸、巴豆酸、馬來酸肝、2-(曱基）丙稀 醯氧乙基琥珀酸、2-(甲基）丙烯醯氧乙基苯二曱酸等含竣 基單體或其酐；（甲基）丙烯醯胺、N，N-二甲基（甲基）丙稀酿 胺、N-羥曱基（曱基）丙烯醯胺、N-曱氧基甲基（曱基）丙稀 .· 酿胺、N-丁氧基甲基（曱基）丙烯醯胺等含醯胺基單體；（甲基） -* 丙烯酸2-羥基乙酯、（甲基）丙烯酸2-羥基丙酯、（甲基）丙 稀酸3 -經基丙醋、（甲基）丙稀酸2 -經基丁酯、（曱基）丙稀 > 酸3-羥基丁酯、（曱基）丙烯酸4_羥基丁酯、聚乙二醇單（甲 基）丙烯酸酯等含羥基單體；（曱基）丙烯酸二曱基胺基乙顆、 (曱基）丙烯酸第三丁基胺基乙酯等含胺基單體；（甲基）丙歸 酸環氧丙酯等含環氧丙基之單體；（曱基）丙腈、(己基）丙 烯醯基嗎啉、N-乙烯基·2·ρ比咯烷酮等。 前述含官能基之單體可單獨使用，亦可組合使用，含 Β能基之單體整體之含量於（曱基）丙烯酸系聚合物之單體 成分100重量份中’較佳為0 01〜2〇重量份，又以〇 重量份更佳。若含官能基之單體含量未滿001重量份則 交聯形成不充分，而使耐久性變差，故不佳。而若含 - 巴月匕 土之單體含量超過20重量份，則對於液晶元件等之黏著 力會變得太大，亦不佳。 本發明使用之（曱基）丙烯酸系聚合物，其重量平均分 子虽為10〜500萬，較佳為20〜400萬，更佳為30〜3〇〇萬。 若重量平均分子量未滿1〇萬，則黏著劑組成物之凝集力 紇】、合易產生糊渣。而若重量平均分子量超過5〇〇萬， 1375821 1 » 則聚合物的流動性會下降使對偏光板的親合性不足，而使 剝離概勢與光學構件等之黏著劑組成物層之間殘留空氣。 本發明中’重量平均分子量係以GPC(gel permeati〇n chromatography，凝膠滲透層析）測得。 前述（曱基）丙烯酸系聚合物之玻璃轉化溫度（Tg)為 ·'以下（通常為_100°C以上），較佳為-10°C以下。如果玻璃轉 化溫度高於〇°C，則聚合物不易流動，使對偏光板之親合 性不足，而使偏光板與表面保護膜之黏著劑組成物層之間 • 殘留空氣。（曱基）丙烯酸系聚合物之Tg可藉由適當改變所 使用單體成分或組成比以調整於前述範圍内。本發明中玻 . 璃轉化溫度（Τ§)係指以動態黏彈性裝置所測定者。 本發明所使用（甲基）丙烯酸系聚合物之聚合方法並無 特別限定，例如，可使用溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合、 懸〉于聚合等周知的方法。得到之聚合物，可為隨機聚合物、 嵌段聚合物任一者。例如，使用溶液聚合時，可對單體ι〇〇 籲重畺伤配合偶氮一丁腈等聚合起始劑〇·〇ΐ〜〇.2重量份， 並使用乙酸乙酯等聚合溶劑，於氮氣氣流下於5〇〜70。(：反 應8〜30小時以得到既定之（甲基）丙烯酸系聚合物。 • 本發明中’（甲基）丙烯酸系聚合物於聚合時，可使用 .過氧化物做為聚合起始劑。聚合時，過氧化物會有未反應 而殘留於前述黏著劑組成物層中之情形，但可使用該殘留 之過氧化物來調整剝離襯墊之剝離力。或者，將未反應的 k氧化物殘留量加以定量，依需要添加過氧化物至既定之 過氧化物量。 ⑧ 15 1375821 本發明中’矽烷偶合劑無特別限制，可適當使用習知 者。可舉例如’ 3·環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、3 -環氧 丙氧基丙基三乙氧基矽烷' 3_環氧丙氧基丙基曱基二乙氧 基矽烷、2-(3,4-環氧環己基）乙基三曱氧基矽烷等含環氧基 矽烷偶合劑；3-胺基丙基三曱氧基矽烷、N 2•(胺基乙基）_3_ 胺基丙基甲基二曱氧基矽烷、3_三乙氧基矽烷基_n (1，3_: 曱基亞丁基）丙胺等含胺基矽烷偶合劑·，3_丙烯醯氧丙基三 曱氧基矽烷、3-曱基丙烯醯氧丙基三乙氧基矽烷等含（甲基） 丙烯酸基之矽烷偶合劑；3·異氰酸酯丙基三乙氧基矽烷等含 異氰酸酯基之矽烷偶合劑等。 本發明中，前述矽烷偶合劑，對（曱基）丙烯酸系聚合 物之固體成分100重量份，以配合0 0^重量部為佳以 〇」〇2〜0.6重量份更佳。若配合量變多，則對液晶元件之黏 著力會上升，而造成再剝離性變差，若配合量太少，則可 能會造成封久性下降。 本發明之黏著劑組成物，藉由將（曱基）丙烯酸系聚合 物適當交冑’可製成耐熱性優異者。本發明所使用之交聯 劑’例如有’異氰酸酯化合物、環氧化合物、三聚氰胺系 樹脂、氮雜環丙烷衍生物及金屬螯合化合物等。其中，主 要由得到適當凝集力的觀點，尤其以使用異氰酸醋化合物 或環氧化合物為佳。尤其是’製造聚合物時，肖丙烯酸2_ 羥基乙酯等含羥基單體共聚合以於聚合物導入羥基時，較 佳為使用異氰酸S旨作為交聯#卜料化合物可以翠獨使 用’也可以組合使用。 13?582l 異氰酸酯化合物，可舉例如，丁撐二異氰酸醋、六甲 偉二異氰酸酯等低級脂肪族聚異氰酸酯類、環戊樓二異氣 竣酯、環己撐二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸醋等脂環族 異氰酸酯類、2,4-甲苯撐二異氰酸酯、4,4，-二苯基甲烧二 異氰酸酯、二甲苯撐二異氰酸酯等芳香族二異氰酸酯類、 三羥甲基丙烷/曱苯撐二異氰酸酯三元體加成物（商品名可 羅内特L，日本聚氨基甲酸酯工業公司製）、三經甲基丙统 。、甲撐一異氰酸酯二元體加成物（商品名可羅内特，日 本聚氨基甲酸酯工業公司製）、六甲撐二異氰酸酯之三聚異 氰酸酯體（商品名可羅内特HX，日本聚氨基曱酸酯工業公 司製）等異氰酸酯加成物、對各種多元醇之二異氰酸酯加成 物等。該等化合物可單獨使用亦可組合使用。 裱氧化合物，可舉例如，N，N，N，，N，_四環氧丙基_m·二

甲苯一胺（商品名TETRAD_X ,三菱氣體化學公司製）或H 雙（N，N-一％氧丙基胺基甲基）環己烷（商品名， 二曼氣體化學公司製）等。該等化合物可單獨使用亦可組合 使用。 三聚氰胺樹脂，可舉例如六經甲基三聚氰胺等。敗雜 環丙烧衍生物，可舉例如市售商品名聊(相互藥工公司 ，）商。口名TAZM(相互藥工公司製）、商品名taz〇㈠目互 樂工公司製）等。該等化合物可單獨使用亦可組合使用。 金屬聲合物之金屬成分，可舉例如銘、鐵、錫、鈦、 錄專，螯合劑成分例如 有乙炔、乙醯基乙酸甲酯、乳酸乙 醋等。該等化合物可單猶 早獨使用亦可組合使用。 17 ^75821 對上述（曱基）丙烯酸系聚合物100重量份，本發明所 使用交聯劑之含量，通常為0.01〜5重量份左右，較佳為將 交聯劑量調整為使以交聯劑交聯後凝膠成分為45〜95重量 %之量，更佳為5〇〜85重量％。如果凝膠分率低於45重量 °/〇 ’於加熱試驗中會產生氣泡等不良現象，而且，黏著劑 組成物的凝集力會變小，造成糊渣的出現。而，如果凝膠 分率高於95重量％，則黏著劑組成物之凝集力會變大，使 接著性變差。 本發明中’凝膠分率表示交聯程度，為以黏著劑交聯 部分的比例。 前述凝膠分率測定方法如下所示。取剛經交聯處理後 之黏著劑層約〇.lg ’秤量求出重量份（Wi)g。其次，包覆 於微孔性四氟乙烯膜（包覆後之膜重量Wdg))，於50mi乙 酸乙酯在約25。(：下浸泡2天後，萃取除去可溶成分。接著， 將前述黏著劑層由乙酸乙酯中取出，於11 〇。匚乾燥1小時， 測定乾燥後重量Ws(g)。從該等測定值，依下式求出黏著 劑層之凝膠分率（重量％)。並且，於塗佈後，於室溫保存i 週後，測定凝膠分率。 凝膠分率（重量 ％)=(\^3-\¥2/\^)\100 本發明之黏著劑組成物，係以如上（甲基）丙烯酸系聚 合物作為基礎聚合物。 本發明之黏著劑層中，除上述成分以外，可視需要適 當使用例如苯酚樹脂、萜烯-苯酚樹脂、帖烯樹脂、二甲苯 樹脂、松香樹脂、氫化松香樹脂等各種增黏劑；碳酸鈣、碳 18 1375821 黑等無機充填劑；潤滑劑、抗老化劑、著色劑、顏料等粉體 界面活性劑、可塑劑、消泡劑、光安定劑、觸變劑、紫外 線吸收劑、低分子量聚合物、表面潤滑劑、整平劑、抗氧 化劑、聚合停止劑、耐熱安定劑、耐加水分解安定劑等安 定劑；金屬粉末、顆粒狀物、狀物等。該等成分可單獨使 用1種，亦可使用2種以上。 本發明之黏著劑層厚度，較佳為乾燥後厚度為2# m〜500心，又以5"m〜1〇〇//m更佳。如果較薄， 則對光學構件之黏著力會不夠，而若超過5〇〇_，則黏著 力飽和，不經濟，且黏著劑溢出會造成凝集破壞，使 離變得困難。 ’

,本發明之黏著劑層’係於經剝離處理之矽調剝離襯塾 上形成含有本發明黏著劑組成物者。形成黏著劑層時，一 叙係以於塗佈黏著劑組成物溶液後將溶劑揮發來進行，作 疋也可將溶劑從黏著劑組成物揮發後得到的黏著劑層轉印 於剝離處理基材等來形《，或者，也可以藉由逆_佈機 或照相凹版塗佈機等輥塗機、簾幕塗佈機、模唇塗佈機（Up 一）、模塗機、輥刷，法、氣刀塗佈法等來塗佈 黏者劑組成物以形成黏著劑層m行熟成以調整塗佈 後黏著劑層成分的移動或調整交聯反應。X，於矽酮剝離 襯墊上塗佈黏著劑組成物時，為了於剝離處理基材上均一 地進行塗佈，亦可於該組成物中再加a 1種以上聚合溶劑 以外的溶劑。經剝離處理之剝離襯墊，可舉例如於pet膜 上經矽嗣系剝離處理之矽酮剝離襯墊等。 1375821 本發明之黏著片類，係於聚酯膜等塑膠膜或紙、不織 布等多孔材質所形成之各種支持體單面或兩面上，形成矽 _剝離襯墊（通常其黏著劑層厚度為2〜5〇〇^m，較佳為 5〜100" m左右），且形態為片狀或膠帶狀。 構成黏著片類之支持體，較佳為兼具封熱性、耐溶劑 性及可撓性之樹脂膜。如果支持體具有可撓性，可藉由反 相塗佈或照相凹板塗佈等輥塗、簾幕塗佈、模唇塗佈、模 口塗佈㉟刷、噴塗法、氣刀塗佈法等方法塗佈黏著劑組 成物，並能捲繞成滾筒狀。 形成作為支持體之J[括腔的姓+日t 叉符膜的樹月曰，只要是能形成片狀 或膜狀者即可，並無特別限定，可棗 』限疋可舉例如，聚乙烯、聚丙 烯、聚-1 - 丁稀、聚_4-甲其1 士'、咕 _ ,. T基-1·戊烯、乙烯•丙烯共聚物、 乙稀·1-丁稀共聚物、己说 7缺 乙烯乙酸乙烯酯共聚物、乙烯· 丙烯酸乙酯共聚物、乙烯•乙烯醆 ^ G肺私共聚物等聚烯烴膜；聚對 本·一甲酸乙二醇醋、聚26 —笼-田 5 6 一曱酸乙二醇酯、聚對苯 二曱酸丁二醇酯等聚酯脬.卒高祕缺此μ 軸膜，聚丙烯酸酯臈、聚苯乙烯膜、尼 龍6、尼龍6,6、部分芳香族聚酿胺等聚酿胺膜；聚氣乙稀 膜、聚偏氣乙稀膜、聚碳酸輯膜;聚敗乙稀等含氣樹脂、聚 醯亞胺、尼龍、纖維素等。 又’為了提高黏著劑層與支持膜間的密合性，可於支 持膜表面進行電暈處理。亦 口'又 力J於叉持膜背面進 前述膜之厚度通常為5 2如 ^ 吊為5 2〇(^m’較佳為 Λ3 本發明之光學構件用黏著劑層 之製造方法 包括將前 20 1375821 述黏著劑組成物塗佈於經剝離處理的矽鲷剝離襯墊上， 其乾燥後，將前述過氧化物加熱分解處理的製程。= 係如前所述。 本發明之光學構件，係於於偏光板等光學構件單 兩面上形成以前述製诰方沐所；^ & > & & + κ 出於黏著劑層時，ί = =㈣劑層。若表面露 材等適當的保護广實際使…以經制離處理的片 光學構件可使用形成液晶顯示裝置等影像顯示裝 使用者，種類不特別限制。光學構件例如有偏光板等 =板-般係使用於偏光元件單面或雙面具有透明保護膜 偏光元件不特別限定，可使用各種種類。偏光元 有’於聚乙婦醇系膜、部分甲酿化聚乙料系媒'乙歸 乙ι乙稀i日共聚物系部分驗化膜等親水性高分子膜上， 吸附碟或雙色性毕料莖雔Α # /z_ 醇α η f作單轴拉伸者，聚乙烯 膜："7々理物或聚氯乙稀之脫鹽酸處理物等聚稀系配向 、β等之中’較佳為聚乙稀醇系膜與峨等雙色性物質 偏光元件。該等偏光元件之厚度不特別限定，—般 而巨’為5〜8〇々m 〇 將=乙稀醇系膜以峡染色後作單轴拉伸的偏光元件例 a/精由將聚乙稀醇浸泡於蛾水溶液以染色，再拉伸為 ' 倍以製作。可視需要浸泡於可含硼酸或硫酸鋅、 ==之埃化卸等之水溶液。亦可視需要，於染色前先 ,醇系膜浸泡於水中以清洗。藉由水洗聚乙婦醇， 21 可以清洗聚乙缚醇系胺 聚乙烯膜膨潤以防止、染均髒5或抗黏附劑，也具有使 進行，也可以邊染色邊=的效果°拉伸可於埃染色後 也可於领酸或蛾化卸等水’也可以先拉伸再以攝染色。 r寻水/令液中或水浴中拉伸。 形成設置於前诚值止- 料70件皁面或雙面之透明保護膜材 枓較佳為透明性、機械 向性"好“強度、熱安定性、水分阻隔性、等 2等良好者。例如有，聚對苯二？酸乙二醇醋或聚2,6 一 等眾S曰系聚合物、二乙醯基纖維素或 酿基纖維素等纖維素系聚合物、以基丙稀酸甲醋等 丙烯酸系聚合物、聚笨乙烯或丙烯腈—苯乙烯共聚物Μ 樹脂）等苯乙稀系聚合物、聚碳酸自旨系聚合物等。又，形成 前述透明保護膜之聚合物例尚有聚乙烯、聚丙烯、環系或 降冰片稀構造之聚稀烴'乙烯丙稀共聚物等聚稀煙系聚合 氯乙稀系聚δ物、尼龍或芳香族聚醯胺等醯胺系聚合 物、酿亞胺系聚合物、碾系聚合物、聚峻楓系聚合物、聚 醚醚酮系聚合物、聚苯硫系聚合物、乙烯醇系聚合物、偏 氣乙烯系聚合物、乙烯丁縮醛系聚合物、芳酯系聚合物、 聚甲醛系聚合物、環氧系聚合物，或前述聚合物之摻合物 等。透明保護膜可為丙烯酸系 '氨基曱酸酯系、丙烯酸氨 基曱酸酯系、環氧系、石夕_系等熱固型、紫外線硬化型之 樹脂硬化層。 又’尚可舉出，曰本特開2001-343529號公報 (W001/37007)所記載之聚合物膜，例如為含有（Α)側鏈具 有取代及/或非取代醢亞胺基之熱可塑性樹脂及（Β)側鏈具 22 ⑧ 1375821 有取代及/或非取代苯基及腈基之熱可塑性樹脂之樹脂組成 物。具體例例如有含有異丁烯與N•甲基馬來醯亞胺交替共 ♦物與，丙腈•笨乙稀共聚物之樹脂組成物之膜。可使用 由樹脂組成物之混合擠壓品所構成之膜。 保護膜之厚度可適當決定，基於強度或操作性、薄層 ’性之考量，一般為1〜500 "m左右。尤其以為 .· 佳，以5〜200 y m更好。

保護膜以盡量不著色為佳。故，較佳之保護膜為 Rth-[(nx+ny)/2-nz] ·<!(其中，^叮為膜平面的主折射率， nz為膜厚方向的折射帛，d4膜厚）所表示膜厚度方向相位 差值·9〇ηΠ1〜+7511〇1者。藉由使用厚度方向相位差值（Rth)為 •9〇nm〜+75nm之保護膜，可大致削除由於保護膜造成偏光 板著色(光學性著色)的情形。厚度方向相位差值⑻更佳 為-80nm〜+60nm，尤以·7〇ηηι〜+45ηιη 更佳。 由偏光特性或耐久性等觀點，保護膜較佳為三乙醯基 纖維素等纖維素系聚合物。尤以_ 凡以二乙醯基纖維素膜為佳。 又’如果於偏光元件兩側設置保護膜時，可以正反面使月 相同聚合物材料形成之保護膜，也可使用不同聚合物材半 等構成之保護膜。前述偏光元件與保護膜通常係透過水角 黏著劑密接。水系黏著劑’可舉例如異氰酸醋系黏著劑: 聚乙稀㈣黏著劑、明㈣黏著劑、乙稀基系乳膠系、 系聚氨基甲酸酯、水系聚酯等。 光元件之面，可視目的施 防止或擴散或抗眩處理。 前述透明保護膜中未接著偏 以硬塗層或反射防止處理、黏附 23 1375821 硬：層係：於防止偏光板表面受傷，例如，可用丙稀 等適當紫外線硬化型樹脂等硬化或平滑㈣ 係良好的硬化皮膜附加於透明保護膜表面。反射防止處理 習外光在偏光板表面反射為目的而施行者可依據 。方法形成反射防止膜等來達成H附防止處理， 係以防止與鄰接層密合之目的而施行者。 2,係以防止外光在偏光板的表面反射而阻礙偏光板 ，先之目視等為目的㈣行者，例如，可时沙方式或 “加工方式等粗面化方式或與配合透明微粒子之方式等 適田方式，於透明保護膜表面形成微細凹凸構造。作為用 以形成微細凹凸構造之微粒子，可關如，平均粒徑ο· 7之二氧化石夕、氧化紹、氧化欽、氧化錯、氧化錫、氧 化銦、氧化m料構成之具導電性無㈣微粒子、 父聯或未交聯聚合物構成之有機系微粒子等透明微粒子。 形成表面微細凹凸構造時微粒子之用量，通常對用以形成 表面微細凹凸構造之透明樹月旨100重量份宜為2〜5〇重量 份’又以5〜25重量份較佳。抗眩層，亦可兼作用以擴散 偏光^透過光使視角增大的擴散層（視角擴大機能）。 前述反射防止層、黏附防止層、擴散層或抗眩層，除 了可設置於透明保護層上之外，亦可做為其他之光學層而 與透明保護層分開設置。 、本發明之光學構件例如為，反射板或半穿透板、相位 差板（含1/2或1/4等波長板）、視角補償膜、亮度提升膜等 液晶顯示裝置形成所使用之光學層。該等可單獨作為本發 ⑧ 24 1375821 明之光學構件使用，也可以於實際使用時積層丨〜]層於前 述偏光板。 尤其是’較佳者為，於偏光板上進一步積層反射板或 半穿透反射板所形成之反射型偏光板或半穿透型偏光板、 於偏光板上進一步積層相位差板所形成之橢圓偏光板或圓 偏光板、於偏光板上進一步積層視角補償膜之廣視角偏光 板’或者於偏光板上進一步積層亮度提升膜之偏光板。 反射型偏光板係於偏光板上設有反射層，係用以形成 將來自目視侧（顯示侧）之入射光予以反射而進行顯示類型 的液晶顯示裝置等，可省略内建背光等光源，容易使液晶 員示裝置薄型化。反射型偏光板之形成，可視需要透過透 明保6蒦層等在偏光板單面附設由金屬等構成之反射層的方 式等適當方式來進行。 反射型偏光板具體例，可舉例如，於透明保護膜（視 而要可進仃削光處理）單面上，附設鋁等反射性金屬構成 之搭或蒸鑛膜以形成反射層等。又，亦可舉出：使前述透 明保護層中含有微粒子作成為表面微細凹凸構造，在其上 設有微細凹凸構造的反射層等。前述之微細凹凸構造之反 射層藉由使人射光不規則反射、擴散而可防止定向性與 閃爍的外冑’並可抑制明暗的斑紋情形，是其優點。又含 有’粒子之透月保5蒦層，於入射光及其反射光穿透時可被 擴散’可更進-步抑制明暗之斑紋情形，亦為其優點。反 映出透明保護層的表面微細凹凸構造之微細凹凸構造的反 射層之形成’可藉由用例如真空蒸鐘方式、離子植入方式、 ⑧ 25 1375821 濺鍍方式等之蒸鍍方式或鍍敷方式等之適當的方式在透 明保4層的表面直接附設金屬的方法等來施行。 射板’除了直接附加到前述偏光板的透明保護層上， 亦可使用以該透明膜為架構之適當的膜上設置反射層所成 之反射片等。又，反射層由於通常係由金屬所構成，故反 射面以透明保護層或偏光板等被覆的狀態之使用形態，對 ;土；防止因氣化導致之反射率降低乃至於初期反射率之 長期持續的觀點、或避免另外設置保護層之考量等為更佳 •者。 又，半穿透型偏光板’可藉由設置上述之於反射層將 . 光反射並使光穿透之半透鏡等之半穿透型之反射層而得 J半穿透型偏光板，通常係設置於液晶元件的内側，可 用以形成下述類型之液晶顯示裝置：於液晶顯示裝置等在 比較明亮的環境下使用的場合，使來自目視側（顯示側）的 入射光反射而顯示影像，於比較暗的環境下，則使用内藏 於半穿透型偏光板的内側之背光等之内藏光源來顯示影像 者。亦即，半穿透型偏光板，於形成於明亮的環境下可節 約月光專的光源使用之能源，於比較暗的環境下可使用内 藏光源的類型之液晶顯示裝置。 其次’就於偏光板上進一步積層相位差板所成之橢圓 偏光板或圓偏光板作說明。於欲使直線偏光轉換為橢圓偏 光或圓偏光、或使橢圓偏光或圓偏光轉換為直線偏光、或 使直線偏光方向改變的場合’須用相位差板等^尤其，作 為使直線偏光轉換為圓偏光'或使圓偏光轉換為直線偏光 26 ⑧ 1375821 的相位差板，可用所謂之1/4波長板（亦稱為λ/4板）。ι/2 波長板(亦稱為"2板)通常係用於改變直線偏光的偏光方 向之場合。 橢圓偏光板可補償（防止）超扭轉向列（STN)型液晶顯示 裝置之液晶層的雙折射所產生之著色（藍或黃），可有效地 用於沒有#述著色的黑、白顯示的場合等。再者，經對三維 之折射率加以控制者’亦可補償（防止）對於自斜方向觀看 液晶顯示裝置的畫面時所產生的著色，故為較佳。圓偏光 板’可有效地用於例如，影像為彩色顯示之反射型液晶顯 示裝置之影像色相調整的場合等，又，亦有防止反射之作 用。 相位差板’可舉例如，高分子材料經單轴或雙轴拉伸 處理而成之雙折射性膜、液晶聚合物之配向膜、使液晶聚 合物之配向層支持於膜者等。相位差板厚度並無特別限 制’ 一般為20〜150私m左右。

，南分子材料，可舉例如：聚乙稀醇、聚乙稀醇縮丁链、 聚甲基乙烯醚、聚丙烯酸羥乙酯、羥乙基纖維素、經丙基 截維素f基纖維素、聚碳酸醋、聚稀丙醋、聚楓、聚對 :二酸乙二醇醋 '聚禁2,6—二甲酸乙二醇醋 '聚_、 …、聚苯酮、聚稀丙基碉1乙稀醇、聚酿胺、聚醯 亞胺、聚稀烴、聚氣乙#、纖維素系聚合物、或此等之二 、&系之各種共聚物、接枝共聚物、摻合物等。此 等高分子材料藉由拉伸而成為配向物(拉伸膜)。 液晶聚合物，可舉例如：將經賦予液晶配向性之共概 27 JOZ丄 性直線狀原子團（液晶元）導人到聚合物的主鏈或側鏈之主 =或側鏈型之各種聚合物等。作為主鏈型液晶聚合物之 椹/列’可舉出：於賦予屈曲性之間隔部鍵結有液晶基的 例如向列配向性之聚酿系液晶性聚合物、碟型聚合 物與膽固醇型聚人妨。 物等作為側鏈型液晶聚合物之具體 =可舉出：以聚梦氧统、聚丙稀酸自旨、$甲基丙稀酸酉旨 圍丙一酸醋為主鏈骨架，隔著作為側鍵之由共概性原子 Η斤構成的間隔部而具有由向列配向賦予性之對位取代之 α “ 。物單位所構成的液晶基部者。此等液晶聚合物， °藉由例如在形成於玻璃上之聚酿亞胺或聚乙烯醇等之薄 膜的表面施以摩擦處理者、進行氧切斜向蒸鍵所成者等 之配向處理面上，使液晶聚合物之溶液擴展而進行熱處 理0 ’ 相位差板，可為用以對例如因各種波長板或液晶層之 又斤射所致之著色或視角等加以補償為目的而具有因應於 使用用途之適當的相位差者，亦可為將至少、2種的相位差 板進行積層而控制相位差等之光學特性者等。 又，上述橢gj偏光板與反射型橢圓偏光板，為偏光板 或反射型偏光板與相位差板以適當的組合進行積層所成 者。此橢圓偏光板等，可藉由以使(反射型)偏光板與相位 差板組合的方式’將其等在液晶顯示裝置之製造過程中依 序逐進仃積層而形成，惟，如前述般之事先作成為搞圓 偏光板等之光學膜者，&質安定性與積層作業性等優異， 故可提高液晶顯示裝置等之製造效率，是其優點。〃 1375821

視角補償臈，係用以使液晶顯示裝置的畫面即使自应 二面：為垂直之稍斜的方向觀看之場合仍可比較清晰地看 相=以使視角擴大為目的之膜。作為如此之視角補償 ::差板，係由例如：相位差板、液晶聚合物等之配向膜、 ^在透明基材上支持著液晶聚合物等之配向層者等所構 成。通常的相位差板，係用沿其面方向施以單轴拉伸之且 =折射之聚合物膜，相對於此’作為視角補償膜之相位 板，則使用於面方向施以雙轴拉伸之具有雙折射之聚合 物膜，或於面方向施以單軸拉伸、於厚度方向亦施以拉伸 之厚度方向的折射率經控制之具有雙折射之聚合物膜或傾 斜配向膜般之二方向拉伸膜等。作為傾斜配向膜，可舉出 例如：於聚合物膜上接著上熱收縮膜，在加熱產生收縮力 的作用下對聚合物進行拉伸處理及/或收縮處理者'或使液 晶=合物斜向配向者等。相位差板之原料聚合物，可用與 於别面之相位差板所說明之聚合物相同者，可用適合於防 基於液aa元件所致之相位差之目視角的變化而造成的著 色等、或擴大目視良好的視角等之目的者。 又，就達成較廣之良好目視之視野角考量，較佳者可 用以三乙醯基纖維素支持著光學異向性層（由液晶聚合物的 配向層、尤其是碟型液晶聚合物之傾斜配向層所構成者）所 形成之光學補償相位差板。 由偏光板與亮度提升膜接著而成的偏光板，通常係設 置於液晶元件的内側而使用。亮度提升膜，顯示下述特性： —旦因液晶顯示裝置等之背光或來自㈣之反射等而入射 29 ⑧ 1375821 自然光時，可將既定偏光軸的直線偏光或既定方向的圓偏 光反射而使其他的光穿透；因此，由亮度提升膜與偏光板 積層之偏光板，可使來自背光等光源的光入射而得到既定 偏光狀態的穿透光，並防止前述既定偏光狀態以外的光穿 透而是予以反射》此於亮度提升膜面反射的光，再透過設 置於其後側的反射層等而反向再入射到亮度提升膜，使其 一部份或全部以既定偏光狀態的光的形式穿透以謀求增加 透過亮度提升膜的光量’並供給不易被偏光膜吸收的偏 光’藉由謀求液晶影像顯示等可利用的光量之增大，以提 高亮度。亦即，於不使用亮度提升膜，以背光等之自液晶 元件内側通過偏光膜使光入射的場合，偏光方向與偏光膜 之偏光軸不一致的光，絕大多數會被偏光膜吸收，而不會 透過偏光膜。亦即，雖依於使用之偏光膜之特性會有不同， 大致上有50%的光會被偏光膜吸收，該部分使得液晶顯示 裝置荨可利用的光量因而減少，致影像變暗。亮度提升膜， 可防止會被偏光膜吸收之偏光方向的光射到偏光膜，而於 免度提升膜反射，再透過設置於其後側的反射層等折回再 入射到亮度提升膜，如此反覆進行，只讓在兩者間反射、 折回的光於成為可通過偏光板的偏光方向的偏光穿透而供 給到偏光膜，故可有效地使用背光等的光於液晶顯示裝置 的影像之顯示，使得影像明亮。 於亮度提升膜與上述反射層等之間亦可設置擴散板。 藉由免度提升膜所反射之偏光狀態的光係朝向上述反射層 等行進’設置之擴散板使通過的光均一地擴散並消除偏光 30 1375821 狀態成為非偏光狀態。亦即，回復到原來的自然光狀熊。 此非偏光狀態（亦即自然光狀態）的光朝向反射層等行進， 經由反射層反射，再通過擴散板而再入射到亮度提升膜， 如此反覆地進行。藉由設置用以回復到原來的自然光狀態 之擴散板，可維持顯示畫面的亮度，同時減少顯示畫面的 . 明暗不均情形，而可提供均一的明亮晝面。一般認為藉 由設置用以回復到原來的自然光狀態之擴散板，初次的入 射光隨著適當地増加反射之反覆次數，與擴散板的作用相 •辅之下而可提供均一的明亮之顯示畫面。 作為前述亮度提升膜，可適當地使用例如：如介電體 之多層薄膜或折射率異向性不同之薄膜之多層積層體般， 顯示出可通過既定偏光轴的直線偏光而將其他的光反射之 特性者；在膜基材上支持著膽固醇型液晶聚合物的配向膜 或其配向液晶層者般，顯示出可將左旋或右旋的任一方之 圓偏光反射而使其他的光穿透之特性者等。 •因而，前述讓既定偏光軸之直線偏光穿透的類型之亮 度提升膜，藉由使穿透光對齊偏光軸而入射到偏光板，可 抑制被偏光板吸收之損失，而可有效率地穿透。另一方面， 於膽固醇型液晶層般之使圓偏光穿透的類型之亮度提升 膜，雖亦可元元本本地使光入射到偏光膜，惟，就抑制吸 收損失考ϊ ’該圓偏光以透過相位差板直線偏光化再入射 至偏光板為佳。又，藉由用1/4波長板，可將圓偏光轉變 成直線偏光。 於可見光域等之廣波長範圍中具有1/4波長板作用之 31 1375821 相位差板’可藉由將例如對波長550nm的單色光發揮1 /4 波長板作用之相位差層、與顯示其他相位差特性之相位差 層（例如發揮1/2波長板作用之相位差層）重疊的方式得到。 因而’配置於偏光板與亮度提升膜之間的相位差板，可由 1層或至少2層以上的相位差層構成。 . 又’有關膽固醇型液晶層，藉由組合反射波長不同者 ·· 配置成2層或至少3層之重疊構造，可得到於可見光域等 之廣波長範圍將圓偏光反射者，據此可得到廣波長範圍之 鲁穿透圓偏光。 又’偏光板亦可如上述偏光分離型偏光板般，由偏光 板與2層或3層以上的光學層所積層而成。因而，亦可為 由上述之反射型偏光板或半穿透型偏光板與相位差板組合 所成之反射型橢圓偏光板或半穿透型橢圓偏光板等。 於偏光板上積層前述光學層所成之光學構件，可藉由 在液晶顯示裝置等之製造過程中依序逐一積層的方式來形 成，事先積層作成光學構件者，於品質安定性與組裝作業 性方面較優，故可提升液晶顯示裝置等之製程，是其優點。 積層之施行，可用黏著層等之適當的接著手段。於前述偏 光板與其他的光學層接著時，可使其等之光學軸依於所須 目的之相位差特性等作成適當的配置角度。 本發明之黏著型光學構件或黏著劑層等之各層，可以 以例如水楊酸酯系化合物或二苯甲酮系化合物苯并三唑 系化合物或丙烯酸氰酯系化合物、鎳錯鹽系化合物等紫外 線吸收劑處理，以使具有紫外線吸收能力。 ' ⑤ 32 1375821 本發明之黏著型光學構件可以適用於液晶顯示裝置等 各種影像顯示裝置之形成。液晶顯示裝置形成可依習知方 法進行。亦即，液晶顯示裝置一般係將液晶元件與黏著型 光學構件及視需要的照明系統等構成構件適當組裝，並加 入驅動電路等以形成，本發明除了必需使用本發明之光學 ，構件以外，不特別限定，可使用習知的構成。液晶元件可 C 使用例如，TN型或STN型、π型等任意形式。 可形成於液晶元件單側或兩側配置有黏著型光學構件 ®之液晶顯示裝置，或者，使用背光或反射板於照明系統之 適當液晶顯示裝置。此情形中，本發明之光學構件可以設 於液晶元件之單側或雙側。如果於兩側設置光學構件時， 可為同樣的光學構件或不同。而形成液晶顯示裝置時，可 於適當位置配置1層或2層以上之適當構件，例如，擴散 板、抗眩層、反射防止膜、保護板、棱柱列、透鏡列片、 光擴散板、背光等。 g 其次’就有機電致發光裝置（有機EL顯示裝置）加以說 明。一般’有機EL顯示裝置係在透明基板上依序積層透 明電極、有機發光層、金屬電極來形成發光體（有機電致發 光體）°此處’有機發光層係各種的有機薄膜之積層體，已 知有例如三苯胺衍生物等所構成之電洞植入層與憩等之螢 光性有機固體所構成之發光層而成之積層體、前述發光層 與二萘嵌苯衍生物等所構成之電子植入層而成之積層體、 或是該等之電洞植入層、發光層與電子植入層之積層體等 各種的組合。

33 (D 1375821 有機el裝置通常係基於以下原理來發光。亦即，對 透明電極與金>1電極施加電壓，以對有機發光層植入電洞 與電子洞與電子之再結合所產生之能量會激發螢 光物質，所激發之螢光物質在回到基態時會發光。中途再 結合此種機制，係與一般之二極體同樣，由此可推想得知， 電流與發光強度對於施加電壓顯示伴隨整流性之強非 性0 "" 於有機EL裝置中，為了自有機發光層導出發光至 ^側之電極必須為透明電極，通常係將由氧化銦錫（ITO) 等之透明導電體所形成之透明電極當做陽極來使用。另一 方面，為了使得電子植入變得容易來提昇發光效率，陰極 使用工作函數小之物質一事是重要的，通常可使用MgAg、 Al-Li等之金屬電極。 於前述構成之有機EL裝置中，有機發光層通常係厚 度薄達lOnm程度之薄膜所形成者。因此，有機發光層與 透明電極同樣可使得光近乎完全穿透。於是，非發光時自 透明基板之表面入射之穿透透明電極與有機發光層而在金 屬電極被反射之光，會再度往透明基板之表面側射出，所 以自外部觀看時，有機EL裝置之顯示面會呈現鏡面。 在包含有機EL發光體（藉由施加電壓而發光之有機發 光層之表面側具備透明電極，有機發光層之背面側具備金 屬電極）之有機EL顯示裝置中，亦可例如在透明電極之表 面側兮§· @俗 a JL偏光板，在透明電極與偏光板之間設置相位差 板0 34 ⑤ 1375821 相位差板與偏光板由於具有將自外部所入射、在金屬 電極被反射之光加以偏光之作用’所以利用其偏光作用可 自外部來確認、金屬電極之鏡面，此為其效果所在。特別是， 只要以1/4波長板來構成相位差板、且將偏光板與相位差 膜之偏光方向所成角度調整為π/4，即可將金屬電極之鏡 面完全遮蔽》 •亦即對有機EL顯示裝置所入射之外部光，利用偏 光板僅直線偏光成分可穿透此直線偏光藉由相位差膜— 般可成為橢圓偏光，但當相位差膜為1/4波長板、且偏光 板與相位差膜之偏光方向所成角度為7Γ /4時，則會成為圓 偏光。 此圓偏光通常會穿透透明基板、透明電極、有機薄膜， 於金屬電極被反射，再次穿透有機薄膜、透明電極、透明 土板乂相位差膜再次成為直線偏光。此直線偏光由於與 偏光板之偏光方向成正交，所以無法穿透偏光板。於是， 可將金屬電極之鏡面完全遮蔽。 [實施例] 以實施例等具體說明本發明，但本發明不限定於 此。又’實施例中之評價項目係以下述方式測定。各例中 %皆為重量基準。 <丙稀酸系聚合物之重量平均分子量之測定> 所製作之聚合物的重量平均分子量係以GPC(凝膠滲透 層析）測定。

刀析裝置：東索公司製，HLC-8120GPC 1375821 管柱： 樣本管柱：東索公司製，G7000Hxl + GMHxl+GMHxl 流量：0.8ml/miη 注入量：ΙΟΟ " 1

管柱溫度：40°C .· 沖提液：THF .· 注入試樣濃度：0.1重量％ 檢測器：差示折射計 • 重量平均分子量係以苯乙烯換算來求得。 <過氧化物分解量之測定> 熱分解處理後之過氧化物分解量係以HPLC(高速液相 層析）測定。 將分解處理前後之黏著劑組成物各取出約〇.2g，浸泡 於10ml乙酸乙酯中，以振盪機於25°C、120rpm振蘯萃取 3小時後，於室溫靜置3日。接著，加入乙腈10ml，於25 °C下，用振盪機以120rpm振盪30分鐘，並以過濾膜（0.45 ® // m)過濾，將得到之萃取液約1 0 " 1注入HPLC進行分析， 以分解處理前後過氧化物量之減少作為過氧化物分解量。 分析裝置：東索公司製，HPL CCPM/UB8000 管柱： 樣本管柱：MACHEREY-NAGEL 公司製，NUCLEOSIL 7 C 1 8(4.6mm0x25Omm) 流量：1 .Oml/min 管柱壓力：41 kg/m2 36 1375821 管柱溫度：40°C 沖提液：水/乙腈=30/70 注入量：10 y 1 注入試樣濃度：〇.〇!重量〇/〇 檢測器：UV檢測器（230nm) <剝離襯墊之剝離力測定> 製作切割為寬50mm、長i〇〇mm大小之附剝離襯墊光 子構件，測疋其於萬能拉張試驗機以剝離速度3分（剝 離角度1800)剝離時，剝離襯墊之剝離力。測定係於23 x50%RH的環境條件下進行。若剝離力低於〇 iN/5〇mm， 由於剝離力太小，故於衝孔等製程中容易發生剝離襯墊翹 起等問題。而若剝離力大於〇.4N/5〇mm，則由於剝離力太 大，實際使用時容易發生不易將剝離襯墊剝離的問題。 <耐久性之評價> 將所製作之光學構件（尺寸12吋）貼附於無鹼玻璃基板 (康寧公司製，商品名康寧l737、25〇X350mm、厚度〇 7mm)， 用壓力鍋以5(TC、5MPa的壓力處理30分鐘。之後，於6〇 C 90 XiRH的環境保存500小時後回復至室溫，製得評價 用樣本。於處理後，確認對玻璃板之附著狀態，並以如下 基準評價。 光學構件沒有發生魅起或剝離：〇 光學構件發生翹起或剝離：χ [實施例1 ] 將丙烯酸丁酯95重量份、丙烯酸3.0重量份、丙烯酸 1375821 2-羥基乙酯0.10重量份、及2,2-偶氮雙異丁腈0.050重量 份與乙酸乙酯200重量份’投入具有氮氣導入管、冷卻管 之四口燒瓶内，充分進行氮氣取代後，於氮氣氣流下邊攪 拌於56°c進行聚合反應20小時，製得重量平均分子量157 萬之高分子量丙稀酸系聚合物A的溶液。 對上述丙烯酸系聚合物A之溶液（固體成分）1〇〇重量 伤，添加一本曱酿基過氧化物（1分鐘半衰期：13001 )〇.15

重量份、作為矽烷偶合劑之3-環氧丙氧基丙基三曱氧基矽 烷0.080重量份、作為交聯劑之三羥曱基丙烷之甲苯撐二 異氰酸酯加成物構成之異氰酸酯系交聯劑（可羅内特l，日 本聚氨基甲酸酯公司製)0.60重量份，並充分均句混合以 調製黏著劑組成物。 'σ 將上述黏著劑組成物，塗佈於經石夕綱制離處 為38…聚對苯二甲酸乙二醇酿膜U菱聚顆公司製？ mrF38(加成反應型石夕酮）），使黏著劑層乾燥 m，於丨贼㈣2分鐘並進行過氧化物 又為… 著劑層轉印於偏光板，而製得本發明之’將該黏 件。又，黏著劑層之凝夥分率為69重量。劑光學構 4之過氧化物之分解量為丨““爪⑴。。’黏著劑組成物 [實施例2] 除將實施例1中之二笨f醯基過氧化物 為二笨甲醯基過氧化物0.30重量份以外，〇.15重量份改 樣方式製作附黏著劑光學構件。黏’與實施例1以同 重量％，黏著劑組成物ig之過氧化物之八之：膠分率為82 之刀乂解量為U.74/z 38 1375821 mol 〇 [實施例3] 除將實施例1中之聚對苯二甲酸乙二醇酯膜（三菱聚酯 公司製，MRF38(加成反應型石夕酿| ))改為聚對笨二甲酸乙二 醇自曰膜（二菱聚酯公司製，MRN3 8(縮合反應型石夕酮））以外， 與實施例1以同樣方式製作附黏著劑光學構件。黏著劑層 之凝膠分率為70重量％，黏著劑組成物lg之過氧化物之 分解量為7.50ymol。 [實施例4] 將丙烯酸異辛酯1〇〇重量份、丙烯酸2羥基乙酯1〇 重量份、及2,2-偶氮雙異丁腈0.10重量份與乙酸乙酯2〇〇 重里伤，技入具有虱氣導入管、冷卻管之四口燒瓶内，充 刀進行氮氣取代後，於氮氣氣流下邊攪拌邊於wc聚合反 應20小時，製得重量平均分子量175萬之高分子量丙烯 酸系聚合物B之溶液。 、對上述丙缔酸系聚合物B之溶液（固體成分）1〇〇重量 伤:添加二苯甲醯基過氧化物（1分鐘半衰期：13〇 〇。〇〇15 重量份、作為㈣偶合劑之3·環氧丙氧基丙基三曱氧基石夕 烧0.080重量份、作為交聯劑之三經甲基丙烧之甲苯撐二 異氰酸酯加成物構成之聚異氰酸醋系交聯劑（可羅内特l， 曰本聚氨基甲酸醋公司製)0.10重量份，並充分均句混合， 以製作黏著劑組成物。 將上述黏著劑組成物，塗佈於經矽酮剝離處理之厚度 38em之聚對苯二甲酸乙二醇酯膜（三菱聚酯公司製， 39 1375821 MRF38(加成反應型㈣）），絲著劑層乾燥後厚度為25# m，於15G°C乾燥2分鐘並進行過氧化物分解處理，將該黏 著劑層轉印於偏光板’而製得本發明之附黏著劑光學構 件。黏著劑層之凝膠分率為79重量％，黏著劑組成物lg 之過氧化物之分解量為8.0 vmol。 [實施例5] 除將實施例4中之二苯甲醯基過氧化物〇15重量份改 為二苯甲醯基過氧化物0.30重量份以外，與實施例4以同 樣方式製作附黏著劑光學構件。黏著劑層之凝膠分率為8 3 重量％，黏著劑組成物lg之過氧化物之分解量為12 〇" mol 〇 [實施例6] 將丙烯酸2-乙基己酯70重量份、丙烯酸丁酯29重量 份、丙烯酸1.0重量份、及2,2_偶氮雙異丁腈〇 〇5〇重量 份與乙酸乙酯200重量份，投入具有氮氣導入管、冷卻管 之四口燒瓶内，充分進行氮氣取代後，於氮氣氣流下邊攪 拌邊於56C聚合反應20小時，製得重量平均分子量J46 萬之高分子量丙烯酸系聚合物C之溶液。 對上述丙烯酸系聚合物C之溶液（固體成分）1〇〇重量 份’添加二苯曱醯基過氧化物（丨分鐘半衰期：13〇 〇<>c )〇 15 重量份、作為矽烷偶合劑之3_環氧丙氧基丙基三曱氧基矽 烷0.10重量份、作為交聯劑之三羥甲基丙烷之曱笨撐二異 氰酸酯加成物構成之聚異氰酸酯系交聯劑（可羅内特L，曰 本聚氨基曱酸酯公司製）〇.6〇重量份，並充分均勻混合，以

40 !375821 製作黏著劑組成物。 將上述黏著劑組成物，塗佈於經石夕嗣剝離處理之厚卢 之聚對苯二甲酸乙二醇醋膜(三菱聚醋公司製， 咖38(加成反應型㈣）），使黏著劑層乾燥後厚度為… ^於1贼㈣2分職進錢氧化物讀處理，將該黏 者劑層轉印於偏光板，而塑媒太 M 向製付本發明之附黏著劑光學構 件。黏著劑層之凝膠分率為6】 手马61重置％，黏著劑組成物lg 之過氧化物之分解量為9.0 # mol。 [實施例7] 除將實施例6中之二苯甲醯其8备 不r酿基過虱化物0· 15重量份改 為二苯甲醯基過氧化物〇 · 3 〇重眚於 更里伤以外，與實施例1以同 樣方式製作附黏著劑光學構件。黏著劑層之凝膠分率為74 重量％’黏著劑組成物lg之過氧化物之分解量為η。" mol 〇 [實施例8] 於丙烯酸2 -乙基己酯7〇舌旦 重里伤、丙烯酸丁醋29重量 份、丙稀曰酸L0重量份、及3·丙稀酿氧丙基三乙氧基石夕烧 0.070重罝份與反應性乳化劑阿庫阿帛hs，(第一工業製 藥公司製）2.0重量份中，加 、 刀八水25重量份，以均質機乳化， 得到乳化物。其次，投入且古备# ， 有氣氣導入管、冷卻管之四口 燒瓶内’進行氮氣取代1 J、眭 Λ 1 j時後’加入水30重量份、及 起始劑VA-057(和光純藥公引制 吧樂△司製）0.10重量份，再使反應系 維持59°C，將上述乳化物以4 ς，士 物以4.5小時滴入使聚合反應進行。 反應結束後，加入氨將Α 虱將pH調整為8，製得乳化型之丙烯酸 41 1375821 系聚合物D之溶液。 對上述丙烯酸系聚合物D之溶液（固體成分）1〇〇重量 份，添加二苯曱醯基過氧化物（1分鐘半衰期：13〇〇它）〇 15 重量份、作為矽烷偶合劑之3-環氧丙氧基丙基三曱氧基矽 烷〇.丨〇重量份，並充分均勻混合，以製作黏著劑組成物。 將上述黏著劑組成物，塗佈於經矽酮剝離處理之厚度 38以ni之聚對苯二曱酸乙二醇酯膜（三菱聚酯公司製， MRF38(加成反應型矽酮）），使黏著劑層乾燥後厚度為25以 二’於15(TC乾燥2分鐘並進行過氧化物分解處理，將該黏 著劑層轉印於偏光板，以製得本發明之附黏著劑光學構 件。黏著劑層之凝膠分率為72重量％，黏著劑組成物ig 之過氧化物之分解量為12.4# mol。 [實施例9] 對上述丙烯酸系聚合物A之溶液（固體成分）1〇〇重量 份，添加二（4-第三丁基環己基）過氧化二碳酸醋（1分鐘半 衰期：92.rC )0.15重量份、作為錢偶合劑之3•環氧丙氧 基丙基三甲氧基我〇·_重量份、作為交聯劑之三經甲 基丙院之曱苯撑二異氰酸醋加成物所構成 伤，並充分均勻混合，以製作黏著劑組成物。 將上述黏著劑組成物，塗佈於經矽酮剝離處理之厚度 38以m之聚對苯二甲酸乙二醇酯膜（三菱聚酯公司製了 MRF38(加成反應型㈣）），使黏著劑層乾燥後厚度為心 m ’於15G°C乾燥2分鐘並進行過氧化物分解處理，將該黏 42 1375821 * » 著劑層轉印於偏光板’以製得本發明之附黏著劑光學構 件。黏著劑層之凝膠分率為81重量％，黏著劑組成物i g 之過氧化物之分解量為8.0 μ mol。 [實施例10] 對上述丙烯酸系聚合物A之溶液（固體成分）1〇〇重量 伤’添加1,1-一（第二丁基己基過氧基）環己烧（1分鐘半衰 : 期：149.2°c )0.30重量份、作為矽烷偶合劑之3·環氧丙氧基 丙基三甲氧基矽烷0.075重量份、作為交聯劑之三經甲基 • 丙烷之曱苯撐二異氰酸酯加成物構成之聚異氰酸酯系交聯 劑（可羅内特L，曰本聚氨基甲酸酯公司製）〇 6〇重量份， 並充分均勻混合，以製作黏著劑組成物。 將上述黏著劑組成物，塗佈於經矽酮剝離處理之厚产 38//m之聚對苯二曱酸乙二醇酯膜（三菱聚酯公司製， MRF38(加成反應型矽酮）），使黏著劑層乾燥後厚度為25以 ni’於150°C乾燥2分鐘並進行過氧化物分解處理，將該黏 著劑層轉印於偏光板，以製得本發明之附黏著劑光學構 •件。黏著劑層之凝膠分率為72 4量％，黏著劑組成 之過氧化物之分解量為5.0/z m〇i。 [比較例1 ] 除將實施例1中二苯甲醯基過氧化物之添加改為不添 加以外，皆與實施例1以同樣方式製作附黏著劑光學構件t 黏著劑層之凝膠分率為62%。 [比較例2] 除將實施例1中二苯甲醯基過氧化物〇 1 .1)重置份改為 43 1375821 二苯甲酿基過氧化物 樣方式製作附黏著劑光風構:份以外’皆與實施例1以同 一著劑組成心著劑層之凝勝分率為 m〇I。 之過乳化物之分解量對為22.2" [比較例3] 除將實施例3中二苯甲酿基過氧 加以外，昏盘眘尬Λ丨， 心添加？文為不添 卜白與實施例3以同樣方式 黏著劑層之凝膠分率為59%。 光子構件 [比較例4] 除將實施例4中-贫田搞甘β — ,L 本甲醯基過氧化物之添加改為不添 加以外，皆與實施例3以 又马不添 黏著劑_八t 1方式製作附黏著劑光學構件。 β者劑層之凝膠分率為75〇/。。 [比較例5] 除將實施例4中-^田μ * 一本甲醯基過氧化物〇.15 二苯曱醯基過氧化物〇 6〇舌县八, 里篁物改為 样士 μ .6〇重量份以外’皆與實施例4以同 ::式製作附黏著劑光學構件。黏著劑層之凝膠分二 心黏著劑組成物1§之過氧化物之分解量為2 ·、、 [比較例6] Mm〇i。 除將實施例5中二笨甲酿基讲窃儿& 本卞酿基過氧化物之添加改為不禾 加以外，皆與實施例5以 +添 彳同樣方式製作附黏著劑光學構件 黏著劑層之凝膠分率為6〇%。 。 [比較例7] 除將實施例5中二笨甲醯其λ 本甲醞基過氧化物〇 3〇重量 二笨甲醯基過氧化物〇·60重量份以 文為 €興貫施例5以同 1375821 樣方式製作附黏著劑 78%’黏著劑組成物1 [比較例8] 光學構件。黏著劑層之凝膠分率為 g之過氧化物之分解量I 21 m〇i。 貫施例 黏著劑層之凝膠分率為63% [比較例9] 一不T醞丞過虱化物之添加改為不 加以外’皆與實施例8以同檨 走^ 』樣方式製作附黏著劑光學構件 黏者劑層之凝塍分率j u〇/_ „ 除將實施例8中二苯甲酿基過氧化物〇15重量份改為 二苯甲醯基過氧化物0.60重量份以外，皆與實施例8以同 樣方式製作附黏著劑光學構件。黏著劑層之凝膠分率為 聊’黏著劑組成物1§之過氧化物之分解量為23以_。 [比較例10] 除將實施例2中二苯甲醯基過氧化物之添加改為不不 加以外，皆與實施例2以同樣方式製作附黏著劑光學構件。、、 黏著劑層t凝膠分率A 82%，著劑組成⑯ig之過氧化 物之分解量為23.1 μ mol。 [比較例11] 除將實施例8中矽烷偶合劑之添加改為不添加以外， 皆與實施例8以同樣方式製作附黏著劑光學構件。黏著劑 層之凝膠分率為78%，黏著劑組成物lg之過氧化物之分 解量為 12.4 /Z mol。 [比較例12] 除將實施例1中二苯甲醯基過氧化物015重量份改為 使用2,2，-偶氮雙異丁腈（和光純藥公司製，偶氣系起始 1375821 劑）0.30重量份以外，皆與實施例2以同樣方式製作附黏著 劑光學構件。黏著劑層之凝膠分率為72%。 依上述方法，對所製得之附黏著劑光學構件進行上述 評價。所得結果如表1所示。 1 [表 1]

丙烯酸 系聚合 物種類 矽酮剝 離處理 劑種類 過氧化物(除S以外） 剝離襯墊 剝離力 [n/50mm] 矽烷偶 合劑 耐久性 化合物種 類 化合物配合 量[重量％] 過氧化物 分解量 [/zmol/g] 實施例1 A 加成型 P 0.15 7.6 0.25 有 〇 實施例2 A 加成型 P 0.30 11.7 0.32 有 〇 實施例3 A 縮合型 P 0.15 7.5 0.21 有 〇 實施例4 B 加成型 P 0.15 8.0 0.18 有 〇 實施例5 B 加成型 P 0.30 12.0 0.34 有 〇 實施例6 C 加成型 P 0.15 9.0 0.18 有 〇 實施例7 C 加成型 P 0.30 13.0 0.28 有 〇 實施例8 D 加成型 P 0.15 12.4 0.18 有 〇 實施例9 A 加成型 Q 0.15 8.0 0.19 有 〇 實施例10 A 加成型 R 0.30 5.0 0.15 有 〇 比較例1 A 加成型 - - - 0.05 有 〇 比較例2 A 加成型 P 0.60 22.2 0.66 有 〇 比較例3 A 縮合型 - - - 0.05 有 〇 比較例4 B 加成型 - - - 0.06 有 〇 比較例5 B 加成型 P 0.60 24.0 0.66 有 〇 比較例6 C 加成型 - - - 0.07 有 〇 比較例7 C 加成型 P 0.60 21.0 0.61 有 〇 比較例8 D 加成型 - - - 0.06 有 〇 比較例9 D 加成型 P 0.60 23.1 0.63 有 〇 比較例10 A 加成型 P 0.30 11.7 0.32 - X 比較例11 D 加成型 P 0.30 12.4 0.18 - X 比較例12 A 加成型 S(偶氮系） 0.30 0 0.05 有 〇 表1中化合物種類（過氧化物及偶氮系化合物）係如下 所示。

a)過氧化物P ⑧ 1375821 笨甲醯基過氧化物

b) 過氧化物Q 二（4-第三丁基環己基）過氧化二破酸酯

c) 過氧化物R

1，1-二（第三己基過氧化）環己烷 • 句偶氮系化合物S lr / 2,2’·偶氮雙異丁腈 由上表1之結果可知，依本發明之製造方法，於矽酮 ® 剝離襯墊上形成黏著劑層之製程中，包含於剝離襯墊上分 解過氧化物之製程時（實施例iMO)，於所有的實施例，皆 可製得耐久性良好且能輕易地適當調整矽酮剝離襯墊之剝 離力之光學構件用黏著劑層、及使用該等之附黏著劑光學 構件（參考圖1)。 相對於此，不含於剝離襯墊上將過氧化物分解之製程 時（比較例1、3〜4、6、8、12)，雖然耐久性良好，但是任 一者之剝離襯墊的剝離力皆較〇.1N/5〇mm為小，接著力不 •充分。而於過氧化物分解量高於20/zm〇1的情形（比較例2、 5、7、9)，雖然耐久性優異，但是任—者之剝離概塾的剝 離力皆較0.4N/50mm為大，使得剝離力過大。另一方面， 不含石夕院偶合劑之情形中（比較例1〇〜u)，雖然具有適當 剝離力，但是耐久性皆不佳。 因此，可以確認依本發明之黏著劑層之製造方法，可 製得对久性良好且具有適當剝離力之光學構件用黏著劑 層、及使用該等之附黏著劑光學構件。

47 1375821 【圖式簡單說明】 圖1，係實施例等中過氧化物分解量與剝離力之關係 * 【主要元件符號說明】 im- * 無 48

Claims (1)

1375821

十、申請專利範圍： 1.-種矽酮剝離襯墊之剝離力調整方法，包括： 於矽酮剥離襯墊之剝離處理面 曲上δ又置含有作為基礎聚 5物之（甲基）丙烯酸系聚合物 SA氧化物之黏㈣組成物 層的第一製程、以及 於該第一製程後進行之將 進行加熱分解從而調整該石夕綱 程。 5亥過氧化物之一部分或全部 剝離襯墊之剝離力的第二製

2.如mj範圍帛i項之♦ _剝離襯塾之剝離力調 整方法’其中，對該黏著劑組絲lg，使該過氧化物加熱 分解1〜20 /z mo 1。 3,種附石夕酮剝離襯墊之黏著劑層之製造方法，係包含 於石夕酮剝離襯塾之剝離處理面上設置含有作為基礎聚合物 之（甲基）丙稀㈣聚合物及過氧化物之黏著劑組成物層的 第一製程， 包括於該第一製程後進行之將該過氧化物之一部分或 全部進行加熱分解從而調整矽酮剝離襯墊之剝離力的第二 製程。 4·如申請專利範圍第3項之附矽酮剝離襯墊之黏著劑 層之製造方法，其中，該黏著劑組成物之基礎聚合物，係 於單體成分100重量份中含（曱基）丙烯酸烷酯8〇重量份以 上之（甲基）丙烯酸系聚合物。 5·如申請專利範圍第3、4項之附矽酮剝離襯墊之黏著 劑層之製造方法，其中，該黏著劑組成物1〇〇重量份中， 49 1375821 101年6月i今日替換頁 含有梦炫偶合劑0.01〜1重量份。 ---- 6. —種附矽酮剝離襯墊之黏荽 纪心黏者片的製造方法，係包括於 矽酮剝離襯墊之剝離處理面設詈合古 置3有作為基礎聚合物之（甲 基）丙稀酸系t合物及過氧化物之赴益a , 物之黏者劑組成物層的第一製 程， 並藉由在該第-製程後進行之將該過氧化物之一部分 或全部加熱分解的第二製程’將石夕，剝離襯塾之剝離力調 整至0.1〜0.4N/50mm的範圍内。

7· —種附矽酮剝離襯墊之光學槿杜 几予構件用黏著劑層，係藉由 申請專利範圍第3項〜第5項中任—項 唄之方法所製造。 8.—種附矽酮剝離襯墊之光學構件用黏著片，具有藉由 申請專利範圍第3項〜第5項中任一項夕古'、 3 項之方法所製造的附矽 酮剝離襯墊之光學構件用黏著劑層。 學構件，係於光學 第 7項之附矽酮 9 · 一種附珍酮剝離襯墊之附黏著劑光 構件的單面或雙面上，形成申請專利範圍 剝離襯墊之光學構件用黏著劑層所構成。 50